Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method, solid state imaging apparatus and its manufacturing method.

Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method, solid state imaging apparatus and its manufacturing method

Номер патента: TW200415783A
Опубликовано: 16-08-2004
Автор(ы): Hiroyuki Yoshida
Принадлежит: Sony Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and inspection apparatus

Номер патента: US09832403B2. Автор: Ryuhei Morita. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and inspection apparatus

Номер патента: US20150049224A1. Автор: Ryuhei Morita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Solid-state imaging element, sensor apparatus, and electronic device

Номер патента: US20200161349A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Solid-state imaging element, sensor apparatus, and electronic device

Номер патента: US20190123079A1. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20170373103A1. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Solid-state imaging element, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging element

Номер патента: EP3920224A1. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-12-08.

Solid-state image sensor, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing solid-state image sensor

Номер патента: US20240260285A1. Автор: Akira Furukawa,Yosuke Saito,Kenichi Murata,Fumihiko Koga,Shintarou HIRATA,Iwao Yagi,Masahiro Joei,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for producing solid-state imaging device

Номер патента: US12062680B2. Автор: Koichi Igarashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and range finding system

Номер патента: EP4447478A1. Автор: Yusuke Sato,Masahiro Tsukamoto,Kanae Ohi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Solid-state image sensor, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing solid-state image sensor

Номер патента: US11974444B2. Автор: Akira Furukawa,Yosuke Saito,Kenichi Murata,Fumihiko Koga,Shintarou HIRATA,Iwao Yagi,Masahiro Joei,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Solid-state image sensor, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of manufacturing solid-state image sensor

Номер патента: US20210249474A1. Автор: Akira Furukawa,Yosuke Saito,Kenichi Murata,Fumihiko Koga,Shintarou HIRATA,Iwao Yagi,Masahiro Joei,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and driving method

Номер патента: US20200021759A1. Автор: Yoshiaki Tashiro. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Solid-state image capturing device, manufacturing method for the solid-state image capturing device, color filter and forming method for the color filter, liquid crystal display apparatus, and electronic information device

Номер патента: US7800716B2. Автор: Shouichi Ishibe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Solid-state image capturing apparatus, manufacturing method for the solid-state image capturing apparatus, and electronic information device

Номер патента: US20090242741A1. Автор: Takefumi Konishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-01.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for making solid-state imaging device

Номер патента: US20110042723A1. Автор: Keiji Mabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120199931A1. Автор: Yoshiaki Masuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

Solid-state imaging device, electronic apparatus and solid-state imaging device production method

Номер патента: US20240030267A1. Автор: Hiroyuki Hattori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Manufacturing method for a solid state imaging device

Номер патента: US6066511A. Автор: Takashi Fukusyo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-05-23.

Comparator, ad converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of controlling comparator

Номер патента: US20230362514A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Seiji Yamada,Masaki Sakakibara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and mobile body

Номер патента: US20240205565A1. Автор: Fumihiko Koga,Taiichiro Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Comparator, AD converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of controlling comparator

Номер патента: US12015864B2. Автор: Kenichi Aoyagi,Seiji Yamada,Masaki Sakakibara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US20180109744A1. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US20180109746A1. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US10015419B2. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and AD converter

Номер патента: US10298861B2. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-05-21.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US20180278864A1. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US10356345B2. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Solid state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20170201726A1. Автор: Yuhi Yorikado. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Solid-state imaging element and method of manufacturing same

Номер патента: US20240096913A1. Автор: Naohiko Kimizuka,Akihiko Kato,Koichi Baba,Toyotaka Kataoka,Akiko Honjo,Yohei Hirose,Toshihiro KUROBE,Takuya Toyofuku. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

A manufacturing method for a solid state image pickup device

Номер патента: EP1787328B1. Автор: Masanori FUJI FILM MICRODEVICES CO. LTD. NAGASE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, SENSOR APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20200161349A1. Автор: Kudoh Yoshiharu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2020-05-21.

Switching semiconductor device and manufacturing method therefor, and solid-state phase shifter

Номер патента: EP4036972A1. Автор: Ming Wu,Pengyu ZHANG,Yuantao ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor Switch Device, Manufacturing Method Thereof, and Solid-State Phase Shifter

Номер патента: US20220247055A1. Автор: Ming Wu,Pengyu ZHANG,Yuantao ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040233314A1. Автор: Toshihiro Kuriyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US20240204030A1. Автор: Tatsumasa HIRATSUKA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH A LATERAL GATE STRUCTURE AND GALLIUM NITRIDE SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Huang Tsung-Yi,Chiu Chien-Wei,Yang Tsung-Yu,Huang Chih-Fang,Hsiao Tsung-Chieh,Chang Ting-Fu,PENG Po-Chin,Liu Ya-Hsien. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-21.

Solid-state imaging element, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging element

Номер патента: EP3920224A4. Автор: Hideaki Togashi,Junpei Yamamoto,Takushi Shigetoshi,Shinpei Fukuoka,Moe Takeo,Sho NISHIDA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method

Номер патента: US20160093651A1. Автор: Naoyuki Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170373103A1. Автор: SATO Naoyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

Solid-state imaging element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240313013A1. Автор: Yosuke Saito,Kenichi Murata,Fumihiko Koga,Shintarou HIRATA,Iwao Yagi,Masahiro Joei,Hideaki Togashi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258344A1. Автор: Susumu Tonegawa,Akiko Honjo,Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US8440493B2. Автор: Takehiro Toyoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20160343754A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US20180175088A1. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-06-21.

Solid state imaging device, manufacturing method of solid state imaging device, and imaging system

Номер патента: US09935140B2. Автор: Yasuhiro Sekine,Masatsugu Itahashi,Sho Suzuki,Shunsuke Nakatsuka,Mari Isobe. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US09923010B2. Автор: Itaru Oshiyama,Shinichiro Izawa,Takayuki Enomoto,Kazunobu Ota,Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US09673235B2. Автор: Itaru Oshiyama,Shinichiro Izawa,Takayuki Enomoto,Kazunobu Ota,Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US09595557B2. Автор: Itaru Oshiyama,Shinichiro Izawa,Takayuki Enomoto,Kazunobu Ota,Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US09502450B2. Автор: Itaru Oshiyama,Shinichiro Izawa,Takayuki Enomoto,Kazunobu Ota,Harumi Ikeda,Takeshi Yanagita,Atsuhiko Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic device

Номер патента: US09887219B2. Автор: Takuya Sano,Kazunobu Ota,Ryusei NAITO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Solid-state imaging element and manufacturing method for solid-state imaging element

Номер патента: US09853072B2. Автор: Kazuo Ohtsubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140333807A1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-13.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US8803204B1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050151157A1. Автор: Yasushi Maruyama,Hideshi Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-07-14.

Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7087939B2. Автор: Yasushi Maruyama,Hideshi Abe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Solid-state image pickup element and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20200083297A1. Автор: Kenichi Murata,Masahiro Joei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Solid state imaging device, manufacturing method thereof, and solid state imaging apparatus

Номер патента: US6653164B2. Автор: Takashi Miida. Владелец: Innotech Corp Japan. Дата публикации: 2003-11-25.

Manufacturing method of solid-state imaging device, solid-state imaging device, and camera

Номер патента: US20070122935A1. Автор: Keisuke Tanaka,Takumi Yamaguchi,Masahiro Kasano,Yuichi Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Manufacturing method of solid-state image pickup device and solid-state image pickup device

Номер патента: US20140217475A1. Автор: Hitohisa Ono,Atsushi Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Solid-state image sensor, electronic apparatus, and control method of solid-state image sensor

Номер патента: EP3846449B1. Автор: Akihiko Kato,Mamoru Sato. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Double diffused MOS field-effect-transistor and process for its manufacture

Номер патента: EP0033003A2. Автор: Claude L. Bertin,Donald A. Soderman,Francisco H. De La Moneda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-08-05.

Solid-state imaging device

Номер патента: US10504965B2. Автор: Tetsuji Yamaguchi,Satoshi Keino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Charge-coupled device, manufacturing method therefor, and solid-state imaging element

Номер патента: EP3067933A4. Автор: Hisanori Suzuki,Masaharu Muramatsu,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-06-21.

Solid-state image capturing device, manufacturing method for the solid-state image capturing device, color filter and forming method for the color filter, liquid crystal display apparatus, and electronic information device

Номер патента: US20090015767A1. Автор: Shouichi Ishibe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC EQUIPMENT AND MANUFACTURING METHOD OF THE SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20130099094A1. Автор: Yamakawa Shinya,Honjo Akiko. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

Solid-state imaging device, electronic equipment and manufacturing method of the solid-state imaging device

Номер патента: EP2228825A2. Автор: Shinya Yamakawa,Akiko Honjo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-09-15.

Solid-state imaging device and manufacturing method for the solid-state imaging device

Номер патента: CN104377213A. Автор: 饭岛匡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method of solid-state imaging device

Номер патента: JP5493461B2. Автор: 総一郎糸長,恭平水田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Solid-state image capturing apparatus, manufacturing method for the solid-state image capturing apparatus, and electronic information device

Номер патента: KR20090014997A. Автор: 타케후미 코니시. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-02-11.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20130241019A1. Автор: Itonaga Kazuichiro,MIZUTA KYOHEI. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-19.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND CONTROL METHOD OF SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20180146154A1. Автор: Sato Mamoru,Kato Akihko. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-24.

SOLID STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20150162370A1. Автор: Suenaga Ryosuke. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

Solid-state image sensor, electronic apparatus, and control method of solid-state image sensor

Номер патента: US20180184023A1. Автор: Mamoru Sato,Akihko Kato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND CONTROL METHOD OF SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20200228735A1. Автор: Sato Mamoru,Kato Akihiko. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND CONTROL METHOD OF SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20190394413A1. Автор: Sato Mamoru,Kato Akihiko. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2019-12-26.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and control method of solid-state imaging device

Номер патента: CN109644244B. Автор: 梶原悠. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-17.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: US20100288911A1. Автор: Kazuichiro Itonaga,Kyohei Mizuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: EP2251905A3. Автор: Kazuichiro Itonaga,Kyohei Mizuta. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: CN104241307A. Автор: 糸长总一郎,水田恭平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-12-24.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: CN104485339A. Автор: 糸长总一郎,水田恭平. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-01.

Method and apparatus for acquiring physical information, method for manufacturing semiconductor device including array of a plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, light-receiving device and manufacturing method therefor, and solid-state imaging device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP1684350A3. Автор: Atsushi Sony Corporation Toda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-02-27.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND IMAGING METHOD

Номер патента: US20190109165A1. Автор: Nagano Takashi,Ogita Tomoharu,Tatani Keiji. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-11.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, ELECTRONIC APPARATUS, AND IMAGING METHOD

Номер патента: US20170117310A1. Автор: Nagano Takashi,Ogita Tomoharu,Tatani Keiji. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

CHARGE-COUPLED DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLID-STATE IMAGING ELEMENT

Номер патента: US20160286147A1. Автор: SUZUKI Hisanori,MURAMATSU Masaharu,Yoneta Yasuhito,Takagi Shin-ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device, solid-state imaging device, electronic apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10622563B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Takayoshi Honda,Yuji Uesugi,Katsunori Hiramatsu. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

Solid-state image sensor, electronic apparatus, and imaging method

Номер патента: US10658405B2. Автор: Takashi Nagano,Keiji Tatani,Tomoharu Ogita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Charge-coupled device, manufacturing method thereof, and solid-state imaging element

Номер патента: US9967503B2. Автор: Hisanori Suzuki,Masaharu Muramatsu,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-05-08.

Charge-coupled device, manufacturing method thereof, and solid-state imaging element

Номер патента: US20160286147A1. Автор: Hisanori Suzuki,Masaharu Muramatsu,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2016-09-29.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120199931A1. Автор: Yoshiaki Masuda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-09.

SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, SENSOR APPARATUS, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190123079A1. Автор: Kudoh Yoshiharu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2019-04-25.

Comparator, ad converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of controlling comparator

Номер патента: US20180241960A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Seiji Yamada,Masaki Sakakibara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

COMPARATOR, AD CONVERTER, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING COMPARATOR

Номер патента: US20170272678A1. Автор: Yamada Seiji,Sakakibara Masaki,Aoyagi Kenichi. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

COMPARATOR, AD CONVERTER, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING COMPARATOR

Номер патента: US20190313045A1. Автор: Yamada Seiji,Sakakibara Masaki,Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2019-10-10.

COMPARATOR, AD CONVERTER, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING COMPARATOR

Номер патента: US20200389615A1. Автор: Yamada Seiji,Sakakibara Masaki,Aoyagi Kenichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2020-12-10.

Comparator, ad converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and method of controlling comparator

Номер патента: US20220329748A1. Автор: Kenichi Aoyagi,Seiji Yamada,Masaki Sakakibara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-10-13.

Comparator, AD converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and comparator control method

Номер патента: CN105519096B. Автор: 青柳健一,榊原雅树,山田斉尔. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-02-19.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1189637A. Автор: Yoshio Sakai,Tsuneo Funabashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-25.

Solid-state image pickup unit and electronic apparatus

Номер патента: US09954018B2. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Solid-state image pickup unit and electronic apparatus

Номер патента: US11855227B2. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Solid-state image pickup unit and electronic apparatus

Номер патента: US20240055534A1. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Germanium-based sensor with junction-gate field effect transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: US12148853B2. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Solid-state image capture device and electronic apparatus

Номер патента: EP3832727A1. Автор: Naoki Saka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-06-09.

Solid-state imaging apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20210297619A1. Автор: Naoki Saka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Short-channel field-effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: EP0019758A1. Автор: Dezsö Dipl.-Phys. Takacs,Hans-Jörg Dr. Pfleiderer,Ernst Dipl.-Ing. Hebenstreit,Michael Dipl.-Ing. Pomper,Heinrich Dr. Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-12-10.

Solid-state image sensor manufacturing method and a solid-state image sensor

Номер патента: US20110175189A1. Автор: Noriaki Suzuki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

SOLID STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING SOLID STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20170201726A1. Автор: Yorikado Yuhi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2017-07-13.

Field effect transistor having peanut shape channel layer and manufacturing method therof

Номер патента: KR100897478B1. Автор: 김수경,정일섭,김교혁. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2009-05-14.

Ccd solid-state imaging device, photographic apparatus and image data correction method

Номер патента: US20080246863A1. Автор: Hiroyuki Oshima,Yoshinori Furuta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-10-09.

Structure and Manufacturing Method of Color Solid-State Imaging Device

Номер патента: KR970077713A. Автор: 박철호,송광복. Владелец: Lg 반도체주식회사. Дата публикации: 1997-12-12.

SOLID-STATE IMAGING ELEMENT, ELECTRONIC APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200035735A1. Автор: Ogita Tomoharu,TSUGAWA Hidenobu. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US20180109746A1. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

SOLID-STATE IMAGING ELEMEMT, ELECTRONIC APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210265409A1. Автор: Ogita Tomoharu,TSUGAWA Hidenobu. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and ad converter

Номер патента: US20180278864A1. Автор: Katsuhiko HANZAWA,Shizunori Matsumoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Planar transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2802799C2. Автор: Gian Piero Ing.(grad.) Milano Chiavarotti,Mario Ing.(Grad.) Conti,Sandro Ing.(grad.) Saronno Luciani. Владелец: SGS ATES Componenti Elettronici SpA. Дата публикации: 1984-06-14.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1181532A. Автор: Hideo Sunami,Hiroo Masuda,Yoshiaki Kamigaki,Eiji Takeda,Katsuhiro Shimohigashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-01-22.

Solid state imaging apparatus, imaging apparatus and solid state imaging apparatus manufacturing method

Номер патента: US20080173902A1. Автор: Jiro Matsuda,Shu Takahashi,Masanori Nagase. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-07-24.

Fin formula field effect transistor semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: CN104835844B. Автор: 马克·S·罗德尔,博纳·J·奥布拉多维奇,罗伯特·C·鲍. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-18.

Field effect transistor structure with multiple threshold voltages and manufacturing method therefor

Номер патента: DE102015113081B4. Автор: Amey Mahadev Walke,Chi-Hsun Hsieh,Che-Min Chu,Yu-Hsuan Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180166562A1. Автор: WEI YANG,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Solid-state image pickup device

Номер патента: EP1592231A1. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Pixel circuit, solid-state imaging device and camera system

Номер патента: RU2494565C2. Автор: Тосиюки НИСИХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-09-27.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094618A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US20020094650A1. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Interlaced solid-state imaging device

Номер патента: US4392158A. Автор: Masakazu Aoki,Haruhisa Ando,Ryuichi Izawa,Shinya Ohba,Shoji Hanamura,Iwao Takemoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-05.

Solid-state imaging device

Номер патента: US20130316489A1. Автор: Hiroyuki Mori,Noriko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Solid-state imaging device

Номер патента: US20160049437A1. Автор: Hiroyuki Mori,Noriko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Solid-state image sensor

Номер патента: US09893103B2. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Solid-state imaging device

Номер патента: US09583528B2. Автор: Hiroyuki Mori,Noriko Takagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Scanning switch transistor for solid-state imaging device

Номер патента: EP1469520A3. Автор: Kazuya Yonemoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-11-28.

Field effect transistor and method of fabrication

Номер патента: US6579768B2. Автор: Jochen Beintner,Peter Thwaite. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-17.

Backside illumination type solid-state imaging device, manufacturing method for backside illumination type solid-state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20220310680A1. Автор: Naoki Komai,Tadashi Iijima,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Masaya Nagata,Suguru Saito,Yoichi Ootsuka,Masaki HANEDA,Satoru Wakiyama,Kaori Takimoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Solid state image pickup device and its manufacturing method

Номер патента: EP1766686A1. Автор: Masanori c/o FUJI FILM MICRODEV.CO. LTD. NAGASE,Kaichiro c/o FUJI FILM MICRODEV. CO. LTD. CHIBA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Semiconductor apparatus, solid state imaging device, imaging apparatus and electronic equipment, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881962B2. Автор: Hidetsugu Otani,Yuuji Kishigami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Solid-state image sensor and its manufacturing method, curable composition for forming infrared cut-off filters, and camera module

Номер патента: US09818778B2. Автор: Hisamitsu Tomeba. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12137294B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09912891B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US09762832B2. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Solid-state imaging apparatus and driving method thereof, manufacturing method of solid-state imaging apparatus, and electronic information device

Номер патента: EP2737532A1. Автор: Takefumi Konishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing solid-state imaging apparatus and electronic equipment

Номер патента: US20230275108A1. Автор: Yasushi Otsuka,Mitsuhito Kanatake,Shumpei Aoki,Wenshuang DONG. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Solid-state imaging apparatus changing a gate voltage of a transfer transistor, driving method for the same, and imaging system

Номер патента: US09554069B2. Автор: Masaru Fujimura,Shinichiro Shimizu,Akira Ohtani. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Solid-state image sensor

Номер патента: US20150364512A1. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Solid-state imaging device, method for manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: EP4191658A1. Автор: Yasushi Otsuka,Mitsuhito Kanatake,Shumpei Aoki,Wenshuang DONG. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-06-07.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20180204875A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US20190355780A1. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Solid-state imaging apparatus and imaging system having a light shielding portion

Номер патента: US09906743B2. Автор: Masahiro Kobayashi,Takeshi Ichikawa,Kazunari Kawabata,Masatsugu Itahashi,Mineo Shimotsusa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging element, and imaging apparatus

Номер патента: US09842879B2. Автор: Hiroyasu Matsugai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Solid-state imaging apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US20140097476A1. Автор: Yoshiaki Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Solid state image pickup device and its manufacture

Номер патента: WO2006006341A1. Автор: Masanori Nagase,Kaichiro Chiba. Владелец: Fuji Photo Film Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-01-19.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US9997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20170256577A1. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Solid-state imaging device, manufacturing method therefor, solid-state imaging apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US8760545B2. Автор: Kaori Takimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Solid-state imaging device and method for manufacturing solid-state imaging device

Номер патента: EP4439670A1. Автор: Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Solid-state imaging apparatus, manufacturing method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: US09564465B2. Автор: Hiroshi Tayanaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Solid-state image sensor and image sensing system

Номер патента: RU2603241C2. Автор: Масахиро КОБАЯСИ,Такаси МУТО,Ясуси МАЦУНО,Даисуке ЙОСИДА,Хирофуми ТОЦУКА,Тору КОИЗУМИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2016-11-27.

Solid-state imaging device, control method and drive method therefor, and electronic equipment

Номер патента: EP3681145A1. Автор: BOSTAMAM ANAS,Katsuhiko HANZAWA. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

Field-effect transistor and corresponding manufacturing method

Номер патента: US20020089006A1. Автор: Federico Pio,Paola Zuliani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, electronic apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US09997552B2. Автор: Takuya Nakamura,Susumu Inoue,Yukio Tagawa,Jun Ogi,Kentaro Akiyama,Keita Ishikawa,Satoru Wakiyama,Junichiro Fujimagari. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Imaging apparatus, imaging system and manufacturing method of imaging apparatus

Номер патента: US09793314B2. Автор: Mahito Shinohara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Solid state imaging apparatus and method of producing the same

Номер патента: US09461082B2. Автор: Masataka Maehara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Solid-state imaging device and electronic device

Номер патента: US20240021631A1. Автор: Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Solid-state imaging apparatus and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20230335655A1. Автор: Atsushi Toda,Shunsuke Maruyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, and imaging method

Номер патента: US20180338102A1. Автор: Makiko Saito. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Solid-state imaging device and imaging apparatus

Номер патента: US09762867B2. Автор: Tetsuji Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Solid-state image pickup device, method for making same, and image pickup apparatus

Номер патента: US20080296640A1. Автор: Susumu Hiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Backside-illumination solid-state image pickup apparatus and backside-illumination solid-state image-pickup-apparatus manufacturing method, image pickup apparatus, and electronic equipment

Номер патента: US20220037382A1. Автор: Naoki Komai,Yuichi Yamamoto,Taizo Takachi,Hirotaka Yoshioka,Satoru Wakiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Switching semiconductor device and manufacturing method therefor, and solid-state phase shifter

Номер патента: EP4036972A4. Автор: Ming Wu,Pengyu ZHANG,Yuantao ZHOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9041202B2. Автор: Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Semiconductor field-effect transistor, power amplifier comprising the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230290830A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor field-effect transistor, power amplifier comprising the same and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4246594A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device having a field effect transistor with improved linearity

Номер патента: US4717944A. Автор: Leonard J. M. Esser,Petrus J. A. M. Van de Wiel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Insulated-gate field-effect transistor and method of manufacturing same

Номер патента: CA1150853A. Автор: Royce Lowis,Peter M. Tunbridge. Владелец: Peter M. Tunbridge. Дата публикации: 1983-07-26.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Solid-state imaging apparatus with on-chip lens and micro-lens

Номер патента: US09813679B2. Автор: Kensaku Maeda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US10319761B2. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, and electronic apparatus

Номер патента: US12088893B2. Автор: Taro Sugizaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Bipolar transistor and method for its manufacture

Номер патента: DE2926785C2. Автор: Reinhard Dr.rer.nat. 7101 Flein Dahlberg. Владелец: Higratherm Electric 7100 Heilbronn GmbH. Дата публикации: 1985-12-12.

Manufacturing method of insulation film

Номер патента: US20240112906A1. Автор: Kiyokazu Nakagawa. Владелец: Abit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Manufacturing method of printed wiring board and printed wiring board including potting dam obtained by using manufacturing method

Номер патента: US20090065242A1. Автор: Masahiro Sato. Владелец: Multi Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110073934A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110291173A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tamae Takano,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

SiC trench transistor and method for its manufacture

Номер патента: US09761706B2. Автор: Ning Qu,Thomas Jacke,Michael Grieb,Martin Rambach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

SIC TRENCH TRANSISTOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20160329424A1. Автор: Qu Ning,Jacke Thomas,GRIEB Michael,Rambach Martin. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Novel semiconductor field effect positive feedback transistor and method based on bulk silicon substrate

Номер патента: CN110634955A. Автор: 万景. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

Thin film active element group, thin film active element array, organic light emitting device, display apparatus, and thin film active element manufacturing method

Номер патента: US20100258803A1. Автор: Tomonori Matsumuro. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-14.

Lateral field-effect transistor having an insulated trench gate electrode

Номер патента: EP1639651A1. Автор: Raymond J. E. Philips Intellectual HUETING,Erwin A. Philips Intellectual Property HIJZEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-29.

Semiconductor Architecture Having Field-effect Transistors Especially Suitable for Analog Applications

Номер патента: US20120299097A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor Architecture Having Field-effect Transistors Especially Suitable for Analog Applications

Номер патента: US20130126983A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Fabrication of field-effect transistor having hypoabrupt body dopant distribution below source/drain zone

Номер патента: US8034679B1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Configuration and Fabrication of Semiconductor Structure in Which Source and Drain Extensions of Field-effect Transistor Are Defined with Different Dopants

Номер патента: US20120184077A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Configuration and fabrication of semiconductor structure in which source and drain extensions of field-effect transistor are defined with different dopants

Номер патента: EP2412013A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: WO2000049661A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-08-24.

Insulated-gate field-effect semiconductor device

Номер патента: EP1074050A1. Автор: Andrew M. Warwick. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-02-07.

Structure and fabrication of asymmetric field-effect transistor having asymmetric channel zone and differently configured source/drain extensions

Номер патента: US20100244131A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Peter B. Johnson,Jeng-Jiun Yang,William D. French,Donald M. Archer,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Insulated gate bipolar field-effect transistor, group, and power converter

Номер патента: US20220254907A1. Автор: Wentao Yang,Zhaozheng Hou,Kang Wang,Boning Huang,Huiling ZUO,Loucheng DAI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Thin film transistors and their manufacture

Номер патента: WO2000011709A1. Автор: Ian D. French. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2000-03-02.

Methods for manufacturing poly-silicon thin film transistor and array substrate

Номер патента: US09887216B2. Автор: Xianxue Duan,Chengcheng Wang,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Field effect transistor protection circuit and its use in clock phase generators

Номер патента: EP0003963B1. Автор: Peter William Cook,Stanley Everett Schuster. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-11-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4398307A1. Автор: Xiaogen YIN,Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and apparatus and process for its manufacture

Номер патента: GB1336288A. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1973-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220271032A1. Автор: Po-Yu YANG,Yu-Wen Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Insulated-gate field-effect transistor structure and method

Номер патента: US5716861A. Автор: Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Methods of forming field effect transistors having self-aligned intermediate source and drain contacts

Номер патента: US6162690A. Автор: Kang-yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-19.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Insulated gate type semiconductor device having floating regions at bottom of trenches in cell region and circumferential region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780205B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Hirokazu Fujiwara,Yukihiko Watanabe,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020047170A1. Автор: Kazunobu Ota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

ELECTROCHEMICALLY-GATED FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20160027890A1. Автор: HAHN Horst,Dasgupta Subho. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Field effect transistor and method for its manufacture

Номер патента: FR2696873A1. Автор: KITANO Toshiaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-15.

Field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: CH489913A. Автор: Marius Brown Dale,Ernest Engeler William,Vance Gray Peter,Garfinkel Marvin. Владелец: Gen Electric. Дата публикации: 1970-04-30.

FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: DE2644832A1. Автор: Robert Charles Dockerty,Shakir Ahmed Abbas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-06-02.

Junction field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2226537A1. Автор: lan Hambry Richardson Tex Morgan (V St A). Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-12-14.

Vertical organic field effect transistor and method of its manufacture

Номер патента: US8759830B2. Автор: Nir Tessler,Ariel Ben-Sasson. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2014-06-24.

Insulated gate type right-angled source field plate device with high electron mobility and manufacturing method thereof

Номер патента: CN104409480B. Автор: 王冲,郑雪峰,郝跃,毛维,杜鸣,李洋洋,杨翠,曹艳荣,刘红侠. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2017-05-10.

JUNCTIONLESS FIELD-EFFECT TRANSISTOR HAVING METAL-INTERLAYER-SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200035830A1. Автор: YU Hyun-Yong,JUNG Seung Geun. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-30.

Small-size MOSFET(metal-oxide semiconductor field effect transistor) structure of self-alignment hole and manufacturing method

Номер патента: CN103545364A. Автор: 张朝阳,邵向荣. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: CA2612807A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shinsuke Fujiwara,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

N-type field effect thin film transistor and manufacturing method thereof, CMOS inverter and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108630760B. Автор: 赵建文,周春山,崔铮,徐文亚,许启启. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2021-11-30.

Semiconductor manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09892929B2. Автор: Yumi Tanaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Inverse planar transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2507038C3. Автор: Juergen Dipl.-Ing. Dr. 8022 Gruenwald Graul,Nikolaus A. Dipl.-Phys. Dr. 8000 Muenchen Kokkotakis,Helmuth Dipl.-Phys. Dr. 8012 Ottobrunn Murrmann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-01-24.

BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: IT1095322B. Автор: . Владелец: Nippon Telegraph & Telephone. Дата публикации: 1985-08-10.

Electronic device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180174863A1. Автор: Meili Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Tunnel field effect transistor

Номер патента: US20100097135A1. Автор: Radu Surdeanu,Gilberto Curatola,Prabhat Agarwal,Jan W. Slotboom,Godefridus A.M. Hurkx. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-22.

Insulated gate type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1671374A2. Автор: Hidefumi Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha TAKAYA,Kimimori Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha HAMADA,Yasushi Denso Corporation OKURA,Akira Denso Corporation KUROYANAGI,Norihito Denso Corporation TOKURA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2006-06-21.

Insulated gate field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2263149C3. Автор: Hideo Tokyo Tsunemitsu. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-08-09.

Insulated gate field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2636214C2. Автор: Richard Carlton Joy,Ingrid Emese Hopewell Junction N.Y. Magdo,Alfred Wappingers Falls N.Y. Phillips jun.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-09-22.

Inverted mode insulated gate gallium arsenide field effect transistor

Номер патента: JPS60227476A. Автор: バントバル　ジアイアント　バリガ. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1985-11-12.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Tunneling field effect transistor with multi-doping pocket structure and manufacturing method for tunneling field effect transistor

Номер патента: CN102623495A. Автор: 黄如,詹瞻,邱颖鑫. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-01.

Field effect transistor and method of its manufacture

Номер патента: CN100338778C. Автор: 布赖恩·塞奇·莫,迪克·肖,史蒂文·萨普,伊萨克·本库亚,迪安·爱德华·普罗布斯特. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Trenched field effect transistor and method of its manufacture

Номер патента: EP0923137A3. Автор: Brian Sze-Ki Mo,Duc Chau,Steven Sapp,Izak Bencuya,Dean Edward Probst. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-02-02.

Thin film field effect transistor and process for its manufacture

Номер патента: DE2820331C3. Автор: Traugott Dr.-Ing. 7141 Großbottwar Kallfaß. Владелец: Individual. Дата публикации: 1982-03-18.

Power field-effect transistor and corresponding package, system and manufacturing methods

Номер патента: WO2014164507A1. Автор: Terry L. Cleveland,Gregory Dix,Joe DEPEW. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2014-10-09.

Heterojunction spin field effect transistor based on 4H-SiC substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: CN107369707B. Автор: 张玉明,彭博,杨宇,贾仁需,元磊. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2020-03-24.

Field-effect-controlled transistor and method to its manufacturing

Номер патента: TW457722B. Автор: Armin Wieder,Dietrich Walter Widmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-10-01.

Nanowire electric field effect sensor having three-dimensional stacking structure nanowire and manufacturing method therefor

Номер патента: US09461157B2. Автор: Sung Ho Kim,Chang Ki Baek,Ki Hyun Kim,Jeong Soo Lee,Yoon Ha JEONG,Tai Uk Rim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-10-04.

NANOWIRE ELECTRIC FIELD EFFECT SENSOR HAVING THREE-DIMENSIONAL STACKING STRUCTURE NANOWIRE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20150303289A1. Автор: KIM Ki Hyun,Kim Sung Ho,JEONG Yoon Ha,LEE Jeong Soo,BAEK Chang Ki,Rim Tai Uk. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Manufacturing method and manufacturing equipment of thin film transistor substrate

Номер патента: US09570482B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Wenhui Li,Chih-Yuan Tseng,Chih-yu Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Connection storage grid storage unit and its operation and manufacture method

Номер патента: CN104600076B. Автор: 骆志炯. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-11.

Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure

Номер патента: US3134912A. Автор: Arthur D Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1964-05-26.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: TW367595B. Автор: Anders Shederberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-08-21.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: CA2271313A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-22.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644A2. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-11-19.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644B1. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-27.

Method of fabricating fin-type field-effect transistor device having substrate with heavy doped and light doped regions

Номер патента: US20230326803A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200043792A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Fin-type field-effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219773A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Hung Chen,Chih-Hung Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US09761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Manufacturing method for all-solid-state battery, manufacturing apparatus for all-solid-state battery, and all-solid-state battery

Номер патента: US20170352923A1. Автор: Tomonori Kawamura,Yoshihiro Iwano,Akira Tsujiko,Mikio Kawakami,Fuhito Kamata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

All-solid-state battery manufacturing method and all-solid-state battery manufactured thereby

Номер патента: US20240297349A1. Автор: Dong Hyeon Kim,Hoe Jin Hah,Jung Pil Lee,Hyea Eun Han. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US20190326630A1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US11631885B2. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

All-solid-state battery and manufacturing method of all-solid-state battery

Номер патента: US20240332521A1. Автор: Tomoya Matsunaga,Shinya Shiotani,Ximeng LI,Ryo Asakura,Sakina Kajita Kaneko. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Solid electrolyte laminated sheet, all-solid state secondary battery, and manufacturing method for all-solid state secondary battery

Номер патента: US20240006715A1. Автор: Hideyuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Sulfide Solid-State Battery, Printed Circuit Board with Sulfide Solid-State Battery, and Manufacturing Method of Sulfide Solid-State Battery

Номер патента: US20240120552A1. Автор: Shinji Nakanishi,Takuya MATSUYAMA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Positive electrode active material, positive electrode active material layer, all-solid-state lithium ion battery, manufacturing method of positive active material, and manufacturing method of all-solid-state lithium ion battery

Номер патента: US20240055589A1. Автор: Jun Yoshida,Kyosuke Yoshida,So Yubuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

All solid-state battery and manufacturing method for all solid-state battery

Номер патента: EP4117058A1. Автор: Ximeng LI. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-11.

All-solid-state battery having intermediate layer including metal and metal nitride and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230137621A1. Автор: Sang Heon Lee,Seung Ho Choi,Yun Sung Kim,Jang Wook Choi,Ji Hoon Oh,Ga Hyeon Im. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

All-solid-state battery having intermediate layer including metal and metal nitride and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4177983A3. Автор: Sang Heon Lee,Seung Ho Choi,Yun Sung Kim,Jang Wook Choi,Ji Hoon Oh,Ga Hyeon Im. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-05-24.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof, and diol compound

Номер патента: US20190348709A1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2719622C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев,Зелимхан Лечиевич Хазбулатов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Measuring method of image formation characteristic, exposure method, exposure apparatus and its adjustment method, manufacture method of device, and recording medium

Номер патента: TWI220999B. Автор: Masato Hamatani,Toshio Tsukakoshi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-09-11.

Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device

Номер патента: US20090121314A1. Автор: Grit Bonsdorf,Goetz Springer,Detlef Weber,Frank Pietzschmann,Marco Lepper,Ole Bosholm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Exposure apparatus and control method, and apparatus manufacturing method thereof

Номер патента: TW201102766A. Автор: Tetsuo Ohnuma. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2011-01-16.

Illuminance measurement apparatus and illuminance measurement method, device manufacturing method and exposure apparatus

Номер патента: TW516094B. Автор: Tsuyoshi Fujinaka. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-01-01.

MOVABLE BODY APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF MOVABLE BODY APPARATUS, AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD

Номер патента: US20190155176A1. Автор: AOKI Yasuo,KUDO Yoshihiko,SHIRASU Hiroshi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-05-23.

MOVABLE BODY APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF MOVABLE BODY APPARATUS, AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD

Номер патента: US20200225589A1. Автор: AOKI Yasuo,KUDO Yoshihiko,SHIRASU Hiroshi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8908145B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10012913B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-07-03.

Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10139738B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US9690214B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10088759B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Wafer manufacturing method, epitaxial wafer manufacturing method, and wafer and epitaxial wafer manufactured thereby

Номер патента: EP3916137A1. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Yeon Sik Lee,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Film forming method, manufacturing method of semiconductor device using the same, film forming apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20130037873A1. Автор: Keisuke Suzuki,Yuichiro Morozumi,Kentaro Kadonaga. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Substrate processing apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method using the processing method

Номер патента: KR20210037318A. Автор: 박민섭,강성길,안상진,이영광,정찬영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-06.

Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: CN102483578A. Автор: 青木保夫,白数广,滨田智秀,户口学. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-05-30.

Secondary battery mounted chip manufacturing method

Номер патента: CA2992968C. Автор: Tatsuo Inoue,Juri Ogasawara,Kazuyuki Tsunokuni,Takuo Kudoh,Takashi Tonokawa,Tomokazu Saitoh. Владелец: Micronics Japan Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Plasma processing apparatus and method, and electronic device manufacturing method

Номер патента: JP6473889B2. Автор: 智洋奥村,智志末益,奥村　智洋. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-27.

Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: CN102483580A. Автор: 青木保夫. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-05-30.

Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: KR101862001B1. Автор: 야스오 아오키,도모히데 하마다,히로시 시라스,마나부 도구치. Владелец: 가부시키가이샤 니콘. Дата публикации: 2018-05-29.

Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW201126641A. Автор: Tomohide Hamada,Yasuo Aoki,Hiroshi Shirasu,Manabu Toguchi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-08-01.

Electrostatic reticle chucks, charged-particle-beam microlithography apparatus and methods, and semiconductor-device manufacturing methods comprising same

Номер патента: US6433346B1. Автор: Noriyuki Hirayanagi. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Object processing apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: WO2011021711A1. Автор: Tomohide Hamada,Yasuo Aoki,Hiroshi Shirasu,Manabu Toguchi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2011-02-24.

Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: TWI784698B. Автор: 中谷公彦. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2022-11-21.

Manufacturing method of semiconductor device, substrate processing method, substrate processing apparatus and program

Номер патента: TWI787832B. Автор: 中谷公彦,中川崇,出貝求,廣瀨義朗,橋本良知,上野亮太. Владелец: 日商國際電氣股份有限公司. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor light-emitting elements, the manufacture method of semiconductor light-emitting elements, semiconductor light-emitting apparatus and substrate

Номер патента: CN104247053B. Автор: 花本哲也,神川刚,加藤正明. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Silicon carbide epitaxial growth apparatus and silicon carbide epitaxial wafer manufacturing method

Номер патента: JP7176489B2. Автор: 和雄小林,泰成日野,雅酒井,真一郎香月. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-22.

Lithographic apparatus, combination of lithographic apparatus and processing module, and device manufacturing method

Номер патента: TWI448823B. Автор: Erik Roelof Loopstra,Reinder Teun Plug,Johannes Onvlee,Suzan Leonie Auer-Jongepier,Hubert Marie Segers,David Christopher Ockwell,Wijnen Paul Jacques Van. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2014-08-11.

Exposure apparatus and stage device and device manufacturing method

Номер патента: SG118190A1. Автор: Nishi Kenji,Okuno Hiroki,Okumura Masahiko. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2006-01-27.

Device Manufacturing Method, Recording Medium Recording Computer Program for Controlling Lithographic Apparatus and Lithographic Apparatus

Номер патента: KR100620982B1. Автор: 오텐스유스트예뢴,판케르비니크마르첼니콜라스야코부스. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2006-09-13.

Lithographic apparatus, combination of lithographic apparatus and processing module, and device manufacturing method

Номер патента: US7679714B2. Автор: Reinder Teun Plug,Johannes Onvlee,Paul Jacques Van Wijnen,Suzan Leonie Auer-Jongepier,Hubert Marie Segers,David Christopher Christopher Ockwell. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2010-03-16.

Exposure apparatus and stage device and device manufacturing method

Номер патента: TW200402089A. Автор: Kenji Nishi,Masahiko Okumura,Hiroki Okuno. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2004-02-01.

Transistor and switching system comprising silicon carbide and oxides of varying thicknesses, and method for providing the same

Номер патента: US09735263B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Insulated gate field-effect transistor device and method of making the same

Номер патента: EP4243080A3. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: US20210083066A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

A semiconductor device comprising a low voltage insulated gate field effect transistor connected in series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: SE1850300A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: Klas Haakan Eklund Med Firma K Eklund Innovation. Дата публикации: 2019-09-17.

Field effect transistor

Номер патента: US4007478A. Автор: Hajime Yagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-02-08.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Semiconductor device having a vertical insulated gate field effect device and a breakdown region remote from the gate

Номер патента: US5656843A. Автор: Andrew L. Goodyear,Keith M. Hutchings. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Insulated gate field effect transistor and method for its manufacture

Номер патента: FR1511963A. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1968-02-02.

HYBRID MEMRISTOR/FIELD-EFFECT TRANSISTOR MEMORY CELL AND ITS INFORMATION ENCODING SCHEME

Номер патента: US20200161373A1. Автор: CHENG Kwang Ting,LASTRAS MONTAÑO Miguel Angel. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-05-21.

SOLID-STATE IMAGE SENSOR, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20210249474A1. Автор: Togashi Hideaki,Murata Kenichi,FURUKAWA Akira,SAITO Yosuke,Yagi Iwao,JOEI MASAHIRO,Hirata Shintarou,KOGA FUMIHIKO. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

The manufacturing method of a cured film, the manufacturing method of a solid-state image sensor, and the manufacturing method of an image display device

Номер патента: KR102379844B1. Автор: 타츠오 이시카와,요시노리 타구치. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-03-29.

Cured film manufacturing method, cured film, solid-state imaging element, and image display device

Номер патента: WO2017061477A1. Автор: 浜田　大輔,久保田　誠. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2017-04-13.

Resin composition, resin film, resin film manufacturing method, optical filter, solid-state imaging device, image display device, and infrared sensor

Номер патента: JPWO2018142804A1. Автор: 和敬高橋,哲志宮田,宙夢小泉. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

The manufacturing method of a cured film, the manufacturing method of a solid-state image sensor

Номер патента: KR102453516B1. Автор: 다이스케 하마다. Владелец: 후지필름 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-10-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180114909A1. Автор: Hayashi Toshihiko,HONDA Takayoshi,UESUGI YUJI,Hiramatsu Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130334642A1. Автор: Masuda Yoshiaki. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-19.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US7365830B2. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-29.

Wafer flatness evaluation method, wafer flatness evaluation apparatus carrying out the evaluation method, wafer manufacturing method using the evaluation method, wafer quality assurance method using the evaluation method, semiconductor device manufacturing method using the evaluation method and semiconductor device manufacturing method using a wafer evaluated by the evaluation method

Номер патента: US20070177126A1. Автор: Makoto Kobayashi,Masashi Ichikawa,Kenichi Kodama,Soichi Inoue,Tadahito Fujisawa,Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Solar cell, manufacturing method therefor and battery assembly

Номер патента: AU2023375286A1. Автор: Kun Hou,Lie MA,Mingliang FANG,Zonggang LIU. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Manufacturing method for graphene film, porous silica powder and transparent conductive layer

Номер патента: US12049692B2. Автор: Wei Li,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

OLED substrate, manufacturing method thereof, OLED display panel and electronic equipment

Номер патента: US09966423B2. Автор: Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method for a piezoelectric layer arrangement and corresponding piezoelectric layer arrangement

Номер патента: US09461234B2. Автор: Thomas Mayer,Juergen Butz,Rainer Straub,Jochen Tomaschko,Christof SINGLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-10-04.

The method of pattern and its pattern of preparation are prepared using groove structure, and the method for solar cell and its solar cell of preparation are prepared using the preparation method

Номер патента: CN104247050B. Автор: 金俊衡,具勇成. Владелец: LG Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-14.

Movable body system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW201109615A. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-03-16.

Position recognition apparatus for printed circuit board, position recognition and processing apparatus, and printed circuit board manufacturing method

Номер патента: US10667445B2. Автор: Kenichi Mishima. Владелец: Nippon Mektron KK. Дата публикации: 2020-05-26.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US11747736B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US09891531B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US09678433B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Light emitting apparatus, manufacturing method of light emitting apparatus, light receiving and emitting apparatus, and electronic equipment

Номер патента: EP2827283B1. Автор: Hideto Ishiguro,Hidetoshi Yamamoto,Tetsuji Fujita,Tsukasa Eguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-03-06.

Electro-mechanical transducer element, liquid droplet ejecting head, image forming apparatus, and electro-mechanical transducer element manufacturing method

Номер патента: US09533502B2. Автор: Atsushi Takeuchi,Osamu Machida,Akira Shimofuku,Ryo Tashiro. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10852639B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Film forming apparatus and film forming method and manufacturing method of solar cell

Номер патента: KR101992074B1. Автор: 히로히사 다카하시,준스케 마츠자키. Владелец: 가부시키가이샤 알박. Дата публикации: 2019-06-21.

apparatus and method for photolithography, and manufacturing method for a thin film transistor array panel of a liquid crystal display using the same

Номер патента: KR20010091119A. Автор: 윤종수,박운용. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-23.

Exposure apparatus and exposure method, and component manufacturing method

Номер патента: TWI638386B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-11.

Precious metal-coated silver wire for ball bonding, manufacturing method thereof, and semiconductor device using precious metal-coated silver wire for ball bonding, and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102425336B1. Автор: 유키 안토쿠,쇼타 가와노,준 지바. Владелец: 타나카 덴시 코오교오 카부시키가이샤. Дата публикации: 2022-07-26.

Manufacturing method of display panel using an ink-jet printing and display panel including the same

Номер патента: US11611040B2. Автор: Aiguo Tu,Jinchuan Li,Yuanchun Wu,Weiran Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Manufacturing method of display panel and display panel

Номер патента: US20220320434A1. Автор: Aiguo Tu,Jinchuan Li,Yuanchun Wu,Weiran Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Flexible double-sided display screen and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240047628A1. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Manufacturing method for carbon nanotube conductive film, display panel and display device

Номер патента: US20220037366A1. Автор: Haijiang YUAN,En-Tsung Cho,Yuming XIA. Владелец: Beihai HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Manufacturing method for a piezoelectric layer arrangement and corresponding piezoelectric layer arrangement

Номер патента: US20160035959A1. Автор: Thomas Mayer,Juergen Butz,Rainer Straub,Jochen Tomaschko,Christof SINGLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-02-04.

ELECTRO-MECHANICAL TRANSDUCER ELEMENT, LIQUID DROPLET EJECTING HEAD, IMAGE FORMING APPARATUS, AND ELECTRO-MECHANICAL TRANSDUCER ELEMENT MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140049582A1. Автор: Shimofuku Akira,Machida Osamu,TAKEUCHI Atsushi,Tashiro Ryo. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-02-20.

LIGHT EMITTING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING APPARATUS, LIGHT RECEIVING AND EMITTING APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

Номер патента: US20150021627A1. Автор: ISHIGURO Hideto,EGUCHI Tsukasa,Fujita Tetsuji,Yamamoto Hidetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

LIGHT EMITTING APPARATUS, MANUFACTURING METHOD OF LIGHT EMITTING APPARATUS, LIGHT RECEIVING AND EMITTING APPARATUS, AND ELECTRONIC EQUIPMENT

Номер патента: US20160035940A1. Автор: ISHIGURO Hideto,EGUCHI Tsukasa,Fujita Tetsuji,Yamamoto Hidetoshi. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Dye-sensitized solar cell manufacturing apparatus and dye-sensitized solar cell manufacturing method

Номер патента: JP5469741B2. Автор: 修二早瀬,博昭林,竜一白土,末廣大久保,泰一牟禮,康裕宍田. Владелец: Kyushu Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2014-04-16.

Light emitting apparatus, manufacturing method of light emitting apparatus, light receiving and emitting apparatus, and electronic equipment

Номер патента: CN104299978A. Автор: 山本英利,藤田徹司,石黑英人,江口司. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-01-21.

Solder Mounting Structure, Manufacturing Method and Apparatus of the Solder Mounting Structure, Electronic Apparatus, and Wiring Board

Номер патента: US20090025972A1. Автор: Kazuo Kinoshita,Katsuitsu Nishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: WO2010110900A8. Автор: Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-07-28.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Insulated gate field effect transistor having passivated schottky barriers to the channel

Номер патента: US09583614B2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4287526A. Автор: Hiraku Sakuma. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-09-01.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Gate charge neutralization for insulated gate field- effect transistors

Номер патента: CA1111572A. Автор: Tak H. Ning,Carlton M. Osburn,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Method for manufacturing ion implanted insulated gate field effect semiconductor transistor devices

Номер патента: US3852120A. Автор: W Johnson,S Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-12-03.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: WO2010110904A8. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2011-08-11.

Structure and fabrication of field-effect transistor using empty well in combination with source/drain extensions or/and halo pocket

Номер патента: EP2412018A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang,William D. French,D. Courtney Parker. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Structure and fabrication of field-effect transistor having source/drain extension defined by multiple local concentration maxima

Номер патента: EP2412014A1. Автор: William D. French,Contsantin BULUCEA. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Method of producing low threshold complementary insulated gate field effect devices

Номер патента: US3759763A. Автор: R Wang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-09-18.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US20010050401A1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device comprising an insulated gate field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: USRE30251E. Автор: Else Kooi. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1980-04-08.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having asymmetric field-effect transistor with tailored pocket portion along source/drain zone

Номер патента: US8415752B2. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,Jeng-Jiun Yang. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having extended-drain field-effect transistor

Номер патента: EP2412010A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-02-01.

Configuration and fabrication of semiconductor structure having extended-drain field-effect transistor

Номер патента: WO2010110892A1. Автор: Sandeep R. Bahl,Constantin Bulucea,William D. French. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2010-09-30.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of fabricating a high-voltage field-effect transistor

Номер патента: EP2264772A3. Автор: Donald R. Disney,Vladimir Rumennik,Janardhanan S. Ajit. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2011-01-05.

Insulating gate field effect semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6018182A. Автор: Narihiro Morosawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device having high dielectric constant gate insulating layer and its manufacture method

Номер патента: US20060172498A1. Автор: Kazuto Ikeda,Masaomi Yamaguchi,Hiroshi Minakata,Tsunehisa Sakoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Memory type insulating gate field effect semiconductor device

Номер патента: CA1094221A. Автор: Kenichi Inoue,Takashi Shimada,Jiro Yamaguchi,Takaji Ohtsu,Hidenobu Mochizuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1981-01-20.

Structure and fabrication of semiconductor architecture having field-effect transistors especially suitable for analog applications.

Номер патента: WO2009058187A1. Автор: Constantin Bulucea. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2009-05-07.

Insulated gate field effect semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US6259141B1. Автор: Yukio Yamauchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-10.

Method of producing insulated gate MOSFET employing polysilicon mask

Номер патента: US4914047A. Автор: Yasukazu Seki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-03.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200066714A1. Автор: Bo Zhang,Song Pu,Ming Qiao. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Solid oxygen ionic conductor based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088240A1. Автор: Donghui Ma,Bin LEI,Xianhui Chen,Shihao Liu. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2024-03-14.

Solid oxygen ion conductor based field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4280292A1. Автор: Donghui Ma,Bin LEI,Xianhui Chen,Shihao Liu. Владелец: University of Science and Technology of China USTC. Дата публикации: 2023-11-22.

Multi-gate field-effect transistor with enhanced and adaptable low-frequency noise

Номер патента: US20120168868A1. Автор: Hsin Chen,Jeng Gong,Tang-Jung CHIU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US20160365366A1. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Metallic oxide thin film transistor, array substrate and their manufacturing methods, display device

Номер патента: US09627414B2. Автор: Wei Guo,Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: US20120129305A1. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A3. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068206A2. Автор: Gregory Dix,Harold Kline,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7507622B2. Автор: Masahiro Hayashi,Takafumi Noda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-03-24.

Insulated gate field effect transistor with source field shield extending over multiple region channel

Номер патента: US4172260A. Автор: Isao Yoshida,Mineo Katsueda,Takeaki Okabe,Shikayuki Ochi,Yukio Shirota,Hidefumi Itoh,Masatomo Furumi,Toru Toyabe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-10-23.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Integrated logic circuit having insulated gate field effect transistors

Номер патента: US4695865A. Автор: Kornelis J. Wagenaar. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-09-22.

Insulated gate field effect transistor

Номер патента: US4316203A. Автор: Ryoiku Tohgei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-02-16.

Method of manufacturing an insulated gate field effect transistor DMOS

Номер патента: US4920064A. Автор: Kenneth R. Whight. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1990-04-24.

Insulated gate field-effect transistor input protection circuit

Номер патента: US3746946A. Автор: L Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-07-17.

Insulated gate field effect transistor with integrated safety diode

Номер патента: US3648129A. Автор: Rijkent Jan Nienhuis. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-03-07.

An electrolyte-gated field-effect transistor with surfactant layer

Номер патента: WO2020216901A1. Автор: Qiaoming ZHANG,Marta Mas Torrent,Francesca LEONARDI. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS. Дата публикации: 2020-10-29.

Fabrication of an insulated gate field effect transistor device

Номер патента: US3724065A. Автор: L Hall,B Carbajal,W Gosney. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1973-04-03.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: EP3759739A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos,Chiara CORREVASCE. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-01-06.

Reverse conducting insulated gate power semiconductor device having low conduction losses

Номер патента: US12068312B2. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Field Effect Transistor Circuit

Номер патента: GB1193504A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1970-06-03.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US12027622B2. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Higher density insulated gate field effect circuit

Номер патента: US4118642A. Автор: William Stanley Richardson. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1978-10-03.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Insulated gate-type semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7972928B2. Автор: Yukihiro Hisanaga. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-07-05.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Insulated-gate field-effect devices

Номер патента: GB2156580A. Автор: Dr David James Coe. Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1985-10-09.

Semiconductor memory device having a field effect transistor with a channel formed from a polycrystalline silicon film

Номер патента: US5298764A. Автор: Takashi Hashimoto,Naotaka Hashimoto,Toshiaki Yamanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-03-29.

Field-effect transistor structure with an insulated gate

Номер патента: US20010041399A1. Автор: Dietrich Bonart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-15.

Mos field -effect transistor and method of making the same

Номер патента: WO2012068201A3. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-08-16.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20030224561A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: US20010026962A1. Автор: David Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2001052313A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-07-19.

Top gate thin-film transistor and method of producing the same

Номер патента: EP1166348A1. Автор: David J. Mcculloch,Carl Glasse. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-01-02.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09443926B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200295189A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20220085213A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Hybrid gate field effect transistor and manufacturing method therefor, and switch circuit

Номер патента: EP4187614A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-31.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Insulating gate AlGaN/GaN HEMT

Номер патента: US09419124B2. Автор: Primit Parikh,Umesh Mishra,Yifeng Wu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Insulated gate field effect device with a smoothly curved depletion boundary in the vicinity of the channel-free zone

Номер патента: US5248893A. Автор: Shinichi Sakamoto. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1993-09-28.

Method for manufacturing a mos-field effect transistor

Номер патента: WO2012068201A2. Автор: Gregory Dix,Rohan S. Braithwaite. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-24.

Insulated gated field effect transistor structure having shielded source and method

Номер патента: US20200365730A1. Автор: Joseph Andrew Yedinak,Xiaoli WU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Hybrid gate field effect transistor, method for preparing hybrid gate field effect transistor, and switch circuit

Номер патента: US20230187523A1. Автор: Hui Sun,Boning Huang,Zhibin Chen,Qimeng JIANG,Ruihong Luo,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Insulated-gate field-effect transistor with self-aligned contact hole to source or drain

Номер патента: US4103415A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-08-01.

Method for manufacturing complementary insulated gate field effect transistors

Номер патента: USRE31079E. Автор: Satoshi Meguro,Kouichi Nagasawa,Yasunobu Kosa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-11-16.

Method of fabricating an ensulated gate field-effect device

Номер патента: US4010290A. Автор: Bernard W. Boland. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1977-03-01.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2709603C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-12-18.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688851C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Gate thin-film insulating material of high dielectric constant and its manufacturing method (alternatives)

Номер патента: RU2305346C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Политова,Наталь Владимировна Голубко,Наталья Владимировна Голубко. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я. Карпова" (НИФХИ им. Л.Я. Карпова). Дата публикации: 2007-08-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2717149C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2020-03-18.

Electrophotographic photosensitive member, manufacturing method of electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus, and a solid solution and manufacturing method of a solid solution

Номер патента: US09459545B2. Автор: Masato Tanaka,Tsutomu Nishida,Masataka Kawahara. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory cell

Номер патента: CA1070836A. Автор: James A. Hayes. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1980-01-29.

Insulated gate field-effect transistor read-only memory array

Номер патента: CA1067208A. Автор: Antony G. Bell. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1979-11-27.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

High-frequency field transistor with the additional field electrode manufacturing method

Номер патента: RU2671312C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Сергей Владимирович Литвинов,Виктор Геннадьевич Сысуев,Ирина Дмитриевна Халтурина. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-10-30.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

N-stacked field effect transistor based traveling wave power amplifier for monolithic microwave integrated circuits

Номер патента: US09780746B1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Improvements in or relating to field effect transistors

Номер патента: GB1141613A. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-01-29.

Solid-state imaging device and electronic apparatus

Номер патента: US9571721B2. Автор: Yoshiaki Kitano. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Solid-state imaging apparatus having output circuit unit for outputting a pixel signal

Номер патента: US11973091B2. Автор: Minoru Ishida,Yoshiaki Masuda,Harumi Tanaka,Shinji Miyazawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Solid-state ionic conductor

Номер патента: WO2024194396A1. Автор: Bhaskar Reddy SUDIREDDY,Mohamad KHOSHKALAM. Владелец: DANMARKS TEKNISKE UNIVERSITET. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of all-solid-state secondary battery, electrode sheet for all-solid-state secondary battery and its manufacturing method

Номер патента: JPWO2020067107A1. Автор: 鈴木　秀幸,秀幸鈴木. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Cell structure of solid state battery and manufacturing method of solid state battery

Номер патента: US20200203679A1. Автор: Masahiro Ohta,Takuya TANIUCHI,Yuriko ASAHI. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electrode composition, electrode sheet for all-solid state secondary battery, all-solid state secondary battery, and manufacturing methods for electrode composition, electrode sheet for all-solid state secondary battery, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US20240213479A1. Автор: Hideyuki Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Manufacturing method for solid-state battery and manufacturing apparatus for solid-state battery

Номер патента: US20230395840A1. Автор: Yui Kinoshita,Satonori Iura,Shuga Ikeda,Masaki Kunigami. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Composition for cathode active material for all-solid-state battery including colloidal silica, cathode active material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240021822A1. Автор: Sang Heon Lee,Ji Su Kim,Sung Woo Noh,In Gu Choi,Ju Yeong Seong,Jeong Hyun Seo,Ho Chang LEE,Chung Bum Lim,Im Sul Seo,Je Sik Park,Hyuk Chun Kwon. Владелец: Wonik Qnc Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Solid-state battery and solid-state battery manufacturing method

Номер патента: US20240088346A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

All-solid-state battery, manufacturing method for all-solid-state battery, and recovery method for all-solid-state battery

Номер патента: JP2022182306A. Автор: Fuminori Mizuno,史教水野. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Solid electrolyte composition, sheet for all-solid-state secondary cell, all-solid-state secondary cell, and manufacturing method for all-solid-state secondary cell or for sheet for all-solid-state secondary cell

Номер патента: WO2020138216A1. Автор: 宏顕望月,智則三村,陽串田,安田　浩司. Владелец: 富士フイルム株式会社. Дата публикации: 2020-07-02.

Manufacturing method of all-solid-state secondary battery sheet and all-solid-state secondary battery, as well as all-solid-state secondary battery sheet and all-solid-state secondary battery

Номер патента: JP7078801B2. Автор: 宏顕望月,広磯島,稔彦八幡. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-05-31.

SOLID STATE ELECTROLYTE AND BARRIER ON LITHIUM METAL AND ITS METHODS

Номер патента: US20150079481A1. Автор: KWAK Byung-Sung Leo,Gordon,II Joseph G.,Jiang Chong,SUN Lizhong. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

MANUFACTURING METHOD FOR ALL-SOLID-STATE BATTERY, MANUFACTURING APPARATUS FOR ALL-SOLID-STATE BATTERY, AND ALL-SOLID-STATE BATTERY

Номер патента: US20170352923A1. Автор: Tsujiko Akira,Kawamura Tomonori,Iwano Yoshihiro,KAWAKAMI Mikio,KAMATA Fuhito. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-12-07.

A kind of all-solid-state battery heat radiation heat-insulation system and its assemble method

Номер патента: CN105720321B. Автор: 刘志宏,张舒,崔光磊,刘海胜,吴天元. Владелец: Qingdao Institute of Bioenergy and Bioprocess Technology of CAS. Дата публикации: 2019-02-22.

Electrode active material layer, all solid state battery, manufacturing method for electrode active material layer, and manufacturing method for all solid state battery

Номер патента: US20110065007A1. Автор: Masato Kamiya,Yasushi Tsuchida,Shigenori Hama,Yukiyoshi Ueno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Solid state electrolyte and barrier on lithium metal and its methods

Номер патента: EP3090461A4. Автор: Lizhong Sun,Chong JIANG,Byung Sung Leo KWAK,Joseph G. Gordon Ii. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-14.

Electrodes for all-solid-state secondary batteries, all-solid-state secondary batteries, and manufacturing methods for all-solid-state secondary batteries

Номер патента: KR20230010705A. Автор: 다케시게 나카야마,노부 이이즈미,데츠오 사카이,마사노리 모리시타. Владелец: 유비이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-01-19.

MANUFACTURING METHOD FOR ALL-SOLID-STATE BATTERY AND ALL-SOLID-STATE BATTERY

Номер патента: US20150349379A1. Автор: Tsujiko Akira,HOZUMI Masato,Kojima Shinji,MASUOKA Shizuka. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Manufacturing Method of All-Solid State Battery and All-Solid State Battery Thereby

Номер патента: KR20220140428A. Автор: 김동현,이정필,한혜은,하회진. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-10-18.

Exterior materials for all-solid-state batteries, their manufacturing methods, and all-solid-state batteries

Номер патента: JP7020598B2. Автор: 敦子高萩,美帆佐々木,愛岡野. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Manufacturing method of sulfide solid-state battery and sulfide solid-state battery

Номер патента: JP6834921B2. Автор: 正晴瀬上. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Manufacturing method of all-solid-state battery and all-solid-state battery

Номер патента: JP6943208B2. Автор: 健吾芳賀,英樹朝立. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

All-solid-state battery and manufacturing method of all-solid-state battery

Номер патента: JP2020113434A. Автор: 英之福井,Hideyuki Fukui. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2020-07-27.

Current collector with easily adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with easily adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US20210083299A1. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Current collector with adhesive layer, electrode, all-solid state secondary battery, electronic apparatus, electric vehicle, and methods of manufacturing current collector with adhesive layer, electrode, and all-solid state secondary battery

Номер патента: US11955643B2. Автор: Hiroshi ISOJIMA,Shin Ozawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Positive electrode active material, positive electrode mixture, positive electrode active material manufacturing method, positive electrode manufacturing method, and oxide solid-state battery manufacturing method

Номер патента: JP6812941B2. Автор: 慎吾太田,真世川上. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2021-01-13.

MANUFACTURING METHOD FOR ALL-SOLID-STATE LITHIUM SECONDARY BATTERY

Номер патента: US20210242504A1. Автор: Kim Yu Sin,Kim Jung Huan. Владелец: TDL CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-05.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US20190326630A1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

SOLID ELECTROLYTE COMPOSITION, SOLID ELECTROLYTE-CONTAINING SHEET AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, ALL-SOLID STATE SECONDARY BATTERY AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, POLYMER AND NON-AQUEOUS SOLVENT DISPERSION THEREOF, AND DIOL COMPOUND

Номер патента: US20190348709A1. Автор: Makino Masaomi,MIMURA Tomonori,KUSHIDA Yo. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2019-11-14.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid state secondary battery and manufacturing method therefor, and polymer and non-aqueous solvent dispersion thereof

Номер патента: US20190372160A1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Manufacturing method of all-solid-state battery and electrode active material

Номер патента: JP6868959B2. Автор: 野上　玄器,玄器野上,貢谷口,勝田沢,篤宇根本,元彰松尾,慎一折茂. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Solid-state lithium battery with high-temperature explosion-proof protection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112968243A. Автор: 张燕,张文武,邓海东. Владелец: Jiangsu Hisilicon New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Electrode active material filling method and manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: JP5577541B2. Автор: 正則原,聖志金村,洋介佐藤,俊広吉田,敦史帰山. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: JP6380254B2. Автор: 敬介大森,元長谷川,徳洋尾瀬,知哉鈴木,健吾芳賀,大地小坂. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-08-29.

The manufacture method of all-solid-state battery

Номер патента: CN104067432B. Автор: 史蒂夫·马丁,梅萨奥德·贝贾维,西尔万·普莱,柔海兹·罗裘. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2016-09-21.

The manufacturing method of all-solid-state battery and electrode active material

Номер патента: CN105580185B. Автор: 宇根本笃,野上玄器,谷口贡,田泽胜,松尾元彰,折茂慎,折茂慎一. Владелец: Tohoku Techno Arch Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-04.

Solid-state lithium battery with high-temperature explosion-proof protection structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112968243B. Автор: 张燕,张文武,邓海东. Владелец: Jiangsu Hisilicon New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-03-31.

Manufacturing method of all-solid-state battery

Номер патента: JP7070329B2. Автор: 慎司小島. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-05-18.

Manufacturing method of all-solid-state lithium-ion secondary battery

Номер патента: JP6776994B2. Автор: 元長谷川,徳洋尾瀬,光俊大瀧,佑介近都. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-10-28.

The manufacture method of all-solid-state battery

Номер патента: CN106299443A. Автор: 铃木知哉,长谷川元,小坂大地,尾濑德洋,芳贺健吾,大森敬介. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-04.

Manufacturing method for all-solid-state lithium secondary battery

Номер патента: WO2019203379A1. Автор: 김정환,김유신. Владелец: (주)티디엘. Дата публикации: 2019-10-24.

The manufacture method of all-solid-state battery electrode

Номер патента: CN104011905B. Автор: 法比安·加邦,弗雷德里克·布耶,布鲁诺·维耶曼. Владелец: I Ten SA. Дата публикации: 2018-01-05.

Manufacturing method of all-solid-state power lithium ion battery

Номер патента: CN108232318B. Автор: 郑勇,田占元,邵乐,袁丽只,胡朝文,冯皓. Владелец: Shaanxi Coal and Chemical Technology Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-17.

Multi beam antenna and its configuration process

Номер патента: CA1206604A. Автор: Fumio Watanabe,Yoshihiko Mizuguchi. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1986-06-24.

High Performance Solid-State Electrolyte and Battery Based on Polysiloxane Si-tripodand Polymers and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230369644A1. Автор: Manveer S. Sidhu. Владелец: Nuvvon Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

High performance solid-state electrolyte and battery based on polysiloxane si-tripodand polymers and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2023220716A3. Автор: Manveer S. Sidhu. Владелец: Nuvvon, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Coating liquid, manufacturing method of composite particle, and manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: US20230303864A1. Автор: Masaru Kubota. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Solid electrolyte composition, solid electrolyte-containing sheet and manufacturing method therefor, all-solid-state secondary battery and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3582316B1. Автор: Tomonori Mimura,Masaomi Makino,Yo KUSHIDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-13.

High performance solid-state electrolyte and battery based on polysiloxane si-tripodand polymers and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2023220716A2. Автор: Manveer S. Sidhu. Владелец: Nuvvon, Inc.. Дата публикации: 2023-11-16.

Electrode Manufacturing Method Comprising Cleaning Step Using Laser, Electrode Manufactured By Method, and Secondary Battery Comprising Same

Номер патента: US20220149355A1. Автор: Ki Eun SUNG,Ki Woong Kim,In Gu An,Jeoung Soo Kim,Hyoung Sik Choi,Jun Hyeak Huh. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Manufacturing method of magnets from rare-earth metals

Номер патента: RU2538272C2. Автор: Такеси ЯМАМОТО,Норитака МИЯМОТО,Тецуя СЁДЗИ,Синья ОМУРА,Дайсюкэ ИТИГОДЗАКИ. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-01-10.

Antenna duplexer and its design method ,manufacturing method and communication device

Номер патента: CN100342581C. Автор: 中村弘幸,关俊一. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-10.

Manufacturing Method for the Low-Sag Increased-capacity overhead power transmission cable, and its Low-Sag Increased-capacity overhead power transmission cable

Номер патента: KR101074847B1. Автор: 최석봉,최재형,한광현,최태순. Владелец: 대한전선 주식회사. Дата публикации: 2011-10-19.

Evaluation method of manufacturing work in terminal-attached wire manufacturing method, terminal-attached electric wire pressure-bonding apparatus, evaluation apparatus and manufacturing work evaluation system

Номер патента: TWI602041B. Автор: 下原紗姬. Владелец: 住友電裝股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-11.

Film formation apparatus and film-formed workpiece manufacturing method

Номер патента: US10422032B2. Автор: Yotaro FUKUOKA,Sosuke YAGI. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2019-09-24.

Gradient magnetic field coil, magnetic resonance imaging apparatus, and gradient magnetic field coil manufacturing method

Номер патента: JP5295799B2. Автор: 良知坂倉. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2013-09-18.

Target for the sputtering cathode of a vacuum coating apparatus and process for its manufacture

Номер патента: EP0770701A1. Автор: Norbert Wollenberg. Владелец: Leybold Materials GmbH. Дата публикации: 1997-05-02.

Array antenna and its design method, signal processing method with array antenna, and signal transmitting / receiving apparatus and method using the same

Номер патента: JP3482810B2. Автор: ウンユンドン,勝元崔. Владелец: コリアテレコムフリーテルカンパニーリミテッド. Дата публикации: 2004-01-06.

Gate insulating film, organic thin film transistor, and organic thin film transistor manufacturing method

Номер патента: JP6455008B2. Автор: 静士時任,正臣高野,時任　静士,誠水上,水上　誠,裕章山田,慎也奥,山田　裕章,秀平林. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2019-01-23.

Electrode manufacturing method comprising cleaning step using laser, electrode manufactured by method, and secondary battery comprising same

Номер патента: EP3910700A1. Автор: Ki Eun SUNG,Ki Woong Kim,In Gu An,Jeoung Soo Kim,Hyoung Sik Choi,Jun Hyeak Huh. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150286147A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190346770A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-14.

Manufacturing method of Silicon/Carbon nanotube/Graphene Composite film as Anode Materials for Lithiumion Batteries and Manufacturing method for Lithiumion Batteries using it

Номер патента: KR102473745B1. Автор: 최진영,이창섭,노은희,현유라. Владелец: 계명대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-12-01.

Manufacturing method of paste composition having low temperature coefficient resistance for resistor, thick film resistor and manufacturing method of the resistor

Номер патента: KR101138246B1. Автор: 김형준,김형태,김민식,류성수. Владелец: (주) 케이엠씨 테크놀러지. Дата публикации: 2012-04-24.

Manufacturing method of composite carbon-silicon cathode substrate and composite carbon-silicon cathode substrate manufactured by manufacturing method

Номер патента: CN112086624A. Автор: 赖鸿政,林正崧,张曾隆. Владелец: Shih Hua Technology Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Transition metal silicide-Si composite powder and manufacturing method thereof, and CaSiy-based powder for manufacturing transition metal silicide-Si composite powder and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5387613B2. Автор: 賢彦朝岡,哲郎小林,康善齋藤,浩板原,哲大砂. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Manufacturing apparatus and method of fuel cell, manufacturing method of fuel cell using the fuel cell manufacturing apparatus, electronic machine and vehicle having fuel cell manufactured by the manufacturing method

Номер патента: TW200425571A. Автор: Shuhei Yamada,Hirotsuna Miura,Mitsuru Kuribayashi,Yoshiharu Ajiki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Lithium secondary battery cathode manufacturing device, manufacturing method therefor, and lithium secondary battery comprising same

Номер патента: EP4261919A1. Автор: Minsu Kim,Dongseok SHIN,Kyungsik HONG. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Manufacture method for electron-emitting device, electron source, light-emitting apparatus, and image forming apparatus

Номер патента: EP1291892A1. Автор: Takeo Tsukamoto,Makoto Kameyama,Yasuyuki Saito,Junri Ishikura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-03-12.

Ring-type magnet molded body manufacturing apparatus and ring-type sintered magnet manufacturing method

Номер патента: JP4279757B2. Автор: 裕治中原,泰造石見,義一鵜飼. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-06-17.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, MANUFACTURING METHOD OF ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND A SOLID SOLUTION AND MANUFACTURING METHOD OF A SOLID SOLUTION

Номер патента: US20150370181A1. Автор: Tanaka Masato,Nishida Tsutomu,Kawahara Masataka. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Solid state image pick-up apparatus and method for increased luminance signal resolution

Номер патента: US5436661A. Автор: Kazumi Yamamoto,Kenichi Sueyoshi,Masayuki Sugasawa. Владелец: Ikegami Tsushinki Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-25.

Solid state close-up imaging apparatus

Номер патента: EP1079612A3. Автор: Haruyasu Ishida. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-02.

Comparator, solid-state imaging device, electronic apparatus, and driving method

Номер патента: US09985622B2. Автор: Hideki Tanaka,Shizunori Matsumoto,Yuuichi Kaji,Haruhisa Naganokawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Solid-state imaging device, electronic apparatus, and counter interface circuit

Номер патента: US20150116559A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Solid state imaging element, electronic apparatus, and power noise correction method

Номер патента: US20210329190A1. Автор: Daisuke Nakagawa,Shinichirou Etou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Field effect type organic transistor and process for production thereof

Номер патента: WO2005029605A1. Автор: Shinichi Nakamura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-03-31.

Insulated gate bipolar transistor/field effect transistor based energy saving device, system and method

Номер патента: EA019602B1. Автор: Джон Л. Ламзден. Владелец: Дзе Пауэрвайз Груп, Инк.. Дата публикации: 2014-04-30.

Patterning method, film forming method, patterning device, manufacturing method of organic electroluminescent element and color filter, electro- optical device and its manufacturing method, electron device and manufacturing method, and electronic machine

Номер патента: TW200626001A. Автор: Takashi Miyazawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-07-16.

Solid state imaging device reading apparatus and image scanner using the same, and method

Номер патента: DE69125643D1. Автор: Fumikazu Nagano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-05-22.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVING METHOD

Номер патента: US20200021759A1. Автор: TASHIRO YOSHIAKI. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND COUNTER INTERFACE CIRCUIT

Номер патента: US20150116559A1. Автор: FUJITA Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND AD CONVERTER

Номер патента: US20180109744A1. Автор: Hanzawa Katsuhiko,Matsumoto Shizunori. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2018-04-19.

COMPARATOR, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVING METHOD

Номер патента: US20140291482A1. Автор: TANAKA Hideki,Matsumoto Shizunori,Naganokawa Haruhisa,Kaji Yuuichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

COMPARATOR, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVING METHOD

Номер патента: US20140293104A1. Автор: TANAKA Hideki,Matsumoto Shizunori,Naganokawa Haruhisa,Kaji Yuuichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

COMPARATOR, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVING METHOD

Номер патента: US20150237285A1. Автор: TANAKA Hideki,Matsumoto Shizunori,Naganokawa Haruhisa,Kaji Yuuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

COMPARATOR, SOLID-STATE IMAGING DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND DRIVING METHOD

Номер патента: US20180226962A1. Автор: TANAKA Hideki,Matsumoto Shizunori,Naganokawa Haruhisa,Kaji Yuuichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

Photoelectric conversion device correcting aberration of optical system, and solid state image pick-up apparatus and device and camera using photoelectric conversion device

Номер патента: US6704051B1. Автор: Hidekazu Takahashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-03-09.

Comparator, AD converter, solid-state imaging device, electronic apparatus, and comparator control method

Номер патента: CN109479106B. Автор: 榊原雅树. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Comparator, ad converter, solid state imaging device, electronic apparatus, and comparator control method

Номер патента: EP3503535A4. Автор: Masaki Sakakibara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-09-04.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200503177A. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Chang-Rong Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-16.

Tubular thermoelectric module and its structural element manufacturing method

Номер патента: RU2615211C2. Автор: Рольф БРЮКК,Вильфрид МЮЛЛЕР. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2017-04-04.

Piezoelectric motor with rotor position detector and its piezomotor stator manufacturing method

Номер патента: KR100341871B1. Автор: 로랜드루디어. Владелец: 아스라브 쏘시에떼 아노님. Дата публикации: 2002-11-29.

Apparatus and its method for deciding user code according to number of connecting user and, apparatus and its method for generating user code using the same in quasi-synchronous cdma system

Номер патента: KR100662506B1. Автор: 이호진,김호겸,최권휴,오덕길,송윤정. Владелец: 학교법인 영남학원. Дата публикации: 2006-12-28.

MEMORY ELEMENT TO A TRANSISTOR AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2404894A1. Автор: . Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-04-27.

Lighting device for solid-state light source, and illumination apparatus and system including same

Номер патента: CN102695329B. Автор: 浮田伸夫,水川宏光,西本和弘,渡边浩士. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

A kind of PCB radiating subassemblies, PCB circuit devcies and its radiating and manufacture method

Номер патента: CN106961786A. Автор: 李红雨,姜桂宾. Владелец: Zhuhai Enpower Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Ear-fitting headphone attachment apparatus, and methods of manufacturing and using the same

Номер патента: US20230421944A1. Автор: Harry Duane ROMO,David Hagopian. Владелец: D Squared Ventures. Дата публикации: 2023-12-28.

Insert for electrical heating apparatus and method for its manufacture

Номер патента: FR1007133A. Автор: Hans Moser. Владелец: . Дата публикации: 1952-05-02.

induction heating element for zone fusion purification apparatus and method for its manufacture

Номер патента: FR1374791A. Автор: . Владелец: Monsanto Chemical Co. Дата публикации: 1964-10-09.

Programmable electroacoustic filter apparatus and method for its manufacture

Номер патента: US9276557B1. Автор: Darren W. Branch,Roy H. Olsson,Christopher Nordquist,Kenneth Wojciechowski,Sean Michael Scott. Владелец: Sandia Corp. Дата публикации: 2016-03-01.

High frequency communication apparatus and waterproof structure thereof and manufacturing method for waterproof structure

Номер патента: US20090168389A1. Автор: Tung Yi Ko,Hsiang Hao Sung. Владелец: Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Organic integrated device used for thin film transistor and light emitting diode, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP5014560B2. Автор: 財源許,弘隆鄭,右武王,正中李,慶勳趙. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2012-08-29.

MANUFACTURING METHOD FOR NARROW-TYPE DIAPHRAGM AND THIN-TYPE DIAPHRAGM, SPEAKER-USE DIAPHRAGM MANUFACTURED USING SAME MANUFACTURING METHOD, SPEAKER, ELECTRONIC APPARATUS, AND MOVABLE DEVICE

Номер патента: US20140241565A1. Автор: Jin Yohei. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-08-28.

The manufacturing method of image display device and pass through the resulting image display device of the manufacturing method

Номер патента: CN110506307A. Автор: 后藤周作. Владелец: Nittosan Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Transition metal compound-containing nanoparticles and manufacturing method thereof, ink for hole injection transport layer, device having hole injection transport layer, and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4905584B2. Автор: 滋弘上野,匡哉下河原,洋介田口. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2012-03-28.

Wiring Material, Wiring Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Panel, Fine Particle Thin Film Material, Substrate Including Thin Film Layer and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR100614551B1. Автор: 아끼요시 후지이,노부까즈 나가에,도시오 다히라. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-08-25.

Wiring material, wiring substrate and manufacturing method thereof, display panel, fine particle thin film material, substrate including thin film layer and manufacturing method thereof

Номер патента: TW200414855A. Автор: Akiyoshi Fujii,Nobukazu Nagae,Toshio Tahira. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-08-01.

Manufacturing method for narrow-type diaphragm and thin-type diaphragm, speaker-use diaphragm manufactured using same manufacturing method, speaker, electronic apparatus, and movable device

Номер патента: US20140241565A1. Автор: Yohei Jin. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

MANUFACTURING METHOD OF QUANTUM INTERFERENCE DEVICE, QUANTUM INTERFERENCE DEVICE, ELECTRONIC APPARATUS, AND ATOM CELL MODULE

Номер патента: US20140070895A1. Автор: CHINDO Koji. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-13.

The manufacturing method of variable-power optical system, optical device, capture apparatus and variable-power optical system

Номер патента: CN109906397A. Автор: 町田幸介. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Rod lens array unit, rod lens array unit manufacturing method, LED print head, image sensor head, image forming apparatus, and image reading apparatus

Номер патента: JP6621591B2. Автор: 貴人鈴木,鈴木　貴人. Владелец: 株式会社沖データ. Дата публикации: 2019-12-18.

Variable magnification optical system, optical apparatus, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JPWO2016017724A1. Автор: 幸介町田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Light-emitting device, manufacturing method of light-emitting device, image capturing device, electronic apparatus, and moving body

Номер патента: US20230389372A1. Автор: Akihiro Kawano,Yu Maehashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Gas analytical equipment calibration mixtures manufacturing method using the solid state electrolysis cell

Номер патента: RU2661074C1. Автор: Сергей Иванович Бредихин,Владислав Андреевич Колотыгин,Валентина Анатольевна Носкова,Владислав Вадимович Хартон. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2018-07-11.

Low-alloy cast iron tappet, apparatus, and process for its manufacturing

Номер патента: WO1998047648A2. Автор: Mile Jakir. Владелец: Mile Jakir. Дата публикации: 1998-10-29.

Manufacturing method of polygonal mirror, polygonal mirror, deflector, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: US20190322021A1. Автор: Yoshihiko Tanaka,Mitsuhiro Ohta,Naoki Matsushita,Hiroki Katayama,Takatoshi Tanaka,Atsushi Takata,Fumihiko Yamaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Manufacturing method of polygonal mirror, polygonal mirror, deflector, optical scanning apparatus and image forming apparatus

Номер патента: EP3561555A3. Автор: Yoshihiko Tanaka,Mitsuhiro Ohta,Naoki Matsushita,Hiroki Katayama,Takatoshi Tanaka,Atsushi Takata,Fumihiko Yamaya. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-18.

Inrush limiter for bidirectional solid state switches

Номер патента: US20200014197A1. Автор: Matthew Mishrikey,Frank Peter Wahl, III. Владелец: TE Connectivity Services GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Improvements in or relating to oscillators employing field-effect transistors

Номер патента: GB1035851A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1966-07-13.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Operation control of electronic valves with insulated gates

Номер патента: RU2406221C2. Автор: Вальдемар БЕЛЬВОН,Пер ВЕННЕРЛУНД. Владелец: БОМБАРДИР ТРАНСПОРТАЦИОН ГМБХ. Дата публикации: 2010-12-10.

Inrush limiter for bidirectional solid state switches

Номер патента: US10923909B2. Автор: Matthew Mishrikey,Frank Peter Wahl, III. Владелец: TE Connectivity Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US6822503B2. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Method and apparatus for switching insulated gate field effect transistors

Номер патента: US20040051578A1. Автор: Bum-Seok Suh,Ki-Young Jang. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2004-03-18.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Solid-state imaging apparatus and imaging device

Номер патента: US09584748B2. Автор: Masashi Saito. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Solid-state imaging apparatus, method of controlling said apparatus and camera system

Номер патента: RU2479891C2. Автор: Юки АРУГА,Хаято ВАКАБАЯСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-04-20.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Imaging apparatus, image quality correction method of imaging apparatus, interchangeable lens and imaging apparatus body

Номер патента: US20140307127A1. Автор: Hayato Yamashita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Imaging apparatus, and imaging apparatus control method

Номер патента: US20210136301A1. Автор: Makoto Koizumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: CA1154089A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1983-09-20.

Field effect transistor device means control system

Номер патента: US4280069A. Автор: Arlon D. Kompelien. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1981-07-21.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Solid-state imaging device, imaging apparatus, and electronic apparatus with negative feedback circuit

Номер патента: US09609249B2. Автор: Jyunichirou Kusuda,Kenichirou Anjyou. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Column A/D converter, column A/D conversion method, solid-state imaging element and camera system

Номер патента: US09473722B2. Автор: Hiroyuki Iwaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Solid-state imaging apparatus

Номер патента: US20050012837A1. Автор: Yuichi Gomi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2005-01-20.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: WO2019114502A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Solid-state imaging apparatus and digital camera

Номер патента: US7317478B2. Автор: Yasuo Aotsuka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-01-08.

Solid-state imaging apparatus and imaging with a limiting circuit for limiting an amplifier output in first and second periods to first and second ranges

Номер патента: US09942497B2. Автор: Hiroki Hiyama,Yasuji Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Solid-state imaging apparatus and electronic apparatus

Номер патента: US20240381007A1. Автор: Satoko Iida. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Method for gain control of field-effect transistor

Номер патента: US3875536A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui. Владелец: Individual. Дата публикации: 1975-04-01.

Apparatus and method for hybrid differential envelope detector and full-wave rectifier

Номер патента: US20160072481A1. Автор: Thomas Cho,Siddharth Seth,Sang Won Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Imaging apparatus, image processing apparatus, image processing method, and recording medium that records image processing program

Номер патента: US20190327429A1. Автор: Kenichi Onomura. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: US20100051927A1. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Solid state imaging device, imaging apparatus, and imaging method

Номер патента: US20210029315A1. Автор: Yohei Horikawa,Kazuma Sakato. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Solid-state imaging apparatus

Номер патента: US12108183B2. Автор: Kazuyuki OKUIKE. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Selective solid-state isolation of NMR circuit elements using back-to-back field effect transistors

Номер патента: US12066588B2. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Solid-state imaging apparatus and driving method of solid-state imaging apparatus

Номер патента: US09654697B2. Автор: Shintaro Takenaka,Kazuhiro Sonoda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: EP2159859A3. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2011-09-21.

Solid-state imaging apparatus

Номер патента: US7956915B2. Автор: Yuichi Gomi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2011-06-07.

Solid-state imaging device, camera, and driving method for solid-state imaging device

Номер патента: US20100302422A1. Автор: Makoto Ikuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Environmental protection paper material structure used for food containers and manufacturing method thereof

Номер патента: SG143114A1. Автор: Hsi-Ching Chang. Владелец: Hsi Ching Chang. Дата публикации: 2008-06-27.

Solid state irradiation of hyaluronan-based solid preparations, its derivatives and mixtures in an unsaturated gaseous atmosphere and their use

Номер патента: WO2007026193A1. Автор: Endre A. Balazs,Vadim Mitlitski,Ilana K Mitlitski,Julie L. Heeter. Владелец: Matrix Biology Institute. Дата публикации: 2007-03-08.

Secured document and method of its manufacturing

Номер патента: RU2359834C2. Автор: Сандрин Рансьен,Натали ВАСТ. Владелец: Аржовижженс Секьюрити. Дата публикации: 2009-06-27.

Quasi-isotropic three-dimensional preform and method of its manufacture

Номер патента: RU2528967C2. Автор: Джонатан ГОЕРИНГ. Владелец: Олбани Энджиниэрд Композитс, Инк.. Дата публикации: 2014-09-20.

A kind of all solid state continuous fiber lithium ion battery structure and its 3D printing manufacturing process

Номер патента: CN109950635A. Автор: 李涤尘,汪鑫,田小永. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2019-06-28.

Manufacturing method of solid electrolyte, manufacturing method of electrode material for all-solid-state battery, and manufacturing method of all-solid-state battery

Номер патента: JP6937198B2. Автор: 信三藤井,藤井　信三,友弘藤沢. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2021-09-22.

Method for adaptively managing a solid state drive, and associated apparatus and associated computer program product

Номер патента: US09715447B2. Автор: Yi-Chun Lin,Hsuan-Ting Chen. Владелец: Synology Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

A Manufacturing Method of Cleaner Assembling Toy Block, the Cleaner Assembling Toy Block Producted by Its Manufacturing Method and The Toy Assembled as Its Toy Block

Номер патента: KR101174830B1. Автор: 이석준,김기석. Владелец: (주)생활낙원. Дата публикации: 2012-08-17.

Manufacturing method of all-solid-state secondary battery

Номер патента: JP5557471B2. Автор: 英丈岡本,和之砂山. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Tool for fixing blades and its usage at friction welding of blades

Номер патента: RU2280546C2. Автор: Андре Клод Феликс КОЛЛО,Жан-Пьер ФЕРТ. Владелец: Снекма Мотер. Дата публикации: 2006-07-27.

Manufacturing method of all-solid-state secondary battery

Номер патента: JP6071225B2. Автор: 靖高野,英丈岡本,美奈子加藤,高野　靖. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2017-02-01.

Electrodes and their manufacturing methods and all-solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: JP6945833B2. Автор: 麗子松田,厚範松田,浩行武藤,剛河村,松田　厚範,翔太東,英登山田. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2021-10-06.

Manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: JP6088896B2. Автор: 基邦一谷,寛明竹原,健司山内,山内　健司,寛子宮崎. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-01.

Heat generating apparatus and its process

Номер патента: CA1176525A. Автор: Nobuyoshi Kuboyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1984-10-23.

Manufacturing method of all-solid-state lithium ion secondary battery

Номер патента: JP5402090B2. Автор: 重規濱,靖土田,幸義上野,浩長瀬,正人神谷. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-01-29.

Manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: JP5144616B2. Автор: 健松田,雅和真田. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Manufacturing method of all solid state battery

Номер патента: JP6551220B2. Автор: 昌義石川,秀幸永井,永井　秀幸,正剛藤嶋,誠之北浦,圭悟山田,宏昭西野. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-31.

Electrodes and their manufacturing methods and all-solid-state lithium-ion batteries

Номер патента: JP6761992B2. Автор: 麗子松田,厚範松田,浩行武藤,剛河村,松田　厚範,翔太東,英登山田. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2020-09-30.

Manufacturing method of all-solid-state secondary battery

Номер патента: JP7017137B2. Автор: 洋平進藤. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-02-08.

Process for producing brominated acenaphthylene and its condensates

Номер патента: CA1260960A. Автор: Koji Kawabata,Masashige Kubo,Yukihiro Tsutsumi. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Manufacturing method of all-solid-state battery

Номер патента: JP7002199B2. Автор: 信三藤井,羊一郎河野. Владелец: FDK Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

The manufacture method of polyhydroxy polyether resin, polyhydroxy polyether resin, its resin combination and its hardening thing

Номер патента: CN104072750B. Автор: 军司雅男,野泽英则. Владелец: Nippon Steel Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-15.

Manufacture method of quantum dots printing ink and quantum dots printing ink manufactured with the manufacture method

Номер патента: US20180100079A1. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

REFRIGERATING APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011119251A. Автор: Юйфа БАЙ,Сунтао ЛУ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2012-12-20.

Rails with excellent abrasion resistance and overall damage and manufacturing method (RAIL HAVING HIGH WEAR RESISTANCE AND HIGH INTERNAL DAMAGE RESISTANCE, AND ITS PRODUCTION METHOD)

Номер патента: KR970702937A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-06-10.

Information processing apparatus and its control method

Номер патента: US20110161609A1. Автор: Yoshiyuki Nishi,Kenichi Oyamada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-06-30.

A synthetic hydrogel and its use for immunotherapy and 3d-printing

Номер патента: EP3913048A1. Автор: Jaume Veciana Miro,Elisabeth Engel Lopez,Judit GUASCH CAMELL,Imma Ratera Bastardas,Eduardo PÉREZ DEL RÍO,Marc MARTINEZ MIGUEL,Xavier RODRÍGUEZ RODRÍGUEZ,Roberto Fabião SANTOS ABREU,Miguel Ángel MATEOS TIMONEDA. Владелец: Fundacio Institut de Bioenginyeria de Catalunya IBEC. Дата публикации: 2021-11-24.

Spinning pack for manufacturing high strength yarn, and yarn manufacturing apparatus and method

Номер патента: EP3741884A1. Автор: Sung Ho Park,Il Chung,Ki Sub Lim. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2020-11-25.

Equine gear carrying apparatus and method for its manufacture

Номер патента: US20200405024A1. Автор: Christina Fuller,Katherine Anneliese Fuller Cortez,Felicia Anne Fuller Corlez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-31.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Thermal head, manufacturing method therefor, and printer

Номер патента: US20110018952A1. Автор: Toshimitsu Morooka,Norimitsu Sanbongi,Keitaro Koroishi,Noriyoshi Shoji. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Building structure and apparatus and method of its manufacture

Номер патента: AU5654669A. Автор: Kenneth Rice Edward. Владелец: STRESSED STRUCTURES Inc. Дата публикации: 1970-12-24.

Image display apparatus and method for its manufacture and use

Номер патента: US12094369B1. Автор: Cory Rupell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-17.

Sheet manufacturing apparatus, sheet manufacturing method, sheet manufactured using sheet manufacturing apparatus and sheet manufacturing method, and composite and container used in sheet manufacturing apparatus and sheet manufacturing method

Номер патента: US09868854B2. Автор: Yoshihiro Ueno. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09632351B2. Автор: Sang-Uk Lim,Byoung Sun NA,Wan-Soon Im,Seong Young Lee,Hee June KWAK,Seok Kyu Yoon,Seung Soo Baek. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

MULTILAYERED, FLEXIBLE, FLAT SEMI-FINISHED PRODUCT OR COMPONENT WITH A SEGMENT-LIKE SURFACE AND A METHOD FOR ITS MANUFACTURE, AS WELL AS A MULTIDIMENSIONALLY CURVED MOULDED PART MADE THEREFROM AND A METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20190381770A1. Автор: Kroll Lothar,PORST Philipp,RINBERG Roman,IWAN Sebastian,NENDEL Wolfgang. Владелец: C. H. Müller GmbH. Дата публикации: 2019-12-19.

Fruit ice cream manufacturing method that uses the fruit rind removed, fruit ice cream container and its contents in fruit ices

Номер патента: KR101707895B1. Автор: 박성환. Владелец: 박성환. Дата публикации: 2017-02-20.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415A. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2008-10-22.

Liquid crystal display and its operation and manufacture method

Номер патента: CN101290415B. Автор: 吴诗聪,李汪洋,葛志兵,朱欣宇,托马斯·X·Z·吴,韦忠光. Владелец: Chi Mei Electronics Co ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

The manufacturing method of beverage containing extract of fat-removed pits of safflower and its product

Номер патента: KR100564285B1. Автор: 김종국,김준한,강우원,문광덕. Владелец: 김준한. Дата публикации: 2006-03-29.

Arginine derivative and its salt showing the effect of improving sexual functions, composition for improving sexual functions comprising the same, and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100942794B1. Автор: 장해동. Владелец: 한남대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-02-18.

Manufacturing method of a comfortable and minimize sewing line for outer socks and it's product

Номер патента: KR101726297B1. Автор: 고미화. Владелец: 주식회사 제이패션. Дата публикации: 2017-04-12.

Energy-saving electric heating fan and its electrothermal element manufacture method

Номер патента: CN101334214A. Автор: 劳鑑滔. Владелец: BIJI INTERNATION Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

The color melamine material of one kind seven and its melamine product manufacture method

Номер патента: CN108003561A. Автор: 诸葛剑锋. Владелец: From Dongguan Science And Technology Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Oral care product and its use and manufacture method

Номер патента: CN107106473A. Автор: 斯泰西·拉文德,R·萨利文,纳杰马·卡恩. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2017-08-29.

Inorganic composition and its products and manufacturing method

Номер патента: CN101265064B. Автор: 中川温. Владелец: Nichiha Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Manufacturing method of flame retardant sheet for construction and automobile interior material and its flame retardant sheet

Номер патента: KR102155878B1. Автор: 김남성. Владелец: 주식회사 서강에프엠비. Дата публикации: 2020-09-16.

Manufacturing method of flame retardant sheet for construction and automobile interior material and its flame retardant sheet

Номер патента: KR102155876B1. Автор: 김남성. Владелец: 주식회사 서강에프엠비. Дата публикации: 2020-09-16.

Organ with microchannel imitates device and its use and manufacture method

Номер патента: CN104328050B. Автор: 唐纳德·E·英格贝尔,胡东恩. Владелец: Childrens Medical Center Corp. Дата публикации: 2017-12-15.

A kind of metallic aluminium fiber melt-blowing device and its melt-blown manufacture method

Номер патента: CN107876788A. Автор: 袁洋,殷世春. Владелец: Jiangsu Wodesai Mold Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Enteric sustained-release fine particles of tamsulosin and its salt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040253309A1. Автор: Akira Ito,Shigeru Yamazaki,Tetsuya Tamura,Takao Mizumoto,Yoji Tanijiri,Hiroya Sugao,Mare Nishura. Владелец: Yamanouchi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-16.

Use of idazoxan and its derivatives for the preparation of a medicament for the treatment of Parkinson's disease and its evolution.

Номер патента: FR2698789A1. Автор: Imbert Thierry,Colpaert Francis,Briley Mike. Владелец: Pierre Fabre Medicament SA. Дата публикации: 1994-06-10.

Contact lens for inhibiting myopia progression and its design and manufacturing method

Номер патента: KR102522801B1. Автор: 다카시 후지카도,아사키 스자키,미쓰히코 나카다,유키히사 사카이. Владелец: 가부시끼가이샤 메니콘. Дата публикации: 2023-04-19.

Hot-worked copper alloy and its usage and manufacturing method of hot-worked copper alloy

Номер патента: JP7017316B2. Автор: アルテンバーガールゴール,ハンスアチームクアン. Владелец: Wieland Werke AG. Дата публикации: 2022-02-08.

Oral care product and its use and manufacturing method

Номер патента: CN108472514A. Автор: 图兰·马图尔,安德烈·布鲁内拉,露丝·欣里希斯. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2018-08-31.

DEFORMABLE TUBULAR CONTAINER AND ITS ONE PIECE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: FR2627463B1. Автор: . Владелец: Simon Patrick. Дата публикации: 1990-06-15.

A kind of sandwich structure divertor module and its integrally formed manufacturing method

Номер патента: CN109036590A. Автор: 王冲,文世峰,周燕,杨展,段隆臣,谭松成,方小红. Владелец: Wuhan Huake 3d Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-18.

Animal feed composition and its use and manufacturing method

Номер патента: KR950700747A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-02-20.

Manufacturing method of a comfortable and minimize sewing line for outer socks and it's product

Номер патента: KR20160072005A. Автор: 고미화. Владелец: 주식회사 제이패션. Дата публикации: 2016-06-22.

Functional nano particles evenly adsorbing textile products and it's effective manufacturing method

Номер патента: KR101773547B1. Автор: 박흥수,전영민,김영률,이상락,양중식,전준후,황민수. Владелец: 사단법인 코티티시험연구원. Дата публикации: 2017-09-01.

A case for storing eyelash extensions and its use and manufacturing method

Номер патента: JP2023129458A. Автор: LOTTI Sahara,ロッティサハラ. Владелец: Lashify Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Fin cooling system, cooling fins and its increasing material manufacturing method

Номер патента: CN108161002A. Автор: 王智勇,刘学胜,何欢,闫岸如,曹明真. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-06-15.

Exposure apparatus and exposure method and device manufacturing method

Номер патента: TW200933311A. Автор: Shinichi Okita. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2009-08-01.

Image bearing member, manufacturing method of the same, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge

Номер патента: US20140178810A1. Автор: Kazukiyo Nagai,Tetsuro Suzuki,Yuuji Tanaka,Yuusuke Koizuka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Optical imaging apparatus built by using pinhole imaging principle, manufacturing method therefor and applications thereof

Номер патента: WO2016112864A1. Автор: 张宝忠,王明珠,汪凯伦,袁业辉. Владелец: 宁波舜宇光电信息有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

EQUINE GEAR CARRYING APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20200405024A1. Автор: Fuller Christina,Cortez Katherine Anneliese Fuller,Fuller Corlez Felicia Anne. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Composite panel, apparatus and process for its manufacture

Номер патента: EP1686210A1. Автор: Guy Le Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-02.

Pneumatic sheet handling apparatus and method for its manufacture

Номер патента: FR1477171A. Автор: . Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 1967-04-14.

Inflatable joint with safety apparatus and its combination with high-pressure gas cylinder including a body, a pressure sensing apparatus and a safety apparatus, and capable of preventing a pressure inside the body from being excessively high

Номер патента: TW201910675A. Автор: 莊士文. Владелец: 極點股份有限公司. Дата публикации: 2019-03-16.

ZIPPER TAPE, APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2297013A1. Автор: . Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1976-08-06.

SEMI-PERMEABLE MEMBRANE MASS TRANSFER APPARATUS AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2384524A1. Автор: Alexander S Borsanyi. Владелец: American Hospital Supply Corp. Дата публикации: 1978-10-20.

Heat exchange apparatus and method for its manufacture

Номер патента: FR1042033A. Автор: . Владелец: VEGYIPARIGEP ES RADIATORGYAR. Дата публикации: 1953-10-28.

SUMMIT STOP MOLD, APPARATUS AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2319311A1. Автор: . Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1977-02-25.

PERFECTED COATING APPARATUS AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2359041A1. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1978-02-17.

SYNTACTIC HEATING MATERIAL HEATING MATERIAL, APPARATUS AND PROCEDURE FOR ITS MANUFACTURING AND INSULATING COMPONENTS INCLUDING SUCH MATERIAL

Номер патента: DK166485B. Автор: Gilles Argy,Andre Cheymol,Patricia Phalip,Adrien Verschave. Владелец: HUTCHINSON. Дата публикации: 1993-06-01.

REFRIGERATING APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2011121056A. Автор: Юйфа БАЙ,Сунтао ЛУ,Лишэн ЧЖАН,Кайцзюй ЧЭНЬ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2012-12-20.

HERMETIC PACKAGING APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: BE755462A. Автор: H F W Arfert. Владелец: Reynolds Metals Co. Дата публикации: 1971-02-01.

COLD FORGED SHAFT, AND APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: FR2647039B1. Автор: Katsuo Takahara,Shigeru Okajima,Tugio Onodera. Владелец: Mitsuba Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1993-06-18.

SLIDE CLOSURE ELEMENT, APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: FR2332118A1. Автор: . Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1977-06-17.

Biochip and apparatus and methods for its manufacture and use

Номер патента: AU2002304518A1. Автор: Martin Gregory Beckett,Aled Wynne Jones. Владелец: Scientific Generics Ltd. Дата публикации: 2002-12-09.

SEMI-PERMEABLE MEMBRANE MASS TRANSFER APPARATUS AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURING

Номер патента: BE865095A. Автор: . Владелец: American Hospital Supply Corp. Дата публикации: 1978-09-20.

Humidity and heat exchanger apparatus, and method for its manufacture

Номер патента: AU502410B2. Автор: O. Wrangel E Strtndehag. Владелец: Svenska Flaktfabriken AB. Дата публикации: 1979-07-26.

An anti-sticking surface plate structure to be used as a low-friction based material in a food processing apparatus and method for its manufacture

Номер патента: WO2014067533A1. Автор: Anne BROAGER,Gert Hansen,Klaus LANGHOFF. Владелец: MAREL A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

Steering apparatus and method for its manufacture

Номер патента: GB0521057D0. Автор: . Владелец: NSK Steering Systems Europe Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Variable power optical system, optical apparatus, and variable power optical system manufacturing method

Номер патента: US20180143413A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Kensuke Uchida,Akihiko Obama,Taku Matsuo. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Variable power optical system, optical apparatus, and variable power optical system manufacturing method

Номер патента: US20180217363A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Kensuke Uchida,Akihiko Obama,Norikazu Yokoi,Taku Matsuo. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150036118A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

MOVABLE BODY APPARATUS, PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, DEVICE MANUFACTURING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF MOVABLE BODY APPARATUS, AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD

Номер патента: US20160259255A1. Автор: AOKI Yasuo,KUDO Yoshihiko,SHIRASU Hiroshi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2016-09-08.

PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170261865A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-09-14.

PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170363971A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-21.

PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170371252A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-28.

PATTERN FORMING APPARATUS AND PATTERN FORMING METHOD, MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM AND MOVABLE BODY DRIVE METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180364592A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-12-20.

Pseudo defect sample and manufacturing method thereof, adjustment method of ultrasonic flaw detection condition, inspection method of target material, and manufacturing method of sputtering target

Номер патента: TWI635276B. Автор: 菅原裕明,西岡宏司. Владелец: 日商住友化學股份有限公司. Дата публикации: 2018-09-11.

Image data processing apparatus and method for defect inspection, defect inspecting apparatus and method using the image data processing apparatus and method, board-like body manufacturing method using the defect inspecting apparatus and method, and recording medium

Номер патента: KR101609007B1. Автор: 마꼬또 구루미사와. Владелец: 아사히 가라스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-04-04.

Hot-dip galvanizing treatment method, manufacturing method of alloyed hot-dip galvanized steel sheet using the hot-dip galvanizing treatment method, manufacturing method of hot-dip galvanized steel sheet using the hot-dip galvanizing treatment method, alloyed hot-dip galvanized steel sheet and hot-dip galvanized steel sheet

Номер патента: KR102467206B1. Автор: 히데키 니시무라,고이치 니시자와,다케시 고니시,나오토 후루카와,다쿠로 후쿠하라. Владелец: 닛폰세이테츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-16.

Image data processing apparatus and method for defect inspection, defect inspecting apparatus and method using the image data processing apparatus and method, board-like body manufacturing method using the defect inspecting apparatus and method, and storage medium

Номер патента: CN102099672A. Автор: 楜泽信. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-15.

Electrochemical reduction method using electron mediator, manufacturing method of metal catalyst using the electrochemical reduction method and metal catalyst manufactured by the manufacturing method

Номер патента: KR101521695B1. Автор: 이진영,정택동. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-05-20.

Coordinated-design supporting apparatus, coordinated-design supporting method, computer product, printed-circuit-board manufacturing method, circuit-design supporting apparatus, circuit-design supporting method, computer product, and printed-circuit-board manufacturing method

Номер патента: US8255844B2. Автор: Yoshiyuki Kato,Mitsuru Sato,Hisashi Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

Coordinated-design supporting apparatus, coordinated-design supporting method, computer product, printed-circuit-board manufacturing method, circuit-design supporting apparatus, circuit-design supporting method, computer product, and printed-circuit- board manufacturing method

Номер патента: US20080320433A1. Автор: Yoshiyuki Kato,Mitsuru Sato,Hisashi Aoyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for controlling a lens manufacturing method

Номер патента: WO2016075101A1. Автор: GUILLAUME MARTIN,Philippe Larue,Benoit Callier,Jean-Francois Belly,Benoit CAZAL,David Herfort,Victor Picat. Владелец: Essilor International (Compagnie Generale D'optique). Дата публикации: 2016-05-19.

Euv mask inspection apparatus and method, and euv mask manufacturing method including euv mask inspection method

Номер патента: US20200003685A1. Автор: Byeong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Mask data correction method, photomask manufacturing method, computer program, optical image prediction method, resist pattern shape prediction method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: TW200540662A. Автор: Daisuke Kawamura,Kazuya Fukuhara,Shoji Mimotogi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-12-16.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20130183623A1. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

MANUFACTURING METHOD FOR FIBRE-REINFORCED RESIN SUBSTRATE OR RESIN MOLDED ARTICLE, AND PLASTICIZING EXHAUSTER USED IN MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160001510A1. Автор: NISHIDA Shoso,Ito Hiroshi,ONO Akio,NIYAMA Takuya. Владелец: THE JAPAN STEEL WORKS, LTD.. Дата публикации: 2016-01-07.

EUV MASK INSPECTION APPARATUS AND METHOD, AND EUV MASK MANUFACTURING METHOD INCLUDING EUV MASK INSPECTION METHOD

Номер патента: US20200003685A1. Автор: JEON Byeong-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-01-02.

IMPRINT APPARATUS AND IMPRINT METHOD, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20150042012A1. Автор: EMOTO Keiji,Nakagawa Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20140132940A1. Автор: YODA Yasushi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-15.

SHEET MANUFACTURING APPARATUS, SHEET MANUFACTURING METHOD, SHEET MANUFACTURED USING SHEET MANUFACTURING APPARATUS AND SHEET MANUFACTURING METHOD, AND COMPOSITE AND CONTAINER USED IN SHEET MANUFACTURING APPARATUS AND SHEET MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20160068681A1. Автор: Ueno Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

IMAGE BEARING MEMBER, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, IMAGE FORMING METHOD, IMAGE FORMING APPARATUS, AND PROCESS CARTRIDGE

Номер патента: US20140178810A1. Автор: KOIZUKA Yuusuke,TANAKA Yuuji,NAGAI Kazukiyo,SUZUKI Tetsuro. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-26.

MEASUREMENT DEVICE AND MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180129144A1. Автор: UEDA Akihiro. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-10.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180136566A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-17.

Knee joint orthotic device manufacturing apparatus and knee joint orthotic device manufacturing method, and knee joint treatment support apparatus and knee joint treatment support method

Номер патента: US20190209357A1. Автор: Yoshiyuki Sankai. Владелец: Cyberdyne Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170235231A1. Автор: Shibazaki Yuichi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-08-17.

MEASUREMENT DEVICE AND MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200225592A1. Автор: UEDA Akihiro. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-16.

MEASUREMENT DEVICE AND MEASUREMENT METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190285995A1. Автор: UEDA Akihiro. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2019-09-19.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, MANUFACTURING METHOD OF ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND PHTHALOCYANINE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF PHTHALOCYANINE CRYSTAL

Номер патента: US20150346616A1. Автор: Tanaka Masato,Nishida Tsutomu,Kawahara Masataka,Watariguchi Kaname,Kuno Jumpei. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, MANUFACTURING METHOD OF ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE AND ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND PHTHALOCYANINE CRYSTAL AND MANUFACTURING METHOD OF PHTHALOCYANINE CRYSTAL

Номер патента: US20150346617A1. Автор: Tanaka Masato,Nishida Tsutomu,Kawahara Masataka,Watariguchi Kaname,Kuno Jumpei. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20170371249A1. Автор: YODA Yasushi. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-28.

Manufacturing method of mesh spacer fabric using double jacquard ridge and spacer fabric manufactured by the manufacturing method

Номер патента: JP4365775B2. Автор: 功男高岡,竜蔵鈴木,幸子小出. Владелец: 日本マイヤー株式会社. Дата публикации: 2009-11-18.

An injection mold apparatus, a manufacturing method of an injection product using the same, and an injection product manufactured using the manufacturing method

Номер патента: KR102313013B1. Автор: 한상용. Владелец: 한상용. Дата публикации: 2021-10-14.

Substrate bonding method and bonding apparatus, and liquid crystal display device manufacturing method

Номер патента: JP3483809B2. Автор: 雅之辻,和之田村,元洋奥山,伸浩和歌,道夫堀,裕二福島. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-01-06.

Tactile sensor for position and forse sensing of tooth, apparatus and system having the same, manufacturing method, obtaining method and recording medium thereof

Номер патента: KR101221415B1. Автор: 김영운,김종호. Владелец: 한국표준과학연구원. Дата публикации: 2013-01-11.

Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method

Номер патента: US7843550B2. Автор: Yutaka Ichihara,Takashi Gemma,Mikihiko Ishii. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method

Номер патента: US7868997B2. Автор: Yutaka Ichihara,Takashi Gemma,Mikihiko Ishii. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Optical Property Measurement Apparatus and Optical Property Measurement Method, Exposure Apparatus and Exposure Method, and Device Manufacturing Method

Номер патента: US20080043236A1. Автор: Toru Fujii,Yasushi Mizuno,Koji Kaise. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Optical property measurement apparatus and optical property measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US7667829B2. Автор: Toru Fujii,Yasushi Mizuno,Koji Kaise. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2010-02-23.

Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR100552559B1. Автор: 타케나카츠토무,미우라세이야. Владелец: 캐논 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-02-14.

Scribing wheel for brittle material and manufacturing method for same, as well as scribing method, scribing apparatus and scribing tool using the same

Номер патента: CN102285008A. Автор: 若山治雄,前川和哉. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

The manufacture method of masterbatch, masterbatch, rubber composition for tire and the pneumatic tire prepared with the manufacture method

Номер патента: CN107250222A. Автор: 马渕贵裕,宫崎澄子,川崎贵史,中山武史,藤井健嗣. Владелец: Nippon Paper Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-13.

Novel highly viscoelastic warm-mix modifier composition and their manufacturing method thereof; and compositions of virgin and recycles modified warm-mix asphalt concrete mixturesand their manufacturing method thereof

Номер патента: CA2902935A1. Автор: Jung Do Huh. Владелец: Jung Do Huh. Дата публикации: 2017-04-01.

Scribing wheel for brittle material and manufacturing method for same, as well as scribing method, scribing apparatus and scribing tool using same

Номер патента: EP2551085B1. Автор: Kazuya Maekawa,Haruo Wakayama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement

Номер патента: US9207549B2. Автор: Yuichi Shibazaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2015-12-08.

Manufacturing method of high-strength flame-retardant composite door plate and mould pressing material used in manufacturing method

Номер патента: CN114058157A. Автор: 孙敏,刘秀玉,刘吉平,韩佳,顾锡红. Владелец: Guangxi Nanning Duning Ventilation Protection Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Scribing wheel for brittle material and manufacturing method for same, as well as scribing method, scribing apparatus and scribing tool using the same

Номер патента: CN102285009A. Автор: 若山治雄,前川和哉. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US8098362B2. Автор: Yuho Kanaya. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Mark structure, mark measurement apparatus, pattern forming apparatus and detection apparatus, and detection method and device manufacturing method

Номер патента: US20070146708A1. Автор: Tsuneyuki Hagiwara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-06-28.

Manufacture method of power transmission chain and a power-transmission-chain manufacturing apparatus employed by the manufacture method

Номер патента: US7757473B2. Автор: Masaru Fuse. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Exposure apparatus, movable body drive system, pattern formation apparatus, and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: CN102540767A. Автор: 柴崎祐一. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2012-07-04.

Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US10372046B2. Автор: Akihiro Ueda. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Roll formed by winding base film for hydraulic transfer,manufacturing method of roll formed by winding base film for hydraulic transfer,film for hydraulic transfer,manufacturing method of film for hydraulic transfer,and hydraulic transfer method

Номер патента: TWI619619B. Автор: 磯崎孝德,高藤勝啓,練苧喬士,秦秀行,笹井弘治. Владелец: 可樂麗股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

Reticle, semiconductor exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20050042525A1. Автор: Tsutomu Takenaka,Seiya Miura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-02-24.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TWI639057B. Автор: 柴崎祐一. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-21.

A manufacturing method of rice wine made from sweet potato and a rice wine made by that manufacturing method

Номер патента: KR101165276B1. Автор: 오효준. Владелец: 오효준. Дата публикации: 2012-07-18.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: CN105917441A. Автор: 柴崎祐一,柴崎祐. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2016-08-31.

The manufacture method of vinylidene chloride resin film and the renovation process for injecting liquid for the manufacture method

Номер патента: CN107234802A. Автор: 峯岸裕寿,长田顺子. Владелец: Kureha Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US9772564B2. Автор: YASUSHI Yoda. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW201635054A. Автор: 上田哲寛. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-01.

Floor tile including fabric material and manufacturing method therefor

Номер патента: CA3015742A1. Автор: So Young Kim,Woon Kyu Jang,Young Dae Song. Владелец: NOX CORP. Дата публикации: 2017-06-15.

Measuring apparatus and measuring method, and element manufacturing method provided with the measuring method

Номер патента: JP5991094B2. Автор: 光彦酒井,増田　健良,健良増田,健二平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-14.

Manufacturing method of laminated body having aluminum nitride single crystal layer, laminated body manufactured by the manufacturing method, manufacturing method of aluminum nitride single crystal substrate using the laminated body, and aluminum nitride single crystal substrate

Номер патента: JP4707755B2. Автор: 徹永島,和哉高田,明箱守. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2011-06-22.

Measuring apparatus and measuring method, and element manufacturing method including measuring method

Номер патента: JP2014053454A. Автор: Takeyoshi Masuda,Kenji Hiratsuka,光彦酒井,健良増田,健二平塚,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Measurement device and measurement method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: TW201631406A. Автор: 上田哲寛. Владелец: 尼康股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-01.

Manufacturing method for fibre-reinforced resin substrate or resin molded article, and plasticizing exhauster used in manufacturing method

Номер патента: EP2946903A4. Автор: Hiroshi Ito,Akio Ono,Shoso Nishida,Takuya Niyama. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Manufacturing method of rotor for electromagnetic clutch and electromagnetic clutch provided with rotor manufactured by the manufacturing method

Номер патента: JP3633654B2. Автор: 純一大口,泰生田渕,昌史鳥羽山. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-03-30.

Manufacturing method and template of color filters

Номер патента: US9188719B2. Автор: LIN Li,Zhuo Zhang,Jinbo LU,Jisheng ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Magenta toner and manufacturing method thereof, developer, toner cartridge, process cartridge, image forming apparatus, and image forming method

Номер патента: JP5866923B2. Автор: 栄介岩崎,敏司井上,由季高宮. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-24.

Projection optical system inspecting method and inspection apparatus, and a projection optical system manufacturing method

Номер патента: US20070076181A1. Автор: Yutaka Ichihara,Takashi Gemma,Mikihiko Ishii. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

A wire electric discharge machining apparatus and a wire electric discharge machining method, a semiconductor wafer manufacturing apparatus and a semiconductor wafer manufacturing method, and a solar cell wafer manufacturing apparatus and a solar cell wafer manufacturing method

Номер патента: DE112009001483T5. Автор: Tatsushi Sato,Hidetaka Miyake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Manufacturing method of light diffusing element, light diffusing element, polarizing plate with light diffusing element, and manufacturing method of liquid crystal display device

Номер патента: JP4756100B2. Автор: 博之武本,宮武　　稔,岳仁淵田,俊介首藤. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Image bearing member, manufacturing method of the same, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge

Номер патента: US9201319B2. Автор: Kazukiyo Nagai,Tetsuro Suzuki,Yuuji Tanaka,Yuusuke Koizuka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Manufacturing method for 1-layer anti-acid protective film, the anti-acid protective film using the manufacturing method, and the display panel including the anti-acid protective film

Номер патента: KR101655847B1. Автор: 정성민,정찬수. Владелец: (주)아이씨에스. Дата публикации: 2016-09-22.

Scanning exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3514401B2. Автор: 和彦三島. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Scribing wheel for brittle material and manufacturing method for same, as well as scribing method, scribing apparatus and scribing tool using same

Номер патента: EP2551084A1. Автор: Kazuya Maekawa,Haruo Wakayama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Impact dot measurement method, impact dot measurement apparatus, and liquid drop discharge apparatus, manufacturing method of electro-optical apparatus, the electro-optical apparatus and electronic device

Номер патента: JP2008209218A. Автор: 寛文酒井,Hirobumi Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: US20110317139A1. Автор: Tomoharu Fujiwara. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Recording ink and manufacturing method thereof, ink cartridge, ink recorded matter, inkjet recording apparatus, and inkjet recording method

Номер патента: US20050117008A1. Автор: Akiko Konishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-02.

Highly flameproof laminated composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4197759A1. Автор: TsoChang WU,YuTing TSAI,LeeChe LU,Hong Juan CHEN,ChunAn CHEN. Владелец: Swancor Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Highly flameproof laminated composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230193135A1. Автор: TsoChang WU,YuTing TSAI,LeeChe LU,Hong Juan CHEN,ChunAn CHEN. Владелец: Swancor Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Manufacture method of nano-imprint lithography template and nano-imprint lithography template

Номер патента: US20180101093A1. Автор: Lixuan Chen,Yungjui LEE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Wide-viewing-angle optical film, manufacturing method of the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US11977289B2. Автор: JI Li,Yue Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Frame with an outer silicone layer and a manufacturing method of forming the silicone layer on the outer part of frame

Номер патента: US11772310B2. Автор: Lei Cheng,Chin-Hsing Lee,Kuo-Chi Lee. Владелец: DRAGONSTATE Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Guide plate for probe card and manufacturing method thereof, and probe card having same

Номер патента: US20200132756A1. Автор: Seung Ho Park,Bum Mo Ahn,Sung Hyun BYUN. Владелец: Point Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Wide-viewing-angle optical film, manufacturing method of the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US20240019730A1. Автор: JI Li,Yue Wang. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

PRINTING LIQUID CONTAINER, PRINTING LIQUID FILLED CONTAINER, IMAGE FORMING APPARATUS AND PRINTING LIQUID FILLED CONTAINER MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130271536A1. Автор: Kondou Masahiko,YOSHIDA Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

VIBRATING PIECE AND MANUFACTURING METHOD FOR THE VIBRATING PIECE, GYRO SENSOR, AND ELECTRONIC APPARATUS AND MOBILE BODY

Номер патента: US20130291639A1. Автор: NISHIZAWA Ryuta. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-07.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180052311A1. Автор: MACHIDA Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180129026A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,MATSUO Taku,OBAMA Akihiko,UCHIDA Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180136444A1. Автор: Harada Hiroki. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2018-05-17.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180143413A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,MATSUO Taku,OBAMA Akihiko,UCHIDA Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180157015A1. Автор: SHIBAYAMA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

POLARIZED LIGHT IRRADIATION APPARATUS AND PHOTOSENSITIVE FILM-COATED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20190171112A1. Автор: TANIIKE Kohshiroh. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180180858A1. Автор: Harada Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180196241A1. Автор: SHIBAYAMA Atsushi. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE POWER OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180217363A1. Автор: Yamamoto Hiroshi,MATSUO Taku,YOKOI Norikazu,OBAMA Akihiko,UCHIDA Kensuke. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-02.

MANUFACTURING METHOD OF THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE MANUFACTURING APPARATUS, AND THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE

Номер патента: US20150258705A1. Автор: HIRATA Koki. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

MANUFACTURING METHOD OF POLYGONAL MIRROR, POLYGONAL MIRROR, DEFLECTOR, OPTICAL SCANNING APPARATUS AND IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20190322021A1. Автор: Tanaka Takatoshi,TAKATA Atsushi,Matsushita Naoki,Tanaka Yoshihiko,Ohta Mitsuhiro,Katayama Hiroki,Yamaya Fumihiko. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

VARIABLE MAGNIFICATION OPTICAL SYSTEM, OPTICAL APPARATUS, AND VARIABLE MAGNIFICATION OPTICAL SYSTEM MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20200363615A1. Автор: MACHIDA Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Mold press apparatus and mold press molded product manufacturing method

Номер патента: JP4667931B2. Автор: 忠幸藤本,賢治山中. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Liquid droplet ejection apparatus and inspection apparatus for its inspecting drawing accuracy, workpiece and inspection apparatus for inspecting processing accuracy of its processing apparatus, and electro-optic device, and manufacturing method thereof

Номер патента: TWI256344B. Автор: Yuji Iwata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-11.

Three-dimensional layered product manufacturing apparatus and three-dimensional layered product manufacturing method

Номер патента: JPWO2019088101A1. Автор: 雅人山田,山田　雅人,雅志毛利,祐輝小末. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2020-07-27.

Optical transmitting/reception module using a ferrule, optical transmission/reception module connection apparatus, and optical transmission/reception module manufacturing method

Номер патента: US20050036740A1. Автор: Masaki Kobayashi,Nobutaka Itabashi,Nobuyuki Akiya,Hitomaro Tougou. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Variable magnification optical system, optical apparatus, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JPWO2017094665A1. Автор: 幸介町田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Manufacture method of object with fragrance using silk screen printing apparatus and object with fragrance

Номер патента: KR102379318B1. Автор: 한동섭. Владелец: 한동섭. Дата публикации: 2022-03-28.

Manufacturing method of an objective lens for an optical pickup apparatus and the optical pickup apparatus

Номер патента: TW200741688A. Автор: Kohei Ota,Kentarou Nakamura. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Color filter manufacturing method and apparatus, ink jet apparatus, color filter, display apparatus, and apparatus having a display apparatus

Номер патента: KR970005635A. Автор: 히데또 요꼬이,히로시 후지이께,요시히로 시게무라,노부히또 야마구찌,사또시 와다. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-02-19.

X-ray CT apparatus and X-ray CT apparatus manufacturing method

Номер патента: JP4718949B2. Автор: 茂佐久田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Photomask, exposure apparatus, and liquid crystal display panel manufacturing method

Номер патента: JPWO2011111479A1. Автор: 貴浩平子. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Liquid crystal dropping amount measuring apparatus and liquid crystal display device manufacturing method using the same

Номер патента: JP4227398B2. Автор: 赫珍權,海 ▼チュン▲ 孫. Владелец: エルジーディスプレイカンパニーリミテッド. Дата публикации: 2009-02-18.

METAL OXIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND METAL OXIDE SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD

Номер патента: DE102023101328A1. Автор: Takumi Kobayashi,Keigo Hoshikawa,Toshinori Taishi. Владелец: Shinshu University NUC. Дата публикации: 2023-07-27.

Cooling device, hot-rolled steel plate manufacturing apparatus, and hot-rolled steel plate manufacturing method

Номер патента: JPWO2013012060A1. Автор: 健治堀井,堀井　健治,洋一原口,知史寶諸,原口　洋一,裕二池本,桂輔松田,一暁小林. Владелец: Mitsubishi Hitachi Metals Machinery Inc. Дата публикации: 2015-02-23.

Polarized light irradiation apparatus and photosensitive film-coated substrate manufacturing method

Номер патента: US10571808B2. Автор: Kohshiroh Taniike. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-02-25.

Multi-stage helical gear manufacturing apparatus and multi-stage helical gear manufacturing method

Номер патента: US20240149512A1. Автор: Yuta Sakaguchi,Yuki Wakimoto,Rikiya SUENAGA. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Polarized light irradiation apparatus and photosensitive film-coated substrate manufacturing method

Номер патента: US20190171112A1. Автор: Kohshiroh Taniike. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method and apparatus for measuring the barrier height distribution in an insulated gate field effect transistor

Номер патента: US5612628A. Автор: Davorin Babic,Edward H. Nicollian,John C. Lofgren. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-03-18.

Titanium sulfide whiskers based chemoresistive type gas sensor and its manufacturing method

Номер патента: RU2684429C1. Автор: Виктор Владимирович Сысоев,Андрей Витальевич Лашков,Илья Анатольевич Плугин,Алексей Владимирович Липатов,Александр Сергеевич Синицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-04-09.

Insulated gate field effect transistor memory array

Номер патента: US3609712A. Автор: Robert H Dennard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-09-28.

Selective chemical sensitive field effect transistor transducers

Номер патента: US4273636A. Автор: Makoto Yano,Kyoichiro Shibatani,Tsutomu Makimoto,Kiyoo Shimada. Владелец: Kuraray Co Ltd. Дата публикации: 1981-06-16.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Hot-rolled sheet steel for small-diameter flexible tubing and its manufacturing method

Номер патента: RU2753344C1. Автор: Такеси ЁКОТА,Хидэюки КИМУРА,Судзи КАВАМУРА,Итиро СУГИМОТО,Макото АСАИ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2021-08-13.

Gas detector based on aminated graphene and method for its manufacture

Номер патента: RU2753185C1. Автор: Сергей Игоревич Павлов,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Максим Андреевич Соломатин,Максим Константинович Рабчинский,Сергей Александрович Рыжков,Дина Юрьевна Столярова,Николай Владимирович Улин,Святослав Даниилович Савельев,Павел Николаевич Брунков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ГрафСенсорс». Дата публикации: 2021-08-12.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Improved fragmentation shell and its manufacturing method

Номер патента: RU2754907C2. Автор: Йюрген ВОЛЬФ,Михель МУСТЕР,Дональд Мейер,Петер ШПАЦ. Владелец: Руаг Аммотек Аг. Дата публикации: 2021-09-08.

System, apparatus, and method for viral monitoring in effluent

Номер патента: WO2022081330A1. Автор: Morton M. Mower. Владелец: Mower Morton M. Дата публикации: 2022-04-21.

Coloring composition, colored pattern, color filter and method of producing the same, pattern forming method, solid-state imaging device, and image display device

Номер патента: US09519079B2. Автор: Yousuke Murakami,Yuzo Nagata,Yushi Kaneko,Kazuya Oota,Hiroaki Idei. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Lnversion-mode insulated-gate gallium arsenide field effect transistors

Номер патента: CA1223672A. Автор: Bantval J. Baliga. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1987-06-30.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field-effect p-n transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2102818C1. Автор: Соломон Давидович Эдлин. Владелец: Соломон Давидович Эдлин. Дата публикации: 1998-01-20.

Powerful microwave ldmos transistor and method of its manufacturing

Номер патента: RU2473150C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Станислав Михайлович Романовский,Татьяна Николаевна Пекарчук,Александр Константинович Бельков,Сергей Сергеевич Бычков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предриятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2013-01-20.

SOLID STATE IMAGING APPARATUS

Номер патента: US20120001285A1. Автор: KOKUBUN Koichi,SHIOZAWA Kazufumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE RECORDING APPARATUS AND IMAGE RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002078A1. Автор: NAKAMURA Satoshi,Watanabe Mikio. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method and apparatus for controlling insulated-gate bipolar or field-effect transistor gates (versions)

Номер патента: RU2523598C2. Автор: Дмитрий Семенович Стребков,Владимир Семенович Леонов,Владимир Захарович Трубников. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства Российской Академии Сельскохозяйственных наук (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2014-07-20.

Composite material tube and its manufacture method

Номер патента: RU2364509C2. Автор: Николай Владимирович Ушаков,Владислав Николаевич Баранов,Оксана Степановна Заремба,Евгений Геннадьевич Дубровин,Валерий Анатольевич Селезенев. Владелец: Николай Владимирович Ушаков. Дата публикации: 2009-08-20.

Insulation gate type electric field effective transistor

Номер патента: JPS5548972A. Автор: Shinsuke Iguchi,Isao Yoshida,Seiji Kubo,Shinichi Ohashi,Minoru Nagata,Toshiaki Masuhara,Tanetoshi Miura,Masaya Oota. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-04-08.

Manufacture of insulation gate type electric field effect transistor

Номер патента: JPS5585073A. Автор: Isao Yoshida. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-26.

A kind of chemical field-effect transistor gas sensor and its manufacturing method

Номер патента: CN105699463B. Автор: 索武生. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-12.

OPTICAL DISC, OPTICAL DISC MANUFACTURING METHOD, OPTICAL DISC RECORDING DEVICE AND OPTICAL DISC REPRODUCTION DEVICE

Номер патента: US20120002517A1. Автор: Yamaoka Masaru,Shoji Mamoru,Nishikiori Keiji,Usui Makoto,Moriya Mitsuro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003530A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

VERTICAL ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120097949A1. Автор: . Владелец: TECHNION RESEARCH AND DEVELOPMENT FOUNDATION LTD.. Дата публикации: 2012-04-26.

Novel metal oxide silicon field effect transistor grid structure and its preparing process

Номер патента: CN101005094B. Автор: 胡恒升. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-25.

Case for housing solid-state imaging element, manufacturing method thereof, and solid-state imaging device

Номер патента: TW200820386A. Автор: Yasuo Matsumi,Mitsuo Maeda. Владелец: Sumitomo Chemical Co. Дата публикации: 2008-05-01.

Metal semiconductor field effect transistor with inverse isolating layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102339868A. Автор: 宋坤,杨银堂,柴常春,贾护军. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2012-02-01.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of CCD Solid State Imaging Device

Номер патента: KR970054303A. Автор: 김상식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Bakery products manufacture method

Номер патента: RU2146092C1. Автор: М.З. Акимов,С.Н. Момотюк,В.К. Жикленков,Н.П. Рухмане. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Торгмаш". Дата публикации: 2000-03-10.

Polyvinyl chloride with enhanced chemical stability in organic solvents and its using

Номер патента: RU2275383C1. Автор: Александр Алексеевич Миронов,Владимир Вениаминович Шебырев,Александр Давыдович Гуткович,Александр Николаевич Гришин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Биохимпласт". Дата публикации: 2006-04-27.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202008754D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-07-22.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of soldering of aluminium and its alloys and material for soldering of aluminium and its alloys

Номер патента: RU2333082C2. Автор: Андрей Валентинович Полторыбатько,Денис Анатольевич Шаклеин,Владимир Ефимович Задов. Владелец: Владимир Ефимович Задов. Дата публикации: 2008-09-10.

Memory device having a vertical-type transistor and trench capacitor and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW582114B. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Shih-Chung Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Memory device having a vertical-type transistor and trench capacitor and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200419777A. Автор: Yi-Nan Chen,Tzu-Ching Tsai,Shih-Chung Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-01.

Solid-state storage control method and apparatus and solid-state storage device

Номер патента: CN104965678A. Автор: 陈磊,吴彬. Владелец: Memoright Memoritech Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Method of monitoring parameters of wheelset and its position relative to rail track

Номер патента: RU2266226C2. Автор: В.В. Сотников,В.А. Чижов,В.И. Ладыгин,Ю.В. Чугуй,С.В. Плотников,С.П. Юношев,К.И. Кучинский,А.С. Одиноков. Владелец: Конструкторско-технологический институт научного приборостроения (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2005-12-20.

3-aminopyrimido [5,4-c] cinnoline-4 (3h) one and its derivatives and method of receiving 3-aminopyrimido [5,4-c] cinnoline-4 (3h) one and its derivatives

Номер патента: PL358570A1. Автор: Andrzej Stańczak,Zbigniew Ochocki,Wiesława Lewgowd. Владелец: Uniwersytet Medyczny. Дата публикации: 2004-08-09.

Method of cleaning of aluminium and its alloys of heavy metal impurities

Номер патента: RU2084548C1. Автор: В.М. Никитин,В.Г. Иванов,В.И. Шпаков,В.С. Разумкин,В.Г. Кокоулин,Е.В. Низовцев,Л.П. Трифоненков. Владелец: Акционерное общество "Красноярский металлургический завод". Дата публикации: 1997-07-20.

Piezoelectric actuator and its driving method, manufacturing method for piezoelectric actuator, and droplet injection device

Номер патента: JP2003243741A. Автор: Maki Ito,Koji Sumi,浩二角,マキ伊藤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

Manufacturing method of polyethylene resin foam sheet and polyethylene resin foam sheet and its roll

Номер патента: JP7020979B2. Автор: 和彦森田,隆一谷口,隆史大利. Владелец: JSP Corp. Дата публикации: 2022-02-16.

A kind of cycle frame and its integrated forming manufacture method

Номер патента: CN107599442A. Автор: 朱元勇. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-19.

Coil bracket component and its mould and manufacture method

Номер патента: CN104066218B. Автор: 李河,肖移龙. Владелец: Foshan Shunde Midea Electrical Heating Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacturing method of high-toughness non-heat treated steel for hot forging and its steel bars and parts

Номер патента: JPH0762204B2. Автор: 善郎子安,啓督高田. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-07-05.

Guide plate and its dot pattern manufacturing method

Номер патента: TWI567435B. Автор: 羅秉澤. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-01-21.

Fluid bearing device and its sealing member manufacturing method

Номер патента: JP2006077860A. Автор: Mitsugi Kaji,貢加治. Владелец: NTN Toyo Bearing Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

A kind of very thin directional silicon steel and its short route manufacture method

Номер патента: CN104962816B. Автор: 刘海涛,刘振宇,王国栋,刘文强,曹光明,李成刚,张宝光,宋红宇,王银平,安灵子,赵士淇. Владелец: Northeastern University China. Дата публикации: 2017-10-24.

Gas container and its cap and manufacturing method thereof

Номер патента: TW334409B. Автор: Mamoru Shibasaka,Sumio Takeishi,Naoshi Morishita,Hiroo Ikenoue,kuniichi Iwabuchi. Владелец: TOYO SEIKAN KAISHA LTD. Дата публикации: 1998-06-21.

Engine and its camshaft, the manufacture method of camshaft

Номер патента: CN107587908A. Автор: 奚勇,杨洲,朱松. Владелец: Shanghai Universoon Auto Parts Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

A bean loose being eaten together with rice or bread and its processing and manufacturing method

Номер патента: CN101161101A. Автор: 陈崧. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-16.

Metal semiconductor field effect light emitting transistor and preparing method thereof

Номер патента: CN101308895A. Автор: 郭志友,孙慧卿,曾坤,赵华雄,范广涵,高小奇. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-11-19.

Manufacturing method of low temperature, double extracted health food by adding snail and its health food

Номер патента: KR950024697A. Автор: 이장석. Владелец: 주식회사 고려인삼개발원. Дата публикации: 1995-09-15.

TRANSISTOR AND METHOD OF ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2006102886A. Автор: Броня Цой,Татьяна Сергеевна Цой,Юрий Васильевич Когай,Валерьян Эдуардович Цой,Брон Цой (RU),Юрий Васильевич Когай (RU),Валерь н Эдуардович Цой (RU),Тать на Сергеевна Цой (RU). Владелец: Брон Цой (RU). Дата публикации: 2007-08-20.

The high contrast screen for projector and its self-aligned manufacturing method

Номер патента: TW293887B. Автор: Jeng-Jong Lin,Shyh-Yuan Yu. Владелец: CTX Opto Electronics Corp. Дата публикации: 1996-12-21.

Face mask and its high speed manufacturing method

Номер патента: GB202009810D0. Автор: . Владелец: Concepts for Success C4S. Дата публикации: 2020-08-12.

BENT MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20130059167A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki,Kuwayama Shinjiro,Inoue Saburo. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

Multilayer wire packing for heat-mass-transfer apparatuses and method of its manufacture

Номер патента: RU2114693C1. Автор: Ю.Н. Лебедев,В.Г. Выборнов. Владелец: Акционерное общество открытого типа "ВНИИнефтемаш". Дата публикации: 1998-07-10.

Electric insulation link for high-voltage apparatuses and process of its manufacture

Номер патента: SU1712967A1. Автор: Владимир Павлович Афанасьев,Леонид Иванович Жуков,Наум Израйлевич Салитан. Владелец: Научно-Исследовательский, Проектно-Конструкторский И Технологический Институт Научно-Производственного Объединения "Уралэлектротяжмаш" Им.В.И.Ленина. Дата публикации: 1992-02-15.

Textured panel and apparatus and method for its manufacture

Номер патента: CA947510A. Автор: Lester V. Ottinger. Владелец: Champion International Corp. Дата публикации: 1974-05-21.

Building structure and apparatus and methods of its manufacture

Номер патента: AU401330B2. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1964-02-18.

SEALED PAD OF THE PRECISION HIGH-VACUUM APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: RU2007111053A. Автор: Игорь Викторович Назаров,Александр Анатольевич Ежов,Вячеслав Александрович Гребенников,Александр Иванович Шахов,Александр Анатольевич Ежов (RU),В чеслав Александрович Гребенников (RU),Игорь Викторович Назаров (RU),Александр Иванович Шахов (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Раменское приборостроительное конструкторское бюро" (RU). Дата публикации: 2008-10-10.

Textured panel, and apparatus, and method for its manufacture

Номер патента: AU439548B2. Автор: Maring Ottinger Lester. Владелец: CHAMPION PAPER CO Ltd. Дата публикации: 1973-05-24.

Flat tube, heat exchanger from flat tubes and their manufacturing method

Номер патента: RU2480701C2. Автор: Чарльз Джеймс РОДЖЕРС,Томас ФЕЛЬДХЕГЕ,Вернер ЦОБЕЛЬ,Йенс НИС,Роланд ШТРЕЛЕ,Дитер МЕРЦ,Райнер КЕЗИНГЕР,Зигфрид АЙЗЕЛЕ,Клаудиа ЗОММЕР,Бернхард ШТЕФАН,Петер АМБРОС,Ферена МАНКЕЛЬ. Владелец: Модайн Мэньюфэкчеринг Компани. Дата публикации: 2013-04-27.

Projection optical system manufacturing method, projection optical system manufactured by the manufacturing method, projection exposure apparatus and method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4192279B2. Автор: 陽子木村,一政田中. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2008-12-10.

Cleaning method, device manufacturing method, cleaning substrate, liquid immersion member, liquid immersion exposure apparatus, and dummy substrate

Номер патента: US20120057139A1. Автор: Tanaka Ryo,SHIRAISHI Kenichi,Ikeda Yutaka,WATANABE Shunji,TANIMOTO Akikazu. Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-08.

DETECTION DEVICE, MOVABLE BODY APPARATUS, PATTERN FORMATION APPARATUS AND PATTERN FORMATION METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120086927A1. Автор: . Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-12.

SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120214317A1. Автор: . Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2012-08-23.

POLISHING METHOD, MANUFACTURING METHOD OF PIEZOELECTRIC VIBRATING PIECE, PIEZOELECTRIC VIBRATOR, OSCILLATOR, ELECTRONIC APPARATUS AND RADIO-CONTROLLED TIMEPIECE

Номер патента: US20120252319A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

MOVABLE BODY DRIVE SYSTEM, PATTERN FORMATION APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS AND EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120262691A1. Автор: . Владелец: NIKON CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

The manufacture method of Austenitic heat-resistant alloy pipe and the Austenitic heat-resistant alloy pipe using manufacture method manufacture

Номер патента: CN104946932B. Автор: 仙波润之,西山佳孝,冈田浩一,冈田浩,石川茂浩. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2018-04-20.

Control system and control method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: JP6536777B2. Автор: 晃一坂田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-07-03.

Manufacturing method of high-strength steel sheet excellent in balance of hole expandability and ductility, and manufacturing method of galvanized steel sheet

Номер патента: JP2009263752A. Автор: Noriyuki Suzuki,Naoki Yoshinaga,直樹吉永,規之鈴木,直紀丸山,映信村里,Masashi Azuma,昌史東,Naoki Maruyama,Akinobu Murasato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Electrophotographic photoreceptor, manufacturing method, image forming method using the same, image forming apparatus, and process cartridge for image forming apparatus

Номер патента: JP5106194B2. Автор: 佳明河崎,光章廣瀬,顕洋杉野. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Immersion member, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: JP6610726B2. Автор: 真路佐藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Drive system and drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method

Номер патента: JP6610719B2. Автор: 晃一坂田. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2019-11-27.

Ink and manufacturing method thereof, ink container, image forming method, image forming apparatus, and image formed article

Номер патента: JP6683053B2. Автор: 一清永井,知幸島田,成之原田,彰彦松山,顕芳左部,宜輝梁川,永井　一清,島田　知幸,祐介小飯塚,拓哉山崎,光一朗大山,原田　成之. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-15.

Electrophotographic photosensitive member manufacturing method, electrophotographic photosensitive member, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge for image forming apparatus

Номер патента: JP3946654B2. Автор: 達也新美. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-18.

Group III nitride semiconductor device manufacturing apparatus and method, and semiconductor wafer manufacturing method

Номер патента: JP6562350B2. Автор: 勝堀,修小田,小田　　修. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2019-08-21.

Induction heating method and apparatus, and high pressure gas tank manufacturing method

Номер патента: JP5796508B2. Автор: 作馬江森. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2015-10-21.

Electrophotographic photoreceptor and manufacturing method thereof, process cartridge and electrophotographic apparatus, and hydroxygallium phthalocyanine crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: JP6465694B2. Автор: 正人田中,純平久野,田中　正人,正隆川原,孟西田,川原　正隆,要渡口. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-02-06.

Hot-dip galvanized steel sheet manufacturing method and hot-dip galvanized hot-dip steel sheet, and hot-dip galvanized steel sheet manufacturing method and hot-dip galvanized steel sheet

Номер патента: JP6848939B2. Автор: 長滝　康伸,康伸長滝,祐介伏脇,正貴木庭. Владелец: JFE Steel Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Plasma CVD film forming apparatus and gas barrier plastic container manufacturing method

Номер патента: JP4722674B2. Автор: 雄一坂本,鹿毛　　剛,正樹中谷,圭秀竹本,晶久老川,重和多田,丈晴川邉. Владелец: Kirin Brewery Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Silicon carbide semiconductor device manufacturing apparatus and silicon carbide semiconductor device manufacturing method using the manufacturing apparatus

Номер патента: JP4360114B2. Автор: 淳小島,広希中村. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and silicon carbide single crystal manufacturing method

Номер патента: JP5087489B2. Автор: 大輔近藤,由則小林. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and silicon carbide single crystal manufacturing method using the same

Номер патента: JP5206694B2. Автор: 英美牧野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Electro-optical device substrate, electro-optical device, electronic apparatus, and electro-optical device substrate manufacturing method

Номер патента: JP4114412B2. Автор: 俊裕大竹,睦松尾. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-07-09.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and silicon carbide single crystal manufacturing method using the same

Номер патента: JP5263145B2. Автор: 英美牧野. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-08-14.

Lithographic printing plate stacking apparatus and planographic printing plate bundle manufacturing method

Номер патента: JP4171187B2. Автор: 智之篠塚. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Silicon carbide single crystal manufacturing apparatus and silicon carbide single crystal manufacturing method

Номер патента: JP4089073B2. Автор: 英美小栗,富佐雄廣瀬. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-05-21.

Oxide superconducting thin film manufacturing apparatus and oxide superconducting thin film manufacturing method

Номер патента: JP3856995B2. Автор: 康裕飯島,隆斉藤,伸行定方,真理子木村. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2006-12-13.

Variable magnification optical system, optical apparatus, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6171358B2. Автор: 智希伊藤. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-08-02.

Substrate processing apparatus and semiconductor integrated circuit device manufacturing method

Номер патента: JP4949686B2. Автор: 智佳子松長. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2012-06-13.

Heat-resistant polymer film manufacturing apparatus and heat-resistant polymer film manufacturing method

Номер патента: JP5114668B2. Автор: 郷司前田,伸二藤田,彰一上村,聰岩月,明紀恵島. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-09.

Variable magnification optical system, optical apparatus, and variable magnification optical system manufacturing method

Номер патента: JP6265022B2. Автор: 健介内田,昭彦小濱. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2018-01-24.

Lithographic printing plate stacking apparatus and planographic printing plate bundle manufacturing method

Номер патента: JP3980255B2. Автор: 哲生西川. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-09-26.

A hot rolled steel sheet manufacturing apparatus and hot rolled steel sheet manufacturing method

Номер патента: CN101045239A. Автор: 佐藤一幸,本城恒,成岛茂树,井出贤一,百百泰,升田贞和,村田早登史,山科修一,石井肇,簑手彻,藤井保弘,本屋敷洋一,樋口均一,田添信广,山本雅明,寺内琢雅,冈崎慎二. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Vibration piece manufacturing method, vibration piece, vibrator, oscillator, real time clock, electronic apparatus, and mobile object

Номер патента: JP2016146597A. Автор: 周平吉田,Shuhei Yoshida,Akinori Yamada,明法山田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-08-12.

Substrate, touch control display apparatus and touch control display apparatus manufacturing method

Номер патента: CN109917955A. Автор: 张倩倩,杨莉,李菁,邱峰青,谢颖颖,夏鹏程,李甘霖. Владелец: InfoVision Optoelectronics Kunshan Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing method of shf powerful field ldmos transistors

Номер патента: RU2364984C1. Автор: Виктор Васильевич Бачурин,Сергей Александрович Ерохин,Татьяна Николаевна Пекарчук,Сергей Сергеевич Бычков,Виктор Васильевич Бачурин (RU),Сергей Сергеевич Бычков (RU),Сергей Александрович Ерохин (RU),Татьяна Николаевна Пекарчук (RU). Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Научно-Производственное Предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2009-08-20.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

BATTERY MANUFACTURING METHOD, BATTERY MANUFACTURED BY SUCH METHOD, VEHICLE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120002359A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Insulated gate field effect transistor and its manufacturing method, solid state imaging apparatus and its manufacturing method

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты