METHOD AND PROCESSING APPARATUS FOR FABRICATING A MAGNETIC RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE
Номер патента: US20160141496A1
Опубликовано: 19-05-2016
Автор(ы): JANG Youngman, Kim Kiwoong, Kim Sangyong, Oh Sechung, PARK Yongsung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-05-2016
Автор(ы): JANG Youngman, Kim Kiwoong, Kim Sangyong, Oh Sechung, PARK Yongsung
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating semiconductor device including embedded magnetic resistance random access memory
Номер патента: US20210126191A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.