Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of forming laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Method of forming laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20150171191A1
Опубликовано: 18-06-2015
Автор(ы): Harry-Hak-Lay Chuang, Lee-Wee Teo, Ming Zhu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20140159139A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor device with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US09780180B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20160087060A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: US20110193162A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor transistor with partially unsilicided source/drain

Номер патента: TW201133649A. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2011-10-01.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: WO2015081286A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-04.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: WO2008084085A9. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2009-09-03.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-11-11.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: US20100102402A1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-29.

Method of fabricating a transistor with semiconductor gate combined locally with a metal

Номер патента: EP2115769B1. Автор: Markus Müller,Gregory Bidal. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-03-16.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20160093616A1. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method of forming complementary metal oxide semiconductor device with work function layer

Номер патента: US09721840B2. Автор: Chien-Chung Huang,Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Yu-Ting Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) gate termination

Номер патента: US20130334618A1. Автор: Carl J. Radens,Helen Wang,Christopher V. Baiocco,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) gate termination

Номер патента: US20130337624A1. Автор: Carl J. Radens,Helen Wang,Christopher V. Baiocco,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a silicon-germanium layer beneath a portion of the gate

Номер патента: US11888062B2. Автор: Peter Baars,Felix Holzmüller,Ruchil K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: US20230335588A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with extended gate dielectric layer

Номер патента: US09997601B2. Автор: Shiuan-Jeng Lin,Shyh-Wei Cheng,Che-Jung Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB2619470A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-06.

Threshold voltage adjustment in metal oxide semiconductor field effect transistor with silicon oxynitride polysilicon gate stack on fully depleted silicon-on-insulator

Номер патента: US20150155364A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US20220344506A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: EP4080583A1. Автор: Kejun Xia,Saumitra Raj Mehrotra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20120091527A1. Автор: Budong You. Владелец: SILERGY TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-19.

Low on resistance high voltage metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190259829A1. Автор: Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Jeoung Mo Kim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

High voltage (hv) metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) in semiconductor on insulator (soi) technology

Номер патента: US20200185522A1. Автор: Qingqing Liang,Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of Fabricating Lateral Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

Номер патента: US20080038909A1. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-14.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with a cold source

Номер патента: US20210210639A1. Автор: Jian Wang,Fei Liu,Hong Guo. Владелец: Versitech Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with reduced surface field folding

Номер патента: US9196680B1. Автор: Vijay Parthasarathy,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Tahir Arif Khan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2015-11-24.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US9196695B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: US20230317815A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Laterally diffused metal-oxide semiconductor with gate contact

Номер патента: EP4254510A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Trench vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: WO2012034372A8. Автор: Genyi Wang,Tzong Shiann Wo. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20200388544A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9484422B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

High-voltage metal-oxide semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20150287797A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722093B1. Автор: Su Xing,Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yu-Cheng Tung,Hsueh-Wen Wang,Jen-Yu Wang,Chien-Yu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US12029041B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming high-voltage transistor with thin gate poly

Номер патента: US11690227B2. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-27.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09947770B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Self-aligned trench MOSFET and method of manufacture

Номер патента: US09761696B2. Автор: JIAN Li,Kuo-In Chen,Kyle Terril. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH PARTIALLY UNSILICIDED SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20160087060A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming,Teo Lee-Wee. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a gap between the drain and body wells

Номер патента: US20230268436A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO,Huihua Jiang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US20230231034A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

LDMOS transistor with implant alignment spacers

Номер патента: US12132099B2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Dual-semiconductor complementary metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US09627266B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Yanning Sun,Renee T. Mo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Laterally diffused metal-oxide- semiconductor structure

Номер патента: US20240072163A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09627513B2. Автор: Meng Wang,Budong You,Zheng Lyu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Ldmos transistor and method of forming the ldmos transistor with improved rds*cgd

Номер патента: WO2015134909A1. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-09-11.

Ldmos transistor and method of forming the ldmos transistor with improved rds*cgd

Номер патента: US20200066842A1. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Ldmos transistor and method of forming the ldmos transistor with improved rds*cgd

Номер патента: US20230215918A1. Автор: Jun Cai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of forming metal silicides

Номер патента: US09607842B1. Автор: Jacob Huffman Woodruff. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-03-28.

LDMOS Transistor With Implant Alignment Spacers

Номер патента: US20220359727A1. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Ldmos transistor with implant alignment spacers

Номер патента: EP4089741A2. Автор: Hernan Rueda,Martin Garcia,Rodney Arlan Barksdale,Stephen C. Chew,Wayne Geoffrey Risner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-16.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9875901B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure

Номер патента: EP4328977A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20170200814A1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Metal oxide semiconductor transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20070267691A1. Автор: Frank Chen,Yu-Chi Chen,Jih-Wen Chou. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for fabricating gate dielectrics of metal-oxide-semiconductor transistors using rapid thermal processing

Номер патента: US20090108377A1. Автор: Zhi Chen,Jun Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Complimentary metal-oxide-semiconductor circuit having transistors with different threshold voltages and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Wei-E Wang,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a notched gate electrode

Номер патента: US11791392B2. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor longitudinal double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with composite dielectric layer wide band gap and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107437566B. Автор: 杨银堂,曹震,段宝兴,吕建梅,师通通. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-06-16.

Manufacturing method of SiC-based punch-through trench MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) with high blocking property

Номер патента: CN106024902A. Автор: 张峰,陈彤,申占伟. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Method for Producing a Substrate, Substrate, Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with a Substrate, Micro-Electromechanical System with a Substrate, and Motor Vehicle

Номер патента: US20160218208A1. Автор: Trautmann Achim,Banzhaf Christian Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Nanosheet metal-oxide semiconductor field effect transistor with asymmetric threshold voltage

Номер патента: GB202314488D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-08.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150014768A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Wei-Lin Chen,Chih-Chung Wang,Chiu-Te Lee,Chiu-Ling Lee,Tseng-Hsun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US11830932B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20200083370A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US11522081B2. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143266A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-05-13.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US20210083107A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

High voltage semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: EP3621117A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-03-11.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP3699962A1. Автор: Chih-Chung Wang,Sheng-Chen Chung,Ke-Feng Lin,Chiu-Te Lee,Liang-An HUANG,Chen-An Kuo,Kuang-Hsiu Chen,Kai-Ting Hu,Hsiang-Hua Hsu,Yan-Huei Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-08-26.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Oxide semiconductor transistor having dual gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11843057B2. Автор: Jin Jang,Tae Hun Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-12-12.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080164505A1. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with electrostatic-discharge protection and voltage-stabilizing capacitor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8536633B2. Автор: Yi-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-09-17.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of Design and Use of High Mobility P-Type Metal Oxides

Номер патента: US20220115503A1. Автор: Suman Datta,Kyeongjae Cho,Darrell Galen Schlom,Yaoqiao Hu. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2022-04-14.

SILICON METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (Si MOSFET) WITH A WIDE-BANDGAP III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR GROUP DRAIN AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210159338A1. Автор: Edward Yi Chang,Mau-Chung Frank Chang,Chieh-Hsi Chuang,Jessie Lin. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2021-05-27.

Gate all around transistors with high charge mobility channel materials

Номер патента: US20210226009A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20230262952A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Tsutomu Murakawa,Ryo Arasawa,Kunihiro Fukushima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon carbide power metal oxide semiconductor field effect transistor with short channel and method for manufacturing silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor with short channel

Номер патента: JP5909064B2. Автор: リュウ セイ−ヒュン,エイガーウォル アナント,ムリナル　カンチ　ダス,カンチ ダス ムリナル,エー．リプキン ロリ,ジョン　ダブリュー．パルムール,ダブリュー．パルムール ジョン,シング ランバー. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Lateral double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with potential floating type field plate

Номер патента: CN107871778B. Автор: 李威,李志明,李阳,张春伟,岳文静,王靖博,付小倩. Владелец: University of Jinan. Дата публикации: 2020-09-04.

NANOSHEET METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH ASYMMETRIC THRESHOLD VOLTAGE

Номер патента: US20220278195A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Xie Ruilong,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming high voltage metal-oxide-semiconductor transistor device

Номер патента: US09825147B2. Автор: Ming-Shun Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US6780697B2. Автор: Katsuhito Sasaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for Manufacturing Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20190363187A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for manufacturing an integrated circuit comprising an N-type laterally diffused metal oxide semiconductor (NLDMOS) transistor

Номер патента: US11823947B2. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US20180182867A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench surrounding plural unit cells

Номер патента: US20080274599A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050139873A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020197782A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of fabricating DMOS and CMOS transistors

Номер патента: US09859168B1. Автор: Jung Lee,Kyung Ho Lee,Hyun Kwang Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Transverse diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with isolated area

Номер патента: CN107768423A. Автор: 林欣,祝荣华,杨红凝. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Longitudinal double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with semi-insulating polycrystalline silicon layer

Номер патента: CN107046062B. Автор: 杨银堂,曹震,段宝兴,袁嵩,吕建梅,师通通. Владелец: Xian University of Electronic Science and Technology. Дата публикации: 2020-02-07.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Metal-Insulator-Semiconductor Contact Structure to Reduce Schottky Barrier

Номер патента: US20160133714A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Metal-Insulator Semiconductor Contact Structure to Reduce Schottky Barrier

Номер патента: US20140264494A1. Автор: Xu Jeffrey Junhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8710498B2. Автор: Hiroyuki Watanabe,Atsushi Sasaki,Tetsuya Shibata,Yuki Matsuura,Muneharu Akiyoshi,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20140252499A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-09-11.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH A COLD SOURCE

Номер патента: US20210210639A1. Автор: WANG Jian,Liu Fei,Guo Hong. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH PERIMETRIC CHANNEL

Номер патента: FR2532785B1. Автор: John Manning Savidge Neilson,Raymond Thomas Ford,Norbert William Brackelmanns,Carl Frankling Wheatley Jr. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-12-12.

High-voltage MOSFET (Metal-oxide-semiconductor field Effect transistor) with super junction P area in staggered arrangement and manufacturing method thereof

Номер патента: CN106206742B. Автор: 陈利,焦世龙,高耿辉,高秀秀. Владелец: Xiamen Lucky Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Fabrication method of lateral double diffused MOS transistors

Номер патента: US6087232A. Автор: Jong Dae Kim,Sang Ki Kim,Kee Soo Nam,Jin Gun Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2000-07-11.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a field plate

Номер патента: US20240006529A1. Автор: Guowei Zhang,JERRY JOSEPH James,Handoko Linewih,Surya Kris AMETHYSTNA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Compatible vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor and lateral double diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US8530961B2. Автор: Le Wang,Lili He,Zhiyong Zhao,Linchun Gui. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of fabricating power MOSFET

Номер патента: US09653560B1. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excellence Mos Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240136413A1. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210193815A1. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11710787B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xianguo HUANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11742206B2. Автор: Hui Yu,Meng Wang,Budong You,Yicheng DU,Chuan PENG,Xunyi SONG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (ldmos) transistors

Номер патента: US20210119041A1. Автор: Cho Chiu Ma. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Double Diffused Drain Metal-Oxide-Semiconductor Devices with Floating Poly Thereon and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20110291187A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Double diffused drain metal-oxide-semiconductor devices with floating poly thereon and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140175544A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal oxide TFT with improved stability and mobility

Номер патента: US09773918B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong,Juergen Musolf. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method therefor, and display panel

Номер патента: EP4369417A1. Автор: Bin Lin,Yang Wang,Xue Yu,Wenxing Xi,Fadian LE,Zhenyou ZOU. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor and method of fabricating same

Номер патента: US20210028307A1. Автор: Joo-Hyung Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods for forming planar metal-oxide-semiconductor field-effect transistors

Номер патента: US20220238674A1. Автор: Lei Zhong,Qintao Zhang,Samphy Hong,David Jon Lee,Felix Levitov,Carlos CABALLERO,Durgaprasad Chaturvedula. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for forming fins for metal oxide semiconductor device structures

Номер патента: US09607987B2. Автор: Tahir Ghani,Martin D. Giles. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

A Vertical Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) and a Method of Forming the Same

Номер патента: US20210280700A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2021-09-09.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US11855139B2. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

A vertical metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) and a method of forming the same

Номер патента: EP3622559A1. Автор: Lars-Erik Wernersson,Olli-Pekka Kilpi. Владелец: C2amps AB. Дата публикации: 2020-03-18.

Thin-film transistor and method of manufacturing the same field

Номер патента: US09911859B2. Автор: Takashi Okada,Arichika Ishida,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods of containing defects for non-silicon device engineering

Номер патента: US09666583B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Niti Goel,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semi-super-junction lateral double-diffusion metal oxide semiconductor field effect transistor with stepped N-type heavy-doping buried layer

Номер патента: CN110021655B. Автор: 杨鑫,黄俊杰,杨银堂,段宝兴. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-01-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Laterally-diffused metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US11908930B2. Автор: Shiang Yang Ong,Namchil MUN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US9761657B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor structure having PMOS transistor with a channel layer and forming method thereof

Номер патента: US12131953B2. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Lateral diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20180342609A1. Автор: Shukun QI,Guipeng Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Power lateral diffused mos transistor

Номер патента: US20020089001A1. Автор: Ming-Te Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Method of forming metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20100261323A1. Автор: Chien-Chung Huang,Neng-Kuo Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-14.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047587A1. Автор: Po-Hsin Lin,Xue-Hung TSAI,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Metal oxide semiconductor field effect transistors (mosfet) including deep p-wells and methods of forming same

Номер патента: WO2022178252A1. Автор: Adam Morgan,Dongyoung Kim,Woongje Sung. Владелец: The Research Foundation for the State Universtiy of New York. Дата публикации: 2022-08-25.

High voltage double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20210184033A1. Автор: Edward John Coyne,Alan Brannick,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Contact plug without seam hole and methods of forming the same

Номер патента: US09966309B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

MOS devices with ultra-high dielectric constants and methods of forming the same

Номер патента: US09614079B2. Автор: Minghwei Hong,Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Binary metal oxide based interlayer for high mobility channels

Номер патента: US09972695B2. Автор: Yohei Ogawa,Vijay Narayanan,John Rozen. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Composite inverse T-gate metal oxide semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US5097301A. Автор: Julian J. B. Sanchez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1992-03-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: US20190109232A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor (ldmos) transistor on a semiconductor on insulator (soi) layer with a backside device

Номер патента: WO2019071083A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Sivakumar Kumarasamy. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Self-aligned metal oxide TFT with reduced number of masks and with reduced power consumption

Номер патента: US09614102B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11843049B2. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Lateral diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20240055515A1. Автор: Zong-Han Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180122921A1. Автор: Sen Zhang,Shukun QI,Guipeng Sun,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of forming a semiconductor device having a metal layer

Номер патента: WO2006033746A2. Автор: Bich-Yen Nguyen,Voon-Yew Thean,Brian J. Goolsby,Tab A. Stevens. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2006-03-30.

Double self-aligned metal oxide tft

Номер патента: EP2812907A1. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2014-12-17.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060138560A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Metal oxide semiconductor transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067614A1. Автор: Jun-Gi Choi,Hi-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of producing highly efficient and electrically stable semiconductor layers of metal oxides, layers made using this method, and use thereof

Номер патента: RU2601210C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Алексей МЕРКУЛОВ,Арне ХОППЕ,Дуи Ву ПАМ,Анита НОЙМАНН. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: WO2007003220A1. Автор: Terry Sparks. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. Дата публикации: 2007-01-11.

Heterostructure oxide semiconductor vertical gate-all-around (vgaa) transistor and methods for making the same

Номер патента: US20230262953A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming high mobility complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with fins on insulator

Номер патента: US11637041B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330948A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12058873B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20220216243A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Peeling method and manufacturing method of flexible device

Номер патента: US20200295057A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroki Adachi,Daisuke Kubota,Kenichi Okazaki,Satoru Idojiri,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of forming a semiconductor device having a high-k dielectric

Номер патента: WO2006112948A1. Автор: Olubunmi O. Adetutu,David C. Gilmer,Hsing H. Tseng. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2006-10-26.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory device including a semiconducting metal oxide fin transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240349514A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Hui-Hsien Wei,Chia-Jung Yu,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793383B2. Автор: Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Metal oxide TFT with improved source/drain contacts and reliability

Номер патента: US09768322B2. Автор: TIAN Xiao,Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Multiple-gate MOS transistor using Si substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US7605039B2. Автор: Jong Dae Kim,Young Kyun Cho,Tae Moon Roh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2009-10-20.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Source-body self-aligned method of a vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20230361195A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2023-11-09.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Oxide precursor, oxide layer, semiconductor element, and electronic device, and method of producing oxide layer and method of producing semiconductor element

Номер патента: US20170335461A1. Автор: Satoshi Inoue,Masahiro Suzuki,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20190198641A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20200083353A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical field effect transistor with low-resistance bottom source-drain contact

Номер патента: US20200176611A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09865596B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating a nanowire semiconductor transistor having an auto-aligned gate and spacers

Номер патента: US09853124B2. Автор: Sylvain Barraud,Nicolas Posseme,Sylvain Maitrejean,Emmanuel Augendre. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and methods of formation

Номер патента: US20230411453A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Chi-Yu Chou,Shahaji B. More,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Oxide semiconductor transistor, method of manufacturing the same, and memory device including oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20220384656A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Display device including dual gate oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190341437A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US10403700B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field-effect transistors with a gate dielectric layer formed on a surface treated by atomic layer etching

Номер патента: US20240290617A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of making a low leakage dynamic threshold voltage mos (dtmos) transistor

Номер патента: US20020076887A1. Автор: Sheng Hsu,Yanjun Ma. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-06-20.

Forming vertical transport field effect transistors with uniform bottom spacer thickness

Номер патента: US09991365B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Yongan Xu,Xuefeng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09634032B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor with metal source making ohmic contact to channel-base region

Номер патента: US4639758A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-01-27.

Metal oxide semiconductor field-effect transistor with metal source region

Номер патента: US4631563A. Автор: Tetsuya Iizuka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-12-23.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Tri-gate orthogonal channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20240290856A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09741830B2. Автор: Kung-Hong Lee,Chun-Jung Tang,Te-Chih Chen,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Performance-enhanced vertical device and method of forming thereof

Номер патента: US09847416B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

MOS device with epitaxial structure associated with source/drain region and method of forming the same

Номер патента: US09673324B1. Автор: Shu-Yen Chan,Neng-Hui Yang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Tien-I Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180082998A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180096901A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20170365529A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US20180033786A1. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666720B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yutaka Okazaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Atsuo Isobe,Keitaro Imai,Mizuho IKARASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Multiple-gate MOS transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070190709A1. Автор: Jong Kim,Dae Lee,Young Cho,Sung Kwon,Tae Roh. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-08-16.

Tri-gate orthogonal channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US11916121B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Tri-gate orthogonal channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230369429A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing metal-oxide-semiconductor transistor

Номер патента: US20060189065A1. Автор: Tony Liu,Yun-Ren Wang,Ying-Wei Yen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Tri-gate orthogonal channel transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12015065B2. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Laterally double-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US11742423B2. Автор: Jing Zhu,Sen Zhang,Longxing Shi,Weifeng Sun,Nailong He,Shaohong Li,Guichuang Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US20230284461A1. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190206859A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190304968A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Metal oxide thin film transistor and display panel

Номер патента: US20240250177A1. Автор: Chen Xu,Jie Huang,Guangcai Yuan,Zhengliang Li,Lizhong Wang,Dongfang Wang,Shuilang Dong,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Dapeng XUE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09614104B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Manufacture method of TFT substrate and sturcture thereof

Номер патента: US09614036B2. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Double-diffused metal-oxide-semiconductor transistor including a recessed dielectric

Номер патента: US20230299195A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,Thomas S. Chung,Chung C. Kuo. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for increasing breaking down voltage of lateral diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20100270615A1. Автор: Kwang-Ming Lin,Shih-Chan Chen,Shih-Chieh Pu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

THRESHOLD VOLTAGE ADJUSTMENT IN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SILICON OXYNITRIDE POLYSILICON GATE STACK ON FULLY DEPLETED SILICON-ON-INSULATOR

Номер патента: US20160133722A1. Автор: Yeap Choh Fei,SONG Stanley Seungchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Lateral Diffused Metal-Oxide-Semiconductor Device

Номер патента: US20130168767A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou,Ming-Yong Jian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09748146B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09754942B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Laminate, etching mask, method of producing laminate, method of producing etching mask, and method of producing thin film transistor

Номер патента: US20190088501A1. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Kiyoshi Nishioka,Kazuhiro Fukada. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Dynamic threshold MOS and methods of forming the same

Номер патента: US09818842B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Embedded SRAM and methods of forming the same

Номер патента: US09812459B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Edmos and fabricating method of the same

Номер патента: US20240234572A1. Автор: Jung Han,Chin-Chia Kuo,Chun-Lin Chen,Ming-Hua Tsai,Liang-An HUANG,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of making a trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US5108938A. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Grumman Aerospace Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile n-type fin field effect transistor and silicon containing compressive p-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US20170358677A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Method of forming a transistor with an active area layout having both wide and narrow area portions and a gate formed over the intersection of the two

Номер патента: US09899364B2. Автор: Thomas J. Aton,James Walter Blatchford. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Complementary metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20180277679A1. Автор: Hung-Lin Shih,Wei-Lun Hsu,Hsin-Che Huang,Shyan-Liang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Film forming method and method of manufacturing thin film transistor

Номер патента: US09947550B2. Автор: Eiji Takahashi. Владелец: Nissin Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240105839A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor (LDMOS) device with aligned buried layer isolation layer

Номер патента: US20030151088A1. Автор: Shih-Hui Chen,Jeng Gong,Chi-Hung Kao,Meng-Chi Wu,Kuo--Hsu Huang,Jia-Rong Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Manufacturing method of TFT array substrate

Номер патента: US09647013B2. Автор: XIANG Liu,Jianshe XUE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Synapse device and method of operating the same

Номер патента: US20240203473A1. Автор: Yoonyoung CHUNG,Seongmin Park,Suwon SEONG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US20240120419A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Lateral diffusion metal-oxide semiconductor device

Номер патента: US11881527B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Yu-Hung Chang,Ling-Chun Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Self-Protected Drain-extended metal-oxide-semiconductor Transistor

Номер патента: US20130264608A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Alain Loiseau,Junjun Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-10.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20120313084A1. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor with low trap-density material abutting a metal oxide active layer and the gate dielectric

Номер патента: US09911857B2. Автор: Chan-Long Shieh,Gang Yu,Fatt Foong. Владелец: CBRITE Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing of inverter and inverter

Номер патента: RU2433504C2. Автор: Хидея КУМОМИ,Масафуми САНО,Масато ОФУДЗИ,Кацуми АБЕ,Рио ХАЯСИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2011-11-10.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US20190237677A1. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Microcrystalline organic semiconductor film, organic semiconductor transistor, and method of manufacturing organic semiconductor transistor

Номер патента: US10985327B2. Автор: Tetsuya Watanabe,Takashi Goto,Eiji Fukuzaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

Metal oxide thin film transistor, array substrate and display device

Номер патента: US20240250178A1. Автор: Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Display device having an oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20240201550A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US09997514B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Capacitor comprising metal oxide film having high alignment

Номер патента: US09905586B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Display device having an oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09658506B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Display substrate, method of manufacturing the same

Номер патента: US09570621B2. Автор: Sung-Hoon Yang,Kap-Soo Yoon,Do-Hyun Kim,Dong-Hoon Lee,Ki-Hun Jeong,Pil-Sang Yun,Seung-Mi Seo,Jae-Ho Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09543442B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Structure and method of high-performance extremely thin silicon on insulator complementary metal-oxide-semiconductor transistors with dual stress buried insulators

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Ming Cai,Dechao Guo,Chun-Chen Yeh,Liyang Song. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of fabricating a metal-oxide-semiconductor transistor with a metal gate

Номер патента: US6080646A. Автор: Kun-Chih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A3. Автор: Todd R Abbot. Владелец: Todd R Abbot. Дата публикации: 2006-02-09.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: EP1656696B1. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-21.

Methods of forming a transistor with an integrated metal silicide gate electrode

Номер патента: WO2005020282A2. Автор: Todd R. Abbot. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of fabricating nanoenergetic meterials and thin film transistor using metal-oxide nanowire

Номер патента: KR101102143B1. Автор: 김도경,김현재,배중현. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-01-02.

Metal oxide semiconductor-controlled thyristor device having uniform turn-off characteristic and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210408265A1. Автор: Jong Il Won,Dong Yun Jung,Kun Sik Park,Doo Hyung CHO,Hyun Gyu JANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing gate stack structure in insta-metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

Номер патента: US20160013283A1. Автор: Thomas George,Wei-Ting Lai,Po-Hsiang Liao,Pei-Wen Li,Ting-Chia Hsu,Kuo-Ching Yang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-01-14.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Methods of forming high electron mobility transistors with controlled gate length and high electron mobility transistors with controlled gate length

Номер патента: US20240304678A1. Автор: Won Sang Lee. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

COMPLIMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR CIRCUIT HAVING TRANSISTORS WITH DIFFERENT THRESHOLD VOLTAGES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180076199A1. Автор: Hong Joon Goo,Wang Wei-E. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Manufacturing method of lateral groove type silicon carbide MOSFET (Metal oxide semiconductor field Effect transistor) with improved withstand voltage

Номер патента: CN115631997A. Автор: 周海,何佳,李昀佶,单体玮. Владелец: Global Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-20.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Extended Gate Dielectric Layer

Номер патента: US20160079368A1. Автор: Lin Shiuan-Jeng,Cheng Shyh-Wei,Chu Che-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Integrated Circuit with a Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20100052050A1. Автор: Ashraf W. Lotfi,Douglas Dean Lopata,William W. Troutman,Tanya Nigam. Владелец: Enpirion Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Transistor with air spacer and self-aligned contact

Номер патента: US09721897B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

High dielectric constant metal oxide gate dielectrics

Номер патента: US6998357B2. Автор: Peng Cheng,Brian S. Doyle,David B. Fraser,Gang Bai,Chunlin Liang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-02-14.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Bilayer dielectric stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: US20220223608A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with spacer over gate

Номер патента: US10644130B2. Автор: Jen-Pan Wang,Chung-Yuan Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-05.

METHOD OF FORMING LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR WITH PARTIALLY UNSILICIDED SOURCE/DRAIN

Номер патента: US20150171191A1. Автор: CHUANG Harry-Hak-Lay,ZHU Ming,Teo Lee-Wee. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

APPARATUS AND METHOD FOR A METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH SOURCE SIDE PUNCH-THROUGH PROTECTION IMPLANT

Номер патента: US20140038378A1. Автор: Khan Imran,FASTOW Richard M.,JU Dong-Hyuk. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH EMBEDDED SCHOTTKY RECTIFIER USING REDUCED MASKS PROCESS

Номер патента: US20140213026A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and a method of manufacture therefor

Номер патента: US20010049172A1. Автор: Charles Pearce. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Method of integration of ONO stack formation into thick gate oxide CMOS flow

Номер патента: US09824895B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing display panel with circuit-layer stack including metal, oxide, and capping layers, and display panel manufactured by the same

Номер патента: US11910679B2. Автор: Hongsick PARK,Juhyun Lee,Hyuneok Shin,Gyungmin BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of ONO stack formation

Номер патента: US09793284B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

STRUCTURE AND METHOD OF HIGH-PERFORMANCE EXTREMELY THIN SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH DUAL STRESS BURIED INSULATORS

Номер патента: US20150001625A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Gate dielectrics for complementary metal oxide semiconductors transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP4020539A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Matthew V. Metz,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Tristan TRONIC,Devin Merrill,Kirby MAXEY,Tobias Brown-Heft. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US12068204B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method of converting a metal oxide semiconductor transistor into a bipolar transistor

Номер патента: US20020192917A1. Автор: Ian Wylie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Manufacturing method of power semiconductor

Номер патента: US20140329364A1. Автор: Chien-Ping Chang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Complementary metal-oxide semiconductor transistor logic using strained SI/SIGE heterostructure layers

Номер патента: US5534713A. Автор: Khaled E. Ismail,Frank Stern. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Semiconductor transistor arrays

Номер патента: US20240234415A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming a fin-like bjt

Номер патента: US20150236116A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Chih-Sheng Chang,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Methods of manufacturing thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09881945B2. Автор: Qiyu Shen. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a device with MOS transistors

Номер патента: US09876032B2. Автор: François Andrieu,Olivier Weber,Gregory Bidal,Emmanuel Josse,Jerome Mazurier,Dominique Golanski,Sonarith Chhun. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US11810825B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Methods of Forming Epitaxial Structures in Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20190157162A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US20230377987A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of Forming Epitaxial Structures in Fin-Like Field Effect Transistors

Номер патента: US20200098644A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Lateral bipolar junction transistor with controlled junction

Номер патента: US09947778B2. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Extraction of resistance associated with laterally diffused dopant profiles in CMOS devices

Номер патента: US09852956B2. Автор: Edward J. Nowak,Robert R. Robison,Jonathan K. Winslow,Lyndon Ronald Logan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG157397A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-12-29.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137798A1. Автор: Luo Zhijiong,CHONG Yung Fu,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

A strained channel transistor and method of fabrication thereof

Номер патента: SG137761A1. Автор: Yung Fu Chong,Zhijiong Luo,Judson Holt. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-12-28.

Method of forming dual damascene structure

Номер патента: EP1246239A1. Автор: Atsushi Shiota. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2002-10-02.

Method of forming dual damascene metal interconnection employing sacrificial metal oxide layer

Номер патента: CN1624897A. Автор: 李敬雨,文永俊,金在鹤,黄晸郁. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-08.

Method of forming dual damascene metal interconnection employing sacrificial metal oxide layer

Номер патента: US20050124149A1. Автор: Kyoung-Woo Lee,Jae-Hak Kim,Young-Joon Moon,Jeong-Wook Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-09.

Method of integration of ono stack formation into thick gate oxide cmos flow

Номер патента: WO2018063459A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-05.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457B1. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-10.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: WO2005062752A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-07-14.

Metal carbide gate structure and method of fabrication

Номер патента: EP1687457A2. Автор: Katherine L. Saenger,Cyril Cabral, Jr.,Rajarao Jammy,Christopher Detavernier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-09.

Conductive structure and method of manufacturing the same, array substrate

Номер патента: US09716113B2. Автор: Zhiyuan Lin,Binbin CAO. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Double Sided NMOS/PMOS Structure and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20160027704A1. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Double sided NMOS/PMOS structure and methods of forming the same

Номер патента: US09754844B2. Автор: Jam-Wem Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Ultra-long silicon nanostructures, and methods of forming and transferring the same

Номер патента: US09691849B2. Автор: Matthew L. Scullin,Jeffrey M. Weisse,John P. REIFENBERG,Lindsay M. Miller. Владелец: Alphabet Energy Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated semiconductor and transition-metal oxide nanostructures and methods for preparing same

Номер патента: WO2008073529A3. Автор: Rahul Sabu Joseph,Jonathan E Spanier,Stephen S Nonnenmann. Владелец: Stephen S Nonnenmann. Дата публикации: 2008-09-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

A graphene substrate and method of forming the same

Номер патента: US20240313056A1. Автор: Ivor GUINEY,Sebastian Dixon,Jaspreet KAINTH,Thomas James BADCOCK. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20050181556A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US7592658B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Method of forming a semiconductor device having a capacitor and a resistor

Номер патента: US20080116498A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-22.

Methods of forming capacitors

Номер патента: US09887083B2. Автор: Vishwanath Bhat,Vassil N. Antonov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: US20020102418A1. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: WO2002059945A2. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2002-08-01.

Bilayer stack for a ferroelectric tunnel junction and method of forming

Номер патента: WO2023191981A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Steven CONSIGLIO. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of simultaneous silicidation on source and drain of NMOS and PMOS transistors

Номер патента: US12062579B2. Автор: Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US7413972B2. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Method of forming a metal interconnection line in a semiconductor device using an FSG layer

Номер патента: US20060134900A1. Автор: Hee-Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor devices including electrically isolated patterns and method of fabricating the same

Номер патента: US09881865B1. Автор: Peter Schindler,Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Hyo Jin Kim,Ki-Hyun Kim,Jinsung Kang,Stephen P. WALCH,John Provine,Youngdong Lee. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2018-01-30.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09793291B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Young-dae Kim,Hong-suk Kim,Jung-Hwan Kim,Hun-Hyeong Lim,Hyun-Jin Shin,Yong-Seok Cho,Han-Vit YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

High density metal layers in electrode stacks for transition metal oxide dielectric capacitors

Номер патента: US20230402499A1. Автор: Kaan OGUZ,Tristan TRONIC,Neelam Prabhu Gaunkar,Thomas Sounart. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

METHOD OF IMPROVING PERFORMANCE OF DEVICES WITH QDS COMPRISING THIN METAL OXIDE COATINGS

Номер патента: US20220077354A1. Автор: Ma Ruiqing,KIM Daekyoung,GUO Wenzhou,BARRERA Diego. Владелец: NANOSYS, INC.. Дата публикации: 2022-03-10.

Method of the two-dimensional potential temperature dependence determining in two-gate symmetric fully depleted field transistors with the “silicon on the insulator” structure; with the gaussian vertical profile of the working area doping

Номер патента: RU2650831C1. Автор: Николай Валерьевич Масальский. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2018-04-17.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of manufacturing a chemoresistor based on nanostructures of manganese oxide by electrochemical method

Номер патента: RU2677095C1. Автор: Федор Сергеевич Федоров,Виктор Владимирович Сысоев,Максим Андреевич Соломатин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-01-15.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20240304498A1. Автор: Rui Ju,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Hongxu Shao. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Structure of integrated circuitry and a method of forming a conductive via

Номер патента: US09960114B1. Автор: Sanh D. Tang,Sourabh Dhir,Naoyoshi Kobayashi,Andrew L. Li,Katsumi Koge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods of fabricating an f-ram

Номер патента: US20150004718A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Shan Sun,Kedar Patel,Thomas Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of manufacturing oxide semiconductor

Номер патента: US20210036224A1. Автор: Joosung KIM,Dongsu Kim,Hyungkoun CHO,Youngdae YUN. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20120214296A1. Автор: Hyosan Lee,Siyoung Choi,Kang-ill Seo,Hoonjoo NA,Sangjin Hyun,Hye-Lan Lee,Yugyun Shin,Hyung-seok HONG,Hagju CHO,Jun-Woong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-23.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010969A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20020013047A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: WO2000014792A1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US6753241B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections

Номер патента: US6468883B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US6015726A. Автор: Hiroshi Yoshida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-18.

Methods of forming metal oxide and semimetal oxide

Номер патента: US20060024881A1. Автор: Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of forming capacitor of semiconductor device by successively forming a dielectric layer and a plate electrode in a single processing chamber

Номер патента: US20060234500A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Ultrasonic transducers in complementary metal oxide semiconductor (CMOS) wafers and related apparatus and methods

Номер патента: US09899371B2. Автор: Jonathan M. Rothberg,Keith G. Fife,Nevada J. Sanchez,Susan A. Alie. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a high K metallic dielectric layer

Номер патента: US20030104673A1. Автор: Alex See,Jun Song,Shyue Quek,Ting Ang,Sang Loong,Cher Cha,Wye Loh,Chua Tee. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-06-05.

N-channel metal oxide semiconductor (nmos) driver circuit and method of making same

Номер патента: US20020089020A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Yujun Li,Rama Divakarumi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods of forming structures on an integrated circuit product

Номер патента: US8673760B1. Автор: Manfred Heinrich Moert. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Reduction of metal oxide in dual frequency plasma etch chamber

Номер патента: EP1078389A1. Автор: ZHENG Xu,Vijay Parkhe,Gilbert Hausmann,Barney M. Cohen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-02-28.

Methods of forming structures on an integrated circuit product

Номер патента: US20140248764A1. Автор: Manfred Heinrich Moert. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of forming a pattern

Номер патента: US12051590B2. Автор: Sangjin Kim,Taemin CHOI,Yigwon Kim,Jinhee Jang,Yongchul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Crystalline strontium titanate and methods of forming the same

Номер патента: US09816203B2. Автор: Tom E. Blomberg. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of making air bridges as interelectrode connections of integrated circuits

Номер патента: RU2685082C1. Автор: Михаил Александрович Тарасов,Артем Михайлович Чекушкин,Ренат Альбертович Юсупов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-04-16.

Method of making a semiconductor device using trench isolation regions to maintain channel stress

Номер патента: US20150099335A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2015-04-09.

Ferroelectric tunnel junction unit, a manufacturing method of a ferroelectric film thereof, a memory element, and a method of reading and writing the memory

Номер патента: US20180366477A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of producing zinc oxide semiconductor crystal

Номер патента: US20090260563A1. Автор: Akihiko Yoshikawa,Munehisa Fujimaki,Koji Omichi,Yoshikazu Kaifuchi. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190393080A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of fabricating contact hole

Номер патента: US20190206724A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Ching Chen,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Hsin-Yu Chiang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Functionalized metal oxide soldering methods and UV sensor manufactured thereof

Номер патента: US09855618B2. Автор: Kyoungsik Yu,Kyungmook KWON,Jaeho Shim,Kyunghan Choi. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-01-02.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Method of forming metal oxide metal capacitors using multi-step rapid material thermal process and a device formed thereby

Номер патента: US20020017670A1. Автор: Pradip Roy,Sailesh Merchant,Siddhartha Bhowmik,Sidhartha Sen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of forming metal oxide film, metal oxide film and optical electronic device

Номер патента: US20130078457A1. Автор: Tomohiro Okumura,Osamu Morita,Mitsuo Saitoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Array of memory cells and methods of forming an array of memory cells

Номер патента: US09881972B2. Автор: Tuman Earl Allen, III,Denzil S. Frost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: US09935114B1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Ultralow power carbon nanotube logic circuits and method of making same

Номер патента: US09613879B2. Автор: Hyungil Kim,Weichao Xu,Mark C. Hersam,Michael L. Geier,Pradyumna L. PRABHUMIRASHI. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of forming metal oxide coatings

Номер патента: WO1992019391A1. Автор: James C. W. Chien,Benmin Gong. Владелец: Chien James C W. Дата публикации: 1992-11-12.

Analog front end (afe) device for light-receiving sensor and method of controlling the same

Номер патента: US20240276123A1. Автор: Jun Hee Cho,Hyeong Seok SEO. Владелец: Solidvue Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Simplified light sensing circuit, light sensing apparatus including the light sensing circuit, method of driving the light sensing apparatus, and image acquisition apparatus and optical touch screen apparatus including the light sensing apparatus

Номер патента: US09891102B2. Автор: Young Kim,Sung-Ho Park,I-hun Song,Chang-Jung Kim,Sang-Hun Jeon,Seung-Eon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit and associated method of manufacture

Номер патента: GB2627043A. Автор: Price Richard,ALKHALIL Feras,Van Fraassen Niels. Владелец: Pragmatic Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

CMOS image sensor and a method of forming the same

Номер патента: US09653513B1. Автор: Yang Wu,Inna Patrick,Kihong Kim,Desmond Cheung,Feixia Yu. Владелец: Himax Imaging Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Light-sensing apparatuses, methods of driving the light-sensing apparatuses, and optical touch screen apparatuses including the light-sensing apparatuses

Номер патента: US09576992B2. Автор: Young Kim,I-hun Song,Chang-Jung Kim,Sang-Hun Jeon,Seung-Eon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor, thin film transistor array panel, and method of manufacturing a thin film transistor array panel

Номер патента: US20130277666A1. Автор: Hyun Kim,Bong-Kyun Kim,Seung-Ha Choi,Sang Gab Kim,Shin Il Choi,Su Bin Bae,Hong Sick Park,Sho Yeon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Fabricating method of complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) image sensor

Номер патента: US20080113477A1. Автор: JHY-JYI SZE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12041769B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Barrier layer circuit element and method of forming

Номер патента: US3561106A. Автор: Thomas D Mcgee. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 1971-02-09.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Solar cell module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150047707A1. Автор: Ji-won Lee,Sung-su Kim,Jong-Hwan Park,Do-Young Park,Sang-Hyun Eom,Soo-Youn Park,Hye-Jin Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-19.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Cells

Номер патента: US20130193403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Metal-oxide-semiconductor field-effect phototransistors based on single-crystalline semiconductor thin films

Номер патента: US20170104123A1. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-13.

Metal-oxide-semiconductor field-effect phototransistors based on single crystalline semiconductor thin films

Номер патента: US09653640B2. Автор: Zhenqiang Ma,Jung-Hun Seo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-05-16.

Complementary metal-oxide semiconductor integrated circuit device with isolation

Номер патента: US4870471A. Автор: Isao Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Biosensors for biological or chemical analysis and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12060606B2. Автор: Cheng Frank Zhong. Владелец: MGI Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Biosensors for biological or chemical analysis and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP4414690A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: MGI Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Biosensors for biological or chemical analysis and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240352520A1. Автор: Cheng Frank Zhong. Владелец: MGI Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrical Protective Circuit for Metal-Oxide-Semiconductor Transistors

Номер патента: GB1179388A. Автор: . Владелец: National Cash Register Co. Дата публикации: 1970-01-28.

Cmos image sensor and method of driving the same

Номер патента: US20080035966A1. Автор: Jung-Chak Ahn,Ju-Hyun Ko,Yong-Jei Lee,Sung-In Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-14.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20210391362A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing a glass article to provide increased bonding of metal to a glass substrate via the generation of a metal oxide layer, and glass articles such as glass interposers including the metal oxide layer

Номер патента: US11756847B2. Автор: Prantik Mazumder,Mandakini Kanungo,Rajesh Vaddi,Kaveh Adib,Philip Simon Brown. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20220328538A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Arrangement method of signal lines and integrated circuit to which the arrangement method is applied

Номер патента: US20240249057A1. Автор: Keiichi Kushida. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Pixel of a multi-stacked CMOS image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899453B2. Автор: Kyung-bae Park,Yong-wan Jin,Woong Choi,Kwang-Hee Lee,Kyu-Sik Kim,Do-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: EP2847769A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2015-03-18.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: WO2007105905A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of making a transparent metal oxide electrode

Номер патента: WO2013169106A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Gerardus Johan Jozef Winands,Pieter Jan Bolt,Andrea Illiberi,Frank Theodoor Johannes Grob. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-11-14.

Multifunctional Nanostructured Metal-Rich Metal Oxides

Номер патента: US20160035916A1. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2016-02-04.

Pixel array structure for cmos image sensor and method of the same

Номер патента: EP1994564A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-11-26.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Multifunctional nanostructured metal-rich metal oxides

Номер патента: US09954123B2. Автор: Andrew Wong,Jifeng Liu. Владелец: Dartmouth College. Дата публикации: 2018-04-24.

Operating method of image sensor

Номер патента: US09749567B2. Автор: Zhibiao Zhou,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of making high capacity electrode material

Номер патента: US20210005885A1. Автор: Randolph Carlton MCGEE. Владелец: Hamilton Sundstrand Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Method of preparation for precursor particles of lithium composite transition metal oxide using a rotating reactor

Номер патента: EP2811555B1. Автор: Sang Min Park,Ho suk SHIN,Hong Kyu Park,Byung Chun Park,Seong Hoon Kang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

A kind of preparation method of the two-dimentional anode material of super-fine metal oxide/graphene

Номер патента: CN107046126A. Автор: 卢锡洪,郑海兵,曾银香,程发良,童叶翔,于明浩,王成胜,张熙悦. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-15.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Method of forming electric heating element by method of plasma sputtering metal and/or metal oxide matrix

Номер патента: RU2383956C2. Автор: Джефри БОРДМАН. Владелец: 2Д Хит Лимитед. Дата публикации: 2010-03-10.

Composite film and method of forming the same

Номер патента: US09975776B2. Автор: Pooi See Lee,Afriyanti Sumboja,Ce Yao Foo. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Nanostructured mixed metal oxides as catalysts and method of making thereof

Номер патента: US20190169043A1. Автор: Eranda Nikolla,Bingwen Wang,Ayad Nacy. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-06.

Transparent article with a body and metal oxide disposed directly on the body, facilitating deposition of an electrically conductive and transparent ultra-thin metal film of a noble metal, and method of forming the same

Номер патента: US20220380882A1. Автор: Prantik Mazumder,Valerio Pruneri,Rinu Abraham MANIYARA,Daniel Martínez Cercós,Bruno Paulillo. Владелец: Institut de Ciencies Fotoniques ICFO. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of making multilayer barrier structure for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2414775C1. Автор: Карстен Агерстед НИЛЬСЕН,Сёрен ЛИНДЕРОТ,Петер Ванг ХЕНДРИКСЕН,Аса ПЕРСОН,Ларс МИКЕЛЬСЕН,Нильс КРИСТЬЯНСЕН,Йорген Гутзон ЛАРСЕН. Владелец: Топсе Фьюэл Сэл А/С. Дата публикации: 2011-03-20.

Method of designing magnetism in compositionally complex oxides

Номер патента: US20230290553A1. Автор: Matthew J. Brahlek,Thomas Z. Ward,Elbio R. Dagotto,Alessandro R. Mazza. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

PROTECTIVE SPINEL COATING FOR Ni-Mn-Co (NMC) CATHODE WITH HIGH Li CONTENT FOR LITHIUM-ION BATTERIES, METHOD OF APPLYING SAID COATING ON CATHODE AND CATHODE WITH SAID COATING

Номер патента: RU2702785C1. Автор: Артем Михайлович Абакумов,Евгений Владимирович Дикарев,Хан Хайшанг,Андрей Олегович Шевцов. Владелец: Автономная некоммерческая образовательная организация высшего образования "Сколковский институт науки и технологий". Дата публикации: 2019-10-14.

Thin film structure including metal seed layer and method of forming oxide thin film on transparent conductive substrate by using the metal seed layer

Номер патента: US09595361B2. Автор: Jae-ho Lee,Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Seong-Jun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Application of target for spark deposition and method of making such target

Номер патента: RU2501885C2. Автор: Маркус ЛЕХТХАЛЕР,Денис КУРАПОВ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2013-12-20.

Method for producing lithium composite metal oxide, lithium composite metal oxide, and nonaqueous electrolyte secondary battery

Номер патента: US09822015B2. Автор: Kenji Nakane,Yuichiro Imanari,Cedric Pitteloud,Kenji Takamori,Satoshi Shimano. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C9. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-11-20.

Powders of valve metal and valve metal oxide mixes and method of their production

Номер патента: RU2542866C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Хольгер БРУММ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2015-02-27.

Nanostructures consisting of gate metals and gate metal sub oxides and methods of their production

Номер патента: RU2493939C2. Автор: Кристоф ШНИТТЕР,Роберт МЮЛЛЕР,Хельмут ХААС,Хольгер БРУММ,Герхард ГИЛЛЕ,Манфред БОБЕТ. Владелец: Х. К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2013-09-27.

Nanostructured metal oxides comprising internal voids and methods of use thereof

Номер патента: EP2038899A2. Автор: Lynden A. Archer,Xiong Wen Lou. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2009-03-25.

Solid oxide fuel cells, electrolyzers, and sensors, and methods of making and using the same

Номер патента: US09670586B1. Автор: Leonid V. Budaragin,Paul D. Fisher,Mikhail Pozvonkov,Mark A. Deininger,II D. Morgan Spears. Владелец: FCET Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Preparation method of transition metal oxide and carbon nanotube composite, and composite thereof

Номер патента: US09640796B2. Автор: Ji Young Kim,Hyun Kyung KIM,Kwang Bum Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Anode materials for rechargeable lithium-ion batteries, and methods of making and using the same

Номер патента: WO2023064022A3. Автор: Ping Liu,Gerardo Jose la O',Haodong LIU. Владелец: Tyfast. Дата публикации: 2023-05-19.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of producing a multilayer microelectronic substrate

Номер патента: WO2003043035A1. Автор: Jacobus G. Boerekamp,Vassilios Zaspalis. Владелец: Philips Corporate Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2003-05-22.

Anode materials for rechargeable lithium-ion batteries, and methods of making and using the same

Номер патента: WO2023064022A2. Автор: Ping Liu,Gerardo Jose la O',Haodong LIU. Владелец: Tyfast. Дата публикации: 2023-04-20.

Method of producing image display apparatus

Номер патента: US20110146881A1. Автор: Naoki Furutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of producing image display apparatus

Номер патента: EP2337057A3. Автор: Naoki Furutani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-11-02.

Composite cathode active material, cathode and lithium battery containing the composite cathode active material, and method of preparing the composite cathode active material

Номер патента: EP4432376A2. Автор: Kyueun SHIM,Inhyuk Son,Sangkook Mah,SungNim Jo. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Anode materials for rechargeable lithium-ion batteries, and methods of making and using the same

Номер патента: EP4416773A2. Автор: Ping Liu,Gerardo Jose la O',Haodong LIU. Владелец: Tyfast. Дата публикации: 2024-08-21.

Three-dimensional nanosized porous metal oxide electrode material of lithium ion battery and preparation method thereof

Номер патента: US09985273B2. Автор: Ming Zhang,Zhigang Xu,Gang Wang,Yanbing Wang,Jiangming Sun,Tiepeng Zhao,Shirong Xie. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Extraction method of metallic element, particularly metallic chromium, from charge containing metal oxides in arc furnace

Номер патента: RU2352672C2. Автор: Йоханн РАЙХЕЛЬ,Бернт РОЛЛИНГЕР,Бернт РОЛЛИНГЕР (DE),Йоханн РАЙХЕЛЬ (DE). Владелец: Смс Демаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2009-04-20.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: US12117630B2. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP4439156A2. Автор: Mauro MELLI, Christophe PEROZ, Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Method of making an inert anode for electrolytic reduction of metal oxides

Номер патента: WO2004038825A2. Автор: David C. Meissner,Ashvin Srivastava,Abid Bengali,Jeffrey K. Cheetam,Jeffrey B. Musat. Владелец: PEL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2004-05-06.

Method of producing coated article, involving ion beam treatment of metal oxide protective film

Номер патента: RU2471732C2. Автор: Рудольф Хьюго ПЕТРМИХЛЬ,Цзянпин ВАН,Нестор П. МЕРФИ,Максимо ФРАТИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of improving foam fire resistance through the introduction of metal oxides thereinto

Номер патента: US5000813A. Автор: Francis U. Hill. Владелец: Sorrento Engineer Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

Method of producing metals and alloys by carbothermal reduction of metal oxides

Номер патента: CA2692541A1. Автор: Gary Burns,Sefa Yilmaz,Victor Black,Robert Herbert. Владелец: Robert Herbert. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP3938818A1. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Method of cleaning of adsorbed molecules in drying state on metal oxide by UV-visible assisted photocatalysis

Номер патента: US11946839B1. Автор: Chawki Awada. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-04-02.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Method of forming a digital video signal on a sensor chip, made by the technology of a cmos

Номер патента: RU2694742C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2019-07-16.

Method of forming a video signal on a sensor chip, made by the technology of a cmos

Номер патента: RU2709461C1. Автор: Вячеслав Михайлович Смелков. Владелец: Вячеслав Михайлович Смелков. Дата публикации: 2019-12-18.

Method of estimating activation energies of diffusion of oxygen ions in a memristor filament

Номер патента: RU2729978C1. Автор: Аркадий Викторович Якимов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Дмитрий Олегович Филатов,Алексей Викторович Клюев,Бернардо Спаньоло,Дмитрий Александрович Антонов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Test unit of ring generators on complementary metal-oxide-semiconductor transistors

Номер патента: RU2725333C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Николай Геннадьевич Григорьев,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2020-07-02.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: WO2024186381A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing a triple level ROM

Номер патента: US6001691A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-12-14.

Semiconductor read-only memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US5933735A. Автор: Jemmy Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Method of controlling screen display and device using said method

Номер патента: RU2712118C1. Автор: Гуошен ЛИ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-01-24.

Mobile communication device and method of managing said device

Номер патента: RU2438237C2. Автор: Тае Хун КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of producing radiation targets intended for producing radioactive isotopes, and a target for irradiation

Номер патента: RU2685422C2. Автор: Беатрис ШУСТЕР,Роберт БАТЕЛЬТ,Карл ГЁССВАЙН. Владелец: Фраматом Гмбх. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of differentiating between background and foreground of scene and method of replacing background in scene images

Номер патента: RU2572207C2. Автор: Вольфганг ФОНОЛЬФЕН,Райнер ВОЛЛЬЗИФЕН. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фёрдерунг Дер Ангевандтен Форшунг Э.Ф.. Дата публикации: 2015-12-27.

Method of producing photovoltaic elements using a precursor for liquid-phase application of p-type semiconductor layers

Номер патента: RU2694118C1. Автор: Сергей Иванович Диденко,Денис Валерьевич Кузнецов,Дмитрий Сергеевич Муратов,Марина Николаевна Орлова,Данила Сергеевич Саранин,Павел Андреевич Гостищев,Карло Альдо Ди,Всеволод Николаевич Мазов,Лев Олегович Лучников,Дмитрий Андреевич Подгорный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-07-09.

Systems and methods of capture of large-area images by parts including cascade cameras and/or calibration attributes

Номер патента: RU2562707C2. Автор: Стюарт Уилльям НИКСОН. Владелец: ниармэп острэйлиа пти лтд. Дата публикации: 2015-09-10.

User terminal, communication device and method of communication

Номер патента: RU2732994C2. Автор: Хиромаса УТИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-28.

Method for efficient allocation of frequency band of plurality of traffic streams with partially identical content

Номер патента: RU2497283C2. Автор: Душан СТАТЕЛОВ,Мартин ХУРТОН. Владелец: МЭЙНДАТА, спол. с р.о.. Дата публикации: 2013-10-27.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Improved adhesion of metal oxide layer

Номер патента: WO2012041853A3. Автор: Mikkel Jorgensen,Frederik Christian Krebs,Roar SØNDERGARD,Kion Norrman. Владелец: THE TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK. Дата публикации: 2012-05-31.

Device containing metal oxide-containing layers

Номер патента: WO2018219757A1. Автор: Ralf Anselmann,Jürgen STEIGER,Gerhard Renner,Alexey Merkulov. Владелец: EVONIK DEGUSSA GmbH. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of controlling synchronous rectifier metal-oxide-semiconductor with pulse transformer

Номер патента: US09871454B1. Автор: Chun-jen Huang,Hsian-Pei Yee,Ya-Wu Chung. Владелец: Sync Power Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Resources distribution method of downlink in sectored environment

Номер патента: RU2331983C2. Автор: Цзюньи ЛИ,Раджив ЛАРОЯ. Владелец: Квэлкомм Флэрион Текнолоджиз, Инк.. Дата публикации: 2008-08-20.

Method of soldering with soft solder

Номер патента: RU2372175C2. Автор: Лоренс К. КЕЙ,Эрик Дж. СЕВЕРИН,Луис А. АГИРРЕ. Владелец: П. Кей Метал, Инк.. Дата публикации: 2009-11-10.

Metal oxide films and uv-curable precursor solutions for deposition of metal oxide films

Номер патента: WO2023235899A1. Автор: Douglas A Keszler,Omid Sadeghi,Cory K Perkins. Владелец: Phosio Corporation. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of forming alloys by reducing metal oxides

Номер патента: US12116684B2. Автор: Prabhat K. TRIPATHY. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2024-10-15.

Mixed metal oxide oxidation catalysts and oxidative ammonolysis of propane and isobutane and method of obtaining them

Номер патента: RU2356627C2. Автор: Клаус Ж. ЛАГМЭР,Джессика ЗИСК,Роберт К. ГРАССЕЛЛИ. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЛЛК. Дата публикации: 2009-05-27.

Polymer composite having dispersed transition metal oxide particles

Номер патента: US10981843B2. Автор: Sudipta Seal,Eric Petersen,Robert Draper,David L. Reid. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2021-04-20.

Method of producing powder of simple or complex metal oxide

Номер патента: RU2723166C1. Автор: Виктор Дмитриевич Журавлев,Лариса Валерьевна Ермакова,Шамиль Минулович Халиуллин,Татьяна Александровна Патрушева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2020-06-09.

Preparation Method of Low-Chlorine Epoxy Resin and Use Thereof

Номер патента: US20240026066A1. Автор: Biao DU. Владелец: Zillion Ultrapure Epoxy Resin Xi'an Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Metal oxide films and uv-curable precursor solutions for deposition of metal oxide films

Номер патента: US20230393325A1. Автор: Douglas A Keszler,Omid Sadeghi,Cory K Perkins. Владелец: Phosio Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

A method of recovering iridium

Номер патента: US20230023272A1. Автор: Raghunandan Sharma,Shuang Ma ANDERSEN. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2023-01-26.

Particle of metal oxide carrier of catalyst and waste gas treatment catalyst

Номер патента: RU2392049C1. Автор: Масахиде МИУРА,Нобуюки ТАКАГИ,Синити МАТСУМОТО,Тоситака ТАНАБЕ,Ясутака НАГАИ,Казухико ДОХМАЕ,Ясуо ИКЕДА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of making an inert anode for electrolytic reduction of metal oxides

Номер патента: AU2003285897A1. Автор: David C. Meissner,Ashvin Srivastava,Abid Bengali,Jeffrey K. Cheetam,Jeffrey B. Musat. Владелец: PEL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of making an inert anode for electrolytic reduction of metal oxides

Номер патента: AU2003285897A8. Автор: David C Meissner,Ashvin Srivastava,Abid Bengali,Jeffrey K Cheetam,Jeffrey B Musat. Владелец: PEL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2004-05-13.

Method of producing a partially reduced product

Номер патента: CA1077723A. Автор: Karl-Axel Melkersson,Ingvar A. O. Edenwall,Karl G. Gorling,Carl J. S. Hellestam,Douglas S. Ekman,Hans I. Elvander. Владелец: Boliden Ab. Дата публикации: 1980-05-20.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: EP3938818B1. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

A method of recovering iridium

Номер патента: WO2021083758A1. Автор: Raghunandan Sharma,Shuang Ma ANDERSEN. Владелец: Syddansk Universitet. Дата публикации: 2021-05-06.

Synthesis method of graphitic shell-alloy core heterostructure nanowires and longitudinal metal oxide heterostructure nanowires, and reversible synthesis method between nanowires thereof

Номер патента: US20120114941A1. Автор: Nam Jo Jeong,Jeong Gu Yeo,Dong Kook Kim. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2012-05-10.

METHOD OF MAGNETIC ANALYSIS TO DETERMINE THE CATALYTIC ACTIVITY OF METAL OXIDES INCLUDING NANOCERIA

Номер патента: US20190017964A1. Автор: PAIDI Vinod K.,VAN LIEROP Johan A.,ROBERTS Charles A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

METHOD OF MANUFACTURING A GLASS COVERED WITH A FILM OF METAL OXIDES

Номер патента: FR2421851A1. Автор: Kenji Fujiwara,Shozaburo Nishikawa,Nobuhiro Sakata. Владелец: Saint Gobain Industries SA. Дата публикации: 1979-11-02.

Synthesis method of graphitic shell-alloy core heterostructure nanowires and longitudinal metal oxide heterostructure nanowires, and reversible synthesis method between nanowires thereof

Номер патента: EP2481501A2. Автор: Nam Jo Jeong,Jeong Gu Yeo,Dong Kook Kim. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of Making Coated Article Including Ion Beam Treatment of Metal Oxide Protective Film

Номер патента: SA08290732B1. Автор: مكسيمو فراتي,نيستور بي. مورفي,جيانجبينج وانج,رودولف هوجو بيترمايكل. Владелец: جارديان اندستريز كورب. Дата публикации: 2012-02-22.

Preparation method of cathode material of lithium ion battery coated with metal oxides on surface

Номер патента: CN101950803A. Автор: 赵丰刚,许瑞,柳娜,徐磊敏,吴梦尧. Владелец: Dongguan Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2011-01-19.

Method of producing metals and alloys by carbothermal reduction of metal oxides

Номер патента: ZA201000904B. Автор: Gary Burns,Sefa Yilmaz,Victor Black,Robert Herbert. Владелец: Dow Corning. Дата публикации: 2010-11-24.

Method of covering support* especially glass* with thin layer of metallic oxide

Номер патента: JPS5319313A. Автор: Fuiriibeeru Danieru. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 1978-02-22.

A kind of extracting method of the minal vulcanization after cure product of heavy metal oxidation mineral

Номер патента: CN109663663A. Автор: 赵文娟,曹阳,章晓林,苏超,刘殿文,贾晓东,李健民,申培伦,裴斌,刘思言,刘瑞增,李佳磊,杨升旺,蔡锦鹏,李江丽. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of manufacturing metal-carbon composite using carbon particle formed metal oxide

Номер патента: KR101431585B1. Автор: 이진우,이상복,이원오,이상관,정병문,엄문광,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2014-08-22.

Preparation method of silver nanoparticle/sulfur quantum dot double-doped MOF (metal oxide fiber) compound ratio fluorescent exosome aptamer probe

Номер патента: CN111876147B. Автор: 金辉,桂日军,姜晓文. Владелец: QINGDAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-21.

Method of fabricating display device having patterned lithium-based transition metal oxide

Номер патента: WO2020185832A1. Автор: Christophe Peroz,Mauro MELLI,Melanie Maputol WEST. Владелец: Magic Leap, Inc.. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US8529799B2. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Manufacturing method for metal oxide semiconductor material for gas sensor

Номер патента: US20120112137A1. Автор: Takayuki Nakano,Takahiro Ishibashi,Daisuke Kuwahara,Tetsuji Imamura. Владелец: Hokuriku Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-10.

Syngas production via cyclic reduction and oxidation of metal oxides

Номер патента: US09902615B2. Автор: Tritti SIENGCHUM,Luis G Velazquez-Vargas,Thomas J Flynn,Douglas J DeVault. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of forming metal oxide nanostructures on a TiN-buffered-substrate

Номер патента: US11976365B1. Автор: Faheem Ahmed,Nagih Mohammed Shaalan,Shalendra Kumar,Thamraa Alshahrani,Nishat Arshi,Ghazzai Almutairi,P. M. Z. Hasan,Naushad Ahmad,Afzal Hussain. Владелец: King Faisal University SA. Дата публикации: 2024-05-07.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of Forming and Controlling Morphology of Cracks in Silicon Dioxide Film

Номер патента: US20230057014A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods of Forming a Metal Material from a Metal Oxide Material by Electrochemical Reduction and Related Systems and Articles

Номер патента: US20240337037A1. Автор: Prabhat K. TRIPATHY. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2024-10-10.

Electrolysis cell for producing metals from metal oxides in molten electrolytes

Номер патента: RU2710490C1. Автор: Юрий Николаевич Попов,Петр Васильевич Поляков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Лёгкие Металлы". Дата публикации: 2019-12-26.

A cmos method of fabricating a combination of an ion sensitive field effect transistor (isfet) and mosfet device

Номер патента: WO2014189360A1. Автор: Zain Azlina Mohd,Mohd Rofei Mat Hussin,Muhamad Ramdzan Buyong,Zaini Khairil Mazwan MOHD,Sharaifah Kamariah WAN SABLI. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-11-27.

Catalyst for cleaning exhaust gases, method of regenerating said catalyst, as well as device and method of cleaning exhaust gases using said catalyst

Номер патента: RU2395341C1. Автор: Масахиде МИУРА,Нобуюки ТАКАГИ,Тоситака ТАНАБЕ,Ясутака НАГАИ,Казухико ДОХМАЕ,Ясуо ИКЕДА,Михо ХАТАНАКА,Тосио ЯМАМОТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-07-27.

Fire-proof part of flat structure, method of its fabrication and application

Номер патента: RU2568080C2. Автор: Маркус ТИДЕ. Владелец: АМАТО Брандшутцсистеме ГмбХ. Дата публикации: 2015-11-10.

One-step method of producing a pro-oxidant additive to polyolefins

Номер патента: RU2686179C1. Автор: Любовь Николаевна Студеникина,Артем Викторович Протасов,Наталья Николаевна Протасова,Владимир Иванович Корчагин,Любовь Васильевна Попова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2019-04-24.

Method of producing oxide catalyst and method of producing unsaturated nitrile

Номер патента: RU2720967C1. Автор: Эри ТАТЕНО,Минору КАДОВАКИ. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-05-15.

Catalyst for oxidising hydrocarbons during gas-phase contact, method of producing said catalyst and method for gas-phase oxidation of hydrocarbons using said catalyst

Номер патента: RU2456072C1. Автор: Джин-До КИМ,Кьйонг-Йонг ЧА,Санг-Хеуп МООН,Санг-Сеоп КУМ. Владелец: ЭсЭнЮ Ар энд ДиБи Фаундейшн. Дата публикации: 2012-07-20.

Catalyst for dehydration of paraffin hydrocarbons and method of its application

Номер патента: RU2432203C1. Автор: Юрий Петрович Баженов,Лилия Зайнулловна Касьянова,Юрий Виталиевич Морозов,Рашит Шайхуллович Салахов,Николай Петрович Гришанин,Елена Владимировна Алексеева. Владелец: Открытое акционерное общество "Синтез-Каучук". Дата публикации: 2011-10-27.

CATALYST SYSTEM AND METHOD OF REDUCING NOx

Номер патента: RU2386475C2. Автор: Каидонг Чен,Григорий Лев Соловейчик,Джонатан Ллойд МЭЙЛ,Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ,Тереза Гросела РОША,Дан ХАНКУ,Грегори Ли УОРНЕР,Дженнифер Кэтлин РЕДЛАЙН,Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ,Стенли Тереза БАДДЛ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2010-04-20.

Two-step method of removing carbon dioxide from synthesis gas

Номер патента: RU2741034C2. Автор: Торстен Катц,Ральф Нотц,Кристиан КУНКЕЛЬМАНН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2021-01-22.

Method of joining ITM materials using a partially- or fully-transient liquid phase

Номер патента: EP1466693A3. Автор: Michael Francis Carolan,Raymond Ashton Cutler,Steven Walton Rynders,Darryl P. Butt. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2009-08-26.

Combustible structural composites and methods of forming combustible structural composites

Номер патента: US20110281101A1. Автор: Ronald J. Heaps,W. David Swank,Michael A. Daniels,Eric D. Steffler. Владелец: Battelle Energy Alliance Llc. Дата публикации: 2011-11-17.

A method of fabricating ion sensitive field effect transistor (isfet) device

Номер патента: MY163969A. Автор: Binti Mohd Zain Azlina,Rofei Bin Mat Hussin Mohd,Ramdzan Bin Buyong Muhamad,Mazwan Bin Mohd Zaini Khairil,Kamariah Binti Wan Sabli Sharaifah. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2017-11-15.

STRUCTURES INCLUDING A SiOCN PHOTORESIST ADHESION LAYER AND METAL-OXIDE RESIST AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20240361695A1. Автор: Yiting Sun,Zecheng Liu,Fanyong Ran,Jérôme Samuel Nicolas,João Ricardo Antunes Afonso. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Metal oxide electrode for potentiometric measurements and method of its production

Номер патента: RU2691661C1. Автор: Владимир Сергеевич Руднев,Марина Сергеевна Васильева,Наталья Евгеньевна Забудская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-06-17.

Method of producing mixture of iron-cobalt carboxylates

Номер патента: RU2682522C1. Автор: Любовь Николаевна Студеникина,Артем Викторович Протасов,Наталья Николаевна Протасова,Владимир Иванович Корчагин,Алена Михайловна Суркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Воронежский государственный университет инженерных технологий" (ФГБОУ ВО "ВГУИТ"). Дата публикации: 2019-03-19.

Method of metal nitrate conversion

Номер патента: RU2437717C2. Автор: ЙОНГ Петра Элизабет ДЕ,Елле Рудольф Анне СИТСМА,ДИЛЛЕН Адрианус Якобус ВАН,ЙОНГ Крейн Питер ДЕ. Владелец: Джонсон Мэтти Плс. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of preparing mixed metal oxide catalysts for oxidative ammonolysis and/or oxidation of lower alkanes

Номер патента: RU2495720C2. Автор: Бхагья Чандра СУТРАДХАР,Джеймс Ф. БРЭЗДИЛ,Марк А. ТОФТ,Чарльз Дж. БЕСЕКЕР,Майкл Дж. СИЛИ,Муин С. ХАДДАД,Кристос ПАРАРИЗОС. Владелец: ИНЕОС ЮЭсЭй ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-10-20.

Method of catalytic oxidation of lignite at atmospheric pressure using oxygen as an oxidant

Номер патента: RU2700265C1. Автор: Цзин Лян,Хуэйхуэй ЯН,Сяньюн ВЭЙ,Чжиминь ЦЗУН. Владелец: Чайна Юниверсити Оф Майнинг Энд Текнолоджи. Дата публикации: 2019-09-16.

Reducing method of metals from oxides

Номер патента: RU2476035C1. Автор: Андрей Валерьевич Шеленин. Владелец: Андрей Валерьевич Шеленин. Дата публикации: 2013-02-20.

Molded pressed granules for slow release of borehole treatment agents into well and methods of their application

Номер патента: RU2690979C2. Автор: Д.В. Сатянараяна ГУПТА,Дун ШЕНЬ. Владелец: Бейкер Хьюз, Э Джии Компани, Ллк. Дата публикации: 2019-06-07.

Electrolysis method for water chloric-alkaline solutions, electrode for electrolysis of chloric-alkaline solution and method of making an electrolytic electrode

Номер патента: RU2330124C2. Автор: Кеннет Л. ХАРДИ. Владелец: Элтек Систимс Копэрейшн. Дата публикации: 2008-07-27.

Method of decomposing nitrogen dioxide

Номер патента: RU2386043C2. Автор: Петер ВЕРТ,Ричард Доминик О`САЛЛИВАН. Владелец: Джонсон Мэттей Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2010-04-10.

Method of using surface modifying metallic treatment agents to treat subterranean formations

Номер патента: RU2670804C9. Автор: Терри Д. МОНРО,Наима БЕСТАОУИ-СПАРР,Сумит БХАДУРИ,Ци ЦУ,Кимберли ЛАНТ,Хоан ЛЭ,Джеймс Б. КРЮЗ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-11-28.

Catalytic system and method of nox reduction

Номер патента: RU2355470C2. Автор: Григорий Лев Соловейчик,Джонатан Ллойд МЭЙЛ,Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ,Тереза Гросела РОША,Дан ХАНКУ,Грегори Ли УОРНЕР,Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ,Стенли Тереза БАДДЛ,Дженифер Кэтлин РЕДЛАЙН,Григорий Лев Соловейчик (US),Дан ХАНКУ (US),Джонатан Ллойд МЭЙЛ (US),Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ (US),Грегори Ли УОРНЕР (US),Дженифер Кэтлин РЕДЛАЙН (US),Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ (US),Тереза Гросела РОША (US),Стенли Тереза БАДДЛ (US). Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2009-05-20.

Method of determining oxygen storage capacity in oxide materials

Номер патента: RU2708899C1. Автор: Александр Владимирович Солдатов,Андрей Александрович Терещенко,Юрий Владимирович Русалев,Александр Александрович Гуда,Арам Лусегенович Бугаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет". Дата публикации: 2019-12-12.

Drug-releasing compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210322566A1. Автор: Rajashekharayya A. Sanguramath,Ariel Antonio Franco. Владелец: Nsc Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Electro-absorption optical modulation device and method of fabricating the same

Номер патента: US09618776B2. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of producing an alcohol dispersion of tantalum oxide nanoparticles

Номер патента: RU2741024C1. Автор: Павел Васильевич Кривошапкин,Елена Федоровна Кривошапкина,Екатерина Дмитриевна Кошевая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр "КОМИ научный центр Уральского отделения Российской академии наук". Дата публикации: 2021-01-22.

Method of producing methacrolein and its air-conditioning / dehydration for direct oxidative etherification

Номер патента: RU2645214C2. Автор: Штеффен КРИЛЛЬ,Маттиас ГРЁМПИНГ,Александер ЛИГИН,Торстен БАЛЬДУФ,Рудольф БУРГАРДТ. Владелец: Эвоник Рём ГмбХ. Дата публикации: 2018-02-19.

Method of producing conjugated diene

Номер патента: RU2734778C2. Автор: Ютака СУДЗУКИ,Такахиро СУДЗУКИ,Косуке СЕНДА. Владелец: Курарей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-23.

Method of obtaining metal nitrate on substrate

Номер патента: RU2516467C2. Автор: ЙОНГ Крийн Питер ДЕ,Мариска ВОЛТЕРС,Петер МЮННИК,Йоханнес Хендрик БИТТЕР,ЙОНГ Петра Элизабет ДЕ. Владелец: Джонсон Мэтти Плс. Дата публикации: 2014-05-20.

Method of manufacturing products with coating and products with coating produced by this method

Номер патента: RU2359928C2. Автор: Джеймс Дж. ФИНЛИ,Джеймс П. ТИЛЬ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of producing a coated polymer substrate having low emissive capacity

Номер патента: RU2732134C2. Автор: БЕЙССЕР Клартье ДЕ,Матхиас ИДЕ,ЗЕЛЕ Маттиас ВАН,ДРИССЕ Изабель ВАН. Владелец: Михилс Груп. Дата публикации: 2020-09-11.

Electro-chemical reduction of metal oxides

Номер патента: RU2347015C2. Автор: Эндрю Артур ШУК,Грегори Дэвид РИГБИ,Иван РАТЧЕВ. Владелец: Би Эйч Пи БИЛЛИТОН ИННОВЕЙШН ПТИ ЛТД.. Дата публикации: 2009-02-20.

Method of processing oxide nuclear fuel

Номер патента: RU2700934C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Владимир Юрьевич Шишкин,Вадим Анатольевич Ковров,Альберт Рафаэльевич Муллабаев. Владелец: Акционерное общество "Прорыв". Дата публикации: 2019-09-24.

Method of converting metal nitrates

Номер патента: RU2429073C2. Автор: ЙОНГ Крийн Питер ДЕ,ЙОНГ Петра Элизабет ДЕ,Елле Рудольф Анне СИТСМА,ДИЛЛЕН Адрианус Якобус ВАН,Елле Рудольф Анне СИТСМА (NL),ДИЛЛЕН Адрианус Якобус ВАН (NL),ЙОНГ Петра Элизабет ДЕ (NL),ЙОНГ Крийн Питер ДЕ (NL). Владелец: Джонсон Мэтти Плс. Дата публикации: 2011-09-20.

Metal oxides and/or their hydrates for the stabilization of aqueous preparation against growth of microorganisms

Номер патента: RU2744384C2. Автор: Анита ЦУМСТЕГ,Симон УРВИЛЕР,Йоахим ГЛАУБИЦ. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-03-09.

Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Номер патента: RU2732800C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Антон Алексеевич Бобков,Илья Анатольевич Плугин,Вячеслав Алексеевич Мощников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2020-09-22.

Glass article having zinc oxide coating and method of making said article

Номер патента: RU2447032C2. Автор: Срикант ВАРАНАСИ,Дейвид А. СТРИКЛЕР. Владелец: Аркема, Инк.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of preparing iron oxide containing catalysts

Номер патента: RU2320409C2. Автор: Кельд ЙОХАНСЕН,Петру ГОРДЕС. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of using surface modifying treatment agents to treat subterranean formations

Номер патента: RU2671878C2. Автор: Терри Д. МОНРО,Наима БЕСТАОУИ-СПАРР,Сумит БХАДУРИ,Ци ЦУ,Кимберли ЛАНТ,Хоан ЛЭ,Джеймс Б. КРЮЗ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2018-11-07.

Method of forming a clevis link

Номер патента: US5533328A. Автор: Mark Zmyslowski,Erik W. Larson. Владелец: Radar Ind Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

Methods of producing metal oxides, a method of producing adsorption media including the same, and a precursor of an active component including the metal oxide

Номер патента: WO2011115742A1. Автор: Nicholas R. Mann,Troy Tranter. Владелец: BATTELLE ENERGY ALLIANCE, LLC. Дата публикации: 2011-09-22.

Non-metal doped metal oxides formed using flame spray pyrolysis

Номер патента: US11739002B2. Автор: Makram Suidan,Panagiotis G. Smirniotis,Siva Nagi Reddy Inturi,Thirupathi Bonningari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-29.

Powder of metal oxide, powder of titanium oxide, method of producing metal oxide powder

Номер патента: RU2127221C1. Автор: Мохри Масахиде,Койке Хиронобу,Умеда Тецу,Танака Синитиро,Ватанабе Хисаси,Саегуса Кунио,Хасегава Акира. Владелец: Сумитомо Кемикал Компани Лимитед. Дата публикации: 1999-03-10.

Catalyst for ammoxidation reaction in fluidised catalyst bed and method of producing acrylonitrile

Номер патента: RU2702111C1. Автор: Акиёси ФУКУДЗАВА,Масатоси КАНЕТА. Владелец: Асахи Касеи Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-10-04.

Desulfurisation and new methods of desulfurisation

Номер патента: RU2340392C2. Автор: Марвин М. ДЖОНСОН,Гленн В. ДОДВЕЛЛ,Роберт В. МОРТОН,Тусхар В. ЧАУДХАРИ,Эдвард Л. САГРУ. Владелец: Конокофиллипс Компани. Дата публикации: 2008-12-10.

Plasma synthesis of nanopowdered metal oxide and related device

Номер патента: RU2351535C2. Автор: Махер И. БОУЛОС,Ежи В. ЮРЕВИЧ,Кристин А. Абдель Мессих НЕССИМ. Владелец: Текна Плазма Системз Инк.. Дата публикации: 2009-04-10.

Method of obtaining deactivation-resistant catalyst for selective catalytic reduction of nox

Номер патента: RU2553463C9. Автор: Франческо КАСТЕЛЛИНО,Анкер Денг ЙЕНСЕН,Пер Донсков РАМС,Янник Блаабйерг ПЕДЕРСЕН,Сива Санкар Редди ПУТЛУРУ. Владелец: ХАЛЬДОР ТОПСЕЭ А/С. Дата публикации: 2016-01-20.

Method of producing halogen-substituted aromatic amines

Номер патента: RU2531919C1. Автор: Константин Петрович Волчо,Нариман Фаридович Салахутдинов,Владимир Ильич Аникеев,Владислав Петрович Сивцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отеления Российской академии наук (НИОХ СО РАН). Дата публикации: 2014-10-27.

Method of producing water self-dispersed metal oxide and hydroxide powder, powder and aqueous dispersion thus obtained, use thereof

Номер патента: RU2447108C2. Автор: Жан МОРО,Жан-Марк СЮО,Ив КЕНЗИХЕР. Владелец: Коатекс С.А.С.. Дата публикации: 2012-04-10.

Method of producing granules of at least one metal oxide

Номер патента: RU2701946C2. Автор: Стефан ВОДЭ. Владелец: Орано Сикль. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of preparation of the catalyst

Номер патента: RU2653360C1. Автор: Павел Анатольевич Симонов,Владимир Александрович Собянин,Павел Валерьевич Снытников,Владимир Дмитриевич Беляев,Дмитрий Игоревич Потемкин,Туяна Баировна Шойнхорова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Уникат". Дата публикации: 2018-05-08.

Method of metals and alloy production by way of metal oxides carbo-thermal recovery

Номер патента: RU2458150C2. Автор: Виктор БЛЭК,Гари БЕРНС,Роберт ХЕРБЕРТ,Сефа ЙИЛМАЗ. Владелец: Дау Корнинг Корпорейшн. Дата публикации: 2012-08-10.

Method of producing composite materials as polymer matrices filled with nanoparticles of metal oxides with modified surface

Номер патента: RU2638658C2. Автор: Никита Александрович Емельянов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Малое Инновационное Предприятие "Междисциплинарный Нанотехнологический Центр". Дата публикации: 2017-12-15.

Mixed oxide based catalyst and method of producing ethylenically unsaturated carboxylic acids or esters

Номер патента: RU2579516C2. Автор: Дэвид Уилльям Джонсон,Сабина ЗЕМЯН. Владелец: ЛУСАЙТ ИНТЕРНЭШНЛ ЮКей ЛИМИТЕД. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of producing metal-containing nano-sized dispersions

Номер патента: RU2665575C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Майя Валерьевна Куликова,Мария Владимировна Чудакова,Оксана Сергеевна Дементьева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Ордена Трудового Красного Знамени Институт нефтехимического синтеза им. А.В. Топчиева Российской академии наук (ИНХС РАН). Дата публикации: 2018-08-31.

Method of applying thermal-protective composite coating containing zirconium oxide, on metal surface of article

Номер патента: RU2606815C2. Автор: Сергей Георгиевич Валюхов,Владимир Викторович Черниченко,Максим Сергеевич Филатов,Олег Владимирович Стогней,Валерий Евгеньевич Бурыкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-01-10.

Method of processing of fine red mud

Номер патента: RU2588910C1. Автор: Владимир Григорьевич Оленников,Александр Евгеньевич Ивановский,Хайчао Ванг. Владелец: Владимир Григорьевич Оленников. Дата публикации: 2016-07-10.

Tungsten-based pseudoalloy powder and method of its production

Номер патента: RU2707455C1. Автор: Юрий Владимирович Цветков,Николай Васильевич Алексеев,Андрей Владимирович Самохин,Андрей Андреевич Фадеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2019-11-26.

Method of photodegrading an organic pollutant in aqueous media

Номер патента: US20230294079A1. Автор: Md. A. Rashed,Mabkhoot Alsaiari,Farid A. Harraz,Mohd Faisal. Владелец: Najran University. Дата публикации: 2023-09-21.

Metal oxide particles and method for producing same

Номер патента: EP4249552A2. Автор: Masakazu Enomura,Daisuke Honda. Владелец: M Technique Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Processing of Composites with Partial Plies

Номер патента: US20240269942A1. Автор: Marc R. Matsen,John F. Spalding,Gwendolyn Marie Janda. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing complex metal oxide powder and amorphous complex metal oxide

Номер патента: US20080003161A1. Автор: Takeshi Kijima,Setsuya Iwashita,Toshihiko Kaneda,Satoshi Kimura,Hidemichi Furihata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Processing of composites with partial plies

Номер патента: EP4414150A1. Автор: Marc R. Matsen,John F. Spalding,Gwendolyn Marie Janda. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-08-14.

Mesoporous metal oxides and processes for preparation thereof

Номер патента: US09908103B2. Автор: Steven L. Suib,Altug Suleyman POYRAZ. Владелец: University of Connecticut. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing layered metal oxide particles and layered metal oxide particles formed thereof

Номер патента: US09738986B2. Автор: ZHONG Chen,Yuxin Tang,Zhili Dong. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Optical touch screen apparatuses and methods of driving the optical touch screen apparatuses

Номер патента: US09690428B2. Автор: Young Kim,I-hun Song,Sang-Hun Jeon,Seung-Eon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of producing composite metal oxide, metal oxide sintered body, and rotary kiln

Номер патента: US09598320B2. Автор: Mikio Nakashima,Naomichi Hori. Владелец: Toho Material Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of obtaining particles of doped metal oxides

Номер патента: RU2404119C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Харальд АЛЬФ,Андрее-Маттиас РОХНИА,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Харальд АЛЬФ (DE),Андрее-Маттиас РОХНИА (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-11-20.

Method of manufacturing formed product with antistatic covering

Номер патента: RU2353631C2. Автор: Патрик БЕККЕР,Рольф НЕЕБ,Гирмай СЕЙУМ,Томас ХАССКЕРЛ. Владелец: Рем Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of obtaining ultra- and nanodispersion powders of unfusible carbides of transition metals of iv and v subgroups

Номер патента: RU2680339C1. Автор: Сергей Николаевич Юдин,Анатолий Владимирович Касимцев,Наталия Юрьевна Табачкова,Александр Владимирович Шуйцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МЕТСИНТЕЗ". Дата публикации: 2019-02-19.

Article with coating with ir-reflecting layer and method of its manufacturing

Номер патента: RU2718457C1. Автор: Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Антон ДИТРИХ,Роберт БЕЙКЕР,Стюарт СИЛЬВЕСТЕР,Эдуардо САНС. Владелец: ГАРДИАН ИНДАСТРИЗ ЮКей ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-06.

Method of producing high-octane gasoline fractions and aromatic hydrocarbons

Номер патента: RU2704006C1. Автор: Виктор Георгиевич Степанов. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2019-10-23.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Medical device using flexible illuminating constructions and method of its production

Номер патента: RU2394614C2. Автор: Филлип БЕРВЕЛЛ,Джеймс К. ЧЕН,Цзыхун ГО,Стивен Р. ДЕЙЛИ,Дэвид Б. ШАЙН,Гэри ЛИЧТТЕНЕДЖЕР. Владелец: Лайт Сайенсиз Онколоджи, Инк.. Дата публикации: 2010-07-20.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of obtaining thin films of tin-indium oxide

Номер патента: RU2656916C1. Автор: Андрей Сергеевич Левашов,Дмитрий Сергеевич Бурый,Александра Руслановна Латыпова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кубанский государственный университет" (ФГБОУ ВО "КубГУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Porous article and method of producing thereof

Номер патента: RU2610046C2. Автор: Кэйдзиро СИГЭРУ. Владелец: Сумитомо Осака Симент Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of saturation of porous work pieces with metal oxides

Номер патента: RU2568425C1. Автор: Евгений Константинович Лысенко,Дмитрий Валерьевич Марушкин,Ирина Валентиновна Хмелевская,Леся Григорьевна Чумак,Тимур Алданович Миреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-11-20.

Method of medical rehabilitation of patients with partially controlled mild bronchial asthma

Номер патента: RU2655543C1. Автор: Марина Владимировна Антонюк,Татьяна Александровна Гвозденко,Елена Евгеньевна Минеева,Ольга Николаевна Фотина,Алла Валентиновна Юренко,Кира Константиновна Ходосова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Дальневосточный научный центр физиологии и патологии дыхания" (ДНЦ ФПД). Дата публикации: 2018-05-28.

Method of obtaining metal oxide-containing layers

Номер патента: RU2553151C2. Автор: Юрген ШТАЙГЕР,Хайко ТИМ,Арне ХОППЕ,Алексей Андреевич МЕРКУЛОВ,Дуи Ву ПХАМ. Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of processing minerals

Номер патента: RU2553150C2. Автор: Виллем Либенберг РЕТИФ (умер),Джоаннес Теодорус НЕЛ,ПЛЕССИС Вильгемина ДУ,Филиппус Лодевик КРОУЗЕ,РУКС Джоанна Петрус ЛЕ. Владелец: Зе Саус Африкан Нуклеар Энерджи Корпорэйшн Лимитед. Дата публикации: 2015-06-10.

Method of producing porous granular catalyst

Номер патента: RU2453367C1. Автор: Михаил Васильевич Астахов,Георгий Александрович Фролов,Андрей Владимирович Михальский,Михаил Васильевич Астахов (RU),Андрей Владимирович Михальский (RU),Георгий Александрович Фролов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ОДИССЕЙ-А". Дата публикации: 2012-06-20.

Method of organ-preserving surgical treatment of patients with local kidney cancer

Номер патента: RU2584090C1. Автор: Олег Иванович Кит,Елена Михайловна Франциянц,Сергей Николаевич Димитриади. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Ростовский научно-исследовательский онкологический институт" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2016-05-20.

Design of form to make stairs and stair platforms, method to manufacture such form and method of its usage

Номер патента: RU2525407C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Пластедиль С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Syngas production via cyclic reduction and oxidation of metal oxides

Номер патента: AU2022203684B2. Автор: Tritti SIENGCHUM,Thomas Flynn,Douglas DEVAULT,Luis Velazquez-Vargas. Владелец: Babcock and Wilcox Co. Дата публикации: 2023-10-12.

Metal oxide powder, and method for producing same

Номер патента: US20240182318A1. Автор: Koji Miyazaki,Takaaki Minamikawa,Hiroyuki Shiotsuki. Владелец: Denka Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods of separation of a metal from its liquid-soluble oxide for analysis

Номер патента: US10132788B2. Автор: Henry Ye,Douglas M. Papenmeier,Steven M. Lovejoy. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-11-20.

Method of preparing a fumed metal oxide dispersion

Номер патента: US20020086909A1. Автор: Steven Brown. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of preparing a fumed metal oxide dispertion

Номер патента: EP1349809A2. Автор: Steven E. Brown. Владелец: Cabot Corp. Дата публикации: 2003-10-08.

Metal oxide material reduction means

Номер патента: CA3211225A1. Автор: Ola Eriksson,Daniel MARJAVAARA,Björn Åström,Örjan Fjällborg. Владелец: Luossavaara Kiirunavaara AB LKAB. Дата публикации: 2022-08-25.

Word line driver circuits for memory devices and methods of operating same

Номер патента: US20210225425A1. Автор: Youngsik Kim,Sangyun Kim,Seunghyun CHO,Sunggeun Do,Gongheum HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Structurally modified nanosheets of metal oxides and related methods

Номер патента: US20240254633A1. Автор: QIAN Rong,Vinayak P. Dravid,Jingshan Du. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of manufacturing metal oxide nanowires

Номер патента: US20070275567A1. Автор: Yang Liu,Chunhua Xu,San-Qiang Shi,Chung Woo. Владелец: Hong Kong Polytechnic University HKPU. Дата публикации: 2007-11-29.

Composite materials and methods of making and use thereof

Номер патента: US20200108372A1. Автор: Zhongqi Liu,Ruigang Wang,Haoming Yan,Qing Peng. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 2020-04-09.

Coatings that contain fluorinated yttrium oxide and a metal oxide, and methods of preparing and using the coatings

Номер патента: US20240344195A1. Автор: Carlo Waldfried,Stephen Longo. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Graft polymerized metal oxide compositions and methods

Номер патента: WO1999006458A1. Автор: Charles E. Seeney,Tanna K. Watson. Владелец: Kerr-Mcgee Chemical, L.L.C.. Дата публикации: 1999-02-11.

Preparation method of granular oxide adsorbent, and water treatment method using same

Номер патента: US09950310B2. Автор: Kwang-Ho Choo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of obtaining paraffinic hydrocarbons from natural fat

Номер патента: US09745522B2. Автор: Osazuwa Osawaru,Jacek Kijenski,Ewa Smigiera,Anna ZGUDKA,Antoni Migdal,Monika NEMTUSIAK,Iwona RASINSKA,Andrzrj Kawalec. Владелец: INSTYTUT CHEMII PRZEMYSLOWEJ. Дата публикации: 2017-08-29.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

Neutral coated article with low radiating power and method of its manufacture

Номер патента: RU2159158C2. Автор: Эндрю НЬЮМЭН Джордж,Линн Стюарт-Дэвис Ройэнн. Владелец: Ппг Индастриз Огайо Инк.. Дата публикации: 2000-11-20.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Treatment method of metallic surfaces by means of carboxylation, application of this method for temporary protection against corrosion and manufacturing method of deformed and carboxylated sheet

Номер патента: RU2384653C1. Автор: Эрве ДЕРУЛЬ,Лидия РАШИЕЛЬ,Софи ЖАК,Николь ЖЕНЕТ,Жан СТЕЙНМЕТЦ,Эмманюэль РОККА. Владелец: Арселормитталь Франс. Дата публикации: 2010-03-20.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of producing a stabilizer composition and a stabilizer composition obtained using said method

Номер патента: RU2743502C1. Автор: Гюнтер ШМИД,Михаэль ГЕХЕР,Губерт МЁДРИТШЕР. Владелец: Хемсон Полимер-Аддитив Аг. Дата публикации: 2021-02-19.

Method of producing aromatic diamines and triamines from aromatic nitro-compounds

Номер патента: RU2549618C1. Автор: Константин Петрович Волчо,Нариман Фаридович Салахутдинов,Владимир Ильич Аникеев,Владислав Петрович Сивцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Новосибирский институт органической химии им. Н.Н. Ворожцова Сибирского отделения Российской академии наук (НИОХ СО РАН). Дата публикации: 2015-04-27.

Method of obtaining acetylene by sachsse-bartholomé method

Номер патента: RU2562460C2. Автор: Дирк ГРОССШМИДТ,Максимилиан ВИКАРИ,Томас Хайдеманн,Юрген Михель,Лючия КЕНИГСМАНН. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of obtaining mixtures of high-differed heterogeneous powders based on boron carbide

Номер патента: RU2683107C1. Автор: Геннадий Петрович Зайцев,Сукяс Семенович Орданьян,Татьяна Викторовна Коцарь,Дмитрий Петрович Данилович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный технологический институт (технический университет)". Дата публикации: 2019-03-26.

Method of producing nanocapsule of metal oxides

Номер патента: RU2631480C1. Автор: Александр Александрович Кролевец. Владелец: Александр Александрович Кролевец. Дата публикации: 2017-09-22.

Mixed oxide powder containing alkali metal oxide, and silicon rubber containing said powder

Номер патента: RU2395449C2. Автор: Кай ШУМАХЕР,Хельмут РОТ,Райнер ГОЛЬХЕРТ,Хельмут МАНГОЛЬД,Марио ШОЛЬЦ,Кай ШУМАХЕР (DE),Хельмут РОТ (DE),Райнер ГОЛЬХЕРТ (DE),Хельмут МАНГОЛЬД (DE),Марио ШОЛЬЦ (DE). Владелец: Эвоник Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-07-27.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Synthesis of nanoparticles of composite metal oxides in supercritical water

Номер патента: RU2438982C2. Автор: Владимир Ильич Аникеев. Владелец: Учреждение Российской Академии наук Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of producing compactin

Номер патента: RU2585234C2. Автор: Валентина Степановна Холявка,Светлана Георгиевна Варфоломеева,Юрий Иванович Цыганов. Владелец: Открытое акционерное общество "Красфарма". Дата публикации: 2016-05-27.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of forming pressurized lubricating circuit in engine component (versions)

Номер патента: RU2697295C2. Автор: Энтони Джордж ШЕПАК,Клифф Е. МАКИ,Мэтью Леонард ХИНТЦЕН,Марк В ТИБОЛЬТ. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-08-13.

Method of surgical treatment of longitudinal tendon rupture with partial transverse separation

Номер патента: RU2673114C1. Автор: Карен Альбертович Егиазарян,Иван Владимирович Сиротин,Алексей Витальевич Ивков,Инна Олеговна Чижикова,Михаил Александрович Горбачёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Российский национальный исследовательский медицинский университет им. Н.И. Пирогова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО РНИМУ им. Н.И. Пирогова Минздрава России). Дата публикации: 2018-11-22.

Method of producing isosorbide di(meth)acrylate

Номер патента: RU2703461C2. Автор: Мартин КАЛЛЕР,Кристоф ФЛЕККЕНШТАЙН,Андреа Мисске,Фридерике Фляйшхакер,Ритеш НАИР,Ульрик ШТЕНГЕЛЬ,Матие БЛАНХОТ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2019-10-17.

Processing method of scraps of anodes of tantalum oxide-semiconductor capacitors

Номер патента: RU2480529C1. Автор: Вениамин Моисеевич Орлов,Евгений Николаевич Киселев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2013-04-27.

Method of forming thin films, device for forming thin films, and thin film forming process monitoring method

Номер патента: RU2324765C2. Автор: Тосиаки КАКЕМУРА,Хирото КАСИМА,Манабу ЦУДЗИНО. Владелец: Топпан Принтинг Ко., Лтд.. Дата публикации: 2008-05-20.

Method of production of oxides of refractory metals from loparite concentrate

Номер патента: RU2160787C1. Автор: С.В. Шестаков,Н.В. Зоц. Владелец: Закрытое акционерное общество "Росредмет". Дата публикации: 2000-12-20.

Method of high-temperature soldering of metal substrate surface

Номер патента: RU2568545C2. Автор: Себастьян ПИГЕРТ,Инго РАЙНКЕНСМАЙЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-11-20.

Absorbing cores and methods of their formation

Номер патента: RU2680946C1. Автор: Майкл Б. ВЕНТУРИНО,Джозеф Дж. СИНА. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of prolonged heterogeneous catalysed partial oxidation of propene to acrolein in gaseous phase

Номер патента: RU2349576C9. Автор: Йохен ПЕТЦОЛЬДТ,Клаус Йоахим МЮЛЛЕР-ЭНГЕЛЬ,Мартин ДИТЕРЛЕ. Владелец: Басф Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2010-02-20.

Treatment method of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal and drying-retort module for treatment of wood biomass in form of combustive chips with receiving of bio-oil and wood coal

Номер патента: RU2338770C1. Автор: Владимир Николаевич Пиялкин,лкин Владимир Николаевич Пи,Юрий Николаевич Пильщиков,Сергей Анатольевич Прокопьев,Валентин Михайлович Глуховский,Алексей Яковлевич Киповский,Иль Игоревич Белоусов,Илья Игоревич Белоусов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АРС Группа". Дата публикации: 2008-11-20.

Method of identifying elastic afterworking cause, method of displaying influence of elastic afterworking, method of identifying location of elastic afterworking cause, method of identifying position of elastic afterworking preventer, devices for their implementation and programmes

Номер патента: RU2424074C2. Автор: Ясухару ТАНАКА,Тосиюки НИВА,Сеиити ДАИМАРУ,Юкихиса КУРИЯМА,Такаси АРИГА,Тору Ёсида,Сундзи ХИВАТАСИ,Сатору ОКАЯМА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-07-20.

Method of producing a polyorganosiloxane-based stamp, a polyorganosiloxane-based die, use thereof for the printing process and a method for imprinting using it

Номер патента: RU2741506C2. Автор: Маркус Антониус ВЕРСХЮИРЕН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of obtaining population of cells, expressing puripotency markers and markers, characteristic of formed endoderm line

Номер патента: RU2553538C2. Автор: Алиреза РЕЗАНИА. Владелец: Сентокор Орто Байотек Инк.. Дата публикации: 2015-06-20.

Method of fabricating metal oxide nanomaterials using a thermally decomposable solid substrate

Номер патента: US11827525B1. Автор: Babiker Yagoub Elhadi Abdulkhair,Mohamed Rahamtalla Elamin. Владелец: Imam Mohammad Ibn Saud Islamic University. Дата публикации: 2023-11-28.

Ionic salt, radiation-sensitive resist composition comprising the same, and method of forming pattern using the same

Номер патента: US20230022002A1. Автор: TADAO Yagi,Mitsumasa Hamano,Naoki Ogiwara,Nobuji Sakai,Sayaka UCHIDA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-01-26.

Metal object with roughened surface and method of production

Номер патента: US20180133370A1. Автор: Andrew Derek Turner,James Shawcross,David Richard Lewis,James MEROTRA,Jonathan Speed. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2018-05-17.

Method of producing composite oxide ceramics

Номер патента: US5795537A. Автор: Kenji Hamada,Sang-Hee Cho,Mamoru Senna. Владелец: NARA MACHINERY CO LTD. Дата публикации: 1998-08-18.

Metal object with roughened surface and method of production

Номер патента: EP3294354A1. Автор: Andrew Derek Turner,James Shawcross,David Richard Lewis,Jonathon SPEED,James MEROTRA. Владелец: ACCENTUS MEDICAL PLC. Дата публикации: 2018-03-21.

Powder mixture to be made into evaporation source material for use in ion plating, evaporation source material for use in ion plating and method of producing the same, and gas barrier sheet and method of producing the same

Номер патента: US20110163276A1. Автор: Yoshihiro Kishimoto. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-07-07.

Composite silica-metal oxide particles for magnesiothermic reduction

Номер патента: WO2015061159A1. Автор: Dimitris Elias Katsoulis,Robert Larsen,Mercouri Kanatzidis,Vasgen A. Shamamian,Kyriaki POLYCHRONOPOULOU,JR. Michael WEBERSKI. Владелец: Dow Corning Corporation. Дата публикации: 2015-04-30.

Spinel-structured metal oxide on a substrate and method of making same by molecular beam epitaxy

Номер патента: US20040123797A1. Автор: Scott Chambers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Silica Materials and Methods of Making Thereof

Номер патента: US20190322535A1. Автор: Pamela M. Norris,Jong Ho Sonn. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of making articles including inkjet printing sols containing metal oxide nanoparticles

Номер патента: US20240300139A1. Автор: Martin Goetzinger,Jeffrey N. BARTOW,Malte Korten,Michael Jahns,Gareth A. Hughes,Melissa A. Lackey. Владелец: Solventum Intellectual Properties Co. Дата публикации: 2024-09-12.

Thermal insulator and method of manufacturing the same

Номер патента: US09950963B2. Автор: Yoshihiko Goto,Ken Maeda,Yasuo Ito,Akifumi Sakamoto. Владелец: Nichias Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for implanted-ion assisted growth of metal oxide nanowires and patterned device fabricated using the method

Номер патента: US09725801B2. Автор: Jungwook CHOI,Jongbaeg Kim,Hyungjoo NA,Kyoung Hoon Lee,Dae-Hyun BAEK,Jaesam SIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing tin-doped indium oxide nanofibers

Номер патента: US09670598B2. Автор: Soydan Ozcan,Amit K Naskar. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of purifying sulphur-alkaline sewage waters

Номер патента: RU2718712C1. Автор: Владимир Александрович Будник,Роман Игоревич Бобровский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ХАММЕЛЬ". Дата публикации: 2020-04-14.

Method of comparative evaluation of batches of transistors by quality and reliability

Номер патента: RU2739480C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Митрофан Иванович Горлов,Александр Александрович Винокуров,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing tin dioxide

Номер патента: RU2428380C1. Автор: Валерий Васильевич Коробочкин,Наталья Васильевна Усольцева,Михаил Александрович Балмашнов,Дмитрий Александрович Горлушко,Валентина Васильевна Бочкарёва. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2011-09-10.

STRUCTURE AND METHOD OF HIGH-PERFORMANCE EXTREMELY THIN SILICON ON INSULATOR COMPLEMENTARY METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR TRANSISTORS WITH DUAL STRESS BURIED INSULATORS

Номер патента: US20130264653A1. Автор: Guo Dechao,Cai Ming,Yeh Chun-chen,Song Liyang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-10.

Preparation method of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with silicon-on-nothing (SON) structure

Номер патента: CN102339754A. Автор: 张苗,王曦,黄晓橹,陈静. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Preparation method of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with silicon-on-nothing (SON) structure

Номер патента: CN102339754B. Автор: 张苗,王曦,黄晓橹,陈静. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2014-08-20.

Method of producing burned pellets froma material which contains a metal oxide

Номер патента: AU488767B2. Автор: Skretting Hans. Владелец: Elkem Spigerverket AS. Дата публикации: 1975-10-09.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH EMBEDDED SCHOTTKY RECTIFIER USING REDUCED MASKS PROCESS

Номер патента: US20140077290A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

TRENCH METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH MULTIPLE TRENCHED SOURCE-BODY CONTACTS FOR REDUCING GATE CHARGE

Номер патента: US20140103426A1. Автор: HSIEH Fu-Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Spacer over Gate

Номер патента: US20140117467A1. Автор: Wang Jen-Pan,Yang Chung-Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-01.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) with electrostatic protection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104733508A. Автор: 陈宇,钟树理,朱超群. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-24.

Method of producing mixtures of high-fusible and low-fusible metal oxides in ferrite production

Номер патента: SU800244A1. Автор: Рафаэль Ильич Агладзе,Медея Николаевна Джалиашвили,Гиви Шалвович Мампория,Эрмиле Сергеевич Кемоклидзе,Светлана Васильевна Смыкова,Дмитрий Леванович Гогичадзе. Владелец: Институт Неорганической Химии Иэлектрохимии Ah Грузинской Ccp. Дата публикации: 1981-01-30.

A kind of preparation method of the three-dimensional network composite material of tubular metal oxide/carbon

Номер патента: CN109942020A. Автор: 陈道勇,黄霞芸,李会亚,王伟冲. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-28.

Method of producing membranes with regular nanopores from barrier-film metal oxides

Номер патента: RU2405621C2. Автор: Михаил Николаевич Черновский,Владимир Николаевич Тюрин,Леонид Николаевич ЛЕСНЕВСКИЙ,Сергей Юрьевич Михеев,Юрий Алексеевич Рыжов,Игорь Иванович Шкарбан. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский авиационный институт (государственный технический университет) (МАИ). Дата публикации: 2010-12-10.

Method of field cmos transistor formation using dielectrics based on metal oxides with high inductive capacity rate and metal gates (versions)

Номер патента: RU2393586C1. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Юрий Александрович Матвеев,Юрий Юрьевич Лебединский,Владимир Николаевич Неволин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-06-27.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002132A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ETCHING SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20120003835A1. Автор: Yeh Chiu-Hsien,Yang Chan-Lon,Wang Yeng-Peng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf ldmos transistors

Номер патента: RU2498448C1. Автор: Михаил Миронович Крымко,Сергей Викторович Корнеев,Виктор Васильевич Бачурин. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар"" (ОАО "НПП "Пульсар"). Дата публикации: 2013-11-10.

NANOSCALE METAL OXIDE RESISTIVE SWITCHING ELEMENT

Номер патента: US20120001146A1. Автор: Lu Wei,Jo Sung Hyun. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing terahertz detectors

Номер патента: RU2545497C1. Автор: Максим Викторович Кузнецов,Владимир Владимирович Чесноков,Дмитрий Владимирович Чесноков,Денис Вячеславович Кочкарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирская государственная геодезическая академия" (ФГБОУ ВПО "СГГА"). Дата публикации: 2015-04-10.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Monolayers of organic compounds on metal oxide surfaces or metal surfaces containing oxide and component produced therewith based on organic electronics

Номер патента: US20120003485A1. Автор: Hayden Oliver,Schmid Gunter,Halik Marcus,Habich Dana Berlinde. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR TRANSISTOR NANO-HETEROSTRUCTURE ON SUBSTRATE OF GaAs WITH MODIFIED STOP LAYER OF AlxGa1-xAs

Номер патента: RU2582440C1. Автор: Галиб Бариевич Галиев,Евгений Александрович Климов,Алексей Николаевич Клочков,Сергей Сергеевич Пушкарев,Рустам Анварович Хабибуллин,Дмитрий Сергеевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2016-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INKJET RECORDING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF THE INKJET RECORDING APPARATUS

Номер патента: US20120001971A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of depositing platinum layers onto substrate

Номер патента: RU2426193C1. Автор: Александр Михайлович Баранов,Андрей Владимирович Соколов,Алексей Андреевич Васильев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2011-08-10.

Method of reduction of metal oxides

Номер патента: RU2317342C2. Автор: Валентин Николаевич Александров,Владимир Александрович Баранов,Владислав Владимирович Баранов,Даниил Валентинович Александров. Владелец: Даниил Валентинович Александров. Дата публикации: 2008-02-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of protection against fakes and control of valuable products authenticity

Номер патента: RU2333535C1. Автор: Валерий Андреевич Базыленко,Сергей Владимирович Бацев,Ильдар Загитович Давлетшин,Михаил Степанович Уласевич. Владелец: Михаил Степанович Уласевич. Дата публикации: 2008-09-10.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

RAPID CRYSTALLIZATION OF HEAVILY DOPED METAL OXIDES AND PRODUCTS PRODUCED THEREBY

Номер патента: US20120001172A1. Автор: Li Qi,Shang Jian-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF TREATING A MATERIAL TO ACHIEVE SUFFICIENT HYROPHILICITY FOR MAKING HYROPHILIC ARTICLES

Номер патента: US20120003382A1. Автор: Cipollini Ned E.,Vance,Allen Glenn M.,Resnick Gennady,JR. Zebulon D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Catalyst and method of producing nicotinic acid

Номер патента: RU2371247C1. Автор: Виталий Николаевич Кашкин,Баир Сыдыпович Бальжинимаев,Илья Александрович Золотарский,Елена Викторовна Овчинникова,Тамара Витальевна Андрушкевич,Виктор Борисович Накрохин. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2009-10-27.

Communication System with Partial Power Source

Номер патента: US20120001752A1. Автор: Zdeblick Mark,Hafezi Hooman,Robertson Timothy,Pikelny Aleksandr. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Regenerating a Polishing Pad Using a Polishing Pad Sub Plate

Номер патента: US20120003903A1. Автор: SUZUKI Eisuke,SUZUKI Tatsutoshi. Владелец: Toho Engineering. Дата публикации: 2012-01-05.

Catalyst, method for production thereof and method of producing synthesis gas

Номер патента: RU2547845C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Ильяс Магомедович Герзелиев,Александр Юрьевич Попов,Николай Яковлевич Усачев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Электрогорский Институт Нефтепереработки" (Оао "Элинп"). Дата публикации: 2015-04-10.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of production of metals by electrolysis of the molten salts

Номер патента: RU2274680C2. Автор: Петр Васильевич Поляков,ков Петр Васильевич Пол,Дмитрий Александрович Симаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-технологический центр "Легкие металлы". Дата публикации: 2006-04-20.

Method of power generation

Номер патента: RU2291349C2. Автор: Владимир Александрович Карелин,Александр Иванович Карелин,Валерий Андреевич Казимиров. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Гелиос". Дата публикации: 2007-01-10.

Method of production of flexible nanoporous composite membrane with cellular structure of anode metal oxide or alloy

Номер патента: RU2545887C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Дмитрий Игоревич Петухов. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "Фабрика новых материалов". Дата публикации: 2015-04-10.

Method of production of the reflex metal-oxide coatings (versions)

Номер патента: RU2298531C1. Автор: Виктор Васильевич Дроботенко,Михаил Игоревич Конев,Иль Владимирович Шестов,Илья Владимирович Шестов. Владелец: Илья Владимирович Шестов. Дата публикации: 2007-05-10.

Method of manufacture of the strong ceramics

Номер патента: RU2286316C2. Автор: Сергей Николаевич Кульков,Татьяна Юрьевна Саблина,Николай Леонидович Савченко,Александр Григорьевич Мельников,Тать на Юрьевна Саблина. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения (ИФПМ) СО РАН. Дата публикации: 2006-10-27.

Method of steel production

Номер патента: RU2374330C1. Автор: Владимир Викторович Павлов,Юрий Антонович Чайковский,Олег Анатольевич Николаев,Сергей Николаевич Ушаков,Константин Владимирович Казятин. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-11-27.

Method of obtaining catalyst on porous metal oxide carrier for carbohydrate oxydation

Номер патента: RU2468861C1. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Николай Алексеевич Борщ,Юрий Александрович Миргород,Валентина Геннадьевна Бородина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

Method of manufacturing food utensils

Номер патента: RU2334620C1. Автор: Чи Киен Нгуен. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кинг-Лион Фудс". Дата публикации: 2008-09-27.

Catalyst, method of its production (versions) and method of liquid-phase alkylation of isobutane by olefins c2-c4 in its presence

Номер патента: RU2445165C1. Автор: Саламбек Наибович Хаджиев,Ильяс Магомедович Герзелиев,Саламбек Наибович Хаджиев (RU),Ильяс Магомедович Герзелиев (RU). Владелец: Открытое Акционерное Общество "Электрогорский Институт Нефтепереработки" (Оао "Элинп"). Дата публикации: 2012-03-20.

Method of production of the inorganic gradient-porous material with the clad layer

Номер патента: RU2312703C1. Автор: Лев Ильич Трусов,Владимир Петрович Федотов. Владелец: Ассоциация делового сотрудничества в области передовых коплексных технологий "АСПЕКТ". Дата публикации: 2007-12-20.

Method of producing inorganic membrane material with cladding layer

Номер патента: RU2381824C2. Автор: Вадим Леонидович Тарасов,Лев Ильич Трусов,Владимир Петрович Федотов. Владелец: Владимир Петрович Федотов. Дата публикации: 2010-02-20.

DIESEL PARTICULATE FILTER AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000171A1. Автор: Zheng Jing,Maxey Kirk. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BIGLYCAN MUTANTS AND RELATED THERAPEUTICS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004178A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of ceramic molds by removed patterns

Номер патента: RU2360764C1. Автор: Сергей Владимирович Рудницкий,Виктор Михайлович Вдовец,Владимир Андреевич Никишин,Владимир Викторович Шувалов,Владимир Анатольевич Полозов,Евгений Евгеньевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2009-07-10.

Method of regenerating metal oxide industrial catalysts for organic synthesis

Номер патента: RU2414301C1. Автор: Виктор Яковлевич Хентов,Лидия Николаевна Великанова,Наталья Александровна Егорова,Светлана Леонидовна Рябоволова,Владимир Владимирович Семченко,Лидия Ивановна Аракелян. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2011-03-20.

Method of removal the impurity metals oxides from aluminum at its purification

Номер патента: RU2305712C1. Автор: Алексей Иванович Гончаров. Владелец: Алексей Иванович Гончаров. Дата публикации: 2007-09-10.

Method of production of the carbon-mineral materials with the homogeneous distribution of the phases and the high ash percentage

Номер патента: RU2307703C2. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Вадим Анатольевич Яковлев,Петр Михайлович Елецкий. Владелец: Ооо "Кататех". Дата публикации: 2007-10-10.

Micropsherical catalyst for oil fractions cracking and method of its making

Номер патента: RU2473385C1. Автор: Александр Витальевич Глазов,Олег Иванович Дмитриченко,Наталья Владимировна Короткова,Владимир Иванович Горденко,Сергей Юрьевич Гурьевских. Владелец: Окрытое акционерное общество "Газпромнефть-Омский НПЗ". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of fluorinating dispersed rare metal oxides and reactor for realising said method

Номер патента: RU2444474C1. Автор: Юрий Николаевич Туманов,Николай Михайлович Троценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2012-03-10.

Electrochemical method of producing nano-sized structures of nickel (ii) oxide

Номер патента: RU2592892C1. Автор: Леонид Модестович Кустов,Ольга Константиновна Лебедева,Гиляна Евгеньевна Джунгурова,Дмитрий Юрьевич Культин,Наталья Викторовна Роот,Константин Борисович Калмыков,Сергей Федорович Дунаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2016-07-27.

Method of producng basic copper (ii) acetate

Номер патента: RU2424225C1. Автор: Анатолий Михайлович Иванов,Светлана Дмитриевна Пожидаева,Татьяна Александровна Маякова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет" (КурскГТУ). Дата публикации: 2011-07-20.

Copper based composition material and method of its production

Номер патента: RU2074898C1. Автор: Михаил Иванович Доперчук,Дмитрий Геннадьевич Сергеев. Владелец: Дмитрий Геннадьевич Сергеев. Дата публикации: 1997-03-10.

Method of Making a Combustion Turbine Component Having a Plurality of Surface Cooling Features and Associated Components

Номер патента: US20120000072A9. Автор: James Allister W.,Morrison Jay A.,Merrill Gary B.,Fraser Iain A.,Paulus John R.,Lane Jay E.,Appleby Mike P.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Refining The Grain Structure Of Alloys

Номер патента: US20120000317A1. Автор: Flemings Merton C.,Ragone David V.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000484A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS USING EPITAXIAL DEPOSITION

Номер патента: US20120000511A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF STACKING FLEXIBLE SUBSTRATE

Номер патента: US20120000602A1. Автор: KIM Yong Hae,PARK Dong Jin,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,KIM Chul Am. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Knuckle Formed Through The Use Of Improved External and Internal Sand Cores and Method of Manufacture

Номер патента: US20120000877A1. Автор: Smerecky Jerry R.,Nibouar F. Andrew,SMITH Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Electrode Material

Номер патента: US20120001120A1. Автор: Yamakaji Masaki,Miwa Takuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RADIATION IMAGE DETECTION APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD OF RADIATION IMAGE DETECTOR

Номер патента: US20120001201A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE WHICH A PLURALITY OF TYPES OF TRANSISTORS ARE MOUNTED

Номер патента: US20120001265A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL WAVEGUIDE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120002931A1. Автор: Watanabe Shinya. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MANURACTURING METHOD OF EGG WITH EDIBLE COMPOSITION

Номер патента: US20120003368A1. Автор: LEE Hye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS USING A BLOCK COPOLYMER

Номер патента: US20120003587A1. Автор: . Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003812A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003841A1. Автор: . Владелец: ULVAC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Catalyst, method of preparation thereof, and a synthesis gas generation method

Номер патента: RU2244589C1. Автор: В.А. Кузьмин,С.Ф. Тихов,В.А. Садыков,С.Н. Павлова,О.И. Снегуренко,И.А. Золотарский,З.Ю. Востриков,Л.Н. Боброва,тлова Ю.Н. Д,Ю.Н. Дятлова. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of accelerated partial breast irradiation following conservative surgeries in patients suffering early breast cancer

Номер патента: RU2452536C1. Автор: Сергей Иванович Ткачев,Оксана Петровна Трофимова,Дмитрий Владимирович Комов,Ирина Павловна Яжгунович,Оксана Станиславовна Зайченко,Зоя Петровна Михина,Наталья Владиславовна Крашевская,Екатерина Валерьевна Сафронова,Виктор Алексеевич Хайленко,Татьяна Владимировна Юрьева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Российский онкологический научный центр имени Н.Н. Блохина РАМН. Дата публикации: 2012-06-10.

Method of replacement of subtotal skin-mucous-cartilaginous defect of end part of nose and upper lip skin in case of partially preserved wings of nose

Номер патента: RU2454959C1. Автор: Алексей Юрьевич Дробышев,Андрей Валерьевич Шишканов,Анна Анатольевна Быкова,Игорь Александрович Задеренко,Рубен Ильич Азизян,Севил Багатуровна Алиева,Игорь Викторович Пономарев,Игорь Александрович Задеренко (RU),Алексей Юрьевич Дробышев (RU),Рубен Ильич Азизян (RU),Андрей Валерьевич Шишканов (RU),Анна Анатольевна Быкова (RU),Севил Багатуровна Алиева (RU),Игорь Викторович Пономарев (RU). Владелец: Игорь Александрович Задеренко. Дата публикации: 2012-07-10.

Manufacturing method of granulated metallic iron

Номер патента: RU2449023C2. Автор: Такахиро КУДОУ,Кадзутака КУНИИ. Владелец: Кабусики Кайся Кобе Сейко Се. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of out-of-furnace steel treatment

Номер патента: RU2327744C1. Автор: Виктор Фёдорович Дьяченко,Владимир Викторович Павлов,Александр Валентинович Сарычев,Андрей Борисович Великий,ченко Виктор Федорович Дь,нова Юли Владимировна Лукь,Юлия Владимировна Лукьянова. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2008-06-27.

Method of producing carbon dioxide

Номер патента: RU2616082C1. Автор: Владимир Владимирович Ульянов,Петр Никифорович Мартынов,Артем Сергеевич Фомин,Валерий Алексеевич Гулевский. Владелец: Акционерное общество "Государственный научный центр Российской Федерации - Физико-энергетический институт имени А.И. Лейпунского". Дата публикации: 2017-04-12.

Method of making surface acoustic wave devices

Номер патента: RU2540784C2. Автор: Иван Александрович Корж,Ольга Ивановна СОЛОДОВНИКОВА,Игорь Анатольевич Тихонов,Борис Андреевич Косарев. Владелец: Открытое акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (ОАО "ОНИИП"). Дата публикации: 2015-02-10.

Method of producing nanostructured metal oxide coatings

Номер патента: RU2521643C1. Автор: Владимир Георгиевич Севастьянов,Николай Тимофеевич Кузнецов,Елизавета Петровна Симоненко,Николай Петрович Симоненко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук (ИОНХ РАН). Дата публикации: 2014-07-10.

Method of preparing metal oxide catalysts for oxygen evolution reaction

Номер патента: AU2023268395A1. Автор: Chunqing Liu,Zhanyong LI,Dennis van der Vliet. Владелец: UOP LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPRESSION SPRINGS AND METHODS OF MAKING SAME

Номер патента: US20120000073A1. Автор: . Владелец: Renton Coil Spring Company. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATING LAYER, ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING THE INSULATING LAYER, AND METHOD OF FABRICATING THE ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR

Номер патента: US20120001159A1. Автор: KANG Seung Youl,Baek Kyu Ha,Yoon Sung Min,Suh Kyung Soo,KIM Gi Heon,YOU In Kyu,AHN Seong Deok. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Manufacturing Vertical Pin Diodes

Номер патента: US20120001305A1. Автор: Peroni Marco,Pantellini Alessio. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF NON-AQUEOUS INKJET COMPOSITE PRINTING AND INK SET

Номер патента: US20120001979A1. Автор: WATANABE Yoshifumi,YAMAMOTO Akiko. Владелец: RISO KAGAKU CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-LAYER PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PANEL

Номер патента: US20120002288A1. Автор: Maass Uwe. Владелец: MUSION SYSTEMS LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of Forming Long Strips of Dielectric Coated Metalized Film

Номер патента: US20120002347A1. Автор: Balliette William M.,Jamison Keith D.. Владелец: FARADOX ENERGY STORAGE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Preparing Non-Alcohol Bioactive Esential Oil Mouth Rinses

Номер патента: US20120003162A1. Автор: Mordas Carolyn J.,Queiroz Daniel R.,Tsai Patrick B.. Владелец: McNeil-PPC, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods Of Enhancing Antibody-Dependent Cellular Cytotoxicity

Номер патента: US20120003213A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003385A1. Автор: Naito Ryusuke. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL WAVEGUIDE

Номер патента: US20120003393A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING A TERNARY ALLOY CATALYST FOR FUEL CELL

Номер патента: US20120003569A1. Автор: Protsailo Lesia V.,Kawamura Tetsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYMER FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST PROTECTION FILM, AND METHOD OF FORMING PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003589A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING A LIGHT EMITTING DIODE CHIP HAVING PHOSPHOR COATING LAYER

Номер патента: US20120003758A1. Автор: HSIEH Chung-Chuan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REINFORCEMENT FOR ASPHALTIC PAVING, METHOD OF PAVING, AND PROCESS FOR MAKING A GRID WITH THE COATING FOR ASPHALTIC PAVING

Номер патента: US20120003889A1. Автор: Lee Sugjoon,NEWTON Mark J.,Fague Gary R.,Woolstencroft Jon,Goupil Richard,Hook Kerry. Владелец: SAINT-GOBAIN TECHNICAL FABRICS AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPANION ANIMAL COMPOSITIONS INCLUDING PYRUVIC ACID AND SALTS THEREOF AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004291A1. Автор: Yamka Ryan Michael,Frantz Nolan Zebulon,Zicker Steven C.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SATIATION POUCHES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004590A1. Автор: Stack Richard S.,Williams Michael S.,Glenn Richard A.,Athas William L.,LUNSFORD John,Balbierz Dan. Владелец: Barosense, Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of deposition of protective coatings on details made out of refractory alloys

Номер патента: RU2264480C2. Автор: А.Н. Падеров,Ю.Г. Векслер. Владелец: Векслер Юрий Генрихович. Дата публикации: 2005-11-20.

Development method of superviscous oil deposit in layer-by-layer non-homogeneous manifold with partial vertical connectivity

Номер патента: RU2473796C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Роберт Рафаэлевич Ахмадуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-01-27.

Method of dehydrating metal hydroxide precipitate in producing metal oxides

Номер патента: RU2433951C2. Автор: Лидия Алексеевна Воропанова,Лев Гургенович Баратов. Владелец: Лидия Алексеевна Воропанова. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of surgical treatment of external deviation of cartilaginous part of nose and nasal septum during or after septoplasty with partial resection of quadrilateral septal cartilage

Номер патента: RU2375002C1. Автор: Раджаб Расулович Гусейнов,Али Раджабович Гусейнов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанская государственная медицинская академия федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию". Дата публикации: 2009-12-10.

Trigger for complementary microcircuit of metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2541894C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Российской академии наук Научно-исследовательский институт системных исследований РАН (НИИСИ РАН). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of fabricating rubber tire element and air tire

Номер патента: RU2395394C2. Автор: Масаюки САКАМОТО. Владелец: Сумитомо Раббер Индастриз, Лтд.. Дата публикации: 2010-07-27.

Procedure for application of metal oxide coatings on surface of unalloyed steel

Номер патента: RU2588962C2. Автор: Сергей Максимович Решетников,Фаат Залалутдинович Гильмутдинов,Евгений Викторович Харанжевский,Михаил Дмитриевич Кривилев,Эдуард Евгеньевич Садиоков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Удмуртский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "УдГУ"). Дата публикации: 2016-07-10.

Method of obtaining nanosized metal oxides from organometallic precursors

Номер патента: RU2526552C1. Автор: Геннадий Ефимович Ремнев,Роман Владимирович Сазонов,Галина Евгеньевна Холодная,Денис Владимирович Пономарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2014-08-27.

METHOD OF OPERATING STEAM BOILER

Номер патента: US20120000434A1. Автор: Kato Junichi,NINOMIYA Takashi,NAKAJIMA Junichi,MITSUMOTO Hiroyuki,KAMINOKADO Yoshiro. Владелец: MIURA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Liquid Crystal Display Device And Method Of Manufacturing That

Номер патента: US20120004453A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of processing molybdenite concentrates and middlings

Номер патента: RU2191840C1. Автор: Виталий Николаевич Сигедин,Виктор Николаевич Мироненко,Геннадий Алексеевич Прохоренко,Борис Иванович Руденко,Ф.Г. Ситдиков,Владимир Дмитриевич Гурин,Кувандык Санакулович Санакулов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Производственно-творческое предприятие "Резонанс". Дата публикации: 2002-10-27.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Manufacturing method of gas sensor material for detection of carbon monoxide co without heating

Номер патента: RU2544272C2. Автор: Артем Сергеевич Чижов,Александр Михайлович Гаськов,Марина Николаевна Румянцева,Роман Борисович Васильев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-03-20.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of making highly porous cellular ceramic objects

Номер патента: RU2377224C1. Автор: Александр Иванович Козлов,Иван Александрович Козлов,Владимир Александрович Колесников,Владимир Николаевич Грунский,Александр Валентинович Беспалов,Евгений Степанович Лукин,Владимир Павлович Градов. Владелец: Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева. Дата публикации: 2009-12-27.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Device for separation of nanodisperse powders and method of its operation

Номер патента: RU2544974C2. Автор: Владимир Игнатьевич Малинин,Алексей Владимирович Шатров,Фёдор Николаевич Чернов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория Эффективных Материалов". Дата публикации: 2015-03-20.

Method of producing symmetric and asymmetric dibenzo-crown-esters

Номер патента: RU2564258C1. Автор: Валерий Николаевич Чарушин,Ольга Васильевна Федорова,Геннадий Леонидович Русинов,Ирина Георгиевна Овчинникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт органического синтеза им. И.Я. Постовского Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-09-27.

Method of producing iron-based composite

Номер патента: RU2560484C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Роман Николаевич Черепанин,Денис Вячеславович Гращенков,Иван Юрьевич Ефимочкин,Антон Игоревич Родионов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ"). Дата публикации: 2015-08-20.

Refractory article and method of moulding glass articles

Номер патента: RU2563506C2. Автор: Оливье Ситти,Андреа КАЗМИЕРЗАК. Владелец: Сэнт-Гобэн Керамикс Энд Пластикс, Инк.. Дата публикации: 2015-09-20.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

Method of sewage biochemical treatment

Номер патента: RU2097338C1. Автор: А.Ю. Кочетков,А.Ф. Бабиков,В.П. Яскин,Р.П. Кочеткова,В.М. Боровский,И.В. Панфилова,Н.А. Коваленко,Д.В. Шекера,С.С. Горявин,О.Ф. Середюк,С.В. Куимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Катализ". Дата публикации: 1997-11-27.

Method of forming of volumetric and curvilinear components for an article

Номер патента: RU2266863C1. Автор: В.И. Стельмашенко,Е.В. Баранова,Л.Н. Лисиенкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет сервиса" (ГОУВПО "МГУС"). Дата публикации: 2005-12-27.

Method of producing metals and alloys

Номер патента: RU2130500C1. Автор: Е.Д. Кравцов,С.В. Дигонский,Н.А. Дубинин,В.В. Тен. Владелец: Открытое акционерное общество "Полиметалл". Дата публикации: 1999-05-20.

Method of forming and trimming vines

Номер патента: RU2478278C1. Автор: Николай Васильевич Матузок. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of the thermal treatment of the forming rollers

Номер патента: RU2298043C1. Автор: Олег Юрьевич Ефимов,Алексей Борисович Юрьев,Валерий Яковлевич Чинокалов,Олег Валерьевич Дикань,Вадим Петрович Симаков,Виктор Васильевич Саломыкин,Сергей Александрович Дубинин,Владимир Михайлович Никиташев,Семен Прохорович Некипелов,кин Сергей Валентинович Затеп,Сергей Валентинович Затепякин. Владелец: Открытое акционерное общество "Западно-Сибирский металлургический комбинат" ОАО "ЗСМК". Дата публикации: 2007-04-27.

Method of making shunt diode for spacecraft solar batteries

Номер патента: RU2411607C1. Автор: Андрей Александрович Жуков,Владимир Анатольевич Харитонов,Андрей Андреевич Басовский,Любовь Владимировна Анурова. Владелец: Открытое акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (ОАО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2011-02-10.

Method of forming multidimensional image of cardiovascular system state and its visualisation

Номер патента: RU2496409C2. Автор: Валерий Михайлович Никитин,Виктор Митрофанович Довгаль,Елена Андреевна Липунова,Инесса Андреевна Кочеткова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Белгородский государственный национальный исследовательский университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Crystalline form ii of tilorone and method of obtaining thereof (versions)

Номер патента: RU2521595C2. Автор: Александр Сергеевич Семенов,Олег Александрович Игнатенко,Сергей Викторович Пирогов,Игорь Алексеевич Концевой,Александр Фуатович Габитов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Активный Компонент". Дата публикации: 2014-06-27.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots on vine plantation (version of russian logic - version 9)

Номер патента: RU2537572C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of iron oxide producing for ferrite production

Номер патента: RU2064895C1. Автор: Г.Д. Павлов,М.Д. Пятунин,Л.Г. Турро,С.А. Чешуин,В.М. Непочатов. Владелец: Научно-производственный центр "Цеолит". Дата публикации: 1996-08-10.

Transistor With Embedded Si/Ge Material Having Reduced Offset and Superior Uniformity

Номер патента: US20120001254A1. Автор: Javorka Peter,Kronholz Stephan,Boschke Roman. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.