Mask pattern for manufacturing semiconductor device and method of forming the same and method of manufacturing semiconductor device having fine patterns
Номер патента: KR100618850B1
Опубликовано: 01-09-2006
Автор(ы): 김현우, 우상균, 콜라케마야수바라마냐, 하정환, 하타미쯔히로, 홍진
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-09-2006
Автор(ы): 김현우, 우상균, 콜라케마야수바라마냐, 하정환, 하타미쯔히로, 홍진
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device fabrication system and method of forming semiconductor device pattern using the same, and photoresist for manufacturing semiconductor dev
Номер патента: GB9912579D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-07-28.