LOW TEMPERATURE POLY-SILICON THIN FILM TRANSISTOR, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND ARRAY SUBSTRATE
Номер патента: US20190088786A1
Опубликовано: 21-03-2019
Автор(ы): LI Songshan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-03-2019
Автор(ы): LI Songshan
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Low temperature poly-silicon thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate
Номер патента: US20190088786A1. Автор: Songshan LI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.