VIAS IN COMPOSITE IC CHIP STRUCTURES.

VIAS IN COMPOSITE IC CHIP STRUCTURES

Номер патента: US20210098407A1
Опубликовано: 01-04-2021
Автор(ы): Elsherbini Adel, Kobrinksy Mauro, LE VAN, Liff Shawna, MORROW Patrick, Pasdast Gerald, SWAN Johanna
Принадлежит: Intel Corporation
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

VIAS IN COMPOSITE IC CHIP STRUCTURES

Номер патента: US20220037281A1. Автор: MORROW Patrick,Elsherbini Adel,LE VAN,SWAN Johanna,Liff Shawna,Pasdast Gerald,Kobrinksy Mauro. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-02-03.

Vias in composite IC chip structures

Номер патента: US11205630B2. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Mauro Kobrinksy,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Integrated device comprising wires as vias in an encapsulation layer

Номер патента: EP3140855A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,Steve Joseph Bezuk,Reynante Tamunan Alvarado. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Integrated device comprising wires as vias in an encapsulation layer

Номер патента: WO2015171299A1. Автор: Lizabeth Ann Keser,Steve Joseph Bezuk,Reynante Tamunan Alvarado. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-12.

PASSIVE COMPONENTS IN VIAS IN A STACKED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE

Номер патента: US20160190113A1. Автор: Sharan Sujit,RUSU Stefan,Mahajan Ravindranath,GARDNER Donald. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Chip structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11935859B2. Автор: Chia-Hsiang Chen,Jiun-Yen LAI. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Insulating a via in a semiconductor substrate

Номер патента: US09728450B2. Автор: Kevin S. Petrarca,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq,Jennifer A. Oakley,Nicole R. Reardon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Insulating a via in a semiconductor substrate

Номер патента: US20170256447A1. Автор: Kevin S. Petrarca,Andrew H. Simon,Mukta G. Farooq,Jennifer A. Oakley,Nicole R. Reardon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Electrical conductive vias in a semiconductor substrate and a corresponding manufacturing method

Номер патента: US20170294351A1. Автор: Roy Knechtel,Uwe Schwarz,Sophia Dempwolf,Daniela Guenther. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-10-12.

Integrated circuit (IC) chips with through silicon vias (TSV) and method of forming the IC

Номер патента: US09536784B1. Автор: Mukta G. Farooq,Andrew J. Martin,Jennifer A. Oakley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

INTEGRATED DEVICE COMPRISING WIRES AS VIAS IN AN ENCAPSULATION LAYER

Номер патента: US20150325496A1. Автор: KESER Lizabeth Ann,ALVARADO Reynante Tamunan,Bezuk Steve Joseph. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for sealing vias in a substrate

Номер патента: EP2084741A1. Автор: Billy D. Ables,Premjeet Chahal,Francis J. Morris,Sankerlingam Rajendran. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2009-08-05.

Selective electroless plating of vias in vlsi devices

Номер патента: CA1253037A. Автор: Gary N. Poli,George E. Georgiou. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

Selective electroless plating of vias in VLSI devices

Номер патента: US4692349A. Автор: Gary N. Poli,George E. Georgiou. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1987-09-08.

Chip structure with a passive device and method for forming the same

Номер патента: US8421158B2. Автор: Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Through-Circuit Vias In Interconnect Structures

Номер патента: US20230386973A1. Автор: Jian-Hong Lin,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Yinlung Lu,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Through-Circuit Vias In Interconnect Structures

Номер патента: US20220367323A1. Автор: Jian-Hong Lin,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Yinlung Lu,Hsin-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor die with through-hole via on saw streets and through-hole via in active area of die

Номер патента: TWI373110B. Автор: Byung Tai Do,Heap Hoe Kuan,Linda Pei Ee CHUA. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-09-21.

Composite ic chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host ic chip

Номер патента: US20210375830A1. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Composite IC chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host IC chip

Номер патента: US11749649B2. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Forming self-aligned vertical interconnect accesses (vias) in interconnect structures for integrated circuits (ics)

Номер патента: EP3433877A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for forming an electrically conductive via in a substrate

Номер патента: US09748136B2. Автор: Johannes Oonk,Peter Tijssen,Marko Theodoor Blom,Ronny van 't Oever,Jeroen Haneveld. Владелец: Micronit Microfluidics BV. Дата публикации: 2017-08-29.

Halbleiter-package mit ic-chip-kopplern

Номер патента: DE102022129701A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US09768113B2. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-19.

Logic drive based on chip scale package comprising standardized commodity programmable logic ic chip and memory ic chip

Номер патента: US20230378074A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Conductive vias in semiconductor packages and methods of forming same

Номер патента: US20200006143A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hung-Pin Chang,Sao-Ling Chiu,Sung-Hui Huang,Wan-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Chip structure with etch stop layer

Номер патента: US20230268272A1. Автор: Wei-Li Huang,Kun-Ming Tsai,Shih-Hao Lin,Ping-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Metal interconnect forming methods and IC chip including metal interconnect

Номер патента: US7718525B2. Автор: Kevin S. Petrarca,Shahab Siddiqui,Kaushik A. Kumar,Karl W. Barth,Ramona Kei. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US12057419B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Chip structures with distributed wiring

Номер патента: US09673220B1. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Randy L. Wolf. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230363182A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Chip structure with etch stop layer and method for forming the same

Номер патента: US20230051280A1. Автор: Wei-Li Huang,Kun-Ming Tsai,Shih-Hao Lin,Ping-En CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Chip structure with conductive via structure and method for forming the same

Номер патента: US11908790B2. Автор: Ching-Wen Hsiao,Po-Hao Tsai,Hong-Seng Shue,Ting-Li Yang,Yu-Tse Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Chip structure and method for forming the same

Номер патента: US20210118829A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Chip structure with conductive pillar and method for forming the same

Номер патента: US20230253356A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Ming-Da Cheng,Yuan-Yao Chang,Hsiao-Wen Chung,Meng-Hsiu Hsieh,Li-Chun Hung,Shan-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US20220359438A1. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Chip structure and process for forming the same

Номер патента: US20080124918A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Ching-Cheng Huang,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

A method of forming a through-body via in a semiconductor die and an integrated circuit comprising the through-body via

Номер патента: KR102353651B1. Автор: 케빈 제이. 리. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2022-01-21.

INSULATING A VIA IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20170256447A1. Автор: Petrarca Kevin S.,Farooq Mukta G.,Simon Andrew H.,OAKLEY Jennifer A.,REARDON NICOLE R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Microelectronic devices and methods for filling vias in microelectronic devices

Номер патента: US09653420B2. Автор: William M. Hiatt,Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Isolated through silicon vias in RF technologies

Номер патента: US09577035B2. Автор: Edward Preisler,Paul D. Hurwitz,Hadi Jebory. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Vias in porous substrates

Номер патента: US09455181B2. Автор: Belgacem Haba,Cyprian Emeka Uzoh,Ilyas Mohammed,Piyush Savalia. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of forming a via in a semiconductor device

Номер патента: US8685854B2. Автор: Kazuhito Ichinose,Tatsunori Murata,Kotaro Kihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-01.

Method for forming through silicon via in N+ epitaxy wafers with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US09748114B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Pranita Kerber,Subramanian S. Iyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of producing a through-substrate via in a semiconductor device and semiconductor device comprising a through-substrate via

Номер патента: WO2014166842A1. Автор: Jochen Kraft,Bernhard LÖFFLER,Günther Koppitsch,Karl Rohracher. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-10-16.

Multi-chip structure including a memory die stacked on a die having a programmable integrated circuit

Номер патента: WO2020219242A1. Автор: Matthew H. Klein. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2020-10-29.

Multi-chip structure including a memory die stacked on a die having a programmable integrated circuit

Номер патента: EP3925001A1. Автор: Matthew H. Klein. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Multi-chip structure including a memory die stacked on die having programmable integrated circuit

Номер патента: US20200343234A1. Автор: Matthew H. Klein. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Multi-chip structure including a memory die stacked on die having programmable integrated circuit

Номер патента: US20220199604A1. Автор: Matthew H. Klein. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of manufacturing openings in a substrate, a via in a substrate, and a semiconductor device comprising such a via

Номер патента: CN101553914B. Автор: 菲特·恩古耶恩·霍安,马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2011-02-23.

Method of manufacturing openings in a substrate, a via in a substrate, and a semiconductor device comprising such a via

Номер патента: CN101553914A. Автор: 菲特·恩古耶恩·霍安,马蒂纳斯·T·贝恩布鲁克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-10-07.

METHOD AND AN APPARATUS FOR FORMING ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIAS IN A SUBSTRATE, AN AUTOMATED ROBOT-BASED MANUFACTURING SYSTEM, A COMPONENT COMPRISING A SUBSTRATE WITH VIA HOLES, AND AN INTERPOSER DEVICE

Номер патента: US20130285256A1. Автор: Niklaus Frank,Fischer Andreas,Stemme Göran. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

Chip comprising at least one via and method for producing at least one via in a wafer

Номер патента: TWI769316B. Автор: 海可史塔爾,猶根蘭穆斯,馬庫斯庫納克,史蒂芬馬喬尼,提莫雪瑞. Владелец: 德商羅伯特博斯奇股份有限公司. Дата публикации: 2022-07-01.

Semiconductor component having at least one via in the carrier substrate and method for producing such a via

Номер патента: WO2015185354A2. Автор: Hans Artmann,Yvonne Bergmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-12-10.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200006143A1. Автор: Hou Shang-Yun,CHANG Hung-Pin,HUANG Sung-Hui,Lee Wan-Yu,Chiu Sao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20190067104A1. Автор: Hou Shang-Yun,CHANG Hung-Pin,HUANG Sung-Hui,Lee Wan-Yu,Chiu Sao-Ling. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method for Producing at least One Via in a Wafer

Номер патента: US20190096762A1. Автор: Jochen Reinmuth,Timo Schary,Heiko Stahl,Stefan Majoni,Markus Kuhnke. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-03-28.

THROUGH-MESH-PLANE VIAS IN A MULTI-LAYERED PACKAGE

Номер патента: US20150170996A1. Автор: Choi Jinwoo,Mandrekar Rohan U.,Becker Wiren D.,Altabella Lazzi Dulce M.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-06-18.

THROUGH SILICON VIA IN N+ EPITAXY WAFERS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20150179548A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita,Iyer Subramanian S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-25.

ELECTRICAL CONDUCTIVE VIAS IN A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND A CORRESPONDING MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170294351A1. Автор: Knechtel Roy,Dempwolf Sophia,Guenther Daniela,Schwarz Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

MICROELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR FILLING VIAS IN MICROELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20170301639A1. Автор: Kirby Kyle K.,Hiatt William M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

MICROELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR FILLING VIAS IN MICROELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20180342477A1. Автор: Kirby Kyle K.,Hiatt William M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

Chip structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240088048A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit having a multi-chip structure

Номер патента: US20110291265A1. Автор: Sang-Jin Byeon,Sin-Hyun Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Dummy vias in WLP

Номер патента: US20240055374A1. Автор: Lee Sun Lim,Peik Eng Ooi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of shielding through silicon vias in a passive interposer

Номер патента: US20140087548A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin,Meng-Lin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of shielding through silicon vias in a passive interposer

Номер патента: US9159564B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin,Meng-Lin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

Method of shielding through silicon vias in a passive interposer

Номер патента: US20130026612A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin,Meng-Lin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for sealing vias in a substrate

Номер патента: TW200830515A. Автор: Premjeet Chahal,Billy D Ables,Sankerlingam Rajendran,Francis J Morris. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for producing an electrical via in a substrate and substrate with an electrical via

Номер патента: DE102011085084B4. Автор: Jochen Reinmuth,Yvonne Bergmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-01-13.

Passive components in vias in a stacked integrated circuit package

Номер патента: US20190157152A1. Автор: Sujit Sharan,Donald S. Gardner,Stefan Rusu,Ravindranath Mahajan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Passive components in vias in a stacked integrated circuit package

Номер патента: US10236209B2. Автор: Sujit Sharan,Donald S. Gardner,Stefan Rusu,Ravindranath Mahajan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047451A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Package structure containing chip structure with inclined sidewalls

Номер патента: US20240250069A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multi-chip structure and method of forming same

Номер патента: US09653433B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Chip structure including heating element

Номер патента: US20190057918A1. Автор: Jae Choon Kim,Woo Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-21.

Chip structure including heating element

Номер патента: US10553513B2. Автор: Jae Choon Kim,Woo Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Structure and formation method of package containing chip structure with inclined sidewalls

Номер патента: US11978722B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Chip structure including heating element

Номер патента: US20200161201A1. Автор: Jae Choon Kim,Woo Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: EP4327361A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Integrated circuit (ic) packages employing a capacitor-embedded, redistribution layer (rdl) substrate for interfacing an ic chip(s) to a package substrate, and related methods

Номер патента: WO2022226465A1. Автор: Ahmer Syed,Jonghae Kim,Jianwen Xu,Giridhar Nallapati,William Stone,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-10-27.

Logic drive based on standardized commodity programmable logic semiconductor ic chips

Номер патента: US20210167057A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Logic drive based on standardized commodity programmable logic semiconductor ic chips

Номер патента: US20230139263A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of making packaged ic chip

Номер патента: CA1234926A. Автор: Thomas G. Gilder, Jr.,Raymond D. O'dean. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1988-04-05.

Package structure, chip structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057437B2. Автор: Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh,Chao-Wen Shih,Tzuan-Horng LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Interconnected integrated circuit (ic) chip structure and packaging and method of forming same

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Wolfgang Sauter,David B. Stone,Nicholas A. Polomoff,Mark W. Kuemerle,Jawahar P. Nayak,Eric W. Tremble,Seungman Choi,Eric S. Parent. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Composite ic chips including a chiplet embedded within metallization layers of a host ic chip

Номер патента: SG10202007832SA. Автор: Patrick Morrow,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Van Le,Gerald Pasdast. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Composite ic die package including ic die directly bonded to front and back sides of an interposer

Номер патента: US20230034737A1. Автор: Whitney Bryks,Junxin Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Field Programmable Multichip Package Based on Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230187365A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A3. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A2. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C. Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2002-02-14.

Method for forming vias in a substrate

Номер патента: US20090035931A1. Автор: Meng-Jen Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Method for forming a via in a damascene process

Номер патента: US20030194856A1. Автор: Ding Yi,Wei Cheng,Yakub Aliyu,Daniel Yen. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-10-16.

Dense-pitch small-pad copper wire bonded double ic chip stack packaging piece and preparation method therefor

Номер патента: US20150061099A1. Автор: WEI Mu,Xiaowei Guo,Xizhou Li. Владелец: Tianshui Huatian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Forming Trench In IC Chip Through Multiple Trench Formation And Deposition Processes

Номер патента: US20240040701A1. Автор: Yu-Ting Lin,Kao-Chih Liu,Wenmin Hsu,Chia Hong LIN,ChienYi Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and apparatus to fabricate vias in substrates for gallium nitride mmics

Номер патента: WO2013151980A8. Автор: Paul Hoff,Donald Ronning. Владелец: Translith Systems, Llc. Дата публикации: 2014-05-08.

Multi-Output Look-Up Table (LUT) for Use in Coarse-Grained Field-Programmable-Gate-Array (FPGA) Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230095330A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Non-Vertical Through-via in Package

Номер патента: US20200303275A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Jy-Jie Gau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods, systems, apparatus, and articles of manufacture to improve reliability of vias in a glass substrate of an integrated circuit package

Номер патента: US20240312865A1. Автор: Xiaoying Guo,Dingying Xu,Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Haobo Chen,Hongxia Feng,Bai Nie,Yiqun Bai,Ziyin LIN,Kyle Arrington,Bohan Shan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating semiconductor chip structures, semiconductor carrier and semiconductor chip structure

Номер патента: US20220359213A1. Автор: Tang-Chin HUNG. Владелец: Panelsemi Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Chip structure, packaging structure and manufacturing method for chip structure

Номер патента: US11769745B2. Автор: Liye Duan,Zongmin LIU,Mengjun Hou,Jijing HUANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Trap rich layer with through-silicon-vias in semiconductor devices

Номер патента: US09558951B2. Автор: Michael A. Stuber,Chris BRINDLE,Anton Arriagada. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Sideways vias in isolation areas to contact interior layers in stacked devices

Номер патента: US20200411430A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Top-down self-alignment of vias in a semiconductor device for sub-22nm pitch metals

Номер патента: US20230352343A1. Автор: Jeffrey Smith,Michael Murphy,David Power,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,Jodi Grzeskowiak,Eric Chih-Fang Liu,David Conklin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Substrates with through vias with conductive features for connection to integrated circuit elements, and methods for forming through vias in substrates

Номер патента: US09589879B2. Автор: Sergey Savastiouk,Valentin Kosenko. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Via in substrate with deposited layer

Номер патента: US09412646B2. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2016-08-09.

Multiple depth vias in an integrated circuit

Номер патента: US09455312B2. Автор: Kaiping Liu,Imran Mahmood Khan,Richard Allen Faust. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of creating aligned vias in ultra-high density integrated circuits

Номер патента: US20190096756A1. Автор: Runzi Chang,Min She. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming vias in a semiconductor device

Номер патента: WO2008094654A1. Автор: Jun Zhai,Paul R. Besser,Christy Woo,Richard C. Blish,Kok-Yong Yiang,Christine Hau-Reige. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2008-08-07.

Sideways vias in isolation areas to contact interior layers in stacked devices

Номер патента: US11942416B2. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Sideways vias in isolation areas to contact interior layers in stacked devices

Номер патента: US20240162141A1. Автор: Gilbert Dewey,Patrick Morrow,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Ehren Mannebach,Anh Phan,Hui Jae Yoo,Cheng-Ying Huang,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Oversized Contacts and Vias in Layout Defined by Linearly Constrained Topology

Номер патента: US20160118344A1. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-04-28.

Oversized Contacts and Vias in Layout Defined by Linearly Constrained Topology

Номер патента: US20160358903A1. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-08.

Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology

Номер патента: US09711495B2. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Oversized contacts and vias in layout defined by linearly constrained topology

Номер патента: US09425145B2. Автор: Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Substrates with through vias with conductive features for connection to integrated circuit elements, and methods for forming through vias in substrates

Номер патента: US20150228570A1. Автор: Sergey Savastiouk,Valentin Kosenko. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for forming vias in multi-level integrated circuits, for use with multi-level metallizations

Номер патента: US5861673A. Автор: Jin-Yuan Lee,Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Via in substrate with deposited layer

Номер патента: US20150140815A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device including through vias in molded columns

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Yazhou Zhang,Cong Zhang,Chin-Tien Chiu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Fill of vias in single and dual damascene structures using self-assembled monolayer

Номер патента: EP4202990A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Scott B. Clendenning,John Plombon,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Backside Vias in Semiconductor Device

Номер патента: US20240371957A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THROUGH VIAS IN MOLDED COLUMNS

Номер патента: US20200006221A1. Автор: Chiu Chin-Tien,Zhang Yazhou,Zhang Cong. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-01-02.

Multiple Depth Vias In an Integrated Circuit

Номер патента: US20160079343A1. Автор: Khan Imran Mahmood,Liu Kaiping,FAUST Richard Allen. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

FULLY ALIGNED VIA IN GROUND RULE REGION

Номер патента: US20190088541A1. Автор: LiCausi Nicholas V.,Zhang Xunyuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Via in substrate with deposited layer

Номер патента: US20150140815A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2015-05-21.

AIRGAP VIAS IN ELECTRICAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200126842A1. Автор: Lustig Naftali,Topaloglu Rasit O.,Angyal Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

SKIP LEVEL VIAS IN METALLIZATION LAYERS FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES

Номер патента: US20210202377A1. Автор: Elsherbini Adel,SWAN Johanna,Liff Shawna,Kobrinsky Mauro,Pasdast Gerald,Tiagaraj Sathya Narasimman. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-07-01.

TECHNIQUE FOR REDUCING PLASMA-INDUCED ETCH DAMAGE DURING THE FORMATION OF VIAS IN INTERLAYER DIELECTRICS BY MODIFIED RF POWER RAMP-UP

Номер патента: US20150200131A1. Автор: Radwan Mohammed,Zinke Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

METHOD FOR FORMING AN ELECTRICALLY CONDUCTIVE VIA IN A SUBSTRATE

Номер патента: US20150262874A1. Автор: TIJSSEN Peter,Blom Marko Theodoor,HANEVELD Jeroen,OONK Johannes,"VanT Oever Ronny". Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

FORMING SELF-ALIGNED VERTICAL INTERCONNECT ACCESSES (VIAs) IN INTERCONNECT STRUCTURES FOR INTEGRATED CIRCUITS (ICs)

Номер патента: US20170271202A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao,Yeap Choh Fei,Zhu John Jianhong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

AIRGAP VIAS IN ELECTRICAL INTERCONNECTS

Номер патента: US20200258770A1. Автор: Lustig Naftali,Topaloglu Rasit O.,Angyal Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Oversized Contacts and Vias in Layout Defined by Linearly Constrained Topology

Номер патента: US20170317064A1. Автор: Becker Scott T.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

FULLY ALIGNED VIA IN GROUND RULE REGION

Номер патента: US20190311948A1. Автор: LiCausi Nicholas V.,Zhang Xunyuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Facilitating formation of a via in a substrate

Номер патента: US20240071779A1. Автор: David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson. Владелец: Mosaic Microsystems LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated structures with antenna elements and ic chips employing edge contact connections

Номер патента: US20210050312A1. Автор: Steven J. Franson,Douglas J. Mathews. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated structures with antenna elements and ic chips employing edge contact connections

Номер патента: EP3956942A1. Автор: Steven J. Franson,Douglas J. Mathews. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Integrated structures with antenna elements and IC chips employing edge contact connections

Номер патента: AU2020329932A1. Автор: Steven J. Franson,Douglas J. Mathews. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Integrated structures with antenna elements and ic chips employing edge contact connections

Номер патента: WO2021030370A1. Автор: Steven J. Franson,Douglas J. Mathews. Владелец: VIASAT, INC.. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated structures with antenna elements and IC chips employing edge contact connections

Номер патента: US12080661B2. Автор: Steven J. Franson,Douglas J. Mathews. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for building conductive through-hole vias in glass substrates

Номер патента: US20220399206A1. Автор: Heng Liu. Владелец: V Finity Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Chip heat dissipating structure, chip structure, circuit board and supercomputing device

Номер патента: US12100636B2. Автор: Yong Gao,Tao Zhou. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Chip structure, semiconductor package, and fabricating method thereof

Номер патента: US20240021558A1. Автор: Shang-Yu Chang-Chien. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Chip structure and wireless communication device

Номер патента: EP4318582A2. Автор: Nianyong Zhu,Yusong CHI,Jinhan Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Chip structure and wireless communication device

Номер патента: EP4318582A3. Автор: Nianyong Zhu,Yusong CHI,Jinhan Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor Device and Method of Forming Through Hole Vias in Die Extension Region Around Periphery of Die

Номер патента: US20100311206A1. Автор: Lionel Chien Hui Tay,Arnel Senosa Trasporto,Zigmund Ramirez Camacho,Henry Descalzo Bathan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

Trap Rich Layer with Through-Silicon-Vias in Semiconductor Devices

Номер патента: US20130147061A1. Автор: Brindle Chris,Stuber Michael A.,Arriagada Anton. Владелец: IO SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2013-06-13.

Logic drive based on multichip package comprising standard commodity fpga ic chip with cooperating or supporting circuits

Номер патента: US20240030152A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Logic drive based on multichip package comprising standard commodity FPGA IC chip with cooperating or supporting circuits

Номер патента: US11869847B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Logic drive based on multichip package comprising standard commodity fpga ic chip with cryptography circuits

Номер патента: US20210005592A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Three dimensional package of ultra-thin mems chip and ic chip

Номер патента: KR101099141B1. Автор: 권세진,김용대. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2011-12-26.

Method of fabricating vias in solder pads of a ball grid array (BGA) substrate

Номер патента: US20030022419A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Arrangement of vias in a substrate to support a ball grid array

Номер патента: US20030057974A1. Автор: David Boggs,Rebecca Jessep,Carolyn McCormick,Daryl Sato,John Dungan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Arrangement of vias in a substrate to support a ball grid array

Номер патента: WO2003028099A2. Автор: David Boggs,Rebecca Jessep,Carolyn McCormick,Daryl Sato,John Dungan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2003-04-03.

Arrangement of vias in a substrate to support a ball grid array

Номер патента: EP1430531A2. Автор: David Boggs,Rebecca Jessep,Carolyn McCormick,Daryl Sato,John Dungan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-23.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20230299774A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Metallized vias in glass and silicon substrates, interposers, and methods for production thereof

Номер патента: WO2023159079A1. Автор: Randall M. Stoltenberg,Khanh Nguyen,Alfred A. Zinn,Alex CAPANZANA,Hannah Thanh ZINN,Nhi Ngo. Владелец: Kuprion, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Ic chip and its manufacturing method

Номер патента: EP1782455A1. Автор: Takuya Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd Tsurume,Naoto Semiconductor Energy Lab. Co. Ltd Kusumoto,Koji SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. CO. LTD. DAIRIKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-09.

Conductive Vias In A Substrate

Номер патента: US20130034816A1. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Integrated circuit package having a face-to-face IC chip arrangement

Номер патента: US5438224A. Автор: Marc V. Papageorge,Frank J. Juskey,John R. Thome,Bruce J. Freyman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1995-08-01.

Multi-layer substrate for an IC chip

Номер патента: US20020163073A1. Автор: Wei-Feng Lin,Chen-Wen Tsai,Chia-Wen Shih,Chung-Ju Wu. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-11-07.

Package module for a memory IC chip

Номер патента: US20100149758A1. Автор: Cheng-Ho Hsu,Kuei-Hua Liu. Владелец: Kun Yuan Tech Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Package module for a memory IC chip

Номер патента: US8014163B2. Автор: Cheng-Ho Hsu,Kuei-Hua Liu. Владелец: Kun Yuan Tech Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-06.

Metal finger structure in input/output opening of ic chip

Номер патента: US20240361545A1. Автор: Erdem Kaltalioglu,Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Package for holding IC chip

Номер патента: US5496967A. Автор: Nobuhiro Nishijima,Shizuki Hashimoto. Владелец: Sumitomo Metal Ceramics Inc. Дата публикации: 1996-03-05.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220329244A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20220149845A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Logic drive with brain-like elasticity and integrality based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200403617A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200313675A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20240063798A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20210234544A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips using non-volatile memory cells

Номер патента: US20200186150A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Chip structure, method for manufacturing chip structure, and electronic device

Номер патента: US20240290706A1. Автор: Yuan HUO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method to form decoupling capacitors on IC chip and the structure thereof

Номер патента: US20080076229A1. Автор: Jason Mao,James Yu Peng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Joint Structure Between a Wound Coil and An IC-Chip for a Noncontact RFID Device and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20100230161A1. Автор: Katsuji Hoshi. Владелец: Star Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

IC chip and semiconductor device

Номер патента: US20020038902A1. Автор: Takashi Naiki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-04-04.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

IC chips containing a mixture of standard cells obtained from an original set of design rules and enhanced standard cells that are a substantially uniform variant of the original set of design rules and methods for making the same

Номер патента: US9704846B1. Автор: Jonathan HAIGH,Elizabeth Lagnese. Владелец: PDF Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2023220872A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Nitride-based semiconductor ic chip and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103252A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Chip package structure, chip structure and method for forming chip structure

Номер патента: US11894331B2. Автор: Chien-Cheng Chen,Pei-Haw Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Chip structure and method for forming the same

Номер патента: US11848270B2. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hong-Seng Shue,Kuo-Chin Chang,Sheng-Han TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Chip package structure and chip structure

Номер патента: US20240178173A1. Автор: Chien-Cheng Chen,Pei-Haw Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with flip chip structure and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US09673163B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor chip structure

Номер патента: US20080042280A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

A chip structure

Номер патента: WO2019151960A1. Автор: Ahmet Aktuğ,Murat Erdal DAĞDELEN. Владелец: ASELSAN ELEKTRONIK SANAYI VE TICARET ANONIM SIRKETI. Дата публикации: 2019-08-08.

Chip structure

Номер патента: US20240120277A1. Автор: Mirng-Ji Lii,Kuo-Ching Hsu,Hong-Seng Shue,Kuo-Chin Chang,Sheng-Han TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of forming double-sided through vias in saw streets

Номер патента: US09343429B2. Автор: Byung Tai Do,Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Die crack mitigation in multi-chip composite ic structures

Номер патента: US20240063142A1. Автор: Yi Shi,Feras Eid,Wenhao Li,Botao Zhang,Xavier Brun,Adel Elsherbini,Shawna Liff,Mohammad Enamul Kabir,Nagatoshi Tsunoda,Tushar TALUKDAR,Omkar Karhade,Jiraporn Seangatith,Bhaskar Jyoti Krishnatreya,Haris Khan Niazi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Using inter-tier vias in integrated circuits

Номер патента: US09929149B2. Автор: Gregory Munson Yeric,Robert Campbell Aitken,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE,Kyungwook Chang. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Power delivery network having super vias in an integrated circuit

Номер патента: US20240096801A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,David Wolpert,Nicholas Anthony Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Non-Vertical Through-via in Package

Номер патента: US20190067146A1. Автор: Huang Cheng-Lin,Lin Jing-Cheng,Chang Jung-Hua,Gau Jy-Jie. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Backside Vias in Semiconductor Device

Номер патента: US20220278213A1. Автор: Wang Chih-hao,Chuang Cheng-Chi,Su Huan-Chieh,Yu Li-Zhen,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

NON-VERTICAL THROUGH-VIA IN PACKAGE

Номер патента: US20160276248A1. Автор: Huang Cheng-Lin,Lin Jing-Cheng,Chang Jung-Hua,Gau Jy-Jie. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Non-Vertical Through-via in Package

Номер патента: US20200303275A1. Автор: Huang Cheng-Lin,Lin Jing-Cheng,Chang Jung-Hua,Gau Jy-Jie. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Using Inter-Tier Vias in Integrated Circuits

Номер патента: US20170365600A1. Автор: Aitken Robert Campbell,YERIC Gregory Munson,SINHA Saurabh Pijuskumar,Cline Brian Tracy,CHANG Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Redistribution layer structure, semiconductor substrate structure, semiconductor package structure, chip structure, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09955590B2. Автор: Chao-Fu Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Redistribution layer structure, semiconductor substrate structure, semiconductor package structure, chip structure, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170117240A1. Автор: Chao-Fu Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Package structure with through-via in molding compound and dielectric layer

Номер патента: US12009322B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Hao-Yi Tsai,Chih-Wei Lin,Hsiu-Jen Lin,Ming-Da Cheng,Chih-Hua Chen,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Air-Core Transformer Package with Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shielding of Integrated-Circuit (IC) Chip

Номер патента: US20230290736A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shield Between an Integrated-Circuit (IC) Chip and an Air-Core Inductor All Inside a Hybrid Lead-Frame Package

Номер патента: US20230290735A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Ferrite electro-magnetic interference (EMI) shield between an integrated-circuit (IC) chip and an air-core inductor all inside a hybrid lead-frame package

Номер патента: US11990422B2. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

SIDEWAYS VIAS IN ISOLATION AREAS TO CONTACT INTERIOR LAYERS IN STACKED DEVICES

Номер патента: US20200411430A1. Автор: Mehandru Rishabh,Rachmady Willy,Yoo Hui Jae,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Multiple Depth Vias In An Integrated Circuit

Номер патента: US20130334659A1. Автор: Khan Imran Mahmood,Liu Kaiping,FAUST Richard Allen. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Packages with Enlarged Through-Vias in Encapsulant

Номер патента: US20210225722A1. Автор: Chang Tai-Min,Kuo Hung-Jui,Tsai Hui-Jung,Lee Ming-Tan,Lu De-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Opening in wall between input/output openings of ic chip

Номер патента: US20240304570A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

IC chip for different type IC packages

Номер патента: US5585676A. Автор: Hisanori Uda,Yasoo Harada,Toshikazu Hirai,Tetsuro Sawai,Toshikazu Imaoka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Chip structure with steganographic fill shape pattern

Номер патента: US20240232484A1. Автор: Osamu S. Nakagawa. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Chip structure with arrangement of side pads

Номер патента: US20060261496A1. Автор: Chi-Hsing Hsu,Hsing-Chou Hsu,Yuan-Tsang Liaw. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Chip structure with bevel pad row

Номер патента: US20060261497A1. Автор: Chi-Hsing Hsu,Yuan-Tsang Liaw,Hung-Wen Shih. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-23.

Stackable layers containing encapsulated IC chips

Номер патента: US5953588A. Автор: James S. Yamaguchi,Andrew N Camien. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Forming Liners to Facilitate The Formation of Copper-Containing Vias in Advanced Technology Nodes

Номер патента: US20240379556A1. Автор: Chih-Chien Chi,Mei-Yun Wang,Pei-Hsuan Lee,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Chen-Hung Tsai,Ting-Kui CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Chip structure and fabricating process thereof

Номер патента: US20070257347A1. Автор: Hui-Ling Chang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-11-08.

Packages with enlarged through-vias in encapsulant

Номер патента: US20230369153A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Ming-Tan LEE,De-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Packages with enlarged through-vias in encapsulant

Номер патента: US11823969B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tai-Min Chang,Ming-Tan LEE,De-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Reconfiguring through silicon vias in stacked multi-die packages

Номер патента: US20110090004A1. Автор: Roland SCHUETZ. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for forming wafer vias in semiconductor structures using sacrificial material and semiconductor structures produced by these methods

Номер патента: DE112011103040T5. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-07-04.

Off-chip vias in stacked chips

Номер патента: US20120080807A1. Автор: Belgacem Haba,Ilyas Mohammed,Laura Wills Mirkarimi,Vage Oganesian,David Ovrutsky. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2012-04-05.

Reconfiguring through silicon vias in stacked multi-die packages

Номер патента: US20140097891A1. Автор: Roland SCHUETZ. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD FOR FORMING THROUGH SUBSTRATE VIAS IN A TRENCH

Номер патента: US20190088598A1. Автор: Gudeman Christopher S.,Yao Jamie. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Oversized Contacts and Vias in Layout Defined by Linearly Constrained Topology

Номер патента: US20160118344A1. Автор: Becker Scott T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

Self-Limited, Anisotropic Wet Etching of Transverse Vias in Microfluidic Chips

Номер патента: US20160133517A1. Автор: Delamarche Emmanuel,Eker Bilge,Temiz Yuksel. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Backside Through Vias in a Bonded Structure

Номер патента: US20140232013A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,CHANG Hung-Pin,YANG Ku-Feng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-21.

MULTIPLE DEPTH VIAS IN AN INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20150170999A1. Автор: Khan Imran Mahmood,Liu Kaiping,FAUST Richard Allen. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Off-chip vias in stacked chips

Номер патента: US20150333042A1. Автор: Belgacem Haba,Ilyas Mohammed,Laura Wills Mirkarimi,Vage Oganesian,David Ovrutsky. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2015-11-19.

Structure of semiconductor ic chip

Номер патента: CA2061522C. Автор: Akihiro Dohya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-11.

Ic chip mounting device, and ic chip mounting method

Номер патента: US20230019546A1. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

IC chip mounting package provided with IC chip located in device hole formed within a package base member

Номер патента: US8193627B2. Автор: Satoru Kudose,Tomokatsu Nakagawa,Tatsuya Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

Chip structure with bumps and testing pads

Номер патента: US7977803B2. Автор: Chu-Fu Lin,Chien-Kang Chou,Chiu-Ming Chou,Nick Kuo. Владелец: Megica Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Chip heat dissipation structure, chip structure, circuit board and supercomputing device

Номер патента: US12100639B2. Автор: Tao Zhou,Dan Su,Yonggang SUN,Micree ZHAN. Владелец: Bitmain Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Light-emitting diode chip structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20120153339A1. Автор: Kuo-Lung Fang,Kun-Fu Huang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo,Jui-Yi Chu. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Chip structure having redistribution layer and fabrication method thereof

Номер патента: US8097491B1. Автор: Hung-Yuan Hsu,Sui-An Kao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-17.

LED chip structure, chip transferring system and chip transferring method

Номер патента: US11349046B2. Автор: Chien-Shou Liao,Te-Fu Chang. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2022-05-31.

Led chip structure, chip transferring system and chip transferring method

Номер патента: US20210320222A1. Автор: Chien-Shou Liao,Te-Fu Chang. Владелец: Asti Global Inc Taiwan. Дата публикации: 2021-10-14.

Stacked semiconductor chip structure and its process

Номер патента: US20220085188A1. Автор: Bo Tu,Hsiang-Yi Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-17.

Heat insulating interconnect features in a component of a composite ic device structure

Номер патента: US20220415853A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel Elsherbini,Johanna Swan,Shawna Liff,Julien Sebot. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Ic chips with self-aligned thin film resistors

Номер патента: WO1989003121A1. Автор: Paul A. Ruggerio,Cynthia E. Anderson. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 1989-04-06.

IC-chip having a protective structure

Номер патента: US20050029653A1. Автор: Marcus Janke,Christian Aumuller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

Surface roughening method for embedded semiconductor chip structure

Номер патента: US20060263936A1. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Wafer-scale chip structure and method and system for designing the structure

Номер патента: US20240105633A1. Автор: Howard S. Landis,Osamu Samuel Nakagawa,Ushasree Katakamsetty,Stefan Nikolaev Voykov. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

COMPOSITE IC CHIPS INCLUDING A CHIPLET EMBEDDED WITHIN METALLIZATION LAYERS OF A HOST IC CHIP

Номер патента: US20210098422A1. Автор: MORROW Patrick,Elsherbini Adel,LE VAN,SWAN Johanna,Liff Shawna,Pasdast Gerald. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for forming a via in a substrate

Номер патента: US20040234894A1. Автор: Karen Kirmse. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Copper pellet for reducing electromigration effects associated with a conductive via in a semiconductor device

Номер патента: US5639691A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Richard K. Klein,Ming-Ren Lin,Darrell M. Erb,Robin Cheung,Scott Luning,Bryan Tracy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1997-06-17.

Method of forming vias in silicon carbide and resulting devices and circuits

Номер патента: US09490169B2. Автор: Helmut Hagleitner,Zoltan Ring,Scott Thomas Sheppard. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of forming submicron contacts and vias in an integrated circuit

Номер патента: US6033980A. Автор: Fu-Tai Liou,Mehdi Zamanian. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-03-07.

Methods for etching through-wafer vias in a wafer

Номер патента: US09711364B2. Автор: Elena Becerra Woodard,Daniel Kwadwo Amponsah Berkoh,Dean G. Scott. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

LOGIC DRIVE BASED ON CHIP SCALE PACKAGE COMPRISING STANDARDIZED COMMODITY PROGRAMMABLE LOGIC IC CHIP AND MEMORY IC CHIP

Номер патента: US20200144224A1. Автор: Lin Mou-Shiung,Lee Jin-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming vias in a substrate

Номер патента: TW200908169A. Автор: Meng-Jen Wang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2009-02-16.

Methods for performing a via reveal etching process for forming through-silicon vias in a substrate

Номер патента: US20140199833A1. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Rohit Mishra,Khalid Mohiuddin Sirajuddin,Sonal A. Srivastava. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Through-substrate-via in photosensitive module

Номер патента: US20240021649A1. Автор: Chien-Wei Chang,Ming-Yao Chen,Chih-Hung Tu. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacture for embedded ic chip directly connected to pcb

Номер патента: EP3868185A1. Автор: Shinichi Iketani,Michael Riley Vinson,Haris BASIT. Владелец: Averatek Corp. Дата публикации: 2021-08-25.

Plating method of via in system-in-package and system of the same

Номер патента: KR100832705B1. Автор: 이민형. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-05-28.

Reduction of shear stress in copper vias in organic interlayer dielectric material

Номер патента: DE102004010352B4. Автор: Erdem Kaltalioglu,Michael Stetter,Mark Hoinkis,Andy Cowley. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-19.

Method and Apparatus to Fabricate Vias in Substrates for Gallium Nitride MMICs

Номер патента: US20130288489A1. Автор: Paul Hoff,Donald Ronning. Владелец: Translith Systems LLC. Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD OF FORMING VIAS IN SILICON CARBIDE AND RESULTING DEVICES AND CIRCUITS

Номер патента: US20170012106A1. Автор: Hagleitner Helmut,Ring Zoltan,Sheppard Scott Thomas. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

PROCESS FOR FILLING VIAS IN THE MICROELECTRONICS

Номер патента: US20140120722A1. Автор: Wang Chen,JR. Vincent,Paneccasio,Lin Xuan,Richardson Thomas B.,Shao Wenbo,Wang Cai,Abys Joseph A.,Antonellis Theodore. Владелец: ENTHONE INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

INTERCONNECT STRUCTURES WITH AREA SELECTIVE ADHESION OR BARRIER MATERIALS FOR LOW RESISTANCE VIAS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20220139772A1. Автор: Metz Matthew,BLACKWELL JAMES M.,RESHOTKO Miriam,Chen Jiun-Ruey,Jezewski Christoper,Lin Che-Yun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for forming through wafer vias in semiconductor devices

Номер патента: US20150099358A1. Автор: Yu-Wei Chang,Walter Tony WOHLMUTH,Yi-Feng WEI,Chia-Hao Chen,I-Te CHO. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD OF CREATING ALIGNED VIAS IN ULTRA-HIGH DENSITY INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20190096756A1. Автор: Chang Runzi,She Min. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

VIAS IN POROUS SUBSTRATES

Номер патента: US20150140807A1. Автор: Mohammed Ilyas,Haba Belgacem,Savalia Piyush,Uzoh Cyprian Emeka. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

MICROELECTRONIC DEVICES AND METHODS FOR FILLING VIAS IN MICROELECTRONIC DEVICES

Номер патента: US20140284796A1. Автор: Kirby Kyle K.,Hiatt William M.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

METHOD AND APPARATUS TO FABRICATE VIAS IN THE GaN LAYER OF GaN MMICS

Номер патента: US20140295581A1. Автор: Ronning Donald,Hoff Paul. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

Process for Filling Vias in the Microelectronics

Номер патента: US20160254156A1. Автор: Wang Chen,Lin Xuan,Richardson Thomas B.,Shao Wenbo,Wang Cai,Abys Joseph A.,Antonellis Theodore,Paneccasio Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Oversized Contacts and Vias in Layout Defined by Linearly Constrained Topology

Номер патента: US20160358903A1. Автор: Becker Scott T.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

ARTICLES AND METHODS OF FORMING VIAS IN SUBSTRATES

Номер патента: US20190348301A1. Автор: Liu Shiwen,Bellman Robert Alan. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Stack of IC chips in lieu of single IC chip

Номер патента: US5581498A. Автор: Christ H. Saunders,David E. Ludwig,Raphael R. Some,John J. Stuart. Владелец: Irvine Sensors Corp. Дата публикации: 1996-12-03.

Micro light-emitting chip structure and micro display structure

Номер патента: US20240222560A1. Автор: Yen-Yeh Chen,Bo-Wei Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Micro light-emitting chip structure and micro display structure

Номер патента: US20240222569A1. Автор: Yen-Yeh Chen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: US20210328108A1. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods

Номер патента: WO2023215362A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,David Suich,Michael Check. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2023-11-09.

Light-emitting diode chip structures with electrically insulating substrates and related methods

Номер патента: US20230361249A1. Автор: Michael John Bergmann,Kevin Haberern,David Suich,Michael Check. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: US11811005B2. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: EP4139957A1. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Transparent through - glass conductive via in a transparent substrate

Номер патента: WO2013166021A1. Автор: David William Burns,Kristopher Andrew Lavery. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

Transparent through - glass conductive via in a transparent substrate

Номер патента: EP2844612A1. Автор: David William Burns,Kristopher Andrew Lavery. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2015-03-11.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips

Номер патента: US20240232489A9. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package comprising optically coupled ic chips

Номер патента: US20240264371A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Hau-yan Lu,Wei-Kang Liu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Ic chip and circuit system using same

Номер патента: EP3890159A1. Автор: Sol Ji Yoo. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2021-10-06.

IC chip and circuit system using the same

Номер патента: US12088127B2. Автор: Sol Ji Yoo. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Duales Regelungssystem zum Halten der Temperatur eines IC-Chips in der Nähe eines Sollwertes

Номер патента: DE112005000386T5. Автор: Jerry Ihor Mission Viejo Tustaniwskyj,James Wittman Escondido Babcock. Владелец: Delta Design Inc. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor package comprising optically coupled IC chips

Номер патента: US11977256B2. Автор: Chih-Tsung Shih,Hau-yan Lu,Wei-Kang Liu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor package comprising optically coupled ic chips

Номер патента: US20230273367A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Hau-yan Lu,Wei-Kang Liu,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Ic chip

Номер патента: US20210175706A1. Автор: Hideyuki Nosaka,Shinsuke Nakano,Munehiko Nagatani. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Ic chip

Номер патента: EP3731422A1. Автор: Hideyuki Nosaka,Shinsuke Nakano,Munehiko Nagatani. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

System and method for providing ic chip modules for payment objects

Номер патента: CA3015381A1. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

System and method for providing ic chip modules for payment objects

Номер патента: CA3015381C. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2021-07-06.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips

Номер патента: US20240135079A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips

Номер патента: US20230281370A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Logic drive based on standard commodity fpga ic chips

Номер патента: US20230244842A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Halbleiterpackage mit optisch gekoppelten ic-chips

Номер патента: DE102023100136A1. Автор: Chih-Tsung Shih,Felix Ying-Kit Tsui,Hau-yan Lu,Wei-Kang Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Ic chip and ic chip manufacturing method thereof

Номер патента: US20110272799A1. Автор: Yao-Sheng Huang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Ic chip card with integrated biometric sensor pads

Номер патента: US20180082165A1. Автор: Barry Mosteller. Владелец: CPI Card Group Colorado Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

IC chip for a compact, low noise magnetic impedance sensor

Номер патента: US20040090229A1. Автор: Takeshi Kimura. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-13.

Display device and method for bonding array substrate and ic chip

Номер патента: US20190131583A1. Автор: Cheng Ll. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Pad-array structure on substrate for mounting IC chip on substrate, and optical module having said pad-array structure

Номер патента: US09775245B2. Автор: Kenichiro Yashiki,Takeshi Akagawa. Владелец: PHOTONICS ELECTRONICS TECHNOLOGY RESEARCH ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-09-26.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US11881483B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

IC chip holder

Номер патента: US11982687B2. Автор: Koji Hayashi,Hidekazu Komiya. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20220223624A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US20240105729A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

IC chip security box

Номер патента: GB2359196A. Автор: Chien-Tzu Hou. Владелец: Geneticware Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-15.

Integrated circuit (ic) chip socket

Номер патента: US20180159259A1. Автор: Dolores Babaran Milo,Michael Flores Milo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

IC chip, antenna, and manufacturing method of the IC chip and the antenna

Номер патента: US8242592B2. Автор: Naoto Kusumoto,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Ic Chip, Antenna, and Manufacturing Method of the Ic Chip and The Antenna

Номер патента: US20080001280A1. Автор: Naoto Kusumoto,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Ic chip, antenna, and manufacturing method of the ic chip and the antenna

Номер патента: EP1810333A1. Автор: Naoto SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. Co.Ltd. KUSUMOTO,Takuya SEMICONDUCTOR ENERGY LAB. Co.Ltd. TSURUME. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-25.

Dual feedback control system for maintaining the temperature of an ic-chip near a set-point

Номер патента: WO2005081003A1. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock. Владелец: Delta Design, Inc.. Дата публикации: 2005-09-01.

Micro light-emitting chip structure and micro display structure

Номер патента: US20240222568A1. Автор: Yen-Yeh Chen. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Image sensor integrated chip structure

Номер патента: US20240290811A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Tzu-Jui WANG,Chi-Hsien Chung,Chia-Chi Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Light-emitting chip structure, display device, and method for manufacturing display device

Номер патента: US20240313037A1. Автор: Zeyao Li,Baohong KANG. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Chip structure and method for forming the same

Номер патента: US20240332235A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for forming multi-layered vias in sequentially fabricated circuits

Номер патента: US20160343652A1. Автор: Maurice S. Karpman,Gary B. Tepolt,Russell Berman,Nicole S. Mueller. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Wafer Structure, Method For Manufacturing The Same, And Chip Structure

Номер патента: US20210028218A1. Автор: Guomin Zhang. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Laminate for the formation of beam leads for ic chip bonding

Номер патента: CA1301522C. Автор: Michel F. Molaire,Robert C. Mcconkey,Gerald W. Klein,John M. Noonan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1992-05-26.

Micro-display led chip structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20240332476A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Electrical connectors and ic chip tester embodying same

Номер патента: CA1320546C. Автор: Richard J. Lindeman,Albert N. Hopfer,Arun Jayantilal Shah,David William Mcclung,Saeed Zafar. Владелец: Labinal Components and Systems Inc. Дата публикации: 1993-07-20.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: EP4139956A1. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: WO2021216684A1. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display (Shanghai) Limited. Дата публикации: 2021-10-28.

Chip structure, manufacturing method for chip structure, and electronic device

Номер патента: EP4216270A1. Автор: Yuan HUO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

INTERCONNECTED INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP STRUCTURE AND PACKAGING AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Stone David B.,Sauter Wolfgang,Tremble Eric W.,Kuemerle Mark W.,Polomoff Nicholas A.,Choi Seungman,Parent Eric S.,Nayak Jawahar P.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Vertical led chip structure, method of manufacturing same and light-emitting device

Номер патента: US20240145621A1. Автор: Xiao Bai,Jiayu LIU,Weifan KE,Shengnan LIU,Pengjie Hu. Владелец: Tianjin Sanan Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Led chip structure, manufacturing method thereof, and mass transfer method applying the led chip structure

Номер патента: US20210091280A1. Автор: Qi Wang,Guoyi Zhang,Chengming Li. Владелец: Dongguan Institute of Opto Electronics Peking University. Дата публикации: 2021-03-25.

Light-emitting diode chip structures

Номер патента: US20240072099A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester,Seth Joseph Balkey,Nikolas Hall. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Light-emitting diode chip structures

Номер патента: WO2024044466A1. Автор: Michael Check,Steven Wuester,Seth Joseph Balkey,Nikolas Hall. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Chip structure and method for forming the same

Номер патента: US12015002B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Light emission diode with flip-chip structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US10770617B2. Автор: Ray-Hua Horng,Huan-Yu CHIEN,Ken-Yen CHEN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-09-08.

Light emission diode with flip-chip structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051790A1. Автор: Ray-Hua Horng,Huan-Yu CHIEN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-02-14.

Image capturing device and electronic apparatus with stacked chip structure

Номер патента: US12120449B2. Автор: Luonghung Asakura. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Chip-type antenna device and chip structure

Номер патента: US09652649B2. Автор: Shih-Chi Lai,Cheng-Min Yang,Tzu-Hsiang Chien. Владелец: Auden Techno Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Light emitting diode chip structure and light emitting diode element

Номер патента: US20140197426A1. Автор: Li-Cheng Yang,Yu-Chun Lee,Fu-Shin Chen. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Bonding pad and chip structure

Номер патента: US20060006531A1. Автор: Chiu-Shun Lin,Kuan-Chou Lin,Chia-Hui Wu,Pai-Sheng Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Chip structure of micro light-emitting diode display

Номер патента: US11830862B2. Автор: Kuo-Hsin Huang,Yung-Hsiang Chao,Chang-Ching Huang,Tai-Hui Liu,Wen-Hsing Huang. Владелец: Excellence Opto Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Light-emitting diode chip structures with reflective elements

Номер патента: US11804582B2. Автор: Qiming Li. Владелец: Jade Bird Display Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Light emission diode with flip-chip structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200350463A1. Автор: Ray-Hua Horng,Huan-Yu CHIEN,Ken-Yen CHEN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2020-11-05.

Light emission diode with flip-chip structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11349045B2. Автор: Ray-Hua Horng,Huan-Yu CHIEN,Ken-Yen CHEN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2022-05-31.

Chip structure having bonding wire

Номер патента: US9484315B2. Автор: Po-Chen Lin,Yu-Min Lin,Jing-Yao Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-11-01.

Led chip structure and display device

Номер патента: US20230246123A1. Автор: Chungying Chang,Menghsin YEH,Zhousheng JIANG,Bingyang CHEN. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Chip structure having bonding wire

Номер патента: US20160163665A1. Автор: Po-Chen Lin,Yu-Min Lin,Jing-Yao Chang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-06-09.

Isolated Through Silicon Vias in RF Technologies

Номер патента: US20140054743A1. Автор: Hurwitz Paul D.,Jebory Hadi,Preisler Edward. Владелец: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2014-02-27.

Conductive Vias in Semiconductor Packages and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190115299A1. Автор: Yu Chen-Hua,WU Wei-Cheng,Chen Hsien-Wei,Yeh Der-Chyang,Hsu Li-Han,WU Chi-Hsi,Hsieh Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20180350745A1. Автор: Yu Chen-Hua,WU Wei-Cheng,Chen Hsien-Wei,Yeh Der-Chyang,Hsu Li-Han,WU Chi-Hsi,Hsieh Cheng-Hsien. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Physical vapor deposition seeding for high aspect ratio vias in glass core technology

Номер патента: US20220406616A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Veronica Strong,Neelam Prabhu Gaunkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Integrated structures with antenna elements and ic chips employing edge contact connections

Номер патента: EP4235768A3. Автор: Steven J Franson,Douglas J Mathews. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP MOUNTED BETWEEN AN OFFSET FRAME CHIP MOUNTING PAD AND A DISCRETE CHIP MOUNTING PAD

Номер патента: DE112018005048T5. Автор: Man Kit Lam. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor chip substrate, used as an IC chip, has semiconductor chip arranged on substrate in such way that first hump is in contact with second hump

Номер патента: DE10163799A1. Автор: Yoshiharu Sanagawa,Shigenari Takami,Masao Kubo,Ikko Kuzuhara,Shinobu Kida,Jun Tatsuta,Kyoji Tanak. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Device having high aspect ratio via in low dielectric material and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200849542A. Автор: Wei-Chung Wang,Po-Jen Cheng,Pei-Chun Chen,Hsueh-An Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2008-12-16.

Lithographically defined vertical interconnect access (via) in dielectric pockets in a package substrate

Номер патента: US20190304889A1. Автор: Kevin McCarthy,Meizi Jiao,Chong Zhang,Hongxia Feng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines leiterrahmenbandes für ic-chips in einem kontinuierlichen system

Номер патента: ATE193616T1. Автор: Frank J Johnson. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-15.

METAL-NITRIDE-FREE VIA IN STACKED MEMORY

Номер патента: US20190043807A1. Автор: Redaelli Andrea,Bohra Mihir,ECONOMY D. Ross. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

FACILITATING FORMATION OF A VIA IN A SUBSTRATE

Номер патента: US20220270892A1. Автор: Nelson Shelby Forrester,Levy David Howard. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

SMALL VIAS IN A POLYMER LAYER DISPOSED ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20180350732A1. Автор: Gu Yu,SEE Guan Huei,SUNDARRAJAN Arvind. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Center pad type IC chip with jumpers, method of processing the same and multi chip package

Номер патента: US7224055B2. Автор: Gu-Sung Kim,Dong-Hyeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Stress Relief Vias in Multi-Layer RDL

Номер патента: US20240355760A1. Автор: Peik Eng Ooi,Gai Leong Lai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Ic-chip-stapelung mit gemischter hybrid-und lötverbindung

Номер патента: DE112022006182T5. Автор: Sriram Srinivasan,Debendra Mallik,Gwang-Soo Kim,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Christopher Pelto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

VIA-IN-VIA STRUCTURE FOR HIGH DENSITY PACKAGE INTEGRATED INDUCTOR

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Bharath Krishna,ALUR Amruthavalli,Srinivasan Sriram,Radhakrishnan Kaladhar,LAMBERT William,Do Huong. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-04-01.

Embedded constrainer discs for reliable stacked vias in electronic substrates

Номер патента: WO2009124785A1. Автор: David John Russell,Sri Sri-Jayantha,Douglas Oliver Powell,Karan Kacker,David Questad. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-10-15.

Embedded constrainer discs for reliable stacked vias in electronic substrates

Номер патента: EP2238620A1. Автор: David John Russell,Sri Sri-Jayantha,Douglas Oliver Powell,Karan Kacker,David Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-13.

Feedback capacitor formed by bonding-via in pixel level bond

Номер патента: US09859312B1. Автор: ZHENG Yang,Rui Wang,Hiroaki Ebihara,Chao-Fang Tsai,Tiejun Dai,Chun-Ming Tang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor packaging device including via-in pad (VIP) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09646941B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates—vertical stiffness control method

Номер патента: US9099458B2. Автор: David J. Russell,Sri M. Sri-Jayantha,Douglas O. Powell,Karan Kacker,David L. Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor device and a memory system including a plurality of IC chips in a common package

Номер патента: US20050184380A1. Автор: Yasushi Takahashi,Hirotaka Nishizawa,Toshio Sugano,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Michiaki Sugiyama,Masayasu Kawamura,Kazuki Sakuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Using interrupted through-silicon-vias in integrated circuits adapted for stacking

Номер патента: US09780073B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for improving the reliability of a connection to a via in a substrate

Номер патента: US09659851B2. Автор: Albert Wu,Scott Wu,Long-Ching Wang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Functional vias in backend for reconfigurable interconnect

Номер патента: WO2019132882A1. Автор: Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Fatih Hamzaoglu,Christopher J. Jezewski. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-07-04.

Embedded constrainer discs for reliable stacked vias in electronic substrates

Номер патента: EP2238620B1. Автор: David John Russell,Sri Sri-Jayantha,Douglas Oliver Powell,David Questad,Karan c/0 IBM United Kingdom Limited Intellectual Property Law KACKER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Self-aligned via in double diffusion break to connect to backside interconnects

Номер патента: US20240312912A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Facilitating formation of a via in a substrate

Номер патента: US20220270892A1. Автор: David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson. Владелец: Mosaic Microsystems LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates - vertical stiffness control method

Номер патента: WO2009092677A3. Автор: David John Russell,Sri Sri-Jayantha,Douglas Oliver Powell,Karan Kacker,David Questad. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-10-29.

Construction of Reliable Stacked Via in Electronic Substrates - Vertical Stiffness Control Method

Номер патента: US20090188705A1. Автор: David J. Russell,Sri M. Sri-Jayantha,Douglas O. Powell,Karan Kacker,David L. Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates - vertical stiffness control method

Номер патента: US20120267158A1. Автор: David J. Russell,Sri M. Sri-Jayantha,Douglas O. Powell,Karan Kacker,David L. Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates - vertical stiffness control method

Номер патента: WO2009092677A2. Автор: David John Russell,Sri Sri-Jayantha,Douglas Oliver Powell,Karan Kacker,David Questad. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-07-30.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates - vertical stiffness control method

Номер патента: US20120299195A1. Автор: David J. Russell,Sri M. Sri-Jayantha,Douglas O. Powell,Karan Kacker,David L. Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates—vertical stiffness control method

Номер патента: US8866026B2. Автор: David J. Russell,Sri M. Sri-Jayantha,Douglas O. Powell,Karan Kacker,David L. Questad. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-21.

Lead connections means for stacked tab packaged IC chips

Номер патента: US5138438A. Автор: Watanabe Masayuki,Ono Takashi,SUGANO Toshio,Tsukui Seiichiro,Wakashima Yoshiaki. Владелец: Hitachi Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Method of making a packaged IC chip

Номер патента: US4820658A. Автор: Thomas G. Gilder, Jr.,Raymond D. O'dean. Владелец: GTE Products Corp. Дата публикации: 1989-04-11.

Embedded constrainer discs for reliable stacked vias in electronic substrates

Номер патента: TW200947657A. Автор: David J Russell,Karan Kacker,Douglas O Powell,Sri M Sri-Jayantha,David L Questad. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-11-16.

Leitpaste zum Verschluss von Vias in keramischen Leiterplatten

Номер патента: DE69630332T2. Автор: Mamoru Nomi-gun Mohri,Motoharu Kaga-shi Miyakoshi,Kiyoshi Matto-shi Mizushima. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Leitpaste zum Verschluss von Vias in keramischen Leiterplatten

Номер патента: DE69630332D1. Автор: Kiyoshi Mizushima,Motoharu Miyakoshi,Mamoru Mohri. Владелец: Nikko Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

SUBSTRATES WITH THROUGH VIAS WITH CONDUCTIVE FEATURES FOR CONNECTION TO INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS, AND METHODS FOR FORMING THROUGH VIAS IN SUBSTRATES

Номер патента: US20150228570A1. Автор: Kosenko Valentin,Savastiouk Sergey. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Method of forming a via in a carrier layer made of ceramic and a carrier layer with such via

Номер патента: KR20200021934A. Автор: 카르스텐 슈미트,스테판 브리팅,안드레아스 메이어,라이너 헤르만,마틴 레거. Владелец: 로저스 저매니 게엠베하. Дата публикации: 2020-03-02.

Method for producing a via in a carrier layer made of ceramic and carrier layer containing a via

Номер патента: CN110870394A. Автор: 安德烈亚斯·迈尔,卡斯滕·施密特,斯特凡·布里廷,雷纳·赫尔曼,马丁·雷格. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2020-03-06.

Integrated circuit has upper metal traces routed on insulating layer, which electrically connect with conductive vias, and maintain dummy conductive trace and dummy conductive vias in unused and electrically floating condition

Номер патента: DE102005033715A1. Автор: June Lee,In-young Kim,Joo-Ah Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US11676950B2. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Via-in-via structure for high density package integrated inductor

Номер патента: US20210098436A1. Автор: Sriram Srinivasan,William Lambert,Kaladhar Radhakrishnan,Krishna Bharath,Amruthavalli ALUR,Huong Do. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Process for producing a via in a carrier layer made of a ceramic and carrier layer with plated through hole

Номер патента: DE102017114891A1. Автор: Andreas Meyer,Rainer Herrmann,Karsten Schmidt,Stefan Britting,Martin Reger. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2019-01-10.

Blank beam leads for IC chip bonding

Номер патента: US4247623A. Автор: John R. Guild. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1981-01-27.

Method for producing a carrier element for an IC chip for installation in chip cards

Номер патента: DE19845665A1. Автор: Gerd Mederski,Lothar Fanasch. Владелец: Orga Kartensysteme GmbH. Дата публикации: 2000-04-20.

Blank and process for the formation of beam leads for IC chip bonding

Номер патента: US4342151A. Автор: John R. Guild. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1982-08-03.

Construction of reliable stacked via in electronic substrates - vertical stiffness control method

USING INTERRUPTED THROUGH-SILICON-VIAS IN INTEGRATED CIRCUITS ADAPTED FOR STACKING

Номер патента: US20130169343A1. Автор: GILLINGHAM Peter. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-04.

ELECTRONIC FUSE VIAS IN INTERCONNECT STRUCTURES

Номер патента: US20150041951A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Filippi Ronald G.,Bao Junjing,Bonilla Griselda,Choi Samuel S.,Simon Andrew H.,Lustig Naftali Eliahu. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

Using interrupted through-silicon-vias in integrated circuits adapted for stacking

Номер патента: US20160099234A1. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Backside Through Vias in a Bonded Structure

Номер патента: US20160172403A1. Автор: Yu Chen-Hua,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,CHANG Hung-Pin,YANG Ku-Feng. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING THE RELIABILITY OF A CONNECTION TO A VIA IN A SUBSTRATE

Номер патента: US20150228569A1. Автор: Wu Albert,Wu Scott,Wang Long-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

METHOD AND APPARATUS FOR FORMING MULTI-LAYERED VIAS IN SEQUENTIALLY FABRICATED CIRCUITS

Номер патента: US20160343652A1. Автор: Tepolt Gary B.,Karpman Maurice S.,BERMAN Russell,Mueller Nicole S.. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

ARTICLES AND METHODS OF FORMING VIAS IN SUBSTRATES

Номер патента: US20170352553A1. Автор: Liu Shiwen,Bellman Robert Alan. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

OPTIMIZING POWER DISTRIBUTION FROM A POWER SOURCE THROUGH A C4 SOLDER BALL GRID INTERCONNECTED THROUGH SILICON VIAS IN INTERMEDIATE INTEGRATED CIRCUIT CHIP CONNECTED TO CIRCUITRY IN AN UPPER INTERGRATED CIRCUIT CHIP THROUGH A GRID OF MICRO uC4 SOLDER BALLS

Номер патента: US20170053899A1. Автор: Bartley Gerald K.,HUBER Andreas,Zhou Tingdong,Becker Wiren Dale. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

OPTIMIZING POWER DISTRIBUTION FROM A POWER SOURCE THROUGH A C4 SOLDER BALL GRID INTERCONNECTED THROUGH SILICON VIAS IN INTERMEDIATE INTEGRATED CIRCUIT CHIP CONNECTED TO CIRCUITRY IN AN UPPER INTEGRATED CIRCUIT CHIP THROUGH A GRID OF MICRO uC4 SOLDER BALLS

Номер патента: US20160071822A1. Автор: Bartley Gerald K.,HUBER Andreas,Zhou Tingdong,Becker Wiren Dale. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

APPARATUS FOR FORMING MEMORY LINES AND VIAS IN THREE DIMENSIONAL MEMORY ARRAYS USING DUAL DAMASCENE PROCESS AND IMPRINT LITHOGRAPHY

Номер патента: US20130264675A1. Автор: Scheuerlein Roy E.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

OFF-CHIP VIAS IN STACKED CHIPS

Номер патента: US20130273693A1. Автор: Mohammed Ilyas,Oganesian Vage,Haba Belgacem,Ovrutsky David,Mirkarimi Laura Wills. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

METHOD OF SHIELDING THROUGH SILICON VIAS IN A PASSIVE INTERPOSER

Номер патента: US20140087548A1. Автор: Lin Chih-Hsien,Lu Hsiang-Tai,CHUNG Meng-Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-03-27.

Battery management unit having a plurality of monitoring IC chips

Номер патента: US09733310B2. Автор: Karsten Thoelmann. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for monitoring changes in composition of air

Номер патента: RU2747263C1. Автор: Игорь Борисович Широков,Елена Игоревна Широкова,Павел Алексеевич Евдокимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Генезис-Таврида". Дата публикации: 2021-05-04.

Terahertz band waveguide module and mounting method of ic chip

Номер патента: US20240021999A1. Автор: Moonil Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-18.

Fabrication process for polymer-based bipolar batteries via in-situ polymerization

Номер патента: US20230344000A1. Автор: Zhe Li,Yong Lu,Haijing Liu,Meiyuan Wu. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of forming antenna for radio frequency identification medium employing conductive paste, and method for mounting ic chip onto circuit on substrate

Номер патента: CA2628782A1. Автор: Yasuhiro Endo,Toru Maruyama,Kazunari Kodama,Yasuo Kagami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-30.

Method of forming antenna for radio frequency identification medium employing conductive paste, and method for mounting ic chip onto circuit on substrate

Номер патента: CA2628782C. Автор: Yasuhiro Endo,Toru Maruyama,Kazunari Kodama,Yasuo Kagami. Владелец: Toppan Forms Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-01.

Antenna for assembly in composition of stand-alone terrestrial detection unit

Номер патента: RU2637393C2. Автор: Пол Джозеф БЕЭРПАРК. Владелец: Диджитал Бэриэрз Сервисез Лтд.. Дата публикации: 2017-12-04.

Electrically insulating material to be used in composite insulators, a process for the production of composite insulators by using such an electrically insulating material for housings thereof, and composite insulators using such an electrically insulating material as housings thereof

Номер патента: CA2119836A1. Автор: Seiichi Mizuno,Isao Nakajima. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1994-09-27.

Solid electrolyte capacitor in a chip structure

Номер патента: US5068766A. Автор: Ferdinand Hilbert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-11-26.

Thermal matched ic chip assembly and fabrication method

Номер патента: GB2276977B. Автор: Ronald L Williams. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-09-18.

Thermal matched ic chip assembly and fabrication method

Номер патента: GB9325072D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-02-02.

Method of controlling critical dimensions of vias in a metallization system of a semiconductor device during silicon-ARC etch

Номер патента: US8492279B2. Автор: Johann Steinmetz,Mohammed Radwan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Method for dry etching vias in integrated circuit layers

Номер патента: US5017511A. Автор: Jerome L. Elkind,Patricia B. Smith,Larry D. Hutchins,Joseph D. Luttmer,Rudy L. York,Julie S. England. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-05-21.

Process for forming solid conductive vias in substrates

Номер патента: WO1995019692A1. Автор: Brian S. White,Ronald S. Besser,Michael R. Rogers,Theodore E. Washburn,Michael A. Novice. Владелец: Watkins-Johnson Company. Дата публикации: 1995-07-20.

Method for manufacturing 3d circuits from bare die or packaged ic chips by microdispensed interconnections

Номер патента: US20110237002A1. Автор: Kenneth H. Church,Vladimir Pelekhaty,Patrick Clark,Dongjiang Xu,Lance Swan,Bryan Irwin. Владелец: NSCRYPT Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

IC chip package with near substrate scale chip attachment

Номер патента: US20080169551A1. Автор: Wen-Jeng Fan,Li-Chih Fang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2008-07-17.

IC chip mounting method for mounting two or more IC chips by sequentially transferring the IC chips sucked onto a first roller to a second roller and mounting the IC chips transferred to the second roller on a traveling base

Номер патента: US7595219B2. Автор: Hiroshi Kobayashi,Naoki Ishikawa,Hidehiko Kira,Tatsuro Tsuneno. Владелец: Fujitsu Frontech Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Ic chip mounting device and ic chip mounting method

Номер патента: EP4084049A4. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

A system of solder ball placement and fluxless laser reflow of ball grid array packaging of an IC chip with a substrate having an array of pads, and an apparatus for solder ball placement of ball grid array packaging of an IC chip with a substrate having

Номер патента: TW399275B. Автор: Yun-Sheng Tsai,Di-Fu Liou. Владелец: Advanced Systems Automation Pt. Дата публикации: 2000-07-21.

Method for making a chip scale package, and method for making an IC chip

Номер патента: TW510030B. Автор: Tetsuo Sato. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-11.

Ic chip-mounting device and ic chip-mounting method

Номер патента: EP4084047B1. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Ic chip-mounting device and ic chip-mounting method

Номер патента: EP4083861A4. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Chip card electronic chip module production method has pulverized material applied directly to dielectric support film to provide protective encapsulation film for each IC chip and its associated bonding wires

Номер патента: FR2791812A1. Автор: Pierre Garnier. Владелец: Gemplus SA. Дата публикации: 2000-10-06.

Method for manufacturing 3D circuits from bare die or packaged IC chips by microdispensed interconnections

Номер патента: US8790742B2. Автор: Kenneth H. Church,Vladimir Pelekhaty,Patrick Clark,Dongjiang Xu,Lance Swan,Bryan Irwin. Владелец: NSCRYPT Inc. Дата публикации: 2014-07-29.

Method for forming solid conductive vias in substrates

Номер патента: IL112294A. Автор: . Владелец: Watkins Johnson Co. Дата публикации: 1996-10-31.

Nanowire-based integrated via in anodic aluminum oxide layer for cmos applications

Номер патента: US20220393328A1. Автор: Yali Zhang,Bethanie Joyce Hills Stadler,Rhonda Franklin,Joseph Um,Rashaunda Henderson. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2022-12-08.

Ic chip mounting device and ic chip mounting method

Номер патента: WO2021132622A1. Автор: 禎光前田. Владелец: サトーホールディングス株式会社. Дата публикации: 2021-07-01.

Center pad type ic chip with jumpers, method of processing the same and multi chip package

Номер патента: US20070197030A1. Автор: Gu-Sung Kim,Dong-Hyeon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Ic chip mounting device and ic chip mounting method

Номер патента: WO2021132621A1. Автор: 禎光前田,誠竹葉. Владелец: サトーホールディングス株式会社. Дата публикации: 2021-07-01.

An IC chip, a semiconductor package and a method of manufacturing IC chip

Номер патента: KR20220141654A. Автор: 문성욱,최윤기,안정훈,싸오펑 딩. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-10-20.

Ic chip mounting device and ic chip mounting method

Номер патента: US20230013223A1. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

IC chip mounting device and IC chip mounting method

Номер патента: CN114787977A. Автор: 前田祯光. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2022-07-22.

Ic chip-mounting device and ic chip-mounting method

Номер патента: EP4084047A4. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-14.

Ic chip mounting device, and ic chip mounting method

Номер патента: EP4084048A4. Автор: Yoshimitsu Maeda. Владелец: Sato Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

In-chip structures and methods for removing heat from integrated circuits

Номер патента: WO2006130816A2. Автор: Bala Padmakumar,Carlos Dangelo. Владелец: Nanoconduction Inc.. Дата публикации: 2006-12-07.

Verfahren zum Verbinden eines IC-Chips mit einem mit Leitermuster versehenem Substrat

Номер патента: DE69125128D1. Автор: Koji Matsui. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-17.

Trap Rich Layer with Through-Silicon-Vias in Semiconductor Devices

Номер патента: US20140030871A1. Автор: Brindle Chris,Stuber Michael A.,Arriagada Anton. Владелец: IO SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

METHODS FOR ETCHING THROUGH-WAFER VIAS IN A WAFER

Номер патента: US20140191415A1. Автор: Woodard Elena Becerra,Berkoh Daniel Kwadwo Amponsah,Scott Dean G.. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2014-07-10.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips

Номер патента: US20220321128A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips

Номер патента: US20200228120A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips

Номер патента: US20210075423A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Circuit structure for testing through silicon vias in three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US11749648B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Chun-Lin Lu,Shou-Zen Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

LOGIC DRIVE BASED ON CHIP SCALE PACKAGE COMPRISING STANDARDIZED COMMODITY PROGRAMMABLE LOGIC IC CHIP AND MEMORY IC CHIP

Номер патента: US20200161242A1. Автор: Lin Mou-Shiung,Lee Jin-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Chip structure with moisture barrier along opening in edge thereof and manufacturing method of the chip structure

Номер патента: EP4400885A1. Автор: Zhuojie Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

THROUGH SILICON VIA IN N+ EPITAXY WAFERS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20130127067A1. Автор: Cheng Kangguo,Khakifirooz Ali,Kerber Pranita,Iyer Subramanian S.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for producing filled vias in electronic components

Номер патента: WO2000026942A9. Автор: Steven Landin,Marcus A Ritland. Владелец: Coors Ceramics Company. Дата публикации: 2000-10-19.

Impedance matching along vertical path of microwave vias in multilayer packages

Номер патента: EP1630897A1. Автор: Christopher Gordon,Gerardo Aguirre. Владелец: Kyocera America Inc. Дата публикации: 2006-03-01.

Method for producing filled vias in electronic components

Номер патента: WO2000026942A2. Автор: Marcus A. Ritland,Steven Landin. Владелец: Coors Ceramics Company. Дата публикации: 2000-05-11.

Via-in-pad with off-center geometry

Номер патента: US6833615B2. Автор: Phil Geng,Stephen C. Joy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Minimal capture pads applied to ceramic vias in ceramic substrates

Номер патента: US5464682A. Автор: Chandrika Prasad,Eric D. Perfecto,George E. White,Gordon J. Robbins,Keshav Prasad,Madhavan Swaminathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Номер патента: US09941458B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Номер патента: US09559283B2. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

IC chip package, test equipment and interface for performing a functional test of a chip contained within said chip package

Номер патента: CN101166986A. Автор: 约尔格·法拉斯,马尔金·吉内特,拉尔法·许耐德尔. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-23.

Ic chip package, test equipment and interface for performing a functional test of a chip contained within said chip package

Номер патента: WO2006108439A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-10-19.

Ic chip, head suspension assembly with the ic chip, manufacturing method of the ic chip and manufacturing method of the head suspension assembly.

Номер патента: HK1036354A1. Автор: Takeshi Wada,Takao Matsumoto,Masashi Shiraishi,Atsushi Hirose,Mitsuyoshi Kawai. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-12-28.

Method for producing filled vias in electronic components

Номер патента: AU2343800A. Автор: Marcus A. Ritland,Steven Landin. Владелец: Coors Ceramics Co. Дата публикации: 2000-05-22.

The method for manufacturing measurable via test patterns and characterization of via in multi-layered ic package

Номер патента: KR101111444B1. Автор: 김혜원,유대규,어영선. Владелец: (주) 와이팜. Дата публикации: 2012-02-24.

The method for manufacturing measurable via test patterns and characterization of via in multi-layered ic package

Номер патента: KR20110042901A. Автор: 김혜원,유대규,어영선. Владелец: (주) 와이팜. Дата публикации: 2011-04-27.

Vented vias for via in pad technology yield improvements

Номер патента: US20030064546A1. Автор: David Boggs,Rebecca Jessep,Carolyn McCormick,Daryl Sato,John Dungan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Tape with embedded IC chip and sheet with embedded IC chip

Номер патента: CN1890679B. Автор: 绫木光弘,神田伸夫,富田敬太郎,尾崎强,杉村诗朗,小林英树. Владелец: FEC Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

Formation method of solder bumps using thin film heater fabricated on IC chip or IC chip wafer and the facility to make the same

Номер патента: KR100808106B1. Автор: 최재훈,정부양,전영수,오태성,이광용. Владелец: 오태성. Дата публикации: 2008-02-29.

IC CHIP MOUNTING DEVICE AND IC CHIP MOUNTING METHOD

Номер патента: US20230011327A1. Автор: MAEDA Yoshimitsu. Владелец: SATO HOLDINGS KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2023-01-12.

IC chip mounting interposer and IC chip package

Номер патента: JP3695890B2. Автор: 素直福武,和彦大橋,明浦上,昭守屋,康浩栗原,浩一沖野. Владелец: W.L.Gore&Associates,Co.,LTD.. Дата публикации: 2005-09-14.

Substrate for mounting IC chip, substrate for motherboard, device for optical communication, manufacturing method of substrate for mounting IC chip, and manufacturing method of substrate for motherboard

Номер патента: US7437030B2. Автор: Motoo Asai,Hiroaki Kodama. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

IC chip transfer device and IC chip manufacturing method

Номер патента: JP4830951B2. Автор: 英之野田,光雄宇佐美. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-12-07.

Luminate for the formation of beam leads for IC chip bonding

Номер патента: US4792517A. Автор: Michel F. Molaire,Robert C. Mcconkey,Gerald W. Klein,John M. Noonan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1988-12-20.

Ic chip mounting board, substrate for mother board, device for optical communication, method for manufacturing substrate for mounting ic chip thereon, and method for manufacturing substrate for mother board

Номер патента: EP1688770A1. Автор: Motoo Ibiden Co. Ltd. Asai,Hiroaki Ibiden Co. Ltd. KODAMA. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-09.

IC chip built-in tape and IC chip built-in sheet

Номер патента: JPWO2005057479A1. Автор: 英樹小林,小林　英樹,詩朗杉村,伸夫神田,綾木　光弘,光弘綾木,強尾崎,敬太郎富田. Владелец: FEC Inc. Дата публикации: 2007-07-05.

IC chip supply device, IC chip mounting body manufacturing device

Номер патента: JP5445259B2. Автор: 太一井上,将司森田,正和谷井. Владелец: Sinfonia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-19.

method for inlaying chip in a card which is provided with antenna coil and IC chip

Номер патента: KR101006870B1. Автор: 김동진,유인종,이웅석. Владелец: (주)이.씨테크날리지. Дата публикации: 2011-01-12.

Cantilever type IC (Integrated Circuit) chip stack package of BT (Bismaleimide Triazine) substrate and production method of cantilever type IC chip stack package

Номер патента: CN102629604B. Автор: 郭小伟,朱文辉,慕蔚,李习周. Владелец: Tianshui Huatian Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-03.

IC chip mounting substrate and manufacturing method of IC chip mounting substrate

Номер патента: JP4540275B2. Автор: 元雄浅井. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-08.

IC chip mounting interposer and IC chip package

Номер патента: JP3642885B2. Автор: 素直福武,和彦大橋,明浦上,昭守屋. Владелец: W.L.Gore&Associates,Co.,LTD.. Дата публикации: 2005-04-27.

The hybrid package structure and its method for packing of mems chip and IC chip

Номер патента: CN107539943A. Автор: 黄卫东. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-05.

Method and apparatus for monitoring vias in a semiconductor fab

Номер патента: EP2162905A1. Автор: Randy Yach,Tommy Stevens. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-17.

IC chip and an IC chip manufacturing method thereof

Номер патента: TW201140777A. Автор: Yao-Sheng Huang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Ic chip, antenna, and manufacturing method of the ic chip and the antenna

Номер патента: EP1810333A4. Автор: Naoto Kusumoto,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-05.

Chip structure, wafer structure and fabricating method of redistributing structure

Номер патента: TWI254438B. Автор: Jian-Wen Lo,Mon-Chin Tsai,Shao-Wen Fu. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-05-01.

Wafer structure, chip package structure, chip structure and fabricating process thereof

Номер патента: TW200625477A. Автор: Li-Cheng Tai. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2006-07-16.

Wafer structure, chip structure and bumping process

Номер патента: US20060097392A1. Автор: Shyh-Ing Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Номер патента: US20160293825A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sudeep Mandal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20170338021A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US10157633B2. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-18.

Beta tungsten thin films with giant spin Hall effect for use in compositions and structures with perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20190139568A1. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-09.

MTJ BOTTOM METAL VIA IN A MEMORY CELL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200035906A1. Автор: Jiang Yi,TAN Juan Boon,YI Wanbing,SHUM Danny Pak-Chum,Hsieh Curtis Chun-I,Lin Benfu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

USING INTERRUPTED THROUGH-SILICON-VIAS IN INTEGRATED CIRCUITS ADAPTED FOR STACKING

Номер патента: US20140227829A1. Автор: GILLINGHAM Peter. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

CIRCUIT STRUCTURE FOR TESTING THROUGH SILICON VIAS IN THREE- DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20220310564A1. Автор: Chen Chun-Cheng,Chang Shou-Zen,LU Chun-Lin. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

INTEGRATED CIRCUIT COOLING USING EMBEDDED PELTIER MICRO-VIAS IN SUBSTRATE

Номер патента: US20160293822A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,Graf Richard S.,Mandal Sudeep. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated circuit cooling using embedded peltier micro-vias in substrate

Self-insulating metal vias in magnetic micro-devices

Номер патента: US12094629B1. Автор: Dale L. Huber,Eric Langlois,Jamin Ryan Pillars,Michael J. K. Abere. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

composite IC card

Номер патента: CN103946874B. Автор: 塚田哲也,仁瓶广誉. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-14.

Integrated antenna array with beamformer ic chips having multiple surface interfaces

Номер патента: AU2020476995A9. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Process for producing vias in semiconductor

Номер патента: US4894114A. Автор: Michael W. Cresswell,Harvey C. Nathanson,Michael C. Driver,Ronald G. Freitag,Donald K. Alexander,Daniel F. Yaw. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-16.

Integrated antenna array with beamformer ic chips having multiple surface interfaces

Номер патента: AU2020476995A1. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated antenna array with beamformer ic chips having multiple surface interfaces

Номер патента: US20230327320A1. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Integrated antenna array with beamformer ic chips having multiple surface interfaces

Номер патента: EP4244934A1. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Integrated antenna array with beamformer IC chips having multiple surface interfaces

Номер патента: US12009574B2. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of designing magnetism in compositionally complex oxides

Номер патента: US20230290553A1. Автор: Matthew J. Brahlek,Thomas Z. Ward,Elbio R. Dagotto,Alessandro R. Mazza. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Gas turbine part having an electrical system embedded in composite material

Номер патента: US09713202B2. Автор: Paul Broughton,Richard Peace,Gary Alan Skinner,Robin Charles Kennea. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2017-07-18.

System for testing bare IC chips and a socket for such chips

Номер патента: EP1113273A2. Автор: Ryu Maeda,Manabu Doi. Владелец: MOLEX LLC. Дата публикации: 2001-07-04.

A kind of inductance and IC chip of embedded IC chip

Номер патента: CN105632717B. Автор: 戴瑾,夏文斌. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-21.

Method for filling a via in a substrate and panel comprising such a substrate

Номер патента: EP2024170B1. Автор: Jeffrey Howerton,Michael S. Nashner,Gregg E. Hardy. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Chamber-accumulation extension via in-situ passivation

Номер патента: WO2020264054A1. Автор: Chunhai Ji,Chengzhu Qi,Changhe GUO,Zhiyuan Fang,Ruoyu YUE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-30.

Magnetic phase coupling in composite permanent magnet

Номер патента: US20180053586A1. Автор: C Bing Rong. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-02-22.

Beta tungsten thin films with giant spin hall effect for use in compositions and structures

Номер патента: WO2016069547A4. Автор: Gang Xiao,Qiang Hao. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-28.

Integrated antenna array and beamformer ic chips with inter-stage amplification

Номер патента: EP4404384A2. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Integrated antenna array and beamformer ic chips with inter-stage amplification

Номер патента: EP4404384A3. Автор: Steven J. Franson. Владелец: Viasat Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

DIELECTRIC VIAS IN MULTI-LAYER STRUCTURES

Номер патента: US20170215281A1. Автор: Gebauer Bernhard,FRITZ Martin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

Polymer Frame for a Chip, Such That the Frame Comprises at Least One Via in Series with a Capacitor

Номер патента: US20150228416A1. Автор: HURWITZ DROR,Huang Alex. Владелец: Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd.. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for anchoring a conductive cap on a filled via in a printed circuit board and printed circuit board with an anchored conductive cap

Номер патента: US09913382B2. Автор: Rajwant Sidhu,Ruben Zepeda. Владелец: Viasystems Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for forming vias in glass substrates

Номер патента: US09656909B2. Автор: Uta-Barbara Goers,Robert Carl Burket,Samuel Odei Owusu,Tammy Lynn Petriwsky. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for reducing crosstalk between vias in a printed circuit board

Номер патента: US7217889B1. Автор: Cuong C. Ly,Gopakumar Parameswaran,Yuval Bachar,Douglas L. Yanagawa,Mark N. Yamashita. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-15.

User authentication via in-ear acoustic measurements

Номер патента: US12102427B2. Автор: Andrew Todd Sabin,Andrew D. Dominijanni,John Allen Rule,Brian J. Maguire,Keith Robert Santarelli,Robert Heinz Haslinger. Владелец: Bose Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Portable terminal and ic chip management method

Номер патента: EP3798855A1. Автор: Makoto Wada. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2021-03-31.

Circuit and method for optimizing input voltage range of ic chip

Номер патента: US20150160666A1. Автор: Dan Cao,Anle Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Via in a printed circuit board

Номер патента: US09706667B2. Автор: Konstantine Karavakis,Kenneth S. Bahl. Владелец: Sierra Circuits Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for anchoring a conductive cap on a filled via in a printed circuit board and printed circuit board with an anchored conductive cap

Номер патента: WO2016190996A1. Автор: Rajwant Sidhu,Ruben Zepeda. Владелец: Ttm Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-12-01.

Tracker module, power supply system, radio frequency system, communication device, and ic chip

Номер патента: US20240313707A1. Автор: Kouji Yamaguchi,Sho OKAMOTO,Muneharu KATO. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

IC chip for preventing identification key leak and authorization method thereof

Номер патента: US09996836B2. Автор: Dong Hyun Kim,Dong Kyue Kim,Byong Deok Choi,Kwang Hyun Jee,Sang Seon Park. Владелец: ICTK Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for operating a metal drop ejecting three-dimensional (3d) object printer to form vias in printed circuit boards with conductive metal

Номер патента: US20230309241A1. Автор: Santokh S. Badesha,Varun Sambhy,Denis Cormier. Владелец: Elem Additive LLC. Дата публикации: 2023-09-28.

一种解决via-in-pad树脂塞孔pcb印制板压接孔小的方法

Номер патента: CN110248473. Автор: 彭卫红,宋建远,孙保玉,李永妮,袁为群. Владелец: Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

A method of producing an electrically conducting via in a substrate

Номер патента: EP2468082A1. Автор: Leander Dittmann. Владелец: picoDrill SA. Дата публикации: 2012-06-27.

A method of producing an electrically conducting via in a substrate

Номер патента: WO2011020563A1. Автор: Leander Dittmann. Владелец: picoDrill SA. Дата публикации: 2011-02-24.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Decompression circuit, circuit generation method, and ic chip

Номер патента: EP4220201A1. Автор: YU HUANG,Weiwei Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

IC chip, information processing apparatus, system, method, and program

Номер патента: US09832230B2. Автор: Shinichi Kato,Naofumi Hanaki,Shuichi Sekiya,Itsuki Kamino. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Ic chip and authentication method for user authentication

Номер патента: US20160285634A1. Автор: Dong Hyun Kim,Dong Kyue Kim,Byong Deok Choi,Kwang Hyun Jee,Sang Seon Park. Владелец: ICTK Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Spurious junction prevention via in-situ ion milling

Номер патента: US11765985B2. Автор: Markus BRINK,Keith Fogel,Benjamin Wymore,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga,Jeng-Bang Yau,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated power delivery board for delivering power to an asic with bypass of signal vias in a printed circuit board

Номер патента: US20210219426A1. Автор: Joel Richard Goergen,Richard Anthony O'Brien,Shobhana Punjabi,Paul Lachlan MANTIPLY,Kan SETO,Straty Argyrakis. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Spurious junction prevention via in-situ ion milling

Номер патента: US20230397506A1. Автор: Markus BRINK,Keith E. Fogel,Benjamin Wymore,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga,Jeng-Bang Yau,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Apparatus and methods for interconnecting components to via-in-pad interconnects

Номер патента: US20040064942A1. Автор: C. Chung,Sook Chan,Kum Leong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Mobile terminal and IC chip management method

Номер патента: US11765591B2. Автор: Makoto Wada. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Transmitter-only ic chip having external loopback test function and external loopback test method using the same

Номер патента: US20110110412A1. Автор: Jongshin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-12.

Online service providing system, IC chip, and application program

Номер патента: US11863681B2. Автор: Masataka Hayashi,Hiroaki Yokoyama,Naohisa Fukuda,Yasushi Shibuya,Greg DEICKMAN. Владелец: Japan Communications Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips

Номер патента: US20230353151A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Logic drive using standard commodity programmable logic ic chips

Номер патента: US20200235740A1. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Pll circuit, phase shifting method, and ic chip

Номер патента: SG142274A1. Автор: Masato Kita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

A kind of production method of high-flatness VIA-IN-PAD wiring board

Номер патента: CN108882527A. Автор: 周文涛,翟青霞,宋建远,徐正. Владелец: Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Method for solving problem of small pressing hole of VIA-IN-PAD resin hole-plugged PCB (printed circuit board)

Номер патента: CN110248473B. Автор: 彭卫红,宋建远,孙保玉,李永妮,袁为群. Владелец: Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

Ic chip with auto-identification

Номер патента: US20230370264A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

Ic chip, camera module, and position control system

Номер патента: US20240179409A1. Автор: Keita Okada,Yuki KITAMOTO. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Integrated photonic chip structure for universal quantum walk simulation

Номер патента: US20210320725A1. Автор: Junjie Wu,Xiaogang QIANG,Yizhi WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2021-10-14.

Quantum chip structure, determining method, device and storage medium

Номер патента: US20230325700A1. Автор: Lijing Jin,Yuao CHEN. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Quantum chip structure, determining method and apparatus, device and storage medium

Номер патента: AU2022263905A1. Автор: Lijing Jin,Yuao CHEN. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Superconducting quantum chip structure and superconducting quantum chip preparation method

Номер патента: EP4227862A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Automatic detection of defects in composite structures using NDT methods

Номер патента: US09811900B2. Автор: Joseph W. Maresca, Jr.,Wilhelmina C. Leuschen,Marissa L. Ammer. Владелец: Kurion Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Automatic detection of defects in composite structures using NDT methods

Номер патента: US09488592B1. Автор: Joseph W. Maresca,Wilhelmina C. Leuschen,Marissa L. Ammer. Владелец: Kurion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Superconducting quantum chip structure and fabrication method for superconducting quantum chip

Номер патента: US20240037438A1. Автор: Yongjie Zhao. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated photonic chip structure for universal quantum walk simulation

Номер патента: US11984934B2. Автор: Junjie Wu,Xiaogang QIANG,Yizhi WANG. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-05-14.

Signal processing method and communications chip structure

Номер патента: US10904054B2. Автор: Jianhua Zheng,Daiping Tang,Mingjun Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Methods and systems for allocating qubits on a quantum chip structure represented by a graph

Номер патента: WO2022224143A1. Автор: Pooya Ronagh,Navid Ghadermarzy,Shengru REN,Kawai CHEN. Владелец: 1QB INFORMATION TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2022-10-27.

Signal processing method and communications chip structure

Номер патента: US20200162294A1. Автор: Jianhua Zheng,Daiping Tang,Mingjun Fan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Methods and systems for allocating qubits on a quantum chip structure represented by a graph

Номер патента: US20240119336A1. Автор: Pooya Ronagh,Navid Ghadermarzy,Shengru REN,Kawai CHEN. Владелец: 1QB Information Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

High strength steel exhibiting good ductility, and method of production via in-line heat treatment downstream of molten zinc bath

Номер патента: RU2669654C2. Автор: Грант Аарон ТОМАС,Хосе Мауро Б. ЛОСС. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2018-10-12.

Identifying and Resolving Issues with Plated Through Vias in Voltage Divider Regions

Номер патента: US20200034510A1. Автор: David L. Green,Michael A. Christo,Julio A. Maldonado,Diana D. Zurovetz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor process modeling to enable skip via in place and route flow

Номер патента: US10831973B2. Автор: ZHENG Xu,Lawrence A. Clevenger,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

System for regulating the temperature of ic-chips with a fluid which is heated and cooled as a function of the fluid temperatures to and from heat exchangers for the ic-chips

Номер патента: EP1282828A2. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2003-02-12.

Device for measuring property changes via in-situ micro-viscometry

Номер патента: US20220214256A1. Автор: Jonathan E. Spowart,Colin Rowbottom,Carly S. Hauser,Eric A. Lindgren. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2022-07-07.

On-chip signal waveform measurement apparatus for measuring signal waveforms at detection points on IC chip

Номер патента: US7609100B2. Автор: Makoto Nagata. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2009-10-27.

On-chip signal waveform measurement apparatus for measuring signal waveforms at detection points on IC chip

Номер патента: US20070262799A1. Автор: Makoto Nagata. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2007-11-15.

Circuit trimming of packaged IC chip

Номер патента: US20030042919A1. Автор: James Ni. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Wireless communication with ic chip for i data submission

Номер патента: EP2815364A1. Автор: Mark Itwaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-24.

System and method for wireless communication with an IC chip for submission of pin data

Номер патента: US09547861B2. Автор: Mark Itwaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor process modeling to enable skip via in place and route flow

Номер патента: US10936782B2. Автор: ZHENG Xu,Lawrence A. Clevenger,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Semiconductor process modeling to enable skip via in place and route flow

Номер патента: US20200082047A1. Автор: ZHENG Xu,Lawrence A. Clevenger,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Systems and methods for drilling vias in transparent materials

Номер патента: US12070819B2. Автор: Hisashi Matsumoto,Zhibin LIN,Jan Kleinert. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor process modeling to enable skip via in place and route flow

Номер патента: US20190332738A1. Автор: ZHENG Xu,Lawrence A. Clevenger,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor process modeling to enable skip via in place and route flow

Номер патента: US20200082049A1. Автор: ZHENG Xu,Lawrence A. Clevenger,Dongbing Shao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

System for testing ic chips selectively with stored or internally generated bit streams

Номер патента: WO2001033241A1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert David Conklin,Timothy Allen Barr. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 2001-05-10.

System for testing ic chips selectively with stored or internally generated bit streams

Номер патента: EP1226446A1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert David Conklin,Timothy Allen Barr. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-07-31.

Method for recycling silver from waste ic chips using soluble starch

Номер патента: US20240191323A1. Автор: Jinfeng Wang,Hongqiang Ren,Zhan QU,Xianze WANG,Junzhen LIU,Yusen Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-13.

System for testing a group of IC-chips having a chip holding subassembly that is built-in and loaded/unloaded automatically

Номер патента: US6919718B2. Автор: Randy Neaman Siade,Terry Sinclair Connacher,James Vernon Rhodes,James Mason Brafford,John Charles Montgomery,David Jon Mortensen. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

System for testing multiple groups of IC-chips which concurrently sends time-shifted test signals to the groups

Номер патента: US6909299B1. Автор: Randy Neaman Siade,Terry Sinclair Connacher,James Vernon Rhodes,James Mason Brafford,John Charles Montgomery,David Jon Mortensen. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2005-06-21.

System for testing one or more groups of ic-chips while concurrently loading/unloading another group

Номер патента: WO2005047913A1. Автор: Randy Neaman Siade,Terry Sinclair Connacher,James Vernon Rhodes,James Mason Brafford,John Charles Montgomery,David Jon Mortensen. Владелец: Delta Design Inc.. Дата публикации: 2005-05-26.

Stitched circuitry region boundary indentification for stitched ic chip layout

Номер патента: US20090276748A1. Автор: Jeanne-Tania Sucharitaves,Richard J. Rassel,Robert K. Leidy,Kevin N. Ogg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Planar subassembly for testing IC chips having faces with pressed electrical contacts that carry all power and signals for the chips

Номер патента: US20020109519A1. Автор: Jerry Tustaniwskyj,Lawrence Friedrich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Multi-stage algorithmic pattern generator for testing ic chips

Номер патента: EP1226444A1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert Davis Conklin. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-07-31.

Multi-stage algorithmic pattern generator for testing ic chips

Номер патента: WO2001033236A1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert Davis Conklin. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 2001-05-10.

Algorithmic test pattern generator for testing ic chips

Номер патента: EP1226445A1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert Davis Conklin. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-07-31.

Source driver ic chip

Номер патента: US20150287388A1. Автор: Koji Higuchi,Atsushi Hirama,Kenichi Shiibayashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Source driver IC chip

Номер патента: US9406279B2. Автор: Koji Higuchi,Atsushi Hirama,Kenichi Shiibayashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Source driver ic chip

Номер патента: US20160307516A1. Автор: Koji Higuchi,Atsushi Hirama,Kenichi Shiibayashi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Improvement in composite materials and structures, and also improvements concerning composite materials and structures

Номер патента: RU2338820C2. Автор: Патрик Барри ХУК,Кеннет Е. ЭВАНЗ,Джонатан Пол ХАННИНГТОН,Клэр ХАРТМАНН-ТОМПСОН,Тимоти Рекс БАНС. Владелец: Дау Корнинг Лимитед. Дата публикации: 2008-11-20.

System and method for measuring absorbed humidity in composite material

Номер патента: RU2661409C2. Автор: Микеле ИАННОНЕ. Владелец: Алениа Аэрмакки С.п.А.. Дата публикации: 2018-07-16.

Card having built-in ic-chip and semiconductor ic-chip usable with the card

Номер патента: RU2190879C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Детлеф Удо. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for obtaining holes in composite material and device for its implementation

Номер патента: RU2753394C1. Автор: Сергей Александрович Еремин,Александр Александрович Барзов,Сергей Васильевич Бочкарев,Андрей Леонидович Галиновский,Чжэньюань Цзя,Денис Игоревич Галкин,Борис Борисович Морозов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2021-08-16.

New branched sulphates for application in composition for personal hygiene

Номер патента: RU2347557C2. Автор: Серен ФРАНЦ,Стюарт А. УОРБЕРТОН. Владелец: Родиа Инк.. Дата публикации: 2009-02-27.

Method of reducing dimer content in composition containing factor vii polypeptide by heat treatment

Номер патента: RU2483079C2. Автор: Янус КРАРУП. Владелец: Ново Нордиск Хелс Кеа Аг. Дата публикации: 2013-05-27.

Ic chip read-write device

Номер патента: MY127231A. Автор: Kawahara Yasushi. Владелец: Amano Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Clay-polyacrylate composites suspension via in situ polymerization

Номер патента: SG11201908452XA. Автор: Xu Li,Yu Zhang,Siew Yee Wong,Ming Yan TAN,xi kui Zhang. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-10-30.

Beehive in composite material and manufacturing process

Номер патента: RU2673719C2. Автор: Жил Сезар САНТОШ,ГОНСАЛВЕС Карла Мария БАТИСТА. Владелец: ГОНСАЛВЕС Карла Мария БАТИСТА. Дата публикации: 2018-11-29.

Reducing content of protein contaminants in compositions containing vitamin k-dependent protein of interest

Номер патента: RU2460735C2. Автор: Янус КРАРУП,Томас Будде ХАНСЕН,Анне Шарлотт АРЕНТСЕН,Дениел Е. РАСМУССЕН,Аре БОГНЕС,Арне СТАБИ,Хале АХМАДИАН,Сюзанн БАНГ. Владелец: Ново Нордиск Хелс Кеа Аг. Дата публикации: 2012-09-10.

Astringency reduction in compositions containing phenolic compounds

Номер патента: RU2504221C2. Автор: Туонг ХЬЮНХ-БА,Карлхайнц БОРТЛИК,Пьер ЛАМБЕЛЕ,Маурицио БЕДЖО,Роберт ЭШБАХ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2014-01-20.

IC chip test socket with double-ended spring biased contacts

Номер патента: US5489854A. Автор: Roy V. Buck,David N. Tesh. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-06.

System for regulating the temperature of ic-chips with a fluid whose temperature is controlled quickly by a slow response cooler and a fast response heater

Номер патента: EP1290520A2. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Tests for integrated circuit (IC) chips

Номер патента: US11994559B2. Автор: Lakshmanan Balasubramanian,Rubin Parekhji,Kalyan Chakravarthi Chekuri,Swathi G. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Apparatus and method to tailor fiber distortion in composite parts

Номер патента: AU2020200004A1. Автор: Gagandeep Saini. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-08-27.

Synergistic combination of alanine-glutamine, hyaluronic acid and oat extract and use thereof in composition intended for healing wounds and repairing skin lesions

Номер патента: RU2665371C2. Автор: Элен ДЮПЛАН,Коринн ДЕШЕЛЕТТ,Натали КАСТЕКС-РИЗЗИ,Летисья БОНЗОМ. Владелец: Пьер Фабр Дермо-Косметик. Дата публикации: 2018-08-29.

Pharmaceutic composition including arbidol in composition of phospholipid nanoparticles

Номер патента: RU2411942C2. Автор: Александр Иванович Арчаков,Елена Георгиевна Тихонова,Владимир Николаевич Прозоровский,Ольга Михайловна Ипатова,Наталья Велориковна Медведева,Оксана Сергеевна Стрекалова,Александр Владимирович Широнин,Мария Кирилловна Гусева,Василий Федорович Учайкин,Юрий Федорович Дощицин,Александр Иванович Арчаков (RU),Ольга Михайловна Ипатова (RU),Наталья Велориковна Медведева (RU),Елена Георгиевна Тихонова (RU),Оксана Сергеевна Стрекалова (RU),Александр Владимирович Широнин (RU),Василий Федорович Учайкин (RU),Мария Кирилловна Гусева (RU),Юрий Федорович Дощицин (RU),Владимир Николаевич Прозоровский (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭкоБиоФарм". Дата публикации: 2011-02-20.

Information processing apparatus including a communication unit that communicates with an IC chip and associated methodology

Номер патента: US8120997B2. Автор: Susumu Senshu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-02-21.

RF IC Chip내장형 휴대형 전자계산기

Номер патента: KR200319459Y1. Автор: 배성용. Владелец: 배성용. Дата публикации: 2003-07-12.

Integrated circuit (ic) chip with a self-contained fluid sensor and method of making the chip

Номер патента: US20180086629A1. Автор: George Manos,Manuel A. Balvin,Michael P. Callahan. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-03-29.

Ic chip

Номер патента: US20160378152A1. Автор: Tadaaki Akimoto. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Speicherschaltung und ic-chip

Номер патента: DE112022005411T5. Автор: Kazuhisa Ukai,Takashige Hama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus, method, and system for testing IC chip

Номер патента: US09945904B1. Автор: Jaehoon SONG. Владелец: Innotio Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Container including an inlet having an IC chip and an antenna for monitoring tamper events of the container

Номер патента: US09617038B2. Автор: Takamitsu Nakabayashi,Toshiaki Yagishita. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Improvements in composite materials

Номер патента: RU2531905C2. Автор: Эмили ФИССЕ,Джон ЭЛЛИС,Пол МАККЕНЗИ,Дэвид ТИЛБРУК. Владелец: Хексел Композитс Лимитед. Дата публикации: 2014-10-27.

Fabric for use in composite materials and method of producing fabric and element from composite material

Номер патента: RU2587554C2. Автор: Томас БИШОФФ,Мелике АФСАР. Владелец: Гроц-Беккерт Кг. Дата публикации: 2016-06-20.

Systems and methods for semi-discrete modeling of delamination migration in composite laminate materials

Номер патента: EP4181008A2. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-17.

A two-component chemically thermoset composite resin matrix for use in composite manufacturing processes

Номер патента: EP1297045A1. Автор: Gail Ryckis-Kite,David Slaback. Владелец: Resin Systems Inc. Дата публикации: 2003-04-02.

Systems and methods for semi-discrete modeling of delamination migration in composite laminate materials

Номер патента: EP4181008A3. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-06-21.

Quantum chip structure and method for generating layout of quantum chip structure

Номер патента: AU2023274080A1. Автор: JIN Lijing,Chen Yuao. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Bends in composite panels

Номер патента: US09908283B2. Автор: Stephen M. Young,Carl Aaron Davison,Will George Pfeffer. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic head apparatus with head IC chip

Номер патента: US6282062B1. Автор: Masashi Shiraishi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Intermediate stage of a multi-stage algorithmic pattern generator for testing IC chips

Номер патента: US6477676B1. Автор: James Vernon Rhodes,Robert David Conklin. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Circuit means for collecting operational errors in IC chips and for identifying and storing the locations thereof

Номер патента: US4139818A. Автор: Robert P. Schneider. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Pusher of ic chip handler

Номер патента: US20070099447A1. Автор: Mitsuo Koizumi,Shintaro Hayashi,Osamu Urakawa. Владелец: Daytona Control Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-03.

Pogo pin-free testing device for IC chip test and testing method of IC chip

Номер патента: US11740260B2. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun,Pei-Shiou Huang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Pogo pin-free testing device for ic chip test and testing method of ic chip

Номер патента: US20230160925A1. Автор: Chih-Feng Cheng,Chih-Chieh LIAO,Yu-Min Sun,Pei-Shiou Huang. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Portable device comprising sensor and ic chip

Номер патента: US20240211817A1. Автор: Unho Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-27.

Chip structure in ink-jet head

Номер патента: US20030025754A1. Автор: Fu-San Lin,Ying-Lun Chang,Tse-Chi Mou,Cheng-Hung Yu,Chin-Yi Chou. Владелец: Microjet Technology Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Biscuit extruded at negative temperature, method for producing the same and using in composite frozen confectioneries

Номер патента: RU2313943C2. Автор: Кристиан ДЮФОР. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for the manufacture of a structural component in composite material reinforced with stiffening stringers and structural component

Номер патента: US20240326354A1. Автор: Alessandro SERIO,Nicola Gallo,Giuseppe Stefano CORVAGLIA. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and device for manufacturing a structural element in composite material with a z-shaped profile

Номер патента: AU2021381060A1. Автор: Marco Barile,Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Nicola Miani,Luca Monopoli,Antonio Ruberto. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and device for manufacturing a structural element in composite material with a z-shaped profile

Номер патента: EP4247626A1. Автор: Marco Barile,Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Nicola Miani,Luca Monopoli,Antonio Ruberto. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for producing a finished thread - guiding grooved cylinder in composite material of plastic origin for spooling machines in the textile industry and thread -guiding grooved cylinder

Номер патента: EP2691221A1. Автор: Ennio CESARATTO. Владелец: Nimei Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Uv-filters, method of producing the same and their use in compositions, in particular sunscreens

Номер патента: EP3164106A1. Автор: Maria Manuela ESTEVEZ PINTADO,Clara PICCIRILLO,Paula CASTRO. Владелец: Universidade Catolica Portuguesa - Ucp. Дата публикации: 2017-05-10.

Uv-filters, method of producing the same and their use in compositions, in particular sunscreens

Номер патента: US20170119636A1. Автор: Maria Manuela ESTEVEZ PINTADO,Clara PICCIRILLO,Paula CASTRO. Владелец: UNIVERSIDADE CATÓLICA PORTUGUESA. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods and systems for identifying processing locations in composite layups

Номер патента: US11472138B2. Автор: Jerald A. Hull. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-10-18.

Stirrer organ in composite construction

Номер патента: US9089934B2. Автор: Frank Hoffmann. Владелец: SICcast Mineralguss GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-07-28.

Stirrer organ in composite construction

Номер патента: WO2012084226A1. Автор: Frank Hoffmann. Владелец: Siccast Mineralguss. Дата публикации: 2012-06-28.

Apparatuses, tacking sticks, and systems for tacking workpieces in composite manufacturing and methods associated therewith

Номер патента: US20240262045A1. Автор: Nayeem CHOWDHURY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatuses, tacking sticks, and systems for tacking workpieces in composite manufacturing and methods associated therewith

Номер патента: EP4414149A1. Автор: Nayeem CHOWDHURY. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-14.

Stirrer organ in composite construction

Номер патента: US20120163118A1. Автор: Frank Hoffmann. Владелец: SICcast Mineralguss GmbH and Co KG. Дата публикации: 2012-06-28.

Stirrer organ in composite construction

Номер патента: US20150151388A1. Автор: Frank Hoffmann. Владелец: SICcast Mineralguss GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-06-04.

Golf ball with built-in ic chip

Номер патента: US20190290970A1. Автор: Atsushi Komatsu. Владелец: Bridgestone Sports Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Apparatus, method, and system for testing ic chip

Номер патента: US20180106859A1. Автор: Jaehoon SONG. Владелец: Innotio Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Apparatus, method, and system for testing ic chip

Номер патента: US20180045781A1. Автор: Jaehoon SONG. Владелец: Innotio Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

IC chip stress testing

Номер патента: US7512506B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Oliver Aubel,Tom C. Lee,Alvin W. Strong,Deborah M. Massey,Travis S. Merrill,Stanley W. Polchlopek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-03-31.

Utilizing transition ATPG test patterns to detect multicycle faults and/or defects in an IC chip

Номер патента: US11893336B1. Автор: Arvind Chokhani,Joseph Michael Swenton,Martin Thomas Amodeo. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Ic chip for a recording agent cartridge, management system and packaging box

Номер патента: EP3312680A3. Автор: Akira Takano. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Ic chip stress testing

Номер патента: US20080297188A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Oliver Aubel,Tom C. Lee,Alvin W. Strong,Deborah M. Massey,Travis S. Merrill,Stanley W. Polchlopek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-04.

IC chip

Номер патента: US9710035B2. Автор: Tadaaki Akimoto. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Radiation-sensitive detector with scintillator in composite resin

Номер патента: RU2487373C2. Автор: Симха ЛЕВЕН,Корнелис Р. РОНДА. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-07-10.

System and method of displacement volumes in composite members

Номер патента: WO2010076757A9. Автор: Kim Breuning. Владелец: Bubbledeck International A/S. Дата публикации: 2010-10-14.

Harmonic board in composite material

Номер патента: WO1999000787A1. Автор: Glauco Corbellini,Paolo Fazioli. Владелец: Paolo Fazioli. Дата публикации: 1999-01-07.

System and method of displacement volumes in composite members

Номер патента: WO2010076757A3. Автор: Kim Breuning. Владелец: Bubbledeck International A/S. Дата публикации: 2010-12-02.

Process for the production of manufactured articles in composite material

Номер патента: US20230166465A1. Автор: William Gualtieri. Владелец: Motordesign Modena Srl. Дата публикации: 2023-06-01.

Process for the production of manufactured articles in composite material

Номер патента: EP4143004A1. Автор: William Gualtieri. Владелец: Motordesign Modena Srl. Дата публикации: 2023-03-08.

Method of manufacturing monolithic structure in composite material for wings or empennages of aircraft

Номер патента: AU2021416329A9. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Antonio Baroni,Alfredo Ricciardi. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2024-10-17.

Stabilizing zinc oxide film in compositions for oral care

Номер патента: RU2697881C2. Автор: Бетти ВОН,Палома ПИМЕНТА,Шира ПИЛЧ,Джеймс МАСТЕРС. Владелец: КОЛГЕЙТ-ПАЛМОЛИВ КОМПАНИ. Дата публикации: 2019-08-21.

Printing on non-woven fabrics and their use in composite materials

Номер патента: RU2539158C2. Автор: Клаус Фридрих ГЛЯЙХ,Михель КЕТЦЕР. Владелец: Джонс Мэнвилл Юроп Гмбх. Дата публикации: 2015-01-10.

MEMS chip structure

Номер патента: US11713239B2. Автор: Huikai Xie,Hong Tang,Chendi JIANG,Yiwen Chen,Danyang YAO,Zhaoxing Huang. Владелец: Wuxi Wio Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Composite adhesive and use thereof in composite wood boards

Номер патента: RU2586146C2. Автор: Рогер БРАУН,Андреас ГИЕР,Йоахим ХАШ. Владелец: Кронотек Аг. Дата публикации: 2016-06-10.

Dispersants in composites

Номер патента: RU2435802C2. Автор: Рудольф ПФЭНДНЕР,Грэм МОАД,Гуосинь ЛИ,Джонатан КАМПБЕЛЛ,Хендрик ВЕРМТЕР. Владелец: Эдвансд Полимерик Пти. Лимитед. Дата публикации: 2011-12-10.

Coupled fibres in composite articles

Номер патента: RU2661586C1. Автор: Марк С. ВИЛЕНСКИ,Майкл П. КОЗАР,Дэниел К. СТЭНЛИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-07-17.

Bonded fibers in composite structures

Номер патента: RU2677169C1. Автор: Марк С. ВИЛЕНСКИ,Майкл П. КОЗАР,Дэниел К. СТЭНЛИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2019-01-15.

Method of acoustic-emission control of defects in composite structures based on carbon

Номер патента: RU2674573C1. Автор: Людмила Николаевна Степанова,Сергей Иванович Кабанов,Илья Сергеевич Рамазанов,Валентина Викторовна Чернова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет путей сообщения" (СГУПС). Дата публикации: 2018-12-11.

Process for creating local and controlled frangible areas in composites

Номер патента: US20230228286A1. Автор: Thomas William Stromgren. Владелец: Mission Critical Composites LLC. Дата публикации: 2023-07-20.

Innovative hole making process in composite laminates

Номер патента: US20210138741A1. Автор: Ajit D. Kelkar,Vishwas S. Jadhav. Владелец: North Carolina A&T State University. Дата публикации: 2021-05-13.

Use of precipitated silicon dioxide containing aluminium and 3-acryloxy-propyltriethoxysilane in composition of one or more isoprene elastomers

Номер патента: RU2541066C2. Автор: Лоран ГИ,Эрик ПЕРЕН,Доминик ДЮПЮИ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2015-02-10.

Coated sodium percarbonate particles, method for thereof obtaining, thereof application in compositions of detergents and thereof-containing detergent compositions

Номер патента: RU2577268C2. Автор: Юрген РАБЕ,Альфред ЗЕНТГЕРАТ,Герд ХЕККЕН,Ханс Дитер ДУНГ,Франк КЕТТИНГ. Владелец: Солвей Са. Дата публикации: 2016-03-10.

Molded-in composite bushings

Номер патента: CA1229643A. Автор: George J. Wehnert,Stanley J. Richter. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Apparatus and method of vibration testing for manufacturing defect detection in composite insulators

Номер патента: WO2013102020A1. Автор: Andrew John Phillips,Kris KOZAK. Владелец: ELECTRIC POWER RESEARCH INSTITUTE, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Method and system for inspection of joints in composite pipes and of composite repairs in metallic pipelines

Номер патента: US11946907B2. Автор: Lucio DE ABREU CORREA,Thomas Gabriel Rosauro Clarke,Sergio Damasceno Soares,Ricardo Callegari Jacques,Henrique Tormen Haan De Oliveira,Giovanno Ferrari Zuglian,Alberto Bisognin. Владелец: UNIVERSIDADE FEDERAL DO RIO GRANDE DO SUL UFRGS. Дата публикации: 2024-04-02.

Spectral chip structure design method and device for application-specific spectral library

Номер патента: US20230409792A1. Автор: Xue Feng,Wei Zhang,Fang Liu,Hongbo Zhu,Yidong Huang,Kaiyu Cui. Владелец: Beijing Seetrum Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Fragrances with reduced content of sulphur and their application in compositions for oral cavity care

Номер патента: RU2423102C2. Автор: II Стивен Гамильтон ХОУК,Марк Алан ГЕСТЕР,Ниранджан РАМДЖИ,Роберт Лесли Джр. СВЭЙН,Герхард Норберт ЗЕХЕНТБАУЭР,Дениз Мари МАККЛЕНАТАН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of measuring azimuthal antenna directional pattern in composition of large size surface-mobile objects and device for its implementation

Номер патента: RU2638079C1. Автор: Юрий Васильевич Щербина,Николай Иванович Сазонов,Иван Николаевич Хонякин. Владелец: Акционерное общество "Лётно-исследовательский институт имени М.М. Громова". Дата публикации: 2017-12-11.

Method of producing bores in composite material with ceramic substrate by laser beam

Номер патента: RU2432241C2. Автор: КЛЕР Филипп ЛЕ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2011-10-27.

Identification of human t2r receptors that respond to bitter compounds that elicit the bitter taste in compositions, and the use thereof in assays to identify compounds that inhibit (block) bitter taste in compositions and use thereof

Номер патента: CA2696995C. Автор: HONG XU,Thomas Brady,Jing Ling,Qing Li,Victor Selchau,Guy Servant,Paul Brust,Andrew Patron,Alexey Pronin,Xiaodong Li,Vincent Darmohusodo,Melissa Arellano,Brett Weylan Ching,Donald S. Karanewsky,Wen Zhao,Chad Priest,Catherine Tachdjian,Lan Zhang. Владелец: Senomyx Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Anchorages in composite steel and concrete structural members

Номер патента: US5107650A. Автор: Mark Patrick. Владелец: John Lysaght Australia Pty Ltd. Дата публикации: 1992-04-28.

Additivated sodic bentonite for use in composition of green sand for molding of cast parts

Номер патента: WO2008046172A2. Автор: Arnaldo Romanus. Владелец: Coque do Sul do Brasil Ltda. Дата публикации: 2008-04-24.

Obtaining process of additivated sodic bentoinite for use in composition of green sand for molding of cast parts and resulting product

Номер патента: CA2657799A1. Автор: Arnaldo Romanus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

A two component chemically thermoset composite resin matrix for use in composite manufacturing processes

Номер патента: CA2310166C. Автор: Gail Ryckis-Kite,David Slaback. Владелец: Resin Systems Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

System for in-situ delamination detection in composites

Номер патента: US5814729A. Автор: Shu-Yau Wu,Donald L. Edberg,Andrew S. Bicos. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Methods of cementing in subterranean formations using cement kiln dust in compositions having reduced portland cement content

Номер патента: CA2778241C. Автор: Craig Wayne Roddy,Darrell Chad Brenneis,Jiten Chatterji,Ronnie G. Morgan. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Systems and methods for semi-discrete modeling of progressive damage and failure in composite laminate materials

Номер патента: US20230177240A1. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-06-08.

Bio chip structure for comparative experiment

Номер патента: US20190039064A1. Автор: Dong Woo Lee,Sung Hoon Kim,Chan Ho Park. Владелец: Mbd Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Compression molding device of parts in composite material starting from plates in composite with a thermoplastic matrix

Номер патента: US11845203B2. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Nicola Miani,Silvio PAPPADA,Giuseppe BUCCOLIERO. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for the manufacture of a structural component in composite material reinforced with stiffening stringers and structural component

Номер патента: EP4267458A1. Автор: Alessandro SERIO,Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-11-01.

Method for monitoring structural elements in composite

Номер патента: WO2024075077A1. Автор: Fabrizio Di Pasquale,Stefano Faralli,Massimiliano SOLAZZI,Massimiliano GABARDI,Lorenzo TOZZETTI,David Benedetti. Владелец: Carbon Dream S.P.A.. Дата публикации: 2024-04-11.

Systems and methods for semi-discrete modeling of progressive damage and failure in composite laminate materials

Номер патента: EP4181007A2. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-05-17.

Systems and methods for semi-discrete modeling of progressive damage and failure in composite laminate materials

Номер патента: EP4181007A3. Автор: Anthony M. Waas,Minh Hoang Nguyen. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for prevention of porosity in composite material parts

Номер патента: US20130287954A1. Автор: Pedro Nogueroles Viñes,José David Cano Cediel. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2013-10-31.

Use of partially acetylated polyvinyl alcohol as a foaming agent in compositions in the form of aerosols

Номер патента: US4880618A. Автор: Jean Mondet,Claude Dubief,Jean F. Grollier. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1989-11-14.

Organic powder useful as the replacement of mineral filler in composites

Номер патента: US8906502B2. Автор: Frederic Bauchet,Valerie Englert. Владелец: CCP COMPOSITES US LLC. Дата публикации: 2014-12-09.

Organic powder filler useful as the replacement of mineral filler in composites

Номер патента: AU2007341656A1. Автор: Frederic Bauchet,Valerie Englert. Владелец: Cook Composites and Polymers Co. Дата публикации: 2008-07-10.

Frame for a folding bicycle in composite material by means of compression moulding

Номер патента: WO2022207570A1. Автор: Miguel RUIZ DEALBERT,Roberto ESTAL VERA,Juan Salamero Laorden,Jose Manuel ROS BAS. Владелец: Muelles Y Ballestas Hispano-Alemanas Projects,. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and device for manufacturing a structural element in composite material with a z-shaped profile

Номер патента: US20240076060A1. Автор: Marco Barile,Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Nicola Miani,Luca Monopoli,Antonio Ruberto. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of preparing glass microfibers for use in composites and flowable microfiber products

Номер патента: US5585180A. Автор: James A. Fadell. Владелец: Schuller International Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Organic powder filler useful as the replacement of mineral filler in composites

Номер патента: CA2671089C. Автор: Frederic Bauchet,Valerie Englert. Владелец: CCP COMPOSITES US LLC. Дата публикации: 2014-07-15.

Sized carbon fibers suitable for use in composite of improved impact resistance

Номер патента: CA1218569A. Автор: Lincoln Ying,Thomas P. Carter, Jr.. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1987-03-03.

Compounds that inhibit (block) bitter taste in composition and use thereof

Номер патента: US7939671B2. Автор: HONG XU,Thomas Brady,Jing Ling,Qing Li,Victor Selchau,Guy Servant,Paul Brust,Andrew Patron,Alexey Pronin,Xiaodong Li,Vincent Darmohusodo,Melissa Arellano,Brett Weylan Ching,Donald S. Karanewsky,Wen Zhao,Chad Priest,Catherine Tachdjian,Lan Zhang. Владелец: Senomyx Inc. Дата публикации: 2011-05-10.

Methods and systems for identifying processing locations in composite layups

Номер патента: US20210276287A1. Автор: Jerald A. Hull. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for producing a finished thread - guiding grooved cylinder in composite material of plastic origin for spooling machines in the textile industry and thread -guiding grooved cylinder

Номер патента: WO2012131457A1. Автор: Ennio CESARATTO. Владелец: Cesaratto Ennio. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods and systems for identifying processing locations in composite layups

Номер патента: US20210107240A1. Автор: Jerald A. Hull. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-04-15.

COMPLEX COMPOUNDS CONTAINING RADIONUCLIDE 227Th, AS WELL AS BISPHOSPHONATE FRAGMENT, METHODS FOR THEIR PRODUCTION, AS WELL AS POTENTIAL USE AS ACTIVE SUBSTANCE IN COMPOSITION OF OSTEOTROPIC RADIOPHARMACEUTICAL DRUG

Номер патента: RU2767567C1. Автор: Станислав Анатольевич Дороватовский. Владелец: Станислав Анатольевич Дороватовский. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of biological purification of liquid fractions containing a disinfectant quaternary ammonium salts (qac) and similar substances together with household and/or industrial wastewater close to them in composition

Номер патента: RU2743531C1. Автор: Елена Владимировна Вильсон,Михаил Геннадьевич Зубов,Сергей Александрович Щербаков,Дмитрий Игоревич Обухов. Владелец: Михаил Геннадьевич Зубов. Дата публикации: 2021-02-19.

Blade with built-in composite spar

Номер патента: RU2565152C2. Автор: Давид МАРСАЛЬ,Адриен ФАБР,Николя ОРН,Жан Марк ПЕРРОЛЛА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-10-20.

Monoclonal antibody to rdb fragment in composition of sars-cov-2 s protein

Номер патента: RU2744274C1. Автор: Михаил Иванович Шахпаронов,Надежда Викторовна Антипова,Марат Самвелович Павлюков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова Российской академии наук (ИБХ РАН). Дата публикации: 2021-03-04.

Method for recycling production waste and product returns of dairy industry for production of feed product and/or additive in composition of compound feeds for agricultural animals and poultry

Номер патента: RU2758294C1. Автор: Вячеслав Валентинович Ганин,Михаил Александрович Гаврилин. Владелец: Михаил Александрович Гаврилин. Дата публикации: 2021-10-28.

Space reduction in compositional state systems

Номер патента: CA2355974A1. Автор: Wayne Biao Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-24.

Use of additives in compositions of pervious concrete

Номер патента: WO2024018075A1. Автор: Isabelle DUBOIS BRUGGER,Quoc Huy VU. Владелец: Holcim Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

A method for preparing ceramic mixed-oxide materials, particularly intended to be used as matrix material in composite ceramic products

Номер патента: WO1994002431A1. Автор: Jesper Brandt,Robert Lundberg,Lars Pejryd. Владелец: Volvo Flygmotor Ab. Дата публикации: 1994-02-03.

Optical waveguide trenches in composite integrated circuits

Номер патента: WO2003009024A2. Автор: Albert A. Talin,Barbara Barenburg Foley. Владелец: Motorola, Inc. A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of manufacturing monolithic structure in composite material for wings or empennages of aircraft

Номер патента: US20240067359A1. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Antonio Baroni,Alfredo Ricciardi. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2024-02-29.

Anti-coronavirus molecules and their use in compositions and methods for treating and/or preventing infection caused by a coronavirus

Номер патента: WO2008062309A3. Автор: Jean Millet,Ralf Marius Altmeyer,Beatrice Therese Marie Nal-Rogier,Francois Kien,Kim Tat Teoh,Yu Lam Siu. Владелец: Nal-Rogier Beatrice Therese Ma. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of manufacturing monolithic structure in composite material for wings or empennages of aircraft

Номер патента: EP4271562A1. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Antonio Baroni,Alfredo Ricciardi. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-11-08.

Method of manufacturing monolithic structure in composite material for wings or empennages of aircraft

Номер патента: CA3204062A1. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Antonio Baroni,Alfredo Ricciardi. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of manufacturing monolithic structure in composite material for wings or empennages of aircraft

Номер патента: AU2021416329A1. Автор: Nicola Gallo,Stefano Giuseppe Corvaglia,Antonio Baroni,Alfredo Ricciardi. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-07-20.

Single-cap via-in-pad and methods for forming thereof

Номер патента: US8772647B1. Автор: Chien Te Chen. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Printed circuit board with a differential line pair having vias in each line that are not equally spaced apart

Номер патента: US9854666B2. Автор: Yu-Hsu Lin. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Multi-layers with vias in filled holes

Номер патента: US20030113510A1. Автор: Steve Schultz,Mark Lopac,David Backen,Kevin Dane. Владелец: Honeywell Advanced Circuits Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Multi-layeres with vias in filled holes

Номер патента: WO2003051626A1. Автор: Steve Schultz,Mark Lopac,David Backen,Kevin Dane. Владелец: Honeywell Advanced Circuits, Inc.. Дата публикации: 2003-06-26.

Distribution of power vias in a multi-layer circuit board

Номер патента: US20160342723A1. Автор: Matteo Cocchini,Tingdong Zhou,Zhaoqing Chen,Rohan U. Mandrekar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Distribution of power vias in a multi-layer circuit board

Номер патента: US20160342724A1. Автор: Matteo Cocchini,Tingdong Zhou,Zhaoqing Chen,Rohan U. Mandrekar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Distribution of power vias in a multi-layer circuit board

Номер патента: US09600619B2. Автор: Matteo Cocchini,Tingdong Zhou,Zhaoqing Chen,Rohan U. Mandrekar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Distribution of power vias in a multi-layer circuit board

Номер патента: US09594865B2. Автор: Matteo Cocchini,Tingdong Zhou,Zhaoqing Chen,Rohan U. Mandrekar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Systems and methods for frequency shifting resonance of an unused via in a printed circuit board

Номер патента: US20190041184A1. Автор: Bhyrav M. Mutnury,Sandor Farkas,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-02-07.

Varying diameters of power-vias in a pcb based on via location

Номер патента: US20240260188A1. Автор: Brian Mark Hostetler. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-08-01.

Authenticated modifications of multi-party ledger data during user connectivity via in-flight systems

Номер патента: WO2024130186A1. Автор: Robert Kasody,Faizalsheriff Kalifullah Sheriff,Saeed PEZESHKFAR. Владелец: Panasonic Avionics Corporation. Дата публикации: 2024-06-20.

Authenticated modifications of multi-party ledger data during user connectivity via in-flight systems

Номер патента: EP4386608A3. Автор: Robert Kasody,Faizalsheriff Kalifullah Sheriff,Simon Pezeshkfar. Владелец: Panasonic Avionics Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Transmission of feedback to edge transceiver via in-band on-channel (IBOC) mesh network

Номер патента: US11997615B2. Автор: Jeffrey Lee Littlejohn. Владелец: iHeartMedia Management Services Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Method of forming high density vias in a multilayer substrate

Номер патента: EP3745828A1. Автор: Remi Perrin,Julien Morand,Roberto MRAD,Stephan MOLLOV. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2020-12-02.

Electrical socket connector with guide frame IC chip placement

Номер патента: US09717156B2. Автор: HAO Zhang,Yin Liang He. Владелец: Lotes Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating closed vias in a printed circuit board

Номер патента: WO2008057717A2. Автор: Gregory J. Dunn,Jaroslaw A. Magera,Kathy D. Leganski. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2008-05-15.

Method for fabricating closed vias in a printed circuit board

Номер патента: WO2008057717B1. Автор: Gregory J Dunn,Jaroslaw A Magera,Kathy D Leganski. Владелец: Kathy D Leganski. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for fabricating closed vias in a printed circuit board

Номер патента: WO2008057717A3. Автор: Gregory J Dunn,Jaroslaw A Magera,Kathy D Leganski. Владелец: Kathy D Leganski. Дата публикации: 2008-07-31.

Systems and methods for dynamically augmenting videos via in-video insertion on mobile devices

Номер патента: US11735226B2. Автор: Christopher Drury,Mike Cornell,Stephen Hodnicki,Benjamin Su,Kaypree Hodges,Raquel Rahmey. Владелец: Yahoo AD Tech LLC. Дата публикации: 2023-08-22.

Ultraviolet laser system and method for forming vias in multi-layered targets

Номер патента: US5593606A. Автор: Mark D. Owen,James N. O'Brien. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 1997-01-14.

Shielded signal vias in printed circuit boards for high-frequency and broadband signals

Номер патента: US20230292431A1. Автор: Niels Husted Kirkeby. Владелец: TTM Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Shielded signal vias in printed circuit boards for high frequency and broadband signals

Номер патента: EP4247128A1. Автор: Niels Husted Kirkeby. Владелец: TTM Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Unterschiedliche durchmesser von power-vias in einer leiterplatte basierend auf der lage der vias

Номер патента: DE102023114785A1. Автор: Brian Mark Hostetler. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-08-01.

Authenticated modifications of multi-party ledger data during user connectivity via in-flight systems

Номер патента: US20240205207A1. Автор: Robert Kasody,Faizalsheriff Kalifullah Sheriff,Saeed PEZESHKFAR. Владелец: Panasonic Avionics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Authenticated modifications of multi-party ledger data during user connectivity via in-flight systems

Номер патента: EP4386608A2. Автор: Robert Kasody,Faizalsheriff Kalifullah Sheriff,Simon Pezeshkfar. Владелец: Panasonic Avionics Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Combining video streams in composite video stream with metadata

Номер патента: US12108097B2. Автор: Hans Maarten Stokking. Владелец: Koninklijke KPN NV. Дата публикации: 2024-10-01.

Method and Apparatus for Reducing Color Fringing in Composite Images

Номер патента: US20160249028A1. Автор: Allan Johansson,Mats Wernersson,Jonas Gustavsson,Johannes Elg,Daniel LINÅKER. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and apparatus for reducing color fringing in composite images

Номер патента: EP3103261A1. Автор: Allan Johansson,Mats Wernersson,Jonas Gustavsson,Johannes Elg,Daniel LINÅKER. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-14.

Method and apparatus for reducing color fringing in composite images

Номер патента: US09554107B2. Автор: Allan Johansson,Mats Wernersson,Jonas Gustavsson,Johannes Elg,Daniel LINÅKER. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Multi-layeres with vias in filled holes

Номер патента: AU2002364565A1. Автор: Steve Schultz,Mark Lopac,David Backen,Kevin Dane. Владелец: Honeywell Advanced Circuits Inc. Дата публикации: 2003-06-30.

Wiring board having via and method forming a via in a wiring board

Номер патента: US8604357B2. Автор: Tsutomu Takeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-12-10.

Systems and methods for dynamically augmenting videos via in-video insertion on mobile devices

Номер патента: US20230352057A1. Автор: Christopher Drury,Mike Cornell,Stephen Hodnicki,Benjamin Su,Kaypree Hodges,Raquel Rahmey. Владелец: Yahoo AD Tech LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

One-time password delivery via in-band unauthenticated channel

Номер патента: WO2024047586A1. Автор: Ian Reilly,Emilio Belmonte. Владелец: Entrust Corporation. Дата публикации: 2024-03-07.

One-time password delivery via in-band unauthenticated channel

Номер патента: US20240097909A1. Автор: Ian Reilly,Emilio Belmonte. Владелец: Entrust Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for diverting lightning current from skin fasteners in composite, non-metallic structures

Номер патента: US09912137B2. Автор: Robert B. Greegor,Quynhgiao Le,Jeffrey Denys Morgan,Brent A. Whiting. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-03-06.

Connection apparatus for circuit board, ink jet type recording apparatus using the same, IC chip and ink cartridge having IC chip

Номер патента: US20030051904A1. Автор: Yoshiharu Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Analog-digital converter chip and RF-IC chip using the same

Номер патента: CN101442311B. Автор: 大岛俊,山肋大造. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-09-21.

IC chip for recalibration of a hearing aid by user

Номер патента: GB2375915A. Автор: Paul Shields. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-11-27.

Connection apparatus for circuit board, ink jet type recording apparatus using the same, IC chip and ink cartridge having IC chip

Номер патента: EP1281523B1. Автор: Yoshiharu Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Circuit board connecting device, ink jet recording apparatus having such an IC chip and ink cartridge with an IC chip

Номер патента: DE60220859D1. Автор: Yoshiharu Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

High density connector for an IC chip carrier

Номер патента: US4969826A. Автор: Dimitry G. Grabbe. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1990-11-13.

Verbindungsvorrichtung für leiterplatte, tintenstrahlaufzeichnungsgerät mit einer solchen, ic-chip und farbkartusche mit einem ic-chip

Номер патента: ATE365639T1. Автор: Yoshiharu Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-07-15.

Method and apparatus for managing end-to-end consistency of bi-directional mpls-tp tunnels via in-band communication channel (g-ach) protocol

Номер патента: US20150098356A1. Автор: Somen Bhattacharya. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Information entry via in-vehicle camera

Номер патента: US20170213098A1. Автор: Sachiko Kobayashi,David Lyon,Gary L. BRADDOCK,Narayani MITAL,Patrick HANSLITS,Donald Allen Turner. Владелец: Panasonic Automotive Systems Company of America. Дата публикации: 2017-07-27.

Decompression circuit, circuit generation method, and IC chip

Номер патента: US12050248B2. Автор: YU HUANG,Weiwei Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Integrated current return network in composite structures

Номер патента: US20180050817A1. Автор: Kim M. LARSON,Robert B. Greegor,Quynhgiao Le,Brent A. Whiting,Carol E. Anway. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-02-22.

Data amount compression method, device, program and ic chip

Номер патента: EP3663991A1. Автор: Junichi IDESAWA,Shimon Sugawara. Владелец: AISing Ltd. Дата публикации: 2020-06-10.

PLL Circuit, phase shifting method, and IC chip

Номер патента: US20080157868A1. Автор: Masato Kita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Method, apparatus and computer program product to represent motion in composite images

Номер патента: US09928628B2. Автор: Alexander LINDSKOG,Johan Windmark,Tobias Karlsson. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2018-03-27.

Infrared thermographic methods for wrinkle characterization in composite structures

Номер патента: US09519844B1. Автор: Jeffrey G. Thompson,Gary E. Georgeson,Tyler M. Holmes,Hong Hue Tat. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for forming conductive via in a substrate

Номер патента: US20120064230A1. Автор: Chien-Hung Ho,Shih-Long Wei,Hsiao-Chun Liu,Sheng-Li Hsiao. Владелец: Viking Tech Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR RESTRICTING ACCESS TO NETWORK RESOURCES VIA IN-LOCATION ACCESS POINT PROTOCOL

Номер патента: US20140059347A1. Автор: White Christopher Jules,Dougherty Brian,Clancy,III Thomas Charles,HAMRICK David Alexander,SHARPE Grayson Gates,HANLIN Robert Austin,ZIENKIEWICZ Krzysztof Kamil,THOMPSON Christopher Michael. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-27.

VOIP CLIENT CONTROL VIA IN-BAND VIDEO SIGNALLING

Номер патента: US20150036678A1. Автор: Wang Daping,Whelan Martin Dermot. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

ANTI-PAD FOR SIGNAL AND POWER VIAS IN PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20190037684A1. Автор: Park Il-Young,Natarajan Jayanthi. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-31.

SYSTEMS AND METHODS FOR FREQUENCY SHIFTING RESONANCE OF AN UNUSED VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20190041184A1. Автор: Berke Stuart Allen,MUTNURY BHYRAV M.,Farkas Sandor. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2019-02-07.

THROUGH-HOLE-VIAS IN MULTI-LAYER PRINTED CIRCUIT BOARDS

Номер патента: US20140123489A1. Автор: CASES MOISES,Kim Tae Hong,Mandrekar Rohan U.,SHERALI NUSRAT I.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-08.

Methods for forming vias in glass substrates

Номер патента: US20150060402A1. Автор: Uta-Barbara Goers,Samuel Odei Owusu,Tammy Lynn Petriwsky,Robert Carl Burkett. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

METHOD AND APPARATUS FOR MANAGING END-TO-END CONSISTENCY OF BI-DIRECTIONAL MPLS-TP TUNNELS VIA IN-BAND COMMUNICATION CHANNEL (G-ACH) PROTOCOL

Номер патента: US20150098356A1. Автор: BHATTACHARYA Somen. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD AND APPARATUS FOR MULTI-INSTANCE CONTROL PLANE FOR DYNAMIC MPLS-TP TUNNEL MANAGEMENT VIA IN-BAND COMMUNICATION CHANNEL (G-ACH)

Номер патента: US20150103691A1. Автор: Radhakrishnan Vignesh,BHATTACHARYA Somen. Владелец: Ciena Corporation. Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD AND APPARATUS FOR QUANTIFYING DEFECTS DUE TO THROUGH SILICON VIAs IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20160116526A1. Автор: Kumar Anil,CHIRAYARIKATHUVEEDU Premachandran,Ranjan Rakesh,PANTISANO Luigi. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR DYNAMICALLY AUGMENTING VIDEOS VIA IN-VIDEO INSERTION ON MOBILE DEVICES

Номер патента: US20210127177A1. Автор: DRURY Christopher,CORNELL Mike,HODNICKI Stephen,SU Benjamin,HODGES Kaypree,RAHMEY Raquel. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

BURIED VIA IN A CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20210127502A1. Автор: Pharand Sylvain,Cocchini Matteo,Giesen Kyle Indukummar. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

APPARATUS AND METHOD FOR PROVIDING GEO-FENCING SERVICE VIA IN-VEHICLE ELECTRIC DEVICE

Номер патента: US20180124573A1. Автор: Lee Jin Woo. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

MICRO VIAS IN PRINTED CIRCUIT BOARDS

Номер патента: US20150136468A1. Автор: Bird Steven C.,Daghighian Henry Meyer,Zhang YongShan. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20160135297A1. Автор: BAHL Kenneth S.,KARAVAKIS Konstantine. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SYSTEMS AND METHODS FOR FREQUENCY SHIFTING RESONANCE OF AN UNUSED VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20140238733A1. Автор: Berke Stuart Allen,MUTNURY BHYRAV M.,Farkas Sandor. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2014-08-28.

INTEGRATED POWER DELIVERY BOARD FOR DELIVERING POWER TO AN ASIC WITH BYPASS OF SIGNAL VIAS IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20210219426A1. Автор: MANTIPLY Paul Lachlan,Punjabi Shobhana,Goergen Joel Richard,SETO Kan,"OBrien Richard Anthony",Argyrakis Straty. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

TRANSMISSION OF FEEDBACK VIA IN-BAND ON-CHANNEL (IBOC) MESH NETWORK

Номер патента: US20200187132A1. Автор: Littlejohn Jeffrey Lee. Владелец: IHEARTMEDIA MANAGEMENT SERVICES, INC.. Дата публикации: 2020-06-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR FREQUENCY SHIFTING RESONANCE OF AN UNUSED VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20150211837A1. Автор: Berke Stuart Allen,MUTNURY BHYRAV M.,Farkas Sandor. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

INTEGRATED POWER DELIVERY BOARD FOR DELIVERING POWER TO AN ASIC WITH BYPASS OF SIGNAL VIAS IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20200196448A1. Автор: MANTIPLY Paul Lachlan,Punjabi Shobhana,Goergen Joel Richard,SETO Kan,"OBrien Richard Anthony",Argyrakis Straty. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-18.

INFORMATION ENTRY VIA IN-VEHICLE CAMERA

Номер патента: US20170213098A1. Автор: Kobayashi Sachiko,LYON DAVID,BRADDOCK GARY L.,MITAL NARAYANI,HANSLITS PATRICK,TURNER DONALD ALLEN. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20160295708A1. Автор: BAHL Kenneth S.,KARAVAKIS Konstantine. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for anchoring a conductive cap on a filled via in a printed circuit board and printed circuit board with an anchored conductive cap

Номер патента: US20160316563A1. Автор: Rajwant Sidhu,Ruben Zepeda. Владелец: Viasystems Technologies Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

VIA IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20150334836A1. Автор: BAHL Kenneth S.,KARAVAKIS Konstantine. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

DISTRIBUTION OF POWER VIAS IN A MULTI-LAYER CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20160342724A1. Автор: Zhou Tingdong,Mandrekar Rohan U.,Chen Zhaoqing,Cocchini Matteo. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Reducing dispersion due to vias in planar microfluidic separation devices

Номер патента: EP2718709A1. Автор: Bernard Bunner. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

System and method for generating vias in an electronic design by automatically using a hovering cursor indication

Номер патента: US09542084B1. Автор: Gerard Tarroux,Fabien Campana,Stephane Colancon,Mark Nitters. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Reducing dispersion due to vias in planar microfluidic separation devices

Номер патента: WO2012170756A1. Автор: Bernard Bunner. Владелец: WATERS TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-13.

Electromechanical apparatus for testing ic chips using first and second sets of substrates which are pressed together

Номер патента: WO2001063301A3. Автор: James Mason Brafford,Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock,Lawrence William Friedrich. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Electromechanical apparatus for testing ic chips using first and second sets of substrates which are pressed together

Номер патента: WO2001063301A2. Автор: James Mason Brafford,Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock,Lawrence William Friedrich. Владелец: UNISYS CORPORATION. Дата публикации: 2001-08-30.

Electromechanical apparatus for testing ic chips using first and second sets of substrates which are pressed together

Номер патента: EP1257839A2. Автор: James Mason Brafford,Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock,Lawrence William Friedrich. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2002-11-20.

Method for testing through silicon vias in 3D integrated circuits

Номер патента: US09588174B1. Автор: Raphael Peter ROBERTAZZI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Wireless Activation of Channelrhodopsin via In Situ Self-assembly of Semiconductor Quantum Dots at the Plasma Membrane

Номер патента: US20230091507A1. Автор: Michael H. Stewart,Alexander Efros,Eunkeu Oh,Scott Walper,James Delehanty,Okhil K. Nag,Megan E. Muroski. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2023-03-23.

Share access of allocated storage space via in-memory file system between virtual machines

Номер патента: US09703582B1. Автор: Duncan Stuart Ritchie,Sebastian Sapa,Praveen Madhav,Anirban Sinha,Chakravarthi S. Chigurapati,Travis Frederick Brown. Владелец: Tellabs Operations Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Interface element with elastic properties provided with internal electric vias, in particular for connecting a device to be tested to a testing head, and method for manufacturing said interface element

Номер патента: EP4382926A1. Автор: Giuseppe Amelio. Владелец: Microtest SpA. Дата публикации: 2024-06-12.

Method and apparatus for detecting cracks and delamination in composite materials

Номер патента: US09933394B2. Автор: Sergei Ostapenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Using machine trained network during routing to modify locations of vias in an ic design

Номер патента: US20230351087A1. Автор: Akira Fujimura,Donald Oriordan,George Janac. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Using machine trained network during routing to modify locations of vias in an ic design

Номер патента: US20230351088A1. Автор: Akira Fujimura,Donald Oriordan,George Janac. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Using machine trained network during routing to modify locations of vias in an ic design

Номер патента: US20230385514A1. Автор: Akira Fujimura,Donald Oriordan,George Janac. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Computational method of material constant of composite material and volume fraction of material component in composite material, and recording medium

Номер патента: US20100223313A1. Автор: Nobuo Suzuki,Kazuyuki Kabe,Seiichi Nomura. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Single extracellular vesicle protein and rna assay via in-situ fluorescence microscopy in a uv micropattern array

Номер патента: AU2022416566A1. Автор: Jingjing Zhang,Eduardo Reategui. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Establishing electronics in composite parts by locating electronics on lay-up mandrels

Номер патента: US12064927B2. Автор: Keith D. Humfeld,Matthew K. Fay. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for detecting thermal anomaly in composite structure

Номер патента: WO2021158170A1. Автор: Vinod Kumar S/O SIVARAJA,Jun Yuan James TAN,Joshua VANU,Chun Yong Andrew NGO. Владелец: ST Engineering Aerospace Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

System for regulating the temperature of ic-chips with a fluid which is heated and cooled as a function of the fluid temperatures to and from heat exchangers for the ic-chips

Номер патента: EP1282828B1. Автор: Jerry Ihor Tustaniwskyj,James Wittman Babcock. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2003-10-01.

Measurement of moisture in composite materials with near-ir and mid-ir spectroscopy

Номер патента: WO2010059480A1. Автор: Gregory J Werner,William B Grace,Paul H Shelley. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2010-05-27.

Apparatus and method to tailor fiber distortion in composite parts

Номер патента: US11993033B2. Автор: Gagandeep Saini. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-05-28.

Apparatus and method to tailor fiber distortion in composite parts

Номер патента: CA3064841A1. Автор: Gagandeep Saini. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-08-07.

Measurement of Moisture in Composite Materials with Near-IR and MID-IR Spectroscopy

Номер патента: US20100123079A1. Автор: Paul H. Shelley,William B. Grace,Gregory J. Werner. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-05-20.

Method and device for calculating optimal leveling stiffness of pile top displacement regulators in composite foundation

Номер патента: US11681841B1. Автор: Ze Li,Zejiang LI,Pengfei XU,Yahong FAN,Wenlian LIU,SuGang SUI,Hanhua XU,Bangtuan Wang. Владелец: Kunming Prospecting Design Institute of China Nonferrous Metals Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Tunable plant-based materials via in vitro cell culture using a zinnia elegans model

Номер патента: US20230193197A1. Автор: Ashley Lynne Beckwith. Владелец: Foray Bioscience Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Determining plastic or cellulose levels in composites

Номер патента: US20240240927A1. Автор: Jack G. Winterowd,Victoria L. Wan,Richard Schnarre. Владелец: Continuus Materials Intellectual Property LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Process for manufacturing a structural component in composite material stiffened with at least one stringer

Номер патента: US20230264435A1. Автор: Stefano Giuseppe Corvaglia,Pasquale Gambardella. Владелец: Leonardo SpA. Дата публикации: 2023-08-24.

Composite articles with reduced discoloration and methods of promoting or reducing color changes in composite articles

Номер патента: US20240336752A1. Автор: Peng Cheng,Hongyu Chen,Ruomiao Wang,Liqing WEI. Владелец: Hanwha Azdel Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

System and method for minimizing wrinkles in composites

Номер патента: US09731457B2. Автор: William T. Kline. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of fabricating IC chips with table look-up estimated crosstalk voltages being less than noise margin

Номер патента: US5535133A. Автор: Richard J. Petschauer,Roland D. Rothenberger,Paul G. Tumms. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Apparatus and method for acoustic modeling of defects in composite materials using calibration panels formed by additive manufacturing

Номер патента: US20210116420A1. Автор: Mahdi Ashrafi. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-04-22.

Insertion of redundant vias in an integrated circuit

Номер патента: IL121490A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2000-02-17.

Reducing dispersion due to vias in planar microfluidic separation devices

Номер патента: EP2718709A4. Автор: Bernard Bunner. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

Insertion of redundant vias in an integrated circuit

Номер патента: IL121490A0. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 1998-02-08.

Methods for drilling vias in transparent materials

Номер патента: EP3843934B1. Автор: Hisashi Matsumoto,Zhibin LIN,Jan Kleinert. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Embedded wireless failure detection in composite material

Номер патента: US09389072B1. Автор: Bruce H. Hyre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Replacing single-cut via into multi-cut via in semiconductor integrated circuit design

Номер патента: US7634751B2. Автор: Toshiaki Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for producing antigen-specific antibodies via in vitro immunisation

Номер патента: EP2574666A1. Автор: Peter Dr. Bendzko,Anja Dr. Talke,Burkhard Prof.. Micheel. Владелец: PROTEALMMUN GmbH. Дата публикации: 2013-04-03.

In vitro and in vivo protein translation via in situ circularized rnas

Номер патента: WO2023154749A3. Автор: Aditya Kumar,Prashant MALI,Ester KWON,Katelyn MIYASAKI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-10-05.

Amine-functionalized organosilane/organophosphate combination systems as ep agents / corrosion inhibitors in compositions for treating metal surfaces

Номер патента: US20210115351A1. Автор: Hoon Kim,Ronald ASCENZO. Владелец: Chemetall US Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Embedded failure detection in composite material

Номер патента: US09569649B1. Автор: Bruce H. Hyre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and apparatus for defect detection in composite structures

Номер патента: US09494562B2. Автор: Wei Lin,Lay Siong Goh,Lye Seng Wong,Heng Kiat Jonathan Hey,Ricky Riyadi Chan,Roman Britner. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2016-11-15.

EPOXY RESIN COMPOSITION INTENDED FOR USE IN COMPOSITE MATERIAL REINFORCED BY CARBON FIBER, PREPARATION AND COMPOSITE MATERIAL REINFORCED BY CARBON FIBER

Номер патента: RU2012144811A. Автор: Хироаки САКАТА,Ацухито АРАИ,Хироси ТАИКО,Хидетоси КАТО,Мития ИСИКАВА,Дзиро НАКАТАНИ. Владелец: Торэй Индастриз, Инк.. Дата публикации: 2014-04-27.

High solids copolymerization via in-situ isomerization

Номер патента: US5453476A. Автор: Norman L. Holy,Newman M. Bortnick. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1995-09-26.

Utilizing nanodispersions in compositions for pharmaceutical application

Номер патента: RU2224505C2. Автор: Дитмар ХЮГЛИН,Йоахим Фридрих РЕДИНГ,Андреас Вернер СУПЕРСАКСО,Ганс Георг ВЕДЕР. Владелец: Везифакт АГ. Дата публикации: 2004-02-27.

In vitro and in vivo protein translation via in situ circularized rnas

Номер патента: WO2023154749A2. Автор: Aditya Kumar,Prashant MALI,Ester KWON,Katelyn MIYASAKI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-08-17.

Formation characterization via in-phase and quadrature conductivities

Номер патента: WO2024039985A1. Автор: John Rasmus,Denis Heliot,Dean M. Homan,Gong Li Wang. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Efficient predicate evaluation via in-list

Номер патента: US20100049730A1. Автор: Lin Qiao,Vijayshankar Raman,Richard S. Sidle,Frederick Ralph REISS,Garret Frederick Swart,F. Ryan Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Mouthfeel and astringency modulation in compositions and methods of modulating mouthfeel and astringency in the same

Номер патента: WO2021048179A1. Автор: Ioana Maria Ungureanu,David Potts,Yosuke ONUMA,Sophie Cheriot. Владелец: Givaudan SA. Дата публикации: 2021-03-18.

Clutter reduction in composite-text display

Номер патента: US11520999B2. Автор: David Allen Fesbinder,Aryeh Rosenzweig. Владелец: Read Twogether Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Manufacturing control systems and logic for prognosis of defects in composite materials

Номер патента: US20190255787A1. Автор: Hamid G. Kia,Venkateshwar R. Aitharaju,Roger G. Ghanem. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2019-08-22.

Combinations of n-acetyl cysteine derivatives and cranberry polyphenols in compositions and methods for preventing and treating periodontal diseases and peri-implatitis

Номер патента: EP2976061A1. Автор: Noam Danenberg,Philippe Halfon. Владелец: Dentalmed Pharm Holding Ltd. Дата публикации: 2016-01-27.

Composite material, component suitable for use in composite material and related methods and structures

Номер патента: WO2012035347A2. Автор: Paul Slater,Jim Herbert. Владелец: A.B.G. LIMITED. Дата публикации: 2012-03-22.

Fiber And Blended Polymers In Composite With Modulus, Heat Resistance, and Impact Strength

Номер патента: US20240026136A1. Автор: Michael Deaner,Kurt Heikkila. Владелец: Tundra Composites LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Wind turbine blade, method of manufacturing wind turbine blade, and use of fabric in composite structure of wind turbine blade

Номер патента: US11719223B2. Автор: Lars Overgaard,Giancarlo GIROLOMINI,Jens GLUD. Владелец: Envision Energy Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Clutter reduction in composite-text display

Номер патента: US20220261528A9. Автор: David Allen Fesbinder,Aryeh Rosenzweig. Владелец: Read Twogether Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Clutter reduction in composite-text display

Номер патента: US20210357572A1. Автор: David Allen Fesbinder,Aryeh Rosenzweig. Владелец: Read Twogether Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Combination of vitamin e and beta-glycosphingolipids in compositions and methods for preventing and treating hepatic disorders

Номер патента: WO2011027344A3. Автор: Yaron Ilan,Meir Mizrahi,Ami Ben-Ya'acov. Владелец: HADASIT MEDICAL RESEARCH SERVICES AND DEVELOPMENT LTD.. Дата публикации: 2011-06-23.

Use of echinacea or preparations thereof in compositions for the treatment of anxiety

Номер патента: US20090285907A1. Автор: József Haller,Tamas Freund. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Use of echinacea or preparations thereof in compositions for the treatment of anxiety

Номер патента: EP2043668A2. Автор: József Haller,Tamas Freund. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-08.

Use of echinacea or preparations thereof in compositions for the treatment of anxiety

Номер патента: WO2007144676A2. Автор: József Haller,Tamas Freund. Владелец: Haller Jozsef. Дата публикации: 2007-12-21.

Low density peroxide cured epdm rubber based insulation and its use thereof in composite rocket motor casing

Номер патента: WO2023175625A1. Автор: Manickavasagam Marudhanayagam,Isaac Kingstone Lesley JABEZ,Urmila DAS,Rama Manohara Babu MULAKALURI,Subrahmanya Srinivasa Gopal AVATAPALLI. Владелец: Chairman, Defence Research & Development Organisation. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing single piece fuselage barrels in composite material

Номер патента: US09962917B2. Автор: Sabato Inserra Imparato,Pietrantonio Cerreta. Владелец: ALENIA AERMACCHI SPA. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of imparting conductivity to materials used in composite article fabrication and materials thereof

Номер патента: US09962907B2. Автор: Richard Thomas Price,Abdel Abusafieh. Владелец: CYTEC TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-05-08.

Detection, monitoring, and management of gas presence, gas flow and gas leaks in composites manufacturing

Номер патента: US09862144B2. Автор: Malcolm David LANE,Anoshiravan Poursartip,Goran FERNLUND,Anthony Michael FLOYD,David Andrew VAN EE,Morgan Edwin John HIBBERT. Владелец: Convergent Manufacturing Technologies Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Fastener installation in composite panels with fastener insert

Номер патента: US09850927B2. Автор: Michael S. Lewis,Brad J. Reeves,James S. Bradley. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for recycling waste thermoplastic materials and using this recycled thermoplastic in composite material production

Номер патента: US09643348B2. Автор: Ali Hakan Guven. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-09.

RECONFIGURABLE SWITCHED-CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP INCLUDING THE CIRCUIT AND METHOD OF SWITCHING VOLTAGE ON CHIP

Номер патента: US20140152381A1. Автор: Chang Leland,Seo Jae-sun,Montoye Robert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

RECONFIGURABLE SWITCHED-CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP INCLUDING THE CIRCUIT AND METHOD OF SWITCHING VOLTAGE ON CHIP

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Chang Leland,Seo Jae-sun,Montoye Robert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP WITH A SELF-CONTAINED FLUID SENSOR AND METHOD OF MAKING THE CHIP

Номер патента: US20180086629A1. Автор: MANOS GEORGE,BALVIN MANUEL A.,CALLAHAN MICHAEL P.. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

ON-CHIP SENSOR FOR MONITORING ACTIVE CIRCUITS ON INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIPS

Номер патента: US20170146592A1. Автор: Taylor Scott,Freeman Gregory G.,Warnock James D.,McLaughlin Paul S.,Koswatta Siyuranga,Poindexter Daniel J.,SCOTT J. CAMPBELL,Uhlmann Gregory. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

IC CHIP SUPPORT TERMINAL, IC CHIP SETTING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20190251410A1. Автор: SHINOHARA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Coated biaxially oriented film via in-line coating process

Номер патента: CA2711579C. Автор: Pang-Chia Lu,Brad M. Moncla,Matthew J. Kalinowski. Владелец: ExxonMobil Oil Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

method of issuing and managing a software license using an IC chip installed card and IC chip installed card therefor

Номер патента: KR20020088893A. Автор: 이지홍. Владелец: 주식회사 쓰리비 시스템. Дата публикации: 2002-11-29.

Composite material via in-situ polymerization of thermoplastic (meth) acrylic resins and its use

Номер патента: WO2013056845A2. Автор: Pierre Gerard,Gilles Hochstetter,Michel Glotin. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2013-04-25.

Composite material via in-situ polymerization of thermoplastic (meth) acrylic resins and its use

Номер патента: CA2851746C. Автор: Pierre Gerard,Gilles Hochstetter,Michel Glotin. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2019-11-12.

IC chip and information processing apparatus mounting IC chip

Номер патента: EP2241996A1. Автор: Kazunori Hashimoto,Hiroki Yamazaki,Kazunori Aikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-10-20.

IC chip built-in tape, manufacturing method thereof, and IC chip built-in sheet

Номер патента: JPWO2006030785A1. Автор: 英樹小林,恵一宇高,貢齋藤,小林　英樹,詩朗杉村,伸夫神田,綾木　光弘,光弘綾木,強尾崎,敬太郎富田,宇高　恵一. Владелец: FEC Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Coated biaxially oriented film via in-line coating process

Номер патента: CA2711579A1. Автор: Pang-Chia Lu,Brad M. Moncla,Matthew J. Kalinowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

IC chip and IC chip false-proof detection method

Номер патента: CN106546908A. Автор: 杨祎,谢小东,任子木. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-29.

Tape with built-in IC chip, production method thereof, and sheet with built-in IC chip

Номер патента: TW200617794A. Автор: Hideki Kobayashi,Nobuo Kanda,Shiro Sugimura,Tuyoshi Ozaki,Mitsuhiro Ayaki,Keitaro Tomita,Keiichi Utaka,Mitugi Saito. Владелец: Oji Paper Co. Дата публикации: 2006-06-01.

Radio frequency identification transponder having non-encapsulated IC chip

Номер патента: US6164551A. Автор: Richard Altwasser. Владелец: Meto International GmbH. Дата публикации: 2000-12-26.

Photonic IC chip

Номер патента: US11609378B2. Автор: Frederic Boeuf,Luca Maggi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-03-21.

Clay-polyacrylate composites suspension via in situ polymerization

Номер патента: US11814534B2. Автор: Xu Li,Yu Zhang,Siew Yee Wong,Ming Yan TAN,xi kui Zhang. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2023-11-14.

Photonic ic chip

Номер патента: US20200310027A1. Автор: Frederic Boeuf,Luca Maggi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-10-01.

Photonic ic chip

Номер патента: US20230194787A1. Автор: Frederic Boeuf,Luca Maggi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-06-22.

Photonic ic chip

Номер патента: US20220155519A1. Автор: Frederic Boeuf,Luca Maggi. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-05-19.

High strength steel exhibiting good ductility and method of production via in-line heat treatment downstream of molten zinc bath

Номер патента: CA2910012C. Автор: Grant Aaron Thomas,Jose Mauro B. LOSZ. Владелец: AK Steel Properties Inc. Дата публикации: 2020-02-18.

Single extracellular vesicle protein and rna assay via in-situ fluorescence microscopy in a uv micropattern array

Номер патента: WO2023114970A3. Автор: Jingjing Zhang,Eduardo Reategui. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and apparatus for monitoring optical signals in a planar lightwave circuit via in-plane coupling

Номер патента: AU2003234592A1. Автор: Alan Johnson,Anders Grunnet-Jepsen,Tsung-Ein Tsai,Gary Paek. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-22.

Method and apparatus for monitoring optical signals in a planar lightwave circuit via in-plane filtering

Номер патента: TW200405943A. Автор: Alan Johnson,Anders Grunnet-Jepsen,Tsung-Ein Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-04-16.

Method and apparatus for monitoring optical signals in a planar lightwave circuit via in-plane filtering

Номер патента: TW594055B. Автор: Alan Johnson,Anders Grunnet-Jepsen,Tsung-Ein Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-06-21.

Method and apparatus for monitoring optical signals in a planar lightwave circuit via in-plane coupling

Номер патента: AU2003234592A8. Автор: Alan Johnson,Anders Grunnet-Jepsen,Tsung-Ein Tsai,Gary Paek. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-12-22.

FABRIC FOR APPLICATION IN COMPOSITE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING FABRIC AND ELEMENT FROM COMPOSITE MATERIAL

Номер патента: RU2014139673A. Автор: Томас БИШОФФ,Мелике АФСАР. Владелец: Гроц-Беккерт Кг. Дата публикации: 2016-04-20.

System and method for forming integral flange in composite laminate structure after layup

Номер патента: WO2021194765A1. Автор: Mark Anthony Wadsworth. Владелец: SPIRIT AEROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2021-09-30.

Cylinder with core in plastic material and surface covering in composite material provided with nozzle and related method of production

Номер патента: US20240240763A1. Автор: Giovanni Artusi. Владелец: Carbon Cylinder Srl. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for forming integral flange in composite laminate structure after layup

Номер патента: EP4127539A1. Автор: Mark Anthony Wadsworth. Владелец: Spirit AeroSystems Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

High-pressure cylinder with core in plastic material and surface covering in composite material and related method of production

Номер патента: WO2022199906A1. Автор: Giovanni Artusi. Владелец: Carbon Cylinder S.R.L.. Дата публикации: 2022-09-29.

Use of 4' of 5'-hydroxy and 4'- or 5'-alkoxy-substituted electron transfer agents in compositions, elements, test kits and analytical methods

Номер патента: SG90003A1. Автор: Eric Friedman Alan,Robert Kissel Thomas. Владелец: Johnson & Johnson Clin Diag. Дата публикации: 2002-07-23.

Hybrid veil as interlayer in composite materials

Номер патента: US11745439B2. Автор: Robert Blackburn,Carmelo Luca Restuccia. Владелец: Cytec Industries Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for the harvesting, processing, and storage of proteins from the mammalian feto-placental unit and use of such proteins in compositions and medical treatment

Номер патента: EP3019186A2. Автор: Patrick J. Casey,Murray HOARE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-18.

Positioning profiles for pultrusions in composite bus body

Номер патента: US20240300194A1. Автор: Ahsan UDDIN,John Perraut. Владелец: TPI Composites Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Use of a membrane in composite tube prestressed by internal pressure as a substitute for steel in huge structures

Номер патента: WO2024198749A1. Автор: David Duong. Владелец: Intens Consultants (Hong Kong) Limited. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for evaluating degree of purity of pharmaceutical substance contained in composite body, and method for producing composite body

Номер патента: EP4190824A4. Автор: Satoshi Ujiie,Tsubasa OKANO. Владелец: BIODYNAMIC RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-21.

Ply drops in composite sandwich panels

Номер патента: US09782945B2. Автор: Michael Sean Pretty. Владелец: Rohr Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Vapor cooled shielding liner for cryogenic storage in composite pressure vessels

Номер патента: US09777889B2. Автор: Patrick Marshall Adam,Jacob William LEACHMAN. Владелец: Washington State University WSU. Дата публикации: 2017-10-03.

Use of alumina trihydrate in composites

Номер патента: US09399707B2. Автор: Gary Charles Rex,Mark Anthony Herndon. Владелец: JM Huber Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

CLAY-POLYACRYLATE COMPOSITES SUSPENSION VIA IN SITU POLYMERIZATION

Номер патента: US20200002453A1. Автор: Zhang Yu,LI Xu,Tan Ming Yan,Wong Siew Yee,Zhang Xi Kui. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

METHODS FOR MAKING HIGH DENSITY VIAS IN A GLASS ARTICLE

Номер патента: US20210009467A1. Автор: Kim Hoon,Kim Jin Su. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

COMPOSITE MATERIAL VIA IN-SITU POLYMERIZATION OF THERMOPLASTIC (METH)ACRYLIC RESINS AND ITS USE

Номер патента: US20180009968A1. Автор: HOCHSTETTER Gilles,GERARD Pierre,GLOTIN Michel. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

THROUGH-SILICON VIAS IN INTEGRATED CIRCUIT PACKAGING

Номер патента: US20200019668A1. Автор: Cheng Yi-Kan,Jan Sen-Bor,Liu Chin-Chou,CHANG Fong-Yuan,CHIEN Chin-Her,HUANG Po-Hsiang,YEH Cheng-Hung,SHU Hsiu-Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-01-16.

Identifying and Resolving Issues with Plated Through Vias in Voltage Divider Regions

Номер патента: US20200034510A1. Автор: Christo Michael A.,Maldonado Julio A.,Green David L.,ZUROVETZ DIANA D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Reducing Dispersion Due To Vias In Planar Microfluidic Separation Devices

Номер патента: US20140138312A1. Автор: Bernard Bunner. Владелец: Waters Technologies Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

SEMICONDUCTOR PROCESS MODELING TO ENABLE SKIP VIA IN PLACE AND ROUTE FLOW

Номер патента: US20200082047A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Xu Zheng,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR PROCESS MODELING TO ENABLE SKIP VIA IN PLACE AND ROUTE FLOW

Номер патента: US20200082048A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Xu Zheng,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SEMICONDUCTOR PROCESS MODELING TO ENABLE SKIP VIA IN PLACE AND ROUTE FLOW

Номер патента: US20200082049A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Xu Zheng,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

SPATIAL LOCATION OF VIAS IN A PRINTED CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20190087524A1. Автор: CHAN Alex L.,BROWN Paul J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHODS FOR FORMING VIAS IN GLASS SUBSTRATES

Номер патента: US20160107925A1. Автор: Owusu Samuel Odei,Goers Uta-Barbara,Burket Robert Carl,Petriwisky Tammy Lynn. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Time Based Seatbelt Routing Detection Via In-Cabin Sensors

Номер патента: US20210138999A1. Автор: Thomas Scott D.,NISTEL KOBI,BALTAXE Michael,Mergui Ruben. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

CHAMBER-ACCUMULATION EXTENSION VIA IN-SITU PASSIVATION

Номер патента: US20220267900A1. Автор: Ji Chunhai,Fang ZhiYuan,Guo Changhe,Qi Ghengzhu,Yue Ruoyu. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Through-Silicon Vias in Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20210173998A1. Автор: Cheng Yi-Kan,Jan Sen-Bor,Liu Chin-Chou,CHANG Fong-Yuan,CHIEN Chin-Her,HUANG Po-Hsiang,YEH Cheng-Hung,SHU Hsiu-Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-06-10.

COMPOSITE MATERIAL VIA IN-SITU POLYMERIZATION OF THERMOPLASTIC (METH)ACRYLIC RESINS AND ITS USE

Номер патента: US20140256850A1. Автор: HOCHSTETTER Gilles,GERARD Pierre,GLOTIN Michel. Владелец: Arkema France. Дата публикации: 2014-09-11.

Heat Exchanger Life Extension Via In-Situ Reconditioning

Номер патента: US20140261901A1. Автор: MURALIDHARAN Govindarajan,Holcomb David E.. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS FOR ETCHING VIAS IN GLASS-BASED ARTICLES EMPLOYING POSITIVE CHARGE ORGANIC MOLECULES

Номер патента: US20190185373A1. Автор: Jin Yuhui,Huang Tian,Hu Hongmei. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR DRILLING VIAS IN TRANSPARENT MATERIALS

Номер патента: US20210245303A1. Автор: Lin Zhibin,MATSUMOTO Hisashi,Kleinert Jan. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

High Strength Steel Exhibiting Good Ductility and Method of Production via In-Line Heat Treatment Downstream of Molten Zinc Bath

Номер патента: US20140338797A1. Автор: Thomas Grant A.,Losz Jose Mauro B.. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Thermal pumping via in situ pipes and apparatus including the same

Номер патента: US20150260173A1. Автор: Brian S. HUNT,Eric P. Loewen. Владелец: GE HITACHI NUCLEAR ENERGY AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for Optimizing Electrodeposition Process of a Plurality of Vias in Wafer

Номер патента: US20140343901A1. Автор: Xie Bin,SUN YAOFENG,SHI Xunqing,DONG Ou. Владелец: Hong Kong Applied Science and Technology Research Institute Company Limited. Дата публикации: 2014-11-20.

METHOD FOR TESTING THROUGH SILICON VIAS IN 3D INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20170261549A1. Автор: Robertazzi Raphael P.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

DISTRIBUTION OF POWER VIAS IN A MULTI-LAYER CIRCUIT BOARD

Номер патента: US20160342723A1. Автор: Zhou Tingdong,Mandrekar Rohan U.,Chen Zhaoqing,Cocchini Matteo. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

CONTROLLED AND TUNABLE PRECIPITATION OF BIOMIETIC APATITES VIA IN SITU MINERALIZATION OF AN ORGANIC POLYMERIC MATRIX

Номер патента: US20160346429A1. Автор: Krebs Melissa,Harding Jacqueline. Владелец: COLORADO SCHOOL OF MINES. Дата публикации: 2016-12-01.

SEMICONDUCTOR PROCESS MODELING TO ENABLE SKIP VIA IN PLACE AND ROUTE FLOW

Номер патента: US20190332738A1. Автор: Clevenger Lawrence A.,Xu Zheng,Shao Dongbing. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

An ic chip carrier without a built-in cartridge of a printer

Номер патента: SG140490A1. Автор: Liu Win Yin. Владелец: Liu Win Yin. Дата публикации: 2008-03-28.

METHOD FOR REDUCING VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS IN COMPOSITE RESIN PARTICLES, AND COMPOSITE RESIN PARTICLES

Номер патента: US20120003478A1. Автор: . Владелец: SEKISUI PLASTICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for detecting bacteria of genus azospirillum, which have common antigenic determinants in composition of lipopolysaccharides

Номер патента: RU2572350C2. Автор: Александр Александрович Широков,Геннадий Леонидович Бурыгин,Андрей Вячеславович Шелудько,Лариса Юрьевна Матора,Елена Ильинична Кацы,Юлия Анатольевна Филипьечева,Сергей Юрьевич Щеголев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской академии наук (ИБФРМ РАН). Дата публикации: 2016-01-10.

Method to determine optimal number of dowels in composite wooden beams (versions)

Номер патента: RU2436062C2. Автор: Виктор Иванович Коробко,Андрей Викторович Турков,Ольга Викторовна Бояркина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2011-12-10.

Device for production and pressure injection of gases inertial in respect of hydrocarbon medium in composition of gas-fluid mixtures

Номер патента: RU2405954C2. Автор: Алексей Васильевич Семенов,Юрий Борисович Кобцев. Владелец: Юрий Борисович Кобцев. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of treating androgenic alopecia: local application of heparin (in composition of medications for local treatment) on foci of baldness

Номер патента: RU2517087C2. Автор: Алексей Валентинович Одинцов. Владелец: Алексей Валентинович Одинцов. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for remote testing of acceleration meters block included in composition of measuring transformer and device for realization of said method

Номер патента: RU2271015C1. Автор: Владимир Олегович Доронин,Юрий Федорович Титов,Владимир Олегович Доронин (RU),Юрий Федорович Титов (RU). Владелец: Юрий Федорович Титов. Дата публикации: 2006-02-27.

System of homing of defending guided missile installation in composition of vessel radiolocation artillery complex

Номер патента: RU2332630C2. Автор: Василий Павлович Городков,Всеволод Всеволодович Самулевич,Василий Владимирович Иванов,Владимир Анатольевич Маруженко,Светослав Яковлевич Мительштедт,Леонид Федорович Данилов,Николай Николаевич Чихачев. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное предприятие "Конструкторское бюро "Аметист". Дата публикации: 2008-08-27.

Improvements in the Liquefying of Atmospheric Air in Several Portions Differing in Composition.

Номер патента: GB190526435A. Автор: . Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 1906-02-15.

Method for generation of chip structure

Номер патента: RU2098885C1. Автор: В.Ф. Попов,В.В. Федоренко,Н.А. Петров,В.А. Криворучко. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Технологии для Вас.". Дата публикации: 1997-12-10.

Method for application of aluminium in compositions and charges of explosives

Номер патента: RU2452916C1. Автор: Олег Викторович Панчишин. Владелец: Олег Викторович Панчишин. Дата публикации: 2012-06-10.

Method of load supply with direct current in composition of autonomous system of earth power supply and autonomous power supply system for its implementation

Номер патента: RU2337452C1. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Геннадий Дмитриевич Эвенов,кишева Марина Владимировна М,Марина Владимировна Мякишева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. академика М.Ф. Решетнева". Дата публикации: 2008-10-27.

Method for production of cellulose vegetal fibres for usage as neutral inert filler in composition of pellety mixture for preplant seed treatment as alternative of wood saw dust of solid and soft wood

Номер патента: RU2589220C2. Автор: Марк Николаевич Левин,Мария Ильинична Белозерских,Анна Марковна Левина,Игорь Иванович Бартенев,Игорь Владиславович Апасов,Сергей Вячеславович Сащенко,Михаил Васильевич Кравец,Игорь Владимирович Подосинников,Людмила Николаевна Путилина. Владелец: Закрытое акционерное общество "Инновационный центр "Бирюч" (ЗАО "ИЦ "Бирюч"). Дата публикации: 2016-07-10.

Cutting method of deep female thread in composite billets

Номер патента: RU2570611C2. Автор: Вячеслав Сергеевич Учанев,Николай Трофимович Перминов. Владелец: Открытое акционерное общество "Чепецкий механический завод" (ОАО ЧМЗ). Дата публикации: 2015-12-10.

Method establishing rna in composition of rna-containing component of biological preparation

Номер патента: RU2225609C2. Автор: Н.Н. Липатов,Э.Г. Щербакова,Г.П. Ямпольска,Г.П. Ямпольская,Н.А. Архипова,Г.А. Растунова. Владелец: Российская медицинская академия последипломного образования. Дата публикации: 2004-03-10.

Method of transmission of additional discrete information in composition of full television signal and device for its realization

Номер патента: RU2103836C1. Автор: Леонид Степанович Сорока,Олег Павлович Малофей,Александр Павлович Коваленко,Владимир Семенович Ашанин,Александр Витальевич Камыш. Владелец: Александр Витальевич Камыш. Дата публикации: 1998-01-27.

Method for forming via in substrate and substrate having the via

Номер патента: TW200539771A. Автор: Kuo-Hsiang Hsu,mei-ying Zhang. Владелец: Unicap Electronics Ind Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Improvements in Compositions applicable as Varnishes or the like and as a Cement or Filling for Painters' Use.

Номер патента: GB190226852A. Автор: John Henry Willia Stringfellow,Frank Nicholas Mainetty. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-04-23.

Driving IC chip, and liquid crystal display module with the driving IC chip

Номер патента: TW200530977A. Автор: Yasuyuki Shirato. Владелец: Nanox Corp. Дата публикации: 2005-09-16.

Improvements in Compositions for Coating Surfaces

Номер патента: GB190115204A. Автор: Clement Lean. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-11-16.

Process to form landing via in the semiconductor devices

Номер патента: TW434817B. Автор: Wen-Shan Wei,Shr-Lung Li,Jr-Ming Ji. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Method to form via in PCB manufacturing process

Номер патента: TWI228960B. Автор: Jeng-Shiung Yang. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Method for making high-reliable vias in semiconductor integrated circuit device

Номер патента: TW430936B. Автор: Heung-soo Park,Jang-eun Lee,Ju-hyuck Chung,Tae-Wook Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-04-21.

Video conference call setup via in-bound controlling message

Номер патента: HK1103325A1. Автор: WANG Lin,Tan Guoquan,Zhi Jinlong. Владелец: China Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-14.

REPLACING SINGLE-CUT VIA INTO MULTI-CUT VIA IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DESIGN

Номер патента: US20120180007A1. Автор: Ueda Toshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

SUBSTRATES WITH THROUGH VIAS WITH CONDUCTIVE FEATURES FOR CONNECTION TO INTEGRATED CIRCUIT ELEMENTS, AND METHODS FOR FORMING THROUGH VIAS IN SUBSTRATES

Номер патента: US20120228778A1. Автор: Kosenko Valentin,Savastiouk Sergey. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

Method of Fabricating Semiconductor Die with Through-Hole Via on Saw Streets and Through-Hole Via in Active Area of Die

Номер патента: US20120244661A9. Автор: Do Byung Tai,Chua Linda Pei Ee,Kuan Heap Hoe. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor Device and Method of Forming a Conductive Via-in-Via Structure

Номер патента: US20120326329A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-12-27.

Process establishing transition elements when they are jointly present in composition of oxides

Номер патента: RU2222804C1. Автор: Д.В. Дробот,В.А. Кутвицкий. Владелец: Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова. Дата публикации: 2004-01-27.

Improvements in Compositions or Mixtures to be used for the Preservation of Malt Liquors, such as Ale, Beer, Stout, Porter, and other like Saccharine Liquids, and in the Methods of Using and Applying such Compositions or Mixtures.

Номер патента: GB189702287A. Автор: Ernest Edward Munro Payne,Thomas Oliver Kent,Edward Englad Pullman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-12-04.

Improvements in Sound Reproducers for Graphophones and the like and in Compositions for use in the Manufacture of the same.

Номер патента: GB190507816A. Автор: Harry Howarth,Charles Howarth. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-11-02.

Improvements in Compositions for Forming Counterpart Rollers and Plates Used for Embossing Paper, Asbestos, or similar Impressible Fabrics in Hollow Relief.

Номер патента: GB190003241A. Автор: Daniel Mauson Sutherland. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-04-21.

Improvements in Compositions or Paints for Preserving Structures.

Номер патента: GB189709447A. Автор: John William Blake,Stanley James Blake. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-11-20.

Improvements in Compositions For Making Stones and Mortar.

Номер патента: GB190210399A. Автор: Jean Loewenthal. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-06-25.

Improvements in Compositions for Covering Steam Boilers and Pipes.

Номер патента: GB190223061A. Автор: Thomas Lonsdale. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-08-27.

Improvements in Compositions, or Covering Material for Steam Generators, Boilers, Steam Pipes, and other Vessels or Ducts to Prevent, or Reduce Radiation of Heat.

Номер патента: GB190125118A. Автор: Francis Aslatt. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-10-09.

A method for recycling waste thermoplastic materials and using this recycled thermoplastic in composite material production.

Номер патента: OA16892A. Автор: Ali Hakan Guven. Владелец: Ali Hakan Guven. Дата публикации: 2016-01-18.

Improvements in Compositions for the Coating and Treatment of Fibrous, Textile and other Material

Номер патента: GB190620290A. Автор: Marie Louise Mikulin. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-05-02.

Improvements in Compositions containing Nitro-cellulose and in Articles treated therewith.

Номер патента: GB189717602A. Автор: Philip Middleton Justice. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-09-04.

Improvements in Compositions or Paints for Preserving Ships' Bottoms and other Structures and for Preventing the Adhesion of Barnacles and other Marine Growths.

Номер патента: GB189909171A. Автор: Herbert Etheridge Julyan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-16.

IC CHIP PACKAGE AND CHIP-ON-GLASS STRUCTURE USING THE SAME

Номер патента: US20130093081A1. Автор: LIN Tai-Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-04-18.

IC chip manufacturing method and IC chip manufacturing apparatus

Номер патента: JP4638172B2. Автор: 宗宏畠井,正輝福岡,大平杉田,聡史林,義一北島,和弘下村,康彦大山. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Thread manufacturing method, IC chip-containing sheet manufacturing method, and thread and IC chip-containing sheet manufactured thereby

Номер патента: JP4504692B2. Автор: 貢齋藤,秀則石橋. Владелец: Toppan Forms Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-14.

Lamp bead integrating LED chip and IC chip

Номер патента: CN218918931U. Автор: 邱志明. Владелец: Kunshan Yixingtong Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

ADVERTISING PLUG-INS VIA IN-PRODUCT MESSAGING

Номер патента: US20140046739A1. Автор: Gaither Shawn A.,Swineford Randy Lee,Vohra Lalit. Владелец: ADOBE SYSTEMS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-13.

Positioning device for IC chip during conveying

Номер патента: TW449111U. Автор: Bing-Huan Li. Владелец: Contrel Semiconductor Tech Co. Дата публикации: 2001-08-01.

Ic chip module and ic card

Номер патента: AU2002251472A1. Автор: Kunitaka Arimura. Владелец: SMART CARD Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Improved structure of fixation seat of heat dissipation device for IC chip

Номер патента: TW449250U. Автор: Guo-En Liang. Владелец: Malico Inc. Дата публикации: 2001-08-01.

Improvements in the Preservation of Articles of Food, and in Compositions for same.

Номер патента: GB189707384A. Автор: Eduard May,Emil Kuehne. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-02-26.

Improvements in Composition Railroad Ties

Номер патента: GB190622586A. Автор: Felix James Baivier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-03-28.

A Process for Producing a Condensed Milk Similar in Composition to Human Milk.

Номер патента: GB190100647A. Автор: Arthur Sauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-09.

Improvements in Compositions for Preventing and Removing Scale or Corrosion from Steam Boilers or other Utensils used in Generating Steam.

Номер патента: GB190014976A. Автор: James John Johnstone. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-01-12.

METAL LAMINATE VIA IN-MOLD FILM

Номер патента: US20120008271A1. Автор: . Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of Controlling Critical Dimensions of Vias in a Metallization System of a Semiconductor Device During Silicon-ARC Etch

Номер патента: US20120028472A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR PRODUCING VIAS IN FAN-OUT WAFERS USING DRY FILM AND CONDUCTIVE PASTE, AND A CORRESPONDING SEMICONDUCTOR PACKAGE

Номер патента: US20120161332A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD.. Дата публикации: 2012-06-28.

Technique for Reducing Plasma-Induced Etch Damage During the Formation of Vias in Interlayer Dielectrics by Modified RF Power Ramp-Up

Номер патента: US20120214305A1. Автор: Radwan Mohammed,Zinke Matthias. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

Номер патента: US20140077334A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Filippi Ronald G.,Bonilla Griselda,Choi Samuel S.,Simon Andrew H.,Lustig Naftali Eliahu,Bao Jinjing. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-20.

VIAS IN COMPOSITE IC CHIP STRUCTURES

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты