Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for fabricating semiconductor dice by separating a substrate from semiconductor structures using multiple laser pulses

Method for fabricating semiconductor dice by separating a substrate from semiconductor structures using multiple laser pulses

Номер патента: US20130302926A1
Опубликовано: 14-11-2013
Автор(ы): Chen-Fu Chu, Feng-Hsu Fan, Hao-Chung Cheng, Trung Tri Doan
Принадлежит: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating (LED) dice using semiconductor structures on a substrate and laser lift-off to a receiving plate

Номер патента: US11862754B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for fabricating (LED) dice using laser lift-off from a substrate to a receiving plate

Номер патента: US11862755B2. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Semiconductor Structures On A Substrate And Laser Lift-Off To A Receiving Plate

Номер патента: US20220271198A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI,KOHEl OTAKE. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2022-08-25.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Laser Lift-Off From A Substrate To A Receiving Plate

Номер патента: US20210066541A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2021-03-04.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Laser Lift-Off From A Substrate To A Receiving Plate

Номер патента: US20240063339A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: Samileds Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Laser Lift-Off From A Substrate To A Receiving Plate

Номер патента: US20240072203A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method For Fabricating (LED) Dice Using Laser Lift-Off From A Substrate To A Receiving Plate

Номер патента: US20220359785A1. Автор: Nobuaki Matsumoto,Shuhei Ueda,Trung Tri Doan,Kazunori Kondo,Toshiyuki Ozai,Kohei Otake,Yoshinori Ogawa,Chen-Fu Chu,David Trung Doan,Taichi Kitagawa,Yi-Feng Shih,Shih-Kai Chan,Keiji OHORI. Владелец: SemiLEDs Corp Taiwan. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for manufacturing light-emitting device and light-emitting device manufactured by the same

Номер патента: US20110297995A1. Автор: Akihiro Kojima,Yoshiaki Sugizaki,Ryuichi Togawa,Yosuke Akimoto,Miyuki Iduka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for fabricating vertical light emitting devices and substrate assembly for the same

Номер патента: EP2455986A3. Автор: Jianping Zhang,Chunhui Yan. Владелец: INVENLUX Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Optical device and method for producing an optical device

Номер патента: US20230268455A1. Автор: Torsten Trenkler,Daniel MATTHESIUS,Enrico PERTZSCH. Владелец: JENOPTIK OPTICAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing image display device and image display device

Номер патента: EP3944343A1. Автор: Hajime Akimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-01-26.

Light-emitting apparatus and method for producing light-emitting apparatus

Номер патента: US20240006462A1. Автор: Jun Suzuki,Yasunobu Iwakoshi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for forming p-type semiconductor film and light emitting device using the same

Номер патента: US20010034115A1. Автор: Michio Kadota,Yasuhiro Negoro,Toshinori Miura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for making light emitting diode

Номер патента: US20120276673A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device

Номер патента: US9570653B2. Автор: Kuo-Lung Fang,Chih-Hao Yang,Jun-Rong Chen,Chi-Wen Kuo. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for growing nitride film

Номер патента: EP4184553A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for growing nitride film

Номер патента: US20230175121A1. Автор: Hae Yong Lee,Young Jun Choi,Hae Gon OH. Владелец: LUMIGNTECH CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220328732A1. Автор: Hsin-Po Hsieh. Владелец: Ison Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Light emitting diode package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125952B2. Автор: Hsin-Po Hsieh. Владелец: Ison Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for preparing nitride light emitting diode (LED) and nondestructive interface separation

Номер патента: US12051766B1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for preparing nitride light emitting diode (led) and nondestructive interface separation

Номер патента: US20240274748A1. Автор: Fang Liu,Bo Shen,Duo LI,Yucheng Guo,Zhaoying Chen,Xinqiang Wang,Bowen SHENG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-15.

Thin film transistor array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US8815692B2. Автор: Yongsoo Cho,Kyoho MOON,Byungyong AHN,Chanki HA. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for removing epitaxial layer and respective semiconductor structure

Номер патента: US20240363416A1. Автор: Soeren Steudel,Johan Vertommen. Владелец: Micledi Microdisplays BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US9577031B2. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: WO2013078867A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Lei Guo. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20140332933A1. Автор: YUAN Li,Lei Guo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for manufacturing terahertz device

Номер патента: US20230420606A1. Автор: Tsung-Han Wu,Shang-hua YANG,Wang-Chien Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing junction semiconductor wafer

Номер патента: EP4421887A1. Автор: Junya Ishizaki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213404A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Methods for packaging a plurality of semiconductor dice using a flowable dielectric material

Номер патента: US7235431B2. Автор: Peter A. Benson,Alan G. Wood,Warren M. Farnworth,Charles M. Watkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method for automatic measurement and for teaching-in of location positions of objects within a substrate processing system by means of sensor carriers and associated sensor carrier

Номер патента: EP2304769A1. Автор: Torsten Mueller,Andreas Hertgens,Pau Waltner. Владелец: Aes Motomation Gmbh. Дата публикации: 2011-04-06.

Method for automatic measurement and for teaching-in of location positions of objects within a substrate processing system by means of sensor carriers and associated sensor carrier

Номер патента: WO2010115632A1. Автор: Torsten Mueller,Andreas Hertgens,Pau Waltner. Владелец: Aes Motomation Gmbh. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for producing a power semiconductor component on a two-sided substrate that blocks on both sides of the substrate

Номер патента: US6168978B1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-02.

Method for obtaining an integrated device comprising using an etching mask to define dicing lines

Номер патента: US20240178183A1. Автор: Florent Tanay,Florent LALLEMAND,Maxime LEMENAGER,Francois Le Cornec. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

A method for obtaining an integrated device comprising using an etching mask to define dicing lines

Номер патента: EP4376064A1. Автор: Florent Tanay,Florent LALLEMAND,Maxime LEMENAGER,Francois Le Cornec. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Display panel and method for manufacturing the same, display device

Номер патента: US12015022B2. Автор: Qian Jin,Yu Tian,Wei Huang,Qian Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems and methods for thermal hydro-synthesis of semiconductor materials by holding a substrate wafer within a chamber in a vertical direction

Номер патента: US20170365758A1. Автор: Seom Geun LEE,Yi Jung Kim,Ki Suk Kim,Young Deuk Park. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Method for producing micromechanical components in integrated circuits and arrangement of a semiconductor on a substrate

Номер патента: US20070085192A1. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Method for fabricating semiconductor device with metal spacers

Номер патента: US11756885B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for fabricating semiconductor device with pre-cleaning treatment

Номер патента: US20230317508A1. Автор: Chun-Wei Wang,Wei-Chen Pan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for fabricating semiconductor device with graphene layers

Номер патента: US11908816B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for forming a capping layer on a copper interconnect

Номер патента: US20020197865A1. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11527638B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-13.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US11764223B2. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligning contact

Номер патента: US20220293602A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Mask pattern for hole patterning and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US9425072B2. Автор: Sung-Kwon Lee,Sang-Oh Lee,Jun-Hyeub Sun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180175038A1. Автор: Ki Wook JUNG,Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Ho In Lee,Dong Oh KIM,Chan Sic YOON,Ju Yeon JANG,Je Min PARK,Jinwoo Augustin HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Organic light emitting diode array substrate, method for manufacturing the same and display with the same

Номер патента: US20170317152A1. Автор: Minghung Hsu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for manufacturing a memory

Номер патента: US12106817B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for fabricating micro electro device, method for fabricating organic light emitting display device, micro electro device and organic light emitting display device fabricated thereby

Номер патента: US20140231762A1. Автор: Jung Hun Lee,Sun Ho Kim,Dan Bi CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20240006228A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-04.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US7183183B2. Автор: David C. Wang,Robert J. Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-02-27.

Method for using ion implantation to treat the sidewalls of a feature in a low-k dielectric film

Номер патента: US20050087516A1. Автор: David Wang,Robert Soave,Kenneth Duerksen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2005-04-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080003732A1. Автор: Ki-Won Nam,Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor structure having isolations between fins and comprising materials with different thermal expansion coefficients (CTE)

Номер патента: US12002766B2. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Process for fabricating an integrated circuit comprising a phase of forming trenches in a substrate and corresponding integrated circuit

Номер патента: US20230238272A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Franck Julien. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for manufacturing semiconductor substrate, method for manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20110121311A1. Автор: Fumitaka Sato,Naoki Matsumoto,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yoko MAEDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for manufacturing liquid ejection head substrate

Номер патента: US9333749B2. Автор: Masataka Kato,Keisuke Kishimoto,Junichiro Iri,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for preparing a memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210408005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for preparing vertical memory structure with air gaps

Номер патента: US11877455B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing liquid ejection head substrate

Номер патента: US20130139388A1. Автор: Masataka Kato,Keisuke Kishimoto,Junichiro Iri,Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for etching dielectric films

Номер патента: US6117351A. Автор: Li Li,Don L. Yates. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor structure having layers in a trench and method of manufacturing the same

Номер патента: US11784087B2. Автор: Hao Chuan CHANG,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for forming self-alignment insulation structure

Номер патента: US20090283873A1. Автор: Hon-Chun Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for manufacturing a memory

Номер патента: US20220319555A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

System and Method for an Improved Interconnect Structure

Номер патента: US20160133482A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Method for preparing transistor device

Номер патента: US20210082705A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Jhen-Yu Tsai,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

System and Method for an Improved Interconnect Structure

Номер патента: US20180374807A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

System and method for an improved interconnect structure

Номер патента: US20170186713A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-29.

Transistor device and method for preparing the same

Номер патента: US20200066533A1. Автор: Tseng-Fu Lu,Jhen-Yu Tsai,Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for Forming a Buried Metal Line in a Semiconductor Substrate

Номер патента: US20210028059A1. Автор: Zheng Tao,Basoene Briggs,Anshul Gupta,Efrain Altamirano Sanchez,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20200395359A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240154006A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-09.

A method for forming an interconnection structure

Номер патента: EP4372793A1. Автор: Zsolt Tokei,Anshul Gupta,Stefan Decoster. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-22.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4365955A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-08.

Methods for performing a via reveal etching process for forming through-silicon vias in a substrate

Номер патента: US20140199833A1. Автор: Madhava Rao Yalamanchili,Rohit Mishra,Khalid Mohiuddin Sirajuddin,Sonal A. Srivastava. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

A method for producing a single crystal layer of a diamond or iridium material, and a substrate for epitaxially growing a single crystal layer of a diamond or iridium material.

Номер патента: JP2021518322A. Автор: ブルーノ ギスレン，. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2021-08-02.

Thin polycrystalline diamond layer fabricating method for use during fabricating semiconductor on diamond structure in electronics field, involves removing substrate, and polishing and thinning down diamond layer to obtain polished face

Номер патента: FR2938373A1. Автор: Marc Rabarot,Julie Widiez,Samuel Saada. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-05-14.

Method for making electrically conductive connection in semiconductor substrate of three-dimensional integrated structure, involves thinning substrate from face of substrate up to pillar that is guided on another face of substrate

Номер патента: FR2978610A1. Автор: Laurent-Luc Chapelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2013-02-01.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for fabricating semiconductor chip structures, semiconductor carrier and semiconductor chip structure

Номер патента: US20220359213A1. Автор: Tang-Chin HUNG. Владелец: Panelsemi Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

A method for manufacturing a reflective surface sub-assembly for a light-emitting device

Номер патента: WO2011044165A3. Автор: Rene Helbing,Alex Shaikevitch. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2011-07-21.

A method for manufacturing a reflective surface sub-assembly for a light-emitting device

Номер патента: WO2011044165A2. Автор: Rene Helbing,Alex Shaikevitch. Владелец: Bridgelux, Inc.. Дата публикации: 2011-04-14.

Chip package structure and method for manufacturing bumps

Номер патента: US20070228406A1. Автор: Jiunheng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Chip package structure and method for manufacturing bumps

Номер патента: US20070048997A1. Автор: Jiunheng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20100248434A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110207305A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Method for fabricating a barrier layer

Номер патента: US20020055269A1. Автор: Helmut Wurzer,Martin Schrems,Anke Krasemann,Thomas Pompl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240170342A1. Автор: Jeong Hwan Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190326414A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Zih-Hsuan Huang,Yu-Chien Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Electroformed method for fabricating round mesa millimeter wave waffleline structure

Номер патента: US5192588A. Автор: Ralph D. DiStefano. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1993-03-09.

Control wafer and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190252272A1. Автор: Chu-Fu Chen,Chun-Hao Liao,Jui-Yean Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Control wafer and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11107737B2. Автор: Chu-Fu Chen,Chun-Hao Liao,Jui-Yean Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Piezoelectric devices and methods for their preparation and use

Номер патента: US20160247998A1. Автор: M.S. Ramachandra Rao,Maneesh Chandran. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS. Дата публикации: 2016-08-25.

Piezoelectric devices and methods for their preparation and use

Номер патента: US20130153924A1. Автор: M.S. Ramachandra Rao,Maneesh Chandran. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS. Дата публикации: 2013-06-20.

Piezoelectric devices and methods for their preparation and use

Номер патента: WO2013061108A1. Автор: M. S. Ramachandra Rao,Maneesh Chandran. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY MADRAS. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope, corpuscular multi-beam microscope for voltage contrast imaging and semiconductor structures for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope

Номер патента: WO2021104779A1. Автор: Dirk Zeidler,Stefan Schubert,Gregor Frank DELLEMANN. Владелец: Carl Zeiss Multisem Gmbh. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for Patterned Doping of a Semiconductor

Номер патента: US20140322906A1. Автор: David H. Levy,Daniele Margadonna,Wendy G. Ahearn,Dennis Flood,Richard W. Topel, Jr.,Theodore Zubil. Владелец: Natcore Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Reflection-type mask blank, reflection-type mask, method for manufacturing reflection-type mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240160095A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for patterned doping of a semiconductor

Номер патента: WO2014176396A3. Автор: David H. Levy,Daniele Margadonna,Wendy G. Ahearn,Dennis Flood,Theodore Zubil,Jr. Richard W. TOPEL. Владелец: Natcore Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-03-05.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090298213A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Light emitting diode structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20090294756A1. Автор: Hung-Cheng Lin,Jen-Inn Chyi,Chia-Ming Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20130122675A1. Автор: Tze-Liang Lee,Yu-Hung Cheng,Chii-Horng Li,Ming-Hua Yu,Jhi-Cherng Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Methods for repairing substrate lattice and selective epitaxy processing

Номер патента: US20200051816A1. Автор: Wei Zhou,Xiao Jun Wang,Lin Kang Xu,Guan Nan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120220131A1. Автор: Tae-Seung EOM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100297840A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240105467A1. Автор: Sanghyun SON,YoungUk Noh,Myungho JUNG. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods for forming films containing silicon boron with low leakage current

Номер патента: WO2020142307A1. Автор: Deenesh Padhi,Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Hang Yu,Sanjay Kamath,Diwakar N. KEDLAYA,Zubin HUANG,Chuanxi YANG,Euhngi Lee,Honggun Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for packaging semiconductor dies

Номер патента: US20200118840A1. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for fabricating window ball grid array semiconductor package

Номер патента: US7122407B2. Автор: Sung-jin Kim,Chih-Horng Horng,Ming-Sung Tsai,Chung-Ta Yang. Владелец: UTAC Taiwan Corp. Дата публикации: 2006-10-17.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20180096907A1. Автор: Po-Chun Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074118B2. Автор: Chun Chen CHEN,Chia Hsiu Huang,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for increasing photoresist etch selectivity to enable high energy hot implant in SiC devices

Номер патента: US11527412B2. Автор: Lei Zhong,Wei Zou,David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Felix Levitov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Method for increasing photoresist etch selectivity to enable high energy hot implant in sic devices

Номер патента: US20220044939A1. Автор: Lei Zhong,Wei Zou,David J. Lee,Qintao Zhang,Samphy Hong,Felix Levitov. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for making bowl shaped metal nanostructure array

Номер патента: US20150206766A1. Автор: Shou-Shan Fan,zhen-dong Zhu,Qun-Qing Li,Ben-Feng Bai. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Method for forming a titanium nitride layer

Номер патента: US20050053722A1. Автор: Ching-Hua Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of fabricating semiconductor packages

Номер патента: US20190198354A1. Автор: Sung Dong Kim,Ju Hwan Jung. Владелец: Foundation for Research and Business of Seoul National University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190221655A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Zih-Hsuan Huang,Yu-Chien Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for metal gate N/P patterning

Номер патента: US8048810B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Li-Shiun Chen,Shun Wu Lin,Jim Cy Huang,Fang Wen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Methods for depositing high-k dielectrics

Номер патента: US20100330772A1. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210020523A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180197790A1. Автор: Kyung Yub JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Methods For Depositing High-K Dielectrics

Номер патента: US20130056852A1. Автор: Sandra G. Malhotra,Imran Hashim,Sunil Shanker,Xiangxin Rui,Edward L. Haywood. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Methods for depositing high-K dielectrics

Номер патента: US8574985B2. Автор: Imran Hashim,Sandra Malhotra,Sunil Shanker,Edward Haywood,Xiangxin Rui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Method for expanding trenches by an anisotropic wet etch

Номер патента: EP1186028A1. Автор: Dirk Tobben,Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Method for treating non-planar structures using gas cluster ion beam processing

Номер патента: US20110084216A1. Автор: Noel Russell,John J. Hautala. Владелец: TEL Epion Inc. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US20080197111A1. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for fabricating a ferroelectric device

Номер патента: US20240128308A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Tony SCHENK,Alireza KASHIR,Stefan Ferdinand Mueller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating a ferroelectric device

Номер патента: WO2024086529A1. Автор: Robert Clark,Kandabara Tapily,Dina Triyoso,Tony SCHENK,Alireza KASHIR,Stefan Ferdinand Mueller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Semiconductor structure and method for use in fabricating semiconductor structure

Номер патента: WO2018195701A1. Автор: 程凯,向鹏. Владелец: 苏州晶湛半导体有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Substrate Carrier System for Moving Substrates in a Vertical Oven and Method for Processing Substrates

Номер патента: US20160027677A1. Автор: Roland Moennich,Guenter Denifl,Andreas Stefaner,Heimo Schieder,Anton Gernot Winkler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-28.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Carrier substrate for a semiconductor device and a method for forming a carrier substrate for a semiconductor device

Номер патента: US20190295857A1. Автор: Bernd Waidhas,Georg Seidemann,Sonja Koller. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Reflective mask blank, reflective mask, method for manufacturing reflective mask, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240142866A1. Автор: Masanori Nakagawa. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for forming gate pattern for electronic device

Номер патента: US20070066051A1. Автор: Edward Chang,Chien-I Kuo,Szu-Hung Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US9541806B2. Автор: Jun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20230260881A1. Автор: Dongjun Seo,Hyunseok Park,SinJae KIM,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of mounting a flip chip on a substrate

Номер патента: MY141317A. Автор: Patrick Blessing,Ruedi Grueter,Dominik Werne. Владелец: Oerlikon Assembly Equipment Ag Steinhausen. Дата публикации: 2010-04-16.

Method for forming thin film pattern

Номер патента: US20160202532A1. Автор: Jun Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240120291A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for packaging semiconductor dies

Номер патента: US11462420B2. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-10-04.

Method for manufacturing semiconductor package structure

Номер патента: US11817421B2. Автор: Yi Dao WANG,Tung Yao LIN,Rong He GUO. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US11676912B2. Автор: Chun Chen CHEN,Chia Hsiu Huang,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for producing a porous nanocrystalline semiconductor layer, porous nanocrystalline semiconductor layer, use thereof, anode, and secondary lithium-ion battery

Номер патента: US20160322632A1. Автор: Fei QU,Horst Strunk. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing a porous nanocrystalline semiconductor layer, porous nanocrystalline semiconductor layer, use thereof, anode, and secondary lithium-ion battery

Номер патента: WO2015096854A1. Автор: Fei QU,Horst Strunk. Владелец: UNIVERSITÄT STUTTGART. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326878A1. Автор: Chun Chen CHEN,Chia Hsiu Huang,Wei Chih CHO,Shao-Lun YANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for producing a porous nanocrystalline semiconductor layer, porous nanocrystalline semiconductor layer, use thereof, anode, and secondary lithium-ion battery

Номер патента: EP3087629A1. Автор: Fei QU,Horst Strunk. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2016-11-02.

A method for packaging semiconductor dies

Номер патента: EP3640979A1. Автор: Eric Beyne. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-22.

Plasma process for removing excess molding material from a substrate

Номер патента: US20060131790A1. Автор: Jiangang Zhao,James Getty. Владелец: Nordson Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

STRUCTURES OF AND METHODS FOR FORMING VERTICALLY ALIGNED Si WIRE ARRAYS

Номер патента: US20090020853A1. Автор: Nathan S. Lewis,Harry A. Atwater,Brendan M. Kayes,Michael A. Filler. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2009-01-22.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: US20150145048A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160087105A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Akihisa Shimomura,Yuta Endo,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Structure and method for forming cmos with nfet and pfet having different channel materials

Номер патента: WO2015074468A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Steven J. Holmes. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device having JFET

Номер патента: US11784244B2. Автор: Kenji Kono. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing semiconductor device having jfet

Номер патента: US20210328048A1. Автор: Kenji Kono. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Thin-Film Transistor and Method for Forming the Same

Номер патента: US20170194500A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170125571A1. Автор: Ke Wei,Xinyu Liu,Xinhua Wang,Sen Huang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-04.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20230180463A1. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for increasing bridging process window of contact hole and gate of device

Номер патента: US20240170277A1. Автор: Yenxia HAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12009317B2. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen,Kay Stefan ESSIG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030C. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Method for transferring patterns on silicone ladder type resin and etching solution used in such method

Номер патента: CA2010030A1. Автор: Hiroshi Adachi,Osamu Hayashi,Etsushi Adachi,Yoshiko Aiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-08-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011055644A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kenichi Okazaki,Seiji Yasumoto,Yoshiaki Oikawa,Tetsuhiro Tanaka,Shun Mashiro. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsequioxane resin

Номер патента: US5906859A. Автор: Jeffrey Nicholas Bremmer,Youfan Liu. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1999-05-25.

Method for making a semiconductor device with sidewal spacers for confinig epitaxial growth

Номер патента: US20160284822A1. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device including contact holes and method for forming the same

Номер патента: US20130256806A1. Автор: XINPENG WANG,Yi Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for making a semiconductor device with sidewall spacers for confining epitaxial growth

Номер патента: US9431540B2. Автор: Qing Liu,Xiuyu Cai,Ruilong Xie,Chun-Chen Yeh. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device including contact holes and method for forming the same

Номер патента: US8748248B2. Автор: XINPENG WANG,Yi Huang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-06-10.

Method for manufacturing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240188272A1. Автор: Kenichi Kanazawa. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure of stacked gate-all-around nano-sheet cmos device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115513A1. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Qingzhu ZHANG,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-04-14.

Methods For Depositing Low K And Low Wet Etch Rate Dielectric Thin Films

Номер патента: US20180040470A1. Автор: Ning Li,David Thompson,Li-Qun Xia,Mihaela Balseanu,Mark Saly. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Device and method for contactlessly transferring at least partly ferromagnetic electronic components from a carrier to a substrate

Номер патента: US20200027764A1. Автор: Hans-Peter Monser,Sigmund Niklas. Владелец: Muehlbauer GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-01-23.

Apparatus and method for contactlessly moving electronic components, at least partially ferromagnetic, from a carrier to a substrate

Номер патента: KR102229540B1. Автор: 한스-피터 몬세르,시그문트 니클라스. Владелец: 뮐바우어 게엠베하 운트 콤파니 카게. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for automatic measurement and for teaching-in of location positions of objects within a substrate processing system by means of sensor carriers and associated sensor carrier

Номер патента: WO2010115632A8. Автор: Torsten Mueller,Andreas Hertgens,Paul Waltner. Владелец: Aes Motomation Gmbh. Дата публикации: 2011-04-14.

Device and method for contactlessly transferring at least partly ferromagnetic electronic components from a carrier to a substrate

Номер патента: EP3520134A1. Автор: Hans-Peter Monser,Sigmund Niklas. Владелец: Muehlbauer GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-07.

Methods for producing a cavity within a semiconductor substrate

Номер патента: US20150368097A1. Автор: Bernhard WINKLER,Martin Zgaga,Sokratis Sgouridis,Andreas Behrendt,Kai-Alexander Schreiber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for fabricating semiconductor structure with passivation sidewall block

Номер патента: US20170148667A1. Автор: Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Wei-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Etching mask, method for fabricating the same, and method for fabricating a semiconductor structure using the same

Номер патента: US20220223414A1. Автор: Yu-Chen Huang,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method and system for fabricating semiconductor components with through interconnects and back side redistribution conductors

Номер патента: WO2008070429A1. Автор: David S. Pratt. Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for fabricating a semiconductor structure using a protective layer, and semiconductor structure

Номер патента: US20030073297A1. Автор: Juergen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047623A1. Автор: Xin Yun XIE. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating semiconductor device with programmable anti-fuse feature

Номер патента: US11735520B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230231039A1. Автор: Jinrong HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure, storage structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230029936A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20190115280A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11257736B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240355637A1. Автор: Heung Sik Park,Ji Yoon Kim,Jong Sun Lee,Jong Min Baek,Do Haing Lee,John Soo KIM,Gwan Ho Kim,Keun Hee BAI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating semiconductor device with programmable element

Номер патента: US20220069126A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US20220122982A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20230049202A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Gang-Yi Lin,Yifei Yan,Yi-Wang JHAN,Xiaopei FANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090081865A1. Автор: Shunsuke Isono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306202A1. Автор: Jung-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12113107B2. Автор: Dae Won Kim,Dong Goo Choi,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220059448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09941161B2. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040048462A1. Автор: Masahiro Joei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190043964A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210050253A1. Автор: Li-Han Chen,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347382A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20170084688A1. Автор: Shui-Yen Lu,Jhen-Cyuan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12100670B2. Автор: Qiang Zhang,Mengmeng Wang,Hsin-Pin Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus and methods for determining horizontal position of substrate using lasers

Номер патента: US12087625B2. Автор: Ming-Hsien Lin,Kuo-Lung Hou,Yung Hsin Lu,Che-I KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230326760A1. Автор: He Wu,Hongbo LIN,ChenMing XU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor structure, and manufacturing method for same

Номер патента: EP3958314A1. Автор: Cheng-Hung Hsu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-23.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Methods for fabricating integrated circuits including substrate contacts

Номер патента: US09997393B1. Автор: Bo Yu,PURAKH Raj Verma,Zeng Wang,Wensheng Deng,Yuzhan Wang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming dielectric film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09991112B2. Автор: Youn Joung CHO,Won Woong CHUNG,Sun Hye Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20160211175A1. Автор: Jian-Lin Chen,Ta-Chien Chiu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Method for fabricating a trench structure which is electrically connected to a substrate on one side via a buried contact

Номер патента: US20050032324A1. Автор: Kevin Pears,Albrecht Kieslich,Stephan Kudelka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10438893B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chih-Sheng Chang,Shih-Hsien Chen,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150004783A1. Автор: Jong-ho Lee,Sung-Won Choi,Bum-Joon Youn,Min-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Process for fabricating RuSixOy-containing adhesion layers

Номер патента: US20020142538A1. Автор: Eugene Marsh,Brenda Kraus. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12040227B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating semiconductor device with EMI protection structure

Номер патента: US11587885B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Peeling method for peeling off substrate from support plate

Номер патента: US11764066B2. Автор: Katsuhiko Suzuki. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US9224646B2. Автор: Chun-Tang Lin,Hung-Wen Liu,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating semiconductor device with emi protection structure

Номер патента: US20220084956A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240282719A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Yuan-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor interconnect structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US11769674B2. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating semiconductor interconnect structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230395396A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230013284A1. Автор: Jifeng TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20240030289A1. Автор: Gyuseog Cho. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20220216196A1. Автор: Xiao Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230011266A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230009114A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Fabrication method for semiconductor structure in a substrate, the semiconductor structure having at least two regions that are to be patterned differently

Номер патента: US20050191843A1. Автор: Mirko Vogt,Stephan Hartmann,Dirk Offenberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12068397B2. Автор: Xiang Hu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20170141189A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Method and system for fabricating floating guard rings in gan materials

Номер патента: US20140235030A1. Автор: David P. Bour,Isik C. Kizilyalli,Richard J. Brown,Hui Nie,Andrew P. Edwards,Donald R. Disney,Linda Romano,Thomas R. Prunty. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2014-08-21.

Apparatus, system, and method for measuring the temperature of a substrate

Номер патента: US20230060543A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Wen-Yen Chen,Huicheng Chang,Yi-Chao Wang,Tz-Shian Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating crown capacitor

Номер патента: US20240155823A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Methods for fabricating a thin film transistor and an array substrate

Номер патента: EP2757589A3. Автор: ZHEN Wang,Shuibin NI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-13.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: EP4358162A3. Автор: Xinyu Zhang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Lin'an ZHANG,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: EP4358162A2. Автор: Xinyu Zhang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Lin'an ZHANG,Guangming LIAO. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Light-emitting substrate, method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20240258478A1. Автор: Chunjian Liu,Jie Wang,Jianying Zhang,Jiawei XU,Jie LEI,Jian Tian,Zouming Xu,Tsungchieh Kuo,Xintao Wu. Владелец: Hefei Boe Rusisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

In-situ film growth rate monitoring apparatus, systems, and methods for substrate processing

Номер патента: US12077880B2. Автор: Yong Zheng,TAO Sheng,Nyi Oo Myo,Zhepeng Cong. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Solar cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: EP4365958A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Yifan Chen,Wenqi Li,Peiting ZHENG,Minghui Xie,Guochun Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Solar cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: NL2034430B1. Автор: Yang Jie,Zhang Xinyu,Chen Yifan,Li Wenqi,ZHENG Peiting,ZHANG Guochun,Xie Minghui. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-24.

Method for manufacturing a thin-layer photovoltaic device, in particular for solar glazing

Номер патента: US20150287859A1. Автор: Ivan Jager,Pierre-Yves Thoulon,Marc Ricci. Владелец: CROSSLUX. Дата публикации: 2015-10-08.

Solar cell, method for preparing solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4451350A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Mengwei Xu. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Solar cell, method for preparing solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023203632A1. Автор: Nannan Yang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Mengwei Xu. Владелец: Jinko Solar Haining Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Array substrate, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US20140042540A1. Автор: Seungjin Choi,Youngsuk Song,Seongyeol Yoo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US10847477B2. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Optical interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2112536A3. Автор: Yongtak Lee,Youngmin Song,Eunkyeong Min. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-03-27.

Optical interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090269010A1. Автор: Yongtak Lee,Youngmin Song,Eunkyeong Min. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2009-10-29.

Optical interconnection structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US8165429B2. Автор: Yongtak Lee,Youngmin Song,Eunkyeong Min. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-04-24.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same and photovoltaic module

Номер патента: US12087872B2. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Thin film transistor array substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US8692250B2. Автор: Ching-Chieh Shih,An-Thung Cho,Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Ming-Hsien Lee. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2014-04-08.

Display panel, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US20210376018A1. Автор: Qing Dai,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100163974A1. Автор: Seung-Chul Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US20210035925A1. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for forming contact pins for semiconductor dice and interconnects

Номер патента: AU4232296A. Автор: Salman Akram,Warren M Farnworth,Alan G Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-31.

Method for preparing a trench capacitor structure

Номер патента: US7419872B2. Автор: Ching Lee,Zheng Cheng Chen,Chin Wen Lee,Chin Long Hung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-09-02.

Photodetectors, preparation methods for photodetectors, photodetector arrays, and photodetection terminals

Номер патента: EP4246581A2. Автор: Kai ZANG,Shuang Li,Jieyang Jia. Владелец: Shenzhen Adaps Photonics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130105764A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-05-02.

Active Matrix Organic Light Emitting Diode Panel And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20170194391A1. Автор: Zhiyong XIONG,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Oxide thin film transistor including photocatalyst layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230253505A1. Автор: Hyun Jae Kim,Sujin JUNG,Dong Hyun Choi,Jong Bin An,Kunho Moon,Jong Hyuk Ahn,I Sak Lee. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-10.

Micro Bump And Method For Forming The Same

Номер патента: US20130217224A1. Автор: Ruoh-Huey Uang,Yi-Teng Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-08-22.

Method for making nanostructure transistors with source/drain trench contact liners

Номер патента: US20240322015A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for making nanostructure transistors with flush source/drain dopant blocking structures including a superlattice

Номер патента: US20240322014A1. Автор: DongHun Kang. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230378233A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Trench field-effect transistor and method for manufacturing trench fet

Номер патента: US20240105843A1. Автор: Jian Liu,Jinyong Cai,Shida DONG,Zhenhan Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Structure and operating method for nonvolatile memory cell

Номер патента: US20040037116A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Tung-Cheng Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for Preparing a Trench Capacitor Structure

Номер патента: US20080102577A1. Автор: Hung-Kwei Liao,Su Chen Lai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-01.

Crown capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US11910588B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Crown capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220069070A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for patterning electroless plated metal on a polymer substrate

Номер патента: US5084299A. Автор: Ian Y. K. Yee,Charles W. C. Lin,Tom J. Hirsch. Владелец: Microelectronics and Computer Technology Corp. Дата публикации: 1992-01-28.

Thin film transistor array substate, method for manufacturing the same and method for maintaining the same, and display panel

Номер патента: US20170153523A1. Автор: Chong Fang,Xingfeng Ren. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023237197A1. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang,Hong’ao CHU. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Tft substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170205674A1. Автор: YUAN Xiong,Shui-Chih Lien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for preparing a semiconductor memory structure

Номер патента: US20190198505A1. Автор: Wei-Ming Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for programming non-volatile memory cell, non-volatile memory array and non-volatile memory apparatus

Номер патента: US20140092689A1. Автор: Chien-Hung Chen,Shen-De Wang,Wen-Chung Chang,Ya-Huei HUANG,Feng-Ji Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Solar cell, method for manufacturing solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4318601A1. Автор: Xinyu Zhang,Jingsheng Jin,Bike Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: EP4261899A1. Автор: Xinyu Zhang,Nannan Yang,Jingsheng Jin,Guangming LIAO,Lin an ZHANG. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method for recycling thin-film solar cell modules

Номер патента: US7972473B2. Автор: Uwe Wagner,Frank Schmieder. Владелец: JENOPTIK Automatisierungstechnik GmbH. Дата публикации: 2011-07-05.

Double-sided capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US11984472B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Array substrate and method for manufacturing the array substrate and display panel

Номер патента: US20170133516A1. Автор: Dong Ren,Kai HAN,Chahg-Han Chiang,Chengche Lee. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Method for Recycling Thin-Film Solar Cell Modules

Номер патента: US20090308535A1. Автор: Uwe Wagner,Frank Schmieder. Владелец: JENOPTIK Automatisierungstechnik GmbH. Дата публикации: 2009-12-17.

Array substrate, method for manufacturing array substrate and display panel

Номер патента: US20240162245A1. Автор: Liu Yang,Lei Huang,Shumin TANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Photovoltaic cell, method for manufacturing same, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023255047A1. Автор: Zhang Xinyu,YANG Nannan,JIN Jingsheng,Liao Guangming,Zhang Lin’an. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Element, method for producing same and organic semiconductor laser diode

Номер патента: US20220416513A1. Автор: Chihaya Adachi,Fatima BENCHEIKH,Takashi Fujihara,Nobuhiro Takeishi,Ryutaro KOMATSU,Kento TAKAHASHI,Jean Charles Maurice RIBIERRE. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Close space annealing method and method for preparing perovskite film or solar cell

Номер патента: US20240114760A1. Автор: Xiaofeng Li,Dewei ZHAO,Changlei WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-04.

Solar cell, method for producing the same and photovoltaic module

Номер патента: AU2022291657B1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Yifan Chen,Wenqi Li,Peiting ZHENG,Minghui Xie,Guochun Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Photovoltaic device including flexible or inflexible substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120073636A1. Автор: Seung-Yeop Myong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for making quantum dots

Номер патента: US20090137102A1. Автор: Axel Nackaerts,Rita Rooyackers,Frederik Leys. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-05-28.

System and method for spatially controlling an amount of energy delivered to a processed surface of a substrate

Номер патента: EP3761344A1. Автор: Fulvio Mazzamuto,Bastien Pinsard. Владелец: Laser Systems and Solutions of Europe SAS. Дата публикации: 2021-01-06.

Method for the formation of a silica-based coating film

Номер патента: US5614271A. Автор: Yoshio Hagiwara,Hideya Kobari,Susumu Okano,Toshimasa Nakayama,Tatsuhiko Shibuya. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-25.

AC powder electroluminescence device and method for making the same

Номер патента: US5912533A. Автор: Sung Park,Vladimir Vlaskin,Ju Hyeon Lee,Sang Gook Park,Il Chae Jung,In Shik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-15.

Tunneling field effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US8853674B2. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-07.

Method for manufacturing a thin-layer photovoltaic device, in particular for solar glazing

Номер патента: US9865756B2. Автор: Ivan Jager,Pierre-Yves Thoulon,Marc Ricci. Владелец: CROSSLUX. Дата публикации: 2018-01-09.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors with compact design and method for manufacturing the same

Номер патента: US11903283B2. Автор: Yewon Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for making epitaxial structure

Номер патента: US20120178245A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for making epitaxial structure

Номер патента: US20120178244A1. Автор: Yang Wei,Shou-Shan Fan. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for manufacturing transparent electrode of organic light emitting display device and organic light emitting display device using the transparent electrode

Номер патента: US20140217368A1. Автор: Jin-woo Park,Hun Kim,Jai-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-07.

Manufacturing method for electroluminescent element

Номер патента: US20150132864A1. Автор: Masahiro Suzuki,Yusuke Yamazaki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2015-05-14.

Display apparatus comprising different types of thin film transistors with compact design and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230180558A1. Автор: Yewon Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Photodetectors, preparation methods for photodetectors, photodetector arrays, and photodetection terminals

Номер патента: EP4246581A3. Автор: Kai ZANG,Shuang Li,Jieyang Jia. Владелец: Shenzhen Adaps Photonics Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Active matrix organic light emitting diode panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140159004A1. Автор: Zhiyong XIONG,Bengang ZHAO. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-12.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US11309262B2. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Device having physically unclonable function, method for manufacturing same, and chip using same

Номер патента: US20190074256A1. Автор: Dong Wang,Xiao Yan BAO,Tian Hua Dong,Guang Ning Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for determining an overlay correlation set

Номер патента: US20070184628A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-09.

Method for forming tco films and thin film stack

Номер патента: US20120255602A1. Автор: Elisabeth Sommer,Markus Kress,Daniel Severin,Philipp Obermeyer,Inge Vermeir,Niels KUHR,Ursula Ingeborg Schmidt,Anton Supritz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Display panel, method for manufacturing the display panel, and display device

Номер патента: US20200111762A1. Автор: Shishuai Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SUBSTRATE FOR ELECTRICALLY CONTROLLED DEVICE AND DISPLAY SCREEN PRODUCED FROM SUCH A SUBSTRATE

Номер патента: FR2551244A1. Автор: Michel Hareng,Nicolas Szydlo,Jose Magarino,Pierre Landouar. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1985-03-01.

Method for making multilayer electronic circuits

Номер патента: US5162062A. Автор: Alan F. Carroll,Marc H. Labranche. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1992-11-10.

Method for making multilayer electronic circuits

Номер патента: CA2066069A1. Автор: Alan F. Carroll,Marc H. La Branche. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1992-12-18.

Magnetoresistive memory device and method for manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200083443A1. Автор: Yuichi Ito,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170309814A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

SYSTEM AND METHOD FOR SPATIALLY CONTROLLING AN AMOUNT OF ENERGY DELIVERED TO A PROCESSED SURFACE OF A SUBSTRATE

Номер патента: US20220270897A1. Автор: MAZZAMUTO Fulvio,PINSARD Bastien. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4344389A3. Автор: Changho Lee,Seungchul Lee,Hanseok Kim,Mira Yun. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US11552171B2. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230189508A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220148880A1. Автор: SHILIANG Ji,Zhenyang ZHAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Compound semiconductor structure

Номер патента: US20160254147A1. Автор: Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Stefan Abel,Mario El Kazzi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Chemical mechanical polishing system and method for planarizing substrates in fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040092112A1. Автор: Chia-Lin Hsu,Teng-Chun Tsai,Shao-Chung Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220077144A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220336206A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for fabricating semiconductor device with reduced wafer edge defects

Номер патента: US10522652B1. Автор: Chih-Wei Lin,Po-Wen Su,Wei-Chih Lai,Tai-Yen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210005466A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and peripheral circuit

Номер патента: US12027595B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160254349A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020197858A1. Автор: Tsai-Sen Lin,Chon-Shin Jou,Chieh-Ju Chang,Lung-Yu Yen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating fluid ejection device

Номер патента: US9403365B2. Автор: David Bernard,Andrew McNees,James Mrvos. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094956B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230170224A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Qiang Zhang,Shan Wang,Huihui Li,Minmin WU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403082A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US20110256706A1. Автор: Zhongze Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180047638A1. Автор: Yan Wang,Shi Liang JI,Qiu Hua HAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170330956A1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230064701A1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11676823B2. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240234096A1. Автор: Sang Ki Nam,Jun Ho Lee,Sang Chul Han,Hyun Jae Lee,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150050799A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chia-Chang Hsu,Tsung-Hsun Tsai,Pin-Hong Chen,Bor-Shyang LIAO,Kuo-Chih Lai,Min-Chung Cheng,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12068158B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Control over dislocations and strains in mask-free processes with help of substrate patterning and methods for fabrication of devices

Номер патента: RU2570220C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ханс ФОН,Леонида МИЛЬО. Владелец: Пайлгроут Тек С.р.л.. Дата публикации: 2015-12-10.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220139716A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: EP4236662A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8283240B2. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200006514A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Kuan-Chun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120003820A1. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369412A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor Structure with Resistor Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20180026031A1. Автор: Yu-Hung Lin,Hon-Lin Huang,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Method for fabricating different gate oxide thickness within the same chip

Номер патента: US20030094660A1. Автор: Paul Ronsheim,Anthony Domenicucci,Liang-Kai Han,Scott Crowder,Michael Hargrove. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Multi-layer semiconductor structures for fabricating inverter chains

Номер патента: US9666490B2. Автор: Yi-Tang LIN,Hsien-Hsin Sean LEE,Cheng-Hung Yeh,Chou-Kun LIN,I-Fan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for fabricating semiconductor device having an embedded source/drain

Номер патента: US20150079740A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11757016B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070117390A1. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110159694A1. Автор: Young-Bang Lee,Ok-Min Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287942A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Kuan-Ti Wang,Tien-Yu Hsieh,Han-Chen CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7282453B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240363362A1. Автор: Feng Gao,Wen Yi Tan,Wind Zhu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12125890B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US20220069085A1. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Substrate structure and method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US20210104604A1. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Systems and methods for dopant activation using pre-amorphization implantation and microwave radiation

Номер патента: US20150053983A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chen-Feng Hsu,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Resist material and method for forming semiconductor structure using resist layer

Номер патента: US20180164684A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chen-Yu Liu,Chin-Hsiang Lin,Cheng-Han Wu,Ya-Ching Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20220320133A1. Автор: HAO Zhang,Haifeng Guo,Xiuzhong Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Substrate processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240153811A1. Автор: Young Joon Kim,Sang Duk HWANG,Jai Hoon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for fabricating semiconductor transistor device

Номер патента: US20030119269A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for fabricating an integrated semiconductor circuit having a strongly polarizable dielectric or ferroelectric

Номер патента: US20020197743A1. Автор: Walter Hartner,Günther SCHINDLER,Volker Weinrich,Manfred Mört. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-26.

Robot, apparatus including robot, and method for manufacturing semiconductor structure using the same

Номер патента: US20240243001A1. Автор: Kenichi Sano,Chia-Yun Cheng,Yu-wei LU,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Method for fabricating semiconductor element

Номер патента: US20080081435A1. Автор: Teruhisa Fukuda,Tetsumi Tominaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of patterning organic polymer film and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010018256A1. Автор: Mitsuru Nishitsuji,Katsuhiko Kawashima,Tsuyoshi Tanaka,Yoshihara Anda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for forming semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20230119755A1. Автор: Qing LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming semiconductor structure with epitaxial growth structure

Номер патента: US09997615B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yasutoshi Okuno,Pang-Yen Tsai,Chung-Cheng Wu,Cheng-Long Chen,Che-Yu Yeh,Gwan-Sin Chang,Ying-Hsuan WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus and method for electrostatically clamping a substrate

Номер патента: WO2024125995A1. Автор: Tjarko Adriaan Rudolf Van Empel,Sjoerd Frans DE VRIES,Martinus Cornelis Reijnen,Maarten Mathijs Marinus Jansen. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

A system and method for fabricating diodes

Номер патента: WO2004100225A3. Автор: Ying Gao,Stanislav Soloviev,T S Sudarshan. Владелец: T S Sudarshan. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US12033933B2. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Microelectronic systems containing embedded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20190148138A1. Автор: Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla,Geoffrey Tucker. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for forming a semiconductor structure using dehydrating chemical, and method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210265221A1. Автор: Chi-Ming Yang,Chung-Chieh Lee,Chyi Shyuan Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230079234A1. Автор: Junbo PAN,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for fabricating semiconductor packages

Номер патента: US20050287707A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Chien-Ping Huang,Ying-Ren Lin. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8815664B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160293724A1. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for fabricating electronic package

Номер патента: US20240321591A1. Автор: Wei-Ping Wang,Shu-Chi Chang,Hsien-Lung Hsiao,Kaun-I Cheng. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12094723B2. Автор: Yuejiao Shu,Ming-Pu Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12133376B2. Автор: Fan RAO,Seongjin KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating semiconductor device with asymmetric strained source/drain structure

Номер патента: US20210098623A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240008245A1. Автор: Xuri JIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films

Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20230070135A1. Автор: Zhe Wang,Lu Zou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230298899A1. Автор: Jun Xia,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080048324A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230015120A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

System and method for fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: WO2008024200A1. Автор: Gordon Haller,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9263544B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for plasma etching of Ir-Ta-O electrode and for post-etch cleaning

Номер патента: US20020187645A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang,Jer-shen Maa. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US9502260B2. Автор: Kun-Hsien Lee,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20100311242A1. Автор: Jongwook Kye,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Thermally matched readout/detector assembly and method for fabricating same

Номер патента: GB9418859D0. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-11-09.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240321997A1. Автор: Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for fabricating semiconductor device having upper and lower inlets for supplying supercritical fluids and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12110593B2. Автор: Yong-jhin Cho,Young Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating semiconductor device with asymmetric strained source/drain structure

Номер патента: US20210098622A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240055385A1. Автор: Kuo-Hua Hsieh,Chao-Chieh Chan,Ming-Jhe Wu,Chih-Yang Weng. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2024-02-15.

Finfet device and method for fabricating same

Номер патента: US20170229561A1. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Kuo-Cheng Ching,Gwan-Sin Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for fabricating capacitor

Номер патента: US20180197863A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130217193A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240055325A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130115748A1. Автор: Su-Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor structure, method for fabricating thereof, and method for fabricating semiconductor layout

Номер патента: US20240274531A1. Автор: Yifei Yan,Daochu Wu,Xinyan Hong,Chao-Lun Fu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating semiconductor device with graphene-based element

Номер патента: US12132097B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a semiconductor structure using isolation layers for etching the trenches in a substrate

Номер патента: US12063769B2. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230422480A1. Автор: Dong Yan,Wei Li,Jun Wei,Zijie Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for fabricating semiconductor structure and structure thereof

Номер патента: US20230017055A1. Автор: GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating semiconductor structure and structure thereof

Номер патента: US20220393020A1. Автор: Deyuan Xiao,Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US11881408B2. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and system for fabricating and testing assemblies containing wire bonded semiconductor dice

Номер патента: WO1999053527A3. Автор: Rich Fogal,Steve Heppler. Владелец: Steve Heppler. Дата публикации: 2002-05-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: US20220293427A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230345697A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20220208994A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Electronic device and method for fabricating the same, spiral inductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2416358A3. Автор: Ja-Hao Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: US20240243197A1. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual-gate semiconductor structures for power applications

Номер патента: EP4411825A2. Автор: Nikolaus Klemmer,Amin SHAHVERDI,Elias Reese. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220315414A1. Автор: Shih-Chang Liu,Chun-Wen Cheng,Shih-Wei Lin,Yi-Chuan Teng,Cheng-Yu Hsieh,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20230389293A1. Автор: Min Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration

Номер патента: US20030052421A1. Автор: Hans-Georg Frohlich,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20140252329A1. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Protection layer for fabricating a solar cell

Номер патента: WO2008143885A2. Автор: Hsin-Chiao Luan,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US9136500B2. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Capped semiconductor based sensor and method for its fabrication

Номер патента: SE545446C2. Автор: Stephan Schroder. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Capped semiconductor based sensor and method for its fabrication

Номер патента: SE2151590A1. Автор: Stephan Schroder. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2023-06-23.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20220344482A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Lingxin ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230225118A1. Автор: Li Ding. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230055202A1. Автор: Xin Xin,Jinghao WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Method for fabricating BOC semiconductor package

Номер патента: US20020102831A1. Автор: Lee Kuan,Lee Chai,Chong Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230031281A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: WO2021028214A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130249007A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN,Chien-Wen Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Dynamic random access memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US7465640B2. Автор: Chia-Wen Liang,Yung-Chang Lin,Chuan-Fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Dynamic random access memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: US20050106832A1. Автор: Chia-Wen Liang,Yung-Chang Lin,Chuan-Fu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: EP4014247A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-06-22.

Method for fabricating a metal protection layer on electrically connecting pad of circuit board

Номер патента: US20070218591A1. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Display substrate, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US11289464B2. Автор: Ke Wang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Shibo JIAO,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for fabricating active device array substrate

Номер патента: US20100267177A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Ching-Chieh Shih,An-Thung Cho,Chen-Yueh Li,Ching-Sang Chuang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Display substrate, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: WO2020173049A1. Автор: Ke Wang,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Zhanfeng CAO,Shibo JIAO,Muxin DI. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-09-03.

Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same

Номер патента: US20100187536A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chen-Yueh Li. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for attenuating thermal sensation when handling objects at non-body temperature

Номер патента: US20010014390A1. Автор: David Lewis,Lawrence Mok. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method for fabricating a self-limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice

Номер патента: AU4232396A. Автор: Salman Akram,Warren M Farnworth,Alan G Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-31.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Solid-state imaging device, method for fabricating solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12107095B2. Автор: Shigetoshi Sugawa,Kazuya Mori,Isao Takayanagi,Ken Miyauchi,Shunsuke Okura. Владелец: Brillnics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240355893A1. Автор: Kai-Kuen Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for fabricating array substrate

Номер патента: US10242886B2. Автор: WEI YANG,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130161708A1. Автор: Edward Yi Chang,Chia-Hua Chang,Ming-Tsan Peng,Tsung-Lin Chen,Shyr-Long Jeng,Shih-Tung Cheng,Po-Chien Chou,Jian-Feng Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-06-27.

Structure and method for fabrication of a leadless chip carrier with embedded inductor

Номер патента: EP1423877A4. Автор: Mohamed Megahed,Hashemi S Hassan. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Method for creating a selective solder seal interface for an integrated circuit cooling system

Номер патента: EP2994936A1. Автор: David H. Altman,William J. Davis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2016-03-16.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220310619A1. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Array substrate and method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US9356055B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Yonglian QI,Chuanxiang XU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: US20190211453A1. Автор: Yabing Qi,Shenghao WANG,Luis Ono. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: EP3177753A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Shenghao WANG. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Back-side illumination image sensor and method for fabricating back-side illumination image sensor

Номер патента: US20120280343A1. Автор: Fang-Ming Huang,Tsung-Chieh Chang. Владелец: Himax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for fabrication of a sensor device

Номер патента: US20170254769A1. Автор: Matthias Studer,Ulrich Bartsch,Silvio GRAF. Владелец: SENSIRION AG. Дата публикации: 2017-09-07.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20190027607A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20200058707A1. Автор: Min Jun Choi,Chang Hwa Kim,Kwan Sik KIM,Sang Su Park,Man Geun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor structure, method for manufacturing same and memory

Номер патента: US20230014198A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure, an integrated circuit including a semiconductor structure and a method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: EP2394299A1. Автор: Philippe Renaud. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-12-14.

Schottky barrier field effect transistor with carbon-containing insulation layer and method for fabricating the same

Номер патента: WO2013117028A1. Автор: Wei Wang,Jing Wang,Mei Zhao,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-08-15.

Method for fabricating small-scale mos device

Номер патента: WO2012048624A1. Автор: Le Wang. Владелец: Csmc Technologies Fab2 Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for fabricating gate structures

Номер патента: US20210134979A1. Автор: Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Po-Hsuan CHEN,Kuo-Lung Li,Szu-Ping Wang,Chao-Sheng Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: WO2021115793A1. Автор: Ralf Klukas,Corrado CARTA,Goran PANIC. Владелец: Ihp Gmbh - Innovations For High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut Für Innovative Mikroelektronik. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method for preparing same

Номер патента: US20220085149A1. Автор: Hai-Han Hung,Bingyu ZHU,Yin-Kuei Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12113100B2. Автор: Hongmin WU,Yu-Sheng TING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4451333A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240355812A1. Автор: Chiao-Shun Chuang,TaChuan Kuo. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure with embedded capacitor

Номер патента: US11800698B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for Fabricating Semiconductor Structure Having Enhanced Hole Linear Rashba Spin-Orbit Coupling Effect

Номер патента: US20230395705A1. Автор: Yang Liu,Shan GUAN,Jiaxin Xiong,Junwei Luo,Shushen Li. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor structure with embedded capacitor

Номер патента: WO2023020089A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-02-23.

Processing method for semiconductor structure

Номер патента: US20070111501A1. Автор: Ping-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for fabricating a microcontact spring on a substrate

Номер патента: US20030071351A1. Автор: Alexander Ruf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: CA3194243A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: EP4222772A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-08-09.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: WO2022070095A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: Ncx Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Methods for forming a field emission cathode

Номер патента: CA3199202A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-27.

Methods for forming a field emission cathode

Номер патента: EP4248479A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Methods for forming a field emission cathode

Номер патента: US20230420211A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Vacuum process treatment chamber and method of treating a substrate by means of a vacuum treatment process

Номер патента: US20220396864A1. Автор: Jürgen WEICHART. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2022-12-15.

Method of Fabricating a Metallic Pattern on a Substrate

Номер патента: GB2088412A. Автор: . Владелец: Memorex Corp. Дата публикации: 1982-06-09.

Plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20210115555A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2021-04-22.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: US20200080197A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-03-12.

A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication

Номер патента: EP3423610A1. Автор: Pekka J. Soininen,Mohammad Ameen,Vasil Vorsa. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2019-01-09.

Methods for forming carbon nanotube/metal composite films and field emission cathodes therefrom

Номер патента: US20230411103A1. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming a field emission cathode

Номер патента: US11929249B2. Автор: Cheng Qian. Владелец: NCX Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method for forming phosphor layers of plasma display panel

Номер патента: US6156141A. Автор: Yoshimi Shirakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-12-05.

Superconducting oxide wire and method for its manufacturing

Номер патента: RU2753187C1. Автор: Ватару ХИРАТА,Синдзи ФУДЗИТА. Владелец: Фудзикура Лтд.. Дата публикации: 2021-08-12.

Element, method for producing same and organic semiconductor laser diode

Номер патента: EP4066335A1. Автор: Chihaya Adachi,Fatima BENCHEIKH,Takashi Fujihara,Nobuhiro Takeishi,Ryutaro KOMATSU,Kento TAKAHASHI,Jean Charles Maurice RIBIERRE. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-05.

Plasma display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090149103A1. Автор: Cheol-hee Moon,Byung-Kwan Song,Jong-Sang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for forming a lithium-ion type battery

Номер патента: US9406970B2. Автор: Dominique Genard. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2016-08-02.

Positive electrode and method for manufacturing the same and lithium battery utilizing the same

Номер патента: US8178240B2. Автор: Fu-Ming Wang,Chang-Rung Yang,Chen-Chung Chen,Kuo Feng CHIU. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-05-15.

Method for producing multilayer coil component

Номер патента: US11955275B2. Автор: Shingo Hattori,Takashi Suzuki,Shinichi Kondo,Kosuke Ito,Hidenobu Umeda,Yuya ISHIMA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

A laser micromachining system for writing a pattern onto a substrate using laser micromachining and method

Номер патента: WO2015022333A3. Автор: Jacobus Lambertus Van Merksteijn. Владелец: Climate Invest B.V.. Дата публикации: 2015-04-16.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for fabricating a magneto-optic modulator

Номер патента: US6500498B1. Автор: Carol M. Ford,Randy J. Ramberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

A laser micromachining system for writing a pattern onto a substrate using laser micromachining and method

Номер патента: WO2015022333A2. Автор: Jacobus Lambertus Van Merksteijn. Владелец: Climate Invest B.V.. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabrication of ellipsoidal or semi-ellipsoidal semiconductor structures

Номер патента: US20210083453A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Philipp Staudinger,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for fabricating a permanent magnetic structure in a substrate

Номер патента: US20020124384A1. Автор: Svetlana Reznik,Edward Furlani,Bryan Beaman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-12.

Multi-laser pulse oscillation method and multi-laser pulse oscillation device using multi-q-switching

Номер патента: EP3955398A1. Автор: Chan Ho MAENG,Kil Sung SU. Владелец: Ltraglobal Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-16.

Multiple laser pulse oscillation method and apparatus using multiple-q switching

Номер патента: US20230134604A1. Автор: Chan Ho MAENG,Kil Sung SU. Владелец: Ltraglobal Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Long life-time field emitter for field emission device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050269928A1. Автор: Jeong-hee Lee,Tae-Won Jeong,Won-Seok Kim,Jae-Sang Ha,Byung-Yun Kong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Corrugated buried heterostructure laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378721A1. Автор: Omid SALEHZADEH EINABAD. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for detecting substrate position of charged particle beam photolithography apparatus and charged particle beam photolithography apparatus

Номер патента: US8237139B2. Автор: Yoshiro Yamanaka,Michihiro Kawaguchi,Kazuhiro Shiba,Kota Fujiwara. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-07.

Method for detecting substrate position of charged particle beam photolithography apparatus and charged particle beam photolithography apparatus

Номер патента: US20100290023A1. Автор: Yoshiro Yamanaka,Michihiro Kawaguchi,Kazuhiro Shiba,Kota Fujiwara. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods for directed irradiation synthesis with ion and thermal beams

Номер патента: US11814720B2. Автор: Jean Paul Allain,Osman J. El-Atwani,Juan Jose Pavon Palacio. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for fabricating film bulk acoustic resonator (fbar), fbar, and filter

Номер патента: US20240372519A1. Автор: KE Wu,Kahkeen Lai,Lieng Loo. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Mems device with membrane comprising laser structured nanostructures and method for manufacturing same

Номер патента: EP4408017A1. Автор: Hutomo Suryo Wasisto,Sebastian Anzinger,Fabian Streb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for selective deposition and devices

Номер патента: US20110120757A1. Автор: David H. Levy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for producing piezoelectric thin-film resonator

Номер патента: US8726475B2. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20060097823A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Piezoelectric thin-film resonator and method for producing the same

Номер патента: US20090000091A1. Автор: Ryuichi Kubo,Hidetoshi Fujii. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Display panel, method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US11917865B2. Автор: Qing Dai,Chengyuan Luo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for patterning semiconductor device having magnetic tunneling junction structure

Номер патента: US20100055804A1. Автор: Sang-Hoon Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Wound treatment patch using static electricity and method for fabricating the patch

Номер патента: US20220176112A1. Автор: Sangwoo Kim,Young Jun Kim,Woo Seok Kang,Hyoung Taek Kim,Byung Ok Choi,Min Ki KANG,Han Yup YUM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for manufacturing graphene thermoelectric device and graphene thermoelectric device manufactured thereby

Номер патента: US20240099136A1. Автор: Byoung Hun Lee,Hyeon Jun HWANG. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-03-21.

Phase change memory element and method for forming the same

Номер патента: US20090250691A1. Автор: Chen-Ming Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

System and method for skyrmion based logic device

Номер патента: US11800647B1. Автор: Venkat Mattela,Sanghamitra Debroy,Akshaykumar Salimath. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284658A1. Автор: Yong-Suk Tak,Seohee PARK,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for forming color filter

Номер патента: US7410822B2. Автор: Hsin-Ping Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-08-12.

Interface, device and method for realisation of communication between radio equipment control node and remote radio equipment node in base radiostation

Номер патента: RU2354080C2. Автор: Якоб ЭСТЕРЛИНГ,Клас СЬЕРЛИНГ,Франц ХАЙЗЕР,Армин ШПЛЕТТ,Ханс КРЕНЕР,Петер МЕРЦ,Вернер КОРТЕ,Патрик ЛАГРАНЖ,Эрик ЖОРЖО,Тосифуми САТО,Ян ГАНХУА,Линь ХАЙЦИН. Владелец: Нортель Нетворкс С.А.. Дата публикации: 2009-04-27.

Apparatus and method for recovering a time-varying signal using multiple sampling points

Номер патента: US5241545A. Автор: James C. Baker,Henry L. Kazecki. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-31.

Methods for improved polymer-copper adhesion

Номер патента: WO2022047141A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Prerna Goradia,Kyuil Cho,Giback Park,Chintan BUCH,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-03-03.

Organic light emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11956993B2. Автор: Kangju Lee,Wonhoe KOO,HanSun PARK,SeungRyong Joung,Seongsu JEON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for Improved Polymer-Copper Adhesion

Номер патента: US20220071023A1. Автор: Han-Wen Chen,Steven Verhaverbeke,Prerna Goradia,Kyuil Cho,Giback Park,Chintan BUCH,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for manufacturing organic EL device, organic EL device, and electronic apparatus

Номер патента: US6768258B2. Автор: Hidekazu Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-27.

Laminate having organic mask and method for manufacturing organic electroluminescent device using same

Номер патента: EP3016170A1. Автор: Minsoo Kang,Sehwan Son,Hyunsik Park. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Mask plate, method for manufacturing mask plate, and organic light-emitting device

Номер патента: US11917893B2. Автор: Peng Xu,Fengli JI,Jiangtao DENG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Optical lens structure, method for manufacturing the same, and display apparatus

Номер патента: US11860382B2. Автор: MING Yang,Han Yue,MINGHUA XUAN,CAN Wang,Xiaochuan Chen,Ning Cong,Can Zhang,Angran ZHANG,Jiao Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20190373737A1. Автор: Po-Hsuan Liao. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for evaluating solder joint portion

Номер патента: US20080240201A1. Автор: Hirofumi Koike,Wataru Yagi,Akikazu Matsumoto,Yoshiharu Hirose,Hisaaki Takao,Hiroaki KADOURA,Juntaro Seki,Takefumi Isogai. Владелец: Aisin Seiki Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for manufacturing piezoelectric bulk layers with tilted c-axis orientation

Номер патента: US11824511B2. Автор: Robert Kraft,John BELSICK,Derya Deniz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for manufacturing thermal dispersion layer in programmable metallization cell

Номер патента: US11800823B2. Автор: Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for manufacturing circuit board

Номер патента: US20200037455A1. Автор: Wen-Fang Liu,Po-Hsuan Liao. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for forming printed pattern comprising a large number of individual pattern elements on a substrate

Номер патента: JP2007531979A. Автор: イェー エム ルビング ヤン−エリック,ヘー エフ アー フェルベーク ロイ,ヘー イェー キャンプス イフォ,エフ ディクスマン ヨハン,セー ファン カステレン アドリアヌス. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for constructing a self-controlled electrical heating panel, has parallel conducting tracks on a substrate with temperature dependant interconnections to control current flow

Номер патента: DE19838115A1. Автор: Ingo Bleckmann. Владелец: Bleckmann Salzburg GmbH. Дата публикации: 2000-02-24.

Substrate and method for modifying at least one region of a surface or a portion of a substrate

Номер патента: US20230102394A1. Автор: Clemens Ottermann,Stefan WEIDLICH,Frederick Bachhuber. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12120962B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040766A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20240081041A1. Автор: Xiaojie Li,Daohuan FENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070020848A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method

Номер патента: US20020121498A1. Автор: Paul Bradley,Richard Ruby,John Larson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-05.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for manufacturing semiconductor structure having conductive block connected to transistor on the substrate

Номер патента: US12114481B2. Автор: Hai-Han Hung,Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating semiconductor structure and structure of static random access memory

Номер патента: US20090242997A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Cheng-Hsien Chou,Chien-Ming Lai,Chih-Hao Yu,Li-Wei Cheng,Tian-Fu Chiang,Che-Hua Hsu,Guang-Hwa Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for fabricating a memory cell

Номер патента: US20050191806A1. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating a deep trench capacitor of dram device

Номер патента: US20050277242A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4148791A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for fabricating a load in a static random access memory

Номер патента: US6083786A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method for manufacturing a semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12127390B2. Автор: Dawei Feng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating a patterned core for a light guide plate

Номер патента: US20040248049A1. Автор: Kun-Jung Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Methods for fabricating fluid injection devices

Номер патента: US20060258138A1. Автор: Hung-Sheng Hu,Wei-Lin Chen,Tsung-Ping Hsu,Der-Rong Shyn. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Medical implant component and method for fabricating same

Номер патента: WO2009082482A1. Автор: BALAJI Prabhu,Haitong Zeng,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: HOWMEDICA OSTEONICS CORP.. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for producing rebaudioside j using an enzymatic method

Номер патента: RU2736352C1. Автор: Гоцин Ли,Алекс ТАО,Вэнься ВАНГ,Лэйлэй ЧЖЭН,Чуньлэй ЧЖУ,Сяолян ЛЯН,Куйкию ЧАНЬ. Владелец: Пепсико, Инк.. Дата публикации: 2020-11-16.

Method for producting cell aggregate

Номер патента: EP4108761A1. Автор: Kohei Suzuki,Ryosuke Iwai,Yoshiomi Hiroi. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Powder mix and method for making structural panel

Номер патента: RU2595712C2. Автор: Ханс ПЕРССОН,Йеран ЗИЕГЛЕР,Рикард РИТТИНГЕ. Владелец: Велинге Инновейшн Аб. Дата публикации: 2016-08-27.

Method for producing a decorative panel comprising the application of a film to a substrate by means of electrostatic charging

Номер патента: US20230347684A1. Автор: Hans-Jürgen HANNIG,Peter Wendling. Владелец: Akzenta Paneele and Profile GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing laminated structure and method for manufacturing liquid ejection head substrate

Номер патента: US12090739B2. Автор: Koji Sasaki,Kouji Hasegawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Gas processing device and method for assembling the same, system and method for treating gas

Номер патента: RU2649003C2. Автор: Филипп ПЕТИ,Пьер-Жан ВЬЯЛЛЕ,Алина МАЧУКА,Катрин БАТИО-ДЮПЕЙРА,Жан-Мишель ТАТИ-БУЭ,Эймен Амин АССАДИ,Абделькрим БУЗАЗА,Доминик ВОЛЬБЕРТ. Владелец: Эколь Насьональ Сюперьёр Де Шими Де Ренн. Дата публикации: 2018-03-29.

Devices and methods for thermally isolating chambers of an assay card

Номер патента: WO2009079052A3. Автор: Aldrich N K Lau,Umberto Ulmanella,Carol Schembri,David M Liu,Ian A Harding,Joon Mo Yang,Maryam Shariati,Yuh-Min Chiang,Nigel P Beard,James C Nurse,Douwe D Haga,Julio P Focaracci. Владелец: Julio P Focaracci. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for manufacturing titanium dioxide semiconductor

Номер патента: US20240059578A1. Автор: Yoshikazu Endo,Hiroshi Kominami,Ryota Tanaka,Shinya Tsukada,Takahiro Ikejiri. Владелец: Shiken Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing titanium oxide semiconductor

Номер патента: EP4279178A1. Автор: Yoshikazu Endo,Hiroshi Kominami,Ryota Tanaka,Shinya Tsukada,Takahiro Ikejiri. Владелец: Shiken Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Photo-thermal targeted treatment and safety system and associated methods for efficacy, consistency, and pain minimization

Номер патента: US20240225731A1. Автор: Henrik Hofvander,Michael John Estes,Aubrey Jean ECK. Владелец: Accure Acne Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Illuminated Vehicle Panel and Method for Manufacturing an Illuminated Vehicle Panel

Номер патента: US20210178962A1. Автор: John C. Beckman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for liquid precursor atomization

Номер патента: US20130064976A1. Автор: Benjamin Y.H. Liu. Владелец: MSP Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Coating composition comprising a sustainable pigment and method of coating a substrate using the same

Номер патента: US20240294784A1. Автор: Zhao Liu,Simon WINZEN,Stefanie SCHWEINS,Jens-Henning RUEMPEL,Meng Yun ZHU. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2024-09-05.

Master base for fabrication and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060035472A1. Автор: Kazuhiro Shinoda,Moriaki Abe,Jumi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Master base for fabrication and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030122143A1. Автор: Kazuhiro Shinoda,Moriaki Abe,Jumi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Master base for fabrication and method for manufacturing the same

Номер патента: US6979527B2. Автор: Kazuhiro Shinoda,Moriaki Abe,Jumi Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-12-27.

Touch panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160224153A1. Автор: Sung Ku Kang,Joo-Han Bae,Yun Ha Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for forming film pattern

Номер патента: US20090181331A1. Автор: Masahiro Terada,Shosei Mori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Coated substrate for lighting appliances, and a method for the production of such a material

Номер патента: WO1999013013A1. Автор: Steve Taylor,Merete Hallenstvet,Cornelis Spooren. Владелец: NORSK HYDRO ASA. Дата публикации: 1999-03-18.

METHOD FOR PRODUCING SiC/SiC COMPOSITE MATERIAL

Номер патента: US20200377419A1. Автор: Hideo Kato,Takashi Takagi,Akihide Kawaguchi,Yuki Hokazono,Syuichi KUBO. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Laser-based method for growing an array of carbon nanotubes

Номер патента: US20140363586A1. Автор: Kai-Li Jiang,Shou-Shan Fan,Zhuo Chen,Chun-Xiang Luo. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for making semiconducting carbon nanotubes

Номер патента: US20110305625A1. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Xue-Shen Wang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method For Making A Laminated Chip And Method For Aligning a Lithographic Mask

Номер патента: US20110263122A1. Автор: Chi-Chi Huang. Владелец: MAX ECHO Tech CORP. Дата публикации: 2011-10-27.

Method for making a laminated chip and method for aligning a lithographic mask

Номер патента: US8541148B2. Автор: Chi-Chi Huang. Владелец: MAX ECHO Tech CORP. Дата публикации: 2013-09-24.

Method for producing oxide

Номер патента: US20160159722A1. Автор: Ichiro Takase,Yasutaka Ishii,Takamasa Suzuki,Yoshiya HARASAKI. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Device and method for laser-assisted processing of bodies or surfaces

Номер патента: US20190193204A1. Автор: Ruth Houbertz,Alexander KRUPP,Benedikt STENDER. Владелец: Multiphoton Optics GmbH. Дата публикации: 2019-06-27.

Thermal isolation of reaction sites on a substrate

Номер патента: EP3344394A1. Автор: Janusz Wojtowicz. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Coating composition and method for determining the uniformity and thickness of a no-rinse silane pretreatment

Номер патента: US20170240750A1. Автор: Lesley Hwang. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Enzymatic method for preparing rebaudioside j

Номер патента: US20240287567A1. Автор: Guoqing Li,Chunlei Zhu,Xiaoliang LIANG,Alex TAO,Wenxia WANG,Leilei ZHENG,Kuikiu CHAN. Владелец: Pepsico Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for preserving precision edges using diamond-like nanocomposite film

Номер патента: EP1007351A1. Автор: Arvind Goel,Donald J. Bray. Владелец: Advanced Refractory Technologies Inc. Дата публикации: 2000-06-14.

Method for preserving precision edges using diamond-like nanocomposite film

Номер патента: EP1007351A4. Автор: Arvind Goel,Donald J Bray. Владелец: Advanced Refractory Technologies Inc. Дата публикации: 2000-06-14.

Printable media and method for its preparation by ink-jet printing

Номер патента: WO2000046035A9. Автор: Ajay Shah,Patrice Aurenty. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Printable media and method for its' preparation by ink-jet printing

Номер патента: EP1152901A1. Автор: Ajay Shah. Владелец: Kodak Graphics Holding Inc. Дата публикации: 2001-11-14.

Printable media and method for its preparation by ink-jet printing

Номер патента: WO2000046034A1. Автор: Ken-ichi Shimazu,Ajay Shah,Patrice M. Aurenty. Владелец: Kodak Polychrome Graphics Llc. Дата публикации: 2000-08-10.

Method for producing a recyclable and easily tearable multi-layer plastic having a good barrier effect

Номер патента: US20240359443A1. Автор: Achim Grefenstein,Markus Kick,Thami LAMTIGUI. Владелец: Constantia Pirk GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure comprising diamond coating film, and method for manufacturing same

Номер патента: EP4438556A1. Автор: Taro Yoshikawa. Владелец: Daicel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Epitaxial diamond layer and method for the production thereof

Номер патента: US09988737B2. Автор: Christoph E Nebel,Claudia Widmann. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2018-06-05.

Semi-continuous vapor grown carbon fiber, method for fabricating the same and applications thereof

Номер патента: US20080248301A1. Автор: Jyh-Ming Ting. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2008-10-09.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Номер патента: AU2023224380A1. Автор: Patrick Veya,Herve PITTET,Mélissa BERSIER. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating nanometer-scale structure

Номер патента: US7476418B2. Автор: Yoshiharu Shirakawabe,Masatoshi Yasutake,Takashi Kaito,Itaru Kitajima. Владелец: SII NanoTechnology Inc. Дата публикации: 2009-01-13.

Methods for forming metal fluoride film and for manufacturing optical device

Номер патента: US20120318663A1. Автор: Hideo Akiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Method for improving catalytic activity

Номер патента: US20180345266A1. Автор: Chuan Zhao. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Methods for bonding optical fibers to wafers

Номер патента: WO1990012762A1. Автор: Nicholas I. Djeu. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 1990-11-01.

Method for producing recycled carrier, method for producing recycled electrostatic charge image developer, image forming method, and recycled carrier

Номер патента: US12117769B2. Автор: Takeshi Tanabe,Yosuke Tsurumi,Shintaro ANNO. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for conducting a laundry business to clean low glass transition temperature fabrics

Номер патента: WO2001094677A3. Автор: Dennis Stephen Murphy,Robert Joseph Ahart,David Alan Binder. Владелец: Lever Hindustan Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for conducting a laundry business to clean low glass transition temperature fabrics

Номер патента: EP1287195A2. Автор: Dennis Stephen Unilever Research US Inc MURPHY,David Alan Unilever Research US Inc BINDER,Robert Joseph Unilever Research U.S. Inc AHART. Владелец: Unilever NV. Дата публикации: 2003-03-05.

Method for conducting a laundry business to clean low glass transition temperature fabrics

Номер патента: WO2001094677A2. Автор: Dennis Stephen Murphy,Robert Joseph Ahart,David Alan Binder. Владелец: Hindustan Lever Ltd. Дата публикации: 2001-12-13.

Light-controlling element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050104049A1. Автор: Masahiro Moriyama,Hiroaki Tsutsui,Ryojiro Akashi,Akinori Komura. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for manufacturing of optical filter based on graphene

Номер патента: RU2724229C1. Автор: Дмитрий Владимирович Смовж,Павел Евгеньевич Маточкин,Илья Алексеевич Костогруд,Евгений Викторович Бойко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе Сибирского отделения Российской академии наук (ИТ СО РАН). Дата публикации: 2020-06-22.

System and method for producing un-hydrogenated and hydrogenated C9+ compounds

Номер патента: AU2020314880A1. Автор: Shehzada Khurram,Ernesto UEHARA. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2022-01-27.

Methods for obtaining bioplastics and bioproducts from manure

Номер патента: RU2750146C2. Автор: Джалила ЭССАИДИ. Владелец: Джалила ЭССАИДИ. Дата публикации: 2021-06-22.

System for applying at least two kinds of liquid onto respective targeted areas of a substrate and method therefor

Номер патента: EP3609364A1. Автор: Gaurav Agarwal,Hiroyuki Ogata. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-02-19.

System for applying at least two kinds of liquid onto respective targeted areas of a substrate and method therefor

Номер патента: US20200015573A1. Автор: Gaurav Agarwal,Hiroyuki Ogata. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-01-16.

Master substratus and methods for mastering

Номер патента: WO2006072857A3. Автор: Erwin R Meinders,Hinke S P Bouwmans. Владелец: Hinke S P Bouwmans. Дата публикации: 2006-10-05.

Master substratus and methods for mastering

Номер патента: WO2006072857A2. Автор: Erwin R. Meinders,Hinke S. P. Bouwmans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-07-13.

Master substratus and methods for mastering

Номер патента: EP1836702A2. Автор: Erwin R. Meinders,Hinke S. P. Bouwmans. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-09-26.

Lignin-degrading catalyst, method for manufacturing same, method for degrading lignin, and method for regenerating lignin-degrading catalyst

Номер патента: EP4275791A1. Автор: Akihiro Yoshida,Takao Masuda,Tomonori Sonoki,Takuya Yoshikawa,Guoqing Guan,Kurnia IRWAN,Abuliti ABUDULA. Владелец: Hirosaki University NUC. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for separation of isotopes

Номер патента: WO2004004871A1. Автор: Dag Øistein ERIKSEN,Bruno Ceccaroli. Владелец: Scatec AS. Дата публикации: 2004-01-15.

A method for manufacturing an ink jet head, and an ink jet head

Номер патента: CA2179239C. Автор: Norio Ohkuma,Genji Inada. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-11-18.

Microstructure and method for manufacturing same

Номер патента: US11673797B2. Автор: Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Utechnology Research Institute. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for preparing electrowetting display support plate

Номер патента: US20200004009A1. Автор: Hao Wu,Fahong Li,Guofu Zhou,Yingying DOU. Владелец: Academy of Shenzhen Guohua Optoelectronics. Дата публикации: 2020-01-02.

Fourier lens, method for designing fourier lens, and schlieren apparatus

Номер патента: US20190041552A1. Автор: HUA CHENG,Shuqi Chen,Wenwei LIU,Jianguo TIAN. Владелец: Nankai University. Дата публикации: 2019-02-07.

Biochip and Method for Forming the Same

Номер патента: US20100048420A1. Автор: Cheng-Hao Chang,Chih-Yu Hu,Yaw-Jen Chang. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-02-25.

Method for selective deposition of diamond coatings

Номер патента: US20240043991A1. Автор: Olaf Dietrich,Dirk Breidt. Владелец: Oerlikon Surface Solutions AG Pfaeffikon. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for increasing heat removal on convex heat-release surfaces of thermal transmission devices and device for its implementation

Номер патента: RU2680175C2. Автор: Эдуард Алексеевич Болтенко. Владелец: Эдуард Алексеевич Болтенко. Дата публикации: 2019-02-18.

Planar reflective light valve backplane and method for manufacturing the same

Номер патента: AU2382400A. Автор: Jacob Daniel Haskell,Rong Hsu. Владелец: Aurora Systems Inc. Дата публикации: 2000-07-12.

Material and method for forming pressure transferable graphics

Номер патента: US4374691A. Автор: Jan D. Vanden Bergh. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1983-02-22.

Method for treating a fluid using a self-organized network adsorbed on a surface

Номер патента: US20100012587A1. Автор: Fabrice Charra,Celine Fiorini,Ludovic Douillard,Andre-Jean Attias,Fabrice Mathevet,David Kreher,Guillaume Schull. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20230258860A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Array-based capacitance sensor device and methods for the detection of applied streams of water or other extinguishants

Номер патента: EP4185943A1. Автор: Brian P. Bradley. Владелец: Lion Group Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Method for compensating for quadrature

Номер патента: US8479555B2. Автор: Johannes Classen,Christoph Gauger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-07-09.

Kit and method for constructing a raceway pond for cultivating algae

Номер патента: WO2023037363A1. Автор: Baruch DACH,Lior SHAUDER. Владелец: Algaecore Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing a superhydrophobic surface, surface so obtained and use of it

Номер патента: EP2906362A1. Автор: Nicolas Boscher,Patrick Choquet,David Duday,Stephane Verdier. Владелец: Eurofoil Luxembourg SA. Дата публикации: 2015-08-19.

Method for manufacturing modular microfluidic paper chips using inkjet printing

Номер патента: US20150110689A1. Автор: Han-su Kim,Hyo Jin Ko,Kwan Woo Shin,Byeong No Lee,Jae Hak Choi,Ju Mi LEE,Oh-Sun Kwon. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2015-04-23.

Method for treating a fluid using a self-organized network adsorbed on a surface

Номер патента: US8377306B2. Автор: Fabrice Charra,Celine Fiorini,Ludovic Douillard,Andre-Jean Attias,Fabrice Mathevet,David Kreher,Guillaume Schull. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US11953720B2. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Array-based capacitance sensor device and methods for the detection of applied streams of water or other extinguishants

Номер патента: US20220023692A1. Автор: Brian P. Bradley. Владелец: Lion Group Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for compensating for quadrature

Номер патента: US20110153251A1. Автор: Johannes Classen,Christoph Gauger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-23.

Illuminated Vehicle Panel and Method for Manufacturing an Illuminated Vehicle Panel

Номер патента: US20220055532A1. Автор: John C. Beckman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for improving the adhesion of a protective layer against tarnishing of silver on a substrate comprising a silver-plated surface

Номер патента: EP3626854A1. Автор: Christian Manasterski,Vladislav Spassov,Cédric Faure. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2020-03-25.

Method for producing laminates

Номер патента: US3725172A. Автор: D Thrash,F Fekete,L Pulman. Владелец: Koppers Co Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Method for performing operations on a memory cell

Номер патента: US20090135653A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-28.

Enzymatic method for preparing Rebaudioside J

Номер патента: US11952604B2. Автор: Guoqing Li,Chunlei Zhu,Xiaoliang LIANG,Alex TAO,Wenxia WANG,Leilei ZHENG,Kuikiu CHAN. Владелец: Pepsico Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Plastic optical fiber, plastic optical fiber preform and method for manufacturing preform

Номер патента: US20050117869A1. Автор: Jae-ho Lee,Sung-Koog Oh,Seung-Hui Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-02.

System and method for determining a refractive index of a medium

Номер патента: EP3918307A1. Автор: Real Vallee,Pierre Marquet,Erik Belanger,Bertrand DE DORLODOT. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2021-12-08.

System and method for determining a refractive index of a medium

Номер патента: CA3127700A1. Автор: Real Vallee,Pierre Marquet,Erik Belanger,Bertrand DE DORLODOT. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for forming multilayer coating film

Номер патента: US20180104718A1. Автор: Keisuke Kojima,Kohei Onishi,Takashi Nakayabu,Masuo Kondo,Kazushi Konishi. Владелец: Kansai Paint Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-19.

Thermal Isolation of Reaction Sites on a Substrate

Номер патента: US20190022657A1. Автор: Janusz Wojtowicz. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for manufacturing a doormat

Номер патента: US7276133B2. Автор: Hui Li Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for manufacturing bolometer

Номер патента: US20230408340A1. Автор: Mayumi Kosaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing a working electrode of electrochemical sensor and product thereof

Номер патента: US20200003721A1. Автор: Hsin-Chuan Tsai,Hsueh-Chuan Liao. Владелец: Phoenix Silicon International Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for manufacturing porous carbon surface with improved superhydrophobicity and durability

Номер патента: US20240033777A1. Автор: Tae Chang AN,Do Yeon IM. Владелец: Andong National University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-02-01.

Method and device for fabricating a release structure to facilitate bonding of mirror devices onto a substrate

Номер патента: US20060274399A1. Автор: XIAO YANG. Владелец: Miradia Inc. Дата публикации: 2006-12-07.

Method and device for fabricating a release structure to facilitate bonding of mirror devices onto a substrate

Номер патента: US7202989B2. Автор: XIAO YANG. Владелец: Miradia Inc. Дата публикации: 2007-04-10.

CHEMICAL AMPLIFICATION TYPE POSITIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, A PHOTOSENSITIVE DRY FILM, A METHOD FOR PRODUCING A PHOTOSENSITIVE DRY FILM, A METHOD FOR PRODUCING A PATTERNED RESIST FILM, A METHOD OF MANUFACTURING A TEMPLATE WITH A SUBSTRATE, AND A METHOD OF MANUFACTURING A PLATED SHAPED PRODUCT, AND A MERCAPTO COMPOUND

Номер патента: US20190101825A1. Автор: Kawaue Akiya,Kuroiwa Yasushi,Katayama Shota,EBISAWA Kazuaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

Method for the production of ivermectin

Номер патента: CA2269943C. Автор: Dieter Arlt,Gerhard Bonse. Владелец: Bayer AG. Дата публикации: 2006-12-12.

Chemical amplification type positive photosensitive resin composition, a photosensitive dry film, a method for producing a photosensitive dry film, a method for producing a patterned resist film, a method of manufacturing a template with a substrate, and a method of manufacturing a plated shaped product, and a Mercapto compound

Номер патента: US11061326B2. Автор: Akiya Kawaue,Shota Katayama,Yasushi Kuroiwa,Kazuaki EBISAWA. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Номер патента: CA3213790A1. Автор: Patrick Veya,Thibaut Martini,Herve PITTET,Riccardo RUGGERONE,Jean Garnier. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2022-10-06.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles

Номер патента: US20230364639A1. Автор: Patrick Veya,Thibaut Martini,Herve PITTET,Riccardo RUGGERONE,Jean Garnier. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2023-11-16.

Frame Curing Method for Extrusion Control

Номер патента: US20200379342A1. Автор: Edward Brian Fletcher,Mehul N. Patel,Amir Tavakkoli Kermani Ghariehali. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for executing a quantum error correction cycle in a quantum computer

Номер патента: EP3520039A1. Автор: Richard Versluis,Stefano Poletto,Leonardo DICARLO. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-08-07.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Номер патента: WO2024028408A1. Автор: Patrick Veya,Herve PITTET. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fixing a print good in a printing system

Номер патента: US20220242143A1. Автор: Bernhard Hochwind,Alfred Zollner,Georg Landmesser. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Номер патента: EP4313430A1. Автор: Patrick Veya,Thibaut Martini,Herve PITTET,Riccardo RUGGERONE,Jean Garnier. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for rule-based retargeting of target pattern

Номер патента: US20240126183A1. Автор: Ayman Hamouda. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for improving catalytic activity

Номер патента: EP3384070A1. Автор: Chuan Zhao. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LTD. Дата публикации: 2018-10-10.

Method for improving catalytic activity

Номер патента: WO2017091858A1. Автор: Chuan Zhao. Владелец: NEWSOUTH INNOVATIONS PTY LIMITED. Дата публикации: 2017-06-08.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles and exhibiting one or more indicia

Номер патента: AU2022246972A1. Автор: Patrick Veya,Thibaut Martini,Herve PITTET,Riccardo RUGGERONE,Jean Garnier. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for executing a quantum error correction cycle in a quantum computer

Номер патента: WO2018062991A8. Автор: Richard Versluis,Stefano Poletto,Leonardo DICARLO. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-04-04.

Method for executing a quantum error correction cycle in a quantum computer

Номер патента: US11194659B2. Автор: Richard Versluis,Stefano Poletto,Leonardo DICARLO. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-12-07.

Method for fixing a print good in a printing system

Номер патента: US11878512B2. Автор: Bernhard Hochwind,Alfred Zollner,Georg Landmesser. Владелец: Canon Production Printing Holding BV. Дата публикации: 2024-01-23.

METHOD FOR DETERMINING THE WEIGHT AND THICKNESS OF A PASSIVATION OR CONVERSION COATING ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20150377608A1. Автор: Kumar Vikram,Hwang Lesley,Bizati Kujtim. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Plate-shaped pigment containing metal oxide, method for producing same, and use thereof as an effect pigment and/or as a substrate for effect pigments

Номер патента: WO2012113886A1. Автор: Günter KAUPP,Michael GRÜNER,Dirk Schumacher. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2012-08-30.

Plate-shaped pigment containing metal oxide, method for producing same, and use thereof as an effect pigment and/or as a substrate for effect pigments

Номер патента: EP2678393A1. Автор: Günter KAUPP,Michael GRÜNER,Dirk Schumacher. Владелец: ECKART GMBH. Дата публикации: 2014-01-01.

Method for evaluating the quality of a printed image produced in multicolor printing on a substrate

Номер патента: DE19703129B4. Автор: Manfred Schneider,Nikolaus Pfeiffer,Gerhard Löffler. Владелец: HEIDELBERGER DRUCKMASCHINEN AG. Дата публикации: 2014-08-21.

METHOD FOR TRANSFERRING A SWIPE OF AN ORGANIC LIQUID SAMPLE TO BE EXAMINED FROM A SUBSTRATE TO A CARRIER.

Номер патента: NL179234B. Автор: . Владелец: Technicon Instr. Дата публикации: 1986-03-03.

Printing apparatus and printing method for transferring a printing substance from an endlessly circulating printing substance carrier to a substrate

Номер патента: DE102017110040A1. Автор: Ulrich Kalusa,Marc Hüske. Владелец: LPKF SolarQuipment GmbH. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for preparaing high density titania nanotubes and nanowires that are selp-arrayed on a substrate

Номер патента: KR100849220B1. Автор: 임재훈,최진섭,장정호,김경자. Владелец: 요업기술원. Дата публикации: 2008-07-31.

Method for determining the end point of a planarization process and device for planarizing a substrate

Номер патента: DE102004010839B4. Автор: Alexander Simpson,Andreas Roemer,Olaf Kuehn,Dr. Lahnor Peter. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-01-10.

METHOD FOR FORMING LOCALIZED DEPOSITION AND DEFINED FORM OF MATERIAL AT THE SURFACE OF A SUBSTRATE

Номер патента: FR2960799A1. Автор: Guillaume Nonglaton,Severine Vignoud. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2011-12-09.

Method for determining correction values for measured values of the position of structures on a substrate

Номер патента: DE102007033619B4. Автор: Wolfgang Fricke,Linda Gundal. Владелец: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2009-12-24.

Method for determining the distance p of an edge of a structural element on a substrate

Номер патента: EP1002217B1. Автор: Klaus Rinn. Владелец: VISTEC SEMICONDUCTOR SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2005-06-08.

System and method for preparing polymer-grade ethylene and polymer-grade propylene by separating pyrolysis gas

Номер патента: CN114685229A. Автор: 王鑫泉,时海涛. Владелец: Sinopec Engineering Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

System and method for preparing polymer-grade ethylene and polymer-grade propylene by separating pyrolysis gas

Номер патента: CN114685232A. Автор: 王鑫泉,时海涛. Владелец: Sinopec Engineering Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-01.

Apparatus, system and method for fastening a screen on a gyratory sifter

Номер патента: CA3022301C. Автор: Mark Heitfeld,Christopher MERANDA. Владелец: MI LLC. Дата публикации: 2021-08-10.

Method for producing recycled carrier, method for producing recycled electrostatic charge image developer, image forming method, and recycled carrier

Номер патента: US20220308490A1. Автор: Takeshi Tanabe,Yosuke Tsurumi,Shintaro ANNO. Владелец: FUJIFILM BUSINESS INNOVATION CORP. Дата публикации: 2022-09-29.

Plasma Deposition Method For Catechol/Quinone Functionalised Layers

Номер патента: US20170297055A1. Автор: Christophe DÈTREMBLEUR,Nicolas Boscher,Patrick Choquet,Christelle Vreuls,Cécile VANDEWEERDT,Rodolphe MAUCHAUFFE,Maryline MORENO-COURANJOU. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for manufacturing impact sound insulation materials based on styrenic polymer, styreic polymer foam molding manufactured by the method and floating floor structure using the styreic polymer foam molding

Номер патента: KR100609838B1. Автор: 박정부. Владелец: 박정부. Дата публикации: 2006-08-08.

Device, system, and method for optical in-vivo analysis

Номер патента: WO2006070367A3. Автор: Gavriel J Iddan. Владелец: Gavriel J Iddan. Дата публикации: 2007-03-01.

A Method for the Production of Homogeneous Metal

Номер патента: GB1192898A. Автор: Jaroslav Jech,Antonin Danihelka,Oldrich Bohus. Владелец: VYZKUMNY USTAV HUTNICTVI ZELEZA. Дата публикации: 1970-05-20.

Device, System, and Method for Optical In-Vivo Analysis

Номер патента: US20080119740A1. Автор: Gavriel J. Iddan. Владелец: GIVEN IMAGING LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Method and apparatus for modifying a substrate

Номер патента: US20240253157A1. Автор: Richard Laming,Nicholas D. Psaila. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100240198A1. Автор: Mitsunori Yokoyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Printing periodic patterns using multiple lasers

Номер патента: WO2012164539A4. Автор: Francis Clube,Harun Solak,Christian Dais. Владелец: EULITHA A.G.. Дата публикации: 2013-01-24.

Systems and methods for drilling vias in transparent materials

Номер патента: US12070819B2. Автор: Hisashi Matsumoto,Zhibin LIN,Jan Kleinert. Владелец: Electro Scientific Industries Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

System and method for manufacturing protruding features on a substrate

Номер патента: US20230321756A1. Автор: Riley George Gankoski. Владелец: Ohio Gratings Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Acrylic polymers, cured film-forming compositions obtained therefrom and method for reducing accumulation of dirt on substrate

Номер патента: RU2655786C1. Автор: Ноэль Р. ВАНЬЕР,Деннис А. СИМПСОН,Шанти СВАРУП,Сянлин СЮЙ,Марк Е. ЭНДЛИШ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2018-05-30.

Hub-mounted optical disk, method for fabrication optical disk, and injection molding die for manufacturing optical disk substrate

Номер патента: WO2005038807A1. Автор: Du-Seop Yoon,Han-Kook Choi,Myong-do Ro,Dong-Seob Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2005-04-28.

Apparatus and method for vacuum skin packaging of a product and a skin packaged product

Номер патента: RU2663067C2. Автор: Риккардо ПАЛУМБО. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2018-08-01.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US7180144B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for fabricating a blazed grating

Номер патента: US20240241296A1. Автор: Ismo Vartiainen. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-07-18.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US6949396B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2005-09-27.

Optical system, laser spot position determination process, and calibration process for deterministically shaping substrates using laser pulses

Номер патента: US20240359267A1. Автор: Brandon Chalifoux,Ian Arnold,Kevin LAVERTY. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-10-31.

Micromachined silicon probe card for semiconductor dice and method of fabrication

Номер патента: US6072321A. Автор: Salman Akram,David R. Hembree,Alan G. Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-06.

Method for fabricating active devices on a thin membrane structure using porous silicon or porous silicon carbide

Номер патента: US5604144A. Автор: Anthony D. Kurtz. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 1997-02-18.

Wafer-Level Hybrid Compound Lens And Method For Fabricating Same

Номер патента: US20170123190A1. Автор: Wei-Ping Chen,Tsung-Wei Wan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Dermal heatsink exhibiting hydrophilic and contaminant resistant properties and method for fabricating a dermal heatsink

Номер патента: US20230329383A1. Автор: Gustavo Cadena Schlam,Michel Romero Flores. Владелец: Omius Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Dermal heatsink exhibiting hydrophilic and contaminant resistant properties and method for fabricating a dermal heatsink

Номер патента: US20210177081A1. Автор: Gustavo Cadena Schlam,Michel Romero Flores. Владелец: Omius Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for determining adhesion strength of coatings to substrate

Номер патента: RU2635335C1. Автор: Александр Иванович Максимов,Вячеслав Алексеевич Мошников,Наталья Алексеевна Лашкова,Прохор Анатольевич Алексеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)" (СПбГЭТУ "ЛЭТИ"). Дата публикации: 2017-11-10.

Method for fabricating micro-lens

Номер патента: WO2009084852A3. Автор: Ki Soo Chang,Yong Tak Lee,Young Min Song,Bong Kyu Jeong. Владелец: Bong Kyu Jeong. Дата публикации: 2009-08-20.

Substrate structures, liquid crystal display devices and methods for fabricating liquid crystal display devices

Номер патента: US7528916B2. Автор: Chung-Hao Chen,Yi-An Sha,Cheng-Hsi Hsieh,Shur-Yir Fuh. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-05.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Glass substrate having a grooved portion, method for fabricating the same, and press mold for fabricating the glass substrate

Номер патента: US20060022349A1. Автор: Takeshi Shimazaki,Hiroshi Wakatsuki,Masatoshi Ohyama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Selective metamaterial absorber and method for fabricating the same

Номер патента: US20230330631A1. Автор: Liping Wang,Sydney Taylor,Jui-Yung Chang. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for fabricating broadband near infrared plasmonic waveguide

Номер патента: US20190187368A1. Автор: Hyoung Uk Kim,Seok Joon Kwon,Il Ki Han,Kwan Il Lee,Seonju YEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-06-20.

Methods for nondestructive measurements of thickness of underlying layers

Номер патента: US20200208964A1. Автор: Yu-Sin Yang,Jong-An Kim,Young-Hoon Sohn,Chi-Hoon Lee,Duck-mahn OH,Si-hyeon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Method for germination of seeds of crops

Номер патента: RU2704850C1. Автор: Ирина Валерьевна Стручкова,Наталья Сергеевна Мшенская,Андрей Юрьевич Шишкин,Анна Андреевна Лисина,Анастасия Андреевна Мусатова,Алёна Евгеньевна Макарова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2019-10-31.

Method for controlling the curing degree of at least one at least partially cured ink and/or varnish printed on a substrate

Номер патента: US20210229417A1. Автор: Taner Bicer,Christian Kaindl,Alexander BLASEK,Carina SOETEBIER. Владелец: HUBERGROUP DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for controlling the curing degree of at least one at least partially cured ink and/or varnish printed on a substrate

Номер патента: EP3737931A1. Автор: Taner Bicer,Christian Kaindl,Carina Sotebier,Alexander BLASEK. Владелец: HUBERGROUP DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2020-11-18.

Systems and methods for fabricating ring structures

Номер патента: WO2024118455A1. Автор: Maximilian Joachim Gustav Breitwieser. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for fabricating three-dimensional lipid structure arrays and three-dimensional lipid structure arrays fabricated by the same

Номер патента: US20190064175A1. Автор: Tae Song Kim,Rhokyun KWAK,Won Bae Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and apparatus for fabricating waveguides and waveguides fabricated therefrom

Номер патента: EP1540392A1. Автор: Ernest Wayne Balch,Min-Yi Shih,Leonard Richard Douglas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-06-15.

Apparatus and method for fabricating layered periodic media

Номер патента: US20020196399A1. Автор: Victor Kopp,Peter Shibayev. Владелец: Chiral Photonics Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for manufacturing multilayer information recording medium

Номер патента: US20110223345A1. Автор: Yuuko Tomekawa,Morio Tomiyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Humidity sensor and a method for fabricating the same

Номер патента: MY173650A. Автор: NABIPOOR Mohsen,Bien Chia Sheng Daniel,Aishah Mohamad Badaruddin Siti,Ramdzan Buyong Muhamad,Mohd Saman Rahimah,Ghani Othaman Abdul,Binti Mohd Zain Azlina. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240286889A1. Автор: Jung-Kuo Tu,Ching-Kai Shen,Yi-Chuan Teng,Wei-Cheng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Decoration film, decoration device and method for fabricating decoration film

Номер патента: US20120003489A1. Автор: Kuo-Liang Ying. Владелец: Sipix Chemical Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for configuring the laser pulse parameters related to the energy

Номер патента: RU2664157C2. Автор: Олаф КИТТЕЛЬМАНН,Клаус ФОГЛЕР,Кристоф ДОНИТЦКИ,Маттиас ФЕЗЕЛЬ. Владелец: Уэйвлайт Гмбх. Дата публикации: 2018-08-15.

Method for manufacturing a tag for a textile

Номер патента: EP4162398A1. Автор: Julien Buros,Luca Cerea. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for manufacturing a tag for a textile

Номер патента: WO2021245567A1. Автор: Julien Buros,Luca Cerea. Владелец: DATAMARS SA. Дата публикации: 2021-12-09.

Color filter, method for fabricating same, and display panel

Номер патента: US20240192542A1. Автор: Hailong Wen,Yuxiu Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods for using a square-shaped pulse signal to increase a rate of processing a substrate

Номер патента: WO2024129545A1. Автор: Bing Ji,John P. Holland,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK,Alexei M. Marakhtanov. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-06-20.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Photo-thermal targeted treatment and safety system and associated methods for efficacy, consistency, and pain minimization

Номер патента: WO2024196714A2. Автор: Henrik Hofvander,Michael John Estes,Aubrey Jean ECK. Владелец: Accure Acne, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Biointegrated composite and method for coating formation on medical devices with use of biointegrated composite

Номер патента: RU2535067C1. Автор: Вячеслав Васильевич Анников,Дмитрий Александрович Заярский,Ольга Викторовна Нечаева,Александр Владимирович Красников,Владимир Владимирович Деревянченко,Дарья Дмитриевна Морозова,Вячеслав Алесеевич Журвиков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный аграрный университет имени Н.И. Вавилова". Дата публикации: 2014-12-10.

Chemical mechanical polishing aqueous dispersion, polishing method for chemical mechanical polishing aqueous dispersion, and chemical mechanical polishing method for polishing a wiring layer made of copper or copper alloy provided on a substrate for an electro-optical display device

Номер патента: JP5263484B2. Автор: 和男 西元,智隆 篠田. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Methods for producing optical effect layers comprising magnetic or magnetizable pigment particles.

Номер патента: OA21111A. Автор: Patrick Veya,Thibaut Martini,Herve PITTET,Riccardo RUGGERONE,Jean Garnier. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2023-11-13.

METHOD FOR AUTOMATIC MEASUREMENT AND FOR TEACHING-IN OF LOCATION POSITIONS OF OBJECTS WITHIN A SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM BY MEANS OF SENSOR CARRIERS AND ASSOCIATED SENSOR CARRIER

Номер патента: US20120022827A1. Автор: Mueller Torsten,Hertgens Andreas,Waltner Paul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

Method for preparing protein powder from peanuts rich in selenium by separating and protein powder

Номер патента: CN103947820A. Автор: 高林,赵文婷,胡小松,吴继红,左亚文. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-07-30.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Determining an Analyte in a Sample

Номер патента: US20120002207A1. Автор: Lagae Liesbet,De Vlaminck Iwijn,Van Dorpe Pol. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND APPARATUS FOR INSPECTING PATTERNS FORMED ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120002860A1. Автор: Sakai Kaoru,Shibuya Hisae,Maeda Shunji,Nishiyama Hidetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF ARC DETECTION AND SUPPRESSION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000765A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LOADLOCK DESIGNS AND METHODS FOR USING SAME

Номер патента: US20120003063A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003441A1. Автор: CHEN CHIA-FU. Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE USING SEDIMENTATION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003765A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR PURIFICATION AND USE OF INORGANIC PYROPHOSPHATASE FROM AQUIFEX AEOLICUS

Номер патента: US20120004115A1. Автор: Shenoy Suresh Gopalkrishna,Link Kristian Hurd,Pino Luan,Gratalo Dawn,Sangan Pitchai. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SEPARATING A FEED MATERIAL DERIVED FROM A PROCESS FOR RECOVERING BITUMEN FROM OIL SANDS

Номер патента: US20120000831A1. Автор: Moran Kevin,Doiron Jacques. Владелец: Titanium Corporation Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Making Internally Overlapped Conditioners

Номер патента: US20120000045A1. Автор: Anthony William M.,Anthony David,Anthony Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METHACRYLIC ACID

Номер патента: US20120004460A9. Автор: Protzmann Guido,Gropp Udo,Sohnemann Stefanie,Mertz Thomas. Владелец: Evonik Roehm GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

ASSEMBLY AND METHOD FOR IMPROVED SINGULATION

Номер патента: US20120000337A1. Автор: Zhang Jing,Shen Xue Fang. Владелец: Rokko Technology Pte Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR INCREASING THE SPECTRAL BANDWIDTH OF OPTICAL PULSES AS WELL AS AN ARRANGEMENT AND A METHOD FOR REDUCING THE DURATION OF OPTICAL PULSES WITH THE USE OF SUCH A DEVICE

Номер патента: US20120002269A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE MARKINGS AND METHODS FOR REVERSIBLY MARKING TISSUE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120003301A1. Автор: Agrawal Satish,Boggs Roger. Владелец: PERFORMANCE INDICATOR LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Enabling a Scalable Transformation of Diverse Data into Hypotheses, Models and Dynamic Simulations to Drive the Discovery of New Knowledge

Номер патента: US20120004893A1. Автор: Yu Bin,Wang Jijun,VAIDYANATHAN Akhileswar Ganesh,PRIOR Stephen D.. Владелец: QUANTUM LEAP RESEARCH, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING METAL THIN FILM

Номер патента: US20120000382A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND APPARATUS OF ARC PREVENTION DURING RF SPUTTERING OF A THIN FILM ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20120000767A1. Автор: Halloran Sean Timothy. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR CUTTING A PATCH TO BE APPLIED ONTO A CURVED SUBSTRATE

Номер патента: US20120002162A1. Автор: Ladous Agnès,Begon Cedric,Allione Pascal,Lavillonniere Nicolas. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'Optique). Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR INSPECTION OF MAGNETIC RECORDING MEDIUM, MAGNETIC RECORDING MEDIUM, AND MAGNETIC RECORDING/REPRODUCING DEVICE

Номер патента: US20120002323A1. Автор: Kato Junya,Maruyama Yoshihiko. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR PREDICTING AUTOIMMUNE DISEASE RISK

Номер патента: US20120003228A1. Автор: Smith Ken,Lyons Paul,McKinney Eoin. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION FILM, DECORATION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003433A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING GALLIUM NITRIDE WAFER

Номер патента: US20120003824A1. Автор: Lee Ho-jun,KIM Yong-Jin,Lee Dong-Kun,Kim Doo-Soo,Lee Kye-Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Wireless Transfer of Content Between Aircraft

Номер патента: US20120003922A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATED EGG PROTEIN AND EGG LIPID MATERIALS, AND METHODS FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120004399A1. Автор: Mason David. Владелец: Rembrandt Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION CONTAINING SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT, METHOD FOR CONTROLLING CONTENT OF SOFTENING AGENT AND/OR MOISTURIZING AGENT IN THE MEDICAL MATERIAL, AND METHOD FOR PRODUCING THE MEDICAL MATERIAL FOR IN VIVO IMPLANTATION

Номер патента: US20120004673A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR ANALYZING TREES IN LIDAR DATA USING VIEWS

Номер патента: US20120004847A1. Автор: . Владелец: WEYERHAEUSER NR COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.