Magnetron sputtering method and magnetron sputtering apparatus
Номер патента: JP5390796B2
Опубликовано: 15-01-2014
Автор(ы): 哲也 後藤, 孝明 松岡, 忠弘 大見, 聡 川上, 関 伸彰
Принадлежит: Tohoku University NUC, Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-01-2014
Автор(ы): 哲也 後藤, 孝明 松岡, 忠弘 大見, 聡 川上, 関 伸彰
Принадлежит: Tohoku University NUC, Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and apparatus for magnetron sputtering
Номер патента: US4824540A. Автор: Robley V. Stuart. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-04-25.