Sense amplifier for a flash memory system.

Sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: US10546646B2
Опубликовано: 28-01-2020
Автор(ы): Kai Man Yue, Li Fang Bian, Xiao Yan Pi, Xiaozhou Qiang
Принадлежит: Silicon Storage Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: WO2019240892A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Improved sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3807881A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20190385685A1. Автор: Kai Man Yue,Xiao Yan Pi,Xiaozhou Qiang,Li Fang Bian. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Low power multiple bit sense amplifier

Номер патента: EP1915759A1. Автор: Giulio Marotta,Girolamo Gallo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-30.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Sense amplifier with negative threshold sensing for non-volatile memory

Номер патента: US20190164616A1. Автор: Hao Nguyen,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-30.

Sense amplifier and method for bit line voltage compensation thereof

Номер патента: US09881677B1. Автор: Ji-Yu Hung,Kai-Hsiang Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Floating Boosted Pre-Charge Scheme for Sense Amplifiers

Номер патента: US20200058360A1. Автор: Antonino Conte,Loredana CHIARAMONTE,Anna Rita Maria Lipani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-02-20.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Reconfigurable sense amplifier for a memory device

Номер патента: US09761316B2. Автор: Francois Tailliet,Victorien Brecte. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-12.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: WO2018048682A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2018-03-15.

Improved sense amplifier with bit line pre-charge circuit for reading flash memory cells in an array

Номер патента: EP3485494A1. Автор: Yao Zhou,Tao Wang,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Lu GUO,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-22.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Sense Amplifier Column Redundancy

Номер патента: US20140269104A1. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: EP2973587A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: WO2014150548A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier design for ramp sensing

Номер патента: US09543030B1. Автор: Anirudh Amarnath,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: EP3807879A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-21.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A8. Автор: Xiaozhou QIAN,Kaiman YUE,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method And Apparatus For Reducing Coupling Between Word Lines And Control Gate Lines In A Flash Memory System

Номер патента: US20190385679A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Guang Yan LUO. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method and apparatus for reducing coupling between word lines and control gate lines in a flash memory system

Номер патента: WO2019240893A1. Автор: Kaiman YUE,Guang Yan LUO,Xiaozhou QUIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-12-19.

Flash memory arrangement with a common read-write circuit shared by partial matrices of a memory column

Номер патента: US09754669B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Anvo-Systems Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Differential sense amplifier circuit for high speed ROMS, and flash memory devices

Номер патента: US4903237A. Автор: Kameswara K. Rao. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 1990-02-20.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: WO2018071107A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: US09881676B1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen,Yen-Lung Jason Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Erase power loss indicator (EPLI) implementation in flash memory device

Номер патента: US11935603B2. Автор: Pawan Singh,Kobi Danon,Yoram Betser,Amichai GIVANT,Shivananda Shetty,Idan Koren,Amir Rochman. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11238943B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2022-02-01.

Systems and methods for sensing radiation using flash memory

Номер патента: US11978517B1. Автор: Biswajit Ray. Владелец: University of Alabama in Huntsville. Дата публикации: 2024-05-07.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: EP2973570A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kaiman YUE. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: US09620235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kai Man Yue. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Pipelined programming for a NAND type flash memory

Номер патента: EP1326257A3. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Compact high speed sense amplifier for non-volatile memory with reduced layout area and power consumption

Номер патента: US09558836B2. Автор: Jongmin Park,Hao Thai Nguyen,Man Lung Mui,Seungpil Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory device for outputing data in synch with a first signal in an SDR mode and a DDR mode and a flash memory system including the same

Номер патента: US09715936B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor storage device and memory system

Номер патента: US09570173B2. Автор: Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Flash memory control method, controller and electronic apparatus

Номер патента: US09417958B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Analog interface for a flash memory die

Номер патента: US7911834B2. Автор: Michael J. Cornwell,Christopher P. Dudte. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: WO2007076414A3. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2007-09-27.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: EP1966801A2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US12094543B2. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Current-Sense Amplifier With Low-Offset Adjustment and Method of Low-Offset Adjustment Thereof

Номер патента: US20120294090A1. Автор: Shin-Jang Shen,Meng-Fan Chang,Yu-Der Chih,Yu-Fan Lin. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-11-22.

Three-dimensional memory device including sense amplifiers having a common width and separation

Номер патента: US11925027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masayuki Hiroi,Masatoshi Okumura,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Sense amplifier architecture for sliding banks for a simultaneous operation flash memory device

Номер патента: US6259633B1. Автор: Kazuhiro Kurihara,Takao Akaogi,Tien-Min Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Power line compensation for flash memory sense amplifiers

Номер патента: US20190355420A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Latch-type sense amplifier for a non-volatile memory with reduced margin between supply voltage and bitline-selection voltage

Номер патента: US20210020237A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-21.

Low power operation for flash memory system

Номер патента: US09672930B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen,Viet Tan Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Current sensing type sense amplifier and method thereof

Номер патента: US20130155777A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Sense structure based on multiple sense amplifiers with local regulation of a biasing voltage

Номер патента: US09679618B2. Автор: Antonino Conte,SantiNunzioAntonino Pagano,Mario Micciche′. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-06-13.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Method of making flexibly partitioned metal line segments for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116236A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Output multiplexing implementation for a simultaneous operation flash memory device

Номер патента: TWI235380B. Автор: Kazuhiro Kurihara,Takao Akaogi,Tien-Min Chen. Владелец: Fasl Llc. Дата публикации: 2005-07-01.

Gapless programming for a NAND type flash memory

Номер патента: TW550573B. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-09-01.

Reference cell four-way switch for a simultaneous operation flash memory device

Номер патента: US6185128B1. Автор: Kazuhiro Kurihara,Takao Akaogi,Tien-Min Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-02-06.

Self-timed integrating differential current sense amplifier

Номер патента: US20090059672A1. Автор: Thomas Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Sense amplifier

Номер патента: US10783969B2. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-22.

Sense amplifier

Номер патента: US20190279717A1. Автор: Bin SHENG,Zhifeng MAO,Shengbo ZHANG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Sense amplifier for flash memory

Номер патента: US5999454A. Автор: Malcolm H. Smith. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: WO2004086406A8. Автор: Geirr I Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Robert Schweickert. Дата публикации: 2006-04-20.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Self-timed, single-ended sense amplifier

Номер патента: US09542981B2. Автор: Igor Arsovski,Travis R. Hebig. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Sense amplifier with reduced area occupation for semiconductor memories

Номер патента: US7843738B2. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Antonio Giambartino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2010-11-30.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Dual bank flash memory device and method

Номер патента: EP1282134A3. Автор: Luca Giovanni Fasoli. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-06-23.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Sense amplifier structure for non-volatile memory with neighbor bit line local data bus data transfer

Номер патента: US11901018B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Chia-kai Chou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Differential sense amplifier for multilevel non-volatile memory

Номер патента: US20040047184A1. Автор: Hieu Tran,Jack Frayer,William Saiki,Michael Briner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Sense amplifier with efficient use of data latches

Номер патента: US09552882B2. Автор: Kwang Ho Kim,Tai-Yuan Tseng,Cynthia Hsu,YenLung Li,Man L Mui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US20150194192A1. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Sense amplifier of a memory cell

Номер патента: US09460759B2. Автор: Thomas Kern,Mihail Jefremow. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-04.

System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module

Номер патента: US09431118B1. Автор: Hanan Weingarten,Ilan Bar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Sense amplifier for programmable read only memory

Номер патента: US4758748A. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-07-19.

Sense amplifier circuitry

Номер патента: US5528543A. Автор: Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A3. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A4. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-05-30.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: US09431072B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method of forming a floating gate for a stacked gate flash memory device

Номер патента: TW200520231A. Автор: Jih-Ren Tsai,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Method of forming a floating gate for a stacked gate flash memory device

Номер патента: TWI252588B. Автор: Jih-Ren Tsai,Hau Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-04-01.

Low voltage read cascode for 2v/3v and different bank combinations without metal options for a simultaneous operation flash memory device

Номер патента: EP1222663B1. Автор: Kazuhiro Kurihara,Takao Akaogi,Tien-Min Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Synchronization of read and verify operations that may be carried out at the same time over distinct partitions of a flash memory

Номер патента: US20070217257A1. Автор: Andrea Martinelli,Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-09-20.

Flash memory for performing margin read test operation and margin read test system including the same

Номер патента: US20240145021A1. Автор: Hyun-Jin Shin,Gyuseong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09502117B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Sector configure registers for a flash device generating multiple virtual ground decoding schemes

Номер патента: US20100074008A1. Автор: Allan Parker. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-03-25.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: WO2021167648A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Repetitive erase verify technique for flash memory devices

Номер патента: US20080151636A1. Автор: Wing Leung,Sheung-Hee Park,Ming Kwan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

Flash memory counter

Номер патента: US09666290B2. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Flash memory apparatus and initialization method for programming operation thereof

Номер патента: US09437311B1. Автор: Tsai-Ko Teng. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Selective sense amplifier enablement

Номер патента: WO2016007372A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150146486A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Sense Amplifier Circuit in Flash Memory Device

Номер патента: KR19990076160A. Автор: 차병권. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Dynamic sense amplifier supply voltage for power and die size reduction

Номер патента: US20230326531A1. Автор: Yonggang Wu,Tai-Yuan Tseng,Yanjie Wang,Guirong Liang,Ohwon KWON,Yasue Yamamoto,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Common flash interface implementation for a simultaneous operation flash memory device

Номер патента: US6275412B1. Автор: Yasushi Kasa,Fan W. Lai. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Flash memory devices with flash fuse cell arrays

Номер патента: US7561486B2. Автор: Tae-Seong Kim,Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Fast sense amplifier for nonvolatile memories

Номер патента: US20020051386A1. Автор: Thomas Kern,Esther Ordonez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-05-02.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Bias current generator circuit for a sense amplifier

Номер патента: US5168466A. Автор: Thomas R. Toms,Clinton C. Kuo,Mark S. Weidner. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US09601219B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nand-type flash memory and semiconductor memory device

Номер патента: US20090154243A1. Автор: Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation

Номер патента: US09704572B2. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory modules with multi-chip packaged integrated circuits having flash memory

Номер патента: US09536609B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Memory controller and flash memory system having the same

Номер патента: US10956067B2. Автор: Kazuo Shida. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Data sensing module and sensing circuit for flash memory

Номер патента: US20100315877A1. Автор: Wei-Chih Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of operating a flash memory system using a migration operation

Номер патента: US09507530B2. Автор: Young Bong KIM,Dongeun Shin,Dong-young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Test partitioning for a non-volatile memory

Номер патента: US09472285B2. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat,Kenneth L. Herman. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices

Номер патента: US5243573A. Автор: Hiroyasu Makihara,Kenji Kohda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-09-07.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Flash memory unit and memory array, and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: US09406685B2. Автор: HONG Jiang,Jian Hu,Jun Xiao,Weiran Kong,Guangjun Yang,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US11822428B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US20240036974A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: US20020010828A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Buskirk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Programming method for NAND-type flash memory

Номер патента: US09514826B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: TW442798B. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Buskirk Michael Van. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-06-23.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301B1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-16.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: TW512346B. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Buskirk Michael Van. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-12-01.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238B1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-26.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: US6275894B1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Method of making flexibly partitioned metal line segments for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: TW442925B. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Buskirk Michael Van. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-06-23.

Method of making flexibly partitioned metal line segments for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116236B1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-15.

Control circuit for a non-volatile semi-conductor memory system

Номер патента: EP0988633B1. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-05-09.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US6473338B2. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-29.

Analog voltage supply circuit for a non-volatile memory

Номер патента: US20010040825A1. Автор: Naoaki Sugimura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of controlling internal address for a serial nor flash memory

Номер патента: US11450387B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Acceleration voltage implementation for a high density flash memory device

Номер патента: US6297993B1. Автор: Yasushi Kasa,Johnny C. Chen,Trung S. Pham. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-10-02.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Discharge circuit for a word-erasable flash memory device

Номер патента: US20070007561A1. Автор: Antonino Conte,Mario Micciche,Giampiero Sberno,Enrico Castaldo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-11.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20150016191A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Methods, systems, and computer readable media for address and data integrity checking in flash memory operations

Номер патента: US09477549B2. Автор: Ashutosh Malshe,Karthik Krishnamoorthy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible

Номер патента: WO2002005285A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2002-01-17.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Burst architecture for a flash memory

Номер патента: EP1295294A2. Автор: Takao Akaogi,Lee Cleveland,Kendra Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-26.

Burst architecture for a flash memory

Номер патента: AU2001263347A1. Автор: Takao Akaogi,Lee Cleveland,Kendra Nguyen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-12-11.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: US20020075728A1. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: Nima Mokhlesi. Дата публикации: 2002-06-20.

Flash memory

Номер патента: US20130235670A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Flash memory

Номер патента: US8755231B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Sense amplifier for programmable logic device having selectable power modes

Номер патента: US5631583A. Автор: Napoleon W. Lee,Wei-Yi Ku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Current sense amplifier for use in e.g. flash memory, has sensing circuit electrically coupled to bitline, and current amplification circuits electrically coupled to sensing circuit and amplifying current sensed in bitline

Номер патента: FR2885726A1. Автор: Jean Michel Daga,Caroline Papaix. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2006-11-17.

Sense amplifier control circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: DE4142065C2. Автор: Jong-Hyun Choi,Hong-Seon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-04-18.

Sensing amplifier driving element for a memory device.

Номер патента: NL193008C. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-03.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Sub-threshold enabled flash memory system

Номер патента: US09779788B1. Автор: Christophe J. Chevallier,Scott Hanson,Daniel M. Cermak. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory system with end of life calculation

Номер патента: EP2024839A2. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Kevin M. Conley. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Refresh method for flash memory and related memory controller thereof

Номер патента: US09627085B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Fast secure erase in a flash system

Номер патента: US09818486B2. Автор: Pablo A. Ziperovich. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Data storage device and block selection method for a flash memory

Номер патента: US20120268991A1. Автор: Mong-Ling Chiao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Data read method for flash memory

Номер патента: US09570162B2. Автор: Chien-Ting Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Managing refresh for flash memory

Номер патента: CA3026804C. Автор: Hung Vuong,Robert Hardacker,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory system and method for monitoring the disturb effect on memory cell blocks due to high voltage conditions of other memory cell blocks

Номер патента: US5920501A. Автор: Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Multi-tier detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09898361B2. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: WO2009095902A2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: DENSBITS TECHNOLOGIES LTD.. Дата публикации: 2009-08-06.

Systems and methods for handling immediate data errors in flash memory

Номер патента: US8365040B2. Автор: Hanan Weingarten,Shmuel Levy. Владелец: Densbits Technologies Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Detection and decoding in flash memories using correlation of neighboring bits

Номер патента: US20130185599A1. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Fast secure erase in a flash system

Номер патента: US20160300618A1. Автор: Pablo A. Ziperovich. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-13.

Fast secure erase in a flash system

Номер патента: US20160099061A1. Автор: Pablo A. Ziperovich. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2016-04-07.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Temperature based flash memory system maintenance

Номер патента: US09535614B2. Автор: Nian Niles Yang,Gautham Reddy,Alexandra Bauche. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Sense amplifier control circuit for semiconductor memory device and method for controlling sense amplifier control circuit

Номер патента: US7813200B2. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Flash memory access apparatus and method

Номер патента: US20040193781A1. Автор: Bum-soo Kim,Tae-Sun Chung,Yong-seok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Method for increasing speed of writing data into flash memory unit and associated device

Номер патента: US09627047B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Method and apparatus for execution of operations in a flash memory array

Номер патента: US5509134A. Автор: Rodney R. Rozman,Richard J. Durante,Mickey L. Fandrich,Keith F. Underwood. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Memory card using multi-level signaling and memory system having the same

Номер патента: US20090316485A1. Автор: Min-soo Kang,Chang-Duck Lee,Soong-Man Shin,Seok-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Swappable Sets of Partial-Mapping Tables in a Flash-Memory System With A Command Queue for Combining Flash Writes

Номер патента: US20090113121A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and flash-memory control method

Номер патента: US20180373651A1. Автор: Takashi Kurafuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash memory card with a ready/busy mask register

Номер патента: US5375222A. Автор: David M. Brown,Kurt B. Robinson,Brian L. Dipert,Russell D. Eslick,Markus A. Levy,Lily C. Pao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Special test modes for a page buffer shared resource in a memory device

Номер патента: US5623620A. Автор: Mamun Rashid,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Ranjeet Alexis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-22.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Flash drive/reader with serial-port controller and flash-memory controller mastering a second RAM-buffer bus parallel to a CPU bus

Номер патента: US6874044B1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: GB2330228A. Автор: Phillip E Mattison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Parameter independent fet sense amplifier

Номер патента: CA1084597A. Автор: Howard L. Kalter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-08-26.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4425340A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: EP1224549B1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-08-27.

Indication in memory system or sub-system of latency associated with performing an access command

Номер патента: US11915788B2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Indication in memory system or sub-system of latency associated with performing an access command

Номер патента: US20240177752A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4287030A3. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: WO2019217064A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-11-14.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: US20190348089A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP3791256A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: US20200294562A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: EP4287030A2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Latency indication in memory system or sub-system

Номер патента: US20190348090A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Indication in memory system or sub-system of latency associated with performing an access command

Номер патента: US20220246186A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Sharookh Daruwalla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Dual-ported cams for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001093034A3. Автор: Lee Cleveland,Ali Al-Shamma. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

PROCESSORS, METHODS, AND SYSTEMS FOR A CONFIGURABLE SPATIAL ACCELERATOR WITH MEMORY SYSTEM PERFORMANCE, POWER REDUCTION, AND ATOMICS SUPPORT FEATURES

Номер патента: US20190004955A1. Автор: Steely,JR. Simon C.,FLEMING KERMIN,GLOSSOP KENT D.,JALEEL Aamer,Marolia Pratik M.,Sury Samantika S.,ADLER Michael C.,Chou Chiachen,Crago Neal C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Driving voltage controller of sense amplifiers for memory device

Номер патента: US20040213063A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US09437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory with redundancy

Номер патента: GB2308693A. Автор: Joo Weon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-02.

Circuit providing compensated power for sense amplifier and driving method thereof

Номер патента: US20090161463A1. Автор: Jun Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Pseudo-Differential De-Glitch Sense Amplifier

Номер патента: US20240257868A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Pseudo-differential de-glitch sense amplifier

Номер патента: WO2024163176A1. Автор: Chulmin Jung,Po-Hung Chen,Chun-Yen Lin,David Li,Ayan PAUL,Derek Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-08-08.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Apparatuses and methods for single-ended sense amplifiers

Номер патента: US12051460B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Programmable logic device having a sense amplifier with varying capabilities

Номер патента: WO1998003976A1. Автор: Howard Benjamin Ashmore, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Sense amplifier systems and methods

Номер патента: US20060209608A1. Автор: Allen White,Louis Cruz. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

System, apparatus, and method for a sense circuit

Номер патента: WO2016171862A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2016-10-27.

Single-ended sense amplifier circuit

Номер патента: US20100124089A1. Автор: Shahid Ali,Raviprakash Suryanarayana Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Read-out circuit for a dynamic memory circuit, memory cell array, and method for amplifying and reading data stored in a memory cell array

Номер патента: US20040090833A1. Автор: Peter Beer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-05-13.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: US09589604B1. Автор: Juergen Pille,Alexander Fritsch,Shankar Kalyanasundaram,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Capacitively isolated mismatch compensated sense amplifier

Номер патента: WO2010074833A1. Автор: John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Sense amplifier for static random access memory

Номер патента: US20140036581A1. Автор: PANKAJ Agarwal,Krishnan S. Rengarajan,Shiju K. Kandiyil. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040213065A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Single ended output sense amplifier circuit with reduced power consumption and noise

Номер патента: US20040004881A1. Автор: Naren Sahoo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-01-08.

Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Номер патента: US09916883B2. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US09627033B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040151046A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Shared Sense Amplifier and Write Driver

Номер патента: US20170345465A1. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Shared sense amplifier and write driver

Номер патента: US09934828B2. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160380596A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sense amplifier

Номер патента: WO2015042752A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Sense amplifier

Номер патента: US09621112B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier

Номер патента: US09444408B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: WO2017136106A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: US20140269025A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Settable digital cmos differential sense amplifier

Номер патента: US20020030514A1. Автор: Daniel Bailey,Mark Matson. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-03-14.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160204746A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US20170249976A1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Sense amplifier for high speed sensing, memory apparatus and system including the same

Номер патента: US20180233178A1. Автор: Seok Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US20030026153A1. Автор: Greg Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US6618308B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-09.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Sense amplifier and latching scheme

Номер патента: US09761285B1. Автор: Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Ramesh Raghavan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Tunable sense amplifier reference for single-ended bit lines

Номер патента: US09754641B1. Автор: Jimmy Lee Reaves. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Sense amplifier having a timing circuit for a presearch and a main search

Номер патента: US09564183B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier with local write drivers

Номер патента: US6088270A. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Dram architecture with combined sense amplifier pitch

Номер патента: WO1998033185A1. Автор: Brian M. Shirley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-07-30.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: EP3411879A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: EP1516341A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: WO2004003920A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics, Inc.. Дата публикации: 2004-01-08.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US20230298660A1. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A2. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Bi-directional differential low power sense amp and memory system

Номер патента: US20010009526A1. Автор: Michael Ouellette,John Andersen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor memory device with improved sense amplifier driver

Номер патента: US6075736A. Автор: Tae-Hyoung Kim,Jae-Goo Lee,Chang-Man Khang,Ha-Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-13.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A3. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Mismatch-compensated sense amplifier for highly scaled technology

Номер патента: US09466394B1. Автор: Ravindraraj Ramaraju,Perry H. Pelley. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-06-09.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: EP2507795A2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-10-10.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US20120230134A1. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2012-09-13.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US20220084590A1. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifier drive circuit

Номер патента: US20020079931A1. Автор: Young Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-27.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US09659631B2. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09564188B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Sense amplifier with mini-gap architecture and parallel interconnect

Номер патента: US09542980B1. Автор: Adam Saleh El-Mansouri,Adrian Jay Drexler,Ryan Martin Hofstetter. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Method for controlling sense amplifier and control device using the same

Номер патента: US20240055031A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Sense amplifier and methods thereof for single ended line sensing

Номер патента: US09620179B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Circuit and Method for a Sense Amplifier with Instantaneous Pull Up/Pull Down Sensing

Номер патента: US20090251975A1. Автор: Shine Chung,Jonathan Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-10-08.

Self-referenced sense amplifier for spin torque mram

Номер патента: US20160099040A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for measuring the offset voltages of SRAM sense amplifiers

Номер патента: US5896332A. Автор: Jeffery C. Brauch. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-04-20.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Reference Averaging for MRAM Sense Amplifiers

Номер патента: US20130176773A1. Автор: Pokang Wang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Silicon-on-insulator sense amplifier for memory cell

Номер патента: US20060170460A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Sense amplifier output control circuit

Номер патента: US20020041521A1. Автор: Kyu-Ha Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

Sense amplifier and input/output circuit of semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09875775B2. Автор: Jong Su Kim,Yong Sung Lee,Dong Jae Lee,Deok Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Sense amplifier in low power and high performance SRAM

Номер патента: US09799395B2. Автор: Vinod Menezes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US09418713B2. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Sense amplifier for complementary or non-complementary data signals

Номер патента: US6005816A. Автор: Troy A. Manning,Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense Amplifier Circuit

Номер патента: US20120307571A1. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Sense amplifiers for wider i/o memory devices

Номер патента: US20200227110A1. Автор: Yutaka Nakamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: EP4392973A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Voltage sense amplifier and methods for implementing the same

Номер патента: WO1998048424A1. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-10-29.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US20230352080A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US8503252B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense amplifier of semiconductor device

Номер патента: US09767871B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Lower power sense amplifier for reading non-volatile memory cells

Номер патента: US09460761B2. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell

Номер патента: US09406353B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Sense amplifier for a memory device

Номер патента: US5126974A. Автор: Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Katsuhiro Shimohigashi,Shoji Hanamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-06-30.

A semiconductor device having a electric charge amplifier for amplifying bit line electric charge

Номер патента: GB2326496A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-23.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US6813206B2. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Single ended sense amplifier

Номер патента: US20030107934A1. Автор: Cheng-Hsin Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-06-12.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5604451A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-18.

Pre-Sense Gut Node Amplification in Sense Amplifier

Номер патента: US20230395130A1. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Pre-sense gut node amplification in sense amplifier

Номер патента: US11967362B2. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Circuit and method for generating a sense amplifier enable signal based on a voltage level of a tracking bitline

Номер патента: US20130155758A1. Автор: Jack Liu,Yi-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-20.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US12073870B2. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Reversed bias compensation for sense amplifier operation

Номер патента: US20200098402A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US09697891B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Reciprocal quantum logic (RQL) sense amplifier

Номер патента: US09646682B1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Sense amplifier

Номер патента: US09601165B1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Sense amplifier with transistor threshold compensation

Номер патента: US09418714B2. Автор: John W. Poulton,Mahmut E. Sinangil. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Fast sense amplifier for small voltage differences

Номер патента: US5905686A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: EP4092673A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130293300A1. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12112825B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Sense amplifier

Номер патента: US4553053A. Автор: Richard H. Ong,Peter C. Economopoulos. Владелец: Honeywell Information Systems Inc. Дата публикации: 1985-11-12.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Memory device having I/O sense amplifier with variable current gain

Номер патента: US6314029B1. Автор: Sang-Jae Rhee,Tae-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-06.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20240005967A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09595304B1. Автор: Juergen Pille,Ulrich Krauch,Alexander Fritsch,Michael B. Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Cmos regenerative sense amplifier with high speed latching

Номер патента: US5057718A. Автор: Robert J. Proebsting. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Layouts for sense amplifiers and related apparatuses and systems

Номер патента: US20210407578A1. Автор: Yuko Watanabe,Takefumi Shirako. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bitline sense amplifier and a memory device

Номер патента: US20240221824A1. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US20020191461A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: WO1997008700A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-03-06.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: US20020110015A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Read amplifier subcircuit for a DRAM memory

Номер патента: US20020024854A1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Sense amplifier screen circuit and screen method thereof

Номер патента: US20080159028A1. Автор: Won Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Current sense amplifier with feedback loop

Номер патента: EP2308049A1. Автор: William Redman-White. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-13.

Sense amplifier design

Номер патента: US5737274A. Автор: Satish C. Saripella,Jeffery Scott Hunt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Differential sense amplifier circuit and dynamic logic circuit using the same

Номер патента: EP1111782A2. Автор: Koji Hirairi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Sense amplifier

Номер патента: US20010038564A1. Автор: Michael Verbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US12094521B2. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Input Circuit Devices for Sense Amplifier Circuits

Номер патента: US20200372942A1. Автор: El Mehdi Boujamaa,Cyrille Nicolas Dray. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Sense Amplifier Scan Capture Circuit with Reduced Sense Amplifier Offset

Номер патента: US20240321376A1. Автор: Rahul Sahu,Debarghya DUTTA,Ramakoti NIMMAKAYALA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Single-ended sense amplifier

Номер патента: US10971196B1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-06.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09761286B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Fast and low-power sense amplifier and writing circuit for high-speed MRAM

Номер патента: US09672886B2. Автор: Kang L. Wang,Pedram Khalili Amiri,Hochul Lee,Juan G. Alzate. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Sense amplifier for single-ended sensing

Номер патента: US09564184B2. Автор: John Edward Barth, Jr.. Владелец: Invecas Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Current mode sense amplifier with load circuit for performance stability

Номер патента: US09484074B2. Автор: Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Dynamic sense amplifier for SRAM

Номер патента: US20070097765A1. Автор: Patrick Chuang,Mu-Hsiang Huang,Jae-Hyeong Kim. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US8009496B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Signal line sense amplifying circuit and integrated circuit capable of calibrating driving strength of mos transistors

Номер патента: US20240014790A1. Автор: Gi Moon HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US20100074041A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Single-Ended Sense Amplifier for Solid-State Memories

Номер патента: US20140119093A1. Автор: Sahilpreet Singh,Disha Singh. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Read amplifier subcircuit for a DRAM memory

Номер патента: US6452850B1. Автор: Alexander Frey,Werner Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-17.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US12033690B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sense amplifier with shielding circuit

Номер патента: US20110019456A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Chung Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory, operation method of memory, and operation method of memory system

Номер патента: US20240248614A1. Автор: Munseon JANG,Hoiju CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Methods for bias sensing in DRAM sense amplifiers through voltage-coupling/decoupling devices

Номер патента: US09633714B2. Автор: David J. McElroy,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09484073B1. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus and method for a direct-sense sense-amplifier with decoded read and write Y-select

Номер патента: US5831919A. Автор: Brent S. Haukness,Hugh Mcadams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-03.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset compensation and methods of operating same

Номер патента: US20240029782A1. Автор: Sun Young Kim,Dongil LEE,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

Control clocks generator and method thereof for a high speed sense amplifier

Номер патента: US6839296B2. Автор: Yu-Wei Lee,Hsiao-Yang Hsu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-04.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US20160307618A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Data bus sense amplifier circuit

Номер патента: US7639553B2. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Dram sense amplifier architecture with reduced power consumption and related methods

Номер патента: WO2023215382A1. Автор: Robert J. Mears,Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2023-11-09.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20220310134A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12040009B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20200168266A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled N-type transistors

Номер патента: US12080336B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

High speed dram local bit line sense amplifier

Номер патента: US20020105846A1. Автор: Robert Dennard,Ronald Knepper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12094562B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device with a sense amplifier unit responsive to a voltage change of input signals and a sense control signal

Номер патента: US09536576B2. Автор: Hyung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: GB2558829A. Автор: Pille Juergen,Fritsch Alexander,Kalyanasundaram Shankar,B Kugel Michael. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-18.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US9349428B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Voltage shifting sense amplifier for sram vmin improvement

Номер патента: US20130148452A1. Автор: Russell J. Schreiber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11869624B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Bit line sense amplifier for inhibiting increase of offset voltage and method for fabricating the same

Номер патента: US20050213407A1. Автор: Kwang Myoung Rho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Layout of a sense amplifier with accelerated signal evaluation

Номер патента: US20010048620A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Markert,Helmut Schneider,Sabine Schöniger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory apparatus having sense amplifier

Номер патента: US20120026773A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US11848046B2. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

DRAM with edge sense amplifiers which are activated along with sense amplifiers internal to the array during a read cycle

Номер патента: US6011737A. Автор: Michael A. Murray,Li-Chun Li,Lawrence C. Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Bipolar primary sense amplifier

Номер патента: US20130235686A1. Автор: Perry H. Pelley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20190172514A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-06-06.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US10839880B2. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-11-17.

Low power sense amplifier based on phase transition material

Номер патента: US20170352394A1. Автор: Suman Datta,Vijaykrishnan Narayanan,Xueqing Li,Sumeet Kumar Gupta,Nikhil Shukla,Ahmedullah AZIZ. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-12-07.

Latch type sense amplifier and method for operating thereof

Номер патента: US20010005150A1. Автор: In Eum. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: EP2834817A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-02-11.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Low-power sense amplifier

Номер патента: US20160049179A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-02-18.

High speed and low offset sense amplifier

Номер патента: US20140355360A1. Автор: Hsi-Wen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Sense-amplifier monotizer

Номер патента: US20120154188A1. Автор: Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe,Srikanth Arekapudi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Nmos-offset canceling current-latched sense amplifier

Номер патента: US20150228322A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Ji-Su Kim,Seong-Ook Jung,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-08-13.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Sense amplifier circuitry and architecture to write data into and/or read data from memory cells

Номер патента: WO2006065698A8. Автор: William Kenneth Waller,Eric Carman. Владелец: Eric Carman. Дата публикации: 2006-08-17.

Signal sensing circuits for memory system using dynamic gain memory

Номер патента: US5646883A. Автор: Wolfgang Krautschneider,Klaus J. Lau. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1997-07-08.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US9997238B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Dual Sensing Current Latched Sense Amplifier

Номер патента: US20110235449A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929111B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Guanglei Wen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US20200202904A1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Sensing-amplifying device

Номер патента: US10679681B1. Автор: Jui-Jen Wu. Владелец: Alto Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-09.

Sense amplifier, memory and control method of sense amplifier

Номер патента: US11862285B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Jianqing Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: EP2550654A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: WO2011119643A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method and apparatus for a low power self-timed memory control system

Номер патента: WO1997024726A1. Автор: Gordon W. Priebe,Ronald D. Isliefson,I. Ross Mactaggart,Kevin R. LeClair,Robin W. Passow. Владелец: Lsi Logic Corporation. Дата публикации: 1997-07-10.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20160372176A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US09659629B2. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US20060140033A1. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-06-29.

Data bus architecture for a semiconductor memory

Номер патента: US7260005B2. Автор: Rino Micheloni,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210287725A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: WO2017165086A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense amplifier enabling scheme

Номер патента: US09978444B2. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: EP3433859A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Method and apparatus for a low power self-timed memory control system

Номер патента: US5596539A. Автор: Gordon W. Priebe,Robin H. Passow,Ronald D. Isliefson,I. Ross Mactaggart,Kevin R. LeClair. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Handshaking sense amplifier

Номер патента: US09418730B2. Автор: Andreas J. GOTTERBA,Jesse S. WANG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory having a first and second sense amplifier for sensing a memory cell voltage during a normal mode and a refresh mode

Номер патента: US7009902B2. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-07.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Error correction code unit, self-test method and associated controller applied to flash memory device for generating soft information

Номер патента: US09703627B2. Автор: Chen-Yu Weng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11894101B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310142A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device having sense amplifiers

Номер патента: US20110205821A1. Автор: Akira Ichinose. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor Devices, Operating Methods Thereof, And Memory Systems Including The Same

Номер патента: US20120081986A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-05.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210118477A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Dedicated redundancy circuits for different operations in a flash memory device

Номер патента: US7286399B2. Автор: Young-Ho Lim,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-23.

Flash memory

Номер патента: US20180067793A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Ando,Tomoya Saito,Masamichi Fujito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Flash memory

Номер патента: US20180329770A1. Автор: Takashi Hashimoto,Koichi Ando,Tomoya Saito,Masamichi Fujito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09837152B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09564215B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Memory system

Номер патента: US20210158885A1. Автор: Hongseok Kim,EHyun NAM,Kyoungseok RHA. Владелец: Fadu Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and memory system

Номер патента: US20220059155A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Yonghoon Son,Hyeokjun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Non-volatile memory system with power reduction mechanism and method of operation thereof

Номер патента: US20140177317A1. Автор: Makoto Kitagawa,Wataru Otsuka,Tomohito Tsushima,Jun Sumino,Takafumi Kunihiro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Flash memory system

Номер патента: US09588883B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Threshold voltage mismatch compensation sense-amplifiers for static random access memories with multiple differential inputs

Номер патента: US09542995B2. Автор: Manoj Sachdev,Jaspal Singh Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Multiplexor for a semiconductor device

Номер патента: WO2022186865A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-09.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Dynamic Random Access Memory System Including Single-Ended Sense Amplifiers And Methods For Operating Same

Номер патента: US20240221823A1. Автор: Richard S. Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A3. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A4. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-09-26.

Dynamic random access memory system including single-ended sense amplifiers and methods for operating same

Номер патента: WO2024145620A2. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device with multi-level cells and method of performing operations therein according to a detected writing patter

Номер патента: US09886202B2. Автор: Chan-Ik Park,Seon-Taek Kim,Sung-Up Choi,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US20050232040A1. Автор: Jun AN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Automatic Bias Circuit for Sense Amplifier

Номер патента: US20090002058A1. Автор: Shine Chung,Fu-Lung Hsueh,Po Yao Ker. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Flash memory controller

Номер патента: US09588709B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory control chip and data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09465538B2. Автор: Yi-Lin Lai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Noise reduction in sense amplifiers for non-volatile memory

Номер патента: US20240331741A1. Автор: Yonggang Wu,Iris LU,Ohwon KWON,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Flash memory controller

Номер патента: US09733857B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Flash memory system and method controlling same

Номер патента: US09535620B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US6667898B2. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US20030161176A1. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method and apparatus for erasing data in flash memory

Номер патента: US09823878B2. Автор: Yan Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160284391A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Sense amplifier soft-fail detection circuit

Номер патента: US20140126312A1. Автор: Greg M. Hess,II James E. Burnette. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Sense amplifier read line sharing

Номер патента: US20090190425A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Andreas Gotterba. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Flash memory architecture implementing interconnection redundancy

Номер патента: US20240256407A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09666294B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09411681B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Code modulation encoder and decoder, memory controller including them, and flash memory system

Номер патента: US09411679B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Younggeon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Wear management for flash memory devices

Номер патента: CA2941172C. Автор: Michael Stephen Rothberg. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20170110189A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-20.

Independent Sense Amplifier Addressing And Quota Sharing In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20160232969A1. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2016-08-11.

Address Fault Detection In A Flash Memory System

Номер патента: US20190378548A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Xian Liu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Sense amplifier

Номер патента: US20180012639A1. Автор: George McNeil Lattimore,Robert Campbell Aitken,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system with burst mode having logic gates as sense elements

Номер патента: US12057159B2. Автор: Gregory Christopher Burda,Pramod Kolar,Stephen Edward Liles. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-host power controller (MHPC) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: US09881680B2. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US12112809B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Flash memory system and method of generating quantized signal thereof

Номер патента: US20200026666A1. Автор: Hyunsu Ju,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Sense amplifier with leakage compensation for electrical fuses

Номер патента: US20070139843A1. Автор: Hung-jen Liao,Fu-Lung Hsueh,Sung-Chieh Lin,Jiann-Tseng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210249098A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Latch type sense amplifier for testing

Номер патента: US20240242772A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hau-Tai Shieh,Hua-Hsin Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Flash memory system and operating method thereof

Номер патента: US09710327B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Sense amplifier layout for FinFET technology

Номер патента: US09466493B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Mass storage controller volatile memory containing metadata related to flash memory storage

Номер патента: US09448743B2. Автор: Aaron K. Olbrich,Douglas A. Prins. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM

Номер патента: US4843264A. Автор: Douglas C. Galbraith. Владелец: VISIC Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Flash memory system and operating method thereof

Номер патента: US09619327B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-04-11.

Data output buffer circuit for a SRAM

Номер патента: US5067109A. Автор: Tae-Sung Jung,Yong-Bo Park,Byeong-Yun Kim. Владелец: Telecommunications Co Ltd. Дата публикации: 1991-11-19.

Current sense amplifier

Номер патента: US12081182B2. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Recording dwell time in a non-volatile memory system

Номер патента: US09684468B2. Автор: Timothy J. Fisher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Low power sense amplifier for programmable logic device

Номер патента: US4851720A. Автор: Hal Kurkowski,Jagdish Pathak,Stephen M. Douglas,Dov-Ami Vider. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-07-25.

Improvements in or relating to memory systems

Номер патента: GB1040851A. Автор: . Владелец: Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1966-09-01.

Dc sense amplifier

Номер патента: US3573496A. Автор: Hannon S Yourke,Joseph A Lake Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-06.

CMOS sense amplifier with N-channel sensing

Номер патента: US4608670A. Автор: Charvaka Duvvury,Adin E. Hyslop. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US11935582B2. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for sense margin detection for sense amplifier and electronic device

Номер патента: US20230386560A1. Автор: Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

System, apparatus, and method for sense amplifiers

Номер патента: EP3281201A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of GNU. Дата публикации: 2018-02-14.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Using sense amplifier as a write booster in memory operating with a large dual rail voltage supply differential

Номер патента: US09966131B2. Автор: Niranjan Behera,Dharmesh Kumar Sonkar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645894B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Dram with hybrid sense amplifier

Номер патента: US20080266992A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US12106797B2. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-10-01.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09684568B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory cache including for use with persistent key-value store

Номер патента: US09436596B2. Автор: Jin Li,Sudipta Sengupta,Biplob Kumar Debnath. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Temperature compensated sense amplifier for PROMs and the like

Номер патента: US4215282A. Автор: George W. Brown,Thomas L. Reynolds. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1980-07-29.

Stored charge differential sense amplifier

Номер патента: CA1088668A. Автор: Scott C. Lewis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-10-28.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US11956376B2. Автор: Hyung Seuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230280939A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory controller

Номер патента: US20170308318A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Flash memory controller

Номер патента: US20210011643A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Flash memory controller

Номер патента: US20210271402A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11972146B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory and memory system thereof

Номер патента: US20240071555A1. Автор: Weibing SHANG,Yicheng GAO,Hangtian BA. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Flash memory controller

Номер патента: US11914873B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20230036684A1. Автор: Tae Hyun Kim,Seong Ook Jung,In Jun JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-02-02.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Static type semiconductor memory with multi-stage sense amplifier

Номер патента: US4891792A. Автор: Katsuro Sasaki,Takao Oono,Kiyotsugu Ueda,Shoji Hanamura,Masaaki Kubotera. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1990-01-02.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Monolithic memory sense amplifier/bit driver

Номер патента: US3676704A. Автор: Nicholas M Donofrio,Jehoshua N Pomeranz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1972-07-11.

ECC controller for use in flash memory device and memory system including the same

Номер патента: US8140935B2. Автор: Jun-Jin Kong,Yun-Tae Lee,Si-Hoon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-20.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US11874744B2. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US20220066881A1. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: WO2019169078A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: US20190272110A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Systems and methods for a current sense amplifier comprising a sample and hold circuit

Номер патента: US20190312549A1. Автор: Daniel J. Black,Brian A. Miller,Antoine D. Fifield. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Fine-grained access host controller for managed flash memory

Номер патента: US20180357184A1. Автор: Divya Arora. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Handheld record and playback device with flash memory

Номер патента: WO1995028702A1. Автор: Elwood G. Norris,Norbert P. Daberko,Steven T. Brightbill. Владелец: Comp General Corporation. Дата публикации: 1995-10-26.

Semiconductor device with improved sense margin of sense amplifier

Номер патента: US09613680B2. Автор: Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device including bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20220020423A1. Автор: Jong-Ho Moon,Sung-hwan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Flash memory controller

Номер патента: US20180267730A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Data arrangement method of flash memory, flash memory storage device and flash memory control circuit unit

Номер патента: US20210294737A1. Автор: Yan Zheng,ZHI Wang,Xiaoyang Zhang,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Fin field effect transistor sense amplifier circuitry and related apparatuses and computing systems

Номер патента: US20240112724A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory interface for a Secure NOR Flash Memory

Номер патента: US20190129638A1. Автор: Partha Sarathy Murali,Subba Reddy Kallam,Venkata Siva Prasad Pulagam,Sailaja Dharani Naga Sankabathula,Venkat Rao Gunturu. Владелец: Redpine Signals Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Linear object management for a range of flash memory

Номер патента: US20040044873A1. Автор: Wanmo Wong,Roger Louie,John Sasinowski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Disk drive read circuit comprising an ac coupled sense amplifier for amplifying a read signal

Номер патента: US20140334038A1. Автор: Michael L. Mallary,Yiao-Tee Hsia,William D. Huber. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Disk drive slider with sense amplifier for coupling to a preamp through a supply/bias line and a read signal line

Номер патента: US9047917B1. Автор: Dennis W. Hogg. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Host recovery for a stuck condition

Номер патента: US20240345750A1. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Performance optimization device of memory system and operating method thereof

Номер патента: US12093526B2. Автор: Ki Tae Kim,In Ho Jung,Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Command decoder for microcontroller based flash memory digital controller system

Номер патента: US20070124566A1. Автор: Daniel Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Firmware extendable commands for a microcontroller based flash memory digital controller

Номер патента: US20070226476A1. Автор: Daniel Cohen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Firmware extendable commands for a microcontroller based flash memory digital controller

Номер патента: WO2007103219A3. Автор: Daniel Scott Cohen. Владелец: Daniel Scott Cohen. Дата публикации: 2008-07-17.

Firmware extendable commands for a microcontroller based flash memory digital controller

Номер патента: WO2007103219A2. Автор: Daniel Scott Cohen. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory interface for a Secure NOR Flash Memory

Номер патента: US20190129638A1. Автор: MURALI Partha Sarathy,KALLAM Subba Reddy,PULAGAM Venkata Siva Prasad,SANKABATHULA Sailaja Dharani Naga,Gunturu Venkat Rao. Владелец: Redpine Signals, Inc.. Дата публикации: 2019-05-02.

Host recovery for a stuck condition

Номер патента: US11983423B2. Автор: Jonathan S. Parry,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Memory systems for secure sequential storage devices

Номер патента: US11868649B2. Автор: Zoltan Szubbocsev. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Flash-based memory system with robust backup and restart features and removable modules

Номер патента: WO2011082362A1. Автор: Charles J. Camp,Timothy J. Fisher,Holloway H. Frost,Don D. Davis,Adrian P. Glover,Josh H. Morris. Владелец: TEXAS MEMORY SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2011-07-07.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

A flash adc based method and process for in-memory computation

Номер патента: WO2022029790A1. Автор: Janakiraman VIRARAGHAVAN,Ashwin BALAGOPAL. Владелец: Indian Institute Of Technology, Madras. Дата публикации: 2022-02-10.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200159411A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory controller and memory system

Номер патента: US20200133837A1. Автор: Naoki Mukaida,Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Write management on flash memory

Номер патента: US20200310648A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Write management on flash memory

Номер патента: US20220066641A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Simulator and simulating method for flash memory background

Номер патента: US09858366B2. Автор: Kuo-Yi Cheng,Yi-Hong Huang,Huang-Heng Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20180196747A1. Автор: Tao-En TANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US12141479B2. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of performing write access by distributing control rights to threads, memory controller and flash memory storage device using the same

Номер патента: US09507702B2. Автор: Ching-Wen Chang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method and system for storage address re-mapping for a memory device

Номер патента: US09396103B2. Автор: Alan W. Sinclair,Barry Wright. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

High Precision Current Sensing using Sense Amplifier with Digital AZ Offset Compensation

Номер патента: US20190128932A1. Автор: Philippe Deval,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Encoding method for flash memories

Номер патента: US20090138651A1. Автор: Yunghsu CHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash memory management

Номер патента: US09817754B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory management

Номер патента: US09817753B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for storing metadata of log-structured file system for flash memory

Номер патента: US09563375B2. Автор: Han Sung CHUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-02-07.

Writing data using DMA by specifying a buffer address and a flash memory address

Номер патента: US09395921B2. Автор: Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US20240126431A1. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: WO2024081093A1. Автор: Sang Tran. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-18.

Configurable flash memory physical interface in a host device

Номер патента: US12026369B2. Автор: Sang Tran. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20210248034A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Forensic data acquisition apparatus and method for guaranteeing integrity of flash memory in smart device

Номер патента: US09891862B2. Автор: Jungho Choi,Kibom KIM,Seungjei YANG,Taejoo CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-13.

Flash memory controller, data storage device, and flash memory control method with volatile storage restoration

Номер патента: US09817725B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09569126B2. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Data storage device and data fetching method for flash memory

Номер патента: US09563551B2. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Apparatus and method for indicating flash memory life

Номер патента: US09513821B2. Автор: Ho Young JUNG,Tae Hwa Lee,Jong Moo Choi,Soo Yong Kang,You Jip Won,Jae Hyuk Cha,Sung Roh Yoon. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for writing data to a flash memory

Номер патента: US09405485B2. Автор: Wei-Yi Hsiao,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09329992B2. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Sense amplifier decoding in a memory device to reduce power consumption

Номер патента: US5848428A. Автор: Michael J. Collins. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Controller for a user interface of a motor vehicle, and method for operating a controller for a user interface

Номер патента: US20230305879A1. Автор: Hans Georg Gruber,Jürgen LERZER,Jan Meletzky. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and system for split flash memory management between host and storage controller

Номер патента: US09921954B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Firmware update method of a flash bootloader in a micro controller unit for a vehicle

Номер патента: US20230418591A1. Автор: Jaehyun LIM,YoungJin Yun,YongSeong Jeon. Владелец: Hyundai AutoEver Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Mode-Detection Method for a Storage Device

Номер патента: US20190079673A1. Автор: Chun-Yi Lo,Chin-Pang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Mode-detection method for a storage device

Номер патента: US10802720B2. Автор: Chun-Yi Lo,Chin-Pang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US11061670B2. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Dual-interface flash memory controller with execute-in-place cache control

Номер патента: US20200285465A1. Автор: Ying Yang,Tung-Hao Huang,Ken Yeung,Nelson Xu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

High-speed way select scheme for a low power cache

Номер патента: US20020087779A1. Автор: Kevin Zhang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Apparatuses for managing and accessing flash memory module

Номер патента: US09606911B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chia-Hsin Chen,Chi-Lung Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Apparatuses for managing and accessing flash memory module

Номер патента: US09529709B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chia-Hsin Chen,Chi-Lung Wang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09400746B2. Автор: Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory system having an unequal number of memory die

Номер патента: US20140189210A1. Автор: Barry Wright,Nicholas James Thomas,Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Detecting hot spots through flash memory management table snapshots

Номер патента: US09928166B2. Автор: Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Backup-power-free cache memory system

Номер патента: US09632932B1. Автор: Pantas Sutardja,Abhijeet P. Gole. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Flash memory system including a duplicate booting program and apparatus and method for protecting the same flash memory

Номер патента: US20040153846A1. Автор: Ki-Ju Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Current sense amplifier and method

Номер патента: US20020180418A1. Автор: David Jones,Heinz-Juergen Metzger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Data management appartus and method used for flash memory

Номер патента: EP1574940A3. Автор: Hyo-jun Kim,Ji-Hyun In,Kwang-Yoon Lee,Tae-Sun Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-26.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Aging compensation for poly-resistor based current sense amplifier

Номер патента: US20230417854A1. Автор: Ryan Desrosiers. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Fault detection for a ring core memory

Номер патента: US3903511A. Автор: John T Lighthall. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-09-02.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Flash memory module, storage apparatus using flash memory module as recording medium, and address translation table verification method for flash memory module

Номер патента: US7917688B2. Автор: Shuji Nakamura,Katsuya Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Usb device with connector having integrated flash memory card slot

Номер патента: WO2016142934A1. Автор: Ronen Sharon,Mike Varmaz. Владелец: Safenet Data Security (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2016-09-15.

Flash memory controller that can quickly enter power saving mode after entering idle state, associated flash memory device, and associated control method

Номер патента: US20240176517A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for accessing flash memory module, associated flash memory controller and electronic device for accelerating reading speed of flash

Номер патента: US20210294524A1. Автор: Yu-Chih Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Dual-Mode Switch for Multi-Media Card/Secure Digital (MMC/SD) Controller Reading Power-On Boot Code from Integrated Flash Memory for User Storage

Номер патента: US20090240865A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,I-Kang Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller

Номер патента: US20180373433A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20210049278A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20220004638A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20210294747A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20220027282A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Operational transconductance amplifier, reconfigurable fully differential voltage sensing amplifier and reconfigurable fully differential capacitive sensing amplifier

Номер патента: US9337779B2. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Min-Rui Lai. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2016-05-10.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Sense amplifier for a flash memory system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты