Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Latency adjustment method, memory chip architecture, and semiconductor memory

Latency adjustment method, memory chip architecture, and semiconductor memory

Номер патента: US20230377620A1
Опубликовано: 23-11-2023
Автор(ы): Hongguang Zhang
Принадлежит: Changxin Memory Technologies Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230386553A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

CAS latency setting circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US09396774B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Circuitry and method for processing data, and semiconductor memory

Номер патента: US20230410852A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178123A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory chip and memory system

Номер патента: US11915784B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory chip and memory system

Номер патента: US11862290B2. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory chip and memory system

Номер патента: US20230178124A1. Автор: Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Signal shielding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4170659A1. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Method for writing data to semiconductor memory and semiconductor memory

Номер патента: US20010008281A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Yasuharu Sato,Masahiro Niimi,Tadao Aikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150098282A1. Автор: Geun-il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for supplying power supply voltages in semiconductor memory devices and semiconductor memory devices using the same

Номер патента: US7936615B2. Автор: Jung Sunwoo,Yun-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Data buffer control circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20100329039A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4325501A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6243312B1. Автор: Kang Yong Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US12125515B2. Автор: Sang-Hoon Jung,Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory module and semiconductor storage device

Номер патента: US20130145233A1. Автор: Osamu Ishibashi,Sadao Miyazaki,Rikizo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Memory device including multiple memory chips and data signal lines and a method of operating the memory device

Номер патента: US11810638B2. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo,Seonkyoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory chip having on-die mirroring function and method for testing the same

Номер патента: US11848068B2. Автор: Byoungsul Kim,Hokyong LEE,Hwajin Jung,Yongjoo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory chip with re-drive unit for electrical signals

Номер патента: US20070057695A1. Автор: Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor memory device including a circuit for storing an operating state and semiconductor system having the same

Номер патента: US20160180915A1. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory module and semiconductor memory system having termination resistor units

Номер патента: US7996590B2. Автор: Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Drive circuit and memory chip

Номер патента: US11823768B2. Автор: LEI Zhu,Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for zq calibration of data transmission driving circuit in memory chip package of multi-memory die structure

Номер патента: US20230147293A1. Автор: Min-hyung Cho,Young-Deuk Jeon,Jin Ho Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-05-11.

Operation control circuit and semiconductor memory device including the operation control circuit

Номер патента: US20190318778A1. Автор: Geun Il Lee,I Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4328917A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Enable control circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11881254B2. Автор: Zhan Ying,Yuanyuan Gong. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Multi stage charge pump circuits and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20230343382A1. Автор: Jungkyun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Data transmission circuit, method and semiconductor memory

Номер патента: US20230343387A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Voltage generating circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060098501A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory cell array and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20130003479A1. Автор: Sang-woong Shin,Seong-Jin Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor memory cell array and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20100214861A1. Автор: Sang-woong Shin,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-26.

Control amplification circuit, sense amplifier and semiconductor memory

Номер патента: EP4276829A1. Автор: Weibing SHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Signal sensing circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080279026A1. Автор: Chun Shiah,Cheng-Nan CHANG,Chun-Peng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Amplification control method and circuit, sensitive amplifier and semiconductor memory

Номер патента: US12033689B2. Автор: Weibing SHANG,Daoxun WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Solution to DQS postamble ringing problem in memory chips

Номер патента: US20060007757A1. Автор: Wen Li,Sugato Mukherjee,Christopher Morzano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Buffer chip, and semiconductor package including buffer chip and memory chip

Номер патента: US20240249765A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, and memory module

Номер патента: US20240312509A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Decoding drive circuit and memory chip

Номер патента: EP4276830A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Internal power management scheme for a memory chip in deep power down mode

Номер патента: US20050270880A1. Автор: Ming-Hung Wang,Bor-Doou Rong,Tah-Kang Ting,Jen-Shoe Hsu. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Internal power management scheme for a memory chip in deep power down mode

Номер патента: US20060146636A1. Автор: Ming-Hung Wang,Jen-Shou Hsu,Bor-Doou Rong,Tah-Kang Ting. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Memory chip and control method thereof

Номер патента: US20200294572A1. Автор: Chien-Ti Hou,Wu-Chuan CHENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Decoder driver circuit and memory chip

Номер патента: US20230170011A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Line defect detection circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9978439B1. Автор: Yong-Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Input apparatus and semiconductor memory apparatus having the input apparatus

Номер патента: US09564194B1. Автор: Jae Il Kim,Seung Geun Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100165760A1. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11804258B2. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20230040958A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230307032A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Data strobe signal noise protection apparatus and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7990782B2. Автор: Sang Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Row hammer refresh method, row hammer refresh circuit, and semiconductor memory

Номер патента: EP4210059A1. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Buffer chip, and semiconductor package including the buffer chip and a memory chip

Номер патента: US20240249753A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor system for high-speed data transfer

Номер патента: US6078514A. Автор: Masao Nakano,Masao Taguchi,Takaaki Suzuki,Toshiya Uchida,Yoshihiro Takemae,Atsushi Hatakeyama,Masato Matsumiya,Yasuharu Sato,Hiroyoshi Tomita,Yasurou Matsuzaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, memory module, and operation method of semiconductor package

Номер патента: US20240249756A1. Автор: Kwan Dong KIM,Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20140153336A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory chip, memory system, and method of accessing the memory chip

Номер патента: US09830083B2. Автор: Chul-Sung Park,Joo-Sun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Synchronous semiconductor device with memory chips in a module for controlling output of strobe signal for trigger in reading data

Номер патента: US5940328A. Автор: Wataru Sakamoto,Hisashi Iwamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20080043541A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Ken Takeuchi. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20040141350A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20080031056A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Ken Takeuchi. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20110170355A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Ken Takeuchi. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20050036356A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20080080269A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Ken Takeuchi. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20130088922A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Ken Takeuchi. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US20090161403A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US7522442B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US7596042B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US8331124B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US7933134B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Semiconductor memory device having a plurality of chips and capability of outputting a busy signal

Номер патента: US7542323B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Autonomous backside data buffer to memory chip write training control

Номер патента: US20230136268A1. Автор: Saravanan Sethuraman,George Vergis,John V. Lovelace,Tonia M. ROSE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190221275A1. Автор: Young Sub Yuk,Seung Wan Chai. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Data output buffer of a semiconductor memory device

Номер патента: US5384735A. Автор: Yun-Ho Choi,Churoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-01-24.

Semiconductor device and semiconductor integrated system

Номер патента: US20180151247A1. Автор: Hajime Sato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory chip with per row activation count having error correction code protection

Номер патента: EP4109271A3. Автор: JongWon Lee,Kuljit S. Bains,Bill Nale,Ronald Anderson,Lawrence Blankenbeckler. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-08.

Buffer chip, semiconductor package including buffer chip and memory chip, and memory module

Номер патента: US20240249767A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Power management of memory chips based on working set size

Номер патента: US20180293011A1. Автор: Balaji Vembu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Aravindh V. Anantaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Apparatus and method for per memory chip addressing

Номер патента: EP4280216A2. Автор: Saravanan Sethuraman,George Vergis,John V. Lovelace,John R. Goles,Tonia M. ROSE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Apparatus and method for per memory chip addressing

Номер патента: EP4280216A3. Автор: Saravanan Sethuraman,George Vergis,John V. Lovelace,John R. Goles,Tonia M. ROSE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor memory cell and semiconductor component as well as manufacturing methods therefore

Номер патента: US20030099131A1. Автор: Franz Hofmann,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-29.

Detecting circuit and method for detecting memory chip

Номер патента: US20230071925A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Yan-De Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Power management of memory chips based on working set size

Номер патента: US10365843B2. Автор: Balaji Vembu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Aravindh V. Anantaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor memory

Номер патента: US11869573B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Power management of memory chips based on working set size

Номер патента: US20190377503A1. Автор: Balaji Vembu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Aravindh V. Anantaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Power management of memory chips based on working set size

Номер патента: US10936214B2. Автор: Balaji Vembu,Travis T. Schluessler,Joydeep Ray,Altug Koker,Abhishek R. Appu,Prasoonkumar Surti,Aravindh V. Anantaraman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-02.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Input buffer circuit, intelligent optimization method, and semiconductor memory thereof

Номер патента: US20210193216A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Three-dimensional semiconductor memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093626A1. Автор: Sangyeon HAN,Joongchan SHIN,Byeungmoo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory adjustment method and adjustment system, and semiconductor device

Номер патента: EP4102505A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Jie Liu,Shu-Liang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Layout of driving circuit, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230178164A1. Автор: Jihoon Lee,Huijuan Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory system and memory module including memory chips sharing channel

Номер патента: US20220189527A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device having memory chip bonded to a CMOS chip including a peripheral circuit

Номер патента: US11783888B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US7542327B2. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-02.

Measuring method for a semiconductor memory, and semiconductor memory

Номер патента: US20070153598A1. Автор: Ulrich Zimmermann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor structure and manufacturing method therefor, memory chip and electronic device

Номер патента: EP4328968A1. Автор: Hong Wang,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20230031020A1. Автор: Jung Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US09852786B2. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Control amplification circuit, sensitive amplifier and semiconductor memory

Номер патента: US20230215491A1. Автор: Weibing SHANG,Daoxun WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Address converting circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US8023357B2. Автор: Kyong Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-20.

Refresh counter circuit, refresh counting method and semiconductor memory

Номер патента: US11869570B2. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230230633A1. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Refresh method and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20130308394A1. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Address converting circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20100246310A1. Автор: Kyong Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device that varies voltage levels depending on which of different memory regions thereof is accessed

Номер патента: US20170117032A1. Автор: Kazutaka Takizawa,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Signal synchronization adjustment method and signal synchronization adjustment circuit

Номер патента: US20240233807A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Signal synchronization adjustment method and signal synchronization adjustment circuit

Номер патента: US12119041B2. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Memory architecture for storing data in a plurality of memory chips

Номер патента: US09672910B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Theodore Antonakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device having bonded first and second semiconductor chips provided with respective impedance calibration control circuits

Номер патента: US11361823B2. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor memory device having a semiconductor chip including a memory cell and a resistance element

Номер патента: US20190221265A1. Автор: Satoshi Inoue,Daisuke Arizono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Memory chip, memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230410856A1. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory chip, memory device and operation method thereof

Номер патента: US11955199B2. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Complex Memory Chip

Номер патента: US20070223274A1. Автор: Wen-Chieh Lee,Hsiang-Cheng Ho. Владелец: MemoCom Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Memory system, memory chip, and controller

Номер патента: US20210375337A1. Автор: Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory chip, memory controller and operating method of the memory chip

Номер патента: US20230410855A1. Автор: ChiWeon Yoon,Byunghoon Jeong,Taehyeon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Potential difference transmission device and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5672987A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,Isao Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Memory access processing method, memory chip, and system based on memory chip interconnection

Номер патента: US09898421B2. Автор: Mingyu Chen,Yongbing HUANG,Yuan RUAN,Licheng CHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory chip connecting a system on a chip and an accelerator chip

Номер патента: WO2021055280A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Stacked memory chip having reduced input-output load, memory module and memory system including the same

Номер патента: US09818707B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Ki-Seok OH,Dong-yang Lee,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory chip connecting a system on a chip and an accelerator chip

Номер патента: EP4032032A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Memory chip connecting a system on a chip and an accelerator chip

Номер патента: AU2020349448A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Stacked memory chip solution with reduced package inputs/outputs (i/os)

Номер патента: NL2032113A. Автор: Ziakas Dimitrios,Tomishima Shigeki,S Bains Kuljit,A Mccall James,J Zhou Chong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-01-16.

Memory chip having an integrated data mover

Номер патента: US12086078B2. Автор: Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Sean Stephen Eilert,Shivam SWAMI,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory chip having a complex termination

Номер патента: US20080061819A1. Автор: Bernhard Knöll. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-03-13.

Device and method for storing data in a plurality of multi-level cell memory chips

Номер патента: US09891988B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Tobias Blaettler,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Device and method for storing data in a plurality of multi-level cell memory chips

Номер патента: US09672921B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Tobias Blaettler,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory system controlling interleaving write to memory chips

Номер патента: US09569117B2. Автор: Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory chip connecting a system on a chip and an accelerator chip

Номер патента: US20210081337A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory chip

Номер патента: US20240312555A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and method of controlling a memory chip

Номер патента: US11830576B2. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory system and method of controlling a memory chip

Номер патента: US20240046971A1. Автор: Shinya Koizumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory chip having an integrated data mover

Номер патента: US20220391330A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Sean Stephen Eilert,Shivam SWAMI,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Memory chip having an integrated data mover

Номер патента: EP4031978A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Memory chip having an integrated data mover

Номер патента: US20210081336A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory chip having an integrated data mover

Номер патента: WO2021055206A1. Автор: Samuel E. Bradshaw,Ameen D. Akel,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Memory chip with reduced power consumption, buffer chip module controlling the same and memory module including the same

Номер патента: US20190088290A1. Автор: Young-Suk Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180261260A1. Автор: Shinya Okuno,Yasuhiro HIRASHIMA,Mami Kakoi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device including page buffers

Номер патента: US20210217480A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory chip having a complex termination

Номер патента: US8031543B2. Автор: Bernhard Theo Knoll. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-10-04.

Memory, memory chip and memory data access method

Номер патента: US20210050047A1. Автор: Yasuji Koshikawa. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Stack type semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09773569B2. Автор: Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Internal power supply voltage auxiliary circuit, semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US09589657B2. Автор: Akira Ogawa,Nobuhiko Ito. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20230154511A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Yi-Cheng Lai,Shyh-Bin KUO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US11996165B2. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Yi-Cheng Lai,Shyh-Bin KUO. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-05-28.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Page buffer and semiconductor memory device having the page buffer

Номер патента: US20220044734A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Signal sampling circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230013811A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Clock delay detecting circuit and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09602112B2. Автор: Young Suk SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US20170084311A1. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Computing-in-Memory Chip and Memory Cell Array Structure

Номер патента: US20210151106A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor memory device, memory controller and memory system having on die termination and on die termination controlling method

Номер патента: US20140062528A1. Автор: Joon-Young Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory chip and memory system including the same

Номер патента: US20230420039A1. Автор: Kwangsook NOH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Voltage regulator and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11797038B2. Автор: Jaewoo Park,Eunseok SHIN,WooChul Jung,Myoungbo KWAK,Junhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Duty adjustment circuit, and delay locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11799463B2. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Decoding circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20200143861A1. Автор: Sang Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Zq calibration circuit, operation method of the zq calibration circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240127871A1. Автор: Sungyong Cho,Jaehyeok Baek,Donggun AN,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Page buffer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20210407597A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Circuit for generating negative voltage and semiconductor memory apparatus using the same

Номер патента: US20100019810A1. Автор: Young Do Hur,Yeon Uk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Precharge control signal generator and semiconductor memory device therewith

Номер патента: US09437314B2. Автор: Hyun-Jin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Testing apparatus for flash memory chip

Номер патента: US09470714B2. Автор: Hua-An YANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Stacked double density memory module using industry standard memory chips

Номер патента: CA1229411A. Автор: Wolfgang F. Mueller,Gwynne W. Ii Spencer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-11-17.

Semiconductor memory and semiconductor memory control method

Номер патента: US09390800B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: US09608197B2. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik,Andy Lyle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Process for manufacturing a magnetic bubble memory chip

Номер патента: US4579624A. Автор: Teiji Majima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-04-01.

Memory cell programming method and semiconductor memory device

Номер патента: US20080175048A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Memory cell programming method and semiconductor memory device

Номер патента: US7864571B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-04.

Memory cells, methods of fabrication, and semiconductor devices

Номер патента: WO2015130657A1. Автор: Witold Kula,Manzar Siddik. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Read voltage adjustment method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240265983A1. Автор: Wei Lin,Hsiao-Yi Lin,Shih-Jia Zeng,Chen Yang Tang,Shi-Chieh Hsu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Eeprom memory chip with multiple use pinouts

Номер патента: EP1290694A1. Автор: Raul-Adrian Cernea,Sanjay Mehrotra,Khandker N. Quader. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-03-12.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Memory chip testing system and connector thereof

Номер патента: US20140253167A1. Автор: Fa-Sheng Huang. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Semiconductor device, adjustment method thereof and data processing system

Номер патента: US8539410B2. Автор: Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Nonvolatile memory chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220157845A1. Автор: Young Don CHOI,Min Jae Lee,Jung Hwan Choi,Young-Hoon SON,Myung Hun LEE,Jin do Byun,Pan Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Nonvolatile memory chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4002465A1. Автор: Young Don CHOI,Min Jae Lee,Jung Hwan Choi,Young-Hoon SON,Myung Hun LEE,Jin do Byun,Pan Suk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Method of dynamically adjusting operation of a memory chip and apparatus of measuring thickness of an ONO layer of the memory chip

Номер патента: US20070030720A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Tai-Liang Hsiung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20210349664A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US12089409B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Jun Iijima,Ryota Katsumata,Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory chip package having optically and electrically connected chips, memory system having the same and driving method thereof

Номер патента: US09449653B2. Автор: Junghwan Choi,Jeong-Kyoum Kim,InDal SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system in which data is written to memory chips based on a distance from a memory controller

Номер патента: US09390000B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Method and apparatus for testing memory chip, storage medium, and electronic device

Номер патента: US20230290423A1. Автор: Jing Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220344307A1. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory system having a plurality of types of memory chips and a memory controller for controlling the memory chips

Номер патента: US09418029B2. Автор: Yoshihiro Takemae. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory apparatus and testing method thereof

Номер патента: US20240282397A1. Автор: Shao-Ching Liao,Chien-Min Wu,Kuang-Chih Hsieh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method for the functional testing of semiconductor memory chips

Номер патента: US6914834B2. Автор: Peter Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-05.

Nonvolatile memory devices including controller for operating nonvolatile memory cell array layer in memory chip in one of memory mode and storage mode

Номер патента: US09799399B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory chip stacked package and electronic device

Номер патента: EP4123695A1. Автор: Wei Li,Tan Li,Ran He,Huifang JIAO,Jingxia Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor memory module

Номер патента: US20050036349A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Hermann Ruckerbauer,Andreas Jakobs. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Chip enable input circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US4970694A. Автор: Hiroaki Tanaka,Naokazu Miyawaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-11-13.

Semiconductor memory system for flash memory

Номер патента: US20080126678A1. Автор: Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method and device for testing memory chip

Номер патента: US11901024B2. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Test method for memory chip and device therefor

Номер патента: EP4258266A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor memory

Номер патента: US20230345726A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Jun Iijima,Ryota Katsumata,Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory

Номер патента: US11729973B2. Автор: Kazuyuki Higashi,Jun Iijima,Ryota Katsumata,Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Method and apparatus for testing memory chip, and storage medium

Номер патента: US20230280927A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method and apparatus for testing memory chip, and storage medium

Номер патента: US20230280928A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory module, memory controller and systems responsive to memory chip read fail information and related methods of operation

Номер патента: US20190138230A1. Автор: Young-Jin Cho,Jang-Seok Choi,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device and reset method thereof

Номер патента: US11068202B2. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Method and device for testing memory chip

Номер патента: US20230268019A1. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for testing memory chip, and storage medium

Номер патента: US11934683B2. Автор: Dong Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of dynamically adjusting operation of a memory chip and apparatus of measuring thickness of an ONO layer of the memory chip

Номер патента: US7242617B2. Автор: Cheng-Jye Liu,Tai-Liang Hsiung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-10.

Semiconductor memory device and reset method thereof

Номер патента: US20190163401A1. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US20230060583A1. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11942176B2. Автор: Xu Li,Mie Matsuo,Masayuki Miura,Toshio Fujisawa,Hiroto Nakai,Takayuki Miyazaki,Hideko Mukaida,Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

ECC memory chip encoder and decoder

Номер патента: US12081234B2. Автор: Kjersten E. CRISS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030072207A1. Автор: Takanobu Suzuki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory package structure and semiconductor memory system

Номер патента: US20220293137A1. Автор: Bing-Lian Lin,Chao-Wei Ko. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: USRE50197E1. Автор: Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Reconfigurable high speed memory chip module and electronic device with a reconfigurable high speed memory chip module

Номер патента: US09940292B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken,Jan-Mye Sung. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Reconfigurable high speed memory chip module and electronic device with a reconfigurable high speed memory chip module

Номер патента: US09798692B2. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken,Jan-Mye Sung. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09711520B2. Автор: XIA Zhiliang,Young-Gu Kim,Etienne Nowak,Daesin Kim,Narae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09685236B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09543027B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Wiring configuration of a bus system and power wires in a memory chip

Номер патента: US09508407B2. Автор: Maksim Kuzmenka,Dirk Scheideler,Kai Schiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Configurable spare memory chips

Номер патента: US5392292A. Автор: Richard D. Pribnow,Thomas J. Davis,Michael T. Bye,Bricky A. Stephenson. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1995-02-21.

Memory chip test method and apparatus, medium, and device

Номер патента: US20230410929A1. Автор: Teng Shi,Yu Li,Beiyou ZHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11876080B2. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Voltage adjusting method, memory controlling circuit unit and memory storage device

Номер патента: US20200035306A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Hsiao-Yi Lin,Lih Yuarn Ou,Szu-Wei Chen,Tsai-Hao Kuo. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Memory systems with memory chips down and up

Номер патента: WO2007078641A1. Автор: Randy B. Osborne. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-07-12.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US11923010B2. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory chip stack for high performance logic chips

Номер патента: US20230125041A1. Автор: Randy B. Osborne,Christopher P. Mozak,Sagar SUTHRAM,Surhud Khare,Don Douglas Josephson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory chip and multi-chip package

Номер патента: US20110249512A1. Автор: Koichi Magome,Hikaru Mochizuki,Yasuaki NIINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Memory chip having a test mode and method for checking memory cells of a repaired memory chip

Номер патента: US20020191454A1. Автор: Peter Beer,Carsten Ohlhoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210167041A1. Автор: Akiyoshi Itou,Masahiro Yoshihara,Toshikazu Watanabe,Yasumitsu Nozawa,Tomohito Kawano,Toshimitsu Iwasawa,sachie Fukuda,Nobuharu Miyata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Memory systems with memory chips down and up

Номер патента: US20120194989A1. Автор: Randy B. Osborne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Memory system including a non-volatile memory chip and method for performing a read operation on the non-volatile memory chip

Номер патента: US20230139665A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Riki SUZUKI,Marie Sia. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Flash memory chip that modulates its program step voltage as a function of chip temperature

Номер патента: US20240135995A1. Автор: Arash Hazeghi,Pranav Kalavade,Rohit S. Shenoy,Hsiao-Yu Chang. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method and apparatus for supplying current to a semiconductor memory chip

Номер патента: US20020170023A1. Автор: Robert Kaiser,Florian Schamberger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US8699279B2. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US20130114347A1. Автор: Tae Jin Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09804914B2. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system including a memory controller and a memory chip that executes a two-stage program operation

Номер патента: US20220351780A1. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory system including a memory controller and a memory chip that executes a two-stage program operation

Номер патента: US11430520B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Memory system including a memory controller and a memory chip that executes a two-stage program operation

Номер патента: US11742026B2. Автор: Hideki Yamada,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US11721655B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory chip and method for operating the same

Номер патента: US8203896B2. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Chuan-Ying Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-19.

Memory Chip and Method for Operating the Same

Номер патента: US20110038218A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Chuan-Ying Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: EP4002373A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Memory test circuit, memory chip, and testing method of memory chip

Номер патента: US20240079075A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device including memory chip and peripheral memory chip and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20230317655A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory chip and method for operating the same

Номер патента: US20090295419A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chun-yi Lee,Chuan-Ying Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory cells, memory cell programming methods, memory cell reading methods, memory cell operating methods, and memory devices

Номер патента: US8154906B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-10.

Memory module utilizing partially defective memory chips

Номер патента: US4992984A. Автор: Wayne F. Ellis,Robert E. Busch,Theodore M. Redman,Endre P. Thoma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-02-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2375330A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-12.

Memory chip, operating method thereof, and judging method

Номер патента: US20240118812A1. Автор: Yini LUO,Sahun SONG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device of three-dimensional structure

Номер патента: US20200152573A1. Автор: Dong-Hyuk Kim,Sung-Lae OH,Soo-Nam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210242175A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Non-volatile graphene-drum memory chip

Номер патента: EP2628158A1. Автор: Joseph F. Pinkerton,David A. Badger. Владелец: Clean Energy Labs LLC. Дата публикации: 2013-08-21.

Memory chip power management

Номер патента: EP2850615A1. Автор: Eugene Jinglun Tam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-25.

Memory chip

Номер патента: US20200227132A1. Автор: Kenichi Arai,Yoshikazu Harada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US12057487B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory package including a memory chip and a memory controller

Номер патента: US20210335723A1. Автор: Byung Jun BANG,Sun Kyu Kong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Memory chip structure having GAA transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US11757014B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system including a memory chip configured to receive an erase suspend command and a program suspend command from a controller chip

Номер патента: US09947411B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory system with the function of the replacement to the other chips

Номер патента: US5469390A. Автор: Toshio Sasaki,Toshihiro Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-11-21.

Reconfigurable high speed memory chip module and electronic device with a reconfigurable high speed memory chip module

Номер патента: US20150317276A1. Автор: Chao-Chun Lu,Weng-Dah Ken,Jan-Mye Sung. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Wiring configuration of a bus system and power wires in a memory chip

Номер патента: US20140247681A1. Автор: Maksim Kuzmenka,Dirk Scheideler,Kai Schiller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Radiation detection device, semiconductor memory device and radiation detection method

Номер патента: US11914086B2. Автор: Tomoya Sanuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory chip

Номер патента: US20240111415A1. Автор: Yini LUO,Sahun SONG. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for testing memory chip, computer device, and medium

Номер патента: US20220343997A1. Автор: Jinghong Xu,Yuan-Chieh Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Memory chip testing method, computer device and medium

Номер патента: EP4099330A1. Автор: Jinghong Xu,Yuan-Chieh Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Circuit and method for testing memory chip

Номер патента: US20230290422A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bonded structure including a performance-optimized support chip and a stress-optimized three-dimensional memory chip and method for making the same

Номер патента: WO2020146055A1. Автор: Tetsuya Shirasu,Akio Nishida,Yuji Fukano,Naohiro Hosoda,Kazuma Shimamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-16.

Inter-transmission multi memory chip, system including the same and associated method

Номер патента: US20080205113A1. Автор: Jung-Bae Lee,Uk-Song KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and apparatus for testing a memory chip

Номер патента: US20080141075A1. Автор: Wolfgang Ruf,Manfred Proell,Stephan Schroeder,Georg Eggers,Joerg Kliewer,Hermann Hass. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-12.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US20170117050A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US20150078094A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Memory system that uses NAND flash memory as a memory chip

Номер патента: US11309051B2. Автор: Takehiko Amaki,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory chip including control logic circuit with dynamic random-access memory and memory device including memory chips

Номер патента: US12016183B2. Автор: Yan-Ru Chen. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Irreversible semiconductor switching element and semiconductor memory device utilizing the same

Номер патента: CA1082809A. Автор: Takashi Watanabe,Nobuaki Ieda,Junichi Murota,Masafumi Tanimoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-29.

Semiconductor memory device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Satoshi Nagashima,Yumi Nakajima,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US11984194B2. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Layout of delay circuit unit, layout of delay circuit, and semiconductor memory

Номер патента: US20230267980A1. Автор: Meixiang LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4276831A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Test method of semiconductor memory device and semiconductor memory system transferring fail address data from a volatile to a non-volatile memory array using an error-correction code engine

Номер патента: US9747998B2. Автор: Sua Kim,Sung Hyun Lee,Hak-soo Yu,Jun Hee Yoo,Chulwoo PARK,Jaeyoun Youn,Hyojin Choi,Dongsoo Kang,Jinsu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor circuit and semiconductor device for determining status of a fuse element

Номер патента: US11749364B2. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Mode control circuit for semiconductor device and semiconductor memory device having the mode control circuit

Номер патента: US20020186603A1. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Circuit for reducing test time and semiconductor memory device including the circuit

Номер патента: US20020056061A1. Автор: Katsumi Dosaka,Tetsushi Tanizaki,Masaru Haraguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4667330A. Автор: Yutaka Kumagai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-05-19.

On chip testing of semiconductor memory devices

Номер патента: GB2222461B. Автор: Masaki Tsukude,Tsukasa Ooishi,Kazutami Arimoto,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-05-19.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20220231145A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Memory chip structure having gaa transistors with different threshold voltages and work functions for improving performances in multiple applications

Номер патента: US20230369434A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20200091175A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for optimizing flash memory chip and related apparatus

Номер патента: US20230402121A1. Автор: You Li,Jun Yu,Yongyao LI,Guoyu Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020017923A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device having transistors between bonding pads and word lines

Номер патента: US11929352B2. Автор: Hiroshi Maejima,Takashi Maeda,Masumi SAITOH,Tetsuaki Utsumi,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Configuration for implementing redundancy for a memory chip

Номер патента: US6459631B2. Автор: HELMUT Fischer,Stefan Lammers,Helmut Kandolf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-01.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor logic circuit used in the integrated circuit

Номер патента: US20020196053A1. Автор: Takeshi Kusunoki,Kunihiko Yamaguchi,Keiichi Higeta,Kazuo Kanetani,Fumihiko Arakawa,Hiroaki Nambu,Kaname Yamasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Configuration for implementing redundancy for a memory chip

Номер патента: US20020012281A1. Автор: HELMUT Fischer,Stefan Lammers,Helmut Kandolf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-01-31.

Memory Element and Semiconductor Device, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080205132A1. Автор: Yoshiharu Hirakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and semiconductor memory with a device for detecting addressing errors

Номер патента: US8347150B2. Автор: Wolfgang Fey,Lukusa Didier Kabulepa,Adrian Traskov,Houman Amjadi. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2013-01-01.

Anti-Fuse Memory And Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20170250187A1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Manufacturing method of semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20210265378A1. Автор: Naoki Yamamoto,Kojiro Shimizu,Shunpei TAKESHITA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US12010829B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Semiconductor memory device and its testing method

Номер патента: US20030058730A1. Автор: Katsushige Hayashi,Takanobu Suzuki,Tamaki Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09627354B1. Автор: Seisei Oyamada. Владелец: Noda Screen Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of selectively activating word line segments enabled by row addresses and semiconductor memory devices having partial activation commands of word line

Номер патента: US7187615B2. Автор: Seong-Jin Jang,Min-Sang Park,Yu-Lim Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-06.

Charge trapping memory cell, method for fabricating it, and semiconductor memory device

Номер патента: US6891751B2. Автор: Thomas Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-10.

Address transforming circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9128817B2. Автор: Sung-Ho Choi,You-Keun Han,Seok-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-08.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20230352102A1. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US20210165602A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Regulator circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20110158027A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US11871562B2. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Electronic device including switching element and semiconductor memory

Номер патента: US20170154844A1. Автор: Dong-Joon Kim,Jae-Yun YI,Joon-Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Address output circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20130121097A1. Автор: Sang Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11789656B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Cryogenic transmitter and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20200310663A1. Автор: Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4328916A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-28.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20090021985A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US20200401347A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11169742B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Word line control method, word line control circuit device and semiconductor memory

Номер патента: US11693584B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Method for forming storage node contact structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220208772A1. Автор: Zhen Zhou,Weiping BAI,Erxuan PING,Lingguo ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Differential signal skew calibration circuit and semiconductor memory

Номер патента: US11894853B2. Автор: Pengzhou Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US7724583B2. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Delay control circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20240127881A1. Автор: Kai Sun,Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Stress testing circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230384366A1. Автор: Nobuhiro Odaira. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Neural network weight matrix adjusting method, writing control method and related apparatus

Номер патента: US12033064B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Intelligent Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5258953A. Автор: Akira Tsujimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of making memory chips using memory tester providing fast repair

Номер патента: US5795797A. Автор: Michael A. Chester,Steven A. Michaelson. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Parallel test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: GB2266381B. Автор: Jei-Hwan You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-11-08.

Parallel test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: GB9227140D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-02-24.

Architecture and method for binary and unary in-memory sorting

Номер патента: US12045166B2. Автор: Mohammadhassan Najafi,Nima TaheriNejad,Mohsen Riahi Alam. Владелец: University of Louisiana at Lafayette. Дата публикации: 2024-07-23.

CAM memory architecture and a method of forming and operating a device according to a CAM memory architecture

Номер патента: US7092271B2. Автор: Sathya P. Kaginele. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-15.

Portable download unit including a memory chip-to-CD burner

Номер патента: US20030077076A1. Автор: Alan Sohler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Device for accessing semiconductor memory card, computer- readable data carrier, initialization method and semiconductor memory card

Номер патента: RU2257609C2. Автор: Теруто ХИРОТА,Такудзи МАЕДА. Владелец: МАЦУСИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-07-27.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Complex memory chip, memory card having the same, and method of manufacturing the memory card

Номер патента: US20080130249A1. Автор: Jin-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Optical disk with a memory chip mounted thereon

Номер патента: US5940363A. Автор: Sung-Hyuk Park,Se-Yong Ro. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 1999-08-17.

Storage system, memory chip unit, and wafer

Номер патента: US11923325B2. Автор: Takashi Fukushima,Masayuki Miura,Toshio Fujisawa,Shinichi Kanno,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Arata Inoue,Keisuke Nakatsuka,Tatsuro Hitomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Storage system, memory chip unit, and wafer

Номер патента: US20220223552A1. Автор: Takashi Fukushima,Masayuki Miura,Toshio Fujisawa,Shinichi Kanno,Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu,Arata Inoue,Keisuke Nakatsuka,Tatsuro Hitomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Optical disc apparatus, information recording method, adjustment apparatus, adjustment method and fabrication method for optical disc apparatus, and method and apparatus for adjusting phase shift amount

Номер патента: US20050047297A1. Автор: Kuniaki Arai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Posture adjustment method of magnetic head

Номер патента: US20090316293A1. Автор: Shoji Tanaka,Masayoshi Matsumoto,Ko Shinomori. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Adjusting method for a sync signal in an optical storage device

Номер патента: US20020186720A1. Автор: Yi-Chih Huang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Progress adjustment method and electronic device

Номер патента: US09354797B2. Автор: Chao Zhang,Xiangyang Li,Chao Dong,Zhen Jiao. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Access performance adjusting method and storage apparatus

Номер патента: US20050190484A1. Автор: Michio Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

Access performance adjusting method and storage apparatus

Номер патента: US20060238913A1. Автор: Michio Yamamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Access performance adjusting method and storage apparatus

Номер патента: US7280309B2. Автор: Michio Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-09.

Access performance adjusting method and storage apparatus

Номер патента: EP1569205A3. Автор: Michio c/o Fujitsu Limited Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-12-20.

Adjustment optical disc for optical pick-up, adjustment method for optical pick-up, and adjustment apparatus for optical pick-up

Номер патента: US20050185554A1. Автор: Yasuo Osada,Hideo Nagasaka,Yoshihiro Kajiyama,Junzo Kumakura,Shuichi Hirosawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Adjustment optical disc for optical pick-up, adjustment method for optical pick-up, and adjustment apparatus for optical pick-up

Номер патента: US20050185555A1. Автор: Yasuo Osada,Hideo Nagasaka,Yoshihiro Kajiyama,Junzo Kumakura,Shuichi Hirosawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Adjustment Method Of Optimum Write Power And Optical Write/Retrieval Device

Номер патента: US20100195459A1. Автор: Koichi Watanabe,Soichiro Eto,Takahiro Kurokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-05.

Storage device having flexible architecture and free scalability

Номер патента: US20050169063A1. Автор: Evangelos Eleftheriou,Giovanni Cherubini,Theodor Loeliger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-08-04.

Focus position adjustment method and system thereof

Номер патента: US20040208092A1. Автор: Kun-Hung Hsieh,Chi-Chun Lo. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Write adjustment method

Номер патента: US20080056082A1. Автор: Sheng-Hsien Yen. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Electric power adjustment method, electric power adjustment program, electric power adjustment apparatus, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: EP3079262A1. Автор: Manabu Murakami,Yasuhiro Murakami,Masahiko Hirao,Yusuke Yamamori,Mikio Hayashihara,Nobuhide Hachiya,Yasuaki Takeuchi,Takashi Tanii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Buffer chip, and semiconductor package including buffer chip and memory chips

Номер патента: US20240361954A1. Автор: Seong Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Method and system of audio quality and latency adjustment for audio processing by using audio feedback

Номер патента: US09928844B2. Автор: Sean J Lawrence. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and system of audio quality and latency adjustment for audio processing by using audio feedback

Номер патента: US20170125026A1. Автор: Sean J. Lawrence. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Accelerator chip connecting a system on a chip and a memory chip

Номер патента: EP4032031A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-27.

Accelerator chip connecting a system on a chip and a memory chip

Номер патента: WO2021055279A1. Автор: Kenneth Marion Curewitz,Sean S. Eilert,Justin M. Eno. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-25.

Multi-chip package device including a semiconductor memory chip

Номер патента: US20040061516A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Memory chip having security verification function and memory device

Номер патента: US20200242273A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Chia-Jung Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Dynamic processing memory core on a single memory chip

Номер патента: US12038865B2. Автор: Atif Zafar. Владелец: X Silicon Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Reducing power consumption by using a different memory chip for background processing

Номер патента: US20230088572A1. Автор: Gabriel Zvi BenHanokh,Adam Kupczyk. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory chips and data protection methods

Номер патента: US09507666B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai,Yao-Shun Hung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory system and method of controlling memory chips

Номер патента: US20240302997A1. Автор: Hajime Yamazaki,Konosuke Watanabe,Shinji Yonezawa,Mitsusato Hara,Haruka MORI,Eiji SUKIGARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method, system and memory chip for generating checkout value

Номер патента: US09724928B2. Автор: Weichen Liu. Владелец: Apex Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory processor-based multiprocessing architecture and operation method thereof

Номер патента: US20200117505A1. Автор: Kuan-Chow Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Memory operation method, memory and electronic device

Номер патента: US20240289025A1. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory operating method, memory and electronic device

Номер патента: US12147361B2. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory chip module

Номер патента: CA2377175C. Автор: Thomas Grassl. Владелец: Giesecke and Devrient GmbH. Дата публикации: 2007-01-09.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Memory chip capable of performing artificial intelligence operation and method thereof

Номер патента: US20200117989A1. Автор: Frank Chong-Jen Huang,Yung-Nien Koh. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory chip holder and method of using same

Номер патента: CA2154561C. Автор: Oswaldo Penuela,Frederick R. Berghaus. Владелец: Precision Dynamics Corp. Дата публикации: 2002-08-27.

Method, device and terminal for testing memory chip

Номер патента: WO2020103839A1. Автор: Tianchen LU,Ruei-Yuan GUO. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Reducing power consumption by selective memory chip hibernation

Номер патента: US20230024864A1. Автор: Mark Nelson,Brett Niver,Gabriel Zvi BenHanokh. Владелец: Red Hat Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Preparation method for leads of semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US12040269B2. Автор: Chung Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Scan engine with dual chip architecture for use in electro-optical readers

Номер патента: EP1924950A2. Автор: William Sackett,James Giebel,Costanzo Difazio,Gary G. SCHNEIDER. Владелец: Symbol Technologies LLC. Дата публикации: 2008-05-28.

Scan engine with dual chip architecture for use in electro-optical readers

Номер патента: WO2007032921A2. Автор: William Sackett,James Giebel,Costanzo Difazio,Gary G. SCHNEIDER. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor process formula acquisition method and system and semiconductor process device

Номер патента: EP4428780A1. Автор: Yuanwei LIN. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Memory-attached computing resource in network on a chip architecture to perform calculations on data stored on memory external to the chip

Номер патента: US09959066B2. Автор: Jerome V. Coffin,Douglas A. Palmer,William Christensen Clevenger. Владелец: Knuedge Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Scalable multi-core system-on-chip architecture on multiple dice for high end microcontroller

Номер патента: US09946674B2. Автор: Albrecht Mayer,Frank Hellwig,Joerg Schepers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Performing read operations in network on a chip architecture

Номер патента: US09686191B2. Автор: Andy White,Doug Meyer,Jerry Coffin. Владелец: Knuedge Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory chip test pad access management to facilitate data security

Номер патента: WO2024040506A1. Автор: QI Dong. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device comprising a plurality of memory chips, authentication system and authentication method thereof

Номер патента: US20130340068A1. Автор: Won-seok Lee,Young-Kug Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-19.

Dynamic processing memory core on a single memory chip

Номер патента: US20230297287A1. Автор: Atif Zafar. Владелец: X Silicon Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory chip test pad access management to facilitate data security

Номер патента: US20240069753A1. Автор: QI Dong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory chips and data protection methods

Номер патента: US20170038988A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai,Yao-Shun Hung. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Dynamic processing memory core on a single memory chip

Номер патента: WO2020099935A3. Автор: Atif Zafar. Владелец: Zafar Atif. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory management method, memory control circuit unit and memory storage device

Номер патента: US20180059934A1. Автор: Hui Xie,Chong PENG,Hao-Zhi Lee,Qi-Ao Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240196568A1. Автор: Akihito Ishimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20110153896A1. Автор: Hiroshi Endo,Hiroko Okabayashi,Tatsuya KAISE,Yoshihito Sugiyama,Masahiko Murohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor memory having non-standard form factor

Номер патента: US20130290812A1. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2013-10-31.

Transponder Comprising an Electronic Memory Chip and Magnetic Circular Antenna

Номер патента: US20100052859A1. Автор: Harald Lossau. Владелец: DYNAMIC SYSTEMS GmbH. Дата публикации: 2010-03-04.

Memory chip capable of performing artificial intelligence operation and operation method thereof

Номер патента: US20200293854A1. Автор: Ren-Shuo Liu,Cheng-Hsuan Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory operating method, memory and electronic device

Номер патента: US20240078200A1. Автор: Ze He,Nanfei WANG,Yingwu ZHANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory system and memory chip

Номер патента: US20240211140A1. Автор: Chun Shiah. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Image forming device, imaging system, moving body and semiconductor substrate for layering

Номер патента: RU2731333C1. Автор: Хидео КОБАЯСИ,Даисуке ЙОСИДА,Такахиро СИРАИ,Со ХАСЕГАВА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2020-09-01.

Scalable configurable chip architecture

Номер патента: WO2023211966A1. Автор: Guillaume Binet,Hsin-I Lee,Shailendra Deva,Olivia Leitermann. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Performing Read Operations in Network on a Chip Architecture

Номер патента: US20170054635A1. Автор: Andy White,Doug Meyer,Jerry Coffin. Владелец: Knu Edge Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Autonomous mobile robot and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240152131A1. Автор: Sang Ok Park,Seungchan Lee,Hoyoung Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery monitoring system and semiconductor device

Номер патента: US20130257441A1. Автор: Masaru Sekiguchi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Scalable configurable chip architecture

Номер патента: US20230342316A1. Автор: Guillaume Binet,Shailendra Deva,Hsin-I Li,Olivia Leitermann. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-10-26.

Scan engine with dual chip architecture for use in electro-optical readers

Номер патента: WO2007032921A3. Автор: William Sackett,James Giebel,Costanzo Difazio,Gary G Schneider. Владелец: Symbol Technologies Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory-Attached Computing Resource in Network on a Chip Architecture

Номер патента: US20170235511A1. Автор: Jerome V. Coffin,Douglas A. Palmer,William Christensen Clevenger. Владелец: Knuedge Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Resist compositions and semiconductor fabrication methods using the same

Номер патента: US20210181628A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Hyunwoo Kim,Naoto Umezawa,Thanh Cuong Nguyen,Daekeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: EP3378092A1. Автор: Stefan Michael Bruno BÄUMER,Erwin John Van Zwet,Hamed Sadeghian Marnani,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-09-26.

Substrate processing method, thermal processing apparatus, and semiconductor manufacturing equipment

Номер патента: US20240186161A1. Автор: Sung Kyu Park,Sung Yong Lee,Myung Hwan Oh. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Substrate degassing method and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240218511A1. Автор: In-young Kim,Giduck Kweon,Dong-Gu Kim,Donghyun Jang,Sung-Woo JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

System for treating wastewater from electronics and semiconductor fabrication facilities

Номер патента: US20240246840A1. Автор: Richard Peacock,Matthew J BURGER,Emily AKINS,Robert Bellitto. Владелец: Samco Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240309127A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of pulsed thermoelectric nondestructive testing of thermophysical properties of metals and semiconductors

Номер патента: RU2665590C1. Автор: Иван Валерьевич Смирнов,Юрий Васильевич Судьенков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2018-08-31.

Method and system for testing conversion relationship between block reading and page reading in flash memory chip

Номер патента: US11947819B2. Автор: Dong Li. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and system for testing conversion relationship between block reading and page reading in flash memory chip

Номер патента: US20230297263A1. Автор: Dong Li. Владелец: Suzhou Wave Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Charge trap evaluation method and semiconductor element

Номер патента: EP3674723A1. Автор: Hiroshi Iwai,Hitoshi Wakabayashi,Kazuo Tsutsui,Taiki Yamamoto,Kuniyuki Kakushima,Takuya HOSHII. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-01.

Conveyor device and semiconductor production equipment

Номер патента: US20230067252A1. Автор: Xueyu LIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Conveyor device and semiconductor production equipment

Номер патента: US11923226B2. Автор: Xueyu LIANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US11959173B2. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-04-16.

Methods of forming structures, semiconductor processing systems, and semiconductor device structures

Номер патента: US20240209510A1. Автор: ROBINSON JAMES,Caleb Miskin,Amir Kajbafvala,Yanfu Lu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-06-27.

Allyloxy derivative, resist underlayer forming composition using the same, and method of manufacturing resist underlayer and semiconductor device using the same

Номер патента: US20210181636A1. Автор: Takashi Sekito,Hiroshi Yanagita,Shigemasa NAKASUGI,Yusuke Hama,Yuriko Matsuura. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-06-17.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Oscillation period detection circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230071369A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

System on chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240036627A1. Автор: Kyung-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

System for treating wastewater from electronics and semiconductor fabrication facilities

Номер патента: WO2023205438A1. Автор: Richard Peacock,Matthew J BURGER,Emily AKINS. Владелец: Samco Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-10-26.

Testing probe and semiconductor testing fixture, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160124016A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Resin composition, resin sheet, multilayer printed wiring board and semiconductor device

Номер патента: EP4357375A1. Автор: Takuya Suzuki,Yune KUMAZAWA,Shunsuke KATAGIRI. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Data processing circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US20230384945A1. Автор: Tao Du. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Oscillation period measurement circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: EP4198989A1. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Testing probe and semiconductor testing fixture, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20160124017A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Fujitsu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Brightness adjustment method for display panel, display panel and driving method therefor

Номер патента: EP3726516A1. Автор: Yong Yu,Xiaohuan Chang,Chuanyan LAN,Lixia SHEN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Parameter adjustment method used for statistical machine translation

Номер патента: US9460087B2. Автор: Bing Xu,Tiejun Zhao,Muyun YANG,Wenwen Zhang,Conghui ZHU,Dequan ZHENG,Lemao Liu,Hailong CAO. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-10-04.

Solder parameter adjustment method and apparatus and computer device

Номер патента: WO2024145881A1. Автор: Jian Kang,Qing Gang QIAO. Владелец: Siemens Ltd., China. Дата публикации: 2024-07-11.

Model training method, channel adjustment method, electronic device, and computer readable storage medium

Номер патента: US20240171359A1. Автор: Ke Shi,Jianguo Li,Qiaoyan Liu,Kai Mao,Dexin Li,Zepeng MA,Wangwang JI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Viewing angle adjustment method and device, electronic device, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20240269555A1. Автор: YI Hao,Zhe Zhou,Shuohuan WU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic brightness adjusting method and projector

Номер патента: US20180307130A1. Автор: Li-Wei Liang,Chih-Wei Cho. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Route height adjustment method, method for operating unmanned aerial vehicle, and related apparatus

Номер патента: CA3156786A1. Автор: Liqiang ZHENG. Владелец: Guangzhou Xaircraft Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Display apparatus, and adjustment method and formation method thereof

Номер патента: US20240355277A1. Автор: Chuan Liu,Xun XIAO,Shuo Tang,Xigang Liu,Junbo Xu. Владелец: Hubei Yangtze Industrial Innovation Center of Advanced Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

System architecture and method of the network security provision

Номер патента: RU2656813C2. Автор: Чжи ЮЙ. Владелец: Чжи ЮЙ. Дата публикации: 2018-06-06.

Systems and devices for assessing the architecture and implementing strategies for security

Номер патента: RU2713574C1. Автор: Филлип Ф. ЛЕРНЕР. Владелец: Оптум, Инк.. Дата публикации: 2020-02-05.

System architecture and connected with it methods for dynamic addition of program components for system processes functionality enhancement

Номер патента: RU2353968C2. Автор: Мин ЛИУ,Исса КХОУРИ,Андрей КОЗЛОВ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-04-27.

Window adjustment method, mobile terminal and computer-readable storage medium

Номер патента: EP3848784A1. Автор: LEI Jing,Zhiyong Lin,Liangjing Fu,Tongxi LI. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2021-07-14.

Computer-implemented systems, methods and computer programs for adapting a machine-learning-architecture and for processing input data

Номер патента: US20210264322A1. Автор: Lev Markhasin,Shangyin GAO. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Electronic device and refresh rate adjusting method thereof

Номер патента: US12027089B2. Автор: Yu-Chi Huang,Chih-Hsien Yang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Pose adjustment method, pose adjustment apparatus, electronic device and readable storage medium

Номер патента: EP4394322A1. Автор: Di Wu,Wenquan ZHAO,Qichang Zhang,Xubin Luo. Владелец: FJ Dynamics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Disclosed are systems of devices, architectures and incentive-based methods for co-operatively building larger bodies of data that can be reliably used to discover new and faster correlations diagnosing disease (using AI techniques) and devising efficient responses to health issues (in order to prevent disease, prevent or minimise condition decline, improve performance of environments and/or prevent safety incidents).

Номер патента: AU2021103255A4. Автор: Julianne Mary Cripps Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-29.

Architecture and method for tracking and managing digital data

Номер патента: EP3685343A1. Автор: Silvio SILIPRANDI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-29.

Architecture and method for tracking and managing digital data

Номер патента: WO2019058404A1. Автор: Silvio SILIPRANDI. Владелец: SILIPRANDI Silvio. Дата публикации: 2019-03-28.

Tool head posture adjustment method, apparatus and readable storage medium

Номер патента: CA3174424A1. Автор: Chao Wu,Aizhen Li. Владелец: Zhi Mei Kang Min Zhuhai Health Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Temperature adjustment method for an intelligent toilet, an electronic device, a storage medium, and an intelligent toilet

Номер патента: US20240219940A1. Автор: Yan She,Haixing SUN. Владелец: Shanghai Kohler Electronics Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Lidar adjustment method, circuit, and apparatus, lidar, and storage medium

Номер патента: US20230107928A1. Автор: Bin Tan,Shen Jiang. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Sensor axis adjustment method

Номер патента: US20200096604A1. Автор: Yasuhiro Okuno,Kazuyuki Fukamachi,Michiaki Okubo,Kazumori Sakai,Kenichiro ` Kurai. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Intelligent real-time robot operating system architecture and operation method thereof

Номер патента: US20200409774A1. Автор: LIANG Ding,Yanan Zhang,Fei Wang,Pengfei Liu,Qi HOU,Zhenzhong Yu,Kerui Xia,Taogeng ZHANG. Владелец: HRG International Institute for Research and Innovation. Дата публикации: 2020-12-31.

Scan architecture and design methodology yielding significant reduction in scan area and power overhead

Номер патента: US8321730B2. Автор: Talal K. Jaber,David M. Wu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-11-27.

Image brightness adjustment method and device, storage medium and electronic device

Номер патента: EP3968268A1. Автор: Huai-Che Lee,Jui Hsiang CHAO. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Resource adjusting method and apparatus

Номер патента: EP4057143A1. Автор: Yu Zhang,Qinglong LAN. Владелец: Huawei Cloud Computing Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-14.

Adjustment method for an image-projection display device

Номер патента: US20080123063A1. Автор: Shohei Matsuoka. Владелец: Pentax Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Three-layer intelligence system architecture and an exploration robot

Номер патента: US12079005B2. Автор: LIANG Ding,YE Yuan,Shu Li,Zhen Liu,Yan Liu,Haibo Gao,Zongquan Deng. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2024-09-03.

Power demand response adjustment method and apparatus, and computer device and storage medium

Номер патента: AU2022442685A1. Автор: Wu Wen,Peng Ren,Maohe LUO,Shiya LUO,Jingen NIE. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic pcie speed-adjusting method and wireless device and user equipment thereof

Номер патента: EP4216035A1. Автор: Sheng-Ya TUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Dynamic PCIE speed-adjusting method and wireless device and user equipment thereof

Номер патента: US12072831B2. Автор: Sheng-Ya TUNG. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Display terminal adjustment method and display terminal

Номер патента: US12125458B2. Автор: Yang Li,HONGWEI Li. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Extended authentication method and apparatus for generic bootstrapping architecture, and storage medium

Номер патента: US12118093B2. Автор: Bo Zhang,Valtteri Niemi,Pekka Laitinen,Philip Ginzboorg. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Video frame adjustment method, electronic device and non-transient computer-readable storage medium

Номер патента: US20240357054A1. Автор: Rui Zhang,Lixue GONG. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Dynamic backlight adjustment method of display screen

Номер патента: US09886915B2. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Adjusting method of display parameter and liquid crystal display system

Номер патента: US09805674B2. Автор: Jian He,Yugang Bao,Shen-Sian Syu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Gamma curve adjustment method and gamma curve adjustment apparatus

Номер патента: US09704425B2. Автор: Zhi Zhang,Lijun Xiao,Liyan Wang,Weiwei Huo. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Interface adjustment method, apparatus, and terminal

Номер патента: US09697622B2. Автор: Mingliang Zhong. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Display mode adjusting method of display device and display mode adjusting module thereof

Номер патента: US09607575B2. Автор: Chih-Jung Wang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Adjusting method of display panel and adjusting device

Номер патента: US12027092B2. Автор: Yue Xi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Lidar device and ranging adjustment method of the same

Номер патента: US20230350010A1. Автор: Changsheng GONG. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Adjustment method and adjustment group for a refrigeration system

Номер патента: EP3928041A1. Автор: Ciro Aprea,Angelo MAIORINO. Владелец: UNIVERSITÀ DEGLI STUDI DI SALERNO. Дата публикации: 2021-12-29.

System, architecture and method for secure encryption and decryption

Номер патента: US20130086391A1. Автор: Robert Frank KLEINER,Frederik Sebastian KLEINER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Phase adjustment method, correction value calculation device, motor control device, electric actuator product, and electric power steering device

Номер патента: EP3916996A1. Автор: Hiroyuki Yamamura,Yoshihiro Aosaki,Yusuke Nishioka. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2021-12-01.

Seat adjustment method, apparatus, and system

Номер патента: US20200139852A1. Автор: XIANG Gao. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Structural parts kit for formation of architectural and structural didactic models

Номер патента: US20220249970A1. Автор: Marcio Sequeira De Oliveira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-11.

Array backtracking angle adjusting method and apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240223123A1. Автор: Peng Quan,Ming Zhao,Kai Sun,Jifan Gao,Guokun Huang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Capacity adjustment method and apparatus, system and computing device

Номер патента: EP4170494A1. Автор: Xi Chen,Guangcheng LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Viewing glasses and image beam adjustment method thereof

Номер патента: EP2432240A3. Автор: Chueh-Pin Ko,Dong-Hsing Su. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

Voltage adjustment method and apparatus, computer device and readable medium

Номер патента: US20240201769A1. Автор: Jianchang Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Display device and white balance adjusting method thereof

Номер патента: US20210027727A1. Автор: Chia-Hang Lee,Jing-Ren SHI. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Refresh Rate Adjustment Method And Electronic Device

Номер патента: US20240221701A1. Автор: Heping ZHAO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Control command resolution adjustment method and a command generation device

Номер патента: US20180348710A1. Автор: Chia-Jen LIN,Feng-Chieh LIN. Владелец: Teco Electric and Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Cutting tool angle adjustment method

Номер патента: US20060036337A1. Автор: Meng-Chun Chen,Kuei-Jung Chen,Chih-Yi Lai,Sin-Len Tan. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-02-16.

Screen brightness adjustment method and electronic device

Номер патента: EP4087224A1. Автор: Xiufeng Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Volume adjustment method and system, and electronic device

Номер патента: US20240171826A1. Автор: Yunchao ZHANG,Shuailin LV,Dajun DING,Feiran SUN,Weixiang Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Audio adjusting method, device and apparatus, and storage medium

Номер патента: US20240212704A1. Автор: Yan Shen,Jingxian LIANG,Zhongru LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Neural architecture and hardware accelerator search

Номер патента: US20240005129A1. Автор: Mingxing Tan,Xuanyi Dong,Daiyi Peng,Berkin Akin,Yanqi ZHOU,Amir Yazdanbakhsh,Yuxiong Zhu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Parameter adjustment method and electronic device

Номер патента: EP4064030A1. Автор: Lei Liang. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-28.

Frequency Adjustment Method Of Vibration Element, Manufacturing Method Of Vibration Element, Vibration Element, Physical Quantity Sensor, Inertial Measurement Device, Electronic Apparatus, Vehicle

Номер патента: US20190301869A1. Автор: Masahiro Oshio,Shogo Sasaki,Keiichi Yamaguchi,Seiichiro Ogura,Masashi SHIMURA,Ryuta NISHIZAWA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Power Supply Adjustment Method, Power Supply Apparatus, Portable Component and Magnetic Resonance Device

Номер патента: US20230168321A1. Автор: Markus Vester,Jianmin Wang. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2023-06-01.

Text adjustment method, electronic device, storage medium and computer program product

Номер патента: EP4075321A1. Автор: Bin Qin,Li Deng,Shiqi Cui. Владелец: Beijing Xiaomi Pinecone Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-19.

GAMMA adjustment method for multi-channel driver of monitor and device of the same

Номер патента: US20060227155A1. Автор: Cheng-Han Hsieh,Hsu-Yuan Chin,Yu-Chun Chuang,Han-Hui Chiu. Владелец: Silicon Touch Tech Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Image quality adjusting method and host

Номер патента: US20240242448A1. Автор: Li-Wei Lin,Chia-Cheng Tsai. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Dynamic projection adjusting method and projection display device

Номер патента: US20110019164A1. Автор: Tsung-hsun Wu,Ching-Shuai Huang. Владелец: Qisda Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Camera shooting parameter adjustment method and apparatus, and electronic device

Номер патента: US20240273909A1. Автор: Mingzheng Li. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Hdmi signal adjusting method, hdmi signal receiving apparatus, hdmi signal transmitting apparatus, and hdmi signal processing system

Номер патента: US20140016684A1. Автор: Sung-Bo Oh,Young-jo SEO,Seung-se Hong,Hyoung-Woo Jeon,Jun-ho LIM,Ki-sung CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Self-adaptive adjustment method and device of projector, and computer storage medium

Номер патента: US20170324939A1. Автор: XIA FAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2017-11-09.

Image adjusting method capable of executing optimal adjustment according to environmental variation and related display

Номер патента: US10276129B2. Автор: Hsin-Nan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Image adjusting method and related display

Номер патента: US20160042680A1. Автор: Hsin-Nan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Computer system architecture and memory controller for close-coupling within a hybrid processing system utilizing an adaptive processor interface port

Номер патента: EP1559021A4. Автор: Jon M Huppenthal,Thomas R Seeman,Lee A Burton. Владелец: SRC Computers LLC. Дата публикации: 2006-12-06.

Map display adjustment method and apparatus

Номер патента: AU2022425878A1. Автор: Yuxuan Li,Jianbin SUN,Yiming CONG. Владелец: Beijing Roborock Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

An adaptive power adjustment method and means based on reducing crosstalk among dsl lines

Номер патента: EP1919093A4. Автор: Ju Zhou. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Computer architecture and process of user evaluation

Номер патента: WO2005055011A3. Автор: Walton Ii Sumner,Jinzhong Xu,Guy H Roussel,Richard J Rovinelli,Michael D Hagen. Владелец: American Board Of Family Medic. Дата публикации: 2009-04-16.

Optical axis adjustment method, manufacturing method, and optical axis adjustment device for integrated optical module

Номер патента: US20200183101A1. Автор: Yoshiya Sato,Tadayoshi Hata,Daichi Koyama,Hidekazu Kodera,Masaya Shimono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: WO2012009294A1. Автор: Pius Ng,Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala. Владелец: ALGOTOCHIP CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-19.

System, architecture and micro-architecture (sama) representation of an integrated circuit

Номер патента: US20120017196A1. Автор: Satish Padmanabhan,Suresh Kadiyala,Plus Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Adjustment method and apparatus for driving waveform, device, and readable storage medium

Номер патента: US12057009B2. Автор: Jianwei Zhu. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Robot system, control method for robot system, and adjustment method for force control parameters in robot system

Номер патента: US12070862B2. Автор: Yasuhiro Shimodaira. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Phase adjustment method, correction value calculation device, motor control device, electric actuator product, and electric power steering device

Номер патента: US20220135120A1. Автор: Hiroyuki Yamamura,Yoshihiro Aosaki,Yusuke Nishioka. Владелец: NSK LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Color adjustment method, color adjustment device, electronic device and computer-readable storage medium

Номер патента: EP3879821A1. Автор: Yuguang YUAN. Владелец: Zhejiang Uniview Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Methods and systems for generating deployment architecture and template

Номер патента: US20210194824A1. Автор: Junyin Wu. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Projection device and image adjusting method

Номер патента: US20200329221A1. Автор: Yung-Chiao Liu,Chun-Lin Chien. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Sound playback system and output sound adjusting method thereof

Номер патента: US20200211579A1. Автор: KUO-PING YANG,Kuo-Wei Kao,Jian-Ying Li,Kai-Yuan Hsiao. Владелец: Unlimiter MFA Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Color adjustment method, color adjustment method implementation program and program storage medium

Номер патента: US20030043167A1. Автор: Toru Hoshino. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2003-03-06.

User interface adjustment method and apparatus, and electronic device

Номер патента: US20230214086A1. Автор: Weijian Liao,Bowen Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Atmosphere adjusting method, atmosphere adjusting device, and aroma diffuser

Номер патента: CA3130714A1. Автор: Liang Shan,YAO Fu,Huisheng ZHOU,Yin Suo. Владелец: Savant Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-02.

Camera photographing parameter adjustment method and apparatus and electronic device

Номер патента: EP4425433A1. Автор: Mingzheng Li. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Time Synchronization Offset Adjustment Method and Apparatus, Terminal, and Access Layer Device

Номер патента: US20210153151A1. Автор: Ziqiang Wang,Jihong Li,Zhaogen YIN,Daoxiang DOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Projector and focal length adjusting method thereof

Номер патента: US20200228766A1. Автор: Tung-Chou Hu,Wen-Yen Chung,Chun-Lung Yen,Te-Tang Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Adjusting method of a tilt meter

Номер патента: US20060161362A1. Автор: Zhang-Yong Jian. Владелец: Asia Optical Co Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Display screen adjustment method and apparatus, and device

Номер патента: US12087201B2. Автор: Hu He,Ruhai Fu,Chiaching Chu,Shipeng CHI,Zhongyu He,Chaorong LIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gaming key mode adjusting method and electronic device

Номер патента: US20210197090A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Ling-Fan Tsao. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Mode adjustment method for drone base station, adjustment apparatus, and drone base station

Номер патента: US20240268067A1. Автор: Dianlin Fu. Владелец: Autel Robotics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Brightness adjustment method, brightness adjustment device and display device

Номер патента: US20240265842A1. Автор: Zhaohui MENG,Yilin Feng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Recommending sensors for an application using elements of service-oriented-architecture and design (soad)

Номер патента: US20240211772A1. Автор: Avik GHOSE,Anwesha KHASNOBISH,Sanjay Madhukar KIMBAHUNE,Karan Rajesh Bhavsar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Brightness adjusting method, device, and display device

Номер патента: US20240194133A1. Автор: Fulin Liu,Jitong Hong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi-neural network architecture and methods of training and operating networks according to said architecture

Номер патента: US20230041337A1. Автор: Mustafa Altun,Sadra RAHIMI KARI. Владелец: Istanbul Teknik Universitesi ITU. Дата публикации: 2023-02-09.

Neural network adjustment method and corresponding apparatus

Номер патента: EP4428760A1. Автор: Shaohua Tang,Minqi Chen,Zeyi HUANG,Guanfu CHEN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Adjustment method and apparatus for rendering hierarchy order

Номер патента: US12100084B2. Автор: Chuyu Ruan,Hanqi ZHENG. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated comprehensive adjustment method for pulverized coal boiler based on prevention and control of high-temperature corrosion of water wall

Номер патента: US12098844B2. Автор: Yue Li,PENG Zhao,Xiaohua Wang,Min Chen,Xiaolei XUE,Baokang Chen,Shengjie YU,Ruipeng LIU,Xiaomin PENG,Zhenfeng MEI,Yiwen DING,Jinyong Zhu. Владелец: Suzhou Tpri Ener & Enviro Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Display screen display parameter adjustment method and device, and computer-readable storage medium

Номер патента: GB2611144A. Автор: Mo Zhijian,Xian Dayang. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2023-03-29.

Inter-pupilary distance adjustment method, head-mounted display device and readable storage medium

Номер патента: EP4435492A1. Автор: YUE Xu,Shuaishuai ZHU,Yunfeng JIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Active audio adjustment method and host

Номер патента: US20240296820A1. Автор: Yan-Min Kuo,I Yun Su. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Recommending sensors for an application using elements of service-oriented-architecture and design (soad)

Номер патента: EP4390775A1. Автор: Avik GHOSE,Anwesha KHASNOBISH,Sanjay Madhukar KIMBAHUNE,Karan Rajesh Bhavsar. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Focusing adjustment method

Номер патента: US20240340532A1. Автор: Hiroshi Nakagawa,Noboru Kawasaki,Ryohei Okamoto,Yasuki Furutake,Shunta Sato,Toshiki Yasue. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Reference Axis Adjustment Controller and Reference Axis Adjustment Method Thereof

Номер патента: US20240351511A1. Автор: Francis Piu Man. Владелец: Compertum Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Application window adjustment method and apparatus, device, and medium

Номер патента: US20240353994A1. Автор: Qi Qi,Yepeng Chen,Qingping Liu,Guotao Wang,Jianqing GUO,Tingbin GE. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Array backtracking angle adjusting method and apparatus, and storage medium

Номер патента: AU2022378129B2. Автор: Peng Quan,Ming Zhao,Kai Sun,Jifan Gao,Guokun Huang. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-adaptive adjustment method of anc parameter, device and storage medium

Номер патента: US20240363093A1. Автор: Kai Zeng. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Differentiated real-time injection-production optimization adjustment method of intelligent injection-production linkage device

Номер патента: US12123292B1. Автор: Feng Jia,XIA Yan,Zhongzheng Wang,Liming Zhang,Kai Zhang,Huaqing ZHANG,Piyang Liu,Guojing Xin,Zifeng Sun. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2024-10-22.

Brightness adjusting method, device, and display device

Номер патента: US12131699B2. Автор: Fulin Liu,Jitong Hong. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Electronic device and sensitivity adjustment method for sensor

Номер патента: US12056291B2. Автор: Ding-Jun Yin,Chin-Chuan Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Application window adjustment method and apparatus, device, and medium

Номер патента: EP4455841A1. Автор: Qi Qi,Yepeng Chen,Qingping Liu,Guotao Wang,Jianqing GUO,Tingbin GE. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Map display adjustment method and apparatus

Номер патента: EP4459451A1. Автор: Yuxuan Li,Jianbin SUN,Yiming CONG. Владелец: Beijing Roborock Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

BWP adjustment method and apparatus

Номер патента: US12108331B2. Автор: Xiangdong Zhang,Junren Chang,Xi Xie. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

System architecture and methods for facilitating client-side real-time auctions of advertising inventory

Номер патента: US09990656B2. Автор: Brian Schmidt,Bin Shen,David Tannenbaum,Qasim Saifee,Jarriett Robinson,Vadim Telyatnikov. Владелец: OpenX Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Character adjustment method for adjusting a character designed in a first pixel matrix so as to output the character to a second pixel matrix of an output device

Номер патента: US09953449B2. Автор: Fu-Sheng Wu,Yi-Hui Huang,Hsueh-Chih Huang. Владелец: Arphic Tech Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Display adjustment methods and head-mounted display devices

Номер патента: US09939649B2. Автор: Ji Wang,Cong Zhao,Zihong Liu. Владелец: Shenzhen Royole Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated architecture and network for arrangement and delivery of media

Номер патента: US09934225B2. Автор: Tadeusz Peter Matuchniak,Jeffrey S. Marks,Nicholas J. Dauderman,Spyros J. Lazaris,Clifford Duvernois. Владелец: Living Media LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Performance and power optimized computer system architectures and methods leveraging power optimized tree fabric interconnect

Номер патента: US09876735B2. Автор: Mark Davis,David Borland. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Gamma curve adjusting method and device

Номер патента: US09875679B2. Автор: Yi Chen,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Image adjusting method and related display

Номер патента: US09858850B2. Автор: Hsin-Nan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Optical navigation device and related automatic magnification adjusting method

Номер патента: US09817488B2. Автор: Sai Mun Lee. Владелец: Pixart Imaging Penang Sdn Bhd. Дата публикации: 2017-11-14.

Display with automatic image optimizing function and related image adjusting method

Номер патента: US09805664B2. Автор: Hsin-Nan Lin. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Image brightness adjusting method, object tracking method and object tracking apparatus

Номер патента: US09799107B2. Автор: Yu-Chia Lin,Yu-Hsiang Huang,Chih-Hsin Lin. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Brightness adjustment method and device and electronic device

Номер патента: US09772760B2. Автор: Yonghao Luo. Владелец: Smartisan Digital Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Backlight brightness adjusting method and device, and liquid crystal display device

Номер патента: US09747844B2. Автор: JIA Yang,Shunming Huang,Yujie DIAO. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Image tone adjustment method, apparatus thereof and computer storage medium

Номер патента: US09736336B2. Автор: Baoli LI,Jianyu Wang,Shimin Hu,Haifeng Deng,Xianying Li. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Resource management in MapReduce architecture and architectural system

Номер патента: US09720740B2. Автор: Li Li,Qi Yu,Ju Wei Shi,Jia Zou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Imaging adjusting method capable of varying scaling ratios and related camera and image processing system

Номер патента: US09715737B2. Автор: Chih-Chiang Chen,Jen-Chih Wu. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Head mounted display and optical position adjustment method of the same

Номер патента: US09709809B2. Автор: Tetsuyuki Miyawaki,Ikuo Matsumura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Image adjusting method, light source module and electronic device

Номер патента: US09570044B2. Автор: Fu-cheng FAN. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Integrated architecture and network for archiving, processing, association, distribution and display of media

Номер патента: US09558189B2. Автор: Tadeusz Peter Matuchniak,Jeffrey S. Marks,Nicholas J. Dauderman,Spyros J. Lazaris,Clifford Duvernois. Владелец: Living Media LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Latency adjustment method and data stream processing device

Номер патента: US11805037B2. Автор: Chia Chun Hung,Cheng-Zhuo Zhu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Wafer-level packaging method for semiconductor and semiconductor package

Номер патента: US20240258269A1. Автор: Lixin Zhao. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20240057352A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US20240065002A1. Автор: Dongkyu Kim,Joonsung Kim,Yeonho JANG,Inhyung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory chip and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20030042623A1. Автор: Toru Shiomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

REPLAYING OLD PACKETS FOR CONCEALING VIDEO DECODING ERRORS and VIDEO DECODING LATENCY ADJUSTMENT BASED ON WIRELESS LINK CONDITIONS

Номер патента: WO2016122778A1. Автор: Yaniv FRISHMAN,Moshe NAAMAN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-08-04.

Radio frequency power dies having flip-chip architectures and power amplifier modules containing the same

Номер патента: EP3961699A3. Автор: Ibrahim Khalil,Jeffrey Kevin Jones,Charles John Lessard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US10484025B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: EP2989778A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette ZHANG. Владелец: Rfaxis Inc. Дата публикации: 2016-03-02.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US20160352367A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Multiple band multiple mode transceiver front end flip-chip architecture and circuitry with integrated power amplifiers

Номер патента: US09748985B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Guard ring device receiving different voltages for forming decoupling capacitor and semiconductor device having the same

Номер патента: US20080273286A1. Автор: Khil Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor package including processor chip and memory chip

Номер патента: US20220216193A1. Автор: Kil-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Signal processing circuit capable of avoiding cooperating memory chip from performance degradation

Номер патента: US20200253038A1. Автор: Chao-Min LAI,Ping-Chia Wang,Shou-Te Yen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Method for dynamical adjusting channel direction and network-on-chip architecture thereof

Номер патента: US8532122B2. Автор: Ying-Cherng Lan,Shih-Hsin Lo,Sao-Jie Chen. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for Dynamical Adjusting Channel Direction and Network-on-Chip Architecture thereof

Номер патента: US20110064087A1. Автор: Ying-Cherng Lan,Shih-Hsin Lo,Sao-Jie Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory card

Номер патента: US8575738B2. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Takeshi Ikuta,Taku Nishiyama,Naohisa Okumura,Kazuhide Doi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09905521B2. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor modules and semiconductor packages

Номер патента: US09883593B2. Автор: KyongSoon Cho,Yungcheol KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor package, module substrate and semiconductor package module having the same

Номер патента: US09570383B2. Автор: Yong-Hoon Kim,Seong-Ho Shin,Jin-Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor memory element and semiconductor memory device

Номер патента: US8390054B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Masao Shingu,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Methods and semiconductor materials suitable for photovoltaic cells

Номер патента: US20140261665A1. Автор: Suneel Girish Joglekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Heat dissipating device for a memory chip

Номер патента: US7286364B2. Автор: Wan Chien Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240276720A1. Автор: Kohji Kanamori,Jeehoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200006270A1. Автор: Chang-Man SON,Go-Hyun LEE,Jae-Taek KIM,Jun-Youp KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Cooling assemblies and semiconductor assemblies, and methods for producing cooling assemblies and semiconductor assemblies

Номер патента: EP4435852A1. Автор: Remco Van Erp,Malik Fahrni,Andrea Francescon. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-09-25.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor package structure and semiconductor process

Номер патента: US09978715B2. Автор: Chun-Hung Lin,Yi-Ting Chen,Wen-Hsin Lin,Shih-Ming Huang,Yung-Hsing Chang,Shih-Wei CHAN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods and semiconductor materials suitable for photovoltaic cells

Номер патента: US09722112B2. Автор: Suneel Girish Joglekar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Sensor module and semiconductor chip

Номер патента: US09533874B2. Автор: Marc Fueldner,Alfons Dehe. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Chained Packet Sequences in a Network on a Chip Architecture

Номер патента: US20170279714A1. Автор: Douglas B. Meyer,Jerome V. Coffin,Andrew White. Владелец: Knuedge Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Upper electrode power supply power adjustment method, and semiconductor process device

Номер патента: EP4318547A1. Автор: Yu Zhang,JING Yang,XING Chen,Xin Yue,JING Wei,Gang Wei,Guibin Wang. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Radio frequency power dies having flip-chip architectures and power amplifier modules containing the same

Номер патента: US20220068767A1. Автор: Ibrahim Khalil,Jeffrey Kevin Jones,Charles John Lessard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Power adjustment method of upper electrode power supply and semiconductor process apparatus

Номер патента: US20240194441A1. Автор: Yu Zhang,JING Yang,Xin Yue,JING Wei,Gang Wei,Guibin Wang. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power control method and apparatus for lower radio frequency power source, and semiconductor processing device

Номер патента: EP4407651A1. Автор: Yu Zhang,JING Yang,XING Chen,JING Wei,Gang Wei,Guodao SHAN,Chenyu ZHONG,Yanyan YOU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Epitaxial wafer and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20230141135A1. Автор: Junga LEE,Yeonsook Kim,Wooseung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Flat package for integrated circuit memory chips

Номер патента: CA1232082A. Автор: Louis E. Gates, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-01-26.

Method for manufacturing magnetic memory chip device

Номер патента: US8124425B2. Автор: Masahiro Shimizu,Tomohiro Murakami,Tsuyoshi Koga,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-02-28.

Three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US20210210475A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Byung Hyun JUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of Manufacuturing Semiconductor Memory Apparatus and Semiconductor Memory Apparatus Manufactured Thereby

Номер патента: US20090294976A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Condenser and semiconductor processing machine

Номер патента: US20220349654A1. Автор: Tianlong LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Condenser and semiconductor processing machine

Номер патента: US11519669B2. Автор: Tianlong LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Flash memory chip with self aligned isolation fill between pillars

Номер патента: US20230136139A1. Автор: John Hopkins,Prasanna Srinivasan,Anil CHANDOLU,Nancy LOMELI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for producing ferroelectric capacitors and integrated semiconductor memory chips

Номер патента: US20040185578A1. Автор: Matthias Kroenke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-23.

Package structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: SG189617A1. Автор: Shih Cheng-Hung,LIN Shu-Chen,Hsieh Yung-Wei,Yeh Jun-Yu. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-31.

Method for producing ferroelectric capacitors and integrated semiconductor memory chips

Номер патента: US6875652B2. Автор: Matthias Kroenke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-05.

Interposer and semiconductor package with noise suppression features

Номер патента: US9219039B2. Автор: Yu-Ling Lin,Yen-Jen Chen,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Huan-Neng CHEN,Hui Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240284665A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Resin composition, cured product, sheet-like laminate material, resin sheet, printed wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240287360A1. Автор: Kenji Kawai. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device, and semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20240315041A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Kunifumi Suzuki,Yuuichi Kamimuta,Takamasa HAMAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Coil structure for generating plasma and semiconductor equipment

Номер патента: US20240339296A1. Автор: Song WANG,Gang Wei,Jinrong ZHAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US09674940B2. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor package and semiconductor system in package using the same

Номер патента: US20080073771A1. Автор: Sang-Hyun Kim,Shi-yun Cho,Ho-Seong Seo,Young-Min Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Laser lift-off method for separating substrate and semiconductor-epitaxial structure

Номер патента: US11784094B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Tsung-Hua Hsieh. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Adhesive film, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9105754B2. Автор: Kenji Onishi,Sadahito Misumi,Yuichiro Shishido. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor package structure on a PCB and semiconductor module including the same

Номер патента: US11848255B2. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090051020A1. Автор: Masaru Koyanagi,Takashi Taira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230157008A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230031509A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor dice including electrically conductive interconnects between die rings

Номер патента: US20190067216A1. Автор: Daniel OSTERBERG,Gordon A. Haller,Hongbin Zhu,Merri L. Carlson,Jeremy Adams,Qinglin Zeng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor apparatus and semiconductor chip

Номер патента: US20230188074A1. Автор: Ryu ARAKI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Copper alloy for electrical and electronic parts and semiconductors with high strength and high electrical conductivity and method of preparing the same

Номер патента: MY192447A. Автор: Jun Young Choi,Min Jae Jeong,Won Shin Kwak. Владелец: Poongsan Corp. Дата публикации: 2022-08-21.

Plasma etching apparatus, plasma etching method, and semiconductor device fabrication method including the plasma etching method

Номер патента: US20220020597A1. Автор: Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Nam Kyun Kim,Kyuho Kim,Sungjun ANN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240290702A1. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Reaction chamber and semiconductor equipment

Номер патента: US20240368803A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Bit line structure, manufacturing method thereof and semiconductor memory

Номер патента: US12150293B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and apparatus for epitaxial growth of type iii-v semiconductors, apparatus for generating low-temperature high-density plasma, epitaxial metal nitride layer, epitaxial metal nitride heterostructure and semiconductor

Номер патента: RU2462786C2. Автор: КЕНЕЛЬ Ганс ФОН. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2012-09-27.

Method of manufacturing a semiconductor integrated circuit using a selective disposable spacer technique and semiconductor integrated circuit manufactured thereby

Номер патента: US20060118855A1. Автор: Sang-eun Lee,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor memory preparation method and semiconductor memory

Номер патента: US20230103594A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130252423A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-26.

Luminescent device and manufacturing method for luminescent device and semiconductor device

Номер патента: US20150295129A1. Автор: Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor-device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20150041983A1. Автор: Xun Gu,Hirokazu Matsumoto,Akinobu Teramoto,Takenao Nemoto,Takehisa SAITO,Yugo Tomita,Akihide Shirotori. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Method for manufacturing semiconductor structure, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: US20230063767A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Kanyu Cao,Huihui Li,Dinggui Zeng,Jiefang DENG. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor devices and semiconductor structures

Номер патента: US20200243494A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Tin-Hao Kuo,Chi-Hui Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory preparation method and semiconductor memory

Номер патента: US11856748B2. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for manufacturing semiconductor light-emitting device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160343927A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kazuyoshi Taniguchi,Mamoru Yuasa,Kaori Tachibana. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080214004A1. Автор: Markus Zundel,Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor devices and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US8541841B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-24.

Method for preparing semiconductor structure, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230422468A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Crystal Structure Orientation in Semiconductor Semi-Finished Products and Semiconductor Substrates for Fissure Reduction and Method of Setting Same

Номер патента: US20230349071A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel,Arnd-Dietrich Weber,Ralph-Uwe Barz,Dominik Bannspach. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A3. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-16.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230240076A1. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: EP4220717A2. Автор: Jung-June Park,Sang Soo Park,Sung-Min JOE,Su Chang Jeon,Sang-Lok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230413539A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Crystal structure orientation in semiconductor semi-finished products and semiconductor substrates for fissure reduction and method of setting same

Номер патента: EP4185744A1. Автор: Erwin Schmitt,Michael Vogel,Arnd-Dietrich Weber,Ralph-Uwe Barz,Dominik Bannspach. Владелец: SiCrystal GmbH. Дата публикации: 2023-05-31.

Copper alloy for electrical and electronic parts and semiconductors with high strength and high electrical conductivity and method of preparing the same

Номер патента: US20210332459A1. Автор: Jun Young Choi,Min Jae Jeong,Won Shin Kwak. Владелец: Poongsan Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Showerhead, substrate processing apparatus including the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240331981A1. Автор: Hyungsik KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Clean polycarbonate material for use in hard disk drive and semiconductor applications

Номер патента: US09499693B2. Автор: Yun ZHENG,Yangang YAN,Fanshun Meng,Xiangping (David) Zou. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and device for forming microchannels on substrates from optical glass, optical crystals and semiconductor materials by femtosecond impulses of laser radiation

Номер патента: RU2661165C1. Автор: Виктор Павлович Бессмельцев,Николай Юрьевич Никаноров,Василий Андреевич Рассохин,Сергей Геннадьевич Баев,Николай Владимирович Голошевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-07-12.

Process for producing electrical-connections on a semiconductor package, and semiconductor package

Номер патента: US6528407B1. Автор: Luc Petit,Alexandre Castellane. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2003-03-04.

Semiconductor package and semiconductor device

Номер патента: US20230060520A1. Автор: Shu-Jung Tseng,Hui-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Wafer Holder for Semiconductor Manufacturing Equipment and Semiconductor Manufacturing Equipment in Which It Is Installed

Номер патента: US20040216678A1. Автор: Masuhiro Natsuhara,Manabu Hashikura,Hirohiko Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-04.

Methods of forming isolated active areas, trenches, and conductive lines in semiconductor structures and semiconductor structures including the same

Номер патента: US20090273051A1. Автор: John K. Zahurak,Kunal R. Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Method for producing semiconductor wafers composed of silicon having a diameter of at least 450 mm, and semiconductor wafer composed of silicon having a diameter of 450 mm

Номер патента: SG173278A1. Автор: Walter Heuwieser,Andreas Sattler,Georg Raming,Alfred Miller. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured by means of the method

Номер патента: CA1216969A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-01-20.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20230215953A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11916149B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of manufacturing semiconductor memory and semiconductor memory

Номер патента: US11792975B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Manganese-doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11908943B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope, corpuscular multi-beam microscope for voltage contrast imaging and semiconductor structures for voltage contrast imaging with a corpuscular multi-beam microscope

Номер патента: WO2021104779A1. Автор: Dirk Zeidler,Stefan Schubert,Gregor Frank DELLEMANN. Владелец: Carl Zeiss Multisem Gmbh. Дата публикации: 2021-06-03.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888067B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

B-site doped perovskite layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11848386B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11837664B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11888066B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US20240088299A1. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949018B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11949017B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Resin paste for die bonding, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: SG172144A1. Автор: Seigo Yokochi,Shuichi Mori,Yoshifumi Sugiura,Youji Katayama,Megumu Oshikoji. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271356A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210296298A1. Автор: Hiroshi Maejima,Hideo Wada,Takashi Maeda,Kenichiro Yoshii,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11411016B2. Автор: Hiroshi Maejima,Hideo Wada,Takashi Maeda,Kenichiro Yoshii,Tomoya Sanuki,Keisuke Nakatsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-09.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: MY158651A. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-31.

Composite antenna substrate and semiconductor package module

Номер патента: US20190115310A1. Автор: Jung Hyun Cho,Won Wook So,Doo Il KIM,Yong Ho Baek,Young Sik Hur. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20200388502A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US20160211235A1. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020098625A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory device having memory layer extending between insulation layer and semiconductor layer

Номер патента: US11985834B2. Автор: Yukihiro Nomura,Yoshiki Kamata,Yoshiaki Asao,Misako Morota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of storing GaN substrate, stored substrate and semiconductor device and method of its manufacture

Номер патента: EP1868252A3. Автор: Hideyuki Ijiri,Seiji Nakahata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US20220181161A1. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240203773A1. Автор: Jong Seok SEO. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory cell and semiconductor memory device

Номер патента: US20030178660A1. Автор: Günter Schmid,Christine Dehm,Thomas Haneder,Marcus Halik,Hagen Klauk,Thomas Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Adjustment method of compensation of capacitance fault-to-ground currents (versions)

Номер патента: RU2402132C1. Автор: Владимир Федорович Ильин,Михаил Иванович Петров,Игорь Валерьевич Соловьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПП Бреслер" (ООО "НПП Бреслер"). Дата публикации: 2010-10-20.

Semiconductor memory and semiconductor device having SOI structure

Номер патента: US5773865A. Автор: Hideto Hidaka,Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170301684A1. Автор: Hong-Soo Kim,Jong-Kook Park,Tae-keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-19.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910590B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910591B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160254319A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140326939A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US11778839B2. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-10-03.

Perovskite film, precursor composition thereof, method for preparing the same, and semiconductor element including the same

Номер патента: US20220123242A1. Автор: Kuo-Wei Huang,Yung-Liang Tung,Shih-Hsiung Wu,Jung-Pin CHIOU,Pei-Ting Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor memory and semiconductor memory manufacturing method

Номер патента: US20190081056A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Electronic device and semiconductor package with thermally conductive via

Номер патента: US20160050744A1. Автор: Seok-Jae Han,Eung-chang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230354610A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Interposer and semiconductor package with noise suppression features

Номер патента: US20140001609A1. Автор: Yu-Ling Lin,Yen-Jen Chen,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Huan-Neng CHEN,Hui Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US9627401B2. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing semiconductor elements and semiconductor integrated circuits

Номер патента: US3591423A. Автор: Kazuo Kamimura,Nobuo Kawamura. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-07-06.

Coil structure for generating plasma and semiconductor process device

Номер патента: EP4369870A1. Автор: XING Chen,Ying Zhang,Song WANG,Gang Wei,Jinrong ZHAO,Jinji XU. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for making FINFETs and semiconductor structures formed therefrom

Номер патента: US8729638B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2014-05-20.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240147694A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240155827A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Power supply apparatus and semiconductor manufacturing equipment, transport system including the same

Номер патента: US20240014059A1. Автор: Sang Oh Kim,Wan Hee JEONG,Chan Young Choi,Hee Jae Byun. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Process fluid treatment apparatus, and wafer cleaning apparatus and semiconductor manufacturing equipment including same

Номер патента: US20240145265A1. Автор: Dong Uk Lee,Young Seop CHOI,Bok Kyu Lee,Myung A Jeon,Boo Seok YANG. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Wafer structure and semiconductor device

Номер патента: US20230260845A1. Автор: Junho Yoon,Junyun Kweon,Heejae Nam,Yeongbeom Ko,Wooju Kim,Jungseok Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Reaction chamber and semiconductor processing apparatus

Номер патента: EP4375395A1. Автор: Xue Dong,Xiaojun Li,Xiaoqin Sun,Jingjing Liu,Boyu Dong,Keke Xu,Leilei Wang,Shikai Li,Donghua ZHAO,Fushun YUAN,Guangzheng LIU,Zhaohui Gong,Wanyong JIA,Lifei XU,Tieran WANG. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Method of manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301094A1. Автор: Kyosuke Nanami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240114684A1. Автор: Kazuaki Tsunoda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20030219985A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: CV Research Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US20050095850A1. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Method of manufacturing amorphous metal oxide film and methods of manufacturing capacitance element having amorphous metal oxide film and semiconductor device

Номер патента: US6916747B2. Автор: Satoshi Horiuchi,Kiwamu Adachi,Tetsuya Yukimoto. Владелец: Cv Res Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Control unit and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240203757A1. Автор: Jae Ho Yoo,Dongwoon PARK,Doo Young Oh,Hyeong Og MUN. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Back side illumination (bsi) sensors, manufacturing methods thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US20140235008A1. Автор: Yu-Ku Lin,Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chin-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Information determination method and device, information adjustment method, threshold usage method, terminal, and storage medium

Номер патента: US12095706B2. Автор: Peng Hao,Jing Shi,Yu Ngok Li,Xianghui HAN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Номер патента: RU2503694C2. Автор: Такаши САГАВА,Макото ЙОШИТАКЕ. Владелец: Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Curable organopolysiloxane composition and semiconductor device

Номер патента: RU2503696C2. Автор: Такаши САГАВА,Макото ЙОШИТАКЕ,Масайоши ТЕРАДА. Владелец: Дау Корнинг Торей Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-01-10.

Device for three-dimensional printing of buildings and architectural and construction modules

Номер патента: RU2711637C1. Автор: Евгений Иванович Евтушенко,Михаил Сергеевич Лебедев,Евгений Александрович Яковлев,Сергей Викторович Карацупа,Юрий Константинович Рубанов,Юлия Егоровна Токач,Михаил Сергеевич Чепчуров,Евгений Сергеевич Глаголев,Ирина Юрьевна Морева,Петр Иванович Оспищев,Сергей Игоревич Анцифиров,Александр Геральдович Бажанов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Белгородский государственный технологический университет им. В.Г. Шухова". Дата публикации: 2020-01-17.

Printing ink transfer adjustment method

Номер патента: RU2370371C2. Автор: Вольфганг Отто РЕДЕР,Георг ШНАЙДЕР. Владелец: Кениг Унд Бауер Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2009-10-20.

Adhesion-promoting agent, curable organopolysiloxane composition, and semiconductor device

Номер патента: MY145123A. Автор: MORITA Yoshitsugu,KATO Tomoko,Osamu Tanaka,Hiroshi Ueki. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-30.

Variable resistance element and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240099157A1. Автор: Jin Won Jung,Ku Youl JUNG,Jung Hyeok KWAK,Tae Yup KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing capacitor, capacitor array structure and semiconductor memory

Номер патента: US11889676B2. Автор: Jun Xia,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Contact structure and semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20190267284A1. Автор: Jian-Ming Huang,Ying Lee,Hsien-Ming Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Composite substrates and semiconductor device structures

Номер патента: US20240055555A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240006288A1. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-04.

Redistribution substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210118788A1. Автор: Seokhyun Lee,Gwangjae JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic circuits and semiconductor device having the same

Номер патента: US11863136B2. Автор: Tao Zhang,Wenjie Lin,Yulin Chen,Jihua Li. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Laminated top plate of a workpiece carrier in micromechanical and semiconductor processing

Номер патента: WO2018017183A1. Автор: Kadthala R. Narendrnath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-01-25.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US11798872B2. Автор: Jin Ho An,Jeonggi Jin,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Door locking mechanism and semiconductor container using the same

Номер патента: US20230386876A1. Автор: Chih-Ming Lin,Ming-Chien Chiu,Yung-Chin PAN,Po-Ting Lee,Cheng-En Chung,Wei-Chien Liu,Tzu-Ning Huang. Владелец: Gudeng Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220059442A1. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Capacitor array structure, manufacturing method therefor, and semiconductor storage device

Номер патента: EP4199086A1. Автор: Xiusheng Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Valve device and semiconductor production device

Номер патента: US20200011448A1. Автор: Tsutomu Shinohara,Yasumasa Yanagida,Ryutaro TANNO. Владелец: Fujikin Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Resin composition and semiconductor device produced using resin composition

Номер патента: SG188309A1. Автор: Takashi Kawana,Ryuichi Murayama,Naoya Kanamori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2013-04-30.

Bit line structure and manufacturing method therefor, and semiconductor memory

Номер патента: EP4002462A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: EP3732706A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Methods of forming staircase structures and related staircase structures and semiconductor device structures

Номер патента: WO2019133289A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Interconnection structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US12009288B2. Автор: Jin Ho An,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Junyun Kweon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods of making heating blocks, heating blocks, and semiconductor processing systems having heating blocks

Номер патента: US20230389134A1. Автор: Hong Gao,Changmin Lee,Joaquin Aguilar SANTILLAN,Nobuaki Tanabe,Shanker KUTTATH. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-30.

Substrate treating apparatus and semiconductor manufacturing equipment including the same

Номер патента: US20240222156A1. Автор: Jong Seok SEO,Sun Sup LIM. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Bicycle seat height adjustment method

Номер патента: US20130300163A1. Автор: Toyoto SHIRAI. Владелец: Shimano Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Data transmission method and device, power state adjustment method and device, computer readable storage medium, and electronic device

Номер патента: CA3240549A1. Автор: Yan Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Bandwidth adjustment method, service transmission method, network device and readable storage medium

Номер патента: EP4203406A1. Автор: Feng Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Information configuration method, power adjustment method, base station, and mobile terminal

Номер патента: US11212749B2. Автор: NA Li,Kai Wu,Xiaodong Shen,Xiaohang Chen,Dajie Jiang,Xiaodong Sun. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

Information configuration method, power adjustment method, base station, and mobile terminal

Номер патента: EP3644659A1. Автор: NA Li,Kai Wu,Xiaodong Shen,Xiaohang Chen,Dajie Jiang,Xiaodong Sun. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Method for evaluating kneading state, kneader, and kneading adjustment method

Номер патента: US20240286096A1. Автор: Tatsuo Yada. Владелец: Suzuka Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Data transmission method and device, power state adjustment method and device, computer readable storage medium, and electronic device

Номер патента: EP4432726A1. Автор: Yan Li. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Base station, device to device user equipment, transmission method, report method and resource adjustment method for wireless communication system

Номер патента: US09756676B2. Автор: Shu-Tsz Liu,Chun-Che CHIEN,Hsien-Tsung Hsu. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2017-09-05.

Adjustment method of compensation of capacitance fault-to-ground currents in electric networks

Номер патента: RU2475915C2. Автор: Владимир Федорович Ильин,Михаил Иванович Петров,Игорь Валерьевич Соловьев. Владелец: Ооо "Нпп Бреслер". Дата публикации: 2013-02-20.

Architecture and system for providing information on location

Номер патента: RU2358282C2. Автор: Уоррен Винсент БАРКЛИ,Тимоти М. МУР,Мохаммад Шаббир АЛАМ,Джеффри Е. ПИЗ,Стивен А. Н. ШЭЙФЕР,Флорин ТЕОДОРЕСКУ,Йингхуа ЙАО,Мадхурима ПАВАР,Джон С. КРАММ. Владелец: МАЙКРОСОФТ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2009-06-10.

Communication parameter adjustment method and apparatus

Номер патента: RU2734755C1. Автор: Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-23.

Adjustment method of compensation of capacitance fault-to-ground currents in electric networks

Номер патента: RU2644582C1. Автор: Станислав Юрьевич Долингер,Дмитрий Сергеевич Осипов,Александр Геннадьевич Лютаревич. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-02-13.

Ultrasonic cavitation parameter adjustment method and ultrasonic cavitation apparatus

Номер патента: EP4393582A1. Автор: Wei Guo,Fanggang Wu. Владелец: Vinno Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Orthogonal system architecture and network device

Номер патента: EP4395080A1. Автор: Jinhua Ye,Jilong YE,Lianqiang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Propagation delay time adjustment method, propagation delay time adjustment system, propagation delay time adjustment device, storage medium stored with propagation delay time adjustment program, and node device

Номер патента: US20100150178A1. Автор: Hideaki Tamai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Beam adjustment method and three-dimensional powder bed fusion additive manufacturing apparatus

Номер патента: US12020894B2. Автор: Takashi Sato,Shio EN. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Electron beam adjustment method and three-dimensional powder bed fusion additive manufacturing apparatus

Номер патента: EP3912752A1. Автор: Takashi Sato,Shio EN. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Light source apparatus, medical observation system, adjustment apparatus, illumination method, adjustment method, and program

Номер патента: US12059133B2. Автор: Koji Kojima. Владелец: SONY OLYMPUS MEDICAL SOLUTIONS INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Automatic video gain adjustment method

Номер патента: US20120162529A1. Автор: Chih-Chun Ho,Chih-Yuan Ho. Владелец: Aba Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Bandwidth adjusting method and communication node

Номер патента: US20120224857A1. Автор: WEI SU,Xi Huang,Chiwu Ding,Huaping Qing. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Adjustment method, terminal and computer storage medium

Номер патента: EP3993508A1. Автор: Hui Fan. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-05-04.

Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating a multi-purpose passivation and contact layer

Номер патента: US12074232B2. Автор: Staffan Westerberg,Seung Bum Rim. Владелец: Maxeon Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Battery shell flatness adjustment method and device, and battery manufacturing system

Номер патента: EP4415088A1. Автор: Peng Cheng,Bin Zhang,Yunlu TANG. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Mobile imaging application, device architecture, and service platform architecture

Номер патента: WO2006042330A9. Автор: Steven E Saunders,Krasimir D Kolarov,John D Ralston. Владелец: John D Ralston. Дата публикации: 2006-08-24.

Mobile imaging application, device architecture, and service platform architecture

Номер патента: WO2006042330A2. Автор: Krasimir D. Kolarov,John D. Ralston,Steven E. Saunders. Владелец: DROPLET TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-04-20.

Characteristic adjustment method for inductor and variable inductor

Номер патента: US20070018768A1. Автор: Yukihiro Kita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Strip-shaped sponge biological-packing mechanisms, installation methods, and dynamic adjustment methods thereof

Номер патента: US20220348485A1. Автор: Jingwei JIANG,Fangfang BAO,Zhenghai JIANG,Fengying NI. Владелец: Zhejiang Haihe Environmental Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Optical cross-connect architecture and communication device

Номер патента: EP4432690A1. Автор: Bo Yan,Fanhua Kong,Huizhong FAN,Shuangye TENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Curvature adjustment method for stator blade segment, method for manufacturing stationary body of axial-flow rotary machine, and curvature adjustment jig for stator blade segment

Номер патента: US12084989B2. Автор: Yoshio Tominaga,Shin Kato,Ryota CHAKI,Hirokazu Azuma,Shingo Yamasue. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Contention window adjustment method and apparatus and communication system

Номер патента: US12114352B2. Автор: Lei Zhang,Qinyan Jiang,Guoyu Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Sample adaptive offset (SAO) adjustment method and apparatus and SAO adjustment determination method and apparatus

Номер патента: US09807392B2. Автор: Elena Alshina,Alexander Alshin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Domino circuit and related architectures and methods for carrier aggregation

Номер патента: US09553619B2. Автор: William J. Domino. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating a multi-purpose passivation and contact layer

Номер патента: US09525083B2. Автор: Staffan Westerberg,Seung Bum Rim. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Impedance adjustment method, delay capacitance adjustment method and associated apparatus for communication device

Номер патента: US09484983B2. Автор: Ching-Yao Su,Liang-Wei Huang,Hsuan-Ting Ho,Shih-Wei Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods and compositions for improving plant architecture and yield traits

Номер патента: EP4396210A1. Автор: Lolita George Mathew. Владелец: Pairwise Plants Services Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Double-head trowelling machine self-adaptive balancing mechanism and adjusting method thereof

Номер патента: GB2596738A. Автор: Wang Zhen,DONG Lili,MIAO Zeyuan,NIU Xiaotie. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2022-01-05.

A control method and an adjustment method and a control arrangement and an adjustment arrangement for a fibre web machine

Номер патента: WO2005024129A1. Автор: Eero Suomi,Matti Tervonen. Владелец: Metso Paper Inc.. Дата публикации: 2005-03-17.

Time based scheduler architecture and method for ATM networks

Номер патента: EP1489791A3. Автор: Ruixue c/o NEC USA Inc. Fan,Gopalakrishnan c/o NEC USA Inc. Ramamurthy,Brian L. c/o NEC USA Inc. Mark,Alexander T. c/o NEC USA Inc. Ishii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for treatment or prevention of a disease associated with a decrease in bone mass and method of improving bone architecture and bio-mechanical strength of bone

Номер патента: US20190175545A1. Автор: Nan-Wei Su,Chen HSU,Shang-Ta WANG. Владелец: Hughes Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Timing Adjustment Method and Related Device

Номер патента: AU2021263637A1. Автор: Jinhua Liu,Shuyan PENG. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Timing Adjustment Method and Related Device

Номер патента: AU2021263637B2. Автор: Jinhua Liu,Shuyan PENG. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Timing adjusting method and related device

Номер патента: EP4145917A1. Автор: Jinhua Liu,Shuyan PENG. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Light intensity adjustment method for optical film thickness measuring device and polishing apparatus

Номер патента: US20240207997A1. Автор: Masaki Kinoshita. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Region adjustment method and apparatus, storage medium, and electronic apparatus

Номер патента: US12017144B2. Автор: Xin Sun. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Visualized light adjustment method and system

Номер патента: US20220210891A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Transmission apparatus, transmission apparatus adjustment method, steering system, and vehicle

Номер патента: US20240208564A1. Автор: Shenghui Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Adjusting method for data transmission

Номер патента: US20210176021A1. Автор: Zhi-Nan Guo. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Code rate adjustment method and related devices

Номер патента: EP4195544A1. Автор: Yan Liu,Jinzhou Ye. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Beam direction adjustment method, apparatus, and antenna system

Номер патента: US20220278451A1. Автор: Ning Yang,Ke Sun,Meng CAI,Ling Zeng,Mingde DU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Methods and compositions for improving plant architecture and yield traits

Номер патента: CA3230668A1. Автор: Lolita George Mathew. Владелец: Pairwise Plants Services Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Antenna adjustment method, apparatus and terminal device

Номер патента: US20210152194A1. Автор: Fangshao Hong. Владелец: Queclink Wireless Solutions Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Vehicle charging current adjustment method and apparatus

Номер патента: EP4296113A1. Автор: Qingfeng Guo. Владелец: Beijing CHJ Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Cell flow characteristic value adjustment method, device and system, and storage medium

Номер патента: CA3181205A1. Автор: Feng Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Cell flow characteristic value adjustment method, device and system, and storage medium

Номер патента: US20230179530A1. Автор: Feng Liu. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Capsule endoscope system, automatic frame rate adjustment method thereof and computer readable storage medium

Номер патента: US20210195102A1. Автор: Yi Li,HAO LIU,Rong Wang,Yanli Liu,Xinhong Wang,Tianyi Yangdai,Qinghua ZHOU. Владелец: ANX IP Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Bandwidth adjustment method and apparatus, storage medium, and electronic device

Номер патента: US20240259128A1. Автор: Dong Wang,Jinyin Zhu,Yuanbin Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Data adjustment method in radio frequency operation, and radio frequency unit

Номер патента: EP4272673A1. Автор: HONG XU,Changjie CUI. Владелец: Hangzhou Broncus Medical Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Load adjustment method, server and storage medium

Номер патента: EP4156769A1. Автор: Zhaohua Zeng,Yong Zhan. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Cis link adjustment method and related device

Номер патента: US20230371095A1. Автор: Jing Yao,Ting Yang,Xingsheng GONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Cis link adjustment method and related device

Номер патента: EP4277426A1. Автор: Jing Yao,Ting Yang,Xingsheng GONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

A control method and an adjustment method and a control arrangement and an adjustment arrangement for a fibre web machine

Номер патента: EP1664426A1. Автор: Eero Suomi,Matti Tervonen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2006-06-07.

Control method and an adjustment method and a control arrangement and an adjustment arrangement for a fibre web machine

Номер патента: US20060032597A1. Автор: Eero Suomi,Matti Tervonen. Владелец: Metso Paper Oy. Дата публикации: 2006-02-16.

A method for the dynamic adjustment method of operating parameters of a vehicle

Номер патента: US20170318435A1. Автор: Mario SANTUCCI,Onorino Di Tanna,Stivi PERON. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2017-11-02.

Optical power adjustment method for ethernet passive optical network system, and optical line terminal

Номер патента: US9008505B2. Автор: Shundong Xia. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Adaptive parameter adjustment method for hybrid precoding millimeter-wave transmission system

Номер патента: US10333748B2. Автор: Yang Yang,xiu-mei Yang,Hai-Feng Wang,Meng-Ying Zhang,Wu-Xiong Zhang. Владелец: SHANGHAI RESEARCH CENTER FOR WIRELESS COMMUNICATIONS. Дата публикации: 2019-06-25.

Orthogonal system architecture and network device

Номер патента: US20240260218A1. Автор: Jinhua Ye,Jilong YE,Lianqiang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Region adjustment method and apparatus, storage medium, and electronic apparatus

Номер патента: US20230078535A1. Автор: Xin Sun. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

IoT NETWORK ARCHITECTURE AND WAVELENGTH DIVISION IoT GATEWAY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20200389712A1. Автор: Hung-Hsiang Chiang. Владелец: Agileiots Investment Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Bandwidth adjustment method, mobile terminal, network side device and medium

Номер патента: EP3813421A1. Автор: Yanxia Zhang,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Bandwidth adjustment method, mobile terminal, network side device, and medium

Номер патента: US20210112457A1. Автор: Yanxia Zhang,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Dynamic gain adjustment method based on brightness and apparatus thereof

Номер патента: US20080024673A1. Автор: Tae-Hwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Laser desorption/ionization mass spectrometer and laser power adjustment method

Номер патента: EP4141434A1. Автор: Kohei Suzuki,Yuko Kobayashi,Tomonori OSHIKAWA,Yoshiki TAINAKA,Tatsuki OKUBO,Ritsuko YODA,Akihito KORENAGA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2023-03-01.

Beam direction adjustment method and apparatus, and antenna system

Номер патента: EP4044370A1. Автор: Ning Yang,Ke Sun,Meng CAI,Ling Zeng,Mingde DU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-17.

Beam direction adjustment method, apparatus, and antenna system

Номер патента: US12046833B2. Автор: Ning Yang,Ke Sun,Meng CAI,Ling Zeng,Mingde DU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Visualized light adjustment method and system

Номер патента: US11751314B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Asymmetric wdm packet-switched router architecture and method for generating same

Номер патента: EP1145497A2. Автор: Gerardo A. Castanon. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-10-17.

User identity management for permitting interworking of a bootstrapping architecture and a shared identity service

Номер патента: EP2491695A1. Автор: Silke Holtmanns,Hannes Tschofenig. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-08-29.

Power adjustment method and apparatus

Номер патента: EP4027710A1. Автор: Peng Guan,Xi Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Parameter adjustment method and apparatus

Номер патента: EP4425880A1. Автор: Hong Zhou,Lei Han,Xianjun He,Ke Meng,Xitong Jia. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Adjustment method and electron beam device

Номер патента: US20210012997A1. Автор: Tatsuya Kohama,Kenji Watanabe,Takehide Hayashi,Tsutomu Karimata,Ryo Tajima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Adaptive parameter adjustment method for hybrid precoding millimeter-wave transmission system

Номер патента: US20180191535A1. Автор: Yang Yang,xiu-mei Yang,Hai-Feng Wang,Meng-Ying Zhang,Wu-Xiong Zhang. Владелец: SHANGHAI RESEARCH CENTER FOR WIRELESS COMMUNICATIONS. Дата публикации: 2018-07-05.

Monitoring behavior adjustment method and apparatus, and terminal

Номер патента: EP4221300A1. Автор: Li Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-02.

Color adjustment method, color adjustment apparatus and computer readable medium storing color adjustment program

Номер патента: US20130100468A1. Автор: Toru Hoshino. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2013-04-25.

Bandwidth adjustment method, apparatus and system, electronic device, and readable storage medium

Номер патента: EP4184815A1. Автор: Dong Wang,Yuanbin Zhang. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2023-05-24.

Adjustment method of moisture content and dense state for hydrogel improved subgrade based on weather-resistant during in-service period

Номер патента: US20240158994A1. Автор: Jin Li,Peng Jiang,Kai Yuan,Xiaoning Zhang,Qing JIN,Xinzhuang CUI,Yefeng DU,Shen ZUO,Dalu XIONG,Chongsheng XIN. Владелец: Jinan Jinyue Highway Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Architecture and method for intercepting communications in a communications network

Номер патента: WO2006029308A1. Автор: Hung Viet Bui. Владелец: Nextel Communications, Inc.. Дата публикации: 2006-03-16.

Dynamic exposure adjusting method and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20150244917A1. Автор: Shih-Ting Huang,Jian-Wei Lee,Wu-Chu Tsai. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Biofilm activity adjusting method

Номер патента: US20240279635A1. Автор: Akihiro Okamoto,Waheed MIRAN. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-08-22.

Uplink synchronization adjustment method, related device, and system

Номер патента: US20240276415A1. Автор: Bingzhao Li,Bin Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Battery energy distribution management system by using cloud architecture and based on internet of things

Номер патента: PH12016000480A1. Автор: Ming-Te Cheng,Bin-Yen Ma,Jui-Chun Shyur,Szu-Cheng Wu. Владелец: Faraday Motor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-02.

Temperature adjusting device, temperature adjusting method, and resin container manufacturing method

Номер патента: US20240308127A1. Автор: Kazuhiro Horiuchi,Atsushi Nagasaki,Manabu OGIHARA. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Self-adaptive adjustment method and apparatus for downlink control channel resource, and storage medium

Номер патента: EP4418778A1. Автор: LU LIU,Meiying WANG,Jiangyun Zhou,Yinkang QIN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Distributed communication equipment architectures and techniques

Номер патента: EP1943871A2. Автор: Bart Joseph Gerard Pauwels,Guy Landry,Koen Hooghe,Bakri Aboukarr,Arkin Aydin,Ronny Jozef Leon Peeters,Mary Ann Condie,Andrew Gordon Tomilson,Wilfred Sullivan. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2008-07-16.

Parameter adjustment method and apparatus

Номер патента: US20240314080A1. Автор: Hong Zhou,Lei Han,Xianjun He,Ke Meng,Xitong Jia. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Packet processing system architecture and method

Номер патента: WO2005099178A2. Автор: David K. Parker,Erik R. Swenson,Christopher J. Young,Michael M. Yip. Владелец: Extreme Networks. Дата публикации: 2005-10-20.

Uplink synchronization adjustment method, and related device and system

Номер патента: EP4408085A1. Автор: Bingzhao Li,Bin Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Automatic adjustment method and device for color wheel

Номер патента: US20170041578A1. Автор: Jichen XIAO. Владелец: Hisense USA Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Positioning adjustment method and apparatus, and positioning tool, device and storage medium

Номер патента: EP4417940A1. Автор: Li Zhou,Rui Wang,Xinhua Huang. Владелец: Zhuhai Titans New Power Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Positioning adjustment method, positioning tool, apparatus, device, and storage medium

Номер патента: US20240293907A1. Автор: Li Zhou,Rui Wang,Xinhua Huang. Владелец: Zhuhai Titans New Power Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Adaptive adjustment method and apparatus for downlink control channel resources, and storage medium

Номер патента: US20240292414A1. Автор: LU LIU,Meiying WANG,Jiangyun Zhou,Yinkang QIN. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Service slice adjustment method, electronic device, and storage medium

Номер патента: EP4425866A1. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Packet processing system architecture and method

Номер патента: WO2005099178A3. Автор: Erik R Swenson,David K Parker,Michael M Yip,Christopher J Young. Владелец: Christopher J Young. Дата публикации: 2008-10-23.

Contention window adjustment method and device, storage medium and electronic device

Номер патента: EP4443796A2. Автор: Yajun Zhao,Xincai LI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Ultrasound transducer array architecture and method of manufacture

Номер патента: US12109591B2. Автор: James Wilson Rose,Warren Lee,Kevin Mathew Durocher. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Terminal communication mode adjustment method and apparatus, terminal and storage medium

Номер патента: EP4408073A9. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Charging parameter adjustment method, controller, terminal device, and storage medium

Номер патента: EP4418487A1. Автор: Xiaochuan CUI. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-08-21.

Adaptation method for ne-dc architecture, and operation control apparatus, base station device and storage medium

Номер патента: EP4432720A1. Автор: Wei Si,Feng Wu,Gang Qiu,Gaopeng Du. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Terminal communication mode adjustment method and apparatus, terminal and storage medium

Номер патента: EP4408073A1. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Wireless bandwidth adjustment method and apparatus, terminal and storage medium

Номер патента: US12127043B2. Автор: SHU YANG,Jie Tang,Hongwei Xu,Fan XUE. Владелец: Zhuhai Lianyun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Piezoelectric vibrator and frequency adjustment method for piezoelectric vibrator

Номер патента: US20160294355A1. Автор: Toshihiko Unami,Eitaro Kameda. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Adjustment method for shut-off nozzle, shut-off nozzle, injection device, and injection molding machine

Номер патента: US20240351256A1. Автор: Kiyotaka Nakayama. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Server architecture and method for implementing online multi-player games

Номер патента: US12109495B2. Автор: Chen Lu. Владелец: Garena Online Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Channel resource adjustment method and apparatus, and communication device

Номер патента: EP4459939A1. Автор: WEN Ye,Liuyan Han. Владелец: China Mobile Communications Ltd Research Institute. Дата публикации: 2024-11-06.

Power amplification circuit based on envelope tracking technology and doherty architecture, and design method therefor

Номер патента: EP4451558A1. Автор: QIN Xia,Jinlong RUAN. Владелец: Shaanxi Reactor Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Adjustment method for a marking laser beam, corresponding adjustment system and imaging modality

Номер патента: US20180317862A1. Автор: Thomas Benner. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-11-08.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for the dynamic adjustment method of operating parameters of a vehicle

Номер патента: US09930495B2. Автор: Mario SANTUCCI,Onorino Di Tanna,Stivi PERON. Владелец: Piaggio and C SpA. Дата публикации: 2018-03-27.

Contention adjustment method, apparatus, and system in wireless local area network

Номер патента: US09924407B2. Автор: Wei Ruan,Mingyue Wang,Hongyi Tan,Xiaobing Wan. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Tunneling field effect transistors (TFETs) for CMOS architectures and approaches to fabricating N-type and P-type TFETs

Номер патента: US09911835B2. Автор: Gilbert Dewey,Ian A. Young,Uygar E. Avci,Roza Kotlyar,Benjamin Chu-Kung,Kelin J. Kuhn,Stephen M. Cea,Rafael Rios,Anurag Chaudhry,Thomas D. Linton, Jr.. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Equalizer adjustment method, adaptive equalizer and memory storage device

Номер патента: US09893912B1. Автор: Chih-Ming Chen,Chao-Hsin Lin,Wei-Yung Chen,Wei-Ting Wei. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Lossless adjustment method of ODUflex channel bandwidth and ODUflex channel

Номер патента: US09866497B2. Автор: WEI SU,Chiwu Ding,Limin Dong,Qiuyou Wu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Solar cell emitter region fabrication with differentiated P-type and N-type architectures and incorporating dotted diffusion

Номер патента: US09837576B2. Автор: Staffan Westerberg,Gabriel Harley. Владелец: SunPower Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Duplexer architectures and methods for enabling additional signal path

Номер патента: US09768941B2. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Radio frequency power supply adjustment method, apparatus and device, and storage medium

Номер патента: AU2021356425A9. Автор: Shaowu Shen. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Gap adjusting method in trip mechanism of molded case circuit breaker

Номер патента: US09646792B2. Автор: Woong Jae Kim. Владелец: LSIS Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamic exposure adjusting method and electronic apparatus using the same

Номер патента: US09571743B2. Автор: Shih-Ting Huang,Jian-Wei Lee,Wu-Chu Tsai. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor layout patterns, semiconductor layout patterns, and semiconductor structure

Номер патента: SG195405A1. Автор: Jie Zhao,Huabiao Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-30.

Cooling assemblies and semiconductor assemblies, and methods for producing cooling assemblies and semiconductor assemblies

Номер патента: WO2024194720A1. Автор: Remco Van Erp,Malik Fahrni,Andrea Francescon. Владелец: Corintis Sa. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of preparation of components for making optical and semiconductor materials

Номер патента: RU2152349C1. Автор: А.В. Тихомиров. Владелец: Российский научный центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2000-07-10.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for non-destructive measurement of dielectric and semiconductor film thickness

Номер патента: RU2411448C1. Автор: Алексей Сергеевич Иванов,Александр Борисович Федорцов,Юрий Валентинович Чуркин,Василий Владимирович Манухов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Северо-западный государственный заочный технический университет (СЗТУ). Дата публикации: 2011-02-10.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of cutting metals and semiconductors using electroplastic deformation effect

Номер патента: RU2426629C2. Автор: Сергей Анатольевич Баранов,Александр Васильевич Тяпкин,Юрий Алексеевич Евсеев,Владимир Иванович Сташенко,Олег Александрович Троицкий,Александр Валерьевич Сухов. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2011-08-20.

Memory chip-based storage

Номер патента: RU2531576C2. Автор: Алексей Алексеевич Косарев. Владелец: Алексей Алексеевич Косарев. Дата публикации: 2014-10-20.

Power semiconductor switching device and semiconductor device thereof

Номер патента: CA1169978A. Автор: Masahiko Akamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-06-26.

MASS FLOW CONTROLLER, MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND GAS FLOW RATE ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120000542A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATIONAL AMPLIFIER CIRCUIT, SIGNAL DRIVER, DISPLAY DEVICE, AND OFFSET VOLTAGE ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120001892A1. Автор: KOJIMA Tomokazu. Владелец: Panasonic Corporaton. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS AND PRINTING POSITION ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001972A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND LIGHT AMOUNT ADJUSTING METHOD

Номер патента: US20120002253A1. Автор: KOSEKI Naoya,HATANO Mitsuru,UENO Sueo,SHIRAISHI Hiroyuki,HASHIZUME Yusuke,NAGAMOCHI Katsuya,Shimokawa Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RAY TRACING SYSTEM ARCHITECTURES AND METHODS

Номер патента: US20120001912A1. Автор: Peterson Luke Tilman,McCombe James Alexander,Salsbury Ryan R.,Clohset Steven John. Владелец: CAUSTIC GRAPHICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and cutting tool for cutting of metals and semiconductors with simultaneous feed of electric current

Номер патента: RU2530245C2. Автор: Константин Эдуардович Огоньков. Владелец: Константин Эдуардович Огоньков. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of determining charge state of atoms in subnanolayer films on surface of metals and semiconductors

Номер патента: RU2509299C1. Автор: Степан Степанович Волков,Сергей Васильевич Николин,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Петрович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-03-10.

Adjustment method of liquid low-thrust engine with two-component centrifugal injector

Номер патента: RU2436989C2. Автор: Юрий Захарович Андреев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт машиностроения" (ФГУП "НИИМаш"). Дата публикации: 2011-12-20.

Lathe knife adjustment method

Номер патента: RU2595197C1. Автор: Александр Викторович Власенков,Николай Николаевич Соколов,Олег Федорович Худяков,Виктор Павлович Попков. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2016-08-20.

Centrifugal apparatus for bulk material spreader and centrifugal apparatus adjustment method

Номер патента: RU2205530C2. Автор: Ю.И. Якимов. Владелец: Кубанский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2003-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.