SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20190207029A1
Опубликовано: 04-07-2019
Автор(ы): MAYUZUMI Satoru, Wakabayashi Hitoshi
Принадлежит: SONY CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09947790B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US09601622B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US9337305B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US10269961B2. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device having curved gate electrode aligned with curved side-wall insulating film and stress-introducing layer between channel region and source and drain regions

Номер патента: US20200119194A1. Автор: Hitoshi Wakabayashi,Satoru Mayuzumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20180190820A1. Автор: MAYUZUMI Satoru,Wakabayashi Hitoshi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2018-07-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20170148915A1. Автор: MAYUZUMI Satoru,Wakabayashi Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515153B2. Автор: Michimoto Kaminaga,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US20140346608A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226480A1. Автор: Hajime Okuda,Adrian JOITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device with metal-filled groove in polysilicon gate electrode

Номер патента: US09768290B2. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20150295078A1. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09406773B2. Автор: Masayasu Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9368354B2. Автор: Masahiro Wada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US20240297225A1. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung-Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US12027594B2. Автор: SHEN Wang,Shiang-Bau Wang,Che-Fu Chen,Hsu Ming Hsiao,Hong Pin Lin,Kung Shu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having field plate structures and gate electrode structures between the field plate structures

Номер патента: US9691862B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device Having Field Plate Structures and Gate Electrode Structures Between the Field Plate Structures

Номер патента: US20160204210A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09831259B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9460929B2. Автор: Hirofumi TOKITA,Hiromasa YOSHIMORI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09595591B2. Автор: Takeshi Nagai. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812537B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180374844A1. Автор: Kenji Nishida,Kentaro NASU,Shinpei OHNISHI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Semiconductor device and method for manuracturing the same

Номер патента: US20200161441A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for manuracturing the same

Номер патента: US20180076294A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240030303A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11817487B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device, inverter circuit, drive device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20210066467A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Ryosuke Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device including cation species, manufacturing method thereof, and electronic equipment

Номер патента: US12015072B2. Автор: Kazuyuki Tomida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09935017B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US09659827B2. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20110020987A1. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US20170221771A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device having gate dielectric surrounding at least some of channel region and gate electrode surrounding at least some of gate dielectric

Номер патента: US09484460B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz,Tsung-Hsing Yu,Chia-Wen Liu,Yeh Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12057498B2. Автор: Takehiro Kato,Katsumi Suzuki,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09917185B2. Автор: Kengo OMORI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060223253A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130069147A1. Автор: Masatoshi Arai,Norio Yasuhara,Tsuyoshi Ohta,Tatsuya Nishiwaki,Takahiro Kawano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20070210330A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09437682B2. Автор: Hiroshi Kono,Makoto Mizukami,Takashi Shinohe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160300943A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240096988A1. Автор: Michael Hell,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640647B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077275A1. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING VERTICAL TRANSISTORS WITH ALIGNED GATE ELECTRODES

Номер патента: US20190189778A1. Автор: LEE DongHun,PARK SungIl,YOU Junggun,Lee Yunil,KIM Changhee,CANTORO Mirco. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor Devices Having Vertical Transistors with Aligned Gate Electrodes

Номер патента: US20180248018A1. Автор: DongHun Lee,Sungil Park,Changhee Kim,Yunil Lee,Mirco Cantoro,Junggun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor devices having vertical transistors with aligned gate electrodes

Номер патента: US10559673B2. Автор: DongHun Lee,Sungil Park,Changhee Kim,Yunil Lee,Mirco Cantoro,Junggun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20150295078A1. Автор: Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Yip Li Juin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Three-dimensional memory device having a multilevel drain select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09972641B1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20140138769A1. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Aoyama,Masaki HANEDA,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and fabrication method

Номер патента: US20120256264A1. Автор: Masanori Terahara,Takayuki Aoyama,Masaki HANEDA,Yuka Kase. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor device including fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991384B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443991B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara,Kota Funayama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09640613B2. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20190288103A1. Автор: Hung Hung,Hiroshi Matsuba,Kikuo Aida,Tatsuya Nishiwaki,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Transistor, semiconductor device and transistor fabrication process

Номер патента: US20110241129A1. Автор: Michihiro Ebe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170062556A1. Автор: Junichi Takizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220376054A1. Автор: Shingo Hayashi,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Power semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240222497A1. Автор: Jeong Mok Ha,Ju Hwan Lee,Hyuk Woo,Sin A Kim,Tae Youp KIM,Min Gi Kang,Tae Yang KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20180097061A1. Автор: Takashi Kanemura,Masahiro Sugimoto,Tomohiro Mimura,Narumasa Soejima. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device including partitioning layer extending between gate electrode and source electrode

Номер патента: US20190148487A1. Автор: Shinji Kudo,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device, method for manufacturing same, power conversion device, three-phase motor system, automobile, and railway carriage

Номер патента: US09960259B2. Автор: Naoki Watanabe,Naoki Tega,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502553B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Shuhei Nakata,Naruhisa Miura,Naoki Yutani,Shoyu Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194752A1. Автор: Woo Jin Lee,Woo Kyung YOU,Koung Min RYU,Sang Koo Kang,Jun Chae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490337B2. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09466683B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US20240290829A1. Автор: Yuki Mori,Haruka Shimizu,Takeru Suto. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: RU2702405C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Рёта ТАНАКА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-08.

Semiconductor device used as high-speed switching device and power device

Номер патента: US20070040216A1. Автор: Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Deep gate-all-around semiconductor device having germanium or group III-V active layer

Номер патента: US9640671B2. Автор: Gilbert Dewey,Jack T. Kavalieros,Ravi Pillarisetty,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee,Van H. Le,Willy Rachmady,Jessica S. Kachian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09666728B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device having a gate electrode, an interlayer insulating film and a barrier metal provided in a trench

Номер патента: US12094939B2. Автор: Shinsuke Harada,Yusuke Kobayashi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001204A1. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230080850A1. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices

Номер патента: US12094941B2. Автор: Donghyun Roh,Koungmin Ryu,Sangkoo Kang,Seunggwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140284683A1. Автор: Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818881B2. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100252869A1. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170054028A1. Автор: Toshinari Sasaki,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US20230369132A1. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with profiled work-function metal gate electrode and method of making

Номер патента: US11804409B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor Device Having Field Plate Structures and Gate Electrode Structures Between the Field Plate Structures

Номер патента: US20160204210A1. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device having low resistance buried metal gate electrode structure and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101570044B1. Автор: 최석헌,이시형,신유균,전인상,유종렬. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-20.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ON-PITCH DRAIN SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20190027489A1. Автор: Kai James,Sugihara Shigeyuki,Orimoto Takashi,Najamine Sayako,Iwai Takaaki,Minagawa Shuji. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09837528B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09478530B2. Автор: Yoshito Nakazawa,Yuji Yatsuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09972679B2. Автор: Hajime Kataoka,Tatsuya Shiromoto,Tetsuya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device including a gate electrode on a protruding group III-V material layer

Номер патента: US09666706B2. Автор: Young-Jin Cho,Sang-Moon Lee,Ki-ha Hong,Kyoung-Yeon Kim,Eui-chul HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685565B2. Автор: Masao Inoue,Hiroshi Umeda,Masaharu Mizutani,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020106860A1. Автор: Shuichi Kikuchi,Takao Maruyama,Eiji Nishibe. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070032007A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090278210A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20110147857A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device having a side wall insulating film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20050230749A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor device having through hole, source and gate electrode structures

Номер патента: US20190165097A1. Автор: Shinji Kudoh,Shunsuke Fukunaga,Taro Kondo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device including a gate trench having a gate electrode located above a buried electrode

Номер патента: US09673318B1. Автор: Timothy D. Henson,Ashita Mirchandani. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8385124B2. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110242888A1. Автор: Yutaka Okuyama,Yasuhiro Shimamoto,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887301B2. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and a method of fabricating the same

Номер патента: US7521306B2. Автор: Hirotoshi Kubo,Hiroaki Saito,Masanao Kitagawa,Masahito Onda,Eiichiroh Kuwako. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor device including Fin structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680014B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9768314B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888071B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240113229A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US20240237351A1. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP4283683A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Dae Won Ha,Ki Heun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422484A1. Автор: Shosuke Fujii,Keiko Sakuma,Tatsuki Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Insulated gate power semiconductor device and method for manufacturing such device

Номер патента: EP3659180A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2020-06-03.

Insulated Gate Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing Such Device

Номер патента: US20210320170A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-10-14.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240290621A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220020879A1. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor devices including separate charge storage layers

Номер патента: US11937425B2. Автор: Suhyeong LEE,Taisoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US11830740B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20240047214A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US20200312666A1. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Mask layout, semiconductor device and manufacturing method using the same

Номер патента: US12020939B2. Автор: Guk Hwan KIM. Владелец: Magnachip Mixed Signal Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of manufacturing semiconductor devices by forming source/drain regions before gate electrode separation

Номер патента: US20160020150A1. Автор: Jeong-Yun Lee,Jung-Gun You,Eung-Gwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-21.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: CN1577850A. Автор: 布雷恩·S·多伊,斯科特·A·黑尔兰德,休曼·达塔,罗伯特·S·周,拉斐尔·里奥斯,汤姆·林顿. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US20060172497A1. Автор: Brian Doyle,Suman Datta,Scott Hareland,Robert Chau,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: EP2270868A1. Автор: Brian Doyle,Suman Datta,Scott Hareland,Robert Chau,Rafael Rios,Tom Linton Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-01-05.

Nonplanar semiconductor device with partially or fully wrapped around gate electrode and methods of fabrication

Номер патента: US7456476B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Suman Datta,Scott A. Hareland,Rafael Rios,Tom Linton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09397153B2. Автор: Yasumasa Yamane,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014793A1. Автор: Kazutaka Manabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09997603B2. Автор: Yuichi Harada,Yasuyuki Hoshi,Takashi SHIIGI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: EP3712953A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US20200303505A1. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and pressure transmitter using semiconductor device

Номер патента: US11349000B2. Автор: Isao Hara,Akio Shima,Masahiro MASUNAGA,Ryo Kuwana,Shintaroh Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2022-05-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20190123187A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi,Youngshin Eum. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device, integrated circuit and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09748378B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Karoline Koepp. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor devices having tapered active regions

Номер патента: US09634092B2. Автор: Zhenhua Wu,Krishna Kumar Bhuwalka,Uihui KWON,Keunho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09508822B2. Автор: Toru Oka,Takahiro Sonoyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20220376040A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Makoto Koshimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240097008A1. Автор: Hajime Okuda,Kazuhiro Tamura,Naoki Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09755069B2. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070069303A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20150340499A1. Автор: MAYUZUMI Satoru,Wakabayashi Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device including a columnar intermediate region and manufacturing method thereof

Номер патента: US8058686B2. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125878B2. Автор: Tomonari SHIODA,Yasunori OSHIMA,Taichi Iwasaki,Shota Yamagiwa,Hiroto Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120074504A1. Автор: Takeshi Watanabe,Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100065910A1. Автор: Shinji Takeoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09570603B2. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device having trench gate structure and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20170092759A1. Автор: Hajime Okuda,Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570594B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090134479A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7646072B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7498643B2. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama,Yasushi Nakasaki,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20200066862A1. Автор: Kazuya FUKASE. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device with contact plugs

Номер патента: US20240243200A1. Автор: Satoshi Iwahashi,So NAGAKURA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240355892A1. Автор: Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device using diamond

Номер патента: US09711638B2. Автор: Daisuke Takeuchi,Satoshi Yamasaki,Hiromitsu Kato,Kazuhiro Oyama,Masahiko Ogura,Toshiharu Makino,Norio Tokuda,Takao INOKUMA,Takuma MINAMIYAMA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20140346610A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takayuki Yamada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20120139055A1. Автор: Yoshihiro Sato,Takayuki Yamada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110024845A1. Автор: Tomohiro Hirai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090114993A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US5977564A. Автор: Tomoki Inoue,Takashi Shinohe,Setsuko Kobayashi,Akihiro Yahata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030047780A1. Автор: Takashi Nikami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240128373A1. Автор: Yusuke Shimizu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20120273774A1. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: EP3084811A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20200185526A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-planar semiconductor device having hybrid geometry-based active region

Номер патента: US20180358467A1. Автор: Kelin J. Kuhn,Rafael Rios,Seiyon Kim,Fahmida FERDOUSI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

III-V nitride semiconductor device having reduced contact resistance

Номер патента: US09978642B2. Автор: Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device including exposure of oxide semiconductor to reducing atmosphere

Номер патента: US09425322B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090230469A1. Автор: Hidekazu Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US20070166977A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of manufacture of semiconductor device

Номер патента: US7557040B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Kyoichi Suguro,Haruko Akutsu,Yoshimasa Kawase,Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09991381B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070059909A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for evaluating impurity distribution under gate electrode without damaging silicon substrate

Номер патента: US7691649B2. Автор: Hidekazu Sato,Kazuo Hashimi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-04-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263760A1. Автор: Koichi Ozaki,Hirofumi Nagano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09754816B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929242B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09728463B2. Автор: Ha-Jin Lim,Gi-gwan PARK,Sang-yub IE,Jong-Han Lee,Jeong-hyuk YIM,Hye-ri HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20090309146A1. Автор: Naohiro Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170062624A1. Автор: Hideki Makiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of fabricating semiconductor device using high-K layer for spacer etch stop and related devices

Номер патента: US8481392B1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09406796B2. Автор: Katsushige Yamashita,Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: US10297610B2. Автор: Tong Zhang,James Kai,Takashi Orimoto,Johann Alsmeier,Shinsuke YADA,Akihisa SAI,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09741846B2. Автор: Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Atsushi Kasahara,Hiroshi KAMEOKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device with increased distance between channel edges and a gate electrode

Номер патента: US5747828A. Автор: Masahiro Adachi,Takashi Funai,Akihiro Hata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09935170B2. Автор: Yoichiro Tarui,Masayuki Furuhashi,Toshikazu Tanioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10192962B2. Автор: Yuto OSAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070278558A1. Автор: Masato Koyama,Yoshinori Tsuchiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US12080792B2. Автор: Youhei Oda,Kouichi Sawada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09530895B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240097023A1. Автор: Shingo Sato,Tsuyoshi Kachi,Katsura Miyashita,Yuhki FUJINO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09660079B2. Автор: Tomotake Morita,Kenichi Yamamoto,Hiromi Sasaki,Masashige Moritoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device having vertical MOSFET with super junction structure, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496331B2. Автор: Kouji Eguchi,Youhei Oda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having a trench with a step-free insulation film

Номер патента: US7259424B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-21.

Semiconductor nanowire device having cavity spacer and method of fabricating cavity spacer for semiconductor nanowire device

Номер патента: US20200013905A1. Автор: Szuya S. LIAO,Rishabh Mehandru,Stephen M. Cea. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270394A1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices

Номер патента: US12094955B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09899416B2. Автор: Yong Seok Lee,Jeong Yun Lee,Bo Soon Kim,Hyun Ji Kim,Gi Gwan PARK,Sang Duk PARK,Young Mook Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09847417B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Wide band gap semiconductor device

Номер патента: US09761705B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Three dimensional semiconductor device having lateral channel

Номер патента: US09691818B2. Автор: Suk Ki Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09614081B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09590114B1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device including first and second gate insulating films disposed on a semiconductor layer and manufacturing method of the same

Номер патента: US09466706B2. Автор: Tohru Oka,Noriaki Murakami. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device including gate electrode for applying tensile stress to silicon substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09412867B2. Автор: Hirokazu Sayama,Hidekazu Oda,Kazunobu Ohta,Kouhei Sugihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20010050401A1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100006917A1. Автор: Kazunori Masuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09812547B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09755053B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device having group III-V material active region and graded gate dielectric

Номер патента: US09640646B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having fin-shaped semiconductor layer

Номер патента: US09640628B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09478545B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20160351708A1. Автор: Akira Yamada,Shigeki Takahashi,Atsushi Kasahara,Hiroshi KAMEOKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device including an electrode having a part with an inverse tapered shape

Номер патента: US10546953B2. Автор: Keiko Kawamura. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09837525B2. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20080315286A1. Автор: Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Non-planar semiconductor device having germanium-based active region with release etch-passivation surface

Номер патента: EP2901488A1. Автор: Willy Rachmady,Jessica S. Kachian,Robert B. TURKOT JR.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240290616A1. Автор: Tomohiro Mimura,Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device having an nMOS SGT and a pMOS SGT

Номер патента: US09806163B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-planar semiconductor device having group III-V material active region with multi-dielectric gate stack

Номер патента: US09653548B2. Автор: Gilbert Dewey,Ravi Pillarisetty,Marko Radosavljevic,Benjamin Chu-Kung,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240371766A1. Автор: Yu Saitoh,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090078994A1. Автор: Yoshinori Takami. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20150318372A1. Автор: Takashi Nakamura,Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Ryota Nakamura,Takuji Hosoi,Hirokazu Asahara,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160276443A1. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20060017105A1. Автор: Yoshinobu Sato,Hisao Ichijo,Hiroyoshi Ogura,Teruhisa Ikuta. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090280610A1. Автор: Junji UMEZAKI. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: EP1908118A2. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto,Shineharu Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007004595A3. Автор: Takashi Nakamura,Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Mineo Miura,Shigeharu Yamagami,Yoshio Shimoida,Masakatsu Hoshi,Takayuki Kitou,Noriaki Kawamoto. Владелец: Noriaki Kawamoto. Дата публикации: 2007-05-24.

Trench gate semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240250166A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device, semiconductor module, and electronic apparatus

Номер патента: US20240304694A1. Автор: Katsuhiko Takeuchi,Atsushi KURANOUCHI. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7504698B2. Автор: Tetsuya Taguwa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09812528B2. Автор: Hiroshi Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device having super junction metal oxide semiconductor structure and fabrication method for the same

Номер патента: US09755065B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device with electric field relaxation portion in insulating layer between lower and upper trench electrodes

Номер патента: US09716152B2. Автор: Jun Zeng,Masaki Nagata,Mohamed Darwish,Peter Su,Shigenari Okada. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09881920B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449974B2. Автор: Shinya Yamakawa,Yasushi Tateshita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070296045A1. Автор: Yoshinori Tanaka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200135876A1. Автор: Takahiro Yamada,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Naohiro Tsurumi,Hong-An Shih,Mikito NOZAKI. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11342428B2. Автор: Takahiro Yamada,Satoshi Nakazawa,Yoshiharu Anda,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Naohiro Tsurumi,Hong-An Shih,Mikito NOZAKI. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor device having an inter-layer insulating film disposed between two wiring layers and method of manufacturing the same

Номер патента: US5075762A. Автор: Kazuo Tanaka,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150249156A1. Автор: Hisayo Momose,Tatsuya Ohguro,Tetsu Morooka,Kazuya FUKASE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of forming a vertical double gate semiconductor device and structure thereof

Номер патента: EP1476901A1. Автор: Bich-Yen Nguyen,Leo Mathew,Bruce E. White,Michael Sadd. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2004-11-17.

Mis semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010045597A1. Автор: Kazumi Nishinohara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11955516B2. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240204047A1. Автор: Mirco Cantoro,Ho-jun Kim,Woong Sik Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11950424B2. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240206184A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Chia-Ta Hsieh,Yu-Ting Tsai,Ching-Tzer Weng,Kao-Chao Lin,Chi-Wei Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240347608A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Chien-Hua Huang,Katherine H. Chiang,Yi-Cheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor device having trench filled up with gate electrode

Номер патента: US20030141514A1. Автор: Hitoshi Yamaguchi,Jun Sakakibara,Toshio Sakakibara,Toshiyuki Morishita,Takumi Shibata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-31.

Thin-film transistor including a gate electrode with a side wall insulating layer and display device

Номер патента: US9893193B2. Автор: Yusuke Fukui,Arinobu Kanegae,Emi Kobayashi. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9530839B2. Автор: Kimitoshi Okano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of checking semiconductor storage device

Номер патента: US20030117151A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Kyoji Yamashita,Mutsumi Kobayashi,Hiroyuki Umimoto,Katsuhiro Ohtani,Katsumi Eikyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09691767B2. Автор: Taiji Ema,Mitsuaki Hori,Yasunobu TORII,Kazushi FUJITA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method and system for manufacturing semiconductor device having less variation in electrical characteristics

Номер патента: US20090308536A1. Автор: Hikaru Kokura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Method and system for manufacturing semiconductor device having less variation in electrical characteristics

Номер патента: US7595261B2. Автор: Hikaru Kokura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200161467A1. Автор: Shuhei Mitani,Yasuhiro Ebihara,Yuichi Takeuchi,Yusuke Yamashita,Tadashi Misumi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device with polycrystalline silicon film

Номер патента: US09530855B2. Автор: Masamichi Suzuki,Mitsuhiro Tomita,Kiwamu Sakuma,Yuichiro Mitani,Yusuke Higashi,Riichiro TAKAISHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with a fin-shaped active region and a gate electrode

Номер патента: US12015086B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290888A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Tae-Young Kim,Gi-gwan PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device having low impedance and method of manufacturing the same

Номер патента: US09887286B2. Автор: Jong Seok Lee,Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236138A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013157619A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570593B2. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7534687B2. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09923097B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220223620A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device including active pattern having a protrusion portion on a base portion and method for manufacturing the same

Номер патента: US11677029B2. Автор: Dongwon Kim,Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device including active pattern and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310842A1. Автор: Dongwon Kim,Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor devices having fin shaped channels

Номер патента: US09536881B2. Автор: Shigenobu Maeda,Sung-Bong Kim,Chang-wook Moon,Sang-pil Sim,Dong-Hun Lee,Hyung-Soon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US7235830B2. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20040259319A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and process for manufacturing the same

Номер патента: US20060054944A1. Автор: Akira Inoue,Takeshi Takagi,Akira Asai,Haruyuki Sorada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11315944B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11729981B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200395372A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170345945A1. Автор: Dong Woo Kim,Seung Hun Lee,Sun Jung Kim,Dong Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901409B2. Автор: Tze-Liang Lee,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of fabricating a flash memory device having separated charge storage regions

Номер патента: WO2009048601A1. Автор: Takayuki Maruyama,Fumihiko Inoue. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11923426B2. Автор: Ji Won Kang,Rak Hwan Kim,Jun Ki PARK,Jeong Ik Kim,Tae-Yeol Kim,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Cap removal for gate electrode structures with reduced complexity

Номер патента: US20190326409A1. Автор: Peter Baars,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210057409A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor device and random access memory having single gate electrode corresponding to a pair of channel regions

Номер патента: CN1901224A. Автор: 李政勋,玄在雄,朴允童,李殷洪,金元柱,金锡必,边成宰. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-24.

Semiconductor device with an L-shaped/reversed L-shaped gate side-wall insulating film

Номер патента: US20030205774A1. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor device with an L-shaped/reversed L-shaped gate side-wall insulating film

Номер патента: US6956276B2. Автор: Akira Hokazono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317860A1. Автор: Dong Woo Kim,Seung Hun Lee,Sun Jung Kim,Dong Chan Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THROUGH HOLE, SOURCE AND GATE ELECTRODE STRUCTURES

Номер патента: US20190165097A1. Автор: KUDOH Shinji,FUKUNAGA Shunsuke,KONDO Taro. Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-05-30.

Power devices having trench-based source and gate electrodes

Номер патента: TWI299568B. Автор: Ling Ma,Dev Alok Girdhar. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: EP3619743B1. Автор: Tong Zhang,James Kai,Takashi Orimoto,Johann Alsmeier,Shinsuke YADA,Akihisa SAI,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US20160308052A1. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09761668B2. Автор: Daisuke Ichikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09755076B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor devices having source/drain regions with strain-inducing layers and methods of manufacturing such semiconductor devices

Номер патента: US09553192B2. Автор: Byeong-Chan Lee,Jin-Bum Kim,Kwan-Heum Lee,Cho-Eun LEE,Su-Jin JUNG,Seok-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, method of manufacturing the semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US10008584B2. Автор: Shigeharu Okaji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-26.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12034065B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12051703B2. Автор: Takahiro Kasahara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device including emitter regions and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09685544B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570310B2. Автор: Takahiro Kasahara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device and plasma oxidation treatment method

Номер патента: US20120270383A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Kanta Abe,Takashi Ienaga,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09543315B1. Автор: Satoshi Abe,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Mosfet with a thin gate insulating film

Номер патента: US20010042873A1. Автор: Shinichi Nakamura,Hiroshi Iwai,Masanobu Saito,Hisayo Momose,Takashi Yoshitomi,Tatsuya Ohguro,Mizuki Ono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Mosfet with a thin gate insulating film

Номер патента: US20020145157A1. Автор: Shinichi Nakamura,Hiroshi Iwai,Masanobu Saito,Hisayo Momose,Takashi Yoshitomi,Tatsuya Ohguro,Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515170B2. Автор: Takashi Terada,Toshiaki Iwamatsu,Kiyoshi Hayashi,Kozo Ishikawa,Hirofumi Shinohara,Ryuta Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020047170A1. Автор: Kazunobu Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device with elevated source/drain structure and its manufacture method

Номер патента: US6855589B2. Автор: Toshifumi Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-15.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Номер патента: US20160218213A1. Автор: MAYUZUMI Satoru,Wakabayashi Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871059B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240057313A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Taro SHIOKAWA,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20150263156A1. Автор: Kohei MORIZUKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7638846B2. Автор: Kenji Kasahara,Ritsuko Kawasaki,Hidehito Kitakado. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-29.

Semiconductor device and transistor

Номер патента: US20090001454A1. Автор: Keizo Kawakita. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20220052197A1. Автор: Shinichirou WADA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240204096A1. Автор: Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Michiya Otsuji,Hironao Nakamura. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12051747B2. Автор: Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Michiya Otsuji,Hironao Nakamura. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device with Metal-Filled Groove in Polysilicon Gate Electrode

Номер патента: US20140131792A1. Автор: Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Yip Li Juin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor Device with Trench Gate Structure Including a Gate Electrode and a Contact Structure for a Diode Region

Номер патента: US20160260829A1. Автор: Rupp Roland,Siemieniec Ralf,Peters Dethard,AICHINGER Thomas,ESTEVE Romain. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor Device with Trench Gate Structure Including a Gate Electrode and a Contact Structure for a Diode Region

Номер патента: US20180350968A1. Автор: Roland Rupp,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device with trench gate structure including a gate electrode and a contact structure for a diode region

Номер патента: US10074741B2. Автор: Roland Rupp,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters,Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor device including metal insulator semiconductor transistor

Номер патента: US20100187590A1. Автор: Hirokazu Ishigaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20090130848A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor device and method for production thereof

Номер патента: US20070090472A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070259512A1. Автор: Kentaro Yamada,Masato Takahashi,Yasuhiro Obara,Takeshi Katoh,Yoshio Fukayama,Masaki Sakashita,Tatsuyuki Konagaya,Koichiro Takei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20110073860A1. Автор: Takahiro Kawamura,Michihiro Kanno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, and manufacture thereof

Номер патента: US20020047141A1. Автор: Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09865734B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09577098B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09401427B2. Автор: Akiyoshi Hatada,Naoyoshi Tamura,Masashi Shima,Yosuke Shimamune,Akira Katakami. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12101940B2. Автор: Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09577082B2. Автор: Hiroshi Hata,Hidehiro Nakagawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388608A1. Автор: Hiroyuki Nakamura,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09595532B2. Автор: Tamotsu Ogata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871127B2. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150325665A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160380116A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160380099A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160365433A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180083130A1. Автор: Hitoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with modulated field element isolated from gate electrode

Номер патента: US09647103B2. Автор: Michael Shur,Alexei Koudymov,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device n-channel type MOS transistor with gate electrode layer featuring small average polycrystalline silicon grain size

Номер патента: US7442632B2. Автор: Takayuki Suzuki,Mitsuhiro Togo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Номер патента: US20190237588A1. Автор: Mihir Mudholkar,Mohammed T. QUDDUS,Ikhoon SHIN,Scott M. DONALDSON. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09620595B2. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20160133743A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20150144967A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9496393B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US9257521B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US8969877B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09716182B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09627413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068399B2. Автор: Takashi Okada,Tomoyuki Ito,Toshiki Kaneko,Akihiro Hanada,Takuo Kaitoh,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837547B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240088280A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having a necked semiconductor body and method of forming semiconductor bodies of varying width

Номер патента: US20240222509A1. Автор: Bernhard Sell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09478664B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255617A1. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997639B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09917204B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09680028B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472682B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09293590B2. Автор: Tadashi Nakano,Kosei Noda,Mai SUGIKAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-22.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234570A1. Автор: Tetsuo Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20220181487A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20190273158A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180138313A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20210399130A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20200119192A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US11043589B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US10546954B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US9893180B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of forming the same as well as data processing system including the semiconductor device

Номер патента: US20120025324A1. Автор: Yoshihiro Takaishi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110588A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20200411687A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12125901B2. Автор: Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972718B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530892B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170345842A1. Автор: Yosuke Takeuchi,Shibun TSUDA,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280715A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20170012123A1. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor device

Номер патента: US11777030B2. Автор: Yuki Nakano,Shuhei Mitani,Takuji Hosoi,Heiji Watanabe,Takayoshi Shimura,Takashi Kirino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor Device

Номер патента: US20160181438A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20020045296A1. Автор: Kyoichi Suguro,Yasushi Akasaka,Kouji Matsuo,Yoshitaka Tsunashima,Atsushi Yagishita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09847429B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837512B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793383B2. Автор: Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09780109B2. Автор: Yosuke Takeuchi,Shibun TSUDA,Eiji Tsukuda,Kenichiro Sonoda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film

Номер патента: US09735280B2. Автор: Kosei Noda,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09666712B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09496412B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09728544B2. Автор: Jae Hyun Park,Yong Tae Kim,Tea Kwang YU,Kyong Sik YEOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647068B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450075B2. Автор: Herb He Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Insulated gate semiconductor device having trench gate and inverter provided with the same

Номер патента: US5828100A. Автор: Yutaka Kobayashi,Akihiko Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230307423A1. Автор: Sung Min Kim,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device, display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20010020702A1. Автор: Kiichi Hirano,Naoya Sotani,Toshifumi Yamaji,Yoshihiro Morimoto,Kiyoshi Yoneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device having a planar insulating layer

Номер патента: US09972720B2. Автор: Dong Il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09853024B2. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09634149B2. Автор: Yuichi Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496375B2. Автор: Atsuo Isobe,Kunio Hosoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240237325A9. Автор: Jung Gun YOU,Sug Hyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180197962A1. Автор: Hiroyoshi Kitahara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210320193A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Naoki Okuno,Yuji EGI,Tetsuya Kakehata,Hiroki KOMAGATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device having buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US09954052B2. Автор: Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09887293B2. Автор: Zhibiao Zhou,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Chung-Yuan Lee,Ding-Lung Chen,Sanpo Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09825025B2. Автор: Naoki Kumagai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09583629B2. Автор: Takayuki Okamura,Jun Nishimura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583601B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Takuya Hirohashi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09978879B2. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180269327A1. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20180061989A1. Автор: Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140073101A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240322018A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09711656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US7915680B2. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110147841A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09911853B2. Автор: Masahiro Takahashi,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437744B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Thin-film semiconductor device having a thin-film transistor for circuits that differs from a thin-film transistor for pixels

Номер патента: US6563136B2. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US7492014B2. Автор: Sergey Pidin. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-17.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20090294769A1. Автор: Tomoyuki Irizumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240357831A1. Автор: Hyeran Lee,Hyun-mook CHOI,Jeon Il LEE,Seryeun Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240371993A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09997545B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09806068B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09614062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09496403B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US8097914B2. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100052045A1. Автор: Hideki Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090286374A1. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Tanabe,Tadahiro Matsuzaki,Takahiro Korenari. Владелец: NEC LCD Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8350328B2. Автор: Takashi Ishigaki,Yusuke Morita,Nobuyuki Sugii,Ryuta Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236897A1. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954057B2. Автор: Jae-Hyun Yoo,Young-Mok Kim,Myoung-Kyu Park,Kwan-Jae Song,In-Hack Lee,Seong-Hun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device that is advantageous in complex stress engineering and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070262391A1. Автор: Zhengwu Jin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09953858B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160329397A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US20160043167A1. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12002876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Method of manufacturing electronic device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050029593A1. Автор: Osamu Ohara,Manabu Kudo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20210280610A1. Автор: Manabu Yamashita. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09508861B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250184A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250183A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09741860B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film

Номер патента: US09680026B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120058612A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: EP4435865A1. Автор: Hiroshi Kono,Katsuhisa Tanaka. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258433A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411526A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072172A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420570A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11817505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US11791415B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Vertical power semiconductor device

Номер патента: EP3823019A2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor Device

Номер патента: US20210143081A1. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180181679A1. Автор: Chang Min Hong,Hee Bum Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240074151A1. Автор: Takao Kosaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device including a semiconductor element with a gate electrode on only one surface

Номер патента: US11652023B2. Автор: Hiroshi Shintani,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kenya Kawano,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Semiconductor device with varying thickness of insulating film between electrode and gate electrode and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559183B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device having high-k gate insulation films and fabricating method thereof

Номер патента: US20150325670A1. Автор: Young-hun Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20200111914A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20180331228A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20230268445A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09647128B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837427B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060076583A1. Автор: Shinji Fujikake,Manabu Takei,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20160351714A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US20150194527A1. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09825171B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of evaluating semiconductor device

Номер патента: US09437737B2. Автор: Tomohiro Kubo,Hidenobu Fukutome. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20150295057A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09853164B2. Автор: Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Izumi Ishida,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685338B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09425268B2. Автор: Yuichi Minoura,Yoshitaka Watanabe. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20050236678A1. Автор: Kazuhiro Eguchi,Akio Kaneko,Katsuyuki Sekine,Motoyuki Sato,Seiji Inumiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080128795A1. Автор: Toshifumi Minami,Teppei Higashitsuji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905653B2. Автор: Masayuki Kobayashi,Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Shinji Kimura,So Tanaka,Taku Horii,Ryosuke Kubota,Daisuke Hamajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for producing surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09842902B1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Surrounding gate semiconductor device

Номер патента: US09768267B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680031B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US09490362B2. Автор: XINPENG WANG,Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura,Nozomu Harada,Yisuo Li,Zhixian Chen,Aashit Ramachandra Kamath,Teng Soong PHUA,Patrick Guo-Qiang Lo. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US11710786B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shogo IKEURA,Shinichirou YANAGI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Semiconductor device having a bandgap wider than that of silicon

Номер патента: US09911846B2. Автор: Makoto Utsumi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09728607B2. Автор: Taku Horii,Masaki Kijima. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11942554B2. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20200335627A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US11081591B2. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210074852A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shogo IKEURA,Shinichirou YANAGI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device of MOS structure having p-type gate electrode

Номер патента: US5189504A. Автор: Satoshi Nakayama,Tetsushi Sakai. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240178286A1. Автор: Makoto Endou,Takaaki Suzawa,Makoto Shimosawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20120298997A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100159687A1. Автор: Tsutomu Okazaki,Tsuyoshi Koga,Daisuke Okada,Motoi Ashida,Hiroji Ozaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09722088B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09525023B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hidekazu Miyairi,Tomohiro Kimura,Yasuhiro Jinbo,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673336B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230395688A1. Автор: Masanobu Ikeda,Yoshitaka Ozeki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US12040374B2. Автор: Kazuhiro Tamura,Yusuke Nishida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09773916B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954091B2. Автор: Motonobu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09882014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Naoya Sakamoto,Yasutaka Nakazawa,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices having gate stack portions that extend in a zigzag pattern

Номер патента: US20160233233A1. Автор: Hyuk Kim,Sang Wuk Park,Kyoung Sub Shin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09627545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20210328028A1. Автор: Chih-Yen Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Compound semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9337326B2. Автор: Tadahiro Imada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: US20190267391A1. Автор: James Kai,Muneyuki IMAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222464A1. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20190341502A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09812583B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09449819B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US9461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US20150303202A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor devices having vertical device and non-vertical device and methods of forming the same

Номер патента: US09461054B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140070326A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647072B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Toru Hiyoshi,Takashi Tsuno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240274701A1. Автор: Yohei Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Gate structures in nonvolatile memory devices having curved side walls formed using oxygen pathways and methods of forming same

Номер патента: US20040046206A1. Автор: Jin-Hyun Shin,Jae-sun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US20030034492A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method of manufacturing a semiconductor device and liquid crystal display

Номер патента: US20030155571A1. Автор: Ichiro Murai,Masami Hayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09899423B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09490268B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030022448A1. Автор: Atsushi Azuma,Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030073273A1. Автор: Atsushi Azuma,Satoshi Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device for use in a light valve device, and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1026733A1. Автор: Kunihiro Takahashi,Yoshikazu Kojima,Tsuneo Yamazaki,Hiroaki Takasu,Nobuyoshi Matsuyama,Hitoshi Niwa,Tomoyuki Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060255354A1. Автор: Hiroshi Shibata,Yoshifumi Tanada,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09754971B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Daisuke Matsubayashi,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same

Номер патента: US12034080B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09876118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09608124B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09595541B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device, driver circuit, and display device

Номер патента: US09553205B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and nonvolatile semiconductor memory device comprising a plurality of semiconductor elements as well as process for the same

Номер патента: US20020117708A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US20240272735A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09905429B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US09633859B2. Автор: Masaaki Shinohara,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices including channel dopant layer

Номер патента: US09484409B2. Автор: Ji Hun Kim,Jeonghoon Oh,Eun-Sun Lee,Junhwa SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09461067B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US09831347B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Display device, semiconductor device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US09508758B2. Автор: Koichi Nagasawa,Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Display device with driving transistor having upper and lower gate electrodes

Номер патента: US12120915B2. Автор: Yoshinobu Nakamura,Tadayoshi Miyamoto,Kayo Haruguchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09679908B2. Автор: Masaaki Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09520504B2. Автор: Koichi Toba,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09515082B2. Автор: Daisuke Okada,Digh Hisamoto,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09412877B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of fabricating semiconductor device having epitaxially grown semiconductor single crystal film

Номер патента: US5759878A. Автор: Masaaki Kamiya,Yoshikazu Kojima,Hiroaki Takasu,Yutaka Hayashi. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1998-06-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200185533A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having element isolating region of trench type

Номер патента: US20120168846A1. Автор: Riichiro Shirota,Seiichi Mori,Yuji Takeuchi,Michiharu Matsui,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8258568B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20100081250A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20120302035A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20070281428A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US7645674B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US8728903B2. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Semiconductor device having an oxide film formed on a semiconductor substrate sidewall of an element region and on a sidewall of a gate electrode

Номер патента: US20110156126A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Junichi Shiozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09917116B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with fin transistors and manufacturing method of such semiconductor device

Номер патента: US09741814B2. Автор: Koichi Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Liquid crystal display device having a low reflecting layer made of the same material as the source electrode and the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09715145B2. Автор: Hiroshi Matsukizono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09704996B2. Автор: Hajime Kimura,Rumo Satake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09659977B2. Автор: Daisuke Kubota,Masami Jintyou,Ryo HATSUMI,Takumi SHIGENOBU,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US09362373B2. Автор: Koji Sasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20230317839A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09865746B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having semiconductor layer that includes channel region formed into concave shape, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US09865620B2. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728631B2. Автор: Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and power module

Номер патента: US09536948B2. Автор: Toshio Nakajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09508554B2. Автор: Toshio Kudo,Shinichiro Abe,Shoji Yoshida,Daisuke Okada,Seiji Muranaka,Fukuo Owada,Hideaki YAMAKOSHI,Kazuharu YAMABE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Mos type semiconductor device

Номер патента: US5079607A. Автор: Kenya Sakurai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170047354A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20040031993A1. Автор: Tetsuya Yoshida,Tetsuya Okada,Mitsuhiro Yoshimura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-19.

Display device, semiconductor device, and method of manufacturing display device

Номер патента: US09935135B2. Автор: Koichi Nagasawa,Hitoshi Tsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US09614099B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Masaki Atsuta,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09607996B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Trench semiconductor device having shaped gate dielectric and gate electrode structures and method

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09412755B2. Автор: Kazuhiko Sato,Hiroshi Ishida. Владелец: Synaptics Display Devices GK. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200294861A1. Автор: Junya Fujita,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Compound semiconductor device and manufacture process thereof

Номер патента: US20120146134A1. Автор: Yoichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090166815A1. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7948062B2. Автор: Toshihide Kikkawa,Kozo Makiyama,Masahito Kanamura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Semiconductor devices and its manufacturing method with metal gate electrode

Номер патента: CN106941096B. Автор: 李达元,许光源. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-01.

Semiconductor devices and its manufacture method with metal gate electrode

Номер патента: CN106941096A. Автор: 李达元,许光源. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING A MULTILEVEL DRAIN SELECT GATE ELECTRODE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20180138193A1. Автор: Alsmeier Johann,LIU Jin,Zhang Yanli,Makala Raghuveer S.,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09406813B2. Автор: Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Compound semiconductor device with mesa structure

Номер патента: US20140057401A1. Автор: Tsuyoshi Takahashi,Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09660045B2. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09520489B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090325357A1. Автор: Junji Koga,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device having plural air gaps for decreasing parasitic capacitance

Номер патента: US6127711A. Автор: Atsuki Ono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217747A1. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor devices including gate contacts

Номер патента: US09768250B2. Автор: Changseop YOON,Min Choul Kim,Hyokki Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

TRENCH SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SHAPED GATE DIELECTRIC AND GATE ELECTRODE STRUCTURES AND METHOD

Номер патента: US20190326447A1. Автор: MUDHOLKAR Mihir,QUDDUS Mohammed T.,SHIN Ikhoon,DONALDSON Scott M.. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor device, method for producing semiconductor device, power supply device, and amplifier

Номер патента: US20200161464A1. Автор: Youichi Kamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US8395203B2. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and fabricating method for the same

Номер патента: US20060138554A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US09461122B2. Автор: Hisashi Saito,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20100059800A1. Автор: Hisao Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Semiconductor device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20130164927A1. Автор: Yasushi Ishii,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for manufacturing semiconductor device including metal gate electrode and semiconductor device

Номер патента: US20090321842A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device with high electron mobility transistor (HEMT) having source field plate

Номер патента: US09704982B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US20210320184A1. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device and testing device

Номер патента: US11764278B2. Автор: Kensuke Okumura,Tomoo Yamanouchi. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Process for the preparation of semiconductor devices

Номер патента: US5158904A. Автор: Takashi Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722096B2. Автор: Shoji Yoshida,Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831093B2. Автор: Hideki Sugiyama,Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3683835A3. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3683835A2. Автор: Shibun TSUDA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-07-22.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11792993B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Three-dimensional semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11387253B2. Автор: Sungjin Kim,Junghwan Kim,Seulye KIM,Sunggil Kim,Chanhyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-12.

Tungsten gate electrode method and device

Номер патента: EP1258033A1. Автор: Timothy Z. Hossain,Amiya R. Ghatak-Roy,Jason B. Zanotti. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-11-20.

Semiconductor device having silicon layer in a gate electrode

Номер патента: US20090233433A1. Автор: Satoru Yamada,Ryo Nagai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced junction leakage current and gate electrode resistance of transistor

Номер патента: US20060115936A1. Автор: Keizo Kawakita,Kensuke Okonogi,Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20180226400A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09871103B2. Автор: Ho Jun Kim,Sung Dae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Three-dimensional memory device having on-pitch drain select gate electrodes and method of making the same

Номер патента: WO2019018050A1. Автор: Tong Zhang,James Kai,Takashi Orimoto,Johann Alsmeier,Shinsuke YADA,Akihisa SAI,Sayako Nagamine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230027536A1. Автор: Masakiyo Sumitomo,Hiroto SUGIURA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11715789B2. Автор: Hidenori Fujii,Tetsuo Takahashi,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20110248346A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and fabrication method for the same

Номер патента: US20100001348A1. Автор: Takayuki Yamada,Riichirou Mitsuhashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US09577051B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US20140299937A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-10-09.

Spacer structures of a semiconductor device

Номер патента: US20140017886A1. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo,Hui-Wen LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-16.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ON-PITCH DRAIN SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20190267391A1. Автор: Kai James,IMAI Muneyuki. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070099363A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4002464A1. Автор: Satoru Matsumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Method of manufacturing semiconductor device with silicide gate electrodes

Номер патента: US7858524B2. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050247988A1. Автор: Yasuyuki Tamura,Chikako Yoshida,Shinji Miyagaki,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device having component transistor with protected gate electrode

Номер патента: US5517050A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-05-14.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US7981746B2. Автор: Fumihiko Inoue,Fumiaki TOYAMA. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-07-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100084685A1. Автор: Takashi Fukushima,Hiroshi Itokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor Device and Its Driving Method

Номер патента: US20090032839A1. Автор: Hideaki Kawahara,Toshiyuki Tani,Toshimi Satoh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device with suppressed hump characteristic

Номер патента: US7944021B2. Автор: Kouji Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region

Номер патента: US6097038A. Автор: Yushi Jinno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230290858A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060202262A1. Автор: Dong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7803716B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-28.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US7439190B2. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-21.

Fabrication method of semiconductor device

Номер патента: US20080299752A1. Автор: Hiroshi Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030003666A1. Автор: Tetsuo Izawa,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20070120203A1. Автор: Kazunori Fujita,Yoshikazu Yamaoka,Yasunori Inoue,Hideki Mizuhara,Satoru Shimada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09984934B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device with wider sidewall spacer for a high voltage MISFET

Номер патента: US09640440B2. Автор: Koji Maekawa,Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150008507A1. Автор: Yasufumi Morimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20100025754A1. Автор: Kazuyoshi Shiba. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080182396A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070093032A1. Автор: Hiroshi Tomita,Takuya Kobayashi,Tomonori Aoyama,Katsuyuki Sekine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20060226454A1. Автор: Mitsuhiro Togo,Eiji Hasegawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304680A1. Автор: Takahiro Maruyama,Yuya ABIKO,Tomoki Ayano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20030013256A1. Автор: YOUNG BACK,Yeon Cheong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device including nitride layer

Номер патента: US20040031985A1. Автор: Masao Inoue,Junichi Tsuchimoto,Akinobu Teramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150171179A1. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device having electrode made of high work function material and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472637B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277554A1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device having contact plug connected to diffusion region

Номер патента: US20240304688A1. Автор: Yoshikazu Moriwaki,Moeko Kawana. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240349509A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20130099325A1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20160049415A1. Автор: Yoshiyuki Ishigaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device

Номер патента: US9312267B2. Автор: Yoshiyuki Ishigaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010020707A1. Автор: Takashi Uehara,Mizuki Segawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9070690B2. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device, semiconductor device manufacturing apparatus and storage medium

Номер патента: US20140103529A1. Автор: Kenji Matsumoto,Atsushi Gomi,Tatsuo Hatano,Tatsufumi Hamada. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device and glass film forming apparatus

Номер патента: US09978882B2. Автор: Koji Ito,Shinichi Nagase,Atsushi Ogasawara. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20150235943A1. Автор: Yoshihiro Oka,Naohito Suzumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160322282A1. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5348906A. Автор: Shuichi Harajiri. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-09-20.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ON-PITCH DRAIN SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20190027488A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Zhang Tong,Orimoto Takashi,YADA Shinsuke,NAGAMINE Sayako,SAI Akihisa. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160043090A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor device having improved coverage with increased wiring layers

Номер патента: US5554864A. Автор: Kuniaki Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190139965A1. Автор: Yoshinori Ikebuchi. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US8497170B2. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-30.

Semiconductor device manufacture method and semiconductor device

Номер патента: US20130285148A1. Автор: Hajime Kurata,Kenzo IIZUKA. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20180005704A1. Автор: Hiromichi Takaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20040135200A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Hiroaki Hazama,Hirohisa Iizuka,Norihisa Arai,Akira Goda,Naoki Koido,Tohru Maruyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09953987B2. Автор: Yoshiki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130062611A1. Автор: Mayumi Morizuka,Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device having a ferroelectric capacitor and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020177243A1. Автор: Yoshimasa Horii,Brian Eastep,Katsuyoshi Matsuura,Fan Chu,Mari Tani,Glen Fox. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011132591A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768233B1. Автор: Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical structure of semiconductor device and method of formation thereof

Номер патента: RU2338683C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Питер МИТЧЕЛЛ,Ларри Алан НЕСБИТ. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor device including a local interconnection between an interconnection layer and an adjoining impurity region

Номер патента: US5621232A. Автор: Takio Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-04-15.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20080318393A1. Автор: Yuji Akao. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a reduced leakage current and a fabrication process thereof

Номер патента: US20020036306A1. Автор: Daisuke Matsunaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Method of manufacturing a MOS device wherein an insulating film is deposited in a field region

Номер патента: US4651411A. Автор: Naoyuki Shigyo,Masami Konaka,Ryo Dang. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-24.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170200644A1. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-13.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9984956B2. Автор: Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Fumiki Kato,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234259A1. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method of a fabricating a semiconductor having a reduced leakage current flow between the accumulation electrode and the gate electrode

Номер патента: US20020055245A1. Автор: Daisuke Matsunaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device having heat radiating configuration

Номер патента: US20110133328A1. Автор: Takeshi Miyajima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Thin-film semiconductor device, electro-optical device, methods for manufacturing the same, and reticle

Номер патента: US20030160244A1. Автор: Takahiro Amano,Kiyofumi Kitawada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Method and equipment for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US5492864A. Автор: Yoshiharu Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-20.

Insulating film forming method for semiconductor device interconnection

Номер патента: US5275977A. Автор: Toru Otsubo,Yasuhiro Yamaguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-01-04.

Semiconductor devices

Номер патента: US20230083747A1. Автор: Woo Jin Lee,Yeong Gil Kim,Ja Yeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20060081940A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroaki Ohkubo. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190295888A1. Автор: Takahito Nakajima,Shinya Ito,Masaru Hatano. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140070425A1. Автор: Makoto Wada,Akihiro Kajita,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150056807A1. Автор: Makoto Wada,Akihiro Kajita,Tatsuro Saito,Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

A fabricating method of semiconductor device having different gate oxides and gate electrode

Номер патента: KR100240249B1. Автор: 이원우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-01-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030113993A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Sang-Ik Kim,Chang-Youn Hwang,Weon-Joon Suh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244657A1. Автор: Tadashi Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180350759A1. Автор: Yuki YAGYU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10964538B2. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-30.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190080900A1. Автор: Yusuke KASAHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and electronic device

Номер патента: US20240213360A1. Автор: Naoya Okamoto,Naoki Hara,Yasuhiro Nakasha,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki,Yusuke Kumazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070032056A1. Автор: Izuo Iida. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Semiconductor device having word line embedded in gate trench

Номер патента: US20240147699A1. Автор: Yoshihiro Matsumoto,Toshiyasu Fujimoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8293563B2. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductcor device, and electronic device

Номер патента: US20180182854A1. Автор: Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: EP4343832A1. Автор: Eitaro Miyake,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Wiring substrate and semiconductor device

Номер патента: US09711461B2. Автор: Yuji Yukiiri,Izumi Tanaka,Natsuko Kitajo. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US7190011B2. Автор: Hiroyasu Minda,Hirokazu Aizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20050233517A1. Автор: Hiroyasu Minda,Hirokazu Aizawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor devices having power rails and signal tracks arranged in different layer

Номер патента: US11756876B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device including landing pad

Номер патента: US09362289B2. Автор: Je-min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof and imaging apparatus

Номер патента: US20160133763A1. Автор: Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Yoshinori Ueda,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device including power mesh

Номер патента: US20230335485A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor devices

Номер патента: US20210313263A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device having a nonpeeling electrode pad portion

Номер патента: US20020009870A1. Автор: Mitsuhiro Matsutomo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7964464B2. Автор: Takashi Sakuma. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-21.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING ON-PITCH DRAIN SELECT GATE ELECTRODES AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20210005617A1. Автор: Alsmeier Johann,Kai James,Higashitani Masaaki,Chowdhury Murshed. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030089922A1. Автор: Tatsuya Kunikiyo,Masato Fujinaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20020140008A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device and its manufacture

Номер патента: US20030107064A1. Автор: Makoto Yasuda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070069304A1. Автор: Junji Hirase,Kazuhiko Aida,Naoki Kotani,Shinji Takeoka,Gen Okazaki,Akio Sebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7936016B2. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor device having contact electrode to semiconductor substrate

Номер патента: US20030116808A1. Автор: Kumi Oguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110207317A1. Автор: Tadashi Yamaguchi,Toshiaki Tsutsumi,Tomonori Okudaira,Keiichiro Kashihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device having electrode made of high work function material, method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09653301B2. Автор: Sadayoshi Horii,Arito Ogawa,Hideharu Itatani. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040070037A1. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6949425B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device includes gate insulating film having a high dielectric constant

Номер патента: US6664577B2. Автор: Mariko Takayanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor device having a gate and fabrication method therefor

Номер патента: US20020034868A1. Автор: Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device having multiple gate oxide films

Номер патента: US7129137B2. Автор: Hiroki Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20080017922A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20100295116A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080248641A1. Автор: Mariko Makabe. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor device with reference voltage circuit

Номер патента: US20240094756A1. Автор: Takeshi Koyama,Hisashi Hasegawa,Shinjiro Kato,Kohei Kawabata. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240079410A1. Автор: Tomoaki Yabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device and method for manufacturing partial SOI substrates

Номер патента: US20050023609A1. Автор: Ichiro Mizushima,Hajime Nagano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070090465A1. Автор: Ken Suzuki,Masafumi Tsutsui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060278937A1. Автор: Toshihide Nabatame,Akira Toriumi,Masaru Kadoshima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020093040A1. Автор: Kazuo Tomita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20160064663A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20140073090A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Teramikros Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050158943A1. Автор: Yoshihiko Miyawaki. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20010053579A1. Автор: TAKESHI Toda,Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929341B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Wiring structure having interlayer insulating film and wiring line without a barrier layer between

Номер патента: US09543191B2. Автор: Xun Gu,Hirokazu Matsumoto,Akinobu Teramoto,Takenao Nemoto,Takehisa SAITO,Yugo Tomita,Akihide Shirotori. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device having through-electrode

Номер патента: US09425138B2. Автор: Toshiro Mitsuhashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100013028A1. Автор: Yoshiko Kato,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110104865A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090026517A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device having reinforced low-k insulating film and its manufacture method

Номер патента: US8772182B2. Автор: Yoshiyuki Ohkura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device having a capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US6713798B2. Автор: Yoichi Okita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor memory device having air gap

Номер патента: US10319734B2. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Method of manufacturing a semiconductor device having different kinds of insulating films with different thicknesses

Номер патента: US8435861B2. Автор: Junichi Ariyoshi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020013046A1. Автор: Hirosada Koganei. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150008579A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150318244A1. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Tera Probe Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP2899750A3. Автор: Takayuki Igarashi,Takuo Funaya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device having fuse elements

Номер патента: US09984966B2. Автор: Yoshitaka Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09947715B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor device having an insulating film in trenches of a semiconductor substrate

Номер патента: US09711563B2. Автор: Takehito Okabe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having low dielectric insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US09640478B2. Автор: Osamu Okada,Takeshi Wakabayashi,Ichiro Mihara,Aiko Mizusawa. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US09989828B2. Автор: Yohsuke Kanzaki,Tadayoshi Miyamoto,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Hiroshi Matsukizono,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US20200251584A1. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Compound semiconductor device, method of manufacturing compound semiconductor device, and amplifier

Номер патента: US11094813B2. Автор: Kozo Makiyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312999A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09793475B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09484532B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09478737B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device including transistor and capacitor

Номер патента: US09911755B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Low resistance ground wiring in a semiconductor device

Номер патента: US6071785A. Автор: Shinichi Horiba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060081852A1. Автор: Kazushige Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150333070A1. Автор: Takeshi Nagai,Kanta Saino. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor device having multiple insulating films of varying thickness

Номер патента: US09958719B2. Автор: Osamu Itou,Yuki Matsuura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing semiconductor device with separately formed insulating films in main circuit and memory regions

Номер патента: US09947679B2. Автор: Masaaki Shinohara,Takahiro Maruyama,Fukuo Owada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080061445A1. Автор: Kenji Ishikawa,Hiroshi Kudo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US7615485B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-10.

Method of manufacture of contact plug and interconnection layer of semiconductor device

Номер патента: US20110018046A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Hiroyuki Kutsukake,Shoichi Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Evaluation method for semiconductor devices

Номер патента: US5850149A. Автор: Yukari Imai,Toshiharu Katayama,Naoko Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-15.

Semiconductor device having a resistance element with a reduced area

Номер патента: US6166425A. Автор: Masato Sakao. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor device with burried semiconductor regions

Номер патента: US20060046369A1. Автор: HISANORI Ihara,Hiroshige Goto,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device and inverter including the semiconductor device

Номер патента: US09887279B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240015967A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Siyeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with high- and low-density regions of transistor elements on single semiconductor substrate, and method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20010006834A1. Автор: Toshiyuki Hirota,Natsuki Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Organic semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110248248A1. Автор: Takaaki Ukeda. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050151168A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshitaka Sasago. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060246662A1. Автор: Kenji Matsuzaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device and semiconductor device including multilayer gate electrode

Номер патента: US7541654B2. Автор: Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060189070A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7145197B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Hitomi Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20070252188A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20100068857A1. Автор: Kazuaki Isobe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Hopper car having double-curved side walls

Номер патента: US20090090268A1. Автор: Stephen R. Early. Владелец: Aero Transportation Products Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Side wall insulated cathode of jet electrochemical machining tool

Номер патента: CN111570942A. Автор: 徐波,王盼盼,干为民,何亚峰,郭魂. Владелец: Changzhou Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-25.

Spa side wall insulated jacket and method of use

Номер патента: US20110131722A1. Автор: Curtis Wade SCOTT,Pamela Michele SCOTT. Владелец: SPAJACKET INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Liquid crystal display device and semiconductor device

Номер патента: US09709861B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Vertical container of variable elliptical cross-section, curved side walls with divergent concaves towards a transverse peripheral groove, laterally horizontal, frontal and then descends in an inverted triangular configuration, and gives way to an upper portion in the form of an inverted paraboloid inverted frontally and subsequently.

Номер патента: CL2011000455S1. Автор: Mauricio Ardila Julian. Владелец: Productos Familia SA. Дата публикации: 2012-01-06.

Power devices having trench-based source and gate electrodes

Номер патента: CN1790745A. Автор: L·马,D·A·吉达尔. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING CURVED GATE ELECTRODE ALIGNED WITH CURVED SIDE-WALL INSULATING FILM AND STRESS-INTRODUCING LAYER BETWEEN CHANNEL REGION AND SOURCE AND DRAIN REGIONS

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты