Interconnection Structure, LED Module and Method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20160111372A1. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Interconnect structures with intermetallic palladium joints and associated systems and methods

Номер патента: US09905539B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Interconnection structure and package structure

Номер патента: US20240297086A1. Автор: Yung-Sheng Lin,Yun-Ching HUNG,Chun-Wei Chiang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device assemblies including intermetallic compound interconnect structures

Номер патента: US09881886B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Light-emitting diode module and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2510102C1. Автор: Вон Санг ЛИ,Йоунг Кеун КИМ. Владелец: Даевон Инност Ко., Лтд. Дата публикации: 2014-03-20.

Interconnection structure

Номер патента: US09761528B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

LED module and method of manufacturing the same

Номер патента: US10074645B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-09-11.

LED module and method of manufacturing the same

Номер патента: US9553077B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

LED module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09553077B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Led module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170098642A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-06.

LED module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09865585B2. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Led module manufacturing device and method of manufacturing led module

Номер патента: KR102236769B1. Автор: 윤정훈,차경훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-06.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20200350302A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20190109125A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-11.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US20220278090A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070346A1. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US09425098B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Microfeature assemblies including interconnect structures and methods for forming such interconnect structures

Номер патента: WO2007027417A2. Автор: Kia Heng Puah. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-03-08.

Microfeature assemblies including interconnect structures and methods for forming such interconnect structures

Номер патента: EP1938369A2. Автор: Kia Heng Puah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-02.

Interconnect structures and methods of formation

Номер патента: US09984976B2. Автор: Deenesh Padhi,Yong Cao,Yana Cheng,Xianmin Tang,Srinivas Guggilla,Sree Rangasai KESAPRAGADA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US09607894B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Patternable dielectric film structure with improved lithography and method of fabricating same

Номер патента: US09484248B2. Автор: Qinghuang Lin,Deborah A. Neumayer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240282629A1. Автор: Chih-Yuan Ting,I-Chang Lee,Yu-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20140131887A1. Автор: Chia-Yen Lee,Hsin-Chang Tsai,Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-05-15.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device package and method of manufacture

Номер патента: US20220068862A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Advanced BEOL interconnect structure containing uniform air gaps

Номер патента: US09786553B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Seal ring structures and methods of forming same

Номер патента: US11842992B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Wen-De Wang,Yung-Lung Lin,Kuo-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods of forming interconnect structures in semiconductor fabrication

Номер патента: US20240274528A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11881398B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US11355341B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20200176378A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method for supporting ultra-thin semiconductor die

Номер патента: US10672607B2. Автор: Gordon M. Grivna,Stephen St. Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-06-02.

Structure of porous low-k layer and interconnect structure

Номер патента: US8350246B2. Автор: Chien-Chung Huang,Mei-Ling Chen,Yu-Tsung Lai,Su-Jen Sung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09502335B2. Автор: Chieh-Lung Lai,Mao-Hua Yeh,Hong-Da Chang,Hsien-Wen Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20240030134A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Liang Cheng,Sheng-Chau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Bonded semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09691733B1. Автор: Xu Yang Shen,Sin-Shien Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Packaged Memory Device and Method

Номер патента: US20240088078A1. Автор: Chen-Hua Yu,Yih Wang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Wei-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Bonded structure with interconnect structure

Номер патента: US20240170406A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method of forming wire bondable fan-out EWLB package

Номер патента: US09472533B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240379635A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Bonded structure with interconnect structure

Номер патента: US20240234353A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for testing and packaging a superconducting chip

Номер патента: US09865648B2. Автор: Paul I. Bunyk. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor packages including interposer and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09716017B2. Автор: Tac Keun OH,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Interconnect structure configured to control solder flow and method of manufacturing of same

Номер патента: US09609752B1. Автор: Jack V. Ajoian,Daniel L. Blass. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of wafer level package integration

Номер патента: US09460951B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20240047400A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Chip assemblage, press pack cell and method for operating a press pack cell

Номер патента: US09972596B2. Автор: Olaf Hohlfeld,Juergen Hoegerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated Circuit Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240047338A1. Автор: Ming-Fa Chen,Yun-Han Lee,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Through-mold-interconnect structure on an ic die directly bonded to another ic die

Номер патента: EP4203005A3. Автор: Nitin Deshpande,Debendra Mallik,Omkar Karhade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Bonded structure with interconnect structure

Номер патента: WO2022051104A1. Автор: Belgacem Haba. Владелец: Invensas Bonding Technologies, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11817305B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240087987A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

LED module for flash and method for fabricating the sme

Номер патента: KR20140121507A. Автор: 김대영,한상훈,이민종,이장원,임원규,이현열,이승수,홍경의. Владелец: 크루셜텍 (주). Дата публикации: 2014-10-16.

Stacked semicondcutor structure and method

Номер патента: US9716078B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Meng-Hsun Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Microelectronic devices, related electronic systems, and methods of forming microelectronic devices

Номер патента: WO2022261596A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-15.

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US09911653B2. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Low capacitance interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US09613864B2. Автор: Jin Lu,Kevin Torek,Hongqi Li,Alex Schrinsky,Thy Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Interconnect structure having tungsten contact copper wiring

Номер патента: US09761526B2. Автор: Anthony K. Stamper,Baozhen Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

SEMICONDUCTOR INTERCONNECT STRUCTURES WITH NARROWED PORTIONS, AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20210202430A1. Автор: Chun Hyunsuk,Raman Thiagarajan. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

Wirebond interconnect structures for stacked die packages

Номер патента: MY204170A. Автор: Hann Sir Jiun,Huat Goh Eng,Suet Lim Min. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor packaging structure and method for forming the same

Номер патента: US09620468B2. Автор: Chang-Ming Lin,Yu-Juan Tao. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09355979B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Interconnect structure for advanced packaging and method for the same

Номер патента: US20240304573A1. Автор: Yonggang Jin. Владелец: Oip Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240290669A1. Автор: Dohyun Kim,Hyoeun Kim,Sunkyoung Seo,Yeongseon Kim,Juhyeon KIM,JeongOh Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Multi-chip package structure and method of forming same

Номер патента: US09748189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Photoelectric sensing integrated system and packaging method, lens module, and electronic device

Номер патента: US20210210542A1. Автор: Xiaoshan QIN. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

3d integrated circuit (3dic) structures and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240258222A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20230197656A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US11942444B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device with composite dielectric structure and method for forming the same

Номер патента: US20210296276A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor interconnect structures with vertically offset bonding surfaces, and associated systems and methods

Номер патента: US20240222300A1. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Direct write interconnections and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130154110A1. Автор: Arun Virupaksha Gowda. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor structure and method for making the same

Номер патента: US11942418B2. Автор: Wei-Ken LIN,Po-Chuan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and methods of manufacturing

Номер патента: US20230420392A1. Автор: Kong-Beng Thei,Tsung-Chieh Tsai,Yu-Chang Jong,Yu-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Light emitting diode module and display device having the same

Номер патента: EP3809461A1. Автор: Jinho Kim,Sangmin Shin,Youngki Jung,Chulgyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-21.

Light emitting diode module and display device having the same

Номер патента: US12136616B2. Автор: Jinho Kim,Sangmin Shin,Youngki Jung,Chulgyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Bonding structure and method of forming same

Номер патента: US12119318B2. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Led module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140340887A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-11-20.

LED module and method for fabricating the same

Номер патента: US09941259B2. Автор: Jinmo Kim,Daewon Kim,Jinwon Choi,Jimin Her,Younghwan Shin,Kyujin Lee,Sol Han,Taekyung Yoo. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Led holder, led module and method for manufacturing led holder

Номер патента: US20190245125A1. Автор: Jing Chen. Владелец: Kaistar Lighting Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240250062A1. Автор: Heesoo Lee,Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09653445B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Integrated package and method for making the same

Номер патента: US20240105569A1. Автор: ByungHyun Kwak. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor package and method

Номер патента: US12051650B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Package and Method

Номер патента: US20240339408A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor Packages and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240332176A1. Автор: Ting-Chu Ko,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor packages including heat spreaders and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847285B1. Автор: Jong Hoon Kim,Han Jun Bae,Ki Jun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies

Номер патента: US20200243444A1. Автор: Suan Jeung Boon,Yong Poo Chia,Meow Koon Eng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies

Номер патента: US20180158778A1. Автор: Suan Jeung Boon,Yong Poo Chia,Meow Koon Eng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies

Номер патента: US20120241982A1. Автор: Chia Yong Poo,Boon Suan Jeung,Eng Meow Koon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Packaged semiconductor assemblies and methods for manufacturing such assemblies

Номер патента: US09911696B2. Автор: Suan Jeung Boon,Yong Poo Chia,Meow Koon Eng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240379439A1. Автор: Ming-Fa Chen,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Interconnect structure with redundant electrical connectors and associated systems and methods

Номер патента: US09818728B2. Автор: Anilkumar Chandolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Interconnect structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137567B2. Автор: Zhenyu Lu,Feng Pan,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Die, memory and method of manufacturing die

Номер патента: US20220375824A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Die, memory and method of manufacturing die

Номер патента: US12119286B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Air Gap Adjacent to Stress Sensitive Region of the Die

Номер патента: US20130093068A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Package structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371778A1. Автор: Ming-Che Ho,Hung-Jui Kuo,Tzung-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Bonded die assembly using a face-to-back oxide bonding and methods for making the same

Номер патента: US20200402990A1. Автор: Akio Nishida,Masatoshi Nishikawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

3d integrated circuit (3dic) structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258221A1. Автор: Jongkook Kim,Chengtar WU,ChoongBin YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Hybrid Substrate with Uniform Thickness

Номер патента: US20240071885A1. Автор: Linda Pei Ee CHUA,Yaojian Lin,Jian Zuo,Hin Hwa Goh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor devices comprising interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US20150357284A1. Автор: Nishant Sinha,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor die including fuse structure and methods for forming the same

Номер патента: US12107078B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09847324B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12046561B2. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Thermally and electrically conductive interconnect structures

Номер патента: WO2009082732A1. Автор: Radesh Jewram,Sanjay Misra. Владелец: The Bergquist Company. Дата публикации: 2009-07-02.

Thermally and electrically conductive interconnect structures

Номер патента: EP2232969A1. Автор: Radesh Jewram,Sanjay Misra. Владелец: Bergquist Co Inc. Дата публикации: 2010-09-29.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339415A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Szu-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Package structure and method for forming same

Номер патента: US09520385B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Kuo-Chuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor Device and Method of Forming Build-Up Interconnect Structures Over a Temporary Substrate

Номер патента: US20180006008A1. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor Device and Method of Forming an Antenna-in-Package Structure

Номер патента: US20240321664A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Post-passivation interconnect structure

Номер патента: US09613914B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230098026A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11854867B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Copper interconnect for an integrated circuit and methods for its fabrication

Номер патента: US20020090804A1. Автор: Allen Mcteer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Interconnection structure, semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200294929A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Interposer, semiconductor package with the same and method for preparing a semiconductor package with the same

Номер патента: US09761535B1. Автор: Po Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Functional block stacked 3DIC and method of making same

Номер патента: US09564420B2. Автор: Chen-Hua Yu,Kuo-Chung Yee,Chih-Hang Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20230378030A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US11854944B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230307417A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device assemblies with coplanar interconnect structures, and methods for making the same

Номер патента: US20240071914A1. Автор: Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11862569B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240136295A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: WO2022046482A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Phase change interconnects and methods for forming the same

Номер патента: US20230058704A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods of forming wire interconnect structures

Номер патента: US20170345787A1. Автор: Thomas J. Colosimo, JR.,Jon W. Brunner. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods of forming wire interconnect structures

Номер патента: US20150132888A1. Автор: Thomas J. Colosimo, JR.,Jon W. Brunner. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Methods of forming wire interconnect structures

Номер патента: US09865560B2. Автор: Thomas J. Colosimo, JR.,Jon W. Brunner. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods of forming wire interconnect structures

Номер патента: US09502371B2. Автор: Thomas J. Colosimo, JR.,Jon W. Brunner. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Through-silicon via interconnection structure and methods for fabricating same

Номер патента: US11876078B2. Автор: Chihwei CHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240162119A1. Автор: Ting-Chu Ko,Der-Chyang Yeh,Ching-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device assemblies having face-to-face subassemblies, and methods for making the same

Номер патента: US20240071891A1. Автор: Thiagarajan Raman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20240087990A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Designs and methods for conductive bumps

Номер патента: WO2005031848A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Valery Dubin,Mark Bohr. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-04-07.

Designs and methods for conductive bumps

Номер патента: US09543261B2. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Valery M. Dubin,Mark Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor apparatus having stacked devices and method of manufacture thereof

Номер патента: US20210118799A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Power overlay structure and method of making same

Номер патента: US09704788B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Interconnect structure with footing region

Номер патента: US09627318B2. Автор: Yu-Pin Chang,Ling Mei LIN,Chun Li WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Thermo-compression bonded electrical interconnect structure

Номер патента: US20110095431A1. Автор: Bruce K. Furman,Jae-Woong Nah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-04-28.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US11901349B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20220367435A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang,Han-Tang HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Interconnection structures and methods for making the same

Номер патента: US09786634B2. Автор: Chun-Hsiang Yang,Cheng-Heng Kao,Han-Tang HUNG,Yan-Bin Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230089223A1. Автор: Soichi Homma,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and method of fabricating 3D package with short cycle time and high yield

Номер патента: US09941207B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Testing module and method for using the same

Номер патента: US20230343653A1. Автор: Jung-Hui Kao,Kong-Beng Thei,Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device interconnects and methods of formation

Номер патента: US12087832B2. Автор: Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu,Yi-Ruei JHAN,I-Hung LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit structure and method for forming the same

Номер патента: US12094930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Su-Jen Sung,Guan-Yao TU,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

RF amplifier module and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09509251B2. Автор: Jeffrey K. Jones. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-29.

Interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US09412695B1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12080681B2. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect Structure and Methods Thereof

Номер патента: US20180350738A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12057410B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347454A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347451A1. Автор: Zih-Hong Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09917048B2. Автор: Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Interconnect structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09807867B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Fu-Lung Hsueh,Chewn-Pu Jou,Jiun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method of dual-molding die formed on opposite sides of build-up interconnect structure

Номер патента: US09443829B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20230305226A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11703639B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US12092862B2. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240355762A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20240369761A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method of forming dual-sided interconnect structures in Fo-WLCSP

Номер патента: US09978654B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of forming athin wafer without a carrier

Номер патента: SG183779A1. Автор: Pandi Chelvam Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor Device and Method of Stacking Semiconductor Die on a Fan-Out WLCSP

Номер патента: US20150001709A1. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of stacking semiconductor die on a fan-out WLCSP

Номер патента: US09478485B2. Автор: Xusheng Bao,KwokKeung Szeto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12142574B2. Автор: Yao-Te Huang,Jiing-Feng Yang,Yung-Shih Cheng,Hui LEE,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Cap structure for interconnect dielectrics and methods of fabrication

Номер патента: WO2022132263A1. Автор: Charles Wallace,Sudipto NASKAR,Shashi Vyas. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20240203907A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor package and method

Номер патента: US12021053B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240194590A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266294A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method offorming flipchip interconnect structure

Номер патента: SG181205A1. Автор: Rajendra D Pendse. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor Package and Method

Номер патента: US20240304585A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device structure with dielectric liner portions and method for preparing the same

Номер патента: US20240266293A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US09659819B2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200020633A1. Автор: Jung-Hua Chang,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120273748A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Copper interconnect structure and its formation

Номер патента: US09589894B2. Автор: Takeshi Nogami,Christopher Parks,Daniel Edelstein,Tsong Lin Leo Tai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Interconnect Structure without Barrier Layer on Bottom Surface of Via

Номер патента: US20220262675A1. Автор: Ming-Han Lee,Tz-Jun Kuo,Chien-Hsin Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20240355641A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US12062551B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Self aligned interconnect structures

Номер патента: US09922929B1. Автор: Hoon Kim,Xunyuan Zhang,Roderick A. Augur. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated Circuit Structure and Method

Номер патента: US20230369254A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit structure and method

Номер патента: US11764171B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Kuo Lung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Interconnection structures for semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09941206B2. Автор: Minsung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09875928B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09842775B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming a thin wafer without a carrier

Номер патента: US09443762B2. Автор: Pandi C. Marimuthu,Shuangwu Huang,Nathapong Suthiwongsunthorn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20220406718A1. Автор: Ming-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Electrostatic discharge circuit and method of forming the same

Номер патента: US12046567B2. Автор: Kuo-Ji Chen,Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Tao-Yi HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor Device and Method of Forming Inverted Pyramid Cavity Semiconductor Package

Номер патента: US20170133323A1. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11757042B2. Автор: Hou-Yu Chen,Ching-Wei Tsai,Pei-Yu Wang,Cheng-Ting Chung,Yi-Bo Liao,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having interconnection structure

Номер патента: US09875931B2. Автор: Youngwoo Park,Dohyun LEE,Junghoon Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US09859258B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Yu Chen,An-Jhih Su,Tien-Chung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of confining conductive bump material with solder mask patch

Номер патента: US09679811B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of forming inverted pyramid cavity semiconductor package

Номер патента: US09601461B2. Автор: Kok Khoon Ho,Satyamoorthi Chinnusamy. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Interconnect structure and methods of making same

Номер патента: US09576851B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Tsung-Jung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US09543232B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Interconnection structure, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09524903B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US12057446B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Stacked semiconductor device and method

Номер патента: US20240355815A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Interconnection structure and method of forming the same

Номер патента: US09780026B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming interconnect substrate for FO-WLCSP

Номер патента: US09679863B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Flip-chip stacking structures and methods for forming the same

Номер патента: US20220254755A1. Автор: Peng Chen,Meng Wang,Baohua Zhang,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US09911698B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Reliable packaging and interconnect structures

Номер патента: US09711401B2. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Copper interconnection structure and method for forming copper interconnections

Номер патента: US20120003390A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240274539A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Interconnection structure

Номер патента: US20240339397A1. Автор: Yu-Han TSAI,Chih-Sheng Chang,Min-Shiang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Interconnect structures and fabrication method thereof

Номер патента: US09978646B2. Автор: Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Structures and methods to enable a full intermetallic interconnect

Номер патента: US09911711B2. Автор: Charles L. Arvin,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115339A1. Автор: Chih-Cheng LEE,Yu-Lin Shih. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor Device and Method of Forming Shielding Layer Over Semiconductor Die Mounted to TSV Interposer

Номер патента: US20120299165A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Inverted damascene interconnect structures

Номер патента: US09984919B1. Автор: Peng Xu,Xunyuan Zhang,Yongan Xu,Chanro Park,Yann Mignot. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of forming a vertical interconnect structure for 3-D FO-WLCSP

Номер патента: US09768155B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming shielding layer over semiconductor die mounted to TSV interposer

Номер патента: US09685403B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Interconnect structure

Номер патента: US09570389B1. Автор: WEN Liu,Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Dinesh A. Badami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Self-aligned via structures and methods

Номер патента: US20240339396A1. Автор: Chieh-Han Wu,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Interconnect structure

Номер патента: US09514981B1. Автор: WEN Liu,Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Dinesh A. Badami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12033965B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Yi-Ming Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Replacement deep via and buried or backside power rail with backside interconnect structure

Номер патента: EP4199054A3. Автор: Prashant Majhi,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-05.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20190304900A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Interconnect Structure for Logic Circuit

Номер патента: US20230197605A1. Автор: Fang Chen,Jhon Jhy Liaw,Min-Chang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Fan-Out Package Structure and Method

Номер патента: US20180190578A1. Автор: Sao-Ling Chiu,Tzu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US09899261B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Self-aligned airgap interconnect structures

Номер патента: US09490202B2. Автор: Qinghuang Lin,Cyril Cabral,Benjamin L. Fletcher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Low via resistance interconnect structure

Номер патента: WO2023136914A1. Автор: John Jianhong ZHU,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device having a multi-level interconnection structure

Номер патента: US20170033041A1. Автор: Takeshi Morita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Interconnect structures

Номер патента: US12125784B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Jeremy Alfred Theil,Gaius Gillman Fountain, Jr.. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of making wafer level chip scale package

Номер патента: US09673093B2. Автор: Chien Chen Lee,Baw-Ching Perng,Ming-Che Hsieh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a multi-level interconnection structure

Номер патента: US09627315B2. Автор: Takeshi Morita. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Interconnect structures

Номер патента: US20240379539A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Jeremy Alfred Theil,Gaius Gillman Fountain, Jr.. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11011416B2. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-05-18.

Semiconductor structure and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20200343132A1. Автор: JIN Jisong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor interconnect structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170025360A1. Автор: Po-Wen Chiu,Chao-Hui Yeh,Zheng-Yong Liang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-01-26.

Graphite-Based Interconnects And Methods Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230275024A1. Автор: Chih-Chien Chi,Shu-Cheng Chin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Back-end-of-line (BEOL) interconnect structure

Номер патента: US09870944B2. Автор: Keng-Chu Lin,Joung-Wei Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Forming interconnect structures utilizing subtractive paterning techniques

Номер патента: US09842800B2. Автор: Robert A. May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Interconnect structures with enhanced electromigration resistance

Номер патента: US09711450B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Interconnect structures with enhanced electromigration resistance

Номер патента: US09711400B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Electronic carrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002743B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220399240A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Interconnect structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200144175A1. Автор: ZUOPENG He,Ji Guang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Forming interconnect structures utilizing subtractive paterning techniques

Номер патента: US20170278780A1. Автор: Robert A. May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Interconnect structures with enhanced electromigration resistance

Номер патента: US09947580B2. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

High density organic bridge device and method

Номер патента: US09548264B2. Автор: Mihir K. Roy,Wei-Lun Kane Jen,Stefanie M. Lotz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor package and method of forming thereof

Номер патента: US11935761B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device package and methods of manufacture

Номер патента: US20230378150A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Package and Method

Номер патента: US20240021467A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Wei-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device package and methods of manufacture

Номер патента: US11756945B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Interconnect structure with skipvia

Номер патента: US20240153868A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11901245B2. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115276A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240186193A1. Автор: Chen-Chao Wang,Chih-Yi Huang,Keng-Tuan Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062612B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Self-aligned low resistance metallic interconnect structures

Номер патента: US09793156B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication method of interconnect structure

Номер патента: US09754799B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Methods of forming reduced resistance local interconnect structures and the resulting devices

Номер патента: US09553028B2. Автор: Ruilong Xie,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of forming an interconnect structure

Номер патента: US09502288B2. Автор: Son Van Nguyen,Alfred Grill,Hosadurga Shobha,Tuan A. Vo,Thomas J. Haigh, JR.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013082844A1. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai Ic R&D Center Co.,Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Interconnect structures including self aligned vias

Номер патента: US20210090942A1. Автор: Chih-Chao Yang,Terry A. Spooner,Shyng-Tsong Chen,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor Package and Method of Forming Thereof

Номер патента: US20230386866A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210225806A1. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190273108A1. Автор: Hidenori Sato,Koji Iizuka,Takeshi Kamino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027467B2. Автор: Shao-Lun YANG,Chun-Hung Yeh,Wei-Chih CHO,Tsung-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor Device and Method of Forming Ultra Thin Multi-Die Face-to-Face WLCSP

Номер патента: US20170309572A1. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,Junwoo Myung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Utilization of energy absorbing layer to improve metal flow and fill in a novel interconnect structure

Номер патента: US20010045654A1. Автор: John H. Givens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Electronic component and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847365B2. Автор: Nicolas Hotellier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-12-19.

Interconnect structures with variable dopant levels

Номер патента: US09768065B1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Ping-Chuan Wang,Cathryn J. Christiansen,Ronald G. Filippi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method of forming ultra thin multi-die face-to-face WLCSP

Номер патента: US09735113B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,Junwoo Myung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated circuit devices and methods

Номер патента: US09543248B2. Автор: John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method of forming channels in back surface of FO-WLCSP for heat dissipation

Номер патента: US09431316B2. Автор: Reza Argenty Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Implanted conductor and methods of making

Номер патента: US6017829A. Автор: Paul A. Farrar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-01-25.

Semiconductor device and method of dual-molding die formed on opposite sides of build-up interconnect structure

Номер патента: US9076803B2. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US11798879B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230369249A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11894318B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with composite passivation structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210257292A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11784140B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Package structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20220336416A1. Автор: Shang-Yun Hou,Wen-Wei Shen,Sung-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Hybrid via interconnect structure

Номер патента: US12051643B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interconnect Structure with Partial Sidewall Liner

Номер патента: US20210375671A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Interconnect structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180151488A1. Автор: ZUOPENG He,Ji Guang Zhu. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Low resistance semiconductor interconnect structure

Номер патента: US20240304546A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Interconnection structure with sidewall dielectric protection layer

Номер патента: US09859156B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming interconnection structures

Номер патента: US09496172B2. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Interconnect structure and method of making same

Номер патента: US20090152723A1. Автор: Shom Ponoth,Terry A. Spooner,Ya Ou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Photonic Semiconductor Device And Method

Номер патента: US20220128759A1. Автор: Mohammed Rabiul Islam,Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Interconnect structure and methods thereof

Номер патента: US20180061753A1. Автор: Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Hybrid carbon-metal interconnect structures

Номер патента: US9680105B2. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Hybrid carbon-metal interconnect structures

Номер патента: US20160056384A1. Автор: Hans-Joachim Barth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Carbon nanotube interconnect structures

Номер патента: US20100022083A1. Автор: Valery M. Dubin,Florian Gstrein,Adrien R. Lavoie,Juan E. Dominguez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US12107050B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240379460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Low resistance contact between integrated circuit metal levels and method for same

Номер патента: US5904565A. Автор: Sheng Teng Hsu,Tue Nguyen. Владелец: Sharp Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Semiconductor Package And Method

Номер патента: US20230060716A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411355A1. Автор: Eunkyoung CHOI,Changeun JOO,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor package and method

Номер патента: US11955442B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10446473B1. Автор: Xiang Li,Yu-Cheng Tung,Ding-Lung Chen,En-Feng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180182703A1. Автор: Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20160005689A1. Автор: Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor package and method for manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240014086A1. Автор: Seokhyun Lee,Hwanyoung Choi,Seokgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US20150294937A1. Автор: Chien-Chih Chiu,Ming-Chung Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047360A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230061128A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Interconnection structure with composite isolation feature and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047361A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210035910A1. Автор: Jiyoung Kim,Byungjin LEE,Woosung YANG,Jungsok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Superconductive interconnect structure

Номер патента: US20240038589A1. Автор: Zsolt Tokei,Anshul Gupta,Quentin Paul Herr,Anna Yurievna Herr. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-01.

Interconnect structure and electronic device including the same

Номер патента: US20230130702A1. Автор: Sungtae Kim,Keunwook SHIN,Alum Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Providing a void-free filled interconnect structure in a layer of a package substrate

Номер патента: US20140332974A1. Автор: Mark S. Hlad,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Superconductive interconnect structure

Номер патента: WO2024023334A1. Автор: Zsolt Tokei,Anshul Gupta,Quentin Herr,Anna Herr. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-02-01.

Interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20040241978A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ming-Shih Yeh,Chiung-Sheng Hsiung,Gwo-Shil Yang,Jen-Kon Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Interconnect structure

Номер патента: US20230238321A1. Автор: Ching-Chang Hsu,To-Wen Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Interconnect structure for fin-like field effect transistor

Номер патента: US12100628B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US12087685B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Interconnect structure

Номер патента: US12131993B2. Автор: Ching-Chang Hsu,To-Wen Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US09875967B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Interconnection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09859159B2. Автор: Dyi-chung Hu,Ra-Min Tain,Yu-Hua Chen,Yin-Po Hung. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor interconnect structure with double conductors

Номер патента: US09837350B2. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Raghuveer R. Patlolla. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Interconnect structure and fabrication thereof

Номер патента: US09761484B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: MY182653A. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Milton Clair Webb,Szuya S LIAO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-27.

Semiconductor package and method

Номер патента: US20230223359A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Reliable packaging and interconnect structures

Номер патента: US20160307798A1. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Craig Mitchell. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor Package and Method of Manufacture

Номер патента: US20210098353A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Device terminal interconnect structures

Номер патента: US11791257B2. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025328A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230326850A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Self-aligned interconnect structure

Номер патента: US11798910B2. Автор: Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Self-aligned interconnect structure

Номер патента: US20230369281A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Graphene beol integration interconnection structures

Номер патента: WO2024226197A1. Автор: Brian Cronquist,Klaus Schuegraf,Kaustav Banerjee. Владелец: Destination 2D Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09892921B2. Автор: QIYANG He,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20190304792A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Interconnect Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20180337056A1. Автор: Hung-Wen Su,Chun-Chieh Lin,Ya-Lien Lee,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Package structure, semiconductor pacakge and method of fabricating the same

Номер патента: US20200135649A1. Автор: Jung-Hua Chang,Chin-Fu Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Interconnect structures and fabrication method thereof

Номер патента: US9419090B2. Автор: Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of forming 3d inductor from prefabricated pillar frame

Номер патента: SG166725A1. Автор: Yaojian Lin,Reza A Pagaila. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US20180061770A1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Rf amplifier module and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20160285420A1. Автор: Jeffrey K. Jones. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-29.

Device terminal interconnect structures

Номер патента: US20190304902A1. Автор: Walid M. Hafez,Sairam Subramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Columnar interconnects and method of making them

Номер патента: US09997406B2. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Interconnect structure

Номер патента: US09953864B2. Автор: Wei Wang,Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Terry A. Spooner,Roger A. Quon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US09673087B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US09613851B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor Device and Method for Partial EMI Shielding

Номер патента: US20240063137A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20200312675A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Amanda. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20220059367A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20230223278A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Shuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US20190221447A1. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Amanda E. Schuckman,Lillia May. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor package and methods of manufacturing

Номер патента: US20230378039A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Meng-Liang Lin,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US10685850B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-16.

High density organic interconnect structures

Номер патента: US11631595B2. Автор: Siddharth K. Alur,Sri Chaitra Jyotsna Chavali,Lilia May,Amanda E. Schuckman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Interconnection structure and method for manufacturing same

Номер патента: US10707117B2. Автор: Kai Yan,Qiuhua Han,Duan Yi Wu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device including interconnection structure

Номер патента: US20240014068A1. Автор: Ilyoung Yoon,Jonghyuk Park,Yanghee Lee,Byoungho Kwon,Boun Yoon,Seokjun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005758A1. Автор: Shing-Yih Shih,Sheng-Fu Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods to form self-aligned permanent on-chip interconnect structures

Номер патента: US20130001801A1. Автор: Qinghuang Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor interconnect structure

Номер патента: EP1049158A2. Автор: Min Cao,Dietrich W. Vook,Jeremy A. Theil,Gary W. Ray. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-02.

Contact interconnect structures for light-emitting diode chips and related methods

Номер патента: US20240372039A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11973074B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Photonic Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240266338A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20230041837A1. Автор: Wei-Lin Chen,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yu-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Optical interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2112536A3. Автор: Yongtak Lee,Youngmin Song,Eunkyeong Min. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-27.

Optical interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8165429B2. Автор: Yongtak Lee,Youngmin Song,Eunkyeong Min. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-24.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Partially-overlapped interconnect structure and method of making

Номер патента: US20020111012A1. Автор: Kenneth Rodbell,Jeffrey Gambino,Evan Colgan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Anisotropic Magnetoresistive Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150340594A1. Автор: Chien-Min Lee,Fu-Tai Liou. Владелец: Voltafield Technology Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09911787B2. Автор: Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12020996B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US20240312850A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Interconnect structure and method for on-chip information transfer

Номер патента: US20180151802A1. Автор: Tao Wang,Wei Du,Christian Albertus NIJHUIS. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-05-31.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12107022B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method of forming MEMS package

Номер патента: US09701534B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Ferroelectric structure lining conductive interconnect structure

Номер патента: US20240274532A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: EP1905082A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-04-02.

Interconnect structure for surface mounted devices

Номер патента: US20020130410A1. Автор: Krystyna Semkow,Edward Pillai,Linda Rapp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-09-19.

Resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478741B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Determining geometrical configuration of interconnect structure

Номер патента: US20070298527A1. Автор: Essam Mina,Wayne H. Woods,William Piper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Cascaded bipolar junction transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230402532A1. Автор: Kuo-Ming Wu,Hong-Shyang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Interconnect structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040105968A1. Автор: Chiung-Sheng Hsiung,Ming-Shi Yeh,Yao-Chin Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Interconnect structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040106273A1. Автор: Chiung-Sheng Hsiung,Ming-Shi Yeh,Yao-Chin Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-06-03.

Electronic assembly and electronic system with impedance matched interconnect structures

Номер патента: EP4170712A2. Автор: Gerald Weis. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2023-04-26.

Package to board interconnect structure with built-in reference plane structure

Номер патента: US09974174B1. Автор: David Clegg,Tingdong Zhou,Robert Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Interconnect structures for logic and memory devices and methods of fabrication

Номер патента: US20200303623A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Gokul Malyavanatham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Conductive interconnection structure for a glass-glass photovoltaic module

Номер патента: US20190088809A1. Автор: Luigi Marras,Elisa BACCINI,Bruno Bucci. Владелец: EBFOIL Srl. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997442B1. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN,Chai-Chi Lin,Chih-Yung Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Three-dimensional interconnect structure adapted for high frequency RF circuits

Номер патента: US09900985B2. Автор: Timothy E. Shirley. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170110507A1. Автор: Gwanhyeob Koh,Yoonjong Song,Kiseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-20.

Interconnect structure

Номер патента: US20240055351A1. Автор: Tien-Lu Lin,Chia-Ming Wu,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Mei Ling Ho,Jui-Neng Tu. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Interconnect structure with varying modulus of elasticity

Номер патента: US20190212363A1. Автор: Justin Huttula,Pooya Tadayon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Interconnect structure surface modifications by passivating agents

Номер патента: US12036578B1. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Rami HOURANI,Tayseer MAHDI,Eungnak Han. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabricating preassembled optoelectronic interconnect structures

Номер патента: US09490897B2. Автор: Casimer M. DeCusatis,Rajaram B. Krishnamurthy,Michael Onghena,Anuradha Rao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Three-wire-line vertical interconnect structure for multilevel substrates

Номер патента: US5644277A. Автор: Jon J. Gulick,John J. Wooldridge. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1997-07-01.

Electronic package for electronic components and method of making same

Номер патента: MY124761A. Автор: S Kresge John,D Sebesta Robert,B Stone David,R Wilcox James. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-07-31.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US20230386943A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

A semitransparent optical detector with a transparent conductor and method of making

Номер патента: WO2001071820A3. Автор: Eugene Y Ma. Владелец: Aegis Semiconductor. Дата публикации: 2002-02-14.

Graphene beol integration interconnection structures

Номер патента: US20240339407A1. Автор: Brian Cronquist,Klaus Schuegraf,Kaustav Banerjee. Владелец: Destination 2d Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

High density interconnect structure with top mounted components

Номер патента: US5200810A. Автор: Charles W. Eichelberger,Robert J. Wojnarowski. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-04-06.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US11854914B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Probe pad with built-in interconnect structure

Номер патента: US20230170266A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Saumya Sharma,Ruturaj Nandkumar Pujari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

A semitransparent optical detector including a silicon and germanium alloy and method of making

Номер патента: WO2001073850A3. Автор: Sigurd Wagner,Adam M Payne. Владелец: Aegis Semiconductor. Дата публикации: 2002-05-16.

Interconnection structure of semiconductor element

Номер патента: US6787705B2. Автор: Eiichi Umemura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Semiconductor device having a multilayer interconnection structure

Номер патента: US20110121460A1. Автор: Kenichi Watanabe,Satoshi Otsuka,Tomoji Nakamura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Power interconnect structure for balanced bitline capacitance in a memory array

Номер патента: WO2007005870A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-01-11.

METAL AIR BATTERY HAVING AIR PURIFICATION MODULE AND AND METHOD OF OPERATING THE METAL AIR BATTERY

Номер патента: US20160344080A1. Автор: KWON Hyukjae,Ko Jeongsik,Im Dongmin. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Stretchable interconnect structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12120814B2. Автор: Yue Zhao,Chee Keong Tee,Yu Jun TAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-10-15.

Device, system and method for providing zone-based configuration of socket structures

Номер патента: WO2017112075A1. Автор: Zhen Zhou,Anne M. SEPIC,Evan M. Fledell. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-06-29.

Socket interconnect structures and related methods

Номер патента: US20240113479A1. Автор: Kai Xiao,Phil Geng,Raul Enriquez Shibayama,Steven A. Klein,Carlos Alberto Lizalde Moreno. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

A monitored optical component and method of making

Номер патента: WO2001073903A3. Автор: Sigurd Wagner,Adam M Payne,Eugene Y Ma. Владелец: Aegis Semiconductor. Дата публикации: 2002-12-27.

Scalable interconnect structure utilizing quality-of-service handling

Номер патента: EP1400068A2. Автор: John E. Hesse,Coke S. Reed. Владелец: Interactic Holdings LLC. Дата публикации: 2004-03-24.

Scalable interconnect structure utilizing quality-of-service handling

Номер патента: WO2002033899A3. Автор: Coke S Reed,John E Hess. Владелец: Interactic Holdings LLC. Дата публикации: 2004-01-08.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240365677A1. Автор: Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Yi-An Shih,I-Fan Chang,Hsiu-Hao Hu,Po Kai Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Circuit And Method For Balancing Energy Management Over Time

Номер патента: US20230318309A1. Автор: Milan TURENA,Ludvik DOLECEK. Владелец: Ceska Energeticko Auditorska Spolecnost SRO. Дата публикации: 2023-10-05.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12092861B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit and method for balancing energy management over time

Номер патента: EP4118725A1. Автор: Milan TURENA,Ludvik DOLECEK. Владелец: Ceska Energeticko Auditorska Spolecnost SRO. Дата публикации: 2023-01-18.

Circuit and method for balancing energy management over time

Номер патента: WO2021185393A1. Автор: Milan TURENA,Ludvik DOLECEK. Владелец: Ceska Energeticko-Auditorska Spolecnost, S. R. O.. Дата публикации: 2021-09-23.

Photonic semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240361520A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsing-Kuo Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Tailored Conductive Interconnect Structures Having Microstructures Supported By A Shrinkable Polymer

Номер патента: US20200015349A1. Автор: Catherine Trent,Kyle L. Grosse. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-01-09.

Tailored conductive interconnect structures having microstructures supported by a shrinkable polymer

Номер патента: EP3818789A1. Автор: Catherine Trent,Kyle L. Grosse. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2021-05-12.

Interconnect structure and method in programmable devices

Номер патента: US20060087342A1. Автор: Kailash Digari,Manuj Ayodhyawasi. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2006-04-27.

Led module and method for operating a led module

Номер патента: WO2015104408A1. Автор: Istvan Bakk. Владелец: Tridonic Jennersdorf GmbH. Дата публикации: 2015-07-16.

Led module and method for operating a led module

Номер патента: EP3095300A1. Автор: Istvan Bakk. Владелец: Tridonic Jennersdorf GmbH. Дата публикации: 2016-11-23.

Led module and method for operating a led module

Номер патента: EP4017219A1. Автор: Istvan Bakk. Владелец: Tridonic GmbH and Co KG. Дата публикации: 2022-06-22.

Device and method of manufacture of an interconnection structure for printed circuit boards

Номер патента: WO2006007166A3. Автор: Stephen C Joy. Владелец: Stephen C Joy. Дата публикации: 2007-01-11.

Device and method of manufacture of an interconnection structure for printed circuit boards

Номер патента: WO2006007166A2. Автор: Stephen C. Joy. Владелец: Joy Stephen C. Дата публикации: 2006-01-19.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: WO2002005606A2. Автор: Charles A. Miller,John M. Long. Владелец: FORMFACTOR, INC.. Дата публикации: 2002-01-17.

Scalable interconnect structure utilizing quality-of-service handling

Номер патента: WO2002033899A2. Автор: Coke S. Reed,John E. Hess. Владелец: Interactic Holdings, Llc. Дата публикации: 2002-04-25.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20090179659A1. Автор: Charles A. Miller,John Matthew Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20050001638A1. Автор: Charles Miller,John Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: US20030169061A1. Автор: Charles Miller,John Long. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2003-09-11.

Closed-grid bus architecture for wafer interconnect structure

Номер патента: WO2002005606A3. Автор: Charles A Miller,John M Long. Владелец: John M Long. Дата публикации: 2002-04-18.

Multi-port sram cell with metal interconnect structures

Номер патента: US20240306359A1. Автор: Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215257A1. Автор: Zhenyu Lu,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

LED string control system, LED modules, and method of controlling the same

Номер патента: US12114407B2. Автор: Wen-Chi PENG. Владелец: Semisilicon Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Interconnect structure enabling indirect routing in programmable logic

Номер патента: US20060139055A1. Автор: Nitin Deshmukh,Kailash Digari. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2006-06-29.

Alignment mechanism of optical interconnect structure

Номер патента: US09971111B1. Автор: Hsiang Han Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Alignment mechanism of optical interconnect structure

Номер патента: US09971110B1. Автор: Hsiang Han Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Micro-electromechanical system device and method of forming the same

Номер патента: US11878905B2. Автор: Jia Jie Xia. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Structures and methods for controlling losses in printed circuit boards

Номер патента: RU2719305C1. Автор: Стивен Роберт ШОУ. Владелец: И-Серкит Моторс, Инк.. Дата публикации: 2020-04-17.

Structure and method for embedding capacitors in Z-connected multi-chip modules

Номер патента: US20030089936A1. Автор: Mark McCormack,Mike Peters. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Systems and methods of testing memory devices

Номер патента: US12079152B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication

Номер патента: WO2008042304A3. Автор: John S Foster,Kimon Rybnicek,Paul J Rubel,Steven H Hovey. Владелец: Steven H Hovey. Дата публикации: 2008-06-26.

Flex circuit with dual sided interconnect structure

Номер патента: US20130286800A1. Автор: Ravishankar Ajjanagadde Shivarama,Bradley J. Ver Meer. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

Flex circuit with dual sided interconnect structure

Номер патента: WO2013163409A1. Автор: Bradley J. Ver Meer,Ravishankar A. SHIVARAMA. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

Interconnect structure for display device and projection display apparatus

Номер патента: US20070171216A1. Автор: Hiroshi Sata,Koichi Katagawa,Hideaki Kawaura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Electromigration testing and evaluation apparatus and methods

Номер патента: US8237458B2. Автор: Xavier Federspiel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-08-07.

Electromigration testing and evaluation apparatus and methods

Номер патента: WO2008120151A1. Автор: Xavier Federspiel. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-10-09.

Electromigration testing and evaluation apparatus and methods

Номер патента: US20100127719A1. Автор: Xavier Federspiel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-05-27.

Interconnect structure

Номер патента: US8384164B1. Автор: Jonathan Jung-Ching Ho. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2013-02-26.

Apparatuses and methods for installing light modules

Номер патента: US09587810B2. Автор: Esmail Khalid Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Display device and method for controlling same

Номер патента: EP3800627A1. Автор: Byeongcheol Hyeon,Jaehyang LEE,Yonghoon YEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-07.

Refrigerator and method of manufacturing metal photocatalyst filter of the refrigerator

Номер патента: US09803910B2. Автор: Yuri Choi,Eunjeong Kim,Myungsuk Lee,Jeongyon KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-10-31.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.