Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Verfahren zum Herstellen von Kontaktierungsanschlüssen

Verfahren zum Herstellen von Kontaktierungsanschlüssen

Номер патента: DE102004001853B3
Опубликовано: 21-07-2005
Автор(ы): Joachim Patzer, Matthias Kroenke
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fabrication of a diffusion barrier cap on copper containing conductive elements

Номер патента: US20100044865A1. Автор: Joaquin Torres,Vincent Arnal,Laurent Gosset,Sonarith Chhun. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-02-25.

Fabrication method of semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070259522A1. Автор: Shinichi Nakabayashi,Hirofumi Tsuchiyama,Ryousei Kawai,Toshiyuki Arai,Fumiyuki Kanai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Interconnect structure of semiconductor device

Номер патента: US20220084937A1. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Chun-Chieh Lin,Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee,Chih-Yi Chang,Chien Chung Huang,Yao-Min Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Contact Structure of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20070141837A1. Автор: In Cheol Ryu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230260792A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Chi-Ruei YEH,Hsin Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for the anisotropic etching of metal films in the fabrication of interconnects

Номер патента: US5350484A. Автор: Xiao-Chun Mu,Donald S. Gardner,David B. Fraser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-09-27.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Manufacturing method of semiconductor structure, semiconductor structure, transistor, and memory

Номер патента: US20220231146A1. Автор: Xiaobo Mei. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Barrier layer for contact structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220130678A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Hsinhsiang Tseng,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Selective carbon deposition on top and bottom surfaces of semiconductor substrates

Номер патента: US12125699B2. Автор: Qian Fu,Chung Liu,Kuan-Ting Liu,Abhijeet S. Bagal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabrication of a field-effect with reduced stray capacitance

Номер патента: US09911820B2. Автор: Yves Morand,Laurent Grenouillet,Frederic Boeuf,Louis HUTIN,Cyrille Le Royer. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-06.

Prevention of contact bottom void in semiconductor fabrication

Номер патента: US12062578B2. Автор: Yun Lee,Chung-Ting Ko,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: US20240014076A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos,Nicolas Louis BREIL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Selective capping of contact layer for cmos devices

Номер патента: WO2024010660A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Avgerinos V. Gelatos. Владелец: Breil, Nicolas Louis. Дата публикации: 2024-01-11.

Fabrication of strained vertical P-type field effect transistors by bottom condensation

Номер патента: US09647112B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Pmd layer of semiconductor device

Номер патента: US20080157399A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Fabrication of strained vertical p-type field effect transistors by bottom condensation

Номер патента: US20180350953A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Method for improving size of contact holes of FDSOI device

Номер патента: US11271012B1. Автор: Tonghui Wang,Changfeng Wang,Duanquan LIAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20200279917A1. Автор: Yu-Chih Su,Yao-Jhan Wang,Che-Hsien Lin,Chun-jen Huang,Cheng-Yeh Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Selective deposition of diamond in thermal vias

Номер патента: WO2015027080A2. Автор: Gregory Lewis,Karl D. Hobart,Ioulia Smorchkova,Bradford B. Pate,Vincent Gambin,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer,Joshua D. Caldwell,Mark Goorsky,Eugene A. Imhoff,Jeff McKay,Rajinder S. Sandhu. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2015-02-26.

Formation method of contact/ through hole

Номер патента: US6001734A. Автор: John Mark Drynan. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US11957065B2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: 1372934 BC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: US20240105499A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: WO2024073272A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

CMOS-MEMS integrated device including a contact layer and methods of manufacture

Номер патента: US09718680B2. Автор: Peter Smeys,Jongwoo Shin,Daesung Lee,Jong Il Shin. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods for electrochemical deposition of isolated seed layer areas

Номер патента: US11875996B2. Автор: Marvin Louis Bernt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Selective stress relaxation of contact etch stop layer through layout design

Номер патента: SG133476A1. Автор: Quek Elgin,TEO Lee Wee,Sohn Dong Kyun. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Contact structure of semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240178058A1. Автор: Chenhan WANG. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Structure and formation method of semiconductor device structure with etch stop layer

Номер патента: US20200058793A1. Автор: Chung-Ting Ko,Bo-Cyuan Lu,Chi-On CHUI,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12080629B2. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Sen-Bor Jan,Chih-Chia Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Process for fabrication of superconducting vias for electrical connection to groundplane in cryogenic detectors

Номер патента: US09865795B1. Автор: Kevin L. Denis. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09818638B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09768371B2. Автор: Jeremy P. Hilton,Paul I. Bunyk,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Low-pressure deposition of ruthenium and rhenium metal layers from metal-carbonyl precursors

Номер патента: WO2006038954A1. Автор: Kenji Suzuki,Sandra G. Malhotra,Yumiko Kawano,Hideaki Yamasaki,Emmanuel Guidotti,Fenton R. McFeely,Gert J. Leusink,Enrico Mosca. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-04-13.

Inter-metal dielectric of semiconductor device and manufacturing method thereof including plasma treating a plasma enhanced fluorosilicate glass

Номер патента: US7442653B2. Автор: Tae-Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20150235901A1. Автор: Tamotsu Owada,Hirosato Ochimizu,Hikaru Ohira. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for improving the planarization of dielectric layer in the fabrication of metallic interconnects

Номер патента: US6010958A. Автор: Bing-Chang Wu,Tung-Po Chen,Hong-Tsz Pan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-01-04.

Methods Of Forming Contact Openings And Methods Of Increasing Contact Area In Only One Of X and Y Axes In The Fabrication Of Integrated Circuitry

Номер патента: US20110306206A1. Автор: Anton Devilliers,Mark Kiehlbauch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Production method of semiconductor device

Номер патента: US20020127880A1. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Masaki Saito,Yoshiyuki Enomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Fabrication of embedded die packaging comprising laser drilled vias

Номер патента: US20220115319A1. Автор: Cameron MCKNIGHT-MACNEIL. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09659811B1. Автор: Yu-Yun Peng,Chung-Chi Ko,Shing-Chyang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Increasing contact areas of contacts for MIM capacitors

Номер патента: US11764143B2. Автор: Yao-Te Huang,Yung-Shih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Increasing Contact Areas of Contacts for MIM Capacitors

Номер патента: US20210391248A1. Автор: Yao-Te Huang,Yung-Shih Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Manufacturing method of semiconductor device, processing method of semiconductor wafer, semiconductor wafer

Номер патента: US8883613B2. Автор: Tamotsu Owada. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Method for improving size of contact holes of fdsoi device

Номер патента: US20220068971A1. Автор: Tonghui Wang,Changfeng Wang,Duanquan LIAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09947583B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic package and method of connecting a first die to a second die to form an electronic package

Номер патента: US09741686B2. Автор: Mihir K Roy,Mathew J Manusharow,Harold Ryan Chase. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of semiconductor integrated circuit fabrication

Номер патента: US09570347B2. Автор: Hsien-Chang Wu,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee,Ching-Fu YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for forming interconnection of semiconductor device

Номер патента: US5801099A. Автор: Nae Hak Park,Yong Kwon Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-01.

Method of making a grooved gate structure of semiconductor device

Номер патента: US5776835A. Автор: Ching-Fa Yeh,Jwinn Lein Su. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-07-07.

In situ deposition of a dielectric oxide layer and anti-reflective coating

Номер патента: US6156149A. Автор: Wai-Fan Yau,David Cheung,Judy H. Huang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Method for fabricating an Al-Ge alloy wiring of semiconductor device

Номер патента: US5846877A. Автор: Jun-Ki Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-08.

Semiconductor device of common source structure and manufacturing method of semiconductor device of common source structure

Номер патента: US8211764B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-03.

Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device, and semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6750496B2. Автор: Akira Imai,Norio Hasegawa,Katsuya Hayano. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-15.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: WO2021150265A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-29.

Chip and method for self-aligned etching of contacts of chips

Номер патента: US20220102524A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang,Shaojun Sun. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Bonded assembly of semiconductor dies containing pad level across-die metal wiring and method of forming the same

Номер патента: US20210225736A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Kwang-Ho Kim,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

Fabrication of a mim capacitor structure with via etch control with integrated maskless etch tuning layers

Номер патента: US20190333983A1. Автор: Son Nguyen,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230361187A1. Автор: Zhaohong LV. Владелец: Changxin Jidian Beijing Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semicondcutor structures and methods of semiconductor structure

Номер патента: US20240128160A1. Автор: Yang Li,Yue YIN,Zhaoxu Shen,Junwei GUO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Deposition of low fluorine tungsten by sequential CVD process

Номер патента: US09613818B2. Автор: Lawrence Schloss,Raashina Humayun,Michal Danek,Xiaolan Ba. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of fabrication of semiconductor structures by ion implantation

Номер патента: US20020013039A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Fabrication of silicon carbide integrated power mosfets on a single substrate

Номер патента: US20220115502A1. Автор: Neil Goldsman,Zeynep Dilli,Akin Akturk,Mitchell Adrian Gross,Usama KHALID,Christopher James DARMODY. Владелец: CoolCAD Electronics LLC. Дата публикации: 2022-04-14.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US09899515B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US20160351687A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US09431395B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Fabrication of infra-red charge coupled devices

Номер патента: US4276099A. Автор: John M. Keen,Arthur F. W. Willoughby. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1981-06-30.

Protection of semiconductor-oxide-containing gate dielectric during replacement gate formation

Номер патента: US9577068B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Gregory Costrini,Richard S. Wise,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170178897A1. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09847226B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09627203B2. Автор: Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-aligned epitaxial method for the fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US4101350A. Автор: Glen G. Possley,Robert G. Massey,Billy B. Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1978-07-18.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method to reduce residual sti corner defects generated during spe in the fabrication of nano-scale cmos transistors using dsb substrate and hot technology

Номер патента: WO2009032582A1. Автор: Rick L. Wise,Angelo Pinto,Periannan R. Chidambaram. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Fabrication of silicon germanium-on-insulator finFET

Номер патента: US09899253B2. Автор: Hong He,Qing Liu,Bruce Doris. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Process for fabrication of a structure with a view to a subsequent separation

Номер патента: US09607879B2. Автор: Didier Landru. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-03-28.

Substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09508799B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for fabrication of integrated circuit structure with full dielectric isolation utilizing selective oxidation

Номер патента: US3944447A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-03-16.

Method of fabrication of dielectrically isolated cmos device with an isolated slot

Номер патента: CA1186808A. Автор: Sidney I. Soclof. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-05-07.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20180122938A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168511A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168512A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168510A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10734287B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10607894B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Fabrication of semiconductor devices

Номер патента: WO2002027768A3. Автор: Daniel Shepard. Владелец: Nuep2 Inc. Дата публикации: 2002-08-22.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US12107002B2. Автор: Wei-Ming Liao,Chuan-Lin HSIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Micromachined ultra-miniature piezoresistive pressure sensor and method of fabrication of the same

Номер патента: US09708175B2. Автор: Bin QI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20200105715A1. Автор: Youngsuk Kim,Byeongdeck Jang. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Isolation structure of semiconductor and method of forming the same

Номер патента: US20210376074A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Wei-Che Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for fabrication and assembly of semiconductor devices

Номер патента: US3965568A. Автор: Roland W. Gooch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-06-29.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US11935753B2. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-03-19.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20230187211A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-06-15.

Perforated conductive material for EMI shielding of semiconductor device and components

Номер патента: US09704811B1. Автор: Rajendra C. DIAS,Anna M. Prakash,Joshua D Heppner,Mitul B Modi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Packaging methods for fabrication of analytical device packages and analytical device packages made thereof

Номер патента: US09754836B2. Автор: Takashi Orimoto,Ravi Saxena,Elizabeth LOGAN. Владелец: Pacific Biosciences of California Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Singulation of semiconductor dies with contact metallization by electrical discharge machining

Номер патента: US09449876B2. Автор: Michael Roesner,Gudrun Stranzl,Manfred Schneegans. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145631A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor element, manufacturing method of semiconductor item, and matrix of light-emitting diodes, which is obtained by using such manufacturing method

Номер патента: RU2416135C2. Автор: Такао ЙОНЕХАРА,Кендзи ЯМАГАТА,Йосинобу СЕКИГУТИ,Кодзиро НИСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-04-10.

Precision breaking of semiconductor wafer into chips by applying an etch process

Номер патента: US6075280A. Автор: Hao-Chieh Yung,Gene Jing-Chiang Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-06-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20240194530A1. Автор: Atsushi Tanaka,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Toshiki Yui,Keisuke Hara,Chiaki Sasaoka,Shosuke Nakabayashi,Tomomi Aratani. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: US20230340660A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Area selective atomic layer deposition of metal oxide or dielectric layer on patterned substrate

Номер патента: WO2023205332A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Vapor deposition apparatus and process for continuous deposition of a doped thin film layer on a substrate

Номер патента: MY161000A. Автор: Scott Daniel Feldman-Peabody,Mark Jeffrey Pavol. Владелец: First Solar Malaysia Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-03-31.

Method of forming fine island patterns of semiconductor devices

Номер патента: US20190074182A1. Автор: Shing-Yih Shih,Chiang-Lin Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Secure inspection and marking of semiconductor wafers for trusted manufacturing thereof

Номер патента: US20210134682A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Laser-assisted fabrication of semiconductor structures and devices formed by utilizing a compliant substrate

Номер патента: US20030017661A1. Автор: Ravindranath Droopad,Barbara Barenburg,Lyndee Hilt,Albert Talin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-01-23.

Composite substrate for fabrication of beta gallium oxide devices

Номер патента: US20240347339A1. Автор: Alexander Usenko,Yash Suresh Mirchandani,Nishita Suresh Mirchandani. Владелец: Syrnatec Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543289B2. Автор: Hitoshi Abe,Noriaki Yao. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US09502556B2. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

mask sheet for assembly of semiconductor device and assembling method of semiconductor device

Номер патента: MY138636A. Автор: Toshihiro NAKAJIMA,Yuichi Moriya,Katsuji Nakaba. Владелец: Tomoegawa Paper Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-31.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Formulation and fabrication of an improved Ni based composite Ohmic contact to n-SiC for high temperature and high power device applications

Номер патента: US7163882B1. Автор: Melanie W. Cole,Pooran C. Joshi. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2007-01-16.

Fabricating method of semiconductor element

Номер патента: US20130109163A1. Автор: Po-Chao Tsao,Ming-Tsung Chen,Ming-Te Wei. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US11769662B2. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for protecting film layers while removing hardmasks during fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20110086495A1. Автор: Rohit Pal,Janice MONZET. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: WO2010110904A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: EP2412018A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Ammonia pre-treatment in the fabrication of a memory cell

Номер патента: US20100155815A1. Автор: Bernard John Fischer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Reactor for plasma-chemical treatment of semiconductor structures

Номер патента: RU2753823C1. Автор: Илья Александрович Иванов,Павел Евгеньевич Афонин,Владимир Миронович Долгополов,Павел Александрович Иракин,Константин Владимирович Логунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения". Дата публикации: 2021-08-23.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Method for removing molding residues in the fabrication of plastic packages for semiconductor devices

Номер патента: US20010008139A1. Автор: Paolo Crema,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-07-19.

METHOD OF MAKING SEMICONDUCTOR HETEROSTRUCTURES WITH ATOMICALLY SMOOTH InGaP AND InP STOP LAYERS ON GaAs AND InP SUBSTRATES

Номер патента: RU2690859C1. Автор: Андрей Геннадьевич Гладышев,Антон Юрьевич Егоров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает ФОНД ПЕРСПЕКТИВНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ. Дата публикации: 2019-06-06.

Methods for fabrication of semiconductor structures including interposers with conductive vias, and related structures and devices

Номер патента: US8970045B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-03-03.

Thermal deposition of silicon-germanium

Номер патента: US11830734B2. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Huiyuan WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Fabrication Of Semiconductor Substrates

Номер патента: US20200083042A1. Автор: Heinz Schmid,Lukas Czornomaz,Philipp Staudinger,Yannick Baumgartner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Thermal deposition of silicon-germanium

Номер патента: WO2022245903A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Huiyuan WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-24.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Fabrication of thin film fin transistor structure

Номер патента: US12080781B2. Автор: Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Noriyuki Sato,Van H. Le,Hui Jae Yoo,Elliot N. Tan,Sarah ATANASOV,Jason Peck,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Fabrication of M-plane Gallium Nitride

Номер патента: US20170345650A1. Автор: Jenn-Kai Tsai,I-Kai LO,Shuo-Ting You. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: EP4434075A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09917162B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with controlled gate length

Номер патента: US09711618B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing rectifying contacts to gallium arsenide by electrochemical deposition of ruthenium

Номер патента: RU2666180C2. Автор: Владимир Григорьевич Божков,Татьяна Петровна Бекезина,Антон Владимирович Шмаргунов,Маргарита Николаевна Лещева,Анна Ивановна Орехова,Анастасия Викторовна Белоножко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-09-06.

Method of contact-barrier metallization production

Номер патента: RU2698540C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-08-28.

Fabrication of sub-micron silicide structures on silicon using resistless electron beam lithography

Номер патента: CA2197400C. Автор: Dominique Drouin,Jacques Beauvais,Eric Lavallee. Владелец: Quantiscript Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Method of producing alloyed metal contact layers on crystal-orientated semiconductor surfaces by energy pulse irradiation

Номер патента: US4359486A. Автор: Hubert Patalong,Eberhard F. Krimmel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1982-11-16.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: WO2010110893A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: US20130126970A1. Автор: Sandeep Bahl,Constantin Bulucea,David Courtney Parker,William French,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,Donald Archer. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: WO2010110893A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2010-09-30.

Configuration and fabrication of semiconductor structure using empty and filled wells

Номер патента: EP2412027A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,Prasad Chaparala,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Secure inspection and marking of semiconductor wafers for trusted manufacturing thereof

Номер патента: US11804411B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Preserving Underlying Dielectric Layer During MRAM Device Formation

Номер патента: US20210126051A1. Автор: Michael RIZZOLO,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Cell layout of semiconductor device

Номер патента: US12039251B2. Автор: Yun-Han Lee,Yi-Lin Chuang,Huang-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Fabrication of a strained region on a substrate

Номер патента: US20180308976A1. Автор: Isaac Lauer,Renee T. Mo,Jiaxing Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Planarization of semiconductor devices

Номер патента: US20200395224A1. Автор: Mark Somervell,Ryan Burns,Corey Lemley. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Methods of forming a plurality of semiconductor layers using trench arrays

Номер патента: WO2001063654A2. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2001-08-30.

Approach to fabrication of an on-chip resistor with a field effect transistor

Номер патента: US09917082B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Fabrication of a strained region on a substrate

Номер патента: US09793398B1. Автор: Isaac Lauer,Renee T. Mo,Jiaxing Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fabrication of nanomaterial T-gate transistors with charge transfer doping layer

Номер патента: US09748334B1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Technique for fabrication of microelectronic capacitors and resistors

Номер патента: US09633986B2. Автор: Carl Radens,Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Yiheng XU,Edem Wornyo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Process for fabrication of semiconductors utilizing selectively etchable diffusion sources in combination with melt-flow techniques

Номер патента: US4204894A. Автор: Kazufumi Ogawa,Tadao Komeda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1980-05-27.

Barrier Layer On Polymer Passivation For Integrated Circuit Packaging

Номер патента: US20110012239A1. Автор: Shiqun Gu,Yiming Li,Arvind Chandrasekaran,Urmi Ray. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: US11948803B2. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Oyj. Дата публикации: 2024-04-02.

Fabrication of electronic devices using sacrificial seed layers

Номер патента: US11799016B2. Автор: Michael Everett Babb,Harlan Rusty Harris. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2023-10-24.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: US10692010B2. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Georg Wolfgang WINKLER,Charles Masamed MARCUS,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-06-23.

Method for reducing charging of semiconductor wafers

Номер патента: US20230386820A1. Автор: Ching-Sen Kuo,Chien-Hung Lin,Feng-Jia Shiu,Chih-Chien Wang,Chun-Chang Chen,Wei-Lin Chang,Chihy-Yuan Cheng,Sz-Fan CHIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US20160005860A1. Автор: Shih-Chang Lin,Meng-Yi Wu,Hsing-Chih LIN,Chieh-Shuo Liang,Yu-Lung Yeh,Ming-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: EP3824414A1. Автор: Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Peter Krogstrup,Georg Wolfgang WINKLER,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman,Charlie MARCUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-05-26.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: US20200027971A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Georg Wolfgang WINKLER,Charles Masamed MARCUS,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: WO2020018260A1. Автор: Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Peter Krogstrup,Georg Wolfgang WINKLER,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman,Charlie MARCUS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Fabrication of electronic devices using sacrificial seed layers

Номер патента: US20210083076A1. Автор: Michael Everett Babb,Harlan Rusty Harris. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2021-03-18.

Fabrication of electronic devices using sacrificial seed layers

Номер патента: US20220223719A1. Автор: Michael Everett Babb,Harlan Rusty Harris. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2022-07-14.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: EP3807824A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Georg Wolfgang WINKLER,Charles Masamed MARCUS,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-04-21.

Form and fabrication of semiconductor-superconductor nanowires and quantum devices based thereon

Номер патента: WO2020018259A1. Автор: Peter KROGSTRUP JEPPESEN,Chetan Nayak,Roman Lutchyn,Torsten Karzig,Georg Wolfgang WINKLER,Charles Masamed MARCUS,Saulius Vaitiekėnas,Bernard VAN HECK,Michael Hartley Freedman. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Process for collectively fabricating a plurality of semiconductor structures

Номер патента: US11876073B2. Автор: David Sotta. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-01-16.

Fabrication of optical-quality facets vertical to a (001) orientation substrate by selective epitaxial growth

Номер патента: US20080194067A1. Автор: Steven R. J. Brueck,Seung-Chang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Fabrication of semiconductor devices using phosphosilicate glasses

Номер патента: CA2014934C. Автор: Shobha Singh,George J. Zydzik,Debra Anne Fleming,David Wilfred Johnson, Jr.,Legrand G. Vanuitert. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment

Номер патента: CA2442929A1. Автор: Mrinal Kanti Das,Lori A. Lipkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Fabrication of gallium nitride layers by lateral growth

Номер патента: AU2349100A. Автор: Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Eric P. Carlson,Pradeep Rajagopal,Robert F Davis. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-06-19.

High speed fabricating of solar cells devices with added rubidium and/or cesium

Номер патента: EP3414781A1. Автор: Patrick Reinhard,Adrian CHIRILA,Stephan Brunken,Moritz WEHRLE. Владелец: FLISOM AG. Дата публикации: 2018-12-19.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU6883987A. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1987-08-20.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU640408B2. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1993-08-26.

Deposition feedstock and dopant materials useful in the fabrication of hydrogenated amorphous silicon alloys for photovoltaic devices and other semiconductor devices

Номер патента: AU6767190A. Автор: Charles Robert Dickson. Владелец: Solarex Corp. Дата публикации: 1991-03-14.

Method of fabrication of a semiconductor device including one or more nanostructures

Номер патента: US20200212179A1. Автор: Kangguo Cheng,Shay REBOH,Remi Coquand,Nicolas Loubet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Gate Dielectric Of Semiconductor Device

Номер патента: US20140091400A1. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Metallizing process of semiconductor industry

Номер патента: US20010000496A1. Автор: Ting Wang,John Chu,Der-Tsyr Fan,Chon-Shin Jou. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2001-04-26.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of collective fabrication of 3D electronic modules configured to operate at more than 1 GHz

Номер патента: US09899250B2. Автор: Christian Val. Владелец: 3D Plus SA. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09607836B2. Автор: Hirokazu Fujiwara,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device using metal oxide

Номер патента: US09515189B2. Автор: XIANYU Wenxu,Chang-youl Moon,Jeong-Yub Lee,Yong-young Park,Woo-Young YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Interface between a I/III/VI2 layer and a back contact layer in a photovoltaic cell

Номер патента: US09478695B2. Автор: Stephanie Angle,Ludovic Parissi. Владелец: Nexcis SAS. Дата публикации: 2016-10-25.

Fabrication of field-effect transistor having hypoabrupt body dopant distribution below source/drain zone

Номер патента: US8034679B1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Fabrication of lateral superjunction devices using selective epitaxy

Номер патента: US20210376067A1. Автор: Michael Everett Babb,Harlan Rusty Harris. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2021-12-02.

Enhancement of carrier concentration in As-containing contact layers

Номер патента: US20020175344A1. Автор: Claude Reynolds,Marlin Focht,Ronald Leibenguth. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2002-11-28.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US11887860B2. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20230343599A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor chip, method for producing a plurality of semiconductor chips and method for producing an electronic or optoelectronic device and electronic or optoelectronic device

Номер патента: US20170365736A1. Автор: Bernd Barchmann,Andreas Ploessl,Fabian Eigenmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for monitoring abnormal sensors during fabrication of semiconductor structure, electronic device and storage medium

Номер патента: US20230087390A1. Автор: Xiaojun Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Apparatus of semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200118976A1. Автор: Jung Seok AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Method and device for depositing an epitaxial layer on a substrate wafer made of semiconductor material

Номер патента: US20230178398A1. Автор: Thomas Stettner,Hannes Hecht,Walter Edmaier,Korbinian LICHTENEGGER. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-06-08.

Manufacturing method of semiconductor module

Номер патента: US20160190085A1. Автор: Akira Kato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266236A1. Автор: Li-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Alternative methods for fabrication of substrates and heterostructures made of silicon compounds and alloys

Номер патента: US20050287770A1. Автор: Mohamed-Ali Hasan. Владелец: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE. Дата публикации: 2005-12-29.

Methods and assemblies related to fabrication of acoustic wave devices

Номер патента: US12074581B2. Автор: Michio Kadota,Shuji Tanaka,Yoshimi Ishii. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device package comprising thermal interface layer and method of fabricating of the same

Номер патента: US20210118771A1. Автор: SunYong Lee,Sarah Eunkyung Kim,Tae Hyeob Im. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-04-22.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20180301465A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Etch stop region based fabrication of bonded semiconductor structures

Номер патента: US09865747B2. Автор: Stephen A. Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor structure including planarizing a polysilicon layer over an array area and a periphery area

Номер патента: US09754788B2. Автор: Boon-Tiong Neo,Han-Chuan Fang,Ji-Gang PAN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Fabrication of nano-sheet transistors with different threshold voltages

Номер патента: US09653289B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Polarizing exposure apparatus using a polarizer and method for fabrication of a polarizing mask by using a polarizing exposure apparatus

Номер патента: US5245470A. Автор: Eun S. Keum. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-14.

Fabrication of complementary modulation-doped filed effect transistors

Номер патента: US4603469A. Автор: Craig A. Armiento,Peter E. Norris. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-08-05.

Structure and fabrication of semiconductor architecture having field-effect transistors especially suitable for analog applications.

Номер патента: WO2009058187A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-05-07.

Preparation of semiconductor devices

Номер патента: US4981814A. Автор: Andrew Nelson,Simon Cole,Michael J. Harlow,Stanley Y. K. Wong. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1991-01-01.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: WO2019055041A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-03-21.

Mid-processing removal of semiconductor fins during fabrication of integrated circuit structures

Номер патента: US20200227267A1. Автор: Anurag Jain,Szuya S. LIAO,Mehmet O. BAYKAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US20100072521A1. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-25.

Graphene device and method of fabrication of a graphene device

Номер патента: US20240213353A1. Автор: Elías Torres Alonso. Владелец: Graphenea Semiconductor SLU. Дата публикации: 2024-06-27.

Metallization of semiconductor wafer

Номер патента: EP4256605A1. Автор: Lan Wang,Erwei Liu,Fangzhong Shen,Kai-Ulrich Boldt. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2023-10-11.

Method for improving flatness of semiconductor thin film

Номер патента: US20210043442A1. Автор: Gongbai Cao,Chihhsin Lin,Chenhua Dong. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12041766B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Carbon ribbon to be covered with a thin layer made of semiconductor material and method for depositing a layer of this type

Номер патента: US20090302425A1. Автор: Christian Belouet. Владелец: SOLARFORCE. Дата публикации: 2009-12-10.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US20180233472A1. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Manufacturing method of semiconductor package

Номер патента: US10312209B2. Автор: Chao-Wen Shih,Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Plasma-assisted mocvd fabrication of p-type group iii-nitride materials

Номер патента: WO2012122331A3. Автор: Olga Kryliouk,Karl Brown,David Bour,Kevin Griffin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11721560B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Packaging methods of semiconductor devices

Номер патента: US20230047166A1. Автор: Peiyan CAO,Yurun LIU. Владелец: Shenzhen Xpectvision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for eliminating inverse narrow width effects in the fabrication of DRAM device

Номер патента: US20050003608A1. Автор: Yinan Chen,Tieh-Chiang Wu,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Hard mask composition, carbon nanotube layer structure, pattern forming method, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09892915B2. Автор: Seung Hyun Lee,Yool Kang,Yun Seok Choi,Seung Yun Yang,Yi Seul Kim,Kyoung Sil PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of preventing charge accumulation in manufacture of semiconductor device

Номер патента: US09881785B2. Автор: Chang-Won Lee,Un-Jeong Kim,Young-geun Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09741578B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami,Kota YASUNISHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09685520B1. Автор: Ta-Kang Lo,Tsai-Fu Chen,Hsin-Ta Hsieh,Chun-Chia Chen,Hung-Chang Chang,Shang-Jr Chen,Chen-Chien Li,Shuo-Lin Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of connecting multilevel semiconductor devices

Номер патента: RU2629904C2. Автор: Цзюньфэн ЧЖАО. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-09-04.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Fabrication of grooved semiconductor devices

Номер патента: CA1225465A. Автор: Daniel P. Wilt,William C. Dautremont-Smith. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1987-08-11.

Passivating point defects in high-k gate dielectric layers during gate stack formation

Номер патента: SG193698A1. Автор: Trentzsch Martin,Erben Elke,j carter Richard. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-10-30.

Fabrication of a device on a carrier substrate

Номер патента: EP3405970A1. Автор: LI ZHANG,Kwang Hong LEE,Eugene A. Fitzgerald,Soo Jin Chua,Chuan Seng Tan,Eng Kian Kenneth LEE. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2018-11-28.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: US11881533B2. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method of manufacturing semiconductor optical device and intermediate article of semiconductor optical device

Номер патента: US11894502B2. Автор: Tetsuya Ikuta,Yoshitaka Kadowaki,Yuta Koshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for processing of semiconductor films with reduced evaporation and degradation

Номер патента: US11735419B2. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Michael Iza,Christian J. ZOLLNER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for processing of semiconductor films with reduced evaporation and degradation

Номер патента: WO2020154674A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Michael Iza,Christian J. ZOLLNER. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-07-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220005957A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: WO2023084414A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-05-19.

Fabrication of large grain polycrystalline silicon film by nano aluminum-induced crystallization of amorphous silicon

Номер патента: US7927937B2. Автор: LI Cai,Min Zou,William David Brown. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for processing of semiconductor films with reduced evaporation and degradation

Номер патента: EP3915132A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,James S. Speck,Michael Iza,Christian J. ZOLLNER. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-12-01.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method of forming pattern of semiconductor device

Номер патента: US20150118852A1. Автор: Yool Kang,Hyung-Rae Lee,Seong-Ji Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Re-oxidation process of semiconductor device

Номер патента: US20040106281A1. Автор: June-Min Yao,Jui-Neng Tu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190214288A1. Автор: Cheng-Chi Wang,Chin-Lung Ting,Chia-Chieh FAN,Ming-Tsang Wu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266295A1. Автор: Li-Cheng Shen. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for the manufacture of semiconductor devices and circuits

Номер патента: US20020109139A1. Автор: Kramadhati Ravi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US20230420487A1. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for the fabrication of thin-film transistors together with other components on a substrate

Номер патента: US20160107885A1. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-04-21.

Capacitors of semiconductor device capable of operating in high frequency operation environment

Номер патента: US11791372B2. Автор: Jaeho Lee,Jooho Lee,Younggeun Park,Boeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US09735015B1. Автор: Chun-Lin Chen,Chun-Tsen Lu,Wei-Chuan Tsai,Jui-Ming Yang,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung,Kun Ju Li,Hsin Jung Liu,Yi Han Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Formation of semiconductor structures employing selective removal of fins

Номер патента: US09722024B1. Автор: Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Catherine B. Labelle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication of nanowire field effect transistor structures

Номер патента: US09576856B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for the fabrication of thin-film transistors together with other components on a substrate

Номер патента: US09446946B2. Автор: Marcus Herrmann,Norbert Fruehauf,Patrick Schalberger. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-09-20.

Insitu epitaxial deposition of front and back junctions in single crystal silicon solar cells

Номер патента: US09397239B2. Автор: Tirunelveli S. Ravi,Ashish Asthana. Владелец: Crystal Solar Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Device for liquid chemical etching of semiconductor products

Номер патента: RU2746672C1. Автор: Юлия Валерьевна Сухорослова,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2021-04-19.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming semiconductor plates doped on one side, particularly solar semiconductor plates, and manipulation system for loading process tray with batches of semiconductor plates

Номер патента: RU2411608C1. Автор: Штефан ЙОНАС,Лутц РЕДМАНН. Владелец: Йонас Унд Редманн Аутомационстехник Гмбх. Дата публикации: 2011-02-10.

Device for separation of composite structure from substrate on basis of semiconductor film (options)

Номер патента: RU2683808C1. Автор: Евгений Александрович Емельянов,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Михаил Олегович Петрушков,Борис Рэмович Семягин,Дмитрий Федорович Феклин,Андрей Васильевич Васев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2019-04-02.

Technique and apparatus for depositing layers of semiconductor for solar cell and module fabrication

Номер патента: WO2007056224A3. Автор: Bulent Basol. Владелец: SoloPower Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Method of semiconductor manufacture using an inverse self-aligned mask

Номер патента: US5132236A. Автор: Trung T. Doan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1992-07-21.

Method of forming contact layers on substrates

Номер патента: US20070066054A1. Автор: Homayoun Talieh,Bulent Basol,Cyprian Uzoh,Hung-Ming Wang. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Switching control algorithms on detection of exposure of underlying layer during polishing

Номер патента: US20240116152A1. Автор: Kun Xu,Harry Q. Lee,Benjamin Cherian,David Maxwell Gage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Fabrication method and structure of semiconductor device

Номер патента: US20230369051A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Switching control algorithms on detection of exposure of underlying layer during polishing

Номер патента: US11850699B2. Автор: Kun Xu,Harry Q. Lee,Benjamin Cherian,David Maxwell Gage. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Structures and methods for equivalent oxide thickness scaling on silicon germanium channel or iii-v channel of semiconductor device

Номер патента: US20170309487A1. Автор: Takashi Ando,Martin M. Frank,Vijay Narayanan,Eduard A. Cartier,John Rozen,John Bruley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Fabrication of nanomaterial t-gate transistors with charge transfer doping layer

Номер патента: US20170244054A1. Автор: Michael Engel,Shu-Jen Han,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Interlayer design for epitaxial growth of semiconductor layers

Номер патента: US20150187572A1. Автор: Erol Girt,Mariana Rodica Munteanu. Владелец: Zetta Research and Development LLC AQT Series . Дата публикации: 2015-07-02.

Manufacturing method of semiconductor element, semiconductor layer support structure, and semiconductor substrate

Номер патента: US20240145239A1. Автор: Takahito Suzuki,Kenichi Tanigawa,Yutaka Kitajima,Hiroto Kawada,Toru Kosaka,Yusuke Nakai,Shinya Jumonji,Genichirou MATSUO. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and System for Wafer Level Testing of Semiconductor Chips

Номер патента: US20120013359A1. Автор: Zhaojun SHAO. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-19.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Methods for Manufacturing a Semiconductor Device Having a Non-Ohmic Contact Formed Between a Semiconductor Material and an Electrically Conductive Contact Layer

Номер патента: US20180158964A1. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for manufacturing a semiconductor device having a non-ohmic contact formed between a semiconductor material and an electrically conductive contact layer

Номер патента: US10199514B2. Автор: Ulrich Schmid,Ronny Kern,Jens Peter Konrath,Stefan KRIVEC,Laura Stoeber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-02-05.

Quantum doping method and use in fabrication of nanoscale electronic devices

Номер патента: US10510876B2. Автор: Anatoly Feygenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-17.

Wet processing apparatus, wet processing method and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20040262265A1. Автор: Kazunori Nemoto,Norio Suzuki,Michimasa Funabashi,Hiroyuki Mima,Masakatsu Kuwabara. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Physical vapor deposition of low-stress nitrogen-doped tungsten films

Номер патента: US09938616B2. Автор: Michael Ng,Michael Rumer. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Quantum doping method and use in fabrication of nanoscale electronic devices

Номер патента: US09870925B1. Автор: Anatoly Feygenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-16.

Removal of semiconductor growth defects

Номер патента: US09842741B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Linus Jang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Removal of semiconductor growth defects

Номер патента: US09496257B2. Автор: Soon-Cheon Seo,Linus Jang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Electronic device structure including a buffer layer on a base layer

Номер патента: EP2596521A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2013-05-29.

Co-fabrication of magnetic device structures with electrical interconnects having reduced resistance through increased conductor grain size

Номер патента: US20190273204A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Liying Jiang,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Fabrication of solar cells with electrically conductive polyimide adhesive

Номер патента: US09768326B1. Автор: Mark A. Stan,Jeff Steinfeldt,Chelsea Mackos. Владелец: SolAero Technologies Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Electronic device structure including a buffer layer on a base layer

Номер патента: US20120018737A1. Автор: Qingchun Zhang,Anant Agarwal. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Formation of control and floating gates of semiconductor non-volatile memories

Номер патента: EP1042810A1. Автор: Steven Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20220037402A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US20050118736A1. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for measuring withstand voltage of semiconductor epitaxial wafer and semiconductor epitaxial wafer

Номер патента: US7195937B2. Автор: Makoto Kiyama,Masashi Yamashita,Katsushi Akita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-27.

Method and apparatus for manufacture of semiconductors and resulting structures, devices, circuits, and components

Номер патента: WO2007128075A3. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Method of testing a semiconductor-on-insulator structure and application of said test to the fabrication of such a structure

Номер патента: US09698063B2. Автор: Patrick Reynaud,Walter Schwarzenbach,Konstantin Bourdelle,Jean-Francois Gilbert. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Fabrication of thin-film photovoltaic cells with reduced recombination losses

Номер патента: US09859452B1. Автор: Christian Becker,Markus Schmidt,Hans-Juergen Eickelmann,Hauke Pflueger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Lead frame structure for the fabrication of hybrid semiconductor devices

Номер патента: WO2001015226A1. Автор: Marie Guillot,Owen Mcauliffe,Finbarr O'donoghue,Tadhgh O'brien. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2001-03-01.

Lead frame structure for the fabrication of hybrid semiconductor devices

Номер патента: EP1123564A1. Автор: Marie Guillot,Owen Mcauliffe,Finbarr O'donoghue,Tadhgh O'brien. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060033173A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190355789A1. Автор: Roberto Somaschini,Ombretta Donghi,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

RTA for Fabrication of Solar Cells

Номер патента: US20110183457A1. Автор: Bernhard P. Piwczyk. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

RTA for fabrication of solar cells

Номер патента: US8236677B2. Автор: Bernhard P. Piwczyk. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Chemical vapor deposition tool and process for fabrication of photovoltaic structures

Номер патента: US09972740B2. Автор: Jianming Fu,Yongkee Chae. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Fabrication of optics wafer

Номер патента: US09875998B2. Автор: Hartmut Rudmann. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Fabrication of optics wafer

Номер патента: US09634050B2. Автор: Hartmut Rudmann. Владелец: Heptagon Micro Optics Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20070057247A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Versatile system for charge dissipation in the formation of semiconductor device structures

Номер патента: US20060214170A1. Автор: Weidong Tian,Zafar Imam,Bradley Sucher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration

Номер патента: US20030052421A1. Автор: Hans-Georg Frohlich,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Process for the fabrication of thin-film device and thin-film device

Номер патента: US20070090404A1. Автор: Akihiko Asano,Tomoatsu Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor wafer with electrically connected contact and test areas

Номер патента: US20110294238A1. Автор: Bernd Goller,Michael Horn,Werner Ertle,Bernd Kothe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-01.

Technique for the growth and fabrication of semipolar (Ga,Al,In,B)N thin films, heterostructures, and devices

Номер патента: US09793435B2. Автор: Shuji Nakamura,Arpan Chakraborty,Steven P. DenBaars,Rajat Sharma,James S. Speck,Benjamin A. Haskell,Umesh K. Mishra,Troy J. Baker,P. Morgan Pattison,Robert M. Farrell, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for forming one or more crystalline layers on a substrate

Номер патента: US09444049B2. Автор: Randall L. Headrick. Владелец: University of Vermont and State Agricultural College. Дата публикации: 2016-09-13.

Capacitor of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20100052097A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20220059656A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Multistep deposition of zinc oxide on gallium nitride

Номер патента: US09935243B2. Автор: Steven P. DenBaars,Sang Ho Oh,Asad J. Mughal. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-04-03.

Fabrication of semiconductor modules with ceramic substrates and detection of residual glass

Номер патента: CA1182591A. Автор: Howard A. Froot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-12.

Streamlined GaN-based fabrication of light emitting diode structures

Номер патента: US11804574B2. Автор: Richard J. Brown,Christopher M. Martin,Shikhar Bajracharya. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

STREAMLINED GaN-BASED FABRICATION OF LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES

Номер патента: US20210367107A1. Автор: Richard J. Brown,Christopher M. Martin,Shikhar Bajracharya. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor element and multiplexer including a plurality of semiconductor elements

Номер патента: US20230141173A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09922981B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Fabrication of integrated circuit structures for bipolor transistors

Номер патента: US09847408B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication of solar cells with electrically conductive polyimide adhesive

Номер патента: US09691930B2. Автор: Mark A. Stan,Jeff Steinfeldt,Chelsea Mackos. Владелец: SolAero Technologies Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US09601493B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Fabrication of optical metasurfaces

Номер патента: US10886317B2. Автор: Gleb M. Akselrod,Erik E. Josberger,Mark C. Weidman. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2021-01-05.

Fabrication of photovoltaic devices by solid phase epitaxy

Номер патента: US4165558A. Автор: William F. Armitage, Jr.,Everett E. Crisman. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-08-28.

System and method for z-pat defect-guided statistical outlier detection of semiconductor reliability failures

Номер патента: EP4323783A1. Автор: David W. Price,Robert J. Rathert,Chet V. Lenox,Oreste Donzella,John Charles Robinson. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20210193828A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Metal gate structures of semiconductor devices

Номер патента: US20220190153A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: EP3430659A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita degli Studi di Milano Bicocca. Дата публикации: 2019-01-23.

Method for the fabrication of indium-gallium nitride electrodes for electrochemical devices

Номер патента: WO2017157960A1. Автор: Richard Noetzel,Stefano SANGUINETTI. Владелец: Universita' Degli Studi Di Milano Bicocca. Дата публикации: 2017-09-21.

Capacitor of semiconductor device and distributed model circuit for the same

Номер патента: US20240014253A1. Автор: Ung Ki MIN,Yong Je JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for forming contact layer on semiconductor light emitting device

Номер патента: US4686001A. Автор: Niro Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-08-11.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US20140048800A1. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-20.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer as ohmic contact layer

Номер патента: US8921863B2. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Dual alignment strategy for optimizing contact layer alignment

Номер патента: US8603905B2. Автор: James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Method of connecting a semiconductor package to a board

Номер патента: US9343397B2. Автор: Carlo Marbella. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-17.

Layer structure for electrical contacting of semiconductor components

Номер патента: US20110127674A1. Автор: Hans Artmann,Jochen Reinmuth,Peter Schmollngruber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Devices and methods for heat dissipation of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20210125890A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Sa-Lly Liu,Yung-Chow Peng,Chung-Peng Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Fabrication of fullerene nano-strucutres in mixed films and devices utilizing fullerene nano-structures

Номер патента: US20180301286A1. Автор: Keisuke Tajima,Aram AMASSIAN,Yufei ZHONG. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2018-10-18.

Methods and structures for discharging plasma formed during the fabrication of semiconductor device

Номер патента: US8749012B2. Автор: Masahiko Higashi,Naoki Takeguchi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-06-10.

Compact electro-optical devices with laterally grown contact layers

Номер патента: US20210020796A1. Автор: Lukas Czornomaz,Charles CAER,Yannick Baumgartner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Configuration and fabrication of semiconductor structure in which source and drain extensions of field-effect transistor are defined with different dopants

Номер патента: EP2412013A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Electric connection structure for electronic power devices, and method of connection

Номер патента: US20020070432A1. Автор: Giuseppe Bruno,Domenico Verde. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-06-13.

Mask blanks and methods for depositing layers on mask blank

Номер патента: US20210200078A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Fabrication of flexible thin film gaas-based group iii-v solar cell on si substrate

Номер патента: WO2022139729A1. Автор: Mustafa KULAKCI,Ugur SERINCAN. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2022-06-30.

Manufacturing method of semiconductor device with inductor

Номер патента: US20240347578A1. Автор: Ching-Wen Hsiao,Alexander Kalnitsky,Hon-Lin Huang,Han-Yi Lu,Chien-Hsien KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

System configurations for fabrication of micro-LED displays

Номер патента: US12062735B2. Автор: Hou T. Ng,Nag B. Patibandla,Daihua Zhang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Stacked structure of semiconductor chips having via holes and metal bumps

Номер патента: US09704829B2. Автор: Chih-Hsien Lin,Chang-Hwang Hua. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Grinding apparatus and method for fabrication of liquid crystal display device

Номер патента: US09687951B2. Автор: Byeong Gwon CHOE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of using laser welding to ohmic contact of metallic thermal and diffusion barrier layer for foil-based metallization of solar cells

Номер патента: US09634178B1. Автор: Nils-Peter Harder,Robert Woehl,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Jens-Dirk MOSCHNER,Michel Arsène Olivier Ngamo Toko. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Light-emitting device having a plurality of contact parts

Номер патента: US09577170B2. Автор: Chien-Fu Huang,Chao-Hsing Chen,Chien-Kai Chung,Chia-Liang Hsu,Han-Min Wu,Shih-I Chen,Chiu-Lin Yao,Hsin-Mao Liu,Tzu-Chieh Hsu,Ye-Ming Hsu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Multi-layer contact structure, photovoltaic cell and method of fabrication of multi-layer contact structure

Номер патента: WO2023172207A2. Автор: Nitin NAMPALLI,Shubham DUTTAGUPTA. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20230411525A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and structures for discharging plasma formed during the fabrication of semiconuctor device

Номер патента: US20090026570A1. Автор: Masahiko Higashi,Naoki Takeguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20220310843A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Multi-layer contact structure, photovoltaic cell and method of fabrication of multi-layer contact structure

Номер патента: WO2023172207A3. Автор: Nitin NAMPALLI,Shubham DUTTAGUPTA. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-11-09.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor for Device and Its Manufacturing Method

Номер патента: US20080265436A1. Автор: Yoshihito Fujiwara,Masahito Kawabata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Fabrication of a micro-optics device with curved surface defects

Номер патента: US20160139311A1. Автор: Urs T. Duerig,Armin W. Knoll,Fei Ding,Rainer F. Mahrt,Thilo H. Stoeferle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of fabrication of micro-optics device with curved surface defects

Номер патента: WO2013153465A1. Автор: Urs T. Duerig,Armin W. Knoll,Fei Ding,Thilo Hermann Stoeferle,Rainer F. Mahrt. Владелец: Ibm Research Gmbh. Дата публикации: 2013-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220336466A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Shijie BAI,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods of compensating for an alignment error during fabrication of structures on semiconductor substrates

Номер патента: US20070120220A1. Автор: Dong-Chun Lee,Jung-Taek Lim,Sung-Hong Park,Young-Jee Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Fabrication of embedded die packaging comprising laser drilled vias

Номер патента: US20230019052A1. Автор: Ahmad Mizan,Cameron MCKNIGHT-MACNEIL,Abhinandan DIXIT,An-Sheng CHENG. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabrication of an electronic module and electronic module

Номер патента: US09999136B2. Автор: Risto Tuominen. Владелец: GE EMBEDDED ELECTRONICS OY. Дата публикации: 2018-06-12.

Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

Номер патента: US09997702B2. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09978809B2. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming image sensors including deposited negative fixed charge layers on photoelectric conversion regions

Номер патента: US09741758B2. Автор: Hyoungsun Park,Hyungjoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for fabrication of a silicon-based component with at least one optical illusion pattern

Номер патента: US09740174B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2017-08-22.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: US09490296B2. Автор: Geordie Rose,Jeremy P. Hilton,Eugene Dantsker,Eric Ladizinsky,Byong Hyop Oh. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Technologies for plasma oxidation protection during hybrid bonding of semiconductor devices

Номер патента: US12125818B2. Автор: Jack Rogers,Satohiko Hoshino,Nathan Antonovich. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Compact semiconductor memory device having reduced number of contacts, methods of operating and methods of making

Номер патента: US10347636B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-09.

Light projection coupling of semiconductor type devices through the use of thermally grown or deposited SiO{HD 2 {B films

Номер патента: US3879606A. Автор: Kenneth E Bean. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1975-04-22.

A method for the electrical bonding of semiconductor components

Номер патента: EP3754706A1. Автор: Ms. Lin Hou,Mr. Jaber Derakhshandeh,Mr. Eric Beyne,Ms. Ingrid De Wolf,Giovanni Capuz. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2020-12-23.

CMOS FinFET Device Having Strained SiGe Fins and a Strained Si Cladding Layer on the NMOS Channel

Номер патента: US20190035893A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Method and apparatus for deposition of diffusion thin film

Номер патента: EP2222888A1. Автор: Si-Young Choi,Jung-Hyun Choi,Sang-Youl Bae,Sung-Youp Chung. Владелец: INTELLIGENT SYSTEM Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Cmos finfet device having strained sige fins and a strained si cladding layer on the nmos channel

Номер патента: US20230170388A1. Автор: Tahir Ghani,Roza Kotlyar,Kelin J. Kuhn,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Stephen M. Cea,Harold W. KENNEL. Владелец: Daedalus Prime LLC. Дата публикации: 2023-06-01.

Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon

Номер патента: US20190109283A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for fabrication of a sensor device

Номер патента: US20170254769A1. Автор: Matthias Studer,Ulrich Bartsch,Silvio GRAF. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2017-09-07.

Mim capacitor of semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100155890A1. Автор: Jong-Yong Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Roll-to-roll fabrication of ordered three-dimensional nanostructure array, related techniques, materials and products

Номер патента: US09831362B2. Автор: Zhiyong Fan,Siu-Fung Leung. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2017-11-28.

Fabrication of correlated electron material devices

Номер патента: US09627615B1. Автор: Lucian Shifren,Kimberly G. Reid,Carlos Alberto Paz de Araujo. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Housing of semiconductor device from metal matrix composite and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724289C1. Автор: Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Алексеевич Золотарев,Лариса Владимировна Чумакова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2020-06-22.

Fabrication of an insulated gate field effect transistor device

Номер патента: US3724065A. Автор: L Hall,B Carbajal,W Gosney. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Display apparatus having flourine at interfaces of semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825704B2. Автор: Moonsung Kim,Sooim JEONG,Jaebum Han,Younggil PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Capacitor of semiconductor device and distributed model circuit for the same

Номер патента: US11804517B2. Автор: Ung Ki MIN,Yong Je JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240015965A1. Автор: Dae Hyun Kim,Changhan Kim,Ga Ram CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Fabrication of long gate devices

Номер патента: US11855175B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices

Номер патента: WO2003036718A2. Автор: Gerald H. Negley,David B. Slater, Jr.,Thomas P. Schneider,Christopher Sean Plunket,Ralph C. Tuttle. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2003-05-01.

Pattern for improved visual inspection of semiconductor devices

Номер патента: EP1440472A2. Автор: Gerald H. Negley,David B. Slater, Jr.,Thomas P. Schneider,Christopher Sean Plunket,Ralph C. Tuttle. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

Methods of inspection of semiconductor packages including measurement of alignment accuracy among semiconductor chips

Номер патента: US11935873B2. Автор: JONGHO LEE,Un-Byoung Kang,Sunkyoung Seo,Young Kun JEE,Joonho JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220352305A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Quantum-Size-Controlled Photoelectrochemical Etching of Semiconductor Nanostructures

Номер патента: US20150270136A1. Автор: Jonathan J. Wierer, Jr.,Xiaoyin Xiao,George T. Wang,Arthur J. Fischer,Jeffrey Y. Tsao. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Fabrication of Long Gate Devices

Номер патента: US20220068719A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Fabrication of Long Gate Devices

Номер патента: US20220359719A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Contact arrangement for emitter zone of semiconductor device

Номер патента: US3694708A. Автор: Manfred Arlt,Joachim Dathe,Helmut Guckel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-09-26.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US20110070697A1. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US8445359B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Koichiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for controlling parameter using a process of semiconductor production

Номер патента: WO2002082529A1. Автор: Man-Bong Lee. Владелец: Jiwoo Techniques Korea. Дата публикации: 2002-10-17.

Process for forming graphene layers on silicon carbide

Номер патента: US09771665B2. Автор: Francesca Iacopi,Mohsin Ahmed,Benjamin Vaughan CUNNING. Владелец: Griffith University. Дата публикации: 2017-09-26.

Non-common capping layer on an organic device

Номер патента: US10340313B2. Автор: Michael S. Weaver,Michael Hack. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Electrical connector having three rows of contacts and a coupling element interconnecting selected ground contacts thereof

Номер патента: US20230411907A1. Автор: Fang-Jwu Liao,Jia-Hau Liu,Jui-Hsianh Chiu. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing biaxially textured substrate in the form of copper-nickel-based triple alloy tape for epitaxial deposition of buffer and high-temperature superconducting layers on it

Номер патента: RU2759146C1. Автор: Юрий Николаевич Акшенцев,Юлия Валентиновна Хлебникова,Теона Романиевна Суаридзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук (ИФМ УрО РАН). Дата публикации: 2021-11-09.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Device for series connection of contact bus ducts

Номер патента: RU2496196C2. Автор: Томас ЛИНДЕНАУ,Вольфганг КРЕБС,Клаус-Дитер ОЭМУС. Владелец: Демаг Крэйнз Энд Компонентс Гмбх. Дата публикации: 2013-10-20.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Connecting contact leads for lithium-based electrodes

Номер патента: RU2598647C2. Автор: Владимир КОЛОСНИЦЫН,Скотт Джозеф ЛИЛЛИ,Глеб ИВАНОВ,Марек Йозеф ЩЕРБА. Владелец: Оксис Энерджи Лимитед. Дата публикации: 2016-09-27.

Scalable roll-to-roll fabrication of high-performance membrane electrode assemblies

Номер патента: US20210257629A1. Автор: GLAVAS Vedran,Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Jonathan Müller,Thomas Francisco JARAMILLO,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Timothy Goh,Zhaoxuan WANG,Soonwook HONG,Samuel Dull,Dong Un Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2021-08-19.

Scalable roll-to-roll fabrication of high-performance membrane electrode assemblies

Номер патента: WO2021163579A1. Автор: GLAVAS Vedran,Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Jonathan Müller,Thomas Francisco JARAMILLO,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Timothy Goh,Zhaoxuan WANG,Soonwook HONG,Samuel Dull,Dong Un Lee. Владелец: VOLKSWAGEN AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2021-08-19.

Scalable roll-to-roll fabrication of high-performance membrane electrode assemblies

Номер патента: EP4104227A1. Автор: GLAVAS Vedran,Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Jonathan Müller,Thomas Francisco JARAMILLO,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Timothy Goh,Zhaoxuan WANG,Soonwook HONG,Samuel Dull,Dong Un Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-12-21.

Method for the Fabrication of Electrolyte Cavities Using Surface Micromachining

Номер патента: US20140209564A1. Автор: John Bumgarner,Andres M. Cardenas-Valencia,Larry Langebrake,Jay Dlutowski,Melynda C. Calves. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-07-31.

Fabrication of a multi-layered magnetic element

Номер патента: US20180094347A1. Автор: Eric W. Singleton,Jae-Young Yi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-04-05.

Fabrication of a multi-layered magnetic element

Номер патента: US09856557B1. Автор: Eric W. Singleton,Jae-Young Yi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C2. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2015-08-10.

Protection treatments for surfaces of semiconductor fabrication equipment

Номер патента: US20240153745A1. Автор: JIAN Li,Jennifer Y. Sun,Wenhao Zhang,Mayur Govind KULKARNI,Chidambara A. Ramalingam,Martin J. SEAMONS,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Protection treatments for surfaces of semiconductor fabrication equipment

Номер патента: WO2024097903A1. Автор: JIAN Li,Jennifer Y. Sun,Wenhao Zhang,Mayur Govind KULKARNI,Chidambara A. Ramalingam,Martin J. SEAMONS,Katherine Woo,Nitin Deepak,Ryan Sheil. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-10.

Procedure for fabrication and device for fabrication of plasma indicator panel

Номер патента: RU2425174C2. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-07-27.

Method for fabrication of electrochemical energy converter and the electrochemical energy converter

Номер патента: WO2011008116A8. Автор: Zbigniew Magonski,Barbara Dziurdzia. Владелец: AKADEMIA GORNICZO-HUTNICZA IM. STANISLAWA STASZICA. Дата публикации: 2012-02-16.

Method for fabrication of electrochemical energy converter and the electrochemical energy converter

Номер патента: WO2011008116A4. Автор: Zbigniew Magonski,Barbara Dziurdzia. Владелец: Akademia Gόmiczo-Hutnicza Im. Stanisława Staszica. Дата публикации: 2011-02-24.

Electrical angle connector of a printed circuit board type having a plurality of connecting conductive strips of a common length

Номер патента: US5522727A. Автор: Masahiro Yamada,Shoji Umesato,Kazuki Saito,Takenori Kudo. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 1996-06-04.

Electrical angle connector of a printed circuit board type having a plurality of connecting conductive strips of a common length

Номер патента: CA2132247C. Автор: Masahiro Yamada,Shoji Umesato,Kazuki Saito,Takenori Kudo. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 1999-11-30.

Particle removal during fabrication of electrochromic devices

Номер патента: US20240012306A1. Автор: Robert T. Rozbicki. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Fabrication of si-mwcnt nanocomposites (smc) as anodes for lithium-ion batteries

Номер патента: WO2024141774A1. Автор: Daniel Sunghoi Choi,Aamna Hameed Khan. Владелец: Heidron Energy Research & Consultancy Co LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabrication of Si-MWCNT nanocomposites (SMC) as anodes for lithium-ion batteries

Номер патента: US12126004B2. Автор: Daniel Sunghoi Choi,Aamna Hameed Khan. Владелец: Heidron Energy Research & Consultancy Co LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Fabrication of electrochromic devices

Номер патента: US20230324754A1. Автор: Disha Mehtani,Sridhar Karthik Kailasam,Anshu Ajit Pradhan,Dane Thomas GILLASPIE,Robert Tad Rozbicki,Robin Sean Friedman. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Fabrication of electrochromic devices

Номер патента: US20230314892A1. Автор: Disha Mehtani,Sridhar Karthik Kailasam,Anshu Ajit Pradhan,Dane Thomas GILLASPIE,Robert Tad Rozbicki,Robin Sean Friedman. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Arrangement of contacts and carriers

Номер патента: US6264511B1. Автор: Xue Wu Bu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-24.

Fabrication of electrochromic devices

Номер патента: US20200233278A1. Автор: Sridhar Karthik Kailasam. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Connector capable of connecting a connection object in an easily exchangeable manner

Номер патента: US20080119092A1. Автор: Takeharu Naito,Kazuaki Ibaraki. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Fabrication of textured steel sheet

Номер патента: RU2547377C2. Автор: Лудгер ЛАН,Чаоюн ВАН,Христоф ХОЛЬЦАПФЕЛЬ,Тьерри БЕЛЬГРАН,Режи ЛЁМЭТР,Торстен КРЕНКЕ,Эюп ДУМАН. Владелец: Тиссенкрупп Илектрикел Стил Гмбх. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of connecting a contact with a solder and an electronic device using the method

Номер патента: US20050287836A1. Автор: Ted Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for mirror passivation of semiconductor laser diodes

Номер патента: CA2018501C. Автор: Marcel Gasser,Ernst Eberhard Latta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-08-15.

Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing

Номер патента: US20010014423A1. Автор: John Bates. Владелец: Lockheed Martin Energy Research Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Fabrication of highly textured lithium cobalt oxide films by rapid thermal annealing

Номер патента: US20010051384A1. Автор: John Bates. Владелец: Lockheed Martin Energy Research Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Methods of fabrication of high-density laser diode stacks

Номер патента: US20130143338A1. Автор: Edward F. Stephens, Iv,Frank L. Struemph,Jeremy Scott Junghans. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Laser-based Fabrication of Carbon Nanotube-Metal Composites on Flexible Substrates

Номер патента: US20180102200A1. Автор: Benxin Wu. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for the fabrication of a pore comprising metallic membrane and a pore comprising membrane

Номер патента: WO2020104287A1. Автор: Hyung Gyu Park,Roman Wyss. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for the fabrication of a pore comprising metallic membrane and a pore comprising membrane

Номер патента: US12048901B2. Автор: Hyung Gyu Park,Roman Wyss. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for the fabrication of an improved X-ray image intensifier tube, and intensifier tube, and intensifier tube obtained thereby

Номер патента: US4943254A. Автор: Paul De Groot,Francis Diaz,Garard Vieux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1990-07-24.

Method for the fabrication of an electroless-metal-plated sulfur nanocomposite, an electroless-metal-plated sulfur cathode which is made from the nanocomposite, and a battery that uses the cathode

Номер патента: US11996551B2. Автор: Sheng Heng Chung. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2024-05-28.

Fabrication of biscrolled fiber using carbon nanotube sheet

Номер патента: US09502711B2. Автор: Ray H. Baughman,Mikhail Kozlov,Mohammad H. Haque,Shaoli Fang,Anvar A. Zakhidov,Marcio Dias Lima,Javier Carretero-Gonzalez,Raquel Ovalle-Robles,Xavier N. Lepro-Chavez,Chihye Lewis-Azad,David Michael Novitski,Elizabeth Castillo-Martinez,Carter Sebastian Haines. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabrication of anodes

Номер патента: US3903589A. Автор: Gerhart P Klein,William F Vierou. Владелец: PR Mallory and Co Inc. Дата публикации: 1975-09-09.

Connecting contact leads to lithium-based electrodes

Номер патента: EP2605313A1. Автор: Vladimir Kolosnitsyn,Gleb Ivanov,Scott Joseph Lilley. Владелец: Oxis Energy Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Connecting contact leads to lithium-based electrodes

Номер патента: US20230290927A1. Автор: Vladimir Kolosnitsyn,Gleb Ivanov,Scott Joseph Lilley,Marek Jozef SZCZERBA. Владелец: Gelion Technologies Pty Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Connecting contact leads to lithium-based electrodes

Номер патента: GB201214595D0. Автор: . Владелец: Oxis Energy Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube field electron emisson devices

Номер патента: US09852870B2. Автор: Michael Pedersen,Mehmet Ozgur,Michael Huff,Paul Sunal,Lance OH. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2017-12-26.

Process for preparing scalable quantities of high purity manganese bismuth magnetic materials for fabrication of permanent magnets

Номер патента: US09418779B2. Автор: Jun Cui,Guosheng Li,Curt A. Lavender,Jung Pyung Choi. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Gas-diffusive electrode, method of its fabrication, membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode and method of fabrication of membrane and electrode unit containing gas-diffusive electrode

Номер патента: RU2559833C9. Автор: Вальтер АДРИАНСЕНС,ГАЙЕГО Иоланда АЛЬВАРЕС,Филиппе ВЕРМЕЙРЕН,Андре-Виктор КЛАЕС. Владелец: Вито Нв. Дата публикации: 2016-01-20.

Connector for thermocouple to be coupled with gas flow control valve magnet assembly to control gas flow in burner and method of thermocouple terminals connection to magnet assembly contacts of gas flow control valve

Номер патента: RU2349839C2. Автор: Джорджо ОФФРЕДИ. Владелец: Кастфутура Спа. Дата публикации: 2009-03-20.

Method for increasing contact pressure and the area of contacting surface of contact elements of detachable electrical connection in proportion to current passing through it

Номер патента: RU2754091C1. Автор: Савелий Черхванович Тюгай,Владимир Абдурахимович Одинаев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2021-08-26.

Photomultiplier having a photocathode comprised of semiconductor material

Номер патента: US5710435A. Автор: Tomoko Suzuki,Masami Yamada,Toru Hirohata,Minoru Niigaki. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 1998-01-20.

Method for the Fabrication of Electrolyte Cavities Using Bulk Micro-Machining

Номер патента: US20140082932A1. Автор: John Bumgarner,Andres M. Cardenas-Valencia,Larry Langebrake,Jay Dlutowski,Melynda C. Calves. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2014-03-27.

Techniques for direct deposition of superconductor material and related systems and methods

Номер патента: WO2021055037A3. Автор: Daniel Brunner,Robert MUMGAARD. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2021-05-14.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for strip fabrication of nanocrystalline material and device for fabrication of toroidal core winded of this strip

Номер патента: RU2342725C1. Автор: Тьерри ВАКЕРЛЬ,Тьерри САВ,Ален ДЕМЬЕ,Тьерри ВАКЕРЛЬ (FR),Тьерри САВ (FR),Ален ДЕМЬЕ (FR). Владелец: Имфи Эллойз. Дата публикации: 2008-12-27.

Manufacturing method of semiconductor structure using first mask layer and first photoresist layer to selectively etch stack on complete die region

Номер патента: US12048139B2. Автор: Jun Xia,Sen Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230380147A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method for depositing of a first and second layer on a substrate

Номер патента: US11761088B2. Автор: Kevin Johannes Hendrikus LAGARDE. Владелец: Innoflex Technologies BV. Дата публикации: 2023-09-19.

Cyanide-free electrolyte composition and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: US09657402B2. Автор: Stefan Schäfer,Thomas B. Richardson. Владелец: MacDermid Enthone Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US12082425B2. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Efficient fabrication of memory structures

Номер патента: US20230225137A1. Автор: LEI Wei,Kevin Lee Baker,Don Koun Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Photolithography based fabrication of 3d structures

Номер патента: WO2016100303A2. Автор: Christopher Michael Rutherglen. Владелец: Carbonics Inc.. Дата публикации: 2016-06-23.

Fabrication method for a thin-film layer on a substrate

Номер патента: EP4437815A1. Автор: Wilhelmus Johannes DUIVESTEIN,Simon GROEBLACHER,Bas Jorrit HENSEN,Frederick Mahmoud HIJAZI,Selim SCHARMER,Robert Hugh James STOCKILL,Mathilde Flore LEMANG. Владелец: Qphox BV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240023330A1. Автор: Jin Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Fabrication of a flexible circuit board

Номер патента: US09839136B2. Автор: Sheng-Yu Huang,Chun-Ting Lai,Yen-Po HUANG,Paul S. C. Wu. Владелец: Taimide Tech Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Deposition method of a metallic layer on a substrate of a resonator device

Номер патента: US12043891B2. Автор: Adrian Thomas,Steve Burgess,Scott HAYMORE. Владелец: SPTS Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of depositing an electrically conductive oxide buffer layer on a textured substrate and articles formed therefrom

Номер патента: US20020198112A1. Автор: Tolga Aytug,M. Paranthaman,David Christen. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2002-12-26.

Resource sharing in a peer-to-peer network of contact center nodes

Номер патента: US09774739B2. Автор: Gordon Bell,Brian Bischoff,Donald Huovinen,Herbert Willi Artur Ristock,Paul Segre. Владелец: Genesys Telecommunications Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Thermoelectric cooling device for thermoelectric refrigerator, process for the fabrication of semiconductor suitable for use in the thermoelectric cooling device, and thermoelectric refrigerator using the thermoelectric cooling device

Номер патента: US5409547A. Автор: Atsushi Osawa,Hideo Watanabe,Motohiro Sakai,Hirofusa Tezuka,Fumio Hisano. Владелец: Thermovonics Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-25.

Fabrication of conductive micro traces using a deform and selective removal process

Номер патента: WO2007136734B1. Автор: Rajiv Pethe,Neil Bergstrom,Scott C-J Tseng,Michael A Kast,Julius Kozak. Владелец: Julius Kozak. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for the fabrication of high surface area ratio and high aspect ratio surfaces on substrates

Номер патента: EP1937757A1. Автор: Evangelos Gogolides,Angeliki Tserepi,Konstantinos Misiakos,Maria-Elena Vlachopoulou,Nikolaos Vourdas. Владелец: Gogolidis Evangelos. Дата публикации: 2008-07-02.

Process for fabricating of a speaker enclosure having any preselected external, shape containing internal cavities shaped with preselected enhancements for each preselected driver mounted within said external shaped enclosure

Номер патента: US20050022918A1. Автор: Kyle McCain. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Fabrication of embedded DRAMs

Номер патента: GB2342774A. Автор: Water Lur,Fu Tai Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-04-19.

Methods for forming one or more crystalline layers on a substrate

Номер патента: WO2014008395A9. Автор: Randall L. Headrick. Владелец: University of Vermont and State Agricultural College. Дата публикации: 2014-10-16.

Method and system for test head testing of connections of a sonet element

Номер патента: US20030058801A1. Автор: Francois Moore,Carl Reeves,William Sandor. Владелец: Fujitsu Network Communications Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Resource sharing in a peer-to-peer network of contact center nodes

Номер патента: US20180013892A1. Автор: Gordon Bell,Brian Bischoff,Donald Huovinen,Herbert Willi Artur Ristock,Paul Segre. Владелец: Genesys Telecommunications Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Fabrication of planar electronic circuit devices

Номер патента: WO2008133515A3. Автор: Aerle Nicolaas Aldegonda Jan Maria Van,Alec Reader,Tobias Balla. Владелец: Tobias Balla. Дата публикации: 2009-01-15.

Fabrication of superconducting wires and rods

Номер патента: WO1996021951A1. Автор: Kamel Salama,Krishnaswamy Ravi-Chandar,Devamanohar Ponnusamy. Владелец: University of Houston. Дата публикации: 1996-07-18.

Process for the Fabrication of Zn-O Graphene Based Flexible Strain and Pressure Sensor

Номер патента: US20240196749A1. Автор: Mousumi Majumder,Swati Samanta,Mousumi Baral Narjinary. Владелец: Council of Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication Of Uniform High Density Nanostructure Array

Номер патента: US20240099036A1. Автор: Young Geun Park,Somin Eunice Lee. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-03-21.

A method of qualifying niobium and/or other super conducting materials for reliable fabrication of superconducting radio frequency (SCRF) cavities

Номер патента: EP2053905A8. Автор: Sindhunil Barman Roy,Vinod Chandra Sahni. Владелец: India Atomic Energy Department of. Дата публикации: 2009-08-19.

A PROCESS FOR THE FABRICATION OF Zn-O GRAPHENE BASED FLEXIBLE STRAIN AND PRESSURE SENSOR

Номер патента: WO2022208533A1. Автор: Mousumi Majumder,Swati Samanta,Mousumi Baral Narjinary. Владелец: COUNCIL OF SCIENTIFIC AND INDUSTRIAL RESEARCH. Дата публикации: 2022-10-06.

Fabrication of coated substrates

Номер патента: RU2560349C2. Автор: Патрик А.К. ГЕЙН,Мишель ШЕНКЕР,Кэтрин Джин РИДЖВЕЙ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2015-08-20.

Method and system for scheduling, indexing, categorizing, and triggering digital content and gifts for future delivery

Номер патента: EP3729297A1. Автор: Hanan S. Mohammed. Владелец: Circleit LLC. Дата публикации: 2020-10-28.

Method and system for scheduling, indexing, categorizing, and triggering digital content and gifts for future delivery

Номер патента: US20190199813A1. Автор: Hanan S. Mohammed. Владелец: Circleit LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Method and system for scheduling, indexing, categorizing, and triggering digital content and gifts for future delivery

Номер патента: WO2019126610A1. Автор: Hanan S. Mohammed. Владелец: Circleit LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods and apparatus to project ratings for future broadcasts of media

Номер патента: US10867308B2. Автор: Peter Campbell Doe,Jingsong Cui,Scott Sereday. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2020-12-15.

A method of fabrication of micro-devices

Номер патента: WO2003035543A1. Автор: Bruce Orr,Brett Sexton. Владелец: Micro Relay Holdings Pty Ltd. Дата публикации: 2003-05-01.

Methods and Apparatus to Project Ratings for Future Broadcasts of Media

Номер патента: US20240265415A1. Автор: Peter Campbell Doe,Jingsong Cui,Scott Sereday. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and apparatus to project ratings for future broadcasts of media

Номер патента: US20210174381A1. Автор: Peter Campbell Doe,Jingsong Cui,Scott Sereday. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of monitoring the fabrication of Bi-2223 material having a high critical temperature

Номер патента: US5578555A. Автор: G erard Duperray. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1996-11-26.

Fabrication of correlated electron material films with varying atomic or molecular concentrations of dopant species

Номер патента: WO2018029481A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-02-15.

A method of fabrication of micro-devices

Номер патента: EP1440035A1. Автор: Bruce Orr,Brett Sexton. Владелец: Micro Relay Holdings Pty Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Fabrication of positive pressure-applying latch mechanism

Номер патента: US09585284B2. Автор: Robert K. Mullady,Michael T. Peets,Robert R. Genest,Shawn Canfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and apparatus to project ratings for future broadcasts of media

Номер патента: US20230325858A1. Автор: Peter Campbell Doe,Jingsong Cui,Scott Sereday. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits having flip-chip arrangements with high coherence devices

Номер патента: WO2024102504A2. Автор: Andrew J. Berkley,Mohammad H. Amin,Timothy L. DUTY,Berta TRULLAS CLAVERA. Владелец: 1372934 B.C. Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods and apparatus to project ratings for future broadcasts of media

Номер патента: US11989746B2. Автор: Peter Campbell Doe,Jingsong Cui,Scott Sereday. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-05-21.

System and method for posting content to networks for future access

Номер патента: US20160359956A1. Автор: Olav Bokestad,Anna Bokestad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-08.

Fabrication of magnesium diboride superconductor thin films and electronic devices by ion implantation

Номер патента: WO2004044262A1. Автор: Roger Webb,Guosheng Shao,Nianhua Peng,Christopher Jeynes. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2004-05-27.

Fabrication of correlated electron material devices method to control carbon

Номер патента: WO2017141043A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Fabrication of correlated electron material devices

Номер патента: EP3408875A1. Автор: Kimberly Gay Reid,Lucian Shifren,Carlos Paz de ARAUJO. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Support entering into the fabrication of an electronic device, corresponding memory card connector, memory card read terminal and manufacturing method

Номер патента: CA2927958C. Автор: Stephane Pavageau,Xavier Lambert. Владелец: Banks and Acquirers International Holding SAS. Дата публикации: 2023-09-19.

A welding mechanism for the fabrication of floaters used in floating solar power plants

Номер патента: WO2023128920A1. Автор: Sami ASLANHAN. Владелец: Kontrolmati̇k Teknoloji̇ Enerji̇ Ve Mühendi̇sli̇k Anoni̇m Şi̇rketi̇. Дата публикации: 2023-07-06.

Wave shaping circuit of semiconductor testing apparatus

Номер патента: US5955901A. Автор: Makoto Kikuchi,Kiyotaka Mizuno. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-21.

Support entering into the fabrication of an electronic device, corresponding memory card connector, memory card read terminal and manufacturing method

Номер патента: US09980374B2. Автор: Stephane Pavageau,Xavier Lambert. Владелец: Ingenico Group SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Thin film deposition apparatus including deposition blade

Номер патента: US09593408B2. Автор: Jung-Min Lee,Choong-ho Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Fabrication of interlayer dielectrics with high quality interfaces for quantum computing devices

Номер патента: CA3009887A1. Автор: Anthony Edward MEGRANT. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-07-06.

Wafer level fabrication of cavity for surface acoustic wave filter

Номер патента: US20120326560A1. Автор: HAO Yun,Richard A. Wessel. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2012-12-27.

Method, system, and apparatus for future delivery of digital content over a network

Номер патента: WO2013028526A1. Автор: Jonathan B. LOEW. Владелец: Keeptree, Llc. Дата публикации: 2013-02-28.

Systems and methods related to split ran architecture and security mode for future x-centric service network

Номер патента: WO2024113098A1. Автор: Xu Li,Chenchen YANG,Bidi YING,Weisen SHI. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Independent scene movement based on mask layers

Номер патента: WO2024123513A1. Автор: Rakesh Raju CHENNA MADHAVUNI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-13.

Independent scene movement based on mask layers

Номер патента: US20240193873A1. Автор: Rakesh Raju CHENNA MADHAVUNI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Electronic circuit for the switching-off of semiconductor switches in the event of critical currents

Номер патента: US20240297498A1. Автор: Stefan Hofinger,Stefan Hagenauer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-09-05.

Fabrication of rectangular or square wall elements from sheets and wall element thus made

Номер патента: RU2577521C2. Автор: Игорь Гарри ШААФ,Пауль МАЦУРА,Вальтер НИКОЛАЙ,Зимон ЙОХАМ. Владелец: С Е С Контрол Энкложе Системз Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Method for functionalizing a polymer-based substrate by chemical deposition of a thin layer

Номер патента: US20230272522A1. Автор: Julien Bras,Frederic Mercier,Raphael Boichot,Elisabeth Blanquet,Evelyne Mauret,Erwan GICQUEL,Roman REBOUD. Владелец: Institut Polytechnique de Grenoble. Дата публикации: 2023-08-31.

SYSTEM AND METHOD FOR DEPOSITING OF A FIRST AND SECOND LAYER ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20220002874A1. Автор: LAGARDE Kevin Johannes Hendrikus. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-06.

CYANIDE-FREE ELECTROLYTE COMPOSITION AND METHOD FOR THE DEPOSITION OF SILVER OR SILVER ALLOY LAYERS ON SUBSTRATES

Номер патента: US20160122890A1. Автор: Richardson Thomas B.,Schäfer Stefan. Владелец: ENTHONE INC.. Дата публикации: 2016-05-05.

Electrolyte Composition and Method for the Deposition of a Zinc-Nickel Alloy Layer on a Cast Iron Or Steel Substrate

Номер патента: US20080110762A1. Автор: Dieter Gollan,Gerard Patron,Thomas Helden,Andreas Heinz Kirchhof. Владелец: Enthone Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Method, apparatus and system for electro-deposition of a plurality of thin layers on a substrate

Номер патента: US20060243597A1. Автор: Luc Piraux,Stefan Matefi-Tempfli. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for electrolytic deposition of a zinc-nickel alloy layer on at least a substrate to be treated

Номер патента: KR102127090B1. Автор: 토마스 프레제,로니 베슈트. Владелец: 아토테크더치랜드게엠베하. Дата публикации: 2020-06-26.

Process for deposition of metals as a thin layer on a nonmetallic substrate, with intermediate deposition of hydrides by reactive cathodic sputtering

Номер патента: FR2585730A1. Автор: Georges Meunier,Jean-Pierre Manaud,Jean Michel Devalette. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 1987-02-06.

Cyanide-free electrolyte composition, and method for the deposition of silver or silver alloy layers on substrates

Номер патента: KR101409701B1. Автор: 스테판 샤퍼,토마스 리처드슨. Владелец: 엔쏜 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Laminated paper for fabrication of security documents, which contains strengthening strips

Номер патента: RU2427468C1. Автор: Андрей Борисович Курятников,Аркадий Владимирович Трачук,Александр Георгиевич Писарев,Николай Васильевич Хомутинников,Елена Самуиловна Туркина,Елена Михайловна Федорова,Дмитрий Борисович Чекунин,Михаил Анатольевич Остреров,Геннадий Егорович Иванов. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2011-08-27.

Nanoimprint and etch fabrication of optical devices

Номер патента: US12092956B2. Автор: JING Jiang,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Chien-An Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Fabrication of cellular element with coating

Номер патента: RU2536739C2. Автор: БРЮКК Рольф. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2014-12-27.

Method for joining plastic materials and products made of materials of various kind, such as natural leather, regenerated leather, natural hide, synthetic hide, fabrics of any kind, wood and the like, without the aid of any kind of bonding agents or adhesive materials, and product obtained with such joining method

Номер патента: WO2009034468A3. Автор: Mario Bertoglio. Владелец: Dibi S R L. Дата публикации: 2009-06-04.

Methods of fabrication of nano-sensor and nano-sensor array

Номер патента: US12078605B2. Автор: Navakanta Bhat,Chandra Shekhar PRAJAPATI. Владелец: Indian Institute of Science IISC. Дата публикации: 2024-09-03.

Scalable fabrication of wrinkle-free and stress-free metallic and metallic oxide films

Номер патента: US20200338861A1. Автор: Jian Sheng,Andrew R. White,Maryam Jalali-Mousavi. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2020-10-29.

Fabrication of metal organic framework materials using a layer-by-layer spin coating approach

Номер патента: US20200254421A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Osama Shekhah. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2020-08-13.

Fabrication of metal organic framework materials using a layer-by-layer spin coating approach

Номер патента: US11623203B2. Автор: Mohamed Eddaoudi,Osama Shekhah. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2023-04-11.

Fabrication of metal organic framework materials using a layer-by-layer spin coating approach

Номер патента: EP3191494A1. Автор: Mohamed Eddaoudi,Osama Shekhah. Владелец: King Abdullah University of Science and Technology KAUST. Дата публикации: 2017-07-19.

Controlled fabrication of semiconductor-metal hybrid nano-heterostructures via site-selective metal photodeposition

Номер патента: US09834856B2. Автор: Javier Vela Becerra,T. Purnima A. Ruberu. Владелец: Iowa State University Research Foundation ISURF. Дата публикации: 2017-12-05.

Device for suspension of contact wire to bearing cable

Номер патента: RU2737929C1. Автор: Владислав Сергеевич Кузьмин,Павел Михайлович Меркулов. Владелец: Павел Михайлович Меркулов. Дата публикации: 2020-12-07.

Method of ensuring contact of eye with laser device

Номер патента: RU2485923C2. Автор: Цзин Ли,Олаф КИТТЕЛЬМАНН,Клаус ФОГЛЕР,Томас ДАЙЗИНГЕР,Герхард РОБЛЬ,Бернд ЦЕРЛЬ. Владелец: Уэйвлайт Гмбх. Дата публикации: 2013-06-27.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: ZA202213473B. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: CA3181152A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: AU2021362256A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: EP4228440A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: IL278059B. Автор: . Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Procedure for fabrication of bound cloth consisting of ceramic filaments with metal matrix, device for implementation of this procedure and bound cloth fabricated by above said procedure

Номер патента: RU2411302C2. Автор: Жан-Мишель ФРАНШЕ,Жилль КЛЕЙН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2011-02-10.

Circumferential welding joint of main pipe, method for fabrication of circumferential welding joint of main pipe and main pipe

Номер патента: RU2611609C2. Автор: Сатоси ИГИ,Такахиро САКИМОТО,Томоюки ЯКОТА. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of cleaning products made of natural and artificial leather, natural and artificial fur and lining fabric of products

Номер патента: RU2751765C2. Автор: Светлана Борисовна Узенькова. Владелец: Светлана Борисовна Узенькова. Дата публикации: 2021-07-16.

Fabrication of gold nanoporous anodic aluminum oxide substrate of at-home blood phenylalanine measuring device for phenylketonuria

Номер патента: US20230349756A1. Автор: Hugh F. Garvey,Richard D. Shunnarah,Lenzi J. Williams,Devon Fish. Владелец: Metgen Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Fabrication of gold nanoporous anodic aluminum oxide substrate of at-home blood phenylalanine measuring device for phenylketonuria

Номер патента: US11933672B2. Автор: Hugh F. Garvey,Richard D. Shunnarah,Lenzi J. Williams,Devon Fish. Владелец: Metgen Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of contacting substrate with probe card

Номер патента: US09863977B2. Автор: Hiroshi Yamada,Jun Mochizuki,Kunihiro Furuya,Takanori Hyakudomi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatus and method for combined micro-scale and nano-scale C-V, Q-V, and I-V testing of semiconductor materials

Номер патента: US09551743B2. Автор: Andrew N. Erickson. Владелец: DCG Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Composition of printing ink for pile knitted fabrics of polyester fibers

Номер патента: RU2706133C1. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Алина Игоревна Григорьева,Анастасия Андреевна Гребенюк,Тамара Валентиновна Крайнова,Лидия Михайловна Хозова,Алла Владимировна Королева,Ирина Сергеевна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протекс" (ООО "Протекс"). Дата публикации: 2019-11-14.

Procedure for fabrication of hollow blade with bath-like shape of crown, also procedure for repair of such blade

Номер патента: RU2410226C2. Автор: Мишель БУЛЬНУА,Клод ПАНЬОН. Владелец: Снекма Сервис. Дата публикации: 2011-01-27.

Method of fabrication of cooling plate and cooling plate fabricated by this method

Номер патента: RU2338790C2. Автор: Никола МУСЕЛЬ,Ги ТИЙЕН,Роберт ШМЕЛЕР. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of fabrication of nickel strip

Номер патента: RU2561629C2. Автор: Теодор ШТУТ. Владелец: Теодор ШТУТ. Дата публикации: 2015-08-27.

Data carrier comprising an array of contacts

Номер патента: EP1415270A2. Автор: A. Internationaal Octrooibureau B.V. MUEHLBERGER,G. Internationaal Octrooibureau B.V. SCHAFFLER,J. H. Internationaal Octrooibureau B.V. SCHOBER. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-06.

Mask blanks and methods for depositing layers on mask blank

Номер патента: US12019367B2. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Low Temperature Fabrication of Silicon Nitride Photonic Devices

Номер патента: US20240210625A1. Автор: Jiawei Wang,Daniel J. Blumenthal,Debapam Bose. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-06-27.

A method for depositing layers on a substrate

Номер патента: EP1248866A1. Автор: Lars-Ulrik Aaen Andersen,Paul Nicholas Egginton. Владелец: Ionas AS. Дата публикации: 2002-10-16.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Installation for fabrication of metal item by rolling

Номер патента: RU2397831C2. Автор: Ульрих СКОДА-ДОПП,Вильфрид МОДРОВ. Владелец: Смс Зимаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2010-08-27.

Steel produced by powder metallurgy procedure, tool including steel and procedure for fabrication of tool

Номер патента: RU2415961C2. Автор: Стефан СУНДИН. Владелец: Эрастеел Клостер Актиеболаг. Дата публикации: 2011-04-10.

Method of fabrication of billets of coins

Номер патента: RU2383657C2. Автор: Адриан КЕМПСТЕР. Владелец: Диффьюжн Эллойс Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Method to produce fabrics of cross zigzag shadow weaves

Номер патента: RU2642725C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Method of obtaining fabrics of checkered shadow weaves

Номер патента: RU2680649C2. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Денис Александрович Мирошниченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный политехнический университет". Дата публикации: 2019-02-25.

Radial joint and procedure for fabrication of similar radial joint for vehicle

Номер патента: RU2415313C2. Автор: Юрген ШМИТЦ,Кристиан ЖИЧНИ,ген. ХАЛЛЬМАН Михаэль ХОЙЕР,Хорст ПОТТ,Беньямин ЦИБАРТ,Юрген ШМИТЦ (DE),Кристиан ЖИЧНИ (DE),ген. ХАЛЛЬМАН Михаэль ХОЙЕР (DE),Хорст ПОТТ (DE),Беньямин ЦИБАРТ (DE). Владелец: Цф Фридрихсхафен Аг. Дата публикации: 2011-03-27.

Composition and procedure for fabrication of non-fired chamotte heat resistant concrete

Номер патента: RU2377217C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Джамиля Гусейновна Магомедова,Хава Загировна Мантурова,Дауд Алимпашаевич Батырмурзаев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-27.

Fabrication of catalysed exhaust filter and catalysed exhaust filter

Номер патента: RU2564854C2. Автор: Кельд ЙОХАНСЕН. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2015-10-10.

Silver-containing fabric of vegetable origin production method

Номер патента: RU2659267C1. Автор: Галина Степановна Захарова,Наталья Владимировна Подвальная,Андрей Николаевич Еняшин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-06-29.

Fabrication of wire gauze for making of water marks, wire gauze for making of water marks, apparatus for its fabrication and document protected against counterfeit

Номер патента: RU2537132C2. Автор: Паскуале ПАЛЛОТТА. Владелец: Федригони С.П.А.. Дата публикации: 2014-12-27.

Improved fabrics of spiral weave

Номер патента: RU2378434C2. Автор: Алан Л. БИЛЛИНГЗ. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2010-01-10.

Sandwiched film, fabrication of sandwiched film and article composed of at least one sandwiched film, and device for sandwiched film fabrication

Номер патента: RU2566143C2. Автор: Дирк ЭКЕНХОРСТ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for fabrication of pile knitted fabrics

Номер патента: RU2706132C1. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Алина Игоревна Григорьева,Анастасия Андреевна Гребенюк,Тамара Валентиновна Крайнова,Лидия Михайловна Хозова,Алла Владимировна Королева,Ирина Сергеевна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протекс" (ООО "Протекс"). Дата публикации: 2019-11-14.

Method and pressing device applied for fabrication of laminated wood

Номер патента: RU2329889C2. Автор: Юкио АБЕ,Макото ИСОБЕ,Иссаку ОКАМУРА,Хиросиге ОДА,Акихито ХАМАГУТИ,Нориюки ХОНДА. Владелец: Мейнан Машинери Уоркс, Инк.. Дата публикации: 2008-07-27.

Moulding tool and method of fabrication of component

Номер патента: RU2457111C2. Автор: Марк Эдвин ФАННЕЛЛ. Владелец: Эйрбас Оперейшнз Лимитед. Дата публикации: 2012-07-27.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

Crimping structure of surface coating fabric of article

Номер патента: US20210137278A1. Автор: Chien-Yeh Chen. Владелец: Fujian Chuangxin Family Reside Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Fabrication of an optical wedge

Номер патента: WO2011109426A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2011-09-09.

Fabrication of an optical wedge

Номер патента: EP2542396A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

A mould set for fabrication of an EPS pallet and use thereof

Номер патента: AU2021331702A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-16.

Wafer-scale fabrication of vertical optical couplers

Номер патента: US20170199327A1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,Xuezhe Zheng,Stevan S. Djordjevic. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Imprint method for fabrication of low density nanopore membrane

Номер патента: US20230194991A1. Автор: Thomas Chang,Kim Yang Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-06-22.

A mould set for fabrication of an eps pallet and use thereof

Номер патента: US20230046488A1. Автор: Deenar SHASHIKANT WALAWALKAR. Владелец: Verte Technologies LLC. Дата публикации: 2023-02-16.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

A method of fabrication of thermally expanded core in polarization-maintaining optical fibre, polarization-maintaining optical fibre with a thermally expanded core, use thereof, a method of fabrication a mode-field adapter and a fibre mode-field adapter

Номер патента: EP4459338A1. Автор: Katarzyna KRUPA,Yuriy Stepanenko,Mateusz PIELACH,Agnieszka JAMROZIK. Владелец: Instytut Chemii Fizycznej of PAN. Дата публикации: 2024-11-06.

Fused filament fabrication of braze alloys

Номер патента: US12121966B2. Автор: Scott Nelson,Quinlan Yee Shuck,Raymond Ruiwen Xu,Matthew R. Gold,Brandon David Ribic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Device of contacting substrate with probe card and substrate inspection apparatus having same

Номер патента: US09915698B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Binder for the fabrication of diamond tools

Номер патента: US09764448B2. Автор: Evgeny Aleksandrovich Levashov,Vladimir Alekseevich Andreev,Viktoriya Vladimirovna Kurbatkina. Владелец: Science And Technology Misis, National University of. Дата публикации: 2017-09-19.

Carbon-bearing compound for fabrication of non-combustible smoking product heating element

Номер патента: RU2357623C2. Автор: Манабу ТАКЕУТИ,Казухико КАТАЯМА,Акихико КОИДЕ. Владелец: Джапан Тобакко Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for fabrication of the pellets of ceramic nuclear fuel, device for its realization and container

Номер патента: RU2262756C2. Автор: В.А. Астафьев,А.Е. Глушенков,М.В. Скупов,М.И. Столяров,И.А. Шкабура,В.А. Астафьев (RU),А.Е. Глушенков (RU),М.В. Скупов (RU),ров М.И. Стол (RU),И.А. Шкабура (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара". Дата публикации: 2005-10-20.

Method and device for layer fabrication of three-dimensional structure from powder material

Номер патента: RU2449891C2. Автор: Андреас ПФИСТЕР,Манди ГЕРШ. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2012-05-10.

Method for fabrication of complex-combined axially symmetric welded article

Номер патента: RU2741737C1. Автор: Иван Олегович Неймышев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-01-28.

Method and line for fabrication of insert for multilayer film and multilayer film with insert

Номер патента: RU2531749C2. Автор: Оливер МУТ,Денис ДОНАТ,Иоахим КЛЕЗЕР,Михель ХАГЕМАН. Владелец: Бундесдрукерай Гмбх. Дата публикации: 2014-10-27.

Fire-resistant hose reinforced with cord fabric of glass fibre

Номер патента: RU2589589C2. Автор: Елена ГРЭЙ,Тимоти К. ЗЕДАЛИС. Владелец: Дзе Гейтс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-10.

Fabrication of tubular section from mineral cotton and tubular section made thereby

Номер патента: RU2540128C2. Автор: Туомо ХЬЕЛЬТ. Владелец: ПАРОК ОЙ АБ. Дата публикации: 2015-02-10.

Fabrication of baffle boards, particularly, for aircraft

Номер патента: RU2519382C2. Автор: Ги Бернар ВОШЕЛЬ,Гийом РЮКЕР. Владелец: Эрсель. Дата публикации: 2014-06-10.

Procedure for fabrication of hearth-cooling plate of metallurgical furnace and produced hearth-cooling plate

Номер патента: RU2423529C2. Автор: Клод ПЛАЙМЕЛДИНГ,Никола МУСЕЛЬ,Никола МАГГЬОЛИ,Никола МУСЕЛЬ (LU),Клод ПЛАЙМЕЛДИНГ (LU),Никола МАГГЬОЛИ (FR). Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2011-07-10.

Method of connection of sleeve-bushing-type parts with interference

Номер патента: RU2742371C1. Автор: Максим Владимирович Колодяжный,Виталий Вадимович Голубовский,Николай Алексеевич Симанин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный технологический университет". Дата публикации: 2021-02-05.

Device for layer-by-layer fabrication of 3d object and method of feeding construction material

Номер патента: RU2422271C2. Автор: Йохен ФИЛИППИ,Петер КЕЛЛЕР,Томас ХАЛЬДЕР,Ханс ПЕРРЕТ,Михель ГЕТ,Герд КАНТЦЛЕР,Зигфрид ШИМИТЦЕК,Андреа ВАЙХЗЕЛЬБАУМЕР. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2011-06-27.

Device with form-die segment for fabrication of metal cellular elements and procedure for fabrication of metal cellular elements

Номер патента: RU2425726C2. Автор: Михаэль ФОИТ,Франк ФРЕХЕН. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-08-10.

Procedure for fabrication of briquettes from carbon containing materials

Номер патента: RU2437921C1. Автор: Александр Владимирович Сидорский,Олег Александрович Гогенко,Олег Иванович Толстун,Олег Олегович Гогенко. Владелец: Олег Олегович Гогенко. Дата публикации: 2011-12-27.

FABRICATION OF GaAs-BASED PHOTO INVERTER

Номер патента: RU2547004C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Светлана Валерьевна Сорокина,Владимир Петрович Хвостиков,Ольга Анатольевна Хвостикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2015-04-10.

Procedure for fabrication of processed product including silicon containing alloy of niobium and tantalum (its versions), cups of deep drawing and targets of ion sputtering produced out of it

Номер патента: RU2416656C2. Автор: Пол Р. ЭЙМОН,Керт Д. МОЗЕР,Роберт А. ДОРВЕЛ,Райан БОЛТЕР. Владелец: Х.К. Штарк Инк.. Дата публикации: 2011-04-20.

Appliance for fabrication of one-shot pouch

Номер патента: RU2573761C2. Автор: Томас ЛАРССОН,Ларс-Олоф ЛЕФМАН,Том АСПГРЕН,Деннис ЭРИКССОН. Владелец: Свидиш Мэтч Норт Юроп Аб. Дата публикации: 2016-01-27.

Fabrication of turbomachine hollow metal blade

Номер патента: RU2569614C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Николай Константинович Криони,Раис Калимуллович Давлеткулов. Владелец: Раис Калимуллович Давлеткулов. Дата публикации: 2015-11-27.

Fabric of tapes made from cut polymer film tapes for production of air cushions

Номер патента: RU2517565C2. Автор: Скотт ВЕСТОБИ. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of fabrication of wearable layer of refractory lining in casting ladles and casting moulds, also wearable layer of refractory lining fabricated by this method

Номер патента: RU2383412C2. Автор: Слагнес СТЕЙНАР. Владелец: Норт Кейп Минералз Ас. Дата публикации: 2010-03-10.

Fibrous reinforcing structure for fabrication of part of composite material

Номер патента: RU2427675C2. Автор: Доминик КУП,Эрик БУЙОН,Каролин ЛУШЕ-ПУИЛЛЬЕРИ,Реми БУВЬЕ,Франсуа ШАРЛЕ. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-08-27.

Wooven fabrics of polyester for airbags

Номер патента: RU2495167C2. Автор: Томас Эдвард ШМИТТ,Мэч А. ДЕБЕНЕДИКТИС. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А.Р.Л.. Дата публикации: 2013-10-10.

Photomask used in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US8241820B2. Автор: Jae-Han Lee,Bong-Cheol Kim,Eun-Sung Kim,Dae-Youp Lee,Byeong-hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-14.

Photomask Used in Fabrication of Semiconductor Device

Номер патента: US20100178599A1. Автор: Jae-Han Lee,Bong-Cheol Kim,Eun-Sung Kim,Dae-Youp Lee,Byeong-hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Particle removal during fabrication of electrochromic devices

Номер патента: EP3134767A1. Автор: Robert Rozbicki. Владелец: View Inc. Дата публикации: 2017-03-01.

Connectable contact lens packages for recycling

Номер патента: GB2625414A. Автор: E Alayon Rivera Javier,Sievens Figueroa Lucas,Javier Rivera Velez Jesus,A Burgos Cruz José. Владелец: CooperVision International Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Design of developable surfaces for the fabrication of containers with linear fasteners

Номер патента: WO2019197020A1. Автор: Christian Schuller,Roi Poranne,Olga Sorkine Hornung. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2019-10-17.

Fire-resistant double-faced fabric of knitted construction

Номер патента: CA3131032A1. Автор: Patricia Dolez,Mahsa KALANTARI,Jessica BUCHINSKI. Владелец: Jess Black Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for fabrication of an integrated production complex on a gravity-based structure (gbs)

Номер патента: US20240262470A1. Автор: Leonid Viktorovich MIKHELSON,Valeriy Nikolaevich RETIVOV,Sergey Gennadyevich SOLOVYEV. Владелец: Novatek PAO. Дата публикации: 2024-08-08.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: EP4375067A1. Автор: Leonid Ionov,Alla Synytska. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-29.

Nonwoven fabric of hydraulically-enyangled fibres

Номер патента: IE850004L. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1985-07-05.

Heavy-weight nonwoven fabric of hydraulically-entangled fibers

Номер патента: IE56334B1. Автор: . Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1991-06-19.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: WO2024110502A1. Автор: Leonid Ionov,Synytska ALLA. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-30.

A reinforced abs composite material of spider silk and aramid fiber along with graphene for fabrication of unmanned aerial vehicles

Номер патента: AU2020101724A4. Автор: Ganesh Kumar A. G.,Sampathkumar A.,Balamuruga Mohan Raj G.,Joshua Gnana Sekaran J.,Thirugnanasambantham K. G.,Suthershan K.,Medagam Kesava Reddy,Halesh Koti,Botika Premkumar,Keerthi Vaasan R.,Maheswar R.,Sankaramoorthy T.. Владелец: R Maheswar Dr. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for fabrication of an integrated production complex on a gravity-based structure (GBS)

Номер патента: US12103649B2. Автор: Leonid Viktorovich MIKHELSON,Valeriy Nikolaevich RETIVOV,Sergey Gennadyevich SOLOVYEV. Владелец: Novatek PAO. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods, apparatus, and systems for fabrication of polymeric nano- and micro-fibers in aligned configurations

Номер патента: US09902932B2. Автор: Amrinder Singh Nain. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of fabrication of composites by using an electron beam

Номер патента: WO2003035353A9. Автор: Luisa M Deckard,Jennifer J Zinck. Владелец: Jennifer J Zinck. Дата публикации: 2003-10-30.

Medical implant, a kit and a method of manufacturing a 3D fabric of strands for forming a medical implant

Номер патента: US09650730B2. Автор: Rüdiger OTTMA,Michael HEIPL,Sebastian TILCHNER,Kathrin Schmidt. Владелец: OCCLUTECH HOLDING AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Fabrication of highly flexible near-infrared metamaterials

Номер патента: US09610754B2. Автор: Guixin Li,Kok Wai Cheah. Владелец: Hong Kong Baptist University HKBU. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of fabrication of continuous pressing metal products, and press for continuous pressing of profiles, bars and pipes

Номер патента: RU2570857C1. Автор: Уве МУШАЛИК,Штефан ФРЕЕ,Андреас ВЕРСХОФЕН-КРОМБАХ,Корнелио ЛИОНИ. Владелец: СМС МЕЕР ГМБХ. Дата публикации: 2015-12-10.

Machine for and method of contact wire mounting

Номер патента: RU2226161C2. Автор: Йозеф Тойрер,Леопольд ГРУБЕР. Владелец: ФРАНЦ ПЛАССЕР БАНБАУМАШИНЕН-ИНДУСТРИГЕЗЕЛЬШАФТ м.б.Х.. Дата публикации: 2004-03-27.

Device for metal melting with electron bunch and procedure implementing this device for fabrication of ingot out of metal with high temperature of melting

Номер патента: RU2401872C2. Автор: Норио ЯМАМОТО,Такеси СИРАКИ,Есихиро ХАТТА. Владелец: Тохо Титаниум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-10-20.

Pattern alignment mark of semiconductor device

Номер патента: US5675418A. Автор: Sang Man Bae,Byoung Il Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-10-07.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for joining plastic materials and products made of materials of various kind, such as natural leather, regenerated leather, natural hide, synthetic hide, fabrics of any kind, wood and the like, without the aid of any kind of bonding agents or adhesive materials, and product obtained with such joining method

Номер патента: WO2009034468A2. Автор: Mario Bertoglio. Владелец: Dibi S.R.L.. Дата публикации: 2009-03-19.

Mask blanks and methods for depositing layers on mask blank

Номер патента: US20230121303A1. Автор: Hsin-Chang Lee,Pei-Cheng Hsu,Ta-Cheng Lien,Wen-Chang Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Low-defect fabrication of composite materials

Номер патента: US20240117128A1. Автор: Brian L. Wardle,Jeonyoon LEE,Diana Jean Lewis. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabrication of optical fibre soot preform

Номер патента: US20210047226A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Fabrication of nanometer and micrometer structures with continuous reliefs

Номер патента: EP2567290A1. Автор: Arne Schleunitz,Helmut Schift. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2013-03-13.

Conditioning equipment for the fabric of a fiber web machine

Номер патента: WO2010103169A1. Автор: John Fagerlund,Sami Makkonen. Владелец: METSO PAPER, INC.. Дата публикации: 2010-09-16.

Use of ionic liquids for fabrication of polynucleotide arrays

Номер патента: US20030092904A1. Автор: Geraldine Dellinger,Joel Myerson,Douglas Dellinger,Michel Perobost. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-05-15.

Fabrication of integrated computational elements using substrate support shaped to match spatial profile of deposition plume

Номер патента: EP2929319A1. Автор: Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-10-14.

Fabrication of integrated computational elements using substrate support shaped to match spatial profile of deposition plume

Номер патента: US20150337435A1. Автор: Christopher Michael Jones,David L. Perkins,Robert Paul Freese,Richard Neal GARDNER. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Prediction of and support readiness for future business intents

Номер патента: US20240257021A1. Автор: Stephen James Todd,Robert Anthony Lincourt, Jr.,Eloy Francisco Macha. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-01.

Fabrication of integrated circuit

Номер патента: WO2002042846A3. Автор: John Paul Drake. Владелец: John Paul Drake. Дата публикации: 2003-05-01.

Fabrication of integrated circuit

Номер патента: WO2002042846A2. Автор: John Paul Drake. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2002-05-30.

Method of fabrication of photonic biosensor arrays

Номер патента: US20110294679A1. Автор: Andrew Mark Shaw,Rouslan Vladimir Olkhov. Владелец: Attomarker Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Tools and methods for fabrication of thermoplastic panels

Номер патента: US20240316839A1. Автор: Ozlem Turkarslan,Feride Nur Sasal. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Reducing call stack usage for future object completions

Номер патента: US12099870B2. Автор: Julien Viet,Thomas Segismont. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

System, method and apparatus for pattern clean-up during fabrication of patterned media using forced assembly of molecules

Номер патента: US20120091096A1. Автор: Huey-Ming Tzeng,Qing Dai,Dan Saylor Kercher. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2012-04-19.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US9244225B1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-26.

Fabrication of low-loss, light-waveguiding, orientation-patterned semiconductor structures

Номер патента: US20160025927A1. Автор: Thomas F. Kuech,Dan Botez,Luke J. Mawst,Steven Christopher Ruder. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Method and apparatus for the fabrication of a container, such as a beverage container

Номер патента: US09993958B2. Автор: Guillaume Chauvin,Klaus Hartwig,Damien Kannengiesser. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2018-06-12.

Spunbond method for producing non-woven fabric of natural cellulose with flame-retarding feature

Номер патента: US09869042B2. Автор: Wen-Tung Chou,Ming-Yi Lai,Kun-Shan Huang. Владелец: Acelon Chemicals and Fiber Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Process and device for direct fabrication of a part on a structure

Номер патента: US09827716B2. Автор: Yann-Henri Laudrain. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Fabrication of diamond shells

Номер патента: US09481930B2. Автор: Juergen Biener,Christoph Wild,Eckhard Woerner,Alex V. Hamza. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Method of connecting shaped profiler tubes

Номер патента: RU2692581C1. Автор: Альберт Габидуллович Зайнуллин,Юрий Иванович Петлин,Габдрашит Султанович Абдрахманов,Нафис Ягфарович Тимкин,Андрей Анатольевич Анисимов,Вячеслав Геннадьевич Подножкин,Ильдар Рустамович Мухамадеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Перекрыватель" (ООО "Перекрыватель"). Дата публикации: 2019-06-25.

Fabrication of orifices with lowly located cavitation source

Номер патента: RU2526635C2. Автор: ШАНТЦ Штефан,ЗЕЕЛЬБАХ Клаус. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-08-27.

Press-tool for fabrication of burning products

Номер патента: RU2601475C2. Автор: Юрий Михайлович Михайлов,Роза Фатыховна Гатина,Татьяна Александровна Енейкина,Марсель Ильдусович Гайнутдинов,Сергей Васильевич Солдатов,Гульфия Литанатовна Эсентемирова. Владелец: Федеральное казенное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт химических продуктов" (ФКП "ГосНИИХП"). Дата публикации: 2016-11-10.

Articles from fabric of ptfe and method of their manufacturing

Номер патента: RU2469133C1. Автор: Норман КЛАФ. Владелец: Гор Энтерпрайз Холдингс, Инк.. Дата публикации: 2012-12-10.

Method of fabrication of ceramic casting cores for blades of turbomachines

Номер патента: RU2374031C2. Автор: Кристиан ДЕФРОКУР,Серж ПРИЖЕН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2009-11-27.

Fabrication of composite parts on the base of the thermoplastic armour

Номер патента: RU2655976C2. Автор: Аарон В. БАРТЕЛ,Дэвид Е. ГИДЕОН,Майкл Х. ЛАРСОН. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-05-30.

Fabrication of forged parts of light alloy with hollow or thinned sections

Номер патента: RU2578282C2. Автор: Ромен ЭПАЛЬ,Вероник БУВЬЕ,Эмиль Тома ДИ СЕРИО. Владелец: Сен Жан Эндюстри. Дата публикации: 2016-03-27.

Fabrication of flat wire gauze and flat wire gauze

Номер патента: RU2542882C2. Автор: Алексей Валентинович Кравцов. Владелец: Алексей Валентинович Кравцов. Дата публикации: 2015-02-27.

Device for fabrication of formed fibrous article with 3d outline

Номер патента: RU2577489C2. Автор: Марко Антонио АЛКМИН,Жозе Франсиско КАУ,Иваир Луис ДУАРТЕ,Рейналдо Лоренсо ФАРИЯ,Франсиску Х. В. ЭРНАНДЕС,Франсиску Антонью РИМОЛИ,Франсиско Савастано НЕТО,Алесандре Тейсейра ЯМАСИТА,Жозе Мануэл Соарес КОТИНЬЮ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Ду Бразил Индустрия Э Комерсиу Ди Продутус Пара Сауди Лтда.. Дата публикации: 2016-03-20.

Fabrication of heat-barrier protection and sandwiched coating that can generate said heat barrier

Номер патента: RU2561550C2. Автор: Жюстин МЕНЮЕ,Флоранс АНСАР,Жан-Пьер БОНИНО,Жюстин ФЕНЕШ,Селин ВЬЯЗЗИ. Владелец: Юниверсите Поль Сабатье-Тулуз Iii. Дата публикации: 2015-08-27.

Device for removal of powder wastes during fabrication of light guides

Номер патента: RU2712998C1. Автор: Михаил Артемьевич Ероньян,Александр Алексеевич Унтилов,Алексей Юрьевич КУЛЕШ,Евгений Евгеньевич Татаринов,Сергей Александрович Носков. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Центральный научно-исследовательский институт "Электроприбор". Дата публикации: 2020-02-03.

Fabrication of cans

Номер патента: RU2573850C2. Автор: Стюарт МОНРО,Ален ПРЕССЕ,Джонатан РАЙЛИ,Кейт ВИНСЕНТ. Владелец: Краун Пэкэджинг Текнолоджи, Инк.. Дата публикации: 2016-01-27.

Machine for fabrication of stator shaft

Номер патента: RU2683674C2. Автор: Штеффен РИТМЮЛЛЕР. Владелец: грайнер пэкиджинг аг. Дата публикации: 2019-04-01.

Method for fabrication of complex thin-walled welded article with thick-wall suspended elements

Номер патента: RU2718507C1. Автор: Александр Николаевич Новиков,Елена Александровна Лебедева,Владимир Анатольевич Белашов,Андрей Вениаминович Завьялов,Лариса Викторовна Деревянкина,Дмитрий Семенович Устинов,Алексей Владимирович Сметанин. Владелец: Акционерное общество «Научно-производственная корпорация «Уралвагонзавод» имени Ф.Э. Дзержинского». Дата публикации: 2020-04-08.

Device for fabrication of ceramic fibres coated with thick metal shell from liquid phase

Номер патента: RU2569197C2. Автор: Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЕ,Жилль Шарль Казимир КЛЕЙН,Жераль САНЧЕС. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-11-20.

Track assembly link with two lateral support elements and method of fabrication of said support element for such track assembly

Номер патента: RU2530947C2. Автор: Леннарт БУРСТРЕМ. Владелец: Олофсфорс Аб. Дата публикации: 2014-10-20.

Combined profile with bearing element out of material on base of light metal and surface mounted band, also method of fabrication of this combined profile

Номер патента: RU2384426C2. Автор: Дитхельм ВЁМПНЕР,Тимо НЕТЦЕЛЬ,Дитхельм ВЁМПНЕР (DE),Тимо НЕТЦЕЛЬ (DE). Владелец: Алкан Технолоджи Энд Мэниджмент Лтд.. Дата публикации: 2010-03-20.

Fabrication of friction part based on carbon-carbon composite

Номер патента: RU2581400C2. Автор: Эрик ЛЕРМ,Жан-Мари ЖУЭН,Филипп ТЮРЖИ. Владелец: Мессье-Бугатти-Доути. Дата публикации: 2016-04-20.

Reactor for heat treatment of mixes, fabrication of reactor, its application and application of produced products

Номер патента: RU2572981C2. Автор: Люси Б. УИЛЕР. Владелец: Энвайролли Инк.. Дата публикации: 2016-01-20.

Fabrication of holograms on plastic substrates

Номер патента: US4330604A. Автор: John E. Wreede,Andrejs Graube,Mark A. Mulvihill. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1982-05-18.

Device for fabrication of container, in particular, with ampoule shape, from thermoplastic material

Номер патента: RU2564353C2. Автор: Бернд ХАНСЕН. Владелец: Бернд ХАНСЕН. Дата публикации: 2015-09-27.

Cellular element with ceramic structure and orifice for sensor and procedure for fabrication of such cellular element

Номер патента: RU2414605C2. Автор: Рольф БРЮКК. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2011-03-20.

Fabrication of lever from composite including crosswise thrust bearing to accommodate fixed or running axle

Номер патента: RU2526457C2. Автор: Ришар МАССОН,Патрик ДЁНЛЕАВИ. Владелец: Мессье-Бюгатти-Довти. Дата публикации: 2014-08-20.

Fabrication of filled container for inhaler

Номер патента: RU2562017C2. Автор: Саймон Кристофер БЕРРИ,Агнесс Клод Марсель Пьеретт КОЛОМБАНИ,Дункан Чарльз ДИКИ,Иан Марк ФЛЕТЧЕР,Дарен Джеймс ХОДСОН,Роберт Бернард ДЖЭНСЕН,Кэтрин Джейн ЛИ,Эндрю Джон ЛАДЗИК,Тим ПЭЙДЖ. Владелец: Астразенека Юкей Лимитед. Дата публикации: 2015-09-10.

Procedure and device for fabrication of tuyers or cores, in particular for foundry

Номер патента: RU2397841C2. Автор: Йоахим ЛЕМПЕ. Владелец: Лемпе унд Мёсснер ГмбХ. Дата публикации: 2010-08-27.

Fabrication of vessels and vessel thus made

Номер патента: RU2559009C2. Автор: Джузеппе ТЕРРАЗИ. Владелец: СОРЕМАРТЕК С.А.. Дата публикации: 2015-08-10.

Moulding tool for fabrication of parts reinforced by fibres

Номер патента: RU2577385C2. Автор: Юрген ФИЛЬЗИНГЕР,Франк ШТРАХАУЕР. Владелец: Еадс Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2016-03-20.

Dispenser for consumer goods and method of fabrication of sectioned tape packing

Номер патента: RU2568099C2. Автор: Дэвид ФИЛЛИПС,Нима ПУРАЙАН,Шаши МИШРА,Атану ПАЛИТ,Винод ВИБХУТ,Виджендер СИНГХ,Ной ПЕНТЕЛОВИЧ. Владелец: Вм. Ригли Дж. Компани. Дата публикации: 2015-11-10.

Procedure for fabrication of high strength banded forming roll

Номер патента: RU2429300C1. Автор: Виталий Германович Лешковцев,Андрей Иванович Плохих,Алексей Михайлович Покровский,Елена Баторовна Бочектуева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана"(МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2011-09-20.

Device and method of automatic fabrication of tape with threads for visualisation of air streams on aerodynamic surfaces

Номер патента: RU2344398C2. Автор: МОНТИЛЛА Эва Мари МЕНДЕЦ,МОНТИЛЛА Эва Мария МЕНДЕЦ,Сюзанн ВИРЕМБЕК,Тим МЕННИНГ. Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2009-01-20.

Improved method of treating a fabric of woven or interlaced thermoplastic threads and device for carrying the method into effect

Номер патента: GB1045590A. Автор: . Владелец: Welinberger Guy J O. Дата публикации: 1966-10-12.

Airbag fabric of improved durability and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230322179A1. Автор: Sang-Mok Lee,Ki Jeong Kim,Jin Wook Heo,G-Woong KIM. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Nanoshape patterning techniques that allow high-throughput fabrication of functional nanostructures with complex geometries on planar and non-planar substrates

Номер патента: WO2023172766A2. Автор: Sidlgata V. Sreenivasan,John Ekerdt,David Choi,Parth Pandya. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2023-09-14.

Fabrication of metallic optical metasurfaces

Номер патента: EP3781969A1. Автор: Gleb M. Akselrod,Mark C. Weidman,Erik Edward Josberger. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2021-02-24.

Fabrication of metallic optical metasurfaces

Номер патента: WO2019195163A1. Автор: Gleb M. Akselrod,Mark C. Weidman,Erik Edward Josberger. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2019-10-10.

Fabrication of thermally stable nanocavities and particle-in-cavity nanostructures

Номер патента: US20180363126A1. Автор: Cheng Xu,YANG Zhao,Luping Li,Kirk Jeremy Ziegler,Justin C. Wong. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication of Novel Cylindrical Thermosyphon for Effective Heat Transfer and its Performance Analysis Using Machine Learning Approach

Номер патента: AU2020103771A4. Автор: Nasim Hasan .,Dadapeer Basheer,Dr. C. Karthik Jyothi Engineering College,Sivachitra M.,Saboor S,Aruna Kumar Behura Vellore Institute of Technology. Владелец: S Saboor Dr. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for fabrication of optical element having metal ring

Номер патента: US6935136B2. Автор: Kimihiro Kikuchi,Motohiko Otsuki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-30.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A3. Автор: Shital YADAV,Sandra SHARMA. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2016-08-18.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A8. Автор: Chandra Shekhar SHARMA,Shital YADAV. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2017-07-06.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: WO2016083883A2. Автор: Shital YADAV,Sandra SHARMA. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2016-06-02.

Apparatus and method for creating non-fungible tokens (NFTs) for future user experiences

Номер патента: US12039464B2. Автор: Linda Lee Richter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-16.

Clip-on mask frame

Номер патента: US20240225149A1. Автор: Takeuchi TSUNEO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US11912604B2. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Lace fabric of helical structure containing twisted optical fiber threads and production method therefor

Номер патента: US12044874B2. Автор: Zhi Huang,Zhenjiang Qu. Владелец: Foshan Jiepin Toy Industrial Co ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonwoven card for the production of nonwoven fabric of fiber material

Номер патента: US20040187267A1. Автор: Heinz-Werner Naumann-Burghardt,Robert Kamprath,Siegfried Brnhardt. Владелец: Spinnbau GmbH. Дата публикации: 2004-09-30.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: US20230225391A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for the Fabrication of a Steel Product comprising a step of characterization of a Layer of Oxides on a Running Steel Substrate

Номер патента: US20180283849A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: CA2999801C. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: EP3356803A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-08-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: WO2017056061A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal. Дата публикации: 2017-04-06.

Fabrication of nano-scale temperature sensors and heaters

Номер патента: US7009487B1. Автор: Dan Zhou,Fred Stevie,Lee Chow. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2006-03-07.

Fabrication of suspended carbon micro and nanoscale structures

Номер патента: US20100051446A1. Автор: Marc J. Madou,Chunlei Wang,Kartikeya Malladi,Rabih B. Zaouk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Seamless stitching for multi-reticle fabrication of integrated photonics optical components

Номер патента: WO2022212881A1. Автор: Avi Feshali,Mario Paniccia,Warren Bruce Jin. Владелец: Anello Photonics, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Fabrication of portable device for easy detection on newborn ringworm using deep learning

Номер патента: AU2021101962A4. Автор: Sumanta BHATTACHARYA,Pranati Rakshit,Purnendu Bikash Acharjee,Ram Murat Singh,Subhashree Abinash,Manish Dadhich,Sakthipandi K.,Kamal Kant Hiran,Nirbhay Kumar Chaubey,Bhupesh Kumar Singh,Mayuri Mehta,Stephanie Noronha,Bhavisha Parmar,Durga Prasad Sharma. Владелец: Parmar Bhavisha Ms. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US20210047223A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Process of fabrication of submicron aligned hydrophobic and oleophilic fibre from polystyrene waste with controllable geometry using-citrus peel extract as solvent

Номер патента: US20170260352A1. Автор: Shital YADAV,Shekhar Chandra Sharma. Владелец: Indian Institute of Technology Hyderabad. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonwoven card for the production of nonwoven fabric of fiber material

Номер патента: US7152278B2. Автор: Siegfried Bernhardt,Heinz-Werner Naumann-Burghardt,Robert Kamprath. Владелец: Spinnbau GmbH. Дата публикации: 2006-12-26.

Process for galvanic depositing of a dispersion layer on a work piece surface

Номер патента: US20020000381A1. Автор: Thomas Rumpf. Владелец: Miba Gleitlager Austria GmbH. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for the fabrication of a fluid flow regulating pad for a lateral flow immunoassay and corresponding lateral flow immunoassay

Номер патента: US20240255501A1. Автор: Ye TANG,Silvia GENERELLI,Hui Chai Gao. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabrication of corrosion-resistant tubing using minimal quantities of specialized material

Номер патента: US12117166B2. Автор: Eric Willis. Владелец: Caliber Elements LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for the fabrication of composite insulations

Номер патента: US3823026A. Автор: G Brunar. Владелец: Meynadier and Cie AG. Дата публикации: 1974-07-09.

Direct fabrication of mixed metal and polymer palatal devices

Номер патента: US20240358477A1. Автор: Jun Sato,Yuxiang Wang. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Fabrication of free standing membranes and use thereof for synthesis of nanoparticle patterns

Номер патента: US09829793B2. Автор: Jun Yang,Tingjie LI. Владелец: University of Western Ontario. Дата публикации: 2017-11-28.

Lens precursor with features for the fabrication of an ophthalmic lens

Номер патента: US09664923B2. Автор: P. Mark Powell,Christopher Wildsmith,Michael Widman. Владелец: Johnson and Johnson Vision Care Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Dynamic time multiplexing fabrication of holographic polymer dispersed liquid crystals for increased wavelength sensitivity

Номер патента: US09625878B2. Автор: Adam K. Fontecchio,Kashma Rai. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-18.

Process and equipment for the fabrication of glass containers with internally threaded neck

Номер патента: US09440761B2. Автор: Benoit Villaret De Chauvigny,Gino Giovanni Brignolo,Ambrogio Morettin,Federico Campodonico,Dalmazio Perrone. Владелец: Owens Brockway Glass Container Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Device for fabrication of elastomer articles

Номер патента: RU2455160C1. Автор: Торстен ШТИККЕЛЬ,Маркус ДЕНЕР,Маркус ФЕРБЕР,Торстен ШТИККЕЛЬ (DE),Маркус ДЕНЕР (DE),Маркус ФЕРБЕР (DE). Владелец: Карл Фройденберг Кг. Дата публикации: 2012-07-10.

METHOD OF ELECTROCHEMICAL DEPOSITION OF PERMALLOY FILMS Ni81Fe19 FOR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: RU2710749C1. Автор: Роберт Дмитриевич Тихонов. Владелец: Роберт Дмитриевич Тихонов. Дата публикации: 2020-01-13.

Nanoparticle aggregation in binder jetting fabrication of metal parts

Номер патента: US20180236545A1. Автор: Michael Andrew Gibson,Christopher Benjamin Renner,Anna Marie Trump. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Adding currently-previewed media title to list for future use

Номер патента: US20110035258A1. Автор: Andrew J. Ivory,Barry J. Pellas,Matthew T. Pellas,Matthew K. Thomas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: EP2630529A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: US20120099828A1. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Fabrication of optically smooth light guide

Номер патента: EP2359171A2. Автор: Kurt Allen Jenkins. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Fabrication of optically smooth light guide

Номер патента: WO2010075048A2. Автор: Kurt Allen Jenkins. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

System, method, and program product for synthesizing heat exchanger networks and identifying optimal topology for future retrofit

Номер патента: WO2011059599A2. Автор: Mahmoud Bahy Noureldin. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2011-05-19.

Curable compositions comprising a polymerizable reactive diluent for fabrication of orthodontic appliances

Номер патента: US20240191006A1. Автор: Michael Christopher Cole,Umesh Upendra CHOUDHARY,Jennifer Marie CHAVEZ,Jessica Kalay SU,Raymond Bao THAI. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Process for the fabrication of metal products

Номер патента: US3609852A. Автор: Andre Maigret,Maurice Lachaussee. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-10-05.

System and method for fabrication of bulk nanocrystal alloy

Номер патента: WO2018187900A1. Автор: Peng Chen,Feng Gong,Zhiyuan Liu,Dengji GUO. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-10-18.

Fabrication of ceramics from celestial materials using microwave sintering and mechanical compression

Номер патента: US20230280098A1. Автор: James G. Small,Joel C. Sercel. Владелец: Trans Astronautica Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

System for providing impressions based on consumer preferences for future promotions

Номер патента: US12045857B2. Автор: Injae Lee. Владелец: Byte Dance Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: MY130413A. Автор: Witold Kula,Alexander Michael Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Tech Nl. Дата публикации: 2007-06-29.

Fabrication of patterned arrays

Номер патента: US20160303534A1. Автор: Wei Zhou,Jian Cao,Glenn McGall,Filip CRNOGORAC. Владелец: Centrillion Technology Holdings Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Fabrication of patterned arrays

Номер патента: EP3077543A2. Автор: Wei Zhou,Jian Cao,Glenn McGall,Filip CRNOGORAC. Владелец: Centrillion Technology Holdings Corp. Дата публикации: 2016-10-12.

Fabrication of a laminated optical wedge

Номер патента: WO2012054211A2. Автор: Timothy Large,Kurt Allen Jenkins,Rajesh Manohar Dighde. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-26.

Use of silintaphin for the structure-directed fabrication of (nano) composite materials in medicine and (nano) technology

Номер патента: WO2010124843A3. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Matthias WIENS. Дата публикации: 2010-12-29.

Use of Silintaphin for the Structure-Directed Fabrication of (Nano)Composite Materials in Medicine and (Nano)Technology

Номер патента: US20100273981A1. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Use of silintaphin for the structure-directed fabrication of (nano) composite materials in medicine and (nano) technology

Номер патента: WO2010124843A2. Автор: Heinz C. SCHRÖDER,Xiaohong Wang,Werner E.G. Muller,Matthias WIENS. Владелец: Matthias WIENS. Дата публикации: 2010-11-04.

Method and apparatus for high-throughput maskless fabrication of polymer scaffolds and biological tissues in multi-well plates

Номер патента: CA3136444A1. Автор: WEI Wei,Wei Zhu. Владелец: Allegro 3D Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Fabrication of air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: US20170351095A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: US20050226998A1. Автор: Witold Kula,Alexander Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2005-10-13.

Fabrication of self-aligned reflective/protective overlays on magnetoresistance sensors, and the sensors

Номер патента: EP1426781A3. Автор: Witold Kula,Alexander Michael Zeltser. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2006-11-22.

Tubular scaffold for fabrication of heart valves

Номер патента: US09968446B2. Автор: Arash Kheradvar,Seyedhamed Alavi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2018-05-15.

Stitched one-and-half layer compressed fabric of small thickness made from monofilament threads

Номер патента: RU2326202C2. Автор: Гленн КОРНЕТТ. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-06-10.

Textile fabric of aramid fibre and its use

Номер патента: RU2533134C2. Автор: Рюдигер ХАРТЕРТ,Петер Герард АККЕР. Владелец: Тейджин Арамид Гмбх. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for fabrication of false nail with 3d decoration

Номер патента: RU2493759C2. Автор: Сун Ён ЧХАН. Владелец: Сун Ён ЧХАН. Дата публикации: 2013-09-27.

Tower with transitional part and method of fabrication of tower with transitional part

Номер патента: RU2564328C2. Автор: Стефан Богл,Мартин ХИРЛЬ,Йозеф КНИТЛЬ. Владелец: МАКС БОГЛ БАУУНТЕРНЕМУНГ ГМБХ унд КО. КГ. Дата публикации: 2015-09-27.

Method to produce epitaxial filiform nanocrystals of semiconductors of permanent diameter

Номер патента: RU2456230C2. Автор: Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин,Герман Александрович Сладких,Александр Федорович Татаренков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-07-20.

Yarn and fabrics of fibre mixture containing oxidized polymer fibres

Номер патента: RU2552248C2. Автор: Зеб У. ЭТКИНСОН. Владелец: Инвиста Текнолоджиз С.А Р.Л.. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of manufacturing high-density, including optical, ceramics using electrophoretic deposition of nanoparticles

Номер патента: RU2638205C1. Автор: Максим Геннадьевич Иванов,Елена Григорьевна Калинина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2017-12-12.

Console device for horizontal contactless driving of semiconductor plates in diffusion furnace

Номер патента: RU2684335C2. Автор: Геннадий Васильевич Перов. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2019-04-08.

Ignition system in combustion chamber of gas turbine engine, comprising spark plug of semiconductor type, combustion chamber, comprising such spark plug and gas turbine engine

Номер патента: RU2501963C2. Автор: Дени Жан Морис САНДЕЛИ. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2013-12-20.

Method of semiconductor phototransformer manufacturing

Номер патента: RU2349002C1. Автор: Владимир Иванович Поляков,Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,ков Владимир Иванович Пол. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-03-10.

Method of semiconductor beta-voltaic cells manufacturing based on nickel-63 radionuclide

Номер патента: RU2715735C1. Автор: Сергей Михайлович Миронов,Владислав Яковлевич Панченко,Валерий Александрович Фирсов,Антон Валерьевич Лабозин,Алексей Борисович Дьячков,Михаил Алексеевич Поликарпов,Алексей Анатольевич Горкунов,Глеб Олегович Цветков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2020-03-03.

Method of measuring transient thermal characteristics of semiconductor products

Номер патента: RU2639989C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-12-25.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Method of and apparatus for drying "crepe" and other fabrics of paper, hair, wool or other material

Номер патента: GB460306A. Автор: . Владелец: William Ridgway. Дата публикации: 1937-01-26.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210109499A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-04-15.

Fabrication of waveguide structures

Номер патента: US11852869B2. Автор: Frank Zaugg,Joshua Wayne PARKS. Владелец: Fluxus Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Fused filament fabrication of high entropy alloys

Номер патента: US11820070B2. Автор: Scott Nelson,Quinlan Yee Shuck,Raymond Ruiwen Xu,Matthew R. Gold,Brandon David Ribic. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230244209A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-03.

System, method, and program product for synthesizing heat exchanger networks and identifying optimal topology for future retrofit

Номер патента: EP2494476A2. Автор: Mahmoud Bahy Noureldin. Владелец: Aramco Services Co. Дата публикации: 2012-09-05.

Apparatus and method for creating non-fungible tokens (nfts) for future user experiences

Номер патента: US20240160967A1. Автор: Linda Lee Richter. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230376005A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US11726450B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230033300A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210149367A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20210223756A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2021-07-22.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US20230251625A1. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Fabrication of waveguide structures

Номер патента: US20240085629A1. Автор: Frank Zaugg,Joshua Wayne PARKS. Владелец: Fluxus Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

System, method, and program product for synthesizing heat exchanger networks and identifying optimal topology for future retrofit

Номер патента: WO2011059599A3. Автор: Mahmoud Bahy Noureldin. Владелец: Aramco Services Company. Дата публикации: 2012-07-26.

Construction or fabrication of an assembly comprising a joist or rafter

Номер патента: AU2022202682A1. Автор: Bernard Joseph Kennelly. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and apparatus for continuous fabrication of fiber-bundle-based and tape-base preforms

Номер патента: US20210114316A1. Автор: Christopher Bender,Todd Pelman,Erick Davidson,Ethan ESCOWITZ,J. Scott PERKINS,Cory BLOOME,Dylan HARPER,Kameron Butler. Владелец: Arris Composites Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Fabrication of an aptamer biosensor based on quantum dots for detection and elimination of salmonella

Номер патента: AU2021100518A4. Автор: Wei Wu,Juan Tang,Feifei SUN,Qingli Yang. Владелец: Qingdao Agricultural University. Дата публикации: 2021-04-22.

Surface layer on a ceramic matrix composite

Номер патента: US20200199033A1. Автор: Sungbo Shim,Camila Bortoluzzi,Andrew Phillip Kao. Владелец: Rolls Royce High Temperature Composites Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for electrophoretic deposition of brazing material

Номер патента: EP1042542A1. Автор: Mark Lawrence Hunt,Paul Stephen Korinko. Владелец: Allison Engine Co Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

Method for electrophoretic deposition of brazing material

Номер патента: EP1042542A4. Автор: Mark Lawrence Hunt,Paul Stephen Korinko. Владелец: Allison Engine Co Inc. Дата публикации: 2002-03-20.

Method for electrophoretic deposition of brazing material

Номер патента: WO1999022046A1. Автор: Mark Lawrence Hunt,Paul Stephen Korinko. Владелец: Allison Engine Company, Inc.. Дата публикации: 1999-05-06.

Method and apparatus for producing spunbonded fabrics of filaments

Номер патента: EP1629142A1. Автор: Henning Roettger,Michael Voges,Ralf Sodemann. Владелец: Corovin GmbH. Дата публикации: 2006-03-01.

Method and electronic device for recognizing object based on mask updates

Номер патента: US20240177451A1. Автор: Yongjin Kwon,Tae-Hyun Oh,Ye-Bin MOON. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for sub-austenite transformation temperature deposition of inorganic particles and articles produced by the same

Номер патента: US12110597B2. Автор: Thomas William Brew,Obiefuna Chukwuemeka Okafor,Dennis Michael BROWN,Brian James MILLER. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabrication of a non-pneumatic survivable tire and wheel assembly

Номер патента: US09475244B2. Автор: Eldon C. Rogers,Timothy L. Williams. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Device for fabrication of composite part by resin injection

Номер патента: RU2566793C2. Автор: Флоранс КАСТАНЬЕ,Эрве ЮРЛЕН,Патрик МАРТЕН,Ален Д'АКЕНТО,Мариус МИАЛЮТА,Луи БЕТТЕГА,Жан-Пьер КОШУА,Жером СИНИ,Ришар МАНЖЕНО,Франсуа ПЕРРЕН. Владелец: Поль Де Пластюржи Де Л'Эст. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of fabricating of steel sheets hardened with firing, steel sheets and parts

Номер патента: RU2338792C2. Автор: Жоэль МАРСАЛЬ,Фернанд КИРШ,Доминик МЕСКОЛИНИ. Владелец: Юзинор. Дата публикации: 2008-11-20.

Procedure for fabrication of part with insertion out of composite material with metal matrix and ceramic fibres

Номер патента: RU2414524C2. Автор: Жан-Мишель ФРАНШЕ,Жилль КЛЕЙН,Жан-Франсуа ФРОМЕНТЭН,Кристоф ГРОСБУА. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2011-03-20.

Bearing structural section, method of its application and its application for fabrication of vehicle body reinforced part

Номер патента: RU2576305C2. Автор: Штеффен БЮРКНЕР,Йохен ШОЛЛЕР,Эрик ХАНЗЕН. Владелец: Премиум Аэротек Гмбх. Дата публикации: 2016-02-27.

Fabrication of straightener and straightener thus made

Номер патента: RU2564740C2. Автор: Жорж ДЮШЕН. Владелец: Текспейс Аэро С.А.. Дата публикации: 2015-10-10.

Fabrication of laminate tooling using closed-loop direct metal deposition

Номер патента: US20020165634A1. Автор: Timothy Skszek. Владелец: POM Group. Дата публикации: 2002-11-07.

Method and device for fabrication of mask for laser unit for production of microstructures

Номер патента: RU2580901C2. Автор: Шарль БОЭГЛИ,Стеффен ВАЙССМАНТЕЛЬ,Гюнтер РАЙСС,Энди ЭНГЕЛ,Рене БОЭТТЧЕР,Вернер СТЕФФЕН. Владелец: БОЭГЛИ-ГРАВЮР С.А.. Дата публикации: 2016-04-10.

Spring steel, procedure for fabrication of spring out of this steel ans spring out of this steel

Номер патента: RU2397270C2. Автор: Нао ЁСИХАРА,Казухиса КАВАТА,Жюли МУГЕН,Жак ЛАНГИЙОМ. Владелец: Аскометаль. Дата публикации: 2010-08-20.

Composition of martensite stainless steel, procedure for fabrication of mechanical tool out of this steel and part fabricated by this procedure

Номер патента: RU2415196C2. Автор: Жак МОНТАНЬОН. Владелец: Обер Э Дюваль. Дата публикации: 2011-03-27.

Device and method of manufacturing nonwoven spun fabric of elementary fibres

Номер патента: RU2613869C2. Автор: Ханс-Георг Геус,Детлеф ФРЕЙ,Клаудио ЧИНКУЭМАНИ,Петер ШЛАГ. Владелец: Райфенхойзер Гмбх Унд Ко. Кг Машиненфабрик. Дата публикации: 2017-03-21.

Fabrication of straight insert from metal-based composite

Номер патента: RU2557400C2. Автор: Ришар МАССОН,Жан-Мишель Патрик Морис ФРАНШЕ,Жилль Шарль Казимир КЛЕЙН,Луи САЛЬВА. Владелец: Мессье-Бугатти-Даути. Дата публикации: 2015-07-20.

Method of fabrication of accessible suspended ceilings and system of sections for such ceilings

Номер патента: RU2215853C2. Автор: Ханс-Хайнц БИРКМЮЛЛЕР,Манфред КАЙЗЕР. Владелец: Кнауф Интеграль Кг. Дата публикации: 2003-11-10.

Procedure and substrate for fabrication of parts of composite materials by means of compaction of chemical infiltration with gas phase

Номер патента: RU2429212C2. Автор: Стефан ГУЖАР,Бруно БЕРНАР,Себастьен БЕРТРАН,Жак ТЕБО. Владелец: Снекма Пропюльсьон Солид. Дата публикации: 2011-09-20.

Steel plate for fabrication of light weight constructions and procedure for production of this plate

Номер патента: RU2416671C2. Автор: Оливье БУАЗИЗ,Жан-Клод ШЕВАЛЛО,Фредерик БОННЕ. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2011-04-20.

Composition and procedure for fabrication of non-fired chromium-magnesite heat resistant concrete

Номер патента: RU2377219C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Абдулла Магомедсаламович Гаджиев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Аминат Магомедовна Газимагомедова,Зурхай Зайбуллаевич Гусейнов,Эльмира Магомедовна Мутаева. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-27.

Method of fabrication of solder reflow interconnections for facedown bonding of semiconductor devices

Номер патента: AU6005069A. Автор: JR. and ILAN AURIEL BLECK EDWARD FRANK DUFFEK. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1971-03-04.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND PROCESS FOR CONTINUOUS DEPOSITION OF A DOPED THIN FILM LAYER ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120028393A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-02-02.

VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND PROCESS FOR CONTINUOUS DEPOSITION OF A DOPED THIN FILM LAYER ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120052617A1. Автор: Zhao Yu,Feldman-Peabody Scott Daniel,Johnson James Neil. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-03-01.

SUBSTRATE PROCESSING INCLUDING A MASKING LAYER

Номер патента: US20120001320A1. Автор: Kumar Nitin,Duong Anh,Lang Chi-I,Chiang Tony P.,BOUSSIE Thomas R.,Malhotra Sandra G.,Fresco Zachary,Tong Jinhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of bimetal by means of explosion welding

Номер патента: RU2338636C1. Автор: Владимир Ильич Лысак,Сергей Викторович Кузьмин,Анатолий Германович Кобелев,Юрий Георгиевич Долгий,Павел Александрович Байдуганов,Александр Меркурьевич Байдуганов. Владелец: Александр Меркурьевич Байдуганов. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Fabrication Of Solar Cells With Counter Doping Prevention

Номер патента: US20120000522A1. Автор: Li Bo,DENNIS Timothy D.,COUSINS Peter John. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of packet wood unit

Номер патента: RU2520644C1. Автор: Антон Викторович Хрипко. Владелец: Антон Викторович Хрипко. Дата публикации: 2014-06-27.

Attachment unit of contact element

Номер патента: RU2109379C1. Автор: Ю.К. Стешин. Владелец: Акционерное общество "ЗЭТА". Дата публикации: 1998-04-20.

Procedure for fabrication of flange connection

Номер патента: RU2428616C2. Автор: Николай Дмитриевич Федоренко,Виктор Григорьевич Пыхтеев,Олег Константинович Оболенский,Лев Владимирович Ткачуков,Константин Анатольевич Сказыткин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Объединенные газопромышленные технологии "Искра-Авигаз" (ЗАО "Искра-Авигаз"). Дата публикации: 2011-09-10.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fabrication of contact-barrier metallisation

Номер патента: RU2550586C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2015-05-10.

Method of fabrication of internal shell of nozzle of combustion chamber of liquid-propellant rocket engine (lpre)

Номер патента: RU2563289C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Анатолий Михайлович Гордон,Наталья Николаевна Короткова,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Сергей Степанович Юхневич,Юрий Владимирович Шаров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2015-09-20.

Method to produce warp-knitted jersey fabric of combined fillet weaving, forming net fabric

Номер патента: RU2409715C1. Автор: Лев Александрович Кудрявин,Кирилл Николаевич Комов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет имени А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2011-01-20.

Method of fabrication of reinforcing framework from non-metallic reinforcement

Номер патента: RU2562620C1. Автор: Алексей Николаевич Давидюк,Николай Александрович Спивак. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский центр "Строительство" АО "НИЦ "Строительство". Дата публикации: 2015-09-10.

Method to form epitaxial films of cobalt on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2465670C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Людмила Алексеевна Чеботкевич,Андрей Вадимович Зотов,Александр Вячеславович Давыденко,Алексей Игоревич Ильин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дальневосточный федеральный университет". Дата публикации: 2012-10-27.

Fabrication of quartz crucibles

Номер патента: RU2522328C1. Автор: Евгений Иванович Суздальцев,Дмитрий Викторович Харитонов,Антонина Александровна Анашкина. Владелец: Открытое акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология". Дата публикации: 2014-07-10.

Manufacturing method of semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2570099C1. Автор: Александр Евгеньевич Обручников,Михаил Петрович Духновский,Анатолий Николаевич Бажинов,Юрий Петрович Пёхов,Юрий Андреевич Яцюк. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-12-10.

Method of fabrication of oxide semiconductor capacitors

Номер патента: RU2073278C1. Автор: Л.К. Бедер,Т.В. Бездворных,Н.Ю. Ершова,Л.М. Косюк,Е.А. Чупахина,Н.М. Яковлева. Владелец: Косюк Людмила Михайловна. Дата публикации: 1997-02-10.

Improvements in Looms for Weaving Fabric of Inclined Texture.

Номер патента: GB190511351A. Автор: Francisque Voland,Louis Diederichs,Jean Baptiste Monnet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1906-01-18.

Fabrication of reinforced layer on treaded surface of part from alloyed steels

Номер патента: RU2557183C2. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Анатолий Михайлович Смыслов,Юрий Михайлович Дыбленко,Михаил Юрьевич Дыбленко,Сергей Георгиевич Бондарев,Артем Владимирович Оленин. Владелец: Артем Владимирович Оленин. Дата публикации: 2015-07-20.

Connection of corrosion-resistant casing or lifting pipes and method of connection fabrication

Номер патента: RU2384789C1. Автор: Александр Владимирович Гетьман,Юрий Алексеевич Трифонов,Светлана Семеновна Степанова. Владелец: ТЕМЛЮКС ХОЛДИНГ ЛИМИТЕД С.А.. Дата публикации: 2010-03-20.

Assembly for fabrication of items for pipeline and complete set for pipelines fabricated with this assembly

Номер патента: RU2389941C2. Автор: Коста Энтони,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мфл". Дата публикации: 2010-05-20.

Method of fabrication of armour cover for insert charge of composite solid propellant for rocket motor and heat-barrier material

Номер патента: RU2557629C1. Автор: Татьяна Иосифовна Пастор,Александр Михайлович Губкин,Вячеслав Александрович Гуськов,Ираида Семеновна Ламзина,Сергей Николаевич Архиреев,Наталья Николаевна Орлова,Юрий Гаврилович Карнаухов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2015-07-27.

Method to manufacture elements of outerwear from ornament fabric of limited size

Номер патента: RU2477065C1. Автор: Людмила Юрьевна Какурина. Владелец: Людмила Юрьевна Какурина. Дата публикации: 2013-03-10.

Method of fabrication of apparatus for air cooling of gas, method of fabrication of apparatus heat exchanger section (versions), method of fabrication of apparatus chamber for gas inlet or outlet, method of hydraulic pressure testing of apparatus heat exchanger section and method of hydraulic pressure testing of apparatus manifold for gas supply and removal

Номер патента: RU2364811C2. Автор: Николай Павлович Селиванов. Владелец: Николай Павлович Селиванов. Дата публикации: 2009-08-20.

Assembly for fabrication of complete set of items for pipeline and complete set for pipelines fabricated with this assembly

Номер патента: RU2389937C2. Автор: Коста Энтони,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мфл". Дата публикации: 2010-05-20.

Fabrication of rocket engine charge igniter body from composites and its structure

Номер патента: RU2539939C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Вячеслав Викторович Мерзляков,Аркадий Витальевич Пашутов,Анатолий Николаевич Базарко. Владелец: Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2015-01-27.

Process of gettering treatment of semiconductor plates

Номер патента: RU2224330C2. Автор: В.А. Якунин,М.А. Эстерзон,О.П. Сахарова. Владелец: Открытое акционерное общество "Экспериментальный научно-исследовательский институт металлорежущих станков". Дата публикации: 2004-02-20.

Weft knitted fabric of doubled two-sided weaves manufactured with the use of boucle-type relief-twisted yarn

Номер патента: RU2263729C1. Автор: А.В. Смирнова,Е.Н. Колесникова,Ю.Г. Горелова. Владелец: Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of production of fabric of check weave

Номер патента: RU2519921C1. Автор: Николай Анатольевич Коробов,Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Дарья Сергеевна Яблокова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-06-20.

Knitted fabric of double-layer derived lasting weave

Номер патента: RU2282689C1. Автор: Валентина Анисимовна Зиновьева,Евгени Александровна Скопинцева,Евгения Александровна Скопинцева. Владелец: Московский государственный текстильный университет им. А.Н. Косыгина. Дата публикации: 2006-08-27.

Method to produce fabrics of diagonal weaves

Номер патента: RU2420617C1. Автор: Николай Михайлович Сафьянников,Надежда Александровна Преснецова. Владелец: Надежда Александровна Преснецова. Дата публикации: 2011-06-10.

Fabrication of shells with inner radial cavities

Номер патента: RU2571794C1. Автор: Александр Григорьевич Мелехин,Александр Михайлович Минченков,Оксана Александровна Вострокнутова. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "Искра" (ПАО НПО "Искра"). Дата публикации: 2015-12-20.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

Fabrication of semiconductor structure

Номер патента: RU2539789C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-01-27.

Method to measure thermal junction-to-case resistance of semiconductor instrument and device for its realisation

Номер патента: RU2529761C1. Автор: Алексей Александрович Мальцев,Иван Алексеевич Мальцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2014-09-27.

Process of fabrication of structural elements of elongated form for gaseous-discharge indication panel

Номер патента: RU2231160C1. Автор: А.Н. Ивлюшкин,В.Г. Самородов,Д.А. Храпков,С.А. Чуриков. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма". Дата публикации: 2004-06-20.

Method to produce fabrics of cross zigzag shadow weaves

Номер патента: RU2478147C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2013-03-27.

Method of production of fabrics of comb shadow weaves

Номер патента: RU2515863C1. Автор: Галина Ивановна Толубеева,Сергей Сергеевич Кольцов,Антон Евгеньевич Шопыгин,Александра Михайловна Псыркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-05-20.

Method to produce fabrics of combined weaves

Номер патента: RU2408749C1. Автор: Сергей Дмитриевич Николаев,Виктор Владиславович Малецкий. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет имени А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2011-01-10.

Method of fabrication of helical screw (russian logic version - version 2)

Номер патента: RU2544073C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-03-10.

Procedure for fabrication of flexible multi-layer pipe and multi-layer pipe

Номер патента: RU2425753C2. Автор: Екатерина Владимировна Полякова,Виталий Александрович Лутов,Александр Михайлович Майоров,Полина Александровна Дятлова,Виктор Александрович Чайкин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна. Дата публикации: 2011-08-10.

High strength hot-galvanised steel sheet and high strength annealed after galvanising steel sheet with excellent mouldability and ability to application of electro-deposit; procedures and devices for fabrication of such sheets

Номер патента: RU2418094C2. Автор: Ёити ИКЕМАЦУ,Коки ТАНАКА,Казухико ХОНДА,Тецуо НИСИЯМА,Ёсихиро СУЕМУНЕ,Такео ИТОН. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-05-10.

Device for fabrication of flexible multi-layer pipe

Номер патента: RU2430289C2. Автор: Екатерина Владимировна Полякова,Виталий Александрович Лутов,Александр Михайлович Майоров,Полина Александровна Дятлова,Виктор Александрович Чайкин,Екатерина Владимировна Полякова (RU),Виталий Александрович Лутов (RU),Александр Михайлович Майоров (RU),Полина Александровна Дятлова (RU),Виктор Александрович Чайкин (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for fabrication of structures in microelectronics

Номер патента: RU2145156C1. Автор: В.И. Тригуб,А.В. Плотнов,Н.А. Потатина,А.В. Ободов. Владелец: Ободов Александр Владимирович. Дата публикации: 2000-01-27.

Method of fabrication of graphite foil and installation of it on accelerated ion beam

Номер патента: RU2073282C1. Автор: А.В. Тихомиров,Ю.Г. Тетерев,Б.Н. Гикал. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований. Дата публикации: 1997-02-10.

Corrosion-resistant austenite steel for fabrication of tubes

Номер патента: RU2386718C2. Автор: Анатолий Семенович Сальников,Игорь Николаевич Логозинский,Виталий Леонтьевич Бычаев,Роман Шмулевич Райтманов,Борис Арнович Левин. Владелец: Открытое акционерное общество "Электрометаллургический завод "Днепроспецсталь" им. А.Н. Кузьмина". Дата публикации: 2010-04-20.

Metal coating of upgraded adhesion to material of pad and method of fabrication of this coating

Номер патента: RU2358034C2. Автор: Александр Германович Ермилов,Сергей Иванович Сухонос,Дмитрий Николаевич Вовк. Владелец: Дмитрий Николаевич Вовк. Дата публикации: 2009-06-10.

Method to produce fabrics of diagonal weaves

Номер патента: RU2409714C1. Автор: Николай Михайлович Сафьянников,Надежда Александровна Преснецова,Николай Михайлович Сафьянников (RU),Надежда Александровна Преснецова (RU). Владелец: Надежда Александровна Преснецова. Дата публикации: 2011-01-20.

Procedure for fabrication of composite ceramic items

Номер патента: RU2567582C1. Автор: Александр Николаевич Красновский,Сергей Николаевич Григорьев,Марина Александровна Волосова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВПО МГТУ "СТАНКИН"). Дата публикации: 2015-11-10.

Band prepreg for fabrication of thermal-protective coating of pressure restraint layer of hypersonic re-entry aircraft housing

Номер патента: RU2568515C1. Автор: Борис Альбертович Лавринович,Ольга Викторовна Волкова,Екатерина Аркадьевна Сенкевич. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт машиностроения" (ФГУП ЦНИИмаш"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Fabrication of inner heat-insulating coating with fabric protective-adhesive ply for solid-propellant rocket engine body

Номер патента: RU2554683C1. Автор: Борис Анатольевич Нестеров,Альбина Петровна Борисова,Константин Владимирович Ворожцов,Денис Игоревич Вотинов,Зульфия Кадимовна Гизатулина. Владелец: Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "Искра" (ПАО "НПО "Искра"). Дата публикации: 2015-06-27.

Improvements in the Manufacture and Production of Cross-bordered and like Woven Fabrics and Plain Fabrics of Greater Bulk or Thickness at some parts than at others.

Номер патента: GB189905330A. Автор: Harry Hardwick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-30.

Measurement of contact layer depth at ultrasound flaw detection

Номер патента: RU2556336C1. Автор: Сергей Александрович Рождественский,Григорий Яковлевич Дымкин,Илья Зусевич Этинген,Федор Сергеевич Миронов,Алексей Андреевич Шелухин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институ мостов и дефектоскопии Федерального агентства железнодорожного транспорта". Дата публикации: 2015-07-10.

Procedure for fabrication of plates out of hafnium

Номер патента: RU2412275C1. Автор: Анатолий Леонидович Беляев,Михаил Михайлович Веселков,Евгений Владимирович Ильенко,Вадим Витальевич Антипов,Сергей Юрьевич Кулешов,Александр Константинович Шиков,Владимир Леонидович Зайцев,Олег Викторович Бочаров,Андрей Михайлович Кобызев,Александр Васильевич Кукушкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Чепецкий механический завод". Дата публикации: 2011-02-20.

Method and device for fabrication of at list partially profiled tubes

Номер патента: RU2338620C2. Автор: Петер ГЕЗЕР. Владелец: Эрнст Гроб Аг. Дата публикации: 2008-11-20.

Mixture for fabrication of casting moulds and cores

Номер патента: RU2425732C1. Автор: Игорь Олегович Леушин,Константин Александрович Маслов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ). Дата публикации: 2011-08-10.

Mechanism of transportation of fabric of sewing machine

Номер патента: RU2507326C2. Автор: Валерий Викторович Веселов,Николай Михайлович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2014-02-20.

Seamless precision steel tubes for hydraulic vessels with raised isotropic rigidity at low temperature and procedure for fabrication of these tubes

Номер патента: RU2409684C2. Автор: Джанмарио АГАЦЦИ,БАГЛИАНИ Эмануэле ПАРАВИЧИНИ,Андреа ПОЛИ. Владелец: Тенарис Коннекшнс А.Г.. Дата публикации: 2011-01-20.

Mechanism of transportation of fabric of sewing machine

Номер патента: RU2493303C2. Автор: Валерий Викторович Веселов,Николай Михайлович Осипов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ивановская государственная текстильная академия" (ИГТА). Дата публикации: 2013-09-20.

Fabrication of model specimen for determination of strain

Номер патента: RU2570564C1. Автор: Евгений Николаевич Смирнов,Владимир Анатольевич Белевитин,Сергей Юрьевич Коваленко,Александр Владимирович Суворов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинский государственный педагогический университет" (ФГБОУ ВПО "ЧГПУ"). Дата публикации: 2015-12-10.

Arrangement method of anode pins on electrolyser for fabrication of aluminium with self-baking anode and upper current lead

Номер патента: RU2387742C1. Автор: Семен Игоревич Ножко,Сергей Николаевич Турусов,Эдуард Афанасьевич Янко,Андрей Борисович Ворона. Владелец: Андрей Борисович Ворона. Дата публикации: 2010-04-27.

Method of fabrication of shape generating parts of die moulds out of steel for producing items out of plastic by casting method under pressure or by press forming

Номер патента: RU2375141C1. Автор: Борис Владимирович Афонин,Александр Михайлович Великолуг,Павел Вячеславович Воронин,Роман Павлович Воронин,Борис Владимирович Афонин (RU),Александр Михайлович Великолуг (RU),Павел Вячеславович Воронин (RU),Роман Павлович Воронин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Завод им. В.А. Дегтярева". Дата публикации: 2009-12-10.

Procedure for forming nano-structured layer on surface of steel item

Номер патента: RU2413037C1. Автор: Александр Григорьевич Соколов,Владимир Петрович Артемьев,Светлана Александровна Шашерина. Владелец: Светлана Александровна Шашерина. Дата публикации: 2011-02-27.

Procedure for fabrication of sealing collar

Номер патента: RU2409783C1. Автор: Илья Александрович Тодер,Валерий Алексеевич Толстых,Евгений Сергеевич Кренделев. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2011-01-20.

Procedure for fabrication of double tee for mine mono-rail ways

Номер патента: RU2425896C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Михаил Викторович Зезиков,Валерий Яковлевич Чинокалов,Евгений Геннадьевич Белов,Олег Валерьевич Дикань,Евгений Анатольевич Иванов,Андрей Викторович Смарыгин,Андрей Анатольевич Нечунаев,Иван Михайлович Чернов. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" (ОАО "ЗСМК"). Дата публикации: 2011-08-10.

Method of fabrication of ogival-shaped nozzle of liquid fuel rocket motor (versions)

Номер патента: RU2536653C1. Автор: Виталий Романович Рубинский,Владимир Сергеевич Рачук,Анатолий Михайлович Гордон,Иван Тихонович Коптев,Борис Иванович Омигов,Юрий Владимирович Шаров,Александр Николаевич Некрасов,Константин Олегович Табаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2014-12-27.

Procedure for fabrication of pipeline

Номер патента: RU2396479C2. Автор: Андрей Владимирович Гергерт,Борис Петрович Муленков,Алексей Борисович Поспелов,Геннадий Николаевич Суровцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТрубопроводСпецСтрой". Дата публикации: 2010-08-10.

Procedure for fabrication of pressure vessel and device for its implementation

Номер патента: RU2426024C2. Автор: Олег Станиславович Клюнин. Владелец: Олег Станиславович Клюнин. Дата публикации: 2011-08-10.

Method for generation of semiconductor- insulator structure

Номер патента: RU2125323C1. Автор: В.И. Машанов,С.И. Романов,Б.И. Фомин,В.В. Кириенко,Л.В. Соколов,М.А. Ламин. Владелец: Институт физики полупроводников СО РАН. Дата публикации: 1999-01-20.

Bending procedure for fabrication of space form components of rail brace clamp type out of rod

Номер патента: RU2397834C1. Автор: Алексей Михайлович Володин,Владислав Алексеевич Сорокин,Николай Павлович Петров,Виктор Андреевич ЛАЗОРКИН,Василий Васильевич Никитин,Владислав Вадимович Горшков,Валентин Дмитриевич Гусев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Тяжпрессмаш". Дата публикации: 2010-08-27.

Device of telemetering control of contact sensors of mechanical devices of solar battery

Номер патента: RU2561663C2. Автор: Станислав Анатольевич Рябушкин,Николай Федорович Федоров,Валерий Петрович Кожедей,Виктор Михайлович Калита,Дмитрий Валерьевич Дымов. Владелец: Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2015-08-27.

Measuring method of contact difference of potentials

Номер патента: RU2532590C1. Автор: Степан Степанович Волков,Сергей Васильевич Николин,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-10.

Method of fabrication of self-greased sliding bearing

Номер патента: RU2567494C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александровч Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2015-11-10.

Procedure for fabrication of space form components of rail brace clamp type out of rod by bending

Номер патента: RU2397833C1. Автор: Алексей Михайлович Володин,Владислав Алексеевич Сорокин,Николай Павлович Петров,Виктор Андреевич ЛАЗОРКИН,Василий Васильевич Никитин,Андрей Григорьевич Уваров,Алексей Павлович Кленин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Тяжпрессмаш". Дата публикации: 2010-08-27.

Preparation for recovery of service properties of products made from cellulose-containing fabrics of special purpose

Номер патента: RU2091528C1. Автор: С.А. Семенов,А.А. Ильин,С.А. Кочаров. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью "Полипроф". Дата публикации: 1997-09-27.

An Improved Device for Repairing Bursts or Cuts in the Fabric of Pneumatic Tyres.

Номер патента: GB190824015A. Автор: Albert Lambourne,Frank Maurice Fogarty. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-07-01.

Method of preparation of semiconductor substrates

Номер патента: RU2072585C1. Автор: В.Д. Скупов. Владелец: Научно-исследовательский институт измерительных систем. Дата публикации: 1997-01-27.

Method for manufacturing of semiconductor device

Номер патента: RU2368031C1. Автор: Александр Владимирович Петров,Юрий Владимирович Колковский,Виктор Григорьевич Ральченко,Виталий Иванович Конов,Владимир Алексеевич Сидоров,Александр Андреевич Арендаренко,Валентин Николаевич Данилин,Андрей Георгиевич Васильев,Татьяна Александровна Жукова. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-09-20.

Method of fabrication of thick-walled large-size ogival shell from materials with intensive hardening

Номер патента: RU2550477C1. Автор: Любовь Дмитриевна Гладкова,Виктор Анатольевич Андреев,Иван Тихонович Коптев,Ирина Алексеевна Лозоцева,Геннадий Владимирович Тюрин,Наталия Александровна Евдокимова,Василий Иванович Колесник. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева" (ФГУП "ГКНПЦ им. М.В. Хруничева"). Дата публикации: 2015-05-10.

Process of manufacture of semiconductor device

Номер патента: RU2031483C1. Автор: Г.И. Айзенштат,К.В. Содатенко,Г.И. Шамова. Владелец: Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов. Дата публикации: 1995-03-20.

PRODUCTION OF REROLLED 290×12 mm PIPES AT PRU 8-16" WITH PILGER MILLS FROM ESR INGOTS-BILLETS OF LOW-DUCTILITY "04Х14Т3Р1Ф-Ш"- AND "04Х14Т5Р2Ф-Ш"-GRADE STEELS WITH BORON CONTENT OF 1,3-3,5% FOR FABRICATION OF HEXAGONAL TURNKEY PIPE BILLETS SIZED TO 257+2,0/-3,0×6,0+2,0/-1,0×4300+80/-30 mm FOR RACKS OF NUCLEAR POWER STATION USED FUEL COOLING POND

Номер патента: RU2550032C2. Автор: Анатолий Васильевич Сафьянов,Вадим Александрович Дубровский,Эдуард Викторович Руссков,Владимир Сергеевич Русецкий,Александр Юрьевич Матюшин,Вадим Юрьевич Ефанов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии энергетического машиностроения" (ООО "ТЭМ"). Дата публикации: 2015-05-10.

Fabrication of reduction gearbox housing

Номер патента: RU2542902C2. Автор: Олег Викторович Рохин,Дмитрий Михайлович Угренюк,Андрей Николаевич Елисеев. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли РФ. Дата публикации: 2015-02-27.

Fabrication of polymer composite on basis of oriented carbon nanotubes

Номер патента: RU2560382C2. Автор: Александр Сергеевич Родионов,Александр Николаевич Москвичев,Александр Александрович Москвичев,Владимир Николаевич Перевезенцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиностроения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-08-20.

Procedure for fabrication of metallised product

Номер патента: RU2430972C1. Автор: Денис Геннадьевич Лазарев,Павел Григорьевич Паткин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сибинженерпроект" (ООО "СибИП"). Дата публикации: 2011-10-10.

Method of fabrication of holographic goggles

Номер патента: RU2082210C1. Автор: Л.Г. Копейко,Р.В. Рябова. Владелец: Копейко Людмила Геннадиевна. Дата публикации: 1997-06-20.

Method of fabrication of curvilinear cylindered log and shaped timber and installation for implementing this method

Номер патента: RU2383432C2. Автор: Александр Валентинович Нелидов,Сергей Александрович Нелидов. Владелец: Сергей Александрович Нелидов. Дата публикации: 2010-03-10.

Fabrication of polychromatic laminar polymer material with optical effects

Номер патента: RU2548396C2. Автор: Александр Петрович Кондратов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет печати имени Ивана Федорова". Дата публикации: 2015-04-20.

Method of fabrication of liquid-propellant rocket engine combustion chamber nozzle

Номер патента: RU2519003C1. Автор: Виталий Романович Рубинский,Владимир Сергеевич Рачук,Анатолий Борисович Ростиславин,Николай Александрович Братухин,Сергей Николаевич Коденцев,Сергей Михайлович Петренко. Владелец: Открытое акционерное общество "Конструкторское бюро химавтоматики". Дата публикации: 2014-06-10.

Method for determining nonuniformity of doping semiconductor layers on insulating substrates

Номер патента: RU2059324C1. Автор: Виталий Иванович Кузнецов,Александр Владимирович Цикунов,Петр Федорович Лугаков,Леонид Александрович Казакевич. Владелец: Леонид Александрович Казакевич. Дата публикации: 1996-04-27.

Procedure for fabrication of electro-insulating insertion for pipeline

Номер патента: RU2406911C1. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Рафаэль Мавлавиевич Шаммасов,Равиль Мансурович Гареев,Фарваз Инсапович Даутов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2010-12-20.

Method of fabrication of tantalum powder

Номер патента: RU2537338C1. Автор: Вениамин Моисеевич Орлов,Валерий Николаевич Колосов,Марина Николаевна Мирошниченко,Татьяна Юрьевна Прохорова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2015-01-10.

Device for fabrication of items out of metal plates

Номер патента: RU2547058C1. Автор: Владимир Никитич Баранов,Владимир Владимирович Бедняков,Владимир Владимирович Рассказов. Владелец: Открытое акционерное общество "Электростальский завод тяжелого машиностроения". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of fabrication of panels of collector blocks

Номер патента: RU2366529C1. Автор: Николай Васильевич Пасечник,Борис Александрович Сивак,Александр Фёдорович Новицкий,Григорий Михайлович Крюков,Игорь Петрович Костенко,Роман Иванович Фоломин. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2009-09-10.

Fabrication of decorative enamel surface of metals

Номер патента: RU2549792C2. Автор: Максим Юрьевич Смирнов,Татьяна Викторовна Лебедева,Сергей Ильич Галанин,Денис Андреевич Арчаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2015-04-27.

Method of preparation of calibrated rolled product for fabrication of hardware fasteners

Номер патента: RU2553321C1. Автор: Алексей Александрович Филиппов,Герман Васильевич Пачурин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева", НГТУ. Дата публикации: 2015-06-10.

Fabrication of porous composite filter element and filter element

Номер патента: RU2540637C1. Автор: Александр Юрьевич Шагов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Аквафор Продакшн" (Зао "Аквафор Продакшн"). Дата публикации: 2015-02-10.

Fabrication of conveying or glazing circuit

Номер патента: RU2567164C1. Автор: Игорь Анатольевич Афонин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аксоид" (ООО "Аксоид"). Дата публикации: 2015-11-10.

Fabrication of ic case

Номер патента: RU2561240C2. Автор: Евгений Иванович Челноков. Владелец: Евгений Иванович Челноков. Дата публикации: 2015-08-27.

Fabrication of amplitude diffraction optical elements and masks for production of phase structures

Номер патента: RU2556313C2. Автор: Николай Львович Казанский,Олег Юрьевич Моисеев,Алексей Васильевич Волков,Сергей Дмитриевич Полетаев. Владелец: Российская академия наук Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт систем обработки изображений Российской академии наук (ИСОИ РАН). Дата публикации: 2015-07-10.

Fabrication of 3d blocks

Номер патента: RU2540371C2. Автор: Сергей Михайлович Васильев,Виктор Константинович Бударин. Владелец: Виктор Константинович Бударин. Дата публикации: 2015-02-10.

Method of fabrication of coil for lifting electromagnet

Номер патента: RU2534860C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Трегубов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кировский завод электромагнитов "ДимАл". Дата публикации: 2014-12-10.

Method of fabrication of seamless hot-rolled pipes 530(17-60, 550(25-60, 610(32-50 and 630(32-60 mm out of forged, continuously cast billets, ingots and hollow ingots of electroslag remelting process at pipe-rolling unit 8-16" with pilger mills of jsc chtpz

Номер патента: RU2550035C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валентин Иреклеевич Тазетдинов,Владимир Яковлевич Осадчий,Евгений Юрьевич Шмаков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Константин Эдуардович Бубнов,Александр Анатольевич Сафьянов. Владелец: Открытое акционерное общество "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2015-05-10.

Procedure for fabrication of rod of screw profile

Номер патента: RU2425897C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Михаил Викторович Зезиков,Валерий Яковлевич Чинокалов,Евгений Геннадьевич Белов,Евгений Анатольевич Иванов,Владимир Михайлович Никиташев,Андрей Викторович Лаптев,Юрий Орович Вьюнцов,Дмитрий Валерьевич Игнатюк. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" (ОАО "ЗСМК"). Дата публикации: 2011-08-10.

Method of fabrication of metal hose for under water communications

Номер патента: RU2375631C1. Автор: Дмитрий Евгеньевич Тук,Валерий Хамидович Набиуллин,Ангам Мухаметович Вахитов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Уфимское агрегатное предприятие "Гидравлика". Дата публикации: 2009-12-10.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Procedure for fabrication of impeller of centrifugal pump

Номер патента: RU2398973C2. Автор: Сергей Юрьевич Щуцкий,Родион Петрович Казанцев,Владимир Сергеевич Герасимов,Николай Федорович Белик,Александр Анатольевич Гунин,Юрий Михайлович Паутов,Сергей Аркадьевич Никифоров,Валерий Юрьевич Ерёмин. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральное конструкторское бюро машиностроения". Дата публикации: 2010-09-10.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Biaxyisotropic energy absorbing technical fabrics of threshold operation

Номер патента: RU2589535C1. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Михаил Анатолиевич Уточкин,Наталья Львовна Целикова. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт технических тканей". Дата публикации: 2016-07-10.

Mixture for fabricating of casted models forms

Номер патента: RU2327543C1. Автор: Юрий Жабраилович Кабалоев,Казбек Галаович Сабеев,Константин Викторович Матвеев,Юрий Жабраилович Кабалоев (RU),Константин Викторович Матвеев (RU),Казбек Галаович Сабеев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-Кавказский горно-металлургический институт (государственный технологический университет) (СКГМИ) (ГТУ). Дата публикации: 2008-06-27.

Device for estimation and development of ability of distinguishing objects on masking background

Номер патента: RU2590857C1. Автор: Анатолий Павлович Ефимочкин. Владелец: Анатолий Павлович Ефимочкин. Дата публикации: 2016-07-10.

Fabrication of wire electrode tool for electric discharge machining

Номер патента: RU2555266C2. Автор: Владислав Павлович Смоленцев,Александр Александрович Болдырев,Евгений Владиславович Смоленцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-07-10.

Binder for fabrication of shell moulds in investment casting

Номер патента: RU2446910C1. Автор: Николай Александрович Зотов,Александр Сергеевич Максютин,Наталья Сергеевна Петелькина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ "КОМПАС". Дата публикации: 2012-04-10.

Construction or fabrication of an assembly comprising a joist or rafter

Номер патента: NZ787524A. Автор: Bernard Joseph Kennelly. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2022-04-29.

Method for fabrication of silicon substrate heterostructures using rapid thermal triode plasma cvd

Номер патента: MY188431A. Автор: Abdul Manaf Bin Hashim Dr. Владелец: Univ Malaysia Teknologi. Дата публикации: 2021-12-08.

Bow compensation of semiconductor substrate using plasma jet

Номер патента: WO2024215502A1. Автор: Michael WOOD,Karl Frederick Leeser. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Assembly for fabrication of complete set for pipeline and complete set for pipelines fabricated with this assembly

Номер патента: RU2389936C2. Автор: Коста Энтони,Николай Павлович Селиванов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мфл". Дата публикации: 2010-05-20.

Method of fabrication of products from refractory mass (versions)

Номер патента: RU2348595C2. Автор: Владимир Васильевич Еремин,Валерий Николаевич Логинов,Мария Викторовна Рослякова,кова Мари Викторовна Росл. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2009-03-10.

Composition and procedure for fabrication of non-fired zirconium heat resistant concrete

Номер патента: RU2377216C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Абдурахман Магомедович Даитбеков,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Абдулла Магомедсаламович Гаджиев,Мурад Ахмедович Ахмедов,Байзат Ибрагимовна Даитбекова,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Аминат Магомедовна Газимагомедова. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-12-27.

Procedure for fabrication of friction bearing

Номер патента: RU2416744C2. Автор: Владислав Николаевич Коренев,Алексей Юрьевич Родичев,Василий Николаевич Хромов,Виталий Витальевич Барабаш. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО "Орел ГАУ"). Дата публикации: 2011-04-20.

Method to determine electroconductivity and energy of activation of admixture centres of semiconductor layers

Номер патента: RU2516238C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Эдуардович Постельга. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-05-20.

Device for fabrication of friction bearing by winding

Номер патента: RU2567493C1. Автор: Анатолий Петрович Богачев,Валерий Александрович Иванов,Дмитрий Валентинович Отмахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2015-11-10.

Rubberised fabric workpiece and fabrication of conveyor belt

Номер патента: RU2563700C1. Автор: Александр Алексеевич Реутов. Владелец: Александр Алексеевич Реутов. Дата публикации: 2015-09-20.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Process of ion-plasma deposition of multicomponent film coats , mosaic target for its implementation and process of manufacture of target

Номер патента: RU2210620C1. Автор: М.И. Гусева,М.В. Атаманов,Ю.В. Мартыненко,Ю.В. Московкин,В.С. Митин,А.В. Митин,ев С.А. Шир,С.А. Ширяев. Владелец: Ширяев Сергей Аркадьевич. Дата публикации: 2003-08-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Method to determine electroconductivity and thickness of semiconductor plates or nanometer semiconductor layers in structures "semiconductor layer - semiconductor substrate"

Номер патента: RU2517200C2. Автор: Сергей Аполлонович Никитов,Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-05-27.

Method to modify surfaces of metals or heterogeneous structures of semiconductors

Номер патента: RU2502153C2. Автор: Владимир Константинович Киселев,Александр Николаевич Качемцев,Владимир Дмитриевич Скупов,Сергей Леонидович Торохов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2013-12-20.

Cassette for group transportation of semiconductor plates

Номер патента: RU2485622C1. Автор: Алексей Владимирович Чернов,Александр Михайлович Куликов,Ольга Борисовна Пименова,Евгения Григорьевна Балашова,Николай Андреевич Мишенин,Евгений Абрамович Фролов,Наталия Борисовна Сорокина,Елена Леонидовна Доможирова. Владелец: Елена Леонидовна Доможирова. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of controlled influence on biological objects with electromagnetic irradiation of semiconductor injection generator (versions)

Номер патента: RU2491971C1. Автор: Андрей Николаевич Кузнецов,Владимир Дмитриевич Степаненко,Кирилл Владимирович Степаненко. Владелец: Кирилл Владимирович Степаненко. Дата публикации: 2013-09-10.

Carrier for dump transfer of semiconductor wafers

Номер патента: RU2357322C1. Автор: Галина Валериановна Скорова,Татьяна Кузьминична Взнуздаева,Татьяна Ильинична Комарова,Ольга Ивановна Каретникова. Владелец: Ольга Ивановна Каретникова. Дата публикации: 2009-05-27.

Procedure for fabrication of pump-compressor pipe

Номер патента: RU2418078C1. Автор: Наиль Мулахметович Абдуллин,Алексей Геннадьевич Иванов. Владелец: Алексей Геннадьевич Иванов. Дата публикации: 2011-05-10.

Procedure for fabrication of diamond containing composite

Номер патента: RU2398038C2. Автор: Александр Иннокентьевич Герасимов,Павел Павлович Шамаев,Владимир Владимирович Ботвин,Николай Павлович Старостин. Владелец: Институт проблем нефти и газа СО РАН. Дата публикации: 2010-08-27.

Poured self hardening blend on cement binding for fabrication of precision castings

Номер патента: RU2326750C1. Автор: Борис Алексеевич Кулаков,Виталий Константинович Дубровин,Ольга Михайловна Пашнина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Уральский государственный университет". Дата публикации: 2008-06-20.

Method of fabrication of spacecraft

Номер патента: RU2571480C1. Автор: Виктор Владимирович Коротких,Михаил Владленович Нестеришин,Сергей Иванович Опенько,Андрей Гавриилович Лесковский. Владелец: Акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва". Дата публикации: 2015-12-20.

Method for fabrication of impeller and guide apparatus of submerged multistage centrifugal pump stage

Номер патента: RU2589566C2. Автор: Александр Николаевич Михайлов. Владелец: Александр Николаевич Михайлов. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of fabrication of stencils for decoration of products

Номер патента: RU2082595C1. Автор: Л.П. Фоминский,В.А. Гончаренко. Владелец: Фоминский Леонид Павлович. Дата публикации: 1997-06-27.

Procedure for fabrication of flat bi-metallic work-piece by explosion welding

Номер патента: RU2397850C1. Автор: Владимир Станиславович Вакин,Сергей Валентинович Бодакин,Олег Николаевич Бессонов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Энергометалл". Дата публикации: 2010-08-27.

Procedure for fabrication of heat protecting coating of pipeline

Номер патента: RU2428617C2. Автор: Владимир Иванович Ефимов. Владелец: Владимир Иванович Ефимов. Дата публикации: 2011-09-10.

Raw material mix for fabrication of aerated concrete

Номер патента: RU2377226C1. Автор: Юлия Алексеевна Щепочкина. Владелец: Юлия Алексеевна Щепочкина. Дата публикации: 2009-12-27.

Method of fabrication of thin sheets from two-phase titanium alloy and product from these sheets

Номер патента: RU2555267C2. Автор: Александр Николаевич Козлов,Михаил Оттович Ледер,Александр Владимирович Берестов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Корпорация Всмпо-Ависма". Дата публикации: 2015-07-10.

Press mould for fabrication of elastomer armature for stator of gerotor-type propeller-driven hydraulic machine

Номер патента: RU2348525C1. Автор: Владимир Николаевич Андоскин,Сергей Петрович Астафьев,Максим Анатольевич Пушкарев,Алексей Сергеевич Глинкин,Антон Сергеевич Колышкин,Владимир Николаевич Андоскин (RU),Сергей Петрович Астафьев (RU),Максим Анатольевич Пушкарев (RU),Алексей Сергеевич Глинкин (RU),Антон Сергеевич Колышкин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "Радиус-Сервис". Дата публикации: 2009-03-10.

Procedure for fabrication of cutting elements on base of powders of super-hard materials

Номер патента: RU2425162C1. Автор: Алексей Георгиевич Бойцов,Владимир Владимирович Качко,Андрей Сергеевич Плешаков,Михаил Александрович Удалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт природных, синтетических алмазов и инструмента" - ОАО "ВНИИАЛМАЗ". Дата публикации: 2011-07-27.

Method of formation segregation in well using profile packer and device for internal radial expansion of sections of profile part of packer pipes for fabrication of centralisers

Номер патента: RU2560039C1. Автор: Фарит Фоатович Ахмадишин,Нигаматьян Хамитович Хамитьянов,Сергей Леонидович Багнюк,Габдрашит Султанович Абдрахманов,Виталий Петрович Филиппов,Наиль Назымович Вильданов,Константин Алексеевич Ратанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of fabrication of hollow blade

Номер патента: RU2366530C1. Автор: . Владелец: Онищенко Анатолий Кондратьевич. Дата публикации: 2009-09-10.

Detachable equipment for fabrication of marble columns by drilling

Номер патента: RU2533797C1. Автор: Георгий Леонидович Сафонов. Владелец: Георгий Леонидович Сафонов. Дата публикации: 2014-11-20.

Runner of well multi-stage centrifugal pump for oil extracting and method for fabrication of this pump

Номер патента: RU2355917C1. Автор: Яков Абрамович Глускин,Елена Павловна Чернолихова. Владелец: ЦЕНТР РАЗРАБОТКИ НЕФТЕДОБЫВАЮЩЕГО ОБОРУДОВАНИЯ (ЦРНО). Дата публикации: 2009-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.