Method for blocking a trench portion during patterning of trenches in a dielectric material, and corresponding semiconductor structure
Номер патента: EP3367428A1
Опубликовано: 29-08-2018
Автор(ы): Boon Teik CHAN, Michael Kocsis, Ming Mao, Peter De Schepper
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 29-08-2018
Автор(ы): Boon Teik CHAN, Michael Kocsis, Ming Mao, Peter De Schepper
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of etching a trench in a silicon-containing dielectric material
Номер патента: US20030211750A1. Автор: Yunsang Kim,Hongqing Shan,Claes Björkman,Kenny Doan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-13.