Substrate with multilayer reflection film for EUV mask blank, manufacturing method thereof, and EUV mask blank
Номер патента: US11835851B2
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Hideo Kaneko, Kazuhiro Nishikawa, Takuro Kosaka, Tsuneo Terasawa, Yukio Inazuki
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Hideo Kaneko, Kazuhiro Nishikawa, Takuro Kosaka, Tsuneo Terasawa, Yukio Inazuki
Принадлежит: Shin Etsu Chemical Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Substrate with multilayer reflection film for euv mask blank, manufacturing method thereof, and euv mask blank
Номер патента: EP3968087A1. Автор: Kazuhiro Nishikawa,Hideo Kaneko,Tsuneo Terasawa,Yukio Inazuki,Takuro Kosaka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.