Surface machining method for single crystal sic substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal sic substrate.

Surface machining method for single crystal sic substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal sic substrate

Номер патента: US20170178919A1
Опубликовано: 22-06-2017
Автор(ы): Takanori Kido, Tomohisa Kato
Принадлежит: Showa Denko KK
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09960048B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-05-01.

Surface machining method for single crystal SiC substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal SiC substrate

Номер патента: US09620374B2. Автор: Tomohisa Kato,Takanori Kido. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing silicon single-crystal substrate and silicon single-crystal substrate

Номер патента: US20230212782A1. Автор: Weifeng Qu,Shizuo Igawa,Ken Sunakawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for producing semiconductor single crystal wafer and laser processing device used therefor

Номер патента: CA2508733A1. Автор: Masayuki Nishikawa,Makoto Otsuki,Yasuyuki Matsui. Владелец: Yasuyuki Matsui. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for producing SiC single crystal, SiC single crystal, and SiC ingot

Номер патента: US10724152B2. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2020-07-28.

Method for producing sic single crystal, sic single crystal, and sic ingot

Номер патента: US20180355511A1. Автор: Masakazu Kobayashi,Masanori Yamada,Tomohiro Shonai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2018-12-13.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09809901B2. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09530642B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09822468B2. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US20100089309A1. Автор: Masahiro Mori,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11615955B2. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-03-28.

Material having single crystal perovskite, device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170352539A1. Автор: Minghwei Hong,Bo-Yu Yang,Chao Kai Cheng,Jueinai Kwo,Hsien-Wen WAN,Keng-Yung Lin,Yen-Hsun Lin,Kuan Chieh LU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for producing a single crystal from semiconductor material by the FZ method; device for carrying out the method and semiconductor silicon wafer

Номер патента: US11788201B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Simon Zitzelsberger,Goetz Meisterernst,Gundars Ratnieks. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Shinji Nakano,Kouichi Ikeda,Satoshi Soeta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3255181A1. Автор: Shinichiro Kawabata,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hideo NAMITA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-12-13.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: SG182096A1. Автор: KATO Hideo,Murakami Hideaki. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-30.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6927150B2. Автор: 孝世菅原,亮二星,星　亮二. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: US11959191B2. Автор: wei feng Qu,Shizuo Igawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method For Manufacturing Silicon Single Crystal Wafer

Номер патента: US20090000535A1. Автор: Koji Ebara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

METHOD FOR POLISHING GAN SINGLE CRYSTAL MATERIAL

Номер патента: US20170100815A1. Автор: SATO Makoto,OMORI Wataru,TAKAHASHI Maiko. Владелец: NORITAKE CO., LIMITED. Дата публикации: 2017-04-13.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A4. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2010-08-18.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: TW200643157A. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Seimi Chem Kk. Дата публикации: 2006-12-16.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: EP1860688A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: AGC Seimi Chemical Ltd. Дата публикации: 2007-11-28.

Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: WO2006098141A1. Автор: Iori Yoshida,Yoshinori Kon. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for manufacturing a single-crystal 4H—SiC substrate

Номер патента: US09752254B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233306A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Self-standing GaN substrate, GaN crystal, method for producing GaN single crystal, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US12107129B2. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US11859308B2. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-02.

Methods of exfoliating single crystal materials

Номер патента: US20200395213A1. Автор: William Edwin McMAHON,Andrew Gordon Norman,Celeste Louise Melamed,Eric Steven Toberer. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2020-12-17.

Silicon single crystal wafer, process for producing silicon single crystal wafer, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: TW201007865A. Автор: Kiyoshi Mitani,Takatoshi Nagoya,Fumio Tahara,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2010-02-16.

Single crystal transition metal dichalcogenide thin film and method for synthesizing the same

Номер патента: US20210222322A1. Автор: Soo Ho CHOI,Ki Kang KIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-22.

Surface treatment method for single crystal SiC substrate, and single crystal SiC substrate

Номер патента: US09570306B2. Автор: Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

SiC single crystal manufacturing method, SiC single crystal manufacturing device, and SiC single crystal wafer

Номер патента: US11932967B2. Автор: Tadaaki Kaneko. Владелец: Toyota Tsusho Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

METHOD FOR GROWING SINGLE CRYSTAL GaN ON SILICON

Номер патента: EP1642327A2. Автор: Andrzej Peczalski,Thomas E. Nohava. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2006-04-05.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013860A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312111A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210273058A1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200013860A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-09.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: US20210032772A1. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-04.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190127881A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-02.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160233306A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2016-08-11.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190312111A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,Kamada Kazunori,TSUKADA Yusuke,NAGAO Satoru,Kubo Shuichi,Ikeda Hirotaka,Fujito Kenji,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER, AND SIC SINGLE-CRYSTAL SUBSTRATE FOR EPITAXIAL SIC WAFER

Номер патента: US20150361585A1. Автор: ITO Wataru,Aigo Takashi,Fujimoto Tatsuo. Владелец: NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for manufacturing sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer, and sic single-crystal substrate for epitaxial sic wafer

Номер патента: WO2014196394A1. Автор: 藤本　辰雄,崇藍郷,伊藤　渉. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2014-12-11.

Method for producing a single-crystal film of aln material and substrate for the epitaxial growth of a single-crystal film of aln material

Номер патента: EP3775333A2. Автор: Bruno Ghyselen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-02-17.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal thin film

Номер патента: JP3312553B2. Автор: 等羽深. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-12.

GaN single crystal and method for manufacturing GaN single crystal

Номер патента: US11001940B2. Автор: Shinichiro Kawabata,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hideo NAMITA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-05-11.

GaN single-crystal substrate and method for producing GaN single crystal

Номер патента: CN101404248A. Автор: 柴田真佐知,大岛佑一. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

A method for producing a single crystal layer of a diamond or iridium material, and a substrate for epitaxially growing a single crystal layer of a diamond or iridium material.

Номер патента: JP2021518322A. Автор: ブルーノギスレン，. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-08-02.

Single crystal substrate with multilayer film, method for manufacturing single crystal substrate with multilayer film, and device manufacturing method

Номер патента: JP5674759B2. Автор: 健次古田,英雄会田,奈津子青田,仁志星野,慶司本庄,友三郎浜元. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Self-standing gan substrate, gan crystal, method for producing gan single crystal, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP3315639B1. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

AlGaN BULK CRYSTAL MANUFACTURING METHOD AND AlGaN SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20110114016A1. Автор: Hideaki Nakahata,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Diboride single crystal substrate, semiconductor device using this and its manufacturing method

Номер патента: EP1538243A4. Автор: Satoshi Kamiyama,Hiroyuki Matsunami,Hiroyuki Kinoshita,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Shigeki Otani,Jun Suda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

SELF-STANDING GaN SUBSTRATE, GaN CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING GaN SINGLE CRYSTAL, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP3031958A4. Автор: Kenji Fujito,Shuichi Kubo,Satoru Nagao,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Tae Mochizuki,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-07-13.

Method for manufacturing silicon single crystal, flow straightening member, and single crystal pulling device

Номер патента: US20200027732A1. Автор: Yasuhito Narushima,Fukuo Ogawa,Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20210230770A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2021-07-29.

GaN SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170327971A1. Автор: FUJISAWA Hideo,Mikawa Yutaka,KAWABATA SHINICHIRO,NAMITA Hideo,Mochizuki Tae. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for measuring distance between bottom surface of heat shield member and raw material melt surface, control method for distance between bottom surface of heat shield member and raw material melt surface, method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5577873B2. Автор: 孝世菅原,亮二星,雅彦浦野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Ozone gas generation processing apparatus, method of forming silicon oxide film, and method for evaluating silicon single crystal wafer

Номер патента: US20140134851A1. Автор: Fumitaka Kume. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL FROM SEMICONDUCTOR MATERIAL BY THE FZ METHOD; DEVICE FOR CARRYING OUT THE METHOD AND SEMICONDUCTOR SILICON WAFER

Номер патента: US20210222319A1. Автор: Meisterernst Goetz,Zitzelsberger Simon,ALTMANNSHOFER Ludwig,RATNIEKS Gundars. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2021-07-22.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150221511A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Kado Motohisa. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-06.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160340794A1. Автор: Kazuaki Seki,Kazuhiko Kusunoki,Yutaka Kishida,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20170362736A1. Автор: KIM Sang Hee,Jung Young Ho. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR101781463B1. Автор: 김세훈,방인식,김윤구,강인구. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2017-10-23.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6631406B2. Автор: 中村　　剛,中村　剛,栄一川崎,省吾小林,善博大城. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-15.

Apparatus and Method for manufacturing semiconductor single crystal ingot using CUSP magnetic field

Номер патента: KR100991088B1. Автор: 정요한,김도연,이홍우,심복철. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-10-29.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5488597B2. Автор: 英樹渡邉,伸光高瀬,康裕齋藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR100606997B1. Автор: 김선미,조현정,정진수,이홍우. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2006-07-31.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: KR102091629B1. Автор: 김대성,이성수,고정민,정찬엽,이호림,박만식. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-03-20.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR20170075278A. Автор: 김세훈,방인식,김윤구,강인구. Владелец: 주식회사 엘지실트론. Дата публикации: 2017-07-03.

Method for manufacturing nitride single crystal

Номер патента: WO2008117564A1. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Makoto Iwai,Takatomo Sasaki,Katsuhiro Imai,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufacturing sic single- crystal substrate for epitaxial sic wafer

Номер патента: KR101968381B1. Автор: 와타루 이토,다카시 아이고,다츠오 후지모토. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: CN107532329B. Автор: 旦野克典,楠一彦,龟井一人,关和明,大黑宽典,土井雅喜. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-06-26.

Method for producing a single crystal of semiconductor material, device for carrying out the method and silicon semiconductor wafer

Номер патента: TWI707991B. Автор: 路德英格歐曼薛佛,古特茲麥斯特恩斯特,剛達斯雷特尼克斯,賽門希特賽斯伯格. Владелец: 德商世創電子材料公司. Дата публикации: 2020-10-21.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR101710814B1. Автор: 모토히사 가도,가즈히코 구스노키,가즈히토 가메이. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2017-02-27.

Method for measuring carbon concentration in silicon sample and method for manufacturing silicon single crystal ingot

Номер патента: KR102170149B1. Автор: 슈이치 사마타,카즈타카 에리구치,아유미 마사다,노리토모 미츠기. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2020-10-26.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: TW201226640A. Автор: Hideaki Murakami,Hideo Kato. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-07-01.

Silicon-based molten composition and method for manufacturing sic single crystals using same

Номер патента: EP3316279A4. Автор: Dae Sung Kim,Sung Soo Lee,Chan Yeup Chung,Ho Rim Lee,Jung Min Ko,Chang Sun Eun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-27.

Polycrystalline SiC substrate and its manufacturing method

Номер патента: KR102109292B1. Автор: 쿠니아키 야기,모토키 코바야시. Владелец: 가부시키가이샤 사이콕스. Дата публикации: 2020-05-11.

Single crystal gallium nitride localized substrate and its manufacturing method

Номер патента: KR100794902B1. Автор: 케이지 미네,토모유키 타나카,카쓰토시 이즈미,모토이 나카오,요시아키 오오바야시,세이사쿠 히라이,후미히코 죠베. Владелец: 오오사카후. Дата публикации: 2008-01-14.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US20160056313A1. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Base material on which single-crystal diamond is grown comprised of a base substrate, bonded single-crystal MgO layer, and heteroepitaxial film, and method for manufacturing a single-crystal diamond substrate on the base material

Номер патента: US09752255B2. Автор: Hitoshi Noguchi,Shozo Shirai. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A1. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-05-11.

Method for producing semiconductive single crystal

Номер патента: US4983249A. Автор: Tsunemasa Taguchi,Hirokuni Nanba. Владелец: Production Engineering Assoc. Дата публикации: 1991-01-08.

Silicon single crystal wafer and epitaxial wafer, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: TW200401053A. Автор: Masahiro Sakurada,Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-01-16.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210079554A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20210363658A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for producing silicon single crystal layer

Номер патента: JP5052728B2. Автор: 隆柴山,義男村上,隆之新行内. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-10-17.

Method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: JP5167654B2. Автор: 善範速水,博康菊地. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer

Номер патента: KR101416094B1. Автор: 요시노리 하야미즈,히로야스 키쿠치. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for estimating depth of latent scratches in SiC substrates

Номер патента: US09991175B2. Автор: Satoru Nogami,Satoshi TORIMI,Norihito YABUKI. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Single-crystal apatite nanowires sheathed in graphitic shells and synthesis method thereof

Номер патента: EP2508471A3. Автор: Jung Hoon Lee,Nam Jo Jeong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for forming amorphous carbon film, amorphous carbon film, multilayer resist film, manufacturing method of semiconductor device, and computer readable recording medium

Номер патента: TWI413187B. Автор: Hiraku Ishikawa,Eisuke Morisaki,Tadakazu Murai. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-10-21.

Single-crystal 4H-SiC substrate

Номер патента: US09422640B2. Автор: Takanori Tanaka,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Zempei Kawazu,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Sic single crystal substrate and production method therefor

Номер патента: EP4421219A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Formation method of single crystal semiconductor layer, formation method of crystalline semiconductor layer, formation method of polycrystalline layer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090111247A1. Автор: Koichiro Tanaka,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

SiC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20240141544A1. Автор: Jun Yoshikawa,Kiyoshi MATSUSHIMA,Fumiyasu NOZAKI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Single crystal substrate, method for manufacturing single crystal substrate, method for manufacturing single crystal substrate with multilayer film, and device manufacturing method

Номер патента: JPWO2011108706A1. Автор: 健次古田,英雄会田,奈津子青田,仁志星野,慶司本庄,友三郎浜元. Владелец: Adamant Namiki Precision Jewel Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Support device for supporting a growing single crystal of semiconductor material and method for manufacturing a single crystal

Номер патента: JP4651032B2. Автор: クネーラーディーター. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-03-16.

Silicon single crystal wafer for IGBT and method for manufacturing silicon single crystal wafer for IGBT

Номер патента: US8617311B2. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Silicon single crystal wafer for igbt and method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt

Номер патента: TWI347985B. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Apparatus and method for producing a single crystal, single crystal and semiconductor wafer

Номер патента: DE102006002682A1. Автор: Laszlo Dipl.-Chem. Dr. Fabry,Gunter Strebel,Hans Dipl.-Phys. Dr. Oelkrug. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2007-08-02.

Silicon single crystal wafer for igbt and method for manufacturing silicon single crystal wafer for igbt

Номер патента: SG170005A1. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Shigeru Umeno,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-04-29.

Base substrate, single crystal diamond multilayer substrate, method for producing said base substrate, and method for producing said single crystal diamond multilayer substrate

Номер патента: WO2023153396A1. Автор: 仁野口. Владелец: 信越化学工業株式会社. Дата публикации: 2023-08-17.

Silicon wafer, method for producing silicon wafer and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US7637997B2. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-12-29.

Silicon wafer, method for producing silicon wafer and method for growing silicon single crystal

Номер патента: KR20060121689A. Автор: 도시아키 오노,마사타카 호우라이,와타루 스기무라. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2006-11-29.

Manufacturing method of textured electrical steel plate, textured electrical steel plate for strip core, and strip core

Номер патента: RU2502810C2. Автор: Коки ТАНАКА,Нобусато МОРИСИГЕ,Кенити МУРАКАМИ,Хотака ХОНМА,Юдзи КУБО,Казуми МИЗУКАМИ,Сейки ТАКЕБАЯСИ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2013-12-27.

High purity, environmentally clean method and apparatus, for high rate, liquid anisotropic etching of single crystal silicon or etching of polycrystalline silicon, using an overpressure of ammonia gas above aqueous ammonium hydroxide

Номер патента: US20130012028A1. Автор: Alvin Gabriel Stern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112216602A. Автор: 王健,高飞,李晖,徐世海,程红娟,洪颖,于凯,霍晓青,刘卫丹. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-12.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN112216602B. Автор: 王健,高飞,李晖,徐世海,程红娟,洪颖,于凯,霍晓青,刘卫丹. Владелец: CETC 46 Research Institute. Дата публикации: 2022-07-05.

Batch-processing method for super-high aspect ratio diffractive optics

Номер патента: US20170256330A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2017-09-07.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: US6159300A. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, AND ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160265140A1. Автор: Furuta Kenji,Hoshino Hitoshi,Aida Hideo,Aota Natsuko,Hamamoto Tomosaburo,Honjo Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL, SIC SINGLE CRYSTAL, AND SIC INGOT

Номер патента: US20180355511A1. Автор: YAMADA Masanori,Shonai Tomohiro,KOBAYASHI Masakazu. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2018-12-13.

Single-crystal diamond, method for manufacturing single-crystal diamond, and chemical vapor deposition device used in same

Номер патента: US20190031515A1. Автор: Yutaka Kobayashi,Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya,Akihiko Ueda,Takuya NOHARA. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2019-01-31.

Magnetostrictive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180233654A1. Автор: Katsuya Imai. Владелец: Nippon Koshuha Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Magnetostrictive member and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991438B2. Автор: Katsuya Imai. Владелец: Nippon Koshuha Steel Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Mg2Si SINGLE CRYSTAL, Mg2Si SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, INFRARED RAY-RECEIVING ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING Mg2Si SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP3995609A4. Автор: Haruhiko Udono. Владелец: Ibaraki University NUC. Дата публикации: 2022-12-28.

Compound semiconductor single crystals for photoelectric conversion elements, photoelectric conversion element, and production method for compound semiconductor single crystals for photoelectric conversion elements

Номер патента: EP2980282A4. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Multilayer film structure and method for producing the same

Номер патента: US20240194829A1. Автор: Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

ScAIMgO4 single crystal substrate and method for producing the same

Номер патента: US10767277B2. Автор: Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki,Takehiro Asahi,Naoto YANAGITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-08.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal

Номер патента: TWI281521B. Автор: Akihiro Iida,Akiko Noda. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2007-05-21.

Method for manufacturing single-crystal semiconductor layer, structure comprising single-crystal semiconductor layer, and semiconductor device comprising structure

Номер патента: US11948795B2. Автор: Jin Won Jung,Myung Mo SUNG,Jong Chan Kim,Lynn Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-04-02.

COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICES, PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT FOR PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICES

Номер патента: US20160056313A1. Автор: NODA Akira,HIRANO Ryuichi. Владелец: JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION. Дата публикации: 2016-02-25.

Compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices, photoelectric conversion device, and production method for compound semiconductor single crystal ingot for photoelectric conversion devices

Номер патента: US9362431B2. Автор: Akira Noda,Ryuichi Hirano. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT AND PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20200131667A1. Автор: Nakamura Keiichiro,ECHIZENYA Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Method for manufacturing GaN single crystal

Номер патента: KR100450781B1. Автор: 박성수,김대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607B1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-10.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1345944A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1963-12-13.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL OF Doped CADMIUM TELLURIDE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: NL179927C. Автор: Paul Siffert,Alain Cornet,Jean Gallet,Bernard Schaub,Jean-Marie Koebel,Claude Potard. Владелец: Commissariat Energie Atomique. Дата публикации: 1986-12-01.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5875744B1. Автор: 昇二橘,健安村,橘　昇二. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2016-03-02.

Manufacturing method for Large area Single Crystal Silicon Wafer

Номер патента: KR101814111B1. Автор: 김수민,박성은,김현호,김동환,탁성주. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2018-01-02.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR LAYER ON AN INSULATING LAYER

Номер патента: FR2537607A1. Автор: TADASHI Nishimura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-15.

Quality estimating method for cropping a single crystal ingot

Номер патента: KR100700082B1. Автор: 조현정,김진근,김유전. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2007-03-28.

Method for manufacturing nitride single crystal substrate and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element using the same

Номер патента: JP2009023909A. Автор: 東俊金,Toshun Kin. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-05.

Single-crystal apatite nanowires sheathed in graphitic shells and synthesis method thereof

Номер патента: EP2508471B1. Автор: Jung Hoon Lee,Nam Jo Jeong. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2014-06-11.

Method for producing multilayer single crystal silicon thin film

Номер патента: JP6674568B2. Автор: 啓森党. Владелец: 瀋陽硅基科技有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Method for estimating depth of potential flaw in SiC substrate

Номер патента: CN106030774B. Автор: 鸟见聪,矢吹纪人,野上晓. Владелец: Toyo Tanso Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-24.

METHOD FOR ESTIMATING DEPTH OF LATENT SCRATCHES IN SiC SUBSTRATES

Номер патента: KR101893277B1. Автор: 사토시 도리미,노리히토 야부키,사토루 노가미. Владелец: 토요 탄소 가부시키가이샤. Дата публикации: 2018-08-29.

Method for manufacturing quantum dot and quantum dot

Номер патента: US20240079518A1. Автор: Akio Mishima,Shogo Ueda,Mikihiro Takasaki,Soichiro NIKATA,Yuko Ogura,Vit KALOUSEK,Toshiaki Shimasaki,Yuya ASHIMURA. Владелец: NS Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Evaluation method for light-curing adhesive, integrated dicing and die-bonding film and manufacturing method for same, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: SG11202106337WA. Автор: Michiko Kaya,Daisuke Yamanaka. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Lithographic projection apparatus, a method for determining a position of a substrate alignment mark, a device manufacturing method and device manufactured thereby

Номер патента: KR100643225B1. Автор: 판데르샤르마우리츠,세티야이르완다니,모스에페르하르두스코르넬리스. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2006-11-10.

METHOD FOR HOMOGENIZING THE HEIGHT OF A PLURALITY OF WIRES AND DEVICE MANUFACTURING METHOD USING SUCH WIRES

Номер патента: FR3053525B1. Автор: Joel Eymery,Amine EL KACIMI. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-11-09.

Lithographic projection apparatus, a method for determining a position of a substrate alignment mark, a device manufacturing method and device manufactured thereby

Номер патента: US20020006560A1. Автор: Maurits van der Schaar,Irwan Setija,Everhardus Mos. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2002-01-17.

Lithographic projection apparatus, a method for determining a position of a substrate alignment mark, a device manufacturing method and device manufactured thereby

Номер патента: US6704089B2. Автор: Maurits van der Schaar,Irwan D. Setija,Everhardus C. Mos. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2004-03-09.

Lithographic projection apparatus, a method for determining a position of a substrate alignment mark, a device manufacturing method and device manufactured thereby

Номер патента: TW497012B. Автор: Der Schaar Maurits Van,Everhardus Cornelis Mos,Irwan Dani Setija. Владелец: Asm Lithography Bv. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US9252025B2. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-02.

Method for slicing semiconductor single crystal ingot

Номер патента: US09876078B2. Автор: Hiroshi Noguchi. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing silicon single crystal wafer and electronic device

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Koji Ebara,Tetsuya Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Dry methods for modification of single-crystal battery cathode materials

Номер патента: WO2024147963A1. Автор: Susi JIN,Van At NGUYEN,Nutthaphon PHATTHARASUPAKUN,Kate Elise GONZALEZ WOODS,Ryan FIELDEN,Mark Mcarthur. Владелец: Novonix Battery Technology Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for growing single crystals of vanadium dioxide

Номер патента: GB1095805A. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1967-12-20.

A method for preparing a single crystal lithium manganate material

Номер патента: KR20220131830A. Автор: 지안펭 왕,얀후아 마,춘보 자오. Владелец: 안후이 보시 하이-테크 뉴 머티어리얼스 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for preparing FePbSeTe single-crystal superconducting material by suspension smelting method

Номер патента: CN114182350A. Автор: 赵勇,刘禹彤,秦佳佳,周大进. Владелец: Fujian Normal University. Дата публикации: 2022-03-15.

Methods for improving quality of high temperature oxide (HTO) formed from halogen-containing precursor and products thereof and apparatus thereof

Номер патента: TW200426242A. Автор: Zhong Dong,Chia-Shun Hsiao,Chuck Jang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Methods for improving quality of high temperature oxide (HTO) formed from halogen-containing precursor and products thereof and apparatus therefor

Номер патента: TWI245346B. Автор: Zhong Dong,Chia-Shun Hsiao,Chung-Tai Jang. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2005-12-11.

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, AND ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130161797A1. Автор: Furuta Kenji,Hoshino Hitoshi,Aida Hideo,Aota Natsuko,Hamamoto Tomosaburo,Honjo Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, MANUFACTURING METHOD FOR SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE WITH MULTILAYER FILM, AND ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130082358A1. Автор: Furuta Kenji,Hoshino Hitoshi,Aida Hideo,Aota Natsuko,Hamamoto Tomosaburo,Honjo Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Single-crystal layer on a dielectric layer

Номер патента: US20070228384A1. Автор: Yves Campidelli,Olivier Kermarec. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2007-10-04.

SINGLE-CRYSTAL OXIDE SEMICONDUCTOR, THIN FILM, OXIDE STACK, AND FORMATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140299873A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

MATERIAL HAVING SINGLE CRYSTAL PEROVSKITE, DEVICE INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170352539A1. Автор: WAN Hsien-Wen,YANG Bo-Yu,Lin Yen-Hsun,LIN Keng-Yung,HONG Minghwei,KWO Jueinai,CHENG Chao Kai,LU Kuan Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

MATERIAL HAVING SINGLE CRYSTAL PEROVSKITE, DEVICE INCLUDING THE SAME, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200388490A1. Автор: WAN Hsien-Wen,YANG Bo-Yu,Lin Yen-Hsun,LIN Keng-Yung,HONG Minghwei,KWO Jueinai,CHENG Chao Kai,LU Kuan Chieh. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-10.

Apparatus for forming non-single-crystal semiconductor thin film, method for forming non-single-crystal semiconductor thin film, and method for producing photovoltaic device

Номер патента: EP0849811A2. Автор: Shotaro Okabe,Yuzo Kohda,Tadashi Hori,Akira Sakai,Takahiro Yajima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-06-24.

Method for preparing semiconductor single crystal substrate by using two-dimensional crystal transition layer

Номер патента: CN109585269B. Автор: 沈波,王新强,刘放,吴洁君,荣新,盛博文,郑显通. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-26.

Forming ohmic contact on 4h-sic substrate semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102340307B1. Автор: 김성준,강민재,이남석,성민제,신훈규. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-12-15.

Method for forming silicon single crystal film

Номер патента: JPS5796520A. Автор: Masakazu Kimura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-15.

METHOD FOR METALLIZING A SINGLE-CRYSTAL SILICON WAFER

Номер патента: FR2537778B1. Автор: Herbert J Gould,Anders Nilarp. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1986-12-19.

Method for processing a single crystal element

Номер патента: DE102016201252A1. Автор: Hiroshi Morikazu. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2016-08-04.

METHOD FOR FORMING A SINGLE-CRYSTAL SEMICONDUCTOR FILM ON AN INSULATOR

Номер патента: FR2517123A1. Автор: TADASHI Nishimura,Yoji Mashiko. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-05-27.

Method for growing aln single crystal film and surface acoustic wave resonator having film

Номер патента: WO2022053038A1. Автор: 李红浪,柯亚兵. Владелец: 广东广纳芯科技有限公司. Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR ESTIMATING DEPTH OF LATENT SCRATCHES IN SiC SUBSTRATES

Номер патента: US20170110378A1. Автор: Torimi Satoshi,Nogami Satoru,Yabuki Norihito. Владелец: TOYO TANSO CO., LTD.. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for removing defect of thin film and the flexible substrate manufactured by the method

Номер патента: KR101457157B1. Автор: 김성수,김현기,이종걸. Владелец: 경희대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-10-31.

Method for producing shadow mask using photomask including micro pattern for OLED fabrication, the shadow mask thereof and method for producing OLED using the same

Номер патента: KR101663818B1. Автор: 박성길,안종영. Владелец: 주식회사 웨이브일렉트로닉스. Дата публикации: 2016-10-11.

MANUFACTURING METHOD FOR DEPOSITION MASK, METAL PLATE USED FOR PRODUCING DEPOSITION MASK, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAID METAL SHEET

Номер патента: US20180023182A1. Автор: IKEDA Kazunari,Nakayama Hiroaki,HATSUTA Chiaki,Ikenaga Chikao,Oouchi Utako. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-01-25.

MANUFACTURING METHOD FOR DEPOSITION MASK, METAL PLATE USED FOR PRODUCING DEPOSITION MASK, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAID METAL SHEET

Номер патента: US20190161848A1. Автор: IKEDA Kazunari,Nakayama Hiroaki,HATSUTA Chiaki,Ikenaga Chikao,Oouchi Utako. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Manufacturing method for copper with surface coated silicon, copper with permanent oxidation resistance by silicon-coated surface thereof and semiconductor system thereof

Номер патента: KR20220160997A. Автор: 정세영,김수재. Владелец: 부산대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-06.

Method for coating packaging material, display panel, its manufacturing method, and display device

Номер патента: US20170040567A1. Автор: Bo Zhang,Zhiliang Jiang,Fengli JI. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Manufacturing method for insulation layer, manufacturing method for array substrate and array substrate

Номер патента: US20180005813A1. Автор: Deyong Fan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Apparatus and method for supplying resin material, resin molding apparatus and resin molded product manufacturing method

Номер патента: KR20180040086A. Автор: 신야 하야시구치. Владелец: 토와 가부시기가이샤. Дата публикации: 2018-04-19.

Apparatus and method for supplying resin material, resin molding apparatus and resin molded product manufacturing method capable of supplying powder type resin to an object at a predetermined flow rate and no material remained in the groove

Номер патента: TW201813800A. Автор: 林口慎也. Владелец: 東和股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-16.

Inspection device for spatial light modulator, illuminating optical system, exposure device, inspecting method, method for adjusting illuminating optical system, illuminating method, exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: KR101695034B1. Автор: 오사무 다니츠,히로히사 다나카. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2017-01-10.

METHOD FOR EVALUATING SILICON SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140363904A1. Автор: Hoshi Ryoji,Matsumoto Suguru,Kamada Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20150001680A1. Автор: Oka Tetsuya,Ebara Koji. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

METHOD FOR SLICING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20140295126A1. Автор: Noguchi Hiroshi. Владелец: SUMCO TECHXIV CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for manufacturing a microelectronic media sensor assembly, and microelectronic media sensor assembly

Номер патента: US20180208458A1. Автор: Ralf Reichenbach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for manufacturing graphic cover substrate for solar panel, solar panel and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3996153A4. Автор: Junghoon Choi,Jeongkyu KIM,Chungyi Kim. Владелец: Shangrao Jinko Solar Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-26.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09697989B2. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Current collector, manufacturing method and equipment thereof, and current collector preform

Номер патента: US20240079603A1. Автор: Feng Liu,Yujie Chen,Xiaoming Ge. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Номер патента: US20180141818A1. Автор: Hitoshi Sumiya,Katsuko Yamamoto,Keiko Arimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Single crystal rod for solid-state laser and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101621764B1. Автор: 김찬호,유태연,강진기. Владелец: 주식회사 엔티에스. Дата публикации: 2016-05-17.

METHOD FOR PRODUCING TWO OR THREE-DIMENSIONAL ELECTRICALLY CONDUCTIVE OR SEMICONDUCTIVE STRUCTURES, A CLEARING METHOD THEREOF, AND A GENERATOR / MODULATOR OF AN ELECTRICAL FIELD FOR USE IN THE MANUFACTURE METHOD

Номер патента: DE69937485T2. Автор: Per-Erik Nordal,Geirr I. Leistad,Hans Gude Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2008-08-21.

Multi-tone photomask for manufacturing display device, multi-tone photomask manufacturing method for display device manufacturing, pattern transfer method, and thin-film transistor manufacturing method

Номер патента: JP6076593B2. Автор: 昇山口,山口　昇. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

Manufacturing method for fin-fet having floating body

Номер патента: US20110318903A1. Автор: Fredrick David Fishburn,Peter Strobl. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods for production of single-crystal graphenes

Номер патента: US09845551B2. Автор: Zheng Yan,James M. Tour. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2017-12-19.

Cleaning method, method for producing silicon single crystal, and cleaning device

Номер патента: US20200346258A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Satoru Hamakawa,Takuya Yotsui. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Apparatus and method for assigning a material value score to a waste printed circuit board or a portion thereof and system for sorting waste printed circuit boards

Номер патента: US12030087B2. Автор: Johannes Leisner,Markus Firsching,Alexander Ennen,Steffen RÜGER,Wladislaw BENNER,Malte VOGELGESANG. Владелец: Technishe Universitaet Darmstadt. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for assigning a material value score to a waste printed circuit board or a portion thereof and system for sorting waste printed circuit boards

Номер патента: EP4163626A1. Автор: Johannes Leisner,Markus Firsching,Alexander Ennen,Steffen RÜGER,Wladislaw BENNER,Malte VOGELGESANG. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DARMSTADT. Дата публикации: 2023-04-12.

Apparatus and method for assigning a material value score to a waste printed circuit board or a portion thereof and system for sorting waste printed circuit boards

Номер патента: US20230109956A1. Автор: Johannes Leisner,Markus Firsching,Alexander Ennen,Steffen RÜGER,Wladislaw BENNER,Malte VOGELGESANG. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET DARMSTADT. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for preparing single crystal oxide thin film

Номер патента: EP1314800A4. Автор: Masashi Kawasaki,Hideomi Koinuma,Yuji Matsumoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-02-14.

Organic EL panel translucent substrate, control method for refractive index anisotropy of organic EL panel translucent substrate, manufacturing method for organic EL panel translucent substrate, organic EL panel, and organic EL device

Номер патента: US09698361B2. Автор: Yoshikazu Sakaguchi. Владелец: NEC Lighting Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

ARRAY SUBSTRATE, MANUFACTURING AND DRIVING METHODS THEREOF, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160357314A1. Автор: Liu Wei,Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Liu Hongjuan,Yang Shengji,Zhao Weijie,Liu Yingming,CHEN Xiaochuan,LI Changfeng. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Method for producing rangate single crystal and langate single crystal

Номер патента: JP6498301B2. Автор: 郁生高橋,孝之青木,陽一野々垣,嘉将木下,青木　孝之. Владелец: Citizen Fine Device Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-10.

Method for fabricating GaN single crystal substrate

Номер патента: KR100438819B1. Автор: 이교열. Владелец: 삼성코닝 주식회사. Дата публикации: 2004-07-05.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3094156B2. Автор: ヴィルフリート・フォン・アモン,エリヒ・トムヅィク,パウル・フーフス,プロフ・ユリ・ゲルフガト. Владелец: ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト. Дата публикации: 2000-10-03.

METHOD FOR PRODUCING PIEZOELECTRIC SINGLE CRYSTALS WITH A MULTI-DOMAIN STRUCTURE FOR PRECISION POSITIONING DEVICES

Номер патента: RU2003122259A. Автор: Юрий Николаевич Пархоменко,Владимир Валентинович Антипов,Александр Алексеевич Блистанов,Михаил Давыдович Малинкович,Юрий Николаевич Пархоменко (RU),Владимир Валентинович Антипов (RU),Александр Алексеевич Блистанов (RU),Михаил Давыдович Малинкович (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани "Московский государственный институт стали и сплавов" (технологический университет) (RU). Дата публикации: 2005-01-27.

ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, CONTROL METHOD FOR REFRACTIVE INDEX ANISOTROPY OF ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, ORGANIC EL PANEL, AND ORGANIC EL DEVICE

Номер патента: US20150280153A1. Автор: SAKAGUCHI Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, CONTROL METHOD FOR REFRACTIVE INDEX ANISOTROPHY OF ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, MANUFACTURING METHOD FOR ORGANIC EL PANEL TRANSLUCENT SUBSTRATE, ORGANIC EL PANEL, AND ORGANIC EL DEVICE

Номер патента: US20170309845A1. Автор: SAKAGUCHI Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Manufacturing method for array substrate and liquid crystal display device

Номер патента: US20190371832A1. Автор: Hongyuan Xu,Maoxia ZHU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A CATHODE ISOLATION RETAINING WALL, A DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190148461A1. Автор: Yang Shengji,Wang Zhi,LU Pengcheng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method for oxidation prepares infrared detector of titanium oxide heat-sensitive layer and preparation method thereof

Номер патента: CN107068780A. Автор: 王鹏,杨鑫,王宏臣,陈文礼,甘先锋,董珊,孙丰沛. Владелец: Yantai Rui Micro Nano Technology Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2017-08-18.

Forming method for thin film using cbd, forming apparatus for thin film and manufacturing method for cigs solar cell

Номер патента: KR102069845B1. Автор: 조아라,박주형,조준식,김기환,안승규,정인영,유진수,곽지혜,안세진,윤재호,어영주,신동협. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2020-02-11.

Screening method for magnetic storage device, screening apparatus for magnetic storage device, and manufacturing method of magnetic storage device

Номер патента: US20180268920A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Yosuke Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Manufacturing method for heat radiation composition, heat radiation composition using the same and manufacturing method for led housing using the same

Номер патента: KR101247119B1. Автор: 이준기,최필준,서석훈,오동훈,이재년. Владелец: 오동훈. Дата публикации: 2013-04-02.

OLED panel, method for improving sub-threshold voltage compensation precision of OLED panel and manufacturing method of OLED panel

Номер патента: CN111029378A. Автор: 刘国辉. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-17.

Self-healing method for fractured SiC single crystal nanowires

Номер патента: US10942099B2. Автор: Zhenyu Zhang,Junfeng Cui,Yuefeng DU,Dongming GUO. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-09.

Method for producing SiC single crystals by control of an angle formed by the meniscus and the side face of the seed crystal and production device for the method

Номер патента: US09631295B2. Автор: Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for calculating a height position of silicon melt surface, method for pulling silicon single crystal, and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: US09587325B2. Автор: Naoki Masuda,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09476142B2. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Device and method for producing tubular single crystals

Номер патента: EP3805436A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Toru Ishiguro,Yuji Kagamitani,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4148167A1. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240328029A1. Автор: Keisuke Mihara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09982365B2. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Katsunori Danno. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: US09976229B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US09777399B2. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: US20060216220A1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for producing SiC single crystal substrate in which a Cr surface impurity is removed using hydrochloric acid

Номер патента: US09873955B2. Автор: Akinori Seki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming a single crystal by spraying the raw material onto a seed substrate

Номер патента: US09663871B2. Автор: Tsutomu Nanataki,Nobuyuki Kobayashi,Koichi Kondo,Jun Yoshikawa,Kazuki Maeda,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US09376336B2. Автор: Akihiro Kimura,Izumi Fusegawa,Katsuhiko Miki,Suguru Matsumoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Electrochemical method for treatment of single-crystal silicon plates for solar batteries

Номер патента: RU2749534C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Ольга Леонидовна Семерикова,Алексей Алексеевич Трофимов,Сергей Викторович Вакарин,Александр Валерьевич Косов,Александр Алексеевич Панкратов,Анастасия Максимовна Леонова,Наталия Максимовна Леонова,Диана Михайловна Солодянкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-11.

Method for making MnBi2Te4 single crystal

Номер патента: US10883188B2. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-05.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US9932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240309541A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for pulling a single crystal composed of silicon from a melt contained in a crucible, and single crystal produced thereby

Номер патента: US09988739B2. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for growing a single crystal by crystallizing the single crystal from a float zone

Номер патента: US09932691B2. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Silicon single crystal growing apparatus and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US09783912B2. Автор: Ryoji Hoshi,Kosei Sugawara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US09499924B2. Автор: Akihiro Kimura,Kiyotaka Takano,Junya Tokue. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for Manufacturing Boride Single Crystal and Substrate

Номер патента: US20070022944A1. Автор: Shinji Inoue,Kenji Hori,Mineo Isogami. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: WO2024177846A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for preparing a single crystal silicon ingot with reduced radial resistivity variation

Номер патента: US20240279840A1. Автор: Jaewoo Ryu,Chun-Sheng Wu,Carissima Marie Hudson,Young Gil Jeong. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Manufacturing apparatus of SiC single crystal and method for manufacturing SiC single crystal

Номер патента: US09617655B2. Автор: Yoichiro Kawai,Hiroshi Suzuki,Tomokazu Ishii,Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Kouji Moriguchi. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A2. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: US20240247398A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: WO2020263455A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-12-30.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP3990683A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-04.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Ingot puller apparatus and methods for growing a single crystal silicon ingot with reduced lower chamber deposits

Номер патента: WO2024155776A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Matteo Pannocchia,William Lynn Luter. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20230042620A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: EP4244411A1. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: US12110609B2. Автор: Richard Joseph Phillips,Salvador Zepeda. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: EP4394095A3. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: US09863059B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for cd1-xznxte single crystals growing, where 0≤x≤1, for inoculation at high pressure of inert gas

Номер патента: RU2633899C2. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Светлана Викторовна Быкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КристалсНорд". Дата публикации: 2017-10-19.

Method for producing hexagonal single crystal, method for producing hexagonal single crystal wafer, hexagonal single crystal wafer, and hexagonal single crystal element

Номер патента: US20150376813A1. Автор: Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida,Norihiro HOSHINO. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Crucible-supporting pedestal, quartz crucible-supporting device, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20200283925A1. Автор: Kenji Munezane. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: US09809902B2. Автор: Tadahiro Sato,Toshiaki Sudo,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Makiko Kodama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Device and method for pulling a single crystal of semiconductor material

Номер патента: US12116694B2. Автор: Rolf Schmid,Helmut Bergmann,Werner Joedecke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-04-30.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: CA2524581C. Автор: Hiromu Shiomi,Hiroyuki Kinoshita. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for preparing homogeneous single crystal ternary III-V alloys

Номер патента: US5047112A. Автор: Theodore F. Ciszek. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1991-09-10.

Simple method for detecting temperature distributions in single crystals and method for manufacturing silicon single crystals by employing the simple method

Номер патента: US6042646A. Автор: Kozo Nakamura,Toshiaki Saishoji,Fumitaka Ishikawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-28.

Method for producing silicon single crystals and silicon single crystal produced thereby

Номер патента: US7442251B2. Автор: Tsuyoshi Nakamura,Shuichi Inami,Nobumitsu Takase,Hiroki Murakami,Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8506708B2. Автор: Satoshi Kudo,Masanori Fukui. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2013-08-13.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20040244674A1. Автор: Toshiaki Ono,Tadami Tanaka,Hideshi Nishikawa,Shigeru Umeno,Eiichi Asayama. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for pulling a single crystal of semiconductor material from a melt which is contained in a crucible

Номер патента: SG11201902696WA. Автор: Walter Heuwieser,Thomas SCHRÖCK. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Nobuaki Mitamura. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: US10023975B2. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A2. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Production apparatus for metal oxide single crystal and production method for metal oxide single crystal

Номер патента: US20230235478A1. Автор: Takumi Kobayashi,Keigo Hoshikawa,Toshinori Taishi. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for producing sic single crystal and method for suppressing dislocations in sic single crystal

Номер патента: EP4276227A3. Автор: Takehisa Minowa,Toshihiro Tsumori,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for manufacturing a single crystal by solution growth enabling trapping of parasitic crystals

Номер патента: US11952680B2. Автор: Bruno Pintault,Christian Belouet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: US20160208409A1. Автор: Nobuhira Abe. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4242706A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-09-13.

Method for producing nitride single crystal using nitrogen-containing solvent, mineralizer having fluorine atom, and raw material

Номер патента: US10501865B2. Автор: Makoto Saito,Shigefusa Chichibu,Yuji Kagamitani,Tohru Ishiguro,Chiaki Yokoyama,Rinzo Kayano,Quanxi Bao,Daisuke TOMIDA,Mutsuo UEDA. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-12-10.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: US5152867A. Автор: Makoto Ito,Kaoru Kuramochi,Kiichiro Kitaura. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-06.

Method For Pulling A Single Crystal Composed Of Silicon From A Melt Contained In A Crucible, and Single Crystal Produced Thereby

Номер патента: US20110195251A1. Автор: Martin Weber,Erich Gmeilbauer,Robert Vorbuchner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-11.

Large-area single-crystal silver thin-film structure using single-crystal copper thin-film buffer layer and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240027661A1. Автор: Se Young Jeong,You Sil LEE,Su Jae Kim. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-01-25.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Ludwig Altmannshofer,Martin Moeller,Georg Raming,Gundars Ratnieks,Frank Muemmler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD FOR PRODUCING AlN SINGLE CRYSTAL AND AlN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: EP1806439A1. Автор: Makoto NGK Insulators Ltd. Iwai,Katsuhiro NGK Insulators Ltd. Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2007-07-11.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: WO2008155673A3. Автор: Hidemitsu Sakamoto. Владелец: Hidemitsu Sakamoto. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for measuring distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt, method for controlling distance between lower end surface of heat shielding member and surface of raw material melt and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240026565A1. Автор: Masahiro Akiba,Katsuyuki Kitagawa,Kosei Sugawara,Takaki IMAI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for making mnbi2te4 single crystal

Номер патента: US20200370199A1. Автор: Yang Wu,HAO LI,Shou-Shan Fan,Yue-Gang Zhang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method for producing a single crystal of ferrite

Номер патента: US4339301A. Автор: Syunzo Mase,Soichiro Matsuzawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1982-07-13.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US5037503A. Автор: Tsutomu Kajimoto,Daizou Horie,Shin-ichi Sakurada. Владелец: Kyushu Electronic Metal Co Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: WO2020214531A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-10-22.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: US11873576B2. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US11866844B2. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Crucible and method for pulling a single crystal

Номер патента: US20100180815A1. Автор: Masaru Sato,Masaki Morikawa. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: US20200332439A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Device and method for producing tubular single crystal

Номер патента: US20210214855A1. Автор: Masatoshi Harada,Ichiro SAKANO,Akeo Fukui. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: US20240044041A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for producing a single crystal silicon ingot using a vaporized dopant

Номер патента: EP4271864A1. Автор: Richard J. Phillips,James Dean Eoff,William Lynn Luter,Yu-Chiao Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for managing traffic encryption key in wireless portable internet system and protocol configuration method thereof, and operation method of traffic encryption key state machine in subscriber station

Номер патента: EP1721409A1. Автор: Chul-Sik Yoon,Sung-Cheol Chang,Seokheon Cho. Владелец: Hanaro Telecom Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

Method for performing data processing for error handling in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190065305A1. Автор: Che-Yi Wu,Hung-En Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Facility for hot metal manufacturing, directly using small or lump coal and powdered iron ores, method for its production, complete steel mill, using this facility and this manufacturing method

Номер патента: RU2339702C2. Автор: Иоганн Вурм,Мартин Шмидт,Роберт МИЛЛЬНЕР,Томас ЭДЕР,Курт ВИДЕР,Франц Хаузенбергер,Чанг О КАНГ,Деук Чае КИМ,Ху Геун ЛИ,Санг Хун ДЖУ,Мьоунг Кьюн СИН,Джин Тае КИМ,Гу ЛИ,Санг Хьюн КИМ,ван Ги КИМ,Иоганнес Шенк,Карл ЦЕЕТБАУЭР. Владелец: Фест-Алпине Индустрианлагенбау ГмбХ унд Ко. Дата публикации: 2008-11-27.

Carbon-layered grain-free single-crystal cathode particles and method for preparing same

Номер патента: US20240234728A1. Автор: Youngho Shin. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for preparing layered high-entropy oxide cathode material for sodium-ion battery and use thereof

Номер патента: NL2030648B1. Автор: Sun Hongyu,Wang Zhiyuan,Zheng Runguo,Liu Yanguo,Tian Kanghui. Владелец: Univ Northeastern Qinhuangdao. Дата публикации: 2023-08-01.

Keycap for a Luminous Keyboard and the Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200321169A1. Автор: LIANG Chen,QIANG Xiao,Jia Chen,Xiangxu Gao. Владелец: Huizhou Guocheng Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for manufacturing cathode active material for lithium secondary battery

Номер патента: US09543567B2. Автор: Koji Kimura,Tsutomu Nanataki,Ryuta Sugiura,Shohei Yokoyama,Naoto Ohira,Miho Endo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Seed light generating device, light source device and method for adjusting the same, optical irradiation device, exposure device, and device manufacturing method

Номер патента: TW201003333A. Автор: Naoto Inaba,Akira Tokuhisa. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-01-16.

Method for eliminating materials, method for reclaiming base, method for manufacturing display, and electronic appliances comprising display manufactured by the manufacturing method

Номер патента: KR100510611B1. Автор: 이토다츠야,가타가미사토루,가와세도모미. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-08-30.

Current collector and manufacturing method and device therefor, and current collector prefabricated member

Номер патента: EP4287326A1. Автор: Feng Liu,Yujie Chen,Xiaoming Ge. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Method for generating parameter pattern, ion implantation method and feed forward semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20160254122A1. Автор: Ting-Chun Wang,Lun-Kuang Tan,Cheng-ta Wu,Yao-Wen Hsu,Wei-Ming You,Tsung Han Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same

Номер патента: KR100726912B1. Автор: 스기모토가즈히코,히라오가즈노리,다나카히로요시,스미다게이스케,야스이히데아키,후지와라신야,마루나카히데키. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-06-11.

Electrochemical device, manufacturing method of electrode thereof and processing apparatus for electrode of electrochemical device

Номер патента: US20080254353A1. Автор: Hideharu Takezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same

Номер патента: US20020008481A1. Автор: Kazuhiko Sugimoto,Hideaki Yasui,Shinya Fujiwara,Hiroyoshi Tanaka,Keisuke Sumida,Kazunori Hirao,Hideki Marunaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Current collector, manufacturing method and equipment thereof, and current collector prefabricated part

Номер патента: CN114520336B. Автор: 刘锋,陈宇杰,葛销明. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-02.

Electrode plate and manufacturing method for the same, and gas discharge panel having electrode plate and manufacturing method for the same

Номер патента: US7125303B2. Автор: Kazuhiko Sugimoto,Hideaki Yasui,Shinya Fujiwara,Hiroyoshi Tanaka,Keisuke Sumida,Kazunori Hirao,Hideki Marunaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-24.

Diamond single crystal, tool, and method for producing diamond single crystal

Method for manufacturing a single-crystal diamond

Номер патента: EP3173510B1. Автор: Yoshiki Nishibayashi,Natsuo Tatsumi,Hitoshi Sumiya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Manufacturing method for deposition mask, metal sheet used for producing deposition mask, and manufacturing method for said metal sheet

Номер патента: EP3257964A1. Автор: Chikao Ikenaga,Hiroaki Nakayama,Kazunari Ikeda,Chiaki Hatsuta,Utako OOUCHI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-12-20.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method for producing single crystal diamond, and single crystal diamond

Номер патента: EP4365338A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-05-08.

Method for cultivating taisui meat ganoderma lucidum, and oral liquid containing taisui and preparation method thereof

Номер патента: LU500793B1. Автор: Bin Liu. Владелец: Hebei Godjupiter Materia Medica Meat Ganoderma Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Method for Measuring Inhibition of Bacteria by Antibacterial Drug, and Bacterial Counting Device and Method Thereof

Номер патента: US20220195487A1. Автор: Jing Cui,Peng Xu,Mingzhong TANG,Huicui ZHANG. Владелец: Beijing Xinji Jinnuo Medical Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for identifying cell having specific biological characteristics by cell classification process and application method thereof

Номер патента: US20230039070A1. Автор: Masakazu Nakajima,Masanori Miyanishi,Isao MIYATSUKA,My An Le. Владелец: Nextgem Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for synthesizing intergrown twin Ni2Mo6S6O2/MoS2 two-dimensional nanosheet

Номер патента: US11946161B2. Автор: Qiong Liu,Hui Cheng,Fuxian WANG,Liling WEI. Владелец: Institute Of Analysis Guangdong Academy Of Sciences China National Analytical Center Guangzhou. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for producing myeloid-derived suppressor cells, myeloid-derived suppressor cells produced thereby, and methods thereof

Номер патента: US11806364B2. Автор: Sung Jae Shin,Hong Min Kim,Woo Sik Kim,Kee Woong KWON,Joo Heon Yoon,Won Jung Koh. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for cleaning single crystal pulling apparatus, cleaning tool for use therein, and method for manufacturing single crystal

Номер патента: US10000863B2. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Directional solidification method for superalloy single crystal blade based on solid-liquid interface steady control

Номер патента: US12023729B2. Автор: Jun Li,Jianguo Li,Long ZENG,Binqiang Wang,Mingxu Xia,Neng REN. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-02.

Synthetic single crystal diamonds, methods for manufacturing synthetic single crystal diamonds, and tools using synthetic single crystal diamonds

Номер патента: JP6752143B2. Автор: 夏生辰巳,均角谷,角谷　均,良樹西林,豊小林,西林　良樹,暁彦植田,小林　豊. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC HARDMETAL CORP. Дата публикации: 2020-09-09.

Evaluation method for thermal expansion properties of titania-containing silica glass body, and manufacturing method for titania-containing silica glass body

Номер патента: EP3733616A1. Автор: Kazuya Sasaki,Masaaki Takata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-04.

SINGLE-CRYSTAL APATITE NANOWIRES SHEATHED IN GRAPHITIC SHELLS AND SYNTHESIS METHOD THEREOF

Номер патента: US20140099718A1. Автор: Lee Jung Hoon,JEONG Nam Jo. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2014-04-10.

Synthetic single crystal diamonds, tools, and methods for manufacturing synthetic single crystal diamonds

Номер патента: JPWO2019077888A1. Автор: 均角谷,山本　佳津子,佳津子山本,角谷　均,健成濱木,三記寺本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Manufacturing method for magnetic recording medium and magnetic recording medium manufactured by said manufacturing method

Номер патента: MY172588A. Автор: Hiroto Kikuchi,Takehito Shimatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-04.

CLEANING METHOD, METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND CLEANING DEVICE

Номер патента: US20200346258A1. Автор: Maegawa Koichi,YOTSUI Takuya,HAMAKAWA Satoru. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for manufacturing bismuth single crystal nonowires

Номер патента: EP2241534A2. Автор: Bongsoo Kim,Juneho In. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for synthesizing large single crystal diamonds

Номер патента: EP2125188B1. Автор: Carlton Nigel Dodge,Raymond Anthony Spits. Владелец: Element Six Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-11-15.

Method for manufacturing bismuth single crystal nonowires

Номер патента: WO2009093842A3. Автор: 김봉수,인준호. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2009-10-29.

Apparatus and method for cleaning a single crystal puller

Номер патента: DE112018000650T5. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods for repair of single crystal superalloys by laser welding and products thereof

Номер патента: EP1689553B1. Автор: Yiping Hu,Murali Madhava,William F. Hehmann. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2013-03-13.

Active matrix type organic EL display, and manufacturing method and device thereof, and liquid crystal array and manufacturing method thereof, and manufacturing method and device of color filter substrate, and color filter device

Номер патента: TW200410591A. Автор: Yasuo Nishi,Kazuhiro Murata,Hiroshi Yokoyama,Toshio Tahira. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2004-06-16.

METHOD FOR DETERMINING SPEED OF AN ELECTRIC MOTOR, AN ELEVATOR CONTROL UNIT UTILIZING THE METHOD THEREOF AND A COMPUTER PROGRAM PRODUCT

Номер патента: US20170260022A1. Автор: KORHONEN Tuukka. Владелец: KONE CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for repairing a single crystal turbine blade

Номер патента: US09488053B2. Автор: Tobias Schmitt,Michael Seemann,Guenter Ambrosy,Hans Bissig,Stefan Schlegel,Hermann Emminger. Владелец: General Electric Technology GmbH. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for repairing a single crystal turbine blade

Номер патента: EP2872286A1. Автор: Tobias Schmitt,Michael Seemann,Guenter Ambrosy,Hans Bissig,Stefan Schlegel,Hermann Emminger. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2015-05-20.

Machining method, method for manufacturing planetary carrier, and planetary carrier

Номер патента: US20200189014A1. Автор: Daisuke Harimoto,Hirofumi Kiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Sintered Alloy Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Groundcovering element, method for its manufacture and method for the manufacture of a mould to be applied with the manufacturing method

Номер патента: US5615971A. Автор: Jan A. Boev e. Владелец: Boeve; Jan A.. Дата публикации: 1997-04-01.

Control method for continuous casting machine, control device for continuous casting machine, and manufacturing method for casting

Номер патента: US11890671B2. Автор: Shugo Morita,Ryo Morishita,Ryosuke Masuda,Akitoshi Matsui,Yoshinari Hashimoto,Tatsuro HAYASHIDA,Taiga KORIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Manufacturing method for joint member and method for manufacturing angular position holding device using joint member manufactured using manufacturing method for joint member

Номер патента: EP4241903A1. Автор: Taro Isobe. Владелец: Origin Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Control method for continuous casting machine, control device for continuous casting machine, and manufacturing method for casting

Номер патента: US20210387250A1. Автор: Shugo Morita,Ryo Morishita,Ryosuke Masuda,Akitoshi Matsui,Yoshinari Hashimoto,Tatsuro HAYASHIDA,Taiga KORIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for detecting presence and/or tracking of a bobbin-holder plate in a winding machine or ring spinning machine, bobbin holder plate for winding machine or ring spinning machine and apparatus for detecting presence and/or tracking of a bobbin in a winding machine or ring spinning machine

Номер патента: EP3950553A1. Автор: Mario Marasciutti,Massimo Oss Noser,Luca DALLA BONA. Владелец: Savio Macchine Tessili SpA. Дата публикации: 2022-02-09.

Hydrostatic pressure roll milling apparatus for Surface Machining and the method for top layer shaping

Номер патента: CN103347648B. Автор: A·奥斯特塔格. Владелец: ECOROLL AG WERKZEUGTECHNIK. Дата публикации: 2016-08-10.

Polishing method for indium antimonide single crystal wafer

Номер патента: CN114800058A. Автор: 陈基生,王永净. Владелец: Xiamen Huaxin Wafer Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-07-29.

A Manufacturing method of bur for scaling and grinding resin

Номер патента: KR101961892B1. Автор: 정인선,강홍원. Владелец: (주)덴바이오. Дата публикации: 2019-03-25.

Method for Producing Single Crystal Diamond and Single Crystal Diamond

Номер патента: US20240318348A1. Автор: Ryuji Oshima,Alexander Vul,Kanji Iizuka,Fedor Shakhov. Владелец: Ioffe Institute. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing single crystal

Номер патента: US09777400B2. Автор: Akira Matsushima,Tsutomu Hori,Shunsaku UETA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

SiC single-crystal ingot, SiC single crystal, and production method for same

Номер патента: US09732436B2. Автор: Takayuki Shirai,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method and Apparatus for Reducing Impurities in a Single Crystal Based on Ingot Length

Номер патента: US20140102357A1. Автор: Keith Ritter. Владелец: Siemens Medical Solutions USA Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method For Growing Single-Crystal Silicon Ingots and Single-Crystal Silicon Ingots

Номер патента: US20240263351A1. Автор: Zhenliang Song,Shaojie Song. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Production apparatus of SiC single crystal by solution growth method, method for producing SiC single crystal using the production apparatus, and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09702056B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for preparing single crystal, and silicon crystal

Номер патента: EP4459013A1. Автор: Wei Wu,Chun-Hung Chen,Shuangli WANG. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Method for manufacturing single crystal

Номер патента: US09863060B2. Автор: Atsushi Iwasaki,Shou Takashima,Yuuichi Miyahara,Yasuhiko Sawazaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

SiC single crystal ingot and production method therefor

Номер патента: US09523156B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and apparatus for producing single crystals composed of semiconductor material

Номер патента: US09422636B2. Автор: Joerg Fischer,Helge Riemann,Matthias Renner,Nikolai V. Abrosimov. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus for producing SiC single crystal by solution growth method, and method for producing SiC single crystal by using the production apparatus and crucible used in the production apparatus

Номер патента: US09783911B2. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado,Koji Moriguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: US20240003049A1. Автор: Yasufumi KAWAKAMI,Kazuyoshi Sakatani. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US20200399783A1. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Manufacturing method for silicon single crystal

Номер патента: US20100175612A1. Автор: Tomohiro Fukuda,Shinichi Kawazoe,Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota,Fukuo Ogawa. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Base material for growing single crystal diamond and method for producing single crystal diamond substrate

Номер патента: US20110081531A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-07.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210363657A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing diamond single crystal substrate, and diamond single crystal substrate

Номер патента: EP1867760B1. Автор: Takahiro Imai,Yoshiyuki Yamamoto,Kiichi Meguro. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Nonlinear single crystal of lithium chalcogenides and method for its preparation

Номер патента: RU2763463C1. Автор: Сергей Иванович Лобанов,Людмила Ивановна Исаенко,Александр Павлович Елисеев,Алина Александровна Голошумова,Алексей Федорович Курусь. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (Новосибирский государственный университет, НГУ). Дата публикации: 2021-12-29.

Method and apparatus for growing high quality single crystal

Номер патента: EP1201793A4. Автор: Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

System for horizontal growth of high-quality semiconductor single crystals, and method of manufacturing same

Номер патента: EP3760765A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2021-01-06.

Single-crystal manufacturing method and single-crystal manufacturing apparatus

Номер патента: US20110214605A1. Автор: Takashi Mori,Susumu Sonokawa,Suguru Matsumoto,Toshiharu Uesugi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-08.

Quartz glass crucible, method for producing silicon single crystal using same, method for measuring infrared transmittance of quartz glass crucible, and method for manufacturing quartz glass crucible

Номер патента: SG11202106610PA. Автор: Hiroshi Kishi,Masanori Fukui,Ken Kitahara,Eriko Kitahara,Tomokazu Katano. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE-CRYSTAL 4H-SiC SUBSTRATE

Номер патента: US20160298262A1. Автор: Ohno Akihito,Tanaka Takanori,Tomita Nobuyuki,Hamano Kenichi,Mitani Yoichiro,Kawazu Zempei. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, method for producing sic single crystal using apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, and crucible used in apparatus for producing sic single crystal

Номер патента: TW201313970A. Автор: Nobuhiro Okada,Kazuhiko Kusunoki,Hidemitsu Sakamoto,Kazuhito Kamei,Nobuyoshi Yashiro,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Sumitomo Metal Ind. Дата публикации: 2013-04-01.

Apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, method for producing sic single crystal using apparatus for producing sic single crystal by solution growth method, and crucible used in apparatus for producing sic single crystal by solution growth method

Номер патента: WO2012176647A1. Автор: 秀光坂元,信宏岡田,楠　一彦,亀井　一人,矢代　将斉,寛典大黒,幹尚加渡. Владелец: 住友金属工業株式会社. Дата публикации: 2012-12-27.

Single-crystal-like ingot seed crystal laying equipment and control method thereof

Номер патента: CN113802179A. Автор: 陈伟,李林东,唐珊珊,任贵. Владелец: Baotou Ates Sunshine Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Method for growing a gaas single crystal by pulling from gaas melt

Номер патента: CA1228524A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1987-10-27.

Method, apparatus, and computer-readable storage medium for growing single crystal by using czochralski technique

Номер патента: US20220389610A1. Автор: QIAO LI,Zhengyuan Wang,Feifei DOU. Владелец: Longi Green Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: US20240035198A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Systems and methods for forming single crystal silicon ingots with crucibles having a synthetic liner

Номер патента: WO2024025821A1. Автор: Richard Joseph Phillips. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-01.

METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR PRODUCING HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL WAFER, HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL WAFER, AND HEXAGONAL SINGLE CRYSTAL ELEMENT

Номер патента: US20150376813A1. Автор: TSUCHIDA Hidekazu,KAMATA Isaho,HOSHINO Norihiro. Владелец: CENTRAL RESEARCH INSTITUTE OF ELECTRIC POWER INDUSTRY. Дата публикации: 2015-12-31.

Program for calculating pulling conditions of silicon single crystal, method for improving hot zone of silicon single crystal, and method for growing silicon single crystal

Номер патента: CN110139951B. Автор: 末若良太. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-04-09.

Silica glass crucible for pulling up silicon single crystal, method for manufacturing thereof and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101165598B1. Автор: 마사키 모리카와,마사노리 후쿠이,사토시 구도. Владелец: 쟈판 스파 쿼츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-23.

Program for calculating pulling conditions for silicon single crystal, method for improving hot-zone of silicon single crystal, and method for generating silicon single crystal

Номер патента: TW201830269A. Автор: 末若良太. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-16.

Single crystals of chromium and method for producing the same

Номер патента: US4917722A. Автор: Tsutomu Kuniya,Koichi Hanawa,Tomoyuki Oikawa. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 1990-04-17.

Method for Producing Single Crystal of Polymer-Metal Complex

Номер патента: US20170016139A1. Автор: Bunnai Saito. Владелец: Takeda Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Continuous single crystal growth of graphene

Номер патента: US20180187331A1. Автор: Ivan V. Vlassiouk,Frederick Alyious List, III,Yijing Y. Stehle,Sergei N. Smirnov. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Continuous single crystal growth of graphene

Номер патента: WO2018125591A1. Автор: Ivan V. Vlassiouk,Yijing Y. Stehle,Sergei N. Smirnov,III Frederick Alyious LIST. Владелец: UT-BATTELLE, LLC. Дата публикации: 2018-07-05.

Seed crystal for pulling silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal by using the seed crystal

Номер патента: EP2186929A4. Автор: Nobumitsu Takase. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-03-04.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant

Номер патента: EP3990683B1. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Device and method for pulling a single crystal

Номер патента: TW415978B. Автор: Erich Dornberger,Ammon Wilfried Von,Hans Oelkrug,Franz Segieth. Владелец: Wacker Siltronic Halbleitermat. Дата публикации: 2000-12-21.

Method for preparing sic single crystal

Номер патента: EP3388560B8. Автор: Takehisa Minowa,Naofumi Shinya,Yu Hamaguchi,Norio Yamagata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US12116691B2. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method For Growing A Single Crystal By Crystallizing The Single Crystal From A Float Zone

Номер патента: US20160177469A1. Автор: Raming Georg,Muemmler Frank,Moeller Martin,ALTMANNSHOFER Ludwig,RATNIEKS Gundars. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

APPARATUS FOR MANUFACTURING COMPOUND SINGLE CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND SINGLE CRYSTAL, AND GaN SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20190330762A1. Автор: NAKAMURA Daisuke,KIMURA Taishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO. Дата публикации: 2019-10-31.

Low temperature method of preparing GaN single crystals

Номер патента: US5868837A. Автор: Hisanori Yamane,Francis J. DiSalvo,Jay Molstad. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1999-02-09.

Method for Growing Single Crystals of Metals

Номер патента: US20090120351A1. Автор: James R. Ciulik,Eric M. Taleff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for producing silicon single crystal with few crystal defects and silicon single crystal wafer

Номер патента: JP3747123B2. Автор: 雅規木村,聡鈴木,誠飯田,栄一飯野,正三村岡. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-22.

Silicon seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR19990083017A. Автор: 기무라마사노리,이이노에이이찌. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-11-25.

Apparatus for manufacturing silicon single crystal, method for manufacturing silicon single crystal, and silicon single crystal

Номер патента: US7368011B2. Автор: Satoshi Sato,Youji Suzuki. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Crucible for growing SiC single crystal, method for producing SiC single crystal, and SiC single crystal production apparatus

Номер патента: CN111424311B. Автор: 藤川阳平. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-06-28.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: US11795571B2. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245895A2. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: WO2021018883A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Production and use of dynamic state charts when growing a single crystal silicon ingot

Номер патента: EP4004261A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for growing a nitrogen doped single crystal silicon ingot using continuous czochralski method and a single crystal silicon ingot grown by this method

Номер патента: EP4245894A3. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for pulling a single crystal of silicon in accordance with the czochralski method

Номер патента: US20220259762A1. Автор: Walter Heuwieser,Michael SKROBANEK,Karl Mangelberger. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2022-08-18.

Seed crystal for pulling silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using the same

Номер патента: TW200914651A. Автор: Nobumitsu Takase. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

MANUFACTURING APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130284083A1. Автор: Suzuki Hiroshi,Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu,Ishii Tomokazu,KAWAI Yoichiro,Kasunoki Kazuhiko,Moriguchi Kouji. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

MANUFACTURING APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL, JIG FOR USE IN THE MANUFACTURING APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130305981A1. Автор: Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT, AND SILICON SINGLE CRYSTAL INGOT MANUFACTURED BY THE METHOD

Номер патента: US20180002827A1. Автор: SONG Do Won,KANG Jong Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

PRODUCTION APPARATUS OF SiC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL USING THE PRODUCTION APPARATUS, AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS

Номер патента: US20140116325A1. Автор: Okada Nobuhiro,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,Kasamoto Hidamisu. Владелец: . Дата публикации: 2014-05-01.

STARTING MATERIAL ALUMINA FOR PRODUCTION OF SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150104375A1. Автор: Fukuda Tsuguo,OZAKI Hirotaka. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2015-04-16.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL, HEAT SHIELD, AND SINGLE CRYSTAL PULLING DEVICE

Номер патента: US20200115821A1. Автор: NARUSHIMA Yasuhito,UTO Masayuki. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-16.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150152569A1. Автор: Okada Nobuhiro,Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,SAKAMOTO Hidemitsu,Kado Motohia. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

APPARATUS FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL BY USING THE PRODUCTION APPARATUS AND CRUCIBLE USED IN THE PRODUCTION APPARATUS

Номер патента: US20150191848A1. Автор: Okada Nobuhiro,Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Yashiro Nobuyoshi,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-07-09.

SILICON SINGLE CRYSTAL GROWING APPARATUS AND METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150240379A1. Автор: Sugawara Kosei,Hoshi Ryoji. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL BY SOLUTION GROWTH ENABLING TRAPPING OF PARASITIC CRYSTALS

Номер патента: US20210348297A1. Автор: Pintault Bruno,BELOUET Christian. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD FOR CALCULATING A HEIGHT POSITION OF SILICON MELT SURFACE, METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL, AND SILICON SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS

Номер патента: US20140373774A1. Автор: MASUDA Naoki,YANAGIMACHI Takahiro. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20170298533A1. Автор: Moriguchi Koji,Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,KISHIDA Yutaka,DOI Masayoshi,KAIDO Hiroshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Method for preparing silicon single crystal and silicon single crystal

Номер патента: KR100735902B1. Автор: 후세가와이즈미,호시료지,이노코시고이치,오오타도모히코. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2007-07-04.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal

Номер патента: KR100804459B1. Автор: 게이세이 아베. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for producing silicon single crystal having uniform distribution of crystal defects and apparatus for manufacturing same

Номер патента: KR970001619A. Автор: 마사히로 사꾸라다,와따루 사또,도모히꼬 오오따. Владелец: 신에쓰한도따이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-01-24.

Crucible for growing sapphire single crystal and method for growing sapphire single crystal

Номер патента: JPWO2014148156A1. Автор: 博横山,大田賀,聖一星. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Method for indirectly controlling crystal pulling diameter and method for producing Czochralski single crystal ingot

Номер патента: CN111593403A. Автор: 河野贵之,马国忠,梁万亮,丁亚国,顾燕滨. Владелец: Ningxia Yinhe New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

Apparatus for growing sic single crystal and method for growing sic single crystal using the same

Номер патента: KR101930997B1. Автор: 서상준,사공성환. Владелец: 주식회사 아르케. Дата публикации: 2019-03-11.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN1296529C. Автор: 樱田昌弘,小林武史,森达生,布施川泉,太田友彦. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-24.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: EP0962557A1. Автор: Masaro c/o Isobe R & D Center Tamatsuka,Akihiro c/o Isobe R & D Center Kimura,Katsuhiko c/o Isobe R & D Center Miki,Makoto c/o Isobe R & D Center Iida. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-08.

Semiconductor single crystal pulling apparatus and method for remelting semiconductor single crystal using same

Номер патента: KR102241325B1. Автор: 나오키 마스다,마사히코 우라노. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2021-04-16.

Method for making silicon single crystal and used seed crystal

Номер патента: CN1149306C. Автор: ,�˱�Т,阿部孝夫,木村雅规. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: WO2003091483A1. Автор: Sadayuki Okuni,Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta,Nobuo Katuoka. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for producing silicon single crystal and, silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: EP1498517A4. Автор: T Ohta,I Fusegawa,S Okuni,N Mitamura,N Katuoka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-17.

Single crystal nickel-based superalloy compositions, member and manufacture method thereof

Номер патента: CN101613819A. Автор: Y·胡. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-12-30.

Method for manufacturing silicon single-crystal ingot, and silicon single-crystal ingot

Номер патента: WO2018159108A1. Автор: 小野　敏昭,藤原　俊幸,宝来　正隆,渉杉村. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2018-09-07.

Single crystal manufacturing apparatus and method for producing a single crystal

Номер патента: DE112009000526B4. Автор: Takao Abe. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal manufactured by the method, and silicon wafer

Номер патента: WO2001016410A1. Автор: Makoto Iida,Masanori Kimura,Hiroshi Takeno,Yoshinori Hayamizu. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2001-03-08.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR101488125B1. Автор: 히로시 스즈키,히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키,노부히로 오카다,가즈히토 가메이,노부요시 야시로,고우지 모리구치,도모카즈 이시이,요이치로 가와이. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2015-01-29.

Single crystal turbine blade with non-uniform structure and preparation method thereof

Номер патента: CN114718655A. Автор: 张泽,谷月峰,赵新宝,夏万顺,岳全召. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-07-08.

Method for producing silicon single crystal with fewer crystal defects

Номер патента: KR960023272A. Автор: 마사히로 사꾸라다,기요따까 다까노,에이이찌 이이노,히로또시 야마기시. Владелец: 이가라시 유끼. Дата публикации: 1996-07-18.

Method for producing sapphire single crystal, and sapphire single crystal obtained by the method

Номер патента: WO2011001905A1. Автор: 智博庄内. Владелец: 昭和電工株式会社. Дата публикации: 2011-01-06.

Magnetic garnet single crystal and production method for magnetic garnet single crystal

Номер патента: WO2019193950A1. Автор: 中村　太郎,博貴河合,直人青柳,諒柳田,紳保岡野,忠史平野. Владелец: 湖北工業株式会社. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for manufacturing silicon single crystal ingot and silicon single crystal pulling apparatus

Номер патента: CN113302346A. Автор: 杉村涉,坂本英城. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Nickel-based single crystal superalloy with high temperature bearing capacity and preparation method thereof

Номер патента: CN111961920B. Автор: 张泽,谷月峰,丁青青,魏晓,岳亮,曹高劭,赵新宝,夏万顺,贝红斌,岳全召. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2022-02-11.

Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: TW589415B. Автор: Makoto Iida,Norihiro Kobayashi,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2004-06-01.

Silicon Single Crystal Ingot Having Controlled Shoulder Shape and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100977624B1. Автор: 이상훈,이성영,이재은,오현정. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2010-08-23.

Silicon single crystal and method for growing silicon single crystal

Номер патента: US7214267B2. Автор: Koji KATO. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Method for producing silicon single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: WO2003091484A1. Автор: Masahiro Sakurada,Tatsuo Mori,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.. Дата публикации: 2003-11-06.

Method for producing a single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: EP1662024B1. Автор: Izumi Shirakawa R&D Shin-Etsu Handotai FUSEGAWA,Nobuaki Shirakawa R&D Shin-Etsu Handota MITAMURA,Takahiro c/o Shirakawa R & D Center YANAGIMACHI. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-13.

Method for producing silicon single crystal wafer and silicon single crystal wafer

Номер патента: KR100581047B1. Автор: 이다마코토,타마츄카마사로,고베야시노리히로. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-05-17.

Method for drawing silicon single crystal rod and silicon single crystal rod

Номер патента: CN113463182A. Автор: 孙介楠. Владелец: Xian Eswin Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-01.

An apparatus for producing a single crystal and a method for producing a single crystal

Номер патента: DE102005060391B4. Автор: Yoshihiro Kodama. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

APPARATUS FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2012090946A1. Автор: 秀光坂元,伴和石井,信宏岡田,洋一郎河合,楠　一彦,亀井　一人,鈴木　寛,矢代　将斉,晃治森口,寛典大黒,幹尚加渡. Владелец: 住友金属工業株式会社. Дата публикации: 2012-07-05.

Single crystal pulling device and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP7006573B2. Автор: 裕早川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-01-24.

Method for preparing garnet single crystal and garnet single crystal prepared thereby

Номер патента: CN100510202C. Автор: 尹泰铉,李钟柏,裴乘铁. Владелец: KIM YU KON. Дата публикации: 2009-07-08.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3994665B2. Автор: 昌弘桜田,友彦太田,武史小林,泉布施川,達生森. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-24.

Silicon single crystal wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP1347083A4. Автор: Takeshi Kobayashi,Masahiro Sakurada,Tatsuo Mori,Izumi Fusegawa,Tomohiko Ohta. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

A method for pulling a single crystal of silicon and then produced single crystal

Номер патента: DE102009024473B4. Автор: Markus Bär. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2015-11-26.

Method and apparatus for growing silicon single crystal ingots

Номер патента: US20240003047A1. Автор: Woo Tae Kim. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, method for producing silicon single crystals, and device for pulling silicon single crystals

Номер патента: US11781242B2. Автор: Naoki Matsushima,Hideki Sakamoto,Wataru Sugimura,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Single crystal silicon ingot having axial uniformity

Номер патента: US20210079553A1. Автор: Carissima Marie Hudson,Jae-Woo Ryu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Quartz glass crucible, manufacturing method therefor, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20240011183A1. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,Eriko Kitahara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

System for manufacturing silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal using this system

Номер патента: EP2039811B1. Автор: Makoto Iida,Nobuaki Mitamura,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-19.

Method and device for manufacturing silicon wafer, method for manufacturing silicon single crystal, and device for pulling up silicon single crystal

Номер патента: TW200415264A. Автор: Kozo Nakamura,Takashi Yokoyama,Koji Yoshihara,Ryota Suewaka,Toshiaki Saishoji. Владелец: Komatsu Denki Kinzoku Kabushiki Kaisha. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for producing silicon single crystal wafer for particle monitoring and silicon single crystal wafer for particle monitoring

Номер патента: TW499509B. Автор: Katsuhiko Miki,Masaro Tamatsuka. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2002-08-21.

SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL PULLING APPARATUS AND METHOD FOR REMELTING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL USING THIS

Номер патента: US20170292205A1. Автор: Urano Masahiko,MASUDA Naoki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2017-10-12.

Method for producing AlN single crystal and AlN single crystal

Номер патента: JP4780720B2. Автор: 克宏今井,真岩井. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2011-09-28.

Method for manufacturing silicon single crystal ingot and silicon single crystal ingot

Номер патента: CN110536980B. Автор: 杉村涉,小野敏昭,宝来正隆,藤原俊幸. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Silicon carbide single crystal, silicon carbide substrate and manufacturing method for silicon carbide single crystal

Номер патента: KR100827970B1. Автор: 히로무 시오미,히로유키 기노시타. Владелец: 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-05-08.

Method for producing silicon single crystal, heat shield, and single crystal pulling device

Номер патента: WO2018116590A1. Автор: 康人鳴嶋,雅之宇都. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2018-06-28.

Manufacturing method of laminated body having aluminum nitride single crystal layer, laminated body manufactured by the manufacturing method, manufacturing method of aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP4707755B2. Автор: 徹永島,和哉高田,明箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Method for producing a single crystal and silicon single crystal wafer

Номер патента: US7326395B2. Автор: Nobuaki Mitamura,Izumi Fusegawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for producing gaas single crystal and gaas single crystal wafer

Номер патента: CN103703172A. Автор: 村上元一,中村良一,宫地岳广. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, PROCESSING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, METHOD FOR EVALUATING POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, AND METHOD FOR PRODUCING FZ SINGLE CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20170341943A1. Автор: Netsu Shigeyoshi,Okada Junichi,Miyao Shuichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, PROCESSING METHOD FOR POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, METHOD FOR EVALUATING POLYCRYSTALLINE SILICON ROD, AND METHOD FOR PRODUCING FZ SINGLE CRYSTAL SILICON

Номер патента: US20200399132A1. Автор: Netsu Shigeyoshi,Okada Junichi,Miyao Shuichi. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for determining quality of silicon ingot, program for determining quality of silicon ingot, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN111601916A. Автор: 工藤智司,金大基,斋藤康裕,仓垣俊二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-08-28.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US7413605B2. Автор: Jun Furukawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Device and method for producing bulk single crystals

Номер патента: US20130000552A1. Автор: Jason SCHMITT. Владелец: NITRIDE SOLUTIONS Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130125810A1. Автор: Iwasaki Atsushi,Takashima Shou,Miyahara Yuuichi,Mitamura Nobuaki,Sonokawa Susumu. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

QUARTZ GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130174777A1. Автор: KIMURA Akihiro,Matsumoto Suguru,FUSEGAWA Izumi,Miki Katsuhiko. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-11.

METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20130192518A1. Автор: Fischer Joerg,von Ammon Wilfried,ALTMANNSHOFER Ludwig,Riemann Helge. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-08-01.

Silica glass crucible, method for manufacturing same, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20130340671A1. Автор: Nobuaki Mitamura,Akihiro Kimura,Ryoji Hoshi,Hiroyuki Kamada. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTALS AND PRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20140007807A1. Автор: Kamei Kazuhito,Daikoku Hironori. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

METHODS FOR PRODUCTION OF SINGLE-CRYSTAL GRAPHENES

Номер патента: US20140014030A1. Автор: Yan Zheng,Tour James M.. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2014-01-16.

METHOD FOR PRODUCING CALCITE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140020618A1. Автор: Yanagisawa Kazumichi,Sakaguchi Hide,SAKAGUCHI Arito. Владелец: JAPAN AGENCY FOR MARINE-EARTH SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-01-23.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL WAFER

Номер патента: US20150020728A1. Автор: Sugawara Kosei,Hoshi Ryoji,Kamada Hiroyuki. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150023862A1. Автор: Saito Makoto,KAGAMITANI Yuji,KAYANO Rinzo,CHICHIBU Shigefusa,ISHIGURO Toru,BAO Quanxi,YOKOYAMA Chiaki,TOMIDA Daisuke,UEDA Mutsuo. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160053402A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150075419A1. Автор: Kazuhiko Kusunoki,Kazuhito Kamei,Hironori Daikoku,Motohisa Kado. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL DIAMOND

Номер патента: US20150075420A1. Автор: KATO Hiromitsu,Yamasaki Satoshi,Noguchi Hitoshi,TAKEUCHI Daisuke,OGURA Masahiko,MAKINO Toshiharu,OKUSHI Hideyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

SELF-HEALING METHOD FOR FRACTURED SIC SINGLE CRYSTAL NANOWIRES

Номер патента: US20200080921A1. Автор: GUO Dongming,Zhang Zhenyu,CUI Junfeng,DU Yuefeng. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160090664A1. Автор: Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200087814A1. Автор: Maegawa Koichi,OGAWA Fukuo,NARUSHIMA Yasuhito,KAWAKAMI Yasufumi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140174339A1. Автор: KIMURA Akihiro,Takano Kiyotaka,Tokue Junya. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-26.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180100247A1. Автор: Danno Katsunori. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2018-04-12.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180112328A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180112329A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Danno Katsunori,DOI Masayoshi,SEKI Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160122901A1. Автор: Danno Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL AND AUTOCLAVE FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20140205840A1. Автор: Fukuda Tsuguo,Aoki Kensuke,YOSHIDA Kazuo,Nakamura Katsuhito. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-24.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150136016A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko,Danno Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD FOR PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160153116A1. Автор: SUDO Toshiaki,Sato Tadahiro,KITAHARA Ken,KITAHARA Eriko. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-02.

CONTROL SYSTEM AND CONTROL METHOD FOR DIAMETER OF SINGLE CRYSTAL INGOT

Номер патента: US20180171507A1. Автор: Na Gwang-Ha,KIM Yun-Goo,AN Yun-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING TUBULAR SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20210214855A1. Автор: FUKUI Akeo,HARADA Masatoshi,SAKANO Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-15.

METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180187328A1. Автор: Saito Makoto,KAGAMITANI Yuji,KAYANO Rinzo,CHICHIBU Shigefusa,BAO Quanxi,YOKOYAMA Chiaki,TOMIDA Daisuke,UEDA Mutsuo,Ishiguro Tohru. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Method for producing silicon single crystals

Номер патента: US20180187330A1. Автор: Yasuhiro Saito,Hideki Tanaka,Kazumi Tanabe,Tomokazu Katano,Kaoru KAJIWARA,Takahiro KANEHARA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160208409A1. Автор: ABE Nobuhira. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-21.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160215412A1. Автор: YAMASHIRO Kouji,ABE Nobuhira. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-07-28.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200199776A1. Автор: EGASHIRA Kazuyuki,SAITOU Masao. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-25.

METHOD FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150240380A1. Автор: Hoshi Ryoji,TAKAZAWA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160237589A1. Автор: Nakano Shinji,SOETA Satoshi,Ikeda Kouichi. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD FOR EVALUATING SILICA GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20140326172A1. Автор: SUDO Toshiaki,Sato Tadahiro,KITAHARA Ken,KITAHARA Eriko,Kodama Makiko. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140326174A1. Автор: Mitamura Nobuaki. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Silicon Based Melting Composition and Manufacturing Method for Silicon Carbide Single Crystal Using the Same

Номер патента: US20200224330A1. Автор: Kim Junghwan,Ko Jung Min,Chung Chanyeup,Lee Horim. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20150259829A1. Автор: Seki Akinori. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20190249331A1. Автор: Yasuhito Narushima,Toshimichi Kubota. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

METHOD FOR GROWING ß-Ga2O3 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20140352604A1. Автор: Watanabe Shinya,Koshi Kimiyoshi,Matsubara Haruka. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20160273126A1. Автор: Kamei Kazuhito,Kusunoki Kazuhiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD FOR PRODUCING SIC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150299900A1. Автор: Kusunoki Kazuhiko,Daikoku Hironori,Kado Motohisa,SAKAMOTO Hidemitsu. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-10-22.

CRUCIBLE-SUPPORTING PEDESTAL, QUARTZ CRUCIBLE-SUPPORTING DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200283925A1. Автор: MUNEZANE Kenji. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-10.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180298519A1. Автор: Minowa Takehisa,Shinya Naofumi,HAMAGUCHI Yu,YAMAGATA Norio. Владелец: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.. Дата публикации: 2018-10-18.

METHODS FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING CONTINUOUS CZOCHRALSKI METHOD

Номер патента: US20200332439A1. Автор: Hudson Carissima Marie,Ryu JaeWoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

Method for pulling a single crystal composed of semiconductor material from a melt contained in a crucible

Номер патента: US20190345630A1. Автор: Walter Heuwieser,Thomas Schroeck. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20180355508A1. Автор: KIM Tegi. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-13.

METHOD FOR MAKING MNBI2TE4 SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20200370199A1. Автор: FAN SHOU-SHAN,Li Hao,Wu Yang,ZHANG YUE-GANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

METHODS FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT USING BORIC ACID AS A DOPANT AND INGOT PULLER APPARATUS THAT USE A SOLID-PHASE DOPANT

Номер патента: US20200407869A1. Автор: Zhang Nan,Phillips Richard J.,Haringer Stephan,Luter William L.,Sreedharamurthy Hariprasad,Wu Yu-Chaio. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Apparatus and method for making a single crystal rod

Номер патента: DK1595006T3. Автор: Per Vabengard,Leif Jensen,Jan Eyving Petersen. Владелец: Topsil Semiconductor Materials. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR101679157B1. Автор: 히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2016-11-23.

Method for producing sic single crystal

Номер патента: KR20150063487A. Автор: 히로노리 다이코쿠,히데미츠 사카모토,모토히사 가도,가즈히코 구스노키. Владелец: 도요타 지도샤（주）. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3624827B2. Автор: 浩紀村上,和幸江頭. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2005-03-02.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4150167B2. Автор: 匡人渡邉,実江口,忠神田,俊二倉垣. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-09-17.

Automatic tailing method for CZ-80 single crystal furnace

Номер патента: CN105803520A. Автор: 程志,王会敏,颜超,刘钦,赵贝,何京辉,曹祥瑞,范晓甫,周子江,陈二星. Владелец: Xingtai Jinglong Electronic Material Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-27.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP4179331B2. Автор: 秀光坂元,由紀夫寺島. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Method for pulling up single crystal and jig therefor

Номер патента: JPS61158892A. Автор: Yukio Kaneko,由基夫金子. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1986-07-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JPWO2004018742A1. Автор: 若林　大介,斎藤　正夫,佐藤　智,智佐藤,大介若林,正夫斎藤,古川　純,純古川,北村　浩之介,浩之介北村. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR100665683B1. Автор: 와카바야시다이스케,사이토마사오,사토사토시,후루카와준,기타무라코우노스케. Владелец: 가부시키가이샤 섬코. Дата публикации: 2007-01-09.

Method for pulling up single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPS60155594A. Автор: Takashi Kijima,Katsumi Azuma,Yuzo Kashiyanagi,我妻　勝美,木島　孝,柏柳　雄三. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-08-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR101289400B1. Автор: 케이이치 타카나시. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2013-07-29.

Method for producing compound single crystal and production apparatus for use therein

Номер патента: US7435295B2. Автор: Yasuhito Takahashi,Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Isao Kidoguchi,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-14.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: KR101426319B1. Автор: 베르나르 보몽,에릭 아우졸,장-피에르 파우리에. Владелец: 쌩-고벵 크리스톡스 에 드테끄퇴르. Дата публикации: 2014-08-06.

Method for manufacturing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: CN101160420A. Автор: 杉村涉,小野敏昭,宝来正隆. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-04-09.

Method for evaluating silica glass crucible, method for producing silicon single crystals

Номер патента: CN104145051A. Автор: 须藤俊明,佐藤忠广,北原贤,北原江梨子,小玉真喜子. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Method for producing sic single crystals and production device

Номер патента: KR101579358B1. Автор: 히로노리 다이코쿠,가즈히토 가메이. Владелец: 신닛테츠스미킨 카부시키카이샤. Дата публикации: 2015-12-21.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5790766B2. Автор: 木村　明浩,明浩木村,清隆高野,潤也徳江. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Apparatus and method for manufacturing silicone single crystal ingot

Номер патента: KR102138121B1. Автор: 최석인,이운노. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2020-07-27.

A kind of method for preparing alumina single crystal

Номер патента: CN107829132A. Автор: 赵喆,王操,董行行. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2018-03-23.

Method for growing gan single crystal

Номер патента: JPS58161997A. Автор: Kiyoshi Yoneda,清米田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-09-26.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JPWO2015072136A1. Автор: 一人亀井,一彦楠,楠　一彦,亀井　一人. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: CN104651938A. Автор: 旦野克典,楠一彦,龟井一人. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-05-27.

Method for manufacturing fz single crystal

Номер патента: WO2014020831A1. Автор: 佐藤　賢一,慶一中澤,義博児玉. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2014-02-06.

Quartz glass crucible, method for producing same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2012140816A1. Автор: 木村　明浩,星　亮二,三田村　伸晃,洋之鎌田. Владелец: 信越半導体株式会社. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6699620B2. Автор: 和幸江頭,正夫斉藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-05-27.

Method for producing a single crystal

Номер патента: US20060272570A1. Автор: Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Axial core gradient transport apparatus and method for making large single crystals of silicon carbide

Номер патента: JP5179690B2. Автор: スナイダー，デヴィッド，ダブリュ,エヴァーソン，ウィリアム，ジェイ. Владелец: トゥー‐シックス・インコーポレイテッド. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for pulling a single crystal composed of silicon with a section having a diameter that remains constant

Номер патента: TW201120258A. Автор: Ammon Wilfried Von,Thomas Schroeck,Claus Kropshofer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for producing a single crystal rod

Номер патента: DE2458026C2. Автор: Jean-Pierre Plumetot Par Douvres Besselere,Gerard de Evrecy Loynes. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-10-08.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6409955B2. Автор: 一人亀井,一彦楠,楠　一彦,亀井　一人,寛典大黒,和明関,克典旦野,雅喜土井. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6680108B2. Автор: 康裕齋藤,最勝寺　俊昭,俊昭最勝寺,一美田邉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Method for producing tungstate single crystal

Номер патента: JP4037362B2. Автор: 誠司小林,一富山本. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-23.

Method for producing silicon single crystal having no flaw

Номер патента: US20030041796A1. Автор: Kozo Nakamura,Susumu Maeda,Toshirou Kotooka,Toshiaki Saishoji,Shinji Togawa. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for supporting grown single crystals

Номер патента: JP6407115B2. Автор: ヨセフ・ベルガー,クルト・ニーデラー,ヘルムート・テレルデ,ゲッツ・マイスタエルンスト,フランク・ミュムラー,ジーモン・ツィツェルスベルガー. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2018-10-17.

Method for producing calcite single crystal

Номер патента: JP5966186B2. Автор: 和道柳澤,有人坂口,秀阪口. Владелец: Kochi University NUC. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US8721787B2. Автор: Masaki Morikawa,Yukinaga AZUMA. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6786905B2. Автор: 康人鳴嶋,利通久保田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-18.

Controlling method for growing of single crystal

Номер патента: JPS5899197A. Автор: Kazuo Oda,Hideshi Osawa,Kohei Ito,康平伊藤,和男小田,大沢　秀史. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1983-06-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3901092B2. Автор: 幸司北川,昌弘桜田,友彦太田,亮二星,泉布施川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Method for porducing silicon single crystal

Номер патента: KR19990083018A. Автор: 이이노에이이찌. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-11-25.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor material

Номер патента: FR1433765A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1966-04-01.

Method for growing ktp single crystal by flux method

Номер патента: KR950004344B1. Автор: 김희영,문상진,김형천. Владелец: 채영복. Дата публикации: 1995-04-28.

Method for producing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: CN114929950A. Автор: 鸣嶋康人,伊关崇志. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-08-19.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6881214B2. Автор: 崇浩金原,片野　智一,智一片野. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN109666968B. Автор: 金原崇浩,片野智一. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Method for producing silicon single crystal by continuous charge method

Номер патента: JP3598642B2. Автор: 道明小田,勇原田,直樹永井. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Device and method for producing a single crystal

Номер патента: DE59505372D1. Автор: Peter Vilzmann,Helmut Pinzhoffer. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 1999-04-22.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP7036116B2. Автор: 浩一前川,泰史川上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for producing diamond single crystal substrate

Номер патента: JP4385764B2. Автор: 喜之山本,貴浩今井,貴一目黒. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-12-16.

Method for producing silicon single crystal and silicon wafer

Номер патента: CN110863240A. Автор: 梶原薰,原田和浩. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-06.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20210040642A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for drawing a single crystal of silicon with a section of constant diameter

Номер патента: DE102009056638A1. Автор: Thomas SCHRÖCK,Wilfried Von Dr. Ammon,Claus Kropshofer. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: US8557042B2. Автор: Jean-Pierre Faurie,Bernard Beaumont,Eric Aujol. Владелец: Saint Gobain Cristaux and Detecteurs SAS. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for growing silicon single crystal, and silicon wafer

Номер патента: US20060225639A1. Автор: Toshiaki Ono,Wataru Sugimura,Masataka Hourai. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5161492B2. Автор: 康人鳴嶋,利通久保田,福生小川,真一川添. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Apparatus and method for growing silicon single crystal ingot

Номер патента: WO2021141176A1. Автор: 김도연,구자석,안윤하,왕학의. Владелец: 에스케이실트론 주식회사. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: US20100162944A1. Автор: Masaki Morikawa,Yukinaga AZUMA. Владелец: Japan Super Quartz Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for producing silicon single crystal and method for producing silicon wafer

Номер патента: EP1897976A2. Автор: Shuichi Inami,Kuniharu Inoue,Manabu Moroishi,Tsuguya Fukagawa,Nobuhiro Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-03-12.

Quartz glass crucible, method for manufacturing the same and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP2022180695A. Автор: Hideki Fujiwara,Hiroshi Kishi,秀樹藤原,江梨子北原,弘史岸,真美大原,Eriko Kitahara,mami Ohara. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2022-12-07.

Method for growing sic single crystal

Номер патента: KR102035786B1. Автор: 김장열,서한석,은태희,여임규. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2019-10-23.

METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE60041429D1. Автор: Eiichi Iino,Tomohiko Ohta,I Fusegawa,Kirio Itoi,T Ishizuka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2014167844A1. Автор: 秀光坂元,楠　一彦,亀井　一人,寛典大黒,幹尚加渡. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for producing GaAs single crystal

Номер патента: JPH0630339B2. Автор: 義弘国分,潤一西澤. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-20.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: CN108291328B. Автор: 金大基. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Method for Producing BaLiF3 Single Crystal

Номер патента: US20080213163A1. Автор: Naoto Mochizuki,Teruhiko Nawata,Tsuguo Fukuda,Hiroki Sato,Toshiro Mabuchi. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Glowing equipment and methods for lithium tantalate single crystal by crucible structure

Номер патента: KR101842487B1. Автор: 츠구오 후쿠다. Владелец: 주식회사 퓨엠. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for producing spinel single crystal fiber

Номер патента: JP2642906B2. Автор: 省二川上,英世田端,豊章山田,俊作榊原. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1997-08-20.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6287870B2. Автор: 信平阿部,浩嗣山城. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-07.

Method for heat treating single crystal

Номер патента: US20070277726A1. Автор: Yasushi Kurata,Naoaki Shimura,Tatsuya Usui,Kazuhisa Kurashige. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for producing nitride single crystal and autoclave for use in the method

Номер патента: CA2839868A1. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US6506251B1. Автор: Koji Kitagawa,Susumu Sonokawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-14.

Method for producing a single crystal

Номер патента: EP2142686B1. Автор: Leif Jensen,Jan Eyving Petersen,Anne Nielsen,Per Vaabengaard,Theis Leth Larsen. Владелец: Topsil GlobalWafers AS. Дата публикации: 2018-12-12.

Method for manufacturing a single crystal semiconductor layer over a substrate

Номер патента: JP5254195B2. Автор: ルーベン・リーテン. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-08-07.

Preparation method for relaxor ferroelectric single crystal raw material

Номер патента: CN104480530A. Автор: 王富贵,李振荣,车俊,徐卓. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2015-04-01.

Method for manufacturing silicon single crystals

Номер патента: TW201534775A. Автор: Takashi Yokoyama,Kazumi Tanabe,Tegi Kim. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-09-16.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP1275755A1. Автор: Ryoji Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. HOSHI,Izumi Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. FUSEGAWA,Tomohiko Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. OHTA,Shigemaru Shin-Etsu Handotai Co. Ltd. MAEDA. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-15.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: TWI722480B. Автор: 末若良太,濱田建. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2021-03-21.

Method for producing a single crystal of AlN.

Номер патента: EP1612300B1. Автор: Koji Sumitomo Electric Industries Ltd. Uematsu,Seiji Sumitomo Electric Industries Ltd. Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: TW526299B. Автор: Koji Kitagawa,Toru Ishizuka,Susumu Sonokawa,Takahiro Yanagimachi. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2003-04-01.

METHOD FOR PRODUCING THIN SINGLE CRYSTAL LAYERS

Номер патента: DE2628366A1. Автор: Toshinori Takagi. Владелец: Futaba Corp. Дата публикации: 1977-01-13.

Silicon wafer and method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2001073169A1. Автор: Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi,Tomohiko Ohta,Shigemaru Maeda. Владелец: Shin-Etsu Handotai Co.,Ltd.. Дата публикации: 2001-10-04.

METHOD FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL OF A SEMICONDUCTOR CONNECTION.

Номер патента: DE3584746D1. Автор: Mikio C O Itami Works Morioka,Atsushi C O Itami Work Shimizu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-09.

Method for growing silicon single crystal and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: CN101198727A. Автор: 中村刚,小暮康弘,稻见修一,高濑伸光,滨田建. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-06-11.

Method for pulling silicon single crystal

Номер патента: JPH10167892A. Автор: Shigeki Nakamura,茂樹中村,Yoshinobu Hiraishi,吉信平石,Teruhiko Uchiyama,輝彦内山. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 1998-06-23.

Method for producing silicon single crystal and method for producing silicon wafer

Номер патента: EP1897976B1. Автор: Shuichi Inami,Kuniharu Inoue,Manabu Moroishi,Tsuguya Fukagawa,Nobuhiro Kusaba. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-04-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6459944B2. Автор: 和幸江頭,正夫斉藤. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-01-30.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: NL8003163A. Автор: . Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1980-12-02.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR101083855B1. Автор: 히데미쯔 사까모또. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: TW202014565A. Автор: 末若良太,濱田建. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS59227797A. Автор: Koji Tada,Riyuusuke Nakai,龍資中井,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1984-12-21.

Method for controlling convection pattern of silicon melt, and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: KR102409211B1. Автор: 와타루 스기무라,류스케 요코야마. Владелец: 가부시키가이샤 사무코. Дата публикации: 2022-06-14.

METHOD FOR GENERATING FERRITE SINGLE CRYSTALS

Номер патента: DE3012180A1. Автор: Isamu Sasaki,Michihiro Torii,Hirohito Goto,Utsuo Kihara. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 1980-10-09.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JP4755740B2. Автор: 建濱田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: EP2725123A4. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-07-30.

PLANT AND METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: DE69827292D1. Автор: Kouji Kitagawa,Kouji Mizuishi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for manufacturing a single crystal of nitride by epitaxial growth on a substrate preventing growth on the edges of the substrate

Номер патента: CN101600819B. Автор: B·博蒙,J-P·福里,E·奥若尔. Владелец: Lumilog SA. Дата публикации: 2012-08-15.

Methods for producing a single crystal silicon ingot using boric acid as a dopant and ingot puller apparatus that use a solid-phase dopant

Номер патента: US11585010B2. Автор: Nan Zhang,William L. Luter,Stephan Haringer,Hariprasad Sreedharamurthy,Richard J. Phillips,Yu-Chaio Wu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-21.

Apparatus and method for manufacturing semiconductor single crystal

Номер патента: US20080115720A1. Автор: Koichi Shimomura,Toshiaki Saishoji,Daisuke Ebi,Ryouta Suewaka. Владелец: Sumco Techxiv Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Manufacturing method for sic-volume single crystal and growth assembly for same

Номер патента: EP3699328A1. Автор: Ralf Dr. Müller,Bernhard DR. ECKER,Matthias DR. STOCKMEIER,Michael DR. VOGEL,Arnd-Dietrich DR. WEBER. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2020-08-26.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: TW201917237A. Автор: 金原崇浩,片野智一. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2019-05-01.

Method for growing multiple single crystals and device for using same

Номер патента: DE59309810D1. Автор: John D Holder. Владелец: SunEdison Inc. Дата публикации: 1999-11-11.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS6077197A. Автор: Shintaro Miyazawa,Koji Tada,Keigo Hoshikawa,Riyuusuke Nakai,龍資中井,圭吾干川,宮澤　信太郎,多田　紘二. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1985-05-01.

Thermal field device and method for high-quality single crystal growth by PVT (physical vapor transport) method

Номер патента: CN113337886A. Автор: 不公告发明人. Владелец: Harbin Keyou Semiconductor Industry Equipment and Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-03.

Method for producing a single crystal of titanium monoxide

Номер патента: RU2758402C1. Автор: Андрей Андреевич Ремпель,Альбина Ахметовна Валеева,Сергей Владимирович Наумов,Никита Сергеевич Ермолов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии твердого тела Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2013095611A. Автор: Koji Matsumoto,Toshiyuki Fujiwara,光二松本,俊幸藤原,Akihiko Endo,昭彦遠藤,Wataru Sugimura,渉杉村. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-05-20.

Production method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: WO2003068696A1. Автор: Kenji Sato,Toshiaki Asahi,Atsutoshi Arakawa. Владелец: Nikko Materials Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-08-21.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JPWO2011007458A1. Автор: 洋一郎河合,章憲関,広明斎藤,関　章憲,克典旦野. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: EP3956499A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

METHOD FOR PRODUCING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: WO2017043215A1. Автор: 藤本　辰雄,楠　一彦,和明関,小桃谷. Владелец: 新日鐵住金株式会社. Дата публикации: 2017-03-16.

Methods for forming a single crystal silicon ingot with reduced crucible erosion

Номер патента: TW202219331A. Автор: 薩凡朵佐佩達,理查喬瑟夫菲力浦. Владелец: 環球晶圓股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-16.

METHOD FOR PREPARING SiC SINGLE CRYSTAL

Номер патента: KR102302938B1. Автор: 다께히사 미노와,나오후미 신야,유 하마구찌,노리오 야마가따. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2021-09-17.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: WO2017082112A1. Автор: 良太末若,崇浩金原,梶原　薫,田中　英樹. Владелец: 株式会社Sumco. Дата публикации: 2017-05-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US20240026564A1. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for growing a single crystal silicon ingot using continuous czochralski method

Номер патента: EP3956499B1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: US11814745B2. Автор: Koichi MAEGAWA,Yasufumi KAWAKAMI. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Silicon based melting composition and manufacturing method for silicon carbide single crystal using the same

Номер патента: EP3636806B1. Автор: Chanyeup CHUNG,Junghwan Kim,Horim Lee,Jung Min Ko. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Additive feed systems, ingot puller apparatus and methods for forming a single crystal silicon ingot with use of such additive feed systems

Номер патента: EP4271863A1. Автор: Giorgio Agostini,Stephan Haringer,Marco Zardoni,Giancarlo ZAGO,James Eoff. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: EP1780314B1. Автор: Jun Furukawa. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them

Номер патента: US09918941B2. Автор: Mario Atilio Los. Владелец: LABORATORIOS BAGO SA. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for generating monochrome permutation structured-light pattern and structured-light system using the method thereof

Номер патента: US20190017814A1. Автор: Hyung-Min Park,Changsoo Je. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for managing traffic encryption key in wireless portable internet system and protocol configuration method thereof, and operation method of traffic encryption key state machine in subscriber station

Номер патента: EP1721409A4. Автор: Chul-Sik Yoon,Sung-Cheol Chang,Seokheon Cho. Владелец: Hanaro Telecom Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

Improved method for epoxidation of fatty acids, esters thereof and mixtures thereof

Номер патента: RU2605094C2. Автор: Сринивас ДАРБХА,Джитендра Кумар САТЯРТХИ. Владелец: Каунсил Оф Сайентифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2016-12-20.

Bulk acoustic wave resonator and manufacturing method, bulk acoustic wave resonator unit, filter and electronic device

Номер патента: EP4089918A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-16.

Method for generating biocompatible three-dimensional objects or surfaces by laser irradiation, such objects, the use thereof and starting materials for the method

Номер патента: US09539763B2. Автор: Ruth Houbertz-Krauss,Matthias Beyer,Joern Probst,Thomas Stichel. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing food indicator

Номер патента: US12067903B2. Автор: Kyoung Sik CHO,Grace Kim,Do Wan Kim,Seok Jun Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for the capture or removal of amyloidogenic proteins

Номер патента: WO2013189991A1. Автор: Alexander Hagen,Reto RUINATSCHA. Владелец: Prionatis Ag. Дата публикации: 2013-12-27.

Array substrate, manufacturing and control method thereof and display device

Номер патента: CN112997316A. Автор: 张超群,杨玉清,李锡平,官家建. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-18.

Method for implementing management software, hardware with pre-configured software and implementing method thereof

Номер патента: EP1978672A1. Автор: Alan S Yeung,Deming Cha,Nicholas Y. Pang. Владелец: Inventec Corp. Дата публикации: 2008-10-08.

Method for manufacturing plastics substrate by plasma process and plastics substrate manufactured using the same

Номер патента: KR100729953B1. Автор: 강진석,권지현,김인수,김희주,이영미,정기훈,서영수. Владелец: 주식회사 엘지생명과학. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for connecting base station and repeater for spatial division multiple access and repeating method thereof

Номер патента: US20100208776A1. Автор: Young Seog SONG,Dong Seung Kwong. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-08-19.

METHOD FOR CREATING OR VERIFYING INPUT VALUE BY USING ASYMMETRIC ENCRYPTION ALGORITHM AND APPLICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200374117A1. Автор: WEI WENKO. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Cast bainite steel for semi-autogenous mill, preparation method thereof and cast bainite steel lining plate for semi-autogenous mill

Номер патента: CN113235005B. Автор: 刘志杰,郑昊,边泊乾,潘庆,卢现稳. Владелец: Jiangxi Naipu Mining Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

Method for collision avoidance and reducing power consumption based on bluetooth low energy, and method thereof

Номер патента: KR101942185B1. Автор: 백지현. Владелец: (주)비콘테크놀로지. Дата публикации: 2019-04-12.

Method for the intelligent receiving and transmitting in the 2.3 GHz Wibro and method thereof

Номер патента: KR100710891B1. Автор: 송형규. Владелец: 송형규. Дата публикации: 2007-04-27.

Method for attaching oligonucleotide to solid support and the oligonucleotide array prepared by the method thereof

Номер патента: US20040033503A1. Автор: Jae-Jong Kim,Sun-Ho Cha. Владелец: Genotech Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Apparatus and method for adaptive motion compensated de-interlacing video data using adaptive compensated olation and method thereof

Номер патента: KR20020094369A. Автор: 이성희,양승준. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-18.

Method For Image Processing ,Image Processor, Image Processing System With The Same And Control Method Thereof

Номер патента: KR100700982B1. Автор: 한제희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-29.

PVC-gel method for manufacturing thin film and PVC-gel film flapping flights mechanism and preparation method thereof

Номер патента: CN108622408A. Автор: 朱子才,徐雪杰,罗斌,陈花玲. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2018-10-09.

Bolometer and method for manufacturing same

Номер патента: US20220364933A1. Автор: Mayumi Kosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Bolometer and method for manufacturing same

Номер патента: US11719581B2. Автор: Mayumi Kosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for television remote keypress response based on android operating system and television thereof

Номер патента: US11006166B2. Автор: Hong Yu,Xin Li,Jingjian Wang,Hanyong Wu. Владелец: Hisense Visual Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Method for manufacturing food indicator

Номер патента: US20230043581A1. Автор: Kyoung Sik CHO,Grace Kim,Do Wan Kim,Seok Jun Hong. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2023-02-09.

Structure, structure manufacturing method, and precursor composition

Номер патента: EP4434933A1. Автор: Shigeru Sakamoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Structural body, structural body manufacturing method, and precursor composition

Номер патента: US20240336517A1. Автор: Shigeru Sakamoto. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

METHOD FOR PERFORMING DATA PROCESSING FOR ERROR HANDLING IN MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF, AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190065305A1. Автор: Hsieh Hung-En,Wu Che-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Method for energy saving modeling using the energy amount of appliances, system and service managing terminal thereof and information providing terminal thereof

Номер патента: KR20120130437A. Автор: 이경은. Владелец: 에스케이텔레콤 주식회사. Дата публикации: 2012-12-03.

Method for generating biocompatible three-dimensional objects or surfaces by laser irradiation, such objects, the use thereof and starting materials for the method

Номер патента: EP2534162A1. Автор: Ruth Houbertz-Krauss,Matthias Beyer,Joern Probst,Thomas Stichel. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2012-12-19.

Method for improving surface integrity of an additive manufactured mesoscopic gear, product thereof and device carrying out the method

Номер патента: LU502626B1. Автор: Jan Brajer,Jan Kaufman,Marek Böhm,Sunil Pathak,Danijela Rostohar,Jagdheesh Radhakrishnan,Ondřej Stránský,Sanin ZULIĆ. Владелец: Fyzikalni Ustav Av Cr V V I. Дата публикации: 2024-02-07.

NANOBUBBLE MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM THEREOF, AND A FERTILIZER MANUFACTURING METHOD AND SYSTEM THEREOF

Номер патента: US20210016234A1. Автор: LIN Bo-Han. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Epoxy resin-based gelcoat for surface treatment of components made of fiber reinforced plastics

Номер патента: CA2867755C. Автор: Jochen Wehner,Jens Buning. Владелец: Mankiewicz Gebr and Co GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-11.

Manufacturing method for phosphate-calcium catalyst composition for manufacturing phosphate-calcium catalyst and manufacturing method for acrylic acid

Номер патента: KR20220076217A. Автор: 최재순,김재영,방정업. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2022-06-08.

Concrete manufacturing method using nitrogen dissolved water and method for manufacturing reinforced concrete structure

Номер патента: US20200055786A1. Автор: Toshitsugi Wakayama,Seiko Wakayama. Владелец: SHOWA FREEZING PLANT CO Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Foaming promotion liquid, manufacturing method for manufacturing recorded product having three-dimensional image, and manufacturing apparatus for manufacturing recorded product having three-dimensional image

Номер патента: EP4279283A1. Автор: Yoshiyuki Nagase,Tetsuro Noguchi,Olivia Herlambang,Takatoshi Tanaka,Toshihiro Omagari. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Foaming promotion liquid, manufacturing method for manufacturing recorded product having three-dimensional image, and manufacturing apparatus for manufacturing recorded product having three-dimensional image

Номер патента: US20240002622A1. Автор: Yoshiyuki Nagase,Tetsuro Noguchi,Olivia Herlambang,Takatoshi Tanaka,Toshihiro Omagari. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

A method for the realization of logos, writings and areas on glass by means of serigraphic application

Номер патента: EP2525983A1. Автор: Giuseppe Zago,Bernhard Josef Gross,Nicola Avi. Владелец: SCHOTT ITALVETRO SpA. Дата публикации: 2012-11-28.

A method for the realization of logos, writings and areas on glass by means of serigraphic application

Номер патента: WO2011089573A1. Автор: Giuseppe Zago,Bernhard Josef Gross,Nicola Avi. Владелец: Schott Italvetro S.P.A.. Дата публикации: 2011-07-28.

Method for driving el display device and el display device and its manufacturing method and information display device

Номер патента: JP2003150082A. Автор: Hiroshi Takahara,博司高原. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

HYDROCARBON STEAMCRACKING CATALYST FOR OLEFINE MANUFACTURE, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF, AND OLEFINE MANUFACTURING METHOD USING THE CATALYST

Номер патента: DE60209245D1. Автор: Won-Ho Lee,Jun-Han Kang,Sang-Mun Jeong,Sang-Ku Park,Jong-Hyun Chae. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2006-04-20.

Flexible circuit board, manufacturing method and device thereof and computer equipment

Номер патента: CN113316309A. Автор: 谢安,杨亮,曹光,曹春燕,周健强,孙东亚,李月婵,卢向军. Владелец: Xiamen Hongxin Electronic Technology Group Co ltd. Дата публикации: 2021-08-27.

Self-sufficient and manufacturing methods for the festival Using the fabric of the fabric Finders and Manufacturing Method for Festivals

Номер патента: KR101949037B1. Автор: 김재봉. Владелец: 김재봉. Дата публикации: 2019-02-15.

Method for improving surface integrity of an additive manufactured mesoscopic gear, and product thereof

Номер патента: EP4316693A1. Автор: Jan Brajer,Jan Kaufman,Marek Böhm,Sunil Pathak,Danijela Rostohar,Jagdheesh Radhakrishnan,Ondřej Stránský,Sanin ZULIĆ,Juraj Sladek. Владелец: Fyzikalni Ustav AV CR VVI. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for improving surface integrity of an additive manufactured mesoscopic gear and product thereof

Номер патента: WO2024027863A1. Автор: Jan Brajer,Jan Kaufman,Marek Böhm,Sunil Pathak,Danijela Rostohar,Jagdheesh Radhakrishnan,Ondřej Stránský,Sanin ZULIĆ,Juraj Sladek. Владелец: Fyzikální ústav AV CR, v.v.i.. Дата публикации: 2024-02-08.

Method For Improving Surface Integrity Of An Additive Manufactured Mesoscopic Gear

Номер патента: US20240042551A1. Автор: Jan Brajer,Jan Kaufman,Marek Böhm,Sunil Pathak,Danijela Rostohar,Jagdheesh Radhakrishnan,Ondřej Stránský,Sanin ZULIĆ,Juraj Sladek. Владелец: Fyzikalni Ustav AV CR VVI. Дата публикации: 2024-02-08.

Bolometer and method for manufacturing same

Номер патента: US12013288B2. Автор: Mayumi Kosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for producing monocrystalline ethanol solvate of acetate cortizone

Номер патента: RU2637504C1. Автор: Александр Владимирович Князев,Николай Викторович Сомов,Анастасия Сергеевна Шипилова,Екатерина Вадимовна Гусарова,Светлана Сергеевна Князева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2017-12-05.

Method for patterning film layer, wire grid polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190204489A1. Автор: Hua Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for rubber reinforced with carbon nanotubes

Номер патента: US09708461B2. Автор: Donald J Burlett. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for non-circular grinding of cam of assembled camshaft in combustion engine of lorry, involves displacing workpiece and grinding roller relative to each other such that grinding path at surface of roller follows non-circular helix

Номер патента: DE102012015752A1. Автор: Alois Schmid,Robert Ablinger. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for induced differentiation of extended pluripotent stem cell into cardiomyocyte and use thereof

Номер патента: US20240228968A9. Автор: Li Li,Donghui Zhang,Lin Cai,Zhongjun WAN,Ruxiang Wang. Владелец: Hubei University. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for induced differentiation of extended pluripotent stem cell into cardiomyocyte and use thereof

Номер патента: US20240132848A1. Автор: Li Li,Donghui Zhang,Lin Cai,Zhongjun WAN,Ruxiang Wang. Владелец: Hubei University. Дата публикации: 2024-04-25.

Single-crystal-phase mullite brick for cement kiln and preparation method thereof

Номер патента: CN112028643B. Автор: 周伟,马飞,康剑,马淑龙,张积礼,倪高金,王治峰,孙艳粉,丛江波,孔祥魁. Владелец: Beijing Jinyu Tongda Refractory Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

HEAT TREATED NICKEL BASE SUPER ALLOY PRODUCT, METHOD FOR PRODUCING A SINGLE CRYSTAL NICKEL BASE SUPER ALLOY PRODUCT AND INTERMEDIATE SINGLE CRYSTAL PRODUCT

Номер патента: DE2949158A1. Автор: David Noel Duhl,Walter E Olson. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1980-06-26.

Surface-machining installation and method for its operation

Номер патента: DE4412417A1. Автор: Andreas Reinmann,Peter Wiedmer. Владелец: Insys Industriesysteme AG. Дата публикации: 1994-10-20.

Method for obtaining bio-sourced susbtituted alkyl(meth)acrylamide

Номер патента: US20240262786A1. Автор: Cédrick FAVERO,Johann KIEFFER. Владелец: SPCM SA. Дата публикации: 2024-08-08.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4169965A4. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for polishing a single crystal or gadolinium gallium garnet

Номер патента: US4226623A. Автор: Isamu Koshiyama,Yoshisuke Naitou. Владелец: Fujimi Kenmazai Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1980-10-07.

The method for cutting SiC single crystal simultaneously using diamond wire and diamond mortar

Номер патента: CN105818284B. Автор: 徐现刚,胡小波,陈秀芳,谢雪健. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2018-11-30.

Method for deforming metal single crystals

Номер патента: US3413204A. Автор: Rexer Ernst,Schlaubitz Karl,Zedler Erich,Muller Dieter. Владелец: Akademie der Wissenschaften der DDR. Дата публикации: 1968-11-26.

Method for processing cylinderical single crystal silicon ingot block into square columnar block and complex processing device for chamfering used therein

Номер патента: KR101486113B1. Автор: 유타카 요시다,가즈오 고바야시,사토루 이데,히로츠구 사이토우. Владелец: 가부시키가이샤 오카모도 코사쿠 기카이 세이사쿠쇼. Дата публикации: 2015-01-23.

Quartz glass crucible, method for producing the same, and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5488519B2. Автор: 明浩木村,亮二星. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Method for preparing easily-stripped carbon film on SiC substrate

Номер патента: CN110699661A. Автор: 李忠辉,周平,吴云,李赟,王翼,赵志飞. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2020-01-17.

METHOD FOR TUMOR-TARGETING TREATMENT AND DIAGNOSIS, CONJUGATES USED FOR THE SAME, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190192701A1. Автор: KANG Joo Hyun,Lee Tae Sup,Choi Ik Joon. Владелец: Korea Institute of Radiological & Medical Sciences. Дата публикации: 2019-06-27.

Metal thin film precursor composition, method for forming thin film by using same, and semiconductor substrate manufactured therefrom

Номер патента: WO2022186644A1. Автор: 정재선,연창봉,남지현. Владелец: 솔브레인 주식회사. Дата публикации: 2022-09-09.

METHOD FOR PRODUCING MYELOID-DERIVED SUPPRESSOR CELLS, MYELOID-DERIVED SUPPRESSOR CELLS PRODUCED THEREBY, AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20200316117A1. Автор: KIM Hong Min,Shin Sung Jae,Kim Woo Sik,Kwon Kee Woong,Yoon Joo Heon,Koh Won Jung. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Method for preparing dimethyl-1,5-naphthalene dicarboxylate

Номер патента: RU2270830C2. Автор: Джон А. МЭКЕК,Брюс И. РОЗЕН,Юрген К. ХОЛЗХАУЭР,Джон С. БРЭМЛЕТ,Лоуренс Д. ЛИЛЛВИТЦ,Дэвид Дж. ШНАЙДЕР,Лоуренс Л. ЛЭНГ,Эдвард Е. ПАШКЕ,Джон М. ВЕЙС,Енамандра ВИСВАНАТХ,Стефанос Л. САКЕЛЛАРИДЕС. Владелец: Бп Корпорейшн Норт Америка Инк.. Дата публикации: 2006-02-27.

Device and method for assisting operation of heat-treating furnace, and heat-treating facility and operation method thereof

Номер патента: WO2019180961A1. Автор: 山本　順一. Владелец: ＰｒｉｍｅｔａｌｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓＪａｐａｎ株式会社. Дата публикации: 2019-09-26.

Bonding repair method for carbon fiber reinforced carbon-based composite material, used bonding agent and preparation method thereof

Номер патента: CN113881354B. Автор: 罗浩,罗瑞盈. Владелец: Hubei Ruiyu Kongtian High Tech Co ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Polyamide resin, positive-working photosensitive resin composition, and method for producing pattern-formed resin film, semiconductor device, display element and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1609133A. Автор: 番场敏夫,平野孝. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Method for reducing metal oxide formation on a continuous metal sheet in the hot dip coating thereof and the furnace used therein

Номер патента: CA1128379A. Автор: Chad F. Gottschlich,Eugene A. Cook. Владелец: Selas Corp of America. Дата публикации: 1982-07-27.

Nucleic acid, kit, and method for breeding short-tailed sheep through homology-directed repair (hdr)-mediated gene editing, and use thereof

Номер патента: AU2021273641B2. Автор: Bing Han,Mingjun Liu,Wenrong Li,Xuemei Zhang,Chenxi LIU,Zhonghui LI,Jinrui LIU,Yila MA,Sangang HE,Xinrong PENG. Владелец: Institute Of Biotechnology Xinjiang Academy Of Animal Science China Australia Sheep Research Centre. Дата публикации: 2024-01-18.

Nucleic acid, kit, and method for breeding short-tailed sheep through homology-directed repair (hdr)-mediated gene editing, and use thereof

Номер патента: AU2021273641A1. Автор: Bing Han,Mingjun Liu,Wenrong Li,Xuemei Zhang,Chenxi LIU,Zhonghui LI,Jinrui LIU,Yila MA,Sangang HE,Xinrong PENG. Владелец: Institute Of Biotechnology Xinjiang Academy Of Animal Science China Australia Sheep Research Centre. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for site-specific conjugation of nucleic acid to crispr family protein, and conjugate thereof and use thereof

Номер патента: US20240174996A1. Автор: Tao Liu,Xinyu LING,Xiaoqin Gao. Владелец: Beijing Huida Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for producing chrysanthemum plant having petals containing modified anthocyanin

Номер патента: US8871998B2. Автор: Yoshikazu Tanaka,Sanae Sato,Naonobu Noda,Ryutaro Aida,Akemi Ohmiya. Владелец: Suntory Holdings Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Novel methods for synthesizing polyvinyl amine (pva) type flocculating and coagulating agents, novel agents thus obtained, uses thereof and improved paper types thus obtained

Номер патента: WO2000058378A1. Автор: Rene Hund,Christian Jehn-Rendu. Владелец: Snf S.A.. Дата публикации: 2000-10-05.

Method for obtaining random terpolymers derived from itaconic acid and aconitic acid, and/or the isomers thereof, and/or sodium alkenyl sulphonates, and use of the resulting product

Номер патента: EP3124510A4. Автор: Luis Silvestre Zamudio Rivera,José Manuel Martínez Magadán,Mirna Pons Jiménez,Alejandro RAMÍREZ ESTRADA,Raúl HERNÁNDEZ ALTAMIRA. Владелец: INSTITUTO MEXICANO DEL PETROLEO. Дата публикации: 2017-02-22.

Screening method for telomerase reverse transcriptase (tert) phosphorylation inhibitors

Номер патента: US20230124973A1. Автор: Kenkichi Masutomi,Mami YASUKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-20.

METHOD FOR PRODUCING HUMANINSULIN OR THREONIN B30 ESTERS FROM HUMANINSULIN, OR A SALT OR METAL COMPLEX THEREOF, AND THESE ESTERS.

Номер патента: CH661746A5. Автор: Jan Markussen. Владелец: Novo Industri As. Дата публикации: 1987-08-14.

Composition for forminginsulating film and method for forming insulation film using that, oriented ecectrical steel sheet and manufacturing method for oriented ecectrical steel sheet

Номер патента: KR101904308B1. Автор: 권민석,고현석,채수용. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2018-10-04.

MANUFACTURING METHOD FOR MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURED BY SAID MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170301368A1. Автор: SHIMATSU Takehito,KIKUCHI Hiroto. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Evaluation method for thermal expansion properties of titania-containing silica glass body, and manufacturing method for titania-containing silica glass body

Номер патента: US20200319124A1. Автор: Kazuya Sasaki,Masaaki Takata. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Myrrha solution and myrrha aqueous solution and method for manufacturing the same and myrrha aqueous solution comprising product of manufacturing method therof

Номер патента: KR101454161B1. Автор: 이애순. Владелец: 주식회사 해피콜. Дата публикации: 2014-10-29.

A method for centering a spectacle lens and mounting it to a holder, manufacturing method and apparatus

Номер патента: DE60129521D1. Автор: Hisanori Akiyama,Toshiro Yoda,Masahiko Samukawa,Masahiro Jinbo. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2007-09-06.

Method for producing cellulose nanofibers

Номер патента: CA3094051A1. Автор: Junya Okawa. Владелец: Daio Paper Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Material structure and method for deep silicon carbide etching

Номер патента: WO2018049081A1. Автор: Rachael L. Myers-Ward,Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Eugene A. Imhoff. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2018-03-15.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: WO2012050307A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

Apparatus and method for sawing single crystal ingot

Номер патента: EP2627488A2. Автор: Ki-Soo Kwon,Heui-Don Cho,Dong-Ouk Ji. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Inner end spherical surface machining tool and method for integral differential case

Номер патента: CN113048214B. Автор: 李松,耿春梅,田景华,尹贻亮. Владелец: Shandong Yunyu Machinery Group Co ltd. Дата публикации: 2022-06-24.

Diffusion bond mixture for healing single crystal alloys

Номер патента: WO2004004953A3. Автор: Federico Renteria,William Hahmann. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Method for machining of single-crystal material part e.g. sector of distributor of high pressure turbine of turbojet engine of aircraft, involves carrying out milling single-crystal material part in high speed machining

Номер патента: FR2956598A1. Автор: Damien Hebuterne,Christian Defrocourt,Olivier Dupouy,Thierry Baillot. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2011-08-26.

METHOD FOR CUTTING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20150165647A1. Автор: Bickermann Matthias,Filip Octavian,Epelbaum Boris,Winnacker Albrecht,Heimann Paul,Seitz Ulrich. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD FOR CASTING OF SINGLE-CRYSTAL METAL PARTS

Номер патента: RU2014108855A. Автор: Давид ЛОКАТЕЛЛИ,Бенуа Жорж Жослен МАРИ,Селин Яньси ЧАН. Владелец: Снекма. Дата публикации: 2015-09-20.

Method for repair of single crystal turbine blades, particularly high-pressure turbine stage, involves removing damaged blade part of turbine blades at parting plane on remaining blade

Номер патента: DE102008058140A1. Автор: Karl-Hermann Dr. Richter. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2010-05-27.

High-precision drilling machining method and technology for single-tube hole expanding of inner hole of crawler plate

Номер патента: CN104384549A. Автор: 王凯,魏巍,李珊,聂凤明,郭波,刘志波,吴焕,康战,吴庆堂,修冬,段学俊,陈洪海,卢政宇,胡宝共,王大森. Владелец: Changchun Inst Of Apparatus & Technique. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for producing a single-crystal metal turbine blade

Номер патента: WO2020240108A1. Автор: Julio-Alejandro AGUILAR ORTIZ. Владелец: SAFRAN. Дата публикации: 2020-12-03.

Flexible plate for endless tracks used on large machines and method for manufacturing the flexible plate

Номер патента: AU2019320843B2. Автор: Cintia Nunes Braga Regattieri,Carlos Adriano De Lima,Bruno Sena E SILVA. Владелец: Vale SA. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for making harmful waste harmless and treating agent for making harmless used for method thereof

Номер патента: JPH1024276A. Автор: Toyohisa Eto,Masao Sugihara,豊久衞藤,雅夫杉原. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-01-27.

Method for determining drunk driving, drunk driving prevention apparatus using the same and control method thereof

Номер патента: KR20150086911A. Автор: 김은정,오영달,박선홍. Владелец: 자동차부품연구원. Дата публикации: 2015-07-29.

Manufacturing method for portable data carriers

Номер патента: US12020096B2. Автор: Peter Kaufmann,Thomas Tarantino,Lucas Perlitz,Stefan Bannert,Robert Griesmeier,Tatjana Mosthof,Cordula Regensburger. Владелец: Giesecke and Devrient ePayments GmbH. Дата публикации: 2024-06-25.

MACHINING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING PLANETARY CARRIER, AND PLANETARY CARRIER

Номер патента: US20200189014A1. Автор: KIGUCHI Hirofumi,HARIMOTO Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD FOR COATING A CORE OF AN ARBITRARY SHAPE BY THERMOFORMING, AUTOMATIC MACHINE FOR THE IMPLEMENTATION THEREOF AND FINISHED PRODUCT OBTAINED BY SUCH A METHOD

Номер патента: US20130078410A1. Автор: Vergne Pascal,Cazadieu Pierre. Владелец: NEWTIS. Дата публикации: 2013-03-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A COMPOSITE THERMOPLASTIC PART BY VACUUM INJECTION-COMPRESSION-MOLDING, DEVICE FOR THE IMPLEMENTATION THEREOF AND RESULTING PART

Номер патента: US20150273772A1. Автор: HOCHSTETTER Gilles,Cauchois Jean-Pierre,GLOTIN Michel. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing a composite thermoplastic part by vacuum injection-compression-molding, device for the implementation thereof and resulting part

Номер патента: US20190291363A1. Автор: Gilles Hochstetter,Jean-Pierre Cauchois,Michel Glotin. Владелец: Institut De Soudure. Дата публикации: 2019-09-26.

By the method for inserting composite laminated structure that pin strengthens and manufacturing method and apparatus thereof and making this device

Номер патента: CN101668633A. Автор: 李大成,金永泰,崔益炫,黄仁姬,安石民,伊灿洪. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2010-03-10.

Method for coating a core of an arbitrary shape by thermoforming, automatic machine for the implementation thereof and finished product obtained by such a method

Номер патента: AU2011231491B2. Автор: Pascal Vergne,Pierre Cazadieu. Владелец: NEWTIS. Дата публикации: 2015-08-20.

Control method for continuous casting machine, control device for continuous casting machine, and manufacturing method for casting

Номер патента: EP3928890B1. Автор: Shugo Morita,Ryo Morishita,Ryosuke Masuda,Akitoshi Matsui,Yoshinari Hashimoto,Tatsuro HAYASHIDA,Taiga KORIYAMA. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Manufacturing method for joint member and method for manufacturing angular position holding device using joint member manufactured using manufacturing method for joint member

Номер патента: EP4241903A4. Автор: Taro Isobe. Владелец: Origin Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Flexible plate for endless tracks used on large machines and method for manufacturing the flexible plate

Номер патента: AU2019320843A1. Автор: Cintia Nunes Braga Regattieri,Carlos Adriano De Lima,Bruno Sena E SILVA. Владелец: Vale SA. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for improving fatigue strength of lap-welded joint, lap-welded joint manufacturing method, and lap-welded joint

Номер патента: US20190291216A1. Автор: Shota Kikuchi,Manabu Fukumoto. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

A manufacturing apparatus and method for silicon insulating film and a silicon nano-dot nonvolatile memory manufacturing method using it

Номер патента: KR100730990B1. Автор: 박경완. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-06-22.

Groundcovering element, method for its manufacture and method for the manufacture of a mould to be applied with the manufacturing method

Номер патента: CA2147346A1. Автор: Jan Antonie Boeve. Владелец: Carpetstones B.V.. Дата публикации: 1996-10-20.

Rotary cutting tool, billet cutting method for seamless pipe or tube manufacturing, and seamless pipe or tube manufacturing method.

Номер патента: BRPI0822465A2. Автор: Osamu Kanda,Yasuhiro Kouchi. Владелец: Sumitomo Metal Ind. Дата публикации: 2015-06-16.

Manufacturing method for portable data carriers

Номер патента: CA2926781C. Автор: Peter Kaufmann,Thomas Tarantino,Lucas Perlitz,Stefan Bannert,Robert Griesmeier,Tatjana Mosthof,Cordula Regensburger. Владелец: Giesecke and Devrient Mobile Security GmbH. Дата публикации: 2018-08-07.

Method for improving fatigue strength of lap-welded joint, lap-welded joint manufacturing method, and lap-welded joint

Номер патента: CA3012336A1. Автор: Shota Kikuchi,Manabu Fukumoto. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for manufacturing paper feed roller, paper feed roller manufactured by the manufacturing method, and device for manufacturing paper feed roller

Номер патента: JP3910481B2. Автор: 英之奥山. Владелец: Sumitomo Rubber Industries Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Highly flexible fastener, manufacturing method and apparatus thereof, and product incorporating the same

Номер патента: JPH11509106A. Автор: エイプロボスト，ジョージ,ブイスタンプフ，ジェイムズ,リーク，エイ．トッド,エスロスランスキー，アピロムラジ. Владелец: ベルクロインダストリーズ，ビー．ブイ．. Дата публикации: 1999-08-17.

Method for joining resin member with metal member, and liquid-cooled jacket manufacturing method

Номер патента: CN102239027A. Автор: 堀久司,濑尾伸城. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for improving fatigue strength of lap-welded joint, lap-welded joint manufacturing method, and lap-welded joint.

Номер патента: MX2018009204A. Автор: KIKUCHI Shota,FUKUMOTO Manabu. Владелец: Nippon Steel & Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-09.

A heat sealing method for a clip tape, a method for manufacturing a film reel having a clip band, and a manufacturing method of a packaging bag having a clip band

Номер патента: TWI556950B. Автор: Shuichi Goto,Ryo Katada. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-11.

Method for manufacturing an elastic structure between two objects

Номер патента: US20190299504A1. Автор: Chang-Hsien Tung,Zheng-Xiang Wang. Владелец: Concraft Holding Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Manufacturing method of press parts, press forming apparatus, and metal plate for press forming

Номер патента: KR102361285B1. Автор: 유지 야마사키,히로토 미야케,토요히사 신미야. Владелец: 제이에프이 스틸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for estimating the frequency of single radiation effects in the onboard equipment of spacecrafs

Номер патента: RU2675669C1. Автор: Алексей Викторович Зубко. Владелец: Публичное акционерное общество "Красногорский завод им. С.А. Зверева", ПАО КМЗ. Дата публикации: 2018-12-21.

Method for processing plumulaceous feather and keratin-containing raw materials

Номер патента: RU2683560C1. Автор: Виктор Григорьевич Волик,Валентин Митрофанович Мазур,Сергей Александрович Медведев,Александр Борисович Тюрюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сигма". Дата публикации: 2019-03-28.

Method and apparatus for manufacturing single crystal

Номер патента: US09959611B2. Автор: Ken Hamada. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Fat-simulating composition, food composition with reduced caloricity comprising thereof, and method for preparing composition alkoxylated polyol esterified with fatty acids

Номер патента: RU2258382C2. Автор: Бернард Чарльз СЕКУЛА. Владелец: Бестфудс. Дата публикации: 2005-08-20.

Method for increasing operation speed in virtual three dimensional (3d) application and operational method thereof

Номер патента: US20090201300A1. Автор: Yu Cheng Liao. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for suppressing proliferation and/or inducing apoptosis of cancer cells

Номер патента: US09937216B2. Автор: Masayoshi Yamaguchi. Владелец: Maruhachi Muramatsu Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Systems and methods for delivering sensory input during a dream state

Номер патента: US09620027B2. Автор: Joel M. Harris,Mir Imran. Владелец: Incube Laboratories LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for obtaining dietary food supplement with antioxidant and hepatoprotective properties

Номер патента: RU2664573C1. Автор: Марина Петровна Семененко,Елена Васильевна Кузьминова,Николай Николаевич Корнен,Аминет Довлетовна Ачмиз,Татьяна Анатольевна Шахрай. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Северо-Кавказский федеральный научный центр садоводства, виноградарства, виноделия" (ФГБНУ СКФНЦСВВ). Дата публикации: 2018-08-21.

Display device and driving method thereof

Номер патента: US20200342820A1. Автор: Yasunori Yoshida,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Compositions and methods for treating cancer

Номер патента: US20100120703A1. Автор: John Wing Shing Ho,Jill Jie Meng. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2010-05-13.

X-ray analysis apparatus with single crystal X-ray aperture and method for manufacturing a single crystal X-ray aperture

Номер патента: US20130315375A1. Автор: Kleine Andreas,Kreith Josef,Hertlein Frank. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

Touch Substrate, Manufacturing and Driving Method Thereof, and Touch Display Device

Номер патента: US20210165521A1. Автор: YANG Qing. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

Developing roller suitable for single-component non-magnetic carbon powder jumping development and manufacturing method thereof

Номер патента: CN111487851A. Автор: 李春,向朝前,陈德区,赵方,卢航飞,罗一君,吴小贤. Владелец: Zhuhai Chungu Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-04.

Apparatus and method for measuring mechanical strength of neck portion of seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: EP0942276A2. Автор: Isamu c/o Isobe Plant Harada,Michiaki c/o Isobe Plant Oda,Masaru C/O Isobe Plant Toyoshima,Toshinari C/O Isobe Plant Murai,Eiichi C/O Isobe Plant Iino. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-15.

Apparatus and method for measuring mechanical strength of neck portion of seed crystal and method for producing silicon single crystal

Номер патента: KR19990077782A. Автор: 하라다이사무,오다미치아키,도요시마마사루,무라이도시나리,이노에이치. Владелец: 와다 다다시. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for controlling weed

Номер патента: US20220110321A1. Автор: Yoshinobu Jin,Yoshinao Sada. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Use of 5-methoxy-2-aminoindan ("meai") in methods for treating cocaine addiction

Номер патента: AU2023281964A1. Автор: Adi Zuloff-Shani,Gal MOSHE YADID. Владелец: Clearmind Medicine Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

METHOD FOR REPAIRING A SINGLE CRYSTAL TURBINE BLADE

Номер патента: US20150184514A1. Автор: Schmitt Tobias,Schlegel Stefan,SEEMANN Michael,Ambrosy Guenter,Bissig Hans,EMMINGER Hermann. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Method for selecting polycrystalline silicon rod and method for producing FZ single crystal silicon

Номер патента: JP5984741B2. Автор: 秀一宮尾,祢津　茂義,茂義祢津. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating flexible single-crystal film and flexible electro-optical device, apperatus for fabricating the same

Номер патента: KR100547237B1. Автор: 박재근,박종완. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for producing non-single crystal semiconductor material

Номер патента: JP4899118B2. Автор: 道雄近藤,学伊藤. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for making apple pastille in form of pie or roll, pastille produced by method thereof, and apple pastille production line

Номер патента: RU2729816C1. Автор: Сергей Валерьевич Прошин,Денис Александрович Окунцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БЕЛЁВСКИЙ ДЕСЕРТ" (ООО "БЕЛЁВСКИЙ ДЕСЕРТ"). Дата публикации: 2020-08-12.

Display device and driving method thereof

Номер патента: US20180301097A1. Автор: Yasunori Yoshida,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Display device and driving method thereof

Номер патента: US20160078822A1. Автор: Yasunori Yoshida,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Apparatus and method for logic creation of development tools, and storage medium recording program for implementing method thereof

Номер патента: KR101408280B1. Автор: 강석진,이인식. Владелец: 주식회사 청호컴넷. Дата публикации: 2014-06-17.

Method for applying the same dithering table for different flat panels and display driving method thereof

Номер патента: TWI395195B. Автор: Jeng Luen Tsai,Wen Yuan Kuo. Владелец: Orise Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-01.

METHOD FOR GENERATING MONOCHROME PERMUTATION STRUCTURED-LIGHT PATTERN AND STRUCTURED-LIGHT SYSTEM USING THE METHOD THEREOF

Номер патента: US20190017814A1. Автор: JE Changsoo,PARK Hyung-Min. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for constructing bionic wave fin propulsion motion control equation and parameter setting optimization method thereof

Номер патента: CN111443605B. Автор: 陈龙,王朝晖,刘钰,魏昶,胡桥,尹盛林,陈振汉,吉欣悦. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-03-23.

Method for acquiring preset duration of stimulation system, stimulation system and regulation and control method thereof

Номер патента: CN114642440B. Автор: 刘涛,胥红来,黄肖山,章希睿,宫长辉. Владелец: Neuracle Technology Changzhou Co ltd. Дата публикации: 2022-08-12.

Method for optimizing reading voltage of memory cell, controller of 3D memory and operation method thereof

Номер патента: CN113223593B. Автор: 张旭航,曹芮,肖自铧,喻小帆. Владелец: Lianyun Technology Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-04-11.

Method for manufacturing of mask pack coated with silver and mask pack manufactured method thereof

Номер патента: KR100708763B1. Автор: 박재범,이기탁. Владелец: (주) 월드비젼. Дата публикации: 2007-04-18.

System and method for predicting an occupancy probability of a point in an environment, and training method thereof

Номер патента: EP4152274A1. Автор: Roberto Cipolla,Daniel OLMEDA REINO,Thomas RODDICK,Benjamin BIGGS. Владелец: University of Cambridge. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for suppressing proliferation and/or inducing apoptosis of cancer cells

Номер патента: US20170246228A1. Автор: Masayoshi Yamaguchi. Владелец: Maruhachi Muramatsu Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Systems and methods for delivering sensory input during a dream state

Номер патента: US20170270810A1. Автор: Joel M. Harris,Mir Imran. Владелец: Incube Laboratories LLC. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing a marker on a substrate, lithographic apparatus and device manufacturing method

Номер патента: US20060008714A1. Автор: Rene Monshouwer,Maurits van der Schaar,Everhardus Mos,Jacobus Burghoorn,Richard Franciscus Van Haren. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2006-01-12.

METHOD FOR PERFORMING POWER SAVING CONTROL IN A MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROLLER THEREOF, AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190377402A1. Автор: CHAO Wen-Chi,Kuo Kuo-Cyuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Method for producing refrigerated animal or plant or part thereof, refrigerated agent for animal or plant or part thereof, method for producing frozen fresh animal or plant or part thereof, thawed product or processed product thereof, and freezing agent for fresh animal or plant or part thereof

Номер патента: JP6487572B2. Автор: 美雄廣兼,伊朗井筒. Владелец: Blanctec Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-20.

Method for processing log and positioning error information in mobile terminal, mobile terminal and monitoring device thereof and storage medium

Номер патента: CN110674016A. Автор: 李凯,李艳华,王晓文,单金德,吴王健. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2020-01-10.

Use of 5-methoxy-2-aminoindan ("meai") in methods for treating metabolic syndrome

Номер патента: WO2024062395A1. Автор: Joseph Tam,Adi Zuloff-Shani,Saja Baraghithy. Владелец: Clearmind Medicine Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Use of 5-methoxy-2-aminoindan ("meai") in methods for treating cocaine addiction

Номер патента: WO2023233329A1. Автор: Adi Zuloff-Shani,Gal MOSHE YADID. Владелец: Clearmind Medicine Inc.. Дата публикации: 2023-12-07.

METHOD FOR PRODUCING ENTERIC ALGINATE MICROCAPSULES VIA IONIC GELATION CONTAINING DICLOFENAC OR ONE OF THE SALTS THEREOF AND MULTIPARTICLED PHARMACEUTICAL COMPOSITION CONTAINING THEM

Номер патента: US20150072000A1. Автор: Atilio Los Mario. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR PRODUCING ENTERIC ALGINATE MICROCAPSULES VIA IONIC GELATION CONTAINING DICLOFENAC OR ONE OF THE SALTS THEREOF AND MULTIPARTICLED PHARMACEUTICAL COMPOSITION CONTAINING THEM

Номер патента: US20170172934A1. Автор: Los Mario Atilio. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them

Номер патента: WO2013139377A1. Автор: Mario Atilio Los. Владелец: Eastbrand Holding Gmbh. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them

Номер патента: US9668978B2. Автор: Mario Atilio Los. Владелец: LABORATORIOS BAGO SA. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for the combustion of refuse on a combustion grate as well as combustion grate for carrying out the method and grate plate for manufacturing such a combustion grate

Номер патента: EP0621449A1. Автор: . Владелец: Doikos Investments Ltd. Дата публикации: 1994-10-26.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them

Номер патента: PH12014501981B1. Автор: Los Mario Atilio. Владелец: Laboratorios Bago S A. Дата публикации: 2014-11-24.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them

Номер патента: CA2899664A1. Автор: Mario Atilio Los. Владелец: LABORATORIOS BAGO SA. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for the combustion of garbage on a combustion grate as well as grate for the execution of the method and grate plate for the realization of such a grate.

Номер патента: FR2704303B3. Автор: . Владелец: Doikos Investments Ltd. Дата публикации: 1995-03-31.

Method for producing enteric alginate microcapsules via ionic gelation containing diclofenac or one of the salts thereof and multiparticled pharmaceutical composition containing them.

Номер патента: MX354454B. Автор: Atilio Los Mario. Владелец: Laboratorios Bago S A. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for controlling an optical disc drive to resume interrupted recording on an optical disc, circuit thereof, and optical disc drive capable of resuming interrupted recording on an optical disc

Номер патента: TW200735067A. Автор: Hsin-Cheng Chen,Ching-Wen Hsueh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2007-09-16.

Dental prosthetic color estimation method, information processing apparatus, dental prosthetic manufacturing method, information processing method, and storage medium

Номер патента: US20240016587A1. Автор: Hiroshi Saito,Yoshihiko Matsumura,Ryuta Ueda,Naru Komatsu. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

SCREW ROTOR FOR EXHAUST PUMP, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, GAS EXHAUST PUMP HAVING SCREW ROTOR, AND MANUFACTURING METHOD AND ASSEMBLY METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20140127031A1. Автор: Ohmi Tadahiro,Iwaki Masamichi,Akutsu Isao,Ohyama Kenji. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-05-08.

Dodging element, random rule manufacturing method and system thereof and electronic device

Номер патента: CN112394523A. Автор: 林涛,黄河,孟玉凰,楼歆晔. Владелец: Shanghai North Ocean Photonics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Method for removal of deposition on an optical element, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby

Номер патента: US7868304B2. Автор: Johannes Hubertus Josephina Moors,Vadim Yevgenyevich Banine,Carolus Ida Maria Antonius Spee,Levinus Pieter Bakker,Arnoud Cornelis Wassink,Johannes Christiaan Leonardus Franken,Paul Peter Anna Antonius Brom. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2011-01-11.

Method for calculating corrections for controlling a manufacturing process, metrology apparatus, device manufacturing method and modeling method

Номер патента: CN108713166B. Автор: E·P·施密特-韦弗,A·B·伊斯梅尔,K·博哈塔查里亚,P·德尔温. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2021-03-09.

METHOD FOR MANUFACTURING A VISIT TRAP AND VISIT TRAPPER OBTAINED BY SAID MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2974831B1. Автор: Emmanuel Bastide. Владелец: OUVRIERE DE MENUISERIE EBENISTERIE CHARPENTE COMEC SC. Дата публикации: 2013-05-24.

Measuring method for measuring shape of test surface, measuring apparatus and optical element manufacturing method

Номер патента: JPWO2012008031A1. Автор: 由美子大嵜. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Foil bearing, method for setting a gap geometry of a foil bearing and corresponding manufacturing method of a foil bearing

Номер патента: DE102014226840A1. Автор: Andreas Vogt. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-06-23.

Optical disk, system and method for detecting illegal copy of said optical disk, manufacturing apparatus and manufacturing method of optical disk

Номер патента: TW200534261A. Автор: Masato Otsuka,Yoshiharu Tami,Eiji Sahota. Владелец: Hitachi Comp Peripherals Co. Дата публикации: 2005-10-16.

Method for production of single crystal lithium aluminate

Номер патента: RU2245402C2. Автор: Б.А. Дороговин,И.М. Филиппов,А.А. Цеглеев,Г.А. Лаптева,А.Б. Дубовский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт синтеза минерального сырья" (ФГУП "ВНИИСИМС"). Дата публикации: 2005-01-27.

METHOD FOR TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OF FERROMAGNETIC CONIAL ALLOY WITH CONTENT OF Ni 33 -35 at% AND Al 29 -30 at%

Номер патента: RU2641598C1. Автор: Юрий Иванович Чумляков,Елена Юрьевна Панченко,Анна Сергеевна Ефтифеева. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-01-18.

Method for growing silicon single crystals

Номер патента: RU2077615C1. Автор: З.А. Сальник,Ю.А. Микляев. Владелец: Акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод". Дата публикации: 1997-04-20.

Method for production of single crystals of potassium and niobium silicate

Номер патента: RU2093616C1. Автор: О.В. Димитрова,Е.Е. Стрелкова. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1997-10-20.

Method for growing of single crystals of chrysoberyl activated with ions of trivalent titanium

Номер патента: RU2038433C1. Автор: А.И. Алимпиев,П.В. Мокрушников. Владелец: Конструкторско-технологический институт монокристаллов СО РАН. Дата публикации: 1995-06-27.

Method for production of multiple application impregnating composition and mica-paper capacitors manufacture method

Номер патента: RU2455719C1. Автор: Евгений Викторович Распопов,Александр Федорович Супицкий,Игорь Васильевич Ефимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Уфимское научно-производственное предприятие "Молния". Дата публикации: 2012-07-10.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing of special canned food "nettle soup with sausage" (versions)

Номер патента: RU2322907C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-04-27.

Method for production of purpose-made cans "solyanka with meat, olives and capers" (versions)

Номер патента: RU2342003C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2008-12-27.

Method for production of single crystals of solid solutions of antimony orthotantalate

Номер патента: RU2109856C1. Автор: В.А. Павлов,В.И. Пополитов,В.П. Александренков,В.В. Багров,В.В. Крючков. Владелец: Учебно-научный производственный центр "Энергомаш". Дата публикации: 1998-04-27.

METHOD FOR PRODUCING LiNbO3 SINGLE CRYSTALS AND A DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2006141089A. Автор: Александр Александрович Гамазов,Александр Александрович Гамазов (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образовани Кубанский государственный университет (КубГУ) (RU). Дата публикации: 2008-05-27.

Method for production of n,n-dimethyl-(2-n1,n1-dimethylaminomethylpyridil-3)carbamate or salts thereof

Номер патента: RU2451513C1. Автор: Виктор Борисович Назаров,Алексей Вячеславович Дружков,Валентин Борисович Прозоровский,Валерий Юзефович Ковтун,Сергей Юрьевич Тарасов,Анна Борисовна Бокова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие Научно-производственный центр "Фармзащита" Федерального медико-биологического агентства". Дата публикации: 2012-05-27.

METHOD FOR COMBINING DIAMOND SINGLE CRYSTAL WITH METAL

Номер патента: RU2006144466A. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),Вячеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ) (RU). Дата публикации: 2008-06-20.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS

Номер патента: RU2005112799A. Автор: Иван Александрович Каплунов,Александр Игоревич Колесников,Юрий Мстиславович Смирнов,Юрий Мстиславович Смирнов (RU),Иван Александрович Каплунов (RU),Александр Игоревич Колесников (RU). Владелец: ООО МНПП "Кристалл" (RU). Дата публикации: 2006-11-10.

METHOD FOR GROWING A SINGLE CRYSTAL

Номер патента: RU2006124273A. Автор: Александр Сергеевич Трофимов,Хачик Саакович Багдасаров,Герман Кимович Графов,Владимир Иванович Малинин,Степан Эрвандович Саркисов,Хачик Саакович Багдасаров (RU),Герман Кимович Графов (RU),Владимир Иванович Малинин (RU),Степан Эрвандович Саркисов (RU),Александр Сергеевич Трофимов (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Рубитек" (RU). Дата публикации: 2008-01-20.

Apparatus and method for pulling silicon single crystal

Номер патента: TW200704836A. Автор: Naoki Ono,Sen-Lin Fu. Владелец: Sumitomo Mitsubishi Silicon. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for production of single crystals of rare-earth metal borides

Номер патента: RU2040599C1. Автор: Абдукаюм Абдулхаиевич Таджиев. Владелец: Ташкентский государственный технический университет. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for producing silicon single crystal, seed crystal and seed crystal holder

Номер патента: JP3402192B2. Автор: 雅規木村. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-28.

Sapphire single crystal pulling apparatus, crucible for producing sapphire single crystal, and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2010173929A. Автор: Tsuguo Fukuda,承生福田,Tomohiro Shonai,智博庄内. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-08-12.

METHOD FOR PRODUCING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL, AND SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: US20120015799A1. Автор: Shonai Tomohiro. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-19.

Single-crystal apatite nanowires sheathed in graphitic shells and synthesis method thereof

Номер патента: US20120258308A1. Автор: Lee Jung Hoon,JEONG Nam Jo. Владелец: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Дата публикации: 2012-10-11.

Method for producing β-Ga2O3 single crystal film and crystal laminated structure

Номер патента: JP5866727B2. Автор: 清史島村,島村　清史,ビジョラエンカルナシオンアントニアガルシア,ビジョラエンカルナシオンアントニアガルシア,公平佐々木. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Method for synthesizing diamond single crystal and single crystal diamond

Номер патента: JP3452665B2. Автор: 敏山下,哲朗東城,和郎中村,雅行蜜石,加寿弘片岡. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-29.

Sapphire single crystal and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP2013147361A. Автор: Tomohiro Shonai,智博庄内. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2013-08-01.

Method for growing silicon single crystal and silicon single crystal grown by the method

Номер патента: JP5169814B2. Автор: 純古川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-03-27.

Method for evaluating silicon single crystal and method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6737232B2. Автор: 憲哉鈴木. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-08-05.

Metal-organic framework single crystal epitaxially grown DMCoF/DMMnF heterojunction material and preparation method thereof

Номер патента: CN104788505A. Автор: 李小云,王顺利,李培刚,刘咏松,史建君. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2015-07-22.

A method for preparing a single crystal crystal for growing a multi-type compound

Номер патента: TWI542741B. Автор: Dai Liang Ma,Bang Ying Yu,Hsueh I Chen,Tsao Chun Peng,bo cheng Lin,zhi wei Guo. Владелец: Nat Inst Chung Shan Science & Technology. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for producing silicon single crystal with few crystal defects

Номер патента: JP2822887B2. Автор: 昌弘桜田,浩利山岸,清隆高野,泉布施川,栄一飯野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-11.

Method for producing FZ single crystal silicon using silicon crystal rod produced by CZ method as raw material

Номер патента: JP5070737B2. Автор: 聡鈴木,義博児玉. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-14.

METHOD FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL ON A SHOOTING CRYSTAL REMAINING IN THE MELT IN AUTOMATIC MODE

Номер патента: RU2009129784A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Евгений Иванович Мотренко,Виталий Иванович Буков,Борис Михайлович Синельников (RU),Евгений Иванович Мотренко (RU),Виталий Иванович Буков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU). Дата публикации: 2011-02-10.

Method for producing SiC single crystal and method for producing SiC seed crystal

Номер патента: JP3745668B2. Автор: 大輔中村,宏行近藤. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2006-02-15.

Method for producing silicon single crystal and apparatus for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2011157221A. Автор: 博史大綱,Hiroshi Otsuna. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-18.

Single crystal fiber with Bragg structure cladding and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102253445B. Автор: 陈卫国,王立文,邹辉,娄淑琴,鹿文亮. Владелец: Beijing Jiaotong University. Дата публикации: 2012-12-05.

Substrate for growing single crystal diamond, and method for producing the single crystal diamond

Номер патента: JP2012001394A. Автор: Hitoshi Noguchi,Makoto Fukui,仁野口,規夫徳田,孝夫猪熊,真福井,Norio Tokuda,Takao Iguma. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for growing silicon single crystal and apparatus for pulling silicon single crystal

Номер патента: JP2021035899A. Автор: 竜介横山,惇弘山田,Atsuhiro Yamada,Ryusuke Yokoyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD FOR GROWING SAPPHIRE SINGLE CRYSTAL ON A SHARING CRYSTAL REMAINING IN THE MELT DURING GROWING

Номер патента: RU2009129789A. Автор: Борис Михайлович Синельников,Евгений Иванович Мотренко,Виталий Иванович Буков,Борис Михайлович Синельников (RU),Евгений Иванович Мотренко (RU),Виталий Иванович Буков (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "ЭКСИТОН" (RU). Дата публикации: 2011-02-10.

Method for improving semiconductor package substrates uniformity and the package substrates manufactured thereby

Номер патента: TW591766B. Автор: E-Tung Chou,Chih-Liang Chu. Владелец: Phoenix Prec Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Method for recording and playback of user's voice and electronic dictionary using the method thereof

Номер патента: TW201001398A. Автор: Eiichi Munetsugu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-01.

Method for producing hexaboride fine particle dispersion, heat ray shielding molded body and production method thereof, heat ray shielding component-containing masterbatch and production method thereof, and heat ray shielding laminate

Номер патента: JP5152131B2. Автор: 賢一藤田,宏小林. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2013-02-27.

FLAME-RETARDANT POLY LACTIC ACID-CONTAINING FILM OR SHEET, AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120003459A1. Автор: . Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing Silicon Single Crystal Ingot

Номер патента: US20120160154A1. Автор: KATO Hideo,Murakami Hideaki. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-06-28.

METHOD FOR MANUFACTURING A SINGLE CRYSTAL NANO-WIRE

Номер патента: US20120202325A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2012-08-09.

DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING BULK SINGLE CRYSTALS

Номер патента: US20130000545A1. Автор: . Владелец: NITRIDE SOLUTIONS INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

METHOD FOR MEASURING AND CONTROLLING DISTANCE BETWEEN LOWER END SURFACE OF HEAT SHIELDING MEMBER AND SURFACE OF RAW MATERIAL MELT AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON SINGLE CRYSTAL

Номер патента: US20130058540A1. Автор: Sugawara Kosei,Urano Masahiko,Hoshi Ryoji. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-03-07.

Method for producing ZnO single crystal

Номер патента: JP4427347B2. Автор: 郁生新倉,安兵衛柏葉. Владелец: Tokyo Denpa Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP5358996B2. Автор: 勉堀,義昭勝山,安照柿本,和也田路. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Method for growing semiconductor single crystal

Номер патента: JPS6483592A. Автор: Tateaki Sahira,Michio Kida,Yoshiaki Arai. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1989-03-29.

Ultrasonic quality control method for optically transparent single-crystal ingots

Номер патента: SU1640628A1. Автор: Михаил Иванович Сластен,Игорь Николаевич Каневский,Виктор Николаевич Казимиров,Борис Анатольевич Струков,Кима Андреевна Минаева. Владелец: Таганрогский радиотехнический институт им.В.Д.Калмыкова. Дата публикации: 1991-04-07.

Method for growing a single crystal from a polycrystalline material

Номер патента: JP5142287B2. Автор: 邦彦岡,利充伊藤,洋永崎. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2013-02-13.

Vapor growth method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPS6384110A. Автор: Hideki Mori,Shigenori Takagishi,成典高岸,英樹森. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1988-04-14.

Method for pulling compound single crystal

Номер патента: JPS62235292A. Автор: Koji Tada,Akihisa Kawasaki,河崎　亮久,多田　紘二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-10-15.

Annealing method for infrared nonlinear single crystal of multi-component compound containing easily volatile components

Номер патента: CN102618935B. Автор: 程旭东,王振友,吴海信,倪友保,黄昌保,毛明生. Владелец: Anhui Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS. Дата публикации: 2015-06-17.

Method for producing colourless single crystals of lead molybdate

Номер патента: SU1081244A1. Автор: Вальтер Боллманн. Владелец: Феб Карл-Цейсс-Йена (Инопредприятие). Дата публикации: 1984-03-23.

Production method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: CN1313652C. Автор: 佐藤贤次,荒川笃俊,朝日聪明. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-02.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS WITH A DIAMETER UP TO 6 INCHES BY OTF METHOD

Номер патента: RU2008119071A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: Владимир Борисович Цветовский (RU). Дата публикации: 2009-11-20.

Method for producing silicon single crystal and method for producing epitaxial wafer

Номер патента: JP4089137B2. Автор: 敏昭小野,忠美田中,英一浅山. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2008-05-28.

Method for producing AlN single crystal

Номер патента: JP4552516B2. Автор: 充嶋津,英章中幡,伸介藤原,倫正宮永. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Spontaneous nucleation growth method for thallium bromide single-crystal

Номер патента: CN100516318C. Автор: 刘欢,赵俊,郑志平,周东祥,龚树萍,傅邱云,余石金,胡云香,陈小炎. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2009-07-22.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP4270034B2. Автор: 昌照中村. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2009-05-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6658421B2. Автор: 洋二鈴木,康裕齋藤,鈴木　洋二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-03-04.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP3761546B2. Автор: 泰典廣岡. Владелец: Neomax Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-29.

Method for determining three-dimensional distribution of infrared absorption spectrum of silica glass crucible and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6162847B2. Автор: 忠広佐藤,俊明須藤,賢北原,真喜子小玉. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-07-12.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6729411B2. Автор: 洋二鈴木,古川　純,純古川,鈴木　洋二. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP3343014B2. Автор: 洋八山下,耕一原田,史郎斉藤,専治嶋貫. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-11.

Method for preparing spherical single crystals of metals

Номер патента: SU1049577A1. Автор: Александр Иванович Евстюхин,Николай Александрович Крапивка. Владелец: Московский Ордена Трудового Красного Знамени Инженерно-Физический Институт. Дата публикации: 1983-10-23.

Method for producing AlN single crystal film

Номер патента: JP4969860B2. Автор: 智彦柴田,和政平松,秀人三宅,茂明角谷. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for producing InP single crystal

Номер патента: JP4344021B2. Автор: 聰明朝日,敬司甲斐荘,竜也野崎. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-14.

Tungsten crucible, method for producing the same, and method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP5808076B2. Автор: 誠笠本,忠井野. Владелец: Toshiba Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for producing langate single crystal

Номер патента: JP5299908B2. Автор: 聡宇田,克己青田,律子八百川. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2013-09-25.

Heat treatment method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPH0776160B2. Автор: 賢次佐藤,武彦亀山,純三高橋. Владелец: JAPAN ENAJII KK. Дата публикации: 1995-08-16.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JP5136252B2. Автор: 貴熱海,裕章田口. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2013-02-06.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP2007084358A. Автор: Kiwa Sakuma,喜和佐久間. Владелец: Toshiba Ceramics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for producing oxide single crystal and apparatus for producing the same

Номер патента: JP4579122B2. Автор: 和夫藤浦,保典古川,拡樹香田,正弘笹浦. Владелец: Oxide Corp. Дата публикации: 2010-11-10.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP7247949B2. Автор: 孝世菅原,佳祐三原. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4965465B2. Автор: 真岩井. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

SAPMAC method for preparing sapphire single-crystal with size above 300mm

Номер патента: CN101580963B. Автор: 宋波,左洪波,王玉平,杨鑫宏,王天成. Владелец: Harbin GongDa Aurora Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5805527B2. Автор: 俊郎南,一日児鹿島,光朗日笠,鹿島　一日児. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5482547B2. Автор: 伸晃三田村,淳岩崎,祐一宮原,祥高島,勝之北川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4670002B2. Автор: 和夫真田,昇一ノ瀬,利明馬淵,信太郎宮澤. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-13.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4360208B2. Автор: 亮二星,将園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-11.

Method for manufacturing semiconductor single crystal layer

Номер патента: JP2500315B2. Автор: 茂神林. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1996-05-29.

Annealing method for inorganic compound single crystal substrate

Номер патента: JP2516641B2. Автор: 山田　　豊,文夫折戸,敏彦井深. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 1996-07-24.

Method for forming si single crystal film

Номер патента: JPS61270294A. Автор: Koji Egami,江上　浩二. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-11-29.

Method for producing silicon single crystal by Czochralski method

Номер патента: JP2512340B2. Автор: 淳岩崎. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-03.

Method for producing fluoride single crystal

Номер патента: JP4024577B2. Автор: 誠一郎大元,岳穂川中,広岡田. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

METHOD FOR GROWING OF SINGLE CRYSTALS CdS AND CdSe

Номер патента: SU1279277A1. Автор: Н.Н. Колесников,М.П. Кулаков,И.Б. Савченко. Владелец: Институт физики твердого тела АН СССР. Дата публикации: 1996-09-27.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6614091B2. Автор: 和幸酒谷. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-12-04.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2010042977A. Автор: Akihiro Kimura,明浩木村,亮二星,Ryoji Hoshi,Susumu Sonokawa,将園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622B. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-22.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4968708B2. Автор: 孝直下平,真岩井,宏治平田,史郎山崎,勇介森,孝友佐々木,史朗川村,周平東原. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-07-04.

Method for producing LiNbO single crystal piezoelectric substrate having domain-inverted region

Номер патента: JP2615019B2. Автор: 晴康安藤,洋清水,僖良中村. Владелец: 清水郁子. Дата публикации: 1997-05-28.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP5601273B2. Автор: 富男梶ヶ谷. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2014-10-08.

Method for pulling up single crystal

Номер патента: JPS63295493A. Автор: Wataru Fuchigami,渕上　亘. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-12-01.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP6618179B2. Автор: 陽平藤川,秀隆鷹羽,宏行近藤,近藤　宏行. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: CN1190528C. Автор: 杨德仁,李立本,马向阳,阙端麟. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2005-02-23.

Method for producing cinnabar single crystals

Номер патента: SU512790A1. Автор: Виктор Андреевич Кузнецов,Алексей Рэдович Котельников,Анатолий Николаевич Лобачев,Елена Павловна Ефремова. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Кристаллографии Им.А.В. Шубникова. Дата публикации: 1976-05-05.

Method for producing α-SiC single crystal

Номер патента: JPH0791153B2. Автор: 茂弘西野. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-04.

Method for producing nitride single crystal and autoclave used therefor

Номер патента: TW201300589A. Автор: Kazuo Yoshida,Tsuguo Fukuda,Kensuke Aoki,Katsuhito Nakamura. Владелец: Univ Tohoku. Дата публикации: 2013-01-01.

Method for dynamic growing single crystals

Номер патента: SU108256A1. Автор: С.К. Попов,Н.Н. Шефталь. Владелец: Н.Н. Шефталь. Дата публикации: 1956-11-30.

Method for forming nano single crystal silicon and making method of non volatile semiconductor memory

Номер патента: CN101106078A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Method for producing SiC single crystal

Номер патента: JP5359796B2. Автор: 寛典大黒. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-12-04.

Etching method for indium phosphorus single crystal to mirror face

Номер патента: JPS5413500A. Автор: Yorimitsu Nishitani,Kenzo Akita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1979-01-31.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2521007B2. Автор: 隆小池,正隆宝来. Владелец: SUMITOMO SHICHITSUKUSU KK. Дата публикации: 1996-07-31.

Method for producing molybdenum single crystals

Номер патента: SU499889A1. Автор: Елена Рувимовна Добровинская,Евгений Михайлович Савицкий,Феликс Евгеньевич Гуляев,Валериан Владимирович Пищик,Гарри Меерович Цигельницкий. Владелец: Предприятие П/Я Р-6496. Дата публикации: 1976-01-25.

Method for growing SiC single crystal

Номер патента: JPH0788274B2. Автор: 和幸古賀. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-09-27.

Method for growing ZnS single-crystal nanowire bundle

Номер патента: CN101691241A. Автор: 简基康,吴�荣,陶乐天,孙言飞,封丽,边延龙,刘前霞. Владелец: Xinjiang University. Дата публикации: 2010-04-07.

Method for growing silicon single crystal

Номер патента: JPS6385085A. Автор: Masao Mikami,三上　雅生. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-04-15.

Method for manufacturing silicon single crystal

Номер патента: JP6922870B2. Автор: 中嶋　健,健中嶋,恒成朝長,篤史黒川. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP2837903B2. Автор: 義正宮崎. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-12-16.

Method for growing Si single crystal with controlled temperature fluctuation

Номер патента: JP2804455B2. Автор: 斉佐々木,敦碇,宏治泉妻,茂行木村,慎二十河,荘六川西. Владелец: Sumitomo Sitix Corp. Дата публикации: 1998-09-24.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP4237280B2. Автор: 栄一飯野. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-11.

Method for preparing KTiOPO4 single crystal thin film through ion implantation in combination with chemical etching

Номер патента: CN105002471A. Автор: 许波,范冉冉,马长东,卢霏. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2015-10-28.

Method for etching of single crystals of lithium tantalate

Номер патента: RU2040601C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1995-07-25.

Method for producing silicon single crystal film

Номер патента: JP5769023B2. Автор: 正信東,肇白井,白井　肇. Владелец: Saitama University NUC. Дата публикации: 2015-08-26.

Apparatus and method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3528888B2. Автор: 友彦太田,亮二星,泉布施川,俊郎林,将園川. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-24.

Method for manufacturing SiC single crystal substrate

Номер патента: JP5014737B2. Автор: 昇大谷,辰雄藤本,正和勝野,弘志柘植,正史中林,泰三星野,崇藍郷,弘克矢代,宏平巽,充澤村. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for producing silicon single crystal, graphite sheet used therefor, and quartz crucible support container

Номер патента: JP6642349B2. Автор: 隆横山,横山　隆. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-02-05.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3627498B2. Автор: 昌弘桜田,友彦太田,隆弘柳町. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-09.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5776586B2. Автор: 淳岩崎,志信竹安,竹安　志信. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Method for producing β-Ga2O3 single crystal substrate

Номер патента: JP6402079B2. Автор: 誠渡邊,渡邊　誠,公祥輿,優山岡,信也渡辺. Владелец: Koha Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-10.

Adaptive variable-speed drawing simulation method for production of single-crystal blade

Номер патента: CN102426622A. Автор: 张航,唐宁,许庆彦,柳百成. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP2818342B2. Автор: 美能留今枝,龍一大内. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 1998-10-30.

Method for manufacturing transparent single crystal wafer

Номер патента: JP2554377B2. Автор: 邦宏伊藤,一良渡辺,正宏荻原,松夫丸山. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-13.

Finish polishing method for silicon carbide single crystal wafer surface

Номер патента: JP4846445B2. Автор: 昇大谷,辰雄藤本,正和勝野,弘志柘植,正史中林,崇藍郷,弘克矢代,充澤村. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6428574B2. Автор: 塁川上. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-11-28.

Annealing method for lithium tantalate single crystal

Номер патента: JPH01172300A. Автор: Takeisa Arita,武功有田,Atsushi Enjiyou,篤志円城. Владелец: Asahi Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1989-07-07.

Method for producing sapphire single crystal

Номер патента: JP4844428B2. Автор: 俊輔上田,和央蔵重. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for growing silicon single crystal and method for manufacturing silicon wafer

Номер патента: JP3587242B2. Автор: 栄治梶田,正隆宝来. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2004-11-10.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP6007892B2. Автор: 佐藤　　賢一,佐藤　賢一,慶一中澤,義博児玉. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Heating method for producing similar single crystal silicon ingot materials by using casting method

Номер патента: CN102242390A. Автор: 石坚,熊涛涛. Владелец: ANYANG FENGHUANG PV TECHNOLOGICAL Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Method for producing TiO single crystal thin film

Номер патента: JP3116093B1. Автор: 拓鈴木,龍太郎左右田. Владелец: 科学技術庁無機材質研究所長. Дата публикации: 2000-12-11.

Method for producing nitride single crystal

Номер патента: JP4513264B2. Автор: 和田　　隆,紳一郎川端,文夫折戸. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2010-07-28.

Method for producing semiconductor single crystal and apparatus therefor

Номер патента: JPS62182189A. Автор: Masami Tatsumi,Koji Tada,Sukehisa Kawasaki,智博川瀬,Tomohiro Kawase,雅美龍見,河崎　亮久,多田　絋二. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1987-08-10.

Method for producing CdTe single crystal

Номер патента: JPH07108839B2. Автор: 聰明朝日,稔船木. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-11-22.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP5668764B2. Автор: 繁梅野,梅野　繁. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for growing znse single crystal

Номер патента: JPS6451394A. Автор: Kiyoshi Yoneda,Hiroaki Ishii,Yoshiyuki Ishizuka,Yuji Hishida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-27.

Method for growing of single crystals in system of bi-sr-ca-cu-o

Номер патента: RU2039853C1. Автор: А.В. Хорошилов,И.С. Шаплыгин. Владелец: Институт общей и неорганической химии им.Н.С.Курнакова РАН. Дата публикации: 1995-07-20.

Method for producing silicon single crystal

Номер патента: JP3787452B2. Автор: 斉佐々木,宣正内藤,俊信三浦,ワイルドピーター,ツオージェームス. Владелец: Mitsubishi Silicon America Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for producing CdTe single crystal

Номер патента: JPH0818917B2. Автор: 聰明朝日,稔船木. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1996-02-28.

Method for producing silicon single crystal ingot

Номер патента: JP3752890B2. Автор: 久降屋,和浩原田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2006-03-08.

Method for producing oxide single crystal

Номер патента: JP2009242150A. Автор: 敏男東風谷,利行小見,憲治村下,Toshiyuki Omi,Kenji Murashita,Toshio Kochiya. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2009-10-22.

Heat treatment method for compound semiconductor single crystal

Номер патента: JPH07115999B2. Автор: 賢次佐藤,武彦亀山,純三高橋. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1995-12-13.

METHOD FOR GROWING GERMANY SINGLE CRYSTALS BY OTF METHOD

Номер патента: RU2006119535A. Автор: Владимир Дмитриевич Голышев,Михаил Александрович Гоник,Владимир Борисович Цветовский,Светлана Викторовна Быкова,Светлана Викторовна Быкова (RU),Владимир Дмитриевич Голышев (RU),Михаил Александрович Гоник (RU),Владимир Борисович Цветовский (RU). Владелец: ООО Научно Производственное Предпри тие "ОТФ-Техно" (RU). Дата публикации: 2007-12-27.

Apparatus and method for pulling silicon single crystal

Номер патента: JP3428625B2. Автор: 直樹小野,康島貫,道夫喜田,森林符. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for producing silicon single crystal wafer

Номер патента: JP3611236B2. Автор: 昭彦小林,浩司荒木,昌彦黒川,治久保田,正樹佐久間,俊一郎松山,淳一小山内,由美子平野. Владелец: 東芝セラミックス株式会社. Дата публикации: 2005-01-19.

Method for growing nitride single crystal

Номер патента: JP2007254206A. Автор: Yusuke Mori,勇介森,Takatomo Sasaki,孝友佐々木,史朗川村,幹也市村,Mikiya Ichimura,Shiro Kawamura. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for manufacturing oxide single crystal substrate

Номер патента: JP2020033214A. Автор: Saneyuki Kakimoto,実行柿本. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Method for producing magnesia single crystal

Номер патента: JP3264508B2. Автор: 明生池末,武久森. Владелец: Krosaki Harima Corp. Дата публикации: 2002-03-11.

Method for detecting or measuring presence of immunological active substance and reagent used for method thereof

Номер патента: JPH1073595A. Автор: Masao Karube,征夫軽部,Yoshinori Yoshimura,佳典吉村,Keisuke Iwata,恵助岩田. Владелец: A & T Kk. Дата публикации: 1998-03-17.

SYSTEM AND METHOD FOR EDITING INTERACTIVE THREE-DIMENSION MULTIMEDIA, AND ONLINE EDITING AND EXCHANGING ARCHITECTURE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130007669A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

Method for rapidly detecting pathogenic bacteria at high efficiency, biological dependent sensor and preparation method thereof

Номер патента: CN102221610B. Автор: 魏玲,刘清珺,武会娟,伦永志,亢子佳. Владелец: Beijing Physichemistry Analysis & Measurment Centre. Дата публикации: 2013-08-14.

Method for adsorption-catalytic purification of water from chloroaromatic compounds, adsorbent-catalyst and preparation method thereof

Номер патента: RU2400434C1. Автор: Валентина Ильинична Симагина,Ольга Владимировна Нецкина,Оксана Валентиновна Комова,Елена Сергеевна Тайбан,Оксана Валентиновна Комова (RU),Валентина Ильинична Симагина (RU),Ольга Владимировна Нецкина (RU),Елена Сергеевна Тайбан (RU). Владелец: Институт катализа им Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2010-09-27.

Method for manufacturing passivation layer on pixel electrode, liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103117249A. Автор: 任思雨,胡君文,于春崎,何基强,陈建荣,阮文中. Владелец: Truly Semiconductors Ltd. Дата публикации: 2013-05-22.

Design method for noise-absorption metal fibrous porous material, metal fibrous porous material and preparation method thereof

Номер патента: CN103031461A. Автор: 刘书田,张永存,陈文炯. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2013-04-10.

Method for prompting alternative contact manners, communication device, and computer program product using the method thereof

Номер патента: TW201012185A. Автор: Yuan-Mao TSUEI. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Heat resistant resin composition, production method thereof, heat resistant resin molded product, and electronic component for surface mounting

Номер патента: JP5041209B2. Автор: 泰之芳野. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2012-10-03.

Method for Adjusting Touch Positions of Software Keyboard, Non-Transitory Computer Readable Storage Medium for Storing Thereof and Touch Screen Electrical Device Applying Thereof

Номер патента: US20120154298A1. Автор: Wu Cheng-Han,Liao Chung-Wen,Chen Wen-Tang,Yang Chao-Chi. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2012-06-21.

METHOD FOR GENERATING BIOCOMPATIBLE THREE-DIMENSIONAL OBJECTS OR SURFACES BY LASER IRRADIATION, SUCH OBJECTS, THE USE THEREOF AND STARTING MATERIALS FOR THE METHOD

Номер патента: US20130012612A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Method for preparing organosilicone hybrid resin and power type encapsulating material for light-emitting diodes (LED) thereof and application

Номер патента: CN102702532B. Автор: 刘伟区,高南. Владелец: Guangzhou Chemical Co Ltd of CAS. Дата публикации: 2014-08-20.

A polarizing plate with a pressure-sensitive adhesive layer and a method for manufacturing the same, an active energy ray-curable polymer composition used for the manufacture thereof, and a liquid crystal display device.

Номер патента: JP7036880B2. Автор: 俊中村,謙一福田,亮内藤. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-15.

Lid body having a sliding ring, method for manufacturing the same, sliding ring fitting device for implementing the manufacturing method, film lid manufacturing device, and lid bonding device

Номер патента: JP2738292B2. Автор: 茂野口,宏竹田,俊朗鷲崎. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 1998-04-08.

Magnesium-based metal plate manufacturing method, manufacturing apparatus thereof, and magnesium-based metal decorative plate manufacturing method

Номер патента: JP4801472B2. Автор: 一也吉田,俊雄羽賀,善夫権田,源太郎権田,久規渡利,二三雄津崎. Владелец: GONDA METAL INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-10-26.

Surface machining method for single crystal sic substrate, manufacturing method thereof, and grinding plate for surface machining single crystal sic substrate

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты