Trench epitaxial growth for a finfet device having reduced capacitance
Номер патента: US20160181381A1
Опубликовано: 23-06-2016
Автор(ы): Chun-Chen Yeh, Qing Liu, Ruilong Xie, Xiuyu Cai
Принадлежит: Globalfoundries Inc, International Business Machines Corp, STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-06-2016
Автор(ы): Chun-Chen Yeh, Qing Liu, Ruilong Xie, Xiuyu Cai
Принадлежит: Globalfoundries Inc, International Business Machines Corp, STMicroelectronics lnc USA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Trench epitaxial growth for a FinFET device having reduced capacitance
Номер патента: US09755031B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-05.