Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • COBALT PRECURSORS FOR LOW TEMPERATURE ALD OR CVD OF COBALT-BASED THIN FILMS

COBALT PRECURSORS FOR LOW TEMPERATURE ALD OR CVD OF COBALT-BASED THIN FILMS

Номер патента: US20150246941A1
Опубликовано: 03-09-2015
Автор(ы): Peters David W.
Принадлежит: ENTEGRIS, INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Cobalt precursors for low temperature ald or cvd of cobalt-based thin films

Номер патента: KR102193925B1. Автор: 데이빗 더블유. 피터스. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2020-12-22.

Cobalt precursors for low temperature ALD or CVD of cobalt-based thin films

Номер патента: TW201420798A. Автор: David W Peters. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2014-06-01.

Cobalt precursors for low temperature ALD or CVD of cobalt-based thin films

Номер патента: US9540408B2. Автор: David W. Peters. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Cobalt precursors

Номер патента: US11761086B2. Автор: Thomas H. Baum,Philip S.H. Chen,David W. Peters,Scott L. Battle,John M. Cleary. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Novel compound, precursor composition comprising same, and method for preparing thin film using same

Номер патента: US20240218005A1. Автор: Min-Sung Park,Jang-Hyeon Seok,Hyo-Suk Kim,Min-Hyuk Nim,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Intramolecular stabilized group 13 metal complexes with improved thermal stability for vapor phase thin-film deposition techniques

Номер патента: WO2024107593A1. Автор: Sergei Ivanov,Holger Heil,Paul Mehlmann,Lukas MAI,Mark MATURI. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: WO2002086189A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2002-10-31.

Substituted cycloalkene new copper precursors for chemical vapor deposition of copper metal thin films

Номер патента: EP1387898A1. Автор: David R. Evans,Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen,Wei-Wei Zhuang,Lawrence J. Charneski. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-11.

Silicon precursors and method for low temperature cvd of silicon-containing films

Номер патента: EP2074129A1. Автор: Ashutosh Misra,Ziyun Wang,Ravi Laxman. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2009-07-01.

Silicon precursors and method for low temperature cvd of silicon-containing films

Номер патента: US20080081106A1. Автор: Ashutosh Misra,Ziyun Wang,Ravi Laxman. Владелец: AIR LIQUIDE ELECTRONICS US LP. Дата публикации: 2008-04-03.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: US20120156894A1. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Monosilane or disilane derivatives and method for low temperature deposition of silicon-containing films using the same

Номер патента: WO2005038871A2. Автор: Thomas H. Baum,Ziyun Wang,Chongying Xu. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2005-04-28.

COBALT PRECURSORS FOR LOW TEMPERATURE ALD OR CVD OF COBALT-BASED THIN FILMS

Номер патента: US20170114452A1. Автор: Peters David W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Organometallic compounds and thin film using same

Номер патента: US20200407380A1. Автор: Young Hun Byun,Ho Hoon Kim,Seung Won Ha,Jeum Jong KIM,Seong Hak CHEON. Владелец: Mecaro Co ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Synthesis and use of precursors for ALD of tellurium and selenium thin films

Номер патента: US09783563B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore,Timo Hatanpää. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-10-10.

Silicon-based thin films from n-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazanes

Номер патента: US20240279806A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249629A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Atomic layer deposition method of cobalt-based oxide film

Номер патента: CN114540793A. Автор: 奚斌,万志鑫. Владелец: Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-05-27.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US20170125675A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for vapor-phase growth of phase-change thin film, and device for vapor-phase growth of phase-change thin film

Номер патента: US09911916B2. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihisa Fujisaki,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Composition and method for low temperature deposition of ruthenium

Номер патента: WO2010083510A1. Автор: Ajit Paranjpe,Randhir Bubber,Vinayak Veer Vats. Владелец: VEECO INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2010-07-22.

Method and apparatus for low temperature deposition of cvd and pecvd films

Номер патента: WO1995033868A1. Автор: Robert F. Foster,Joseph T. Hillman,Rikhit Arora. Владелец: Materials Research Corporation. Дата публикации: 1995-12-14.

Synthesis and use of precursors for ALD of group VA element containing thin films

Номер патента: US09828674B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-28.

Method and apparatus for low temperature dielectric for deposition using monomolecular precursors

Номер патента: WO2006039503A3. Автор: Helmuth Treichel,Karl Williams,Cole Porter. Владелец: Cole Porter. Дата публикации: 2009-04-09.

Multilayer encapsulation thin-film

Номер патента: US12134821B2. Автор: Ho Kyoon Chung,Heeyeop Chae,Sang Joon Seo,Seung Woo Seo,Choelmin Jang,Sungmin Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Low temperature silicon nitride films using remote plasma CVD technology

Номер патента: US09583333B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Amit Chatterjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018654A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Thin film deposition device, thin film deposition method, and thin film deposition apparatus

Номер патента: EP4397784A1. Автор: HUI Wang,Jun Wang,Jian Wang,Hui Shen,Xiaoyan Zhang,Shena JIA,Shan ZHANG,Tom Kim,Jacob Lee,William BAEK,Yy KIM,Zeus KIM. Владелец: Cleanchip Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for manufacturing thin film

Номер патента: EP4249631A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Thin Film Depositing Apparatus and Thin Film Depositing Method Used by the Same

Номер патента: US20130251902A1. Автор: Yong-Suk Lee,In-Kyo Kim,Sang-Joon SEO,Myung-Soo Huh,Sung-Yong Lee,Choel-Min JANG,Cheol-Rae JO,Mi-Ra An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Composition and method for low temperature deposition of silicon-containing films such as films including silicon, silicon nitride, silicon dioxide and/or silicon-oxynitride

Номер патента: US7786320B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Ziyun Wang,Chongying Xu,Bryan C. Hendrix,Ravi K. Laxman. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2010-08-31.

Method and precursors for producing oxostannate rich films

Номер патента: US20230095666A1. Автор: LI YANG,Barry C. Arkles,Youlin Pan,Jonathan D. GOFF. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and precursors for producing oxostannate rich films

Номер патента: EP4402299A1. Автор: LI YANG,Barry C. Arkles,Youlin Pan,Jonathan D. GOFF. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications

Номер патента: US09938303B2. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications

Номер патента: US09593133B2. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Organosilane precursors for ALD/CVD silicon-containing film applications

Номер патента: US09371338B2. Автор: Christian Dussarrat,Venkateswara R. Pallem,Glenn KUCHENBEISER. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2016-06-21.

Raw material for chemical deposition containing organoruthenium compound, and chemical deposition method for ruthenium thin film or ruthenium compound thin film

Номер патента: US20240060176A1. Автор: Hirofumi Nakagawa,Yuki Mori,Kazuharu Suzuki,Shunichi Nabeya,Subhabrata Das. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Deposition of noble metal islets or thin films for its use for electrochemical catalysts with improved catalytic activity

Номер патента: WO2023102063A8. Автор: Takashi Ono,Christian Dussarrat,Takashi Teramoto. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

Thin film vapor deposition method and thin film vapor deposition apparatus

Номер патента: US09506146B2. Автор: Ju-Hwan Park,Byung-Chul Cho,In-Hwan Yi. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Thin film processing equipment and the processing method thereof

Номер патента: US20130072000A1. Автор: Toshiaki Yoshimura,Ying-Shih Hsiao. Владелец: YOSHIMURA TOSHIAKU. Дата публикации: 2013-03-21.

Underlayer doping in thin film magnetic recording media

Номер патента: CA2062154C. Автор: James Joseph Mayerle,David Alvoid Edmonson,Kenneth Edmund Johnson,Arthur Carl Wall. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Cobalt-base alloys and its cladding layer of cobalt-base alloys preparation

Номер патента: CN107326221B. Автор: 陈辉,刘艳,吴影,李洪玉. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2018-11-23.

Preparation method of cobalt-based anti-cavitation coating based on work hardening plastic deposition

Номер патента: CN111793795A. Автор: 李波,姚建华,吴丽娟. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for preparing cobalt-based coating on surface of cobalt-based alloy

Номер патента: CN109321785B. Автор: 潘太军,江健,郭莉莉. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-23.

Application of cobalt-based alloys to metal parts

Номер патента: FR1324976A. Автор: . Владелец: Coast Metals Inc. Дата публикации: 1963-04-26.

A kind of cobalt base superalloy burner inner liner crackle, ablated region process method for welding and repairing

Номер патента: CN108326508B. Автор: 王东生,莫新荣. Владелец: SHENYANG JINYAN LASER RE-MANUFACTURE TECH R&D Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-18.

A method of producing protective diffusion layers on the surface of cobalt-based alloys

Номер патента: IL35730A. Автор: . Владелец: Deutsche Edelstahlwerke AG. Дата публикации: 1973-11-28.

A kind of cobalt base superalloy burner inner liner crackle, ablated region process method for welding and repairing

Номер патента: CN108326508A. Автор: 王东生,莫新荣. Владелец: SHENYANG JINYAN LASER RE-MANUFACTURE TECH R&D Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-27.

Preparation method of cobalt-based alloy composite powder and cladding coating for plasma spraying

Номер патента: CN110923610B. Автор: 王爱平. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-21.

Production of a thin film reflector

Номер патента: EP3166902A1. Автор: Tapani Alasaarela,Anna SAHLHOLM. Владелец: Scint X AB. Дата публикации: 2017-05-17.

Tellurium Precursors for Film Deposition

Номер патента: US20120021590A1. Автор: Julien Gatineau,Hana ISHII. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2012-01-26.

Method and system for adjusting location of a wafer and a top plate in a thin-film deposition process

Номер патента: US12014910B2. Автор: Che-Wei WU,Yu-Hsiang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Silicon carbide thin films and vapor deposition methods thereof

Номер патента: WO2022072258A1. Автор: Barry C. Arkles,Alain E. Kaloyeros. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2022-04-07.

Carbosilane Precursors For Low Temperature Film Deposition

Номер патента: US20130065404A1. Автор: Timothy W. Weidman,Todd Schroeder. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for forming thin film

Номер патента: WO2003041142A1. Автор: Won-Yong Koh,Choon-Soo Lee. Владелец: Genitech Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin film

Номер патента: EP1454347A1. Автор: Won-Yong 105-605 Hanul Apt. KOH,Choon-Soo 113-402 Hanmaeul Apt. 200-4 LEE. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-08.

Vertical Thin-Film Transistor with Enhanced Gate Oxide

Номер патента: US20080224205A1. Автор: John W. Hartzell,Apostolos T. Voutsas,Pooran Chandra Joshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Apparatus for providing depletion-free uniform thickness cvd thin-film on semiconductor wafers

Номер патента: CA1217936A. Автор: Morris Simson,Robert F. Sarkozy. Владелец: BTU Engineering Corp. Дата публикации: 1987-02-17.

Method of depositing thin film and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US11967503B2. Автор: Min Woo Park,Ji Hyun Kim,Young Chul Choi,Kyung Mi Kim,Chang Hak Shin,Su In Kim. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Precursors for high-temperature deposition of silicon-containing films

Номер патента: WO2021158633A2. Автор: Adrien Lavoie,Douglas Walter Agnew. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2021-08-12.

High Temperature ALD Process for Metal Oxide for DRAM Applications

Номер патента: US20140077337A1. Автор: Hiroyuki Ode,Sandra Malhotra,Hanhong Chen,Edward Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

LOW TEMPERATURE ALD SiO2

Номер патента: US20080113097A1. Автор: Yi-Chiau Huang,Maitreyee Mahajani,Brendan McDougall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-15.

Crystallization and bleaching of diamond-like carbon and silicon oxynitride thin films.

Номер патента: WO2014137887A3. Автор: Charles Andrew Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-06.

Crystallization and bleaching of diamond-like carbon and silicon oxynitride thin films.

Номер патента: EP2964803A2. Автор: Charles Andrew Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Crystallization and bleaching of diamond-like carbon and silicon oxynitride thin films.

Номер патента: WO2014137887A2. Автор: Charles Andrew Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-12.

Method for low temperature chemical vapor deposition of aluminides containing easily oxidized metals

Номер патента: US5503874A. Автор: John F. Ackerman,William R. Stowell,John H. Wood,Adrian M. Beltran. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1996-04-02.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Surface processing of thin film cvd diamond coatings for improved resistive properties and integrated circuit packages incorporating processed coatings

Номер патента: CA2258388C. Автор: Philip M. Fabis. Владелец: Saint Gobain Industrial Ceramics Inc. Дата публикации: 2002-04-16.

Part in sliding contact at lubrication rate, which is covered with thin film

Номер патента: RU2440441C2. Автор: Филипп МОРЭН-ПЕРРЬЕ,Флоран ЛЕДРАППЬЕ,Лоран УЗЕ. Владелец: Х.Е.Ф.. Дата публикации: 2012-01-20.

Microwave apparatus for depositing thin films

Номер патента: CA2146369C. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Masatsugu Izu,Wataru Hasegawa,Buddie R. Ii Dotter. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Thin film forming method and thin film stack

Номер патента: US20110052924A1. Автор: Kiyoshi Oishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for improving adhesion of yttrium-based thin film

Номер патента: US20240229241A9. Автор: Yoshitaka Ozaki,Tomohiro Matsumura,Yuriko YANAI. Владелец: Shinryo Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cyclic Deposition Method for Thin Film Formation, Semiconductor Manufacturing Method, and Semiconductor Device

Номер патента: US20150187560A1. Автор: Jeong-Hoon Lee,Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for forming thin film and apparatus for processing substrate therefor

Номер патента: US20240290586A1. Автор: Jae Hun Lee,Jeong Jun Lee,Kyoung Pil NA,Yu Deuk Kim,Jae Gab LIM,Gun Hee CHO. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Preparation of cobalt-based metal organic framework material and low-carbon hydrocarbon separation application thereof

Номер патента: CN113214493A. Автор: 陈强,李建荣,谢亚勃,王昊天,赵砚珑,芦世东. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-08-06.

Method for low temperature ion implantation

Номер патента: US20110244669A1. Автор: Zhimin Wan,John D. Pollock,Erik Collart. Владелец: Advanced Ion Beam Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Low temperature tungsten film deposition for small critical dimension contacts and interconnects

Номер патента: US09673146B2. Автор: FENG CHEN,Raashina Humayun,Michal Danek,Anand Chandrashekar. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Low-temperature fabrication of nanomaterial-derived metal composite thin films

Номер патента: US09412852B2. Автор: Yu Xia,He Yan,Tobin J. Marks,Antonio Facchetti,Mercouri G. Kanatzidis,William Christopher Sheets,Myung-Gil Kim. Владелец: Polyera Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for low temperature ionic nitrogening of steel parts

Номер патента: RU2755911C1. Автор: Руслан Каримович Вафин,Александр Владиславович Асылбаев,Даниил Валерьевич Мамонтов,Иван Дмитриевич Склизков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2021-09-22.

Method for low-temperature cementation (ltc) of steel

Номер патента: RU2709381C1. Автор: Андрей Павлович Навоев. Владелец: Андрей Павлович Навоев. Дата публикации: 2019-12-17.

A Device and Method for In-situ measurement on Low-Temperature Crystal Structure of Two-Dimensional Materials

Номер патента: LU502524B1. Автор: Fei Chen,Jincang Zhang,Wenlai Lv,Zhenjie Feng,Junyi Ge. Владелец: Univ Shanghai. Дата публикации: 2024-01-22.

Method for low-temperature ion nitriding of titanium alloys

Номер патента: RU2633867C1. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Рашид Денисламович Агзамов,Айнур Фиргатович Тагиров,Илья Владимирович Золотов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-10-18.

Low temperature load and bake

Номер патента: US20030036268A1. Автор: Paul Brabant,Jianqing Wen,Joe Italiano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for low-temerature ion nitriding of titanium alloys with constant pumping of a gas mixture

Номер патента: RU2687616C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Юлдаш Гамирович Хусаинов,Рашид Денисламович Агзамов,Роман Сергеевич Есипов,Алексей Александрович Николаев,Айнур Фирганович Тагиров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-05-15.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: EP3983573A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2022-04-20.

Aqueous solution precursors for making oxide thin films, and composition and method for making conductive oxide thin films therefrom

Номер патента: WO2020257254A1. Автор: Douglas A. Keszler,Cory K. Perkins. Владелец: Oregon State University. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of low-temperature application of nanocrystalline coating from alpha-oxide aluminum

Номер патента: RU2676719C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Пётр Васильевич Третников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for making polycrystalline silicon thin film

Номер патента: US5344796A. Автор: Jong Y. Shin,Suk B. Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-09-06.

System and method of low temperature thin film deposition and in-situ annealing

Номер патента: US12018374B2. Автор: Jeffrey Edward Kowalski. Владелец: Dsgi Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Activation of self-passivating metals using reagent coatings for low temperature nitrocarburization in the presence of oxygen-containing gas

Номер патента: EP4330442A1. Автор: Peter C. Williams,Frank Ernst,Christina Semkow,Cyprian Adair William ILLING,Todd Johns,Ronald EDMONSON. Владелец: Swagelok Co. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of vacuum ion-plasma low-temperature deposition of noncrystalline coating from aluminum oxide

Номер патента: RU2676720C1. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Александр Сергеевич Каменецких,Пётр Васильевич Третников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for fabricating copper-containing ternary and quaternary chalcogenide thin films

Номер патента: EP2459769A2. Автор: Isaiah O. Oladeji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-06.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Solid-state thin-film hybrid electrochemical current source

Номер патента: RU2709487C1. Автор: Владимир Александрович Чугунов,Владимир Игоревич МЕЩЕРЯКОВ,Антон Михайлович МАНАХОВ,Николай Анатольевич Погорелов,Арну РУССАУ,Елена Викторовна КОЛЕСНИКОВА. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Финика". Дата публикации: 2019-12-18.

Superconducting thin-film material and method of making said material

Номер патента: RU2384907C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казуя ОХМАЦУ,Мунецугу ЮЯМА,Кацуя ХАСЕГАВА. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Low temperature formation of perovskite films in supercritical fluids

Номер патента: US20220205106A1. Автор: Gary Tepper,Gilbert ANNOHENE. Владелец: Virginia Commonwealth University. Дата публикации: 2022-06-30.

Polycrystalline silicon thin film forming method

Номер патента: US6447850B1. Автор: Eiji Takahashi,Naoto Kuratani,Akinori Ebe. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Low temperature formation of perovskite films in supercritical fluids

Номер патента: US12006574B2. Автор: Gary Tepper,Gilbert ANNOHENE. Владелец: Virginia Commonwealth University. Дата публикации: 2024-06-11.

Piezoelectric thin-film resonator, method for fabricating same, filter and duplexer having an interposed film

Номер патента: US09444429B2. Автор: Takeshi Sakashita,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Device for application of functional layers of thin-film solar cells on substrate by deposition in plasma of low-frequency induction discharge of low-pressure transformer

Номер патента: RU2582077C2. Автор: Игорь Максимович Уланов,Артем Юрьевич Литвинцев,Михаил Витальевич Исупов,Павел Александрович Мищенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2016-04-20.

Conducting thin films with high thermal stability

Номер патента: RU2562239C2. Автор: Рене ФАХБЕРГЕР,Йохен БАРДОНГ,Гудрун БРИКНЕР,Берт ВАЛЛЬ. Владелец: Вектрон Интернэшнл Гмбх. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Method of controlling thin film forming speed at various distance from material source

Номер патента: RU2633687C1. Автор: Сергей Александрович Степанов,Николай Иванович Сушенцов,Андрей Викторович Мороз,Елена Андреевна Рыжова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Поволжский государственный технологический университет". Дата публикации: 2017-10-16.

Method for fabricating ferroelectric thin film

Номер патента: US6335207B1. Автор: Seung Ki Joo,Eung Chul Park,Jang Sik Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-01.

Method for forming an aluminum metallic thin film by vapor phase growth on a semiconductor substrate

Номер патента: US4430364A. Автор: Takashi Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-07.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Ferroelastic lead germanate thin film and deposition method

Номер патента: US20010024835A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-27.

Method of forming ferroelastic lead germanate thin films

Номер патента: US20020063265A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US20150162183A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-06-11.

Thin Film Forming Sputtering Target, Dielectric Thin Film, Optical Disc and Production Method Therefor

Номер патента: US20080271988A1. Автор: Yasuo Hosoda,Takashi Ueno,Takanobu Higuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180062068A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of preparing nano-thin film of cement hydration product

Номер патента: US11254612B2. Автор: XIANG Ji,Zhen He,Wei Zhou,Wenzhi Yu,Jingtao CHEN,Xiaofei XU,Shengwen Tang,Hubao A. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2022-02-22.

Thin-film dielectric and thin-film capacitor element

Номер патента: US09947469B2. Автор: Masahito Furukawa,Masanori Kosuda,Saori Takeda. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film forming method

Номер патента: US09777366B2. Автор: Shigeru Nakajima,Atsushi Endo,Kazumasa Igarashi,Satoshi Takagi,Takahiro Miyahara,Akinobu Kakimoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Conductive thin film for ultraviolet waveband and preparation method therefor

Номер патента: US12107192B2. Автор: Hong Wang,Xiaolong Hu,Quanbin ZHOU,Rulian WEN. Владелец: Zhongshan Institute of Modern Industrial Technology of South China University of Technology. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for forming conductive titanium oxide thin films

Номер патента: US09646820B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Viljami Pore. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-09.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

Method of preparing substrate surface from aluminum nitride ceramics for thin film metallization

Номер патента: RU2724291C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Алексей Геннадьевич Чупрунов,Андрей Анатольевич Пронин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Moving slide gate for forming thin films of variable thickness produced by vacuum deposition method

Номер патента: RU2754147C1. Автор: Геннадий Семенович Патрин,Игорь Александрович Турпанов,Василий Иванович Юшков,Александр Васильевич Кобяков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2021-08-30.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Apparatus and method for forming thin film at low temperature and high deposition rate

Номер патента: US6576566B2. Автор: Kazuhiko Hashimoto,Minoru Noda,Tatsuro Usuki,Masanori Okuyama,Hiroyuki Kishihara,Ryuichi Kubo,Tomonori Mukaigawa. Владелец: Hochiki Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Transition metal-dichalcogenide thin film and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200277700A1. Автор: TAE JOO Park,Dae Hyun Kim,Daewoong Kim,Tae Jun Seok,Hyunsoo Jin. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-09-03.

Oxide thin film and oxide thin film device

Номер патента: US20100090214A1. Автор: Masashi Kawasaki,Kentaro Tamura,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-15.

Oxide/organic polymer multilayer thin films deposited by chemical vapor deposition

Номер патента: WO1999057330A9. Автор: Seshu B Desu,John J Senkevich. Владелец: Seshu B Desu. Дата публикации: 2000-02-10.

Thin film of aluminate including rare earth elements, method of producing same, and light-accumulation optical element

Номер патента: US20020086190A1. Автор: Tomoko Miyaura. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Thin-film formation device and method

Номер патента: US5793479A. Автор: Kazumi Sugai,Akiko Kobayashi,Shunji Kishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Thin film forming method

Номер патента: US20110165775A1. Автор: Eisaku Watanabe,Hanako Hirayama. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-07-07.

2D Layered Thin Film Structure

Номер патента: US20240117487A1. Автор: Yi-Cheng Lin,Shu-Ju Tsai. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2024-04-11.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240258104A1. Автор: Jung Kyun Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods of monitoring thin film deposition

Номер патента: US20030041654A1. Автор: John Larson,Mark Hueschen,Richard Karlquist,Herbert Ko,Kent Carey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Piezoelectric thin film element

Номер патента: US20200274052A1. Автор: Junichi Kimura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including thin film, photovoltaic cell including thin film, and manufacturing method of thin film

Номер патента: US20190058142A1. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2019-02-21.

Thin film of metal oxide, organic electroluminescent device including thin film, photovoltaic cell including thin film, and manufacturing method of thin film

Номер патента: US20170186984A1. Автор: Kazuhiro Ito,Hideo Hosono,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Toshinari Watanabe,Yoshitake Toda,Naomichi Miyakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for producing thin film

Номер патента: US20020187649A1. Автор: Takayuki Abe,Naoki Nakamura,Naomi Fukumaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method and system for forming copper thin film

Номер патента: US20020052109A1. Автор: Atsushi Sekiguchi,Akiko Kobayashi,Toshiaki Sasaki,Susumu Akiyama,Minjuan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Ferroelastic lead germanate thin film and deposition method

Номер патента: US20020024072A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Teng Hsu,Fengyan Zhang,Yoshi Ono. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-02-28.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film

Номер патента: US12063023B2. Автор: Sang Jeong An. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Thin film deposition method and thin film deposition apparatus

Номер патента: US7291357B2. Автор: Koichi Shintomi,Hiroyuki Abe,Koji Masuda,Tetsuro Wada,Atsushi Hiraizumi,Kazuyou Mizuno. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-06.

Device and method for producing thin-film catalyst

Номер патента: US20240261773A1. Автор: Ruoqi QIAN,Jingji QIAN. Владелец: Suzhou Taone Sincere Nanomaterial Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Preparation method and application of cobalt-based catalyst for catalyzing carbon dioxide to prepare ethanol

Номер патента: CN108380216B. Автор: 王亮,肖丰收,王凌翔. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-07-17.

Preparation method and application of cobalt-based metal organic framework catalyst for activating oxygen molecules

Номер патента: CN112500580B. Автор: 张铁欣,段春迎,李莫尘,宋靖修,史雨生. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-05-10.

A kind of cobalt-based composite particle-loaded article and preparation and the synthesis of carboxylate

Номер патента: CN108126761A. Автор: 高爽,吕迎,王连月,李国松. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2018-06-08.

Preparation method and application of cobalt-based catalyst for synthesizing higher alcohol by hydrogenation of carbon dioxide

Номер патента: CN116393136A. Автор: 陈建,何一鸣,谭兴,唐振辰,付伟杰,曾丰,刘水莲,杜瑞兴,钟奇彤. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-07.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09870851B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09865674B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US09536732B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20010010835A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Method for forming gas cluster and method for forming thin film

Номер патента: US20020068128A1. Автор: Jiro Matsuo,Isao Yamada,Makoto Akizuki,Mitsuaki Harada,Atsumasa Doi,Satoru Ogasawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20170104054A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254344A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20160254144A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Low temperature fabrication of lateral thin film varistor

Номер патента: US20180096760A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and apparatus to deposit pure titanium thin film at low temperature using titanium tetraiodide precursor

Номер патента: US9478438B2. Автор: Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Novel bismuth precursors for cvd/ald of thin films

Номер патента: WO2009059237A3. Автор: Jeffrey F. Roeder,Matthias Stender,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron,Bryan C. Hendrix,William Hunks,Gregory T. Stauf. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2009-09-24.

Thin film transistor fabrication method, active matrix substrate fabrication method, and liquid crystal display device

Номер патента: US6150283A. Автор: Hideto Ishiguro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Method of manufacturing low temperature poly-silicon array substrate, array substrate, and display panel

Номер патента: US20180182865A1. Автор: Wanting YIN,Xiaodan HAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Low temperature cure using benzopinacol polymerization initiator

Номер патента: CA2834800C. Автор: Thomas James MURRAY,David L. Vines. Владелец: Elantas PDG Inc. Дата публикации: 2018-10-30.

Apparatus, method, and recording medium storing command for controlling thin-film deposition process

Номер патента: US20230279538A1. Автор: Young Kyun Noh. Владелец: Ivworks Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20100194245A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Piezoelectric thin film and method of manufacturing the same, angular velocity sensor, method of measuring angular velocity by the angular velocity sensor, piezoelectric generating element, and method of generating electric power using the piezoelectric generating element

Номер патента: US20110072900A1. Автор: Hideaki Adachi,Eiji Fujii,Takakiyo HARIGAI. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Thin film transistor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US20060281317A1. Автор: Katsunori Misaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US20220037476A1. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for gate electrode and thin film transistor and display panel

Номер патента: US11901420B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Composition for depositing silicon-containing thin film containing bis(aminosilyl)alkylamine compound and method for manufacturing silicon-containing thin using the same

Номер патента: US11749522B2. Автор: Sang Ick Lee,Myong Woon Kim,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang,Joong Jin Park,Jeong Joo Park,Sam Dong LEE. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Ultra-thin film formation using gas cluster ion beam processing

Номер патента: WO2010101688A1. Автор: Noel Russell,Edmund Burke,Gregory Herdt,John J. Hautala. Владелец: TEL EPION INC.. Дата публикации: 2010-09-10.

Apparatus for low-temperature dephlegmation with rectification of integrated production of non-waste field gas treatment (versions)

Номер патента: RU2725989C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-07-08.

Organic semiconductor device and organic semiconductor thin film

Номер патента: EP1995801A1. Автор: Yoshihiro Miyamoto,Mao Katsuhara,Akito Ugawa,Toshiyuki Kunikiyo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-26.

TCD-Esters for Low Temperature Liquid Applications

Номер патента: US20230063112A1. Автор: Horst Lange,Christoph Balzarek,Joachim Reimer,Jens Kubitschke,Gina Prüß. Владелец: OQ Chemicals GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Well defined quaternary ammonium functionalized quaterphenylene polymer derivatives for low and high temperature polymer electrolyte membrane fuel cells

Номер патента: US20230302441A1. Автор: Christos L. Chochos,George Paloumbis,Panagiotis Bexis,Konstantinos Gournas,Vasilis Gregoriou. Владелец: Advent Technologies Holdings Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Well defined quaternary ammonium functionalized quaterphenylene polymer derivatives for low and high temperature polymer electrolyte membrane fuel cells

Номер патента: WO2023183720A2. Автор: Christos L. Chochos,George Paloumbis,Panagiotis Bexis,Konstantinos Gournas,Vasillis GREGORIOU. Владелец: Advent Technologies Holding, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Low temperature, polyphenylmethane-based dielectric compositions

Номер патента: US5192463A. Автор: Raymond Commandeur,Noelle Berger,Pierre Jay. Владелец: Atochem SA. Дата публикации: 1993-03-09.

Organic thin-film transistor and method for manufacturing the same, material for organic thin-film transistor, composition for organic thin-film transistor, compound, and organic semiconductor film

Номер патента: US20180159048A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Organic thin film transistor, method of manufacturing organic thin film transistor, organic thin film transistor material, organic thin film transistor composition, organic semiconductor film, and compound

Номер патента: US20180155338A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Yoshihisa Usami,Toshihiro Okamoto,Eiji Fukuzaki,Masatoshi Yumoto,Hiroaki Tsuyama,Masashi Koyanagi,Junichi Takeya. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2018-06-07.

Polymer compound, precursor for the same and thin film-forming method using the same polymer precursor

Номер патента: US6949618B2. Автор: Takashi Kato. Владелец: Chisso Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Tetrathiafulvalene derivatives and organic thin-film transistor

Номер патента: US8304762B2. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2012-11-06.

Organic semiconductor and organic thin-film transistor

Номер патента: US20100213444A1. Автор: Takehiko Mori,Masato Kanno. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2010-08-26.

Composite of cobalt-based perovskite material with negative thermal expansion material, and preparation method of same, and solid oxide fuel cell comprising same

Номер патента: US12034168B2. Автор: Yuan Zhang,Wei Zhou,Guangming Yang,Chuan Zhou,Zongping Shao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-09.

Mesoporous main framework of cobalt based catalyst for Fischer-Tropsch synthesis and a preparation method thereof

Номер патента: KR101829917B1. Автор: 배종욱,안창일. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2018-02-20.

A kind of cobalt-base catalyst preparation method, the catalyst prepared by this method and its application

Номер патента: CN107486189A. Автор: 吴玉,夏国富,孙霞,侯朝鹏,李明丰,李猛,晋超,阎振楠. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2017-12-19.

A kind of cobalt-base catalyst and preparation method and application and Fischer-Tropsch synthesis method

Номер патента: CN108654637A. Автор: 吴玉,夏国富,侯朝鹏,李明丰,李会峰,徐润,郑仁垟,晋超. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2018-10-16.

Preparation method and application of cobalt-based metal organic framework Co-MOF material

Номер патента: CN112280051A. Автор: 李�浩,杨玲,李会,孙红,张羽翔,赵英杰,姚川,张时星,秦国浩. Владелец: Xuchang University. Дата публикации: 2021-01-29.

A kind of cobalt base amorphous alloy powder and production method

Номер патента: CN106893953A. Автор: 罗奕兵,胡传,钱雨生. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-27.

Heat treatment and repair of cobalt-base superalloy articles

Номер патента: WO1993022097A1. Автор: Norman Pietruska,Michael S. Kurpaska. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1993-11-11.

A kind of cobalt-based multi-stage nano composite construction electrolysis water oxygen elctro-catalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN106011926B. Автор: 夏瀚,黄智鹏. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2019-04-02.

A kind of anti-gravity suction pouring prepares the device and method of cobalt-base alloy welding wire

Номер патента: CN106424662B. Автор: 王轶,张科,操齐高,郑晶,贾志华,孟晗琪. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2018-07-10.

A kind of cobalt-based substituted-phenyl M-phthalic acid metal coordinating polymer and preparation method thereof

Номер патента: CN106366325B. Автор: 王磊,杨铭,张奥. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-26.

Electropolishing of cobalt-based alloys containing platinum

Номер патента: WO2014159747A1. Автор: William E. Webler. Владелец: ABBOTT CARDIOVASCULAR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Preparation method of cobalt-based amorphous iron core for magnetic amplifier

Номер патента: CN106952720B. Автор: 陈卫红,关涛,徐可心,石小兰,宗常宝,卢明乐. Владелец: Foshan Zhongyan Amorphous Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-01.

A kind of cobalt base superalloy and preparation method thereof

Номер патента: CN109280813A. Автор: 王辉,杨海峰. Владелец: Baoji University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of cobalt base superalloy and preparation method thereof and the application in heavy duty gas turbine

Номер патента: CN108396200A. Автор: 李辉,王尧,郑伟,楼琅洪,董加胜,刘心刚,李相伟. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2018-08-14.

Joint construction of cobalt-based alloy

Номер патента: CA2377159C. Автор: Takahiko Kato,Yoshiteru Chiba,Jiro Kuniya,Shizuo Matsushita,Mitsuo Chigasaki,Yoshihisa Kiyotoki. Владелец: Hitachi GE Nuclear Energy Ltd. Дата публикации: 2009-12-22.

Metal-doped cobalt precursor for preparing positive electrode active material for secondary battery

Номер патента: US20190169042A1. Автор: Wang Mo JUNG,Bo Ram Lee,Chi Ho Jo,Hyuck Hur,Jiyoung Park,Sungbin Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Metal-Doped Cobalt Precursor for Preparing Positive Electrode Active Material for Secondary Battery

Номер патента: US20210039959A1. Автор: Wang Mo JUNG,Bo Ram Lee,Chi Ho Jo,Hyuck Hur,Jiyoung Park,Sungbin Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Preparation method of tin-based lithium cobaltate precursor and use thereof

Номер патента: US12095085B2. Автор: Changdong LI,Xuemei Zhang,Aixia LI,Haijun YU,Yinghao Xie. Владелец: Yichang Brunp Contemporary Amperex Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Template growth method for preparing lithium cobaltate precursor and use thereof

Номер патента: GB2621290A. Автор: Zhang Xuemei,Yu Haijun,LI Changdong,XIE YINGHAO,LI Aixia. Владелец: Hunan Bangpu Automobile Circulation Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Preparation method of tin-based lithium cobaltate precursor and use thereof

Номер патента: US20240162436A1. Автор: Changdong LI,Xuemei Zhang,Aixia LI,Haijun YU,Yinghao Xie. Владелец: Yichang Brunp Contemporary Amperex Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for reconstruction of low-temperature gas separation unit to increase in yield of gas condensate (options)

Номер патента: RU2758754C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2021-11-01.

Unit for low-temperature separation and cold recovery

Номер патента: RU2585809C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2016-06-10.

Apparatus for low-temperature dephlegmation with separation of ltds to prepare natural gas to obtain a propane-butane fraction

Номер патента: RU2685102C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-04-16.

Low-temperature multi-way furnace

Номер патента: RU2717059C2. Автор: Даниэль ГАСПАР,Жозеф ПРИАРОЛЛО,Готье КОТТЕНЬЕ,Тьерри МЕЛЬКЬОР,Ален МАМПОНТЕЛЬ. Владелец: Комиссарья А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив (Сеа). Дата публикации: 2020-03-17.

Method of updating installation for low-temperature gas separation

Номер патента: RU2683091C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Ассоциация инженеров-технологов нефти и газа "Интегрированные технологии". Дата публикации: 2019-03-26.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: EP1342820A4. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2008-05-21.

Production method for composite oxide thin film and device therefor and composite oxide film produced thereby

Номер патента: US20040127064A1. Автор: Hideo Ihara,Sundaresan Athinarayanan,Yoshiko Ihara,Hideyo Ihara,Hidetaka Ihara,Gen-Ei Ihara,Chiaki Ihara,JiaCai Nie. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-07-01.

Integrated device for low-temperature pyrolysis biocarbon manufacturing and forming from organic solid waste

Номер патента: GB2607182A8. Автор: Wang Jingfu,Jia Hongxin,Ma Yasong. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-12-21.

METHOD OF GROWING PURE Ge THIN FILM WITH LOW THREADING DISLOCATION DENSITY

Номер патента: US20100144124A1. Автор: Sang Hoon Kim,Hyun Tak Kim,Dong Woo Suh,Gyung Ock Kim,Ji Ho Joo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-10.

Dye sublimation ready coating for low temperature plastic substrates

Номер патента: US11731447B2. Автор: Paul Andrew Ramsden. Владелец: Conde Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Low - temperature impact - resistant high - strenght as - cast nodular cast iron and production method thereof

Номер патента: NL2030335B1. Автор: Xu Wenqing,XU Jingguo,LIU Qingliang,Chen Gan,LV Haifeng,Kong Qingzhu,Li Zhaoxia. Владелец: Shandong Huijin Stock Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Laser crystallization of thin films on various substrates at low temperatures

Номер патента: US09776279B2. Автор: Gary J. Cheng,Martin Y. Zhang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-03.

Low temperature hermetic sealing via laser

Номер патента: US09441416B2. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Martin D. BRACAMONTE. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Bitumen composition effective at low temperature and at intermediate temperature

Номер патента: RU2687940C2. Автор: Ивон УНГ,Нур ДРИДИ,Гийом ДЮЛАК. Владелец: Тотал Маркетинг Сервисез. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for low-temperature synthesis of titanium diboride

Номер патента: RU2723859C1. Автор: Евгений Сергеевич Горланов. Владелец: Евгений Сергеевич Горланов. Дата публикации: 2020-06-17.

Composite braze liner for low temperature brazing and high strength materials

Номер патента: US20200368852A1. Автор: Marvin Goins,Baolute Ren,Michael P. DANZ. Владелец: Arconic Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-26.

Refrigerant for low temperature applications

Номер патента: WO2006071965A3. Автор: Kenneth M Ponder,Steffan Thomas Jr. Владелец: Steffan Thomas Jr. Дата публикации: 2006-12-21.

Low temperature melting and mid temperature melting lead-free solder paste with mixed solder alloy powders

Номер патента: US20220184749A1. Автор: Fen Chen,Ning-Cheng Lee,Hongwen Zhang,Jie GENG,Francis Mutuku. Владелец: Indium Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Conductive composition for thin film printing and method for forming thin film conductive pattern

Номер патента: US09845404B2. Автор: Hiroshi Uchida,Jun Dou,Takahiko Ono,Masumi Kuritani,Shoichiro Wakabayashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for low-temperature preparation of graphene and of graphene-based composite material

Номер патента: US09580324B2. Автор: Xianbo Jin,Yanzhong Hong. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of low-temperature carbonization-burning and plant for low-temperature carbonization-burning

Номер патента: RU2116328C1. Автор: Херм Хартмут,Май Карл,Маттке Райнхард. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 1998-07-27.

Hydrogen production for low temperature fuel cells from the steam reforming and oxidative reforming of alcohols using catalysts based on mixed oxides with perovskite structure

Номер патента: US20120201745A1. Автор: Sania Maria Lima,Fabio Bellot NORONHA,Lisiane Veiga Mattos,Adriana Maria Da Silva,Jose Mansur Assaf. Владелец: UNIVERSIDADE FEDERAL DE SAO CARLOS UFSCAR. Дата публикации: 2012-08-09.

Low temperature impact resistant steel produced by continuous variable crown (CVC) steckel mill and preparation method and use thereof

Номер патента: GB2622886A. Автор: Liu Peng,Han Qibiao,Zhao Xianpeng,Qiao Song,Qi Tiansheng. Владелец: SD Steel Rizhao Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

SILOXANE EPOXY POLYMERS FOR LOW-κ DIELECTRIC APPLICATIONS

Номер патента: WO2005105894A2. Автор: Shyam P. Murarka,Ramkrishna Ghoshal,Toh-Ming Lu,Pei-I Wang. Владелец: Polyset Company, Inc.. Дата публикации: 2005-11-10.

SILOXANE EPOXY POLYMERS FOR LOW-κ DIELECTRIC APPLICATIONS

Номер патента: EP1740641A2. Автор: Shyam P. Murarka,Ramkrishna Ghoshal,Toh-Ming Lu,Pei-I Wang. Владелец: Polyset Co. Дата публикации: 2007-01-10.

Low temperature poly-silicon thin film preparation apparatus and method for preparing the same

Номер патента: US09522844B2. Автор: JIA Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Catalyst for low-temperature conversion and process for the low-temperature conversion of carbon monoxide and water into carbon dioxide and hydrogen

Номер патента: US09343767B2. Автор: Michael Hesse,Markus Hoelzle,Stephan Hatscher. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-05-17.

Pyrogas treatment method before gas separation; method for generating low-temperature industrial cold in vapor-compression refrigerator in treating pyrogas before gas separation

Номер патента: RU2056018C1. Автор: Давид Павлович Синельников. Владелец: Давид Павлович Синельников. Дата публикации: 1996-03-10.

Preparation method for low-temperature impact toughness-resistant wind power steel

Номер патента: EP4253586A1. Автор: Wei Ning,Yan Li,Kang He,Wenqiang Li,YANG Cao,Changhong Zhang,Tengfei WANG,Kai Ni,Zhongxue WANG,Heng Ma. Владелец: Laiwu Steel Group Yinshan Section Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

Multilayer tape constructions for low-temperature vibration damping with tunable adhesion

Номер патента: WO2020112824A3. Автор: Joseph L. Meckler,Henry W. Milliman,Mahesh GANESAN. Владелец: AVERY DENNISON CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-06.

Multilayer tape constructions for low-temperature vibration damping with tunable adhesion

Номер патента: US12071570B2. Автор: Joseph L. Meckler,Mahesh GANESAN,Henry Milliman. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Multilayer Tape Constructions for Low-Temperature Vibration Damping with Tunable Adhesion

Номер патента: US20240360342A1. Автор: Joseph L. Meckler,Mahesh GANESAN,Henry Milliman. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor wafers recrystallized in a partially surrounding thin film capsule

Номер патента: US09932689B2. Автор: James G. Serdy,Emanuel M Sachs,Eerik T. Hantsoo. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-04-03.

Tire with tread for low temperature performance and wet traction

Номер патента: US09441098B1. Автор: Paul Harry Sandstrom,Nihat Ali Isitman. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2016-09-13.

Sheet material based on titanium alloy for low-temperature superplastic deformation

Номер патента: RU2691434C2. Автор: Михаил Оттович Ледер,Александр Владимирович Берестов,Игорь Юрьевич Пузаков,Наталья Юрьевна Таренкова,Наталия Георгиевна Митропольская,Роберт Дэвид Бриггс. Владелец: Компания Боинг. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for low-temperature transformation of domestic waste

Номер патента: AU2022425653A1. Автор: Mikhail Aleksandrovich Meshchaninov,Dmitrii Yanovich Agasarov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for reducing thin films on low temperature substrates

Номер патента: US09839139B2. Автор: Kurt A. Schroder,Dave S. Pope,Ian M. Rawson. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Tire with tread for low temperature performance and wet traction

Номер патента: US09650503B2. Автор: Paul Harry Sandstrom,Georges Marcel Victor Thielen,Nihat Ali Isitman,Pascal Patrick Steiner. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2017-05-16.

Powder coating compositions for low temperature curing and high flow

Номер патента: US09475956B2. Автор: Damiano Beccaria,Imir Bejko,Andrea Capra,Alessandro Munari,Irene Panero. Владелец: Synthomer Usa Llc. Дата публикации: 2016-10-25.

Catalytic system for low-temperature reforming of gasoline factions and method for its implementation with use of catalytic system

Номер патента: RU2670108C1. Автор: Анна Николаевна Логинова,Вадим Владимирович Фадеев,Анна Всеволодовна Абрамова,Левон Львович Хемчян,Ольга Васильевна Маслобойщикова,Денис Владимирович Лямин,Денис Николаевич Гарасимов,Роман Алексеевич Смолин,Екатерина Григорьевна Петрова. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть" (ПАО "НК "Роснефть"). Дата публикации: 2018-10-18.

Method of updating operational installation for low-temperature gas separation

Номер патента: RU2609175C2. Автор: Андрей Владиславович Курочкин,Наталья Леонидовна Елизарьева. Владелец: Некоммерческое партнерство "Интегрированные технологии". Дата публикации: 2017-01-30.

Method and apparatus for low-temperature biomass pyrolysis and high-temperature biomass gasification

Номер патента: CA2805912C. Автор: Yanfeng Zhang,Yilong Chen,Hongming Tang. Владелец: Sunshine Kaidi New Energy Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-09.

Electrode material for low-temperature plasma generator

Номер патента: RU2176833C1. Автор: С.Е. Виноградов,В.В. Рыбин,В.И. Шекалов,А.А. Сафронов,ев В.Н. Шир,В.Н. Ширяев,Ф.Г. Рутберг. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственный центр "СОЛИТОН-НТТ". Дата публикации: 2001-12-10.

Backfill compound for low temperature wells

Номер патента: RU2425956C1. Автор: Вячеслав Ефимович Ахрименко,Зоя Михайловна Ахрименко. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-08-10.

Method, process and apparatus for the very low temperature evaporation system

Номер патента: EP3938070A2. Автор: Vivek Verma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-19.

Intergrated device for low-temperature pyrolysis biocarbon manufacturing and forming from organic solid waste

Номер патента: GB2607182A. Автор: Wang Jingfu,Jia Hongxin,Ma Yasong. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-30.

Device and method for continuous low-temperature pyrolysis

Номер патента: US20240301295A1. Автор: Mi Young Lee,Hyun Soo ANH. Владелец: Entop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Mono alcohols for low temperature stability of isotropic liquid detergent compositions

Номер патента: US09926516B2. Автор: Jean-Luc Philippe Bettiol,Frederik Clara P VANDENBERGHE. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds

Номер патента: US09643208B2. Автор: Doug K. Jackson,Kurt A Schroder,Steven C Mccool,Karl M Martin. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Color filter for low temperature applications

Номер патента: US09575230B2. Автор: Frank Oliver Heinrich Pirrung,Gerardus De Keyzer,Michael Kuepfert,Liliana Craciun. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-02-21.

Dielectric composition for low-temperature sintering, multilayer ceramic electronic component containing the same, and method of manufacturing multilayer ceramic electronic component

Номер патента: US09472316B2. Автор: Doo Young Kim,Chang Hoon Kim,Seok Hyun Yoon,Jong Bong LIM,No Hoon PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Pump tank, rectification plant and method for low-temperature rectification

Номер патента: RU2753947C2. Автор: Кристиан МАТТЕН,Микаэль БАУС,Феликс ФЛЕГИЛЬ,Даниэла ЛАУХНЕР. Владелец: Линде Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2021-08-24.

Systems and methods for low-temperature gas separation

Номер патента: CA2520800C. Автор: Leonard Makarovich Dmitriev,Salavat Zainetdinovich Imaev,Vladimir Isaakovich Feygin,Vadim Ivanovich Alferov,Lev Arkad'evich Bagirov. Владелец: 3S GAS TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2014-08-19.

Low temperature hermetic sealing via laser

Номер патента: EP2900891A1. Автор: Vijayen S. Veerasamy,Martin D. BRACAMONTE. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

System and method for low-temperature treatment of heavy metals and dioxins in fly ash

Номер патента: US20230398587A1. Автор: Shuai Wang,Xiaodong Li,Shengyong LU,Jianhua Yan,Chengbo ZHANG,Yaqi PENG,Lizheng JIN,Jiamin DING. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-12-14.

New modified silicon oil for low temperature cure die casting lubricants

Номер патента: EP3134460A1. Автор: Douwe-Marten Kok,Martijn Quico SLAGT,Gerrit Jan ODINK,Johannes Hendrikus Gerhardus Franciscus BRAAM. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2017-03-01.

New modified silicon oil for low temperature cure die casting lubricants

Номер патента: WO2015162149A1. Автор: Douwe-Marten Kok,Martijn Quico SLAGT,Gerrit Jan ODINK,Johannes Hendrikus Gerhardus Franciscus BRAAM. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2015-10-29.

New modified silicon oil for low temperature cure die casting lubricants

Номер патента: CA2946070C. Автор: Douwe-Marten Kok,Martijn Quico SLAGT,Gerrit Jan ODINK,Johannes Hendrikus Gerhardus Franciscus BRAAM. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2022-04-05.

Electroplating solution for indium-bismuth alloy for low-temperature solder with improved bismuth substitution prevention performance

Номер патента: US12071703B2. Автор: Jong Uk Kim,Woon Suk Jung. Владелец: Hojin Platech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nickel-containing steel weld joint for low temperature use

Номер патента: EP4450660A1. Автор: Shinichi Omiya,Manabu Hoshino,Tetsuya NAMEGAWA. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Low temperature cure polymerization initiator

Номер патента: US09593173B2. Автор: Thomas James MURRAY,Heta S. RAVAL. Владелец: Elantas PDG Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for low-temperature decomposition of hydrogen sulphide to obtain hydrogen and sulphur

Номер патента: RU2600375C1. Автор: Олег Петрович Андреев,Рамидин Акбербубаевич Саркаров,Вячеслав Васильевич Селезнев,Магомедали Алиевич Омаров,Алексей Борисович Юмашев,Магомед Идрисович Ахмедов. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2016-10-20.

Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films

Номер патента: US5385862A. Автор: Theodore D. Moustakas. Владелец: Boston University. Дата публикации: 1995-01-31.

Addition of silicone gum rubber to phosphonitrilic fluoroelastomers to improve mill processing, low temperature flexibility and volume swell in low aromatic content fluids

Номер патента: CA1072239A. Автор: Gary S. Kyker,Joseph F. Witner. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1980-02-19.

Fire resistant low temperature grease

Номер патента: CA2060642C. Автор: Douglas G. Placek. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 1996-10-08.

Polyester diverting agents for low-temperature oil wells

Номер патента: US11898096B2. Автор: Sarah WOLEK,Douglas Kip Hillshafer. Владелец: Stepan Co. Дата публикации: 2024-02-13.

Fire resistant low temperature grease

Номер патента: CA2060642A1. Автор: Douglas G. Placek. Владелец: FMC Corp. Дата публикации: 1993-06-20.

Inorganic composition for low temperature firing

Номер патента: US6231986B1. Автор: Kazuo Kishida,Hiroshi Takagi,Yasutaka Sugimoto,Hirofumi Sunahara. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-15.

Method for manufacturing a composite structure comprising a thin film of monocrystalline sic on a carrier substrate of polycrystalline sic

Номер патента: US20240271321A1. Автор: Eric Guiot,Frederic Allibert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-08-15.

Styrene-isoprene-styrene block copolymer composition for low viscosity low temperature hot melt adhesives

Номер патента: US5118762A. Автор: Steven S. Chin. Владелец: Shell Oil Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Alkaline persulfate for low-temperature breaking of polymer viscosified fluid

Номер патента: US9796900B2. Автор: Chetan Prakash,Lalit Pandurang Salgaonkar,Achala V. Danait. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Oxygen scavenging composition for low temperature use

Номер патента: US5648020A. Автор: William Peyton Roberts,Drew Ve Speer. Владелец: WR Grace and Co Conn. Дата публикации: 1997-07-15.

Cooling agent mixture for low-temperature freezing processes

Номер патента: CA1096600A. Автор: Rudolf Junger,Hans-Joachim Maulhardt. Владелец: Akzona Inc. Дата публикации: 1981-03-03.

Improvements in or relating to process and oven for low temperature carbonisation inretorts

Номер патента: GB436373A. Автор: . Владелец: INTERTRUST CIE GENERALE DE DIS. Дата публикации: 1935-10-04.

Ceramic material for low-temperature sintering, and ceramic substrate

Номер патента: EP2386528A1. Автор: Tsuyoshi Katsube,Machiko Motoya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Improvements in or relating to apparatus for low temperature carbonisation

Номер патента: GB398160A. Автор: . Владелец: HENRY ALEXANDER SHERWIN GOTHAR. Дата публикации: 1933-08-29.

Low temperature methane steam reforming to produce hydrogen

Номер патента: WO2023178418A1. Автор: Gerardo Vitale Rojas,Pedro Rafael Pereira ALMAO,Monica Bartolini TIBERI,Diego Hernan MORENO GONZALEZ. Владелец: Nanos Technology And Innovations Ltd.. Дата публикации: 2023-09-28.

Aqueous coating compositions including solvent systems for low temperature storage and application

Номер патента: WO2023215773A2. Автор: Cory G. Miller. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

TCD-esters for low temperature liquid applications

Номер патента: US11795410B2. Автор: Horst Lange,Christoph Balzarek,Joachim Reimer,Jens Kubitschke,Gina Prüß. Владелец: OQ Chemicals GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of activating mixture of lyophilized acidophilic bacteria of milk acid intended for low temperature decontamination of ochratoxin a in food blood

Номер патента: EP3741222A1. Автор: Agnieszka Grzelakowska,Jan Grajewski,Magdalena Banach-Szott,Magdalena Twarużek. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2020-11-25.

Low temperature direct reduction of metal oxides via the in situ production of reducing gas

Номер патента: EP3545111A1. Автор: Keith Michael Henley-Smith,Adam David GILES,Lachlan Phillip Clive BARTSCH,Ashley Charles MOORE. Владелец: Environmental Clean Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-10-02.

Low temperature direct reduction of metal oxides via the in situ production of reducing gas

Номер патента: US20230357884A1. Автор: Keith Michael Henley-Smith,Adam David GILES,Lachlan Phillip Clive BARTSCH,Ashley Charles MOORE. Владелец: Environmental Clean Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Low temperature direct reduction of metal oxides via the in situ production of reducing gas

Номер патента: CA3043483C. Автор: Keith Michael Henley-Smith,Adam David GILES,Lachlan Phillip Clive BARTSCH,Ashley Charles MOORE. Владелец: Environmental Clean Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Aqueous coating compositions including solvent systems for low temperature storage and application

Номер патента: WO2023215773A3. Автор: Cory G. Miller. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Conductive copper paste composition and method of forming metal thin film using the same

Номер патента: US20140023779A1. Автор: Dong Hoon Kim,Kwi Jong Lee,Sung Il Oh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Non-polar a-plane gallium nitride thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition

Номер патента: US20030198837A1. Автор: James Speck,Michael Craven. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-10-23.

Advanced materials and design for low temperature sofcs

Номер патента: CA2740293C. Автор: Eric D. Wachsman,Heesung Yoon,Kang-Taek Lee,Matthew Camaratta,Jin Soo Ahn. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Ammonia gas generation from urea for low temperature process requirements

Номер патента: CA2871405C. Автор: William H. Sun,John M. Boyle,Paul G. Carmignani,Scott M. MAYHEW. Владелец: Fuel Tech Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Hydrocarbon/silicone oil lubricating compositions for low temperature use

Номер патента: CA1067887A. Автор: Leo E. Hakka,William C. Morro,James M. Brophy,Jean-Claude Courtes,Michel J.R. Hebrard. Владелец: Union Carbide Canada Ltd. Дата публикации: 1979-12-11.

Preparation method of the microcapsules for low-temperature well cementation to be used to control cement hydration heat

Номер патента: US11786880B2. Автор: Song Yang,Zheng Xi,PING Wang,Hao Xu,Jia Wang,Jingxuan CAI,Mingze LI,Xiaoyang GUO,Chunmei Zhang,Xiaowei Cheng,Kaiqiang LIU,Bibo Dai,Baoyang Ke. Владелец: Yao Bai Special Cement Technology Research And Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Curable epoxy compositions for low temperature curing and structural adhesive therefrom, and methods of using same

Номер патента: WO2023202111A1. Автор: Yuan Zhao,QI Chen,JinFeng ZHONG,Chongyu ZHU. Владелец: Henkel (China) Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-26.

Polyester diverting agents for low-temperature oil wells

Номер патента: US20240141225A1. Автор: Sarah WOLEK,Douglas Kip Hillshafer. Владелец: Stepan Co. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for low-temperature transformation of domestic waste

Номер патента: EP4230320A1. Автор: Mikhail Aleksandrovich Meshchaninov,Dmitrii Yanovich Agasarov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-23.

Method of preparing metal chalcogenide nanoparticles and method of producing light absorption layer thin film based thereon

Номер патента: US20190259889A1. Автор: Seokhee Yoon,Seokhyun Yoon,Hosub LEE,Eun Ju Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Dielectric ceramic composition for low temperature sintering

Номер патента: US5415945A. Автор: Yasunobu Yoneda,Hiroshi Morii,Takeshi Azumi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-16.

Process for producing a tough steel for low temperatures

Номер патента: GB1011794A. Автор: . Владелец: Yawata Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 1965-12-01.

Adhesive for low temperature applications

Номер патента: CA1331495C. Автор: Donald E. Gosiewski,Paul C. Briggs. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 1994-08-16.

An apparatus and a process for low-temperature dry distillation of oil sand, oil sludge, oil shale and biomass

Номер патента: CA2907624C. Автор: Jianxiang HE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for Reducing Thin Films on Low Temperature Substrates

Номер патента: US20180103546A1. Автор: Kurt A. Schroder,Dave S. Pope,Ian M. Rawson. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2018-04-12.

Component for low-temperature applications

Номер патента: US20150158759A1. Автор: Ralf Jedamzik. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2015-06-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3344381A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2018-07-11.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: US20180223146A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic - Qatar. Дата публикации: 2018-08-09.

Platinum ink compositions and methods for low temperature conductive coating

Номер патента: WO2024050387A2. Автор: Ayan Maity,S. Brett WALKER,Maxwell Jacob TOLCHIN. Владелец: ELECTRONINKS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-07.

Enclosure for a column for low-temperature distillation

Номер патента: US20240035746A1. Автор: Remy Kurtz,Dominique LE LARGE. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-02-01.

Plasticizer for Low Temperature Unwind with Weight Retention During Heat Aging

Номер патента: US20140343201A1. Автор: Lin Fu,Jeffrey M. Cogen,Bharat I. Chaudhary,Manish Mundra,Robert F. Eaton,Abhijit Ghosh-Dastidar,Caroline H. LAUFER. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2014-11-20.

High manganese steel for low temperature, having excellent surface quality, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3076812C. Автор: Young-Ju Kim,Sung-Kyu Kim,Yong-Jin Kim,Un-Hae LEE,Sang-Deok Kang,Young-Deok JUNG,Yu-Mi Ha. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Cerium oxide-titanium oxide composite thin film electrode

Номер патента: US20220396871A1. Автор: Muhammad Ali Ehsan,Abdul REHMAN. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Ethylene expansion for low temperature cooling during recuperation of off-gas of plyethylene production

Номер патента: RU2569085C2. Автор: Рандалл Л. ФОРС,Доналд А. ФИШЕР. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз, Ллк. Дата публикации: 2015-11-20.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Product with low-emission coating containing absorbing layers for low reflection on film side and low passage of visible spectrum

Номер патента: RU2637003C2. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Петр КОКОТ,Адам ТОКАЖ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2017-11-29.

Glass plate with thin film produced thereon

Номер патента: RU2430896C2. Автор: Такаси МУРОМАТИ,Нобуки ИВАИ,Хисаси ОГАВА,Мамору ЙОСИДА. Владелец: Ниппон Шит Гласс Компани, Лимитед. Дата публикации: 2011-10-10.

Low-temperature ashing of hazardous plastic waste

Номер патента: US5239936A. Автор: Roger D. Spence,Robert P. Wichner,Ivan L. Morgan,Helen W. Jermyn. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1993-08-31.

Method and apparatus for curing thin films on low-temperature substrates at high speeds

Номер патента: CA2730296A1. Автор: Kurt A. Schroder,Doug K. Jackson,Steven C. Mccool,Karl M. Martin. Владелец: NCC Nano LLC. Дата публикации: 2010-01-14.

Low-temperature hydrothermal relithiation of spent lithium-ion battery cathodes by redox mediation

Номер патента: WO2023164073A1. Автор: Zheng Chen,Xiaolu YU. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon

Номер патента: US11781243B2. Автор: Qi Xie,Lucas Petersen Barbosa Lima,Rami KHAZAKA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for low temperature microencapsulation of phase change materials

Номер патента: EP3733276A1. Автор: Mohammed Farid,Jamal Kurdi,Refat AL SHANNAQ,Shaheen AL-MUHTASEB. Владелец: College Of North Atlantic Qatar. Дата публикации: 2020-11-04.

Platinum ink compositions and methods for low temperature conductive coating

Номер патента: WO2024050387A3. Автор: Ayan Maity,S. Brett WALKER,Maxwell Jacob TOLCHIN. Владелец: ELECTRONINKS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-02.

Electroplating solution for indium-bismuth alloy for low-temperature solder with improved bismuth substitution prevention performance

Номер патента: US20240167183A1. Автор: Jong Uk Kim,Woon Suk Jung. Владелец: Hojin Platech Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Cooler for Feed Gas Of Low-Temperature Methanol Washing

Номер патента: US20130206366A1. Автор: Jianliang Wang,Yongdong Chen,Xianjun Hu,Xian'an Zhang. Владелец: ZHENHAI PETROCHEMICAL JIANAN ENGR CO Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

High manganese steel for low temperature, having excellent surface quality, and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3076812A1. Автор: Young-Ju Kim,Sung-Kyu Kim,Yong-Jin Kim,Un-Hae LEE,Sang-Deok Kang,Young-Deok JUNG,Yu-Mi Ha. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Group i-vii semiconductor single crystal thin film and process for producing same

Номер патента: US20070090341A1. Автор: Masaaki Ashida,Tadashi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-04-26.

Piezoelectric thin-film element, microelectromechanical system, and ultrasound transducer

Номер патента: US20240224808A1. Автор: Yusuke Sato. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for producing semiconductor thin films on foreign substrates

Номер патента: US20150140795A1. Автор: Jean-Paul Theis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-21.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US20160027927A1. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Method for Selective Delamination and Transfer of Thin Film Using Liquid Platform

Номер патента: US20200387073A1. Автор: Sumin Kang,Taek-Soo Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-12-10.

Method and apparatus for forming a thin film on an outer surface of a display screen of a cathode ray tube

Номер патента: US4908232A. Автор: Takeo Itou,Hidemi Matsuda,Norihisa Takiura,Sakae Kamitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Method of manufacturing thin-film transistor, thin-film transistor, display apparatus, sensor, and digital x-ray image-capturing apparatus

Номер патента: US20130320338A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Masashi Ono. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Thin-film capacitor and electronic circuit board

Номер патента: US20100265632A1. Автор: Akira Shibue,Naoto Tsukamoto,Kenji Horino,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Optically anisotropic polymer thin film and method for making it

Номер патента: EP4225835A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Warren Scott Martin,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Ashley Nicole Loper. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US20170275178A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Thin film solar cell manufacturing apparatus

Номер патента: US20120067278A1. Автор: Ryohei Sakai. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: WO2016036838A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong-kyu Yoon. Владелец: The University of Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2016-03-10.

Room temperature multiferroic thin films

Номер патента: US10221078B2. Автор: Kyoung Tae Kim,Yong Kyu YOON. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2019-03-05.

Thin film polymer structure having different modification on opposite sides thereof

Номер патента: US09956751B2. Автор: Takahiro Goto,Shinji Takeoka,Toshinori Fujie,Yosuke Okamura,Saori Utsunomiya. Владелец: Nanotheta Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Microchip and film forming method for metal thin film of microchip

Номер патента: US09696253B2. Автор: Toshikazu Kawaguchi,Kinichi Morita. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor, manufacturing method thereof and array substrate

Номер патента: US09653284B2. Автор: Bin Zhang,Guanbao HUI,Zhen Liu,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for producing diesel fuels with improved low-temperature properties and reduced sulfur content and device for implementation thereof

Номер патента: RU2685550C1. Автор: Анатолий Ильич Дудко,Виталий Иванович Кияница,Сергей Владимирович Гробов,Юрий Николаевич Киташов,Андрей Владимирович Назаров. Владелец: Андрей Владимирович Назаров. Дата публикации: 2019-04-22.

Hydrogen cryogenic system with column of low-temperature rectification of gas mixture

Номер патента: RU2751758C1. Автор: Юрий Иванович Духанин. Владелец: Юрий Иванович Духанин. Дата публикации: 2021-07-16.

Low-temperature curable propping filler

Номер патента: RU2703077C2. Автор: Джеймс Дж. РАППОЛТ. Владелец: Дюрез Корпорейшн. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of local low-temperature thermal treatment of welded joints of large-size products

Номер патента: RU2729488C1. Автор: Людмила Сергеевна Борцова,Петр Павлович Денисенко. Владелец: Акционерное общество "Инжиниринговая компания "АЭМ-технологии" (АО "АЭМ-технологии"). Дата публикации: 2020-08-07.

Low-temperature glass-ceramic material and method for production thereof

Номер патента: RU2712840C1. Автор: Евгений Иванович Челноков. Владелец: Евгений Иванович Челноков. Дата публикации: 2020-01-31.

Low temperature process for fabricating layered superlattice materials and making electronic devices including same

Номер патента: US6245580B1. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Narayan Solayappan,Vikram Joshi. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

High strength welded steel pipe for pipeline possessing excellent low temperature ductility and procedure for its fabrication

Номер патента: RU2427662C2. Автор: Такуя ХАРА,Хитоси АСАХИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-08-27.

Phosphor thin film, preparation method, and el panel

Номер патента: CA2418494C. Автор: Masaki Takahashi,Katsuto Nagano,Yoshihiko Yano,Tomoyuki Oike. Владелец: Westaim Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Basno3 thin film and low-temperature preparation method therefor

Номер патента: US20200325032A1. Автор: Sang Il Seok,Jun Hong Noh,Jang Won Seo,Seong Sik Shin. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Thin film mask

Номер патента: EP4379463A1. Автор: Yongan CAI. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Substrate for ceramic thin film and thin film device

Номер патента: WO2024120850A2. Автор: Manfred Schweinzger,Federica Benes,Marius Steffens. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-06-13.

Desiccant, organic thin film including same, organic layered film in which organic thin film is layered, and electronic device provided therewith

Номер патента: US20200335727A1. Автор: Hiroshi Kita,Yoshiyuki Suzuri,Hideo Taka,Yukihiro MAKISHIMA. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2020-10-22.

PVDF thin film having a bimodal molecular weight and high piezoelectric response

Номер патента: US11987677B2. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Christopher Stipe,Nagi Hosni Elabbasi,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Plasma-Polymerized Hydrogel Thin Films and Methods for Making the Same

Номер патента: US20070010596A1. Автор: Prabhakar Tamirisa,Jere Koskinen,Dennis Hess. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Ultra-high modulus and response pvdf thin films

Номер патента: EP4330318A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Rui Jian,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Laura Cressman,Cody Wayne WEYHRICH. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-06.

Thermochromic substrate and pair-glass with thermochromic thin film

Номер патента: EP2514724A3. Автор: Yongwon Choi,Yung-Jin Jung,Hyunbin Kim,Youngsoo Jung,A-Ra Kim,Donggun Moon,Du Hwan Kim,Myungi Shim. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

Low-temperature-slush-fluid producing apparatus

Номер патента: EP2028430B1. Автор: Shuichi Kawasaki,Seiichiro Kimura,Ryo Nakamura,Kenji Nakamichi,Takanobu Kamiya,Takashi Maemura. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Carbon-titania nanocomposite thin films and applications of the same

Номер патента: US11942281B2. Автор: Yu Teng Liang,Baiju K. Vijayan,Kimberly A. Gray,Mark C. Hersam. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for producing thermally conductive thin film using synthetic graphite powder

Номер патента: US11737243B2. Автор: Dong Ha Kim. Владелец: Indong Advanced Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Thin film transistor and display substrate having the same

Номер патента: US11769834B2. Автор: Youngdae Kim,Jong Yun Kim,Taekyung AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Optically anisotropic polymer thin film and method for making it

Номер патента: WO2022076358A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Christopher Yuan Ting Liao,Arman Boromand,Warren Scott Martin,Emma Rae Mullen,Hao Mei,Ashley Nicole Loper. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Oxide thin film for bolometer and infrared detector using the oxide thin film

Номер патента: US20050167592A1. Автор: Sung Moon,Hyun-Joon Shin,Yong-Hee Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2005-08-04.

Method for optimizing magnetic property of cobalt-based magnetic thin film inductance material

Номер патента: CN112509805A. Автор: 冯春,于广华,徐秀兰. Владелец: Shandong Maige Zhixin Electromechanical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Forming method of cobalt-based high-temperature alloy multi-step large special-shaped ring

Номер патента: CN105396995A. Автор: 杨亚平,吕日红,谢永富,陈红芳,陈祖祥. Владелец: Guizhou Anda Aviation Forging Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Preparation method, product and application of cobalt-based carbon nano material

Номер патента: CN112090441A. Автор: 胡勇,颜磊,徐竹莹,沈峻岭. Владелец: Zhejiang Normal University CJNU. Дата публикации: 2020-12-18.

Preparation method of cobalt-based Fischer-Tropsch catalysts and regeneration method of catalysts by feeding of liquid hydrocarbons formed during FTS reaction

Номер патента: KR101792630B1. Автор: 문동주,배종욱,김아롱,구현모. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2017-11-02.

A kind of method of cobalt based compound catalytic regeneration activated carbon

Номер патента: CN106732485A. Автор: 袁杰,肖劲,仲奇凡,余柏烈,姚桢,张留运. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-31.

Joint construction of cobalt-based alloy

Номер патента: US20030026379A1. Автор: Takahiko Kato,Yoshiteru Chiba,Jiro Kuniya,Shizuo Matsushita,Mitsuo Chigasaki,Yoshihisa Kiyotoki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-06.

Preparation method of cobalt-based nitrogen-doped MOF (metal organic framework) derived porous carbon material

Номер патента: CN113113618A. Автор: 闫鹏,康永刚,杨文武. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2021-07-13.

The preparation method and applications of cobalt-based bimetallic sulfide negative electrode material

Номер патента: CN109686594A. Автор: 向鹏,车鹏程,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-04-26.

Process of cobalt based catalyst

Номер патента: KR101159077B1. Автор: 송상훈,서정권,장태선,안홍찬. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2012-06-25.

Catalytic decomposition of N2Preparation method of cobalt-based metal organic framework derivative catalyst of O

Номер патента: CN112138725B. Автор: 何勇,周志军,刘建忠,岑可法,周俊虎,王智化,杨卫娟,唐海荣,朱燕群. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-12-21.

A kind of cobalt-base catalyst and the preparation method and application thereof

Номер патента: CN104437501B. Автор: 吴文华,杜芳芳,童国秀,童超丽,腾波涛. Владелец: Zhejiang Normal University CJNU. Дата публикации: 2018-08-07.

Preparation method and application of cobalt-based alloy ball

Номер патента: CN115647368A. Автор: 吴伟,张连生,李平原,苗润泽,蒋军建,张利东,施维真,樊占林. Владелец: Third Qinshan Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

Manufacturing methods for low temperature poly-silicon array substrate and low temperature poly-silicon thin-film transistor

Номер патента: US20190386031A1. Автор: CHEN CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of producing heterogeneous catalysts for low-temperature oxidation of carbon monoxide

Номер патента: RU2739564C1. Автор: Сарра Абрамовна Бекузарова,Владислав Борисович Заалишвили,Ольга Германовна Бурдзиева,Тамерлан Таймуразович Магкоев,Георгий Эмзарович Туаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный научный центр "Владикавказский научный центр Российской академии наук" (ВНЦ РАН). Дата публикации: 2020-12-25.

Method for producing self-sustained thin films

Номер патента: RU2767034C2. Автор: Иван Александрович Корж. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2022-03-16.

Apparatus for low-temperature separation with dephlegmation of ltsd for extraction of hydrocarbons c2+ from natural gas (versions)

Номер патента: RU2685101C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-04-16.

Plant for low-temperature separation with dephlegmation ltsd to obtain hydrocarbons c2+ from natural gas (versions)

Номер патента: RU2703132C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-10-15.

Temperature sensitive paint for low-temperature use

Номер патента: US20050040368A1. Автор: Keisuke Asai,Yoshimi Iijima. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2005-02-24.

Control method and device for low-temperature cooling air valve

Номер патента: CA3125225A1. Автор: XIN Liang,Zhijun TAN,Guozhong Yang,Mingren WANG. Владелец: Hefei Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2755185C1. Автор: Юрий Сергеевич Ранжин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-09-14.

Method of reconstructing a low-temperature gas separation apparatus with preventing the formation of flare gases

Номер патента: RU2718073C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-03-30.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: WO2023102107A8. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-05-30.

RECRYSTALLIZATION METHOD TO SELENIZATION OF THIN-FILM Cu(In,Ga)Se2 FOR SEMICONDUCTOR DEVICE APPLICATIONS

Номер патента: WO1996006454A1. Автор: Miguel A. Contreras,Andrew L. Tennant,John R. Tuttle,Rommel Noufi,David S. Albin,Andrew M. Gabor,Jeffrey J. Carapella. Владелец: Midwest Research Institute. Дата публикации: 1996-02-29.

Vacuum heat-insulation device for low-temperature tank

Номер патента: CA3130445A1. Автор: HyunJun Park,Daejun CHANG,Jungwoog Kim. Владелец: Lattice Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Low Temperature Poly-Silicon Thin Film, Method for Making The Thin Film, and Transistor Made from The Thin Film

Номер патента: US20150194310A1. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature poly-silicon thin film, method for making the thin film, and transistor made from the thin film

Номер патента: US9209025B2. Автор: Longxian Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-08.

Method of manufacturing low temperature polycrystalline silicon thin film and thin film transistor, thin film transistor, display panel and display device

Номер патента: US09842735B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Yanan NIU,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Electrocatalyst carrier for low-temperature alcohol fuel elements

Номер патента: RU2504051C1. Автор: Юрий Анатольевич Добровольский,Александр Евгеньевич Укше,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2014-01-10.

Method of low-temperature processing of organic solid municipal waste and installation for its implementation

Номер патента: RU2744225C1. Автор: Виктор Васильевич Оболонский,Владимир Семенович Севостьянов,Максим Владимирович Севостьянов,Дмитрий Николаевич Перелыгин,Сергей Николаевич Глаголев,Николай Тихонович Шеин,Роман Юрьевич Шамгулов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова. Дата публикации: 2021-03-03.

Method of depositing thin films on surface of substrates for making solar cells

Номер патента: RU2586265C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Бийке Алиевна Шангереева,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова,Мария Николаевна Литовченко,Тажидин Экберович Саркаров,Юсуп Пахрудинович Шангереев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-06-10.

Additive for low temperature lithium ion battery, and electrolyte and lithium ion battery using same

Номер патента: US20240213533A1. Автор: Zhongwei Chen. Владелец: Jinhua Chenyang Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for treating tantalum metal thin film, quantum device, and quantum chip

Номер патента: US20240164221A1. Автор: Hao Deng,Xiaohang Zhang. Владелец: Alibaba Damo Hangzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Manufacturing method of low temperature polysilicon, low temperature polysilicon film and thin film transistor

Номер патента: US20150194502A1. Автор: Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Preparation method for low-defect polyacrylonitrile-based carbon fiber

Номер патента: EP4438778A1. Автор: Guoliang Zhang,Gaojun LIU,Qiufei CHEN,Pengzong GUO,Huaizhou PEI. Владелец: ZHONGFU SHENYING CARBON FIBER CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Apparatus and method for low-temperature aging using slurry ice

Номер патента: US20240099318A1. Автор: Jong-Su BYEON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-03-28.

Process and device for low-temperature pressure sintering

Номер патента: US20210104488A1. Автор: Ronald Eisele,Holger Ulrich. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2021-04-08.

Ceramic-based composite material used for low-concentration formaldehyde degradation and preparation method therefor

Номер патента: US20240342653A1. Автор: BIN Li,Xiaomin Liu,Yufeng Wu. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-17.

Controlled energy source using low- temperature nuclear fusion; low-temperature nuclear fusion process (options)

Номер патента: RU2128374C1. Автор: Г.А. Евсюков. Владелец: Евсюков Геннадий Александрович. Дата публикации: 1999-03-27.

Low-Temperature Formation Of Thin-Film Structures

Номер патента: US20170316937A1. Автор: Ryoichi Ishihara,Michiel Van Der Zwan,Miki Trifunovic. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-11-02.

Unreactive gas anneal and low temperature pretreatment of layered superlattice materials

Номер патента: WO2001056065A2. Автор: Koji Arita,Toru Nasu. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2001-08-02.

Pharmaceutical preparation for low-temperature thermotherapy, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4151238A1. Автор: Xiaohai Tang,Yuanfang HUANG,Kexin Tang. Владелец: Sichuan Enray Pharmaceutical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Process and device for low-temperature pressure sintering

Номер патента: US11776932B2. Автор: Ronald Eisele,Holger Ulrich. Владелец: Danfoss Silicon Power GmbH. Дата публикации: 2023-10-03.

Device for low-temperature air separation

Номер патента: RU2580571C2. Автор: Аугустин РАМПП. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2016-04-10.

Thin film transistor manufactured by low-temperature process, manufacturing method of the same transistor, transistor device and electronic device including the same transistor

Номер патента: US20240222466A1. Автор: Byungwook Yoo,Min Suk Oh. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2024-07-04.

All-solid-state battery comprising oxide-based solid electrolyte for low-temperature sintering process, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4181261A1. Автор: Seung Won Park,Kiyoshi Kanamura,Hoe Jin Hah,Hyea Eun Han. Владелец: Tokyo Metropolitan Public University Corp. Дата публикации: 2023-05-17.

All-solid-state battery including oxide-based solid electrolyte for low-temperature sintering process and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143908A1. Автор: Seung Won Park,Kiyoshi Kanamura,Hoe Jin Hah,Hyea Eun Han. Владелец: Tokyo Metropolitan Public University Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Isolated metal species in metal-zeolite catalytic material for low temperature scr of nox with nh3

Номер патента: EP4347119A1. Автор: Oliver Kröcher,Dominik Wierzbicki,Davide Ferri,Maarten Nachtegaal. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-04-10.

Isolated metal species in metal-zeolite catalytic material for low temperature scr of nox with nh3

Номер патента: WO2022253569A1. Автор: Oliver Kröcher,Dominik Wierzbicki,Davide Ferri,Maarten Nachtegaal. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2022-12-08.

Thin film transistor array substrate and liquid crystal display panel

Номер патента: US09897881B2. Автор: Gui Chen,Caiqin Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming low temperature polysilicon thin film

Номер патента: US09633844B2. Автор: Chunping Long,Xueyan TIAN,Jiangfeng YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Low temperature cooling and dehumidification device with reversing airflow defrost for dehumidification and water generation applications where cooling coil inlet air is above freezing

Номер патента: US09541324B2. Автор: Walter Stark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for automatic maintenance of density of unstable gas condensate using air cooling devices in installations for low-temperature gas separation of northern oil and gas condensate fields of the russian federation

Номер патента: RU2768442C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Виктор Владимирович Моисеев,Владислав Леонидович Пономарев,Алексей Леонидович Агеев,Алексей Александрович Турбин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2022-03-24.

Inhibition-free low-temperature engine exhaust oxidation catalyst

Номер патента: CA3166935A1. Автор: Lars GRABOW,Yuying SONG,Konstantinos Goulas,Melanie HAZLETT,William EPLING. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for low-temperature sharpening of silicon-based field emitter tips

Номер патента: US20020187714A1. Автор: John Dunfield,Donald Milligan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Lean NOx trap plus low temperature NOx adsorber system for low temperature NOx trapping

Номер патента: US12129779B2. Автор: Matthew T. Caudle. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882057B2. Автор: Hui Tian. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Plant and method for low-temperature air separation

Номер патента: US20240377129A1. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-11-14.

Plant and process for low-temperature fractionation of air

Номер патента: US20240377131A1. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-11-14.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US09295166B2. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Heat storage device for low-temperature operation of storage batteries

Номер патента: RU2762041C1. Автор: Сергей Васильевич Щитов,Евгений Евгеньевич Кузнецов,Семен Сергеевич Ус,Александр Викторович Кучер,Андрей Владимирович Канунников,Константин Евгеньевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дальневосточный государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Дальневосточный ГАУ). Дата публикации: 2021-12-15.

System and distributing tank for low-temperature energy network

Номер патента: RU2429428C2. Автор: Эркки-Юсси ПАНУЛА,Маури ЛИЕСКОСКИ. Владелец: Мативи Оу. Дата публикации: 2011-09-20.

Processes for forming doped-metal oxides thin films on electrode for interphase control

Номер патента: US20230343935A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Soclete Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-10-26.

Processes for forming metal oxide thin films on electrode interphase control

Номер патента: CA3239281A1. Автор: Christian Dussarrat,Sanghoon Kim,Sunao KAMIMURA. Владелец: L'air Liquide Pour L'etude Et L'exploitation Des Pro SA. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for growing barium titanate thin film

Номер патента: US20010004547A1. Автор: Hsin-Chih Liao,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-06-21.

Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same

Номер патента: US11101387B2. Автор: YUAN Yan,Peng He,Lisheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Method of degassing thin layer and method of manufacturing silicon thin film

Номер патента: US20070264800A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jong-Man Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Interference coatings for flexible optics using multilayered polymer thin films

Номер патента: US20240027651A1. Автор: Sheng Ye,Wyatt TENHAEFF,Yineng ZHAO. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for the low-temperature production of radial-junction semiconductor nanostructures, radial junction device, and solar cell including radial-junction nanostructures

Номер патента: US09911892B2. Автор: Pere Roca I Cabarrocas,Linwei Yu. Владелец: TOTAL SE. Дата публикации: 2018-03-06.

Low temperature polysilicon thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US09685538B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of preparing catalyst for low-temperature conversion of carbon monoxide with steam

Номер патента: RU2457028C1. Автор: Александр Павлович Ильин,Юрий Михайлович Комаров,Дмитрий Вячеславович Бабайкин,Александр Александрович Ильин,Николай Николаевич Смирнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет". Дата публикации: 2012-07-27.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Method of reconstruction of a low-temperature gas separation unit

Номер патента: RU2718074C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-03-30.

Method for low-temperature local object loading in acoustic-emission nondestructive testing method

Номер патента: RU2614190C1. Автор: Александр Михайлович Большаков,Яков Михайлович Андреев. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова сибирского отделения Российской академии наук, ИФТПС СО РАН. Дата публикации: 2017-03-23.

Compound of materials for low-temperature initiation of gas-absorbing material activation process and gas-absorbing means containing it

Номер патента: RU2147386C1. Автор: Клаудио БОФФИТО,Алессио КОРАЦЦА. Владелец: Саес Геттерс С.П.А.. Дата публикации: 2000-04-10.

Mask material for low temperature selective growth of silicon or silicon alloys

Номер патента: US5427630A. Автор: Cyril Cabral, Jr.,James M. E. Harper,Kevin K. Chan,Jack O. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Vacuum heat-insulation device for low-temperature tank

Номер патента: US11835182B2. Автор: HyunJun Park,Daejun CHANG,Jungwoog Kim. Владелец: Lattice Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150179460A1. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240153757A1. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method for silicon nitride thin film, thin film transistor and display panel

Номер патента: US11908683B2. Автор: Je-Hao Hsu,Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA,Wanfei YONG. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Low-temperature condensation unit

Номер патента: RU2724739C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-06-25.

Low-temperature dephlegmation unit with rectification for complex gas treatment and production of liquefied natural gas

Номер патента: RU2741026C2. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2021-01-22.

Method and device for low-temperature air separation

Номер патента: RU2698378C2. Автор: Дмитрий ГОЛУБЕВ. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2019-08-26.

Method of low-temperature local loading of oil-and-gas pipeline with acoustic-emission method of non-destructive testing

Номер патента: RU2715077C2. Автор: Александр Михайлович Большаков,Яков Михайлович Андреев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "Якутский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2020-02-25.

Method of producing a palladium catalyst on an active aluminum oxide carrier for low-temperature oxidation of carbon monoxide

Номер патента: RU2729190C1. Автор: Александр Онуфриевич Шевченко,Антон Владимирович Нечаев,Роман Михайлович Степанов,Марина Александровна Ракова,Елена Владимировна Першикова. Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальский химико-механический завод имени Н.Д. Зелинского" (ОАО "ЭХМЗ им. Н.Д. Зелинского"). Дата публикации: 2020-08-05.

Method and device for low-temperature air separation with variable power consumption

Номер патента: RU2690550C2. Автор: Дмитрий ГОЛУБЕВ. Владелец: Линде Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2019-06-04.

Polysilicon thin film process and product

Номер патента: CA1315648C. Автор: Henry Guckel,David W. Burns. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 1993-04-06.

System and method for managing solid state storage devices in low temperature environment

Номер патента: US11861186B2. Автор: Lin Chen,Wei Jiang,Gang Zhao,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Low temperature polysilicon film, thin film transistor, manufacturing method thereof and display panel

Номер патента: US20140332818A1. Автор: Zhen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US20080073656A1. Автор: Chia-Tien Peng,Ming-Wei Sun. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2008-03-27.

System and method for managing solid state storage devices in low temperature environment

Номер патента: US20240086089A1. Автор: Lin Chen,Wei Jiang,Gang Zhao,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200295154A1. Автор: Huailiang He. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200395469A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200321213A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Polycrystalline Si thin film structure and fabrication method thereof and method of fabricating TFT using the same

Номер патента: US20050263774A1. Автор: Jang-yeon Kwon,Do-Young Kim,Takashi Noguchi,Hans Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-01.

BICMOS process with low temperature coefficient resistor (TCRL)

Номер патента: US6812108B2. Автор: Michael D. Church,John Butler,George V. Rouse,Donald Hemmenway,Anthony Rivoli,George Bajor,Lawrence G. Pearce,Jose Delgado. Владелец: Intersil Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Catalyst for low temperature emission control and methods for using same

Номер патента: US20200188883A1. Автор: Sheng Dai,Andrew J. Binder,II James E. Parks,Todd J. Toops. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2020-06-18.

Template type cavity-formation device for low temperature cofired ceramic (ltcc) sheets

Номер патента: WO1998022270A1. Автор: Tapan Gupta,Alex Bailey,Ronnie Starling,John Chino. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 1998-05-28.

Low-temperature polysilicon (ltps) thin film transistor (tft) and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20200273999A1. Автор: Guoxia YI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923075B2. Автор: Jian Min. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905698B2. Автор: Changming LU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Low temperature poly-silicon thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899530B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Manufacturing method of low temperature polysilicon thin film transistor

Номер патента: US09647088B2. Автор: Xin Zhang,Jingfeng Xue,Gui Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Low-temperature conduit coupling

Номер патента: US09435475B2. Автор: Andreas Von Keitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for low-temperature treatment of natural gas and unit for implementation thereof

Номер патента: RU2761489C1. Автор: Дмитрий Михайлович Федулов,Даниил Николаевич Снежко,Александр Николаевич Кубанов,Андрей Васильевич Прокопов,Татьяна Семеновна Цацулина,Наталья Николаевна Клюсова,Михаил Александрович Воронцов,Анатолий Сергеевич Грачев,Григорий Борисович Атаманов. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2021-12-08.

Controlled combination-type nuclear energy source using reactions of heavy-nuclear fission and low-temperature nuclear fusion

Номер патента: RU2176114C2. Автор: Г.А. Евсюков. Владелец: Евсюков Геннадий Александрович. Дата публикации: 2001-11-20.

Low temperature thin film transistors and micro lightemitting diode displays having low temperature thin film transistors

Номер патента: US11282963B2. Автор: KHALED Ahmed. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

System design for low temperature memory

Номер патента: US20230005526A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Kuljit S. Bains,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method and apparatus for low temperature continuous drying of temperature sensitive materials (granular agricultural pesticides) at atmospheric pressure using radio frequency energy

Номер патента: US5950325A. Автор: Mehrdad Mehdizadeh,William Lawrence Geigle,Roy Quinn Freeman, Iii,Earl Williams, Jr.. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1999-09-14.

Low-temperature polycrystalline silicon semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2548019A. Автор: XIAO Juncheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-06.

Method for low temperature liquid-phase deposition and method for cleaning liquid-deposition apparatus

Номер патента: US20040137753A1. Автор: Edward Chang,Muh-Wang Liang,Chih-Yuan Tseng,Shih-Ming Chiang,Pang-Min Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for low-temperature joining of metal materials, and joint structure

Номер патента: US11964338B2. Автор: Hidetoshi Fujii,Yoshiaki Morisada,Rintaro Ueji. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-04-23.

Low-temperature polycrystalline silicon semiconductor thin-film transistor-based GOA circuit

Номер патента: GB2544929A8. Автор: XIAO Juncheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-12.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US9190462B2. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-11-17.

System for low-temperature storage of a pharmaceutical composi-tion, liquid composition, method and uses

Номер патента: EP4400432A2. Автор: Raymond Moser,Patrick Gallagher,Matthias Stern,Dominique Bauert,Tom van Ginneken,Sebastian Brechler,Rahel EGLI,Benjamin HEIZ. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor device and method for low resistive thin film resistor interconnect

Номер патента: US20150008560A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Expansion turbine for low-temperature applications

Номер патента: US20030007863A1. Автор: Werner Bosen. Владелец: Atlas Copco Energas GmbH. Дата публикации: 2003-01-09.

Positive photosensitive resin composition for low-temperature process and method for preparing photoresist film

Номер патента: US20220276559A1. Автор: Kuan-Ming Chen,Chi-Yu Lai,Chi-sung Chen. Владелец: Echem Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Thin-film transistor

Номер патента: WO2008007226A3. Автор: Richard Lee Fink,Zvi Yaniv. Владелец: Nano Proprietary Inc. Дата публикации: 2008-05-08.

Thin-film transistor

Номер патента: WO2008007226A2. Автор: Richard Lee Fink,Zvi Yaniv. Владелец: APPLIED NANOTECH HOLDINGS, INC.. Дата публикации: 2008-01-17.

System and method for reducing radiator sizes for low temperature fuel cell systems

Номер патента: US20120244450A1. Автор: Leslie L. VanDine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

System and method for reducing radiator sizes for low temperature fuel cell systems

Номер патента: US8318369B2. Автор: Leslie L. VanDine. Владелец: UTC Power Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Improvements in and relating to alarm circuits particularly for low temperature storage cabinets

Номер патента: GB763332A. Автор: Howard Brecknock,Reginald Walter Hopcraft. Владелец: HOTPOINT ELECTRIC APPLIANCE CO. Дата публикации: 1956-12-12.

Valve mechanism for low temperature applications

Номер патента: CA1186670A. Автор: Hiroyuki Nakamura,Shyunichi Nakaya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-05-07.

Low temperature food storage process

Номер патента: CA2140517C. Автор: Masatoshi Sasaki,Kazuyuki Ouchi,Yutaka Hachinohe,Akihide Imamura,Shoichi Yokochi. Владелец: Hazama Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Circulation system for low-temperature fluids

Номер патента: US3823569A. Автор: A Sellmaier,A Noppel,G Sippel. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 1974-07-16.

Valve mechanism for low temperature applications

Номер патента: US4516599A. Автор: Hiroyuki Nakamura,Shyunichi Nakaya. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors

Номер патента: US5994174A. Автор: Patrick M. Smith,Paul G. Carey. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1999-11-30.

Low temperature forming of feeds

Номер патента: US20090297664A1. Автор: Dennis Forte,John Crosbie Goold,Edward J. Meysztowicz. Владелец: JORROCKS PTY LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20150194408A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-09.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20140363965A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US9095081B1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

Apparatus for compensating for low temperature torque of motor driven power steering and control method thereof

Номер патента: US20180265121A1. Автор: Tae Hong Kim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Apparatus for compensating for low temperature torque of motor driven power steering and control method thereof

Номер патента: US10745043B2. Автор: Tae Hong Kim. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US11588055B2. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Visible laser diode preheat control for low temperature operation

Номер патента: EP4303756A1. Автор: Michael Vincent Miraglia,Christopher Robert ALLEN. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2024-01-10.

Multiple epitaxial layer source and drain transistors for low temperature computation

Номер патента: US20230317558A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Rajabali Koduri,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Single conductivity type devices for low temperature computation

Номер патента: US20230317557A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand Murthy,Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Junction field effect transistors for low voltage and low temperature operation

Номер патента: US20230317718A1. Автор: ABHISHEK Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatuses, systems, and methods for visible laser diode preheat bias current for low temperature operation

Номер патента: US20240013017A1. Автор: Michael Vincent Miraglia,Christopher Robert ALLEN. Владелец: HAND HELD PRODUCTS INC. Дата публикации: 2024-01-11.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same, array substrates, display devices

Номер патента: US20210328073A1. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin-film transistor and preparation method therefor, array substrate, and display device

Номер патента: EP3712943A1. Автор: WEI Liu,Xiaoguang Chen,Jianjun Chen,Xinbo Zhou,Zhimin Wang,Jianbin GAO,Yongbo JU,Xikang JIN. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-23.

Low-temperature refrigeration equipment

Номер патента: RU2617039C1. Автор: Борис Тимофеевич Маринюк,Артем Фролович Порутчиков,Лев Евгеньевич Чухлебов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский политехнический университет". Дата публикации: 2017-04-19.

Thermoelectric properties of ceramic thin film thermocouples

Номер патента: WO2007130862A3. Автор: Gustave C Fralick,John D Wrbanek,Otto J Gregory. Владелец: Rhode Island Education. Дата публикации: 2008-07-24.

Apparatus for low-temperature surgery

Номер патента: US3929136A. Автор: Gerhard Hauser,Helmut Kreeb,Klaus Kogler. Владелец: Dornier System GmbH. Дата публикации: 1975-12-30.

Terminal for low-temperature cable

Номер патента: US3885636A. Автор: Ullrich Hildebrandt. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 1975-05-27.

Manufacturing method for low temperature polycrystalline silicon cell

Номер патента: US20060024870A1. Автор: Wen-Chun Wang,Chien-Chung Kuo,Ming-Chang Yu. Владелец: Wintek Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Lean nox trap plus low temperature nox adsorber for low temperature nox trapping

Номер патента: EP4072708A1. Автор: Matthew T. Caudle. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2022-10-19.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Fabrication method for a thin film semiconductor device, the thin film semiconductor device itself, liquid crystal display, and electronic device

Номер патента: US5858819A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Thin film semiconductor device and method of production

Номер патента: US5389580A. Автор: Mitsutoshi Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

A low-temperature, moving bed catalytic reactor for control of nox emissions from combustion

Номер патента: CA2695371C. Автор: William Downs,Ralph T. Bailey,Seyed B. Ghorishi,Kevin J. Rogers. Владелец: Babcock and Wilcox Power Generation Group Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Nonlinear resistor for low temperature operation

Номер патента: US4918421A. Автор: Tapan K. Gupta,William N. Lawless. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-04-17.

Low temperature distributed feedback laser with loss grating and method

Номер патента: US20030002557A1. Автор: Ram Jambunathan,Kishore Kamath,Lars Eng,Alexander Robertson,Daniel Wilt. Владелец: Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Thin film photovoltaic devices and manufacturing methods

Номер патента: WO2023082016A1. Автор: Riad Nechache,Robert NECULA. Владелец: Necula Robert. Дата публикации: 2023-05-19.

Control circuit and method for low-temperature poly-silicon pixel array

Номер патента: US11837138B2. Автор: Kun-Hua Lee. Владелец: Omnivision Tddi Ontario LP. Дата публикации: 2023-12-05.

Double solder bumps on substrates for low temperature flip chip bonding

Номер патента: US20150195920A1. Автор: Peter A. Gruber,Paul A. Lauro,Jae-Woong Nah. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-07-09.

Low temperature polycrystalline silicon thin film and method of producing the same, array substrate and display apparatus

Номер патента: US20160351602A1. Автор: Chunping Long,Xueyan TIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for low-temperature heat treatment of toluene by using composite material having ternary nio nanosheet @ bimetallic cecuox microsheet core-shell structure

Номер патента: US20230241589A1. Автор: Jianmei Lu,Jun Jiang,Dongyun Chen. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-03.

Cooling system for low temperature storage

Номер патента: US11965683B2. Автор: Jaeheuk CHOI,Yoonho Yoo,Byoungjin Ryu. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-04-23.

Techniques for low temperature ion implantation

Номер патента: WO2008067213A2. Автор: Richard S. Muka,D. Jeffrey Lischer,Jonathan Gerald England. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2008-06-05.

Control circuit and method for low-temperature poly-silicon pixel array

Номер патента: US20220415237A1. Автор: Kun-Hua Lee. Владелец: Omnivision Tddi Ontario LP. Дата публикации: 2022-12-29.

Evaluation method for low temperature anti-cracking performance of asphalt mixture

Номер патента: LU503264B1. Автор: Decheng Feng,Zhongshi Pei,Junyan Yi. Владелец: Harbin Quan Transp Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Thin film photovoltaic devices and manufacturing methods

Номер патента: CA3238134A1. Автор: Riad Nechache,Robert NECULA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-19.

Techniques for low-temperature ion implantation

Номер патента: US20090140166A1. Автор: Richard S. Muka. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Organic semiconductor material, organic semiconductor thin film and organic semiconductor device

Номер патента: EP1729357A3. Автор: Takahiro Ohe,Noriyuki Kawashima,Tamotsu Catalysis Res. Center Takahashi,Kenichiro Catalysis Res. Center Kanno. Владелец: Hokkaido University NUC. Дата публикации: 2010-02-24.

Tunnel thin film transistor with hetero-junction structure

Номер патента: US09761732B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Low-temperature polysilicon membrane and preparation method thereof, thin-film transistor and display device

Номер патента: US09559159B2. Автор: Huijuan Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Storage container for low-temperature liquids

Номер патента: US5018639A. Автор: Hans Schäfer. Владелец: Philipp Holzmann AG. Дата публикации: 1991-05-28.

Method of making large-area semiconductor thin films formed at low temperature using nanocrystal presursors

Номер патента: US5491114A. Автор: Avery N. Goldstein. Владелец: Starfire Electronic Development and Marketing Ltd. Дата публикации: 1996-02-13.

Dielectric materials for low voltage ofet operation

Номер патента: WO2015177541A1. Автор: Michael L. Turner,Leszek Majewski,Sheida FARAJI. Владелец: THE UNIVERSITY OF MANCHESTER. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for low-temperature preparation of electrodes from conducting refractory powder materials

Номер патента: US6015522A. Автор: Boris Filanovsky,David Simantov,Tat'yana Burenko,Ilya Kuselman,Avinoam Shenhar. Владелец: Israel Ministry of Trade and Industry. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for producing a thin film transistor having improved carrier mobility characteristics and leakage current characteristics

Номер патента: US5728610A. Автор: Setsuo Usui,Jonathan Westwater,Dharam Pal Gosain. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Improvements relating to pumps for low temperature liquids

Номер патента: GB564169A. Автор: . Владелец: Frigidaire Ltd. Дата публикации: 1944-09-15.

Nonaqueous organic electrolytes for low temperature discharge of rechargeable electrochemical cells

Номер патента: US6153338A. Автор: Hong Gan,Esther S. Takeuchi. Владелец: Greatbatch Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

[low temperature polysilicon thin film transistor and method of forming polysilicon layer of same]

Номер патента: US20040197968A1. Автор: Chia-Tien Peng,Huan-Chao Wu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-10-07.

Unreactive gas anneal and low temperature pretreatment of layered superlattice materials

Номер патента: WO2001056065A3. Автор: Koji Arita,Toru Nasu. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Stabilized electrolytes for low-temperature batteries

Номер патента: US20230402654A1. Автор: Zheng Chen,Ping Liu,John HOLOUBEK. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-12-14.

Low temperature polysilicon layer, thin film transistor, and method for manufacturing same

Номер патента: US20210184050A1. Автор: YUAN Yan,Peng He,Lisheng Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Composite material for low-temperature fuel cells and method for production

Номер патента: RU2698475C1. Автор: Евгений Александрович Сангинов,Екатерина Викторовна Золотухина,Юрий Анатольевич Добровольский,Сергей Иванович Нефедкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эй Ти Энерджи", ООО "Эй Ти Энерджи". Дата публикации: 2019-08-28.

Combining scr with pna for low-temperature control of exhaust gases

Номер патента: RU2702578C2. Автор: Гай Ричард ЧЭНДЛЕР,Пол Ричард ФИЛЛИПС,Александр Николас Майкл ГРИН,Джеймс Александр УАЙЛИ,Мэттью Эбен ХАРРИС,Мирослав ГОЛЛ,Гарри Адам БЕРДЖЕСС. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2019-10-08.

Thin-film hybrid photoelectric converter and method of its manufacturing

Номер патента: RU2694113C2. Автор: Олег Викторович Сергеев,Альберт Галийевич Насибулин,Прамод Малбагал Раджанна,Сергей Иванович Березнев. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-07-09.

Microfluidal thin-film structure for batching of fluids

Номер патента: RU2515287C2. Автор: БЛАНКЕНШТАЙН Герт,КУРОВСКИ Дирк,ХЕМПЕЛЬ Марио,РОДЕНФЕЛЬС Тобиас. Владелец: Бёрингер Ингельхайм Майкропартс Гмбх. Дата публикации: 2014-05-10.

Superconducting thin-film material, superconducting wire and method of production thereof

Номер патента: RU2338280C1. Автор: Судзи ХАХАКУРА,Казу ОХМАЦУ,Казуя ОХМАЦУ. Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2008-11-10.

Heat insulating device for low temperature liquified gas storage tanks

Номер патента: US4050609A. Автор: Tsunanori Nishimoto,Tomiyasu Okamoto,Kaoru Sawada,Koji Hayakawa,Tomomichi Kurihara. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 1977-09-27.

Systems and methods using sequential lateral solidification for producing single or polycrystalline silicon thin films at low temperatures

Номер патента: CA2382662C. Автор: James S. Im,Robert S. Sposili,Mark A. Crowder. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 2010-10-26.

Low temperature conduit coupling

Номер патента: CA2871551C. Автор: Andreas Von Keitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

Double-walled tank for low temperature liquids

Номер патента: GB2058322A. Автор: . Владелец: Dyckerhoff and Widmann AG. Дата публикации: 1981-04-08.

Heat insulating structure for low temperature liquefied gas storage tank

Номер патента: GB1426414A. Автор: . Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 1976-02-25.

Connector for duct systems for low temperature fluids

Номер патента: US4106796A. Автор: Stefan Asztalos,Reinhold Mayer,Alfred Stephan. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 1978-08-15.

Method and instrument for low temperature microwave assisted organic chemical synthesis

Номер патента: CA2512941A1. Автор: James Edward Thomas,Wyatt P. Hargett, Jr.,Keller E. Barnhardt. Владелец: CEM Corp. Дата публикации: 2006-02-20.

A method for the low temperature cleaning of substrates containing indium or antimony

Номер патента: WO1997006555A1. Автор: Trevor Martin,Andrew David Johnson,Richard William Freer,Timothy John Whitaker. Владелец: The Secretary of State For Defence. Дата публикации: 1997-02-20.

High-voltage cable with composite core for low operating temperature

Номер патента: AU2022312113A1. Автор: Baptiste GARY. Владелец: Epsilon Composite SA. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and unit for low-temperature air separation

Номер патента: US11846468B2. Автор: Tobias Lautenschlager,Christian Kunz,Wolfgang Haag,Stefan Lochner,Dimitri GOLUBEV,Lars Kirchner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2023-12-19.

Thin film semiconductor device containing polycrystalline Si-Ge alloy and method for producing thereof

Номер патента: US20030049892A1. Автор: Mutsuko Hatano,Shinya Yamaguchi,Takeo Shiba,Seong-Kee Park. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Method and plant for low temperature fractionation of air

Номер патента: US20240183610A1. Автор: Dimitri GOLUBEV,Xiaohua Fan. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-06-06.

Sealed thin-film device, method of and system for repairing a sealing layer applied to a thin-film device

Номер патента: EP2436059A1. Автор: Herbert Lifka,Coen A. Verschuren,Rifat A. M. Hikmet. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-04-04.

Method for measuring adhesive strength of thin film using dispersion characteristics of surface waves, and computer-readable recording medium having program for performing same recorded thereon

Номер патента: US20200217820A1. Автор: Yu Min Choi,Tae Sung Park,Ik Keun PARK,Dong Ryul KWAK. Владелец: Seoul National University of Technology Center for Industry Cllaboration. Дата публикации: 2020-07-09.

Manufacturing method of polycrystalline silicon thin film and manufacturing method of thin film transistor array substrate

Номер патента: US20190027513A1. Автор: Leilei Dong. Владелец: Actinium Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Method of fabricating thin film transistor

Номер патента: US20030211668A1. Автор: Makoto Takatoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Dielectric thin film, dielectric thin film element and thin film capacitor

Номер патента: US9324497B2. Автор: Takayoshi Sasaki,Minoru Osada,Takafumi Okamoto. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

Thin film transistor manufacturing method, thin film transistor and display device using the same

Номер патента: US7838351B2. Автор: Toshiaki Arai,Motohiro Toyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Thin film transistor

Номер патента: US20150162450A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Method Of Manufacturing Thin Film Transistor

Номер патента: US20020117671A1. Автор: Yoshinori Tateishi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-29.

Thin film transitor, display device, and liquid crystal display device

Номер патента: US20120080683A1. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Hitachi Displays Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Thin film transistor, display device and liquid crystal display device

Номер патента: US8670082B2. Автор: Takeshi Sakai,Takeshi Noda,Hidekazu Miyake,Takuo Kaitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of manufacturing thin film transistor array substrate

Номер патента: US09954015B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin-film transistor substrate, thin-film transistor substrate manufacturing method, and liquid crystal display

Номер патента: US09876039B2. Автор: Takaaki Murakami,Kazunori Inoue,Naoki Nakagawa,Koji Oda,Rii Hirano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus and method for manufacturing thin film, electro-chemical device and method for manufacturing electro-chemical device

Номер патента: US09770890B2. Автор: Kazuyoshi Honda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Piezoelectric thin film resonator including an insertion film, filter, and duplexer

Номер патента: US09748925B2. Автор: Takeshi Sakashita,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Piezoelectric thin film element, inkjet recording head, and inkjet image-forming apparatus

Номер патента: US09586401B2. Автор: Masaru Shinkai,Toshiaki Masuda,Masahiro Ishimori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin film transistor array substrate

Номер патента: US09583514B2. Автор: Jean Ho SONG,Jun Ho Song,Seung Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Copper-zinc catalyst for low-temperature conversion of carbon monoxide with steam

Номер патента: RU2554949C1. Автор: Нина Васильевна Елохина,Татьяна Федоровна Бобрина. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2015-07-10.

Directional flexibilization of expanded thermoplastic foam sheet for low temperature insulation

Номер патента: US4510268A. Автор: Masao Nakamura,Hiroshi Tonokawa. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1985-04-09.

Method for manufacturing a thin-film transistor

Номер патента: RU2749493C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Аюб Рамзанович Умаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-06-11.

METHOD FOR PRODUCTION OF THIN FILMS Cu(In, Ga)(S, Se)2

Номер патента: RU2347298C1. Автор: Валерий Борисович Залесский,Валерий Феликсович Гременок,Елена Петровна Зарецкая,Валерий Борисович Залесский (BY),Елена Петровна Зарецка (BY),Валерий Феликсович Гременок (BY). Владелец: Государственное научно-производственное объединение "Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению"(ГО"НПЦ НАН Беларуси по материаловедению"). Дата публикации: 2009-02-20.

Method for producing low-temperature plasma and hot gas for physico-chemical effect on substances and unit for producing low-temperature plasma and hot gas for physico-chemical effect on substances (variants)

Номер патента: RU2757377C1. Автор: Дмитрий Николаевич Кондратьев. Владелец: Квантум Индастрис ЛЛС. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for automatic control of low-temperature gas separation at oil and gas condensate fields in the north of the russian federation

Номер патента: RU2755099C1. Автор: Анатолий Кузьмич Арабский,Сергей Иванович Гункин,Этибар Гурбанали оглы Талыбов,Андрей Николаевич ЕФИМОВ,Илья Валериевич Смердин,Александр Александрович Турбин,Владислав Леонидович Пономарев,Алексей Леонидович Агеев,Сергей Петрович Железный,Илья Александрович Дяченко,Михаил Михайлович Партилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Ямбург". Дата публикации: 2021-09-13.

Method of producing electrotechnical thin films at room temperature and electrotechnical thin film

Номер патента: RU2720133C2. Автор: Гангадаран ПУФАНЕНДРАЛИНГАМ,Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2020-04-24.

Flexible thin-film positive electrode and method of manufacture thereof

Номер патента: RU2722687C1. Автор: Алексей Михайлович Кашин,Дмитрий Викторович Новиков,Лолита Сергеевна Самохина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инэнерджи". Дата публикации: 2020-06-03.

Method for improving image quality of a display device with low-temperature poly-silicon thin film transistor

Номер патента: US20080224979A1. Автор: Yu-Lin Lee,Chang-Cheng Lin,Ming-Jiun Liaw,Jan-Ruei Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of producing light-absorbing layer of thin-film solar cells from copper-indium-gallium-sulphur-selenium

Номер патента: RU2446510C1. Автор: Фукианг ХУАНГ,Яоминг ВАНГ. Владелец: Шанхайский Институт Керамики Китайской Академии Наук. Дата публикации: 2012-03-27.

System, methods, and apparatus for low temperature dosing in diesel exhaust systems

Номер патента: GB2532662A. Автор: Gong Jinqian,S Shao Josh,Syed Fawad Quazi. Владелец: Cummins Emission Solutions Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Method for determining mechanical properties of thin film membranes formed over round holes

Номер патента: RU2758417C1. Автор: Владимир Александрович Беспалов,Алексей Леонидович Переверзев,Валерий Юрьевич Киреев,Анна Александровна Дедкова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2021-10-28.

Pressure sensor of strain gauge type with a thin film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2657362C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Наталья Анатольевна Козлова. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2018-06-13.

Method of forming superconducting thin film with local regions of variable thickness

Номер патента: RU2580213C1. Автор: Александр Геннадьевич Кузин,Геннадий Михайлович Серопян,Андрей Анатольевич Теплоухов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского". Дата публикации: 2016-04-10.

Low-temperature polysilicon thin film transistor, method of manufacturing the same, and display substrate

Номер патента: US10700107B2. Автор: Dongsheng Li,Xiaolong He,Guangcai Yuan,Zhifu Li,Haijiao QIAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Improvements in or relating to cryogenic apparatus for low-temperature irradiation

Номер патента: GB1087507A. Автор: Yves Depierre,Jacques Verdier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1967-10-18.

Image display system comprising low temperature poly silicon thin film transistor and its manufacture method

Номер патента: CN101192622A. Автор: 刘俊彦,曾章和,王士宾,许国斌. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Methods for the continuous deposition of semiconductor thin films

Номер патента: CA2105464A1. Автор: Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Shaolin Shi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-03-03.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20140070217A1. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Pil Seok KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

System for low-temperature storage of a pharmaceutical composition, liquid composition, method and uses

Номер патента: EP4313211A1. Автор: Raymond Moser,Patrick Gallagher,Matthias Stern,Dominique Bauert,Tom van Ginneken,Sebastian Brechler,Rahel EGLI,Benjamin HEIZ. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and installation for low temperature separation of air

Номер патента: US11976880B2. Автор: Stefan Lochner. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2024-05-07.

High-silica pd-based small pore zeolite catalysts for low temperature ch4 oxidation

Номер патента: WO2024059187A1. Автор: Viktor Cybulskis,Jingzhi Liu,Eleni KYRIAKIDOU,Tala MON. Владелец: The Research Foundation For The State University Of New York, University At Buffalo. Дата публикации: 2024-03-21.

System for low-temperature storage of a pharmaceutical composition, liquid composition, method and uses

Номер патента: US20240041698A1. Автор: Raymond Moser,Patrick Gallagher,Matthias Stern,Dominique Bauert,Tom van Ginneken,Sebastian Brechler,Rahel EGLI,Benjamin HEIZ. Владелец: Schott Pharma Schweiz AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Low temperature fusion

Номер патента: CA2601723A1. Автор: Ben R. Breed. Владелец: Cone Partners, Ltd.. Дата публикации: 2006-09-28.

Composition of a poly ionic liquid and a metal compound for the detection of co2 gas at low temperatures

Номер патента: WO2015124417A1. Автор: Markus Niederberger,Niklaus Kränzlin,Dorota Koziej. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2015-08-27.

Ceria electrolyte for low-temperature sintering and solid oxide fuel cell using the same

Номер патента: US20170062855A1. Автор: Su Jeong Lee,Byung Sub Kim,Choong Hwan Lee,Jae Hwa Choi,Kyoung Tae LIM,Hee Lak LEE,Hyeong Cheol SHIN. Владелец: KCERACELL Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US20200350165A1. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Isolated Modulator Electrodes for Low Power Consumption

Номер патента: US20140198816A1. Автор: Xingang Zhang,Mark Heimbuch,Near Margalit. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-17.

Sram cells for low temperature integrated circuit operation

Номер патента: US20230317146A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for producing a thin film transistor

Номер патента: US20160148804A1. Автор: Ting-Chang Chang,Ming-Yen Tsai,Hua-Mao Chen,Tian-Yu Hsieh. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-05-26.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11342178B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Methods of manufacturing low-temperature polysilicon thin film and transistor

Номер патента: US11374113B2. Автор: Jianfeng SHAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Digital to analog converter using high-injection velocity channel materials for low temperature signal conversion

Номер патента: US20230318611A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US8098462B2. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Globally planarized backend compatible thin film resistor contact/interconnect process

Номер патента: US20030030107A1. Автор: Khanh Tran,Viktor Zekeriya. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Oral transmucosal compositions including aromatase inhibitors for low testoterone levels in men

Номер патента: WO2016014680A2. Автор: Tsu-I Catherine Wang,Bruce Vincent Biundo. Владелец: Professional Compounding Centers of America. Дата публикации: 2016-01-28.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Thin film transistor based light sensor

Номер патента: US20230063673A1. Автор: Katherine H. Chiang,Shih-Llen Linus LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US20170133045A1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Thin Film Transistor Substrate and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240204010A1. Автор: Youngjin Yi,Yubeen LIM,JungJune KIM,Soyang CHOI. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Piezoelectric thin film resonator and fabrication method of the same, filter, and multiplexer

Номер патента: US20190007021A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2019-01-03.

Thin film electrode ceramic substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130032383A1. Автор: Yun Hwi Park,Won Hee Yoo,Byeung Gyu Chang,Taek Jung Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US9385297B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Thin film semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060267895A1. Автор: Jirou Yanase. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Thin film multivariate optical element and detector combinations, thin film optical detectors, and downhole optical computing systems

Номер патента: US20220178819A1. Автор: JIAN Li,Bin Dai,John Laureto MAIDA, JR.,Christopher Michael Jones,Daniel Stark,James M. Price. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Thin film capacitor and method of fabricating the same

Номер патента: US20020001165A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Thin film optoelectronic devices using delafossite type metal oxides and methods of their fabrication

Номер патента: WO2015198321A1. Автор: Stelios A. Choulis,Savva ACHILLEAS. Владелец: Reinhold Cohn And Partners. Дата публикации: 2015-12-30.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178232A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Manufacturing method of thin-film magnetic head, wafer for thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20100321822A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Yuji Otsubo,Tetsuya Hiraki,Sohei Horiuchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Large lateral scale two-dimensional materials and other thin films, and associated systems and methods

Номер патента: US12030081B2. Автор: Yu Zhong,Jiwoong Park,Baorui Cheng. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2024-07-09.

Oral transmucosal compositions including aromatase inhibitors for low testosterone levels in men

Номер патента: US20170209366A1. Автор: Tsu-I Catherine Wang,Bruce Vincent Biundo. Владелец: Professional Compounding Centers of America Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Thin-film transistor array device, organic el display device, and method of manufacturing thin-film transistor array device

Номер патента: US20120032179A1. Автор: Tomoya Kato,Tohru Saitoh. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US20090140257A1. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film resonator, manufacturing apparatus for a piezoelectric thin film resonator, piezoelectric thin film resonator, and electronic component

Номер патента: US20040200050A1. Автор: Eiju Komuro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-14.

Method of fabricating oxide thin film device using laser lift-off and oxide thin film device fabricated by the same

Номер патента: US8828845B2. Автор: Jin Sang Kim,Ji Won Choi,Hyun Cheol Song,Chong Yun Kang,Seung Hyub BAEK,Seok Jin Yoon,Young Ho Do. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-09-09.

Thin-film transistor and solid-state imaging apparatus

Номер патента: US20140070222A1. Автор: Tatsuya Ohguro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Thin film transistor substrate, display device, and manufacturing method for thin film transistor substrate

Номер патента: US20230120056A1. Автор: Takashi Terauchi,Ryuji Matsumoto,Kazunari Sasaki,Kimihiko HAYASHI. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same and magnetic memory apparatus

Номер патента: US5917681A. Автор: Takamitsu Orimoto,Keita Ohtsuka,Mithumasa Okada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A3. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-21.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: WO2002015252A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-02-21.

Method for fabricating nanoporous thin film, nanoporous thin film and its applications

Номер патента: EP3991831A1. Автор: Ivo Rangelow,Xiang-qian ZHOU. Владелец: Zhou Xiang Qian. Дата публикации: 2022-05-04.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: EP4024493A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Film formation method, thin-film transistor and solar battery

Номер патента: US7833826B2. Автор: Shinsuke Oka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-11-16.

Thin-film filter, thin-film filter substrate, method of manufacturing the thin-film filter, method of manufacturing the thin-film filter substrate, MEMS microphone and method of manufacturing the MEMS microphone

Номер патента: US11425508B2. Автор: Makoto Yoshida,Masashi Shiraishi,Hiroshi Take,Toyotaka Kobayashi,Anthony Reymund Melad Binarao,Cheng Bu Heng. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Air bearing surface of thin-film magnetic head slider and method of processing the same

Номер патента: US7554770B2. Автор: Shinichi Tanaka,Atsushi Tondokoro. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Thin-film transistor substrate

Номер патента: US20240178233A1. Автор: Kazushige Takechi. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Thin film transistor substrate and display apparatus comprising the same

Номер патента: US20230317855A1. Автор: Jaeyoon Park,Jungseok Seo,Jin Seong Park,Ki Lim HAN,Taewon Hwang,Won-Bum Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabricating method for optical multilayer thin film structure

Номер патента: US20070247716A1. Автор: Myoung Jin Kim,Hwe Kyung KIM. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2007-10-25.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US20150064804A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Thin film-planar structure and method for producing the same

Номер патента: US6406637B1. Автор: Akira Shimokohbe,Seiichi Hata. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2002-06-18.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US8978469B2. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Flux Transformer Formed of an Oxide Superconducting Thin Film and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: CA2145827A1. Автор: Tatsuoki Nagaishi,Hirokazu Kugai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-09-30.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423B1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-10-26.

Polycrystal thin film forming method and forming system

Номер патента: US20010041391A1. Автор: Kuninori Kitahara,Akito Hara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for manufacturing ferroelectric thin film device

Номер патента: US20180082839A1. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-22.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display apparatus including the same

Номер патента: US20160118420A1. Автор: Deukjong KIM,Yongho YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Thin film manufacturing method and method of manufacturing substrate

Номер патента: US20220032623A1. Автор: Keiji Watanabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: EP2436044A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2012-04-04.

Method of enhancing the conductive and optical properties of deposited indium tin oxide (ito) thin films

Номер патента: WO2010138157A1. Автор: Yiwei Lu,David M. Broadway. Владелец: Guardian Industries Corp.. Дата публикации: 2010-12-02.

Fabrication method of thin film transistor substrate for X-ray detector

Номер патента: US20030096441A1. Автор: Ik kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Thin film magnetic head integrated structure, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing thin film magnetic head

Номер патента: US20070044297A1. Автор: Tatsuya Harada,Naoto Matono,Yoshihiko Koyama. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

A method for producing a metal film, a thin film device having such metal film and a liquid crystal display device having such thin film device

Номер патента: EP1309991A2. Автор: Akinori Matsumoto,Yoshihisa Hatta,Shinichi Li. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-05-14.

Thin film circuit board device and its manufacturing method

Номер патента: EP1429590A4. Автор: Tsuyoshi Ogawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-11.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US8558226B2. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Ultra-thin thin-film optical interference filters

Номер патента: US20240272340A1. Автор: Esmaeil Banaei. Владелец: Everix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dielectric thin film-applied substrate and optical modulation element using the same

Номер патента: US10649246B2. Автор: Kenji Sasaki,Shinji Iwatsuka. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Thin film transistor substrate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20120305911A1. Автор: Masaru Aoki,Kazunori Inoue,Toshihiko Iwasaka,Reiko Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Aligning a featureless thin film in a tem

Номер патента: US20160104596A1. Автор: Bart Buijsse,Gijs van Duinen. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2016-04-14.

Piezoelectric thin film resonator, filter, and duplexer

Номер патента: US20170257076A1. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Thin film transistor

Номер патента: US20140284601A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010002047A1. Автор: Mitsuaki Suzuki,Shinichi Kamagami,Takuji Nakazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for crystallizing amorphous silicon thin-film for use in thin-film transistors and thermal annealing apparatus therefor

Номер патента: US20010001715A1. Автор: TAEKYUNG KIM,Seungki Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of crystallizing amorphous semiconductor thin film and method of fabricating poly-crystalline thin film transistor using the same

Номер патента: US20050287726A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Beta-phase tantalum thin-film resistor and thin-film magnetic head with the resistor

Номер патента: US20070127161A1. Автор: Masashi Sano,Norio Kiuchi,Kento Edakawa,Nobuyoshi Morizumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-06-07.

Thin film formation method and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090253264A1. Автор: Junichi Horie. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Thin film endovascular electrode array and method of fabrication

Номер патента: US20240215889A1. Автор: Ellis Meng,Brianna Leilani THIELEN. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2024-07-04.

Thin film capacitor element with protection elements

Номер патента: EP1090423A1. Автор: John M. Shannon,Stephen J. Battersby,Darren T. Murley. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-04-11.

Drug injection stopper with thin film lubricant

Номер патента: AU2021413356B2. Автор: Peter Heicksen,Naomi DELONG. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220037531A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen,Hong-Chih Chen,Mao-Chou Tai,Shin-Ping Huang. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-02-03.

An improved method of planarizing thin film layers deposited over a common circuit base

Номер патента: WO2000007233A1. Автор: David J. Chazan,Jan I. Strandberg,Michael P. Skinner,Todd S. Kaplan,James L. Lykins,Ted Te-Chung Chen. Владелец: Kulicke & Soffa Holdings, Inc.. Дата публикации: 2000-02-10.

Thin film photovoltaic cell, cell pack and method of fabricating thin film photovoltaic cell

Номер патента: US12125925B2. Автор: YUAN Li,Liang Yang,Xiongcai XIE,Guang Huang. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Segmented-width thin-film sense resistors with width-distributed terminal land connections

Номер патента: US20240361356A1. Автор: Michael J. Murphy,Aleksey KHENKIN. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Organic light-emitting display device including thin-film solar cell and method of manufacturing the organic light-emitting display device

Номер патента: US09972661B2. Автор: Tsuyoshi Naijo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Mechanical design of thin-film diamond crystal mounting apparatus with optimized thermal contact and crystal strain for coherence preservation x-ray optics

Номер патента: US09966161B2. Автор: Deming Shu,Stanislav Stoupin,Kwang-Je Kim,Yury Shvydko. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Computer thin film switch keyboard

Номер патента: US09941077B2. Автор: Ming Li,Jinxin Ding,Xiaopeng Cao,Guishun HONG,Xiaojun HONG. Владелец: Shenzhen Hui Chuang Da Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Thin film transistor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929186B2. Автор: Kazunori Inoue,Kensuke Nagayama,Naoki Tsumura,Takaharu KONOMI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917197B2. Автор: Masashi TSUBUKU,Kojiro SHIRAISHI,Takafumi Mizoguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing a liquid crystal display by applying a laser to remove at least a portion of a polymer thin film layer and a substrate

Номер патента: US09910305B2. Автор: Myung Hwan Kim,Myeong Hee Kim,Dae Ho Lee,Hee-Keun Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film type controlled viewing window back light unit and thin flat type controlled viewing window display using the same

Номер патента: US09910208B2. Автор: Friedrich-Karl Bruder,Hyungseok Bang,Rainer Hagen,Günther Walze,Thomas Peter FACKE,Seungman Ryu. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09905727B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alkali-niobate-based piezoelectric thin film element

Номер патента: US09882546B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for producing a thin film cell arrangement

Номер патента: US09865755B2. Автор: Birger Zimmermann,Hans-Frieder Schleiermacher,Sebastian Schiefer. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor, display device, and method for manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09859391B2. Автор: Jun Tanaka. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for controlling an increase in conductivity of a polymer thin-film to provide a conductive film

Номер патента: US09825226B2. Автор: Sun Jin Yun,Changbong YEON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Temperature sensor device and radiation thermometer using this device, production method of temperature sensor device, multi-layered thin film thermopile using photo-resist film and radiation thermometer using this thermopile, and production method of multi-layered thin film thermopile

Номер патента: US09759613B2. Автор: Mitsuteru Kimura,Nobuo Tanaka,Hironori Shimobayashi. Владелец: HME CO Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Porous, thin film electrodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US09748569B2. Автор: Byunghoon Yoon,Wenming Li,Ann Koo. Владелец: Applejack 199 LP. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film battery module, thin film battery package, thin film battery package manufacturing device, and thin film battery package manufacturing method

Номер патента: US09728754B2. Автор: Yong Yeon Kim,San Moo Kwon,Soo Tae Choi,Eun Hang Cho,Eun Jong Hwang,Sung Gyu Bang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09722169B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Piezoelectric thin film resonator and method of fabricating the same

Номер патента: US09716956B2. Автор: Hiroshi Kawakami,Shinji Taniguchi,Ryuichi Okamura,Tsuyoshi Yokoyama,Hiroomi KANEKO. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing niobate-system ferroelectric thin film device

Номер патента: US09685603B2. Автор: Kenji Shibata,Kazutoshi Watanabe,Kazufumi Suenaga,Masaki Noguchi,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Thin film polarizer having superior optical properties, manufacturing method thereof, and polarizing plate and display device including the same

Номер патента: US09684104B2. Автор: Sung-Hyun Nam,Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Fractal-edge thin film and method of manufacture

Номер патента: US09679940B2. Автор: Oray Orkun Cellek. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film solid state lithium ion secondary battery and method of manufacturing the same

Номер патента: US09673481B2. Автор: Momoe Adachi,Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Koichiro Hinokuma,Yui Senda,Katsunori Takahara,Reina Ichikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for preparing organic polymer thin film laser

Номер патента: US09667035B1. Автор: Li Chen,LI Wang,SONGTAO Li,Xinping Zhang,Tianrui Zhai. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-30.

Thin film transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09660103B2. Автор: Hiroshi Goto,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi,Shinya Morita,Yasuyuki Takanashi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for forming thin film chalcogenide layers

Номер патента: US09647153B2. Автор: Marc Meuris,Marie Buffiere,Hossam ElAnzeery. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film piezoelectric material element, head gimbal assembly and hard disk drive

Номер патента: US09646637B1. Автор: Wei Xiong,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of manufacturing thin film polarizer, and thin film polarizer and polarizing plate manufactured using the same

Номер патента: US09645293B2. Автор: Kyun-Il Rah,Jong-Hyun Jung,Hye-Min Yu,Sung Hyun Nam. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor substrate

Номер патента: US09640564B2. Автор: Eiichi Sato,Shinya Ono. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing thin-film transistor substrate

Номер патента: US09627515B2. Автор: Eiichi Satoh. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of patterning a thin film

Номер патента: US09625820B2. Автор: Arnold Chang-Mou Yang,Wei-Chun Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Thin-film transistor array substrate and organic light-emitting display apparatus including the same

Номер патента: US09620534B2. Автор: Deukjong KIM,Yongho YANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing positive electrode of thin-film battery and method for producing thin-film battery

Номер патента: US09601799B2. Автор: Yuichi Sabi,Hiroyuki Morioka,Tatsuya Furuya,Katsunori Takahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Flat panel display device with oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570483B2. Автор: Ki Tae Kim,Chang Hoon Han,Ki Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin-film transistor and its manufacturing method, array substrate and display device

Номер патента: US09564460B1. Автор: Wei Li,Yunyou Zheng,Shengnan Xiong,Yicun Zhang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer

Номер патента: US09531342B2. Автор: Takeshi Sakashita,Shinji Taniguchi,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Thin-film pattern array and production method therefor

Номер патента: US09530668B2. Автор: Hojin Lee,Youngseok Kim. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2016-12-27.

Coil unit for thin film inductor, manufacturing method of coil unit for thin film inductor, thin film inductor and manufacturing method of thin film inductor

Номер патента: US09514880B2. Автор: Jeong Woo Park,Seon Ha Kang,Oh Hi Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film transistor array panel and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09490274B2. Автор: Kyung-ho Park,Woo-Jung Shin,Si Hyun AHN,Hyung Jun Park,Dong-hyun Yoo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Fabrication of thin-film devices using selective area epitaxy

Номер патента: US09490119B2. Автор: Thomas Wunderer. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Organic light emitting display apparatus having thin-film encapsulation layer with interlayer and the manufacturing method thereof

Номер патента: US09461266B2. Автор: Jae-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Optical thin film laminate for organic electroluminescent display element, production method thereof, organic electroluminescent display element and display device

Номер патента: US09450210B2. Автор: Fei Liu,Xue Gao,Jinlong Liao,Qinghui Zeng,Junran Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Thin film, method of forming thin film, semiconductor device including thin film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425323B2. Автор: Anass Benayad,Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Eun-ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Poly-Silicon Thin Film and Preparation Method of Thin Film Transistor

Номер патента: US20200035490A1. Автор: Hongping Yu,Peng He. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Thin film transistor and display device

Номер патента: US09362313B2. Автор: Toshihiro Kugimiya,Hiroaki Tao,Shinya Morita,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Piezoelectric thin film resonator, filter and duplexer including a film inserted in the piezoelectric film

Номер патента: US09356573B2. Автор: Takeshi Sakashita,Tokihiro Nishihara,Tsuyoshi Yokoyama. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2016-05-31.

METHOD IMPROVING CHARACTERISTICS OF Si THIN-FILM ANODE OF LITHIUM ACCUMULATOR BATTERY

Номер патента: RU2327254C1. Автор: Сунг-Ман ЛИ,Сео-Дзае ЛИ. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2008-06-20.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2646421C1. Автор: Олег Иванович Филатов,Борис Григорьевич Полевой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАНОТЕРМ". Дата публикации: 2018-03-06.

Thin-film actuated mirror matrix and process of its manufacture

Номер патента: RU2140722C1. Автор: Джи Джеонг-Беом,Ким Донг-Кук,Ли Сеок-Вон. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 1999-10-27.

Hybrid wave plasma engine for low orbit space vehicle

Номер патента: RU2764487C1. Автор: Андрей Иванович Шумейко,Виктор Дмитриевич Телех,Вера Ивановна Майорова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2022-01-17.

High-active multi-layered thin-filmed ceramic structure of active part of elements of solid oxide devices

Номер патента: RU2662227C2. Автор: Александр Сергеевич Липилин,Алексей Викторович Спирин,Ольга Ивановна Гырдасова,Сергей Николаевич Шкерин,Алексей Викторович Никонов,Антон Валерьевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2018-07-25.

Unit of low-temperature dephlegmation with rectification ltdr for complex gas treatment with generation of lng

Номер патента: RU2705160C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2019-11-05.

Oral thin film with high active substance loading

Номер патента: RU2754824C1. Автор: Маркус МЮЛЛЕР,Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН,Мариус БАУЭР. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-09-07.

METHOD FOR PRODUCING NANO-PROFILED ULTRA-THIN FILM Al2O3 ON SURFACE OF POROUS SILICON

Номер патента: RU2634326C2. Автор: Илья Сергеевич Тарасов,Александр Дмитриевич Бондарев,Иван Никитич Арсентьев,Александр Сергеевич Леньшин,Павел Владимирович Середин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет" (ФГБУ ВО ВГУ). Дата публикации: 2017-10-25.

Method of making thin-film solar module with scribing layers

Номер патента: RU2715088C1. Автор: Илья Александрович Няпшаев,Виктор Сергеевич Тарасов,Федор Сергеевич Егоров,Александр Дмитриевич Дубровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Хевел». Дата публикации: 2020-02-25.

Method for manufacturing thin-film tunnel junctions by the method of separate lithography

Номер патента: RU2757762C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Александра Анатольевна Гунбина,Михаил Юрьевич Фоминский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Sensitive element of thin-film magnetometer

Номер патента: RU2706436C1. Автор: Александр Николаевич Бабицкий,Борис Афанасьевич Беляев,Никита Михайлович Боев,Андрей Викторович Изотов,Софья Андреевна Клешнина,Антон Владимирович Бурмитских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2019-11-19.

Method of determining drop entrainment of hydrocarbon liquid from field low temperature separation unit of natural gas

Номер патента: RU2768130C1. Автор: Игорь Николаевич Жильцов,Борис Дмитриевич Донских,Зарема Мусаевна Юсупова,Александр Александрович Макинский,Татьяна Владимировна Максимова,Алла Юрьевна Чекалина. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2022-03-23.

Installation for evaluation of low-temperature properties of grease lubricants for heavy-loaded sliding friction units

Номер патента: RU2763855C1. Автор: Валерий Александрович Митягин,Дмитрий Юрьевич Глядяев,Игорь Павлович Чулков,Борис Сергеевич Реморов,Татьяна Петровна Земляная. Владелец: Федеральное автономное учреждение "25 Государственный научно-исследовательский институт химмотологии Министерства обороны Российской Федерации". Дата публикации: 2022-01-11.

Low-temperature dephlegmation unit with separation for complex gas treatment and production of liquefied natural gas

Номер патента: RU2739038C2. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2020-12-21.

Matrix of thin-film controlled mirrors for usage in optical projection system

Номер патента: RU2166784C2. Автор: МИН Йонг-Ки. Владелец: Дэу Электроникс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2001-05-10.

Bandwidth extension for low-band audio signal

Номер патента: RU2568278C2. Автор: Володя ГРАНЧАРОВ,Стефан БРУН,Сигурдур СВЕРРИССОН,Харальд ПОБЛОТ. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2015-11-20.

Multilayer oral thin film

Номер патента: RU2762081C1. Автор: Кристоф ШМИТЦ,Михаэль ЛИНН. Владелец: Лтс Ломанн Терапи-Системе Аг. Дата публикации: 2021-12-15.

Thin-film capacitor built around conductive polymers

Номер патента: RU2318263C2. Автор: Прабхат КУМАР,Хеннинг ЮЛЕНХАТ. Владелец: Х.Ц. Штарк, Инк.. Дата публикации: 2008-02-27.

Tread composition for low fuel consumption all weather tire

Номер патента: CA1280244C. Автор: Kazuaki Yuto,Eiji Takiguchi,Toru Oniki. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Pmma gate dielectric based patterned bottom-gate bottom contact type organic thin film transistor

Номер патента: WO2023223337A1. Автор: Soumya Dutta,Anuj RAJPOOT. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS (IIT MADRAS). Дата публикации: 2023-11-23.

Thin film transistor structures with regrown source and drain

Номер патента: US11887988B2. Автор: Gilbert Dewey,Cory BOMBERGER,Anand Murthy,Jack Kavalieros,Willy Rachmady,Ashish Agrawal,Matthew Metz,Cheng-Ying Huang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Low-Temperature Fabrication of Transparent Conductive Contacts for p-GaN and n-GaN

Номер патента: US20150318446A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Minh Huu Le,Heng Kai Hsu,Teresa B. Sapirman,Jianhua Hu. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, array substrate and display device

Номер патента: US20180145146A1. Автор: Zuqiang Wang,Yuqing Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Thin film transistors and related fabrication techniques

Номер патента: US20240237364A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film capacitor and manufacturing method therefo

Номер патента: US20220208477A1. Автор: Masahiro Hiraoka,Hitoshi Saita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150263142A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Thin-film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337322B2. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Thin-film transitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346497A1. Автор: Arichika Ishida,Masato Hiramatsu,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-11-27.

Radiation hardened thin-film transistors

Номер патента: US12027630B2. Автор: Shiqiang Wang,Michael C. Hamilton,Minseo Park,Kosala Yapa Bandara. Владелец: AUBURN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film electronic component

Номер патента: US9722013B2. Автор: Daiki Ishii,Kentaro Morito. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Low temperature-type lithium-ion battery electrolyte solution and preparation method therefor, and lithium-ion battery

Номер патента: EP4394989A1. Автор: Chun Fang,Shiqi Liu,Fangyuan CHENG,Yuqian Zou. Владелец: Hubei Wanrun New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method of manufacturing a piezoelectric thin film element

Номер патента: US7089636B2. Автор: Masami Murai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

Thin film transistor structure and manufacturing method thereof, circuit structure, display substrate and display device

Номер патента: US20210257393A1. Автор: MENG Li,Pan Xu,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan,Xuehuan Feng,Zhenfei Cai. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

High power, double-sided thin film filter

Номер патента: US12034425B2. Автор: Michael Marek,Elinor O'neill,Ronit Nissim. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Thin film transistor, manufacturing process for thin film transistor, and laser annealing apparatus

Номер патента: US20190140103A1. Автор: Makoto Hatanaka,Michinobu Mizumura,Tetsuya Kiguchi. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: WO2023027983A2. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti SPE, LLC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Thin-film transistor circuit, design method for thin-film transistor, design program for thin-film transistor circuit, design program recording medium, design library database, and display device

Номер патента: US20090044161A1. Автор: Genshiro Kawachi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Surface planarization method of thin film and preparing method of array substrate

Номер патента: US20150064927A1. Автор: Lei Chen,Lei Zhang,Jiapeng Li,Wukun Dai,Miao Qiu,Fengguo WANG,Ziqi Xia,Xiuhong Jin. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Thin film transistor array substrate and display panel

Номер патента: US20190326325A1. Автор: Xiaoxing Zhang,Yingchun FAN. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Thin film ferroelectric light modulators

Номер патента: US20010009472A1. Автор: Feiling Wang,Gene Haertling. Владелец: Corning Applied Technologies Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Thin film transistor

Номер патента: US20030183857A1. Автор: Takahiro Korenari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Thin film transistor

Номер патента: US6753549B2. Автор: Takahiro Korenari. Владелец: Ekisho Sentan Gijutsu Kaihatsu Center KK. Дата публикации: 2004-06-22.

Thin-film substrate and energy-sensitive electronic component including same

Номер патента: US20240234037A1. Автор: Soo Deok HAN. Владелец: Vanam Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor structure, array substrate and method for manufacturing a thin film transistor structure

Номер патента: US20200066901A1. Автор: Liangchen YAN,Dongfang Wang,Zhanfeng CAO,Jingang Fang,Ce ZHAO,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Thin film transistor, manufacturing method thereof, and array substrate

Номер патента: US20240222445A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Tianmin Zhou,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20180219059A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci,Ted Dibenne. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Magnetic thin film inductor structures

Номер патента: US20240162277A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth,Paul Rannuci. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Thin film transistor, method of manufacturing the thin film transistor, and display apparatus including the thin film transistor

Номер патента: US12034082B2. Автор: Sohyung Lee,Jeongsuk YANG,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Poly-crystalline thin film, thin film transistor formed from a poly-crystalline thin film and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7851802B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Tae-Sang Kim,Jang-yeon Kwon,Kyung-bae Park,Ji-sim Jung,Jae-Young Choi,Hyeon-jin SHIN,Seon-mi Yoon,Kyung-seok SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-14.

Process for producing a thin-film magnetic tape head

Номер патента: AU7673591A. Автор: Dietmar Uhde. Владелец: Deutsche Thomson Brandt GmbH. Дата публикации: 1991-11-11.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100177441A1. Автор: Takayasu Kanaya. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device with thin film resistor

Номер патента: US5475254A. Автор: Kiyoshi Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

NTC thin film thermistor and method for producing an NTC thin film thermistor

Номер патента: US12033774B2. Автор: Jan Ihle,Thomas Bernert,Christl Lisa Mead,Thomas STENDEL,Marko Vrabelj,Sebastian Redolfi. Владелец: TDK Electronics AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Passivation structure for ferroelectric thin-film devices

Номер патента: WO2007037976A2. Автор: Lee-Yin V. Chen. Владелец: Agile Rf, Inc.. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for manufacturing functional mixture-coated skin attachment thin film and skin-attachment thin film manufactured by using same

Номер патента: EP4374908A1. Автор: Ki Don Kim,Jun-Ho Jeong,Soon-Hyoung Hwang,Sohee JEON,Hyeok Jung Kang. Владелец: Crscube America Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Method for making semiconductor apparatus and semiconductor apparatus obtained by the method, method for making thin film transistor substrate and thin film transistor substrate obtained by the method, and method for making display apparatus and display apparatus obtained by the method

Номер патента: US20120205657A1. Автор: Naoki HAYASHI,Toshiaki Arai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Piezoelectric mechanism having electrodes within thin film sheet that are substantially perpendicular to substrate

Номер патента: US20130105594A1. Автор: Peter Mardilovich,Tony S. Cruz-Uribe. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-02.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20050087745A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-04-28.

Organic thin film transistor array substrate and method of producing the same

Номер патента: US20040209388A1. Автор: Cheng-Chung Lee,Yu-Wu Wang,Yih-Jun Wong,Horng-Long Cheng,Wei-Yang Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-10-21.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

Thin film inductor element and thin film variable inductor element

Номер патента: US20240145147A1. Автор: Shunsuke Fukami,Jun'ichi Ieda,Yuta Yamane. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2024-05-02.

Composite thin film memory

Номер патента: US3626392A. Автор: Irving W Wolf,Andre A Jaecklin. Владелец: Ampex Corp. Дата публикации: 1971-12-07.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Thin-film transistor device

Номер патента: US20230178660A1. Автор: Po-Tsun Liu,Zhen-Hao Li,Tsung-Che Chiang,Po-Yi Kuo. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-06-08.

Scribing apparatus for thin film solar cells

Номер патента: EP2352163A3. Автор: Masanobu Soyama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Fabricating thin film liquid cells

Номер патента: EP4078646A1. Автор: Gregory Fabrice SCHNEIDER,Alexander Kros,Viorica Tudor,Pauline Marthe Gerardina Van Deursen. Владелец: UNIVERSITEIT LEIDEN. Дата публикации: 2022-10-26.

Thin film actuator having transversely oriented structural stiffeners to increase actuator stroke

Номер патента: WO2021242443A1. Автор: Marco Mattila,Tommi Riekkinen,Risto Heikki MUTIKAINEN,Nikolay CHEKUROV. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Thin film integrated circuit including at least two P-type transistors

Номер патента: US5912474A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for patching up thin-film transistor circuits on a display panel by local thin-film deposition

Номер патента: US20050142669A1. Автор: Yi-Shen Chen,Liang-Hsing Fan. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2005-06-30.

Thin-film antenna, displaying module and displaying device

Номер патента: US20240170846A1. Автор: XIN Wang,Penghao GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Preparation method and photoelectric device of tin-based perovskite thin film employing stress control

Номер патента: US20240237503A9. Автор: ZHIGUO Zhang,Xiongjie Li,Mingkui Wang,Haixuan YU. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-07-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Organic Thin Film Transistor and Method for Surface Modification of Gate Insulating Layer of Organic Thin Film Transistor

Номер патента: US20080315190A1. Автор: Kunji Shigeto,Iwao Yagi,Kazuhito Tsukagoshi,Yoshinobu Aoyagi. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of producing thin film magnetic head

Номер патента: US20090223034A1. Автор: Hironori Saito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Film bulk acoustic resonator package with thin film sealing structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US11949401B2. Автор: Ivoyl P Koutsaroff,Jin Nyoung JANG. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for producing piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US8726475B2. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Methods for forming microwave tunable composited thin-film dielectric layer

Номер патента: US12048948B2. Автор: Guan Huei See,Arvind Sundarrajan,Yue Cui,Yueh Sheng Ow,Felix Deng,Nuno Yen-Chu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Waterproof case for low-frequency electric stimulation device, waterproof-type low-frequency electric stimulation device, and insulator electrode for low-frequency electric stimulation

Номер патента: EP3815739A1. Автор: Kimitoshi Fukae. Владелец: Fukae Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-05.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210167490A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US20210066793A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: US11165147B2. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: CA3089229A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-02-28.

Over-molded thin film antenna device

Номер патента: EP3787106A1. Автор: Francisco X. Gomez,Calin Pod. Владелец: Pctel Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Method for producing waterproof organic thin film

Номер патента: US20130209691A1. Автор: Shoichi Matsuda,Hiroshi TOMOHISA,Tadayuki Kameyama,Toru Umemoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same

Номер патента: US20230268133A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same

Номер патента: US20230268125A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same

Номер патента: US20230260713A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Thin film capacitor and electronic circuit substrate having the same

Номер патента: US20230260698A1. Автор: Kenichi Yoshida,Yoshihiko Yano,Daiki Ishii,Yuki YAMASHITA,Tetsuhiro Takahashi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620647B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160343877A1. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-yu Su,Zhiyuan ZENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Apparatus and method for manufacturing optically anisotropic polymer thin films

Номер патента: WO2022076267A1. Автор: Sheng Ye,Andrew John Ouderkirk,Arman Boromand. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin film transistor substrate

Номер патента: US20150076502A1. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US8034672B2. Автор: Hiroshi Sagawa,Naobumi Toyomura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US9960260B2. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Computer system and method for booting under low temperature state

Номер патента: US20100070745A1. Автор: Chia-Chang Chiu. Владелец: Mitac Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Encapsulating thin film, production method thereof, and method for encapsulating display panel

Номер патента: US20190165307A1. Автор: Yang Xu,Tao Jin,Jianhui Zhang,Yong Cui,Biao TIAN,Tianfeng Pan,Jieshu Wu,Lihao ZHAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: EP4393016A2. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti Innovation Center LLC. Дата публикации: 2024-07-03.

Retrofitting a thin film to a solar system

Номер патента: WO2023027983A3. Автор: Kurt G. Conti,Cullin J. Wible. Владелец: Conti SPE, LLC.. Дата публикации: 2023-04-06.

Display Device and Thin Film Transistor Array Substrate and Thin Film Transistor thereof

Номер патента: US20110095285A1. Автор: Fang-An Shu,Henry Wang,Tung-Liang Lin,Wei-Chou Lan,Lee-Tyng Chen. Владелец: Prime View International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Thin film photoelectric conversion device and method for manufacturing thin film photoelectric conversion device

Номер патента: US20110272771A1. Автор: Jose Briceno. Владелец: Si Nano Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Metal oxide thin film transistor and a preparation method thereof

Номер патента: US20160133729A1. Автор: Miao Xu,Ying Guo,Lang WANG,Dongxiang Luo,Hongmeng LI,Jiawei PANG. Владелец: Guang Zhou New Vision Opto-Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Floating thin-film magnetic head having crown serving as medium-facing surface and method for producing thin-film magnetic head

Номер патента: US20070035882A1. Автор: Akio Kishimoto,Masamitsu Senuma. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Thin film transistor substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US8207535B2. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-26.

Thin film device

Номер патента: US7785697B2. Автор: Hitoshi Sakuma,Taku Masai,Kyung-Ku Choi,Toshiyasu Fujiwara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Patterning of magnetic thin film using energized ions and thermal excitation

Номер патента: US20140083363A1. Автор: Mahalingam Venkatesan,Steven Verhaverbeke,Omkaram Nalamasu,Majeed A. Foad,Nety M. Krishna. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944A1. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film encapsulation structure and display panel

Номер патента: AU2020338944B2. Автор: Ping Wen,Zhiliang Jiang,Shilong WANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Thin film transistor and a manufacturing method thereof, array substrate and a manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9773813B2. Автор: Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Thin-film pn junctions and applications thereof

Номер патента: US20180175312A1. Автор: David Carroll. Владелец: Wake Forest University. Дата публикации: 2018-06-21.

Methods for producing chalcopyrite compound thin films for solar cells using multi-stage paste coating

Номер патента: US20140070347A1. Автор: Byoung Koun Min,Yun Jeong HWANG,Hee Sang An. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-03-13.

Organic thin film transistor and method of manufacturing organic thin film transistor

Номер патента: US11765917B2. Автор: Eijiro Iwase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Optical method measuring thin film growth

Номер патента: US20040239953A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Optical method for measuring thin film growth

Номер патента: US20070141734A1. Автор: Colin Flynn. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for modifying high-k dielectric thin film and semiconductor device

Номер патента: US20090302433A1. Автор: Koji Akiyama,Shintaro Aoyama,Kazuyoshi Yamazaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A3. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: Se-Jin Chung. Дата публикации: 2007-07-12.

Method of crystallizing silicon, apparatus therefore, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2005078168A2. Автор: Ui-Jin Chung,Dong-Byum Kim,Se-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-08-25.

Bottom gate type thin film transistor, method of manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: EP2092569A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Self-adherent flexible thin film stacks and photovoltaic devices including same

Номер патента: US20240276745A1. Автор: Mahshid Sam,Alfonso Fabian De La Fuente Sanchez. Владелец: Solaires Entreprises Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Electronic component with thin-film shield layer

Номер патента: US20190363055A1. Автор: Hirokazu Yazaki,Keito Yonemori. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Piezoelectric thin film structure and angular velocity detection apparatus

Номер патента: US20120247207A1. Автор: Mizuho Okada,Nobuhisa Yamashita,Masaki Takaoka,Daisuke Kaminishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for forming a polysilicon thin film layer

Номер патента: US20090127557A1. Автор: Shan-Hung Tsai,Tsung-Yen LIN,Ho-Hsuan Lin,Wen-Tseng Cheng. Владелец: TPO Displays Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Piezoelectric thin film element, manufacturing method thereof, and liquid ejecting head and liquid ejecting apparatus employing same

Номер патента: US20040090500A1. Автор: Masami Murai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

p-Type MgZnO-based thin film and semiconductor light emitting device

Номер патента: US8410478B2. Автор: Masashi Kawasaki,Kentaro Tamura,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-02.

Thin-film capacitor device

Номер патента: US20140300327A1. Автор: Kanji Shimizu. Владелец: K S INTERNATIONAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A2. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Thin film transistor substrate and display device comprising the same

Номер патента: EP4184581A3. Автор: Gisang Hong,Kwangmin Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Thin film transistor array panel

Номер патента: US20100270555A1. Автор: In-Ho Park,Kweon-Sam Hong,Jang-Il KIM,Doo-Hwan You,Hyun-Duck Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-28.

Piezoelectric mechanism having electrodes within thin film sheet that are substantially perpendicular to substrate

Номер патента: EP2589092A1. Автор: Peter Mardilovich,Tony S. Cruz-Uribe. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-05-08.

ENERGY HARVESTING DEVICE with PREFABRICATED THIN FILM ENERGY ABSORPTION SHEETS AND ROLL-TO-SHEET AND ROLL-TO-ROLL FABRICATION THEREOF

Номер патента: US20160359066A1. Автор: Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hartmut Kuehl,Ruediger Kellman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin film magnetic head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040068861A1. Автор: Makoto Yoshida,Taro Oike,Atsushi Iijima. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Thin film resistor (tfr) with oxidation prevention

Номер патента: US20240282806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Sheng-Chau Chen,Guanyu Luo. Владелец: Taiwen Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Thin film transistor array substrate with multiple chamfers and liquid crystal display device

Номер патента: US7598525B2. Автор: Hideo Kawano,Hideki Sunayama. Владелец: Info Vision Optoelectronics Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Multilayered optical thin-film filter, method of designing the same and filter module utilizing the same

Номер патента: US20040196557A1. Автор: Shigeki Takeda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2004-10-07.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Single photomask high precision thin film resistor

Номер патента: US20160197135A1. Автор: Fuchao Wang,Pinghai Hao,Duofeng Yue. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Thin-film transistor device and manufacturing method

Номер патента: EP2006929A3. Автор: Tadashi Arai,Tomihiro Hashizume,Takeo Shiba,Yuji Suwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Thin-Film Neural Interfaces With Stent-Assisted Deployment

Номер патента: US20230172732A1. Автор: Peng Cong,Bo Lu,Annapurna Karicherla,Ken RYS. Владелец: Verily Life Sciences LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Ferroelectric thin film, piezoelectric thin film-coated substrate, piezoelectric actuator, inkjet head, and inkjet printer

Номер патента: US20170050439A1. Автор: Kenji Mawatari. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-23.

High frequency oscillator comprising cointegrated thin film resonator and active device

Номер патента: WO1992010875A1. Автор: Robert J. Weber,Stanley G. Burns,Steve D. Braymen. Владелец: IOWA STATE UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 1992-06-25.

Display device including a plurality of thin film transistors with different characteristics

Номер патента: US12074260B2. Автор: KyungMo SON,Shunyoung YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Improvements relating tothe treatment of articles formed of cobalt-base alloys

Номер патента: AU3141157A. Автор: Kneale Hanine and Erwin Richard Pricer Dean. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1958-03-20.

Preparation method of cobalt-based Fischer-Tropsch synthesis catalyst

Номер патента: CN101920204B. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,张喜文,陈楠. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2012-05-30.

Reduction method of cobalt-based Fischer-Tropsch synthesis catalyst

Номер патента: CN103769244A. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,尹泽群,刘全杰,宋喜军. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2014-05-07.

Preparation method of cobalt-based catalyst for Fischer Tropsch synthesis

Номер патента: CN102441391A. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,张喜文,陈楠. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2012-05-09.

Utilize the method for the luminous quantitative detection hydroquinone of cobalt-based metal organogel catalysis luminol-hydrogen peroxide

Номер патента: CN109765220A. Автор: 李永新,余嘉琪. Владелец: Anhui Normal University. Дата публикации: 2019-05-17.

Application of cobalt base alloys to metal parts

Номер патента: CA672841A. Автор: T. Cape Arthur. Владелец: Coast Metals Inc. Дата публикации: 1963-10-22.

Preparation method of cobalt-based fischer-tropsch synthesis catalyst with controllable mesoporous wall and linked with ordered macroporous structure

Номер патента: CN102139214A. Автор: 张晓红,苏海全,曾尚红. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2011-08-03.

A kind of processing unit of cobalt-based fixed bed F- T synthesis off-gas

Номер патента: CN206652355U. Автор: 张文,易金华,邱福国,柳杨华,严应群. Владелец: WUHAN JINZHONG PETROCHEMICAL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

A kind of cobalt-based single-chain magnets and synthetic method thereof

Номер патента: CN105225779A. Автор: 周艳玲,刘先荣,王强心. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-06.

A kind of heat cladding forging method of cobalt-base alloys ingot

Номер патента: CN109822023A. Автор: 王雷. Владелец: Kaili University. Дата публикации: 2019-05-31.

A kind of cobalt-based syrup state bed Fischer Tropsch synthetic catalyst and preparation method and application

Номер патента: CN103831116B. Автор: 刘岩,李德宝,贾丽涛,侯博,王俊刚,郭荷芹,孙德魁. Владелец: Shanxi Institute of Coal Chemistry of CAS. Дата публикации: 2016-06-15.

A kind of preparation method of cobalt base oxide thermoelectric material

Номер патента: CN103951389B. Автор: 胡建民,钱宇,曲秀荣,马人佺,冯继邦. Владелец: Harbin Normal University. Дата публикации: 2015-12-30.

Improvements relating tothe treatment of articles formed of cobalt-base alloys

Номер патента: AU221305B2. Автор: Kneale Hanine and Erwin Richard Pricer Dean. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1958-03-20.

THIN FILM TRANSISTOR AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001167A1. Автор: Morosawa Narihiro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED THIN FILM SOLAR CELL INTERCONNECTION

Номер патента: US20120000502A1. Автор: Wiedeman Scott,Britt Jeffrey S.,Rhodes Zulima,Sheehan Eric. Владелец: Global Solar Energy, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Catalyst for low-temperature oxidation of carbon monoxide and preparation method thereof

Номер патента: RU2557229C1. Автор: Григорий Владимирович Мамонтов,Ольга Владимировна Водянкина,Валерий Владимирович Дутов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ). Дата публикации: 2015-07-20.

Method for low-temperature gas separation

Номер патента: RU2576297C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2016-02-27.

Method for low-temperature preparation of natural gas and extraction of unstable hydrocarbon condensate from native gas (versions) and plant for its realisation

Номер патента: RU2476789C1. Автор: Дмитрий Михайлович Федулов,Александр Николаевич Кубанов,Андрей Васильевич Прокопов,Максим Вячеславович Елистратов,Владимир Федорович Кобычев,Елена Анатольевна Цацулина,Арсений Александрович Кубанов,Дмитрий Валерьевич Яшков,Максим Юрьевич Павлов,Игорь Владимирович Сборнов,Алексей Валерьевич Козлов,Григорий Владимирович Ветюгов,Олег Валерьевич Осипович. Владелец: Открытое акционерное общество "ВНИПИгаздобыча". Дата публикации: 2013-02-27.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY AND IMAGE DISPLAY DEVICE IN WHICH THIN-FILM TRANSISTOR ARRAY IS USED

Номер патента: US20120001189A1. Автор: Matsubara Ryohei,ISHIZAKI Mamoru. Владелец: TOPPAN PRINTING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of arrangement of foundation slab on piles for low-temperature product tank

Номер патента: RU2552253C1. Автор: Роберт Мияссарович Хафизов. Владелец: Роберт Мияссарович Хафизов. Дата публикации: 2015-06-10.

Polymer-cement backfilling solution for low temperature wells

Номер патента: RU2370515C1. Автор: Виктор Александрович Котельников,Сергей Михайлович Путилов,Людмила Емельяновна Давыдкина. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская инновационная топливно-энергетическая компания" (ОАО "РИТЭК"). Дата публикации: 2009-10-20.

Procedure for low temperature nitriding in plasma of non-self-maintained arc discharge of low pressure of technically pure titanium bt1-0

Номер патента: RU2434075C1. Автор: Данил Сергеевич Вершинин,Марина Юрьевна Смолякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2011-11-20.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Application method of thin-film coating on metal works

Номер патента: RU2354743C2. Автор: Сергей Александрович Ермаков,Николай Алексеевич Соснин,Павел Абрамович Тополянский. Владелец: ООО "НПФ "Плазмацентр". Дата публикации: 2009-05-10.

Method and device for low temperature storage vessel filling

Номер патента: RU2301948C2. Автор: Владимир Иванович Гореликов. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" им. С.П. Королева". Дата публикации: 2007-06-27.

Composition of electrode material for low-temperature plasma generator

Номер патента: RU2381590C1. Автор: Алексей Сергеевич Орыщенко,Евгений Давыдович Бланк,Валерий Васильевич Рыбин,Сергей Евгеньевич Виноградов,Владимир Евгеньевич Кузнецов,Филипп Григорьевич Рутберг,Валентин Иванович Шекалов,Валентин Николаевич Слепнев,Василий Николаевич Ширяев,Алексей Анатольевич Сафронов. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Электрофизики И Электроэнергетики Ран (Иээ Ран). Дата публикации: 2010-02-10.

Method for preparation of catalyst for low temperature conversion of carbon oxide with water vapour

Номер патента: RU2358804C1. Автор: Александр Павлович Ильин,Юрий Михайлович Комаров,Александр Александрович Ильин,Николай Николаевич Смирнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2009-06-20.

Hydraulic shock absorber adapted for low temperatures

Номер патента: RU2490529C1. Автор: Сергей Петрович Рыков,Иван Александрович Хозяшев,Алексей Петрович Куприянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2013-08-20.

Low-temperature method for aniline through hydrogenation of nitrobenzene

Номер патента: RU2337904C2. Автор: Андрей Николаевич Утробин,Борис Николаевич Горбунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Пигмент" (ОАО "Пигмент"). Дата публикации: 2008-11-10.

Preparation plant of hydrocarbon gas for low-temperature processing

Номер патента: RU2565320C1. Автор: Али Юсупович Аджиев,Алла Васильевна Килинник,Лариса Николаевна Карепина,Павел Анатольевич Пуртов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт по переработке газа" ОАО "НИПИгазпереработка". Дата публикации: 2015-10-20.

Device for low-temperature gas separation and method thereof

Номер патента: RU2576300C1. Автор: Андрей Владиславович Курочкин. Владелец: Андрей Владиславович Курочкин. Дата публикации: 2016-02-27.

Device and method for low-temperature gas preparation

Номер патента: RU2591957C1. Автор: Алексей Геннадьевич Иванов,Феликс Поненович Ким,Станислав Феликсович Ким,Сергей Васильевич Хлыст,Михаил Николаевич Кириченко,Павел Александрович Пшеничников. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью Научно-Производственное Предприятие "Томская Электронная Компания". Дата публикации: 2016-07-20.

Method for low-temperature immobilisation of liquid radioactive wastes using hydrolysates of alkyl silicates and cement

Номер патента: RU2430438C2. Автор: Лев Михайлович Антипин,Михаил Романович Киселёв,Дмитрий Георгиевич Кузнецов,Роман Львович Антипин,Вениамин Александрович Погодин,Александра Дмитриевна Кузнецова,Али Джавад оглы Алиев,Лев Михайлович Антипин (RU),Роман Львович Антипин (RU),Дмитрий Георгиевич Кузнецов (RU),Вениамин Александрович Погодин (RU),Александра Дмитриевна Кузнецова (RU),Михаил Романович Киселев (RU),Али Джавад оглы Алиев (RU). Владелец: Али Джавад оглы Алиев. Дата публикации: 2011-09-27.

Method of obtaining palladium catalyst on active aluminium oxide for low-temperature carbon oxide oxidation

Номер патента: RU2339446C1. Автор: Израиль Иосифович Гарцман,Всеволод Владиславович Кордиалик,Наталья Михайловна Антонова,Галина Петровна Пащенко,Владимир Петрович Макляев,Валентин Васильевич Чебыкин,Лариса Дмитриевна Глазунова,Анатолий Петрович Дзисяк,Евгений Владимирович Тихомиров,Валентин Васильевич Чебыкин (RU),ев Владимир Петрович Макл (RU),Наталь Михайловна Антонова (RU),Галина Петровна Пащенко (RU),к Анатолий Петрович Дзис (RU),Лариса Дмитриевна Глазунова (RU),Евгений Владимирович Тихомиров (RU),Всеволод Владиславович Кордиалик (RU),Израиль Иосифович Гарцман (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальское научно-производственное объединение "Неорганика" (ОАО "ЭНПО "Неорганика"). Дата публикации: 2008-11-27.

Method of producing gas-generating element for low-temperature gas generator

Номер патента: RU2524388C1. Автор: Александр Сергеевич Жарков,Борис Васильевич Певченко,Владимир Алексеевич Шандаков,Леонид Александрович Пилюгин,Александр Леонидович Пилюгин,Роман Геннадьевич Никитин,Сергей Дмитриевич Карбанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 2014-07-27.

Method of multi-layer thin-film structure manufacturing

Номер патента: RU2329622C1. Автор: Леонид Александрович Борыняк,Юрий Кондратьевич Непочатов,к Леонид Александрович Борын. Владелец: Новосибирский государственный технический университет. Дата публикации: 2008-07-20.

Procedure for low temperature nitriding in plasma of non-self-maintained arc discharge of low pressure of titanium alloys bt6 and bt16

Номер патента: RU2434074C1. Автор: Данил Сергеевич Вершинин,Марина Юрьевна Смолякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный университет". Дата публикации: 2011-11-20.

Method for low-temperature welding of cast-iron

Номер патента: RU2098248C1. Автор: Василий Петрович Козлов. Владелец: Василий Петрович Козлов. Дата публикации: 1997-12-10.

Solder for low-temperature soldering

Номер патента: RU2219030C1. Автор: Б.А. Павлов,Н.В. Щербаков,Д.С. Пришвин,З.И. Шишкина. Владелец: Открытое акционерное общество "ГАЗ". Дата публикации: 2003-12-20.

Flux for low-temperature soldering of aluminium and its alloys

Номер патента: RU2030268C1. Автор: Виктор Андреевич Котелевский,Анна Станиславовна Афанасьева. Владелец: Анна Станиславовна Афанасьева. Дата публикации: 1995-03-10.

Method of preparing catalyst for low-temperature carbon monoxide-water steam conversion process

Номер патента: RU2306176C1. Автор: Александр Павлович Ильин,Юрий Михайлович Комаров,Николай Николаевич Смирнов,Наталь Евгеньевна Гордина,Наталья Евгеньевна Гордина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2007-09-20.

Tin based solder for low temperature soldering

Номер патента: RU2332286C1. Автор: Владимир Иванович Лукин,Виталий Сергеевич Рыльников,Алексей Филиппович Черкасов,Алексей Иванович Сидоров,Борис Серафимович Лисицкий,Галина Федоровна Соловьева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2008-08-27.

Unit for low-temperature separation of hydrocarbon gas

Номер патента: RU2382301C1. Автор: Людмила Ивановна Калачева,Александр Викторович Литвиненко,Олег Григорьевич Шеин,Андрей Олегович Шеин,Наталья Сергеевна Бащенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт по переработке газа" ОАО "НИПИгазпереработка". Дата публикации: 2010-02-20.

Arrangement for low-temperature dewatering materials in vacuum

Номер патента: RU2300718C1. Автор: Наталья Львовна Ковалева,Лев Кузьмич Ковалев,Сергей Львович Демин,Наталь Львовна Ковалева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-экспертное общество "Эльтрон"" ООО "НЭО "Эльтрон"". Дата публикации: 2007-06-10.

Composite solder for low temperature soldering

Номер патента: RU2100164C1. Автор: Г.П. Иванов,А.А. Худошин. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью Предприятие "ТЕХКРАН". Дата публикации: 1997-12-27.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2463143C2. Автор: Николай Николаевич Иванов,Сергей Юрьевич Грязнов,Владимир Дмитриевич Ивин. Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2012-10-10.

Process for production of base components for low-freezing lubrication oils

Номер патента: RU2155209C2. Автор: Р.Р. Сафин,О.Г. Сафиев,Н.А. Батыров,Р.З. Сюняев,Т.А. Бакиев,Р.З. Сафиева,А.Г. Булдаков. Владелец: Сафиев Олег Ганиятович. Дата публикации: 2000-08-27.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2285600C1. Автор: Александр Матвеевич Никитинский,Семён Вячеславович Егорычев,Николай Александрович Курников,Александр Матвеевич Никитинский (RU),Семён В чеславович Егорычев (RU),Николай Александрович Курников (RU). Владелец: Николай Александрович Курников. Дата публикации: 2006-10-20.

Method for configuring thin films of high-temperature superconductors

Номер патента: RU2070351C1. Автор: Александр Иванович Гуров,Олег Павлович Глудкин,Леонид Михайлович Лыньков,Владимир Иванович Захаров,Юрий Кириллович Карелин. Владелец: Минский радиотехнический институт. Дата публикации: 1996-12-10.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2243074C1. Автор: А.М. Никитинский,С.А. Пигалов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Румо". Дата публикации: 2004-12-27.

Method for low-temperature separation of hydrocarbon gas

Номер патента: RU2382302C1. Автор: Людмила Ивановна Калачева,Александр Викторович Литвиненко,Олег Григорьевич Шеин,Андрей Олегович Шеин,Наталья Сергеевна Бащенко,Андрей Олегович Шеин (RU),Олег Григорьевич Шеин (RU),Наталья Сергеевна Бащенко (RU),Людмила Ивановна Калачева (RU),Александр Викторович Литвиненко (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский и проектный институт по переработке газа" (ОАО "НИПИгазпереработка"). Дата публикации: 2010-02-20.

Kit for low-level detection of hydrogen peroxide in milk based on redox-active pol ymer modified electrode: aseptic packaging testing

Номер патента: TN2018000206A1. Автор: Raouafi Noureddine,Mattoussi Meriem. Владелец: Faculte Des Sciences De Tunis. Дата публикации: 2019-10-04.

THIN FILM PHOTOELECTRIC COVERSION MODULE

Номер патента: US20120000505A1. Автор: Chan Chung-Pui,Yeh Hsieh-Hsin. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for Manufacturing Thin Film Photovoltaic Devices

Номер патента: US20120003789A1. Автор: . Владелец: Stion Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Expanding plugging composition for low-temperature wells

Номер патента: RU2155263C2. Автор: А.А. Анисимов,Л.И. Симоненко,Г.П. Злотников,Е.В. Погорелов,Н.М. Гукасова,Л.С. Будовкина. Владелец: Всероссийский научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий Российского акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2000-08-27.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus for Controllable Sodium Delivery for Thin Film Photovoltaic Materials

Номер патента: US20120003785A1. Автор: Mackie Neil M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for low-temperature vacuum dehydration of materials and device for its realization

Номер патента: RU2246079C1. Автор: Л.К. Ковалев,Н.Л. Ковалева. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-экспертное общество "ЭЛЬТРОН". Дата публикации: 2005-02-10.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2463144C2. Автор: Николай Николаевич Иванов,Сергей Юрьевич Грязнов,Владимир Дмитриевич Ивин,Сергей Юрьевич Грязнов (RU),Николай Николаевич Иванов (RU),Владимир Дмитриевич Ивин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Авангард". Дата публикации: 2012-10-10.

Method and device for low-temperature separation of gas into fractions

Номер патента: RU2312279C2. Автор: Николай Петрович Бекишов,Сергей Николаевич Бекишов,Юрий Алексеевич Кирсанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью НПФ "Геопрогнозпромнефть". Дата публикации: 2007-12-10.

Method of manufacture of composite membranes on base of thin films of metals

Номер патента: RU2285748C2. Автор: Виталий Васильевич Старков,Анатолий Федорович Вяткин,Владимир Тимофеевич Волков,ткин Анатолий Федорович В. Владелец: Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской Академии Наук (ИПТМ РАН). Дата публикации: 2006-10-20.

Thin-film material that contains functional components and method of preparation of thin-film material that contains functional components

Номер патента: RU2326898C1. Автор: Александр Николаевич Тихонов,Алексей Юрьевич Семенов,Геннадий Борисович Хомутов,Андрей Анатольевич Дементьев. Владелец: Андрей Анатольевич Дементьев. Дата публикации: 2008-06-20.

Method of making ohmic contacts in thin-film devices on amorphous undoped semiconductors

Номер патента: RU2392688C1. Автор: Сергей Павлович Вихров,Николай Владимирович Вишняков,Александр Афанасьевич Попов,Алексей Петрович Авачев,Кирилл Валентинович Митрофанов,Владислав Геннадьевич Мишустин. Владелец: Федеральное агентство по образованию Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Рязанский государственный радиотехнический университет. Дата публикации: 2010-06-20.

Low temperature hydrocarbon gel II

Номер патента: US20120000661A1. Автор: Gatlin Larry W.,Walden Glen E.,McMillan Ernest,Gatlin Richard A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

5T SRAM MEMORY FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS

Номер патента: US20120002459A1. Автор: Rimondi Danilo,Selva Carolina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

DYNAMICALLY CONFIGURABLE SRAM CELL FOR LOW VOLTAGE OPERATION

Номер патента: US20120002460A1. Автор: Rimondi Danilo,Selva Carolina. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

PREPEGS AND MOLDED BODIES PRODUCED THEREOF AT LOW TEMPERATURE

Номер патента: US20120003890A1. Автор: Schmidt Friedrich Georg,Grenda Werner,Spyrou Emmanouil,De Nardo Sebastian,Planitz-Penno Sibylle. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Flux for low-temperature soldering

Номер патента: RU2263569C1. Автор: Н.П. Литвиненко,В.Ф. Шиханов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2005-11-10.

Method for manufacturing of microcircuit boards with multi-level thin-film commutation

Номер патента: RU2398369C1. Автор: Лидия Ивановна Тулина,Вячеслав Евгеньевич Сергеев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2010-08-27.

Method of determining optical absorption losses in thin films

Номер патента: RU2377543C1. Автор: Олег Дмитриевич Вольпян,Владимир Николаевич Курятов,Юрий Александрович Обод,Петр Петрович Яковлев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха (ФГУП "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха). Дата публикации: 2009-12-27.

Manufacturing method of thin films based on samarium monosulphide

Номер патента: RU2459012C2. Автор: Петр Евгеньевич Тетерин,Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Юрьевич Лебединский,Вячеслав Григорьевич Сторчак,Олег Евгеньевич Парфёнов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2012-08-20.

Method of making thin-film resistor

Номер патента: RU2374710C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2009-11-27.

Method of producing nanosized thin-film standard sample of chemical composition

Номер патента: RU2483388C1. Автор: Юрий Александрович Карпов,Ольга Александровна Дальнова,Герман Григорьевич Главин. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет". Дата публикации: 2013-05-27.

Method for low-oxidation heating of metal products

Номер патента: RU2496889C1. Автор: Леонид Александрович Шульц,Владимир Владимирович Курносов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2013-10-27.

Precise thin-film resistor

Номер патента: RU2421837C1. Автор: Геннадий Сергеевич Власов,Александр Николаевич Лугин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов" (ФГУП "НИИЭМП"). Дата публикации: 2011-06-20.

Remote four-wave method for measurement of thin film thickness

Номер патента: RU2359220C1. Автор: Валентин Иванович Козинцев,Ольга Алексеевна Смирнова,Михаил Леонидович Белов,Виктор Александрович Городничев,Юрий Викторович Федотов. Владелец: ООО "НИИ Радиоэлектроники и лазерной техники". Дата публикации: 2009-06-20.

Method of producing thin films of chemical compounds

Номер патента: RU2469124C1. Автор: Валентина Владимировна Уточникова,Наталия Петровна Кузьмина,Алена Сергеевна Калякина. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Факультет наук о материалах Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (ФНМ МГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Method for producing thin-film resistors

Номер патента: RU2270490C1. Автор: Валентин Константинович Смолин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова. Дата публикации: 2006-02-20.

Method for manufacturing thin-film resistor

Номер патента: RU2208256C2. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов. Владелец: Пензенский технологический институт. Дата публикации: 2003-07-10.

Pressure sensor of strain gauge type with thin-film nano- and microelectrical system

Номер патента: RU2472125C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2013-01-10.

Pressure sensor of strain gauge with thin-film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2391641C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова,Светлана Александровна Васильева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ПГУ). Дата публикации: 2010-06-10.

Method of producing crystallographically aligned quasi monocrystalline intermetallic thin films

Номер патента: RU2597835C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Денис Григорьевич Богданов,Борис Федорович Демьянов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Thin-film electric heater

Номер патента: RU2546134C2. Автор: Олег Анатольевич Толмачев,Юрий Александрович Сажнев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная компания "НАНО". Дата публикации: 2015-04-10.

Electrostatic adhesion tester for thin film conductors

Номер патента: WO1998044334A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1999-03-11.

Thin film solar panel clip

Номер патента: CA134531S. Автор: . Владелец: OMCO Holdings Inc. Дата публикации: 2010-10-29.

Method to manufacture pressure sensor based on thin-film nano- and microelectromechanical system

Номер патента: RU2488082C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Павел Сергеевич Чернов,Нина Евгеньевна Белозубова,Виталий Юрьевич Майоров. Владелец: Виталий Юрьевич Майоров. Дата публикации: 2013-07-20.

Seamless precision steel tubes for hydraulic vessels with raised isotropic rigidity at low temperature and procedure for fabrication of these tubes

Номер патента: RU2409684C2. Автор: Джанмарио АГАЦЦИ,БАГЛИАНИ Эмануэле ПАРАВИЧИНИ,Андреа ПОЛИ. Владелец: Тенарис Коннекшнс А.Г.. Дата публикации: 2011-01-20.

Low-temperature separation method for gas mixtures having different condensation temperature of components

Номер патента: RU2584624C1. Автор: Виталий Леонидович Бондаренко,Юрий Михайлович Симоненко. Владелец: Виталий Леонидович Бондаренко. Дата публикации: 2016-05-20.

Method to manufacture thin-film nano and microelectromechanical system of high temperature sensor of mechanical values

Номер патента: RU2547291C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Александр Вячеславович Хошев. Владелец: Александр Вячеславович Хошев. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of layer-by-layer analysis of thin films

Номер патента: RU2229116C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of thin film transistor manufacturing

Номер патента: RU2522930C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Марьям Мустафаевна Уянаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method to manufacture thin-film high-temperature superconductive material

Номер патента: RU2481673C1. Автор: Сергей Владимирович Самойленков,Андрей Рафаилович Кауль,Артём Михайлович Макаревич,Вадим Анатольевич Амеличев,Алексей Сергеевич Манкевич,Андрей Викторович Бледнов,Всеволод Николаевич Чепиков,Антон Викторович Маркелов. Владелец: Закрытое акционерное общество "СуперОкс". Дата публикации: 2013-05-10.

Method of producing monophase intermetallic thin film

Номер патента: RU2553148C1. Автор: Сергей Викторович Макаров,Владимир Александрович Плотников,Анна Николаевна Макрушина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет". Дата публикации: 2015-06-10.

Method of preparing thin-film nanocomposite coating on solid-state body

Номер патента: RU2324643C1. Автор: Владимир Владимирович Кислов,Евгений Сергеевич Солдатов,Сергей Павлович Губин,Артем Сергеевич Трифонов,Геннадий Борисович Хомутов,Анна Александровна Рахнянская,Андрей Николаевич Сергеев-Черенков,Дмитрий Иванович Черничко,Сергей Павлович Губин (RU),Евгений Сергеевич Солдатов (RU),Владимир Владимирович Кислов (RU),Геннадий Борисович Хомутов (RU),нска Анна Александровна Рахн (RU),Андрей Николаевич Сергеев-Черенков (RU),Артем Сергеевич Трифонов (RU),Дмитрий Иванович Черничко (RU). Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Физический факультет Московского Государственного университета им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2008-05-20.

Method of making a tensoresistor pressure sensor with high time and temperature stability based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2594677C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-08-20.

Method of one-layer-at-a-time analysis of thin films

Номер патента: RU2229115C1. Автор: С.А. Гынгазов,А.П. Суржиков,н Т.С. Франгуль,Т.С. Франгульян,вский А.В. Черн,А.В. Чернявский. Владелец: Томский политехнический университет. Дата публикации: 2004-05-20.

Method of electrospark formation of thin-film high temperature superconducting film of scheme

Номер патента: RU2508576C1. Автор: Андрей Романович Буев,Владимир Николаевич Игумнов,Александр Викторович Леухин,Игорь Леонидович Сабанцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Поволжский государственный технологический университет. Дата публикации: 2014-02-27.

Satellite communication method, satellite communication system and on-board radio system for low-orbiting spacecraft

Номер патента: RU2486674C1. Автор: Андрей Геннадьевич Ефимов,Александр Григорьевич Каменев,Александр Владимирович Татарников,Сергей Александрович Стругов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Меркурий". Дата публикации: 2013-06-27.

Thin-film thermistor manufacturing process

Номер патента: RU2133514C1. Автор: А.Н. Лугин,Г.С. Власов,Л.С. Проскурин,С.В. Шутенко. Владелец: Научно-исследовательский институт электронно-механических приборов. Дата публикации: 1999-07-20.

Thin-film coating of pole tips of endocardial electrodes of cardiostimulators and method of its obtaining

Номер патента: RU2538880C1. Автор: Юрий Сергеевич Василенко,Олег Иосифович Обрезков,Борис Аронович Вершок,Евгений Степанович Андреев,Александр Александрович Зверев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИННОВАТЕХПРОМ" ООО "ИННОВАТЕХПРОМ". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of making thin-film pressure sensor

Номер патента: RU2423678C1. Автор: Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений". Дата публикации: 2011-07-10.

Method of forming thin-film protective coating on bases of removable dentures, obturators and components of maxillofacial prostheses

Номер патента: RU2540227C2. Автор: Андрей Леонидович Калинин,Евгений Аркадьевич Митрофанов,Сергей Борисович Симакин. Владелец: Сергей Борисович Симакин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method for producing ohmic contacts in thin-film devices built around amorphous hydrogenated semiconductors

Номер патента: RU2229755C2. Автор: А.А. Маслов,А.А. Попов,С.П. Вихров,ков Н.В. Вишн,Н.В. Вишняков,В.Г. Мишустин. Владелец: Рязанская государственная радиотехническая академия. Дата публикации: 2004-05-27.

Anhydride Copolymer Top Coats for Orientation Control of Thin Film Block Copolymers

Номер патента: SG10201403252YA. Автор: Seshimo Takehiro,Cushen Julia,Dean Leon,Maher Michael,Grant Willson Carlton,John Ellison Christopher,M Bates Christopher,J Santos Logan,L Rausch Erica. Владелец: Univ Texas. Дата публикации: 2015-01-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.