Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same
Номер патента: US20050029571A1
Опубликовано: 10-02-2005
Автор(ы): Gurtej Sandhu, Trung Doan
Принадлежит: Doan Trung T., Sandhu Gurtej S.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 10-02-2005
Автор(ы): Gurtej Sandhu, Trung Doan
Принадлежит: Doan Trung T., Sandhu Gurtej S.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of reducing carbon incorporation into films produced by chemical vapor deposition involving organic precursor compounds
Номер патента: US5661115A. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-08-26.