Method for forming a via in a substrate
Номер патента: US20040234894A1
Опубликовано: 25-11-2004
Автор(ы): Karen Kirmse
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-11-2004
Автор(ы): Karen Kirmse
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for planarizing the surface of an interlayer insulating film in a semiconductor device
Номер патента: US4634496A. Автор: Masahiro Abe,Masaharu Aoyama,Yasukazu Mase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-01-06.