Memory device and refresh method thereof
Номер патента: US20240029777A1
Опубликовано: 25-01-2024
Автор(ы): Jongpil Son
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-01-2024
Автор(ы): Jongpil Son
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device including address generation circuit and operating method thereof
Номер патента: US20210375346A1. Автор: Jung Ho LIM,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.