Hetero-junction bipolar transistor and method for manufacturing the same
Номер патента: US11798995B2
Опубликовано: 24-10-2023
Автор(ы): Minoru Ida, Takuya Hoshi, Yuta Shiratori
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-10-2023
Автор(ы): Minoru Ida, Takuya Hoshi, Yuta Shiratori
Принадлежит: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same
Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.