Integrierte Schaltung und Verfahren zur Herstellung einer integrierten Schaltung
Номер патента: DE102020127331B4
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Chia-Tien Wu, Jiann-Tyng Tzeng, Shih-Wei Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Chia-Tien Wu, Jiann-Tyng Tzeng, Shih-Wei Peng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Grabenisolierung zur herstellung einer fortschrittlichen integrierten schaltungsstruktur
Номер патента: DE102018127148A1. Автор: Tahir Ghani,Heidi Meyer,Christopher Auth,Curtis Ward,Michael Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-06.