Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Peeling Method and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Peeling Method and Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20140264351A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Maruyama Junya, Takayama Toru, Yamazaki Shunpei
Принадлежит: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device comprising a transistor array and a termination region and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US09825170B2. Автор: Till Schloesser,Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method and system for etch depth control in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20240242969A1. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by using protective films to activate dopants in the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09691616B2. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09613809B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of forming a super junction semiconductor device having stripe-shaped regions of the opposite conductivity types

Номер патента: US09484400B2. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming strained structures of semiconductor devices

Номер патента: US09748388B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of patterning features of a semiconductor device

Номер патента: US09627262B2. Автор: Ming-Feng Shieh,Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Wen-Chun Huang,Wei-Chao Chiu,Chen-Yu Chen,Nian-Fuh Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method and system for etch depth control in III-V semiconductor devices

Номер патента: US11948801B2. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09704880B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09698240B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical non-planar semiconductor device for system-on-chip (SoC) applications

Номер патента: US09520494B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Curtis Tsai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09525072B2. Автор: Si-Chen Lee,Meng-Yu Lin,Shih-Yen Lin. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09847233B2. Автор: Yen-Ting Chen,Chee-Wee Liu,I-Hsieh Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device with single-crystal nanowire finfet

Номер патента: US20180102411A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of manufacturing high voltage semiconductor device and the high voltage semiconductor device using the same

Номер патента: KR100836766B1. Автор: 강미현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-10.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09515172B2. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09679816B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653402B2. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09640658B2. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Gate isolation features and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240379673A1. Автор: Chia-Ta Yu,Yuan-Ching Peng,Jiun-Ming Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor Device Comprising a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240661A1. Автор: Hirler Franz,Schloesser Till,Meiser Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing fins for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TWI716567B. Автор: 曾健庭,劉如淦,林緯良,陳志良,賴志明,蕭錦濤,周雷峻,楊超源,曾晉沅. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-01-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425288B2. Автор: Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for preparing substrate using germanium condensation process and method for manufacturing semiconductor device using same

Номер патента: US09825151B2. Автор: Jea Gun Park,Seung Hyun Song,Du Yeong LEE,Tea Hun SHIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09466697B2. Автор: Bo-Un Yoon,Jeong-Nam Han,Sang-Jine Park,Myung-Geun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502525B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Kenji Imanishi,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716159B1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09466675B2. Автор: Chikayuki Okamoto,Tomihito Miyazaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor device structures with doped elements and methods of formation

Номер патента: US09773677B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with metal alloy over fin, conductive layer over channel region of fin, and semiconductive layer over conductive layer and formation thereof

Номер патента: US09590105B2. Автор: Cheng-Ting Chung,Chao-Hsin Chien,Che-Wei Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Device with reinforced metal gate spacer and method of fabricating

Номер патента: US09780193B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09627509B2. Автор: Sangjin Hyun,Wandon Kim,Shinhye Kim,Byung-Suk Jung,TaekSoo JEON,Kyungbum KOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming semiconductor device using etch stop layer

Номер патента: US09564357B2. Автор: Fang-I Chih,Yen-Chang Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including fin shaped structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09722078B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09450096B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US09881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09773890B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Vertical semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312878A1. Автор: Yong-Seok Kim,Tae-Young Kim,Sung-Il Chang,Su-Jin Ahn,Jae-Sung SIM,Jun-Hee Lim,Ji-Yeong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796956A. Автор: 大西泰彦,原田信介,酒井善行,熊谷直树,堤岳志,藤本卓巳,福田宪司,岡本光央. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Methods of Forming Contact Features in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210280426A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Chen-Hung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20190252517A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: TW201007928A. Автор: Young-Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Method of manufacturing a resurf semiconductor device, and a semiconductor device manufactured by such a method

Номер патента: WO1997023901A1. Автор: Adrianus Willem Ludikhuize. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-03.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US8119509B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326961A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230246076A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF DESIGNING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160293753A1. Автор: NAKAMURA Shunichi,INOUE Tetsuto,SUGAI Akihiko. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF CONTROLLING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170301789A1. Автор: YAMADA Ryuji,Takei Manabu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of forming of a semiconductor film, method of manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20110266550A1. Автор: Munehiro Tada,Krishna Saraswat. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2011-11-03.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984492B2. Автор: Yasuhiro Kagawa,Yuji Ebiike. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Substrate for semiconductor device including an island-shaped underlying film overlapping a transistor, method of manufacturing the same, semiconductor device and electronic device

Номер патента: US8330194B2. Автор: Takashi Sato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Overlay key, method of forming the overlay key, semiconductor device including the overlay key and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20070063317A1. Автор: Dae-Joung Kim,Dae-Youp Lee,Ji-Yong You,Chun-Suk Suh,Do-yul Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9805944B2. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of forming asymmetric differential spacers for optimized MOSFET performance and optimized MOSFET and SONOS co-integration

Номер патента: US11973130B2. Автор: Sotirios Athanasiou,Sébastien Daveau. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200295141A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240079275A1. Автор: Takashi Tsuji,Naoto Fujishima,Yuichi Onozawa,Johnny Kin On Sin,Linhua Huang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271168A1. Автор: Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Mitsuru SOMETANI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200020796A1. Автор: Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033876A1. Автор: Okumura Keiji,SUGAHARA Yoshiyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180033885A1. Автор: Okumura Keiji,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220069087A1. Автор: HAYASHI Shingo,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180061951A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of Manufacturing a Superjunction Semiconductor Device and Superjunction Semiconductor Device

Номер патента: US20180061979A1. Автор: Hirler Franz,Weber Hans,Treiber Maximilian,Voerckel Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200091299A1. Автор: Okumura Keiji,IWAYA Masanobu,"NAKAMATA Shinichi". Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-03-19.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Tsuji Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-05-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170141206A1. Автор: KOGA Takeharu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-05-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220285501A1. Автор: ICHIKAWA Yoshihito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180182887A1. Автор: Yasunori Tanaka,Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170194438A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,FUKUDA Kenji,Oonishi Yasuhiko,TSUTSUMI Takashi,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke,KUMAGAI Naoki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170221714A1. Автор: IWAYA Masanobu,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170222046A1. Автор: IWAYA Masanobu,WAKIMOTO Setsuko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271456A1. Автор: Komatsu Takuya,Ohse Naoyuki,Ryo Mina. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271472A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,Ohse Naoyuki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Vertical semiconductor device, and method of manufacturing the vertical semiconductor device

Номер патента: US20150303294A1. Автор: Yasushi Niimura,Toshiaki SAKATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200279947A1. Автор: YAMAMOTO Fumitoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-09-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180294350A1. Автор: UTSUMI Makoto,Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180301536A1. Автор: UTSUMI Makoto,Imai Fumikazu,Oonishi Yasuhiko. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180308972A1. Автор: Kobayashi Yusuke,Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Okumura Keiji. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-24.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160336224A1. Автор: FUKUDA Kenji,SUGAHARA Yoshiyuki,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180350900A1. Автор: HARADA Yuichi,Hoshi Yasuyuki,SHIIGI Takashi,"NAKAMATA Shinichi". Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-06.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190348524A1. Автор: Kagawa Yasuhiro,Ebiike Yuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A SUPERJUNCTION SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365719A1. Автор: SUGAI Isamu,NISHIMURA Takeyoshi,MAETA Ryo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-19.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190378921A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-12.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220367642A1. Автор: KAGOYAMA Yohei. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-11-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406931A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6500912B2. Автор: 直樹 熊谷,卓巳 藤本,熊谷　直樹. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-17.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038900A1. Автор: Marcus J. H. Van Dal,Radu C. Surdeanu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2866265A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Mitsuru Shimazu,Kenji Hiratsuka,Kenji Kanbara,Yu Saitoh,Sou Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10002952B2. Автор: Keiji Okumura,Yoshiyuki Sugahara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Power semiconductor device and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2007016969A1. Автор: Jean Michel Reynes,Alain Deram,Stéphane ALVES,Blandino Lopes,Joel Margheritta. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2007-02-15.

Power semiconductor device and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: EP1911097B1. Автор: Jean Michel Reynes,Alain Deram,Stéphane ALVES,Blandino Lopes,Joel Margheritta. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Integrated semiconductor device and method of manufacturing an integrated semiconductor device

Номер патента: CN101174649A. Автор: 于尔根·福尔. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-07.

Power semiconductor device Method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102021117826A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Kuenzig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-01-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Hiromu Shiomi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9330916B2. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BASE, METHOD OF CRYSTAL AXIS ALIGNMENT IN SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR BASE, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180061960A1. Автор: KAWADA Yasuyuki,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming GE silicide layer, semiconductor device comprising GE silicide layer and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101194843B1. Автор: 이내인,양현덕,이화성,전중석,문창욱,웨이웨이 첸. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device with high activation rate of impurities

Номер патента: US6221700B1. Автор: Jun Kojima,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2001-04-24.

Method of forming a high voltage semiconductor device having a voltage sustaining region

Номер патента: EP1468439B1. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-09.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Active structures of a semiconductor device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09768053B2. Автор: Dae-won Kim,Jae-Kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09773809B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09443869B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230299136A1. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12094942B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER CONVERTER, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING POWER CONVERTER

Номер патента: US20200194554A1. Автор: ADACHI Kohei,Fukui Yutaka,TANAKA Rina,SUGAWARA Katsutoshi,HATTA Hideyuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2020-06-18.

The manufacturing method of silicon carbide epitaxy chip and the manufacturing method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN110476223A. Автор: 大野彰仁. Владелец: Mitsubishi Corp. Дата публикации: 2019-11-19.

Power semiconductor device

Номер патента: EP4208899A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-12.

Power semiconductor device

Номер патента: WO2022048919A1. Автор: Jan Vobecky,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-03-10.

Holding circuit, driving method of the holding circuit, and semiconductor device including the holding circuit

Номер патента: US09601215B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11869814B2. Автор: Hidetatsu Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

METHOD OF MANUFACTURING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF OPERATING A VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130134501A1. Автор: Son Yong-Hoon,Kang Jong-Hyuk,Lee Jong-Wook. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

Isolation structure, method of forming the isolation structure, semiconductor device having the isolation structure and method of manufacturing the semiconductor device having the isolation structure

Номер патента: KR100823703B1. Автор: 최종완,백은경,구주선,김홍근,최용순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-21.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US09525040B2. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170236914A1. Автор: KUMAGAI Naoki,FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-17.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271156A1. Автор: GOTOH Masahide. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271157A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271486A1. Автор: Komatsu Takuya,Imai Fumikazu. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Saito Akira,Hirose Takayuki,Teranishi Hideaki,TAKIGAWA Aki,TERAO Yutaka. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: DE112020002222T5. Автор: Kouichi Murata,Akihiro Koyama,Koji Nakayama,Takeshi Tawara,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida,Shinichiro Matsunaga,Tomonori MIZUSHIMA,Kensuke Takenaka,Mitsuru SOMETANI,Yuji Kiuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device comprising unidimensional doping conductors and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0390274A1. Автор: Aart Adrianus Van Gorkum. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Power semiconductor device Method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: DE102021124138A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220123112A1. Автор: Kouichi Murata,Akihiro Koyama,Koji Nakayama,Takeshi Tawara,Manabu Takei,Yoshiyuki Yonezawa,Hidekazu Tsuchida,Shinichiro Matsunaga,Tomonori MIZUSHIMA,Kensuke Takenaka,Mitsuru SOMETANI,Yuji Kiuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12020924B2. Автор: Tsutomu Hori,Takaya MIYASE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

A method of gate structure fabrication in semiconductor device

Номер патента: TW200514149A. Автор: Chang-Rong Wu,Tzu-En Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-16.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09793121B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09328414B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220013626A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US12113101B2. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Wiring structure and method of forming the same, and semiconductor device including the wiring structure

Номер патента: US09716043B2. Автор: Jeong-Hoon Ahn,Sang-Chul Lee,In-Hwan Kim,Jun-Jung Kim,Joon-Nyung Lee,Yeon-Joo Kim,Jin-Hyeung PARK,Kyoung-Pil Park,Hyo-Seon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus and method for simultaneous formation of diffusion break, gate cut, and independent n and p gates for 3d transistor devices

Номер патента: WO2021025796A1. Автор: Jeffrey Smith,Daniel Chanemougame,Anton Devilliers,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-02-11.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812534B2. Автор: Naiqian Zhang,Fengli PEI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US20140097441A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2014055277A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: EP2904642A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: KR100273070B1. Автор: 레오나르두스 페크 헤르마누스. Владелец: 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2000-12-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of forming semiconductor device including source/drain contact having height below gate stack

Номер патента: US09478636B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Meng-Hung Shen,Shu-Hui Sung,Chun-Hung Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09653460B1. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

High hole mobility transistor (hhmt) and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220199818A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Methods of fabricating isolation regions of semiconductor devices and structures thereof

Номер патента: US09653543B2. Автор: Roland Hampp,Armin Tilke,Marcus Culmsee,Chris Stapelmann,Bee Kim Hong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09583594B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09698059B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Tian Choy Gan,Chu-Yun Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and the manufacturing silicon carbide semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: CN104335328B. Автор: 木下明将,福田宪司,辻崇. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Methods of forming fins for FinFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09704973B2. Автор: Ruilong Xie,Andy C. Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods of forming products with FinFET semiconductor devices without removing fins in certain areas of the product

Номер патента: US09543416B2. Автор: Min Gyu Sung,Ryan Ryoung-Han Kim. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

METHOD OF MANUFACTURING AN OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING A DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150024530A1. Автор: LEE Bong-Won. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-01-22.

Power semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088260A1. Автор: Han Seok KO,Dae Il Kim,Ji Houn Jung,Ung Bi Son. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SILICON CARBIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20210167167A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10770548B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Yohei Iwahashi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN104704611B. Автор: 前山雄介,渡部善之,中村俊,中村俊一. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-05.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE, A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150129928A1. Автор: ABOUDA Kamel,BESSE PATRICE,Bernon-Enjalbert Valerie,Givelin Philippe. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2015-05-14.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180090320A1. Автор: FUKUDA Kenji,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,Miyazato Masaki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180090321A1. Автор: FUKUDA Kenji,MAKIFUCHI Youichi,TSUTSUMI Takashi,ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Ohse Naoyuki,HASHIZUME Yuichi,Kojima Takahito,UCHIDA Takafumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-10.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Murata Koichi,TSUCHIDA Hidekazu,TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254393A1. Автор: NAKAJIMA Tsunehiro,Imai Fumikazu,FUKUDA Kenji,Ohse Naoyuki,OKAMOTO Mitsuo,HARADA Shinsuke. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-01.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Ohse Naoyuki,Kojima Takahito. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-10-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190267451A1. Автор: ARAOKA Tsuyoshi,OKAMOTO Mitsuo,IWAHASHI Yohei. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-08-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406948A1. Автор: HASHIZUME Yuichi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2022-12-22.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the compound semiconductor device

Номер патента: US10134889B2. Автор: Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2023001782A. Автор: Yuichi HASHIZUME,悠一 橋爪. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100224785B1. Автор: 박보현. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR970053058A. Автор: 안성현,이덕형,임승무,조현룡,김송강. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-07-29.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: US09837302B1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of separating a wafer of semiconductor devices

Номер патента: US09608016B2. Автор: Stefano Schiaffino,Grigoriy Basin,Jipu Lei,Alexander H. Nickel. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US09646872B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US09496328B2. Автор: Sun Ho Kim,Hyun Jun Kim,Young Geun Park,Se Hyoung Ahn,Chang Mu An,Bong Hyun Kim,Jong Bom Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20210264955A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of making a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US09859184B2. Автор: Hans-Martin Ritter,Frank Burmeister. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US11784179B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Exposure methods using e-beams and methods of manufacturing masks and semiconductor devices therefrom

Номер патента: US09671686B2. Автор: Sang-Hee Lee,Jin Choi,In-kyun Shin,Byoung-Sup Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Methods of manufacturing multi-die semiconductor device packages and related assemblies

Номер патента: US09865578B2. Автор: Wei Zhou,Sony Varghese,Aibin Yu,Zhaohui Ma,Jonathan S. Hacker,Bret K. Street,Shijian Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Methods of forming contacts for a semiconductor device structure, and related methods of forming a semiconductor device structure

Номер патента: US09564442B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Dylan R. MACMASTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Film pv-structure obtained using room temperature method and room temperature method of producing film pv-structure

Номер патента: RU2698739C2. Автор: Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2019-08-29.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming conductive materials on semiconductor devices, and methods of forming electrical interconnects

Номер патента: US09768134B2. Автор: Anilkumar Chandolu,Kenneth N. Hagen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Systems, methods and apparatus for precision automation of manufacturing solar panels

Номер патента: US09793421B2. Автор: Peter P. Nguyen,Bobby Yang,Jiunn Benjamin Heng,Pablo GONZÁLEZ,Christoph Erben. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Pattern structures in semiconductor devices and methods of forming pattern structures in semiconductor devices

Номер патента: US09558993B2. Автор: Jaehan Lee,Jaehwang SIM,Keonsoo Kim,Jaeho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US09812335B2. Автор: Jaehong Park,Dongchan Kim,Jinyoung Park,Je-woo Han,Sungyeon KIM,Junho Yoon,KyungYub JEON,Kyohyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple color filter

Номер патента: US09837573B2. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and apparatus for providing multiple power domains a programmable semiconductor device

Номер патента: US20210376834A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010008750A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam Al-Shareef,Daniel Gealy,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010044219A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20020192978A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of mounting semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: US09615464B2. Автор: Takashi Kubota,Hidehiko Kira,Masayuki Kitajima,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Method of making openings in a semiconductor device with reduced residue by transferring layers

Номер патента: US09431291B2. Автор: Keisuke Nakazawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Methods and apparatus for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20150292100A1. Автор: Wolfgang-Michael Schulz,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method for stabilizing leads in wire-bonded semiconductor devices

Номер патента: US09824959B2. Автор: Jerry Gomez Cayabyab,Dolores Babaran Milo,Mark Gerald Rosario Pinlac,Bobby Johns Lansangan Villacarlos,Juan Carlo Aro Rimando. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US09676892B2. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US11763855B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: WO2019190709A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Structures and methods for improving solder bump connections in semiconductor devices

Номер патента: US20100167522A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Timothty D. SULLIVAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220045222A1. Автор: Holland Steffen,RITTER Hans-Martin,NOTERMANS Guido,Utzig Joachim,Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar. Владелец: NEXPERIA B.V.. Дата публикации: 2022-02-10.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Ogawa Arito. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: WO2024137272A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of reducing metal gate resistance for next generation nmos device application

Номер патента: US20240204061A1. Автор: Yu Lei,Yi Xu,Srinivas Gandikota,Mandyam Sriram,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Shih Chung CHEN,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tuerxun Ailihumaer,Tengzhou Ma,Janardhan DEVRAJAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure and method of non-rectangular cell in semiconductor device

Номер патента: US12039242B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Jerry Chang Jui Kao,Tzu-Ying LIN,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140021488A1. Автор: LEE Jae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-23.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200119147A1. Автор: Okumura Keiji,Kinoshita Akimasa. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-16.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210167173A1. Автор: FUJIMOTO Takumi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200144371A1. Автор: TAWARA Takeshi,OHSE Mina. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR ASSEMBLY, AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Sakai Yoshiyuki,UTSUMI Makoto. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180174835A1. Автор: Watanabe Yoshiyuki,Fukuda Yusuke,NAKAMURA Shunichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210234005A1. Автор: KAWADA Yasuyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING RESIN-SEALED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140361416A1. Автор: Ito Koji,Ito Kazuhiko,Ogasawara Atsushi,Muyari Koya. Владелец: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170271455A1. Автор: TAWARA Takeshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200279921A1. Автор: Shiomi Hiromu. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-09-03.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200343345A1. Автор: UTSUMI Makoto,ARAOKA Tsuyoshi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-29.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190386106A1. Автор: Suzuki Yoshihisa,Hoshi Yasuyuki,HASHIZUME Yuichi,KUMADA Keishirou. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-12-19.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220376065A1. Автор: Masuda Takeyoshi,Hatayama Tomoaki,HARADA Shinsuke. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2005038926A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2005-04-28.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR970072206A. Автор: 윤성렬. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-11-07.

Method of manufacturing epitaxial of semiconductor device

Номер патента: JPS5538096A. Автор: Jiyan Baron Jiyatsuku. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-03-17.

Method of manufacturing gate of semiconductor device

Номер патента: KR100223942B1. Автор: 하재희. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of forming fins for finFET semiconductor devices and the selective removal of such fins

Номер патента: US09337050B1. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: KR100698000B1. Автор: 미노루 모리와키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-03-23.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09484387B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device, its manufacturing method and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09748289B2. Автор: Yasushi Morita,Takashi Nagano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor devices having a supporter and methods of fabricating the same

Номер патента: US09601494B2. Автор: Seung-Jun Lee,Dae-Ik Kim,Young-Seung Cho,Kyung-Eun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200152638A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-05-14.

MICRO-PATTERN FORMING METHOD, CAPACITOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180175043A1. Автор: KIM Jong-hyuk,Kim Jae-hee,HA Soon-mok,HWANG Chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-21.

Image Sensor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Manufacturing Methods

Номер патента: US20150171132A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan,Tsai Shu-Ting,CHEN U-Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

Solid-state imaging element, manufacturing method, and electronic apparatus

Номер патента: US20240006449A1. Автор: Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD OF MANUFACTURING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Uya Shinji,KAGEYAMA Mokuji,TANAKA Nagataka,NUMATA Hideo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

Ferroelectric structure, Method of forming the ferroelectric structure, Semiconductor device having the ferroelectric structure and Method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR100718267B1. Автор: 김명곤,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-14.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: JP2023071690A. Автор: Cui Hailing,Pindl Markus,マルクス ピンドル,ハイリング キュイ. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-05-23.

Semiconductor device comprising an electrically erasable programmable read only memory and a flash-erasable programmable read only memory, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW529160B. Автор: Johannes Dijkstra,Guido Jozef Maria Dormans,Robertus Dominicus Jos Verhaar. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-04-21.

Ferroelectric structure, method of forming the ferroelectric structure, semiconductor device including the ferroelectric structure, and method of manufacturing the ferroelectric structure

Номер патента: KR100729231B1. Автор: 김석필,임동현,배병재,임지은,유동철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

Method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US7118972B2. Автор: Masaaki Shinohara,Takashi Aoyama,Kozo Watanabe,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of manufacturing contact of semiconductor device

Номер патента: KR100258364B1. Автор: 김대영. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Assembling method and assembling management method of electric vehicle

Номер патента: US09821882B2. Автор: Yoshimoto Matsuda. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device

Номер патента: US5073838A. Автор: Stephen J. Ames. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Discharge control method and charge control method of battery pack control system

Номер патента: US20230344246A1. Автор: Wei Ye,Yongchao Li,Bo Zeng,Shuting SUN,Jihai XIE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device having the insulating layers cover a bottom portion of the fin shaped structure

Номер патента: US09728397B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09607985B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Interdigitated capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US6740922B2. Автор: Yiu-Huen Wong,Christopher D. W. Jones,Donald W. Murphy. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2004-05-25.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device having high dielectric constant dielectric film

Номер патента: KR19990075997A. Автор: 이병택,이기훈. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Functional macro and method of designing the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100329951B1. Автор: 미모또겐이찌로,호조다께히꼬. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-03-27.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09633963B2. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09472522B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Packaging devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09418952B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09799580B2. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Method and apparatus for plating a semiconductor package

Номер патента: US20080299756A1. Автор: Somchai Nondhasitthichai,Chalermsak Sumithpibul,Apichart Phaowongsa. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09368345B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Contact pad for semiconductor devices

Номер патента: US09589891B2. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Connector formation methods and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09691723B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Methods and apparatus for minimizing substrate backside damage

Номер патента: US11756819B2. Автор: Yoichi Suzuki,Prashant Kumar KULSHRESHTHA,Abdul Aziz KHAJA,Sarah Michelle Bobek,Liangfa Hu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Electrically conductive element, power semiconductor device having an electrically conductive element and method of manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US09812376B2. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-07.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Packaged semiconductor device with a lead frame and method for forming

Номер патента: US09640466B1. Автор: Varughese Mathew,Sheila Chopin. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09685566B2. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Peeling apparatus and peeling method for laminate, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR102471564B1. Автор: 야스노리 이토,히로시 우츠기,게이 다키우치. Владелец: 에이지씨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-29.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359436A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170352632A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Device for holding multiple semiconductor devices during thermocompression bonding and method of bonding

Номер патента: US09484241B2. Автор: Chun Ho Fan,Man Chung CHAN. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09666438B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09530736B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device comprising a stacked die configuration including an integrated peltier element

Номер патента: US09490189B2. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Thilo Scheiper,Uwe Griebenow. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device comprising metal plug having substantially convex bottom surface

Номер патента: US09397040B2. Автор: Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated fan-out package, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09812426B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Li-Han Hsu,Cheng-Hsien Hsieh,Tzu-Shiun Sheu,Yan-Fu Lin,Chin-te Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor devices having dummy patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US09748257B2. Автор: Jaehan Lee,Won-Seok Jung,Kyungjoong JOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09496488B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US09978593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09520556B2. Автор: Hideki Horii,Jeonghee Park,Sugwoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Methods of forming patterns of semiconductor devices

Номер патента: US09779941B2. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device including cell region stacked on peripheral region and method of fabricating the same

Номер патента: US09666289B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12142587B2. Автор: Jinho PARK,Jeong Hoon Ahn,Chin Kim,Yongseung Bang,Jiyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, METHOD OF FORMING PATTERN STRUCTURE, IMPRINT MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, IMPRINT MOLD SET, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD

Номер патента: US20180310413A1. Автор: Furukawa Tadashi,FURUSE Ayako,SOTODA Teppei,KASAI Ryohei,FURUGEN Ryo,HOSODA Tetsushi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Polishing composition, production method of the same, polishing method and a manufacturing method of a semiconductor substrate

Номер патента: US12077680B2. Автор: Akiko Soumiya. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Testing, manufacturing, and packaging methods for semiconductor devices

Номер патента: US09852957B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Wei-Cheng Wu,Der-Chyang Yeh,Chin-Hsien Chen,An-Jhih Su,Li-Hsien HUANG,Yan-Fu Lin,Yung-Shou Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2674413C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-12-07.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永 知加雄 池,永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,川 和 人 細,結 卓 司 桶,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,川 桂 介 吉,村 和 弘 池,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Ink-jet printing method and manufacturing method of OLED display device

Номер патента: US09929342B2. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Package for high-power semiconductor devices

Номер патента: US09559034B2. Автор: Deep C. Dumka,Tarak A. Railkar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Micro-pattern forming method, capacitor and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same, and electronic system including semiconductor device

Номер патента: US20190157276A1. Автор: JAE-HEE KIM,SOON-MOK HA,Jong-Hyuk Kim,Chan Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANAGEMENT METHOD OF MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204040A1. Автор: SHIOBARA Eishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Leadframe, method of manufacturing the same, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: TW577157B. Автор: Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-02-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method and system for generating 3d composite images of packaged semiconductor devices and determining device properties based thereon

Номер патента: EP3580730B1. Автор: Ajharali Amanullah. Владелец: Semiconductor Tech and Instruments Pte Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Methods of forming multiple n-type semiconductor devices with different threshold voltages on a semiconductor substrate

Номер патента: US20140227845A1. Автор: Yanxiang Liu,Manfred Eller,Johannes Van Meer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR TEST EQUIPMENT AND METHOD OF TESTING AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20130323864A1. Автор: Kim Jin-su,Mo Jae-Bum,Kim Byoung-Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor inspecting apparatus and method of inspecting and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150270182A1. Автор: Jaehong Kim,Seung Hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor Device with Gel-Type Thermal Interface Material

Номер патента: US20090057877A1. Автор: Frank Kuechenmeister,Maxat Touzelbaev,Raj Master. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device having a fixed memory

Номер патента: CA1135856A. Автор: Jan Lohstroh. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-11-16.

Conductive film, method of manufacturing the same, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110095419A1. Автор: Yuichi Matsuda,Michio Horiuchi,Tsuyoshi Kobayashi,Tatsuaki Denda,Yasue Tokutake. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Redistribution Layers And Methods Of Fabricating The Same In Semiconductor Devices

Номер патента: US20210098400A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150221498A1. Автор: Genba Jun. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2015-08-06.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160254149A1. Автор: Genba Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing Method of Manufacturing Device and Semiconductor Device

Номер патента: KR20200014359A. Автор: 토루 마에다,토모노리 나카무라,테츠오 타카노. Владелец: 가부시키가이샤 신가와. Дата публикации: 2020-02-10.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9633840B2. Автор: Jun Genba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing stack-type semiconductor device and method of manufacturing stack-type electronic component

Номер патента: CN1841688A. Автор: 芳村淳,大久保忠宣. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor substrate, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2011082547A. Автор: Shiro Sakai,士郎 酒井. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Contact Pad for Semiconductor Devices

Номер патента: US20170179051A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

WIRING STRUCTURE IN A SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING THE WIRING STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130113113A1. Автор: BAE Ki-Soon,Choi Sei-Ryung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-09.

Electrically Conductive Element, Power Semiconductor Device Having an Electrically Conductive Element and Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160013117A1. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Woehlert,Siegfried Roehl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding product and semiconductor device

Номер патента: US20240178105A1. Автор: Mauro Mazzola,Roberto Tiziani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES OF SEMICONDUCTOR DEVICES,CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190181076A1. Автор: ZIGLIOLI Federico Giovanni,CREMA Paolo,VITELLO Dario,MARCHISI Fabio,ARRIGONI Alberto,FREGO Federico. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device

Номер патента: EP1083462A4. Автор: Nobuyuki Irie. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-12-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130196494A1. Автор: Naoki Yutani,Daisuke CHIKAMORI,Yasuhiko NISHIO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-01.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: TW200411816A. Автор: Sung-Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967573B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Base energy setting method of Auger electron spectroscopy analysis for titanium nitride film, and analyzing method of titanium nitride film and semiconductor devices having titanium nitride film thereby

Номер патента: TW502112B. Автор: Sang-eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-09-11.

Method of forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: TW201140651A. Автор: Chong-Kwang Chang,Young-Mook Oh,Seo-Woo Nam,Myung-Joo Lee,Woo-Cheol Jeon,Ju-Beom Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Redistribution layers and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240274558A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for forming an interlayer insulating film, and semiconductor device

Номер патента: TW543115B. Автор: Kazuo Maeda. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2003-07-21.

Method of forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW200537623A. Автор: Dong-Joon Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-16.

Electrically Conductive Element, Power Semiconductor Device Having an Electrically Conductive Element and Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20160013117A1. Автор: Nelhiebel Michael,Woehlert Stefan,ROEHL Siegfried. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20180012830A1. Автор: Tsai Po-Hao,Lin Jing-Cheng,Shih Ying-Ching,Lu Szu-Wei,Chen I-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor Devices, Methods of Manufacture Thereof, and Semiconductor Device Packages

Номер патента: US20140210074A1. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20210234068A1. Автор: Lell Alfred,Vierheilig Clemens,König Harald,Ebbecke Jens,Gerhard Sven. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160268163A1. Автор: NAKAMURA Kenro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20200295236A1. Автор: Cui Hailing,Pindl Markus. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDCTOR DEVICE

Номер патента: US20200321274A1. Автор: Magni Pierangelo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Lell Alfred,Vierheilig Clemens,König Harald,Ebbecke Jens,Gerhard Sven. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD OF MANUFACTURING LEADFRAMES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES, CORRESPONDING LEADFRAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220406703A1. Автор: Magni Pierangelo. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2022-12-22.

High power semiconductor device for wireless application and method of manufacturing high power semiconductor device

Номер патента: JP2012512556A. Автор: マリー ブーレイ、ジャン,ガンナム、アヤッド. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US9570408B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP0487739A1. Автор: Koji KATO. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-06-03.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: JP6204600B2. Автор: ルッツ ヘッペル. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-09-27.

Non-volatile semiconductor devices and methods of manufacturing non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US20110233653A1. Автор: Hak-sun Lee,Kyoung-sub Shin. Владелец: Lee Hak-Sun. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device with an element isolation oxide film having a flat surface, and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: DE19606682C2. Автор: Shigeru Shiratake,Hiroshi Matsuo,Kenji Yasumura,Yuichi Yokoyama,Takaaki Murakami,Kaoru Motonami,Satoshi Hamamoto,Kenji Morisawa,Yasuyoshi Itoh,Ritsuko Gotoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-04-19.

An optical semiconductor device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: DE102005000800A1. Автор: Shin Kawasaki Sakamoto,Isao Kitakyushu Ogawa,Hideo Yokohama Tamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

A method of manufacturing a power semiconductor device and power semiconductor device

Номер патента: DE112016002608T5. Автор: Yutaka Yoneda,Junji Fujino,Yoichi Hironaka,Kazuyoshi SHIGE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: WO2006021906A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-03-02.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US10861703B2. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Method of manufacturing substrate and semiconductor device

Номер патента: US20190051533A1. Автор: Makoto Watanabe,Kenji Fujii,Hirohisa Fujita,Yusuke Hashimoto,Satoshi Ibe,Shuhei Oya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: TW200620559A. Автор: Robertus Adrianus Maria Wolters,Robert Lander,Jacob C Hooker. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2006-06-16.

Method of Manufacture of a Semiconductor Device

Номер патента: US20200006178A1. Автор: Lee Long Hua,Wu Chih-Wei,HUANG Sung-Hui,Kuo Li-Chung,Shih Ying-Ching,Huang Kuan-Yu,Li Pai Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR102307061B1. Автор: 김현준,김선호,김봉현,박영근,서종범,안세형,안창무. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-10-05.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device _

Номер патента: KR100277847B1. Автор: 황정모. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-04-02.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100752642B1. Автор: 홍창기,김상용,심우관,최상준,오정민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-29.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR0172788B1. Автор: 이길호. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of manufacturing passivation of semiconductor device

Номер патента: KR100256823B1. Автор: 이주상. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101152821B1. Автор: 김진웅,이종민,김찬배,정채오,이효석,민성규. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-06-12.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device by two-step thermal treatment

Номер патента: KR20060084988A. Автор: 송민우,원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-26.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device including contacts

Номер патента: KR100301050B1. Автор: 신지철,이세형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: JP2001237399A. Автор: Ki-Jung Lee,洪 善 梁,起 正 李,Kouzen Yana. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2001-08-31.

Method of forming nitride-based semiconductor layer, and method of manufacturing nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20020048836A1. Автор: Takashi Kano,Nobuhiko Hayashi,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device having tantalum oxide dielectric film

Номер патента: KR100331569B1. Автор: 박흥수,박영욱,박기연. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-04-06.

Fabricating method and testing method of semiconductor device and mechanical integrity testing apparatus

Номер патента: US20120135547A1. Автор: Ra-Min Tain,Ming-Che Hsieh,John H. Lau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-05-31.

Manufacturing method and support of semiconductor device

Номер патента: US20210280416A1. Автор: Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Fabricating method of semiconductor device

Номер патента: US20130171747A1. Автор: Ra-Min Tain,Ming-Che Hsieh,John H. Lau. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: GB9927301D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-12.

Method of forming hemispherical grain for semiconductor devices

Номер патента: TW434656B. Автор: Chan-Sik Park,Yun-Young Kwon,Jang-Hyeok Lee,Se-Hyoung Ryu,Eung-Yong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-05-16.

Method of producing hybrid oxide for semiconductor devices

Номер патента: YU301876A. Автор: S H Cohen,J J Fabula. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-06-30.

Method of fabricating recess channel in semiconductor device

Номер патента: TWI324368B. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: TW200516711A. Автор: Kyeong-Keun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-05-16.

Method of making thermo compression bonded semiconductor device

Номер патента: AU3497371A. Автор: FUJIWARA Shohei. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1973-05-03.

Method of forming isolation structure and semiconductor device with the isolation structure

Номер патента: TW201218314A. Автор: Yi-Jung Chen,Jyun-Huan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-01.

Method of making a capacitor to semiconductor device

Номер патента: KR960010003B1. Автор: Sung-Wook Lee,Suk-Bin Han. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-25.

Fuel cell vehicle, and hydrogen discharge valve/drain valve fault diagnosis method and apparatus

Номер патента: EP4428962A1. Автор: Longhai ZHANG,Shangfeng JIANG,Yangyang YU,Deshui MENG,Guoqian CHEN,Yaxin ZHAO. Владелец: Yutong Bus Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Charged particle beam writing apparatus, charged particle beam writing method, and shot correction method of charged particle beam writing method

Номер патента: US09583310B2. Автор: Tomoo Motosugi. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Selection method and production method of nickel-cobalt-manganese-based active material for positive electrode

Номер патента: US20240347721A1. Автор: Masaya Saito. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210218229A1. Автор: Lauer Christian,HALBRITTER Hubert,JENTZSCH Bruno,Falck Thomas,Russell Ann,Fuchs Peter. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device for generating an electron beam and method of manufacturing such a semiconductor device.

Номер патента: NL184589C. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1989-09-01.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Signal transmission method and signal reception method of heterogeneous systems sharing frequency band

Номер патента: US20240333574A1. Автор: Chung Sup Kim,Hyuk Je KIM,Kwonhue CHOI,Sung Woong Choi,Kwanwoong RYU,Hyung-seop Son. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Data storage method and mail relay method of storage system in mail system

Номер патента: US20160087926A1. Автор: Masafumi Kinoshita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Decoding method and error correction method of a cyclic code decoder

Номер патента: US8250445B2. Автор: Tsung-Ching Lin,Hsin-Chiu Chang,Trieu-Kien Truong,Hung-Peng Lee. Владелец: I Shou University. Дата публикации: 2012-08-21.

Boot rom update method and boot-up method of embedded system

Номер патента: EP3663910A1. Автор: Hyun Sook Hong,Ji Soo Kim,Seung Jae Lee,Seok Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-10.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

System and method for enabling maximum performance operation within an extended ambient temperature range

Номер патента: US09432033B2. Автор: Jaideep Dastidar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Data transmitting message, method of transmitting multiple messages, content regionalizing method (versions) and method of regionalizing regional bouquet signaling

Номер патента: RU2621063C1. Автор: Сергей Юрьевич Матвеев,ФАРИЯ ДЕ СОУЗА НЕВЕС Жерар,Дмитрий Валерьевич Никитин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российская телевизионная и радиовещательная сеть". Дата публикации: 2017-05-31.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20130321022A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US10254331B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20230266385A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for high-speed edge-programmable timing signal generation

Номер патента: US6326813B2. Автор: Brent Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-04.

Media file encapsulating method, media file decapsulating method, and related devices

Номер патента: US12107908B2. Автор: Ying Hu. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Dialog server for handling conversation in virtual space method and computer program for having conversation in virtual space

Номер патента: US09583109B2. Автор: Michiaki Tatsubori,Tohru Nagano,Gakuto Kurata. Владелец: Activision Publishing Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and systems facilitating generation of digital representations of objects

Номер патента: US20170111530A1. Автор: Sainarayanan Gopalakrishnan,Anand Arokia Raj Antony Muthu Rayar,Dhevendra alagan Palanivel,Sudhagar Subbaian. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Method and apparatus for performing encoding/decoding by using region-based inter/intra prediction technique

Номер патента: US20230362356A1. Автор: Gun Bang,Hui Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-11-09.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204675A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204674A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204670A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204676A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods and systems facilitating generation of digital representations of objects

Номер патента: US09681013B2. Автор: Sainarayanan Gopalakrishnan,Anand Arokia Raj Antony Muthu Rayar,Dhevendra alagan Palanivel,Sudhagar Subbaian. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Joint scheduling method and apparatus

Номер патента: US09621309B2. Автор: Jini WEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Azole silane compound, surface treatment solution, surface treatment method, and use thereof

Номер патента: US09688704B2. Автор: Takayuki Murai,Shozo Miura,Masato Katsumura,Miya Tanioka,Naoto Okumura,Noriaki Yamaji. Владелец: Shikoku Chemicals Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Single source of information apparatuses, methods, and systems

Номер патента: US20200374357A1. Автор: Damon Mark Stewart,James Paul Hartman,Matthew Todd Smith. Владелец: California Eastern Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Magnetic film structure using spin charge, method of manufacturing the same, semiconductor device comprising the same and method of operating semiconductor device

Номер патента: KR100612854B1. Автор: 김태완,박상진,김영근,황인준,박완준,권순주,감비노리차드제이.. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for forming organic semiconductor thin film and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: US20100029040A1. Автор: Akihiro Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Systems and methods for controlling a plurality of power semiconductor devices

Номер патента: WO2017117228A1. Автор: Jian Dai,Rajib Datta,Xu She,Fengfeng Tao,Paul Michael Szczesny,Tannous Frangieh. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2017-07-06.

Systems and methods for controlling a plurality of power semiconductor devices

Номер патента: US09800132B2. Автор: Jian Dai,Rajib Datta,Xu She,Fengfeng Tao,Paul Michael Szczesny,Tannous Frangieh. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-24.

Image inspection apparatus for manufactured articles using deep neural network training method and image inspection method of manufactured articles thereby

Номер патента: KR101688458B1. Автор: 곽동민,전정우. Владелец: 디아이티 주식회사. Дата публикации: 2016-12-23.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US20100117680A1. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Optimisation-based scheduling method and system for a plurality of manufacturing machines

Номер патента: EP4449216A1. Автор: Dionysios XENOS,Ioannis KONSTANTELOS,Ruaridh WILLIAMSON. Владелец: Flexciton Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and device for method of magnetic control

Номер патента: RU2684949C1. Автор: Михаил Евгеньевич Федосовский,Даниил Витальевич Иванов,Михаил Владимирович Соколов. Владелец: Акционерное общество "Диаконт". Дата публикации: 2019-04-16.

Method and system for method of forecasting economic trends using transactional data

Номер патента: NZ584511A. Автор: Ghosh Debashis,Kurt Newman,David Joa,Mark Krein,Aaron Lai,Tim Bendel. Владелец: Bank of America. Дата публикации: 2011-10-28.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240233074A9. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Detecting method and positioning analysis method of human functional joint rotation center

Номер патента: US11707209B2. Автор: He Zhao,Xin Zhang,Hongqi XU,Huimin Hu,Linghua RAN,Zijian ZHOU,Chaoyi Zhao. Владелец: CHINA NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDIZATION. Дата публикации: 2023-07-25.

Novel microorganism of serratia family, isolation method and the preparation method of lignin lyases using this

Номер патента: US20040241846A1. Автор: Dong Shin,Ki Kim,Ho Yong Park. Владелец: Insect Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Detecting method and positioning analysis method of human functional joint rotation center

Номер патента: US20220400981A1. Автор: He Zhao,Xin Zhang,Hongqi XU,Huimin Hu,Linghua RAN,Zijian ZHOU,Chaoyi Zhao. Владелец: CHINA NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDIZATION. Дата публикации: 2022-12-22.

A novel microorganism of serratia family, isolation method and the preparation method of lignin lyases using this

Номер патента: WO2002102995A1. Автор: Ki Duk Kim,Ho Yong Park,Dong Ha Shin. Владелец: INSECT BIOTECH CO., LTD.. Дата публикации: 2002-12-27.

Method and system for dynamic exposition of manufacturing operation data from a data warehouse

Номер патента: EP4365752A1. Автор: Matteo Gentile,Alessio Dellacha',Fabio Panero,Alessio Mura,Stefano Rulli,Gabriele De Maglie. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-08.

Two-way fluid sensing device, two-way fluid sensing method, and the manufacturing method of the fluid sensing device

Номер патента: US20240219341A1. Автор: Sajal Biring,Rahim Bakash KOLARU. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2024-07-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Load balanced pressure regulator and method and apparatus for delivering process gas for manufacturing semiconductor devices employing same

Номер патента: US5950652A. Автор: Daniel P. Morgan. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Method and system for improved performance of manufacturing processes

Номер патента: US20070255440A1. Автор: Patrick Varekamp,Richard Burda,Aseem Joshi,Sameer Shikalgar,Susan van Oss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method and apparatus for manufacturing articles of manufacture from sheets having a highly inorganically filled organic polymer matrix

Номер патента: US5709913A. Автор: Per Just Andersen,Simon K. Hodson. Владелец: E Khashoggi Industries LLC. Дата публикации: 1998-01-20.

Optimisation-based scheduling method and system for a plurality of manufacturing machines

Номер патента: WO2023111526A1. Автор: Dionysios XENOS,Ioannis KONSTANTELOS,Ruaridh WILLIAMSON. Владелец: FLEXCITON LIMITED. Дата публикации: 2023-06-22.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Apparatus and method to monitor thermal runaway in a semiconductor device

Номер патента: US09618560B2. Автор: Sam Ziqun Zhao. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Method and system for dynamic exposition of manufacturing operation data from a data warehouse

Номер патента: US20240143618A1. Автор: Matteo Gentile,Alessio Dellacha',Fabio Panero,Alessio Mura,Stefano Rulli,Gabriele De Maglie. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for determining power supply wirings of a semiconductor device

Номер патента: US5502649A. Автор: Yukio Hirata. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method and device for regulating a voltage supply to a semiconductor device

Номер патента: WO2005050425B1. Автор: Boris Bobrov,Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Smolyansky. Владелец: Leonid Smolyansky. Дата публикации: 2005-09-29.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US11954822B2. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Image processing method and device, training method of neural network, and storage medium

Номер патента: US11908102B2. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Lijie Zhang,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240135490A1. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

An edible multilayered material, a relative production method and a packaging method of food products using the material

Номер патента: EP3721721A1. Автор: Cosimo Maria Palopoli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-14.

Generation method and index condensation method of embedding table

Номер патента: US20230325374A1. Автор: Juinn-Dar Huang,Yu-Da Chu,Ching-Yun Kao. Владелец: Neuchips Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Egg collection device for bagworm moth and breeding method and egg collection method of bagworm moth using the same

Номер патента: US20240016131A1. Автор: Takayuki Matsuda,Atsushi Ito,Tsunenori Kameda,Taiyo Yoshioka,Akimune ASANUMA,Ryoko ICHIKI. Владелец: Kowa Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method and system for data tracking and exchange

Номер патента: US20180336646A1. Автор: Manu Jacob Kurian. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Peeling apparatus and peeling method for laminate, and manufacturing method of electronic device

Номер патента: KR102471421B1. Автор: 야스노리 이토,히로시 우츠기,케이 다키우치,유스케 보타. Владелец: 에이지씨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-28.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: WO2018217311A1. Автор: Michael Richter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190378563A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190066767A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Stop valve, machining method, and assembly method

Номер патента: EP4417843A1. Автор: Bin Luo,Feng LOU,Diyong CHEN,Guanghua FENG,Weineng Chen,Jie Shou,Xingyang YUAN. Владелец: Zhejiang Dunan Artificial Environment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Method for producing alpha-form crystal of reduced glutathione, and method for storing said crystal

Номер патента: EP4406960A2. Автор: Hiroshi Nagano,Kazunari Fukumoto,Maya IGUCHI. Владелец: Kyowa Hakko Bio Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Circuit constant analysis method and circuit simulation method of equivalent circuit model of multilayer chip inductor

Номер патента: US20110313749A1. Автор: Xiangying WU. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Information recording medium, optical information recording and reproducing apparatus, optical information recording and reproducing method and manufacturing method of information recording medium

Номер патента: US20120113772A1. Автор: Noboru Yamada,Teruhiro Shiono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Text-to-speech synthesis method and system, a method of training a text-to-speech synthesis system, and a method of calculating an expressivity score

Номер патента: US12046226B2. Автор: John Flynn,Zeenat QURESHI. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and device for checking plane's entry into a dive and anti-dive devices for planes using the same

Номер патента: US7515070B2. Автор: Yu Tian,Wenyan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-07.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of stabilizing reduced coenzyme Q10

Номер патента: US09532957B2. Автор: Takahiro Ueda,Yasuyoshi Ueda,Tadao Ono,Shiro Kitamura,Mitsutoshi Moro. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of producing magnetic storage medium, magnetic storage medium and information storage device

Номер патента: US20110242700A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Tray movement speed control method and apparatus

Номер патента: EP1630806A3. Автор: Byung-In Ma,Myoung-wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Tray movement speed control method and apparatus

Номер патента: US20060048172A1. Автор: Myoung-wook Lee,Byung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Tissue culture method and propagation method of cathaya argyrophylla

Номер патента: US20230404005A1. Автор: Kun Qin,Rongzhen Li,Lixin Feng,Jianhua Lan,Kaile MAI,Changsan ZHU,Yuanchang LU,Xianzhao LIU,Jienan SU,Debao LIAO. Владелец: Gx Eco Engineering Vocational & Technical College. Дата публикации: 2023-12-21.

Design method and manufacturing method of multi-linkage planetary gear speed changing mechanism, and multi-linkage planetary gear speed changing mechanism

Номер патента: US20240289512A1. Автор: Guofu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and manufacturing method of multi-linkage planetary gear speed changing mechanism, and multi-linkage planetary gear speed changing mechanism

Номер патента: US12099780B2. Автор: Guofu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-24.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Magnetic field sensing module, measurement method, and manufacturing method of a magnetic field sensing module

Номер патента: US09562953B2. Автор: Fu-Te Yuan,Meng-Huang Lai,Jen-Tzong Jeng. Владелец: Isentek Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Vehicle simulation model modeling method and examination judgment method

Номер патента: US20240242621A1. Автор: Yuyuan PENG,Yubao PENG. Владелец: Guilin University of Aerospace Technology. Дата публикации: 2024-07-18.

Medium for breeding hermetia illucens larva that produces highly active antimicrobial peptide (amp), breeding method, and extraction method of amp

Номер патента: US20240180131A1. Автор: HUI Wang,Xiaofang Wang,Fei Wang,Jia WU,Qihui Zhang,Yuliang Chen,Chaozhong ZHENG,Leiyu Wang. Владелец: Agricultural Products Processing Research Institute of CATAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of embedding a tracking device in a jewel and tracking method therefor

Номер патента: US12086671B2. Автор: Avel Lenttan. Владелец: Inspiredring Srl. Дата публикации: 2024-09-10.

Apparatus and method for recognition of patient activities

Номер патента: US09875666B2. Автор: Lei GUAN,Adam Hanina,Gordon Kessler. Владелец: AIC Innovations Group Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Methods and Apparatuses Relating to Cell Culture Media

Номер патента: US20100184219A1. Автор: Nicholas Robert Forsyth. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods and apparatuses relating to cell culture media

Номер патента: EP2173850A2. Автор: Nicholas Robert Forsyth. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-04-14.

Focusing ultrasonic transducer to which acoustic lens using Fresnel zone plate is applied and method for manufacturing focusing ultrasonic transducer

Номер патента: US09711132B1. Автор: Yong Tae Kim,Il Doh,Kyung Min Baik,Se Hwa Kim. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2017-07-18.

PATTERN PEELING METHOD, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160077440A1. Автор: Fujimori Toru,Yamanaka Tsukasa. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING DEFECTS OF MANUFACTURE, ASSEMBLY AND INSTALLATION OF MAGNETIC SYSTEMS

Номер патента: RU2009141919A. Автор: Владимир Георгиевич Ивкин,Сергей Александрович Егоров,Владимир Александрович Коротков,Вячеслав Николаевич Васильев,Виктор Михайлович Амосков,Валерий Аркадьевич Беляков,Владимир Петрович Кухтин,Евгений Анатольевич Ламзин,Андрей Анатольевич Ланцетов,Михаил Сергеевич Ларионов,Нина Александровна Максименкова,Игорь Юрьевич Родин,Сергей Евгеньевич Сычевский,Олег Геннадьевич Филатов,Алексей Анатольевич Фирсов,Николай Александрович Шатиль,Владимир Александрович Коротков (RU),Виктор Михайлович Амосков (RU),Владимир Петрович Кухтин (RU),Евгений Анатольевич Ламзин (RU),Михаил Сергеевич Ларионов (RU),Сергей Евгеньевич Сычевский (RU),Алексей Анатольевич Фирсов (RU),Николай Александрович Шатиль (RU),Сергей Александрович Егоров (RU),Валерий Аркадьевич Беляков (RU),Вячеслав Николаевич Васильев (RU),Владимир Георгиевич Ивкин (RU),Андрей Анатольевич Ланцетов (RU),Нина Александровна Максименкова (RU),Игорь Юрьевич Родин (RU),Олег Геннадьевич Филатов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова" (. Дата публикации: 2011-05-27.

Method of generating layout of semiconductor device

Номер патента: US20110029936A1. Автор: Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi,Kyoung-Yun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-03.

Quercetagetin enriched marigold extracts, compositions, methods of preparation and use thereof

Номер патента: WO2024084504A2. Автор: Ezhil Arasan Ramanan,Rahul Thomas,Subarna Saha DHAR,Naijo Varghese,Abhijith Kunhitlu Subrahmanya. Владелец: Avt Natural Products Ltd.. Дата публикации: 2024-04-25.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A3. Автор: Sanjay Tandon,Kurt H Weiner,Peter D Nunan. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Apparatus and methods for monitoring self-aligned contact arrays

Номер патента: WO2003003375A2. Автор: Kurt H. Weiner,Peter D. Nunan,Sanjay Tandon. Владелец: KLA-TENCOR CORPORATION. Дата публикации: 2003-01-09.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Preparation method of catalyst for polyolefin polymerization and preparation method of polyolefin

Номер патента: US09447211B2. Автор: Ki Soo Lee,Eun Kyoung Song,Dae Sik Hong,Yong Ho Lee,Min Seok Cho,Heon Yong KWON,Man-Seong Jeon,Kyoung-Chan Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Multicolor electrochromic structure, fabrication method and application thereof

Номер патента: US11747695B2. Автор: Zhigang Zhao,ZHEN Wang,Shan Cong. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-09-05.

Method and apparatus for thin-film deposition, and method of manufacturing thin-film semiconductor device

Номер патента: WO2000063956A1. Автор: Hisayoshi Yamoto,Hideo Yamanaka. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2000-10-26.

Be used for method and apparatus at distribution photoresists such as manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN1766734A. Автор: 李钟华,朴珍俊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-03.

Method and system for image analysis, method for manufacturing semiconductor devices, and non-transitory computer program product

Номер патента: TWI682246B. Автор: 史蒂芬 亨奇,史考特 安德森 米德克魯克斯,安卓尼斯 康納力司 馬修士 庫博曼,可拉吉 馬可斯 傑拉度 馬堤司 瑪麗亞 凡,威樂 馬力 朱立亞 麻索 蔻妮. Владелец: 荷蘭商Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2020-01-11.

Method and apparatus for manufacturing bonded member

Номер патента: US20140150951A1. Автор: Takayuki Suzuki,Masahiro Nakamura,Tomoyuki Saito,Yusuke Wakisaka. Владелец: Origin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Method and system for data tracking and exchange

Номер патента: US11989791B2. Автор: Manu Jacob Kurian. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of producing a test pattern allowing determination of acceptance and rejection of a semiconductor device without causing a timing problem

Номер патента: US6163760A. Автор: Yasushi Koseko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-12-19.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Low-waste die mould and method for production of parts with its help

Номер патента: RU2400360C2. Автор: Евгений Иванович Андряков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АТР-ХОЛДИНГ". Дата публикации: 2010-09-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

Method of and system for getting semiconductor devices of improved properties and preliminary selection of avalanche devices

Номер патента: PL131247B1. Автор: Henryk Rzepa,Jerzy Kuchta. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1984-10-31.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20120077337A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

JOINING ELECTRODE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120211894A1. Автор: Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130017683A1. Автор: HARADA Shin,Okita Kyoko,HONKE Tsubasa. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU3333368A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: AU415408B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU3333268A. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Method of manufacturing an integrated semiconductor device and integrated semiconductor device manufactured by tie said method

Номер патента: AU417402B2. Автор: TROUM and MICHEL DE BREBISSON JEANCLAUDE. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-08-14.

Liquid resin composition, semiconductor chip with an adhesive layer, method of producing such materials, and semiconductor devices

Номер патента: SG182978A1. Автор: Masuda Takeshi,Kagimoto Tomohiro,Shuey Seng LOW,Ohkubo Hikaru. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-08-30.

DIAMOND N-TYPE SEMICONDUCTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND ELECTRON EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120175641A1. Автор: IMAI Takahiro,Nishibayashi Yoshiki,NAMBA Akihiko. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-12.

STEAM BOILERS WORK METHOD, DEVICE FOR IMPLEMENTATION OF THE METHOD, AND ALSO INDEPENDENT METHOD OF WORK OF THIS DEVICE

Номер патента: RU2005136836A. Автор: Сергей Владимирович Геллер,Сергей Владимирович Геллер (RU). Владелец: Сергей Владимирович Геллер (RU). Дата публикации: 2007-05-27.

Method of forming oxide film and method of manufacturing p-type semiconductor device

Номер патента: JP3588994B2. Автор: 豊隆 片岡. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Method of manufacturing mask of semiconductor devices

Номер патента: KR100200738B1. Автор: 이경희,최성운,유영훈,정해영. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR19980084215A. Автор: 방철원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Method of manufacturing transistor of semiconductor device

Номер патента: KR19980084216A. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Low dielectric constant insulating film and method of forming the same, and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3169565B2. Автор: 義弘 中田,俊一 福山,倫子 片山,城 山口. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-05-28.

METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052642A1. Автор: ISHIKAWA Tsuyoshi,ENDO Takeshi,MIYAHARA Shinichiro,MORINO Tomoo,KONISHI Masaki,FUJIWARA Hirokazu,MORIMOTO Jun,KATSUNO Takashi,WATANABE Yukihiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.