Method of fabricating RFIC device
Номер патента: US10559516B2
Опубликовано: 11-02-2020
Автор(ы): XiaoChuan Wang
Принадлежит: Ningbo Semiconductor International Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 11-02-2020
Автор(ы): XiaoChuan Wang
Принадлежит: Ningbo Semiconductor International Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating rfic device
Номер патента: US20190371698A1. Автор: XiaoChuan Wang. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2019-12-05.