• Главная
  • Method of direct process performance improvement via control of silicon manufacture

Method of direct process performance improvement via control of silicon manufacture

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of direct process performance improvement via control of silicon manufacture

Номер патента: CA1310467C. Автор: Roland L. Halm,Oliver K. Wilding, Jr.. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Synergetic composition and method of inhibiting growth of microorganisms

Номер патента: RU2414432C2. Автор: Берт САЙМОНЗ. Владелец: Налко Компани. Дата публикации: 2011-03-20.

A method of preparation of highly pure vildagliptin

Номер патента: WO2010022690A3. Автор: Tomas Chvojka,Ales Halama,Bozena Kafkova. Владелец: Zentiva, K.S.. Дата публикации: 2010-11-11.

A Method of Extracting Tetramethylbenzene from Light C10 Aromatic Solvent Oil

Номер патента: AU2021102463A4. Автор: Xiaoyan Cao,Zhenggui Gu. Владелец: Nanjing Normal University. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of producing carboxylic acids and derivatives thereof

Номер патента: RU2383526C2. Автор: Джон СМИТ Уоррен. Владелец: Бп Кемикэлз Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of direct pyrolysis of methane

Номер патента: RU2158747C1. Автор: В.Н. Генкин,М.В. Генкин,Ю.Г. Тынников. Владелец: Зао "Тк Сибур Нн". Дата публикации: 2000-11-10.

Method of wet etching an inorganic antireflection layer

Номер патента: EP1386350A1. Автор: Johannes Van Wingerden,Dirk M. Knotter,Madelon G. J. Rovers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-04.

Method of preparing polycarbosilanes

Номер патента: CA1160393A. Автор: Takashi Kawahito,Tadashi Iwai,Masahiro Tokuse. Владелец: UBE Industries Ltd. Дата публикации: 1984-01-10.

Contact material for vacuuminterrupter, and method of making a contact material

Номер патента: WO2012163509A1. Автор: Dietmar Gentsch,Reinhard Simon. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-12-06.

Method of silicon tetrafluoride production

Номер патента: RU2560377C2. Автор: Пунит ГУПТА,Сатиш БХУСАРАПУ. Владелец: Мемк Электроник Матириалз, Инк.. Дата публикации: 2015-08-20.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US20140248538A1. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Silicon oxide and method of preparing the same

Номер патента: US09601768B2. Автор: Yong Ju Lee,Je Young Kim,Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for production of silicon carbide

Номер патента: RU2747988C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of processing article containing plastic material, coated with silicon material

Номер патента: RU2433148C2. Автор: Жерар МИНЬЯНИ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of manufacture of rubber composition, rubber composition and tire

Номер патента: RU2668919C1. Автор: Ясуси ЯМАГИСИ. Владелец: Бриджстоун Корпорейшн. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of producing an epitaxially coated semiconductor wafer of monocrystalline silicon

Номер патента: US20240352620A1. Автор: Walter Heuwieser,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD OF MASS-PRODUCING SILICON OXIDE (SiOx) POWDER AND ANODE FOR LITHIUM-ION BATTERIES

Номер патента: US20240317593A1. Автор: Bor Z. Jang. Владелец: Honeycomb Battery Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing silicon oxide

Номер патента: US09741462B2. Автор: Cheol Hee Park,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung,Hyun Chul Kim,Byung Kyu Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Porous article and method of producing thereof

Номер патента: RU2610046C2. Автор: Кэйдзиро СИГЭРУ. Владелец: Сумитомо Осака Симент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of manufacturing green sheet

Номер патента: EP4227283A1. Автор: Yasuhiro Araki,Dai Kusano,Kunihiro Gotoh. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Method of making a solar grade silicon wafer

Номер патента: WO2008115539A1. Автор: John Carberry. Владелец: Mossey Creek Technology, Llc. Дата публикации: 2008-09-25.

Continuous casting method of silicon ingot

Номер патента: US20130247618A1. Автор: Mitsuo Yoshihara,Shinya Fukushima,Koichi MAEGAWA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Method of treating joint in ceramic assembly

Номер патента: US09868276B2. Автор: Paulo Gaspar Jorge Marques,Khaled LAYOUNI,Yanxia Ann Lu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Briquette containing silicon-containing residues (versions) and method of briquette production

Номер патента: RU2124058C1. Автор: Штефан Лутц. Владелец: Элкем Аса. Дата публикации: 1998-12-27.

Method of manufacturing semiconductor device having nitride film with improved insulating properties

Номер патента: US6946409B2. Автор: Toshihide Takimoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-09-20.

Silicon/graphene composite anode material and method of preparing same

Номер патента: US20240253995A1. Автор: Jiwon Jung,Chan Byon. Владелец: Cbbs Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Application method of silicon quantum dots for controlling corn armyworm

Номер патента: US11445728B2. Автор: Zhenyu Wang,Chuanxi WANG,Le YUE,Zhenggao XIAO. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-09-20.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040152339A1. Автор: Masayuki Imai,Yoshihide Tada,Tsukasa Yonekawa,Shin Yokoyama,Genji Nakamura,Anri Nakajima. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Method of manufacturing gas barrier film

Номер патента: US20230257874A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Shinya Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Free-standing silicon oxide membranes and methods of making and using same

Номер патента: US09945030B2. Автор: Christopher C. Striemer,Jon-Paul DesOrmeaux. Владелец: SIMPORE Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of producing silicon carbide

Номер патента: RU2689586C1. Автор: Константин Сергеевич Ёлкин. Владелец: Константин Сергеевич Ёлкин. Дата публикации: 2019-05-28.

Silicon enhanced ionizing radiation shielding and its method of manufacture

Номер патента: WO2023230485A1. Автор: Anna Brown. Владелец: Stark Street Materials Company. Дата публикации: 2023-11-30.

Fire-resistant gypsum boards and methods of making them

Номер патента: US20240158299A1. Автор: William Reid,Remi Lespiat,Dahlia AMATO. Владелец: Certainteed Gypsum Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of producing chill cast particulate composites

Номер патента: US3728162A. Автор: L Griffiths. Владелец: PR Mallory and Co Inc. Дата публикации: 1973-04-17.

Method of recycling silicon components

Номер патента: AU2022438489A1. Автор: Olaf Zeika,Harald Gross,Michael Rudolf HEUSCHKEL. Владелец: FLAXTEC GmbH. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing method of silicon carbide single crystal

Номер патента: US20120073495A1. Автор: Yasushi Urakami,Ayumu Adachi,Itaru Gunjishima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Fire-resistant gypsum boards and methods of making them

Номер патента: EP4371961A1. Автор: William Reid,Remi Lespiat,Dahlia AMATO. Владелец: Certainteed Gypsum Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Aerogel intermediate and method of producing the same

Номер патента: WO2023235488A1. Автор: Charles R. PISKOTI. Владелец: Genesee Polymers Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Fire-resistant gypsum boards and methods of making them

Номер патента: CA3220220A1. Автор: William Reid,Remi Lespiat,Dahlia AMATO. Владелец: Certainteed Gypsum Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of producing silicon metal particulates of reduced average size

Номер патента: EP1427670A1. Автор: John Carberry. Владелец: Neptec Optical Solutions Inc. Дата публикации: 2004-06-16.

Porous silicon material and method of manufacture

Номер патента: US20240246827A1. Автор: Robert C. IONESCU,Chueh LIU. Владелец: Ionobell Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of crystallizing amorphous silicon film and deposition apparatus

Номер патента: US12112947B2. Автор: Daisuke Suzuki,Yoshihiro Takezawa,Tatsuya Miyahara,Yuki Tanabe. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of repairing matrix cracks in melt infiltrated ceramic matrix composites

Номер патента: US09701072B2. Автор: Gregory Scot Corman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: US20230183075A1. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of Forming Yolk-Shell-Structured Material

Номер патента: US20200087151A1. Автор: Ka Wai Hui. Владелец: Winsky Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A3. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A9. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2022-03-31.

Method of preparation of silicon carbide composition and use thereof

Номер патента: WO2021242425A2. Автор: Bozhi Tian,Aleksander PROMINSKI,Vishnu Nair. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20180254413A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-06.

Methods of Forming and Using Materials Containing Silicon and Nitrogen

Номер патента: US20160254447A1. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of forming and using materials containing silicon and nitrogen

Номер патента: US09978937B2. Автор: Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of making evacuation route label and evacuation route label

Номер патента: RU2533667C2. Автор: Вольфганг ЗУТТЕР. Владелец: Люфтганза Техник Аг. Дата публикации: 2014-11-20.

Die for electrotype and method of its fabrication

Номер патента: RU2525004C2. Автор: Жан-Филипп ТЬЕБО,Пьер КЮЗЕН,Клэр ГОЛЬФЬЕ. Владелец: Ниварокс-Фар Са. Дата публикации: 2014-08-10.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170125239A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US20170323777A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Selective etching of silicon wafer

Номер патента: US20150357197A1. Автор: Brown C. Peethala,Spyridon Skordas,Kevin R. Winstel,Allan Upham,Da Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of forming a layer of silicon carbide on a silicon wafer

Номер патента: US20070101928A1. Автор: Andre Leycuras. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2007-05-10.

Apparatus and method for directional solidification of silicon

Номер патента: EP2640874A1. Автор: Dan Smith,Scott Nichol. Владелец: Silicor Materials Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Silicon-based films and methods of forming the same

Номер патента: US09879340B2. Автор: XINJIAN LEI,Manchao Xiao,Anupama Mallikarjunan,Matthew R. Macdonald. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of removing particulate silicon from an effluent water

Номер патента: US09828263B2. Автор: Friedrich Kroener,Zeljka KROENER. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09741558B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Growth of silicon and boron nitride nanomaterials on carbon fibers by chemical vapor deposition

Номер патента: US09676627B2. Автор: Lingchuan Li. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2017-06-13.

Selectively lateral growth of silicon oxide thin film

Номер патента: US09508545B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Yihong Chen,Kelvin Chan,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of steelmaking in basic oxygen converter

Номер патента: RU2493262C2. Автор: Лутц ГАРТЕН. Владелец: Смс Симаг Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2013-09-20.

Method of obtaining composite particles

Номер патента: RU2516389C2. Автор: ХАШЕМЗАДЕХ Абдулмаджид. Владелец: Ваккер Хеми Аг. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of making boards from ceramic material

Номер патента: RU2469007C2. Автор: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Владелец: Лука ТОНЧЕЛЛИ. Дата публикации: 2012-12-10.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09957165B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Precursors suitable for high temperature atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09802828B2. Автор: Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Controlled directional solidification of silicon

Номер патента: US09724755B2. Автор: Abdallah Nouri. Владелец: Silicor Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Form of silicon and method of making the same

Номер патента: US20170355605A1. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksandr O. Kurakevych. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2017-12-14.

New form of silicon and method of making the same

Номер патента: EP3019446A1. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksander O. KURAKEVYCH. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-05-18.

Form of silicon and method of making the same

Номер патента: US10179740B2. Автор: Duck Young Kim,Timothy A. STROBEL,Oleksandr O. Kurakevych. Владелец: CARNEGIE INSTITUTION OF WASHINGTON. Дата публикации: 2019-01-15.

A method of producing silicon tetrachloride-based and organically modified aerogels

Номер патента: EP1036035A1. Автор: Fritz Schwertfeger. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2000-09-20.

Polishing composition, polishing method, and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20240254366A1. Автор: Daiki Ito,Haruka ASANO. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Adhesive articles utilizing release agents free of silicon and fluorine, and related methods

Номер патента: US09605183B2. Автор: Kevin O. Henderson,Victor P. Holbert. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of direct melting

Номер патента: RU2573849C2. Автор: Родни Джеймс ДРИ,Жак ПИЛОТЕ. Владелец: Текнолоджикал Ресорсиз Пти. Лимитед. Дата публикации: 2016-01-27.

Method of production of high-purity primary base aluminum

Номер патента: RU2205900C2. Автор: Хироси УТИДА. Владелец: Ниппон Лайт Метал Ко., Лтд.. Дата публикации: 2003-06-10.

Method of producing anisotropic optical element

Номер патента: US20060222781A1. Автор: Hiroyuki Nishimura,Takuya Yamazaki,Takanori Aono,Masanori Umeya. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-10-05.

Method of producing anisotropic optical element

Номер патента: US7595099B2. Автор: Hiroyuki Nishimura,Takuya Yamazaki,Takanori Aono,Masanori Umeya. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-09-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080182396A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093032A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Epitaxial wafer and method of producing same

Номер патента: US20080057324A1. Автор: Masato Sakai,Shinji Nakahara,Takayuki Dohi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Method of producing a carbon-ceramic shaped body with an open porosity of from 15 to 60%

Номер патента: US12054430B2. Автор: Frank Hermanutz,Tanja Schneck. Владелец: Technikum Laubholz GmbH TLH. Дата публикации: 2024-08-06.

Colored ink for pad transfer printing of silicone hydrogel lenses

Номер патента: US09880324B2. Автор: Michael Hugh Quinn,Gregory Carlson,Barry L. Atkins. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2018-01-30.

Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same

Номер патента: US20050008946A1. Автор: Kenichi Morimoto,Yoshinori Kinase,Yuki Aritsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of manufacturing a silicone medical balloon

Номер патента: US20210093842A1. Автор: Mark D. Daly. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing a silicone medical balloon

Номер патента: US11504507B2. Автор: Mark D. Daly. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-22.

Overheat preventing method of clutch for vehicle

Номер патента: US09878716B2. Автор: Woon Ki Cho. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of detecting, identifying and correcting process performance

Номер патента: TWI224381B. Автор: John Donohue,Hongyu Yue. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2004-11-21.

Method of detecting, identifying and correcting process performance

Номер патента: TW200303075A. Автор: John Donohue,Hongyu Yue. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-08-16.

Methods of operating a lock

Номер патента: US20230323704A1. Автор: Tomasz Jaskiewicz,Stephen Simon. Владелец: Endura Products LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Novelty device and method of using same

Номер патента: US5188565A. Автор: Lane T. Hauck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-02-23.

METHOD OF CONTROLLING A CONTROL POINT POSITION ON A COMMAND AREA AND METHOD FOR CONTROL OF A DEVICE

Номер патента: US20140071051A1. Автор: Thelen Eric,Kneissler Jan. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of controlling a control point position on a command area and method for control of a device

Номер патента: US8610664B2. Автор: Eric Thelen,Jan Kneissler. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2013-12-17.

Method of analyzing metal contamination of silicon wafer and method of manufacturing silicon wafer

Номер патента: US20190371616A1. Автор: Taisuke Mizuno. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for verification of conductivity type of silicon wafer

Номер патента: US20230037569A1. Автор: XING Wei,Minghao LI,Zhongying Xue. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of producing fluid exhaust head

Номер патента: RU2422289C1. Автор: Масатака КАТО,Казухиро ХАЯКАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-06-27.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US8287747B2. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Method of processing silicon substrate and method of manufacturing substrate for liquid discharge head

Номер патента: US20100323526A1. Автор: Keisuke Kishimoto,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Thermal treatment method of silicon wafer and silicon wafer

Номер патента: US20120241912A1. Автор: Koji Araki,Takeshi Senda. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of making composite substrate from sic

Номер патента: RU2721306C2. Автор: Содзи АКИЯМА,Йосихиро КУБОТА,Хироюки НАГАСАВА. Владелец: Кусик Инк.. Дата публикации: 2020-05-18.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of and apparatus for integrating flash EPROM and SRAM cells on a common substrate

Номер патента: US20030151111A1. Автор: Ritu Shrivastava. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09859128B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Recrystallization method of polysilicon film in thin film transistor

Номер патента: US20020110964A1. Автор: Huang-Chung Cheng,Ching-Wei Lin,Li-Jing Cheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Aerosol hair spray compositions comprising combinations of silicone-grafted copolymers

Номер патента: AU3714200A. Автор: Jose Antonio Carballada,Thomas Allen Hutchins. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-09-21.

Aerosol hair spray compositions comprising combinations of silicone-grafted copolymers

Номер патента: AU759422B2. Автор: Jose Antonio Carballada,Thomas Allen Hutchins. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-04-17.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: EP1269544A2. Автор: Daniel W. E. Verbugt,Hermanus L. Peek,Monique J. Beenhakkers. Владелец: Dalsa Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of manufacturing a charge-coupled image sensor

Номер патента: US20020022296A1. Автор: Daniel VERBUGT,Hermanus Peek,Monique Beenhakkers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-02-21.

Method of processing silicon wafer and method of manufacturing liquid ejecting head

Номер патента: US20080233713A1. Автор: Yoshinao Miyata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Semiconductor processing method of making a hemispherical grain (HSG) polysilicon layer

Номер патента: US20010009808A1. Автор: Randhir Thakur,Er-Xang Ping. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of manufacturing silicon optical member, silicon optical member, and light-emitting device

Номер патента: US20240255679A1. Автор: Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of manufacturing the thin film

Номер патента: US09824891B1. Автор: Wei Sun. Владелец: SHENYANG SILICON TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Corrosion method of passivation layer of silicon wafer

Номер патента: US09812334B2. Автор: Qiliang Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating nano-scale structures and nano-scale structures fabricated using the method

Номер патента: US09522821B2. Автор: Ripon Kumar DEY,Bo Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of manufacturing a semiconductor device including a silicon pillar

Номер патента: US8158502B2. Автор: Kazuhiro Nojima. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: WO2012085905A4. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Dror Bachar. Дата публикации: 2012-08-16.

Silicone broom and a manufacturing method of silicone broom

Номер патента: EP2654491A1. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-30.

Method of obtaining synthetic structural covering and fixing devices

Номер патента: WO2009021307A1. Автор: Jose Guilherme Aceto. Владелец: Aceto Jose Guilherme. Дата публикации: 2009-02-19.

Method of manufacturing a microstructure

Номер патента: US20240239649A1. Автор: Anthony O'hara. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of obtaining synthetic structural covering and fixing devices

Номер патента: EP2188463A1. Автор: Jose Guilherme Aceto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-26.

Semiconductor element, and method of forming silicon-based film

Номер патента: EP2230685A3. Автор: Shotaro Okabe,Masafumi Sano,Akira Sakai,Takaharu Kondo,Ryo Hayashi,Shuichiro Suigiyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20030100167A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Nozzle plate for inkjet head and method of manufacturing the nozzle plate

Номер патента: US20080007594A1. Автор: Young-nam Kwon,Jae-Chang Lee,Tae-Woon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020155653A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20040058530A1. Автор: Masaaki Ikegami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of active direction finding of targets

Номер патента: RU2643521C1. Автор: Борис Николаевич Горевич. Владелец: Борис Николаевич Горевич. Дата публикации: 2018-02-02.

Method of direct current transformation

Номер патента: RU2725412C1. Автор: Владимир Андреевич Степанец. Владелец: Владимир Андреевич Степанец. Дата публикации: 2020-07-02.

Fabrication variation analysis method of silicon Mach-Zehnder electro-optic modulator

Номер патента: US20200371153A1. Автор: Wei Jiang,Zhaobang Zeng,Peiyan Zhao. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-26.

Method and apparatus for the manufacture of silicon by crucible-free zone melting

Номер патента: US4392230A. Автор: Karl Schmidt,Wolfgang Keller,Hans-Christian Grassmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-07-05.

Method of fabricating self-aligned silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US7508000B2. Автор: Bart J. Van Zeghbroeck,John T. Torvik. Владелец: Microsemi Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Method of selectively forming silicide

Номер патента: US6677234B1. Автор: Eric Gerritsen,Josephus F. A. M. Guelen,Walter J. A. De Coster. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-01-13.

Stereolithography 3d printer and method of adjusting temperature of printing materials thereof

Номер патента: US20190389132A1. Автор: Tsung-Hua Kuo,Chung-Yen GIR,Hung-Wei Huang. Владелец: XYZ Printing Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of manufacturing silicon carbide seminconductor device

Номер патента: US20100233832A1. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Silicon layer transfer substrate and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US9018738B2. Автор: Minoru Mitsui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-28.

Silicon layer transfer substrate and method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US20120238071A1. Автор: Minoru Mitsui. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing a microstructure

Номер патента: GB2588926A. Автор: O'hara Anthony. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Fast quantitative and qualitative analysis of silicone adhesive

Номер патента: US09632021B2. Автор: Jason Nesta,Deborah Ann Peru. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of directing user to elevator

Номер патента: RU2438960C2. Автор: Лукас ФИНШИ. Владелец: Инвенцио Аг. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of cooling mold for continuous casting of metal (versions)

Номер патента: RU2259256C2. Автор: Джеймс Б. Мл. СИРС. Владелец: Смс Демаг, Инк.. Дата публикации: 2005-08-27.

Actuator and method of making the same

Номер патента: EP1424737A3. Автор: Mitsunao Homma,Masaichi Miyano. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-04-05.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US20200381709A1. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US20210367226A1. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: IE52979B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1988-04-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189590A1. Автор: Tomohiro Okamura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of producing a bonded body of piezoelectric material substrate

Номер патента: US12101079B2. Автор: Yuji Hori,Takahiro Yamadera. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09960040B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Youichi Makifuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Self-aligned shielding of silicon oxide

Номер патента: US09875907B2. Автор: Fei Wang,Mikhail Korolik,Robert Jan Visser,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Fully silicided gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2008014038A1. Автор: Kern Rim,William K. Henson. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-01-31.

Singulation of silicon carbide semiconductor wafers

Номер патента: US20240234155A1. Автор: Aira Lourdes VILLAMOR. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of providing a gettering scheme in the manufacture of silicon-on-insulator (soi) integrated circuits

Номер патента: WO1999034432A1. Автор: Rene P. Zingg,Theodore J. Letavic. Владелец: Philips Ab. Дата публикации: 1999-07-08.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8030711B2. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of doping a polycrystalline silicon layer

Номер патента: US3988181A. Автор: Yukio Morozumi,Fukashi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 1976-10-26.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20110306188A1. Автор: Kazuhiro Tsuruta,Nobuyuki Kato,Jun Kawai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Aerosol hair spray compositions comprising combinations of silicone-grafted copolymers

Номер патента: EP1158953A1. Автор: Jose Antonio Carballada,Thomas Allen Hutchins. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2001-12-05.

Method of manufacturing bipolar device and structure thereof

Номер патента: US20020079510A1. Автор: Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee,Byung Ryum. Владелец: ASB Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Carbonate pcd and methods of making the same

Номер патента: US20140259963A1. Автор: Yahua Bao. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140299886A1. Автор: Jun Kawai,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Method of manufacturing a microstructure

Номер патента: EP4058401A1. Автор: Anthony O'hara. Владелец: Memsstar Ltd. Дата публикации: 2022-09-21.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: US12126011B2. Автор: Benjamin Yong Park,Frederic Bonhomme,Heidi Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685333B2. Автор: Fumikazu Imai,Tsunehiro Nakajima,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Carbonate PCD and methods of making the same

Номер патента: US09539704B2. Автор: Yahua Bao. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

FinFET device having a high germanium content fin structure and method of making same

Номер патента: US09431514B2. Автор: Qing Liu,Bruce Doris,Gauri Karve. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of cold starting and device to this end

Номер патента: RU2493055C2. Автор: Ксуанже ХУ,Женхуа ХУ,Аиву ХУ. Владелец: Ксуанже ХУ. Дата публикации: 2013-09-20.

Device and method of coding image, device and method for decoding image and data media

Номер патента: RU2684753C1. Автор: Гийом ЛАРОШ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-04-12.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20240237195A1. Автор: Chung-Jyh Lin,Ker-Yih Kao,Chin-Ming Huang,Chien-Lin Lai. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

A method of directional radio communication

Номер патента: WO2000067509A1. Автор: Marcos Katz,Juha T. Ylitalo. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2000-11-09.

Lighting effect directing method of direction object based on object origin

Номер патента: US20240172350A1. Автор: Jung Min Choi,Hyun Gil Kim,Kyung Il Choi. Владелец: Fanlight Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and apparatus for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20030178618A1. Автор: Ichiro Murakami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Manufacturing method of silicon carbide thin film for transparent solar cell

Номер патента: US20240120433A1. Автор: Jae Kwang YOON,Chan Uk JON,Jun Yong Bak. Владелец: ARCHE Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: WO2020247522A1. Автор: Benjamin Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: ENEVATE CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-10.

Surface modification of silicon-containing electrodes using carbon dioxide

Номер патента: EP3977553A1. Автор: Benjamin Park,Frederic C. Bonhomme,Heidi Leighette Anderson. Владелец: Enevate Corp. Дата публикации: 2022-04-06.

Method of selectively forming local interconnects using design rules

Номер патента: US20020114180A1. Автор: Jigish Trivedi,Mike Violette,Todd Abbott,Chuck Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method of laser annealing process

Номер патента: US20140322925A1. Автор: YuChun Yeh,ChangHan Chiang. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US6977199B2. Автор: Takeshi Kishida,Yusuke Kawase. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-20.

Fabrication of silicon germanium-on-insulator finFET

Номер патента: US09899253B2. Автор: Hong He,Qing Liu,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09885829B2. Автор: Tatsuya Usami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Hose for passing fluid medium and method of its manufacture

Номер патента: RU2224161C2. Автор: Морган РЮМАН. Владелец: Аба оф Свиден АБ. Дата публикации: 2004-02-20.

Package architecture with improved via drill process and method for forming such package

Номер патента: US20190393183A1. Автор: Suddhasattwa NAD,Rahul Manepalli,Marcel WALL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Lateral Etching of Silicon

Номер патента: US20230317465A1. Автор: Aelan Mosden,Sergey Voronin,Pingshan Luan,Hamed Hajibabaeinajafabadi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

System and method of directional sensor calibration

Номер патента: US20230349723A1. Автор: Jian-qun Wu,James-Christian F. Ang,Lee Jacobo Jose Roitberg. Владелец: Bench Tree Group LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

A method of attesting a state of a computing environment

Номер патента: WO2022013245A1. Автор: Jan Siddartha HUSSMANN,Stefan THÖNI,Roman ITEN,Pirmin DUSS. Владелец: Gapfruit Ag. Дата публикации: 2022-01-20.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Method of performing a maintenance action on a lithographic apparatus

Номер патента: WO2024160498A1. Автор: Thomas Voss,Marc Hauptmann,Siebe Landheer,Jun-Il Song. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-08-08.

Solid state image pickup device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050035270A1. Автор: Yasushi Maruyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Epicyclic gear system having a plurality of fluid directors and method of directing a fluid in an epicyclic gear system

Номер патента: US20210116012A1. Автор: Kevin M. Allen. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of Forming Metal Silicide Regions on a Semiconductor Device

Номер патента: US20130015527A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of forming bonding structure

Номер патента: NZ626984B2. Автор: Norio Matsubara,Fujio Yamazaki,Ryo Shimizu. Владелец: Fuji Bolt Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

System and method of diagnosing battery cells using asynchronous wireless communication

Номер патента: US20240332643A1. Автор: Jun Ho Cho,Sung Jun Baik. Владелец: Cell Point Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method of directional sensor calibration

Номер патента: US09863785B2. Автор: Jian-qun Wu,James-Christian F. Ang,Lee Jacobo Jose Roitberg. Владелец: Bench Tree Group LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of incident scene focus area determination

Номер патента: US09818042B2. Автор: Scott M. Alazraki,Mircea Capota. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device and controlling method of electronic device

Номер патента: US20240232640A9. Автор: Byungsoo Oh,Taegeon UM,Minhyeok KWEUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Imaging device, method of manufacturing the same, and apparatus

Номер патента: US20190280023A1. Автор: Takahiro Suzuki,Yoshiei Tanaka,Katsunori Hirota,Tsutomu Tange. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods For In-Situ Passivation Of Silicon-On-Insulator Wafers

Номер патента: US20120003814A1. Автор: Ries Michael J.,Witte Dale A.,Stefanescu Anca,Jones Andrew M.. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A SOLAR CELL WITH A TUNNEL DIELECTRIC LAYER

Номер патента: US20120000528A1. Автор: Smith David,Dennis Tim,Harrington Scott,Manning Jane,Waldhauer Ann. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THERMAL CONTROL OF OPTICAL FILTER WITH LOCAL SILICON FRAME

Номер патента: US20120000600A1. Автор: Finot Marc,McDonald Mark,Daiber Andrew. Владелец: EMCORE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

NONLINEAR MODEL PREDICTIVE CONTROL OF A BATCH REACTION SYSTEM

Номер патента: US20120003623A1. Автор: . Владелец: ROCKWELL AUTOMATION TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ear Implant Electrode and Method of Manufacture

Номер патента: US20120004715A1. Автор: Ramachandran Anup,Nielsen Stefan B.,Jolly Claude,Zimmerling Martin. Владелец: MED-EL Elektromedizinische Geraete GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of production of monocrystalline silicon

Номер патента: RU2193079C1. Автор: О.А. Ремизов,Юн Квон ДЖЕЙ. Владелец: Ремизов Олег Алексеевич. Дата публикации: 2002-11-20.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTINUOUSLY PRODUCING ELECTRONIC FILM COMPONENTS

Номер патента: US20120000065A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF EVALUATING REPRODUCE SIGNAL AND OPTICAL DISC DEVICE

Номер патента: US20120002526A1. Автор: Minemura Hiroyuki,Eto Soichiro,Kurokawa Takahiro,Kusaba Shuichi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS, CONTROL METHOD OF PRINTING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120003023A1. Автор: Igarashi Hiroya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-35 ZEOLITIC COMPOSITION, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES

Номер патента: US20120003147A1. Автор: . Владелец: UOP LLC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMMUNO-MOLECULES CONTAINING VIRAL PROTEINS, COMPOSITIONS THEREOF AND METHODS OF USING

Номер патента: US20120003249A1. Автор: Reiter Yoram,Lev Avital. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Estimation of Traffic Information, Device of Estimation of Traffic Information and Car Navigation Device

Номер патента: US20120004836A1. Автор: . Владелец: Xanavi Informatics Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing stabilised silicon clusters

Номер патента: RU2415079C1. Автор: . Владелец: Яценко Александр Васильевич. Дата публикации: 2011-03-27.

A Method of Reducing Biofilm Formation on a Surface

Номер патента: NZ614579B2. Автор: Natasha Maguire,Leon Bryan Spurrell. Владелец: Leon Bryan Spurrell. Дата публикации: 2015-05-28.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of refining silicon and its alloys

Номер патента: RU2146650C1. Автор: В.П. Еремин. Владелец: Еремин Валерий Петрович. Дата публикации: 2000-03-20.

ADJUSTABLE SIGN FRAME AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120000106A1. Автор: WICK Melinda Jean. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-Layer Compressible Foam Sheet and Method of Making the Same

Номер патента: US20120000384A1. Автор: Vest Ryan W.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MIST COLLECTING APPARATUS, LIQUID EJECTING APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING MIST COLLECTING APPARATUS

Номер патента: US20120001985A1. Автор: . Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-7 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-7

Номер патента: US20120004484A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

UZM-45 ALUMINOSILICATE ZEOLITE, METHOD OF PREPARATION AND PROCESSES USING UZM-45

Номер патента: US20120004486A1. Автор: . Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Optical Module, and Optical Printed Circuit Board and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002916A1. Автор: . Владелец: LG Innoteck Co., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO GAMING DEVICE AND METHOD OF WAGERING ON A VIRTUAL FOOTBALL GAME

Номер патента: US20120004018A1. Автор: Reeves,III Allen N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of synthesis of alkoxysilanes

Номер патента: RU2196142C2. Автор: . Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИВТЕХИМ". Дата публикации: 2003-01-10.

Method of manufacturing composite parts

Номер патента: US20120000597A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of thermal production for shale oil

Номер патента: RU2513376C1. Автор: Ефим Вульфович Крейнин. Владелец: Ефим Вульфович Крейнин. Дата публикации: 2014-04-20.

Method of silicon-fluorine-containing acid flow processing

Номер патента: RU2071954C1. Автор: Петр Иванович Пастухов. Владелец: Петр Иванович Пастухов. Дата публикации: 1997-01-20.

Method of direct reduction of iron

Номер патента: RU2368667C2. Автор: Игорь Анатольевич Леонтьев. Владелец: Ооо "Твинн". Дата публикации: 2009-09-27.