Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • SELECTIVE DEPOSITION AND NITRIDIZATION OF BOTTOM ELECTRODE METAL FOR MRAM APPLICATIONS

SELECTIVE DEPOSITION AND NITRIDIZATION OF BOTTOM ELECTRODE METAL FOR MRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20180240971A1
Опубликовано: 23-08-2018
Автор(ы): Briggs Benjamin D., LEE JOE, Penny Christopher J., RIZZOLO Michael, Yang Chih-Chao
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Selective deposition and nitridization of bottom electrode metal for mram applications

Номер патента: US20180240968A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny,Joe Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Spacer scheme and method for mram

Номер патента: US20210098685A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Spacer scheme and method for mram

Номер патента: US20220209101A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Techniques for MRAM MTJ top electrode connection

Номер патента: US09818935B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Modified top electrode contact for mram embedding in advanced logic nodes

Номер патента: US20230186962A1. Автор: Oscar van der Straten,Theodorus E. Standaert,Ashim Dutta,Dominik Metzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Physical unclonable function for mram structures

Номер патента: US20210305499A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Koichi Motoyama,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Low temperature selective epitaxy of silicon germanium alloys employing cyclic deposit and etch

Номер патента: US20120295421A1. Автор: Hong He,Paul D. Brabant,Keith Chung,Devendra K. Sadana,Manabu Shinriki. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US20220208542A1. Автор: Michael Eugene Givens,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US11830732B2. Автор: Michael Eugene Givens,Viljami Pore,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Selective passivation and selective deposition

Номер патента: US20240047197A1. Автор: Michael Eugene Givens,Suvi P. Haukka,Delphine Longrie,Shaoren Deng,Eva E. Tois,Viljami J. Pore,Vamsi Paruchuri,Jan Willem Hub Maes,Ivo Johannes Raaijmakers,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of selective film deposition and semiconductor feature made by the method

Номер патента: US20230253463A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of selective film deposition and semiconductor feature made by the method

Номер патента: US12094935B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Song-Fu Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US12116667B2. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-10-15.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

In-situ selective deposition and etching for advanced patterning applications

Номер патента: US20180330963A1. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Selective deposition and co-deposition processes for ferromagnetic thin films

Номер патента: US20160194761A1. Автор: Yezdi Dordi,Ernest Chen,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Selective deposition and planarization for a CMOS image sensor

Номер патента: US09960200B1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Selective deposition and co-deposition processes for ferromagnetic thin films

Номер патента: US09476124B2. Автор: Yezdi Dordi,Ernest Chen,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Self-aligned via structure by selective deposition

Номер патента: US11756878B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Selective deposition using hydrophobic precursors

Номер патента: US12080548B2. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Hidemi Suemori,Suvi P. Haukka,Raija H. MATERO,Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Reaction chamber passivation and selective deposition of metallic films

Номер патента: US09803277B1. Автор: Han Wang,SHANG Chen,Qi Xie,Jan Willem Maes,Dai Ishikawa,Toshiharu Watarai,Delphine Longrie,Antti Juhani Niskanen,Takahiro Onuma,Kunitoshi Namba. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Selective deposition utilizing masks and directional plasma treatment

Номер патента: US09754791B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Selective deposition of circuit-protective polymers

Номер патента: EP1406977A1. Автор: Alphonsus V. Pocius,Rita A. Latourelle. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2004-04-14.

Selective deposition of metal oxide

Номер патента: US20240282572A1. Автор: Yonggyu Han,Eva Tois,Charles DEZELAH,Shaoren Deng,Glen Wilk,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Aranzazu MAESTRE CARO,Kranthi Kumar Vaidyula,Vincent Vandalon,Viraj Madhiwala,Nadadur Veeraraghavan Srinath,David Zanders. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Selective deposition of silicon using deposition-treat-etch process

Номер патента: US11769666B2. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Rui CHENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate

Номер патента: US20230160060A1. Автор: Timothee Blanquart. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of selective deposition of small molecules on metal surfaces

Номер патента: WO2023201437A1. Автор: Ishwar Singh,Cathleen M. Crudden,Sean BARRY,Paul Ragogna,Alex Jeffrey Veinot,Eden Ramona Goodwin,Peter George Gordon,Tianchi Zhang,Peter McBreen,Justin Lomax. Владелец: Queen's University At Kingston. Дата публикации: 2023-10-26.

Selective deposition of metal barrier in damascene processes

Номер патента: US20240363403A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee,Chieh-Yi Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Selective deposition of metal barrier in damascene processes

Номер патента: US12068194B2. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee,Chieh-Yi Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Selective deposition on metals using porous low-k materials

Номер патента: WO2023083540A1. Автор: Son Nguyen,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Hosadurga Shobha,Rudy Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Selective Deposition for Interdigitated Patterns in Solar Cells

Номер патента: US20200091368A1. Автор: Jef Poortmans,Menglei Xu,Twan Bearda,Hariharsudan SIVARAMAKRISHNAN RADHAKRISHNAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-19.

Selective deposition for interdigitated patterns in solar cells

Номер патента: US10892377B2. Автор: Jef Poortmans,Menglei Xu,Twan Bearda,Hariharsudan SIVARAMAKRISHNAN RADHAKRISHNAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-12.

Enhanced selective deposition process

Номер патента: WO2019099190A1. Автор: CHANG Ke,CHENG Pan,LEI Zhou,Srinivas D. Nemani,Erica Chen,Biao Liu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium hydride.

Номер патента: MY107418A. Автор: MASU Kazuya,Mikoshiba Nobuo,Tsubouchi Kazuo. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1995-12-30.

Deposited film formation method utilizing selective deposition by use of alkyl aluminium

Номер патента: SG45388A1. Автор: Nobuo Mikoshiba,Kazuo Tsubouchi,Kazuya Masu. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1998-01-16.

Selective deposition using graphene as an inhibitor

Номер патента: US20230245924A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Kashish SHARMA,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for selectively depositing a metallic film on a substrate

Номер патента: US12033861B2. Автор: David Kurt De Roest,Delphine Longrie. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective deposition of noble metal thin films

Номер патента: US09469899B2. Автор: Hannu Huotari,Marko Tuominen,Miika Leinikka. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-10-18.

Co-deposition and etch process

Номер патента: WO2023215040A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Wenbing Yang,Yiwen FAN,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA,Arunima Deya BALAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-09.

Selective deposition of a passivation film

Номер патента: WO2022093804A1. Автор: Yong Wang,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods for etching a structure for MRAM Applications

Номер патента: US20210143323A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Srinivas D. Nemani,Chando Park,Minrui Yu,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: WO2021127470A9. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-08-19.

Methods and Precursors for Selective Deposition of Metal Films

Номер патента: US20230170210A1. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela A. Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Selective Deposition Defects Removal By Chemical Etch

Номер патента: US20190080904A1. Автор: CHANG Ke,LEI Zhou,Jeffrey W. Anthis,Paul F. Ma,Guoqiang JIAN,Benjamin Schmiege,Liqi Wu,Michael S. Jackson,Pratham JAIN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20240352577A1. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and apparatus for selective deposition

Номер патента: US09385219B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh,Tristan MA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Selective deposition of amorphous silicon film seeded in a chlorine gas and a hydride gas ambient when forming a stacked capacitor with HSG

Номер патента: US6146967A. Автор: Randhir P. S. Thakur,James Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Methods for area-selective deposition of polymer films using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019842A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Novel self-align via structure by selective deposition

Номер патента: US20240021517A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Selective deposition of metal silicides

Номер патента: US20180342395A1. Автор: Ellie Yieh,Jong Choi,Srinivas Nemani,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US20200122191A1. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-04-23.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US20220193720A1. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-06-23.

Reinforced single element bottom electrode for mtj-containing devices

Номер патента: US20210066581A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack,Eileen A. Galligan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Inhibitor for selectively depositing thin film and method for selectively depositing thin film

Номер патента: US20240243010A1. Автор: Soyoung LEE,Younjoung CHO,Kiyoshi Murata,Jihyun Lee,Tomoharu Yoshino,Hoon Han,Hiroyuki Uchiuzou,Byungkeun Hwang,Eun Hyea Ko,Thanh Cuong Nguyen. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Selectively depositing a metal oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024205914A1. Автор: Kevin McLaughlin,Nupur BIHARI,Yunshan FAN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Using sub-resolution openings to aid in image reversal, directed self-assembly, and selective deposition

Номер патента: US09633847B2. Автор: Mark H. Somervell,Benjamen M. Rathsack. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for the selective deposition of bismuth based ferroelectric thin films by chemical vapor deposition

Номер патента: US6120846A. Автор: Thomas H. Baum,Frank Hintermaier,Bryan Hendrix,Peter Van Buskirk,Jeff Roeder. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Process for selectively depositing a nickel-boron coating over a metallurgy pattern on a dielectric substrate and products produced thereby

Номер патента: CA1207464A. Автор: Donald W. Baudrand,Arnold F. Schmeckenbecher,Rebecca P. Fleming,John J. Gniewek,Joseph M. Harvilchuck. Владелец: Richardson Chemical Co. Дата публикации: 1986-07-08.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20240044825A1. Автор: Kavita Shah,Charles Larson,Wei T. LEE. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20190277783A1. Автор: Wei Ti Lee,Kavita Shah,Charles Thomas Larson. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Xps metrology for process control in selective deposition

Номер патента: US20210025839A1. Автор: Wei Ti Lee,Kavita Shah,Charles Thomas Larson. Владелец: Nova Measuring Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Selective Deposition of Metal-Organic Frameworks

Номер патента: US20190198391A1. Автор: Silvia Armini,Ivo STASSEN,Rob AMELOOT,Mikhail Krishtab. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-06-27.

Methods for selective deposition of precursor materials and related devices

Номер патента: US20240170290A1. Автор: Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US09484252B2. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

MTJ stack and bottom electrode patterning process with ion beam etching using a single mask

Номер патента: US9166154B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Dong Ha JUNG,Benjamin Chen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for selectively depositing material on substrates

Номер патента: US5112439A. Автор: Gary W. Jones,Arnold Reisman. Владелец: MCNC. Дата публикации: 1992-05-12.

Self-aligned metallization for semiconductor device and process using selectively deposited tungsten

Номер патента: US4937657A. Автор: Janet M. DeBlasi,Paulus Z. A. van der Putte. Владелец: Signetics Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: US20240030062A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method of area-selective deposition and method of fabricating an electronic device using the same

Номер патента: US20220235461A1. Автор: Daehyun Kim,Changhan Kim,Jinseon LEE,Woo-Hee Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2022-07-28.

Selective layer formation using deposition and removing

Номер патента: US11804373B2. Автор: Eva E. Tois,Viljami J. Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-31.

Integration of fully aligned via through selective deposition and resistivity reduction

Номер патента: WO2022221881A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Pankaj Ghanshyam Ramnani. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2022-10-20.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20210317573A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US20230122224A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: WO2021206792A1. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-10-14.

Selectively deposited parylene masks and methods related thereto

Номер патента: US20190221422A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Methods for forming structures with desired crystallinity for mram applications

Номер патента: US20170170393A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Rongjun Wang,Chi Hong Ching. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Selective deposition of metal oxide by pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US11993842B2. Автор: Srinivas D. Nemani,James Huang,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods for selective deposition of precursor materials and related devices

Номер патента: WO2024112420A1. Автор: Philip S. H. Chen,Shawn Duc NGUYEN,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2024-05-30.

Selective deposition of SiOC thin films

Номер патента: US12068156B2. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11424119B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-08-23.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Semiconductor process using selective deposition

Номер патента: US5010030A. Автор: James R. Pfiester,James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-04-23.

Selective deposition of a barrier layer on a dielectric material

Номер патента: US6939801B2. Автор: Ling Chen,Vincent W. Ku,Hua Chung,Michael X. Yang,Gongda Yao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Highly physical etch resistive photoresist mask to define large height sub 30nm via and metal hard mask for MRAM devices

Номер патента: US11930715B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Simultaneous selective deposition of two different materials on two different surfaces

Номер патента: US20230203644A1. Автор: Suvi Haukka,Michael Eugene Givens,Eva Tois,Charles DEZELAH,Daria Nevstrueva. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-06-29.

Gate cut critical dimension shrink and active gate defect healing using selective deposition

Номер патента: US20200135575A1. Автор: Marc Bergendahl,Andrew Greene,Yann Mignot,Ekmini A. De Silva,Gangadhara Raja MUTHINTI,Alex Joseph Varghese,Dallas Lea,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for selective deposition of silicon nitride layer and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US11901175B2. Автор: Eric James Shero,Shankar Swaminathan,Paul Ma,Bed Prasad Sharma. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Selective deposition of material comprising silicon and nitrogen

Номер патента: US20240162036A1. Автор: Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Viraj Madhiwala,Eva Elisabeth Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Selective deposition of silicon oxide

Номер патента: US20190115207A1. Автор: Dennis M. Hausmann,David Charles Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Selectively deposited parylene masks

Номер патента: EP3740965A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Selectively deposited parylene masks

Номер патента: WO2019143533A1. Автор: Fei Wang,Robert Jan Visser,Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Shishi Jiang,Miaojun WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of Selective Deposition of Small Molecules on Metal Surfaces

Номер патента: US20230381812A1. Автор: Ishwar Singh,Cathleen M. Crudden,Sean BARRY,Paul Ragogna,Alex Jeffrey Veinot,Eden Ramona Goodwin,Peter George Gordon,Tianchi Zhang,Peter McBreen,Justin Lomax. Владелец: Queens University at Kingston. Дата публикации: 2023-11-30.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20210013111A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Surface poisoning using ALD for high selectivity deposition of high aspect ratio features

Номер патента: US09460932B2. Автор: Jiang Lu,Paul F. Ma,Guodan Wei. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Platform and method of operating for integrated end-to-end area-selective deposition process

Номер патента: US11302588B2. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Jason Mehigan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Selective deposition of tungsten on TiSi2

Номер патента: US5138432A. Автор: James W. Mayer,David Stanasolovich,Leslie H. Allen. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1992-08-11.

Optimization of bottom electrode for the enhancement of ferroelectric performance in hafnia-based oxide with back-end-of-line (beol) compatible process

Номер патента: WO2024020415A1. Автор: Charlene Chen,Jared Leith McWILLIAMS,Nguyen Minh VU,Mario LAUDATO,Raymond Anthony MECK,Navnidhi Kumar UPADHYAY. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Selective Deposition On Non-Metallic Surfaces

Номер патента: US20200350204A1. Автор: Lu Chen,Seshadri Ganguli,Sang Ho Yu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Selective deposition of silicon oxide on dielectric surfaces relative to metal surfaces

Номер патента: US11898240B2. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Surface treatment for selective deposition

Номер патента: WO2022183106A1. Автор: Yong Jin Kim,Kevin Kashefi,Carmen Leal Cervantes. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-01.

Selective deposition of metal silicides

Номер патента: US20190103278A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Choi,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Selective deposition of metal oxides on metal surfaces

Номер патента: US11965238B2. Автор: Michael Eugene Givens,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for selective deposition of silicon nitride and structure including selectively-deposited silicon nitride layer

Номер патента: US20240014030A1. Автор: Jun Kawahara,Hiroki Matsuda,Agung Setiadi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Selective deposition with alcohol selective reduction and protection

Номер патента: WO2016033145A1. Автор: Jiang Lu,David Thompson,Feng Q. Liu,Mei Chang,Hua Ai,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2016-03-03.

Selective deposition on non-metallic surfaces

Номер патента: WO2020227274A1. Автор: Lu Chen,Seshadri Ganguli,Sang Ho Yu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-11-12.

Combined anneal and selective deposition systems

Номер патента: WO2017184356A1. Автор: Jan Willem Maes,Werner Knaepen. Владелец: ASM IP HOLDING B.V.. Дата публикации: 2017-10-26.

Method for selective deposition of a semiconductor material

Номер патента: US8492273B2. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-07-23.

Methods of selective deposition and chemical delivery systems

Номер патента: WO2023172736A1. Автор: Ashwin Kumar,Kashish SHARMA,Arpan Pravin Mahorowala,Benjamin Edwards,Nupur BIHARI,Avinash Gouda DODDAMANI,Avinash JAISWAL. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-09-14.

Selective deposition of silicon oxide on metal surfaces

Номер патента: US20240076775A1. Автор: Michael Givens,Eva Tois,Giuseppe Alessio Verni,Shaoren Deng,Marko Tuominen,Daniele Chiappe,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Methods and precursors for selective deposition of metal films

Номер патента: US11887847B2. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela A. Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: US20210118684A1. Автор: Michael A. Todd. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

Selective deposition on silicon containing surfaces

Номер патента: WO2018170382A1. Автор: Michael A. Todd. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Methods And Precursors For Selective Deposition Of Metal Films

Номер патента: US20200312653A1. Автор: Ning Li,Atashi Basu,Mihaela Balseanu,Kurt FREDRICKSON. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: US20210189146A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-06-24.

Selective deposition process utilizing polymer structure deactivation process

Номер патента: US20180366318A1. Автор: Ludovic Godet,Christine Y. OUYANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Selective deposition of metal silicides and selective oxide removal

Номер патента: EP3881349A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Jong Choi,Namsung KIM,Raymond Hung,Christopher AHLES,Andrew Kummel. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

Area selective deposition of metal containing films

Номер патента: EP4078657A1. Автор: Jean-Marc Girard,Wontae NOH,Jooho Lee. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-10-26.

Selective deposition with alcohol selective reduction and protection

Номер патента: EP3186822A1. Автор: Jiang Lu,David Thompson,Feng Q. Liu,Mei Chang,Hua Ai,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-05.

Method for Selective Deposition of a Semiconductor Material

Номер патента: US20120034762A1. Автор: Simone Severi,Peter Verheyen,George Bryce. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US12024770B2. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (HKMG) film stacks

Номер патента: US12020990B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material

Номер патента: US20190103303A1. Автор: Han Wang,Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Timo Asikainen,David De Roest,Delphine Longrie,Krzysztof Kachel,Julian Hsieh,Harald Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for threshold voltage tuning through selective deposition of high-k metal gate (hkmg) film stacks

Номер патента: US20220148924A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers,Kandabara Tapily,H. Jim Fulford,Daniel Chanemougame,Mark Gardner,Lars Liebmann. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Metal surface blocking molecules for selective deposition

Номер патента: WO2023191837A1. Автор: Muthukumar Kaliappan,Feng Q. Liu,Mark Saly,Michael L. McSwiney,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Michael Haverty,Xiangjin Xie,Aaron Dangerfield. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US12068393B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Etching back and selective deposition of metal gate

Номер патента: US20240371973A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Mao-Lin Huang,Peng-Soon Lim. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: US09837314B2. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Advanced metallization for damage repair

Номер патента: US09601432B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Ultra-thin metal wires formed through selective deposition

Номер патента: US09558999B2. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Yunpeng Yin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of selectively depositing a metal film

Номер патента: US6013575A. Автор: Hitoshi Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: EP4225964A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: US20180337061A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Methods for selective deposition on silicon-based dielectrics

Номер патента: WO2019023001A1. Автор: Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Selective deposition of a passivation film on a metal surface

Номер патента: WO2022093801A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2022-05-05.

Selective deposition of material comprising noble metal

Номер патента: US20230407476A1. Автор: Mikko Ritala,Chao Zhang,Eva Tois. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods and assemblies for selectively depositing transition metals

Номер патента: US20240096633A1. Автор: Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Eva Tois,Charles DEZELAH,YoungChol Byun,Shinya Iwashita,Arpita Saha,Patricio Eduardo ROMERO,Glen Wilk,Marko Tuominen,Elina Färm,Janne-Petteri Niemelä,Holger Saare,Jonahtan Bakke. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-03-21.

Selective deposition for sub 20 nm pitch euv patterning

Номер патента: US20240055255A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Selective deposition for sub 20 nm pitch euv patterning

Номер патента: WO2024030572A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-08.

Selective deposition of silicon nitride

Номер патента: US20200266048A1. Автор: Han Wang,Thomas H. Baum,Bryan C. Hendrix,Eric CONDO. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Selective deposition of metal oxides using silanes as an inhibitor

Номер патента: US20230386831A1. Автор: Dennis M. Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Selective deposition of metals, metal oxides, and dielectrics

Номер патента: US11975357B2. Автор: Ivo Raaijmakers,Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Selective deposition of silicon and oxygen containing dielectric film on dielectrics

Номер патента: US20230416911A1. Автор: XINJIAN LEI,Jacob Woodruff,Bhushan Zope,Guo Liu,Ravindra Kanjolia,Mark POTYEN. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for enabling self-aligned lithography on metal contacts and selective deposition using free-standing vertical carbon structures

Номер патента: WO2018212905A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Ziqing Duan,Abhijit Basu Mallick,Kurtis LESCHKIES. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-11-22.

Area-selective deposition of metal nitride to fabricate devices

Номер патента: US20220190229A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Damon Brooks Farmer,Alexander Friz,Matthew W. Copel,Noel Arellano,Charles Thomas Rettner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Dual selective deposition

Номер патента: US20210285097A1. Автор: Antti Niskanen,Eva Tois,Suvi P. Haukka,Hannu Huotari,Viljami J. Pore,Marko Tuominen,Raija H. MATERO. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-09-16.

Pre-treatment method to improve selectivity in a selective deposition process

Номер патента: WO2020033171A1. Автор: Dennis Hausmann,Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Paul C. LEMAIRE,Kashish SHARMA,Alexander R. Fox,Kapu Sirish Reddy,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-02-13.

Selective deposition of organic films

Номер патента: GB2336553A. Автор: Jeremy Henley Burroughes,Karl Pichler,David John Lacey,Craig Edward Murphy. Владелец: Cambridge Display Technology Ltd. Дата публикации: 1999-10-27.

Selective deposition of metal barrier in damascene processes and the structures formed thereof

Номер патента: US11837500B2. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee,Chieh-Yi Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Selective Deposition of Metal Barrier in Damascene Processes

Номер патента: US20240006234A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee,Chieh-Yi Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Selective deposition method to form air gaps

Номер патента: US20230360964A1. Автор: Chiyu Zhu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Selective Deposition Of A Passivation Film On A Metal Surface

Номер патента: US20220130664A1. Автор: Yong Wang,John Sudijono,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Doreen Wei Ying Yong,Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Microelectronic structure by selective deposition

Номер патента: US20080001225A1. Автор: Steven Holmes,Toshiharu Furukawa,David Horak,Charles Koburger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-01-03.

Selective deposition of etch-stop layer for enhanced patterning

Номер патента: US11869770B2. Автор: Jon Henri,Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Kapu Sirish Reddy,Bhavin Jariwala,Arpan Pravin Mahorowala. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Selective deposition of conductive cap for fully-aligned-via (fav)

Номер патента: WO2021158748A1. Автор: Xinghua Sun,Kai-Hung YU,Yen-Tien Lu,Angelique RALEY. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Integrated circuits including selectively deposited metal capping layers on copper lines and methods for fabricating the same

Номер патента: US20150194344A1. Автор: Moosung Chae,Larry Zhao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-09.

Selective deposition of sioc thin films

Номер патента: US20210134586A1. Автор: Jan Willem Maes,David Kurt De Roest,Oreste Madia. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for mitigating lateral film growth in area selective deposition

Номер патента: US11804376B2. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: US11967523B2. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: WO2023064016A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Microelectronic structure by selective deposition

Номер патента: US20090072317A1. Автор: Toshiharu Furukawa,Steven J. Holmes,David V. Horak,Charles W. Koburger, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Selective deposition of doped silion-germanium alloy on semiconductor substrate

Номер патента: US5242847A. Автор: Mehmet C. Ozturk,Douglas T. Grider,Mahesh K. Sanganeria,Stanton P. Ashburn. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-09-07.

Self-alignment of metal and via using selective deposition

Номер патента: WO2017136577A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for fabricating a MOSFET device, with local channel doping, self aligned to a selectively deposited tungsten gate

Номер патента: US5688706A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Silicide Films Through Selective Deposition

Номер патента: US20210202256A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Interconnection structure of selective deposition process

Номер патента: WO2021046212A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Shi YOU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicide films through selective deposition

Номер патента: US11978635B2. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Area selective deposition for zero via enclosure and extremely small metal line end space

Номер патента: US20230282514A1. Автор: Chien-Wen Lai,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Min HSIAO,Yu-Luen DENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Silicide films through selective deposition

Номер патента: US20200227265A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Silicide Films Through Selective Deposition

Номер патента: US20190189453A1. Автор: Swaminathan Srinivasan,Abhijit Basu Mallick,Nicolas Breil. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Selective deposition of aluminum and nitrogen containing material

Номер патента: US20200266096A1. Автор: Han Wang,Qi Xie,Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Timo Asikainen,David De Roest,Delphine Longrie,Krzysztof Kachel,Julian Hsieh,Harald Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-08-20.

Selective deposition of silicon dielectric film

Номер патента: EP4284958A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Ronald M. Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-06.

Selective deposition of silicon dielectric film

Номер патента: US20240170283A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Ronald M. Pearlstein. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method of producing nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element

Номер патента: RU2719339C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА,Сигефуса ТИТИБУ,Казунобу КОДЗИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method and apparatus for forming oxynitride film and nitride film, oxynitride film, nitride film and base material

Номер патента: EP1739732A1. Автор: Norifumi Fujimura,Ryoma Hayakawa,Hiroya; KITAHATA,Tsuyoshi; c/o Sekisui Chemical Co. Ltd. UEHARA,Takuya; c/o Sekisui Chemical Co. Ltd. YARA. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

Mixed current-forced read scheme for MRAM array with selector

Номер патента: US11978491B2. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Raj Ramanujan,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Fabricating a silicon carbide and nitride structures on a carrier substrate

Номер патента: AU2021201807A1. Автор: Daniel Yap,Edward H. CHEN,Samuel J. Whiteley,Danny M. Kim,Thaddeus D. Ladd. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device including capacitor with pillar-shaped bottom electrode

Номер патента: US12063772B2. Автор: Jinho Lee,Kyooho JUNG,Yukyung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Amorphous bottom electrode structure for mim capacitors

Номер патента: US20240304659A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Resistive memory cell having a single bottom electrode and two top electrodes

Номер патента: US09865814B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

RRAM cell bottom electrode formation

Номер патента: US09577191B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Trinh Hai Dang,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Resistance-switching memory cell with multiple raised structures in a bottom electrode

Номер патента: US09466644B2. Автор: Yuan Zhang,Henry Chien,George Matamis,James K Kai,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-11.

Bottom electrode for RRAM structure

Номер патента: US09461245B1. Автор: Wen-Ting Chu,Yu-Wen LIAO,Jen-Sheng Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Hydrogenation and nitridization processes for modifying effective oxide thickness of a film

Номер патента: US10510545B2. Автор: WEI Liu,Johanes S. Swenberg,Houda Graoui,Steven C. H. Hung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Mram with a multi-component, multi-layer bottom electrode

Номер патента: US20240206346A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Shravana Kumar Katakam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Bottom electrode structure in memory device

Номер патента: US20230255124A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chao-Yang Chen,Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Pili Huang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Device package, a printed wiring board, and an electronic apparatus with efficiently spaced bottom electrodes including intervals between bottom electrodes of different lengths

Номер патента: US20080150169A1. Автор: Akira Yashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method for fabricating a semiconductor memory device that includes silicidizing a portion of a platinum group layer to form a silicide region and selectively removing the silicide region to define a bottom electrode of a capacitor

Номер патента: US7381614B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-06-03.

Bottom electrode structure for improved electric field uniformity

Номер патента: US09502649B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Yao-Wen Chang,Jian-Shiou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of manufacturing nitride substrate for semiconductors, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1528591A3. Автор: Naoki Itami Works Matsumoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-03-28.

Bottom electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20200388757A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for measuring width of bottom under cut during etching process

Номер патента: US20020179568A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Chieh Chen. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-05.

Bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and method of replacing focus ring

Номер патента: US12094693B2. Автор: Zengdi LIAN,Rason Zuo,Dee Wu,Jiangtao PEI. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and device for on-chip decoupling capacitor using nanostructures as bottom electrode

Номер патента: US20030064583A1. Автор: Sarah Kim,Scot KELLAR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Dummy bottom electrode in interconnect to reduce CMP dishing

Номер патента: US09985075B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating ferroelectric random-access memory on pre-patterned bottom electrode and oxidation barrier

Номер патента: US09515075B1. Автор: Shan Sun. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Dummy bottom electrode in interconnect to reduce CMP dishing

Номер патента: US09502466B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wen-Chun YOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Magnetoresistive random-access memory with top and bottom electrodes deposited in unison

Номер патента: US20240090337A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive Memory Cell with Trench-Shaped Bottom Electrode

Номер патента: US20140264246A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Oxide-based resistive memory having a plasma-exposed bottom electrode

Номер патента: US20210391536A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Babar Khan,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Joel P. de Souza,Youngseok Kim,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Method to minimize MTJ sidewall damage and bottom electrode redeposition using IBE trimming

Номер патента: US09660177B2. Автор: Yu-Jen Wang,Rao Annapragada,Dongna Shen. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Ferroelectric field effect transistor having a gate electrode being electrically connected to the bottom electrode of a ferroelectric capacitor

Номер патента: US6140672A. Автор: Koji Arita,Carlos A. Paz de Araujo. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Recessed bottom-electrode capacitors and methods of assembling same

Номер патента: WO2013070221A1. Автор: Joseph M. Steigerwald,Ruth A. BRAIN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US20230363178A1. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Structured bottom electrode for mtj containing devices

Номер патента: US20210119121A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Structured bottom electrode for mtj containing devices

Номер патента: US20200243758A1. Автор: Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Rram bottom electrode

Номер патента: US20200136040A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Bottom-electrode interface structure for memory

Номер патента: US11792996B2. Автор: Tzu-Yu Lin,Yao-Wen Chang,Chia-Wen Zhong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Mram device with self-aligned bottom electrodes

Номер патента: US20230422629A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Lisamarie White,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating bottom electrodes of stacked capacitor memory cells and method for cleaning and drying a semiconductor wafer

Номер патента: US20060124582A1. Автор: Srivatsa Kundalgurki. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of making planar-type bottom electrode for semiconductor device

Номер патента: US20090023264A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Wen-Li Tsai,Ming-Yen Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-22.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20210217811A1. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Bottom electrode structure in memory device

Номер патента: US20210242400A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chao-Yang Chen,Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Pili Huang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

CAPACITOR HAVING BOTTOM ELECTRODE COMPRISING TiN

Номер патента: US20190148067A1. Автор: Kei Hirata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Amorphous bottom electrode structure for MIM capacitors

Номер патента: US12021113B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Hsing-Lien Lin,Jui-Lin Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Bottom electrode of metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US7880213B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Cha-Hsin Lin,Ching-Chiun Wang,Wen-Miao Lo,Lurng-Sheng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-02-01.

Mtj containing device containing a bottom electrode embedded in diamond-like carbon

Номер патента: US20200243750A1. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Bruce B. Doris,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of forming an FeRAM capacitor having a bottom electrode diffusion barrier

Номер патента: US6773930B2. Автор: CHIU CHI,Sanjeev Aggarwal,Scott R. Summerfelt,Theodore S. Moise, IV,Tomojuki Sakoda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-10.

Mfm device with an enhanced bottom electrode

Номер патента: US20230329001A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Fu-Chen Chang,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Mram structure with t-shaped bottom electrode to overcome galvanic effect

Номер патента: US20210043827A1. Автор: Michael F. Lofaro,Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Mram bottom electrode shroud

Номер патента: US20230137421A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US20240243052A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Multi-zone heating apparatus, bottom electrode assembly, plasma processing apparatus, and temperature adjusting method

Номер патента: US12046458B2. Автор: Jie Du,Sha Rin. Владелец: Advanced Micro Fabrication Equipment Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic tunnel junction with an etched bottom electrode having non-planar sidewalls

Номер патента: US20230180622A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of obtaining a fused, doped contact between an electrode metal and a semi-conductor

Номер патента: US3886002A. Автор: Jury Stepanovich Akimov,Auli Alexandrovich Galaev,Semen Samuilovich Gorelik,Boris Izrailevich Gofman,Vyacheslav Dmitrievic Ermoshin,Stanislav Konstaninovi Korovin,Vladimir Vasilievich Naumov,Konstantin And Preobrazhentsev,Stanislav Vladislavovich Fronk,Vadim Lvovich Shvartsman,Vladimir Vasilievich Garshenin,Oleg Fedorovich Stakhov,Igor Ivanovich Kruglov,Mark Markovich Samokhvalov. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-05-27.

Method of manufacturing bottom electrode of capacitor

Номер патента: US20010003674A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-06-14.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US09349952B1. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20200144172A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming a homogeneous bottom electrode via (beva) top surface for memory

Номер патента: US20190096795A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Light-emitting device based on nitride of group iii element, having low-stress light-emitting layer (versions)

Номер патента: RU2457581C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2012-07-27.

Light-emitting device based on nitride of group iii element with light-emitting layer with reduced voltages

Номер патента: RU2591246C2. Автор: Майкл Р. КРЕЙМС,Орельен Дж. Ф. ДЭВИД,Сунгсоо И,Натан Ф. ГАРДНЕР,Линда Т. РОМАНО. Владелец: ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2016-07-20.

Method for synthesis of material, in particular diamond, by chemical vapour deposition and device for thereof realisation

Номер патента: RU2572652C2. Автор: Орасио ТЕЛЛЕС ОЛИВА. Владелец: Диаротек. Дата публикации: 2016-01-20.

Pulsed deposition and recrystallization and tandem solar cell design utilizing crystallized/amorphous material

Номер патента: EP2465136A2. Автор: Ludovic Godet,Vikram Singh,Christopher R. HATEM,George D. Papasouliotis,Helen L. Maynard. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2012-06-20.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: AU2022281245A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: EP4347915A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-10.

Methods and apparatus for reducing as-deposited and metastable defects in amorphous silicon

Номер патента: WO2022250818A1. Автор: Gautam Ganguly. Владелец: Gautam Ganguly. Дата публикации: 2022-12-01.

Method and apparatus for non-invasive, non-intrusive, and ungrounded, simultaneous corona deposition and shg measurements

Номер патента: WO2024015777A1. Автор: William H. Howland,Timothy M. WONG. Владелец: Femtometrix, Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

Gas delivering system for in situ thermal treatment and thin film deposition and use of the same

Номер патента: US20080102207A1. Автор: Hsiao-Che Wu,Yu-Min Tsai,Wen-Li Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Integrated circuit (IC) package employing added metal for embedded metal traces in ETS-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: US12100645B2. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Wire-based metallization for solar cells

Номер патента: US20240313133A1. Автор: Nils-Peter Harder,Jens Dirk MOSCHNER,Robert Woehl,Richard Hamilton SEWELL. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit (ic) package employing added metal for embedded metal traces in ets-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: EP4406016A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Upstream process monitoring for deposition and etch chambers

Номер патента: US20240312812A1. Автор: Matan Lapidot,Shay Yaari. Владелец: Inficon Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Wire-based metallization for solar cells

Номер патента: US09935213B2. Автор: Nils-Peter Harder,Jens Dirk MOSCHNER,Robert Woehl,Richard Hamilton SEWELL. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and apparatus for multi-film deposition and etching in a batch processing system

Номер патента: US09831099B2. Автор: David L. O'Meara,Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Mask frame assembly for thin film deposition and manufacturing method thereof

Номер патента: US09682400B2. Автор: Jun Young Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for preparing nanostructure by electrochemical deposition, and nanostructure prepared thereby

Номер патента: US09595439B2. Автор: Hyuk Hyun Ryu,Jin Tak Jang,Tae Gyoum Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Inje University. Дата публикации: 2017-03-14.

Apparatus and methods for spacer deposition and selective removal in an advanced patterning process

Номер патента: US09484202B1. Автор: Chentsau Ying,Srinivas D. Nemani,Jie Zhou,Ellie Y. Yieh,Jingjing Liu,Shambhu N. Roy. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for nitridation of the interface between a dielectric and a substrate in a MOS device

Номер патента: US20070166923A1. Автор: Yen-Hao Shih,Shih-Chin Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Method of depositing and etching Si-containing film

Номер патента: US09960033B1. Автор: Toshihisa Nozawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-05-01.

Monitoring system for deposition and method of operation thereof

Номер патента: US09870935B2. Автор: Todd Egan,Mehdi Vaez-Iravani,Thomas Nowak,Edward W. Budiarto,Ralf Hofmann,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Cyclic epitaxial deposition and etch processes

Номер патента: US09564321B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Chien-Chang Su,Yuan-Feng CHAO,Meng-Yueh Liu,Yuh-Da Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Asymmetric cyclic deposition and etch process for epitaxial formation mechanisms of source and drain regions

Номер патента: US09502298B2. Автор: Tsan-Yao Chen,Chun Hsiung Tsai,Jian-An Ke. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Multilayer substrate metallization for ic interconnection

Номер патента: WO2004004003A8. Автор: Ming Li,Fan Zhang. Владелец: Inst Materials Research & Eng. Дата публикации: 2004-04-15.

Single platform, multiple cycle spacer deposition and etch

Номер патента: US09852916B2. Автор: Hao Chen,Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Chentsau (Chris) Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Cobalt silicide metallization for semiconductor transistors

Номер патента: CA1204045A. Автор: Shyam P. Murarka,Ashok K. Sinha,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-05-06.

Vertically spaced intra-level interconnect line metallization for integrated circuit devices

Номер патента: US11948874B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Patrick Morrow,Richard Schenker,Kevin L. Lin,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Process for direct thermal nitridation of silicon semiconductor devices

Номер патента: US4277320A. Автор: Moiz M. E. Beguwala,Francis M. Erdmann. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1981-07-07.

Low creep metallization for optoelectronic applications

Номер патента: GB2446611A. Автор: Stephen Jones,Richard Beanland,Ian Juland. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-08-20.

Reactor for thin film deposition and method for depositing thin film on wafer using the reactor

Номер патента: US20050158469A1. Автор: Young Park,Sang Lee,Hong Lim,Keun Yoo,Ik Lee,Hyun Kyung,Jang Bae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-21.

One-dimensional metallization for solar cells

Номер патента: US20240088317A1. Автор: Lewis Abra,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Richard Hamilton SEWELL,Thomas P. Pass,David Fredric Joel KAVULAK,Benjamin Ian HSIA. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

One-dimensional metallization for solar cells

Номер патента: US11862745B2. Автор: Lewis Abra,Gabriel Harley,Matthieu Moors,Taeseok Kim,Richard Hamilton SEWELL,Thomas P. Pass,David Fredric Joel KAVULAK,Benjamin Ian HSIA. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for producing a metallization having two multiple alternating metallization layers for at least one contact pad and semiconductor wafer having said metallization for at least one contact pad

Номер патента: US20120080794A1. Автор: Victor Sidorov,Joachim Wuerfl,Rimma Zhytnytska. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2012-04-05.

Selective film formation for raised and recessed features using deposition and etching processes

Номер патента: US20190080919A1. Автор: Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuits with copper metallization for interconnections

Номер патента: EP1190607A1. Автор: Mark D. Hoinkis. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-27.

Forming a semi-recessed metal for better EM and Planarization using a silo mask

Номер патента: US5585307A. Автор: Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

High resolution deposition and etching in polymer films

Номер патента: US4968390A. Автор: Allen J. Bard,Oskar E. Huesser,Derek H. Craston. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 1990-11-06.

Integrated circuit (ic) package employing added metal for embedded metal traces in ets-based substrate for reduced signal path impedance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2023049579A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for forming dielectric isolation combining dielectric deposition and thermal oxidation

Номер патента: CA1041227A. Автор: Bai-Cwo Feng,George C. Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-10-24.

Method and apparatus for non-invasive, non-intrusive, and un-grounded, simultaneous corona deposition and shg measurements

Номер патента: US20240085470A1. Автор: William H. Howland,Timothy M. WONG. Владелец: Femtometrics Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of depositing and etching si-containing film

Номер патента: US20180182614A1. Автор: Toshihisa Nozawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-06-28.

Single platform, multiple cycle spacer deposition and etch

Номер патента: US20160307768A1. Автор: Hao Chen,Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,Chentsau (Chris) Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Deposition and etch of silicon-containing layer

Номер патента: WO2024006211A1. Автор: Bo Gong,Ching-Yun Chang,Nuoya YANG,Andrew John McKerrow,Yuxi Wang. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-01-04.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US11848199B2. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for low temperature liquid-phase deposition and method for cleaning liquid-deposition apparatus

Номер патента: US20040137753A1. Автор: Edward Chang,Muh-Wang Liang,Chih-Yuan Tseng,Shih-Ming Chiang,Pang-Min Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2004-07-15.

In-situ deposition and doping process for polycrystalline silicon layers and the resulting device

Номер патента: US6867113B1. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2005-03-15.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US20220238334A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Doped or undoped silicon carbide deposition and remote hydrogen plasma exposure for gapfill

Номер патента: US20240063015A1. Автор: Bhadri N. Varadarajan,Bo Gong,Guangbi Yuan,Ieva Narkeviciute. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Wire-based metallization for solar cells

Номер патента: US20160380134A1. Автор: Nils-Peter Harder,Jens Dirk MOSCHNER,Robert Woehl,Richard Hamilton SEWELL. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-29.

Upstream process monitoring for deposition and etch chambers

Номер патента: EP4367713A1. Автор: Matan Lapidot,Shay Yaari. Владелец: Inficon Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Fin trim plug structures with metal for imparting channel stress

Номер патента: EP4336560A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Fin trim plug structures with metal for imparting channel stress

Номер патента: US20240088292A1. Автор: Feng Zhang,Chia-Ching Lin,Yanbin LUO,Tao Chu,Minwoo Jang,Ting-Hsiang Hung. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Pulsed deposition and recrystallization and tandem solar cell design utilizing crystallized/amorphous material

Номер патента: WO2011019824A2. Автор: Ludovic Godet,Vikram Singh,Christopher R. HATEM,George D. Papasouliotis,Helen L. Maynard. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2011-02-17.

High Temperature Resistant Backside Metallization for Compound Semiconductors

Номер патента: US20190096755A1. Автор: Chang-Hwang Hua,Walter Tony WOHLMUTH,Huang-Wen WANG,Shu Chen Chen. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Cyclic epitaxial deposition and etch processes

Номер патента: US20140256119A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Chien-Chang Su,Yuan-Feng CHAO,Meng-Yueh Liu,Yuh-Da Fan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Monitoring system for deposition and method of operation thereof

Номер патента: EP3234983A1. Автор: Todd Egan,Mehdi Vaez-Iravani,Thomas Nowak,Edward W. Budiarto,Ralf Hofmann,Majeed A. Foad. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-25.

SELECTIVE DEPOSITION AND NITRIDIZATION OF BOTTOM ELECTRODE METAL FOR MRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20180240968A1. Автор: Yang Chih-Chao,Penny Christopher J.,RIZZOLO Michael,Briggs Benjamin D.,LEE JOE. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

Selective deposition process

Номер патента: WO1987003741A1. Автор: George Joseph Collins,Werner Adam Metz, Jr.. Владелец: NCR Corporation. Дата публикации: 1987-06-18.

Techniques and device structure based upon directional seeding and selective deposition

Номер патента: US20240040808A1. Автор: Sony Varghese,Kelvin Chan,M. Arif Zeeshan,Shantanu Kallakuri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Selective Deposition of Barrier Layer

Номер патента: US20240266211A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Interrupted deposition process for selective deposition of si-containing films

Номер патента: WO2007027275A2. Автор: Anthony Dip,Seungho Oh,Allen John Leith. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2007-03-08.

Methods of selective deposition of fine particles onto selected regions of a substrate

Номер патента: US20090124092A1. Автор: Guy Moshe Cohen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-14.

Schemes for Selective Deposition for Patterning Applications

Номер патента: US20180218914A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Atashi Basu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Apparatus for selective deposition of nanotubes, using a charging element, a template and a filter

Номер патента: EP3013737A1. Автор: Catherine White,Jane Elizabeth Tateson. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2016-05-04.

Plasma poisoning to enable selective deposition

Номер патента: US09947539B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Article and process for selective deposition

Номер патента: US09809882B2. Автор: Owen Hildreth. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2017-11-07.

Plasma poisoning to enable selective deposition

Номер патента: US09716005B1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Magnetic tunnel junction for MRAM applications

Номер патента: US09455400B2. Автор: Wei Cao,Cheng T. Horng,Witold Kula,Chyu Jiuh Torng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

BOTTOM ELECTRODE AND DIELECTRIC STRUCTURE FOR MRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20200219931A1. Автор: RIZZOLO Michael,Peethala Cornelius Brown,PATLOLLA Raghuveer,Amanapu Hari Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Bottom electrode for mram applications

Номер патента: US20180261759A1. Автор: Chih-Chao Yang,Raghuveer R. Patlolla,Michael RIZZOLO,Prasad Bhosale. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

BOTTOM ELECTRODE FOR MRAM APPLICATIONS

Номер патента: US20180287051A1. Автор: Yang Chih-Chao,RIZZOLO Michael,Bhosale Prasad,Patlolla Raghuveer R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Bottom electrode and dielectric structure for MRAM applications

Номер патента: US10833122B2. Автор: Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Patlolla,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Selective deposition of thin film dielectrics using surface blocking chemistry

Номер патента: US09911591B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Bhaskar Jyoti Bhuyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method and apparatus for forming self-aligned via with selectively deposited etching stop layer

Номер патента: US09659864B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Yung-Hsu WU,Jung-Hsun Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated magnetic shield for MRAM arrays

Номер патента: US11887643B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Process for selectively depositing highly-conductive metal films

Номер патента: WO2023150066A1. Автор: Thomas M. Cameron,Philip S.H. Chen,Bryan Clark Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2023-08-10.

Process for selectively depositing highly-conductive metal films

Номер патента: US20230245894A1. Автор: Thomas M. Cameron,Philip S.H. Chen,Bryan Clark Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Selective deposition of barrier layer

Номер патента: US11948834B2. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Techniques and device structure based upon directional seeding and selective deposition

Номер патента: US11956978B2. Автор: Sony Varghese,Kelvin Chan,M. Arif Zeeshan,Shantanu Kallakuri. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Vertical floating gate NAND with selectively deposited ALD metal films

Номер патента: US09806090B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Thomas Jongwan Kwon,George Matamis,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of selective deposition of heavily doped epitaxial SiGe

Номер патента: US7517775B2. Автор: Yihwan Kim,Arkadii V. Samoilov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-04-14.

Magnetic Tunnel Junction for MRAM Applications

Номер патента: US20160211442A1. Автор: Wei Cao,Cheng T. Horng,Witold Kula,Chyu Jiuh Torng. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

DENSIFICATION AND REDUCTION OF SELECTIVELY DEPOSITED Si PROTECTIVE LAYER FOR MASK SELECTIVITY IMPROVEMENT IN HAR ETCHING

Номер патента: US20240222132A1. Автор: Minjoon PARK,JinYing Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Densification and reduction of selectively deposited si protective layer for mask selectivity improvement in har etching

Номер патента: WO2024144856A1. Автор: Minjoon PARK,JinYing Lin. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Selective deposition and cross-linking of polymeric dielectric material

Номер патента: US20230238236A1. Автор: Son Nguyen,Cornelius Brown Peethala,Rudy J. Wojtecki,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Method for selective deposition using a base-catalyzed inhibitor

Номер патента: WO2020072329A1. Автор: Dennis Hausmann,Paul C. LEMAIRE,Alexander R. Fox,David Charles Smith. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-04-09.

Bonded assembly formed by hybrid wafer bonding using selectively deposited metal liners

Номер патента: US20220149002A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Lin Hou,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Selective deposition of diamond in thermal vias

Номер патента: WO2015027080A2. Автор: Gregory Lewis,Karl D. Hobart,Ioulia Smorchkova,Bradford B. Pate,Vincent Gambin,Andrew D. Koehler,Travis J. Anderson,Tatyana I. Feygelson,Marko J. Tadjer,Joshua D. Caldwell,Mark Goorsky,Eugene A. Imhoff,Jeff McKay,Rajinder S. Sandhu. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2015-02-26.

Electronic device fabrication using area-selective deposition

Номер патента: US20240282632A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Mark J. Saly,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Thomas Joseph Knisley,Zachary J. Devereaux. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device fabrication using area-selective deposition

Номер патента: WO2024173381A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Mark J. Saly,Zeqing Shen,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Thomas Joseph Knisley,Zachary J. Devereaux. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Precession Spin Current Structure with High In-plane Magnetization for MRAM

Номер патента: KR20190115104A. Автор: 무스타파 마이클 피나바시,바틀로미에즈 아담 카다즈. Владелец: 스핀 메모리, 인크.. Дата публикации: 2019-10-10.

Plasma poisoning to enable selective deposition

Номер патента: US20170323778A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: US20240105499A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Benzyl compound passivation for selective deposition and selective etch protection

Номер патента: US20240145232A1. Автор: David Thompson,Feng Q. Liu,Mark J. Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Molecular layer deposition carbon masks for direct selective deposition of silicon-containing materials

Номер патента: WO2024073272A1. Автор: XIANG Ji,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Praket Prakash JHA,Zeqing Shen,Xinke WANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Benzyl compound passivation for selective deposition and selective etch protection

Номер патента: WO2024091618A1. Автор: David Thompson,Feng Q. Liu,Mark J. Saly. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method of Etching Oxide Layer and Nitride Layer

Номер патента: US20110189859A1. Автор: Chin-Fu Lin,Ping-Chia Shih,Chun-Sung Huang,Yu-Cheng Wang,Yuan-Cheng Yang,Chung-Che Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Selective deposition for integrated circuit interconnect structures

Номер патента: US20240258166A1. Автор: Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Isolation trench fill using oxide liner and nitride etch back technique with dual trench depth capability

Номер патента: US09799727B2. Автор: Xianfeng Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

METHOD OF QUALITY DETERMINING OF DEPOSITION MASK, METHOD OF MANUFACTURING DEPOSITION MASK, METHOD OF MANUFACTURING DEPOSITION MASK DEVICE, METHOD OF SELECTING DEPOSITION MASK AND DEPOSITION MASK

Номер патента: US20210242405A1. Автор: Ikenaga Chikao. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-08-05.

Selective deposition of metal on metal nitride to form interconnect

Номер патента: US5187120A. Автор: Shein-Sen M. Wang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1993-02-16.

Magnetic screen encapsulating structure and its manufacturing method for MRAM device

Номер патента: CN109559998A. Автор: 高山,郑富阳. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-04-02.

Inherent area selective deposition of mixed oxide dielectric film

Номер патента: US20230343581A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Inherent area selective deposition of mixed oxide dielectric film

Номер патента: WO2023205324A1. Автор: Chad Michael BRICK. Владелец: Gelest, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Selective deposition of sicon by plasma ald

Номер патента: WO2021151067A1. Автор: Ning Li,Mihaela Balseanu,Shuaidi ZHANG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-07-29.

Techniques for selective deposition using angled ions

Номер патента: US20190256966A1. Автор: Maureen Petterson,Kevin Anglin. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Combined CMP and RIE contact scheme for MRAM applications

Номер патента: US10644233B2. Автор: Michael F. Lofaro,Eugene J. O'Sullivan,Nathan P. Marchack,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-05.

Combined CMP and RIE contact scheme for MRAM applications

Номер патента: US10236443B2. Автор: Michael F. Lofaro,Eugene J. O'Sullivan,Nathan P. Marchack,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Selective Deposition of Passivating Layer During Spacer Etching

Номер патента: US20240258108A1. Автор: Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Ya-Ming Chen,Petr Biolsi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Interrupted deposition process for selective deposition of si-containing films

Номер патента: TWI337757B. Автор: Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-02-21.

Combined cmp and rie contact scheme for mram applications

Номер патента: US20180254410A1. Автор: Michael F. Lofaro,Eugene J. O'Sullivan,Nathan P. Marchack,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Directional selective deposition

Номер патента: EP4399736A1. Автор: Ellie Y. Yieh,Bhargav S. CITLA,Joshua RUBNITZ,Soham ASRANI,Srinivas D. NEWMANI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: WO2024206261A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Protective capping layer for area selective deposition

Номер патента: US20240332072A1. Автор: Andrea Leoncini. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing nitride crystal and nitride crystal

Номер патента: US09518337B2. Автор: Shinichiro Kawabata,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Kazunori Kamada,Yuji Kagamitani,Hirobumi Nagaoka. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE LAYER AND STRUCTURE INCLUDING SELECTIVELY-DEPOSITED SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20200286726A1. Автор: Swaminathan Shankar,Shero Eric James,Ma Paul,Sharma Bed Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

METHOD FOR SELECTIVE DEPOSITION OF SILICON NITRIDE LAYER AND STRUCTURE INCLUDING SELECTIVELY-DEPOSITED SILICON NITRIDE LAYER

Номер патента: US20220351958A1. Автор: Swaminathan Shankar,Shero Eric James,Ma Paul,Sharma Bed Prasad. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

METHOD FOR GROWING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL OF GROUP III, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL FROM NITRIDE III GROUP AND NITRIDE III SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: RU2008145801A. Автор: Томоки УЕМУРА,Такудзи ОКАХИСА,Томохиро КАВАСЕ,Мунейюки НИСИОКА,Сатоси АРАКАВА,Такудзи ОКАХИСА (JP),Томохиро КАВАСЕ (JP),Томоки УЕМУРА (JP),Мунейюки НИСИОКА (JP),Сатоси АРАКАВА (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-05-27.

Replacement bottom electrode structure for mram devices

Номер патента: US20230044333A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Dielectric on dielectric selective deposition using aniline passivation

Номер патента: US20240120195A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,James Huang,Keith T. Wong,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Dielectric-on-dielectric selective deposition using aniline passivation

Номер патента: WO2024076587A1. Автор: Srinivas D. Nemani,Ellie Y. Yieh,James Huang,Keith T. Wong,Andrew C. Kummel,Yunil CHO. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Dual-layer metal for flat panel display

Номер патента: WO2001093291A2. Автор: Arthur J. Learn,Kishore K. Chakravorty,Roger W. Barton,Christopher J. Spindt,Stephanie J. Oberg,Johan Knall,Duane A. Haven,Ronald S. Besser,Swayambu Ramani,Paul J. Louris. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 2001-12-06.

Dual-layer metal for flat panel display

Номер патента: WO2001093291A9. Автор: Roger W Barton,Johan Knall,Kishore K Chakravorty,Arthur J Learn,Duane A Haven,Stephanie J Oberg,Christopher J Spindt,Swayambu Ramani,Ronald S Besser,Paul J Louris. Владелец: Candescent Tech Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Sub 60nm etchless MRAM devices by ion beam etching fabricated T-shaped bottom electrode

Номер патента: US11856864B2. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Sub 60nm etchless mram devices by ion beam etching fabricated t-shaped bottom electrode

Номер патента: US20240099151A1. Автор: Yi Yang,Yu-Jen Wang,Dongna Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thin film capacitor with a dual bottom electrode structure

Номер патента: US4423087A. Автор: Kris V. Srikrishnan,James K. Howard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-12-27.

Method and system for recovery of electrode metals from spent lithium ion batteries

Номер патента: WO2023224907A1. Автор: Vipin Tyagi,Rupesh Singh,Nishchay Chadha,Amol Naik. Владелец: Agr Lithium Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Method and system for recovery of electrode metals from spent lithium ion batteries

Номер патента: US20230369668A1. Автор: Vipin Tyagi,Rupesh Singh,Nishchay Chadha,Amol Naik. Владелец: Agr Lithium Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Metal for electronics and method of production of such metal

Номер патента: RU2224808C2. Автор: Джеймс А. ФАЙФ. Владелец: Кабот Корпорейшн. Дата публикации: 2004-02-27.

Application of target for spark deposition and method of making such target

Номер патента: RU2501885C2. Автор: Маркус ЛЕХТХАЛЕР,Денис КУРАПОВ. Владелец: Эрликон Трейдинг Аг, Трюббах. Дата публикации: 2013-12-20.

Large area deposition and doping of graphene, and products including same

Номер патента: RU2567949C2. Автор: Виджайен С. ВЕЕРАСАМИ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2015-11-10.

STABILISED POWDER OF LITHIUM METAL FOR Li-ION APPLICATIONS, ITS COMPOSITION AND METHOD

Номер патента: RU2467829C2. Автор: Юань Гао,Марина ЯКОВЛЕВА,Янсин ЛИ. Владелец: Фмк Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Process for producing bundles of laminated sheet metal for magnet cores

Номер патента: US20030172783A1. Автор: Gunther Bausch. Владелец: Dr Karl Bausch GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-09-18.

Symmetrical shaper for an ion beam deposition and etching apparatus

Номер патента: US20080179535A1. Автор: Cherngye Hwang,Jorge A. Goitia,Peter M. Dang,Eduardo T. Mireles. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands BV. Дата публикации: 2008-07-31.

Electrochemical nitridation of metal surfaces

Номер патента: US9068271B2. Автор: Heli Wang,John A. Turner. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2015-06-30.

Case including metal for an electronic device and electronic device having the same

Номер патента: US20150116933A1. Автор: Yeonwoo Kim,Jinwoo Jung,Hosaeng KIM,Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Case including metal for an electronic device and electronic device having the same

Номер патента: US09442515B2. Автор: Yeonwoo Kim,Jinwoo Jung,Hosaeng KIM,Hoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Low pressure arc plasma immersion coating vapour deposition and ion treatment

Номер патента: RU2662912C2. Автор: Владимир ГОРОХОВСКИЙ,Вильям ГРАНТ,Дэвид ХЬЮМЕНИК,Эдвард ТЕЙЛОР. Владелец: Вейпор Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2018-07-31.

Metallization for printing conductor patterns upon a ceramic substrate

Номер патента: CA1215863A. Автор: Albert L. Eustice. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1986-12-30.

Production and characterization of carbon nanowall thin films by pulsed filtered catodic vacuum arc deposition and electron cyclotron resonance microwave plasma tecniques

Номер патента: WO2022169434A1. Автор: Birsen KESIK ZEYREK,Hamide KAVAK. Владелец: Cukurova Universitesi Rektorlugu. Дата публикации: 2022-08-11.

Method for preprocessing lithium metal for lithium secondary battery

Номер патента: US20210104732A1. Автор: Doo Kyung Yang,Intae PARK,Jeehyun AHN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for preprocessing lithium metal for lithium secondary battery

Номер патента: EP3745509A1. Автор: Doo Kyung Yang,Intae PARK,Jeehyun AHN. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-12-02.

Method for preprocessing lithium metal for lithium secondary battery

Номер патента: US11978886B2. Автор: Doo Kyung Yang,Intae PARK,Jeehyun AHN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Precessional spin current structure with non-magnetic insertion layer for MRAM

Номер патента: US12075706B2. Автор: Mustafa Michael Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Functionally graded and selective deposition of electrode material on current collector in li-ion battery

Номер патента: US20240120457A1. Автор: Navin Sakthivel. Владелец: Baker Hughes Oilfield Operations LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitriding apparatus and nitriding method

Номер патента: US12033836B2. Автор: Maiko Abe,Koichiro Akari. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Selective Deposition of Thin Films with Improved Stability

Номер патента: US20240110284A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Deenesh Padhi,Sean M. Seutter,Peng Suo,Chris Liu,Kevin Hsiao,Zongbin Wang,Balamurugan RAMASAMY,Chieh-Wen Lo,Lulu XIONG,Shengwei ZENG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Selective deposition of thin films with improved stability

Номер патента: WO2024072923A1. Автор: Prayudi LIANTO,Guan Huei See,Deenesh Padhi,Sean M. Seutter,Peng Suo,Chris Liu,Kevin Hsiao,Zongbin Wang,Balamurugan RAMASAMY,Chieh-Wen Lo,Lulu XIONG,Shengwei ZENG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Mtj incorporating cofe/ni multilayer film with perpendicular magnetic anisotropy for mram application

Номер патента: EP2502232A1. Автор: Min Li,Yuchen Zhou,Cheng T. Horng,Ru-Ying Tong,Pokang Wang,Kunliag Zhang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Spacer scheme and method for mram

Номер патента: US20240381784A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Techniques for mram mtj top electrode to via interface

Номер патента: US20240381670A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Jiunyu Tsai,Sheng-Huang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Spacer scheme and method for MRAM

Номер патента: US11818964B2. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Spacer scheme and method for mram

Номер патента: US20240122077A1. Автор: Joung-Wei Liou,Chin Kun Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Compact MRAM architecture with magnetic bottom electrode

Номер патента: US12112782B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Reinforced single element bottom electrode for mtj-containing devices

Номер патента: WO2021038397A1. Автор: Pouya Hashemi,Bruce Doris,Eileen Galligan,Nathan MARCHACK. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-03-04.

Method of manufacturing a DRAM cell having a double-crown capacitor using polysilicon and nitride spacers

Номер патента: US5688713A. Автор: Kung Linliu,Tzu-Shih Yen,Erik Syangywan Jeng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-11-18.

Bottom electrode contact for a vertical three-dimensional memory

Номер патента: US20240074144A1. Автор: Yuichi Yokoyama,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Bottom electrode contact for a vertical three-dimensional memory

Номер патента: US11849573B2. Автор: Yuichi Yokoyama,Si-Woo Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Bottom electrode contact for a vertical three-dimensional memory

Номер патента: WO2022055911A1. Автор: Yuichi Yokoyama,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

Physical contact layer for body-worn leadware using selective deposition

Номер патента: WO2013142507A1. Автор: David G. Sime,Richard Koble. Владелец: Soligie, Inc.. Дата публикации: 2013-09-26.

Methods for forming structures for mram applications

Номер патента: EP3884528A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Methods for forming structures for mram applications

Номер патента: WO2020106387A1. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for controlling structure of bottom electrodes and providing a top-support thereof

Номер патента: US20230269930A1. Автор: Akira Kaneko,Keisuke Otsuka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical contact layer for body-worn leadware using selective deposition

Номер патента: EP2827768A1. Автор: David G. Sime,Richard Koble. Владелец: Soligie Inc. Дата публикации: 2015-01-28.

Structure and method for mram devices

Номер патента: US20230389447A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yu-Jen Wang,Dian-Hau Chen,Wei-Chih Wen,Tsung-Chieh Hsiao,Po-Sheng LU,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Apparatuses and methods for controlling structure of bottom electrodes and providing a top-support thereof

Номер патента: WO2022132357A1. Автор: Akira Kaneko,Keisuke Otsuka. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods for forming structures for MRAM applications

Номер патента: US11818959B2. Автор: Lin Xue,Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Chando Park,Hsin-Wei Tseng. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Structure and method for MRAM devices

Номер патента: US12004431B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yu-Jen Wang,Dian-Hau Chen,Wei-Chih Wen,Tsung-Chieh Hsiao,Po-Sheng LU,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Multilayered bottom electrode for MTJ-containing devices

Номер патента: GB2602738A. Автор: DORIS Bruce,Hashemi Pouya,Suwannasiri Thitima,Marchack Nathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Method of selectively depositing a metal on a surface of a substrate

Номер патента: US4261800A. Автор: William M. Beckenbaugh,Michael A. De Angelo. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-04-14.

Area-selective deposition of metal nitride to fabricate devices

Номер патента: US11882770B2. Автор: Rudy J. Wojtecki,Damon Brooks Farmer,Alexander Friz,Matthew W. Copel,Noel Arellano,Charles Thomas Rettner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Selectively depositing a metal pattern on the surface of a laminar film

Номер патента: CA1137833A. Автор: David D. Thornburg,Thomas J. Kloffenstein, Jr.. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1982-12-21.

Conditioning a non-conductive substrate for subsequent selective deposition of a metal thereon

Номер патента: US4948707A. Автор: Voya R. Markovich,Carlos J. Sambucetti,Gary K. Lemon,Roy H. Magnuson,William H. Lawrence,Robert W. Johnson,Ralph E. Parsons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-08-14.

Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same

Номер патента: US20090001343A1. Автор: Michael W. Konevecki,April Schricker,Brad Herner. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-01-01.

RRAM bottom electrode

Номер патента: US12041861B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20110299329A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Rram bottom electrode

Номер патента: US20240324478A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

AI accelerator with MRAM, PCM, and recessed PCM bottom electrode

Номер патента: US12075627B2. Автор: Tao Li,Wei Wang,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Tsung-Sheng KANG. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: WO2023066649A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-04-27.

Stt-mram bit cell having a rectangular bottom electrode plate

Номер патента: EP2332144A1. Автор: William Xia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-06-15.

Phase change memory cell having pillar bottom electrode with improved thermal insulation

Номер патента: EP4420497A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

Oxide-based resistive memory having a plasma-exposed bottom electrode

Номер патента: US20230263077A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Takashi Ando,Babar Khan,Hiroyuki Miyazoe,Dexin Kong,Joel P. de Souza,Youngseok Kim,Eduard Albert Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Resistive memory cell with trench-shaped bottom electrode

Номер патента: EP2973772A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Resistive memory cell with trench-shaped bottom electrode

Номер патента: WO2014164378A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-09.

Resistive random-access memory (RRAM) cell with recessed bottom electrode sidewalls

Номер патента: US11871686B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Resistive random access memory device with improved bottom electrode

Номер патента: US20240164225A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Jheng-Hong Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Metallurgical vessel heated by direct current and having a bottom electrode

Номер патента: US5809055A. Автор: Heribert Konig,Heinz Stark. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 1998-09-15.

Bottom electrode arrangement for an electric furnace

Номер патента: US4615035A. Автор: Karl Bühler. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1986-09-30.

Bottom electrode substrate for segment-type electro-phoretic display and method for manufacturing thereof

Номер патента: US10025155B2. Автор: Chien-Chung Huang,Wei-Juin Chen,Huai-Tze YANG. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Bottom electrode geometry for phase change memory

Номер патента: US20080121862A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US11925032B2. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory cell with trench-shaped bottom electrode

Номер патента: EP2973770A1. Автор: James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US11856878B2. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device with flat-top bottom electrodes and methods for forming the same

Номер патента: US20240172453A1. Автор: Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bottom electrode via and conductive barrier design to eliminate electrical short in memory devices

Номер патента: US20230371397A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Bottom electrode of dc metallurgical furnace

Номер патента: RU2061998C1. Автор: Гросжан Жан-Клод,Дестанн Филипп,Море Гислэн,Лебрюн Кристиан. Владелец: Юниметал. Дата публикации: 1996-06-10.

Memory device with bottom electrode

Номер патента: US20230329128A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chih-Hsiang Chang,Chih-Hung Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Mram structure with t-shaped bottom electrode to overcome galvanic effect

Номер патента: WO2021024129A1. Автор: Michael Francis Lofaro,Pouya Hashemi,Eugene O'sullivan,Bruce Doris. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for making the bottom electrode of a capacitor

Номер патента: US6245612B1. Автор: Wen-Pin Chang,Ming-lun Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-06-12.

Bottom electrode for a metallurgical vessel

Номер патента: AU7852394A. Автор: Werner Hofmann,Ewald Feuerstacke,Lutz Becker,Gerhard Schaefers. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 1995-05-04.

Subtractive top via as a bottom electrode contact for an embedded memory

Номер патента: US11910722B2. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a memory device

Номер патента: US6682983B2. Автор: Shih-Chi Shu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-27.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a memory device

Номер патента: US20030181016A1. Автор: Shih-Chi Shu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Arc-filter of bottom frequencies with an independent setting of main parameters

Номер патента: RU2656728C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дарья Юрьевна Денисенко,Юрий Иванович Иванов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2018-06-06.

Bottom electrode for a metallurgical vessel

Номер патента: CA2173877C. Автор: Werner Hofmann,Ewald Feuerstacke,Lutz Becker,Gerhard Schaefers. Владелец: Mannesmann AG. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for forming uniform bottom electrode in trench of trench capacitor

Номер патента: US6916703B2. Автор: Yi-Chen Chen,Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Method for forming uniform bottom electrode in trench of trench capacitor

Номер патента: US20040235244A1. Автор: Yi-Chen Chen,Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Method and apparatus for the hermetic sealing of martensitic metals for precompression for cryogenic applications

Номер патента: US12123497B2. Автор: Daniel Hiram DEEKS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-22.

Mask for vacuum deposition and organic EL display panel manufactured by using the same

Номер патента: US20050098110A1. Автор: Hirosi Abiko. Владелец: Tohoku Pioneer Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Core metal for resin welding, composite member and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130252014A1. Автор: Masatoshi Akiyama,Hideto Sayama,Toshio Hachiya,Kanji Endo. Владелец: Neturen Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Fast heating of workpieces from sheet metal for punching

Номер патента: RU2715560C1. Автор: Джулио МАЛЬПИКА,Седрик У,Рахул Вилас КУЛКАРНИ,Роджер Браун,Дуэйн Е. БЕНДЗИНСКИ. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2020-03-02.

Installation of plasma-enhanced deposition and method for production of polycrystalline silicon

Номер патента: RU2404287C2. Автор: Мохд А. АСЛАМИ,Дау ВУ,Чарльз ДЕЛЮКА. Владелец: СИЛИКА ТЕК, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-11-20.

An apparatus and process for solid-state deposition and consolidation of high velocity powder particles using thermal plastic deformation

Номер патента: CA2482287C. Автор: Ralph Tapphorn,Howard Gabel. Владелец: Innovative Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-09.

Depositing and Taking System

Номер патента: US20200394860A1. Автор: Jao Ching Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus of processing deposit, and storage medium

Номер патента: US20210272108A1. Автор: Bo JING. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Improved process for deposition and forming multi-layer nano metal particle based compound materials

Номер патента: WO2018163191A1. Автор: Adarsh SIMON. Владелец: Simon Adarsh. Дата публикации: 2018-09-13.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Surface-selective deposition of organic thin films

Номер патента: EP1746671A3. Автор: Pierre-Marc Allemand. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2010-06-02.

External magnetic field detection for mram device

Номер патента: US20240371459A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Chun Shih,Tien-Wei Chiang,Yuan-Jen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Precessional spin current architecture for MRAM

Номер патента: CN107750382B. Автор: M·M·皮纳尔巴锡,M·楚弗拉斯,B·A·考尔达斯. Владелец: Spin Storage Co. Дата публикации: 2021-05-25.

Precessional spin current structure with high in-plane magnetization for mram

Номер патента: EP4152329A1. Автор: Mustafa Michael Pinarbasi,Bartlomiej Adam KARDASZ. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Method of quality determining of deposition mask, method of manufacturing deposition mask, method of manufacturing deposition mask device, method of selecting deposition mask, and deposition mask

Номер патента: US20230329077A1. Автор: Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Bottom electrode for MRAM device and method to fabricate it

Номер патента: US7838436B2. Автор: Wei Cao,Wai-Ming J. Kan,Cheng T. Horng,Ru-Ying Tong,Witold Kula,Liubo Hong,Rongfu Xiao,Tom Zhong,Chyu-Jinh Torng,Terry Kin Ting Ko. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2010-11-23.

Method of control of selective deposition of polymer on technical cloth and technical cloth

Номер патента: RU2332533C2. Автор: Франсис Л. ДЭВЕНПОРТ,Чарльз И. КРАМЕР,Джозеф Дж. О`КОННОР,Морис ПАКЕН. Владелец: Олбани Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2008-08-27.

Method for selectively depositing a polycrystalline diamond coating on silicon bases

Номер патента: RU2656627C1. Автор: Степан Андреевич Линник,Виталий Владимирович Охотников,Александр Валерьевич Гайдайчук. Владелец: Александр Валерьевич Гайдайчук. Дата публикации: 2018-06-06.

Method of selecting deposit development system

Номер патента: RU2692369C1. Автор: Алексей Васильевич Якасов,Данила Евгеньевич Кондаков,Алексей Петрович Рощектаев. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром нефть". Дата публикации: 2019-06-24.

Methods and assemblies for selectively depositing molybdenum

Номер патента: US20240218501A1. Автор: Jan Willem Maes,Chiyu Zhu,Sukanya Datta. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Selective deposition

Номер патента: US09816180B2. Автор: Eva Tois,Suvi P. Haukka. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-11-14.

Spatially-selective deposition of polysaccharide layer onto patterned template

Номер патента: WO2004059044A1. Автор: Li-Qun Wu,Hyunmin Yi,Reza Ghodssi,Gary W. Rubloff,Gregory F. Payne,William E. Bentley. Владелец: University Of Maryland Biotechnology Institute Columbus Center. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for epitaxial growth of monocrystals of metals nitrides of 3a group of chemical elements

Номер патента: RU2097452C1. Автор: Юрий Николаевич Макаров,Евгений Николаевич Мохов,Юрий Александрович Водаков,Марк Григорьевич Рамм,Александр Дмитриевич Роенков,Сергей Юрьевич Карпов,Марк Спиридонович Рамм. Владелец: Марк Спиридонович Рамм. Дата публикации: 1997-11-27.

Area selective deposition through surface silylation

Номер патента: US20240183035A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Long Liu,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Area selective deposition through surface silylation

Номер патента: WO2024112550A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,John Sudijono,Zeqing Shen,Long Liu,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xinke WANG,Jiecong Tang. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-05-30.

Selective deposition of materials for composite structures via additive manufacturing

Номер патента: US11999097B2. Автор: Xiaoyu Zheng,Ryan HENSLEIGH. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Fabrication of euv masks using a combination of monolayer lithography and area selective deposition

Номер патента: US20240280899A1. Автор: Nelson Felix,Rudy J. Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Fabrication of euv masks using a combination of monolayer lithography and area selective deposition

Номер патента: WO2024176020A1. Автор: Nelson Felix,Rudy J. Wojtecki,Krystelle Lionti,Noel Arellano. Владелец: Ibm Israel - Science & Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

3d printing device using selective electrochemical deposition, and control method therefor

Номер патента: US20240052512A1. Автор: Donghyeon LEE,SungBin Kim,Kunwoong KO. Владелец: Anycasting Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for the selective deposition of tungsten on a silicon surface

Номер патента: US5387438A. Автор: Christoph Werner,Ignacio Ulacia. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-02-07.

Methods of selective deposition of molybdenum

Номер патента: US20240035151A1. Автор: Mohith Verghese,Jose Alexandro Romero,Aniruddh Shekhawat,Kunal Bhatnagar,Rand Haddadin. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of selective deposition of molybdenum

Номер патента: WO2024025765A1. Автор: Mohith Verghese,Jose Alexandro Romero,Aniruddh Shekhawat,Kunal Bhatnagar,Rand Haddadin. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Liquid crystalline sam via spin-coat assembly and their area selective deposition properties

Номер патента: WO2024100183A1. Автор: Rocco Fortte,Nicolas Blouin,Durairaj Baskaran,Sachin BOBADE,Christoph WETZEL. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Sacrificial layers in selective deposition-based additive manufacturing of parts

Номер патента: US20200338814A1. Автор: Zeiter Farah,Andrew Rice. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Selective deposition-based additive manufacturing device and method of printing 3d parts with semi-crystalline materials

Номер патента: EP3976348A1. Автор: J. Samuel Batchelder,Eric Carl Stelter. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Intensification method of low-temperature ion nitriding of items from titanium alloys

Номер патента: RU2717124C1. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Юлдаш Гамирович Хусаинов,Рашид Денисламович Агзамов,Айнур Фиргатович Тагиров,Алексей Александрович Николаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2020-03-18.

Calibrating deposition rates in selective deposition modeling

Номер патента: US6782303B1. Автор: Jon Jody Fong. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Method and apparatus for data manipulation and system control in a selective deposition modeling system

Номер патента: CA2233202A1. Автор: Chris R. Manners,Jeffrey S. Thayer,Jocelyn M. Earl,Thomas A. Kerekes,Paul H. Marygold. Владелец: Paul H. Marygold. Дата публикации: 1997-04-03.

Selective deposition modeling method and apparatus for forming three-dimensional objects and supports

Номер патента: AU7550396A. Автор: Christian M. Merot,Charles W Hull,Richard N Leyden,Michael S. Lockard,Dennis R Smalley,Thomas A. Kerekes,Richard P. Fedchenko,Dinh Ton That,Thomas A Almquist,Bryan J. L Bedal,Jocelyn M Earl,Thomas H Pang,Jeffrey S Thayer. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 1997-04-17.

Device for selectively depositing molten plastic materials

Номер патента: CA2768762C. Автор: Francisco Javier PLANTÀ TORRALBA,Francesco Puliga,Jorge Ribatallada Diez. Владелец: FUNDACIÒ EURECAT. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of thermally transferring layers in a selective deposition-based additive manufacturing system using conductive heat

Номер патента: US11845221B2. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for the Selective Deposition of Germanium Nanofilm on a Silicon Substrate and Semiconductor Devices Made Therefrom

Номер патента: US20090302426A1. Автор: Brian Wagner,Sean R. McLaughlin,Narsingh Bahadur Singh,Andre Berghmans,David J. Knuteson,David Kahler,Anthony A. Margarella. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Selective deposition modeling method and apparatus for forming three-dimensional objects and supports

Номер патента: US20020011693A1. Автор: Richard Leyden,Charles Hull,Bryan Bedal,Dennis Smalley,Michael Lockard,Thomas Almquist,Jeffrey Thayer,Jocelyn Earl,Thomas Kerekes,Christian Merot,Richard Fedchenko,Thomas Pang,Dinh That. Владелец: 3D Systems Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of thermally transferring images in a selective deposition based additive manufacturing system

Номер патента: US11904531B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Chris COUNTS. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20230321651A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20220097060A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Flow cell with selective deposition or activation of nucleotides

Номер патента: US20210146356A1. Автор: Tarun Khurana,Craig Ciesla,Stanley Hong,Merek SIU,Aathavan KARUNAKARAN,Ali Agah,Arvin Emadi. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Building layers with unsupported portions through selective deposition-based additive manufacturing

Номер патента: US11654624B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Arun Chowdry,Chris Anton. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Compliant transfusion roller for selective deposition based additive manufacturing system

Номер патента: WO2019133840A1. Автор: James W. Comb,Chris COUNTS. Владелец: Evolve Additive Solutions, Inc.. Дата публикации: 2019-07-04.

Selective deposition-based additive manufacturing device and method of printing 3D parts with semi-crystalline materials

Номер патента: US11993006B2. Автор: J. Samuel Batchelder,Eric Carl Stelter. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Selective deposition-based additive manufacturing using dissimilar materials

Номер патента: EP3993987A1. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Layer orientation in selective deposition based additive manufacturing of parts

Номер патента: US20190202113A1. Автор: J. Samuel Batchelder. Владелец: Evolve Additive Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Decarburization and nitriding process for oriented silicon steel with high magnetic induction

Номер патента: NL2035289A. Автор: FAN Lifeng,Zhu Tiannan,Yue Erbin. Владелец: Univ Inner Mongolia Technology. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for determining weight of oil contaminants per unit area of bottom sediments of water bodies

Номер патента: RU2711119C1. Автор: Олег Сергеевич Покровский,Данил Сергеевич Воробьев,Владислава Владимировна Перминова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2020-01-15.

Installation of side and bottom electrodes for electric melting reactors and method for supply of such electrodes

Номер патента: RU2482199C2. Автор: Олаф-Трюгве ВЕГГЕ,Харальд ХОЛАНД,Джон БРИНЧ,Ярле Эрланд ХЕРСТАД,Константин ЙЕРГЕНСЕН. Владелец: Алкоа Инк.. Дата публикации: 2013-05-20.

Installation of bottom cultivation of mariculture objects in semi-free conditions

Номер патента: RU2687595C1. Автор: Сергей Михайлович Долганов,Вадим Геннадьевич Рогачёв,Владимир Александрович Медведев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "СИБОРН ДВ". Дата публикации: 2019-05-15.

Chemically enhanced thermal oxidation and nitridation of silicon and products thereof

Номер патента: US5043224A. Автор: Ralph J. Jaccodine,Paul Schmidt, deceased,executrix Eva Schmidt. Владелец: Lehigh University. Дата публикации: 1991-08-27.

Nitriding process and nitriding furnace therefor

Номер патента: US5989363A. Автор: Jean Georges. Владелец: Plasma Metal SA. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for heat treatment of bottom-hole zone of producing well

Номер патента: RU2756216C1. Автор: Рустам Шафкатович Салихов,Руслан Фаритович Мазитов,Юрий Вавилович Пахаруков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-28.

Method of treatment of bottom-hole zone of the horizontal shafts of boreholes, opening carbonate collector

Номер патента: RU2599155C1. Автор: Ильгизар Хасимович Махмутов,Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-10-10.

Drilling method, drilling machine, drilling head and equipment of bottom of drilling column for drilling by means of electric discharge pulses

Номер патента: RU2393319C2. Автор: Арильд РЁДЛАНД. Владелец: Унодрилл Ас. Дата публикации: 2010-06-27.

Method for purification of bottom sediments of reservoirs from oil and oil products and device for its realisation

Номер патента: RU2570460C1. Автор: Данил Сергеевич Воробьев,Юлия Александровна Франк,Олег Эдуардович Мерзляков,Сергей Павлинович Кулижский. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2015-12-10.

Method for determination of sizes and shape of bottom pipe

Номер патента: RU2707125C1. Автор: Денис Леонидович Нерадовский,Дмитрий Андреевич Дерябин,Надежда Алексеевна Дерышева,Андрей Александрович Мокеев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательское проектно-технологическое бюро "Онега". Дата публикации: 2019-11-22.

Device for protection of bottom and sides of inflatable boat with on-board tubes

Номер патента: RU2739454C1. Автор: Михаил Сергеевич Минаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Торговая компания «Аэросани». Дата публикации: 2020-12-24.

Method for classifying a type of bottom, measuring device and computer program product for carrying out such a method

Номер патента: WO2004046760A1. Автор: Dirk Gozewinus Simons. Владелец: Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwe Tenschappelijk Onderzoek Tno. Дата публикации: 2004-06-03.

Method of filling a plurality of bottom gusseted pouches disposed on a roll

Номер патента: US09434492B1. Автор: James Russell,John Ferber. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-06.

Cleaning method of bottom deposits and water against oil and oil products under ice cover in water bodies

Номер патента: RU2566645C1. Автор: Данил Сергеевич Воробьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2015-10-27.

Device for reducing hydrodynamic resistance of bottom of vessel on compressed pneumatic air flow

Номер патента: RU2677539C1. Автор: Михаил Иванович Голубенко. Владелец: Михаил Иванович Голубенко. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for flow-line manufacture of cathode sections combined with installation of bottom of electrolyzer

Номер патента: RU2672123C2. Автор: Владимир Васильевич Шапкин,Ольга Владимировна Харламова. Владелец: Владимир Васильевич Шапкин. Дата публикации: 2018-11-12.

Device for determining corrections to depths, measured by echo sounder when recording topography of bottom of water area

Номер патента: RU2694084C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец,Владимир Александрович Катенин,Алексей Алексеевич Чубыкин,Николай Иванович Бирюк. Владелец: Владимир Александрович Катенин. Дата публикации: 2019-07-09.

Device for treatment of bottom-hole zone of well by implosion method

Номер патента: RU2600583C1. Автор: Рашит Равилович Аухадеев,Рустем Фахрасович Набиуллин,Ахат Абдуллович Гараев,Фахрас Галиуллович Набиуллин,Чачка Салиховна Исламова. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-10-27.

Self-stabilising drilling bits balanced against vibrations and layouts of bottom of drill strings, and systems for their use

Номер патента: RU2509860C2. Автор: Оливье СИНДТ,Хьелль Хэугвальдстад,Риадх БУАЛЛЕГ,Стивен ХАРТ,Бертран ЛАКУР. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2014-03-20.

Method for prevention of formation of bottom deposits in reservoirs for storage and/or transportation of oil

Номер патента: RU2637915C2. Автор: Георгий Викторович Несын. Владелец: Георгий Викторович Несын. Дата публикации: 2017-12-07.

Method for visualization of current condition of bottom topography during operation of dredger

Номер патента: RU2740297C1. Автор: Николай Николаевич Семенов,Михаил Николаевич Чемоданов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нониус Инжиниринг". Дата публикации: 2021-01-13.

Method of bottom hole formation zone processing

Номер патента: RU2465439C2. Автор: Майкл Х. ДЖОНСОН. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-27.

Hydraulic accumulating power plant with underground location of bottom pond and method of bottom pond tunnelling

Номер патента: RU2499096C2. Автор: Борис Нухимович Фельдман,Алексей Анатольевич Подвысоцкий. Владелец: Открытое акционерное общество "Федеральная гидрогенерирующая компания - РусГидро" (ОАО "РусГидро"). Дата публикации: 2013-11-20.

Method of interval treatment of bottom hole zone of horizontal well shaft

Номер патента: RU2599156C1. Автор: Ильгизар Хасимович Махмутов,Олег Вячеславович Салимов,Радик Зяузятович Зиятдинов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2016-10-10.

Device for storage of bottom alluviums

Номер патента: RU2604493C1. Автор: Михаил Иванович Бальзанников,Андрей Александрович Михасек,Юлия Михайловна Галицкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет" (ФГБОУ ВО СамГТУ). Дата публикации: 2016-12-10.

Assembly of bottom of drill string for drilling of offshoots from horizontal part of uncased well

Номер патента: RU2715482C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2020-02-28.

Method to isolate cone of bottom water in gas producing well

Номер патента: RU2726668C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Леонтьев,Владислав Витальевич Цилибин,Аделя Данияровна Бакирова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инновационные технологии эффективных образовательных систем". Дата публикации: 2020-07-15.

Assembly of bottom seal valve for system of loading via blast furnace mouth

Номер патента: RU2524870C2. Автор: РИЦЦУТИ Этторе,ЛОУЧ Жанно. Владелец: Поль Вурт С.А.. Дата публикации: 2014-08-10.

Method for development of oil fringe of oil-and-gas deposit of bottom type

Номер патента: RU2728753C1. Автор: Павел Александрович Гущин,Владимир Арнольдович Винокуров,Евгений Владимирович Иванов,Юлия Федоровна Гущина,Павел Михайлович Зобов,Вадим Николаевич Хлебников,Александр Сергеевич Мишин,Сергей Владимирович Антонов,Дмитрий Сергеевич Копицин,Валерия Николаевна Дубинич,Раис Иман-Мадиевич Мендгазиев,Наталья Алексеевна Сваровская. Владелец: Некоммерческое партнерство "Технопарк Губкинского университета" (НП "Технопарк Губкинского университета"). Дата публикации: 2020-07-30.

Wire rod and steel wire for spring, spring with improved fatigue resistance and nitriding properties, and methods for manufacturing same

Номер патента: US20240052453A1. Автор: Myungsoo CHOI,Seok-Hwan Choi,Junmo LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Bottom electrode via structures for micromachined ultrasonic transducer devices

Номер патента: US20200324319A1. Автор: Jianwei Liu,Lingyun Miao. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Apparatus for 3d printing of bottom-up photo-curing type, with independent elastic membrane system and tilting reference and relative methods of use

Номер патента: EP3774286A1. Автор: Gianni Zitelli,Federico Iacovella,Vittorio GAUDINO,Massimo PETRILLI. Владелец: Sisma Spa. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of cold forming of bottoms from sheet workpieces

Номер патента: RU2769795C1. Автор: Алексей Юрьевич Журавлёв,Максим Анатольевич Прусаков,Анастасия Георгиевна Скрыльникова,Глеб Борисович Шишкин,Илья Анатольевич Захаров,Антон Евгеньевич Кондауров. Владелец: акционерное общество "Научно-производственное объединение "Техномаш" им. С.А. Афанасьева" (АО "НПО "Техномаш" им. С.А. Афанасьева"). Дата публикации: 2022-04-06.

Method of bottom water cone cutting

Номер патента: RU2655490C2. Автор: Дмитрий Сергеевич Леонтьев,Иван Иванович Клещенко,Владимир Алексеевич Долгушин,Алик Каюмович Ягафаров,Наталья Алексеевна Сипина,Дарья Владимировна Жапарова,Александр Андреевич Земляной,Дмитрий Дмитриевич Водорезов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2018-05-28.

Method of fracture recovery of 3-4 types of bottom plate of ii-iv metatarsophalangeal joints of foot

Номер патента: RU2712007C1. Автор: Игорь Анатольевич Пахомов,Сергей Михайлович Гуди,Василий Викторович Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Новосибирский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии им. Я.Л. Цивьяна" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "ННИИТО им. Я.Л. Цивьяна" Минздрава России). Дата публикации: 2020-01-23.

Treatment method of bottom-hole formation zone, and downhole system for its implementation

Номер патента: RU2485299C1. Автор: Рустэм Наифович Камалов,Александр Петрович Лысенков,Владимир Игоревич Жданов,Газиз Агзамович Сулейманов,Лилия Руффетовна Нигматзянова,Ольга Сергеевна Белобокова. Владелец: Александр Петрович Лысенков. Дата публикации: 2013-06-20.

Installation method of marine ground of bottom stations

Номер патента: RU2734341C1. Автор: Том Анатольевич Дозоров,Михаил Алексеевич Криницкий,Сергей Константинович Гулёв,Алексей Владимирович Синицин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт океанологии им. П.П. Ширшова Российской академии наук (ИО РАН). Дата публикации: 2020-10-15.

Method for obtaining samples of bottom soil in marine research

Номер патента: RU2751875C1. Автор: Том Анатольевич Дозоров,Михаил Алексеевич Криницкий,Сергей Константинович Гулёв. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН. Дата публикации: 2021-07-19.

Method and apparatus for measuring mud resistivity in a wellbore including a probe having a bottom electrode located at the bottom of a tool string and propagating a current from and to the bottom electrode in a direction parallel to a longitudinal axis of the tool

Номер патента: CA2161500C. Автор: Jacques Tabanou,Andre Orban. Владелец: Schlumberger Canada Ltd. Дата публикации: 2003-10-14.

Method and device for control of the sealing of bottoms of fuel tanks of liquid rockets

Номер патента: RU2649215C1. Автор: Владимир Сергеевич Морозов. Владелец: Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт "Гермес". Дата публикации: 2018-03-30.

Carbide and nitride ternary ceramic glove and condom formers

Номер патента: CA2470112A1. Автор: Stanley J. Gromelski,Paul Cacioli,Richard L. Cox. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Nanostructured metal amides and nitrides for hydrogen storage

Номер патента: US10000377B1. Автор: Leonard E. Klebanoff,Vitalie Stavila. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2018-06-19.

Catalytic bimetallic oxynitrides and nitrides

Номер патента: US5444173A. Автор: Fawzy G. Sherif,Shigeo T. Oyama,Chunzhe C. Yu. Владелец: Akzo Nobel NV. Дата публикации: 1995-08-22.

Improved process for diffusing titanium and nitride into a steel or steel alloy by altering the content of such

Номер патента: EP2069140A1. Автор: Philos Jongho Ko,Bongsub Samuel Ko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-17.

Direct synthesis of two-dimensional carbide and nitride mxenes

Номер патента: WO2024044510A2. Автор: Di Wang,Dmitri V. Talapin. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2024-02-29.

Direct synthesis of two-dimensional carbide and nitride mxenes

Номер патента: WO2024044510A3. Автор: Di Wang,Dmitri V. Talapin. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2024-04-11.

Selective polymer metalization for composite materials

Номер патента: US20240200194A1. Автор: Russell Kirk Pirlo,Ronald A. Zeszut. Владелец: University of Dayton Research Institute. Дата публикации: 2024-06-20.

Device for treatment of bottom-hole zone

Номер патента: RU2607668C9. Автор: Леонид Викторович Бачурин. Владелец: Акционерное Общество "Спецхимпром". Дата публикации: 2017-03-10.

Method of evaluation of bottom-hole formation zone state

Номер патента: RU2687828C1. Автор: Владимир Валерьевич Поплыгин,Владислав Игнатьевич Галкин,Инна Николаевна Пономарева. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2019-05-16.

Device for treatment of bottom-hole zone

Номер патента: RU2674674C1. Автор: Ильдус Закеевич Вафин,Расих Нафисович Файзуллин,Фарид Раисович Муртазин,Алсу Ильдусовна Исмагилова,Айрат Алмазович Халимов. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2018-12-12.

Method of operation of mine jet plant at hydrodynamic bed stimulation in process of bottom hole zone treatment

Номер патента: RU2221170C1. Автор: Зиновий Дмитриевич Хоминец. Владелец: Зиновий Дмитриевич Хоминец. Дата публикации: 2004-01-10.

Well jet plant for cleaning of bottom holes from sand plugs in conditions of abnormal low formation pressures

Номер патента: RU2393332C1. Автор: Зиновий Дмитриевич Хоминец,Александр Мирославович Карасевич,Николай Миронович Сторонский,Борис Анатольевич ДУДНИЧЕНКО,Зиновий Дмитриевич Хоминец (UA),Александр Мирославович Карасевич (RU),Николай Миронович Сторонский (RU),Борис Анатольевич Дудниченко (UA). Владелец: Борис Анатольевич ДУДНИЧЕНКО. Дата публикации: 2010-06-27.

Sealing device used in inspection of bottom-hole chamber of machine for shield penetration, and machine for shield penetration, containing such device

Номер патента: RU2713057C2. Автор: Юнлян ЧЭН,Хайбинь ЛЯН,Чжэнян ПЭН,Чунмао ТАН. Владелец: Чайна Рейлвей Констракшн Хэви Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-02-03.

Mobile vacuum disintegrator samples of bottom sediments and soils

Номер патента: RU2667470C1. Автор: Анатолий Иванович Обжиров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева Дальневосточного отделения Российской академии наук (ТОИ ДВО РАН). Дата публикации: 2018-09-19.

METHOD OF PRODUCING POROUS SiO2 XEROGEL WITH CHARACTERISTIC PORE SIZE BY MEANS OF BOTTOM-UP METHOD USING PRECURSOR HAVING ORGANIC SOLID SKELETAL SUPPORTS

Номер патента: RU2530049C2. Автор: Ханс-Петер ЭБЕРТ,Тереза НОЙССЕР,Гудрун РАЙХЕНАУЭР,Лена ВАЙГАНГ. Владелец: Байеришес Центрум Фюр Ангевандте Энергифоршунг Е.В.. Дата публикации: 2014-10-10.

Conveyor roller and roller of bottom of continuous annealing furnace

Номер патента: RU2397418C1. Автор: Ясуси КУРИСУ. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2010-08-20.

Bottom electrode material stack for micromachined ultrasonic transducer devices

Номер патента: US11988640B2. Автор: Jianwei Liu,Victor L. Pushparaj,Lingyun Miao. Владелец: Bfly Operations Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Self-aligning valve of bottom hole pump

Номер патента: RU2616145C1. Автор: Марат Мирсатович Нагуманов,Фанис Кашипович Ахметшагиев,Тимербай Сабирьянович Камильянов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Пакер". Дата публикации: 2017-04-12.

Device for acoustic stimulation of bottom-hole zone of producing formations

Номер патента: RU2026970C1. Автор: О.Л. Кузнецов,В.В. Дрягин,А.А. Печков. Владелец: Тимошенко Аркадий Прокофьевич. Дата публикации: 1995-01-20.

Method for isolating inflow of bottom water in oil wells

Номер патента: RU2631512C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Леонтьев,Иван Иванович Клещенко,Владимир Алексеевич Долгушин,Алик Каюмович Ягафаров,Наталья Алексеевна Сипина,Дарья Владимировна Жапарова,Александр Андреевич Земляной. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2017-09-25.

Method of selective treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2700851C1. Автор: Виталий Вячеславович Сергеев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВИ-ЭНЕРДЖИ". Дата публикации: 2019-09-23.

Beamless drive of bottom-hole oil pump

Номер патента: RU2619411C1. Автор: Евгений Сергеевич Шаньгин,Светлана Владимировна Колесник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2017-05-15.

Device for taking samples of bottom sediments from water basins

Номер патента: US4709584A. Автор: Martin A. Voll,Robert K. Eiskop,Kharri I. Yankovsky. Владелец: INSTITUT KHIMII. Дата публикации: 1987-12-01.

System and method for the fusion of bottom-up whole-image features and top-down entity classification for accurate image/video scene classification

Номер патента: WO2017192194A3. Автор: Yang Chen,Deepak Khosla,Ryan M. UHLENBROCK,Fredy MONTERROZA. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2017-12-28.

System and method for the fusion of bottom-up whole-image features and top-down entity classification for accurate image/video scene classification

Номер патента: EP3414707A2. Автор: Yang Chen,Deepak Khosla,Ryan M. UHLENBROCK,Fredy MONTERROZA. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2018-12-19.

Method for destroying and preventing deposits and plugs formation in oil and gas wells and device for its implementation

Номер патента: RU2503797C1. Автор: Юрий Александрович Никитин,Ирек Альбертович Макулов,Рустам Ирекович Макулов,Александр Юрьевич Никитин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газ-Проект Инжиниринг" (ООО "Газ-Проект Инжиниринг"). Дата публикации: 2014-01-10.

Method for preparing soils polluted by heavy metals for phytoremediation

Номер патента: RU2670253C1. Автор: Александр Степанович Лукаткин,Сергей Васильевич Пугаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2018-10-19.

Compositions based on inhibitors and depressors of paraffin deposition and methods

Номер патента: RU2751622C2. Автор: Кусик КУНДУ,Сьюзан Эми ГАРНЕР,Томас О. ПЕЙНТЕР. Владелец: ЭКОЛАБ ЮЭсЭй ИНК.. Дата публикации: 2021-07-15.

Method of production of oils, gas condensates and gases from deposits and provision of continuous operation of production and injection wells

Номер патента: RU2525413C2. Автор: Александр Петрович Линецкий,Валерий Михайлович Волынкин. Владелец: Александр Петрович Линецкий. Дата публикации: 2014-08-10.

Method to extract oil or gas using computer simulation of oil or gas deposit and operating equipment

Номер патента: RU2594405C2. Автор: Цинь ЛУ,Грэхем Кристофер Флеминг,Цинхуа ВАН. Владелец: Лэндмарк Графикс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-20.

Method for producing high-temperature ceramic thermoelectric converters for high-temperature thermometry from nitrides of elements of titanium and vanadium subgroups using method for oxidative engineering

Номер патента: RU2759827C1. Автор: Константин Александрович Солнцев,Герман Петрович Кочанов,Иван Александрович Ковалев,Андрей Станиславович Чернявский,Иван Дмитриевич Рубцов,Александр Владимирович Шокодько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук (ИМЕТ РАН). Дата публикации: 2021-11-18.

Method of circulating ionic nitriding of metal articles and device for its implementation

Номер патента: RU2650650C1. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Алексей Пантелеевич Коржавый,Николай Николаевич Брокмиллер,Данил Игоревич Мелещенко. Владелец: Данил Игоревич Мелещенко. Дата публикации: 2018-04-16.

Method of seismic probing of oil saturation for exploration of hydrocarbon deposits and evaluation of their volumes

Номер патента: RU2708676C2. Автор: Марат Альбертович Азаматов,Вячеслав Шамильевич Халилов,Константин Васильевич Антонов,Ильшат Фаргатович Талипов,Назым Мидхатович Ахметшин,Ринат Рашитович Гафаров,Егор Владимирович Митяев,Илдар Асхатович Шангареев. Владелец: Вячеслав Шамильевич Халилов. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for seismic monitoring of hydraulic fracturing processes in development of hydrocarbon deposits and heat impact processes in development of high-viscosity hydrocarbons

Номер патента: RU2758263C1. Автор: Сергей Александрович Михайлов,Михаил Леонидович Чернов,Мансур Эмерович Сибгатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Сигма». Дата публикации: 2021-10-27.

Methods and devices for removal of dental deposits and rehabilitation of periodontal pockets, as well as ablation of gum tissue for treatment of periodontitis and peri-implantitis

Номер патента: RU2760257C1. Автор: Беннетт Х. ДЖЕЙКОБИ. Владелец: Беннетт Х. ДЖЕЙКОБИ. Дата публикации: 2021-11-23.

AMYLOID-BINDING THIOFLAVIN DERIVATIVES, METHOD OF in vivo DETECTION OF AMYLOID DEPOSIT AND METHOD OF DIAGNOSTICS OF ALZHEIMER'S DISEASE

Номер патента: RU2324686C2. Автор: Яньмин ВАН,Уильям Э. КЛАНК,Честер Э. Мл. МАТИС,Уиль м Э. КЛАНК. Владелец: Юнивесити Оф Питсбэг. Дата публикации: 2008-05-20.

Compositions which suppress paraffin deposition, and methods for preparing and using them

Номер патента: RU2708744C1. Автор: Кусик КУНДУ,Джереми Молони. Владелец: ЭКОЛАБ ЮЭсЭй ИНК.. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for ion-plasma nitriding of parts from tool steel

Номер патента: RU2599950C1. Автор: Владимир Николаевич Климов,Сергей Николаевич Туренко,Елена Анатольевна Зайцева,Сергей Викторович Алешин,Андрей Владимирович Климов,Илья Юрьевич Сапронов,Илья Игоревич Богачёв. Владелец: Владимир Николаевич Климов. Дата публикации: 2016-10-20.

LASER DEPOSITION OF METALS FOR SUPERALLOYS WITH HIGH CONTENT OF γ'-PHASE WITH COOLING EFFECT

Номер патента: RU2738121C1. Автор: Бернд БУРБАУМ,Ахмед КАМЕЛ,Дафер ЖУИНИ. Владелец: Сименс Энерджи, Инк.. Дата публикации: 2020-12-08.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C9. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-08-05.

Welded seam metal for joining high-strength low-alloy steels

Номер патента: RU2275281C2. Автор: Аднан ОЗЕКСИН,Дуглас П. ФЭЙРЧАЙЛД,Нарасимха-Рао В. БАНГАРУ,Дзайоунг КОО,Дэнни Л. БИСОН,Марио Луис МАЧИЯ. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2006-04-27.

Quaternary nitrogen containing phosphonates for treating abnormal calcium and phosphate metabolism and for prophylaxis and treatment of tooth deposits and tooth calculuses, pharmaceutical composition, method of medical treatment

Номер патента: RU2126414C1. Автор: Мэри Каас Сюзн,Хэллок Ибитино Франк,Дэвид Фрэнсиз Марион,Джордж Энтони Нилсон Деннис,Майкл Дженуз Джон. Владелец: Дзе Проктер энд Гэмбл Фармасьютикалз, Инк.. Дата публикации: 1999-02-20.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C1. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-02-03.

Automated sample deposition and staining systems and associated methods

Номер патента: US20240230689A9. Автор: Rebecca BARTEL,John Hart,Anthony White,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,Sergey Rozhok,Nathan Ray,Micah LITOW,Justin R. DERBAS,Michael Verleye. Владелец: Nanocytomics LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: ZA202101151B. Автор: JOHANSSON Andreas,Sjostrom Anders. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2024-06-26.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

Banknote deposit and withdrawal apparatus

Номер патента: EP4401053A1. Автор: Jun Young Kim,Hyun Soo JANG,Jung Hoon Kang,Jin Young Hwang. Владелец: Hyosung Tns Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Banknote deposit and withdrawal appaatus

Номер патента: US20240221448A1. Автор: Jun Young Kim,Hyun Soo JANG,Jung Hoon Kang,Jin Yong HWANG. Владелец: Hyosung Tns Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of manufacture of rotational article by cold metal transfer welding deposition and rotational article manufactured this way

Номер патента: RU2663914C2. Автор: Юн Лю,Жэньвэй ЮАНЬ,Лэй ЯН,Вэнь ТАНЬ,Хунъюань ШЕНЬ,Чжисюэ ПЭН,Яньминь ЛИ,Гошуань ЦАЙ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2018-08-13.

Method of assessing technical condition of gas wells at deposits and underground gas storages

Номер патента: RU2730957C1. Автор: Сергей Николаевич Меньшиков,Всеволод Владимирович Черепанов,Сергей Анатольевич Варягов,Александр Анатольевич Михалёв,Виталий Леонидович Бондарев,Михаил Юрьевич Миротворский. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Газпром Добыча Надым". Дата публикации: 2020-08-26.

Zeolites containing phosphorus/sulphur as a transition metal for n2o decomposition

Номер патента: RU2598902C2. Автор: Штефан Дойерляйн,Тобиас РОЗЕНДАЛЬ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2016-10-10.

Method of manufacture of rotational article by cold metal transfer welding deposition and rotational article manufactured this way

Номер патента: RU2663914C9. Автор: Юн Лю,Жэньвэй ЮАНЬ,Лэй ЯН,Вэнь ТАНЬ,Хунъюань ШЕНЬ,Чжисюэ ПЭН,Яньминь ЛИ,Гошуань ЦАЙ. Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2018-10-04.

Device for confectionary mass deposition and confectionary products manufacture method

Номер патента: RU2467587C2. Автор: Мелис АБИЛОВ,Юрай ДУРЧО. Владелец: Крафт Фудз Ар Энд Ди, Инк.. Дата публикации: 2012-11-27.

Swelling metal for non-elastomeric o-rings, sealing bags and sealing gaskets

Номер патента: RU2740723C1. Автор: Майкл Л. ФРИПП,Стивен М. ГРЕСИ,Закари У. УОЛТОН. Владелец: Халлибертон Энерджи Сервисез, Инк.. Дата публикации: 2021-01-20.

Catalysts containing halide-containing tungstates of alkali metals for synthesis of alkylmercaptans and preparation methods thereof

Номер патента: RU2384364C2. Автор: Кристоф ВЕКБЕКЕР,Хуберт РЕДЛИНГСХЁФЕР,Андреас ДЁРФЛАЙН,Хуберт РЕДЛИНГСХЁФЕР (DE),Кристоф ВЕКБЕКЕР (DE),Андреас ДЁРФЛАЙН (DE). Владелец: Дегусса Гмбх. Дата публикации: 2010-03-20.

Use of complex of nitrogen-containing compound with metal for diagnostics or treatment of tumors with integrin expression

Номер патента: RU2767398C2. Автор: Дайсуке НАКАГАВА,Такаюки ЯМАКАВА,Синитиро СЕКИНЕ,Хирофуми ФУКУНАГА,Сатико СИНДЗО. Владелец: Фуджифилм Корпорэйшн. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of producing rolled metal for making pipes of strength category k48-k56, resistant to hydrogen sulphide cracking and general corrosion, and pipe made from it

Номер патента: RU2709077C1. Автор: Сергей Викторович Головин,Алексей Владимирович Червонный,Олег Александрович Багмет,Максим Вячеславович Самохвалов,Ольга Александровна Баранова,Евгений Викторович Горелов,Марина Юрьевна Соколова. Владелец: Акционерное общество "Выксунский металлургический завод". Дата публикации: 2019-12-13.

Coin depositing and dispensing machine

Номер патента: US20090071793A1. Автор: Keita Ito,Atsushi Nagase,Keita Toyama. Владелец: Glory Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Automatic machine for the deposit and withdrawal of cash

Номер патента: WO2007101880A2. Автор: Enrico Colecchia,Gastone Mantovan. Владелец: CTS CASHPRO S.P.A.. Дата публикации: 2007-09-13.

Catalyst application bath for electroless plating, method of producing catalytic nucleus-containing material to be electroless plated, method of producing material with electroless plating deposit, and material with electroless plating deposit

Номер патента: US20240200196A1. Автор: Tsuyoshi Maeda,Naoki Nakano,Katsuhisa Tanabe,Mai Odajima. Владелец: C Uyemura and Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods and compositions to reduce cellular deposition, and hydrocephalus shunt failure

Номер патента: EP4398950A2. Автор: Carolyn Harris,Mira ZARANEK,Fatemeh KHODADADEI. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-17.

Automatic machine for the deposit and withdrawal of cash

Номер патента: CA2644257A1. Автор: Enrico Colecchia,Gastone Mantovan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Automatic machine for the deposit and withdrawal of cash

Номер патента: EP2005397A2. Автор: Enrico Colecchia,Gastone Mantovan. Владелец: CTS Cashpro SpA. Дата публикации: 2008-12-24.

Functionalized magnetic nanoparticles and use in imaging amyloid deposits and neurofibrillary tangles

Номер патента: US20160184461A1. Автор: Massoud Akhtari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-06-30.

Functionalized magnetic nanoparticles and use in imaging amyloid deposits and neurofibrillary tangles

Номер патента: WO2012145169A3. Автор: Massoud Akhtari. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-03-14.

Functionalized magnetic nanoparticles and use in imaging amyloid deposits and neurofibrillary tangles

Номер патента: US20190374658A1. Автор: Massoud Akhtari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2019-12-12.

A method of extracting gas from gas shale deposit and a device for extracting gas from gas shale deposit

Номер патента: WO2016076739A2. Автор: Adam Bednarczyk. Владелец: Adam Bednarczyk. Дата публикации: 2016-05-19.

A locker bank system for item deposit and collection integrating a tracing module

Номер патента: EP4407537A1. Автор: Arnaud Yvoz. Владелец: Quadient Technologies France SA. Дата публикации: 2024-07-31.

Substrates for spatially selective micron and nanometer scale deposition and combinatorial modification and fabrication

Номер патента: EP1644518A1. Автор: Peter John Hastwell,Timothy Mark Kaethner. Владелец: Raustech Pty Ltd. Дата публикации: 2006-04-12.

A method of extracting gas from gas shale deposit and a device for extracting gas from gas shale deposit

Номер патента: EP3218576A2. Автор: Adam Bednarczyk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-20.

Acoustic-energy based material deposition and repair

Номер патента: US20230158569A1. Автор: Keng Hsu,Anagh DESHPANDE. Владелец: Ivaldi Group Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Functionalized magnetic nanoparticles and use in imaging amyloid deposits and neurofibrillary tangles

Номер патента: AU2019203038B2. Автор: Massoud Akhtari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-03-25.

Functionalized Magnetic Nanoparticles and Use in Imaging Amyloid Deposits and Neurofibrillary Tangles

Номер патента: US20140140932A1. Автор: Masoud Akhtari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-05-22.

Acoustic-energy based material deposition and repair

Номер патента: US20210362235A1. Автор: Keng Hsu,Anagh DESHPANDE. Владелец: Ivaldi Group Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

A locker bank system for item deposit and collection integrating a tracing module

Номер патента: US20240257041A1. Автор: Arnaud Yvoz. Владелец: Quadient Technologies France SA. Дата публикации: 2024-08-01.

Inspection cup for inspecting impurity in molten metal for die casting and method of inspecting impurity in molten metal for die casting using inspection cup

Номер патента: US20230372996A1. Автор: Chung Hwan Kim,Jeongtae Maeng. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Acoustic-energy based material deposition and repair

Номер патента: EP3801971A1. Автор: Keng Hsu,Anagh DESHPANDE. Владелец: Ivaldi Group Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Inspection cup for inspecting impurity in molten metal for die casting and method of inspecting impurity in molten metal for die casting using inspection cup

Номер патента: US20220362836A1. Автор: Chung Hwan Kim,Jeongtae Maeng. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Mining machine adapted for extracting material from a deposit, and method for control thereof

Номер патента: US20240285809A1. Автор: Uwe BURGSTEINER,Christopher LAMMER. Владелец: Sandvik Mining and Construction GmbH. Дата публикации: 2024-08-29.

Emissions treatment articles with inorganic filtration deposits and catalytic material

Номер патента: EP4436695A1. Автор: Vishwanath Ganpat DESHMANE,Kristyn Lee PENHOLLOW. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-10-02.

Welding base metal for recycling railway wheel and method for recycling railway wheel using the same

Номер патента: US12104220B2. Автор: Young Jin Lee. Владелец: Asiatech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Process for fabricating high-precision objects by high-resolution lithography and dry deposition and objects thus obtained

Номер патента: US09796581B2. Автор: Roger Valle,Pierre Josso,Stephan Megtert,Stephane Landais,Faycal Bouamrane,Thomas Bouvet,Olivier Dessornes. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 2017-10-24.

Machine for spreading out and loading flat clothing articles with an auxiliary device that deposits and feeds flat clothing articles on a conveyor belt

Номер патента: US09657434B2. Автор: Manuel Gorriz,Dominique Garrone,Sylvain Duplouy. Владелец: GIRBAU ROBOTICS. Дата публикации: 2017-05-23.

Apparatus and method for cleaning deposits and accretions from an end plate of a sensor body

Номер патента: US09632019B2. Автор: Thilo Kratschmer,Michael LITTMANN,Hasan-Özkan KARAGÖZ. Владелец: Endress and Hauser Conducta GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-04-25.

Process of and system for facilitating cash collections deposits and deposit tracking

Номер патента: US09495705B2. Автор: Aaron Baker,Frederick Purches,Paul BLACHOWICZ. Владелец: Brinks Network Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

A locker bank system for item deposit and collection integrating a locker bank toolbox

Номер патента: EP4407575A1. Автор: Arnaud Yvoz,Arnaud ADELL. Владелец: Quadient Technologies France SA. Дата публикации: 2024-07-31.

Locker bank system for item deposit and collection integrating a locker bank toolbox

Номер патента: US20240257042A1. Автор: Arnaud Yvoz,Arnaud ADELL. Владелец: Quadient Technologies France SA. Дата публикации: 2024-08-01.

Freewire system for suppression of particulate deposition and accumulation on processing chamber walls

Номер патента: US20040175301A1. Автор: Aaron Mao,Samuel Antonio,Pom Hyare. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Method of forming nano-pads of catalytic metal for growth of single walled carbon nanotubes

Номер патента: US20140155253A9. Автор: Alexander Kastalsky. Владелец: Nano-Electronic and Photonic Devices and Circuits LLC. Дата публикации: 2014-06-05.

Interface-controlled in-situ synthesis of nanostructures in molten metals for mass manufacturing

Номер патента: US20220178004A1. Автор: Jie Yuan,Xiaochun Li,Gongcheng Yao,Shiqi ZHENG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-09.

Interface-controlled in-situ synthesis of nanostructures in molten metals for mass manufacturing

Номер патента: WO2020210706A1. Автор: Jie Yuan,Xiaochun Li,Gongcheng Yao,Shiqi ZHENG. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-10-15.

Pneumatic fender and mouth piece metal for pneumatic fender

Номер патента: US09816241B2. Автор: Shu Yamada. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for low-temperature ion nitriding of titanium alloys

Номер патента: RU2633867C1. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Рашид Денисламович Агзамов,Айнур Фиргатович Тагиров,Илья Владимирович Золотов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-10-18.

Method of ion nitriding of cutting tool made of alloyed steel

Номер патента: RU2634400C1. Автор: Аскар Джамилевич Мингажев,Вадим Файзерахманович Насыров,Ирина Рифхатовна Галимова,Рушан Наилевич Хуснимарданов,Наиля Фёдоровна Измайлова,Наталья Сергеевна Бабенко. Владелец: Научно-производственная Ассоциация "Технопарк авиационных технологий" (НПА "Технопарк АТ"). Дата публикации: 2017-10-26.

Method for ion nitriding of products made of construction alloy steels

Номер патента: RU2760309C1. Автор: Владимир Алексеевич Александров,Лариса Георгиевна Петрова,Александра Сергеевна Сергеева,Виктор Максимович Вдовин,Петр Евгеньевич Демин,Андрей Александрович Брежнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ)". Дата публикации: 2021-11-23.

Plant for catalytic nitriding of steels and alloys in gas atmosphere

Номер патента: RU2310802C1. Автор: Владимир Яковлевич Сыропятов,тов Владимир Яковлевич Сыроп. Владелец: Ооо "Солнечногорский Зто "Накал". Дата публикации: 2007-11-20.

Method of ion-plasma nitriding of articles from titanium or titanium alloy

Номер патента: RU2686975C1. Автор: Владимир Викторович Денисов,Николай Николаевич Коваль,Юрий Федорович Иванов,Петр Максимович Щанин,Евгений Владимирович Островерхов,Юлия Александровна Денисова,Юрий Халяфович Ахмадеев,Илья Викторович Лопатин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2019-05-06.

Method for cyclic gas nitriding of parts from high-alloy steels

Номер патента: RU2692006C1. Автор: Владимир Алексеевич Александров,Лариса Георгиевна Петрова,Петр Евгеньевич Демин,Андрей Александрович Брежнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ)". Дата публикации: 2019-06-19.

Method for low-temerature ion nitriding of titanium alloys with constant pumping of a gas mixture

Номер патента: RU2687616C1. Автор: Эдуард Леонидович Варданян,Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Юлдаш Гамирович Хусаинов,Рашид Денисламович Агзамов,Роман Сергеевич Есипов,Алексей Александрович Николаев,Айнур Фирганович Тагиров. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2019-05-15.

Method for cyclic nitriding of articles made from steel 08u in gaseous media

Номер патента: RU2692007C1. Автор: Галина Юрьевна Остаева,Ирина Юрьевна Исаева,Владимир Алексеевич Александров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский автомобильно-дорожный государственный технический университет (МАДИ). Дата публикации: 2019-06-19.

Nano-catalyst from monodisperse transition metal for fischer-tropsch synthesis, method for its preparation and its application

Номер патента: RU2675839C1. Автор: Илун ЧЭНЬ,Яньфэн Чжан,Цзяньган ЧЭНЬ,Дэчэн СУН,Шэнькэ ЧЖЭН,Сяодун ЧЖАНЬ. Владелец: Ухань Кайди Инджиниринг Текнолоджи Рисерч Инститьют Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-12-25.

Compositions and methods for prevention or reduction of dental deposit and/or gingivitis

Номер патента: RU2378023C2. Автор: Дэвид К. ГРИНСПЭН,Гай ЛАТОРР,Леонард Дж. ЛИТКОВСКИ,Гэри Д. ХЭК. Владелец: Юниверсити Оф Мэриленд, Балтимор. Дата публикации: 2010-01-10.

Method for preparation and transportation of products of well production at mature oil deposits and system of implementation

Номер патента: RU2690465C1. Автор: Евгений Викторович Гребенщиков,Алексей Александрович Чудновский,Максим Леонидович Львов,Айрат Альбертович Фазлыев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Л-Петро" (ООО "Л-Петро"). Дата публикации: 2019-06-03.

Development method of small deposits and separate lenses of oil deposit

Номер патента: RU2696688C1. Автор: Максим Викторович Швыденко. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-08-05.

Method for wave action on deposit and device therefor

Номер патента: RU2582599C1. Автор: Николай Георгиевич Кю. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела им. Н.А. Чинакала Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of combined development of gold deposits from placer deposits and technological mineral formations

Номер патента: RU2678344C1. Автор: А.Г. Секисов,А.В. Рассказова,Р.В. Богомяков,Н.М. Литвинова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2019-01-28.

Cover with wide opening made from sheet metal for can with drink

Номер патента: RU2414400C2. Автор: Вольфганг КАСПЕР. Владелец: Болл Пэкэджин Юроуп Гмбх. Дата публикации: 2011-03-20.

Method of determining the shape and size of cavern underground gas storage created in rock salt deposits and sound locator for implementing the method

Номер патента: RU2660400C1. Автор: Сергей Алексеевич Егурцов,Юрий Владимирович Иванов,Дмитрий Владимирович Селезнев,Юрий Анатольевич Горяев,Татьяна Владимировна Скрынник,Алексей Павлович Зубарев,Александр Евгеньевич Королев,Вячеслав Георгиевич Божедомов. Владелец: Публичное акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2018-07-06.

Method for forming and developing technogenic deposit and device for its implementation

Номер патента: RU2661510C1. Автор: Каербек Рафкатович Аргимбаев,Кристина Владимировна Миронова,Майя Олеговна Бовдуй,Павел Владимирович Подлесный. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский горный университет". Дата публикации: 2018-07-17.

Method of producing corrosion inhibitor for ferrous metals for protection of oil field equipment

Номер патента: RU2604151C1. Автор: Гаджи Рабаданович Гаджиев,Дмитрий Алексеевич Кондруцкий,Александр Фаддеевич Бобров,Виталий Александрович Третьяков,Юлия Андреевна Третьякова. Владелец: Акционерное общество "Аксион - Редкие и Драгоценные Металлы". Дата публикации: 2016-12-10.

Method of nitridation of titanic alloys in glow discharge

Номер патента: RU2625518C2. Автор: Камиль Нуруллаевич Рамазанов,Владимир Васильевич Будилов,Илья Владимирович Золотов,Лиана Наилевна Заббарова,Расим Фаритович Хуснутдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2017-07-14.

Method for obtaining methanol from hydrocarbon gas of gas and gas-condensate deposits, and plant for its implementation

Номер патента: RU2503651C1. Автор: Сергей Эрикович Долинский,Марк Юрьевич Богослов,Роман Владимирович Раменов. Владелец: Роман Владимирович Раменов. Дата публикации: 2014-01-10.

Guide of sheet metal for lifting system

Номер патента: RU2565638C2. Автор: Ричард Н. ФАРГО,Збигнев ПИЧ,Джейми А. РИВЕРА. Владелец: Отис Элевэйтор Компани. Дата публикации: 2015-10-20.

Copper- and manganese-containing catalysts based on non-noble metals for oxidation of carbon monoxide and volatile organic compounds

Номер патента: RU2532549C2. Автор: Пол Дж. АНДЕРСЕН,Артур Дж. РЕЙНИНГ,Хаи-Йинг ЧЕН,Рита АЙЕЛЛО. Владелец: Джонсон Мэттей Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of producing graphite electrodes with coating, preferably of noble metals, for electrolytic processes, especially for hydrochloric acid electrolytes

Номер патента: RU2505625C2. Автор: Райнер ВЕБЕР,Юрген КИНТРУП,Маттиас ВАЙЗ,Одо МУДДЕМАНН,Герхард МООРМАНН,Франк РАУШЕР. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2014-01-27.

Installation for vacuum deposition and method for coating substrate

Номер патента: RU2755327C1. Автор: Эрик СИЛЬБЕРБЕРГ,Сержио ПАЧЕ,Реми БОННЕМАН. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2021-09-15.

Method for formation of technogenic deposit and its subsequent development

Номер патента: RU2699097C1. Автор: Николай Георгиевич Барнов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-09-03.

Method of obtaining a ligature with aluminides of nickel and rare-earth metals for modifying aluminium alloys

Номер патента: RU2732809C1. Автор: Хосен Ри,Эрнст Хосенович Ри,Евгений Давидович Ким,Алексей Васильевич Гончаров,Надежда Александровна Славинская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2020-09-22.

Process for producing amorphous boron nitride of high hardness

Номер патента: CA1333746C. Автор: Jorg Wildenburg,Georg Will. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-01-03.

Process for producing amorphous boron nitride of high hardness

Номер патента: US5230873A. Автор: Jorg Wildenburg,Georg Will. Владелец: Golz Siegfried Firma. Дата публикации: 1993-07-27.

Process and apparatus for the automatic depositing and pressing of continuous tows

Номер патента: US4526095A. Автор: Siegfried Rewitzer. Владелец: Hoechst AG. Дата публикации: 1985-07-02.

Near real-time extraction of deposition and pre-deposition characteristics from rotating substrates and control of a deposition apparatus in near real-time

Номер патента: US5772758A. Автор: Douglas A. Collins,Thomas C. McGill,George O. Papa. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1998-06-30.

Process feed for the manufacture of a tapping valve made of taps for transport and storage containers of plastic or metal for liquids

Номер патента: NO20053571L. Автор: Udo Schuetz. Владелец: Protechna SA. Дата публикации: 2006-02-20.

Improvements in or relating to tin-man's rollers for bending sheet metals for hollow ware and the like

Номер патента: GB159340A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1921-03-03.

Method and device for pre-heating waste metal for furnaces

Номер патента: US4812117A. Автор: Staffan Granstrom. Владелец: Nab Konsult. Дата публикации: 1989-03-14.

Apparatus for filtering molten scraps of metal for regeneration

Номер патента: CA1314145C. Автор: Shogo Mochizuki,Sadanori Ishikawa,Hisao Isogai,Mitsuyoshi Mochizuki. Владелец: Nippon Light Metal Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

High profiled sheet metal for composite decks

Номер патента: WO2008111920A2. Автор: Darko Beg,Igor Gorup. Владелец: Trimo D.D.. Дата публикации: 2008-09-18.

Method for Producing Nitride of Group-13 Element, and Melt Composition

Номер патента: US20160168749A1. Автор: Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Shuhei Higashihara. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Benchtop instrument and consumables for sample deposition and staining

Номер патента: EP4314760A1. Автор: Rebecca BARTEL,Matthew Turner,Michael Henning,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,John W. Hart,Margaux HAYES,Tamara S. SWANSON,Alexander L. BLUESTONE,Derek GURBAN,Nick BOOKER,Nick MOUSKOS. Владелец: Asp Health Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

In-situ fingerprinting for electrochemical deposition and/or electrochemical etching

Номер патента: US20240044039A1. Автор: Norbert Schroeder,Fred Richter,Juerg Stahl. Владелец: Ancosys GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Automated sample deposition and staining systems and associated methods

Номер патента: US20240133905A1. Автор: Rebecca BARTEL,John Hart,Anthony White,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,Sergey Rozhok,Nathan Ray,Micah LITOW,Justin R. DERBAS,Michael Verleye. Владелец: Nanocytomics LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: US11727743B2. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2023-08-15.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: SE1850932A1. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2020-01-24.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: US20210225113A1. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2021-07-22.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: CA3106813A1. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2020-01-30.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: AU2019311693A1. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2021-03-11.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: EP3827421A1. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2021-06-02.

High profiled sheet metal for composite decks

Номер патента: WO2008111920A3. Автор: Darko Beg,Igor Gorup. Владелец: Trimo D D. Дата публикации: 2008-11-20.

System and method to manage deposits and payments for variable weighted and variable priced agricultural products

Номер патента: US20200160425A1. Автор: Janelle Joy Maiocco,Samuel James San Nicolas,Jeff A. Ma,Eli Spiegel. Владелец: Barn2door Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Welding base metal for recycling railway wheel and method for recycling railway wheel using the same

Номер патента: US20230272501A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: Asiatech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Automated sample deposition and staining systems and associated methods

Номер патента: AU2019302550B2. Автор: Rebecca BARTEL,John Hart,Anthony White,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,Justin Derbas,Sergey Rozhok,Nathan Ray,Micah LITOW,Michael Verleye. Владелец: Nanocytomics LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Coin depositing and dispensing machine

Номер патента: US20120018277A1. Автор: Yoshifumi Masuda,Youhei Kamada. Владелец: Glory Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Benchtop instrument and consumables for sample deposition and staining

Номер патента: US20240183869A1. Автор: Rebecca BARTEL,Matthew Turner,Michael Henning,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,John W. Hart,Margaux HAYES,Tamara S. SWANSON,Alexander L. BLUESTONE,Derek GURBAN,Nick BOOKER,Nick MOUSKOS. Владелец: Asp Health Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Cleaning sachet for removing carbon deposit and rust on gun, and cleaning method thereof

Номер патента: US11999629B2. Автор: Cheng-Chung Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-04.

A cash depositing and dispensing machine and a method for accessing a cash depositing and dispensing machine

Номер патента: AU2019311693B2. Автор: Andreas Johansson,Anders Sjostrom. Владелец: SCAN COIN AB. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method to manage deposits and payments for variable weighted and variable priced agricultural products

Номер патента: WO2020102711A9. Автор: Janelle Joy Maiocco,Samuel James San Nicolas,Jeff A. Ma,Eli Spiegel. Владелец: Barn2Door, Inc.. Дата публикации: 2020-06-18.

System and method to manage deposits and payments for variable weighted and variable priced agricultural products

Номер патента: EP3879977A1. Автор: Janelle Joy Maiocco,Samuel James San Nicolas,Jeff A. Ma,Eli Spiegel. Владелец: Barn2door Inc. Дата публикации: 2021-09-22.

System and method to manage deposits and payments for variable weighted and variable priced agricultural products

Номер патента: AU2019379323A1. Автор: Janelle Joy Maiocco,Samuel James San Nicolas,Jeff A. Ma,Eli Spiegel. Владелец: Barn2door Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of development of deposit and opencast

Номер патента: RU2678752C1. Автор: Стефан Конрад ШВАНК,Йозеф ХАС. Владелец: Бауэр Машинен Гмбх. Дата публикации: 2019-01-31.

Applied catalyst based on noble metal for exhaust gas treatment

Номер патента: RU2631814C2. Автор: Хай-Ин ЧЭНЬ,Артур Дж. РЕЙНИНГ,Сяо-Лань ЧАНГ. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2017-09-26.

System for depositing and protecting sediment on the floor of a body of water and a method of installing it

Номер патента: US4154550A. Автор: Ole F. Larsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1979-05-15.

Filler metal for welding aluminum alloys

Номер патента: CA1100337A. Автор: Heinz Bichsel,Miroslav Pirner,Heinrich Zoller. Владелец: Schweizerische Aluminium AG. Дата публикации: 1981-05-05.

Method for producing articles by chemical vapor deposition and the articles produced therefrom

Номер патента: CA2068152A1. Автор: Thomas R. Anthony,Robert H. Ettinger,Charles D. Iacovangelo,William L. Mowrey,Sidney P. Young,David W. Woodruff. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-12-13.

Computing systems and methods for tracking financial deposits and interest

Номер патента: CA3066005A1. Автор: Ahmad DAJANI,Rahim PREMJI,Yaniv Nathan. Владелец: Bank of Nova Scotia. Дата публикации: 2018-12-13.

Copper-silver-titanium filler metal for direct brazing of structural ceramics

Номер патента: CA1276485C. Автор: Arthur J. Moorhead. Владелец: US Department of Energy. Дата публикации: 1990-11-20.

Crystal habit modifiers for nuclear power water chemistry control of fuel deposits and steam generator crud

Номер патента: CA2745030C. Автор: Charles Marks,Keith Paul Fruzzetti,Karen Samie Kim,Robert Douglas Varrin, Jr.. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Increasing cell wall deposition and biomass in plants

Номер патента: CA2734382C. Автор: Paulo Arruda,Isabel Rodrigues Gerhardt. Владелец: Fibria Celulose SA. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and system for depositing and checking of baggage into airline flights

Номер патента: CA2869724A1. Автор: Jorick Naber,Leander Henricus Albertus Ross,Reinout Vander Meulen,Bart Rene Yvonne Houlleberghs,Roel Reijnen. Владелец: TYPE22 BV. Дата публикации: 2013-10-10.

Pane provided with a coating which prevents deposits and/or damage, and a process and device for its production

Номер патента: CA2399024A1. Автор: Antonius Aloysius Maria Weterings. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Methods of forming an article using electrophoretic deposition, and related articles

Номер патента: EP3031957A1. Автор: Don Mark Lipkin,Stephen Francis Rutkowski,Nicholas Edward Antolino. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-06-15.

Mitigation of deposits and secondary reactions in thermal conversion processes

Номер патента: CA2719698A1. Автор: Barry Freel,Geoffrey Hopkins. Владелец: Ensyn Renewables Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Device for depositing and recovering a heavy load on the ocean floor

Номер патента: US5318384A. Автор: Rene Maloberti,Alain Coutarel,Guy Jahant. Владелец: Coflexip SA. Дата публикации: 1994-06-07.

Device for depositing and keeping the thread end in the cop tube of a spinning cop passed on from a cop preparation station to transporting means

Номер патента: US4576340A. Автор: Ulrich Aretz,Heinz Buhren. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1986-03-18.

Automatic item-driven system for deposit and pick-up

Номер патента: US6010239A. Автор: William David Hardgrave,Lanna Kay Hardgrave. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-01-04.

Apparatus for depositing and staining cytological material on a microscope slide

Номер патента: CA2105828C. Автор: William Alan Fox,Charles Leo Carrico, Jr.,Ernest Arthur Knesel, Jr.. Владелец: Autocyte Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Additives for minimizing intake valve deposits, and their use

Номер патента: US5725612A. Автор: Dennis J. Malfer,William J. Colucci,Randall M. Franklin. Владелец: Ethyl Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Increasing cell wall deposition and biomass density in plants

Номер патента: US9267146B2. Автор: Paulo Arruda,Isabel Rodrigues Gerhardt. Владелец: Fibria Celulose SA. Дата публикации: 2016-02-23.

Mitigation of deposits and secondary reactions in thermal conversion processes

Номер патента: CA2719698C. Автор: Barry Freel,Geoffrey Hopkins. Владелец: Ensyn Renewables Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Grid of precious metals for the recovery of platinum metals escaping from a catalyst during the reaction, and especially of platinum during oxidation of ammonia

Номер патента: US4239833A. Автор: Tadeusz Retmaniak,Mieczyslaw Marek,Pawel Polak,Andrzej Brzeski,Janusz Nyc,Boleslaw Skowronski,Kazimierz Kozlowski,Antoni Springwald,Henryka Weglarska-Zagorna,Eugeniusz Blasiak,Jerzy Studencki,Andrzej Skalski. Владелец: Mennica Panstwowa. Дата публикации: 1980-12-16.

Device for depositing and withdrawing banknotes

Номер патента: CA2177951A1. Автор: Manfred Schulze. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-06-08.

Use of cationic polymers (polydimethyldialkyl ammonium chloride-acrylamide copolymers and dimethyldialkyl ammonium chloride) to increase deposition and/or retention of active agent(s) of deodorant formulations on surfaces

Номер патента: CA1275051A. Автор: William L. Klein,Arthur R. Sykes. Владелец: Calgon Corp. Дата публикации: 1990-10-09.

Method of producing articles by chemical vapor deposition and the support mandrels used therein

Номер патента: US5869133A. Автор: Thomas Richard Anthony,Robert Helmut Ettinger,James Fulton Fleischer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1999-02-09.

Money deposit and/or dispensing device

Номер патента: CA1174649A. Автор: Michael Backes,Gerhard Bosinger,Eberhard Beyhl. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-09-18.

Structure bonding different metals for valuable ornaments

Номер патента: US20090038339A1. Автор: Shang-Han Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Method and system for depositing and checking of baggage into airline flights

Номер патента: CA2869724C. Автор: Jorick Naber,Leander Henricus Albertus Ross,Reinout Vander Meulen,Bart Rene Yvonne Houlleberghs,Roel Reijnen. Владелец: Sita Ypenburg BV. Дата публикации: 2021-02-16.

Polymer scale preventive agent, polymerization vessel effective in preventing polymer scale deposition, and process of producing polymer using said vessel

Номер патента: CA2065513A1. Автор: Toshihide Shimizu,Minoru Shigemitsu. Владелец: Minoru Shigemitsu. Дата публикации: 1992-10-09.

Functionalized magnetic nanoparticles and use in imaging amyloid deposits and neurofibrillary tangles

Номер патента: CA3058702C. Автор: Massoud Akhtari. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-11-07.

Valproic acid for the treatment or prevention of pathological conditions associated with excess fibrin deposition and/or thrombus formation

Номер патента: NZ730307A. Автор: Niklas BERGH,Sverker JERN,Jonas Faijerson Saljo. Владелец: CERENO SCIENT AB. Дата публикации: 2024-01-26.

Fluidized bed reactor to deposit a material on a surface by chemical vapour deposition, and methods of forming a coated substrate therewith

Номер патента: WO1998049366A1. Автор: David M. Lowe,Angel Sanjurjo,Kai-Hung Lau,Liqiang Jiang. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 1998-11-05.

Filler metal for welding of dissimilar welds

Номер патента: EP4316727A1. Автор: Stefan Lindner. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 2024-02-07.

Lubricating oil compositions with resistance to engine deposit and varnish formation

Номер патента: US11898119B2. Автор: Mark Devlin,Kenneth Garelick,Todd Dvorak. Владелец: Afton Chemical Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

An autonomous ground deposition and/or marking robot purging arrangement

Номер патента: GB2618310A. Автор: David George Rhoades Anthony,Paul Cornish-Evans Samuel,Dohnalek Jiri,Cassidy Lewis. Владелец: Micropply Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Compounds and compositions for the treatment or prevention of pathological conditions associated with excess fibrin deposition and/or thrombus formation

Номер патента: US20230364089A1. Автор: Niklas BERGH,Sverker JERN,Jonas Faijerson Saljo. Владелец: Cereno Scientific AB. Дата публикации: 2023-11-16.

Slurry for electrostatic spray deposition and method for forming coating film using same

Номер патента: US20240091809A1. Автор: Sang Ho Park,Dong Wook Shin,Se Wook LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-21.

A substance deposition and backflow preventing arrangement and method

Номер патента: WO2019143409A1. Автор: Matthew Stone,Colin Andrew,Adam M. Mcguire. Владелец: Baker Hughes, a GE company, LLC. Дата публикации: 2019-07-25.

Substance deposition and backflow preventing arrangment and method

Номер патента: US20190218886A1. Автор: Matthew Stone,Colin Andrew,Adam M. Mcguire. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Filler metal for welding of dissimilar welds

Номер патента: WO2024028438A1. Автор: Stefan Lindner. Владелец: OUTOKUMPU OYJ. Дата публикации: 2024-02-08.

Slurry for electrostatic spray deposition and method for forming coating film using same

Номер патента: US11865573B2. Автор: Sang Ho Park,Dong Wook Shin,Se Wook LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-01-09.

Deposition and separation apparatus for excess copper in lead-free solder

Номер патента: MY143560A. Автор: Nishimura Tetsuro. Владелец: Nihon Superior Sha Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Coin deposit and summation memory device

Номер патента: US20150187156A1. Автор: Huannan Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods and compositions to reduce cellular deposition, and hydrocephalus shunt failure

Номер патента: WO2023039551A3. Автор: Carolyn Harris,Mira ZARANEK,Fatemeh KHODADADEI. Владелец: WAYNE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-13.

3D printer based on liquid-solid chemical reaction deposition and operating methods thereof

Номер патента: US11969944B2. Автор: Yongqiang Yang,Yuchao Bai. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-04-30.

Device for removing deposits and/or precipitate on a substrate

Номер патента: US11660645B2. Автор: Steffen Walter,Mincheol Shin,Ole Gustav Johannessen,Oliver Simon Matthews. Владелец: EchoVista GmbH. Дата публикации: 2023-05-30.

Benchtop instrument and consumables for sample deposition and staining

Номер патента: CA3213786A1. Автор: Rebecca BARTEL,Matthew Turner,Michael Henning,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,John W. Hart,Margaux HAYES,Tamara S. SWANSON,Alexander L. BLUESTONE,Derek GURBAN,Nick BOOKER,Nick MOUSKOS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-06.

Compounds and compositions for the treatment or prevention of pathological conditions associated with excess fibrin deposition and/or thrombus formation

Номер патента: CA3234641A1. Автор: Niklas BERGH,Sverker JERN,Jonas Faijerson Saljo. Владелец: Cereno Scientific AB. Дата публикации: 2016-04-14.

Compounds and compositions for the treatment or prevention of pathological conditions associated with excess fibrin deposition and/or thrombus formation

Номер патента: CA2964041C. Автор: Niklas BERGH,Sverker JERN,Jonas Faijerson Saljo. Владелец: Cereno Scientific AB. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for mechanically stabilizing deep sea sediments, marine raw material deposits and/or submarine slope and/or control/conditioning method of the hydraulic properties of deep sea sediments

Номер патента: US20180127937A1. Автор: Matthias Haeckel,Christian Deusner. Владелец: GEOMAR Helmholtz-Zentrum fur Ozeanforschung Kiel. Дата публикации: 2018-05-10.

Cell deposition and imaging apparatus

Номер патента: US20230340392A1. Автор: Richard Michael Salmon. Владелец: FFEI Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Stacker supporting device in automatic money depositing and disbursing machine

Номер патента: US4564140A. Автор: Shinichi Imura,Junichi Arikawa,Kowichi Goi,Eiichi Kokubo. Владелец: Laurel Bank Machine Co Ltd. Дата публикации: 1986-01-14.

Organic frame material having isopoly-molybdic acid metal for manufacturing polylactic acid and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230167236A1. Автор: Qun Chen,Mingyang HE,Junfeng QIAN,Shengchun CHEN,Meijun WEI,Chenchen Qin. Владелец: CHANGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-01.

Method and system for depositing and checking of baggage into airline flights

Номер патента: US11987386B2. Автор: Jorick Naber,Leander Henricus Albertus Ross,Reinout Vander Meulen,Bart Rene Yvonne Houlleberghs,Roel Reijnen. Владелец: Sita Ypenburg BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Diamond Film Deposition and Probes

Номер патента: US20090148652A1. Автор: John A. Carlisle,Nicolaie Moldovan. Владелец: Advanced Diamond Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Benchtop instrument and consumables for sample deposition and staining

Номер патента: AU2022246667A1. Автор: Rebecca BARTEL,Matthew Turner,Michael Henning,Hariharan Subramanian,Chester Henderson,John W. Hart,Margaux HAYES,Tamara S. SWANSON,Alexander L. BLUESTONE,Derek GURBAN,Nick BOOKER,Nick MOUSKOS. Владелец: Asp Health Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Reference cell scheme for MRAM

Номер патента: US7499314B2. Автор: Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Hsu Kai Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2009-03-03.

Method for selective deposition of diamond coatings

Номер патента: EP4259843A1. Автор: Olaf Dietrich,Dirk Breidt. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2023-10-18.

Method and implementation of stress test for MRAM

Номер патента: US20090086531A1. Автор: Po-Kang Wang,Hsu Kai Yang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods and devices for selective deposition of materials including mechanical abrasion

Номер патента: US09995719B2. Автор: Timothy M. Swager,Joseph Walish,Katherine A. Mirica,Kelvin Mitchell Frazier. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-06-12.

Adaptive algorithm for MRAM manufacturing

Номер патента: US20060013038A1. Автор: Po-Kang Wang,Xizeng Shi,Bruce Yang,Hsu Kaiyang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Nitrided or soft nitrided part with excellent wear resistance and pitting resistance, and nitriding and soft nitriding method

Номер патента: US20180100226A1. Автор: Takahide UMEHARA,Masato Yuya. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method and apparatus for MRAM sense reference trimming

Номер патента: US09406367B2. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Selectively depositing material

Номер патента: US20210229180A1. Автор: Mohammad JOWKAR,Rhys MANSELL,Vicente Granados Asensio. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-29.

Selective deposition of diamond

Номер патента: WO2024196395A1. Автор: John P. CIRALDO,Jonathan Levine-Miles,Joshua Blackketter. Владелец: M7D Corporation. Дата публикации: 2024-09-26.

Adaptive algorithm for MRAM manufacturing

Номер патента: US20060250866A1. Автор: Xi SHI,Po Wang,Hsu Yang,Bruce Yang. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Adaptive algorithm for MRAM manufacturing

Номер патента: US20060250865A1. Автор: Po-Kang Wang,Xi SHI,Hsu Yang,Bruce Yang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2006-11-09.

Adaptive algorithm for MRAM manufacturing

Номер патента: US7369430B2. Автор: Po-Kang Wang,Hsu Kai Yang,Bruce Yang,Xi Zeng Shi. Владелец: Applied Spintronics Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Roughly-shaped steel material for nitrided part, and nitrided part

Номер патента: US20220010416A1. Автор: Satoru Okawa,Masato Yuya,Hiroaki Tahira,Kison NISHIHARA. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Selective deposition of metal on plastic substrates

Номер патента: WO2010147695A1. Автор: Mark Wojtaszek,Robert Hamilton. Владелец: Macdermid, Incorporated. Дата публикации: 2010-12-23.

Area selective deposition of metal film on silicon containing surfaces utilizing halides

Номер патента: WO2024215931A1. Автор: Chang-Won Lee,Po-Chun Liu,Tingmin Wang,Lanxia CHENG. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitriding method and nitrided part production method

Номер патента: US20170016107A1. Автор: Takahide UMEHARA,Yoshihiro Daito. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Chopper sensor for MRAM

Номер патента: US20040109345A1. Автор: Kenneth Smith. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-06-10.

Selective deposit of a functional agent

Номер патента: US12042987B2. Автор: Andre Garcia,Luis García Garcia,Michael Alexander Novick,David Ramirez Muela. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-07-23.

Device and apparatus for selectively depositing molten plastic material and production method comprising selective deposition

Номер патента: EP2191956B1. Автор: Francesco Puliga,Francisco Xavier PLANTÀ TORRALBA,Alvaro Pallares Bejarano. Владелец: FUNDACIÒ EURECAT. Дата публикации: 2017-10-25.

DEVICE AND APPARATUS FOR SELECTIVE DEPOSITION OF MOLTEN PLASTIC MATERIAL AND METHOD OF MANUFACTURE BY SELECTIVE DEPOSITION

Номер патента: BRPI0817038A2. Автор: Francesco Puliga,Francisco Xavier PLANTÀ TORRALBA,Alvaro Pallares Bejarano. Владелец: FUNDACIÓ PRIVADA ASCAMM. Дата публикации: 2015-03-24.

Nano structure with selectively deposited nano materials and method for selective deposition of nanomaterials on nano structure

Номер патента: KR20220018887A. Автор: 김태중,신흥주,조우택. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2022-02-15.

Programmable ECC for MRAM mixed-read scheme

Номер патента: US11972822B2. Автор: Ward Parkinson,Nathan Franklin,Martin Hassner,Raj Ramanujan,Michael Nicolas Albert Tran,Michael Grobis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for selective deposition of diamond coatings

Номер патента: US20240043991A1. Автор: Olaf Dietrich,Dirk Breidt. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of producing nitride fluorescent material and nitride fluorescent material

Номер патента: US20240209256A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Sadakazu WAKUI,Kohei KUNIMOTO,Eishi Kanai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Selectively depositing silicon oxide on a dielectric surface of a substrate

Номер патента: WO2024215620A1. Автор: Dennis Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Kevin McLaughlin,Kapu Sirish Reddy,Joel David Smith,Nupur BIHARI,Jason Nathaniel BELLING. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-10-17.

Ceramic material based on silicon carbide and nitride and method of manufacturing products from it

Номер патента: RU2511415C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Максим Вячеславович Бушуев,Вадим Александрович Некрасов,Дмитрий Сергеевич Оболенский,Андрей Николаевич Фалькович. Владелец: Максим Вячеславович Бушуев. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of synergetic reactant-impulse-wave treatment of bottom-hole formation zone and plant for its implementation

Номер патента: RU2462586C2. Автор: Виктор Михайлович Слиденко,Вячеслав Александрович Богуслаев,Петр Иванович Кононенко,Анатолий Алексеевич Скачедуб,Ким Кириллович Квитчук,Олег Викторович Козлов,Леонид Константинович Листовщик,Василий Сергеевич Лесик. Владелец: Закрытое акционерное общество "РЕНФОРС". Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacture of parts from materials with disordered structure (versions) and die mold for axial pressing of bottom and butt of blank for parts such as long-length revolution body with axial hole from materials with disordered structure (versions)

Номер патента: RU2343036C2. Автор: кин Юрий Михайлович Кор,Юрий Михайлович Корякин,Петр Иванович Голубев. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик-Федеральное агентство по атомной энергии. Дата публикации: 2009-01-10.

Method of determining value and direction of deviation of external outline of bottom of vertical cylindrical reservoir from horizontal line

Номер патента: RU2590342C1. Автор: Андрей Викторович Иванов,Владимир Адольфович Середович,Александр Владимирович Середович,Галина Николаевна Ткачева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ). Дата публикации: 2016-07-10.

Method for profiling of bottom deposits

Номер патента: RU2400778C1. Автор: Борис Анатольевич Касаткин,Сергей Борисович Касаткин. Владелец: Институт проблем морских технологий Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИПМТ ДВО РАН). Дата публикации: 2010-09-27.

Method of determining height, direction and velocity of bottom boundary of cloudiness

Номер патента: RU2321029C1. Автор: Сергей Викторович Зуев. Владелец: Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН. Дата публикации: 2008-03-27.

Method of thermal elimination of paraffin and resinous deposits with subsequent stimulation of bottom-hole zone of oil-bearing formation

Номер патента: RU2204699C1. Автор: А.В. Колчин. Владелец: Колчин Андрей Владимирович. Дата публикации: 2003-05-20.

Method of treatment of bottom hole of well formation and submerged generator of pressure pulses for implementation of this method

Номер патента: RU2334873C2. Автор: Раис Салихович Хисамов,Ильгиз Фатыхович Садыков,Александр Андреевич Марсов,Владимир Алексеевич Губарь,Илгиз Галимз нович Мигранов,Илгиз Галимзянович Мигранов,Хасан Шакирович Сибгатуллин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нефтеимпульс". Дата публикации: 2008-09-27.

Method for scouring and removing of bottom deposits from steel vertical tanks with oil or oil products

Номер патента: RU2527792C2. Автор: Наиль Рашитович Гильмутдинов,Анатолий Владимирович Мещеряков. Владелец: Открытое акционерное общество "Урало-Сибирские магистральные нефтепроводы имени Д.А. Черняева" (ОАО "Уралсибнефтепровод"). Дата публикации: 2014-09-10.

Compound-action composition for treatment of bottom-hole zone of gas well

Номер патента: RU2456326C1. Автор: Андрей Владимирович Величкин,Сергей Николаевич Меньшиков,Игорь Сергеевич Морозов,Игорь Васильевич Мельников,Виктор Владимирович Моисеев,Александр Алексеевич Волков,Иван Александрович Чернышев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром добыча Надым" (ООО "Газпром добыча Надым"). Дата публикации: 2012-07-20.

Autonomous sampler of bottom water

Номер патента: RU2369858C1. Автор: Николай Митрофанович Панин,Николай Алексеевич Дианов,Константин Владимирович Шелепнев,Юрий Анатольевич Парнас. Владелец: Николай Митрофанович Панин. Дата публикации: 2009-10-10.

Method for thermochemical treatment of bottom-hole zone

Номер патента: RU2566157C1. Автор: Василий Александрович Низов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БИНОТЕК". Дата публикации: 2015-10-20.

Method of bottom-hole zone treatment of low-permeable terrigenous formations (versions)

Номер патента: RU2451175C1. Автор: Денис Александрович Кустышев,Александр Васильевич Кустышев,Дмитрий Александрович Кряквин,Евгений Валентинович Паникаровский,Станислав Николаевич Рахимов,Сергей Александрович Скрылев,Алексей Владимирович Немков,Валентин Валентинович Паникаровский,Валерий Юрьевич Артеменков. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2012-05-20.

Treatment method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2471976C1. Автор: Александр Владимирович Шипулин. Владелец: Александр Владимирович Шипулин. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of detection of objects lying in thickness of bottom ground

Номер патента: RU2280266C2. Автор: Борис Анатольевич Касаткин,Сергей Борисович Касаткин. Владелец: Институт проблем морских технологий Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИПМТ ДВО РАН). Дата публикации: 2006-07-20.

Acid treatment method of bottom-hole zone of well in carbonate formation

Номер патента: RU2502868C1. Автор: Игорь Владимирович Шулятиков,Руслан Фатхетдинович Ильгильдин,Николай Елисеевич Середа,Сергей Владимирович Малышев,Юлия Валерьевна Одинцова,Олег Михайлович Богатырев,Борис Наумович Полестинер. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский институт природных газов и газовых технологий - Газпром ВНИИГАЗ". Дата публикации: 2013-12-27.

Development method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2469189C1. Автор: Ильгиз Фатыхович Садыков,Александр Александрович Мокеев,Александр Андреевич Марсов,Сергей Викторович Чипига,Мидхат Минзиевич Каримов. Владелец: Александр Андреевич Марсов. Дата публикации: 2012-12-10.

Bottom electrode for electric furnace

Номер патента: RU2285356C2. Автор: Владислав Алексеевич Сорокин,Владимир Сергеевич Малиновский. Владелец: Владимир Сергеевич Малиновский. Дата публикации: 2006-10-10.

Acid composition for treatment of bottom-hole zone of carbonate reservoir

Номер патента: RU2554651C1. Автор: Наталья Юрьевна Башкирцева,Антон Алексеевич Башкирцев,Рафаэль Рафхатович Рахматуллин,Дмитрий Александрович Куряшов,Рифат Радисович Мингазов. Владелец: Наталья Юрьевна Башкирцева. Дата публикации: 2015-06-27.

Method for repairing extensive defect of bottom of anterior cranial fossa

Номер патента: RU2570619C1. Автор: Виктор Эдуардович Гюнтер,Анатолий Владимирович Проскурин,Анастасия Игоревна Рябова,Валентина Владимировна Сенатрева,Валентин Игоревич Штин,Валерий Александрович Новиков,Полина Валерьевна Суркова,Владимир Анатольевич Сыркашев. Владелец: Владимир Анатольевич Сыркашев. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of evaluating geologic structure of top layers of bottom

Номер патента: RU2503037C1. Автор: Нина Владимировна Астахова,Виктор Михайлович Добрянский,Олег Анатольевич Колигаев,Сергей Олегович Колигаев,Александр Борисович Крайнов,Ростислав Викторович Лобов,Анатолий Андреевич Шикалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Атолл". Дата публикации: 2013-12-27.

Development method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2506422C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Раис Салихович Хисамов,Роберт Рафаэлевич Ахмадуллин,Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Илгиз Мисбахович Салихов,Марат Ахметзиевич Сайфутдинов,Эдуард Петрович Васильев,Владимир Александрович Кормухин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-02-10.

Method for radiation treating of wear resistant coatings on base of titanium carbide and nitride

Номер патента: RU2225459C2. Автор: А.Н. Иванов,Ю.Н. Жуков,А.Б. Коршунов,Г.В. Самохвалов,И.В. Голубцов,В.Н. Улимов,С.А. Шестериков,Э.Н. Вологдин,Т.А. Свиридова,В.В. Хрипунов. Владелец: Свиридова Татьяна Александровна. Дата публикации: 2004-03-10.

Method of cleaning of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2187635C1. Автор: Азизага Ханбаба оглы Шахвердиев,Гейлани Минхадж оглы Панахов,Х.Х. Гумерский. Владелец: Некоммерческое партнерство Институт системных исследований процессов нефтегазодобычи. Дата публикации: 2002-08-20.

Method for azimuthal orientation of bottom-hole devices at drilling of directed wells

Номер патента: RU2141562C1. Автор: В.И. Смирнов,В.И. Салохин,П.Ф. Пузырев,Р.Э. Чигиринский,И.П. Пузырев. Владелец: Научно-технический центр "Подземгазпром". Дата публикации: 1999-11-20.

Method for stereophotography of bottom topography of water body and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2487368C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец,Юрий Николаевич Жуков,Константин Георгиевич Ставров,Сергей Петрович Алексеев,Евгений Андреевич Денесюк,Денис Михайлович Жилин,Екатерина Александровна Пирогова,Евгения Анатольевна Усольцева. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский навигационно-гидрографический институт" (ОАО "ГНИНГИ"). Дата публикации: 2013-07-10.

Development method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2506421C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Эдуард Петрович Васильев,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-02-10.

Interval treatment method of bottom-hole zone of oil-gas well formations (versions)

Номер патента: RU2459948C1. Автор: Денис Александрович Кустышев,Иван Васильевич Чижов,Андрей Геннадьевич Филиппов,Александр Васильевич Кустышев,Руслан Владимирович Ткаченко,Григорий Феликсович Харахашьян,Николай Васильевич Рахимов,Андрей Петрович Федосеев,Алексей Владимирович Немков,Валентин Валентинович Паникаровский. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром". Дата публикации: 2012-08-27.

Method of bottom water continuous treatment

Номер патента: RU2507158C2. Автор: Валентин Иванович Дерновский,Виктор Ефимович Журавлев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кристаллические Материалы Групп". Дата публикации: 2014-02-20.

Method for determining filtration parameters of bottom-hole formation zone and detection of defects in well design

Номер патента: RU2445455C2. Автор: Александр Геннадьевич Гаврилов,Марат Николаевич Овчинников,Владимир Леонидович Одиванов. Владелец: Владимир Леонидович Одиванов. Дата публикации: 2012-03-20.

Method of burning of bottom of aluminium electrolytic cell

Номер патента: RU2593253C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Илья Иванович Пузанов,Михаил Михайлович Морозов,Александр Викторович Даркин,Анатолий Анатольевич Губин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2016-08-10.

Gear box insert of bottom hole drilling engine

Номер патента: RU2039184C1. Автор: А.Н. Осколков. Владелец: Западно-Сибирский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт технологии глубокого разведочного бурения. Дата публикации: 1995-07-09.

Method of treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2082877C1. Автор: Вениамин Дмитриевич Куртов,Иван Алексеевич Новомлинский,Владимир Петрович Заяц. Владелец: Вениамин Дмитриевич Куртов. Дата публикации: 1997-06-27.

Device for prophylaxis of deep vein thrombosis of bottom limbs and pelvis and tromboembolic complications

Номер патента: RU2342080C2. Автор: Магомед Гамидович Магомедов,Магомед Рамазанович Рамазанов,Гамзат Джамалутдинович Давудов,Тимур Магомедович Магомедов. Владелец: Магомед Гамидович Магомедов. Дата публикации: 2008-12-27.

Composition and method for acid processing of bottom hole formation zone

Номер патента: RU2545582C1. Автор: Наиль Ибрагимович Гайнуллин,Юрий Николаевич Арефьев,Юрий Леонидович Вердеревский,Людмила Александровна Шешукова,Наталья Львовна Кучерова,Сергей Владимирович Пыресев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "Девон". Дата публикации: 2015-04-10.

Acid composition for treatment of wells in carbonate and terrigenous reservoirs, and acid treatment method of bottom-hole zone of formation with its application

Номер патента: RU2543224C2. Автор: Михаил Александрович Силин,Любовь Абдулаевна Магадова,Николай Михайлович Николаев,Валерий Борисович Карпов,Виктор Иванович Дарищев,Владимир Борисович Губанов,Валерий Иванович Кокорев,Михаил Дмитриевич Пахомов,Сергей Анатольевич Харланов,Денис Геннадьевич Филенко,Заур Растямович Давлетов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный университет нефти и газа имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2015-02-27.

Development method of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2440490C2. Автор: Владимир Антонович Бурко,Виктор Борисович Заволжский,Альберт Раисович Идиятуллин,Анатолий Иванович Платов,Валерий Оттович Мейнцер,Юрий Георгиевич Серкин. Владелец: Юрий Георгиевич Серкин. Дата публикации: 2012-01-20.

Composition for acid treatment of bottom-hole zone of productive formations with hard-extractable reserves of oil

Номер патента: RU2255216C1. Автор: хметов А.Ш. Ша,А.Ш. Шаяхметов,Ш.К. Шаяхметов,Р.Р. Хузин,В.С. Тимиров,хметов Ш.К. Ша,Р.Г. Гирфанов. Владелец: Открытое акционерное общество "Иделойл". Дата публикации: 2005-06-27.

Device for deviation of bottom-hole motor components

Номер патента: RU2108437C1. Автор: С.А. Франкштейн,А.Ю. Ропяной,В.З. Скобло. Владелец: Закрытое акционерное общество "НТ-Курс". Дата публикации: 1998-04-10.

Arc welding method with transfer of electrode metal and device to this end

Номер патента: RU2359796C1. Автор: Алексей Сергеевич Киселев,Ростислав Иванович Дедюх,Антон Сергеевич Гордынец. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-06-27.

Method for treatment of bottom-hole oil formation zone

Номер патента: RU2052628C1. Автор: В.В. Гусев,А.П. Руднев,А.П. Рязанов,М.А. Кореньков,М.В. Усольцев,М.Ф. Аминов,Н.М. Николаев. Владелец: Сибирский приватный институт нефти. Дата публикации: 1996-01-20.

Method for thermal-chemical treating of bottom hole area

Номер патента: RU2539493C1. Автор: Василий Александрович Низов,Сергей Николаевич Данияров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БИНОТЕК". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2168621C2. Автор: В.М. Хусаинов,Г.А. Орлов,М.Х. Мусабиров,В.Е. Пестриков. Владелец: Орлов Григорий Алексеевич. Дата публикации: 2001-06-10.

Device for cleaning of bottom-hole zone of bed

Номер патента: RU2138617C1. Автор: С.П.(RU) Верес,С.П. Верес,Владимир Андреевич Демченко,В.Н.(RU) Дроздов,В.Н. Дроздов,Виктор Михайлович Слиденко,Игорь Александрович Семененко,Юрий Валентинович Верба. Владелец: Закрытое акционерное общество научно-исследовательский центр "Югранефтегаз". Дата публикации: 1999-09-27.

Method for further development of bottom water-drive reservoir with low pressure gas reserves

Номер патента: RU2594496C1. Автор: Сумбат Набиевич Закиров,Эрнест Сумбатович Закиров,Илья Михайлович Индрупский,Даниил Павлович Аникеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем нефти и газа Российской академии наук (ИПНГ РАН). Дата публикации: 2016-08-20.

Development method of bottom-hole zone of terrigenous oil formation

Номер патента: RU2475638C1. Автор: Олег Борисович Сюзев,Марат Николаевич Никитин,Михаил Константинович Рогачев,Павел Дмитриевич Гладков,Дмитрий Геннадьевич Петраков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный горный университет". Дата публикации: 2013-02-20.

Treatment method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2520115C2. Автор: Александр Владимирович Шипулин,Кирилл Сергеевич Купавых. Владелец: Александр Владимирович Шипулин. Дата публикации: 2014-06-20.

Method of developing oil rim of bottom oil-and-gas field

Номер патента: RU2390625C1. Автор: Сергей Каснулович Ахмедсафин,Сергей Александрович Кирсанов,Олег Петрович Андреев,Зульфар Салихович Салихов,Роман Владимирович Корытников,Вадим Николаевич Хлебников,Александр Сергеевич Мишин,Игорь Александрович Зинченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенный центр исследований и разработок". Дата публикации: 2010-05-27.

Method for reinforcement of bottom-hole zone and prevention of sand carryover from well

Номер патента: RU2485284C1. Автор: Равиль Рустамович Ибатуллин,Александр Сергеевич Жиркеев,Альфия Камилевна Сахапова,Дильбархон Келамединовна Хасанова,Рамзис Рахимович Кадыров. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of acid treatment of bottom-hole formation zone with carbonate reservoir

Номер патента: RU2451160C1. Автор: Владимир Борисович Оснос,Раис Салихович Хисамов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Зарина Салаватовна Идиятуллина,Айрат Дуфарович Салихов,Евгений Константинович Плаксин,Дмитрий Анатольевич Бердников. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-05-20.

Method for treatment of bottoms in oil-slime collectors

Номер патента: RU2309128C1. Автор: Юнир Рахимович Абдрахимов,Хатмулла Габдуллович Гильманов,В чеслав Шамильевич Халилов,Вячеслав Шамильевич Халилов,Игорь В чеславович Халилов,Игорь Вячеславович Халилов,Эльвира Баймухаметовна Шайбекова,Антон Игорьевич Курбатов,Рустэм Равилеевич Гафуров,Булат Мазитович Габбасов,Зумара Миниахметовна Ахмадеева. Владелец: Вячеслав Шамильевич Халилов. Дата публикации: 2007-10-27.

Interval treatment method of bottom-hole zone of oil-gas well formations

Номер патента: RU2534262C1. Автор: Денис Александрович Кустышев,Александр Васильевич Кустышев,Евгений Валентинович Паникаровский,Ольга Владимировна Исакова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТюменНИИгипрогаз". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for isolation of bottom water inflow in oil wells

Номер патента: RU2588582C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Леонтьев,Жанна Сергеевна Попова,Иван Иванович Клещенко,Наталья Алексеевна Сипина,Дарья Владимировна Кичикова,Александр Анатольевич Анкудинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский индустриальный университет" (ТИУ). Дата публикации: 2016-07-10.

Device for flushing of bottom hole

Номер патента: RU2026485C1. Автор: Вадим Юрьевич Артамонов,Александр Сергеевич Зверев,Владимир Васильевич Крупин. Владелец: Владимир Васильевич Крупин. Дата публикации: 1995-01-09.

Inhibited composition for corrosion protection of bottom of autoclaves for production of foamed concrete and other silicate articles

Номер патента: RU2400507C2. Автор: Владимир Евстафьевич Погуляй,Андрей Владимирович Погуляй. Владелец: Андрей Владимирович Погуляй. Дата публикации: 2010-09-27.

Perforation cleaning method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2456434C1. Автор: Сергей Иванович Мальцев. Владелец: Сергей Иванович Мальцев. Дата публикации: 2012-07-20.

Method of treatment of bottom-holes of wells producing heavy oils and native bitumens

Номер патента: RU2166624C2. Автор: М.И. Старшов,С.В. Крупин,Н.Н. Ситников. Владелец: ООО "Мембрана". Дата публикации: 2001-05-10.

Mud acid treatment method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2425971C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Изида Зангировна Чупикова,Дамир Сагдиевич Камалиев,Владимир Сергеевич Исаков,Дмитрий Николаевич Макаров,Илдус Гаделзанович Зайнутдинов,Ринат Ракипович Афлятунов,Владимир Юрьевич Секретарев,Раис Салихович Хисамов (RU),Владимир Сергеевич Исаков (RU),Дамир Сагдиевич Камалиев (RU),Дмитрий Николаевич Макаров (RU),Изида Зангировна Чупикова (RU),Ринат Ракипович Афлятунов (RU),Владимир Юрьевич Секретарев (RU),Илдус Гаделзанович Зайнутдинов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-08-10.

Device for treatment of bottom hole zone of oil and gas well

Номер патента: RU2338062C1. Автор: Василий Александрович Низов,Сергей Николаевич Данияров,ров Сергей Николаевич Дани. Владелец: Государственное общеобразовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный технический университет-УПИ". Дата публикации: 2008-11-10.

Composition for treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2182222C1. Автор: А.А. Скачедуб,Вячеслав Александрович Богуслаев,к А.Ю. Кос,А.Ю. Косяк,П.И. Кононенко,В чеслав Александрович Богуслаев,К.К. Квитчук. Владелец: Закрытое акционерное общество "РЕНФОРС". Дата публикации: 2002-05-10.

Method for thermochemical treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2030568C1. Автор: Александр Константинович Шевченко. Владелец: Александр Константинович Шевченко. Дата публикации: 1995-03-10.

Automatic device for deploying and wrapping of bottomed antenna under water and under ice cover

Номер патента: RU2640896C1. Автор: Алексей Викторович Гладилин,Герман Адольфович Максимов,Дмитрий Николаевич Лесонен. Владелец: АО "Акустический институт имени академика Н.Н. Андреева". Дата публикации: 2018-01-12.

Arrangement of bottom part of drilling string for directed drilling of well

Номер патента: RU2148696C1. Автор: О.Ю. Бергштейн,М.И. Ворожбитов,Д.И. Индрупский,Э.И. Росин. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "Геобур". Дата публикации: 2000-05-10.

Bathometer-degasifier of bottom waters

Номер патента: RU2492443C2. Автор: Юрий Иванович Шаповалов,Вячеслав Михайлович Карпюк,Игорь Дмитриевич Багрий,Анатолий Николаевич Кизлат. Владелец: Морской гидрофизический институт Национальной академии наук Украины (МГИ НАН Украины). Дата публикации: 2013-09-10.

Device for treatment of bottom-hole formation zone of oil well

Номер патента: RU2496975C1. Автор: Руслан Шамилевич Гарифуллин,Александр Александрович Мокеев,Александр Андреевич Марсов,Анатолий Сергеевич Сальников,Мидхат Минзиевич Каримов,Азгат Мударисович Латыпов. Владелец: Александр Андреевич Марсов. Дата публикации: 2013-10-27.

Method of treatment of bottom-hole zone of high- temperature low-permeability sand reservoirs

Номер патента: RU2186962C2. Автор: Р.Н. Фахретдинов,М.Г. Вятчинин,Ю.В. Земцов,Т.С. Новоселова,Д.А. Абдрашитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-исследовательский и проектный институт нефти. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of treatment of bottom-hole formation zone of injection wells

Номер патента: RU2143552C1. Автор: У.М. Джемилев,Л.М. Халилов,С.И. Типикин,А.В. Кобяшев. Владелец: Институт нефтехимии и катализа АН РБ. Дата публикации: 1999-12-27.

Treatment method of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2513586C1. Автор: Наиль Габдулбариевич Ибрагимов,Фанзат Завдатович Исмагилов,Роберт Рафаэлевич Ахмадуллин,Илгиз Мисбахович Салихов,Руслан Фикретович Аблямитов,Ренат Рафаэльевич Бикбулатов,Игорь Николаевич Бабичев,Данил Абелхасимович Ибрагимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2014-04-20.

Body of bottom-hole geophysical instrument

Номер патента: RU2110683C1. Автор: В.В. Платонов,В.М. Григорьев,Е.Я. Афанасьев,О.Е. Епишев. Владелец: Научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт геофизических исследований геологоразведочных скважин с опытным заводом геофизической аппаратуры. Дата публикации: 1998-05-10.

Treatment method of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2494245C1. Автор: Марат Махмутович Нигъматуллин,Виталий Юрьевич Федоренко,Алексей Сергеевич Петухов,Виктор Владимирович Гаврилов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственный центр "Интехпромсервис". Дата публикации: 2013-09-27.

Method on inflow isolation of bottom water in well

Номер патента: RU2564704C1. Автор: Александр Васильевич Кустышев,Евгений Валентинович Паникаровский,Дмитрий Сергеевич Леонтьев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет" (ТюмГНГУ). Дата публикации: 2015-10-10.

Device for pulse-drawdown stimulation of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2177540C1. Автор: Н.Г. Ибрагимов,М.Ш. Залятов,А.Ф. Закиров,Р.Ш. Тахаутдинов,Мирзахан Акаши Оглы Джафаров. Владелец: Нефтегазодобывающее управление "Альметьевнефть" ОАО "Татнефть". Дата публикации: 2001-12-27.

Annealing of bottom of aluminium electrolytic cell with sintered electrodes

Номер патента: RU2526351C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Ярослав Александрович Третьяков,Илья Иванович Пузанов,Виталий Владимирович Платонов,Александр Викторович Даркин,Анатолий Анатольевич Губин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2014-08-20.

Method of bottom-hole formation zone stabilising

Номер патента: RU2532935C1. Автор: Евгений Валентинович Паникаровский,Василий Валентинович Паникаровский,Максим Александрович Сагидуллин,Валентин Васильевич Паникаровский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тюменский государственный нефтегазовый университет" (ТюмГНГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of bottom-hole region lining

Номер патента: RU2467156C2. Автор: Владимир Анатольевич Волков,Валентина Георгиевна Беликова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дельта-пром инновации". Дата публикации: 2012-11-20.

Device for treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2073089C1. Автор: Лечи Хамзатович Ибрагимов. Владелец: Лечи Хамзатович Ибрагимов. Дата публикации: 1997-02-10.

Method for qualitative evaluation of sorption properties of bottom-ash materials with respect to nitric acid vapour

Номер патента: RU2532172C2. Автор: Наталья Васильевна Федорова,Юрий Васильевич Щеглов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт)". Дата публикации: 2014-10-27.

Acid composition for treating terrigenous oil reservoirs and a method for acid treatment of bottom area of formation

Номер патента: RU2244816C1. Автор: Л.А. Магадова,Р.С. Магадов,М.А. Силин,Е.Г. Гаевой,М.И. Рудь,В.Б. Губанов,В.Р. Магадов,К.И. Зайцев,Н.М. Николаева,М.Д. Пахомов,Гульчехра Чекалина. Владелец: ЗАО "Химеко-ГАНГ". Дата публикации: 2005-01-20.

Composition for acid treatment of bottom-hole zone of low-permeable terrigenous bed

Номер патента: RU2388786C2. Автор: Валентин Николаевич Павлычев,Ирек Мунирович Галлямов,Нина Васильевна Прокшина,Ирек Назиевич Сайфи,Ильгиз Фагимович Ахунов,Альфира Газимьяновна Вахитова,Гульназира Ишмулловна Апкаримова,Матвей Сергеевич Судаков,Михаил Борисович Ежов,Рустем Ирекович Галлямов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Инновационная производственная фирма "Нефтехимтехнологии" (ООО ИПФ "Нефтехимтехнологии"). Дата публикации: 2010-05-10.

Treatment method of bottom-hole zone of formation with liquid combustible oxidation compound

Номер патента: RU2459946C2. Автор: Ильгиз Фатыхович Садыков,Рашит Марданович Миннуллин,Александр Александрович Мокеев,Александр Андреевич Марсов,Ольга Анатольевна Брюханова. Владелец: Александр Андреевич Марсов. Дата публикации: 2012-08-27.

Compound for consolidation of bottom-hole zone of bed

Номер патента: RU2138616C1. Автор: Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,А.А. Перейма,Ю.А. Лексуков. Владелец: Дочернее открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно- исследовательский проектный институт природных газов" Российского акционерного общества "ГАЗПРОМ". Дата публикации: 1999-09-27.

Method of stopping hemorrhage from large arterial vessels of bottom of gastric and/or duodenal ulcer

Номер патента: RU2445024C2. Автор: Сергей Георгиевич Павленко,Николай Юрьевич Аледжанов,Олег Васильевич Щербина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный медицинский университет Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию (ГОУ ВПО КГМУ Росздрава)". Дата публикации: 2012-03-20.

Method of bottom-hole zone treatment

Номер патента: RU2576252C2. Автор: Олег Марсимович Мирсаетов,Булат Гумарович Ахмадуллин,Марсель Атласович Хазиев,Ильшат Маратович Насибулин. Владелец: Ильшат Маратович Насибулин. Дата публикации: 2016-02-27.

Complete stowage of bottom layer breakage cuts at declining excavation of minerals

Номер патента: RU2522495C1. Автор: Вячеслав Юрьевич Синегубов,Ольга Владимировна Трушко,Александр Владимирович Стрелецкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный минерально-сырьевой университет "Горный". Дата публикации: 2014-07-20.

Clay cake removal method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2425970C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Николай Николаевич Ситников,Владлен Борисович Подавалов,Рустэм Гусманович Ханнанов,Рифкат Мазитович Рахманов,Олег Олегович Буторин,Павел Владимирович Поленок. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2198290C1. Автор: Г.А. Ланчаков,Т.Г. Бердин,О.Б. Сюзев,А.В. Седых. Владелец: ООО "Уренгойгазпром" ОАО "Газпром". Дата публикации: 2003-02-10.

Treatment method of bottom-hole zone for high-viscous oil formation with combustible oxidation compound

Номер патента: RU2566543C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Марат Инкилапович Амерханов,Антон Николаевич Береговой,Ильшат Мухаметович Бакиров,Валентин Викторович Шестернин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-10-27.

Composition for treatment of bottom hole zone of collectors with low permeability

Номер патента: RU2342419C1. Автор: Наталья Николаевна Пастухова,Александр Николаевич Пазин,Андрей Евгеньевич Ткачев,Наталь Николаевна Пастухова. Владелец: Андрей Евгеньевич Ткачев. Дата публикации: 2008-12-27.

Installation of bottom-hole screw pump

Номер патента: RU2461734C1. Автор: Владимир Михайлович Валовский,Константин Владимирович Валовский,Георгий Юрьевич Басов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of formation tapping and stimulation of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2183733C1. Автор: Р.Х. Муслимов,Р.К. Ишкаев,В.М. Хусаинов,А.Н. Шакиров,М.А. Жеглов,М.Д. Белонин,В.И. Славин. Владелец: Жеглов Михаил Александрович. Дата публикации: 2002-06-20.

Compound for treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2076204C1. Автор: И.А. Сапаров. Владелец: Сапаров Исмаил Абдурахимович. Дата публикации: 1997-03-27.

Method of treatment of bottom-hole zone of formation low-productive reservoirs

Номер патента: RU2182223C1. Автор: А.А. Комаров,А.В. Бодрягин,А.А. Гашев,С.Б. Сергунин. Владелец: Открытое акционерное общество "Нефтяная Компания Черногорнефтеотдача". Дата публикации: 2002-05-10.

Hinge of bottom-hole motor

Номер патента: RU2416015C1. Автор: Николай Лейбович Полей. Владелец: Николай Лейбович Полей. Дата публикации: 2011-04-10.

Composition of bottom-mouth stemming

Номер патента: RU2091581C1. Автор: А.В. Лебедев,В.А. Дорофеев,Г.А. Солодов,О.М. Марков,В.И. Чикумов. Владелец: Акционерное общество закрытого типа "Кузбассэмульсия". Дата публикации: 1997-09-27.

Device for cleaning of bottom hole formation zone perforation and unsealing zone

Номер патента: RU2545232C1. Автор: Дмитрий Николаевич Репин,Дамир Хазикаримович Туктамышев. Владелец: Дамир Хазикаримович Туктамышев. Дата публикации: 2015-03-27.

Combustible-oxidizing composition for thermochemical treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2192543C1. Автор: Д.А. Леменовский,Е.Н. Александров,Е.В. Дараган,А.Н. Каширин,П.Г. Фомин. Владелец: Фомин Петр Григорьевич. Дата публикации: 2002-11-10.

Method of multicycle pulse stimulation of formation with cleaning of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2136874C1. Автор: А.Г. Корженевский,Р.И. Юсупов,П.М. Кудашев,В.Д. Емельянов,нов В.Д. Емель,С.И. Горшенин. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефтегеофизика". Дата публикации: 1999-09-10.

Device for treatment of bottom-hole formation zone and for well development

Номер патента: RU2568457C1. Автор: Рустем Фахрасович Набиуллин,Илфат Нагимович Файзуллин,Айнур Рафкатович Гусманов,Рим Салихович Губаев,Рустем Ильдарович Садыков. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2015-11-20.

Layout of bottom part of drill pipe string

Номер патента: RU2112129C1. Автор: С.А. Франкштейн,А.Ю. Ропяной,В.З. Скобло. Владелец: Закрытое акционерное общество "НТ-Курс". Дата публикации: 1998-05-27.

Method and device for validation of setting scale parallel installation in horizontal plane with regard to axis of bottom front roller of cleaving machine

Номер патента: RU2341368C1. Автор: Михаил Владимирович Боярский,Ольга Германовна Тарасова,рский Михаил Владимирович Бо. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Марийский государственный технический университет. Дата публикации: 2008-12-20.

Method of treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2176020C2. Автор: Н.И. Юркив,В.Ф. Сомов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-Нижневолжскнефть". Дата публикации: 2001-11-20.

Compound for acid treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2039237C1. Автор: Валерий Григорьевич Неволин,Виктор Николаевич Глущенко,Павел Евгеньевич Чапланов,Александр Федорович Изместьев,Олег Вениаминович Поздеев,Борис Израилевич Тульбович,Сергей Васильевич Матяшов,Данис Махмудович Узбеков. Владелец: Пермский государственный научно-исследовательский и проектный институт нефтяной промышленности. Дата публикации: 1995-07-09.

Treatment method of bottom-hole oil formation zone

Номер патента: RU2501943C2. Автор: Раис Салихович Хисамов,Гумар Науфалович Фархутдинов,Ильфат Нагимович Файзуллин,Ольга Борисовна Собанова,Ирина Леонидовна Федорова,Дмитрий Викторович Краснов,Алексей Анатольевич Фомичев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по нефтепромысловой химии". Дата публикации: 2013-12-20.

Acid treatment method of bottom-hole oil formation zone

Номер патента: RU2456444C2. Автор: Михаил Александрович Силин,Любовь Абдулаевна Магадова,Евгений Геннадьевич Гаевой,Валерий Рашидович Магадов,Тофик Велиевич Хисметов,Александр Михайлович Бернштейн,Анет Файрузович Шаймарданов,Максим Александрович Кузнецов,Александр Викторович Андрианов,Денис Николаевич Воропаев,Владислав Владимирович Фирсов,Виктор Сергеевич Дьяченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Химеко-ГАНГ" (ЗАО "Химеко-ГАНГ". Дата публикации: 2012-07-20.

Method of recovery of bottom-hole formation zone of gas well

Номер патента: RU2183724C2. Автор: К.М. Тагиров,Н.И. Андрианов,В.В. Зиновьев,В.Е. Дубенко. Владелец: Открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно-исследовательский проектный институт природных газов" Открытого акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2002-06-20.

Insulation method of formation water inflow in well and lining method of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2446270C1. Автор: Владимир Анатольевич Волков,Валентина Георгиевна Беликова,Евгений Серафимович Калинин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дельта-пром инновации". Дата публикации: 2012-03-27.

Method of treatment of bottom-hole zone

Номер патента: RU2169260C1. Автор: А.Т. Горбунов,В.В. Филатов,А.М. Петраков,А.С. Гудошников,В.Я. Шпан. Владелец: Открытое акционерное общество Всероссийский нефтегазовый научно-исследовательский институт им. академика А.П. Крылова. Дата публикации: 2001-06-20.

Device for horizontal displacement of bottom plate

Номер патента: RU2028442C1. Автор: Сергей Алексеевич Соколов,Шауки Багдади. Владелец: Шауки Багдади. Дата публикации: 1995-02-09.

Method of thermochemical treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2100582C1. Автор: Ru],Азизага Ханбаба Шахвердиев,Гейлани Минхадж Панахов,Рахман Алискендер Курбанов,Az],Багир Алекпер Сулейманов,Эльдар Мехти Аббасов,Алчин Али Сафтар Ширинзаде,Шамиль Имгизарович Гайнаншин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Интойл". Дата публикации: 1997-12-27.

Spindle of bottom-hole motor

Номер патента: RU2137896C1. Автор: С.Ю. Брудный-Челядинов,В.С. Будянский,П.А. Веслополов,И.Л. Константинов,М.В. Крекин. Владелец: Крекин Михаил Васильевич. Дата публикации: 1999-09-20.

Pneumatic tool for treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2044866C1. Автор: Владимир Алексеевич Губарь,Владимир Тихонович Яковлев,Георгий Михайлович Павлюкович,Юрий Константинович Русецкий. Владелец: Юрий Константинович Русецкий. Дата публикации: 1995-09-27.

Composition for treatment of bottom-hole zones

Номер патента: RU2166075C1. Автор: Н.Г. Ибрагимов,М.З. Тазиев,Н.И. Хисамутдинов,И.М. Салихов,А.Г. Телин,М.М. Тазиев,В.Х. Сингизова. Владелец: Научно-производственное объединение "Нефтегазтехнология". Дата публикации: 2001-04-27.

Method of stabilization of bottom-hole producing formation zones

Номер патента: RU2172811C2. Автор: Рамиз Алиджавад Оглы Гасумов,В.З. Минликаев,В.Г. Мосиенко,С.В. Нерсесов,О.С. Остапов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северо-Кавказский научно-исследовательский проектный институт природных газов" Открытого акционерного общества "Газпром". Дата публикации: 2001-08-27.

Method for treatment of bottom-hole oil formation zone

Номер патента: RU2030570C1. Автор: В.А. Аннабаев,Т.-К. Хошанов,Т.-К. Кошаев. Владелец: "Туркменгазтехнология". Дата публикации: 1995-03-10.

Downhole electric heater of bottom-hole zone of oil-gas-bearing formation

Номер патента: RU2206717C1. Автор: А.В. Колчин. Владелец: Колчин Андрей Владимирович. Дата публикации: 2003-06-20.

Method of bottom-hole zone treatment

Номер патента: RU2194154C1. Автор: Р.С. Хисамов,Ш.Х. Минибаев,А.В. Есипов,Я.К. Нуретдинов,Р.Г. Харисов. Владелец: Минибаев Шамиль Хамитович. Дата публикации: 2002-12-10.

Treatment method of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2494244C1. Автор: Эдуард Михайлович Тосунов. Владелец: Эдуард Михайлович Тосунов. Дата публикации: 2013-09-27.

Non-balanced drive of bottom-hole oil pump

Номер патента: RU2445511C1. Автор: Виктор Александрович Крюков,Алексей Викторович Шеметов,Евгений Сергеевич Шаньгин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-техническая компания "МОДУЛЬНЕФТЕГАЗКОМПЛЕКТ". Дата публикации: 2012-03-20.

Method for treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2068086C1. Автор: А.Х. Шахвердиев,А.Ю. Бруслов. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "Интойл". Дата публикации: 1996-10-20.

Method of acid treatment of bottom-hole zone of carbonate reservoir

Номер патента: RU2554983C1. Автор: Наталья Юрьевна Башкирцева,Антон Алексеевич Башкирцев,Рафаэль Рафхатович Рахматуллин,Дмитрий Александрович Куряшов,Рифат Радисович Мингазов. Владелец: Наталья Юрьевна Башкирцева. Дата публикации: 2015-07-10.

Acid composition for treatment of low-permeable terrigenous headers with high carbonate content and method of acid treatment of bottom-hole formation zone with by using it

Номер патента: RU2407769C1. Автор: Михаил Александрович Силин,Любовь Абдулаевна Магадова,Евгений Геннадьевич Гаевой,Михаил Иванович Рудь,Михаил Дмитриевич Пахомов,Михаил Михайлович Мухин,Виктория Валерьевна Пономарева,Михаил Александрович Силин (RU),Любовь Абдулаевна Магадова (RU),Михаил Дмитриевич Пахомов (RU),Евгений Геннадьевич Гаевой (RU),Михаил Иванович Рудь (RU),Михаил Михайлович Мухин (RU),Виктория Валерьевна Пономарева (RU). Владелец: ЗАО "Химеко-ГАНГ". Дата публикации: 2010-12-27.

Method of bottom hole pumping equipment overhaul period increase in production well complicated with scaling

Номер патента: RU2375554C2. Автор: Асгар Маратович Валеев,Флорит Сагитович Гарифуллин,Денис Викторович Долгов,Инзир Кутдусович Минязев,Алексей Николаевич Волочков,Асгар Маратович Валеев (RU),Флорит Сагитович Гарифуллин (RU),Денис Викторович Долгов (RU),Инзир Кутдусович Минязев (RU),Алексей Николаевич Волочков (RU). Владелец: Алексей Николаевич Волочков. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of acid treatment of bottom-hole oil formation zone

Номер патента: RU2145381C1. Автор: Азизага Ханбаба оглы Шахвердиев,Гейлани Минхадж оглы Панахов,Багир Алекпер оглы Сулейманов,Эльдар Мехти оглы Аббасов. Владелец: Некоммерческое партнерство Институт системных исследований процессов нефтегазодобычи. Дата публикации: 2000-02-10.

Decentralizer of bottom-hole layout

Номер патента: RU2106468C1. Автор: В.Д. Поташников. Владелец: Научно-производственная компания "Техника и организация бурения скважин". Дата публикации: 1998-03-10.

Method of bottom hole formation zone processing

Номер патента: RU2467164C2. Автор: Булат Алмазович Баймашев,Ильшат Маратович Насибулин,Сергей Владимирович Шаболкин,Игорь Николаевич Базилевский,Сергей Леонидович Гусев,Наиль Зиннурович Галлямов,Ильшат Маратович Насибулин (RU),Сергей Владимирович Шаболкин (RU),Игорь Николаевич Базилевский (RU),Сергей Леонидович Гусев (RU),Наиль Зиннурович Галлямов (RU),Булат Алмазович Баймашев (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Сервисная компания "Максимум" (ООО Сервисная компания "Максимум"). Дата публикации: 2012-11-20.

Method of stabilization of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2172814C2. Автор: В.Ф. Будников,Ю.М. Басарыгин,В.А. Юрьев,Б.А. Павленко,Н.А. Клименко,А.А. Карепов,М.М. Никитин,В.Н. Горбенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кубаньгазпром". Дата публикации: 2001-08-27.

Device for hydrodynamic stimulation of bottom-hole formation zone (versions)

Номер патента: RU2099516C1. Автор: Пётр Яковлевич Фадеев,Владимир Яковлевич Фадеев,Михаил Михайлович Дубина,Моисей Семенович Мельцер. Владелец: Моисей Семенович Мельцер. Дата публикации: 1997-12-20.

Compound for acid treatment of bottom-hole formation zone

Номер патента: RU2070964C1. Автор: О.А. Чукчеев,Ф.Х. Галеев,А.Х. Шахвердиев,А.Ю. Бруслов,П.Б. Михайлишин. Владелец: ТОО Фирма "Интойл". Дата публикации: 1996-12-27.

Device for treatment of bottom-hole zone

Номер патента: RU2162145C1. Автор: Р.Г. Фархутдинов,И.М. Салихов,Н.З. Муртазин,Ф.Н. Маннанов,Ф.И. Юсупов,С.А. Юмадилов,Р.Ф. Латыпов. Владелец: Юмадилов Салават Акрамович. Дата публикации: 2001-01-20.

Development method of bottom-hole zone

Номер патента: RU2425960C1. Автор: Раис Салихович Хисамов,Изида Зангировна Чупикова,Ринат Ильдусович Шафигуллин,Ринат Ракипович Афлятунов,Роман Анатольевич Козихин,Лилия Наилевна Мухамадеева. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" им. В.Д. Шашина. Дата публикации: 2011-08-10.

Perforation and treatment method of bottom-hole zone, and device for its implementation

Номер патента: RU2469180C2. Автор: Марат Растымович Хайрутдинов,Ильгиз Фатыхович Садыков,Умар Хамидович Булатов,Дмитрий Владиленович Часовский,Александр Александрович Мокеев,Александр Андреевич Марсов,Сергей Викторович Чипига. Владелец: Ильгиз Фатыхович Садыков. Дата публикации: 2012-12-10.

Treatment method of bottom-hole formation zone, and device for its implementation

Номер патента: RU2471974C2. Автор: . Владелец: Пелых Николай Михайлович. Дата публикации: 2013-01-10.

Treatment and cleanup method of bottom-hole zone, and device for its implementation

Номер патента: RU2555718C1. Автор: Мансур Инсафович Фарахов,Марат Мансурович Фарахов,Алексей Ильич Гурьянов,Алмаз Анасович Ахмитшин,Азат Дилюсович Гилязов,Алексей Александрович Синявин,Дмитрий Петрович Иовлев,Артем Владимирович Ахмеров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-внедренческий центр "ИНЖЕХИМ" (ООО "Инженерно-внедренческий центр "ИНЖЕХИМ"). Дата публикации: 2015-07-10.

Electrod metalic tip combinat

Номер патента: RO83856B1. Автор: Alexandru Tamaş,Elena Hopirtean,Matei Margaoan,Monica Rodica Horn,Iosif Korossi. Владелец: Institutul De Chimie. Дата публикации: 1984-05-30.

Procedure for processing hydrocarbon gases of oil or gas-condensate deposits and installation for its implementation

Номер патента: RU2435827C1. Автор: Станислав Николаевич Шевкунов,Михаил Викторович Попов,Александр Михайлович Фридман,Рафаиль Минигулович Минигулов. Владелец: Открытое акционерное общество "НОВАТЭК". Дата публикации: 2011-12-10.

Method of removing mineral, biological and organic deposits and system for realising said method

Номер патента: RU2476804C2. Автор: Игорь Николаевич Быков,Виктор Владимирович Кривошеев,Олег Семенович Андриенко,Станислав Васильевич Руднев,Александр Игоревич Быков,Алексей Викторович Кривошеев,Виктор Николаевич Лешков. Владелец: Виктор Владимирович Кривошеев. Дата публикации: 2013-02-27.

Composition for prevention of hydrate salt depositions and corrosion

Номер патента: RU2504571C2. Автор: Владимир Анатольевич Волков,Валентина Георгиевна Беликова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Дельта-пром инновации". Дата публикации: 2014-01-20.

Manufacturing method of nanowires, matrix of nanowires from nitrides of group iii of periodic table (versions), and substrate (versions)

Номер патента: RU2437180C2. Автор: Синь Ван,Синьюй СУНЬ,Стивен М. ХЕРСИ. Владелец: эСТиСи.ЮэНэМ. Дата публикации: 2011-12-20.

Composition for removing deposits and scum from inner surfaces of heat-exchange equipment

Номер патента: RU2331591C1. Автор: Евгений Викентьевич Лифанов,Олег Анатольевич Колотыгин. Владелец: Ооо Научно-Производственная Компания "Энергия". Дата публикации: 2008-08-20.

Triode process for cathode-plasma nitriding of apertured parts

Номер патента: RU2279496C1. Автор: Александр Алексеевич Федоров,Александр Иванович Гаврилов,Татьяна Леонидовна Шапошникова,Тать на Леонидовна Шапошникова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2006-07-10.

Procedure for treatment of hot rolled metal for cold die forging of fasteners

Номер патента: RU2434949C1. Автор: Алексей Александрович Филиппов,Герман Васильевич Пачурин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева (НГТУ). Дата публикации: 2011-11-27.

Method for removal of deposits and prevention of their formation in oil well and device for its implementation

Номер патента: RU2569102C1. Автор: Сергей Геннадьевич Конесев,Марат Радусович Садиков,Эдуард Юрьевич Кондратьев,Ринат Вилевич Мавлитбаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-инженерный центр "Энергодиагностика". Дата публикации: 2015-11-20.

Method of boron-nitriding of steel articles in fluidized bed

Номер патента: RU2194793C1. Автор: Ю.А. Баландин. Владелец: Магнитогорский государственный технический университет им. Г.И.Носова. Дата публикации: 2002-12-20.

Method of wave action on deposit, and device for its implementation

Номер патента: RU2452853C1. Автор: Николай Георгиевич Кю. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт горного дела Сибирского отделения РАН. Дата публикации: 2012-06-10.

System for exploration of oil and gas in complex-structure areas with developed salt-dome tectonics with mapping of roof of salt and subsalt deposits and computer-process system therefor

Номер патента: RU2594112C2. Автор: Анатолий Александрович Громов,Сергей Александрович Чернышов,Наталия Павловна Смилевец,Илья Александрович Мищенко,Александра Ивановна Волгина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сервисная Компания "Геовизор". Дата публикации: 2016-08-10.

Method of preparing epitaxial structures of nitrides of a3 group elements

Номер патента: RU2132890C1. Автор: И.А. Соколов,Д.М. Демидов,А.Л. Тер-Мартиросян,В.П. Чалый,С.Ю. Карпов,Ю.В. Погорельский. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 1999-07-10.

Method for destruction of strong high clay sands of gravel deposits and disintegration of their hydraulic mix during dredger suction

Номер патента: RU2596153C1. Автор: Наталья Петровна Хрунина,Виктор Семенович Литвинцев,Виктор Дмитриевич Катин. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Игд Дво Ран). Дата публикации: 2016-08-27.

Excavation method of alluvial deposits and technological complex for its fulfillment

Номер патента: RU2327039C1. Автор: Юрий Алексеевич Мамаев,Владимир Сергеевич Алексеев,Наталья Петровна Хрунина,Виктор Семенович Литвинцев,Наталь Петровна Хрунина. Владелец: Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Статус Государственного Учреждения). Дата публикации: 2008-06-20.

Method for preparing reagent for detoxifying cleansing construction deposits and method for detoxifying cleansing construction deposits

Номер патента: RU2282642C1. Автор: Александр Евгеньевич Антонов,Борис Константинович Нефедов,Евгений Григорьевич Горлов,Игорь Анатольевич Жирноклеев,Марина Эдуардовна Короткова. Владелец: Марина Эдуардовна Короткова. Дата публикации: 2006-08-27.

Method of gas turbine engine fuel header cleaning from coke deposits and scale

Номер патента: RU2325606C2. Автор: Валерий Александрович Поклад,Ольга Геннадиевна Оспенникова,Михаил Романович Орлов,Александр Иванович Минаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское машиностроительное производственное предприятие "САЛЮТ" (ФГУП "ММПП "САЛЮТ"). Дата публикации: 2008-05-27.

Method of scale removal and protection against salt deposit and corrosion

Номер патента: RU2339586C1. Автор: Виталий Аркадьевич Хуторянский,нский Виталий Аркадьевич Хутор,Виталий Валерьевич Верхозин,Ада Валерьевна Большедворска,Ада Валерьевна Большедворская. Владелец: Ада Валерьевна Большедворская. Дата публикации: 2008-11-27.

Development method of steeply dipping solid mineral deposits and automated complex of deep development

Номер патента: RU2541992C1. Автор: Антон Юрьевич Чебан. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Учреждение Науки Институт Горного Дела Дальневосточного Отделения Российской Академии Наук (Игд Дво Ран). Дата публикации: 2015-02-20.

Test method of metals for unconvertible damage

Номер патента: RU2498272C1. Автор: Александр Евгеньевич Зорин. Владелец: Александр Евгеньевич Зорин. Дата публикации: 2013-11-10.

Method for transportation of rolled metal for stacking onto cooler and device for its realisation

Номер патента: RU2390394C1. Автор: Олег Иванович Зементов,Владимир Иванович Клопов,Бату Вазыхович Гизатулин. Владелец: Открытое акционерное общество "Колпинский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения" ОАО "КО ВНИИМЕТМАШ". Дата публикации: 2010-05-27.

Method of protecting against deposition and cleaning inner surfaces of heat production equipment and tubes from ferromagnetic and non-ferrous materials thereof

Номер патента: RU2420362C2. Автор: Валерий Васильевич Жбанников,Геннадий Кузьмич Пронский,Алексей Алексеевич Субратов,Дмитрий Игоревич Субратов,Игорь Алексеевич Субратов,Юлия Константиновна Пивоварова,Ирина Алексеевна Гринева,Александр Владимирович Кобятко. Владелец: Алексей Алексеевич Субратов. Дата публикации: 2011-06-10.

A microbial agent for promoting fat deposition and its separation method and application

Номер патента: ZA202304839B. Автор: Tan Jun,Li Tiejun,MA Jie,Yin Jie,YIN YULONG,Xia Siting,Huang Xingguo. Владелец: Univ Hunan Agricultural. Дата публикации: 2023-11-29.

Development method of oil deposit located above gas deposit and separated with non-permeable interlayer from it

Номер патента: RU2502861C2. Автор: Владимир Николаевич Петров,Фарид Баширович Сулейманов,Илфат Нагимович Файзуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Ильгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-12-27.

Clock having ornamental housing made of precious metal, ornamental housing and thin-wall ornamental cover made of precious metal for said clock and method of making clock from precious metal

Номер патента: RU2532957C2. Автор: Тенгиз Амиранович Саникидзе. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Часовой завод "НИКА". Дата публикации: 2014-11-20.

Method of removing deposits and biocontaminants from membrane elements

Номер патента: RU2545280C1. Автор: Сергей Львович Громов,Марина Яковлевна Громова. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Акварекон". Дата публикации: 2015-03-27.

Device for cleaning of water bodies from uliginous depositions and procurement of sapropel (versions)

Номер патента: RU2348762C1. Автор: Владимир Александрович ДЕМЕНТЬЕВ. Владелец: Владимир Александрович ДЕМЕНТЬЕВ. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of extraction of the fine grains of a useful component at development of sands of clay deposits and boulder oxide ores

Номер патента: RU2223824C1. Автор: В.В. Галайко,А.В. Галайко. Владелец: Галайко Владимир Васильевич. Дата публикации: 2004-02-20.

Flux metal for melting and refinement of yttrium containing magnesium alloys

Номер патента: RU2451762C1. Автор: Евгений Николаевич Каблов,Екатерина Федоровна Волкова,Олег Михайлович Чекалин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России). Дата публикации: 2012-05-27.

Plant for elimination of hydrate-paraffin deposits and ice blocks in oil and gas wells

Номер патента: RU2131511C1. Автор: В.И. Марьяш,В.В. Кодолов,Д.Д. Аксененко,Г.Н. Нестеров. Владелец: Федеральный научно-производственный центр "Алтай". Дата публикации: 1999-06-10.

Clock with decorative case of precious metals, decorative case and thin-wall decorative case of precious metal for said clock

Номер патента: RU2553551C2. Автор: Тенгиз Амиранович Саникидзе. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Часовой Завод Ника". Дата публикации: 2015-06-20.

Corrosion inhibitor of metals for acid media

Номер патента: RU2265080C2. Автор: Н.А. Гафаров,Александр Васильевич Зуев,А.В. Тен,Борис Витальевич Шелегов,Хайрулла Абдулаевич Кулахмедов,Сапармурат Гаипович Худайбергенов,Бахаргуль Мамедова,Н.С. Башатов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное объединение "Инкор". Дата публикации: 2005-11-27.

Alloying composition based on rare-earth metals for permanent magnets

Номер патента: RU2145642C1. Автор: В.М. Кондаков,П.А. Буйновский,Ю.Н. Макасеев,В.В. Скрипников,В.Л. Софронов,Ю.П. Штефан,А.Н. Качуровский,С.Г. Сулима,Г.П. Хандорин,А.С. Буйновский,В.В. Хлебенков. Владелец: Сибирский химический комбинат. Дата публикации: 2000-02-20.

Method of nitriding of liquid steel in ladle

Номер патента: RU2369644C2. Автор: Эдуард Эдгарович Меркер,Павел Витальевич Тимофеев,Денис Александрович Харламов,Александр Евгеньевич Семин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный институт стали и сплавов " (технологический университет). Дата публикации: 2009-10-10.

Method of production of boron nitride of graphite-like hexagonal structure

Номер патента: RU2266865C1. Автор: И.Н. Сорокин,А.С. Нечепуренко,Ю.Я. Ласыченков,С.В. Самунь,В.А. Бекетов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Уральский научно-исследовательский химический институт с опытным заводом" (ГУП "УНИХИМ с ОЗ"). Дата публикации: 2005-12-27.

Composition for cleaning oil equipment from asphaltene-resin-paraffin deposits and mineral salts

Номер патента: RU2473584C1. Автор: Юрий Александрович Беляев,Алексей Георгиевич Чукаев,Сергей Юрьевич Балашов,Наталия Кирилловна Голованова,Елизавета Борисовна Малюкова,Виктор Николаевич Фомин,Софья Николаевна Фомина. Владелец: Юрий Александрович Беляев. Дата публикации: 2013-01-27.

Development method of oil deposit located above gas deposit and separated from it with non-permeable interlayer

Номер патента: RU2478164C1. Автор: Фарид Баширович Сулейманов,Мирсаев Миргазямович Салихов,Илфат Нагимович Файзуллин,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Ильгам Гарифзянович Газизов. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2013-03-27.

Development method of oil massive deposit and adjustable well valve

Номер патента: RU2443854C1. Автор: Радик Зяузятович Зиятдинов,Владимир Борисович Оснос,Дмитрий Витальевич Страхов,Рашит Газнавиевич Рамазанов,Ильшат Мухаметович Бакиров. Владелец: Открытое акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2012-02-27.

Formulation for removing asphaltene-tar-paraffin deposits and hydrophobization of formation bottom zone

Номер патента: RU2307860C2. Автор: Владимир Анатольевич Волков,Валентина Георгиевна Беликова,Алексей Николаевич Турапин. Владелец: Алексей Николаевич Турапин. Дата публикации: 2007-10-10.

Method and device for liquidation and prevention of forming of deposits and obstructions in oil and gas wells

Номер патента: RU2248442C1. Автор: В.И. Мельников. Владелец: Мельников Виктор Ильич. Дата публикации: 2005-03-20.

Preparation method of solid inhibitors of compound action for prevention of asphaltene-tarry-paraffin deposits and hydrating

Номер патента: RU2346021C1. Автор: Светлана Андреевна Рунец,Светлана Викторовна Дербенева,Людмила Николаевна Муханова,Алексей Юрьевич Пискунов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПермНИПИнефть". Дата публикации: 2009-02-10.

Method for development of shale oil and gas bearing deposits and process system of equipment for its application

Номер патента: RU2547847C1. Автор: Анатолий Васильевич Ильюша,Валентин Яковлевич Афанасьев,Юрий Николаевич Линник,Владимир Юрьевич Линник,Вадим Николаевич Удут,Андрей Валериевич Вотинов,Владимир Викторович Годин,Валерий Николаевич Захаров,Гарник Левонович Амбарцумян,Виктор Васильевич Шерсткин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Государственный университет управления" (ГУУ). Дата публикации: 2015-04-10.

Device for washing out deposit and deactivation

Номер патента: RU2458419C1. Автор: Борис Николаевич Бараков,Юрий Александрович Ревенко,Сергей Викторович Томилин,Андрей Петрович Козловский,Сергей Вячеславович Кустов,Сергей Владимирович Проскурин,Сергей Иванович Хмелевский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2012-08-10.

Procedure for downhole leaching metals from ore, alluvial deposits and anthropogenic mineral formations

Номер патента: RU2423607C2. Автор: Юрий Николаевич Резник,Вячеслав Сергеевич Королев,Александр Юрьевич Лавров,Дмитрий Владимирович Манзырев,Татьяна Геннадьевна Конарева,Виктор Петрович Мязин,Артур Геннадьевич Секисов,Олег Анатольевич Поляков,Сергей Николаевич Тимощенков,Леонид Хаймович Гуревич,Алексей Иванович Трубачев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Читинский государственный университет (ЧитГУ). Дата публикации: 2011-07-10.

Method of long-wave affecting on oil deposit and device for its realization

Номер патента: RU2579838C1. Автор: Борис Константинович Сушко,Клара Шаиховна Ямалетдинова,Сергей Степанович Гоц,Вадим Евгеньевич Андреев,Руслан Миратович Хакимов,Азат Расович Хафизов,Земфира Ахметовна Янгуразова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2016-04-10.

Reagent for removing asphaltene-tar-paraffin deposits and a method for treating well bottom zone utilizing it

Номер патента: RU2256683C2. Автор: И.Н. Файзуллин,М.М. Нигматуллин,Г.Н. Фархутдинов,Г.Б. Камардин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "Интехпромсервис" (ООО НПЦ "Интехпромсервис"). Дата публикации: 2005-07-20.

Method of long-wave affecting on petroleum deposit and device for its realization

Номер патента: RU2325504C2. Автор: Григорий Степанович Сокирский,Михаил Иванович Ширманов,Анатолий Иванович Удовиченко,Николай Васильевич Кошелев,Александр Алексеевич Пичугин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТехГеоБур". Дата публикации: 2008-05-27.

Ion-plasma precision nitriding of metal part surface

Номер патента: RU2555692C2. Автор: Алексей Владиславович САГАЛОВИЧ,Владислав Викторович САГАЛОВИЧ. Владелец: Владислав Викторович САГАЛОВИЧ. Дата публикации: 2015-07-10.

Method for ultrasonic cleaning of heat generating aggregates by removing deposits and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2287381C2. Автор: Виталий Алексеевич Афанасьев,Александр Федорович Работаев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Эйм-Дифераль". Дата публикации: 2006-11-20.

Device for washing out deposit and deactivation (versions)

Номер патента: RU2400848C1. Автор: Борис Николаевич Бараков,Пётр Михайлович Гаврилов,Юрий Александрович Ревенко,Игорь Андреевич Рыбалкин,Виталий Александрович Бочкарёв. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат". Дата публикации: 2010-09-27.

Method for well cleaning from deposits and device for its implementation

Номер патента: RU2572399C1. Автор: Александр Александрович Вишняков,Александр Николаевич Вишняков,Сергей Александрович Вишняков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "КАСКАД". Дата публикации: 2016-01-10.

Method of elimination and prevention of formation of asphaltene-resin-paraffin deposits, and plant for its implementation

Номер патента: RU2471965C1. Автор: Вадим Викторович Лыков,Сергей Константинович Должанский. Владелец: Сергей Константинович Должанский. Дата публикации: 2013-01-10.

Method for chemical protection of downhole equipment against corrosion, paraffin and salt deposits and against sulfate-reducing bacteria

Номер патента: RU2260677C1. Автор: Ф.Ф. Хасанов,И.Ш. Гарифуллин,Т.М. Вахитов,В.Г. Акшенцев,Н.С. Волочков,М.К. Рогачев,Е.Н. Сафонов,Ф.С. Гарифуллин,П.К. Васильев,М.К. Баймухаметов. Владелец: Открытое акционерное общество "Акционерная нефтяная компания "Башнефть". Дата публикации: 2005-09-20.

Method for mobile search of hydrocarbon deposits and bottom objects, detecting signs of occurrence of hazardous phenomena at sea shelf

Номер патента: RU2601773C2. Автор: Александр Петрович Шевченко,Михаил Владимирович Мироненко,Анатолий Емельянович Малашенко,Леонард Эвальдович Карачун,Анна Михайловна Василенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Специальное конструкторское бюро средств автоматизации морских исследований Дальневосточного отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2016-11-10.

Method of testing metals for bending with stretching

Номер патента: RU2578286C1. Автор: Юрий Иванович Блинов,Петр Леонидович Копылов,Вера Георгиевна Тимоханова. Владелец: Открытое акционерное общество "Российский научно-исследовательский институт трубной промышленности" (ОАО "РосНИТИ"). Дата публикации: 2016-03-27.

Method of processing highly polluted oily water, deposits and soil, and corresponding equipment

Номер патента: RU2331587C1. Автор: Олег Юрьевич Маньшин,Дмитрий Михайлович Рапопорт,В чеслав Петрович Савинский,Вячеслав Петрович Савинский. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Производственное объединение "ЭкоПромСервис". Дата публикации: 2008-08-20.

Device for ultrasonic cleaning of heat-exchanging units from deposits and intensification of technological processes

Номер патента: RU2548965C1. Автор: Виталий Алексеевич Афанасьев,Сергей Владимирович Янкевич,Александр Александрович Кузин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДЖЕНЕРУС". Дата публикации: 2015-04-20.

Composition to prevent formation of organic deposits and hydrates in wells and pipelines

Номер патента: RU2480504C2. Автор: Александр Алексеевич Волков,Сергей Арсентьевич Погуляев,Александр Петрович Михайлов,Валентина Дмитриевна Балашова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром переработка". Дата публикации: 2013-04-27.

Inhibiting coating against operation deposits and a method for formation thereof

Номер патента: RU2269557C2. Автор: Юрий Викторович Васильев,Надежда Ивановна Елисеева,Владимир Николаевич Анциферов,Евгений Александрович Фадеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Ангарская нефтехимическая компания" (ОАО АНХК). Дата публикации: 2006-02-10.

Method of extinguishing smoldering fire in peat deposits and device therefor

Номер патента: RU2592345C1. Автор: Анатолий Николаевич Баратов,Анатолий Сергеевич Мелихов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ВСЕРОССИЙСКИЙ ОРДЕНА "ЗНАК ПОЧЕТА" НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ПРОТИВОПОЖАРНОЙ ОБОРОНЫ МИНИСТЕРСТВА РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ ПО ДЕЛАМ ГРАЖДАНСКОЙ ОБОРОНЫ, ЧРЕЗВЫЧАЙНЫМ СИТУАЦИЯМ И ЛИКВИДАЦИИ ПОСЛЕДСТВИЙ СТИХИЙНЫХ БЕДСТВИЙ" (ФГБУ ВНИИПО МЧС России). Дата публикации: 2016-07-20.

Physical effect method used during development of hydrocarbon deposit, and bore-hole plant for method's realisation

Номер патента: RU2366806C1. Автор: Валерий Петрович Дыбленко,Александр Петрович Лысенков,Юрий Сергеевич Ащепков,Юрий Викторович Лукьянов,Дмитрий Михайлович Белобоков. Владелец: Валерий Петрович Дыбленко. Дата публикации: 2009-09-10.

Method to extract gas hydrates from bottom deposits and device to this end

Номер патента: RU2554375C1. Автор: Павел Григорьевич Бродский,Владимир Васильевич Чернявец,Сергей Викторович Травин,Валерий Павлович Леньков,Александр Валентинович Воробьев. Владелец: Александр Валентинович Воробьев. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of corrosion, deposition and slime protection for inner metal surface of water heating heat power equipment, heating network pipelines and closed heat supply systems

Номер патента: RU2545294C2. Автор: Николай Павлович Ковалев,Анатолий Павлович Ковалев. Владелец: Анатолий Павлович Ковалев. Дата публикации: 2015-03-27.

Deoxidation method of metal for cold forging

Номер патента: RU2377315C1. Автор: Виталий Алексеевич Авраменко,Виктор Фёдорович Дьяченко,Юрий Борисович Снегирев,Олег Валентинович Парфилов. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2009-12-27.

Method for vibroseismic treatment of hydrocarbon deposit and system for realization of said method

Номер патента: RU2235863C2. Автор: В.Н. Платонов,А.П. Жуков,М.Б. Шнеерсон,Юрий Михайлович Ячменников,А.А. Семенцов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Геофизические системы данных". Дата публикации: 2004-09-10.

Method for extraction of iodine from natural brines of oil and gas deposits and industrial solutions

Номер патента: RU2357920C1. Автор: Элина Владимировна Строева,Марат Аманжанович Киекпаев,Полина Александровна Пономарева. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургский государственный университет". Дата публикации: 2009-06-10.

Method and device for pre-heating waste metal for furnaces

Номер патента: CA1274085A. Автор: Staffan Granstrom. Владелец: Essge Systemteknik Ab. Дата публикации: 1990-09-18.

Process and apparatus for removal of deposits and linings from horizontal cylinders

Номер патента: CA1282956C. Автор: Herbert Schweder. Владелец: VEB Spezialbaukombinat Magdeburg. Дата публикации: 1991-04-16.

Method of simultaneous separate operation of multi layer deposit and device for realizing said method

Номер патента: RU2594235C2. Автор: Олег Николаевич Журавлев,Марат Тохтарович Нухаев,Роман Викторович Щелушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ВОРМХОЛС Внедрение". Дата публикации: 2016-08-10.

Detergent for surface cleaning from organic contaminants (variants) and uses thereof in cleaning of wells, pipelines, and containers from mineral oil deposition and scurf

Номер патента: RU2309979C1. Автор: Лариса Ивановна Афанасьева,Виктор Владимирович Красницкий,Сергей Владимирович Поврозник. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Автомост-стройсервис". Дата публикации: 2007-11-10.

Flux cored electrode with filler silicocalcium with rare-earth metals for out-furnace steel treatment

Номер патента: RU2355781C2. Автор: Артем Александрович Наумов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПРОМРЕСУРС". Дата публикации: 2009-05-20.

Method of cleaning of tank bottom from deposit and device for its implementation

Номер патента: RU2572540C1. Автор: Евгений Михайлович Булыжев,Эдуард Евгеньевич Булыжев,Георгий Анатольевич Джавахия,Павел Викторович Пискунов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Системы водоочистки". Дата публикации: 2016-01-20.

Salt deposition and corrosion inhibitor for carbon steel in salted water

Номер патента: RU2007503C1. Автор: А.П. Ворожейкин,А.И. Орехов,В.Г. Урядов,И.Г. Юдина,А.З. Габдулхакова. Владелец: Нижнекамское производственное объединение "Нижнекамскнефтехим". Дата публикации: 1994-02-15.

Composition for destruction of water-oil emulsions and protection of oil field equipment from asphaltene-resin-paraffin deposits and corrosion

Номер патента: RU2185400C1. Автор: О.В. Угрюмов,О.А. Варнавская,Н.А. Лебедев,В.Н. Демихов,Б.Р. Фахрутдинов,Л.К. Хватова,И.Ю. Рахматуллина. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт по нефтепромысловой химии". Дата публикации: 2002-07-20.

Method of cleaning surfaces from various deposits and device for realization of this method

Номер патента: RU2153403C1. Автор: Владимир Константинович Иванов,Сергей Павлович Борткевич,Вячеслав Михайлович Гордиенко,Олег Владимирович Матвиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "МИТЭК". Дата публикации: 2000-07-27.

Electromagnetic radiator, inhibition device and method of formation of deposits and corrosion of borehole equipment

Номер патента: RU2570870C1. Автор: Роберт Ибрагимович Алимбеков,Валерий Георгиевич Акшенцев,Алексей Сергеевич Шулаков,Владимир Анатольевич Докичев,Сергей Николаевич Греков,Софья Робертовна Алимбекова,Салихьян Шакирьянович Шарипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Исследовательский Институт Технических Систем" "Пилот" (Нии Тс "Пилот"). Дата публикации: 2015-12-10.

Continuous collection method of mineral resources of underwater deposits, and multi-purpose system for its implementation

Номер патента: RU2460883C2. Автор: Геннадий Григорьевич Пивняк,Всеволод Петрович Франчук,Евгений Алексеевич Кириченко,Владимир Васильевич Евтеев,Александр Иванович Егурнов. Владелец: Национальный горный университет. Дата публикации: 2012-09-10.

Method for prevention of formation of deposits and corrosion

Номер патента: RU2065409C1. Автор: Б.Н. Дрикер,М.С. Аронов,А.В. Табуев,А.А. Федичкин. Владелец: АООТ "Челябоблкоммунэнерго". Дата публикации: 1996-08-20.

Filler metal for welding aluminum alloys

Номер патента: CA1100338A. Автор: Heinz Bichsel,Miroslav Pirner,Heinrich Zoller. Владелец: Schweizerische Aluminium AG. Дата публикации: 1981-05-05.

Porous tubular device and method for controlling windblown particle stabilization deposition and retention

Номер патента: CA2511087C. Автор: Ronald D. Tabler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-27.

Apparatus for cleaning the inner surface of a pipeline from deposits and for forming a protective coating

Номер патента: CA1267528A. Автор: Viktor V. Shishkin,Jury P. Shapovalov,Nikolai F. Kryazhevskikh,Jury D. Samuliev,Yaroslav P. Sushkov,Alexandr I. Chernyai,Evgeny G. Lukin,Valery P. Panchenko. Владелец: Trest Juzhvodoprovod. Дата публикации: 1990-04-10.

Rapid-removal platform for drilling hydrocarbon deposits and for the protection and storage of hydrocarbons in arctic seas

Номер патента: CA1209815A. Автор: Attilio Brighenti,Antonio Della Greca,Gaetano Sebastiani,Roberto Carraro. Владелец: Tecnomare SpA. Дата публикации: 1986-08-19.

Method of continuous selective deposition of cover on belt-type base in vacuum

Номер патента: RU2019573C1. Автор: Л.А. Захарова,Л.Д. Харитонова,С.М. Манякин,Р.И. Терешкина. Владелец: Государственный научно-исследовательский, проектный и конструкторский институт сплавов и обработки цветных металлов. Дата публикации: 1994-09-15.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.