박막트랜지터 및 그 제조 방법
Номер патента: KR970053596A
Опубликовано: 31-07-1997
Автор(ы): 김도우, 이인찬
Принадлежит: 김주용, 현대전자산업 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-07-1997
Автор(ы): 김도우, 이인찬
Принадлежит: 김주용, 현대전자산업 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application
Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.