Magnetic structure, method of forming the same and memory device including magnetic structure
Номер патента: KR101881933B1
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): 김광석, 이성철
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 26-07-2018
Автор(ы): 김광석, 이성철
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Spin transfer torque memory (sttm), methods of forming the same using volatile compound forming elements, and devices including the same
Номер патента: US20180248116A1. Автор: Brian S. Doyle,Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,Tejaswi K. Indukuri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-30.