Photovoltaic Device Formed On Porous Silicon Isolation
Номер патента: US20140264500A1
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Asscher Micha, Chen-Zamero Irit, Eli Ora, Pikhay Evgeny, Roizin Yakov, Saar Amir
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-09-2014
Автор(ы): Asscher Micha, Chen-Zamero Irit, Eli Ora, Pikhay Evgeny, Roizin Yakov, Saar Amir
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices
Номер патента: US20170323987A1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2017-11-09.