Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: US11776611B2
Опубликовано: 03-10-2023
Автор(ы): Mikai Chen, Murong Lang, Zhenlei Shen, Zhenming Zhou
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system using a randomized refresh period

Номер патента: US11756604B2. Автор: Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Input buffer circuit of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20040027862A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Reum Oh,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Managing write disturb for units of a memory device using weighted write disturb counts

Номер патента: WO2023014739A1. Автор: Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory devices and methods for controlling row hammer

Номер патента: US12119044B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Input buffer circuit of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: TW200414222A. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Reum Oh,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-01.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20240161805A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Lodester Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for adjusting row hammer refresh rates and related memory devices and systems

Номер патента: US12087347B2. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device capable of determining candidate wordline for refresh and control method thereof

Номер патента: US09805782B1. Автор: Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device and memory system including the memory device

Номер патента: US09741425B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory of the dynamic random access type (DRAM) and method for actuating a memory cell

Номер патента: US20010028597A1. Автор: HELMUT Fischer,Thoralf Grätz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-11.

ADAPTIVE REFRESHING AND READ VOLTAGE CONTROL SCHEME FOR A MEMORY DEVICE SUCH AS AN FeDRAM

Номер патента: US20170337962A1. Автор: Yiran Chen,Ismail Bayram. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7826272B2. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080037335A1. Автор: Takashi Sakoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Data transmission circuitry of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: TW440863B. Автор: Su-Chul Kim,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-06-16.

Reduced peak self-refresh current in a memory device

Номер патента: US20200219557A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Memory device using wordline calibration for matrix vector multiplication

Номер патента: US20240331762A1. Автор: Huai-Yuan Tseng,William Charles Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus, method and system for performing successive writes to a bank of a dynamic random access memory

Номер патента: US09704563B2. Автор: Kuljit S. Bains,John B. Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Applying chip select for memory device identification and power management control

Номер патента: EP3533058A1. Автор: James A. McCall,Bill Nale,Christopher E. Cox,Christopher P. Mozak,Kuljit Bains,Akshith Vasanth. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A3. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Generating test data for a memory system design based on operation of a test system, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11721406B2. Автор: Won Ho Choi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Refresh controller and memory device including the same

Номер патента: US09972377B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Min Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

STAGGERING REFRESH ADDRESS COUNTERS OF A NUMBER OF MEMORY DEVICES, AND RELATED METHODS, DEVICES, AND SYSTEMS

Номер патента: US20220044720A1. Автор: Rehmeyer James S.,Wieduwilt Christopher G.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory device with extended write data window

Номер патента: WO2024050265A1. Автор: Christopher Haywood,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device, method of performing a refresh for semiconductor memory device and refresh counter in semiconductor memory device

Номер патента: US09601179B2. Автор: Young-Yong Byun,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240196591A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory devices providing a refresh request and memory controllers responsive to a refresh request

Номер патента: US09978430B2. Автор: Chul-woo Park,Hong-Sun Hwang,Eun-Sung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Write disturb refresh rate reduction using write history buffer

Номер патента: EP4016316A1. Автор: Richard P. Mangold,Prashant S. Damle,Philip Hillier,Benjamin Graniello,Kunal A. Khochare,Rakan MADDAH,Akanksha Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11200941B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Techniques for tamper detection and protection of a memory module

Номер патента: EP4016349A1. Автор: Mohamed Arafa,John K. Grooms,Shamanna M. Datta,Asher M. Altman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-22.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20220375950A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US20240276736A1. Автор: Daniele Vimercati,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method for protecting a memory

Номер патента: US12032692B2. Автор: Sylvain Guilley,Michel LE ROLLAND,Adrien FACON. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240321342A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Deck selection layouts in a memory device

Номер патента: US20230292527A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data input/output (i/o) apparatus for use in a memory device

Номер патента: US20070091693A1. Автор: Seung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Memory device security and row hammer mitigation

Номер патента: US12067270B2. Автор: YANG LU,Robert M. Walker,Elliott C. Cooper-Balis,Sujeet Ayyapureddi,Danilo Caraccio,Amitava Majumdar,Ameen D. Akel,Cagdas Dirik,Edmund J. Gieske. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Three dimension memory device capable of improving sensing accuracy in high-speed data sensing operation

Номер патента: US12131772B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Ken-Hui Chen,Shang-Chi Yang,Fu-Nian Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Write disturb refresh rate reduction using write history buffer

Номер патента: US20210110862A1. Автор: Richard P. Mangold,Prashant S. Damle,Philip Hillier,Benjamin Graniello,Kunal A. Khochare,Rakan MADDAH,Akanksha Mehta. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160344427A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09917601B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US20160036466A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Adaptive error correction in a memory system

Номер патента: US09471422B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,John K. DeBrosse,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Rona Yaari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US12020767B2. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device including dynamic voltage and frequency scaling switch and method of operating the same

Номер патента: SG10201806186UA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,JANG JIN-HUN,HA KYUNG-SOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: WO2010151481A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-12-29.

System and method for providing configurable latency and/or density in memory devices

Номер патента: EP2446366A1. Автор: Christopher S. Johnson,Todd D. Farrell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-02.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Dynamic allocation of a capacitive component in a memory device

Номер патента: US20240257841A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Thin film transistor deck selection in a memory device

Номер патента: US12069847B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatuses and methods for setting operational parameters of a memory included in a memory module based on location information

Номер патента: US20210050041A1. Автор: Elancheren Durai,Quincy R. Holton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Memory device ultra-deep power-down mode exit control

Номер патента: US09922684B2. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis,Bard M. Pedersen. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Variable capacitor and memory device employing the same

Номер патента: US20020041513A1. Автор: Chul-Woo Lee,Seung-tae Jung,Hee-wan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-04-11.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory devices and methods for high random transaction rate

Номер патента: US20150003182A1. Автор: Bruce Barbara,Dinesh Maheshwari,John Marino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: US20240135977A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Operating method of memory controller, and memory device

Номер патента: EP4362018A1. Автор: Jaewook Lee,Hoon Shin,Rihae PARK,Donghwee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device with source line control

Номер патента: US11776595B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Two-stage voltage calibration upon power-up of memory device

Номер патента: US12073866B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device with improved driver operation and methods to operate the memory device

Номер патента: US20240265963A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods and devices for accessing a memory using multiple separate address mapped temporary storage areas

Номер патента: US20050018521A1. Автор: Chul-Sung Park,Byong-Kwon Lee,Cheol-Shin Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-27.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device including transistor with back gate, and memory device including the semiconductor device

Номер патента: US09990997B2. Автор: Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09720610B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Multiple write during simultaneous memory access of a multi-port memory device

Номер патента: USRE46474E1. Автор: Hui Hui Ngu,Bruce Gieseke. Владелец: Easic Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Multiple write during simultaneous memory access of a multi-port memory device

Номер патента: US8848479B2. Автор: Bruce Gieseke,Hui H. Ngu. Владелец: Easic Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Static semiconductor memory device using a single global data line

Номер патента: US09786360B2. Автор: Tsuyoshi Koike. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

RAM memory device selectively protectable with ECC

Номер патента: US8566670B2. Автор: Andre Roger,Charles Aubenas,Sergio Bacchin. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2013-10-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device

Номер патента: US20240371437A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien-Jung Hung,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kian-Long Lim,Chao-Yuan Chang,Jui-Wen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and method for computing-in-memory (cim)

Номер патента: US20240257865A1. Автор: Haruki Mori,Hidehiro Fujiwara,Wei-Chang Zhao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Write assist circuit for memory device

Номер патента: US20230335186A1. Автор: Chia-Che Chung,Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7433257B2. Автор: Yoshinobu Yamagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-07.

Methods and apparatus to provide refresh for local out of range read requests to a memory device

Номер патента: US20080056054A1. Автор: Steven Richard Jahnke,Hiromichi Hamakawa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatus and method for reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12112826B2. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: US09865356B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20240012563A1. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus and method for reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US20230402071A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US20170117051A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-27.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US9613712B1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-04.

Read performance of a non-volatile memory device, in particular a non-volatile memory device with buried selection transistor

Номер патента: US09825186B2. Автор: Francesco La Rosa,Stephan Niel,Arnaud Regnier. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-11-21.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: US20160180958A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory bus output driver of a multi-bank memory device and method therefor

Номер патента: EP2082399A2. Автор: Ajay Anant Ingle,Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Dynamically compensating for degradation of a non-volatile memory device

Номер патента: WO2016105795A1. Автор: FENG ZHU,Xin Guo,Krishna K. Parat,Pranav Kalavade,Iwen Chao,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-30.

Multi-bit memory device and on-chip buffered program method thereof

Номер патента: US09847122B2. Автор: Jae-hwa Lee,Wan-soo Choi,Sang-Wook Nam,Taec-Jun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: US20120106261A1. Автор: Vishal Sarin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A2. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Systems and methods for erasing a memory

Номер патента: WO2010056551A3. Автор: Vishal Sarin. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-22.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Program method of multi-bit memory device and data storage system using the same

Номер патента: US20110249496A1. Автор: Jun Jin Kong,Jaehong Kim,Hong Rak Son,Han Woong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Self-selecting memory device, memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240177771A1. Автор: Zhe Wu,Chungman Kim,Seunggeun Yu,Jabin LEE,Soyeon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

NAND-type resistive memory cell strings of a non-volatile memory device and methods of fabricating the same

Номер патента: KR101258268B1. Автор: 하대원,고관협. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-04-25.

Program method of a non-volatile memory device

Номер патента: KR101138101B1. Автор: 김용욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-04-24.

Configuration of a multilevel flash memory device

Номер патента: US8572361B2. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio,Angelo Bovino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Matrix-addressable apparatus with one or more memory devices

Номер патента: US20030099126A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220051724A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Multi-stage erase operation for a memory device

Номер патента: US20220351782A1. Автор: Shinji Sato,Foroozan S. Koushan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Signal development circuitry layouts in a memory device

Номер патента: US20240221806A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: EP2954415A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-16.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Reducing spin pumping induced damping of a free layer of a memory device

Номер патента: US09929211B2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Write verify programming of a memory device

Номер патента: US09679627B2. Автор: THOMAS Andre,Jon Slaughter,Syed M. Alam,Dimitri Houssameddine,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

System and method for determining the logic state of a memory cell in a magnetic tunnel junction memory device

Номер патента: US6999334B2. Автор: Frederick A. Perner,Anthony Holden. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-14.

Memory device

Номер патента: US20200302989A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Using non-segregated cells as drain-side select gates for sub-blocks in a memory device

Номер патента: US12080351B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device

Номер патента: US11074954B2. Автор: Kosuke Hatsuda,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and memory system

Номер патента: US20240347091A1. Автор: Lui Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Compute-in-memory device and method

Номер патента: US12063786B2. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Power reduction for a sensing operation of a memory cell

Номер патента: US09990977B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: US20230402108A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Memory device heating in cold environments

Номер патента: US20240170029A1. Автор: Poorna Kale,Christopher Joseph Bueb,Aravind Ramamoorthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Clock generation for timing communications with ranks of memory devices

Номер патента: US12066958B2. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-20.

Modified Distribution of Memory Device States

Номер патента: US20230021663A1. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Non-volatile memory read/write disturb monitoring

Номер патента: US09711234B1. Автор: Richard H. Van Gaasbeck. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20160379718A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US09711233B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Adaptive temperature compensation for a memory device

Номер патента: US12131795B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device including the same

Номер патента: US20230307062A1. Автор: Changhwan Shin,Woojae Jang,Jinkyu Kang,Jaeduk LEE,Sejun Park,Raeyoung LEE,Soyeong GWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020024866A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020064076A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20020048188A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Voltage regulator and data path for a memory device

Номер патента: US20030012056A1. Автор: Brian Huber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Determining a location of a memory device in a solid state device

Номер патента: US9405679B2. Автор: Troy Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20160116938A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-04-28.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20210049118A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-02-18.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20170192912A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-06.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20190196992A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-06-27.

Clock Generation for Timing Communications with Ranks of Memory Devices

Номер патента: US20230359572A1. Автор: Jared L. Zerbe,John Eble,Ian P. Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20240028246A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US20210405910A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: WO2020240226A8. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory devices with backside heater structure

Номер патента: US20240055062A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Non-volatile memory devices and program methods thereof

Номер патента: US20210020256A1. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Wandong Kim,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Memory device and method for monitoring the performances of a memory device

Номер патента: US11782633B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Improved safety and correctness data reading and programming in a non-volatile memory device

Номер патента: US20210407608A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for accessing a memory array

Номер патента: US6111775A. Автор: Scott Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20170287567A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for reducing a reset current for resetting a portion of a phase change material in a memory cell of a phase change memory device and the phase change memory device

Номер патента: US20100015785A1. Автор: Ji-Hye Yi,Beak-Hyung Cho,Chang-Wook Jeong,Jun-Hyok Kong. Владелец: Jun-Hyok Kong. Дата публикации: 2010-01-21.

Adaptive temperature compensation for a memory device

Номер патента: US20230395099A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor CMOS Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20200119023A1. Автор: David Liu,Ben Sheen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-16.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240233831A1. Автор: ByungKyu Cho,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

CIRCUIT AND METHOD FOR READING A MEMORY CELL OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180130538A1. Автор: Polizzi Salvatore,Campardo Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Circuit and Method for Reading a Memory Cell of a Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20170263323A1. Автор: Polizzi Salvatore,Campardo Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Repair module for memory, repair device using the same and method thereof

Номер патента: US20090292946A1. Автор: Yaw-Guang Chang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-11-26.

Circuit and method for reading a memory cell of a non-volatile memory device

Номер патента: EP3217405B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Technique and apparatus for performing write operations to a phase change material memory device

Номер патента: US20030081451A1. Автор: Tyler Lowrey,Ward Parkinson,Manzur Gill. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Floating gate memory device with increased coupling coefficient

Номер патента: WO2008147542A1. Автор: Fredrick B. Jenne. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and memory module using the same

Номер патента: US5818792A. Автор: Toshio Sasaki,Shigeru Suzuki,Kiyoshi Inoue,Masakazu Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Masashi Horiguchi,Toshio Sugano,Seiichiro Tsukui. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

High-density phase change cell array and phase change memory device having the same

Номер патента: US7136299B2. Автор: Jung Ho Kim,Eu Gene Chu,Ju Ho Mo,Seong Taek Park,Hyun Yong Lim,Pyeong Han Lee,Ja Choon Jeong. Владелец: BeyondMicro Inc. Дата публикации: 2006-11-14.

All graphene flash memory device

Номер патента: US8772853B2. Автор: Ji-Young Kim,Kang-Lung Wang,Augustin J. HONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-07-08.

Adjusting target values of resistive memory devices

Номер патента: US20180218771A1. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Le Zheng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-08-02.

Systems and methods for self convergence during erase of a non-volatile memory device

Номер патента: TW200901207A. Автор: Cheng-Ming Yih,Chu-Ching Wu,Huei-Huarng Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Molecular battery memory device and data processing system using the same

Номер патента: US20080232155A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Apparatus and method for programming and verifying data in non-volatile memory device

Номер патента: US11894076B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US20210104532A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yue Qiang PU,Jin Wen DONG,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US20210118896A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yue Qiang PU,Jin Wen DONG,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device and forming method thereof

Номер патента: US20210098481A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yue Qiang PU,Jin Wen DONG,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory Device and Forming Method Thereof

Номер патента: US20190326308A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yue Qiang PU,Jin Wen DONG,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Nonvolatile memory device including selection transistors and operating method thereof

Номер патента: US20240120008A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Multi-tier memory device with through-stack peripheral contact via structures and method of making thereof

Номер патента: US10269620B2. Автор: Zhenyu Lu,Hiroyuki Ogawa,Daxin Mao,Johann Alsmeier,Sung Tae Lee,Yao-Sheng Lee,Jixin Yu,Kensuke Yamaguchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-04-23.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Data output controller in semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20060203577A1. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Three-dimensional memory device with depletion region position control and method of erasing same using gate induced leakage

Номер патента: WO2021194538A1. Автор: Shinsuke YADA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-30.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

READ PERFORMANCE OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, IN PARTICULAR A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH BURIED SELECTION TRANSISTOR

Номер патента: US20170278577A1. Автор: La Rosa Francesco,Regnier Arnaud,NIEL Stephan. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-28.

Unit cell of a non-volatile memory device, a non-volatile memory device and method thereof

Номер патента: US7551491B2. Автор: Won-joo Kim,Jae-woong Hyun,Yoon-dong Park,Suk-pil Kim,June-mo Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-23.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND PROGRAM METHOD OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210335431A1. Автор: KIM Dong-chan,Lee Bong-Yong,AHN Su-Jin,CHOI CHANG-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Virtual boundary codes in a data image of a read-write memory device

Номер патента: CN104885052A. Автор: A·库马尔,D·P·阿里,B·巴布,T·N·埃拉拉. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Reading method of a nand-type memory device and NAND-type memory device

Номер патента: EP1746605B1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Chiara Missiroli. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-11.

AUTOMATIC DECODING METHOD FOR MAPPING AND SELECTION OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH A COMMON SERIAL INTERFACE

Номер патента: ITMI20021583A1. Автор: Paolino Schillaci,Salvatore Poli,Malfa Antonino La. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2004-01-19.

Non-volatile memory device and program method of a non-volatile memory device

Номер патента: US11217318B2. Автор: Bong-Yong Lee,Dong-Chan Kim,Su-Jin Ahn,Chang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

METHOD AND DEVICE FOR SECURING DATA CONTENT OF A NON-VOLATIL MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2809201A1. Автор: Chien Tzu Hou. Владелец: Chien Tzu Hou. Дата публикации: 2001-11-23.

Method of charging a floating gate of a stacked gate memory device

Номер патента: JP3660541B2. Автор: デビン ブーデ ジェフリー,マストラパスクア マルコ. Владелец: ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド. Дата публикации: 2005-06-15.

Method for communicating with a serial interconnection of a plurality of memory devices connected in-series and memory system

Номер патента: TWI479312B. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Man Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Non-volatile memory device and method for writing data to memory cells of a non-volatile memory device

Номер патента: TWI379301B. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-11.

MANUFACTURING METHOD OF A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210126011A1. Автор: KITO Masaru,Aochi Hideaki,SATO Mitsuru,KIDOH Masaru,FUKUZUMI Yoshiaki,KATSUMATA Ryota,Tanaka Hiroyasu,NITAYAMA Akihiro,Matsuoka Yasuyuki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-04-29.

MANUFACTURING METHOD OF A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210126012A1. Автор: KITO Masaru,Aochi Hideaki,SATO Mitsuru,KIDOH Masaru,FUKUZUMI Yoshiaki,KATSUMATA Ryota,Tanaka Hiroyasu,NITAYAMA Akihiro,Matsuoka Yasuyuki. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-04-29.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US20170117051A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-27.

DYNAMICALLY COMPENSATING FOR DEGRADATION OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160180958A1. Автор: GUO XIN,Parat Krishna K.,Zhu Feng,Kalavade Pranav,Chao Iwen,Raghunathan Shyam Sunder. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD OF READING PAGE DATA OF A NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150193157A1. Автор: Hwang Sun-Mo. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-09.

NEGATIVE VOLTAGE MANAGEMENT MODULE FOR AN ADDRESS DECODER CIRCUIT OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170213580A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,Castagna Giuseppe,DISEGNI Fabio Enrico Carlo. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

METHOD AND APPARATUS FOR IMPROVING DATA RETENTION AND READ-PERFORMANCE OF A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160307636A1. Автор: Lee Ya Jui,Chen Kuan Fu. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Method and System for Dynamic Word Line Based Configuration of a Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20150347229A1. Автор: Olbrich Aaron K.,Ellis Robert W.,Sprouse Steven,Higgins James M.,Kankani Navneeth,Darragh Neil R.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Operating method of a non volatile memory device

Номер патента: KR102397394B1. Автор: 이주광. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-12.

Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device

Номер патента: US9898364B2. Автор: Robert W. Ellis,Steven Sprouse,Navneeth Kankani,James M. Higgins,Neil R. Darragh,Aaron K. Olbrich. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Programming method of a non volatile memory device

Номер патента: KR102502234B1. Автор: 유창연,한욱기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-02-21.

Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device

Номер патента: KR101995624B1. Автор: 로버트 더블유. 엘리스,제임스 엠. 히긴스,네일 알. 다라,아론 케이. 올브리치,나브니스 칸카니,스티븐 스프라우스. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2019-07-02.

Erasing methods of a non-volatile memory device including discrete charge trap sites

Номер патента: KR100513309B1. Автор: 이내인,김기철,배금종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Method and system for dynamic word line based configuration of a three-dimensional memory device

Номер патента: KR20170012462A. Автор: 로버트 더블유. 엘리스,제임스 엠. 히긴스,네일 알. 다라,아론 케이. 올브리치,나브니스 칸카니,스티븐 스프라우스. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2017-02-02.

Progressive power control of a multi-port memory device

Номер патента: US7908501B2. Автор: Sungjoon Kim,Edward Kim,Dongyun Lee. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2011-03-15.

Memory bus output driver of a multi-bank memory device and method thereof

Номер патента: CN101529520B. Автор: 阿贾伊·阿南塔·英格尔,林任从. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-03.

Memory bus output driver of a multi-bank memory device and method therefor

Номер патента: WO2008055099A3. Автор: Ajay Anant Ingle,Jentsung Lin. Владелец: Jentsung Lin. Дата публикации: 2008-12-04.

Manufacturing method of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11362106B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Method for programming phase-change memory array to set state and circuit of a phase-change memory device

Номер патента: CN1697082A. Автор: 郭忠根,金杜应,赵栢衡,崔炳吉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-16.

Progressive power control of a multi-port memory device

Номер патента: EP2135249A4. Автор: Sungjoon Kim,Edward Kim,Dongyun Lee. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2010-08-18.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: WO2023028166A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-02.

Managing write disturb based on identification of frequently-written memory units

Номер патента: US20240069815A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Managing write disturb based on identification of frequently-written memory units

Номер патента: US11853617B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Managing write disturb based on identification of frequently- written memory units

Номер патента: WO2023038867A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles Kwong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-16.

Eliminating write disturb for system metadata in a memory sub-system

Номер патента: US11790998B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US09847135B2. Автор: Hitoshi Iwai,Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device repair method and system

Номер патента: EP4084005A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Delay elements for command timing in a memory device

Номер патента: US20240320169A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and read operation during suspension of program operation thereof

Номер патента: US12087366B2. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of operating semiconductor memory devices with selective write-back of data for error scrubbing and related devices

Номер патента: US09990163B2. Автор: Uk-Song KANG,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Read leveling method and memory device using the same

Номер патента: US09760478B2. Автор: Yu-Ming Chang,Ping-Hsien Lin,Wei-Chieh Huang,Tzu-Hsiang Su,Tai-Chun Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12073910B2. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20240371417A1. Автор: Taeyoung Oh,Jongcheol Kim,Kyungsoo Ha,Hohyun Shin,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Managing compensation for cell-to-cell coupling and lateral migration in memory devices using segmentation

Номер патента: US12087374B2. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Managing dielectric stress of a memory device using controlled ramping slopes

Номер патента: US12141445B2. Автор: Sheyang NING,Lawrence Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09740407B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Clock mode determination in a memory system

Номер патента: US09552889B2. Автор: Peter B. Gillingham,Graham Allan. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: EP3857550A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-04.

Direct data transfer in memory and between devices of a memory module

Номер патента: WO2020068365A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices with drain select gate cut and methods for forming and operating the same

Номер патента: US12058857B2. Автор: Lichuan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked memory device system interconnect directory-based cache coherence methodology

Номер патента: US11741012B2. Автор: RICHARD C MURPHY,John Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Skipping pages for weak wordlines of a memory device during pre-programming

Номер патента: US12080376B2. Автор: Ting Luo,Cheng Cheng Ang,Chun Lei Kong,Aik Boon Edmund Yap. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus, memory controller, memory device, memory system, and method for clock switching and low power consumption

Номер патента: US12100475B2. Автор: Hyungjin Kim,Jungsik Park,Soongmann Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and method with backup energy reservoir to write in-flight data in non-volatile memory

Номер патента: US09977478B1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Page migration in a hybrid memory device

Номер патента: US09910605B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory controller and memory system performing write disturbance management

Номер патента: US20240361916A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory controller and memory system performing write disturbance management

Номер патента: WO2024227267A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12020753B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US12040020B2. Автор: Minseok Kim,Kwangho Choi,Joonsuc Jang,Jun-Yong Park,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Low power memory device

Номер патента: US20150279435A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Reduced-voltage operation of a memory device

Номер патента: US20220415410A1. Автор: Vipul Patel,Ezra E. Hartz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4177895A1. Автор: Sangwon Park,ChaeHoon KIM,Jiho Cho,Sanggi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device with write disturb reduction

Номер патента: US12073886B2. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Multilevel Resistive Memory device and its writing erasing method

Номер патента: EP1557841A3. Автор: Katsuhisa Sony Corporation ARATANI,Tomohito Sony Corporation Tsushima,Akira Sony Corporation Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Memory device with modular design and memory system comprising the same

Номер патента: US12080369B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

System and method for providing client-side address translation in a memory management system

Номер патента: WO2015085247A1. Автор: Pavan Kumar,Azzedine Touzni,Olav Haugan,Tarek Zghal,Satyaki MUKHERJEE,Victor K. Wong,Thomas M. Zeng,Tzung Ren TZENG,Pawan Chhabra,Stephen A. Molloy,Zhurang Zhao,Abhirami SENTHILKUMARAN,Jean-louis O. TARDIEUX,Ajay UPADHYAYA,Subrahmanyam MOOLA,Jaydeep R. CHOKSHI,Vipul C. GANDHI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-11.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Programming delay scheme for in a memory sub-system based on memory reliability

Номер патента: US20240304256A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Modular memory devices

Номер патента: US12127361B2. Автор: Christopher Cox,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Zheng QIU,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Electronics Shanghai Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device for processing operation, data processing system including the same, and method of operating the memory device

Номер патента: US12106107B2. Автор: Hak-soo Yu,Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Topology-based retirement in a memory system

Номер патента: US20240290411A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He,Chun S. Yeung. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and method of operating the memory device including detrapping operations during programming

Номер патента: US12068033B2. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Temperature exception tracking in a temperature log for a memory system

Номер патента: US20240369416A1. Автор: David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09953712B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Unusable column mapping in flash memory devices

Номер патента: US09952775B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Hyungseok Kim,June Lee,Chenrong Xiong,Jaesung SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating synapse memory device

Номер патента: US09773802B2. Автор: XIANYU Wenxu,Seong Ho Cho,Hojung Kim,Inkyeong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09773560B2. Автор: Jong-Chul Park,Seung-Bum Kim,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Throttling memory in response to an internal temperature of a memory device

Номер патента: US09746383B2. Автор: Jun Shi,Animesh Mishra,Pochang Hsu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device, memory system, and method of controlling read voltage of the memory device

Номер патента: US09685206B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device and method of setting a reference current in a nonvolatile memory device

Номер патента: US09595340B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Hsu-Shun Chen,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20230015202A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080117659A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US12040008B2. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: WO2007035259A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor memory device comprising one or more injecting bilayer electrodes

Номер патента: EP1949383A1. Автор: Aaron Mandell,Igor Sokolik,Richard P. Kingsborough. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-07-30.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Data retention in memory devices

Номер патента: US20220137842A1. Автор: Shuo-Nan Hung,E-Yuan Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

ECC buffer reduction in a memory device

Номер патента: US12040033B2. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Temperature-dependent operations in a memory device

Номер патента: US20220293184A1. Автор: Giuseppina Puzzilli,Pitamber Shukla,Priya Venkataraman,Scott A. Stoller,Niccolo' Righetti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20100271876A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device with memory cell having charge accumulation layer and control gate and memory system

Номер патента: US20090010057A1. Автор: Tomoji Takada,Hidetaka Tsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory devices, memory systems and methods of operating memory devices

Номер патента: US20200211671A1. Автор: Yong-Jun Lee,Tae-Hui Na,Chea-Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Memory devices and operations thereof using program state determination based on data value distribution

Номер патента: US20100315876A1. Автор: Kitae Park,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: US20240282383A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US9678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US12067290B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Techniques for reading memory cells in a memory device during a multi-pass programming operation

Номер патента: US12057169B2. Автор: Huiwen Xu,Jun Wan,Zhenni Wan,Bo Lei,Nidhi AGRAWAL. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US12068037B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device including string select transistors having different threshold voltages and method of operating the memory device

Номер патента: EP4421808A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and apparatus for connecting memory dies to form a memory system

Номер патента: US20130193582A1. Автор: Byoung Jin Choi. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296893A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Decoding for a memory device

Номер патента: US20220189549A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory controller performing selective and parallel error correction, system including the same and operating method of memory device

Номер патента: US12079080B2. Автор: Jeongho Lee,Heehyun Nam,Younho Jeon,Hyeokjun Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device

Номер патента: US11762767B2. Автор: Ashutosh Malshe,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Giuseppina Puzzilli,Tecla Ghilardi,Vamsi Pavan Rayaprolu,James Fitzpatrick,Shyam Sunder Raghunathan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20210391024A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US20220189565A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory device for outputting test results

Номер патента: US20230178169A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Ecc buffer reduction in a memory device

Номер патента: US20230238074A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and system having a variable depth write buffer and preload method

Номер патента: US20040066673A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for determining status of a fuse element

Номер патента: US20230215507A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Defective memory block identification in a memory device

Номер патента: US20100017665A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory device

Номер патента: EP4160600A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-05.

Copyback clear command for performing a scan and read in a memory device

Номер патента: US12105961B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Controlling pillar voltage using wordline boost voltage and select gate leakage during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240339158A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Fulvio Rori,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Albert Fayrushin,Jeffrey S. McNeil,Justin Bates,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US20240329852A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of equalizing bit error rates of memory device

Номер патента: US12105585B2. Автор: Young-Sik Kim,Moo-Sung Kim,Jeong-Ho Lee,Yong-Jun Lee,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for programming a non-volatile memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US09966132B2. Автор: Il Han Park,Hyun Kook PARK,Hye Jin Yim,Sung Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09941304B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory device, memory system, method of operating memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09916900B2. Автор: Yoon Kim,Dong-Chan Kim,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device performing post package repair (PPR) operation

Номер патента: US09870293B2. Автор: Yoo-Jung Lee,Seong-Jin Lee,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240373640A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09851912B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

On-die cross-temperature management for a memory device

Номер патента: US20240370206A1. Автор: Jung Sheng Hoei,Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Akira Goda,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device with combined non-volatile memory (NVM) and volatile memory

Номер патента: US09823874B2. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Single-semiconductor-layer channel in a memory opening for a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US09799669B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device, memory system and method of operating memory device

Номер патента: US09799404B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Sang-Wan Nam,Chi-Weon Yoon,Doo-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09772803B2. Автор: So-Young Kim,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device and read method of memory device

Номер патента: US09741440B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device including multiple select gates and different bias conditions

Номер патента: US09728266B1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Changhyun LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory devices and methods of operating the memory devices by programming normal cells after programming a first dummy cell

Номер патента: US09721664B2. Автор: Sang-Wan Nam,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus, method and system for memory device access with a multi-cycle command

Номер патента: US09721641B2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Provision of structural integrity in memory device

Номер патента: US09608202B1. Автор: Michael J. Bernhardt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Content addressable memory device

Номер патента: US8400803B2. Автор: Mihoko Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Memory device

Номер патента: US20240144986A1. Автор: Kazuma Tamura,Takeharu Imai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180301190A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180130529A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10217514B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10020055B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10658038B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Bitline voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203502A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Pass voltage adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203513A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Program verify level adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203503A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Sensing time adjustment for program operation in a memory device

Номер патента: US20240203504A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for performing data access performance shaping of memory device

Номер патента: US20230315337A1. Автор: Cheng Yi,Kaihong Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020031043A1. Автор: Takayuki Harima,Takahiro Tsuruto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Low power memory device with column and row line switches for specific memory cells

Номер патента: US20180233182A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices supporting enhanced gate-induced drain leakage (gidl) erase operation

Номер патента: US20240194269A1. Автор: Sang Soo Park,Yohan Lee,Jin-Young Chun,Byungsoo Kim,Bongsoon LIM,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US20240118806A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Read techniques to reduce read errors in a memory device

Номер патента: US11972806B2. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Temperature dependent programming techniques in a memory device

Номер патента: US12046306B2. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device with high content density

Номер патента: US20230282292A1. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Threshold voltage bin calibration at memory device power up

Номер патента: US11922041B2. Автор: Steven Michael Kientz,Chia-Yu Kuo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20200110708A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: EP3633516A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20220188236A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240257851A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Devices and methods for preventing errors and detecting faults within a memory device

Номер патента: US11769567B2. Автор: Jehoda Refaeli,Glenn Charles Abeln,Jorge Arturo Corso Sarmiento. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device in which redundancy (RD) of adjacent column is automatically repaired

Номер патента: US7643362B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Non-volatile memory device, in particular phase change memory, and reading method

Номер патента: US20190341103A1. Автор: Giovanni Campardo,Paola Zuliani,Roberto Annunziata. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-11-07.

Serial interface for an active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: WO2023038864A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chulbum Kim,Dustin J. Carter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-16.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20190115532A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180069177A1. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10573810B2. Автор: Yoshiaki Nakao,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-25.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Adaptive error avoidance in the memory devices

Номер патента: US12073905B2. Автор: Michael G. Miller,Yu-Chung Lien,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Accelerating configuration updates for memory devices

Номер патента: US20240257887A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Michael G. Miller,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga,Christopher M. Smitchger,Tawalin Opastrakoon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Ganged single level cell verify in a memory device

Номер патента: US12073895B2. Автор: Eric N. Lee,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device deserializer circuit with a reduced form factor

Номер патента: US12073918B2. Автор: Guan Wang,Luigi Pilolli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Phase change memory device and control method

Номер патента: EP2291846A1. Автор: Ludovic Goux. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-09.

Memory device with high content density

Номер патента: US12057179B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device

Номер патента: US20220399045A1. Автор: Seung Moon Yoo,Min Chul JUNG,Young Seung KIM. Владелец: Metacni Co ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Managing sub-block erase operations in a memory sub-system

Номер патента: US11749353B2. Автор: Yunfei Xu,Hong-yan Chen,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Kalyan Chakravarthy Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Short program verify recovery with reduced programming disturbance in a memory sub-system

Номер патента: US11749359B2. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4407620A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device including volatile memory, nonvolatile memory and controller

Номер патента: US20190287608A1. Автор: Yu Nakanishi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

In-line programming adjustment of a memory cell in a memory sub-system

Номер патента: US20240290389A1. Автор: Zhengyi Zhang,Tomoko Ogura Iwasaki,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Access schemes for access line faults in a memory device

Номер патента: US20200051659A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200321523A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-08.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: EP4412439A2. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: EP4184512A1. Автор: Sangwan Nam,Bongsoon LIM,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Apparatus and methods for testing memory devices

Номер патента: US20070168778A1. Автор: Sathya Kaginele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210118479A1. Автор: Won Jae Choi,Gwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240274197A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device, operation method of a nonvolatile memory device, and operation method of a controller

Номер патента: US20230410900A1. Автор: Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20230170020A1. Автор: Jeong Hwan Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Packaged integrated device with memory buffer integrated circuit die and memory devices on module substrate

Номер патента: US12087681B2. Автор: Ming Li,Shahram Nikoukary,Jonghyun CHO,Nitin Juneja. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: EP4412439A3. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Swapnil A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Generation of quick pass write biases in a memory device

Номер патента: US20240304251A1. Автор: Xiang Yang,Abhijith Prakash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Memory device for performing in-memory processing

Номер патента: US12099839B2. Автор: Seongil O,Yuhwan Ro,Shinhaeng KANG,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US12086414B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Creating segmented source plates for sub-block definition in a memory device

Номер патента: US20240315028A1. Автор: Matthew King,Aaron S. Yip,Paolo Tessariol,Giovanni Mazzone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Serial interface for an active input/output expander of a memory sub-system

Номер патента: US12130755B2. Автор: Suresh Rajgopal,Chulbum Kim,Dustin J. Carter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device, memory system, and method of operating

Номер патента: EP4449417A1. Автор: Ke Liang,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US20240312494A1. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

Row decoder for a non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US09966145B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device that performs sensing operation during a bit line pre-charge operation to determine adjustment to the bit line charging voltage

Номер патента: US09941013B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Health monitoring for head of a heat-assisted magnetic recording device using a writer-reader offset

Номер патента: US09741378B1. Автор: Won Choul Yang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-08-22.

METHOD FOR ATTACHING A MAGNETIC HEAD UNIT TO A MOBILE CARRIER OF A MAGNETIC DISK MEMORY DEVICE, AND A MOBILE HOLDER CARRIED OUT ACCORDING TO SAID METHOD

Номер патента: FR2503913A1. Автор: Oelke Van De Bult. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1982-10-15.

METHOD FOR FIXING A MAGNETIC HEAD UNIT ON A MOBILE MEDIUM OF A MAGNETIC DISC MEMORY DEVICE, AS WELL AS A MOBILE MEDIUM REALIZED BY THIS METHOD

Номер патента: FR2503913B1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-06-14.

Method of optimizing the write power for recording marks in an information layer of a record carrier and recording device using such an optimizing method

Номер патента: US20100238776A1. Автор: Benno Tieke,Fulong Tang. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2010-09-23.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: EP4399595A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230074538A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US11994945B2. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Managing write disturb for units of memory in a memory sub-system

Номер патента: US20230244566A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenming Zhou,Charles See Yeung Kwong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Maintaining data structures in a memory subsystem comprised of a plurality of memory devices

Номер патента: US20210208792A1. Автор: Lokesh Mohan Gupta,Matthew G. Borlick,Beth Ann Peterson,Matthew Richard Craig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for automatic execution of a joint function and a device using it

Номер патента: RU2718564C2. Автор: Сеунг-Донг Ю,Воо-Йонг ЧАНГ,Се-Дзун ПАРК,Мин-Дзеонг МООН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-08.

Systems and methods for authenticating a user of a computer application, network, or device using a wireless device

Номер патента: EP2281386A1. Автор: Randall A. Snyder,Charles L. Dennis,Patrick J. Boyle. Владелец: Finsphere Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for adjusting furnace temperature of a reflow oven, and electronic device using the same

Номер патента: US20220155805A1. Автор: Min Chen,Yi-Ching Chen,Zi-Qing Xia,Ou-Yang Li,Yi-Kun Wang,Su-Ru Chen. Владелец: Hongfujin Precision Electronics Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory device to offload processing from an advanced driver assistance system

Номер патента: US20240012757A1. Автор: Shiva PAHWA,Sathyashankara Bhat Muguli,Abhilash Nag,Ravi Kiran Gummaluri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Making trade-offs between rebuild scanning and failing memory device flexibility

Номер патента: US20180336101A1. Автор: Jason K. Resch,Wesley B. Leggette,Thomas D. Cocagne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Adhesive sheet, display device using same, and adhesive layer-forming composition for use in production of adhesive film

Номер патента: EP4279558A1. Автор: Keisuke Ogata,Koichi Minato,Yoshiko Ishimaru,Rui Inoue,Yuri YOKOYAMA. Владелец: Toppan Tomoegawa Optical Films Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Optical film, display device using same, and ultraviolet absorbing layer forming composition used for manufacturing optical film

Номер патента: EP4279266A1. Автор: Keisuke Ogata,Koichi Minato,Yoshiko Ishimaru,Rui Inoue,Yuri YOKOYAMA. Владелец: Toppan Tomoegawa Optical Films Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

MAINTAINING DATA STRUCTURES IN A MEMORY SUBSYSTEM COMPRISED OF A PLURALITY OF MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210208792A1. Автор: GUPTA Lokesh Mohan,Borlick Matthew G.,Peterson Beth Ann,CRAIG Matthew Richard. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Method for managing the shared area of a multi-port memory device to raise read operation speed of a memory link architecture and computer readable recording medium storing the program for the method

Номер патента: KR101039397B1. Автор: 양정웅. Владелец: (주)다윈텍. Дата публикации: 2011-06-07.

Method and apparatus for calibrating result from test device using a reagent

Номер патента: EP2287590A3. Автор: Sung Hwa Lee,Hyug Rae CHO,Jong Rip LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-14.

Control of solid state memory device temperature using queue depth management

Номер патента: US9501069B2. Автор: Xiaojin Wei,Craig A. Bickelman,Edward W. Chencinski,Seth R. Greenspan,M. Dean Sciacca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: KR20220049230A. Автор: 김정애,김지열. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-04-21.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Adhesive sheet, display device using the same, composition for forming adhesive layer used for production of adhesive film

Номер патента: US20230357603A1. Автор: Keisuke Ogata,Koichi Minato,Yoshiko Ishimaru,Rui Inoue,Yuri YOKOYAMA. Владелец: Toppan Tomoegawa Optical Films Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Optical film, display device using the same, composition for forming ultraviolet absorbing layer used for producing optical film

Номер патента: US20230367051A1. Автор: Keisuke Ogata,Koichi Minato,Yoshiko Ishimaru,Rui Inoue,Yuri YOKOYAMA. Владелец: Toppan Tomoegawa Optical Films Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Signal processing method for display panel and device using same

Номер патента: US20210166596A1. Автор: Dan Cao,Mingjong Jou,Fengcheng XU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of determining absolute horizontal orientation of a moving and operating camera device

Номер патента: WO2018210847A1. Автор: Alexander Petrus Hendricus Franciscus VAN DER SLUIJS. Владелец: Twnkls B.V.. Дата публикации: 2018-11-22.

Storage of transformed units of data in a memory system having fixed sized storage blocks

Номер патента: EP1938195B1. Автор: Alan W. Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-08-29.

Instant film pack and devices using same

Номер патента: EP3582001A1. Автор: Yuki Nakai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-12-18.

Method for optimizing output result of spectrometer and electronic device using the same

Номер патента: US20220163387A1. Автор: Feng Wang,Yen-Chun Huang,Kui-Ting Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for supporting reading of fundus image of subject, and device using same

Номер патента: US11771318B2. Автор: Hyun-Jun Kim,Sang Jun Park,Kyuhwan JUNG,Joo Young Shin,Jae Min SON,Sang Keun KIM. Владелец: Vuno Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Apparatus and method of detecting potential security violations of direct access non-volatile memory device

Номер патента: US20200327258A1. Автор: Ariel Navon,Shay Benisty,Alon Marcu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US20190163402A1. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US10725703B2. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Method and System for Providing Password-free, Hardware-rooted, ASIC-based Authentication of a Human to a Mobile Device using Biometrics with a Protected, Local Template to Release Trusted Credentials to Relying Parties

Номер патента: US20140365782A1. Автор: Beatson Rodney,Kelty Mark A.,Beatson Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Method for diagnosing the operational state of a variable valve actuation (vva) device using a knock signal

Номер патента: US20090048729A1. Автор: James P. Waters,Jon C. Darrow,Timothy W. Kunz,Peter M. Olin. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Method for detecting object on an operation interface of a touchable device and touchable device using the same

Номер патента: US20120212452A1. Автор: Chih-Yen Wu,Yao-Hsuan Lin. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD FOR HOMOGENIZING THE HEIGHT OF A PLURALITY OF WIRES AND DEVICE USING SUCH WIRES

Номер патента: US20180002169A1. Автор: Eymery Joël,EL KACIMI Amine. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

VIRTUAL BOUNDARY CODES IN A DATA IMAGE OF A READ-WRITE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140173179A1. Автор: Babu Benish,Ali Dhamim Packer,Ellala Taara Nandakishore,Raheja Ashwani. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-19.

VIRTUAL BOUNDARY CODES IN A DATA IMAGE OF A READ-WRITE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140173187A1. Автор: SHRIVASTAVA ASHUTOSH,KIMBERLY WILLIAM EDWARD,Patrick Richard,Ali Dhamim Packer,Ellala Taara Nandakishore,Choukse Esha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-19.

Back light unit of display device and liquid crystal display device using it

Номер патента: CN1277145C. Автор: 俞壮镇,禹宗勋. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-27.

Method of detecting the width of a coated film and detection device used in said detection method

Номер патента: KR101387840B1. Автор: 아끼오 미나꾸찌. Владелец: 도요타지도샤가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-04-22.

Method of detecting the width of a coated film and detection device used in said detection method

Номер патента: WO2010082335A1. Автор: 水口　暁夫. Владелец: トヨタ自動車株式会社. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for determining the remaining capacity of a lead acid battery and device using this method

Номер патента: EP0391106A1. Автор: Hennig Dipl.-Ing. Kröger. Владелец: Jungheinrich AG. Дата публикации: 1990-10-10.

System for measuring the dynamic spectral characteristics of a medium and thermal stabilization device used in said system

Номер патента: WO2012138259A2. Автор: Илья Тониевич Розин,Олег Александрович Котляревский. Владелец: Kotlyarevskiy Oleg Aleksandrovich. Дата публикации: 2012-10-11.

PROCESS FOR PROCESSING THE PRESSURE MEASUREMENT IN THE FIRE CHAMBER OF A PULSE SEISMIC SOURCE AND DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2762398B1. Автор: Alain Bernard Georges Regnault. Владелец: CGG SERVICES SAS. Дата публикации: 1999-07-02.

Staircase structures for electrically connecting multiple horizontal conductive layers of a 3-dimensional memory device

Номер патента: EP3853891A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-28.

Staircase structures for electrically connecting multiple horizontal conductive layers of a 3-dimensional memory device

Номер патента: US12096630B2. Автор: Raul Adrian Cernea,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing a narrowed sidewall spacer in a peripheral circuit of a ULSI semiconductor memory device

Номер патента: US5296399A. Автор: Young-woo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-03-22.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

System, apparatus and method for secure coordination of a rendezvous point for distributed devices using entropy multiplexing

Номер патента: US09876768B2. Автор: Ned M. Smith,Mats G. Agerstam,Narasimham Gadiraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Fabrication method of a lateral 3d memory device

Номер патента: US20240074141A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Scott E. Sills,David K. Hwang,Si-Woo Lee,Yuanzhi MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory cell structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: US12063780B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Zhong Zhang,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Jin Wen DONG,Ji XIA,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for authenticating a user of a computer application, network, or device using a wireless device

Номер патента: US09801063B2. Автор: Randall A. Snyder,Charles L. Dennis,Patrick J. Boyle. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2017-10-24.

System, Apparatus and Method for Secure Coordination of a Rendezvous Point for Distributed Devices Using Entropy Multiplexing

Номер патента: US20160366106A1. Автор: Ned M. Smith,Mats G. Agerstam,Narasimham Gadiraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Systems and methods for authenticating a user of a computer application, network, or device using a wireless device

Номер патента: US10440572B2. Автор: Randall A. Snyder,Charles L. Dennis,Patrick J. Boyle. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2019-10-08.

Method of outputting a signal using an antenna disposed adjacent to a conductive member of a connector and an electronic device using the same

Номер патента: EP4255041A3. Автор: Sung-Chul Park,Gun PARK,Sang-Ho Hong,Yong-Woog SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of outputting a signal using an antenna disposed adjacent to a conductive member of a connector and an electronic device using the same

Номер патента: EP4255041A2. Автор: Sung-Chul Park,Gun PARK,Sang-Ho Hong,Yong-Woog SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Method of secure management of a memory space for microcontroller

Номер патента: US09703727B2. Автор: Pascal Chapier,Patrice Jaraudias. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Managing write command execution during a power failure in a memory sub-system

Номер патента: US20240319873A1. Автор: Yoav Weinberg,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Identification and tolerance of host errors related to command protocols in non-volatile memory devices

Номер патента: US20230305745A1. Автор: Neil Buxton,Steve Wells,Nigel Horspool. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Managing retention latency for memory devices of vehicle systems

Номер патента: US20240231695A1. Автор: Lei Pan,Minjian Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4394605A1. Автор: Taeyoung Oh,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Management of write modes of a filesystem

Номер патента: US20210191663A1. Автор: Jeong Goo Lee,Smitha Jayaram,Anand Satish Phatak,Manoj Thankappan Varadamma,Nandesh Kumar Palanisamy,Matthew Bondurant. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2021-06-24.

Smart swapping and effective encoding of a double word in a memory sub-system

Номер патента: US20240134554A1. Автор: Meng Wei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

System and method for improving performance of read/write operations from a persistent memory device

Номер патента: US09792221B2. Автор: Thomas Richter,David Geier,Eivind Liland. Владелец: Swarm64 AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Managing garbage collection in a memory subsystem based on characteristics of data streams

Номер патента: US20210019255A1. Автор: William Akin,Shirish D. Bahirat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Associating a processing thread and memory section to a memory device

Номер патента: US20180373640A1. Автор: Andrew D. Baptist,Yogesh R. Vedpathak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Managing write removal for solid-state drives

Номер патента: US12099747B2. Автор: Gabriel Zvi BenHanokh,Orit Wasserman. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Resource allocation for a memory built-in self-test

Номер патента: US20240362134A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Managing garbage collection in a memory subsystem based on characteristics of data streams

Номер патента: US10891070B1. Автор: William Akin,Shirish D. Bahirat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Error evaluation for a memory system

Номер патента: US20230222032A1. Автор: Matthew D. Jenkinson,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Placement of instructions in a memory system

Номер патента: US20140130022A1. Автор: Tong Chen,John K. O'Brien,Zehra Sura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

A memory arrangement for multi-processor systems

Номер патента: EP1896983A2. Автор: Suk Jin Kim,Bingfeng Mei,Osman Allam. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-03-12.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Performance optimization for storing data in memory services configured on storage capacity of a data storage device

Номер патента: WO2024173399A1. Автор: Luca Bert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Efficient command fetching in a memory sub-system

Номер патента: US12131066B2. Автор: Eldhose Peter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Managing allocation of sub-blocks in a memory sub-system

Номер патента: US20240231641A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: EP4396688A1. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Contactless data transmission for memory devices

Номер патента: US20240211581A1. Автор: Felice COSENZA,Domenico Balzano,Graziano LEONE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Virtual management unit scheme for two-pass programming in a memory sub-system

Номер патента: WO2023034535A8. Автор: Johnny A. LAM,Daniel A. Boals,Byron D. Harris,Sanjay Subbarao,Samyukta Mudugal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-03-21.

Input Output Banks of a Programmable Logic Device

Номер патента: US20230140547A1. Автор: Arun Patel,Jeffrey Schulz,Terence Magee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

Adaptively performing media management operations on a memory device

Номер патента: US11709602B2. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Mikai Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Delivery of a message to a user of a portable data storage device as a condition of its use

Номер патента: WO2006078460A2. Автор: Jian Chen,Daniel C. Guterman,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-07-27.

Method and apparatus for enabling access to two contiguous addresses in units of a memory segment simultaneously

Номер патента: US5761693A. Автор: Myung-Sik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

Voting scheme in a memory page

Номер патента: US20240281322A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Read performance improvement using memory device latches

Номер патента: US20240264933A1. Автор: Amiya Banerjee,Jameer Mulani,Sriraman Sridharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Address translation metadata compression in memory devices

Номер патента: US20240264743A1. Автор: Scheheresade Virani,Brian Toronyi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Bad block mapping based on bad block distribution in a memory sub-system

Номер патента: US20240295977A1. Автор: Jiankun Li,Dahai Tian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method for saving and restoring data using nonvolatile memory

Номер патента: US09946610B2. Автор: Tadaaki Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Mapping a physical address differently to different memory devices in a group

Номер патента: US09934143B2. Автор: Kuljit S. Bains,John H. Crawford,Brian S. Morris,Suneeta Sah. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-tier health status in a memory device

Номер патента: US20240220110A1. Автор: LU Tong,Lawrence Celso Miranda,Ashish Ghai,Ekamdeep Singh,Lakshmi Kalpana Vakati,Sheng-Huang Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Performance control for a memory sub-system

Номер патента: US20240192866A1. Автор: Peng Xu,Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory operation method and memory device

Номер патента: US20240231640A9. Автор: Hsiang-Yu Huang,Po-Sheng Chou,Yan-Wen WANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Purging data from a memory device

Номер патента: WO2022115828A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-02.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Method and memory device for atomic processing of fused commands

Номер патента: US11762587B2. Автор: Yong Yang,Chun-Chu Chen-Jhy Archie Wu,Fnu VIKRAM SINGH,Syed KAISER,Daniel Lee HELMICK,Vasili ZHDANKIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Command batching for a memory sub-system

Номер патента: US20210278985A1. Автор: Ning Zhao,Yun Li,Scheheresade Virani,John Paul Traver,Tom Victor Maria Geukens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Adaptive error recovery when program status failure occurs in a memory device

Номер патента: US20240272983A1. Автор: Kyungjin Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Direct cache hit and transfer in a memory sub-system that programs sequentially

Номер патента: US20220269611A1. Автор: Johnny A. LAM,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Accessing data using error correction operation(s) to reduce latency at a memory sub-system

Номер патента: US20240296092A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Zixiang Loh,Thomas Herbert Lentz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Pre-load techniques for improved sequential memory access in a memory device

Номер патента: US20220300409A1. Автор: Bin Zhao,Xinghui DUAN,Jianxiong Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Power management in a memory device based on a host device configuration

Номер патента: US20240264753A1. Автор: Marco Redaelli,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Suspending operations of a memory system

Номер патента: US12105959B2. Автор: Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Purging data at a memory device

Номер патента: US20240330519A1. Автор: Jonathan S. Parry,Christian M. Gyllenskog. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory comprising memory controller configured to determine a logical address of a target zone system and method of operating the memory controller

Номер патента: US12124733B2. Автор: Bo Kyeong KIM,Yu Jung Lee,Do Hyeong LEE,Min Kyu Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: WO2024226631A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-31.

Dynamic zone group configuration at a memory sub-system

Номер патента: US12131041B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for performing mapping table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table analysis

Номер патента: US20240296126A1. Автор: Jie-Hao LEE,Chun-Ju Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Managed non-volatile memory device with data verification

Номер патента: US20240354005A1. Автор: Marco Redaelli,Daniela Ruggeri,Francesco Lupo,Fabrizio Fiorenza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Compact memory device

Номер патента: US09645617B2. Автор: Renae Martinez,Anthony J. Zychal,Meredith L. Chow. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

System and method for unlocking additional functions of a module

Номер патента: US09575908B2. Автор: Riccardo Badalone,Michael L. Takefman,Maher Amer. Владелец: Diablo Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Device for automated assessment of feasibility of a combat mission of a group of missile systems

Номер патента: RU2691268C1. Автор: Владимир Иванович Кунавин,Геннадий Викторович Казаков,Сергей Борисович Данилин,Николай Николаевич Котяшев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "4 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-06-11.

Updating mapping information during synchronization of memory device

Номер патента: US20200081645A1. Автор: Igor Genshaft,Marina Frid. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: US20240202030A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Proportional performance metric control for physical functions of a memory device

Номер патента: WO2024129595A1. Автор: Horia C. Simionescu,Parag R. Maharana,Alex Ga Hing Tang,Paul Roger Stonelake. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Apparatus and method to control power-supply to a memory based on data-access states of individual memory blocks included therein

Номер патента: US20180335827A1. Автор: Tomoharu Muro,Noboru Ishiwata,Tomoyuki Kanayama,Yuzo KORI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods and systems for managing physical information of memory units in a memory device

Номер патента: US20190272231A1. Автор: Yi-Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-05.

Using reason codes to determine how to handle memory device error conditions

Номер патента: US20170052842A1. Автор: Jason K. Resch,Andrew D. Baptist,Ilir Iljazi,Niall J. McShane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory device and image processing apparatus using same

Номер патента: US6985155B2. Автор: Tetsujiro Kondo,Akihiro Okumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-01-10.

Symmetric bit coding for printed memory devices

Номер патента: US20170068830A1. Автор: Jeffrey Michael FOWLER. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Cryptographic computing engine for memory load and store units of a microarchitecture pipeline

Номер патента: EP3757849A1. Автор: David Durham,Karanvir Grewal,Sreenivas Subramoney,Santosh Ghosh,Sergej Deutsch,Jayesh Gaur,Michael LeMay,Michael Kounavis,Anant Nori. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-30.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, memory control device and operating method of memory device

Номер патента: EP4425336A1. Автор: Taeyoung Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory device

Номер патента: EP1459190A1. Автор: Dick Cornelis Hoogerdijk. Владелец: Freecom Technologies BV. Дата публикации: 2004-09-22.

Memory Device Based Accelerated Deep-Learning System

Номер патента: US20230251792A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Software filtered memory devices in computing systems

Номер патента: US20220413717A1. Автор: Liang Yang,David Hepkin,Matthew David Kurjanowicz,Martijn de Kort,Murtaza Ghiya. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-12-29.

System and method for utilizing enhanced thermal telemetry for differential storage of data on a memory module

Номер патента: US11755475B2. Автор: Stuart Allen Berke,Balaji Bapu Gururaja Rao,Jordan Chin. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-09-12.

Software filtered memory devices in computing systems

Номер патента: US20240256151A1. Автор: Liang Yang,David Hepkin,Matthew David Kurjanowicz,Martijn de Kort,Murtaza Ghiya. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device compressing soft decision data and operating method thereof

Номер патента: US20240319874A1. Автор: Ilhan Park,Suyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, memory control device and operating method of memory device

Номер патента: US20240289018A1. Автор: Taeyoung Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Method and system for buffer allocation management for a memory device

Номер патента: US12118235B2. Автор: Matthew Stephens,Julien MARGETTS,Paul Hanham. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure

Номер патента: WO2017052697A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Sateesh KOKA,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Lateral stack of cobalt and a cobalt-semiconductor alloy for control gate electrodes in a memory structure

Номер патента: US09646975B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Sateesh KOKA,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory cell for a memory device of a motor vehicle, memory device for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: DE102018207331A1. Автор: Thomas Mertens,Rüdiger Daub,Björn-Ingo Hieronymus Hogg,Rainer Stern,Lilo Roth. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory cell for a memory device of a motor vehicle, memory device for a motor vehicle and motor vehicle

Номер патента: DE102018207330A1. Автор: Thomas Mertens,Rüdiger Daub,Björn-Ingo Hieronymus Hogg,Rainer Stern,Lilo Roth. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory cell for a memory device of a motor vehicle, memory device and motor vehicle

Номер патента: DE102018207332A1. Автор: Thomas Mertens,Rüdiger Daub,Björn-Ingo Hieronymus Hogg,Rainer Stern,Lilo Roth. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2019-11-14.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form, functional device using said single crystal material, and method for their preparation

Номер патента: EP1500722A4. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of manufacturing non volatile memory device

Номер патента: US09704975B2. Автор: Kyung Ho Lee,Jeong Ho Cho,Doo Yeol Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Offset backside contact via structures for a three-dimensional memory device

Номер патента: EP3420590A1. Автор: Fumitoshi Ito,Tuan Pham,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu,Cheng-Chung Chu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-02.

Memory device containing cobalt silicide control gate electrodes and method of making thereof

Номер патента: US09842907B2. Автор: Zhenyu Lu,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Sateesh KOKA,Somesh Peri. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Sacrificial material facilitating protection of a substrate in a qubit device

Номер патента: US12048254B2. Автор: David L. Rath,Kenneth P. Rodbell,Hongwen Yan,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga,Jeng-Bang Yau,John Bruley,Cihan Kurter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Functional devices using single crystal material having high density dislocations arranged one-dimensionally in straight line form and method for their preparation

Номер патента: EP1500722B1. Автор: Takahisa Yamamoto,Yuichi Ikuhara. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2010-05-26.

Arrangements including semiconductor memory devices

Номер патента: GB1425985A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1976-02-25.

System for simulating the reloading of a magazine in a magazine fed hand operated device for a simulation

Номер патента: US20200240730A1. Автор: David Green. Владелец: Altered Mechanics. Дата публикации: 2020-07-30.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for configuring transmission or reception timing of wireless device, and device using same method

Номер патента: US20230328745A1. Автор: Hyunsoo Ko,Seonwook Kim,Hyangsun YOU. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-10-12.

Path configuration in a network device using a user visible representative interface

Номер патента: US12003388B1. Автор: Deepak Sebastian,Karthikeya Kumar Pandit. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Staircase structures for electrically connecting multiple horizontal conductive layers of a 3-dimensional memory device

Номер патента: EP3853891A4. Автор: Raul Adrian Cernea,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-21.

METHOD OF OUTPUTTING A SIGNAL USING AN ANTENNA DISPOSED ADJACENT TO A CONDUCTIVE MEMBER OF A CONNECTOR AND AN ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180316094A1. Автор: Park Sung-Chul,HONG Sang-Ho,PARK Gun,Shin Yong-Woog. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Apparatus for uniting the lips of a wound, a holding piece, and a cosmetic treatment method

Номер патента: US6562025B2. Автор: Alexandre Capon,Chryslain Sumian,Serge R. Mordon. Владелец: Galderma Research and Development SNC. Дата публикации: 2003-05-13.

Apparatus for uniting the lips of a wound, a holding piece, and a cosmetic treatment method

Номер патента: US20020111609A1. Автор: Serge Mordon,Alexandre Capon,Chryslain Sumian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Apparatus for uniting the lips of a wound, a holding piece, and a cosmetic treatment method

Номер патента: AU745747B2. Автор: Serge Mordon,Alexandre Capon,Chryslain Sumian. Владелец: Galderma Research and Development SNC. Дата публикации: 2002-03-28.

Microfluidic device for electrochemically regulating the pH of a fluid therein using semiconductor doped with impurity and method for regulating the pH of a fluid in a microfluidic device using the same

Номер патента: KR100763905B1. Автор: 김준호,한정임. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-05.

Method of outputting a signal using an antenna disposed adjacent to a conductive member of a connector and an electronic device using the same

Номер патента: EP3616391A4. Автор: Sung-Chul Park,Gun PARK,Sang-Ho Hong,Yong-Woog SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

TRAY FOR UNIT SUSPENSION DEVICE OF A SOMIER OF MULTIPLE ELEMENTS.

Номер патента: ES2273180T3. Автор: Jacques Lobry. Владелец: Tournadre Standard Gum SA. Дата публикации: 2007-05-01.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US11910599B2. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20200194447A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Compound for organic electric device, organic electric device using the same, and electronic device

Номер патента: US11889753B2. Автор: Yeon Hee Choi,Sun Pil HWANG,Yun Suk LEE,Sun Hee Lee,Jong Gwang Park,Ki Ho SO,Yeon Seok Jeong,Hyung Keun Park. Владелец: DukSan Neolux Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11968832B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Liu,Zongliang Huo,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for screen printing of a material on a substrate, controller for an apparatus for screen printing on a substrate, and apparatus for screen printing of a material on a substrate

Номер патента: US11958284B2. Автор: Davide Colla,Luigi De Santi. Владелец: Applied Materials Italia Srl. Дата публикации: 2024-04-16.

Word line structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US11792989B2. Автор: Jia He,Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Yaohua Yang,Fandong LIU,Wenyu HUA,Peizhen Hong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Gate structure in non-volatile memory device

Номер патента: US20140159137A1. Автор: Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Trench structures for three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230284445A1. Автор: Zhiliang Xia,Ping Yan,Qiang Xu,Zongliang Huo,Guangji Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory Device and Forming Method Thereof

Номер патента: US20190378853A1. Автор: Qian Tao,Enbo Wang,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li,Sha Sha Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-12.

Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: AU2018433803A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Liu,Zongliang Huo,Yushi Hu,Lihong Xiao,Zhaohui Tang,Yuting Zhou,Sizhe Li,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20210265375A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20230086425A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTHENTICATING A USER OF A COMPUTER APPLICATION, NETWORK, OR DEVICE USING A WIRELSSS DEVICE

Номер патента: US20200008058A1. Автор: Dennis Charles L.,Snyder Randall A.,Boyle Patrick J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTHENTICATING A USER OF A COMPUTER APPLICATION, NETWORK, OR DEVICE USING A WIRELSSS DEVICE

Номер патента: US20180014193A1. Автор: Dennis Charles L.,Snyder Randall A.,Boyle Patrick J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTHENTICATING A USER OF A COMPUTER APPLICATION, NETWORK, OR DEVICE USING A WIRELESS DEVICE

Номер патента: US20160021537A1. Автор: Snyder Randall A.,Dennis Charles L,Boyle Patrick J. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Systems and methods for authenticating a user of a computer application, network, or device using a wireless device

Номер патента: US20140351899A1. Автор: Randall A. Snyder,Charles L. Dennis,Patrick J. Boyle. Владелец: Finsphere Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR AUTHENTICATING A USER OF A COMPUTER APPLICATION, NETWORK, OR DEVICE USING A WIRELESS DEVICE

Номер патента: US20160373930A1. Автор: Dennis Charles L.,Snyder Randall A.,Boyle Patrick J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Systems and methods for authenticating a user of a computer application, network, or device using a wireless device

Номер патента: US9456348B2. Автор: Randall A. Snyder,Charles L Dennis,Patrick J Boyle. Владелец: VISA INTERNATIONAL SERVICE ASSOCIATION. Дата публикации: 2016-09-27.

DENTAL COMPONENT FOR UNIT PROTHETIC RESTORATION OF A TOOTH

Номер патента: FR3047407B1. Автор: Herve Richard. Владелец: Anthogyr SA. Дата публикации: 2021-06-11.

TRAY FOR UNIT SUSPENSION DEVICE OF A MULTI-ELEMENT BED

Номер патента: FR2855023A1. Автор: Jacques Lobry. Владелец: Tournadre Standard Gum SA. Дата публикации: 2004-11-26.

A Manufacturing Method of a Cam Ring, A Forging Device Used in the Method and A Cam Ring Manufactured by the Method

Номер патента: KR102068195B1. Автор: 임기현. Владелец: 임기현. Дата публикации: 2020-01-20.

Sacrificial material facilitating protection of a substrate in a qubit device

Номер патента: US20220123195A1. Автор: David L. Rath,Kenneth P. Rodbell,Hongwen Yan,Vivekananda P. Adiga,Jeng-Bang Yau,Martin S. Sandberg,John Bruley,Cihan Kurter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Device for uniting handle, especially of a skiing stick with user's hand

Номер патента: PL282387A1. Автор: . Владелец: Doussiere Jacques. Дата публикации: 1991-07-15.

Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210043651A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Liu,Zongliang Huo,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

METHOD FOR CONTROLLING THE MAGNETIC CLAMPING OF A PART AND MAGNETIC CLAMPING DEVICE USING SUCH A METHOD

Номер патента: US20140240069A1. Автор: TIBERGHIEN Alain-Christophe,PUGET Sylvain,CHACHEREAU Sylvain. Владелец: STAUBLI FAVERGES. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for controlling the magnetic clamping of a part and magnetic clamping device using such a method

Номер патента: EP2769804A1. Автор: Alain-Christophe Tiberghien,Sylvain Puget,Sylvain Chachereau. Владелец: Staeubli Faverges SCA. Дата публикации: 2014-08-27.

METHOD FOR CONTROLLING THE MAGNETIC CLAMP OF A PIECE AND MAGNETIC CLAMPING DEVICE USING SUCH A METHOD

Номер патента: FR3002472A1. Автор: Alain-Christophe Tiberghien,Sylvain Puget,Sylvain Chachereau. Владелец: Staubli Faverges SCA. Дата публикации: 2014-08-29.

PROCESS FOR OBTAINING A HOT OR COLD BEVERAGE BY INFUSION OF A PRODUCT IN WATER AND DEVICES USING THE METHOD

Номер патента: FR2904916B1. Автор: Cui Wei Mo,Francis Stamm. Владелец: Francis Stamm. Дата публикации: 2015-01-09.

PROCESS FOR OBTAINING A HOT OR COLD BEVERAGE BY INFUSION OF A PRODUCT IN WATER AND DEVICE USING THE METHOD

Номер патента: FR2904915B1. Автор: Cui Wei Mo,Thierry Engel,Francis Stamm. Владелец: Francis Stamm. Дата публикации: 2015-10-16.

Method and device for controlling the release of a vehicle's crash protection device uses acceleration signals to form an acceleration input value invoked to determine a release criterion

Номер патента: DE10020084A1. Автор: Manfred Dipl-Ing Mueller,Michael Dipl-Ing Meyer,Harald Dipl-Phys Rudolf. Владелец: DaimlerChrysler AG. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of indexing a preform comprising lugs during the production of a container and station and device used for same

Номер патента: WO2004009330A3. Автор: Jean-Paul Cerveny,Bernard Mailfert,Jean-François MEYER. Владелец: Jean-François MEYER. Дата публикации: 2004-04-08.

METHOD FOR COMPENSATING THE DEFLECTION OF THE LIP BAR OF A PAPER MACHINE, AND A DEVICE USED IN THE METHOD

Номер патента: DE3728046A1. Автор: Markku Lyytinen. Владелец: Valmet Oy. Дата публикации: 1988-03-03.

A method for forming a multi-division staircase structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: JP7246500B2. Автор: シア・ジリアン,フア・ウェンユ,チャン・ゾン. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-27.

Method for controlling the magnetic clamping of a part and magnetic clamping device using such a method

Номер патента: CN104002424A. Автор: A-C·蒂贝尔吉安,西尔万·皮热,西尔万·查彻罗. Владелец: Staubli Faverges SCA. Дата публикации: 2014-08-27.

SHARING OF A PUCH RESOURCE AMONG COMMUNICATION DEVICES USING DIFFERENT PERIODICITY PATTERNS

Номер патента: US20180063837A1. Автор: Bergquist Gunnar,RASK Patrik,Better David. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

DELIVERY SYSTEM FOR TRANSCATHETER DETACHMENT OF A STENT FROM THE DELIVERY DEVICE USING SINGLE-ENDED DRAW LINES

Номер патента: US20180207010A1. Автор: Kheradvar Arash,Kelley Gregory S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

System, Apparatus and Method for Secure Coordination of a Rendezvous Point for Distributed Devices Using Entropy Multiplexing

Номер патента: US20160366106A1. Автор: Smith Ned M.,Gadiraju Narasimham,AGERSTAM MATS G.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Method of forming a gate structure of a non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: KR100586006B1. Автор: 유영섭,나기수,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-01.

Method of forming a gate structure of a non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: KR20050118752A. Автор: 유영섭,나기수,임헌형,이웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-20.

METHOD FOR CONTROLLING THE QUALITY OF A DIGITAL SIGNAL AND COMMUNICATION DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2794913B1. Автор: Mitsuru Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-04-08.

Device for checking the state of the focusing lens of a laser device and laser device using this device.

Номер патента: FR2698495B1. Автор: Bertrand Miguet,Thierry Hoornaert. Владелец: AIRBUS GROUP SAS. Дата публикации: 1995-02-10.

METHOD FOR MONITORING THE POSITION OF THE FIREPLACE OF A RADIOGENIC TUBE AND MONITORING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2565451B1. Автор: Andre Georges Joseph Plessis,Guy-Henri Seite. Владелец: Thomson CGR. Дата публикации: 1986-08-22.

PROCESS FOR REGENERATION OF A FILTERING MEDIUM AND FILTER DEVICE USING THE PROCESS

Номер патента: FR2417328A1. Автор: Tron-Halvard Fladby. Владелец: Akers Mek Verksted AS. Дата публикации: 1979-09-14.

Method for the manufacture of a non-volatile memory device and memory device thus obtained

Номер патента: CN1853267A. Автор: 罗贝尔图斯·T·F·范斯海克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-10-25.

Method of forming a gate structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: CN110121774B. Автор: 徐强,霍宗亮,夏志良,邵明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-27.

Method of forming a gate of a non-volatile memory device

Номер патента: US7008844B2. Автор: Hyeon-deok Lee,Bong-Hyun Kim,Hun-Hyeoung Lim,Yong-woo Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-07.

Products of a web-processing machine, and devices used for the production of said products

Номер патента: EP1896266A2. Автор: Stefan Wander,Burkard Otto Herbert,Kurt Anton Heublein,Bernhard Walter Muth. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2008-03-12.

METHOD OF CONTINUOUS LONGITUDINAL WELDING OF A PLASTIC FILM MATERIAL AND DEVICE USING THE SAME

Номер патента: FR2537914B1. Автор: . Владелец: MARUANI JOSEPH. Дата публикации: 1986-06-13.

Control procedure for the smelting of a metal load and weighing device used in said procedure

Номер патента: ES2483441T3. Автор: Stefano Terlicher,Romano Sellan,Franco Scotti. Владелец: Danieli and C Officine Meccaniche SpA. Дата публикации: 2014-08-06.

ULTRAFINE WIRE MADE OF A COPPER ALLOY AND SEMICONDUCTOR DEVICES USED THEREOF

Номер патента: DE3916168A1. Автор: Toshiaki Ono,Makoto Kinoshita,Hitoshi Fujimoto,Toshinori Ishii,Kiyoaki Tsumura,Syuichi Osaka. Владелец: Mitsubishi Metal Corp. Дата публикации: 1989-11-30.

Methods of forming a gate structure of a non-volatile memory device and apparatus for performing the same

Номер патента: US7160776B2. Автор: Woong Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You,Ki-Su Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-09.

Capacitor of a semiconductor device, memory device including the same and method of munufacturing the same

Номер патента: CN1652336A. Автор: 赵重来,具俊谟,金锡必,申尚旻. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-10.

Make-up processes and processes for application of a skin care product, and devices used in the implementation of such processes

Номер патента: US20050258172A1. Автор: Jean-Louis Gueret. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2005-11-24.

Method for protecting the electronic components of a circuit against radiations and device using said method

Номер патента: CA2054912A1. Автор: Alain Meyer,Abdul Youssef,Jean-Bernard Ducrocq. Владелец: Alcatel Espace Industries SA. Дата публикации: 1992-05-08.

Make-up processes and processes for application of a skin care product, and devices used in the implementation of such processes

Номер патента: AU2003293764A1. Автор: Jean-Louis H. Gueret. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2004-07-09.

Make-up processes and processes for application of a skin care product, and devices used in the implementation of such processes

Номер патента: AU2003293764A8. Автор: Jean-Louis H Gueret. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2004-07-09.

METHOD OF PROTECTING ELECTRONIC COMPONENTS OF A CIRCUIT AGAINST RADIATION AND DEVICE USING THE METHOD.

Номер патента: FR2668847A1. Автор: Youssef Abdul,Ducrocq Jean-Bernard,Meyer Alain. Владелец: Alcatel Espace Industries SA. Дата публикации: 1992-05-07.

System, apparatus and method for secure coordination of a rendezvous point for distributed devices using entropy multiplexing

Номер патента: EP3308496A4. Автор: Ned M. Smith,Mats G. Agerstam,Narasimham Gadiraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-09.

MEMORY CELL STRUCTURE OF A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210005625A1. Автор: Zhang Zhong,CHEN Jun,Lu Zhenyu,HU Yushi,TAO Qian,XIA Ji,Zhu Jifeng,Dong Jin Wen,DAI Xiaowang,LI Yan Ni. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-07.

SELECTIVE TUNGSTEN GROWTH FOR WORD LINES OF A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180019256A1. Автор: Takeguchi Naoki,ARAI Takashi,Amano Fumitaka,Mizuno Genta,Inoue Shigehisa,HAMAYA Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

METHOD TO IMPROVE CHANNEL HOLE UNIFORMITY OF A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190074290A1. Автор: Xu Jian,HU Yushi,TAO Qian,Xiao Li Hong,Dong Jin Wen,YANG Haohao,Pu Yue Qiang,CHENG Xiao Tian. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory cell structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: US20190096901A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Zhong Zhang,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Jin Wen DONG,Ji XIA,Yan Ni LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Staircase Structures for Electrically Connecting Multiple Horizontal Conductive Layers of a 3-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200098779A1. Автор: Chien Wu-Yi Henry,Cernea Raul Adrian,Harari Eli. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-03-26.

MEMORY CELL STRUCTURE OF A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200243553A1. Автор: Zhang Zhong,CHEN Jun,Lu Zhenyu,HU Yushi,TAO Qian,XIA Ji,Zhu Jifeng,Dong Jin Wen,DAI Xiaowang,LI Yan Ni. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for improving channel hole uniformity of a three-dimensional memory device

Номер патента: US11329061B2. Автор: Qian Tao,Jian Xu,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Haohao YANG,Xiao Tian CHENG,Yue Qiang PU,Jin Wen DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Structure and production process of a microelectronic 3d memory device of flash nand type

Номер патента: US20110169067A1. Автор: Thomas Ernst,Gabriel Molas,Stephane Becu,Barbara De Salvo. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-07-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device and method of assembling same

Номер патента: WO2024129239A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240292629A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device

Номер патента: US12062606B2. Автор: Sujeong Kim,Inmo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A8. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device layout, semiconductor device, and method of manufacturing memory device

Номер патента: US09761572B2. Автор: Huai-Ying Huang,Feng-Ming Chang,Jui-Lin Chen,Ping-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09666592B2. Автор: Ji Young Kim,Joon Hee Lee,Tae Hwan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Durable memory device

Номер патента: US11439004B1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

Durable memory device

Номер патента: US20220264740A1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Configurable light timer and method of receiving data to control the operation of a configurable light timer

Номер патента: US20140207976A1. Автор: John Joseph King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-24.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9012969B2. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240292617A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with corrosion-resistant composite spacer

Номер патента: US20210104540A1. Автор: LU Zhang,Bo Xu,Chuan Yang,Ping Yan,Jing Gao,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240276700A1. Автор: Yasuyuki Sakogawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved structure of a SATA interface and the device using this interface

Номер патента: TW200620762A. Автор: Chung-Liang Lee,rui-long Cai,Chan-Son Lin. Владелец: Richip Inc. Дата публикации: 2006-06-16.

Improved structure of a SATA interface and the device using this interface

Номер патента: TWI241758B. Автор: Chung-Liang Lee,Chanson Lin,Ruei-Lung Tsai. Владелец: Innodisk Corporated. Дата публикации: 2005-10-11.

METHOD OF FABRICATION OF A THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT DEVICE USING A WAFER SCALE MEMBRANE

Номер патента: US20120302040A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-29.

EDGE GRIP DETECTION METHOD OF A TOUCH PANEL AND A DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130069886A1. Автор: WANG WAN-QIU. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

MULTIPLE WRITE DURING SIMULTANEOUS MEMORY ACCESS OF A MULTI-PORT MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120243285A1. Автор: Ngu Hui H.,Gieseke Bruce. Владелец: eASIC Corporation. Дата публикации: 2012-09-27.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TECHNIQUES FOR COMPENSATING MOVEMENT OF A TREATMENT TARGET IN A PATIENT

Номер патента: US20120004518A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Management of a History of a Meeting

Номер патента: US20120001917A1. Автор: Topkara Mercan,Doganata Yurdaer Nezihi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM FOR SELECTING AND DISPLAYING A PULLING OUT MODE OF A CAR FROM A CARPORT

Номер патента: US20120004809A1. Автор: Sasajima Takeshi. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Measuring Received Signal Strength on Neighboring Frequencies of a Channel with Interference in a Wireless Device

Номер патента: US20120002704A1. Автор: Husted Paul J.,Dua Praveen,Kogan Douglas J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE INITIALIZATION CIRCUIT BEING CAPABLE OF RECORDING A PREFERRED VOLTEGE AND DISPLAY DEVICE USING SAME

Номер патента: US20120001929A1. Автор: CHANG CHIEN-JEN. Владелец: CHIMEI INNOLUX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

TUNABLE CHOKE TUBE FOR PULSATION CONTROL DEVICE USED WITH GAS COMPRESSOR

Номер патента: US20120003106A1. Автор: Deffenbaugh Danny,McKee Robert,Nored Marybeth. Владелец: SOUTHWEST RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.