Finfet device with asymmetrical drain/source feature
Номер патента: US20190035933A1
Опубликовано: 31-01-2019
Автор(ы): Tung-Wen CHENG, Wei-Yang LO
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 31-01-2019
Автор(ы): Tung-Wen CHENG, Wei-Yang LO
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Finfet device with asymmetrical drain/source feature
Номер патента: US20200303552A1. Автор: Wei-Yang LO,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.