一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法.

一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法

Номер патента: CN114540793A
Опубликовано: 27-05-2022
Автор(ы): 万志鑫, 奚斌
Принадлежит: Sun Yat Sen University
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Atomic layer deposition method of low-temperature high-growth-rate silicon oxide film

Номер патента: CN112210769B. Автор: 李建恒,芮祥新,汪穹宇. Владелец: Hefei Ande Keming Semiconductor Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: EP2155925A1. Автор: Brian A. Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Atomic layer deposition methods, methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and methods of forming dram unit cells

Номер патента: SG183680A1. Автор: Brian A Vaartstra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Barrier film and method of manufacturing the same

Номер патента: US8828528B2. Автор: Hiroaki Ono,Takahiro Kawana,Andrew Chakchung Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Method of making thin films of sodium fluorides and their derivatives by ALD

Номер патента: US12065738B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Donghyeon KANG,Elton Graugnard,Sara Kuraitis. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2721247C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-05-18.

High speed atomic layer deposition apparatus and method of use

Номер патента: JP4713241B2. Автор: エリック・ジェイ・ストラング. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-06-29.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Raw material for forming thin film by atomic layer deposition method, method of producing thin film, and alkoxide compound

Номер патента: IL283981B1. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Smoothing Surface Roughness Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20230349042A1. Автор: Tukaram Hatwar,Steven M. George,Rebecca BORRELLI,Tyler Myers,James THROCKMORTON,Malcolm O’SULLIVAN. Владелец: University of Colorado Boulder. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of protecting aerospace components against corrosion and oxidation

Номер патента: EP3959356A1. Автор: Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Kenichi Ohno,Sukti Chatterjee,Thomas Knisley,Lance A Scudder,David A. BRITZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Ultra high-k hafnium oxide and hafnium zirconium oxide films

Номер патента: US20240301552A1. Автор: Ellie Yieh,Srinivas Nemani,Keith T. Wong,Andrew C. Kummel,Ajay Kumar Yadav,Harshil Kashyap. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of forming moisture and oxygen barrier coatings

Номер патента: EP3914750A1. Автор: Sivapackia Ganapathiappan,Darshan THAKARE,David Britz,Geetika Bajaj,Prerna Sonthalia Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Hard tip for scanning probe microscopy and method of its production

Номер патента: WO2012060782A1. Автор: Jan Soltys,Karol FRÖHLICH,Kristina Husekova,Goran Karapetrov,Vladmir Cambel,Alexander ŠΑΤΚΑ. Владелец: Elektrotechnicky Ustav Sav. Дата публикации: 2012-05-10.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Method of producing flexible organo-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2695997C2. Автор: Мён Мо СОН,Йюрген ФРАНК,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ,Феликс АЙКЕМАЙЕР,Даниель ЛЁФФЛЕР,Кван Хёк ЮН. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2019-07-30.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: EP2193220A1. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: US8324008B2. Автор: Julie Baker. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2012-12-04.

Method of patterning a mesoporous nano particulate layer

Номер патента: WO2009040499A1. Автор: Julie Baker. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11952658B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-09.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods

Номер патента: US20230072705A1. Автор: Prerna Goradia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US20240003003A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: US11932938B2. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

A corrosion resistant film on a chamber component and methods of depositing thereof

Номер патента: WO2021021822A1. Автор: LEI Zhou,Mark J. Saly,Steven D. Marcus,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-02-04.

Atomic layer deposition apparatus and method of atomic layer deposition using the same

Номер патента: KR102268959B1. Автор: 정석원,장철민,허명수. Владелец: 삼성디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2021-06-24.

Plasma enhanced atomic layer deposition equipment and method of forming a thin film using the same

Номер патента: KR100721504B1. Автор: 이춘수,오민섭,박형상. Владелец: 에이에스엠지니텍코리아 주식회사. Дата публикации: 2007-05-23.

Cobalt precursors for low temperature ald or cvd of cobalt-based thin films

Номер патента: KR102193925B1. Автор: 데이빗 더블유. 피터스. Владелец: 엔테그리스, 아이엔씨.. Дата публикации: 2020-12-22.

Cobalt precursors for low temperature ALD or CVD of cobalt-based thin films

Номер патента: TW201420798A. Автор: David W Peters. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2014-06-01.

Cobalt precursors for low temperature ALD or CVD of cobalt-based thin films

Номер патента: US9540408B2. Автор: David W. Peters. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and device for deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600047C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF ATOMIC LAYER DEPOSITION USING THE SAME

Номер патента: US20150275362A1. Автор: JUNG Suk Won,HUH Myung Soo,JANG Choel Min. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Film deposition apparatus having a turntable and film deposition method

Номер патента: US9153429B2. Автор: Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-10-06.

RAW MATERIAL FOR FORMING THIN FILM BY ATOMIC LAYER DEPOSITION METHOD, METHOD OF PRODUCING THIN FILM, AND ALKOXIDE COMPOUND

Номер патента: US20220024953A1. Автор: Sakurai Atsushi,Yamashita Atsushi,NISHIDA Akihiro,HATASE Masako,YOSHINO Tomoharu. Владелец: ADEKA CORPORATION. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods of forming a multi-layered structure using an atomic layer deposition process and methods of forming a capacitor of an integrated circuit device

Номер патента: US7135422B2. Автор: Jae-soon Lim,Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Ki-chul Kim,Han-mei Choi,Gab-jin Nam,Jong-wan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-14.

ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20200340115A1. Автор: IE Sangyub,Yon Gukhyon. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Hot wire atomic layer deposition apparatus and methods of use

Номер патента: TW201243088A. Автор: Dieter Haas,Joseph Yudovsky,Timothy W Weidman,Garry K KWONG,Steven D Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

COBALT PRECURSORS FOR LOW TEMPERATURE ALD OR CVD OF COBALT-BASED THIN FILMS

Номер патента: US20170114452A1. Автор: Peters David W.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Method of depositing a film

Номер патента: US20140179120A1. Автор: Jun Ogawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Flash-enhanced atomic layer deposition and chemical vapor deposition of metals

Номер патента: WO2024215514A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Clint Edward Thomas,Sivananda Krishnan Kanakasabapathy,Chiukin Steven Lai,David Joseph Mandia,Matthew Bertram Edward GRIFFITHS. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20150243499A1. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09890458B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Halogen resistant coatings and methods of making and using thereof

Номер патента: US20230279541A1. Автор: Prerna Goradia,Xiaowei Wu,Jennifer Y. Sun,Ankur Kadam,Geetika Bajaj,Atul Chaudhari. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate

Номер патента: US09567671B2. Автор: Freddy Roozeboom,Raymond Jacobus Wilhelmus Knaapen,Jacques Cor Johan Van der Donck,Ruud Olieslagers,Diederik Jan Maas,Dennis Van Den Berg,Matijs C. Van Den Boer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-02-14.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: EP4414344A1. Автор: John E Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-14.

Atomic layer deposition method enhancing the nucleation and crystallinity of a boron nitride interface coating on a silicon carbide fiber

Номер патента: US20240270652A1. Автор: John E. Holowczak. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150294663A1. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-10-15.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2922707A2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Cornelius Antonius Van Den Heuvel,Marcel Mulder. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2015-09-30.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09607606B2. Автор: Koray Karakaya,Johan Hendrik Klootwijk,Nico Maris Adriaan De Wild,Marcel Mulder,Cornelius Antonius Van Den Huevel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Laminate and method of producing the same, and gas barrier film and method of producing the same

Номер патента: US20180002804A1. Автор: Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A3. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: Erwan Rauwel. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of forming an oxide thin film

Номер патента: WO2008098963A2. Автор: Nicola Alessandro Pinna,Erwan Rauwel. Владелец: University Of Aveiro. Дата публикации: 2008-08-21.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of depositing ammonia free and chlorine free conformal silicon nitride film

Номер патента: US09589790B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,James S. Sims,Shane Tang. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Ald deposition method and system

Номер патента: US20240229237A9. Автор: Dieter Pierreux,Theodorus G.M. Oosterlaken. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Ald deposition method and system

Номер патента: US20240133030A1. Автор: Dieter Pierreux,Theodorus G.M. Oosterlaken. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for growth of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US12060642B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Loss prevention during atomic layer deposition

Номер патента: US20230154754A1. Автор: Jason Alexander VARNELL,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Binary and ternary metal chalcogenide materials and method of making the same

Номер патента: EP2130942A3. Автор: Liu Yang,Manchao Xiao. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2012-12-05.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11942320B2. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230059262A1. Автор: Kun Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Method of producing flexible organic-inorganic laminar materials

Номер патента: RU2736197C2. Автор: Йюрген ФРАНК,Торбен АДЕРМАНН,Марайке АЛЬФ,Штефан КЛОТЦ. Владелец: БАСФ Коатингс ГмбХ. Дата публикации: 2020-11-12.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Methods of making and deposition methods using hafnium- or zirconium-containing compounds

Номер патента: WO2011057114A2. Автор: Christian Dussarrat,Vincent M. Omarjee,Venkateswara Pallem. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-05-12.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Method of forming a tantalum-containing layer on a substrate

Номер патента: EP2310551A1. Автор: Andreas Zauner,Nicolas Blasco,Audrey Pinchart,Ziyun Wang,Anthony Correia-Anacleto. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-04-20.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11492703B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-11-08.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material

Номер патента: US11814715B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen,Timo Hatanpää,Anton Vihervaara. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Microwave Plasma Source For Spatial Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (PE-ALD) Processing Tool

Номер патента: US20210050187A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Microwave plasma source for spatial plasma enhanced atomic layer deposition (pe-ald) processing tool

Номер патента: WO2019169253A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Kallol Bera,Jozef Kudela,John C. Forster,Alexander V. Garachtchenko,Anantha K. Subramani,Dmitry A. Dzilno,Avinash SHERVEGAR,Xiaopu LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-09-06.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09741556B2. Автор: Yoshiro Hirose,Satoshi Shimamoto,Ryuji Yamamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods of controlling film deposition using atomic layer deposition

Номер патента: US20080305561A1. Автор: Shrinivas Govindarajan. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

Atomic layer deposition of strontium oxide via n-propyltetramethyl cyclopentadienyl precursor

Номер патента: WO2008100616A3. Автор: Masayuki Sugawara,Friedrich B Prinz,Timothy P Holme. Владелец: Timothy P Holme. Дата публикации: 2008-10-30.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Layered metal oxide-silicon oxide films

Номер патента: WO2024073220A1. Автор: Ravi Kumar,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Pulkit Agarwal,Pei-Chi Liu,Jennifer Leigh PETRAGLIA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-04-04.

Methods of vapor deposition of ruthenium using an oxygen-free co-reactant

Номер патента: US11976352B2. Автор: Jacob Woodruff,Guo Liu,Ravindra Kanjolia. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-07.

Atomic layer process printer

Номер патента: US12049700B2. Автор: Boisen Anja,Ole Hansen,Tomas RINDZEVICIUS,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Karol FRÖHLICH,Julien Bachmann. Владелец: Atlant 3d Nanosystems Aps. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100578786B1. Автор: 이승환,김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-11.

COBALT PRECURSORS FOR LOW TEMPERATURE ALD OR CVD OF COBALT-BASED THIN FILMS

Номер патента: US20150246941A1. Автор: Peters David W.. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

A method of producing protective diffusion layers on the surface of cobalt-based alloys

Номер патента: IL35730A. Автор: . Владелец: Deutsche Edelstahlwerke AG. Дата публикации: 1973-11-28.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018654A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US11680319B2. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda,Mitsuru Kekura. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2023-06-20.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20220267902A1. Автор: Toshinori Miura,Naoto Kameda,Mitsuru Kekura. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Device and method of atomic ply application

Номер патента: RU2541232C2. Автор: Адрианус Йоханнес Петрус Мариа ВЕРМЕР,Дидерик Ян МАС,Боб ВАН СОМЕРЕН,Аксель Себастьян ЛЕКСМОНД,Каролус Ида Мария Антониус СПЕ,Антония Эллерт ДУИСТЕРВИНКЕЛ. Владелец: Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of depositing thin film

Номер патента: US09689072B2. Автор: Seung Woo Choi,Dong Seok Kang,Hyung Wook NOH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-06-27.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Methods of making nanopowders, nanoceramic materials and nanoceramic components

Номер патента: US20220234959A1. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,Xiao Ming He. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method of loading the substrate into aso reactor

Номер патента: RU2620230C2. Автор: Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-05-23.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120118233A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-05-17.

Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition

Номер патента: US20120083101A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2012-04-05.

Methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition using halide precursors

Номер патента: US20130295708A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-11-07.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09777364B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US09512515B2. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same

Номер патента: US11778890B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US09893322B2. Автор: Taeyong KIM,Jaeseok Park,Kyubum Kim,Jungsuk Hahn,Jonghee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same

Номер патента: US9249493B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee,Myong-Hwan Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8859043B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,Jong-Heon Kim,Dong-Kyu Lee,Yun-Mi Lee,Byung-Su Kim,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films

Номер патента: US20100258180A1. Автор: Yuepeng Deng,Louay Eldada,Robert Oswald. Владелец: HELIO VOLT Corp. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films

Номер патента: EP2393955A4. Автор: Yuepeng Deng,Louay Eldada,Robert Oswald. Владелец: HelioVolt Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Method of forming an indium-containing transparent conductive oxide film, metal targets used in the method and photovoltaic devices utilizing said films

Номер патента: EP2393955A1. Автор: Yuepeng Deng,Louay Eldada,Robert Oswald. Владелец: HelioVolt Corp. Дата публикации: 2011-12-14.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: EP2938758A1. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2015-11-04.

Method of preparing corrosion resistant coatings

Номер патента: US09834849B2. Автор: Väino SAMMELSELG,Lauri AARIK,Maido MERISALU. Владелец: Tartu Ülikool (University Of Tartu). Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma processing apparatus, deposition method, method of manufacturing metal plate having dlc film, method of manufacturing separator, and method of manufacturing article

Номер патента: US20120045591A1. Автор: Ge Xu. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

A powderous lithium cobalt-based oxide compound for rechargeable lithium ion batteries and a method for making thereof

Номер патента: EP3771001A1. Автор: Maxime Blangero,Kyeongse SONG. Владелец: Umicore Korea Ltd. Дата публикации: 2021-01-27.

A powderous lithium cobalt-based oxide cathode active material powder for rechargeable lithium ion batteries and a method for making thereof

Номер патента: EP4077217A1. Автор: Jens Paulsen,Kyeongse SONG. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of manufacturing a magnetic film having high coercivity for use as a hot seed in a magnetic write head

Номер патента: US09805743B2. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Shengyuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Highly porous fine particles with coating, composition and method of production

Номер патента: RU2399432C2. Автор: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Владелец: Стюарт Дж. мл. БЕРЧИЛЛ. Дата публикации: 2010-09-20.

Method of preparing positive electrode active material for secondary battery

Номер патента: US11993846B2. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of Preparing Positive Electrode Active Material for Secondary Battery

Номер патента: US20230002899A1. Автор: Wang Mo JUNG,Dong Hun Lee,Dae Jin Lee,Dong Hwi Kim,Jin Tae Hwang,Hyeong Il Kim,Seul Ki CHAE. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Metal fluoride coated lithium intercalation material and methods of making same and uses thereof

Номер патента: EP3335258A1. Автор: Yair Ein-Eli,Alexander Kraytsberg,Haika DREZNER. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-06-20.

Part with substrate from mono-crystal superalloy on base of nickel and method of its manufacturing

Номер патента: RU2738628C2. Автор: Амар САБУНДЖИ,Виржини ЖАКЕ,Жереми РАМ. Владелец: Сафран. Дата публикации: 2020-12-15.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: EP3768873A1. Автор: David Thompson,Pravin K. Narwankar,Yuriy Melnik,Lance A. Scudder,Mark Saly,David Britz,Sukti Chatterjee,Jonathan Frankel,Thomas Knisley,Kaushal Gangakhedkar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Stabilizing garnet-type solid-state electrolytes through atomic layer deposition of ultra-thin layered materials and methods of making same

Номер патента: US20220271334A1. Автор: Leela Mohana Reddy ARAVA,Sathish RAJENDREN,Jeffry Kelber,Aparna Pilli. Владелец: University of North Texas. Дата публикации: 2022-08-25.

Deposition Method, Continuous Deposition System, and Application Thereof

Номер патента: US20240240315A1. Автор: Bing-Joe Hwang,Wei-Nien Su,Ping-Chun TSAI,Sheng-Chiang Yang,Chun-Huang Xu,Kuan-Lin Chu. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-07-18.

Moisture-resistant electroluminescent phosphor with high initial brightness and method of making

Номер патента: WO2007087479A3. Автор: Frank Schwab,Chen-Wen Fan,Tuan Dang,Joan Coveleskie,Dale Benjamin,David Sheppeck. Владелец: David Sheppeck. Дата публикации: 2008-05-15.

Optoelectronic device comprising a hybrid molybdenum (VI) oxide film

Номер патента: US09373804B2. Автор: Jie Zhang,Hongjun Liu,Wei Peng Goh,Sing Yang Chiam,Ziyu Jin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2016-06-21.

Thin-film forming material for use in atomic layer deposition, thin-film, method of producing thin-film, and ruthenium compound

Номер патента: IL312571A. Автор: . Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-01.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20050117286A. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same, and organic light-emitting display apparatus manufactured using the method

Номер патента: US09496524B2. Автор: Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Young-Mook Choi,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a thin film using an atomic layer deposition process and method of forming a capacitor of a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100589062B1. Автор: 김성태,이종철,최한메,김영선,유차영,임기빈,남갑진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Gate structure of semiconductor device with controlled work function using atomic layer deposition and manufacturing method of the same

Номер патента: KR20230000226A. Автор: 최창환,이주현,최문석,김민혁,한훈희,김위남. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-01-02.

COMPONENTS WITH AN ATOMIC LAYER DEPOSITION COATING AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20150122365A1. Автор: Carr Elizabeth,Killeen Kevin P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Cobalt-base alloys and its cladding layer of cobalt-base alloys preparation

Номер патента: CN107326221B. Автор: 陈辉,刘艳,吴影,李洪玉. Владелец: Southwest Jiaotong University. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for preparing cobalt-based coating on surface of cobalt-based alloy

Номер патента: CN109321785B. Автор: 潘太军,江健,郭莉莉. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-23.

Preparation method of cobalt-based anti-cavitation coating based on work hardening plastic deposition

Номер патента: CN111793795A. Автор: 李波,姚建华,吴丽娟. Владелец: Zhejiang University of Technology ZJUT. Дата публикации: 2020-10-20.

Preparation method of cobalt-based alloy composite powder and cladding coating for plasma spraying

Номер патента: CN110923610B. Автор: 王爱平. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-21.

Application of cobalt-based alloys to metal parts

Номер патента: FR1324976A. Автор: . Владелец: Coast Metals Inc. Дата публикации: 1963-04-26.

A kind of cobalt base superalloy burner inner liner crackle, ablated region process method for welding and repairing

Номер патента: CN108326508B. Автор: 王东生,莫新荣. Владелец: SHENYANG JINYAN LASER RE-MANUFACTURE TECH R&D Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-18.

A kind of cobalt base superalloy burner inner liner crackle, ablated region process method for welding and repairing

Номер патента: CN108326508A. Автор: 王东生,莫新荣. Владелец: SHENYANG JINYAN LASER RE-MANUFACTURE TECH R&D Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-27.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing an OLED device by using the same

Номер патента: EP2543749B1. Автор: Myeng-Woo Nam,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Uno Chang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-22.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20170040537A1. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20140370633A1. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US8962360B2. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US10424735B2. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Insulating target material, method of manufacturing insulating target material, insulating complex oxide film, and device

Номер патента: TW200724701A. Автор: Takeshi Kijima,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: TW200305952A. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2003-11-01.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20200144556A1. Автор: LEE Dong-kyu,Kim Mu-Hyun,SUNG Un-Cheol,Lee Su-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20170162832A1. Автор: Kim Taeyong,Park Jaeseok,Kim Kyubum,Hahn Jungsuk,Lim Jonghee. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20160293472A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: CN103255371A. Автор: 卢喆来,金钟宪,康熙哲,蒋允豪,张锡洛. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-21.

Mask frame assembly for thin layer deposition and manufacturing method of organic light emitting display device thereused

Номер патента: KR100741138B1. Автор: 홍재민. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-07-19.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device using the same

Номер патента: TW201447009A. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-16.

Manufacturing Method of Color Stainless Steel Sheet Using Chromium Oxide Film

Номер патента: KR950008719A. Автор: 신정철,전재호,전중환,최장현. Владелец: 한국신철강기술연구조합. Дата публикации: 1995-04-19.

Insulating target material, method of manufacturing insulating target material, conductive complex oxide film, and device

Номер патента: US20070040243A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Koji Ohashi,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US7238629B2. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-03.

Deposition apparatus, deposition method, method of manufacturing liquid crystal device

Номер патента: US20080075856A1. Автор: Hiroyuki Kojima. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-27.

Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: TW200514161A. Автор: Kazuo Maeda,Yoshimi Shioya. Владелец: Semiconductor Process Lab Co. Дата публикации: 2005-04-16.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Conformality modulation of metal oxide films using chemical inhibition

Номер патента: US20190203354A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: US11887846B2. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods of preparing nanodevices

Номер патента: US09919921B2. Автор: Steven George,Joseph J. Brown,George Dee Skidmore,Victor M. Bright,Nathan T. Eigenfeld,Jason M. Gray. Владелец: University of Colorado Foundation Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Deposition tool and method for depositing metal oxide films on organic materials

Номер патента: WO2020005487A1. Автор: Akhil Singhal,Patrick Van Cleemput. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-02.

Methods for forming a topographically selective silicon oxide film by a cyclical plasma-enhanced deposition process

Номер патента: US20230143580A1. Автор: Atsuki Fukazawa,Aurélie Kuroda. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-11.

Electron microscopy specimen and method of fabrication

Номер патента: US09721751B2. Автор: Timothy Stephen English. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Pellicle membrane and method of forming the same

Номер патента: US20230408904A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Huan-Ling Lee,Wei-Hao Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Composite of cobalt-based perovskite material with negative thermal expansion material, and preparation method of same, and solid oxide fuel cell comprising same

Номер патента: US12034168B2. Автор: Yuan Zhang,Wei Zhou,Guangming Yang,Chuan Zhou,Zongping Shao. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of for bonding noble metal structure with a dielectric layer using an adhesive layer

Номер патента: US12027190B1. Автор: Xiaoyue Huang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

A coated article of martensitic steel and a method of forming a coated article of steel

Номер патента: EP2628817A1. Автор: Jürgen Gierl,Yashar Musayev,Tim Matthias Hosenfeldt,Bertram Haag,Paul Peeters,Juhana Kostamo,Serge Kursawe,Ivan KOLEV,Roland Tap. Владелец: Schaeffler AG. Дата публикации: 2013-08-21.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer deposition of copper using a reducing gas and non-fluorinated copper precursors

Номер патента: WO2003044242A3. Автор: Ling Chen,Mei Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Joint construction of cobalt-based alloy

Номер патента: CA2377159C. Автор: Takahiko Kato,Yoshiteru Chiba,Jiro Kuniya,Shizuo Matsushita,Mitsuo Chigasaki,Yoshihisa Kiyotoki. Владелец: Hitachi GE Nuclear Energy Ltd. Дата публикации: 2009-12-22.

Capacitor, method of manufacturing capacitor, capacitor manufacturing apparatus, and semiconductor memory device

Номер патента: US20090045485A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Manufacturing method of light emitting diode with aluminum nitride oxide film

Номер патента: TWI746321B. Автор: 林俊成. Владелец: 天虹科技股份有限公司. Дата публикации: 2021-11-11.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Self-limiting chemical vapor deposition and atomic layer deposition methods

Номер патента: US09607920B2. Автор: Mary EDMONDS,Andrew C. Kummel,Atif M. NOORI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Indium-containing oxide film and preparing method thereof

Номер патента: US09431144B2. Автор: Wonyong Koh,Byungsoo Kim,Dong Hwan Ma. Владелец: UP Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for depositing silicon oxide film having improved quality by PEALD using bis(diethylamino)silane

Номер патента: US12033849B2. Автор: Hidemi Suemori,Ryu Nakano,Yuko KENGOYAMA. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: US20230168417A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: EP4441270A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Gallium lanthanide oxide films

Номер патента: US09583334B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Thin film deposition method and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20230227972A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Wook Ryu,Han-Bo-Ram LEE,Tae Hwan LIM,Do Han LEE,Abu Saad Aqueel Ahmed ANSARI,Ngoc le TRINH. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Method of forming a high dielectric constant film and method of forming a semiconductor device

Номер патента: EP1913629A1. Автор: Christian Dussarrat,Satoshi Kamiyama,Kazutaka Yaganita. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2008-04-23.

Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen

Номер патента: US09978937B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20180254413A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20160254447A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

METHOD OF ENHANCING HIGH-k FILM NUCLEATION RATE AND ELECTRICAL MOBILITY IN A SEMICONDUCTOR DEVICE BY MICROWAVE PLASMA TREATMENT

Номер патента: US20150249009A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US09425075B2. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Thin film deposition method

Номер патента: US20240258104A1. Автор: Jung Kyun Lee,Yoon Jeong KIM. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Aluminum-Containing Layers and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200090986A1. Автор: Ding-I Liu,Kai-Shiung Hsu,Jhy-nan Lin,Mu-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186777A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131950A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US7410898B2. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-12.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: US09698009B2. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09818885B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Deposited material and method of formation

Номер патента: US09524868B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Fiber having integral weak interface coating, method of making and composite incorporating the fiber

Номер патента: US20230304194A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt. Владелец: RTX Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Low zirconium, hafnium-containing compositions, processes for the preparation thereof and methods of use thereof

Номер патента: US20120029219A1. Автор: Scott Houston Meiere,James Philip Natwora, Jr.. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Method of manufacturing substrate for epitaxy

Номер патента: US20170162378A1. Автор: Ying-Ru Shih,Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Huan-Yu Shih,Yuan-Chuan CHUANG. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Protective coatings for aluminum mirrors and methods of forming the same

Номер патента: WO2023101862A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-06-08.

Synthesis of few atomic layer gold crystals

Номер патента: WO2024116131A1. Автор: Ramesh Jagannathan,Mahmoud Rasras,Sudhir Kumar Sharma,Yong-Ak Song,Ajymurat OROZALIEV,Ghada DUSHAQ,Renu Pasricha. Владелец: New York University In Abu Dhabi Corporation. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US12087644B2. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Transition metal dichalcogenide alloy and method of manufacturing the same

Номер патента: US09963343B2. Автор: Hyungjun Kim,Kyung Yong KO,Kyunam PARK. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Laminate and method of producing the same, gas barrier film and method of producing the same, and organic light-emitting element

Номер патента: US20180323401A1. Автор: Kyoko Kuroki,Hiroshi Koyama,Mitsuru Kano,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Methods of determining process recipes and forming a semiconductor device

Номер патента: US20240363452A1. Автор: Ching-Yu Chang,Tze-Liang Lee,Jung-Hau Shiu,Jei Ming CHEN,Jr-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Catalyst support structure, catalyst including the structure, reactor including a catalyst, and methods of forming same

Номер патента: US09643159B2. Автор: Alan W. Weimer,Staci A. Van Norman,Victoria J. Aston. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2017-05-09.

Pulsed valve manifold for atomic layer deposition

Номер патента: US09574268B1. Автор: Eric Shero,Herbert Terhorst,Carl White,Todd Dunn,Mike Halpin,Jerry Winkler. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US20220243330A1. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-08-04.

Gallium lathanide oxide films

Номер патента: US20110260215A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-27.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of deposition and method of fabricating electronic device using the same

Номер патента: US11834742B2. Автор: Daehyun Kim,Jeong-Min Lee,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of producing thin-film

Номер патента: US20240018655A1. Автор: Akihiro Nishida,Tomoharu Yoshino,Masako HATASE,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Erosion resistant metal oxide coatings deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US20230286867A1. Автор: Xiaowei Wu,Michael R. Rice,Jennifer Y. Sun. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

Area-Selective Atomic Layer Deposition Of Passivation Layers

Номер патента: US20220130659A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: US20210098595A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: EP3799130A1. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-31.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20070134934A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Atomic layer deposition of metal films

Номер патента: US11970776B2. Автор: Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan,Joshua Collins,Hanna Bamnolker,Griffin John Kennedy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Multilayer encapsulation stacks by atomic layer deposition

Номер патента: US11732356B2. Автор: Ning Li,Cong Trinh,Mark Saly,Keenan N. Woods,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Maribel Maldonado-Garcia,Mihaela A. Balseanu,Lisa J. Enman. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240052487A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of selective atomic layer deposition

Номер патента: US11821085B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Liqi Wu,Tobin Kaufman-Osborn,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

High-Crystallinity Barium Titanate Film Structure, Method of Preparation and Application Thereof

Номер патента: US20240102170A1. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Passivation of silicon dioxide defects for atomic layer deposition

Номер патента: US11993844B2. Автор: Steven Wolf,Andrew Kummel,Michael Breeden,Ashay Anurag. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-28.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Methods of protecting metallic components against corrosion using chromium-containing thin films

Номер патента: US20190284694A1. Автор: David Thompson,Mark Saly,Thomas Knisley,David Alexander Britz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Method to tune TiOx stoichiometry using atomic layer deposited Ti film to minimize contact resistance for TiOx/Ti based MIS contact scheme for CMOS

Номер патента: US9478411B2. Автор: Reza Arghavani,Michal Danek,Shruti Vivek Thombare,Ishtak Karim,Sanjay Gopinath. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of selectively forming a material using parylene coating

Номер патента: US8945305B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: EP3958846A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Coated drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: WO2020219942A1. Автор: Fei Wang,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Colin C. Neikirk. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-10-29.

Atomic layer deposition and etching of transition metal dichalcogenide thin films

Номер патента: US20230250534A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Jani Hämäläinen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium

Номер патента: US20140220788A1. Автор: Atsushi Sano,Yoshiro Hirose,Naonori Akae. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-08-07.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186790A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20050186770A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: US20070141835A1. Автор: Kyle Kirby,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: SG131951A1. Автор: Shuang Meng,Kyle K Kirby,Garo J Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-28.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: WO2005083778A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-09-09.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Deposited Material and Method of Formation

Номер патента: US20160155642A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-02.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of fabricating interconnects for semiconductor components

Номер патента: EP1719168A1. Автор: Shuang Meng,Garo J. Derderian,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

Atomic Layer Deposition Method and Semiconductor Device Formed by the Same

Номер патента: US20080315293A1. Автор: Min-Hwa Chi,Fumitake Mieno,Hua Ji. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230395369A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Hee Seok Kim,Kyu Jin Choi,Yoshikazu Okuyama,Moonsig Joo,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Atomic layer deposition of films using spatially separated injector chamber

Номер патента: WO2016118573A1. Автор: Tatsuya E. Sato,Eran NEWMAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-07-28.

Moisture governed growth method of atomic layer ribbons and nanoribbons of transition metal dichalcogenides

Номер патента: US11981996B2. Автор: Xufan Li,Avetik R. Harutyunyan. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of depositing a film

Номер патента: US20140179104A1. Автор: Hiroko Sasaki,Hiroaki Ikegawa,Kentaro Oshimo,Masato Koakutsu. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Continuous process incorporating atomic layer etching

Номер патента: US09627221B1. Автор: Masaru Zaitsu,Hideaki Fukuda,Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-04-18.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

A kind of cobalt-based multi-stage nano composite construction electrolysis water oxygen elctro-catalyst and preparation method thereof

Номер патента: CN106011926B. Автор: 夏瀚,黄智鹏. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2019-04-02.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Transmission electron microscopy supports and methods of making

Номер патента: US09646803B2. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-05-09.

Durable, low loading oxygen evolution reaction catalysts and methods of forming such catalysts

Номер патента: US20240247386A1. Автор: Timothy J. Kucharski,Raffi M. Garabedian. Владелец: Electric Hydrogen Co. Дата публикации: 2024-07-25.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A3. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Transmission Electron Microscopy Supports and Methods of Making

Номер патента: US20160329187A1. Автор: David A. Kidwell. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-11-10.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Ultraviolet radiation activated atomic layer deposition

Номер патента: US20210225644A1. Автор: Christine Y. OUYANG,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electron-enhanced atomic layer deposition (ee-ald) methods and devices prepared by same

Номер патента: US20240240317A1. Автор: Steven George,Zachary Sobell. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

High-crystallinity barium titanate film structure, method of preparation and application thereof

Номер патента: EP4353864A2. Автор: Bin Zou,Xudong Sun,Fengzhi YU,Jan Zemen,Andrei Paul MIHAI,Kapildeb Dolui. Владелец: Lomare Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of depositing atomic layer and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420248A1. Автор: Hongtaek LIM,Hyunjun AHN,Kyoungwoo Hong,Hanhim Kang,Yeongyeop Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20220122834A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of Filling Gaps with Carbon and Nitrogen Doped Film

Номер патента: US20230360907A1. Автор: Chung-Chi Ko,Wan-Yi Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of depositing tungsten layer with improved adhesion and filling behavior

Номер патента: US09589809B2. Автор: Tao Yang,Qiang Xu,Chao Zhao,Junfeng Li,Jun Luo,Guilei Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-03-07.

Composite positive active material for lithium secondary battery, method of preparing composite positive active material, and lithium secondary battery including composite positive active material

Номер патента: US20230141441A1. Автор: Sangmi Kim,Sungho Choo,Minjae Choi,Jaeyoung Jeong,YoungKi Kim,Yongmok CHO,Hyunjei CHUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the same, and lithium secondary battery including positive electrode including the same

Номер патента: EP4446284A1. Автор: Sungho Choo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Preparation method and application of cobalt-based metal organic framework Co-MOF material

Номер патента: CN112280051A. Автор: 李�浩,杨玲,李会,孙红,张羽翔,赵英杰,姚川,张时星,秦国浩. Владелец: Xuchang University. Дата публикации: 2021-01-29.

Preparation method and application of cobalt-based catalyst for synthesizing higher alcohol by hydrogenation of carbon dioxide

Номер патента: CN116393136A. Автор: 陈建,何一鸣,谭兴,唐振辰,付伟杰,曾丰,刘水莲,杜瑞兴,钟奇彤. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-07.

Preparation of cobalt-based metal organic framework material and low-carbon hydrocarbon separation application thereof

Номер патента: CN113214493A. Автор: 陈强,李建荣,谢亚勃,王昊天,赵砚珑,芦世东. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-08-06.

Oxide sintered body and method of manufacturing same, sputtering target, transparent conductive oxide film and method of manufacturing same, and solar cell

Номер патента: TW201228986A. Автор: Tetsuo Shibutami,Hideto Kuramochi,Ryo Akiike,Keitaro Matsumaru,Kentaro Utsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2012-07-16.

Positive active material for lithium secondary battery, method of preparing same, and lithium secondary battery including positive electrode including the positive active material

Номер патента: US20230147051A1. Автор: Sangmi Kim,Sungho Choo,Minjae Choi,Jaeyoung Jeong,YoungKi Kim,Yongmok CHO,Hyunjei CHUNG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

A powderous lithium cobalt-based oxide cathode active material powder for rechargeable lithium ion batteries and a method for making thereof

Номер патента: EP4077217B1. Автор: Jens Paulsen,Kyeongse SONG. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Method of improving ohmic contact through high-resistance oxide film

Номер патента: US4060888A. Автор: Virgil E. Bottom,Robert E. Christian. Владелец: Tyco Filters Division Inc. Дата публикации: 1977-12-06.

Method of producing butadiene polymer having high percentage of cis-1,4 configuration

Номер патента: GB1100933A. Автор: . Владелец: Japan Synthetic Rubber Co Ltd. Дата публикации: 1968-01-24.

Positive electrode active material for lithium secondary battery, method of preparing the same, and lithium secondary battery including positive electrode including the same

Номер патента: US20240322155A1. Автор: Sungho Choo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

A kind of anti-gravity suction pouring prepares the device and method of cobalt-base alloy welding wire

Номер патента: CN106424662B. Автор: 王轶,张科,操齐高,郑晶,贾志华,孟晗琪. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2018-07-10.

Preparation method of cobalt-based amorphous iron core for magnetic amplifier

Номер патента: CN106952720B. Автор: 陈卫红,关涛,徐可心,石小兰,宗常宝,卢明乐. Владелец: Foshan Zhongyan Amorphous Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-05-01.

Mesoporous main framework of cobalt based catalyst for Fischer-Tropsch synthesis and a preparation method thereof

Номер патента: KR101829917B1. Автор: 배종욱,안창일. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2018-02-20.

Preparation method and application of cobalt-based catalyst for catalyzing carbon dioxide to prepare ethanol

Номер патента: CN108380216B. Автор: 王亮,肖丰收,王凌翔. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2020-07-17.

Preparation method and application of cobalt-based metal organic framework catalyst for activating oxygen molecules

Номер патента: CN112500580B. Автор: 张铁欣,段春迎,李莫尘,宋靖修,史雨生. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-05-10.

A kind of cobalt-base catalyst preparation method, the catalyst prepared by this method and its application

Номер патента: CN107486189A. Автор: 吴玉,夏国富,孙霞,侯朝鹏,李明丰,李猛,晋超,阎振楠. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2017-12-19.

A kind of cobalt-base catalyst and preparation method and application and Fischer-Tropsch synthesis method

Номер патента: CN108654637A. Автор: 吴玉,夏国富,侯朝鹏,李明丰,李会峰,徐润,郑仁垟,晋超. Владелец: Sinopec Research Institute of Petroleum Processing. Дата публикации: 2018-10-16.

A kind of cobalt base amorphous alloy powder and production method

Номер патента: CN106893953A. Автор: 罗奕兵,胡传,钱雨生. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-06-27.

Heat treatment and repair of cobalt-base superalloy articles

Номер патента: WO1993022097A1. Автор: Norman Pietruska,Michael S. Kurpaska. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1993-11-11.

A kind of cobalt-based composite particle-loaded article and preparation and the synthesis of carboxylate

Номер патента: CN108126761A. Автор: 高爽,吕迎,王连月,李国松. Владелец: Dalian Institute of Chemical Physics of CAS. Дата публикации: 2018-06-08.

A kind of cobalt-based substituted-phenyl M-phthalic acid metal coordinating polymer and preparation method thereof

Номер патента: CN106366325B. Автор: 王磊,杨铭,张奥. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-26.

Electropolishing of cobalt-based alloys containing platinum

Номер патента: WO2014159747A1. Автор: William E. Webler. Владелец: ABBOTT CARDIOVASCULAR SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

A kind of cobalt base superalloy and preparation method thereof

Номер патента: CN109280813A. Автор: 王辉,杨海峰. Владелец: Baoji University of Arts and Sciences. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of cobalt base superalloy and preparation method thereof and the application in heavy duty gas turbine

Номер патента: CN108396200A. Автор: 李辉,王尧,郑伟,楼琅洪,董加胜,刘心刚,李相伟. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2018-08-14.

Preparation method of compact high-corrosion-resistance micro-arc oxidation film layer on surface of zirconium alloy

Номер патента: CN113774459A. Автор: 刘磊,董帅,董杰. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-12-10.

A kind of method of hydroxylapatite crystal in promotion differential arc oxidation film layer

Номер патента: CN108103551B. Автор: 刘明,严继康,唐婉霞,倪尔鑫,甘国友,杜景红,张家敏,甘有为,谈松林,易建宏,姜贵民. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of patterning for self assembled reduced graphene oxide film

Номер патента: KR101617963B1. Автор: 김용우,안성일,정주라. Владелец: 신라대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-05-03.

Preparation method of high-temperature-resistant corrosion-resistant anodic oxide film

Номер патента: CN110777415A. Автор: 王婷,吴钢,王茂堂,劳浩鹏,陆烽烽. Владелец: Wuhan Sailing Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Cobalt base oxidation resistant alloy

Номер патента: CA918459A. Автор: Hatwell Henri,L. Moentack Pierre,D. Desforges Charles. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 1973-01-09.

Foam nickel-loaded cobalt-based oxide electrocatalyst and preparation and application thereof

Номер патента: CN116426961A. Автор: 程硕,钟恒,金放鸣,裴羽厚. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2023-07-14.

Laminate body, gas barrier film, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09574266B2. Автор: Toshiaki Yoshihara,Mitsuru Kano,Masato Kon,Jin Sato. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Crystalline strontium titanate and methods of forming the same

Номер патента: US09816203B2. Автор: Tom E. Blomberg. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method of controlling an amount of soluble base content of material comprising lithium carbonate and structure, cathode, and battery formed using the method

Номер патента: WO2020257176A1. Автор: Alan W. Weimer,William MCNEARY. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2020-12-24.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of forming graphene by graphite exfoliation

Номер патента: US09309124B2. Автор: Kian Ping Loh,Junzhong Wang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2016-04-12.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Process and technical arrangement to study nuclear fission by using single atomic layers of nuclear materials with a single crystal structure grown onto undamaged, miniature single crystal hollow body surfaces, which serve as a seeding platform

Номер патента: US20110142184A1. Автор: Juergen Wisotzki. Владелец: Grain Free Products Inc. Дата публикации: 2011-06-16.

Polyhedral metal nanocages with well-defined facets and ultrathin walls and methods of making and uses thereof

Номер патента: US20210114092A1. Автор: Lei Zhang,DONG Qin,Xue Wang,Younan Xia,Ming Zhao,Junki Kim,Sujin Lee,Xiaojun Sun,Sang-Il Choi. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of growing crystalline layers on amorphous substrates using two-dimensional and atomic layer seeds

Номер патента: US20210217617A1. Автор: Joshua A. Robinson,Natalie BRIGGS. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Synthetic method of suppressing metal nano-particle from having oxidized film and method of manufacturing conductive metal thin film via solution-processed

Номер патента: US09986638B2. Автор: Su Hyun Lee,Young Min Choi,Sun Ho JEONG,Beyong Hwang Ryu,Yeong Hui Seo. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-29.

Process of cobalt based catalyst

Номер патента: KR101159077B1. Автор: 송상훈,서정권,장태선,안홍찬. Владелец: 한국화학연구원. Дата публикации: 2012-06-25.

Catalytic decomposition of N2Preparation method of cobalt-based metal organic framework derivative catalyst of O

Номер патента: CN112138725B. Автор: 何勇,周志军,刘建忠,岑可法,周俊虎,王智化,杨卫娟,唐海荣,朱燕群. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2021-12-21.

Preparation method of cobalt-based nitrogen-doped MOF (metal organic framework) derived porous carbon material

Номер патента: CN113113618A. Автор: 闫鹏,康永刚,杨文武. Владелец: Northwestern Polytechnical University. Дата публикации: 2021-07-13.

Joint construction of cobalt-based alloy

Номер патента: US20030026379A1. Автор: Takahiko Kato,Yoshiteru Chiba,Jiro Kuniya,Shizuo Matsushita,Mitsuo Chigasaki,Yoshihisa Kiyotoki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-06.

The preparation method and applications of cobalt-based bimetallic sulfide negative electrode material

Номер патента: CN109686594A. Автор: 向鹏,车鹏程,肖婷,姜礼华,谭新玉. Владелец: China Three Gorges University CTGU. Дата публикации: 2019-04-26.

A kind of cobalt-base catalyst and the preparation method and application thereof

Номер патента: CN104437501B. Автор: 吴文华,杜芳芳,童国秀,童超丽,腾波涛. Владелец: Zhejiang Normal University CJNU. Дата публикации: 2018-08-07.

Preparation method and application of cobalt-based alloy ball

Номер патента: CN115647368A. Автор: 吴伟,张连生,李平原,苗润泽,蒋军建,张利东,施维真,樊占林. Владелец: Third Qinshan Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-31.

A kind of preparation method of reverse geometry polymer solar cells Zinc oxide film

Номер патента: CN103280532B. Автор: 李玮,谭占鳌,林俊,侯旭亮. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-20.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of producing epitaxial bismuth ferrite films by molecular layering

Номер патента: RU2718467C1. Автор: Шихгасан Муфтялиевич Рамазанов,Руслан Мурадович Эмиров,Ильмар Гюлиметович Ризванов,Фарид Фахреддинович Оруджев. Владелец: Общества с ограниченной ответсвеностью "СИКЛАБ". Дата публикации: 2020-04-08.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A3. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-07-24.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09802828B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer chemical patterns for block copolymer assembly

Номер патента: US09927706B2. Автор: Zhenqiang Ma,Tzu-Hsuan Chang,Michael Scott Arnold,Paul Franklin Nealey,Robert Jacobberger,Shisheng Xiong. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2018-03-27.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240145237A1. Автор: Amit Agrawal,Todd Michael KLEIN,Henri Joseph Lezec,Wenqi ZHU,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of low-temperature plasma-activated heteroepitaxy of nano-dimensional nitride metal films of the third group of mendeleev table

Номер патента: RU2658503C1. Автор: Виталий Алексеевич Тарала,Михаил Георгиевич Амбарцумов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Кавказский федеральный университет". Дата публикации: 2018-06-21.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for atomic layer etching

Номер патента: US09881807B2. Автор: Alok Ranjan,Mingmei Wang,Sonam SHERPA. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: US20240141503A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of producing an alcohol dispersion of tantalum oxide nanoparticles

Номер патента: RU2741024C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Екатерина Дмитриевна Кошевая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-01-22.

Method of anufacturing a matrix biosensor based on reduced graphene oxide and a matrix biosensor on a polymer substrate

Номер патента: RU2745663C1. Автор: Николай Сергеевич Стручков,Иван Александрович Комаров,Александр Николаевич Калинников,Владимир Александрович Нелюб,Алексей Сергеевич Бородулин,Максим Андреевич Орлов,Ольга Михайловна Антипова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2021-03-30.

Cobalt-based catalyst on metal structure for selective production of synthetic oil via fischer-tropsch reaction, method of preparing the same, and method of selectively producing synthetic oil using the same

Номер патента: US09586198B2. Автор: Heon Jung,Ho-Tae Lee,Jung-Il Yang,Dong-Hyun Chun,Ji-Chan Park,Sung-Jun Hong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2017-03-07.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20240061219A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-02-22.

Multifunctional coating, method of manufacturing thereof, related coated items and uses

Номер патента: WO2023073175A1. Автор: Tom Blomberg,Jesse Kalliomäki,Ilkka MANNINEN,Riina RITASALO,Juhani TASKINEN. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2023-05-04.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US11815668B2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: US20180341090A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-11-29.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP4361312A2. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-05-01.

Atomic layer deposition process for fabricating dielectric metasurfaces for wavelengths in the visible spectrum

Номер патента: EP3380876A1. Автор: Hongkun Park,Federico Capasso,Mohammadreza Khorasaninejad,Robert C. DEVLIN,Alexander Arthur HIGH. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2018-10-03.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

Independent free-standing graphene film and method of preparing the same

Номер патента: US11834336B2. Автор: Li Peng,LIN Zhang,CHAO Gao. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Номер патента: US20060233971A1. Автор: Koichi Terao,Yuji Shinohara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Atomic layer etching using a boron-containing gas and hydrogen fluoride gas

Номер патента: US20180047577A1. Автор: Robert D. Clark,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Номер патента: US20060231839A1. Автор: Koichi Terao,Yuji Shinohara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-19.

Method of treating inorganic oxide film, electronic device substrate, method of manufacturing electronic device substrate, liquid crystal panel, and electronic apparatus

Номер патента: US7632553B2. Автор: Koichi Terao,Yuji Shinohara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Silicon precursor and method of fabricating silicon-containing thin film using the same

Номер патента: US20210348026A1. Автор: Yeong-eun Kim,Jang-Hyun Seok,Jae-Seok AN,Jung-Woo Park. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20160099146A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Precursors Suitable For High Temperature Atomic Layer Deposition Of Silicon-Containing Films

Номер патента: US20180057362A1. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Atomic layer junction oxide and preparing method thereof

Номер патента: US9786801B2. Автор: Jaichan Lee,Bongwook CHUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-10-10.

Multi-layer borophene and method of synthesizing same

Номер патента: US20240150185A1. Автор: Mark C. Hersam,Xiaolong LIU. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-05-09.

Preparation method, product and application of cobalt-based carbon nano material

Номер патента: CN112090441A. Автор: 胡勇,颜磊,徐竹莹,沈峻岭. Владелец: Zhejiang Normal University CJNU. Дата публикации: 2020-12-18.

Method of soldering heat resisting alloy having insulating oxide film on its surface, and preheated type exhaust gas cleaning metal support and method of manufacturing the same

Номер патента: WO1994026455A1. Автор: Akira Okamoto,Shogo Konya,Kouji Yoshizaki. Владелец: NIPPON SOKEN, INC.. Дата публикации: 1994-11-24.

Two-sided silicon solar cell and method of making same

Номер патента: RU2601732C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Валерий Константинович Борисов. Владелец: Федеральное агентство научных организаций Федеральное Государственное Бюджетное Научное Учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ФГБНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2016-11-10.

Organic ternary solar cells and vacuum-deposited method

Номер патента: US12052877B2. Автор: Stephen R. Forrest,Yongxi LI. Владелец: University of Michigan Medical School. Дата публикации: 2024-07-30.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

SOFC interconnect barriers and methods of making same using masks

Номер патента: US10541429B2. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk. Владелец: Sonata Scientific LLC. Дата публикации: 2020-01-21.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US09691618B2. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Read sensors of the CPP type having nitrogenated hard bias layers and method of making the same

Номер патента: US20070253123A1. Автор: James Freitag,Mustafa Pinarbasi. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods of fabricating semiconductor devices including performing an atomic layer etching process

Номер патента: US20170140937A1. Автор: Sejin Oh,Dougyong Sung,Kiho Hwang,Hyunju Lee,Je-Hun WOO,Seungkyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-18.

Preparation method of cobalt-based Fischer-Tropsch catalysts and regeneration method of catalysts by feeding of liquid hydrocarbons formed during FTS reaction

Номер патента: KR101792630B1. Автор: 문동주,배종욱,김아롱,구현모. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2017-11-02.

A kind of method of cobalt based compound catalytic regeneration activated carbon

Номер патента: CN106732485A. Автор: 袁杰,肖劲,仲奇凡,余柏烈,姚桢,张留运. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-31.

Forming method of cobalt-based high-temperature alloy multi-step large special-shaped ring

Номер патента: CN105396995A. Автор: 杨亚平,吕日红,谢永富,陈红芳,陈祖祥. Владелец: Guizhou Anda Aviation Forging Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-16.

Method of manufacturing semiconductor device having resistor formed of a polycrystalline silicon film

Номер патента: US7964469B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Etching method of multilayer film

Номер патента: US20140206199A1. Автор: Hiroaki Ishizuka,Akihiro Yokota,Shinji Himori,Kazuya Nagaseki,Etsuji Ito,Shu KUSANO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Method for optimizing magnetic property of cobalt-based magnetic thin film inductance material

Номер патента: CN112509805A. Автор: 冯春,于广华,徐秀兰. Владелец: Shandong Maige Zhixin Electromechanical Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly For The Organic Layer Deposition Apparatus, And Method Of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using The Frame Sheet Assembly

Номер патента: US20150217319A1. Автор: Kim Mu-Hyun,Choi Myong-Hwan,Lee Sung-Bong,Lee Myung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, ORGANIC LAYER DEPOSITING APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITING APPARATUS

Номер патента: US20160380240A1. Автор: KIM Minsoo,LEE Yonggu,Prushinskiy Valeriy,Lee Suhwan,Kim Muhyun,Kim Mugyeom,LEE Dongkyu,Lee Byungkook,Ha Jaesoo,CHO Jaeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

SYNTHETIC METHOD OF SUPPRESSING METAL NANO-PARTICLE FROM HAVING OXIDIZED FILM AND METHOD OF MANUFACTURING CONDUCTIVE METAL THIN FILM VIA SOLUTION-PROCESSED

Номер патента: US20150053464A1. Автор: LEE Su Hyun,CHOI Young Min,JEONG Sun Ho,SEO Yeong Hui,Ryu Beyong Hwang. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20160079569A1. Автор: JUN JAE-SUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE SAME

Номер патента: US20140329349A1. Автор: SEO Sung-ho. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-06.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20140357001A1. Автор: KIM Na-Jeong,JUN JAE-SUN,JANG BYUNG-MIN. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-12-04.

Mask frame assembly for thin layer deposition and manufacturing method of organic light emitting display device thereused

Номер патента: KR100696523B1. Автор: 홍재민,강창호. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-03-19.

A manufacturing method of a semiconductor device having different gate oxide films and gate electrodes

Номер патента: KR19980077641A. Автор: 이원우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-11-16.

Methods of forming flash memory devices including blocking oxide films

Номер патента: US7820514B2. Автор: Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim,Min-kyung Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-26.

Powderous lithium cobalt-based oxide compound for rechargeable lithium ion batteries and a method for making thereof

Номер патента: US20210028454A1. Автор: Blangero Maxime,SONG KyeongSe. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Powderous lithium cobalt-based oxide compound for rechargeable lithium ion batteries and a method for making thereof

Номер патента: US20210028455A1. Автор: Blangero Maxime,SONG KyeongSe. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US20200287091A1. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of producing a radiation-emitting component and radiation-emitting component

Номер патента: US11075323B2. Автор: Andreas RÜCKERL. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-27.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Method of producing a thin film anode

Номер патента: RU2622905C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-21.

Surface modified sofc cathode particles and methods of making same

Номер патента: US20170018782A1. Автор: Jeffrey F. Roeder,Peter C. Van Buskirk,Anthony F. Zeberoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-19.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

New marking and method of its implementation

Номер патента: RU2405878C2. Автор: Туомас МУСТОНЕН,Теппо ЗАЛЬБЕРГ,Тимо КАЛЛИО. Владелец: М-реал ОИЙ. Дата публикации: 2010-12-10.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240234695A9. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of producing a thin film cathode

Номер патента: RU2623104C1. Автор: Анатолий Анатольевич Попович,Павел Александрович Новиков,Максим Юрьевич Максимов,Алексей Олегович Силин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого" (ФГАОУ ВО "СПбПУ"). Дата публикации: 2017-06-22.

Method of forming a catalyst with an atomic layer of platinum atoms

Номер патента: US09610566B2. Автор: Keiichi Kaneko,Minhua Shao,Michael Paul HUMBERT. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US20130260184A1. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Battery separator, method of manufacturing a battery separator, battery, battery pack, and electronic apparatus

Номер патента: US8956742B2. Автор: Takahiro Kawana,Nobuyuki Nagaoka,Chak Chung Andrew Yu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-17.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Magnetic material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150332818A1. Автор: Hideo Sato,Shunsuke Fukami,Hideo Ohno,Shoji Ikeda,Michihiko Yamanouchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for removing a contamination layer by an atomic layer etching process

Номер патента: EP3649510A1. Автор: Dirk Heinrich Ehm,Edwin Te Sligte,Moritz Becker,Yves Lodewijk Maria Creijghton,Fred Roozeboom,Andrea Illiberi. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2020-05-13.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Charge coupled device based on atomically layered van der waals solid state film for opto-electronic memory and image capture

Номер патента: US09431565B2. Автор: Antony George,Bo Li,Pulickel M. Ajayan,Sidong Lei,Liehui Ge,Robert Vajtai. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-08-30.

Cathode for lithium-sulfur battery and method of its preparation

Номер патента: RU2619080C1. Автор: Минчул ДЗАНГ,Биоунгкук СОН,Ю Ми КИМ,Ги Су ПАРК. Владелец: ЭлДжи КЕМ, ЛТД.. Дата публикации: 2017-05-11.

Nano-engineered coatings for anode active materials, cathode active materials, and solid-state electrolytes and methods of making batteries containing nano-engineered coatings

Номер патента: AU2022201282B2. Автор: Erik Anderson,James Trevey,Fabio Albano,David M. King,Subhash Dhar,Kevin DAHLBERG,Srinlvasan VENKATESAN,Paul R. LICHTY. Владелец: Forge Nano Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US20150024300A1. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2015-01-22.

Hydrophobized gas diffusion layers and method of making the same

Номер патента: US09825315B2. Автор: Trung Van Nguyen,Xuhai Wang. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2017-11-21.

Layered electroactive material and methods of forming the same

Номер патента: US20240136507A1. Автор: Anil K. Sachdev,Nicholas Paul William Pieczonka,Jeffrey David Cain. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Deposition methods for uniform and conformal hybrid titanium oxide films

Номер патента: US09881787B2. Автор: Yu Lei,Srinivas Gandikota,Chien-Teh Kao,Chikuang Charles Wang,Pingyan Lei,Yung-Hsin Lee,Xuesong Lu,Xinliang Lu,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju,Juno Yu-Ting Huang,Ghazal Saheli,Benjamin C. Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Capacity transducer obtained by micromachining and method of its manufacture

Номер патента: RU2627062C2. Автор: Боут МАРСЕЛИС,Марсель МЮЛДЕР,Рюдигер МАУКЗОК,Йохан Хендрик КЛОТВИЙК,Корай КАРАКАЯ,Петер ДИРКСЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Method of making N-type semiconductor layer and method of making N-type thin film transistor

Номер патента: US09768400B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09828236B2. Автор: Bout Marcelis,Peter Dirksen,Koray Karakaya,Ruediger Mauczok,Marcel Mulder,Johan Klootwijk. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of making a resistive random access memory device with metal-doped resistive switching layer

Номер патента: US09385164B2. Автор: Petri Raisanen,Qi Xie,Vladimir Machkaoutsan,Jan Willem Maes,Michael Givens. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of forming rutile titanium dioxide

Номер патента: US20140065301A1. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Method of forming contact metal

Номер патента: US09711402B1. Автор: Yu-Kai Chen,Chun-Hsien Huang,Wei-Jung Lin,Hong-Mao Lee,Hsien-Lung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: US20240248391A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Extreme ultraviolet pellicles and method of manufacturing

Номер патента: WO2024155654A1. Автор: Feng Q. Liu,Jeffrey W. Anthis,Mark Saly,Lakmal C. Kalutarage,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917092B2. Автор: Wensheng Wang,Hideki Ito,Youichi Okita. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of forming hybrid diffusion barrier layer and semiconductor device thereof

Номер патента: US09812397B2. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee,Ken-Yu Chang,Kai-Shiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical FET with selective atomic layer deposition gate

Номер патента: US09761694B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Chip package, method of forming a chip package and method of forming an electrical contact

Номер патента: US12033972B2. Автор: Michael Bauer,Joachim Mahler,Francisco Javier Santos Rodriguez,Jochen Dangelmaier,Frank Hille,Heinrich Koerner,Reimund Engl,Johann Gatterbauer,Antonio Vellei,Werner Kanert,Brigitte Ruehle,Michael Huettinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-09.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Multilayer nanocomposite for capacitors and method of its manufacturing

Номер патента: RU2432634C1. Автор: Василий Александрович Барган,Петр Александрович Барган,Дмитрий Евгеньевич Кашин,Александр Викторович Пейсахов,Борис Дмитриевич Больщиков,Алексей Борисович Халявин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БАРГАН ТЕХНОЛОДЖИ" (ООО "БТЕХ"). Дата публикации: 2011-10-27.

A method of manufacturing a semi-conducting thin film device

Номер патента: US20230197449A1. Автор: Freddy Roozeboom,Alfredo Mameli,Auke Jisk Kronemeijer. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2023-06-22.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memristor device, method of fabricating the same, synaptic device including the same, and neuromorphic device including the synaptic device

Номер патента: US20230309327A1. Автор: Sung Yool Choi,Sang Su Park,Jun Hwe CHA,Jung Yeop Oh. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-28.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: CA3187700A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: EP4189349A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-06-07.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: WO2022023482A1. Автор: Jerome Polesel. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST). Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US10468417B2. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7592272B2. Автор: Osamu Tonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20150031195A1. Автор: Jihoon Kim,Eun Tae Kim,Jin Ho Oh,Jongmyeong Lee,Heesook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor structure with a conductive line and fabricating method of a stop layer

Номер патента: US20190287976A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tzu-Chin Wu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of encapsulating an optoelectronic device and light-emitting diode chip

Номер патента: US09570662B2. Автор: Michael Huber,Karl Engl,Sebastian Taeger,Martin Welzel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-02-14.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Method of reducing contact resistance of a metal

Номер патента: US20140035143A1. Автор: Hung-Wen Su,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Methods for preparing a titanium oxide film and a composite film comprising the same

Номер патента: US20160118243A1. Автор: Feng-Yu Tsai,Yuan-Yu Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-04-28.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: WO2024206872A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Company, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of filtration media

Номер патента: US20240325990A1. Автор: Davis B. MORAVEC,David D. Lauer. Владелец: Donaldson Co Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of manufacturing a sensor device having a porous thin-film metal electrode

Номер патента: WO2014100611A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,Ashwin Samarao. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-06-26.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Ferroelectric memory devices having improved ferroelectric properties and methods of making the same

Номер патента: US20230378354A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Po-Ting Lin,Song-Fu Liao,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Manufacturing method of array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US11749693B2. Автор: En-Tsung Cho,Yuming XIA,Lidan YE. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-k oxide and metal gate mos device

Номер патента: US20160005609A1. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-01-07.

MULTI-THRESHOLD VOLTAGE (Vt) WORKFUNCTION METAL BY SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD)

Номер патента: WO2015138176A1. Автор: David Thompson,Seshadri Ganguli,Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-17.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of applying a dielectric coating on a component of an electrical device

Номер патента: WO2024097774A1. Автор: Todd Michael KLEIN,John Snyder,Ryan Patrick Shea,Christopher Todd DeRose,Adam Jay Ollanik,Christopher Todd Ertsgaard,Michael Ryan Gehl. Владелец: Quantinuum Llc. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of manufacturing optical member

Номер патента: US20240061159A1. Автор: Takaaki Tada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming MIS capacitor

Номер патента: US7029985B2. Автор: Garo J. Derderian,Cem Basceri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-04-18.

Method of forming a shallow trench isolation structure featuring a group of insulator liner layers located on the surfaces of a shallow trench shape

Номер патента: US6734082B2. Автор: Jia Zhen Zheng,Soh Yun Siah,Chew Hoe Ang. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2004-05-11.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Methods and applications of novel amorphous high-k metal-oxide dielectrics by super-cycle atomic layer deposition

Номер патента: US20240194479A1. Автор: Lai ZHAO,Kwang Soo Huh,Zhelin SUN,Soo Yong Choi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Wet atomic layer etching method and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321805A1. Автор: Wooyoung Kim,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Seungho Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09779996B2. Автор: Weon-Hong Kim,Soo-Jung Choi,Moon-Kyun Song,Dong-Su Yoo,Min-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240072142A1. Автор: Yunsang Kim,Hae-Won Choi,Thomas Jongwan Kwon. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: EP3662517A1. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2020-06-10.

Ferroelectric thin-film structures, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the ferroelectric thin-film structures

Номер патента: US12100749B2. Автор: Hyangsook LEE,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Surface relief grating and method of making the same

Номер патента: US20230057283A1. Автор: Jay Patel,Vivek Gupta,Nihar Mohanty,Topalian Topalian. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method of manufacturing a light emitting device

Номер патента: US10411171B2. Автор: Daniel B. Roitman,Hisashi Masui,Ken T. Shimizu. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2019-09-10.

Liquid discharge head and method of manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20190291437A1. Автор: Yuichi Ito,Yasuo Kato,Toru Kakiuchi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: US20240332001A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition of silicon-carbon-and-nitrogen-containing materials

Номер патента: WO2024206048A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Mark J. Saly,Lakmal C. Kalutarage,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory cells and methods of forming memory cells

Номер патента: US09508931B2. Автор: Qian Tao,Scott E. Sills,Shuichiro Yasuda,Noel Rocklein,Durai Vishal Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: WO2018007277A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek -Tno. Дата публикации: 2018-01-11.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US20190157657A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast-natuurweten Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-23.

Led device with protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024123425A1. Автор: Hans-Helmut Bechtel,Matthias Heidemann,Marcel Rene Bohmer,Ronja Missong,Sarah SOMMER. Владелец: LUMILEDS LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Ion insertion battery electrode and method of fabricating same

Номер патента: US10862101B2. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nedarlandse Organisatie Voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno. Дата публикации: 2020-12-08.

Ion instertion battery electrode and method of fabrication

Номер патента: EP3479426A1. Автор: Philippe Vereecken,Joan Elisabeth Balder,Sebastien Moitzheim,Paul Poodt. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-05-08.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon

Номер патента: US09735024B2. Автор: Masaru Zaitsu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming a high quality interfacial layer for a semiconductor device by performing a low temperature ald process

Номер патента: US20140242788A1. Автор: Dina Triyoso,Gabriela Dilliway,Elke Erben,Rimoon Agaiby. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Electromagnetic Radiation Emitting Device and Method of Applying a Converter Layer to an Electromagnetic Radiation Emitting Device

Номер патента: US20210280748A1. Автор: Siegfried Herrmann,Sebastian Taeger,Adrian Stefan Avramescu,Alexander Behres. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Atomic layer etching method

Номер патента: US20210193473A1. Автор: Sang Jun Park,Byung Chul Cho,Jin Sung Chun,Kwang Seon JIN,Jun Hyuck KWON. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performing atomic layer etching using a silane-based chemistry

Номер патента: WO2024211411A1. Автор: James Sims,Ryan James GASVODA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230369452A1. Автор: Ting-Gang CHEN,Tai-Chun Huang,Chieh-Ping WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of making 3d object

Номер патента: RU2459704C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2012-08-27.

3D atomic layer gate or junction extender

Номер патента: US09318318B1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Dae-Gyu Park,Pouya Hashemi,Kevin K. Chan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Fluid-ejection devices and a deposition method for layers thereof

Номер патента: US7025894B2. Автор: Arjang Fartash,Samson Berhane,Ulrich E. Hess. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-04-11.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US11908751B2. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Transistor isolation regions and methods of forming the same

Номер патента: US20230378000A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: WO2023249824A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-12-28.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A3. Автор: Cem Basceri,Thomas M Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-12-18.

Mim capacitor with metal nitride electrode materials and method of formation

Номер патента: WO2003079417A2. Автор: Cem Basceri,Thomas M. Graettinger. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2003-09-25.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240145532A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Atomic layer deposition of high dielectric constant materials

Номер патента: US20230420486A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Darshan THAKARE,Gopi Chandran Ramachandran,Geetika Bajaj,Amit Kumar Roy,Shonal CHOUKSEY,Jayeeta Sen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Manufacturing method of a strain gauge sensor

Номер патента: US20230292620A1. Автор: Jerome Polesel,Stephanie Girod,Raoul Joly,Patrick Grysan. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-14.

Combined charge balance and edge termination surface passivation for a semiconductor device and methods of fabricating the same

Номер патента: WO2024092179A1. Автор: Philip Rutter,Stanislav Soloviev,David Jauregui. Владелец: Ideal Semiconductor Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of manufacturing X-ray exposure mask

Номер патента: US5364717A. Автор: Yasuyuki Miyamoto,Kazuhito Furuya. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 1994-11-15.

Method of manufacturing a TFT array panel for a LCD

Номер патента: US20050048407A1. Автор: Chi-shen Lee,Cheng-Chung Chen,Yung-Fu Wu,Chi-Lin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-03-03.

Atomic Layer-Based Surface Treatments for Infrared Detectors

Номер патента: US20230129191A1. Автор: Harold Frank GREER,Cory J. Hill. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2023-04-27.

Extreme ultraviolet lithography mask and multilayer deposition method for fabricating same

Номер патента: US09557636B2. Автор: YEN-CHENG Lu,Shinn-Sheng Yu,Anthony Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Treated Cellulosic Materials and Methods of Making the Same

Номер патента: US20230347547A1. Автор: Mark D. Losego,Shawn Alan GREGORY,Shannon K. Yee. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Magnetoresistive random access memory structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882769B2. Автор: Hui-Lin WANG,Kun-Chen Ho,Bo-Yun Huang,Wen-Wen Zhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of forming metal silicide

Номер патента: US20050176227A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chih-Wei Chang,Chii-Ming Wu,Mei-Yun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

Self limiting lateral atomic layer etch

Номер патента: US09620376B2. Автор: Tom Kamp,Neema Rastgar,Michael Carl Drymon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of depositing tantalum oxide layer

Номер патента: KR100454758B1. Автор: 박문수,김명규. Владелец: 주성엔지니어링(주). Дата публикации: 2004-11-05.

Chip arrangement, chip package, method of forming a chip arrangement, and method of forming a chip package

Номер патента: US20230274996A1. Автор: Edward Fürgut,Stefan Schwab,Edmund Riedl,Carsten Schaeffer,Manfred Pfaffenlehner,Stefan KRIVEC,Harry Sax. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming isolation structure

Номер патента: US20200075397A1. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Cheng Tung,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Po-Chun Chen,Hsuan-Tung Chu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: WO2024147802A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Atomic layer etching by electron wavefront

Номер патента: US20240249913A1. Автор: Samir John Anz,David Irwin Margolese,William Andrew Goddard,Stewart Francis Sando. Владелец: Velvetch LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Atomic layer etch and ion beam etch patterning

Номер патента: US12080562B2. Автор: YANG Pan,Girish Dixit,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Tamal Mukherjee. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hybrid electronic device protected against humidity and method of protecting a hybrid electronic device against humidity

Номер патента: US09793141B2. Автор: Francois Marion,Tony Maindron. Владелец: Thales SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Cobalt based oxide thermoelectric ceramics

Номер патента: GEU20222115Y. Автор: Nino Mumladze,Vakhtang Zhghamadze,Iamze Kvartskhava,Natia Margiani,Giorgi Mumladze,Nikoloz Margiani,Zurab Adamia. Владелец: Zurab Adamia. Дата публикации: 2022-04-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

A kind of preparation method of cobalt base oxide thermoelectric material

Номер патента: CN103951389B. Автор: 胡建民,钱宇,曲秀荣,马人佺,冯继邦. Владелец: Harbin Normal University. Дата публикации: 2015-12-30.

Hot Wire Atomic Layer Deposition Apparatus And Methods Of Use

Номер патента: US20120269967A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-10-25.

GATE OXIDE FILM INCLUDING A NITRIDE LAYER DEPOSITED THEREON AND METHOD OF FORMING THE GATE OXIDE FILM

Номер патента: US20120241874A1. Автор: KU Ja-Hum,KIM BYUNG-DONG. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-27.

Improvements relating tothe treatment of articles formed of cobalt-base alloys

Номер патента: AU3141157A. Автор: Kneale Hanine and Erwin Richard Pricer Dean. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1958-03-20.

Sol-gel method of forming ferroelectric strontium-bismuth-tantalum oxide film

Номер патента: RU2511636C2. Автор: Аркадий Степанович Турцевич,Алина Валентиновна Семченко,Виталий Валерьевич Сидский,Владимир Евгеньевич Гайшун,Владимир Владимирович Колос,Сергей Александрович Сорока,Андрей Николаевич Асадчий. Владелец: Открытое акционерное общество "Интеграл". Дата публикации: 2014-04-10.

A kind of heat cladding forging method of cobalt-base alloys ingot

Номер патента: CN109822023A. Автор: 王雷. Владелец: Kaili University. Дата публикации: 2019-05-31.

Preparation method of cobalt-based Fischer-Tropsch synthesis catalyst

Номер патента: CN101920204B. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,张喜文,陈楠. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2012-05-30.

Reduction method of cobalt-based Fischer-Tropsch synthesis catalyst

Номер патента: CN103769244A. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,尹泽群,刘全杰,宋喜军. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2014-05-07.

Preparation method of cobalt-based catalyst for Fischer Tropsch synthesis

Номер патента: CN102441391A. Автор: 李�杰,倪向前,张舒冬,张喜文,陈楠. Владелец: Sinopec Fushun Research Institute of Petroleum and Petrochemicals. Дата публикации: 2012-05-09.

Preparation method of cobalt-based fischer-tropsch synthesis catalyst with controllable mesoporous wall and linked with ordered macroporous structure

Номер патента: CN102139214A. Автор: 张晓红,苏海全,曾尚红. Владелец: Inner Mongolia University. Дата публикации: 2011-08-03.

Utilize the method for the luminous quantitative detection hydroquinone of cobalt-based metal organogel catalysis luminol-hydrogen peroxide

Номер патента: CN109765220A. Автор: 李永新,余嘉琪. Владелец: Anhui Normal University. Дата публикации: 2019-05-17.

Application of cobalt base alloys to metal parts

Номер патента: CA672841A. Автор: T. Cape Arthur. Владелец: Coast Metals Inc. Дата публикации: 1963-10-22.

A kind of processing unit of cobalt-based fixed bed F- T synthesis off-gas

Номер патента: CN206652355U. Автор: 张文,易金华,邱福国,柳杨华,严应群. Владелец: WUHAN JINZHONG PETROCHEMICAL ENGINEERING Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

A kind of cobalt-based single-chain magnets and synthetic method thereof

Номер патента: CN105225779A. Автор: 周艳玲,刘先荣,王强心. Владелец: GUANGXI UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-01-06.

A kind of cobalt-based syrup state bed Fischer Tropsch synthetic catalyst and preparation method and application

Номер патента: CN103831116B. Автор: 刘岩,李德宝,贾丽涛,侯博,王俊刚,郭荷芹,孙德魁. Владелец: Shanxi Institute of Coal Chemistry of CAS. Дата публикации: 2016-06-15.

Improvements relating tothe treatment of articles formed of cobalt-base alloys

Номер патента: AU221305B2. Автор: Kneale Hanine and Erwin Richard Pricer Dean. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1958-03-20.

DEPOSITION SOURCE ASSEMBLY, ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20130032829A1. Автор: Kim Mu-Hyun,SUNG Un-Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS

Номер патента: US20120299016A1. Автор: Choi Myong-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

Organic Layer Deposition Apparatus, Frame Sheet Assembly for the Organic Layer Deposition Apparatus, and Method of Manufacturing Organic Light Emitting Display Device Using the Frame Sheet Assembly

Номер патента: US20120301614A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120100644A1. Автор: Park Kyong-Tae,JEONG Byoung-Seong,Prushinskiy Valeriy,Kaplan Len,Cheong Se-Ho,Hyun Won-Sik,Na Heung-Yeol,Choi Yong-Sup. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120299023A1. Автор: LEE Dong-kyu,Kim Mu-Hyun,Lee Yun-Mi,Song Jung-Bae,Lee Sang-Pil,Song Young-Rok,Kim Jong-Heon,Ryu Jae-Kwang,Kim Byung-Su. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY APPARATUS BY USING THE SAME

Номер патента: US20120301986A1. Автор: Kim Mu-Hyun,Choi Myong-Hwan,Lee Sung-Bong,Lee Myung-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20130009177A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20130217164A1. Автор: Chang Seok-Rak,Roh Cheol-Lae,Kim Jong-Heon,Chang Yun-Ho,KANG Hee-Cheul. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-08-22.

Be used to prepare the in-situ treatment method of sapphire substrate of high-quality zinc oxide film

Номер патента: CN100545314C. Автор: 杜小龙,袁洪涛,曾兆权,薛其坤,贾金锋. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2009-09-30.

Preparation method of aluminum-doped zinc oxide transparent conductive oxide film

Номер патента: CN102994975A. Автор: 宋佳,何丹农,毛启明,姜来新,尹桂林. Владелец: Shanghai National Engineering Research Center for Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-27.

Hydrothermal preparation method of p-type sulfur/silver codoped zinc oxide film

Номер патента: CN103159410B. Автор: 李永峰,姚斌,龙仕旺,丁战辉. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2015-07-15.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2544266C2. Автор: Любовь Михайловна Журавлева,Владимир Георгиевич Плеханов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет путей сообщения" МГУПС (МИИТ). Дата публикации: 2015-03-20.

一种钴基氧化物薄膜的原子层沉积方法

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты