Structure and method to integrate embedded dram with finfet
Номер патента: US20130005129A1
Опубликовано: 03-01-2013
Автор(ы): Geng Wang, Hemanth Jagannathan, Sivananda Kanakasabapathy
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-01-2013
Автор(ы): Geng Wang, Hemanth Jagannathan, Sivananda Kanakasabapathy
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Strained silicon—germanium integrated circuit with inversion capacitance enhancement and method to fabricate same
Номер патента: US09484412B1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.