Qubit device and a method for operating a qubit device
Номер патента: US20220083890A1
Опубликовано: 17-03-2022
Автор(ы): Bogdan Govoreanu, Fahd Ayyalil MOHIYADDIN, Florin CIUBOTARU, George Eduard SIMION, Ruoyu Li, Stefan Kubicek
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 17-03-2022
Автор(ы): Bogdan Govoreanu, Fahd Ayyalil MOHIYADDIN, Florin CIUBOTARU, George Eduard SIMION, Ruoyu Li, Stefan Kubicek
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Integrated circuit for multiple patterning lithography, a computing system and a computer-implemented method for designing an integrated circuit
Номер патента: US20180173835A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.