Deposition method, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
Номер патента: US7238629B2
Опубликовано: 03-07-2007
Автор(ы): Kazuo Maeda, Yoshimi Shioya
Принадлежит: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-07-2007
Автор(ы): Kazuo Maeda, Yoshimi Shioya
Принадлежит: Semiconductor Process Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound
Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.