Conductive interconnects and methods of forming conductive interconnects
Номер патента: US11978527B2
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Dave Pratt, David A. Kewley, Frank Speetjens, Gurpreet Lugani, Raju Ahmed, Yung-Ta Sung
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Dave Pratt, David A. Kewley, Frank Speetjens, Gurpreet Lugani, Raju Ahmed, Yung-Ta Sung
Принадлежит: Micron Technology Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming a conductive contact structure to an embedded memory device on an ic product and a corresponding ic product
Номер патента: US20210193584A1. Автор: Hyung Woo Kim,Nicholas LiCausi,Julien Frougier,Keith Donegan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-06-24.