Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

參考電壓電路以及電源啟動重置電路

Номер патента: TW202017314A
Опубликовано: 01-05-2020
Автор(ы): 渡邊考太郎, 蘇溫德 辛格
Принадлежит: 日商艾普凌科有限公司
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Reference voltage circuit and power-on reset circuit

Номер патента: US20200136606A1. Автор: Kotaro Watanabe,Sukhwinder Singh. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Reference voltage circuit and electronic device

Номер патента: US09425789B1. Автор: Toshiyuki Koike,Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Reference voltage pre-processing circuit and reference voltage pre-processing method for a reference voltage buffer

Номер патента: US09997230B1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09712154B1. Автор: Jung-Ung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated electronic system with an improved power-on reset circuit and method for controlling the integrated electronic system

Номер патента: US20240235546A1. Автор: Michel Cuenca,Antonino Mondello,Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Luc Garcia,Riccardo Condorelli,Fabien LAPLACE. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-07-11.

Variable voltage generation circuit and memory device including the same

Номер патента: US09859848B2. Автор: Chung-Ho Yu,Gyo-Soo Choo,Pil-Seon Yoo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Power on reset circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09633700B2. Автор: Do Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Power on reset circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: EP3905522A1. Автор: Vincenzo Leonardo. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2021-11-03.

Power on reset circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US11838012B2. Автор: Vincenzo Leonardo. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Power on reset circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: WO2021219419A1. Автор: Vincenzo Leonardo. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2021-11-04.

Power-On-Reset Circuit

Номер патента: US20180331681A1. Автор: Bo Zheng,Lalit Gupta,Akshay Kumar,Vivek Asthana,Andy Wangkun CHEN,Vivek Nautiyal,Jitendra Dasani. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-11-15.

Power-on-reset for memory

Номер патента: US11854628B2. Автор: Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Power-on-reset for memory

Номер патента: US11049576B1. Автор: Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Brown-out detector and power-on-reset circuit

Номер патента: US09917577B1. Автор: Yue Yang,Afshin Rezayee,Ravi Shivnaraine,Alain Rousson,Kajornsak Julavittayanukool. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Power on reset circuit capable of generating power on reset signal without fail

Номер патента: US6016068A. Автор: Lei DING. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Power-on-reset circuit and corresponding electronic device

Номер патента: US20210297074A1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte,Francesco Tomaiuolo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-09-23.

Power on reset circuit

Номер патента: US20180375512A1. Автор: Yun Gao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20220103168A1. Автор: Jiang Yang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Power on reset circuit

Номер патента: US5930129A. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-27.

Power-on reset circuit with hysteresis

Номер патента: US20200119728A9. Автор: Liang-Shiang CHIU. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Device And Method For Energy Harvesting Using A Self-Oscillating Power-On-Reset Start-Up Circuit With Auto-Disabling Function

Номер патента: US20180019661A1. Автор: Yuan Gao,Tae-Hyoung Kim,Abhik Das. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-01-18.

Power-on reset circuit and display device using power-on reset circuit

Номер патента: US09628071B2. Автор: Soojin Park,Jae-Bum Lee,Yong-Hun Kim,EunJong JANG,Myoungsik Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Reference voltage generator capable of reducing hot carrier stress

Номер патента: US20200159273A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semiconductor package

Номер патента: US20190072991A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Power supply circuit and related methods for generating a power supply voltage in a semicondutor package

Номер патента: US20190377375A1. Автор: Hee-Won Kang,Nam-Su Kim,Eun-Ji MOON,In-Hyuk Go,Jae-sang YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Reference voltage generator for temperature sensor with trimming capability at two temperatures

Номер патента: US09541456B2. Автор: Masahide Matsumoto,Ryuji Yamashita. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Stochastic reset circuit

Номер патента: WO2007103049A2. Автор: Timothy Williams,Harold Kutz,Morgan Whately. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2007-09-13.

Power-on reset circuit (POWER-ON RESET CIRCUIT)

Номер патента: KR970706634A. Автор: 랜디 엘 야흐,리챠드 엘. 훌. Владелец: 마이크로칩 테크놀러지 인코포레이티드. Дата публикации: 1997-11-03.

Power on reset circuit for resetting semiconductor integrated circuit

Номер патента: KR100188359B1. Автор: 겐이찌 이마미야. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1999-06-01.

POWER ON RESET CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170011780A1. Автор: Kim Do Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device including power-on reset circuit and operating method thereof

Номер патента: US20140307517A1. Автор: Chae Kyu Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Power On Reset Circuit And Semiconductor Memory Device Including The Same

Номер патента: CN106340318A. Автор: 金道映. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-18.

Power-on reset circuit and the semiconductor storage unit for including it

Номер патента: CN107452414A. Автор: 李炫哲,孙英准. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-12-08.

Regulator power-on-reset with latch

Номер патента: US20130169255A1. Автор: Nickole Gagne,Julie Lynn Stultz,Tyler Daigle,Kenneth P. Snowdon. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Power-On-Reset Circuit

Номер патента: US20170317672A1. Автор: Zheng Bo,Gupta Lalit,Kumar Akshay,Asthana Vivek,Chen Andy Wangkun,Dasani Jitendra,Nautiyal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Power-On-Reset Circuit

Номер патента: US20180331681A1. Автор: Zheng Bo,Gupta Lalit,Kumar Akshay,Asthana Vivek,Chen Andy Wangkun,Dasani Jitendra,Nautiyal Vivek. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-15.

Power-on reset circuit for an integrated circuit memory

Номер патента: KR100382687B1. Автор: 레이챵,챠일즈 로렌스에프,케네쓰더블유.죤즈,도노반래쯔,스테판티.플래너강. Владелец: 모토로라 인코포레이티드. Дата публикации: 2004-03-06.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR100714043B1. Автор: 이석주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-04.

Circuit for power on reset

Номер патента: KR100396793B1. Автор: 김사현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-02.

Power-On Reset Circuit for Integrated Circuits

Номер патента: KR960002348A. Автор: 챵 레이,에프. 챠일즈 로렌스,더블유. 죤스 케네쓰,래쯔 도노반,티. 플래너강 스테판. Владелец: 빈센트 비. 인그라시아. Дата публикации: 1996-01-26.

Power-on-reset circuit with analog delay and high noise immunity

Номер патента: US6181628B1. Автор: Grahame K. Reynolds. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Power on reset circuit

Номер патента: KR100636933B1. Автор: 강길옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-19.

Power-on reset signal generating circuit

Номер патента: DE69628729D1. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-24.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPH10503920A. Автор: ハル，リチャード，エル．,ヤッハ，ランディー，エル．. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Power-on reset circuit

Номер патента: CN110297514B. Автор: 赖俊宇,刘兴羽. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Power-on-reset for memory

Номер патента: EP4078582A4. Автор: Liuchun Cai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Dual reference voltage generator, equalizer circuit, and memory

Номер патента: US11881281B2. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP1986323A3. Автор: Ping Xiao,Weiying Ding,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: US20130285717A1. Автор: Ping Xiao,Leo Min Maung,Weiyding Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Validation circuit for reference voltage shifted data

Номер патента: US09454171B2. Автор: Jack L. Glenn,Mark W. Gose,Daniel C. Penrod. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Low voltage detection circuit and memory device including the same

Номер патента: US20190279687A1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Self bias buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US20150194195A1. Автор: Hye-Seung YU,Jun-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Self bias buffer circuit and memory device including the same

Номер патента: US09379693B2. Автор: Hye-Seung YU,Jun-Bae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Pull up and pulldown stabiliser circuits and methods for gate drivers

Номер патента: US20230299765A1. Автор: Pascal Kamel Abouda,Badr GUENDOUZ,Nicolas Roger Michel Claude BAPTISTAT. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Pull up and pulldown stabiliser circuits and methods for gate drivers

Номер патента: US12081205B2. Автор: Pascal Kamel Abouda,Badr GUENDOUZ,Nicolas Roger Michel Claude BAPTISTAT. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Process and temperature invariant power on reset circuit using a bandgap reference and a long delay chain

Номер патента: US7881144B1. Автор: Thomas Henry White,William Bradley Vest,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Zero consumption power-on-reset

Номер патента: US5821788A. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi,Marco Fontana,Antonio Barcella. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-10-13.

Reference voltage circuit, reference voltage supply main circuit, and display device

Номер патента: US20190164464A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Reference voltage generator circuit such as band gap reference voltage generator circuit, and method of generating reference voltage

Номер патента: US11977405B2. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT SUCH AS BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT, AND METHOD OF GENERATING REFERENCE VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20230333587A1. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Reference voltage circuit, reference voltage supply main circuit, and display device

Номер патента: US10657865B2. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device outputting reference voltages

Номер патента: US09742356B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Low-noise reference voltages distribution circuit

Номер патента: WO2013135480A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-09-19.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP2793396A3. Автор: Weiying Ding,Leo Min Maung,Ping XING. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Electronic system having a chip integrated power-on reset circuit with glitch sensor

Номер патента: US6085342A. Автор: Torbjörn Gärdenfors,Bojko Marholev,Christian Bjork. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-04.

Apparatus and method for host power-on reset control

Номер патента: US9515648B2. Автор: Steve Chi,Ekram Bhuiyan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20240128969A1. Автор: Masanobu Tsuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20210194479A1. Автор: Atul Kumar Agrawal,Rishubh Khurana,Kanak Chandra DAS,Tanmay NEEMA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Testing of power on reset (POR) and unmaskable voltage monitors

Номер патента: US09941875B2. Автор: Venkata Narayanan Srinivasan,Srinivas Dhulipalla. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-04-10.

Testing of power on reset (POR) and unmaskable voltage monitors

Номер патента: US09698771B1. Автор: Venkata Narayanan Srinivasan,Srinivas Dhulipalla. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-07-04.

All-digital power-on reset device

Номер патента: US20070252626A1. Автор: Chun-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Circuits and methods providing power on reset signals

Номер патента: US09973187B1. Автор: Yeshwant Kolla,Harshat Pant,Aditya Vummannagari. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of generating power on reset signal

Номер патента: US20190393872A1. Автор: Tetsuaki Yotsuji. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device with power on reset circuitry

Номер патента: US09946332B2. Автор: Soichi Kobayashi,Akira Oizumi,Yoshinori Tokioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with power on reset circuitry

Номер патента: US09612644B2. Автор: Soichi Kobayashi,Akira Oizumi,Yoshinori Tokioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Power on reset circuit applied to gate driver of display apparatus

Номер патента: US9954520B2. Автор: Kai-Lan Chuang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Power on reset circuit applied to gate driver of display apparatus

Номер патента: US20160359478A1. Автор: Kai-Lan Chuang. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Power-on reset circuit

Номер патента: US09871509B2. Автор: Ryangsu Kim. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20180107257A1. Автор: Hirotsugu EGO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-19.

Power-on reset circuit

Номер патента: US10216238B2. Автор: Hirotsugu EGO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

System and method to control a power on reset signal

Номер патента: EP2553813A1. Автор: Michael K. Batenburg,Steven M. Millendorf,Sarath Chandra Kasarla. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-02-06.

Power-on resets (pors) testing in multiple power domain devices

Номер патента: EP4414808A1. Автор: V Narayanan SRINIVASAN,Mayankkumar Hareshbhai Niranjani,Gourav Garg. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-14.

Power-on-reset request functionality in semiconductor devices and power management ics

Номер патента: US20240053808A1. Автор: Jean-Philippe Meunier,Loic HUREAU,Maxime Clairet,Thomas Henry Luedeke,Alaa Eldin Y. El Sherif. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Power-on-reset request functionality in semiconductor devices and power management ics

Номер патента: EP4322407A1. Автор: Loic HUREAU,Maxime Clairet,Thomas Henry Luedeke,Alla Eldin Y EL SHERIF,Jea-Philippe MEUNIER. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Low power consumption power-on reset circuit and reference signal circuit

Номер патента: US20190097623A1. Автор: Chih-Hsien Wang,Chin-Yuan Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2019-03-28.

Power-on-reset circuit with low power consumption

Номер патента: EP2509224A2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-10-10.

Power on reset circuit and display device using power-on reset circuit

Номер патента: KR102052118B1. Автор: 이재범,박수진,김용훈,장은종,서명식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-01-08.

Kleinflächige, leistungsarme power-on-reset-schaltung

Номер патента: DE102017124346B4. Автор: Amit Kumar Singh,Sriram Ganesan. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-09-03.

Power-on reset circuit

Номер патента: US8373459B2. Автор: Johannes Gerber,Bernhard Wolfgang Ruck,Santiago Iriarte Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Adaptive power-on-reset generator systems and methods for programmable logic devices

Номер патента: US20220291731A1. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler,Chwei-Po Chew. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Power-On Reset Circuit

Номер патента: US20090121754A1. Автор: Johannes Gerber,Bernhard Wolfgang Ruck,Santiago Iriarte Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Power-on-reset and supply brown out detection circuit with programmability

Номер патента: US09490796B2. Автор: Sajal Kumar MANDAL,Pralay Mandal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2016-11-08.

Power-on-reset detector

Номер патента: US09473114B1. Автор: James Myers,Bal S. Sandhu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE USING POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140300593A1. Автор: PARK Soojin,LEE JAE-BUM,KIM Yong-Hun,JANG EunJong,SUH MYOUNGSIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

Power-on reset circuit

Номер патента: US4698531A. Автор: Keith L. Jones. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1987-10-06.

Power-On-Reset Detector

Номер патента: US20160308514A1. Автор: James Myers,Bal S. Sandhu. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20200266802A1. Автор: Avinash Shreepathi Bhat. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Power-on-Reset and Supply Brown Out Detection Circuit with Programmability

Номер патента: US20150236689A1. Автор: Sajal Kumar MANDAL,Pralay Mandal. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2015-08-20.

Adaptive power-on-reset generator systems and methods for programmable logic devices

Номер патента: US11907033B2. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler,Chwei-Po Chew. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Reference voltage generating device and method

Номер патента: US09787308B2. Автор: Ming-Yi Yu,Ping-Hsing Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT AND POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20200136606A1. Автор: WATANABE Kotaro,Singh Sukhwinder. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Voltage divider circuit, negative feedback circuit and power-on reset circuit

Номер патента: CN114977780A. Автор: 松野典朗,坂本真吾. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Brown-out detector and power-on-reset circuit

Номер патента: US20180062639A1. Автор: Yue Yang,Afshin Rezayee,Ravi Shivnaraine,Alain Rousson,Kajornsak Julavittayanukool. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND RELATED RESET METHOD

Номер патента: US20200127650A1. Автор: LIN Hung-Yu,WANG Zhengxiang,Huang Chen-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Power on reset circuit capable of generating power on reset signal without fail

Номер патента: KR100275396B1. Автор: 레이 딩. Владелец: 다니구찌 이찌로오. Дата публикации: 2000-12-15.

Circuit and Method for Power-On Reset of an Integrated Circuit

Номер патента: US20160191041A1. Автор: Chung Shine C.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Voltage divider circuit, a negative feedback circuit, and a power-on reset circuit

Номер патента: EP4050346A1. Автор: Shingo Sakamoto,Noriaki Matsuno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-31.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20210036701A1. Автор: Khurana Rishubh,Agrawal Atul Kumar,NEEMA Tanmay,DAS Kanak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

DUAL-LEVEL POWER-ON RESET (POR) CIRCUIT

Номер патента: US20180076810A1. Автор: Hietala Alexander Wayne,Ngo Christopher Truong,Nadimpalli Praveen Varma. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20220103168A1. Автор: Yang Jiang. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20180131367A1. Автор: Steve Wang,William Schnaitter. Владелец: Ruizhang Technology Ltd Co. Дата публикации: 2018-05-10.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20180375511A9. Автор: Wang Steve,Schnaitter William. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

POWER ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20180375512A1. Автор: Gao Yun. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT WITH COMBINED POWER-ON RESET

Номер патента: US20200379498A1. Автор: Hermann Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR100253076B1. Автор: 이상오. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Voltage reference circuit with combined power-on reset

Номер патента: DE102018200785A1. Автор: Carsten Hermann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-07-18.

Power-on reset circuit

Номер патента: US11296692B1. Автор: Vikas Shetty,Mukul Pancholi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-04-05.

Improved power-on reset circuit for test mode entry control

Номер патента: DE69125069T2. Автор: David Charles Mcclure. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1997-10-09.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3225075B2. Автор: ステファン・ジェームズ・グライカ. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2001-11-05.

Power-on reset circuit

Номер патента: EP4007169A4. Автор: Jiang Yang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Power-on reset circuit

Номер патента: EP4007169B1. Автор: Jiang Yang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: EP4043992A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-17.

Reference voltage temperature coefficient calibration circuit and method

Номер патента: US09977111B2. Автор: Haojiong LI. Владелец: KT MICRO Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Dual reference voltage generator, equalization circuit, and memory

Номер патента: EP3996095A4. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-06.

AUTOMATIC POWER-ON-RESET DETECTION AND RECOVERY OF A MULTI-PHASE DIGITAL BUCK CONTROLLER

Номер патента: US20200274449A1. Автор: Beck David,PAYNE MICHAEL,Chieng Daniel,Vaughn Adam. Владелец: Renesas Electronics America Inc.. Дата публикации: 2020-08-27.

Power-on reset circuit in rfid with non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: KR100673146B1. Автор: 강희복,안진홍. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-22.

Regulator circuitry capable of tracking reference voltages

Номер патента: US20150070086A1. Автор: Chuan Khye Chai,Kok Siang Tan,Wilfred Wee Kee King. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Reference voltage generators and sensing circuits

Номер патента: US09620207B2. Автор: Xinwei Guo,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method and apparatus for reducing the bias current in a reference voltage circuit

Номер патента: US5959471A. Автор: Oliver Weinfurtner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-09-28.

Reference voltage generation circuit including resistor arrangements

Номер патента: US09886047B2. Автор: Yuki Inoue,Yusuke YOSHII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage detector, method for setting reference voltage and computer readable medium

Номер патента: US09666287B2. Автор: Satoshi Takehara,Yoshiro Yamaha. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor circuit and method for providing configurable reference voltage with full-scale range

Номер патента: US20230261668A1. Автор: Yu-Jie Huang,Chien-Chun Tsai,Mu-Shan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor circuit and method for providing configurable reference voltage with full-scale range

Номер патента: US11791834B2. Автор: Yu-Jie Huang,Chien-Chun Tsai,Mu-Shan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Circuits for setting reference voltages and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09785158B2. Автор: Seung Hun Lee,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Voltage detection circuit and power-on reset circuit

Номер патента: US20210265991A1. Автор: Hiroyuki Ideno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Power-on reset circuit

Номер патента: US4788454A. Автор: Tomoaki Yoshida,Kouji Tanagawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1988-11-29.

Semiconductor memory with power-on reset controlled latched row line repeaters

Номер патента: US5121358A. Автор: David C. McClure,William C. Slemmer. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240231410A9. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

System and method for testing reference voltage circuit

Номер патента: US20190041433A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240134406A1. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Output driving circuit and transistor output circuit

Номер патента: US20130038356A1. Автор: Chang Jae Heo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Reference voltage generator circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240361796A1. Автор: Yuta IIDA,Kengo KOMIYA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Voltage generation circuit and input buffer including the voltage generation circuit

Номер патента: US20210103306A1. Автор: Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Impedance calibration circuit and method

Номер патента: US20240305275A1. Автор: Ming-Yen Tsai,Tze-Hsiang Chao. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Switch control circuit and switch circuit

Номер патента: US09595945B2. Автор: Toshiki Seshita,Toshifumi Ishimori,Yugo Kunishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Input buffer circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240007108A1. Автор: Min Su Kim,In Seok Kong,Jae Hyeong Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Reference voltage ciruit with temperature compensation

Номер патента: US20230336174A1. Автор: Yuan-Kai Cheng,Chung-Jye Hsu. Владелец: Infsitronix Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Reference voltage circuit and semiconductor device

Номер патента: US20190243406A1. Автор: Kaoru Sakaguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US8947159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Bias control circuit and power amplification module

Номер патента: US20180152151A1. Автор: Fuminori Morisawa,Yoshiaki Harasawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Bias control circuit and power amplification module

Номер патента: US09912300B2. Автор: Fuminori Morisawa,Yoshiaki Harasawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Voltage conversion apparatus and power-on reset circuit and control method thereof

Номер патента: CN105871197A. Автор: 阮宝荣. Владелец: Pixart Imaging Penang Sdn Bhd. Дата публикации: 2016-08-17.

Reference-voltage circuit

Номер патента: US09910452B2. Автор: Masakazu Sugiura,Kosuke Takada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Reference voltage generating circuit and offset-compensated current-voltage converting circuit using the same

Номер патента: US20090027113A1. Автор: Ha Woong JUNG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Power supply circuit and semiconductor storage device

Номер патента: US20180102175A1. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Reference voltage circuit and image-capture circuit

Номер патента: US20150256782A1. Автор: Hayato Wakabayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Reference voltage circuit

Номер патента: EP4435555A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Reference voltage generation circuit and DCDC converter having the same

Номер патента: US09941787B2. Автор: Akihiro Kawano,Katsuya Goto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Reference voltage generating circuit and power supply device using the same

Номер патента: WO2007116780A1. Автор: Masaaki Yoshida,Hiroaki Nakanishi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Circuit and method for stepping down a voltage

Номер патента: US11726510B2. Автор: Jaw-Juinn Horng,Szu-chun TSAO,Bindu Madhavi Kasina. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Reference voltage circuit

Номер патента: EP4435554A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Reference voltage generator

Номер патента: US20180284833A1. Автор: Hideo Yoshino,Masahiro HATAKENAKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Integrated circuit and reference voltage generation circuit

Номер патента: US10547320B1. Автор: Young-Suk Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Sample and hold circuit and a/d converter

Номер патента: US20130050002A1. Автор: Hikaru Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Integrated circuit and reference voltage generation circuit

Номер патента: US20200021303A1. Автор: Young-Suk Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Circuit and method for protecting circuit element, vehicle having the circuit, and method for controlling the vehicle

Номер патента: US09929647B1. Автор: Jiwoong Jang,Ki Jong Lee,Sangcheol Shin,Kangho Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-03-27.

Receiving circuit, transmission circuit and system

Номер патента: US10734986B2. Автор: Toshio Ohkido. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Configurable voltage regulator circuit and transmitter circuit

Номер патента: US12081231B2. Автор: Ching-Hsiang Chang,Yu-Hsun Chien. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Inrush current suppression circuit and method for controlling when a load may be fully energized

Номер патента: US09588528B2. Автор: Paul Schwerman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Reference voltage stabilizing circuit and integrated circuit provided with same

Номер патента: US20190068213A1. Автор: Takashi Morie,Daisuke Nomasaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Voltage generating circuit and regulator circuit for precisely control predetermined high voltage

Номер патента: US09537398B2. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Gamma reference voltage ripple filter circuit and liquid crystal display

Номер патента: US9966020B2. Автор: Li Zhou,Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT, REFERENCE VOLTAGE SUPPLY MAIN CIRCUIT, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20190164464A1. Автор: WANG Ling,GAI Cuili,ZHANG Baoxia. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit and position detector

Номер патента: US09739587B2. Автор: Osamu Kawatoko,Akio Kawai. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Voltage generating circuit and memory

Номер патента: US20240071463A1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrated circuit and semiconductor module

Номер патента: US20230266784A1. Автор: Masashi AKAHANE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Leakage-aware voltage regulation circuit and method

Номер патента: US20150168982A1. Автор: Harold Pilo,Richard S. WU. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Grouping blocks based on power cycle and power on time

Номер патента: US11748013B2. Автор: Peter Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Karl D. Schuh,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Power source management system and power source management method for sram circuit, and fpga chip

Номер патента: US20220283626A1. Автор: LEI Tian,Yinghao Liao. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Power source management system and power source management method for SRAM circuit, and FPGA chip

Номер патента: US11853145B2. Автор: LEI Tian,Yinghao Liao. Владелец: Shenzhen Pango Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

DUAL REFERENCE VOLTAGE GENERATOR, EQUALIZER CIRCUIT, AND MEMORY

Номер патента: US20220093140A1. Автор: ZHANG ZHIQIANG. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Method and apparatus for an improved reset and power-on arrangement for a dram generator controller

Номер патента: EP1266379A2. Автор: Oliver Weinfurtner. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

SYSTEM AND METHOD OF PERFORMING POWER ON RESET FOR MEMORY ARRAY CIRCUITS

Номер патента: US20140198598A1. Автор: Yoon Sei Seung,Jung Changho,Jin Peng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-07-17.

Power on reset circuit

Номер патента: KR100266638B1. Автор: 김경덕,권순억. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-02.

Circuit for detecting configuration information about power on reset

Номер патента: KR100386084B1. Автор: 심재철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR100203868B1. Автор: 이진호,박희철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Power On Reset Circuit

Номер патента: KR100475891B1. Автор: 김주영,정채현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-11.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR970072678A. Автор: 이진호,박희철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US20200295753A1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Circuit structure and power-on method thereof

Номер патента: US10778214B1. Автор: Chien-Cheng Liu,Yun-Chih Chang,Shu-Yi Kao,Yun-Ru Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-15.

Power On Reset Detector

Номер патента: US20130342246A1. Автор: Erik P. Machnicki,Timothy R. Paaske. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Circuits and systems having low power power-on-reset and/or brown out detection

Номер патента: US09729138B1. Автор: Nathan Gonzales,John Dinh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Sequence-independent power-on reset for multi-voltage circuits

Номер патента: US20070080726A1. Автор: Qadeer Khan,Siddhartha GK. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Power-on-reset circuit and method therefor

Номер патента: TW200830712A. Автор: Chih-Haur Huang,Chung-Ming Huang. Владелец: Himax Tech Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

CMOS power-on reset pulse generating circuit with extended reset pulse duration

Номер патента: US4558233A. Автор: Tutomu Nakamori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

LOW POWER CONSUMPTION POWER-ON RESET CIRCUIT AND REFERENCE SIGNAL CIRCUIT

Номер патента: US20190097623A1. Автор: WANG CHIH-HSIEN,Wei Chin-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND UNDER-VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20180351545A1. Автор: SONG Kinam,OH Wonhi,CHOI Jinkyu,JIN Bumseung,SHIN Samuell. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Power-on reset circuit and method

Номер патента: CN106571796A. Автор: 曾令刚. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Power-on reset circuit and under-voltage lockout circuit comprising the same

Номер патента: KR20170006291A. Автор: 최진규,송기남,오원희,진범승,신사무엘. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2017-01-17.

System and method for power on-reset

Номер патента: TW200742965A. Автор: Chun-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: EP1986323B1. Автор: Ping Xiao,Weiying Ding,Leo Min Maung. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-09-24.

Power-on reset circuit and semiconductor device

Номер патента: WO2023276734A1. Автор: 将信 辻. Владелец: ローム株式会社. Дата публикации: 2023-01-05.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20120032717A1. Автор: Hajime Suzuki,Satoshi Miura. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Power on reset circuit

Номер патента: US20120117410A1. Автор: Ji-Yong Jeong,Seunghwan Baek,Soo-ik CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-10.

Method and system for measuring power-on reset time

Номер патента: US20190086451A1. Автор: Qingbin Li,Dekun CHEN. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20180107257A1. Автор: EGO Hirotsugu. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device and method of generating power-on reset signal

Номер патента: US20180123582A1. Автор: Tetsuji Maruyama. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

ADAPTIVE POWER-ON-RESET GENERATOR SYSTEMS AND METHODS FOR PROGRAMMABLE LOGIC DEVICES

Номер патента: US20220291731A1. Автор: Chew Chwei-po,Sharpe-Geisler Bradley A.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-15.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20210194479A1. Автор: Khurana Rishubh,Agrawal Atul Kumar,NEEMA Tanmay,DAS Kanak Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20150236688A1. Автор: Kimura Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

DEVICES AND METHOD FOR TESTING POWER-ON RESET VOLTAGE

Номер патента: US20150247893A1. Автор: Pietri Stefano,Dao Chris C.,Ren Juxiang. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

POWER ON RESET CIRCUIT APPLIED TO GATE DRIVER OF DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20160359478A1. Автор: Chuang Kai-Lan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP4866929B2. Автор: 肇 鈴木,賢 三浦. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device including power on reset circuit

Номер патента: KR101646910B1. Автор: 이종무,이중호,오원희,배현수. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2016-08-09.

Power-on reset circuit

Номер патента: CN102342022A. Автор: 铃木肇,三浦贤. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Power on reset circuit of zero current

Номер патента: CN104811171A. Автор: 刘明,麦日锋. Владелец: Capital Microelectronics Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

Power On Reset Circuit

Номер патента: KR100490119B1. Автор: 권오봉. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2005-08-29.

Power-on reset system and method suitable for LED display chip

Номер патента: CN110427089A. Автор: 刘宝生,胡渊. Владелец: Limited Co Of Fu Man Electronics Group Of Shenzhen. Дата публикации: 2019-11-08.

Power-on-reset circuit with low power consumption

Номер патента: US9369124B2. Автор: Andre Gunther,Kevin Mahooti. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-14.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20080100351A1. Автор: Won Beom Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Power-on reset circuits

Номер патента: US20080079467A1. Автор: Chun-Chih Hou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Dynamic power-on reset circuit

Номер патента: DE59208380D1. Автор: Dietrich Dr Dipl Ing Armgarth,Heinz-Werner Dipl Ing Hackl. Владелец: Austria Mikro Systeme International GmbH. Дата публикации: 1997-05-28.

Power on reset circuit

Номер патента: JPS56122225A. Автор: Masayuki Takahashi,Hideo Monma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1981-09-25.

Power-on-reset logic with secure power down capability

Номер патента: US6188257B1. Автор: Mark Leonard Buer. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Semiconductor device and method of generating power-on reset signal

Номер патента: US10720917B2. Автор: Tetsuji Maruyama. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

A new power-on reset circuit

Номер патента: EP3154199B1. Автор: Linggang ZENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Power-on / reset circuit implemented in MOS technology for logic circuit arrangements, in particular for peripherals of microprocessors

Номер патента: DE3705140C2. Автор: Maurizio Gaibotti,Vittorio Masina,Alberto Aguti. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-04-06.

Power-on reset circuit

Номер патента: EP2408111B1. Автор: Hajime Suzuki,Satoshi Miura. Владелец: THine Electronics Inc. Дата публикации: 2020-10-07.

Externally configurable power-on-reset systems and methods for integrated circuits

Номер патента: US8872554B2. Автор: Pio Balmelli. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Method for providing a power on reset signal with a quadratic current compared to an exponential current

Номер патента: US7772894B2. Автор: Michel Cuenca,Thierry Soude,Frederic Demolli,Daniel Payrard. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-08-10.

Power-on reset pulse generator

Номер патента: EP0150480A3. Автор: Shannon Nan Shen. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1988-02-17.

For the apparatus and method that host power-on reset controls

Номер патента: CN102907002B. Автор: S.奇,E.布伊延. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2015-11-25.

Electric circuit for testing a power-on reset circuit

Номер патента: US11146264B2. Автор: Harish Balasubramaniam. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-10-12.

Power-on reset circuit for an IC card

Номер патента: EP1845480A3. Автор: Yoshihiro Nakao,Haruhiko Shigemasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-26.

Apparatus and method for host power-on reset control

Номер патента: CN102907002A. Автор: S.奇,E.布伊延. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2013-01-30.

Power on reset circuit

Номер патента: KR101369195B1. Автор: 김영식. Владелец: (주)제퍼로직. Дата публикации: 2014-03-10.

Power on reset circuit

Номер патента: KR101782137B1. Автор: 백승환,차수익,정지용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-27.

Method and system for measuring power-on reset time

Номер патента: EP3480608A1. Автор: Qingbin Li,Dekun CHEN. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-08.

Electric circuit for testing a power-on reset circuit

Номер патента: US20210111716A1. Автор: Harish Balasubramaniam. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2021-04-15.

Power on reset signal generating apparatus and method

Номер патента: CN103019295B. Автор: 陈宜隆. Владелец: Integrated System Solution Corp. Дата публикации: 2015-05-13.

Semiconductor device including power-on reset circuit

Номер патента: US8547144B2. Автор: Jung-Ho Lee,Jong-mu LEE,Hyun-soo BAE,Won-Hi OH. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Power-on reset circuit

Номер патента: CN104796119A. Автор: 金良守. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-22.

Electrical circuit for testing a power-on reset circuit

Номер патента: DE102018202835B4. Автор: Harish Balasubramaniam. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-10-17.

Power-on reset circuitry.

Номер патента: DE3689322D1. Автор: Keith Lloyd Jones. Владелец: Plessey Semiconductors Ltd. Дата публикации: 1994-01-05.

Electronic system having a chip integrated power-on reset circuit with glitch sensor

Номер патента: CN1118023C. Автор: B·F·马霍勒夫,K·H·T·耶登福斯,C·比约克. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-08-13.

Power-on-reset circuitry

Номер патента: US8754680B2. Автор: Ping Xiao,Leo Min Maung,Weiyding Ding. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Customizable power-on reset circuit based on critical circuit counterparts

Номер патента: US20080238499A1. Автор: Patrick H. Mawet. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Electronic device for power-on-reset

Номер патента: US20110068838A1. Автор: Puneet Sareen,Hermann Seibold. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-03-24.

System and method to control a power on reset signal

Номер патента: WO2011123451A1. Автор: Michael K. Batenburg,Steven M. Millendorf,Sarath Chandra Kasarla. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-10-06.

Power On Reset circuit

Номер патента: KR101402493B1. Автор: 김지현. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2014-06-03.

Adaptive power-on-reset generator systems and methods for programmable logic devices

Номер патента: EP4070175A4. Автор: Chwei-Po Chew,Bradley A Sharpe-Geisler. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

System and method to control a power on reset signal

Номер патента: TW201212536A. Автор: Steven M Millendorf,Sarath Chandra Kasarla,Michael K Batenburg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-03-16.

System and method to control a power on reset signal

Номер патента: EP2553813B1. Автор: Michael K. Batenburg,Steven M. Millendorf,Sarath Chandra Kasarla. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Power-on reset circuit for dual-supply system

Номер патента: TW463460B. Автор: David P Morrill. Владелец: Fairchild Semiconductor. Дата публикации: 2001-11-11.

Power-on-reset and watchdog circuit and method

Номер патента: US5704038A. Автор: Donald L. Mueller,Benjamin L. Miciano. Владелец: ITT Automotive Electrical Systems Inc. Дата публикации: 1997-12-30.

Copying of power-on reset sequencer descriptor from nonvolatile memory to random access memory

Номер патента: US09858084B2. Автор: Alvin Anonuevo Manlapat,Ian Victor Pasion Beleno. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Updating firmware and configuration of a computer system by a system management controller during power on reset state

Номер патента: US9898073B2. Автор: Fred A. Bower, III,Hank CH Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Updating firmware and configuration of a computer system by a system management controller during power on reset state

Номер патента: US9874929B2. Автор: Fred A. Bower, III,Hank C H Chung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Low power power-on reset circuitry having dual states

Номер патента: US6367024B1. Автор: Richard William Ezell. Владелец: Dallas Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-04-02.

Reference voltage circuit

Номер патента: US4498040A. Автор: Asakawa Tatsushi,Morozumi Shinji. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-02-05.

Reference voltage circuit

Номер патента: US4359680A. Автор: Michael B. Terry,James R. Hellums. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Reference voltage generation circuits and related methods

Номер патента: US20210376718A1. Автор: Michael Lueders,Bernhard Wicht,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Reference Voltage Circuit

Номер патента: US20240321877A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Reference Voltage Circuit

Номер патента: US20240321878A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Circuits and methods for controlling a boost switching regulator based on inductor current

Номер патента: EP3326044A1. Автор: Jiwei Chen,Joseph Rutkowski,Yikai WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-30.

Circuits and methods for controlling a boost switching regulator based on inductor current

Номер патента: US09780657B2. Автор: Jiwei Chen,Joseph Rutkowski,Yikai WANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Input/output signal processing circuit and input/output signal processing method

Номер патента: US20160241304A1. Автор: Chao-Chi Chen,Pei-Sheng Tsu,Yi-Min Shiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-08-18.

Input/output signal processing circuit and input/output signal processing method

Номер патента: US09755695B2. Автор: Chao-Chi Chen,Pei-Sheng Tsu,Yi-Min Shiu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-09-05.

Signal control circuit and switching apparatus for increased current control

Номер патента: US09653993B2. Автор: Ju Hyun Lee,Sung Hwan Kim,Ju Pyo Hong,Ok Hwan KWON,Hai Feng JIN,Jin Won MOK,Ju Yeong Kim,Baek Min LIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Bandgap reference circuit with low output impedance stage and power-on detector

Номер патента: US09921592B2. Автор: Oleg Dadashev,Fabrice Paillet,Joseph Shor,George L. Geannopoulos,Lan D. VU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Circuits and methods for asymmetric aging prevention

Номер патента: US20140292383A1. Автор: Arvind Kumar,Kalpesh Amrutlal Shah,Francisco Adolfo Cano. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

BANDGAP REFERENCE CIRCUIT WITH LOW OUTPUT IMPEDANCE STAGE AND POWER-ON DETECTOR

Номер патента: US20160246315A1. Автор: Shor Joseph,Paillet Fabrice,Geannopoulos George L.,VU Lan D.,DADASHEV Oleg. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

VOLTAGE CONVERSION APPARATUS AND POWER-ON RESET CIRCUIT AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160231763A1. Автор: Yem Poh-Weng. Владелец: PIXART IMAGING (PENANG) SDN. BHD.. Дата публикации: 2016-08-11.

Low power, slew rate insensitive power-on reset circuit

Номер патента: US5552725A. Автор: Craig M. Peterson,S. Doug Ray. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-09-03.

Power on-reset circuit

Номер патента: US09673808B1. Автор: Chi-Sheng Liao,Kai-Neng Tang. Владелец: Faraday Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Low variation power-on-reset circuit

Номер патента: US09654096B1. Автор: Divya Tripathi,Sanjay K. Wadhwa. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Power-on reset circuit

Номер патента: US6747493B2. Автор: Yasuaki Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-08.

Power on reset circuit, power on reset method and electric device using the same

Номер патента: US20170077921A1. Автор: Poh-Weng Yem. Владелец: Pixart Imaging Penang Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-16.

Signal generating apparatus for generating power-on-reset signal

Номер патента: US9059708B2. Автор: Che-Wei Chang,Chih-Cheng Lin,Jian-Ru LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Power on reset circuit, power on reset method and electric device using the same

Номер патента: US09608621B1. Автор: Poh-Weng Yem. Владелец: Pixart Imaging Penang Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-28.

Power-on reset circuit

Номер патента: US09882558B1. Автор: Peng Sun,Ah Siah Chua,Xiao Yu Miao. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Power-on reset circuitry, an implant device and a method for generating a power-on reset signal

Номер патента: US20240178833A1. Автор: Stefano Stanzione. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2024-05-30.

A power-on reset circuitry, an implant device and a method for generating a power-on reset signal

Номер патента: EP4380055A1. Автор: Stefano Stanzione. Владелец: STICHTING IMEC NEDERLAND. Дата публикации: 2024-06-05.

Power-on reset system

Номер патента: US20240120916A1. Автор: Xiangyang Guo,Yalan Lv. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Processor supervisory circuit and method having increased range of power-on reset signal stability

Номер патента: US5850156A. Автор: Brian Albert Wittman. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-12-15.

Power-on reset circuit

Номер патента: US09515637B1. Автор: Steve Wang,William Schnaitter. Владелец: Ruizhang Technology Ltd Co. Дата публикации: 2016-12-06.

Power-on reset circuit responsive to a clock signal

Номер патента: US5386152A. Автор: Toshinari Naraki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-01-31.

Integrated power-on-reset circuit

Номер патента: US6144238A. Автор: Uday Dasgupta. Владелец: Tritech Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2000-11-07.

Signal generating apparatus for generating power-on-reset signal

Номер патента: US20120229182A1. Автор: Che-Wei Chang,Chih-Cheng Lin,Jian-Ru LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Power on reset circuit with sharply sloped voltage transfer function

Номер патента: US5302861A. Автор: Jules J. Jelinek. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-04-12.

Power-On-Reset Circuit

Номер патента: US20240128976A1. Автор: Yu Jia,Yifei Qian. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Selective call receiver having CMOS power-on reset circuit

Номер патента: US5349695A. Автор: Zhong K. Zhong,Barry W. Herold. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-09-20.

Precision power-on reset circuit

Номер патента: US5959477A. Автор: Michael S. C. Chung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-28.

Low-power power-on reset circuit

Номер патента: US20070170962A1. Автор: Jean-Shin Wu. Владелец: California Micro Devices Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Power-on reset circuit

Номер патента: EP1001536A3. Автор: David P. Morrill. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-07-16.

Power-on reset circuit with suppressed current

Номер патента: US20110267115A1. Автор: Fumihiro Inoue,Kosuke Yamamoto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20100308877A1. Автор: Yu-Pin Chou,Wen-Che Wu,Hsien-Chun Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Low power power-on-reset (por) circuit

Номер патента: US20120092046A1. Автор: Dong Li,Hai Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20120280727A1. Автор: Li Ping Lin. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Power-on-reset circuit

Номер патента: WO2016048131A1. Автор: Chieu Yin CHIA,Hasmayadi Abdul Majid. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2016-03-31.

MOS power-on reset circuit

Номер патента: US3895239A. Автор: Allan A Alaspa. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1975-07-15.

Power-on reset circuit for dual supply voltages

Номер патента: US6078201A. Автор: Patrick J. Crotty. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Ratioed power on reset circuit

Номер патента: USH497H. Автор: Douglas S. Piasecki. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1988-07-05.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20050012531A1. Автор: Hideo Hamaguchi,Norihide Kinugasa,Yoshio Nirasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-20.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20140049300A1. Автор: Li Ping Lin. Владелец: Raydium Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

System and method for power on reset and under voltage lockout schemes

Номер патента: US20070210840A1. Автор: Zhen Zhu,Zhiliang Chen,Lieyi Fang,Jun Ye. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Zero dc current power-on reset circuit

Номер патента: WO1999060703A1. Автор: Zaid K. Salman,Sui P. Shieh. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-11-25.

Low power, power on reset circuit with accurate supply voltage detection

Номер патента: US20060132201A1. Автор: Raymond Barnett. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Zero power power-on-reset circuit

Номер патента: MY114494A. Автор: Pathak Jagdish,Pathak Saroj,A Rosendale Glen,e payne James,Hangzo Nianglamching. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Zero power power-on-reset circuit

Номер патента: WO1999027652A1. Автор: Saroj Pathak,Glen A. Rosendale,James E. Payne,Jagdish Pathak,Nianglamching Hangzo. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 1999-06-03.

Zero power power-on-reset circuit

Номер патента: EP1034619A1. Автор: Saroj Pathak,Glen A. Rosendale,James E. Payne,Jagdish Pathak,Nianglamching Hangzo. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-09-13.

Power on reset (por) circuit

Номер патента: US20240305289A1. Автор: Sanjay Kumar Wadhwa,Neha Goel,Sapna Sharma. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-09-12.

Power on reset (por) circuit

Номер патента: US20240356543A1. Автор: Edwin Schapendonk,Henricus Cornelis Johannes Buthker,Neha Goel,Jyotirmoy Ghosh,Piotr Gibas,Namith Vishnu N. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-24.

Enhanced power-on-reset/low voltage detection circuit

Номер патента: US5847586A. Автор: Steven Burstein,Sharif M. Ibrahim. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-12-08.

Threshold tracking power-on-reset circuit

Номер патента: US11177803B2. Автор: Rajat Chauhan,Divya Kaur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Power on reset apparatus

Номер патента: US8508264B1. Автор: Paul Stulik,Binan C. Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Low current, high accuracy power-on-reset

Номер патента: US20130021071A1. Автор: Praveen V. Nadimpalli. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Power on reset apparatus

Номер патента: US20130194009A1. Автор: Paul Stulik,Binan Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Reference voltage circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210294366A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Circuit and method for a circuit of selecting reference voltage

Номер патента: US20040178842A1. Автор: Chuan-Jen Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Reference voltage circuits in microcontroller systems

Номер патента: US09658682B2. Автор: Marc Laurent,Olivier Husson,Thierry Gourbilleau,Stefan SCHÄBEL,Patrice Menard,Mickael Le Dily,Ronan Barzic. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Reference voltage circuit and method for designing the same

Номер патента: US20240219944A1. Автор: Zhou Yu,Zhengping Zhang,Jianan Wang,Rongbin HU,Can Zhu,Guangbing Chen,Dongbing Fu,Min Gong,Zhimei YANG. Владелец: Chongqing Gigachip Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Temperature compensated reference voltage circuit

Номер патента: US09864389B1. Автор: Sharad Vijaykumar. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-09.

Constant voltage circuit

Номер патента: US20240210981A1. Автор: Kosuke Takada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20090045870A1. Автор: Takashi Imura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Method and circuit for generating reference voltages for reading a multilevel memory cell

Номер патента: US20020192892A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-19.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09523995B2. Автор: Fumiyasu Utsunomiya. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Power supply circuit and electronic control unit employing the same

Номер патента: WO2013132319A8. Автор: Eiichiro Shigehara,Keisuke Hata,Tomohisa Ose,Junichi Fukuta,Yusuke Shindo. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-11-07.

Internal voltage generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09323260B2. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Reference voltage circuits in microcontroller systems

Номер патента: US10203743B2. Автор: Marc Laurent,Olivier Husson,Thierry Gourbilleau,Stefan SCHÄBEL,Patrice Menard,Mickael Le Dily,Ronan Barzic. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Compensated voltage reference generation circuit and method

Номер патента: US09568928B2. Автор: Manuel Meyers. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Regulator circuit and operational amplifier for generating high voltage side reference potential

Номер патента: US20240345608A1. Автор: Zhi-Xin Chen,Tse-Ju Liao. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Reference voltage generation circuit, and constant voltage circuit using the reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070057291A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US12068019B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Reference voltage circuit

Номер патента: US11709519B2. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Reference voltage generator circuit for nonvolatile memory

Номер патента: EP1211691A3. Автор: Yasuhiro NEC Micro Systems Ltd. Tonda,Gou NEC Micro Systems Ltd. Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20230298656A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Reference Voltage Circuit with Low Temperature Drift

Номер патента: US20190361476A1. Автор: Liang Zhang,Jia Zhou,Yuming Feng,Shirong Fan,Yijun Xu,Jianxun Li,Wenjie Yang,Xinchao PENG,Yuhua Xie. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2019-11-28.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240077901A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Masaya Kondo,Tomohiro Nezuka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Bias generation circuit and memory circuit

Номер патента: US20230290385A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Voltage reference circuit and power supply circuit based on same

Номер патента: US20240338044A1. Автор: Szu-Lin LIU,Bei-Shing Lien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Regulator voltage detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240319753A1. Автор: Takayoshi Fujino. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20220197324A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Tu-Yiin Chang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Reference voltage generating circuit and low power consumption sensor

Номер патента: US20220171419A1. Автор: Yu-Te Liao,Cheng-Ze SHAO,Shih-Che KUO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-06-02.

Low power consumption and high precision resistance-free CMOS reference voltage source

Номер патента: US12093067B1. Автор: Jun Lu,Haibo Huang,Yi Zhao,Shuo CAI,Fan SUN,Shiwei Xiao,Huizhe Chen,Jixiang Sui,Shiqing Cheng,Yulin Kong,Wenju Lv,Zihan Lv. Владелец: Hubei University of Automotive Technology. Дата публикации: 2024-09-17.

Constant voltage circuit and method of controlling ouput voltage of constant voltage circuit

Номер патента: US20100156367A1. Автор: Yoshiki Takagi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Internal voltage generator circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20110051533A1. Автор: Young-Hoon Kim,Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Constant voltage circuit

Номер патента: US20130134954A1. Автор: Hideaki Kondo,Yuma Yano,Akimitsu Tajima. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Method and apparatus for determining a reference voltage

Номер патента: US20210020251A1. Автор: Ke Wei,Tao Wei,Zhengtian FENG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Circuit and method of writing to a bit cell

Номер патента: US11776622B2. Автор: Ching-Wei Wu,Pankaj Aggarwal,Jaymeen Bharatkumar ASEEM. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Voltage dropping circuit and integrated circuit

Номер патента: US09703307B2. Автор: Yuma Yano. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Reference voltage source with calibration of output voltage

Номер патента: RU2715215C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Александр Андреевич Щекин. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы". Дата публикации: 2020-02-26.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Low-dropout regulator circuit and electronic device

Номер патента: US20240255976A1. Автор: Thomas Christen,Dimitrios Anagnostopoulos,Fani Liakou,Samuel Blatter. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2024-08-01.

Low-dropout regulator circuit and electronic device

Номер патента: EP4407402A1. Автор: Thomas Christen,Dimitrios Anagnostopoulos,Fani Liakou,Samuel Blatter. Владелец: U Blox AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Word-line voltage regulating circuit and single power supply memory

Номер патента: US20130010536A1. Автор: Yi Xu,Lei Wang,Xiaojin GUAN. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Reference voltage generation system and method

Номер патента: US20210325923A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Regulator applied on output terminal of power source to adjust adjusting current for increasing reference voltage when sensing decrease of reference voltage and decreasing reference voltage when sensing increase of reference voltage and regulating method

Номер патента: US09665114B2. Автор: Yan-Bin Luo,Chih-Chien Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

REFERENCE VOLTAGE GENERATORS, INTEGRATED CIRCUITS, AND METHODS FOR OPERATING THE REFERENCE VOLTAGE GENERATORS

Номер патента: US20130093504A1. Автор: JOU Chewn-PU,NAG Dipankar. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-18.

Power-On-Reset (POR) Circuits for Resetting Memory Devices, and Related Circuits, Systems, and Methods

Номер патента: US20130208556A1. Автор: Terzioglu Esin,Yoon Sei Seung,Ganesan Balachander,Park Alex Dongkyu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-15.

Band-gap type reset circuit i.e. power-on-reset circuit, has bipolar transistors, and resistor, where positive terminal of resistor is connected to power supply, and negative terminal is connected positive terminal another resistor

Номер патента: FR3001060A1. Автор: Hafid Amrani,Hubert Cordonnier. Владелец: CDDIC SAS. Дата публикации: 2014-07-18.

Power on reset (POR) circuit

Номер патента: US09760108B2. Автор: Yong Feng Liu. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

POWER ON RESET (POR) CIRCUIT

Номер патента: US20170102727A1. Автор: Liu Yong Feng. Владелец: STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

POWER-ON-RESET FOR MEMORY

Номер патента: US20210193236A1. Автор: Cai Liuchun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

POWER ON RESET METHOD FOR RESISTIVE MEMORY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20190221260A1. Автор: HO Chia-Hua,Chen Yu-Ting,Wang Ping-Kun,Lin Ming-Che,Liao Shao-Ching,Wu Chien-Min. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-07-18.

POWER ON RESET (POR) CIRCUIT

Номер патента: US20170336822A1. Автор: Liu Yong Feng. Владелец: STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor memory with disabled row power-on reset control

Номер патента: JP3304144B2. Автор: シー． マククルーア デイビッド. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-07-22.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20020101223A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Power-on reset pulse generating circuit

Номер патента: KR100359879B1. Автор: 이정우. Владелец: 주식회사 티엘아이. Дата публикации: 2002-11-07.

Data storage device and method for power on reset and read error handling

Номер патента: US11915772B1. Автор: Vishal Sharma,Sourabh Sankule,Darshan Pagariya. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Data Storage Device and Method for Power on Reset and Read Error Handling

Номер патента: US20240079072A1. Автор: Vishal Sharma,Sourabh Sankule,Darshan Pagariya. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Reset for scan mode exit for devices with power-on reset generation circuitry

Номер патента: US20240319270A1. Автор: Shikhar Makkar. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-26.

Ntc temperature measuring circuit, respirator and power-on self-test method for respirator

Номер патента: US20230145242A1. Автор: Jun Zhao,Haibin Yu,Jiebing XU. Владелец: Vincent Medical Dong Guan Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Built-in self-test circuit and temperature measurement circuit including the same

Номер патента: US20230280398A1. Автор: Kwangho Kim,Sangho Kim,Yongjin Lee,Michael Choi,Junhee Shin,Jooseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Built-in self-test circuit and temperature measurement circuit including the same

Номер патента: US11686766B2. Автор: Kwangho Kim,Sangho Kim,Yongjin Lee,Michael Choi,Junhee Shin,Jooseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Level shift circuit and control pulse shaping unit therewith

Номер патента: US20080143409A1. Автор: Yu-Jui Chang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Oscillation circuit and interface circuit

Номер патента: US20210021267A1. Автор: Hiroo Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Voltage attack detection circuit and chip

Номер патента: US12086294B2. Автор: Jiang Yang,Jianfeng Xue. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate driving circuit and display panel

Номер патента: US09898990B2. Автор: Mang Zhao. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Level shifter circuit and display panel

Номер патента: US20210152177A1. Автор: Xianming Zhang,Wenfang LI. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Psuedo resistor circuit and charge amplifier

Номер патента: US09660592B2. Автор: Yasuhide Takase. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Current drive circuit and method of boosting current using the same

Номер патента: US20060214690A1. Автор: Dong-Uk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Current drive circuit and method of boosting current using the same

Номер патента: US7579871B2. Автор: Dong-Uk Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-25.

Voltage comparing circuit and voltage comparing method

Номер патента: US20190020335A1. Автор: Wooi Kip Lim,Yong Yeap Tan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Apparatus for reference voltage generation for I/O interface circuit

Номер патента: US09762243B2. Автор: VINOD KUMAR,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Comparison circuit and sensor device

Номер патента: US09837997B2. Автор: Minoru Ariyama. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Pull-up voltage detection circuit and pull-up voltage detection method

Номер патента: US20240213963A1. Автор: Jiun-Jang Lin,Jhen-Yu Li,Chien-Tzu KO,Yan-Jhen Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-06-27.

Battery charger, voltage monitoring device and self-diagnosis method of reference voltage circuit

Номер патента: US20140176053A1. Автор: Yukihiro Kita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Power supply device provided with voltage controller using reference voltage circuit and current controller, and electronic apparatus with the power supply device

Номер патента: US11853093B2. Автор: Takahiro Hino,Hiroki Okuda. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Dc boost circuit and method

Номер патента: US20210110768A1. Автор: Bobiao Chang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Two-stage common-mode feedback circuit and fully differential operational amplifier including the same

Номер патента: US20240223144A1. Автор: Yoshio Nishida. Владелец: Lite On Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Charger ic including short protection circuit and ground short test method thereof

Номер патента: US20240283261A1. Автор: Youngwoo Chung,Daeyong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Charger ic including short protection circuit and ground short test method thereof

Номер патента: EP4418481A2. Автор: Youngwoo Chung,Daeyong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Charger ic including short protection circuit and ground short test method thereof

Номер патента: EP4418481A3. Автор: Youngwoo Chung,Daeyong HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Amplifier circuit and method for offset compensation

Номер патента: EP3866338A1. Автор: Reinhold Pieper. Владелец: TE Connectivity Sensors Germany GmbH. Дата публикации: 2021-08-18.

Capacitance processing circuit and a MEMS device

Номер патента: US09383860B2. Автор: Lasse Aaltonen,Teemu Salo,Tero Sillanpää. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Disk system and power-on sequence for the same

Номер патента: US6131142A. Автор: Atsushi Tanaka,Yoshihisa Kamo,Yosuke Seo,Hitoshi Kakuta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2000-10-10.

Power-on protection detection circuit and power-on protection detection method for brushless motor controller

Номер патента: CN111929612A. Автор: 金冠军,朱美臣,周杨洋. Владелец: Zhejiang Linix Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-13.

Pluggable Display System and Power-on Method thereof

Номер патента: US20240096261A1. Автор: Xinyi CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Power-on reset circuit and method of chip

Номер патента: CN111781872A. Автор: 商士栋,王力民,王竞恒,刘在平,李全用. Владелец: Shandong Senter Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-16.

Electric appliance equipment and power-on/standby control method thereof

Номер патента: CN104503267A. Автор: 李伟才,陆正华,徐美林,柳学锋,胡亮平. Владелец: Shenzhen Skyworth RGB Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

Disk system and power-on sequence for the same

Номер патента: US7242656B2. Автор: Atsushi Tanaka,Yoshihisa Kamo,Yosuke Seo,Hitoshi Kakuta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-07-10.

Terminal and power-on application push method thereof

Номер патента: CN105897848A. Автор: 乔磊. Владелец: LeTV Information Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Disk system and power-on sequence for the same

Номер патента: US6625690B2. Автор: Atsushi Tanaka,Yoshihisa Kamo,Yosuke Seo,Hitoshi Kakuta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-09-23.

Reduced sensitivity power-on reset circuitry

Номер патента: US5686847A. Автор: Armond Hairapetian,Daryush Shamlou,Frederic M. Stubbe. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1997-11-11.

CMOS power-on reset circuit

Номер патента: US4634904A. Автор: Anthony Y. Wong. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1987-01-06.

Power on reset latch circuit

Номер патента: EP3709512A1. Автор: Stefano Pietri,James Robert FEDDELER,Robert Robert Matthew. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-09-16.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20170199540A1. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09989984B2. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Constant voltage circuit that selects operation modes based on output voltage

Номер патента: US12055965B2. Автор: Akio Ogura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US09829901B2. Автор: Kenichi Watanabe,Norimasa Hane. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Cmos power-on reset technique

Номер патента: WO1996027918A3. Автор: John Michael Wincn. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-11-07.

Voltage reduction circuit for bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20220011804A1. Автор: Han-Hsiang Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Negative reference voltage generating circuit and negative reference voltage generating system using the same

Номер патента: US20150355665A1. Автор: Nobuhiko Ito,Teruaki Maeda. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Band gap reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070146059A1. Автор: Eun JO. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20060091875A1. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09811105B2. Автор: Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Reference voltage generator

Номер патента: US10545527B2. Автор: Samuli HALLIKAINEN. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2020-01-28.

Reference voltage generator

Номер патента: WO2018100390A1. Автор: Samuli HALLIKAINEN. Владелец: Samuels, Adrian James. Дата публикации: 2018-06-07.

System and method for minimizing power consumption of a reference voltage circuit

Номер патента: US7567063B1. Автор: Hidenori Kobayashi,Hidehiko Suzuki,Nicky Miles Johnson. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Generator and method for generating reference voltage and reference current

Номер патента: US20100117721A1. Автор: Chih-Yuan Hsieh,Maung Maung Win. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-05-13.

Reference voltage generator with extended operating temperature range

Номер патента: US20230107389A1. Автор: Hsien-Hung Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Reference voltage source

Номер патента: RU2767980C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Павел Юрьевич Иванов. Владелец: Павел Юрьевич Иванов. Дата публикации: 2022-03-22.

Circuit and method for monitoring a supply voltage

Номер патента: US20190391187A1. Автор: Federico Ignacio Sanchez Pinzon,Michael Wilhelm Haas,Alexander Barner,Uwe Lueders. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2019-12-26.

A bandgap voltage reference circuit and a method for producing a temperature curvature corrected voltage reference

Номер патента: EP1599776A1. Автор: Stefan Marinca. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Reference voltage generation circuit and method for driving the same

Номер патента: US09946291B2. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Reference voltage circuit and method of generating a reference voltage

Номер патента: US20030234680A1. Автор: Ricardo Erckert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-25.

Bandgap reference circuit and method of testing and calibrating the same

Номер патента: US20240345614A1. Автор: Zhi-Xin Chen. Владелец: Tritium Electronics Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Band-gap reference voltage circuit

Номер патента: US09436204B2. Автор: Tadashi Matsuoka,Fuminori Morisawa,Terukazu Nagakura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Impedance adjusting circuit and impedance adjusting method for zero quotient calibration

Номер патента: US20240339166A1. Автор: Yu-Wei Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09454162B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Sang-Ah HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Calibration circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US12033717B2. Автор: Daewoong Lee,Hyejung Kwon,Daehyun KWON,Jaehyeok Baek,Donggun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Pre-charge control circuit and voltage generation circuit including the same

Номер патента: US20240355376A1. Автор: Ji Young Lee,Jung Yeop Lee,Dong Wook Jang,Keun Seon AHN,Bon Kwang Koo,Eun Ji CHOI,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Sun Ki CHO,In Seok Kong,Sung Hwa Ok,Jae Hyeong Hong,Heon Ki KIM,Jun Seo Jang,Beom Kyu SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Precision reference circuit and related method

Номер патента: US09726696B2. Автор: Matthew Powell,David R. Welland. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Temperature compensation circuit and method for sensing memory

Номер патента: US20100124136A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Chun-Hsiung Hung,Shuo-Nan Hung,Ji-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-20.

Shift register unit, driving method thereof, scan driving circuit and display panel

Номер патента: US11106296B2. Автор: Li Xiao,Lei Wang,Xue Dong,Han Yue,Jie Fu,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Jing LV,Dongni LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A4. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Bit line pre-settlement circuit and method for flash memory sensing scheme

Номер патента: EP1949542A2. Автор: Poongyeub Lee,Mingchi Mitch Liu. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Circuit and method for generating a bandgap reference voltage

Номер патента: US09568933B2. Автор: Ansgar Pottbaecker,Panny Cai. Владелец: STMicroelectronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Reference voltage circuit having a substantially zero temperature coefficient

Номер патента: US5666046A. Автор: David F. Mietus. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: EP1866721A2. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam C. A. Jeevanadhi Satellite TADEPARTHY. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-19.

Process-invariant bandgap reference circuit and method

Номер патента: WO2006102324A3. Автор: Ankit SEEDHER,Preetam Charan Anan Tadeparthy. Владелец: Preetam Charan Anan Tadeparthy. Дата публикации: 2007-03-15.

Current source circuit and detection circuit

Номер патента: US09816883B2. Автор: Manabu Kato. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Reference voltage with a reduced noise level generation device

Номер патента: RU2676755C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2019-01-11.

Sense circuit and high-speed memory structure incorporating the sense circuit

Номер патента: US12051465B2. Автор: Bipul C. Paul,Ramesh Raghavan,Chandrahasa Reddy Dinnipati. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Sensing circuit and memory using thereof

Номер патента: US10255976B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Differential dual floating gate circuit and method for programming

Номер патента: WO2004064115A3. Автор: William Owen. Владелец: William Owen. Дата публикации: 2005-02-24.

Differential dual floating gate circuit and method for programming

Номер патента: WO2004064115A2. Автор: William Owen. Владелец: Xicor, Inc.. Дата публикации: 2004-07-29.

Sensing circuit and memory using thereof

Номер патента: US20190108879A1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Reference voltage generator, display device including the same, and method of driving display device

Номер патента: US11741868B2. Автор: Jin-Taek Hong,Hyungrae Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Small-circuit-scale reference voltage generating circuit

Номер патента: US09785176B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Receiving circuit, memory interface circuit, and receiving method

Номер патента: US09558798B2. Автор: Noriyuki Tokuhiro,Ryo Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2669375C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-10-11.

Dummy data-based read reference voltage search of nand memory

Номер патента: US20240233813A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: EP4405951A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Dummy data-based read reference voltage search of nand memory

Номер патента: WO2024148459A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory

Номер патента: US09859000B1. Автор: Chi-Shun Lin,Douk-Hyoun Ryu,Seow-Fong Lim,Ngatik Cheung,Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Circuit for the generation of a reference voltage

Номер патента: GB1453706A. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1976-10-27.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for finding common optimal reference voltage and memory storage system

Номер патента: US20230317201A1. Автор: Youngjoon Choi,Goyo CHIANG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Reference voltage regulator for edram with vss-sensing

Номер патента: US20100322019A1. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Shift register circuit, method of driving the same, gate driving circuit and display panel

Номер патента: US20210193007A1. Автор: Hongfei Cheng,Xing Yao. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Reference voltage regulator for eDRAM with VSS-sensing

Номер патента: US8363488B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Reference voltage regulator for edram with vss-sensing

Номер патента: US20120020170A1. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Device and method for calibrating reference voltage

Номер патента: US20210151091A1. Автор: Jin Kyu Kim,Joo Hyun Lee,Min-hyung Cho,Seong Min Kim,Young-Deuk Jeon,Jin Ho Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory apparatus, and method for training reference voltage

Номер патента: US09659608B2. Автор: Young Mok Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Charge and discharge control circuit and battery device

Номер патента: US09647465B2. Автор: Takashi Ono,Satoshi Abe,Toshiyuki Koike,Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Overheat detection circuit and semiconductor device

Номер патента: US09983067B2. Автор: Atsushi Igarashi,Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka,Hideyuki SAWAI,Daisuke Okano,Nao OTSUKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Gamma voltage generation circuit and display device including the same

Номер патента: US11763723B2. Автор: Su Bin Kim,Jin Young Jeon,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Voltage boost circuit and sensor device

Номер патента: US20240356435A1. Автор: Masaaki Nagai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US9709931B2. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-07-18.

Voltage measurement circuit and method, and circuit board and control module

Номер патента: EP4411392A1. Автор: Guobin Ma. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Excessive heating protection circuit and image forming apparatus

Номер патента: US20170038708A1. Автор: Hiroshi Eguchi,Takeshi Tamada,Katsuyuki Ikuta,Yoshihito Sasamoto. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-02-09.

Circuit and method for sensing open-circuit lamp of a backlight unit and display device with circuit for sensing open-circuit lamp of backlight unit

Номер патента: US7902772B2. Автор: Chang-Ho Lee,Jae Ho Lee,Hyun-Il Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-08.

Power circuit and display device including the same

Номер патента: US12136880B2. Автор: Bong Hwan KIM,Yeong Seok CHOE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Control circuit and control method for illumination apparatus

Номер патента: US09699845B2. Автор: Junichi Hagino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Light emitting display device, light emitting display panel, driving circuit, and driving method

Номер патента: US20210318773A1. Автор: Seyoung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Multi-level point-to-point transmission system and transmitter circuit and receiver circuit thereof

Номер патента: US20090088084A1. Автор: Chun-Yi Huang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor circuit including a tie-low circuit and method of fabricating same

Номер патента: US12119340B2. Автор: Wei Li,Kai Zhou,Yongliang JIN,Yaqi Ma,CunCun CHEN. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

DC voltage conversion circuit and liquid crystal display device including the same

Номер патента: US09960590B1. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

OLED driving compensation circuit and driving method thereof

Номер патента: US09591715B2. Автор: Cuili Gai,Danna SONG,Qinghui Zeng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Power supply rejection circuit for capacitively-stored reference voltages

Номер патента: US20030103302A1. Автор: Jason Chilcote,Perry Holman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Separately excited inverter circuit and liquid crystal display television

Номер патента: EP1988754A3. Автор: Kazuo Nishinosono. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Detection circuit and three-phase AC-to-AC power converting apparatus incorporating the same

Номер патента: US09692314B2. Автор: Yen-Shin LAI,Pane-You Liu. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Circuits and methods providing supply voltage control based on transient load prediction

Номер патента: US09645626B2. Автор: Farsheed Mahmoudi,Shahin Solki. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Battery state monitoring circuit and battery device

Номер патента: US09525296B2. Автор: Takashi Ono,Toshiyuki Koike,Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Source driver circuit, and display device

Номер патента: US20170263185A1. Автор: Hirofumi Nakagawa. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Sensor-less circuit and method for detecting a rotor position

Номер патента: US09912268B2. Автор: Satoshi Yokoo,Atsuhiro Ichikawa. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Sensor-less circuit and method for detecting a rotor position

Номер патента: US09793841B2. Автор: Satoshi Yokoo,Atsuhiro Ichikawa. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Discrete input determining circuit and method

Номер патента: US20190346488A1. Автор: Douglas Clayton SMYTHE. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-11-14.

Discrete input determining circuit and method

Номер патента: US20190107565A1. Автор: Douglas Clayton SMYTHE. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Pixel Driving Circuit and OLED Display Device

Номер патента: US20180269232A1. Автор: Yuying CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Capacitive load drive circuit and plasma display apparatus

Номер патента: US20030184539A1. Автор: Eiji Ito,Makoto Onozawa,Kazuyoshi Yamada,Hideaki Ohki,Masaki Kamada. Владелец: Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Power-on reset for transponder

Номер патента: EP1187731A1. Автор: Dale Lee Yones. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2002-03-20.

Efficient and safe door locking control in power-off and power-on conditions

Номер патента: EP2390444A3. Автор: Michael N. Burdenko. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-23.

Power off and power on method and apparatus for an in-vehicle system

Номер патента: EP3857358A1. Автор: Yao Zu Dong,Di Zhang,Shuo Liu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Digital real time clock monitor for a gnss receiver and single pin signalling for power-on reset and wake-up interrupt

Номер патента: US20150097726A1. Автор: Daniel Babitch,Nicolas Vantalon,Steven A. Gronemeyer. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-09.

Digital real time clock monitor for a GNSS receiver and single pin signalling for power-on reset and wake-up interrupt

Номер патента: US09651676B2. Автор: Daniel Babitch,Nicolas Vantalon,Steven A Gronemeyer. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Power-on signal transmitting system and power-on signal transmitting method

Номер патента: US20100207461A1. Автор: Chao-Cheng Chang. Владелец: Promise Technology Inc Taiwan. Дата публикации: 2010-08-19.

Power-on signal transmitting system and power-on signal transmitting method

Номер патента: US8015334B2. Автор: Chao-Cheng Chang. Владелец: Promise Technology Inc Taiwan. Дата публикации: 2011-09-06.

Test method of integrated circuit with random-number generation circuit and integrated circuit with random-number generation circuit

Номер патента: US20090106615A1. Автор: Hideaki Nakakita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Digital real time clock monitor for a gnss receiver and single pin signalling for power-on reset and wake-up interrupt

Номер патента: US20170242130A1. Автор: Daniel Babitch,Nicolas Vantalon,Steven A. Gronemeyer. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Power on reset signal circuit with clock inhibit and delayed reset

Номер патента: US5446403A. Автор: Todd R. Witkowski. Владелец: Zenith Data Systems Corp. Дата публикации: 1995-08-29.

Efficient and safe door locking control in power-off and power-on conditions

Номер патента: EP2390444B1. Автор: Michael N. Burdenko. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-23.

GAMMA REFERENCE VOLTAGE RIPPLE FILTER CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY

Номер патента: US20170229076A1. Автор: Zhou Li,Cao Dan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2017-08-10.

Power on certification method for personal computer and power on certification system thereof

Номер патента: US8387133B2. Автор: Ming-Chung Hsieh,Heng-Yung Su. Владелец: MSI Computer Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-26.

Power-on authentication method for personal computer and power-on authentication system thereof

Номер патента: TW201109972A. Автор: Heng-Yung Su,Ming-Chung Hish. Владелец: Micro Star Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-16.

VOLTAGE DIVIDER CIRCUIT, A NEGATIVE FEEDBACK CIRCUIT, AND A POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20220268810A1. Автор: Matsuno Noriaki,SAKAMOTO Shingo. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

On chip power on reset with integrated supervisory functions for a functional safety system

Номер патента: US20200209931A1. Автор: Chunhua Hu,Venkateswar Reddy Kowkutla,Erkan Bilhan,Sumant Dinkar Kale. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Circuito elettronico per controllare segnali di tensione su particolari nodi critici, ad esempio di un circuito di por (power on reset)

Номер патента: ITMI20001804A1. Автор: Marco Pasotti,Pierluigi Rolandi,Giovanni Guatini. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2002-02-02.

Circuito elettronico per controllare segnali di tensione su particolari nodi critici, ad esempio di un circuito di por (power on reset)

Номер патента: ITMI20001804A0. Автор: Marco Pasotti,Pierluigi Rolandi,Giovanni Guatini. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2000-08-02.

POWER OFF AND POWER ON METHOD AND APPARATUS FOR AN IN-VEHICLE SYSTEM

Номер патента: US20210225096A1. Автор: Dong Yao Zu,ZHANG Di,LIU Shuo. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

On chip power on reset with integrated supervisory functions for a functional safety system

Номер патента: US11269389B2. Автор: Chunhua Hu,Venkateswar Reddy Kowkutla,Erkan Bilhan,Sumant Dinkar Kale. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-03-08.

On chip power on reset with integrated supervisory functions for a functional safety system

Номер патента: US20180181179A1. Автор: Chunhua Hu,Venkateswar Reddy Kowkutla,Erkan Bilhan,Sumant Dinkar Kale. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Integrated circuit with selectable power-on reset mode

Номер патента: US09612653B2. Автор: Jing Cui,Shayan Zhang,Wen Gu. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-04-04.

DIGITAL REAL TIME CLOCK MONITOR FOR A GNSS RECEIVER AND SINGLE PIN SIGNALLING FOR POWER-ON RESET AND WAKE-UP INTERRUPT

Номер патента: US20150097726A1. Автор: Babitch Daniel,Vantalon Nicolas,Gronemeyer Steven A.. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH POWER ON RESET CIRCUITRY

Номер патента: US20170160792A1. Автор: Oizumi Akira,Kobayashi Soichi,Tokioka Yoshinori. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

HIERARCHICAL RANDOM SCRAMBLING OF SECURE DATA STORAGE RESULTING IN RANDOMNESS ACROSS CHIPS AND ON POWER ON RESETS OF INDIVIDUAL CHIPS

Номер патента: US20210192070A1. Автор: KUMAR Dhulipalla Phaneendra. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2021-06-24.

ON CHIP POWER ON RESET WITH INTEGRATED SUPERVISORY FUNCTIONS FOR A FUNCTIONAL SAFETY SYSTEM

Номер патента: US20180181179A1. Автор: Bilhan Erkan,Hu Chunhua,Kowkutla Venkateswar Reddy,Kale Sumant Dinkar. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH POWER ON RESET CIRCUITRY

Номер патента: US20180196500A1. Автор: Oizumi Akira,Kobayashi Soichi,Tokioka Yoshinori. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

ON CHIP POWER ON RESET WITH INTEGRATED SUPERVISORY FUNCTIONS FOR A FUNCTIONAL SAFETY SYSTEM

Номер патента: US20200209931A1. Автор: Bilhan Erkan,Hu Chunhua,Kowkutla Venkateswar Reddy,Kale Sumant Dinkar. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

DIGITAL REAL TIME CLOCK MONITOR FOR A GNSS RECEIVER AND SINGLE PIN SIGNALLING FOR POWER-ON RESET AND WAKE-UP INTERRUPT

Номер патента: US20170242130A1. Автор: Babitch Daniel,Vantalon Nicolas,Gronemeyer Steven A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Power-on resetting circuit

Номер патента: JPS5981717A. Автор: Yoshitaka Kato,加藤　良孝. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-05-11.

Low Voltage Power-On Reset Circuits

Номер патента: KR101854620B1. Автор: 김태우,김미정,양병도,우기찬,황선광. Владелец: 충북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-06-15.

Repeater with controllable power-on reset circuit

Номер патента: JP2005535211A. Автор: ロベルト、コフラー. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-11-17.

Power control and status circuitry for communicating power on reset control and status via a single electrode

Номер патента: US7788515B2. Автор: Kern Wong,Madhavi Tagare. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Storage system with disk drive power-on-reset detection and recovery

Номер патента: US7340576B1. Автор: Richard L. Harris,Christophe Therene,Paul R. Stonelake,Alex Ga Hing Tang. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2008-03-04.

Storage system with disk drive power-on-reset detection

Номер патента: US7188225B1. Автор: Richard L. Harris,Christophe Therene,Paul R. Stonelake,Alex Ga Hing Tang. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2007-03-06.

Hierarchical random scrambling of secure data storage resulting in randomness across chips and on power on resets of individual chips

Номер патента: US11281795B2. Автор: Dhulipalla Phaneendra KUMAR. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2022-03-22.

Phased nand power-on reset

Номер патента: EP2564285B1. Автор: Jianmin Huang,Farookh Moogat,Steven S. Cheng,Dennis Ea,Alexander Kwok-Tung Mak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Radio frequency identification device power-on reset management

Номер патента: US7872566B1. Автор: Cong Khieu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2011-01-18.

LCD panel driver with self masking function using power on reset signal and driving method thereof

Номер патента: US8319769B2. Автор: Seung-Jung Lee,Do-Youn Kim,Jae-hong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-27.

Chip power-on reset method and chip

Номер патента: CN111506178B. Автор: 温靖康,南钟基. Владелец: XTX Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR950014152B1. Автор: 김학근. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-11-22.

Power-on-reset signal isolation during lower power mode

Номер патента: US20230205305A1. Автор: Varun Singh,Chunhua Hu,Kazunobu Shin,Raghavendra Santhanagopal,Rejitha Nair,Venkateswar Kowkutla,Charles Gerlach,Ritesh Sojitra,Sai Rajaraman,Anthony Seely,Siva Srinivas Kothamasu,John Apostol. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Transponder with a controllable power-on-reset circuit

Номер патента: WO2004013806A1. Автор: Robert Kofler. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-02-12.

Phased NAND power-on reset

Номер патента: TW201209561A. Автор: Jianmin Huang,Farookh Moogat,Dennis Ea,Alexander Kwok-Tung Mak,Steven S Cheng. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

COMPUTING SYSTEM AND POWER-ON METHOD AND UPDATING METHOD

Номер патента: US20160139645A1. Автор: HAN Ying-Xian. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Patient handling device including local status indication, one-touch fowler angle adjustment, and power-on alarm configuration

Номер патента: US20160157755A1. Автор: Michael Joseph Hayes,David Terrance Becker,Christopher John Hopper,Richard C. Mayoras, Jr.,Vivek Shankar. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

PATIENT HANDLING DEVICE INCLUDING LOCAL STATUS INDICATION, ONE-TOUCH FOWLER ANGLE ADJUSTMENT, AND POWER-ON ALARM CONFIGURATION

Номер патента: US20190320943A1. Автор: Shankar Vivek,Hayes Michael Joseph,JR. Richard C.,Hopper Christopher John,Mayoras,Becker David Terrance. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Device for recording the applied forces and power on a crank

Номер патента: DE4435174C2. Автор: Wolfgang Petzke. Владелец: Wolfgang Petzke. Дата публикации: 2002-08-08.

Computer and power-on starting circuit thereof

Номер патента: CN113031739B. Автор: 寇东. Владелец: Shandong Yingxin Computer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Simultaneous display circuit with reset and power on

Номер патента: KR870002706U. Автор: 권혁한. Владелец: 주식회사 금성사. Дата публикации: 1987-03-18.

Patient handling device including local status indication, one-touch fowler angle adjustment, and power-on alarm configuration

Номер патента: WO2007056342A3. Автор: Michael Joseph Hayes,David Terrance Becker,Christopher John Hopper,Vivek Shankar,Richard C Mayoras Jr. Владелец: Richard C Mayoras Jr. Дата публикации: 2007-08-30.

Patient handling device including local status indication, one-touch fowler angle adjustment, and power-on alarm configuration

Номер патента: US11883156B2. Автор: Michael Joseph Hayes,David Terrance Becker,Christopher John Hopper,Richard C. Mayoras, Jr.,Vivek Shankar. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Patient handling device including local status indication, one-touch fowler angle adjustment, and power-on alarm configuration

Номер патента: US20240164663A1. Автор: Michael Joseph Hayes,David Terrance Becker,Christopher John Hopper,Richard C. Mayoras, Jr.,Vivek Shankar. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Pixel driving circuit and display device with the same

Номер патента: US20190304371A1. Автор: Jun Li. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Commutator of bipolar source of reference voltage with temperature compensation

Номер патента: RU2738346C1. Автор: Александр Сергеевич Анохин,Дмитрий Витальевич Гребенщиков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2020-12-11.

Power-on reset circuit and power-on reset method

Номер патента: KR100476927B1. Автор: 이영대,김영승. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-16.

Power-on reset circuit and power-on reset method

Номер патента: JP4291066B2. Автор: 李永大,金永勝. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-08.

Glitch removal circuit and electronic device

Номер патента: US10903826B2. Автор: Takaaki Komatsu. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Power-on detector, and power-on reset circuit using the same

Номер патента: US6888384B2. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Glitch removal circuit and electronic device

Номер патента: US20200280305A1. Автор: Takaaki Komatsu. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

VOLTAGE DETECTION CIRCUIT AND POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20210265991A1. Автор: Ideno Hiroyuki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-08-26.

Circuit with hysteresis and power on reset/brownout detection circuit comprising the same

Номер патента: KR101226030B1. Автор: 김세엽. Владелец: 주식회사 하이딥. Дата публикации: 2013-01-24.

Low quiescent current power on reset circuit

Номер патента: US20190319616A1. Автор: Eric C. Gaalaas,Bikiran Goswami,Jason Ma,Felix Qin. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2019-10-17.

POWER ON RESET CIRCUIT, POWER ON RESET METHOD AND ELECTRIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170077921A1. Автор: Yem Poh-Weng. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

POWER-ON RESET CIRCUIT WITH RESET TRANSITION BASED ON VT

Номер патента: US20170111039A1. Автор: Klemmer Nikolaus,Akour Amneh Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

POWER-ON RESET CIRCUIT WITH RESET TRANSITION DELAY

Номер патента: US20200266814A1. Автор: Klemmer Nikolaus,Akour Amneh Mohammad. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Power-On reset circuit generating reset signal about multi power-on signal

Номер патента: KR100333666B1. Автор: 이도영. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-24.

Power-on-reset circuit with brown-out reset for multiple power supplies

Номер патента: US8106688B2. Автор: Min Zhang,Haitao Huang,Liding Yin. Владелец: Smartech Worldwide Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Power-on reset circuit using flip-flop and semiconductor device having such power-on reset circuit

Номер патента: US7701265B2. Автор: Kazunori Maeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-20.

Power on reset circuit

Номер патента: CN106533407A. Автор: 张宁,马腾飞,钱翼飞. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-22.

Low-power-consumption power-on reset and power-off reset circuit

Номер патента: CN111934657A. Автор: 张斌. Владелец: Nanjing Wujian Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-11-13.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND UNDER-VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20170012619A1. Автор: SONG Kinam,OH Wonhi,CHOI Jinkyu,JIN Bumseung,SHIN Samuell. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor, LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

POWER SOURCE MONITORING CIRCUIT, POWER ON RESET CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180123590A1. Автор: Yagishita Yuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

POWER ON RESET CIRCUIT, POWER SUPPLY CIRCUIT, AND POWER SUPPLY SYSTEM

Номер патента: US20140285243A1. Автор: OISHI Kazuaki,NAKAMOTO Hiroyuki,KOJIMA Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Power on reset circuit and high frequency communication device

Номер патента: US20170244406A1. Автор: Kentaro Yasunaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Circuit and method for power-on reset

Номер патента: KR100583611B1. Автор: 신창호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-05-26.

Power source monitoring circuit, power on reset circuit, and semiconductor device

Номер патента: WO2016098593A1. Автор: 雄貴 八木下. Владелец: ソニー株式会社. Дата публикации: 2016-06-23.

Power-on reset circuit and integrated circuit

Номер патента: CN106357249B. Автор: 王鹏,陆健,罗鹏,张文荣,徐学良,翁亚男. Владелец: Shanghai Sinomcu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Low current power-on reset circuit and method

Номер патента: US20110074470A1. Автор: Keith E. Sanborn,Johnnie F. Molina. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Power-on reset circuit, and semiconductor device

Номер патента: KR100330677B1. Автор: 기따데오사무. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 2002-04-03.

Power-on reset circuit and isolated half-bridge driver

Номер патента: CN112204884A. Автор: 王晨,朱煜,王明贵,王国瑞,张振明,蔡中华,庞志远,力争,侯惠淇. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-08.

Power-on reset circuit and power supply device

Номер патента: CN108233905B. Автор: 彭振宇. Владелец: China Academy of Telecommunications Technology CATT. Дата публикации: 2020-08-11.

A power on reset generating circuit and method thereof

Номер патента: TWI379188B. Автор: Yu Ren Chen. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Power-on reset circuit and method

Номер патента: JP4226971B2. Автор: 權奇元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-18.

Power-on reset circuit and control device using the same

Номер патента: KR100360792B1. Автор: 요시아끼 미다니. Владелец: 로무 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-01-24.

Power-on reset circuit, integrated circuit and EEPROM system

Номер патента: CN108111150B. Автор: 宋金星,赵犇,孔非凡. Владелец: Shanghai Beiling Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-13.

Internal power-on reset circuit and method for low-voltage chip

Номер патента: TW200419900A. Автор: Tzung-Hung Kang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Power on reset latch circuit

Номер патента: EP3709512B1. Автор: Stefano Pietri,James Robert FEDDELER,Matthew Robert Mertens. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Low standby current power-on reset circuit

Номер патента: TW200417145A. Автор: Jason Stevens,Craig Waller,Agustinus Sutandi,Daran DeShazo. Владелец: HPL Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

Low standby current power-on reset circuit

Номер патента: TWI321397B. Автор: Stevens Jason,Sutandi Agustinus,DeShazo Daran,Waller Craig. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2010-03-01.

Power on reset circuit

Номер патента: EP2696503B1. Автор: Irina Mladenova. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-09.

Mos power-on reset circuit

Номер патента: DE3365488D1. Автор: Joannes Joseph Maria Koomen. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-10-02.

Power-on reset circuit and high-frequency communication device

Номер патента: WO2016063597A1. Автор: 健太郎 安仲. Владелец: ソニー株式会社. Дата публикации: 2016-04-28.

Power-on reset circuit

Номер патента: TWI273382B. Автор: Ken-Ming Li,Zhen-Yu Song,Yong-Cong Chen. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2007-02-11.

Power-on reset circuit

Номер патента: TW201044789A. Автор: Yu-Pin Chou,Wen-Che Wu,Hsien-Chu Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Voltage comparing circuit and power-on clear circuit using it

Номер патента: JPS5669923A. Автор: Masanari Kaizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-11.

Low power power-on-reset (por) circuit

Номер патента: US20120092046A1. Автор: Dong Li,Hai Tao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Power-on reset

Номер патента: US20120126864A1. Автор: Julie Lynn Stultz,Tyler Daigle. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Signal generating apparatus for generating power-on-reset signal

Номер патента: US20120229182A1. Автор: Che-Wei Chang,Chih-Cheng Lin,Jian-Ru LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-13.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20130194011A1. Автор: Tomohiro Oka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140049300A1. Автор: LIN LI PING. Владелец: RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-20.

POWER-ON-RESET (POR) CIRCUIT WITH ZERO STEADY-STATE CURRENT CONSUMPTION AND STABLE PULL-UP VOLTAGE

Номер патента: US20140097873A1. Автор: Zhao Tao,Cao Peng,Bai Na,Shi Longxing,Shan Welwei,Wang Xuexiang. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-10.

TESTING OF POWER ON RESET (POR) AND UNMASKABLE VOLTAGE MONITORS

Номер патента: US20180013418A1. Автор: Srinivasan Venkata Narayanan,DHULIPALLA Srinivas. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2018-01-11.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20210013872A1. Автор: Shreepathi Bhat Avinash. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

Device And Method For Energy Harvesting Using A Self-Oscillating Power-On-Reset Start-Up Circuit With Auto-Disabling Function

Номер патента: US20180019661A1. Автор: Gao Yuan,Das Abhik,KIM Tae-Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

ROBUST POWER-ON-RESET CIRCUIT WITH BODY EFFECT TECHNIQUE

Номер патента: US20220052683A1. Автор: YANG Shang-Chi,Lin Jian-Syu,CHIH Jhen-Sheng. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-17.

Highly accurate power-on reset circuit with least delay

Номер патента: US20150042386A1. Автор: Prasenjit Bhowmik,Pranjal Pandey. Владелец: CIREL SYSTEMS PRIVATE Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Testable power-on-reset circuit

Номер патента: US20160056811A1. Автор: Sanjay Kumar Wadhwa,Avinash Chandra Tripathi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140159784A1. Автор: TSAO MING-YUAN,KUO SHIH-CHOU,CHEN Ko-Han,LIN Dang-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

POWER-ON RESET SIGNAL GENERATOR AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20200076421A1. Автор: LI CHAO,Hao Baotian,Wang Weitie. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20200076422A1. Автор: Chen Feng,Tao Cheng,JI XIANGYU,FU Jiaxi. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

LOW POWER EXTERNALLY BIASED POWER-ON-RESET CIRCUIT

Номер патента: US20160105169A1. Автор: Lou Perry. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20170104483A1. Автор: ZENG LINGGANG. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-13.

LOW-AREA, LOW-POWER, POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20180123583A1. Автор: Singh Amit Kumar,Ganesan Sriram. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

POWER-ON RESET CIRCUIT WITH HYSTERESIS

Номер патента: US20200119728A9. Автор: CHIU Liang-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140218079A1. Автор: Kawamura Yukio. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

POWER-ON RESET SIGNAL GENERATING DEVICE

Номер патента: US20210167771A1. Автор: Lee Hyun Chul. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-06-03.

THRESHOLD TRACKING POWER-ON-RESET CIRCUIT

Номер патента: US20210184671A1. Автор: CHAUHAN Rajat,Kaur Divya. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20150200653A1. Автор: KIM Ryangsu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Power-on-Reset and Supply Brown Out Detection Circuit with Programmability

Номер патента: US20150236689A1. Автор: Mandal Sajal Kumar,Mandal Pralay. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

SIGNAL GENERATING APPARATUS FOR GENERATING POWER-ON-RESET SIGNAL

Номер патента: US20140320179A1. Автор: Chang Che-Wei,Lin Chih-Cheng,Lin Jian-Ru. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

POWER-ON RESET CIRCUIT WITH HYSTERESIS

Номер патента: US20190245535A1. Автор: CHIU Liang-Shiang. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20200266802A1. Автор: Shreepathi Bhat Avinash. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

POWER ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20180294808A1. Автор: Lin Guijiang,LIAO Jianping,Liu Yushan,YANG Ruicong,YANG Fengbing,REN Lianfeng,SHEN Binxu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Power-On-Reset Detector

Номер патента: US20160308514A1. Автор: Sandhu Bal S.,Myers James. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

POWER ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20190296736A1. Автор: LIU Hsing-Yu,Lai Jyun-Yu. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2019-09-26.

LOW QUIESCENT CURRENT POWER ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20190319616A1. Автор: MA JASON,GOSWAMI Bikiran,Gaalaas Eric C.,Qin Felix. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF GENERATING POWER ON RESET SIGNAL

Номер патента: US20190393872A1. Автор: Yotsuji Tetsuaki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS5460849A. Автор: Fumitaka Asami,Masayoshi Tomita,Ryusuke Hoshikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-05-16.

Power On Reset Circuit

Номер патента: KR100301368B1. Автор: 박종민,최수환. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-27.

Power on reset circuit

Номер патента: KR100253362B1. Автор: 최종문. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Power on reset circuit

Номер патента: KR100349356B1. Автор: 백준현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-21.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR100614645B1. Автор: 권기원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-22.

On-chip power-on reset circuit

Номер патента: CN113872579A. Автор: 谢天,于超,赵贵勇. Владелец: Praran Semiconductor Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2021-12-31.

Power-on resetting circuit

Номер патента: JPS6051022A. Автор: Yukihiro Ukai,幸弘 鵜飼. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1985-03-22.

Power-on reset device

Номер патента: JP3042012B2. Автор: 信孝 長井. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-15.

Improved power-on reset circuit

Номер патента: JP3523593B2. Автор: ハン スン チェン,ツェン ヒューイ シオー,レイ リン ワン. Владелец: マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2004-04-26.

Power-on-reset device, e.g. for radio frequency identification tag , has two same size MOS transistors in mirror current configuration, and current sources delivering currents whose values change depending on state of signal

Номер патента: FR2863420A1. Автор: Pierre Rizzo,Christophe Moreaux. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2005-06-10.

Power-on reset circuit with low quiescent current consumption

Номер патента: DE69217209T2. Автор: Alberto Gola,Giona Fucili. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1997-05-15.

Power-on reset circuit for monolithic I.C.'s

Номер патента: US4254347A. Автор: Kenneth I. Ray. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-03-03.

CMOS power-on reset circuit

Номер патента: JPH11500281A. Автор: ウー，アン・ケイ,ヤング，デイビッド・ワイ. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-01-06.

Power on reset circuit

Номер патента: US20010028263A1. Автор: Shigeki Ohbayashi,Tadayuki Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Power on reset circuit

Номер патента: KR0167228B1. Автор: 백우현,손보익. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-20.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR100496863B1. Автор: 권기원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-22.

Cmos power on reset circuit

Номер патента: WO1996025797A1. Автор: Ann K. Woo,David Y. Young. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1996-08-22.

Power on reset circuit

Номер патента: JPS5547727A. Автор: Fumitaka Asami,Masayoshi Tomita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-04-04.

Power-on reset circuit with current shut-off and semiconductor device including the same

Номер патента: US20030231035A1. Автор: Alok Govil,Vickram Vathulya. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-18.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS5791029A. Автор: Mitsuharu Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-07.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS6019317A. Автор: Fumio Shioda,塩田　文雄. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-01-31.

Power-on reset circuit

Номер патента: CN105811941A. Автор: 林桂江,任连峰,杨凤炳,刘玉山,廖建平,杨瑞聪,沈滨旭. Владелец: Xiamen Xinye Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Power-on reset signal generating circuit

Номер патента: JPH1098365A. Автор: Kim Seo-Jin,キム セオ−ジン. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-14.

Circuit arrangement for generating a power-on reset signal

Номер патента: EP0496910B1. Автор: Tommaso Dipl.-Ing. Bacigalupo. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1996-03-27.

Power-on reset circuit having a low static consumption

Номер патента: EP0575687A1. Автор: Alberto Gola,Giona Fucili. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1993-12-29.

Power on reset generator circuit providing hysteresis in a noisy power environment

Номер патента: US6683481B1. Автор: Shi-dong Zhou,Andy T. Nguyen. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2004-01-27.

Cmos power-on reset circuit

Номер патента: KR940009251B1. Автор: 창 수엔-친. Владелец: 삼성 세미콘덕터, 인코오포레이티드. Дата публикации: 1994-10-01.

Semiconductor integrated circuit having a power-on reset circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US7193907B2. Автор: Yoshihiro Nakatake,Akihiro Narumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-20.

Method and apparatus for generating a power on reset with a low temperature coefficient

Номер патента: US20070046341A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20050001660A1. Автор: Amit Roy. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Improved power-on reset circuit

Номер патента: JP2002510890A. Автор: ハン スン チェン,ツェン ヒューイ シオー,レイ リン ワン. Владелец: マクロニクス インターナショナル カンパニー リミテッド. Дата публикации: 2002-04-09.

Power-on reset circuit for a mos integrated circuit

Номер патента: EP0323367B1. Автор: Bruno Dubujet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1992-03-11.

Power on reset circuit

Номер патента: EP1492234A2. Автор: Amit Roy. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2004-12-29.

Integrated power on reset circuit for electric controller

Номер патента: JPS5994925A. Автор: ウイリアム・ペイル,ト−マス・アルフレツド・ブラウン,マ−ク・アンドリユウ・デイソスウエイ. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-05-31.

Pure CMOS ultra-low power consumption power-on reset circuit

Номер патента: CN111092614A. Автор: 周健,李拥军,江永林. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-01.

Power-on reset signal generating circuit

Номер патента: JPS5748831A. Автор: Kazuyuki Tanaka,Kunihiko Hirashima. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 1982-03-20.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR900017905U. Автор: 백우현. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1990-10-05.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP4172378B2. Автор: 芳正 関野,章司 北沢. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Microprocessor power on reset circuit having switching transistor grid current controlled producing precision resistance output node position.

Номер патента: FR2798018A1. Автор: Bruno Gailhard. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

Power-on reset circuit

Номер патента: US20050146385A1. Автор: Luke Johnson,Robert Santucci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Power-on reset circuit with hysteresis

Номер патента: TWI659610B. Автор: 邱良祥. Владелец: 華邦電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-11.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS59228426A. Автор: Shinji Nanba,Fumihiko Deguchi,文彦 出口,難波　慎治. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1984-12-21.

Power-on reset (POR) circuit

Номер патента: US11601123B1. Автор: Hendrik Johannes Bergveld,Henricus Cornelis Johannes Buthker,Shubham Ajaykumar Khandelwal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-03-07.

Power-on reset circuit

Номер патента: US7274227B2. Автор: Po-Chin Hsu. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-25.

Digital power-on reset controller

Номер патента: TW200713814A. Автор: Jiunn Ming Ju,Cheng-Liang Hou. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Power-on reset circuit

Номер патента: US7504870B2. Автор: David McClure,Robert Mikyska. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2009-03-17.

Power-on reset circuit

Номер патента: TW200609716A. Автор: Ken-Ming Li,Zhen-Yu Song,Yong-Cong Chen. Владелец: Via Tech Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3088821B2. Автор: 俊成 楢木. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-18.

Power-on reset circuit

Номер патента: GB2108342B. Автор: Michael Anthony Brent,Ulrich Karl Schimpeler. Владелец: ITT Industries Ltd. Дата публикации: 1986-01-15.

Power on reset circuitry

Номер патента: US20090102522A1. Автор: Theodore T. Pekny,Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

Zero power power-on-reset circuit

Номер патента: CA2303234A1. Автор: Saroj Pathak,Glen A. Rosendale,James E. Payne,Jagdish Pathak,Nianglamching Hangzo. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-03.

Power on reset circuit

Номер патента: TWI244261B. Автор: Po-Chin Hsu. Владелец: Sunplus Technology Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-21.

Power on reset circuit with auto turn off

Номер патента: EP0805556B1. Автор: Maurizio Branchetti,Marco Maccarrone,Stefano Ghezzi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2005-03-23.

Power-on reset circuit

Номер патента: KR940023685U. Автор: 장현식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-10-22.

Zero standby-current power-on reset circuit with Schmidt trigger sensing

Номер патента: US6288584B1. Автор: KE Wu,David Kwong. Владелец: Pericom Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-11.

Power-on reset circuit

Номер патента: US7262646B2. Автор: Hideo Hamaguchi,Norihide Kinugasa,Yoshio Nirasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-28.

Method and Apparatus for Power-On-Reset

Номер патента: KR101725868B1. Автор: 문제철. Владелец: (주)에프씨아이. Дата публикации: 2017-04-13.

A power on reset circuit with low quiescent current

Номер патента: DE102019109513B4. Автор: Eric C. Gaalaas,Bikiran Goswami,Jason Ma,Felix Qin. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2021-07-15.

Power on reset circuit

Номер патента: TWI555333B. Автор: Tomohiro Oka. Владелец: Sii Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-21.

Signal generating apparatus for generating power-on-reset signal

Номер патента: TW201237591A. Автор: Che-Wei Chang,Chih-Cheng Lin,Jian-Ru LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-09-16.

Power on reset circuit with low power consumption

Номер патента: TW200728968A. Автор: jian-xing Wu. Владелец: Arques Technology Taiwan Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Sequenziale di "power-on-reset" condizionato e robusto a potenza ultrabassa per circuiti integrati.

Номер патента: ITRM20010522A0. Автор: Giulio G Marotta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Low standby current power-on reset circuit

Номер патента: AU2003277442A1. Автор: Jason Stevens,Craig Waller,Agustinus Sutandi,Daran DeShazo. Владелец: HPL Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Power-on reset circuit

Номер патента: TWI338449B. Автор: Kuo Chun Hsu. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

CIRCUIT STRUCTURE AND POWER-ON METHOD THEREOF

Номер патента: US20200295753A1. Автор: Chang Yun-Chih,Kao Shu-Yi,WU Yun-Ru,LIU CHIEN-CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Failsafe timer and power-on delay circuit with such a timer

Номер патента: DE69624684T2. Автор: Toshihito Shirai,Koichi Futsuhara. Владелец: Nippon Signal Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

POWER ON RESET DEVICE AND POWER ON RESET METHOD

Номер патента: US20140028360A1. Автор: Lee Soo Woong. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Power-on-Reset and Phase Comparator for Chopper Amplifiers

Номер патента: US20190149108A1. Автор: James Nolan,Serban Motoroiu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND METHOD OF USE

Номер патента: US20130187687A1. Автор: Schoepf Klaus Juergen,Rebel Reimund,Newman Bruce M.,Badillo Dean A.,Asmani Mohammad. Владелец: Sand 9, Inc.. Дата публикации: 2013-07-25.

Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier

Номер патента: US20110090014A1. Автор: Fatih Kocer,Yalcin Alper Eken,Abdullah Celik,Peter Katzin. Владелец: Hittite Microwave LLC. Дата публикации: 2011-04-21.

Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier

Номер патента: EP2486650A1. Автор: Fatih Kocer,Yalcin Alper Eken,Abdullah Celik,Peter Katzin. Владелец: Hittite Microwave LLC. Дата публикации: 2012-08-15.

Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier

Номер патента: WO2011043801A1. Автор: Fatih Kocer,Yalcin Alper Eken,Abdullah Celik,Peter Katzin. Владелец: Hittite Microwave Corporation. Дата публикации: 2011-04-14.

Power-On-Reset und Phasenkomparator für Zerhacker-Verstärker

Номер патента: DE112018005853T5. Автор: James Nolan,Serban Motoroiu. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

DIGITAL POWER ON RESET CONTROLLER

Номер патента: US20130207697A1. Автор: Ju Jiunn-Ming,Hou Cheng-Liang. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

POWER-ON-RESET CIRCUITRY

Номер патента: US20130285717A1. Автор: Xiao Ping,Ding Weiyding,Maung Leo Min. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140021985A1. Автор: Lee Jung-Ho,Lee Jong-Mu,OH Won-Hi,BAE Hyun-soo. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2014-01-23.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140111259A1. Автор: Lin Chao-Sung. Владелец: KEYSTONE SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2014-04-24.

POWER ON RESET (POR) CIRCUIT

Номер патента: US20140167823A1. Автор: Ko Joo Yul,Paek Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-19.

INTEGRATED POWER-ON-RESET CIRCUIT

Номер патента: US20140176202A1. Автор: Wulff Carsten. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2014-06-26.

Power-on-Reset and Phase Comparator for Chopper Amplifiers

Номер патента: US20190149108A1. Автор: Motoroiu Serban,Nolan James. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2019-05-16.

Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier

Номер патента: TW201141054A. Автор: Fatih Kocer,Yalcin Alper Eken,Abdullah Celik,Peter Katzin. Владелец: Hittite Microwave Corp. Дата публикации: 2011-11-16.

Switched active bias control and power-on sequencing circuit for an amplifier

Номер патента: EP2486650A4. Автор: Fatih Kocer,Yalcin Alper Eken,Abdullah Celik,Peter Katzin. Владелец: Hittite Microwave LLC. Дата публикации: 2015-11-18.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US20230206828A1. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US20230419888A1. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Data driver circuit and display device having the same

Номер патента: US12046191B2. Автор: Se-Byung Chae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Driving circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20110148841A1. Автор: Seunghwan Moon,Po-Yun Park,Jang-Hyun Yeo,Junghwan Cho,OckJin KIM,YongSoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-23.

Pixel driving circuit and method for driving the same

Номер патента: US09824633B2. Автор: Xiaojing QI,Haigang Qing. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Signal detector circuit and signal detection method

Номер патента: US20230258697A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Temperature sensor for display driver circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240161666A1. Автор: Jiyun Kim,YoungJoon Kim,Sangkyung Kim,Jinseok YANG,Gilsung ROH,Yongsup LEE,Kwonyoung OH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Bioelectric signal detecting circuits, lead wire detecting circuits and medical devices

Номер патента: US09897629B2. Автор: Bing Wang,Qiling Liu,Xiaoyu Wu,Jian CEN. Владелец: Shenzhen Mindray Bio Medical Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Circuits and methods to calibrate mirror displacement

Номер патента: US20220342202A1. Автор: Robert Floyd Payne,James Norman Hall. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Gamma Correction Circuit and Gamma Correction Method

Номер патента: US20200020268A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Mun Gyu Kim,Jae Hong KO,Seung Jin YEO. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Data voltage compensation circuit and display device including the same

Номер патента: US09773456B2. Автор: Hyun-Suk Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Data driver with multilevel voltage generating circuit, and liquid crystal display apparatus

Номер патента: US20080122776A1. Автор: Hiroshi Tsuchi,Junichirou Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Pixel circuit and display device that sets a data line to a reference voltage to remove a residual data voltage

Номер патента: US09984629B2. Автор: YING Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Pixel driving circuit and display device

Номер патента: US20210166629A1. Автор: Han Yue,MINGHUA XUAN,CAN Wang,Can Zhang,Angran ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Reliability evaluation circuit and reliability evaluation system

Номер патента: US20100231227A1. Автор: Jong-Won Lee,Jae-Hoon Lee,Sang-jin Kwon,Yong-ha Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Four-transistor-two-capacitor AMOLED pixel driving circuit and pixel driving method based on the circuit

Номер патента: US09728132B2. Автор: Yuanchun Wu,Yuying CAI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Pixel circuit and driving method thereof, organic light-emitting display device

Номер патента: US09721508B2. Автор: WANG LI,Dong Qian,Kuo Sun. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Pixel driving circuit and driving method thereof, and display panel

Номер патента: US20240363073A1. Автор: MIAO Wang,Yunsheng Xiao. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Gamma reference voltage generating device and display with temperature compensation

Номер патента: US09997097B2. Автор: Huijuan Chen,Qian Wang,Hyungkyu Kim. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

5-wire resistive touch screen pressure measurement circuit and method

Номер патента: US09959005B2. Автор: Wendy X. Fang,Ing-Yih James Wang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Pixel driving circuit and driving method thereof,and display panel

Номер патента: GB2629984A. Автор: Wang Miao,XIAO Yunsheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Ic temperature sensor with reference voltages supplied to transistor bases

Номер патента: US5094546A. Автор: Takahiro Tsuji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Measurement circuit and test apparatus

Номер патента: US20070268022A1. Автор: Masahiro Nagata. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-11-22.

Source driver circuit and display device

Номер патента: US09940882B2. Автор: JIANG Zhu,Dongsheng Guo,Yu yeh Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and electronic device for generating a reference voltage

Номер патента: US09746890B2. Автор: Hsin-Ting Chen,Jian-Tzuo Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Source driver integrated circuit and display driving device

Номер патента: US11721293B2. Автор: Seung Hwan Ji,Jung Bae YUN,Ho Sung Hong,Ye Ji Lee. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Gamma reference voltage generating circuit, method for measuring voltage-transmission curve and display device

Номер патента: US09437145B2. Автор: Guangliang Shang,Yuanbo Zhang,Seungwoo HAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Precharge circuit and source driver including the same

Номер патента: US20220189411A1. Автор: Won Kim,Young Bok Kim,Taiming Piao. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Tracking a reference voltage after boot-up

Номер патента: US12086005B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Andrea Sorrentino,Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Precharge circuit and source driver including the same

Номер патента: US12131704B2. Автор: Won Kim,Young Bok Kim,Taiming Piao. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Voltage compensation circuits and voltage compensation methods thereof

Номер патента: US09905148B2. Автор: Dan Cao,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Driving circuit and display device of using same

Номер патента: US09478194B2. Автор: Wen-Chiang Huang,Hung-Chi Wang,Chun-fan Chung,Meng-Ju WU,Rung-Yuan Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-10-25.

Pixel circuit and display device including the same

Номер патента: US20240257744A1. Автор: Byeong Seong SO,Do Young Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic light emitting display device, and method of generating a gamma reference voltage for the same

Номер патента: US20140111402A1. Автор: Min-Weun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Pixel circuit and display apparatus including the pixel circuit

Номер патента: US09978311B2. Автор: Inho Choi,Youngin HWANG,Jihye Kong,Yongsung PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

LED circuit with battery and power-on reset

Номер патента: CN108282923B. Автор: 凌宏国,安庆照,姜凤勇,陈瑜鹏. Владелец: Jianda Chuangzhi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-19.

POWER ON/OFF CONTROL SYSTEM AND POWER ON/OFF CONTROL METHOD

Номер патента: US20140285031A1. Автор: LIU YU-LIN,WU SHU-QI,LI YI-LIANG. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-25.

Electrolytic capacitor string powers on the soft of resistance and powers on rectification circuit

Номер патента: CN105450050B. Автор: 渠浩,唐厚君,杨喜军,董娅韵,赵维娜. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2018-08-03.

Separation self-power-on device and power-on method suitable for cubing star

Номер патента: CN110690743B. Автор: 张翔,陈丹鹤,范书珲. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-09-06.

PACK isolation circuit for short-board battery cell of energy storage power station and power-on and power-off method

Номер патента: CN113782924A. Автор: 尚德华,王嘉兴. Владелец: Aopu Shanghai New Energy Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-10.

Signal transceiving device and power-on and power-off method of transmitting module thereof

Номер патента: CN111835377B. Автор: 南超州. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

Pneumatic power-off and power-on and dust-removal device and method for distribution box

Номер патента: CN110556719B. Автор: 程强,徐丽,何瑞,杜海涛,孙文波. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-25.

A kind of method for eliminating audio frequency power amplifier and powering on POP sound

Номер патента: CN107911776A. Автор: 肖振亮. Владелец: Zhuhai Wisdom Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-13.

Frequency converter dynamic braking and power-on buffering circuit

Номер патента: CN105471249A. Автор: 李晓丽,卢雪明. Владелец: Guangzhou Sanjing Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Detachable printed circuit board and power on / off switch / ejector

Номер патента: KR200316532Y1. Автор: 이호. Владелец: 엘지정보통신주식회사. Дата публикации: 2003-11-01.

Reference voltage circuits and on-die termination circuits, methods for updating the same, and methods for tracking supply, temperature, and/or process variation

Номер патента: US09608630B2. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Reference Voltage Controlled Equalization Input Data Buffer Circuit Capable of Automatically Controlling Power Gain and Providing Equalization Effect

Номер патента: US20240250653A1. Автор: Minho Park. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Multi-level pulser circuit and method of operating a multi-level pulser circuit

Номер патента: US20240072775A1. Автор: Marco Viti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device having input buffers to which internally-generated reference voltages are applied

Номер патента: US20030214328A1. Автор: Takashi Oguri. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Switching circuit and electronic device

Номер патента: US09484920B2. Автор: Wei Yin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Output circuit and integrated circuit

Номер патента: US09985621B2. Автор: Takao Kono,Tohru Mizutani,Keiko Iwamoto. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Output circuit and integrated circuit

Номер патента: US09748939B2. Автор: Takao Kono,Tohru Mizutani,Keiko Iwamoto. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Receiver circuit and signal receiving method thereof

Номер патента: US09496874B2. Автор: Eonguk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Circuit with voltage controlled oscillator (VCO) circuit and pulse-width modulated (PWM) signal generator, and method

Номер патента: US12119746B2. Автор: Marco Borghese,Mattia Carrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuit and method for frequency synthesis for signal detection in automatic voltage regulation for synchronous generators

Номер патента: US09876454B2. Автор: Alonso Rodriguez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Active load generation circuit and filter using same

Номер патента: US20190149146A1. Автор: Wei-Cheng Tang,Kuohsi Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Peak hold circuit and power converter

Номер патента: US20200373918A1. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Resistance tracking circuit and oscillator circuit

Номер патента: US20240171158A1. Автор: Yen-Hung Wu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Analog circuit and method for multiplying clock frequency

Номер патента: WO2007146641A3. Автор: Johnnie F Molina. Владелец: Johnnie F Molina. Дата публикации: 2009-02-05.

Load switch circuit and control method

Номер патента: US20220069818A1. Автор: SONG Qin. Владелец: LEN Technology Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

On-die termination circuit and on-die termination method

Номер патента: US20160134285A1. Автор: Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Power converting circuit and hysteresis buck converter with changing response characteristic based on transient state of output voltage

Номер патента: US09768695B2. Автор: TAKAHIRO Nomiyama,Suho LEE,Jaeyeol Han,Minsoo Cho,Ilyoung Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Switch control circuit, universal serial bus control circuit, and method for controlling a power switch thereof

Номер патента: US20230090107A1. Автор: Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Switch control circuit, universal serial bus control circuit, and method for controlling a power switch thereof

Номер патента: US11716077B2. Автор: Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor integrated circuit and power-supply control method

Номер патента: USRE49662E1. Автор: Makoto Fujiwara,Yoshinori Tanaka,Ryuji Kaneko,Tetsuo Motomura,Hiromi Ogata,Masahiro Igarashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Sensor Node Voltage Clamping Circuit and Method

Номер патента: US20100052762A1. Автор: Paul L. Brohlin,Deepak Mohanlal Khanchandani,Christopher Lee Betty. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Buffer circuit and electric system including the same

Номер патента: US09882565B2. Автор: Jeong-Don IHM,Siddharth Katare. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4395174A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196492A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Bootstrap circuit and associated direct current-to-direct current converter applying the bootstrap circuit

Номер патента: US10008930B1. Автор: Yao-Wei Yang. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-26.

Gate drive circuit and a method for controlling a power transistor

Номер патента: US09584046B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Circuit and method for controlling operation voltage, and storage device

Номер патента: US09564886B2. Автор: Jun Xiao,Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Improvements to a circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: WO2021084216A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Improvements to a circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: EP4052372A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Cascode voltage generating circuit and method

Номер патента: US09755632B2. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Delay circuit and semiconductor device

Номер патента: US09647651B2. Автор: Takahisa Takeda,Tomomi Taniguchi. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Voltage clamp circuits and related methods

Номер патента: US09800233B1. Автор: Obaida Mohammed Khaled Abu Hilal. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

DC voltage generation circuit and pulse generation circuit thereof

Номер патента: US09570982B2. Автор: Shih-Cheng Wang,Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen,Jian-Ru LIN. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Termination resistance adjustment circuit and device including termination resistance adjustment circuit

Номер патента: US9614531B1. Автор: Takayuki SHIBASAKI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Reference Voltage Generation

Номер патента: US20190199206A1. Автор: Suhwan Kim,Vaibhav Vaidya,Christopher SCHAEF. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Self-regulating oscillator circuit and method

Номер патента: US5359302A. Автор: Rudolph D. Balusek. Владелец: Alcatel Network Systems Inc. Дата публикации: 1994-10-25.

Switch capacitor circuit and applications thereof

Номер патента: US20020063650A1. Автор: Willis John. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2002-05-30.

Self-Regulating Oscillator Circuit and Method

Номер патента: CA2079021A1. Автор: Rudolph Daniel Balusek. Владелец: Alcatel Network Systems Inc. Дата публикации: 1993-12-27.

Pop sound reduction circuit and audio circuit having such pop sound reduction circuit for use in audio amplifier

Номер патента: WO2011010513A1. Автор: Masayuki Doi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2011-01-27.

Tail-current steering circuit and method for rail-to-rail operational amplifier input stage

Номер патента: US20080174367A1. Автор: Vadim V. Ivanov,David R. W. Spady. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Tail-current steering circuit and method for rail-to-rail operational amplifier input stage

Номер патента: WO2008088965A3. Автор: Vadim V Ivanov,David R W Spady. Владелец: David R W Spady. Дата публикации: 2009-01-22.

Tail-current steering circuit and method for rail-to-rail operational amplifier input stage

Номер патента: WO2008088965A2. Автор: Vadim V. Ivanov,David R.W. Spady. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-07-24.

AD converter circuit and AD conversion method

Номер патента: EP1367719A3. Автор: Hisao Suzuki,Shogo Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-05-06.

Bias circuit and power amplifier

Номер патента: US20240235498A9. Автор: Qiang Gu. Владелец: Shanghai Wuqi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pipeline ADC and reference load balancing circuit and method to balance reference circuit load

Номер патента: US09748965B2. Автор: Roswald Francis,Visvesvaraya A. Pentakota. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Impedance adjusting circuit and impedance adjusting method for zero quotient calibration

Номер патента: US20240356534A1. Автор: Yu-Wei Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor Integrated Circuit and Radio Communication Terminal Including the Same

Номер патента: US20160006477A1. Автор: Yutaka Igarashi,Yusaku Katsube. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

A/d conversion circuit and a/d conversion method

Номер патента: US20110309961A1. Автор: Takumi DANJO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Signal receiving circuit and noise filtering method thereof

Номер патента: US20240250663A1. Автор: Shih-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

A/D conversion circuit and test method

Номер патента: US8018362B2. Автор: Tomoya Katsuki,Shinichirou Saitou. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Differential amplifier circuit, reception circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12113494B2. Автор: Hideki Kano,Takuya FUJIMURA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Analog-to-digital conversion circuit and method having speed-up comparison mechanism

Номер патента: US12052027B2. Автор: Wei-Cian Hong. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Voltage controlled oscillator, and PLL circuit and wireless communication apparatus using the same

Номер патента: US20080036547A1. Автор: Takayuki Tsukizawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Cmos image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US20240022841A1. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

CMOS image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US12022223B2. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: Smart Sens Technology Hk Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Amplification circuit, power amplification circuit, and bias generation circuit

Номер патента: US20240283408A1. Автор: Makoto Tabei. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Analog-to-digital conversion circuit and method having quick tracking mechanism

Номер патента: US12126353B2. Автор: Wei-Cian Hong. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Receiver with adjustable reference voltages

Номер патента: US09742422B2. Автор: Yu Kou,Danfeng Xu,Kai Keung Chan. Владелец: Etopus Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Charge and discharge control circuit and battery device

Номер патента: US09673656B2. Автор: Takashi Ono,Satoshi Abe,Toshiyuki Koike,Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Battery protection system with reference voltage control system

Номер патента: US09906015B2. Автор: Mutsuki Niki,Hiroshi Saito,Yasuaki Hayashi,Keiji AMEMIYA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Circuit and method of correcting a power factor for AC direct lighting apparatus

Номер патента: US09490692B2. Автор: Jin Wook Kim,Jong Hyun Yoon,Gyu Ho LIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Constant on-time switching converter with reference voltage adjusting circuit and controller thereof

Номер патента: US09923463B2. Автор: Qian Ouyang,Wei Yuan. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

LED drive circuit and LED illumination apparatus using the same

Номер патента: US8692469B2. Автор: Takeshi Murata,Hirohisa Warita,Atsushi Kanamori,Takayuki Shimizu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09979307B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866134B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866133B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Over-voltage and over-current protection circuits and electronic devices

Номер патента: US09504117B2. Автор: Hua Zhang,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Switching regulator circuits and methods

Номер патента: US09882479B2. Автор: Lennart Karl-Axel Mathe. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Control circuits and methods for regulating output voltages based on adjustable references voltages

Номер патента: US09698694B2. Автор: YuanDong He,Honglian FANG,Mao Xi Xiang,Jian Zhen Ma. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Power supply circuit and method for controlling the same

Номер патента: WO2009090812A1. Автор: Yohichi Shiwaya. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-07-23.

Constant on time converter control circuit and constant on time converter

Номер патента: US11764678B2. Автор: Yao-Ren Chang. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Constant on time converter control circuit and constant on time converter

Номер патента: US20230238886A1. Автор: Yao-Ren Chang. Владелец: Elite Semiconductor Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Driving circuit and driving method for a plurality of LED strings

Номер патента: US09769888B2. Автор: Xudong Wang,Fuhua Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Circuit and method of 3-wired interface for a headphones

Номер патента: US20040086139A1. Автор: Wei-Shang Chu. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-06.

Control circuit and ac-dc power supply applying the same

Номер патента: EP4106167A1. Автор: Qiukai Huang,Jiandong Dai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Power supply circuit and control method thereof

Номер патента: US20240313626A1. Автор: Leaf Chen,Li Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Control circuit and AC-DC power supply applying the same

Номер патента: US12126256B2. Автор: Qiukai Huang,Jiandong Dai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US20170207702A1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-20.

Control circuit and switching power supply

Номер патента: US09960673B2. Автор: MIN Lin,Ken Matsuura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Feedback control circuit and method thereof

Номер патента: US09712057B1. Автор: Chih-Cheng Lin,Shih-Chieh Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Sensor-less circuits and related methods for back emf zero crossing detection

Номер патента: US20210119560A1. Автор: Satoshi Yokoo. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Modulation mode control circuit, switch control circuit including the modulation mode control circuit and power supply device including the switch control circuit

Номер патента: US09812856B2. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Controller of power conversion circuit and operating method thereof

Номер патента: US20230387797A1. Автор: Yen-Chih Lin,Chih-Lien Chang,Wei-Hsiu Hung,Chen-Xiu LIN. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Power source circuit and ocean-floor optical cable

Номер патента: US20240072909A1. Автор: Narihiro Arai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Control circuits and methods for regulating output voltages

Номер патента: WO2022094830A1. Автор: Mei Qin,BING ZHANG,Xiaodong Fan,Guozhen Wang,Lian LIANG. Владелец: Astec International Limited. Дата публикации: 2022-05-12.

Charge/discharge control circuit and battery device including the same

Номер патента: US20180062410A1. Автор: Takashi Ono,Atsushi Sakurai. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Electronic device, detection circuit and voltage control method

Номер патента: US20090243576A1. Автор: Takashi Matsumoto,Masatoshi Kokubun,Mayo Kitano. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

Control circuits and methods for regulating output voltages

Номер патента: US20230261583A1. Автор: Mei Qin,BING ZHANG,Xiaodong Fan,Guozhen Wang,Lian LIANG. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Control circuit and control method

Номер патента: WO2009068745A1. Автор: Martti Ojanen,Janne Tiisanoja. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2009-06-04.

Control circuit and method for piezoelectric transformer

Номер патента: EP1033067A1. Автор: Takeshi Nihon Cement Kabushiki Kaisha FUJIMURA,Katsuyuki Nihon Cement Kabushiki Kaisha ISHIKAWA,Masaaki Nihon Cement Kabushiki Kaisha TOYAMA. Владелец: Taiheiyo Cement Corp. Дата публикации: 2000-09-06.

Control circuit and method for piezoelectric transformer

Номер патента: WO1998054934A1. Автор: Masaaki Toyama,Takeshi Fujimura,Katsuyuki Ishikawa. Владелец: Nihon Cement Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 1998-12-03.

Driving circuit and driving method

Номер патента: US12107520B2. Автор: Zhiwei Xu,Yunlong Han,Chiqing Fang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Integrated circuit and method of synchronous rectification control of bridgeless power factor correction circuit

Номер патента: US12113436B2. Автор: Ryuichi Furukoshi,Osamu Ohtake. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Photodiode matrix, method for determining reference voltage and method for determining recommended operating voltage

Номер патента: RU2567089C2. Автор: Кенити САТО,Сого КАМАКУРА,Сигеюки НАКАМУРА,Цуйоси ОХТА,Митито ХИРАЯНАГИ,Хироки СУЗУКИ,Сунсуке АДАТИ. Владелец: Хамамацу Фотоникс К.К.. Дата публикации: 2015-10-27.

Synchronous rectification control method and control circuit and switching voltage regulator

Номер патента: US09966854B2. Автор: Jue Wang,Jun Chen. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Methods and apparatus for precharge monitoring of high voltage circuits

Номер патента: US11888310B1. Автор: Venkatesh Prasad Hanglur Narasimha,James Michael Castelaz. Владелец: Motiv Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Electronic apparatus comprising pfc circuit and control method thereof

Номер патента: US20240266950A1. Автор: Jiwon Lee,Sungyong Joo,Junhyun WON,Taejun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Driving circuit and driving method

Номер патента: US12082506B2. Автор: Chen Zhao,Zhiwei Xu,Chiqing Fang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Controlling a voltage source inverter to synthesise a reference voltage

Номер патента: GB2613668A. Автор: Stone David,Foster Martin. Владелец: Nissan Motor Manufacturing UK Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Over-limit electrical condition protection circuits and methods

Номер патента: US09490631B2. Автор: Xiaofeng Fan,Michael Chaine,John David Porter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Power conversion circuit and operating method thereof

Номер патента: US20200195142A1. Автор: Chih-Lien Chang,Wei-Hsiu Hung. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Control circuit for power converter apparatus of DC to DC converter for converting reference voltage to DC voltage

Номер патента: US12015347B2. Автор: Masayuki Imura. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Switching control circuit and self-excited DC-DC converter

Номер патента: US7379284B2. Автор: Takashi Noma,Tomoaki Nishi,Iwao Fukushi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-27.

Overheat protection circuit and switching regulator including the same

Номер патента: US12046992B2. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Switched mode power supplies with adaptive reference voltage for controlling output transistor

Номер патента: US09893638B1. Автор: Joan Wichard Strijker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Power supply circuit and operating method

Номер патента: EP4398466A1. Автор: Ludovic Oddoart,Christian Vincent Sorace,Nicolas Patrick Vantalon,Vincent REGNAULD. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-10.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200021193A1. Автор: Keng Chen,Anthony B. Candage,Paul Sisson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Control circuit of power converting circuit, method of controlling power converting circuit and related power converting system

Номер патента: US20240258900A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yu-Yun Huang. Владелец: Ark Microelectronic Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200220448A1. Автор: Luca Petruzzi,Keng Chen. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200007021A1. Автор: Luca Petruzzi,Keng Chen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Power supply circuit and power supply method for switching power supply

Номер патента: US09906140B2. Автор: Jin Jin,Zhiliang Hu,Yongjiang Bai,Shaobin Zhang. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Extracting an embedded DC signal to provide a reference voltage for an optical receiver

Номер патента: US09819421B1. Автор: Kannan Raj,Ashok V. Krishnamoorthy,John E. Cunningham,Xuezhe Zheng,Hiren D. Thacker,Jingqiong Xie,Jeffrey W. Denq. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Cell balancing module and method in voltage balancing device for a stack of batteries which compares the cell voltages to a coded reference voltage derived from at least two reference voltages

Номер патента: US09647463B2. Автор: Manfred Brandl,Vijay Ele,Sudhakar Singamala,Sandeep Vernekar,V. Veeresh Babu. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Control voltage adjusting circuit, feedback signal generating circuit, and control circuit including the same

Номер патента: US09614450B2. Автор: Ki Hong Kim,Byoung Woo Ryu,Jung Woo Choi. Владелец: Solum Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for reducing condenser size and power on a heat rejection system

Номер патента: EP3722704A2. Автор: Eugene Jansen,Timothy UNTON,Eric Donovan,Michael Head. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Method for reducing condenser size and power on a heat rejection system

Номер патента: CA3074768A1. Автор: Eugene Jansen,Eric Donovan,Michael Head,Tim Unton. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-10.

Method for reducing condenser size and power on a heat rejection system

Номер патента: EP3722705A3. Автор: Eugene Jansen,Timothy UNTON,Eric Donovan,Michael Head. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2021-01-13.

Continuously variable transmission and power on/off determination method

Номер патента: US20120059558A1. Автор: Takashi Eguchi,Seiichiro Takahashi,Masato Mori,Masahide Ito,Hiroyasu Tanaka,Mamiko Inoue,Ryousuke Nonomura. Владелец: JATCO Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Methods and system for controlling wind turbine generator to be power-off and power-on

Номер патента: CN102946119A. Автор: 韩世辉. Владелец: Beijing Tianyuan Science and Creation Wind Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-27.

Methods and system for controlling wind turbine generator to be power-off and power-on

Номер патента: CN102946119B. Автор: 韩世辉. Владелец: Beijing Tianyuan Science and Creation Wind Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

A kind of commercial automobile-used high pressure topological structure of pure electric vehicle and power-on and power-off control method

Номер патента: CN110303905A. Автор: 李威,吕文佳,刘芷彤,慈伟程. Владелец: FAW Group Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Redundant battery management system, redundant management method and power-on and power-off management method

Номер патента: CN111204222A. Автор: 王文明,黄浩,刘媛,文健峰,谢勇波. Владелец: Hunan CRRC Times Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-29.

Power-on-reset of elevator controllers

Номер патента: EP1819624B1. Автор: Juan A. Lence-Barriero,Samuel R. Talbot. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2016-04-06.

Continuously variable transmission and power on/off determination method

Номер патента: US20120059558A1. Автор: Takashi Eguchi,Seiichiro Takahashi,Masato Mori,Masahide Ito,Hiroyasu Tanaka,Mamiko Inoue,Ryousuke Nonomura. Владелец: JATCO Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

PATIENT HANDLING DEVICE INCLUDING LOCAL STATUS INDICATION, ONE-TOUCH FOWLER ANGLE ADJUSTMENT, AND POWER-ON ALARM CONFIGURATION

Номер патента: US20150000035A1. Автор: Shankar Vivek,Hayes Michael Joseph,JR. Richard C.,Hopper Christopher John,Mayoras,Becker David Terrance. Владелец: Stryker Corporation, a corporation of the State of Michigan. Дата публикации: 2015-01-01.

PATIENT HANDLING DEVICE INCLUDING LOCAL STATUS INDICATION, ONE-TOUCH FOWLER ANGLE ADJUSTMENT, AND POWER-ON ALARM CONFIGURATION

Номер патента: US20140137322A1. Автор: Shankar Vivek,Hayes Michael Joseph,JR. Richard C.,Hopper Christopher John,Mayoras,Becker David Terrance. Владелец: STRYKER CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

METHOD FOR REDUCING CONDENSER SIZE AND POWER ON A HEAT REJECTION SYSTEM

Номер патента: US20200326113A1. Автор: Unton Tim,Jansen Eugene,Donovan Eric,Head Michael. Владелец: Rolls-Royce North American Technologies Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR REDUCING CONDENSER SIZE AND POWER ON A HEAT REJECTION SYSTEM

Номер патента: US20200326114A1. Автор: Unton Tim,Jansen Eugene,Donovan Eric,Head Michael. Владелец: Rolls-Royce North American Technologies Inc.. Дата публикации: 2020-10-15.

DEVICE FOR DISCHARGING TWO HALF ARMS TO SUPPORT AND POWER ON A WEB OF A LIGHT SHELTER

Номер патента: FR2931860B1. Автор: Pietro Dalo. Владелец: Dalo Freres SAS. Дата публикации: 2010-08-20.

Vehicle and power-on control device

Номер патента: CN111376730A. Автор: 杨涛,郭名扬. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Sign board for road safety and power on-off method thereof

Номер патента: KR101313317B1. Автор: 박형일,황용순,황동혁. Владелец: 신도산업 주식회사. Дата публикации: 2013-10-14.

DEVICE FOR DISCHARGING TWO HALF ARMS TO SUPPORT AND POWER ON A WEB OF A LIGHT SHELTER

Номер патента: FR2931860A1. Автор: Pietro Dalo. Владелец: Dalo Freres SAS. Дата публикации: 2009-12-04.

Anti-theft and power-on method for plug-in hybrid electric vehicle

Номер патента: CN108001407B. Автор: 陈江波,王爱春,邬杰,涂丽红. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Method for reducing condenser size and power on a heat rejection system

Номер патента: EP3722705A2. Автор: Eugene Jansen,Timothy UNTON,Eric Donovan,Michael Head. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Method for reducing condenser size and power on a heat rejection system

Номер патента: US20200326113A1. Автор: Eugene Jansen,Eric Donovan,Michael Head,Tim Unton. Владелец: Rolls Royce North American Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Liquid discharging apparatus, head unit, integrated circuit device for capacitive load driving, capacitive load driving circuit, and manufacturing method of liquid discharging apparatus

Номер патента: US09573366B2. Автор: Takafumi Sano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Drive circuit and liquid ejecting apparatus

Номер патента: US20210094288A1. Автор: Yoichiro Kondo,Tetsuo Takagi,Toru Kashimura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Circuito de power-on reset de baixíssimo consumo de potência e compensado em temperatura

Номер патента: BR102014031213B1. Автор: Alfredo Olmos,Juan Pablo Martinez Brito,Fabrício Jorge Antunes Ferreira. Владелец: Centro Nacional De Tecnologia Eletrônica Avançada S.A.. Дата публикации: 2022-09-27.

circuito de power-on reset de baixíssimo consumo de potência e compensado em temperatura

Номер патента: BR102014031213A2. Автор: Alfredo Olmos,Juan Pablo Martinez Brito,Fabrício Jorge Antunes Ferreira. Владелец: Ct Nac De Tecnologia Eletrônica Avançada S A. Дата публикации: 2016-07-19.

Circuit system and power-on resetting method thereof

Номер патента: CN104579266A. Автор: 陆让天. Владелец: Chipsea Technologies Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Circuit and method for generating a power-on reset signal

Номер патента: TW200612660A. Автор: Kuan-Yeu Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-16.

Power On/Reset Circuit and Method of Controlling On/Reset Status of Digital Circuit thereof

Номер патента: US20120049906A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

POWER-ON-RESET CIRCUIT AND RESET METHOD

Номер патента: US20120274369A1. Автор: . Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-11-01.

Reference voltage changing over circuit and changing over method

Номер патента: CN100442109C. Автор: 张坤山. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Reference voltage changing over circuit and changing over method

Номер патента: CN1749815A. Автор: 张坤山. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2006-03-22.

MCU chip reference voltage automatic calibration circuit and MCU chip

Номер патента: CN217404755U. Автор: 葛俊,曾豪,余景亮. Владелец: Chengdu Jihai Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

Software and hardware combination power-on/off circuit and power-on/off method

Номер патента: CN104901664A. Автор: 易涛,朱胜清,冯耿超,曹茂诚,胡榜. Владелец: Ambulanc Shenzhen Tech Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Power-on control switching circuit and power-on control method

Номер патента: JP3346786B2. Автор: 林　　淳司. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-18.

Power-on reset circuit with global enabling pulse control automatic reset function

Номер патента: CN103066972A. Автор: 张文杰,谢亮,金湘亮. Владелец: XIANGTAN XINLITE ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Component power-on test method and power-on test system

Номер патента: TWI656349B. Автор: 江惠民,武仲良,陳智銘,黃稚為. Владелец: 強茂股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-11.

High voltage power supply power failure and power on alarm

Номер патента: CN210347890U. Автор: 刘国柱,王春凯. Владелец: Lihuayi Weiyuan Chemical Co ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120229183A1. Автор: Lee Seungwon. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

POWER-ON RESET CIRCUIT AND METHOD

Номер патента: US20130106473A1. Автор: Schoepf Klaus Juergen,Rebel Reimund,Newman Bruce M.,Badillo Dean A.,Asmani Mohammad. Владелец: Sand 9, Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

Power-on reset circuit and chip

Номер патента: CN109861678B. Автор: 刘晓庆,舒清明. Владелец: Zhaoyi Innovation Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-12-13.

Circuit and method for generating a power-on reset signal

Номер патента: TWI237943B. Автор: Kuan-Yeu Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Power-on reset circuit with voltage sensing functions

Номер патента: TW491435U. Автор: Jiun-Ming Li,Chu-Chiau Yu,He-Yi Shr. Владелец: Topic Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic power-off and power-on device

Номер патента: CN210005915U. Автор: 马洪涛. Владелец: Shunda Computer Factory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-31.

Power-on reset circuit with supply voltage and temperature immunity, ultra-low DC leakage current, and fast power crash reaction

Номер патента: TW200422817A. Автор: Chien-Chung Tseng,Chih-Neng Hus. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Power on reset signal generating circuit

Номер патента: TW200715101A. Автор: Yian-Ren Ke. Владелец: Anachip Corp. Дата публикации: 2007-04-16.

SOC (System On Chip) chip system and power on method thereof

Номер патента: CN104834535A. Автор: 林炳村. Владелец: Kunda Computer Technology Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20120092047A1. Автор: . Владелец: UPI SEMICONDUCTOR CORP.. Дата публикации: 2012-04-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20120176167A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

Method for Hushing a CO Detector through Power-On Reset

Номер патента: US20120229286A1. Автор: Rauworth Timothy A.. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-09-13.

POWER-ON-RESET CIRCUIT WITH LOW POWER CONSUMPTION

Номер патента: US20120256664A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

POWER-ON RESET CIRCUIT

Номер патента: US20120280727A1. Автор: LIN LI PING. Владелец: RAYDIUM SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-08.

Power-On Reset Circuit

Номер патента: US20120286833A1. Автор: Gerber Johannes,Garcia Santiago Iriarte,Ruck Bernhard Wolfgang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-15.

LOW CURRENT, HIGH ACCURACY POWER-ON-RESET

Номер патента: US20130021071A1. Автор: Nadimpalli Praveen V.. Владелец: RF MICRO DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-01-24.

POWER ON RESET SIGNAL GENERATING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20130076410A1. Автор: Chen Yi-Lung. Владелец: INTEGRATED SYSTEM SOLUTION CORP.. Дата публикации: 2013-03-28.

POWER-ON RESET GFCI

Номер патента: US20130170083A1. Автор: Bonasia Gaetano,Fanzutti Robert F.. Владелец: HUBBELL INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-04.

EXTERNALLY CONFIGURABLE POWER-ON-RESET SYSTEMS AND METHODS FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130176065A1. Автор: Balmelli Pio. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-11.

Low Voltage CMOS Power on Reset Circuit

Номер патента: US20130207696A1. Автор: Gonzalez David M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Power On Reset Detector

Номер патента: US20130342246A1. Автор: Machnicki Erik P.,Paaske Timothy R.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

POWER ON RESET GENERATION CIRCUITS IN INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20140035634A1. Автор: Yadav Rajesh,Shrivastava Aatmesh. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2014-02-06.

Power-on Reset Circuit

Номер патента: US20140062535A1. Автор: Cheng Chieh-Wen,Chen Chin-Hong. Владелец: ANPEC ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

Power-on-Reset and Supply Brown Out Detection Circuit with Programmability

Номер патента: US20140111258A1. Автор: Mandal Sajal Kumar,Mandal Pralay. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2014-04-24.

Power on reset circuit

Номер патента: KR0157916B1. Автор: 김주현. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-20.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS6282718A. Автор: Takashi Senba,Takehiro Hokimoto,武宏 保木本,仙波　隆司. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-04-16.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP2585111B2. Автор: 誠治 小松田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-02-26.

Power-on-reset circuit

Номер патента: JP2010118802A. Автор: Kimio Takeda,公生 竹田. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3025921B2. Автор: 洋一 瀬下,義昭 北村. Владелец: 日本電気エンジニアリング株式会社. Дата публикации: 2000-03-27.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP5053771B2. Автор: 健一 宮本. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP2926921B2. Автор: 浩一 村上,功 小宅. Владелец: NITSUSAN JIDOSHA KK. Дата публикации: 1999-07-28.

Programmable power-on reset system

Номер патента: CN102832915B. Автор: 陈黎明,范军,黑勇. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-07-15.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS62269415A. Автор: Susumu Kido,享 木戸. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1987-11-21.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3687477B2. Автор: 泰信 徳田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-24.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS61245717A. Автор: Tomoyuki Kodaira,智之 小平. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-11-01.

Power-on resetting circuit

Номер патента: JPH01165221A. Автор: Yoshiki Yoshida,佳樹 吉田. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-29.

A kind of power-on-reset circuit with low power consumption

Номер патента: CN106033960B. Автор: 李鹏,秦毅,丁学欣. Владелец: Shanghai Beiling Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-26.

Ultra-low power consumption high-precision power-on reset circuit

Номер патента: CN103066971B. Автор: 不公告发明人. Владелец: CHENGDU RUICHENG XINWEI TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-02.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPH077910B2. Автор: 享 木戸. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-01-30.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP2524395B2. Автор: 太 森下. Владелец: NIPPON DENKI AISHII MAIKON SHISUTEMU KK. Дата публикации: 1996-08-14.

Novel power-on reset circuit

Номер патента: CN102594312B. Автор: 陈俊,常云峰,汤益明,张泽军,万培元,林平分,胡燕子,宜婷,师浩. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-12-10.

Power-on resetting circuit

Номер патента: CN101394170A. Автор: 李斌,武国胜. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-25.

Power-on-reset circuit

Номер патента: JPS5621211A. Автор: Shunichi Suzuki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-02-27.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPH11150463A. Автор: Kenji Fujitani,健児 藤谷. Владелец: NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-02.

On-chip power-on reset detection circuit applied to high-frequency phase locked loop (PLL)

Номер патента: CN102710242B. Автор: 李峰,徐学军,欧阳伟,罗可,王觊婧,杜伟章. Владелец: HUNAN HUAKUANTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO LTD. Дата публикации: 2015-04-08.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP2602610Y2. Автор: 公久 平賀. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-24.

Power-on reset circuit

Номер патента: JPS61198914A. Автор: Yoshiaki Matsumoto,松本　美明. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-09-03.

Low-voltage low-power-consumption power-on reset circuit

Номер патента: CN214544268U. Автор: 胡海军,夏群兵,李得全. Владелец: Shenzhen Aixiesheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Power-on resetting circuit

Номер патента: CN102270979A. Автор: 张敏,郑灼荣. Владелец: Jianrong Integrated Circuit Technology Zhuhai Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-07.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3474148B2. Автор: 茂 長友. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-08.

Power-on reset circuit

Номер патента: JP3071654B2. Автор: 肇 林本. Владелец: 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社. Дата публикации: 2000-07-31.

Power on reset circuit

Номер патента: TW201206069A. Автор: Chun-Yao Liao. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Wide voltage input/output pulse width adjustable power-on reset circuit

Номер патента: CN211670842U. Автор: 宋波,何敏,魏岗,陈启贵,闫挺. Владелец: Jiangsu Aerospace Shenhe Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Power-On Reset Circuit

Номер патента: KR19980028164A. Автор: 조용진. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-07-15.

Power-on reset circuits

Номер патента: TWI342117B. Автор: Chun Chih Hou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Device and method to remove the power-on reset

Номер патента: TW200522517A. Автор: Shih-Chieh Yen. Владелец: ICP Electronics Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Power-on reset circuits

Номер патента: TW200820612A. Автор: Chun-Chih Hou. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

TEST SYSTEM FOR RESET AND POWER ON OR OFF OF COMPUTER

Номер патента: US20130283066A1. Автор: Li Jie,WENG CHENG-FEI,SHI YU. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Capacitance detecting device and power-on time detection means

Номер патента: CN206920573U. Автор: 倪勇,武明伟,上官光华. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Wireless card plug-in and power-on device for a room

Номер патента: CN103441753A. Автор: 李凡兴. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-11.

Open type load switch with multifunctional socket and power-on indicating lamp

Номер патента: CN203013561U. Автор: 夏祖峰,夏靖宜,夏文璐. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-19.

Frequency converter and power-on protection module thereof

Номер патента: CN203800819U. Автор: 贾宝阳. Владелец: Bosch Rexroth Xian Electric Drives and Controls Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Information processing apparatus and power-on method

Номер патента: JP4341500B2. Автор: 義之 小野. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-10-07.

Mobile phone terminal and power-on method thereof

Номер патента: CN104104783A. Автор: 纪彬. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

Mobile terminal and power-on method and system thereof

Номер патента: CN101493776B. Автор: 王斌,张凌鹤. Владелец: Yulong Computer Telecommunication Scientific Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-22.

Memory device, interrupt control method and power-on time measuring method

Номер патента: CN102799396B. Автор: 王祎磊,殷雪冰. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

Computer motherboard and power-on self-test method thereof

Номер патента: TW201015302A. Автор: feng-hua Chang. Владелец: Hon Hai Prec Ind Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-16.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2519270C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-06-10.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120001952A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Higuchi Koji,HIRAMA Atsushi. Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2475807C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-02-20.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2332702C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Александр Иванович Гавлицкий,Иван Евгеньевич Старченко. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-08-27.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2480899C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-04-27.

Reference voltage source based on triple width of silicon inhibited zone

Номер патента: RU2546079C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Дмитрий Юрьевич Чернышов,Максим Владимирович Клименко. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Digital automated temperature measure circuit and thermal calibration of variable temperature calorimetre

Номер патента: RU2377512C1. Автор: Лариса Петровна Бондарева,Елена Вячеславовна Григорова,Алексей Васильевич Каданцев,Артур Андреевич Гайдин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежская государственная технологическая академия". Дата публикации: 2009-12-27.

FREQUENCY CONVERTING CIRCUIT, SIGNAL PROCESSING CIRCUIT AND RECEIVER

Номер патента: US20120001667A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Reference voltage source

Номер патента: RU2580458C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.