Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Crossbar memory array in back end of line with crystallization front

Crossbar memory array in back end of line with crystallization front

Номер патента: US20230180638A1
Опубликовано: 08-06-2023
Автор(ы): Bahman Hekmatshoartabari, Devendra K. Sadana, Ning Li
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Applications of back-end-of-line (beol) capacitors in compute-in-memory (cim) circuits

Номер патента: US20220012581A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Jack T. Kavalieros,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Ram Krishnamurthy,Amrita MATHURIYA,Gregory K. Chen,Raghavan Kumar,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Nazila Haratipour,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

In-memory spiking neural networks for memory array architectures

Номер патента: US20190005376A1. Автор: Berkin Akin,Seth H. Pugsley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Performing xnor equivalent operations by adjusting column thresholds of a compute-in-memory array

Номер патента: EP4028956A1. Автор: Max Welling,Edward Teague,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-07-20.

Neural processing core, method of programming a synaptic memory array thereof and method of performing neural network inference thereon

Номер патента: WO2023059265A1. Автор: Pengfei Sun,Wenyu Jiang,Piew Yoong Chee. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-04-13.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US11862242B2. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: WO2021257371A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20210391004A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20240153556A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Matching patterns in memory arrays

Номер патента: US20220199157A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Training of front-end and back-end neural networks

Номер патента: US20180053087A1. Автор: Takashi Fukuda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Analog neural memory array in artificial neural network with source line pulldown mechanism

Номер патента: EP4150621A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Hien Pham,Han Tran,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network with source line pulldown mechanism

Номер патента: WO2021230907A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Hien Pham,Han Tran,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Neuromorphic system using memory array with cross-point structure

Номер патента: US20240312516A1. Автор: Jun-Sung Kim,Sang-Hoon Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory array structure

Номер патента: US20240021226A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: EP3951783A1. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for reading a cross-point type memory array comprising a two-terminal switching material

Номер патента: US20200321052A1. Автор: Junsung KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for reading cross point-type memory array including two-terminal switching material

Номер патента: US11996146B2. Автор: Jun-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Tamper-resistant circuit, back-end of the line memory and physical unclonable function for supply chain protection

Номер патента: GB2612485A. Автор: Ando Takashi,Kumar Arvind,Pfeiffer Dirk,Song Peilin,Plouchart Jean-Olivier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

Spike current suppression in a memory array

Номер патента: US20220319592A1. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Back end of line (BEOL) process corner sensing

Номер патента: US11823962B2. Автор: Min Chen,Rui Li,Amit Patil,Venkat Narayanan,de Lu,Samy Shafik Tawfik Zaynoun,David Kidd,Saravanan MARIMUTHU,Baldeo Sharan SHARMA,Peeyush Kumar Parkar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Memory device with multiple memory arrays to facilitate in-memory computation

Номер патента: US20190205273A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Sasikanth Manipatruni,Ram Krishnamurthy,Jack Kavalieros,Amrita MATHURIYA,Raghavan Kumar,Phil Knag,Van Le,Gregory Chen,Huseyin SUMBUL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Back end of line (beol) process corner sensing

Номер патента: WO2022177779A1. Автор: Min Chen,Rui Li,Amit Patil,Venkat Narayanan,de Lu,Samy Shafik Tawfik Zaynoun,David Kidd,Saravanan MARIMUTHU,Baldeo Sharan SHARMA,Peeyush Kumar Parkar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-08-25.

On-chip vertical three dimensional microstrip line with characteristic impedance tuning technique and design structures

Номер патента: US09553348B2. Автор: Essam Mina,Guoan Wang,Barbara S. DEWITT,BM Farid RAHMAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for operating a memory array

Номер патента: US09851913B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09727680B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721050B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09721049B2. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure for reducing pre-charge voltage for static random-access memory arrays

Номер патента: US09431098B1. Автор: Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Amira Rozenfeld,Rolf Sautter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array

Номер патента: US20210151454A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: EP3925005A1. Автор: Bharat Bhushan,Collin Howder,Chris M. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Methods and related devices for operating a memory array

Номер патента: US20180095687A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Applications of back-end-of-line (BEOL) capacitors in compute-in-memory (CIM) circuits

Номер патента: US11727260B2. Автор: ABHISHEK Sharma,Jack T. Kavalieros,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Ram Krishnamurthy,Amrita MATHURIYA,Gregory K. Chen,Raghavan Kumar,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Nazila Haratipour,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Applications of back-end-of-line (beol) capacitors in compute-in-memory (cim) circuits

Номер патента: EP3857463A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Jack T. Kavalieros,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Ram Krishnamurthy,Amrita MATHURIYA,Gregory K. Chen,Raghavan Kumar,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Nazila Haratipour,Uygar Avci. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-04.

Applications of back-end-of-line (beol) capacitors in compute-in-memory (cim) circuits

Номер патента: WO2020068323A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Jack T. Kavalieros,Sasikanth Manipatruni,Ian A. Young,Ram Krishnamurthy,Amrita MATHURIYA,Gregory K. Chen,Raghavan Kumar,Huseyin Ekin Sumbul,Phil Knag,Van H. Le,Nazila Haratipour,Uygar Avci. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-04-02.

Analog neural memory array in artificial neural network with substantially constant array source impedance with adaptive weight mapping and distributed power

Номер патента: EP4407874A2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Temperature compensation circuit and method for neural network computing-in-memory array

Номер патента: US11720327B2. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US12079589B2. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Prediction of probability of occurrence of line using sequence of vectors

Номер патента: RU2712101C2. Автор: Евгений Михайлович Инденбом,Даниил Гарриевич Анастасьев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Аби Продакшн". Дата публикации: 2020-01-24.

Retention drift correction in non-volatile memory arrays

Номер патента: US20220343975A1. Автор: Christophe J. Chevallier. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Temperature Compensation Circuit and Method for Neural Network Computing-in-memory Array

Номер патента: US20230048640A1. Автор: Xiaofeng Gu,Zhiguo Yu,Hongbing Pan,Yanhang LIU. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory array data structure for posit operations

Номер патента: US20200301605A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Neural memory array storing synapsis weights in differential cell pairs

Номер патента: US11908513B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Vipin Tiwari,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: US09846644B2. Автор: Frederick Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: EP2943959A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-11-18.

Nonvolatile memory array logic

Номер патента: WO2014109771A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2014-07-17.

Method and system for automatic compensation of line delay in a clock distribution system

Номер патента: AU2889295A. Автор: Markku Ruuskanen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1996-02-16.

Method and system for automatic compensation of line delay in a clock distribution system

Номер патента: WO1996002877A3. Автор: Markku Ruuskanen. Владелец: Markku Ruuskanen. Дата публикации: 1996-03-14.

Method and system for automatic compensation of line delay in a clock distribution system

Номер патента: AU693231B2. Автор: Markku Ruuskanen. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1998-06-25.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US12108566B2. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for a phase-change memory array

Номер патента: US20140376306A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta,Marco Ferraro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-25.

On-demand web-server execution instance for website hosting with custom back-end functionality

Номер патента: US20240220706A1. Автор: Gil Tayar,Yoav Abrahami,Ziv Shalom Shalev,Shai Nagar. Владелец: Wix com Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system includes a memory controller coupled to a non-volatile memory array configured to provide special write operation to write data in the non-volatile memory array before a board mount operation is applied and provde a regular write operation after a board mount operation is applied

Номер патента: US09798481B1. Автор: Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Server memory array cooling hardware

Номер патента: US20230301022A1. Автор: Tianyi Gao. Владелец: Baidu USA LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus for storing/reading data in a memory array of a transponder

Номер патента: US20140215166A1. Автор: Francesco Gallo,Hauke Meyn. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-07-31.

Transistor configurations for vertical memory arrays

Номер патента: US20240345744A1. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Redundant array of independent NAND for a three-dimensional memory array

Номер патента: US11797383B2. Автор: Jung Sheng Hoei,Peter Feeley,Kishore K. Muchherla,Sampath K. Ratnam,Sivagnanam Parthasarathy,Renato C. Padilla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Secure data communications with network back end devices

Номер патента: US20130173904A1. Автор: Eric T. Obligacion. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Secure data communications with network back end devices

Номер патента: PH12014501499A1. Автор: Obligacion Eric. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Secure data communications with network back end devices

Номер патента: PH12014501499B1. Автор: Obligacion Eric. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2014-10-08.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US11954342B2. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Masked training and analysis with a memory array

Номер патента: US20230057441A1. Автор: Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL,Phillip A. Rasmussen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Spintronic device, memory cell, memory array and read and write circuit

Номер патента: US20240013826A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Protecting passwords and biometrics against back-end security breaches

Номер патента: US09887989B2. Автор: Francisco Corella,Karen Pomian Lewison. Владелец: Pomian and Corella LLC. Дата публикации: 2018-02-06.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: US20230033086A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory cell capacitor structures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230397401A1. Автор: Yuan He,Sheyang NING,Song Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array with programmable number of filters

Номер патента: US12106822B2. Автор: Sushil Kumar,Chetan Deshpande,Gajanan Sahebrao Jedhe,Gaurang Prabhakar Narvekar,Cheng-Xin Xue,Zijie Guo. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Compute in memory (cim) memory array

Номер патента: US20240347101A1. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US12112798B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Compute in memory (CIM) memory array

Номер патента: US11996137B2. Автор: Yu-Lin Chen,Chia-Fu Lee,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: EP4150620A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Analog neural memory array in artificial neural network comprising logical cells and improved programming mechanism

Номер патента: WO2021230905A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-11-18.

Output circuitry for non-volatile memory array in neural network

Номер патента: US11790208B2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Compute-in-memory array and module, and data computing method

Номер патента: US12046283B2. Автор: Yi Zhao,Shifan GAO. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-07-23.

Calculation method of line carrying capacity of regional rapid rail transit under mixed operation of express/local trains

Номер патента: US12122437B1. Автор: Han Zheng,ZHEN Wang,Guofei Gao,Gangde Du,Xiuquan Chen,Taoyuan Yang,Xuanchuan Zheng,Mingdian Chen. Владелец: Beijing Urban Construction Design and Development Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Temperature compensation in an analog memory array by changing a threshold voltage of a selected memory cell in the array

Номер патента: US20210090654A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Recurrent neural network inference engine with gated recurrent unit cell and non-volatile memory arrays

Номер патента: US20210397931A1. Автор: Tung Thanh Hoang,Martin LUEKER-BODEN,Wen Ma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory array comprising a ferroelectric data storage element

Номер патента: US20240112731A1. Автор: Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Uygar Avci,Sarah ATANASOV,Bernal Granados Alpizar,Saima Siddiqui. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Silicon based nanoscale crossbar memory

Номер патента: US09520557B2. Автор: Wei Lu,Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device with peripheral circuitry which extends under a back end memory array

Номер патента: US20230397410A1. Автор: OZDEMIR Akin,Liqiong Wei,Fatih Hamzaoglu,Pulkit JAIN,Juan ALZATE VINASCO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Fabricating waveguides in conjunction with interconnect fabrication in back-ends of integrated circuits and structures thereof

Номер патента: US8761552B1. Автор: Jeremy Witzens,Michael J. Hochberg. Владелец: University of Washington Center for Commercialization. Дата публикации: 2014-06-24.

Lined photobucket structure for back end of line (beol) interconnect formation

Номер патента: US20190146335A1. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Marie KRYSAK,Rami HOURANI,Eungnak Han,Kevin L. Lin,Shane M. HARLSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Exposure activated chemically amplified directed self-assembly (DSA) for back end of line (BEOL) pattern cutting and plugging

Номер патента: US09625815B2. Автор: Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,Ernisse S. Putna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, some including hierarchical and/or other features

Номер патента: EP2788986A1. Автор: Leelean SHU,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Memory array staircase structure

Номер патента: US11776602B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array staircase structure

Номер патента: EP3945582A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Systems and methods of sectioned bit line memory arrays, including hierarchical and/or other features

Номер патента: US20140219011A1. Автор: Lee-Lean Shu,Hsin You S. LEE,Chenming W. TUNG. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

3d voltage switching transistors for 3d vertical gate memory array

Номер патента: US20160329344A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Memory array staircase structure

Номер патента: US12148505B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

3D voltage switching transistors for 3D vertical gate memory array

Номер патента: US09478259B1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu,Lee-Yin Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile memory array with memory gate line and source line scrambling

Номер патента: US09997253B1. Автор: Chun Chen,Yoram Betser,Kuo-Tung Chang,Amichai GIVANT,Shenqing Fang,Shivananda Shetty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Lined photobucket structure for back end of line (BEOL) interconnect formation

Номер патента: US11953826B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Marie KRYSAK,Rami HOURANI,Eungnak Han,Kevin L. Lin,Shane M. HARLSON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: EP1695356A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-08-30.

Nand memory array incorporating multiple series selection devices and method for operation of same

Номер патента: WO2005057586A2. Автор: James M. Cleeves,Roy E. Scheuerlein,Andrew J. Walker,Luca G. Fasoli,En-Hsing Chen,Alper Ilkbahar,Sucheta Nallamothu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2005-06-23.

Chip package interaction (cpi) back-end-of-line (beol) monitoring structure and method

Номер патента: US20190027413A1. Автор: Scott K. Pozder,Eng Chye Chua. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071423A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Richard E. Facekenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20220036931A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory Array Staircase Structure

Номер патента: US20230377624A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory arrays with bonded and shared logic circuitry

Номер патента: US20200395328A1. Автор: Richard Fastow,Owen W. Jungroth,Prashant Majhi,Krishna Parat,Khaled Hasnat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory Array Having a Programmable Word Length, and Method of Operating Same

Номер патента: US20110273942A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Non-volatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20200160907A1. Автор: Yu-Shan CHIEN. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US12114479B2. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Circuit and layout for resistive random-access memory arrays

Номер патента: US20200006430A1. Автор: John L Mccollum. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Compact Memory Arrays

Номер патента: US20130099289A1. Автор: Thomas Nirschl,Jan Otterstedt,Michael Bollu,Wolf Allers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-04-25.

Memory array circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory array circuit

Номер патента: US12112829B2. Автор: Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09881973B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory array, memory, preparing method and writing method

Номер патента: US20240023347A1. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Jingle CHEN,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-01-18.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US20220101899A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US20200090715A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: US11769538B2. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220180926A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory array capable of performing byte erase operation

Номер патента: US09847133B2. Автор: Chih-Hsin Chen,Tsung-Mu Lai,Shih-Chen Wang,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Stacked vertical memory array architectures, systems and methods

Номер патента: US09672917B1. Автор: Yanli Zhang,Henry Chien,Yao-Sheng Lee,Xiying Costa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory array architecture with two-terminal memory cells

Номер патента: US09620206B2. Автор: Wei Lu,Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit producing a common clear signal for erasing selected arrays in a mnos memory system

Номер патента: US4099069A. Автор: James R. Cricchi,Joe E. Brewer. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1978-07-04.

Peripheral logic circuits under dram memory arrays

Номер патента: US20190131308A1. Автор: Harish N. Venkata,Jeffrey Koelling,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP4408152A2. Автор: Stephen H. Tang,Stephen W. Russell,Hernan A Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20240265960A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: US20190326356A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4442090A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US12114499B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory array with one shared deep doped region

Номер патента: US09941011B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wen-hao Ching,Chen-Hao Po. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory array with strap cells

Номер патента: US09847120B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method and circuit for controlling programming current in a non-volatile memory array

Номер патента: US09666243B2. Автор: Alexandre Levisse. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional memory arrays with layer selector transistors

Номер патента: US20210151438A1. Автор: Rajesh Kumar,Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Mauro J. Kobrinsky,Swaminathan Sivakumar,Kinyip PHOA,Wilfred Gomes,Elliot Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US12035534B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Including A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240203496A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Transformed non-reprogrammable memory array devices and methods of manufacture

Номер патента: US10755777B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-08-25.

Memory array test structure and method of forming the same

Номер патента: US20240194234A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

3D memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US12041791B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20220254791A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

3d memory array contact structures

Номер патента: US20240276726A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory Circuitry Comprising Strings Of Memory Cells And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230255023A1. Автор: Lifang Xu,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,Richard J. Hill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240274198A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH,Andrew Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory array

Номер патента: US20140160853A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20240324230A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor constructions, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: US09614006B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Pillar and word line plate architecture for a memory array

Номер патента: US20240057348A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Thomas M. Graettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory array

Номер патента: US20230232638A1. Автор: Chun-Hao Wang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Dong-Ming Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory array having a programmable word length, and method of operating same

Номер патента: WO2007126830A2. Автор: Eric Carman. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2007-11-08.

Three-dimensional memory array with local line selector

Номер патента: US20230262985A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang,Chen-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Memory Array and Methods Used in Forming a Memory Array

Номер патента: US20240244837A1. Автор: Haitao Liu,Luan C. Tran,Guangyu Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile memory having memory array with differential cells

Номер патента: US20160104535A1. Автор: Yu-Hsiung Tsai. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory arrays comprising vertically-alternating tiers of insulative material and memory cells and methods of forming a memory array

Номер патента: US11778838B2. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory Array Word Line Routing

Номер патента: US20240274160A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Meng-Han LIN,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240206194A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor constructions, electronic systems, and methods of forming cross-point memory arrays

Номер патента: EP2150978A1. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Memory array

Номер патента: US20140169099A1. Автор: Jian Hu,Bo Zhang,Jing Gu,Weiran Kong. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory devices with backside bond pads under a memory array

Номер патента: US20240312933A1. Автор: Eric N. Lee,Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09490126B2. Автор: Seungmoo Choi,Sameer Haddad. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US09391082B2. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Three-dimensional memory array incorporating serial chain diode stack

Номер патента: US6631085B2. Автор: Bendik Kleveland,Roy E. Scheuerlein,Thomas H. Lee,Mark G. Johnson,N. Johan Knall. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US11335700B2. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-17.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: US20210296360A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory array comprising strings of memory cells and method used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022164602A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210280594A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Vertical string driver for memory array

Номер патента: US20220076751A1. Автор: Aaron S. Yip,Tomoko Ogura Iwasaki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: EP3676839A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Decode circuitry coupled to a memory array

Номер патента: WO2019046029A1. Автор: Timothy C. Langtry,Richard K. Dodge. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210375903A1. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20220157364A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11925016B2. Автор: John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional memory array with dual-level peripheral circuits and methods for forming the same

Номер патента: US20240032299A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Fumiaki TOYAMA,Masanori Tsutsumi,Kazutaka Yoshizawa. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US20220392527A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Dual mode memory array security apparatus, systems and methods

Номер патента: US20190019545A1. Автор: Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Srinath Ramswamy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071498A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: US11955156B2. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10242726B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-26.

Memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US10153027B1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230343393A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Jordan D. GREENLEE,Tom George. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Block-on-block memory array architecture using bi-directional staircases

Номер патента: US20210288071A1. Автор: Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: EP3785308A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-03.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190172517A1. Автор: Hideki Gomi,Sanh D. Tang,Kuo-Chen Wang,Michel Koopmans,Eiji Hasunuma,Srinivas Pulugurtha,Martin C. Roberts,Diem Thy N. Tran,Fredrick D. Fishburn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory Arrays, Ferroelectric Transistors, and Methods of Reading and Writing Relative to Memory Cells of Memory Arrays

Номер патента: US20200234751A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory arrays, ferroelectric transistors, and methods of reading and writing relative to memory cells of memory arrays

Номер патента: WO2017184523A1. Автор: Wayne Kinney,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory Devices, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190296021A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Resistive memory array

Номер патента: US20220165947A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Memory Cells and Memory Arrays

Номер патента: US20190096894A1. Автор: Debra M. Bell,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Microelectronic devices having a memory array region and a control logic region

Номер патента: US20230092320A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Microelectronic devices having a memory array region, a control logic region, and signal routing structures

Номер патента: US12068272B2. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Aaron S. Yip. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory array circuit and method of manufacturing same

Номер патента: US12074156B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Self-selecting memory array with horizontal access lines

Номер патента: US12100447B2. Автор: Fabio Pellizzer,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor structure, memory cell and memory array

Номер патента: US12108682B2. Автор: XIAOGUANG WANG,Baolei Wu,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for making conductors for ferrite memory arrays

Номер патента: US3849877A. Автор: J Fletcher,C Heckler,P Baba,N Bhiwandker. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-26.

Rigid rf coaxial transmission line with connector having electrically conductive liner and related methods

Номер патента: WO2015038251A1. Автор: Raymond C. Hewit,Brian N. WRIGHT,Murray HANN,Ryan Whitney. Владелец: HARRIS CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of Correcting an Error in a Memory Array in a DRAM During a Read Operation and a DRAM

Номер патента: US20180336091A1. Автор: Alessandro Minzoni. Владелец: Unigroup Guoxin Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

System and method for allocating data in memory array having regions of varying storage reliability

Номер патента: US09448883B1. Автор: Steven Shrader. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

NAND type multi-bit charge storage memory array and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20070115723A1. Автор: Yin Chen,Chih Yeh,Chun SU,Ming Chin,Tzung Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-24.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Memory array reset read operation

Номер патента: US12119051B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12131794B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Data access circuit for a memory array

Номер патента: CA1087740A. Автор: Richard C. Gifford,Clair A. Buzzard,Robert M. Zachok,Frank W. Lescinsky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1980-10-14.

Programmable memory array structure incorporating series-connected transistor strings and methods for fabrication and operation of same

Номер патента: WO2004061863A3. Автор: En-Hsing Chen,Roy E Scheuerlein,Alper Ilkbahar,Igor Kouznetsov,Andrew J Walker,Christopher Petti,Luca G Fasoli,Sucheta Nallamothu. Владелец: Matrix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-16.

Data processor incorporating a ferroelectric memory array selectably configurable as read/write and read only memory

Номер патента: US5890199A. Автор: Jeffery E. Downs. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Systems and methods for controlling memory array power consumption

Номер патента: US20180260014A1. Автор: Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Victor Wang,Joachim Josef Maria Kruecken,Frank Kelsey Baker, Jr.. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210406176A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Accelerated in-memory cache with memory array sections having different configurations

Номер патента: US20210294741A1. Автор: Dmitri Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Data storing in memory arrays

Номер патента: US09952796B2. Автор: Ron M. Roth,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-24.

Back end of payment system associated with financial transactions using card readers coupled to mobile devices

Номер патента: US09916581B2. Автор: Jack Dorsey,James M. Mckelvey,Nathan P. MCCAULEY,Diogo Monica,Oliver Samuel Curran QUIGLEY,Justin Phillip Cummins. Владелец: Square Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Processor memory array having memory macros for relocatable store protect keys

Номер патента: US20080072109A1. Автор: Pak-Kin Mak,Bruce G. Hazelzet,Liyong Wang,Kevin W. Kark,Donald J. Swietek,Roger A. Rippens,Carl B. Ford. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2007-08-02.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: WO2006121529A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2006-11-16.

Method and apparatus for incorporating block redundancy in a memory array

Номер патента: EP1864291B1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-13.

Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system

Номер патента: US09965346B2. Автор: Charles A. Kilmer,David D. Cadigan,Adam J. McPadden,Anil B. Lingambudi,Anuwat Saetow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Constructions comprising stacked memory arrays

Номер патента: US09691475B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US09563556B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Providing efficient handling of memory array failures in processor-based systems

Номер патента: US20180121274A1. Автор: Paul Steinmetz,Thomas Philip Speier,Kshitiz Saxena,Manish Garg,Michael Phan,Viren Ramesh Patel,Kevin Magill,Clint Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Varying channel width in three-dimensional memory array

Номер патента: EP4101004A1. Автор: Yi Li,Chen Wang,Richard Fastow,Dipanjan Basu,Ebony Lynn Mays,Dimitrios Pavlopoulos,Dimitri Kioussis,Junyen TEWG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US20160170936A1. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-06-16.

Solver of partial differential equation based on non-volatile memory array and method of solving partial differential equation based on non-volatile memory array

Номер патента: US20240289415A1. Автор: Xiaoyan Liu,Peng Huang,Jinfeng Kang,Haozhang YANG. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-29.

Input-dependent random number generation using memory arrays

Номер патента: US09696965B2. Автор: MOSHE Alon. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method to store data in an adjustably partitionable memory array

Номер патента: US09558114B2. Автор: Wolfgang Beck,Thomas Liebermann,Rex Kho,Michael Hassel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Architecture for vector memory array transposition using a block transposition accelerator

Номер патента: US09436655B2. Автор: Yanmeng Sun,Liangliang Hu. Владелец: St Ericsson SA. Дата публикации: 2016-09-06.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Memory array reset read operation

Номер патента: US11423976B2. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Memory array reset read operation

Номер патента: WO2019046050A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20190066771A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20200365201A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory array reset read operation

Номер патента: US20220383949A1. Автор: Mark Helm,Jeremy Binfet,Mark Hawes,William Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Minimizing conflicts in multiport banked memory arrays

Номер патента: US20200301604A1. Автор: Ashutosh Misra,Matthias Klein,Hubertus Franke,Bulent Abali,Deepankar Bhattacharjee,Girish Kurup. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Composed memory array comprising a flash array and a ram array with data write to the ram array and data read from the flash array

Номер патента: EP2823484A1. Автор: Charles R. Gordon,Kevin K. Walsh,Paul R. Solheim,Robert D. MUSTO,Jerry D. REILAND,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US12035543B2. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Full address coverage during memory array built-in self test with minimum transitions

Номер патента: US9651617B2. Автор: Thomas Jew,David W. Chrudimsky,Edward Bryann C. Fernandez. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: US20240111933A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Louis Henry Carbone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method of line sampling object scene information

Номер патента: WO2002097728A3. Автор: Eric Veach,Larry I Gritz,Craig E Kolb,Matthew M Pharr. Владелец: Exluna Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Automated verification of technology specific and technology independent logic models of a memory array

Номер патента: WO2024068450A1. Автор: Thomas Kalla,Philipp Salz,Jentje Leenstra,Richard Carbone. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Cross-point memory array and related fabrication techniques

Номер патента: WO2019209441A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

Cross-point memory array with access lines

Номер патента: US20240292632A1. Автор: Stephen H. Tang,Hernan A. Castro,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

3d memory devices and structures with memory arrays and metal layers

Номер патента: US20240324166A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory array configuration for shared word lines

Номер патента: US20240329840A1. Автор: Marcello Mariani,Daniele Vimercati,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Dual data storage using an in-memory array and an on-disk page structure

Номер патента: US09891831B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Thomas Legler,Guenter Radestock,Anil Kumar Goel,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2018-02-13.

Double bandwidth algorithmic memory array

Номер патента: US09870163B2. Автор: Igor Arsovski,Eric D. Hunt-Schroeder,Mark W. Kuemerle. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09830109B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2017-11-28.

Materializing data from an in-memory array to an on-disk page structure

Номер патента: US09513811B2. Автор: Mihnea Andrei,Ivan Schreter,Dirk Thomsen,David Wein. Владелец: SAP SE. Дата публикации: 2016-12-06.

Generating memory array control signals

Номер патента: US20220188036A1. Автор: Hiroshi Akamatsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Sequence alignment with memory arrays

Номер патента: US12073110B2. Автор: Justin Eno,Ameen D. Akel,Sean S. Eilert,Kenneth M. Curewitz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Wear leveling of a memory array

Номер патента: US09857986B2. Автор: Roman A. Pletka,Jason Ma,Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry,Ioannis Koltsidas,Sasa Tomic,Nikolas Ioannou,Lincoln T. Simmons. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240381638A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Independently addressable memory array address spaces

Номер патента: US09530475B2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Pattern generation for multi-channel memory array

Номер патента: US20220091776A1. Автор: Sang-Hoon Shin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Memory array accessibility

Номер патента: WO2019046111A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US20190384512A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Keep-through regions for handling end-of-line rules in routing

Номер патента: US11586796B1. Автор: Praveen Yadav,Ramprasath Srinivasa Gopalakrishnan. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2023-02-21.

Techniques for storing data and tags in different memory arrays

Номер патента: US20230393989A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array accessibility

Номер патента: US11886715B2. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory array page table walk

Номер патента: EP3586238A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Bit string accumulation in memory array periphery

Номер патента: US20200387474A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Virtual and physical extended memory array

Номер патента: US20240086319A1. Автор: Donald M. Morgan,Alan J. Wilson,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Memory array accessibility

Номер патента: US20240168656A1. Автор: Daniel B. Penney,Gary L. Howe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory array page table walk

Номер патента: US20220075733A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Memory array page table walk

Номер патента: US20230401158A1. Автор: Perry V. Lea. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-14.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12082409B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

NOR Memory Array, NOR Memory and Electronic Device

Номер патента: US20240357814A1. Автор: Jun Feng,Tao Xiong,Linkai WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Global back-end taxonomy for commerce environments

Номер патента: US09934484B2. Автор: Ming Liu,Amit Reuven Menipaz,Ravi POLISETTY,Suresh RAMAN,Gerald LAW. Владелец: eBay Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Memory array plane select

Номер патента: US09543003B2. Автор: Jong Won Lee,Gianpaolo Spadini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Non-volatile resistive oxide memory cells, non-volatile resistive oxide memory arrays, and methods of forming non-volatile resistive oxide memory cells and memory arrays

Номер патента: US8674336B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John Smythe,Bhaskar Srinivasan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-18.

Distributed memory array supporting random access and file storage operations

Номер патента: EP2434406A2. Автор: Clifford E. Kimmery. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2012-03-28.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Intermediate memory array with a parallel port and a buffered serial port

Номер патента: US4718039A. Автор: Frederick J. Aichelmann, Jr.,Vincent F. Sollitto, Jr.,William F. Shutler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-01-05.

Memory array circuit, memory array layout and verification method

Номер патента: US20230050097A1. Автор: Peihuan WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

First in - first out memory array containing special bits for replacement addressing

Номер патента: CA1080366A. Автор: Gerhard R. Thompson,John E. Campbell. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-06-24.

Method and apparatus for cyclically searching a contents addressable memory array

Номер патента: US6108747A. Автор: Teruo Kaganoi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Fault-tolerant memory array

Номер патента: US4768169A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Creating dynamic latches above a three-dimensional non-volatile memory array

Номер патента: US20240071430A1. Автор: Tomoko Ogura Iwasaki,Jiewei Chen,Mithun Kumar RAMASAHAYAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US20130021850A1. Автор: Qing Peng Yuan. Владелец: Giantec Semiconductor Ltd Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Write buffer implementation for multiple memory array memory spaces

Номер патента: US20210048952A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Single plate configuration and memory array operation

Номер патента: US20230206977A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Memory array having strap region with staggered dummy magnetic storage elements

Номер патента: US11737285B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Hung-Yueh Chen,Yi-Yu Lin,Ching-Hua Hsu,Ju-Chun Fan,Kun-I Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: WO2022020140A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US11762577B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory apparatus and methods with heterogeneous memory array architecture

Номер патента: US10860252B2. Автор: Imran Muhammad,Tae Hyun Kwon,Jung Min YOU,Joon Sung YANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2020-12-08.

Error tolerant memory array and method for performing error correction in a memory array

Номер патента: US20210073072A1. Автор: John L. Mccollum. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20240090230A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Edge compute components under a memory array

Номер патента: US20220027079A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: EP2973577A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to regulate operating voltage of a memory array

Номер патента: WO2014150487A2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Stress-based techniques for detecting an imminent read failure in a non-volatile memory array

Номер патента: US20130326285A1. Автор: CHEN He,Richard K. Eguchi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Three-dimensional memory array formation techniques

Номер патента: US20240188299A1. Автор: Wenjie Li,George Matamis,Christopher J. Larsen,S M Istiaque Hossain,Lingyu Kong,David A. Daycock,Sok Han Wong,Kevin R. Gast,Lhaang Chee Ooi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory array segmentation and methods

Номер патента: WO2007092536A2. Автор: Aaron Yip. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-16.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Procedure and equipment for production of line data

Номер патента: US5805729A. Автор: Arthur Wischnik,Erik Speidel,Ernst Nalepa. Владелец: EDS Electronic Data Systems Fertigungsindustrie. Дата публикации: 1998-09-08.

Processor pipeline with interstage queue of micro-ops for selective back-end replay

Номер патента: EP1062571A4. Автор: Edward T Grochowski. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-12-04.

Systems and methods for writing zeros to a memory array

Номер патента: WO2019118009A1. Автор: David R. Brown,Harish N. Venkata,Gary L. Howe,Byung S. Moon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Techniques to mitigate error during a read operation to a memory array

Номер патента: US20210304817A1. Автор: Kiran Pangal,Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

System and method for random data distribution in a memory array

Номер патента: US12079478B2. Автор: Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrically formed memory array

Номер патента: WO2022132905A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of testing memory array at operational speed using scan

Номер патента: US20090150729A1. Автор: Ishwardutt Parulkar,Paul J. Dickinson,Gaurav H. Agarwal,Krishna B. Rajan. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Methods and apparatus for performing matrix transformations within a memory array

Номер патента: US12118056B2. Автор: Fa-Long Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

System comprising front-end and back-end storage tiers, data mover modules and associated metadata warehouse

Номер патента: US09910742B1. Автор: Sorin Faibish,John M. Bent,Sassan Teymouri,James M. Pedone. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Molecular wire crossbar memory

Номер патента: US6128214A. Автор: R. Stanley Williams,James R. Heath,Philip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-10-03.

Method and device for suppression of compensator effect on line protection of lines

Номер патента: RU2733785C1. Автор: Юй ЛУ,Хуа СЕ,Цзян ЛУ,Юньлун Дун,Цзе ТЯНЬ,Чунсюэ ЦЗЯН,Лэй Пань,Жухай ХУАН,Баошунь ЧЖАН,Дэфэн ЦЮ. Владелец: ЭнАр ЭНЖИНИРИНГ КО., ЛТД. Дата публикации: 2020-10-06.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Read-only memory arrays in which a portion of the memory-addressing circuitry is integral to the array

Номер патента: US3618050A. Автор: Charles R Winston,Richard H Heeren. Владелец: Teletype Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

End of line protection with trip signal engaging

Номер патента: US12074424B2. Автор: Ronald E. Smith,Robert B. Stuart,Vahid Madani,Kenneth Hyung Choi,Justin Dongjin Choi. Владелец: Viking Sentinel Technology LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Charge screening structure for spike current suppression in a memory array

Номер патента: US11984161B2. Автор: Iniyan Soundappa Elango,Robert Douglas Cassel,Sundaravadivel Rajarajan,Srivatsan Venkatesan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: WO2022126065A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-16.

Capacitive pillar architecture for a memory array

Номер патента: US11729999B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device, method for configuring memory cell in N-bit memory unit, and memory array

Номер патента: US12069970B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Josephson memory array and method of access in the josephson memory array

Номер патента: EP4432284A2. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Three-dimensional memory array and operation scheme

Номер патента: US20140160836A1. Автор: Chung H. Lam,Sangbum Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Structures for word line multiplexing in three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240071465A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Richard E. Fackenthal,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory array including dummy regions

Номер патента: US12040006B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20230282270A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Parallel access in a memory array

Номер патента: US20240274183A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Non-crystalline device memory array

Номер патента: GB1516390A. Автор: . Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1978-07-05.

Memory array connections

Номер патента: US20230410887A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Chun-Ying Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Chieh Lee,Yao-Jen Yang,Rose Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory Array Including Dummy Regions

Номер патента: US20240331754A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Cross point memory array devices

Номер патента: US20110084248A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chun-I Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Memory cell structure, memory array structure, and voltage biasing method

Номер патента: US20230197152A1. Автор: Ming Liu,Jianguo Yang,Xiaoxin Xu,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-06-22.

3D quilt memory array for FeRAM and DRAM

Номер патента: US11790970B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Voltage equalization for pillars of a memory array

Номер патента: US11735255B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Resistive memory array

Номер патента: WO2022111150A1. Автор: Soon-Cheon Seo,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Youngseok Kim,Timothy Mathew Philip,Injo OK. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-02.

Resistive memory array

Номер патента: GB2616573A. Автор: Reznicek Alexander,KIM Youngseok,OK Injo,Lee Choonghyun,Seo Soon-Cheon,Matthew Philip Timothy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Three dimensional double-density memory array

Номер патента: EP4122013A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-01-25.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100208533A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-08-19.

Systems and methods for issuing address and data signals to a memory array

Номер патента: US20100054058A1. Автор: Jason Brown,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Peak current management in a memory array

Номер патента: US20210166770A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Multiple transistor architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US12119056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Peak current management in a memory array

Номер патента: WO2020223474A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-05.

Peak current management in a memory array

Номер патента: EP3963584A1. Автор: Xiaojiang Guo,Michele Piccardi,Kalyan Chakravarthy C. Kavalipurapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Detection system based on modulation of line structured laser image of glass

Номер патента: US09909997B2. Автор: Bin Liu,Yanbing Li. Владелец: Luoyang Landglass Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory arrays and methods of forming memory cells

Номер патента: US09893277B2. Автор: John K. Zahurak,Scott E. Sills,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Three dimensional memory arrays and stitching thereof

Номер патента: US09627438B1. Автор: Bing K. Yen,Kimihiro Satoh. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140273285A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory arrays; methods of forming memory arrays; and methods of forming contacts to bitlines

Номер патента: WO2005117121A2. Автор: Luan C. Tran,Fred D. Fishburn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Memory array with self-aligned epitaxially grown memory elements and annular fet

Номер патента: US20140264510A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US20140273286A1. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Offset Geometries for Area Reduction in Memory Arrays

Номер патента: US20110018035A1. Автор: Theodore W. Houston,Robert R. Garcia. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09871078B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory cells and arrays

Номер патента: US09484536B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Structure and fabrication of memory array with epitaxially grown memory elements and line-space patterns

Номер патента: US09478736B2. Автор: Chung H. Lam,John K. DeBrosse,Janusz J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory arrays and methods of forming memory arrays

Номер патента: US09461246B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12040253B2. Автор: John D. Hopkins,Chet E. Carter,Collin Howder,Alyssa N. SCARBROUGH,Justin D. Shepherdson,Joshua Wolanyk. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12068255B2. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2020209944A1. Автор: George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON,Kunal R. PAREK. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12089403B2. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20200328222A1. Автор: Kunal R. Parekh,George Matamis,Paolo Tessariol,Vinayak Shamanna,M. Jared Barclay,Merri L. Carlson,Saurabh Keshav,Young Joon MOON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory arrays

Номер патента: US09614007B2. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US11177279B2. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200119040A1. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Formation of termination structures in stacked memory arrays

Номер патента: US20200279867A1. Автор: Thomas George,Gordon Haller,Darwin A. Clampitt,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Access circuitry structures for three-dimensional memory array

Номер патента: US20240088044A1. Автор: Taehyun Kim,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: EP1747592A4. Автор: Albert S Weiner. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-04-02.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230320091A1. Автор: John D. Hopkins,Collin Howder,Jeffrey Ehorn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile transistor memory array incorporating read-only elements with single mask set

Номер патента: WO2005104243A1. Автор: Albert S. Weiner. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2005-11-03.

Memory array and method used in forming a memory array

Номер патента: WO2023014463A1. Автор: Pankaj Sharma,Naveen KAUSHIK,Sidhartha Gupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12063783B2. Автор: Yi Hu,Xiaosong Zhang,Tom J. John,Chandra Tiwari,Wei Yeeng Ng. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for preparing memory array with contact enhancement cap

Номер патента: US20230156999A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with control gates protruding portions, and a memory array made thereby

Номер патента: US20020034847A1. Автор: Chih Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Memory arrays

Номер патента: US09881971B2. Автор: Tony M. Lindenberg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three dimensional memory array with select device

Номер патента: US09728584B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09595667B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210384208A1. Автор: John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: EP2891182A1. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220020763A1. Автор: Yongjun Jeff Hu,John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Daniel Billingsley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09673393B2. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: WO2024005806A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US11856793B2. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380159A1. Автор: Zhaohui Ma,John D. Hopkins,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Damir Fazil,Joel D. PETERSON,Tom John. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200381290A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200051849A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Integrated memory, integrated assemblies, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2018128758A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-12.

Memory Structures, Memory Arrays, Methods of Forming Memory Structures and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20130341586A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230380158A1. Автор: John D. Hopkins,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20230307368A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory arrays having confined phase change material structures laterally surrounded with silicon nitride

Номер патента: US9755145B2. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Vertical jfet as used for selective component in a memory array

Номер патента: WO2006029280A1. Автор: Michael A. Vanbuskirk,Colin S. Bill. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory arrays with backside components and angled transistors

Номер патента: US20240008255A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory Arrays and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20170148852A1. Автор: Andrea Redaelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Memory array and method of forming thereof

Номер патента: US20220359612A1. Автор: Huai-Ying Huang,I-Che Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140154861A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240071931A1. Автор: Rita J. Klein,Yongjun Jeff Hu,Daniel Billingsley,Tom George,Pengyuan Zheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: EP4385295A1. Автор: John D. Hopkins,Richard J. Hill,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,M. Jared Barclay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Integrated Circuitry, A Method Used In Forming Integrated Circuitry, And A Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20220005819A1. Автор: Shyam Surthi,Collin Howder,Matthew Thorum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Dielectric materials, capacitors and memory arrays

Номер патента: US12062688B2. Автор: Timothy A. Quick,Matthew N. Rocklein,Sumeet C. Pandey,Richard Beeler,An-Jen B. Cheng. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Block architecture for vertical memory array

Номер патента: US09691820B2. Автор: Jun Sumino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Self-aligned via and plug patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09553018B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Kevin Lin,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Self-aligned via patterning with multi-colored photobuckets for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09406512B2. Автор: Kanwal Jit Singh,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Alan M. Myers. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: EP4248488A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: WO2022109513A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-27.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: EP3050087A1. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-03.

Back end of line nanowire power switch transistors

Номер патента: US11575034B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Wang-Chun Huang,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Electrical passive elements of an ESD power clamp in a backside back end of line (B-BEOL) process

Номер патента: US12087761B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Back End of Line Nanowire Power Switch Transistors

Номер патента: US20210202727A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Wang-Chun Huang,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Electrical passive elements of an esd power clamp in a backside back end of line (b-beol) process

Номер патента: US20240363621A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Back end of line nanowire power switch transistors

Номер патента: US12062714B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Wang-Chun Huang,Li-Yang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Contact strap for memory array

Номер патента: US09842844B2. Автор: Sung Mun Jung,Jianbo Yang,Ling Wu,Kian Hong LIM. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793163B2. Автор: Florian Gstrein,Robert L. Bristol,Charles H. Wallace,Richard E. Schenker,Hui Jae Yoo,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Previous layer self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09793159B2. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09666451B2. Автор: Charles H. Wallace,Paul A. Nyhus. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11817305B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240087987A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Back-end-of-line single damascene top via spacer defined by pillar mandrels

Номер патента: US12094774B2. Автор: Hsueh-Chung Chen,Yongan Xu,Yann Mignot. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Self-aligned back end of line cut

Номер патента: US09679805B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Self-aligned back end of line cut

Номер патента: US09508642B2. Автор: Mark A. Zaleski,Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Hybrid integration of back-end-of-line layers for disaggregated technologies

Номер патента: US20240222274A1. Автор: Wei Gao,Sivakumar Nagarajan,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Praneeth Kumar Akkinepally,Santosh Shaw. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Back-end-of-line integrated metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20200111865A1. Автор: YE Lu,Haitao Cheng,Junjing Bao,Chao Song. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Metal-oxide-metal capacitor from subtractive back-end-of-line scheme

Номер патента: US20210343830A1. Автор: YE Lu,John Jianhong ZHU,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Doping of copper wiring structures in back end of line processing

Номер патента: US9059177B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Wei-Tsu Tseng,Andrew H. Simon,Thomas W. Dyer,Tze-Man Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

Doping of copper wiring structures in back end of line processing

Номер патента: US20140246776A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Wei-Tsu Tseng,Andrew H. Simon,Thomas W. Dyer,Tze-Man Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Crack bifurcation in back-end-of-line

Номер патента: US20200373250A1. Автор: Tuhin Sinha,Naftali Eliahu Lustig. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated circuit system employing back end of line via techniques

Номер патента: SG192318A1. Автор: Fan Zhang,Shaoqing Zhang,Bei Chao Zhang,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2013-08-30.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US20240276738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Diagonal hardmasks for improved overlay in fabricating back end of line (BEOL) interconnects

Номер патента: US09548269B2. Автор: Kanwal Jit Singh,Robert L. Bristol,Alan M. Myers,Jasmeet S. Chawla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method and apparatus for back end of line semiconductor device processing

Номер патента: US09627250B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Back end of line electrical fuse structure and method of fabrication

Номер патента: US20190181091A1. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Methods of post-contact back end of line through-hole via integration

Номер патента: US8187968B2. Автор: Shijian Li,John Boyd,Yezdi Dordi,Fritz Redeker,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2012-05-29.

Methods of post-contact back end of line through-hole via integration

Номер патента: US20100044867A1. Автор: Shijian Li,John Boyd,Yezdi Dordi,Fritz Redeker,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Semiconductor die with interconnect bump design employing repurposed seed layer for forming additional signal paths to back end-of-line (beol) structure, and related integrated circuit (ic) package and fabrication method

Номер патента: EP4406014A1. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Jinying Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Back-end-of-line (beol) interconnects with different airgap heights and metal trace corner protection structures

Номер патента: US20240321631A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Junjing Bao,Biswa Ranjan PANDA,Ramesh MANCHANA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Enhanced Thin Film Field Effect Transistor Integration into Back End of Line

Номер патента: US20120126330A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Methods and devices for back end of line via formation

Номер патента: US09691654B1. Автор: Sunil Kumar Singh,Ravi Prakash Srivastava,Sohan Singh Mehta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Back-end-of-line passive device structure

Номер патента: US11990401B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit system employing back end of line via techniques

Номер патента: US20090294904A1. Автор: Fan Zhang,Shaoqing Zhang,Bei Chao Zhang,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Integrated circuit system employing back end of line via techniques

Номер патента: SG157343A1. Автор: Zhang Fan,Zhang Shaoqing,Chu Shao-Fu Sanford,ZHANG Bei Chao. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-12-29.

Subtractive plug and tab patterning with photobuckets for back end of line (BEOL) spacer-based interconnects

Номер патента: US11854882B2. Автор: Kevin Lin,Robert L. Bristol,Richard E. Schenker. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Dielectric helmet-based approaches for back end of line (BEOL) interconnect fabrication and structures resulting therefrom

Номер патента: US11990403B2. Автор: Richard E. Schenker,Jeffery D. Bielefeld,Manish Chandhok,Rami HOURANI,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Subtractive plug and tab patterning with photobuckets for back end of line (beol) spacer-based interconnects

Номер патента: US20240213095A1. Автор: Kevin Lin,Robert L. Bristol,Richard E. Schenker. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Improved meander delay line with face connection, which protects from ultrashort pulses

Номер патента: RU2724983C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Роман Сергеевич Суровцев,Александр Вячеславович Носов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-29.

Integrated circuit (ic) packages employing front side back-end-of-line (fs-beol) to back side back-end-of-line (bs-beol) stacking for three-dimensional (3d) die stacking, and related fabrication methods

Номер патента: US20220165707A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Bharani Chava. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Two-dimensional pmos devices for providing cmos in back-end layers of integrated circuit devices

Номер патента: US20230411390A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Ashish Verma Penumatcha,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Ande KITAMURA,Carl Hugo Naylor,Rachel A. Steinhardt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Electrical passive elements of an ESD power clamp in a backside back end of line (B-BEOL) process

Номер патента: US11728330B2. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconducting devices, back end of line portions for semiconducting devices, and dielectric materials incorporating deuterium

Номер патента: WO2021026049A1. Автор: James Lloyd,Patrick Lenahan,Niaz Mahmud. Владелец: The Research Foundation for SUNY. Дата публикации: 2021-02-11.

Damascene plug and tab patterning with photobuckets for back end of line (beol) spacer-based interconnects

Номер патента: US20210005511A1. Автор: Kevin Lin,Robert L. Bristol,Richard E. Schenker. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Electrical passive elements of an esd power clamp in a backside back end of line (b-beol) process

Номер патента: US20230326920A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US09577065B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US09484430B2. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory Arrays, Semiconductor Constructions, and Methods of Forming Semiconductor Constructions

Номер патента: US20150014766A1. Автор: Shyam Surthi,Jaydip Guha,Lars P. Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Back-end-of-line integrated metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: EP3864695A1. Автор: YE Lu,Haitao Cheng,Junjing Bao,Chao Song. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Back end of line integration for self-aligned vias

Номер патента: US11916010B2. Автор: Guillaume Bouche,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Back-end-of-line (beol) sidewall metal-insulator-metal (mim) capacitor

Номер патента: WO2021154495A1. Автор: Sinan Goktepeli,Ravi Pramod Kumar Vedula,Farid AZZAZY. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-08-05.

Back-end-of-line selector for memory device

Номер патента: US11997855B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

IC umfassend Back-End-of-Line- (BEOL-) Transistoren mit kristallinem Kanalmaterial

Номер патента: DE102020107035A1. Автор: Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Prashant Majhi,Willy Rachmady,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US12082424B2. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Complementary back end of line (BEOL) capacitor

Номер патента: US9252104B2. Автор: Bin Yang,John J. Zhu,PR Chidambaram,Lixin Ge,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Optimization of bottom electrode for the enhancement of ferroelectric performance in hafnia-based oxide with back-end-of-line (beol) compatible process

Номер патента: WO2024020415A1. Автор: Charlene Chen,Jared Leith McWILLIAMS,Nguyen Minh VU,Mario LAUDATO,Raymond Anthony MECK,Navnidhi Kumar UPADHYAY. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Method and Apparatus for Back End of Line Semiconductor Device Processing

Номер патента: US20200006120A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Chung-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: US20210028274A1. Автор: Takashi Ando,Paul Jamison,John Greg MASSEY,Eduard Cartier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods and structures for back end of line integration

Номер патента: US20150332959A1. Автор: Mark A. Zaleski,Sunil K. Singh,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Contacts for twisted conductive lines within memory arrays

Номер патента: US11791260B2. Автор: Sangmin Hwang,Kyuseok Lee,Byung Yoon KIM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Self-aligned isotropic etch of pre-formed vias and plugs for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: US20180204763A1. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor back end of line (beol) interconnect using multiple materials in a fully self-aligned via (fsav) process

Номер патента: US20200303253A1. Автор: Kaoru Maekawa,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Self-aligned isotropic etch of pre-formed vias and plugs for back end of line (beol) interconnects

Номер патента: US20190148220A1. Автор: Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar,Paul A. Nyhus,Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: GB2600602A. Автор: Ando Takashi,Jamison Paul,Cartier Eduard,Greg Massey John. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Back-end-of-line compatible metal-insulator-metal on-chip decoupling capacitor

Номер патента: WO2021014334A1. Автор: Takashi Ando,Paul Jamison,John Massey,Eduard Cartier. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods and structures for back end of line integration

Номер патента: US20170025347A1. Автор: Mark A. Zaleski,Sunil K. Singh,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Correlated orbitals yield high-mobility, back-end-of-line compatible p-type oxide semiconductor

Номер патента: US20240136178A1. Автор: Darrell G. Schlom,Jiaxin Sun,Jisung Park,Kyle Shen,Christopher Parzyck. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-25.

Image tone reversal by dielectric using bottom-up cross-linking for Back End of Line (BEOL) interconnect

Номер патента: KR20180019079A. Автор: 제임스 엠. 블랙웰,로버트 엘. 브리스톨,라미 호우라니. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2018-02-23.

Self-aligned via and plug patterning for back end of line(beol) interconnects

Номер патента: KR20160061968A. Автор: 찰스 에이치. 월러스,폴 에이. 나이허스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2016-06-01.

Carrier for back end of line processing

Номер патента: US11302563B2. Автор: Hoon Kim,Jin Su Kim,Varun Singh. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-04-12.

Back end of line metallization structure

Номер патента: US10910307B2. Автор: Chih-Chao Yang,Raghuveer R. Patlolla,Cornelius Brown Peethala,James J. Kelly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

Method of forming a through-silicon via utilizing a metal contact pad in a back-end-of-line wiring level to fill the through-silicon via

Номер патента: US20140342552A1. Автор: Mukta G. Farooq,Troy L. Graves-Abe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming a through-silicon via utilizing a metal contact pad in a back-end-of-line wiring level to fill the through-silicon via

Номер патента: US20140227870A1. Автор: Mukta G. Farooq,Troy L. Graves-Abe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Back-end-of-line 2d transistor

Номер патента: US20240006521A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor die employing repurposed seed layer for forming additional signal paths to back end-of-line (BEOL) structure, and related integrated circuit (IC) packages and fabrication methods

Номер патента: US11817406B2. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Jinying Sun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Back-end-of-line 2d memory cell

Номер патента: US20240008290A1. Автор: Uygar E. Avci,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Ashish Verma Penumatcha,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Back-end-of-line vertical-transport transistor

Номер патента: US20230299205A1. Автор: Chen Zhang,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Back-end-of-line passive device structure

Номер патента: US20230386996A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Chen-Chiu Huang,Yuan-Yang HSIAO,Tsung-Chieh Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit die having back-end-of-line transistors

Номер патента: US20190131437A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Rafael Rios,Gilbert William Dewey,Van Hoang Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Enhanced thin film field effect transistor integration into back end of line

Номер патента: US8617939B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Far back end of the line stack encapsulation

Номер патента: US20140151898A1. Автор: Tymon Barwicz,Robert L. Bruce,Swetha Kamlapurkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Far back end of the line stack encapsulation

Номер патента: US20140151894A1. Автор: Tymon Barwicz,Robert L. Bruce,Swetha Kamlapurkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Front-end-of-line (FEOL) through semiconductor-on-substrate via (TSV)

Номер патента: US12046537B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yun-Hsiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Front-end-of-line (feol) through semiconductor-on-substrate via (tsv)

Номер патента: US20220359346A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yun-Hsiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US12107050B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Airgap isolation for back-end-of-the-line semiconductor interconnect structure with top via

Номер патента: US12125790B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Front-end-of-line (feol) through semiconductor-on-substrate via (tsv)

Номер патента: US20240355711A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yun-Hsiang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of creating a maskless air gap in back end interconnects with double self-aligned vias

Номер патента: US20150001724A1. Автор: Florian Gstrein,Hui Jae Yoo,Manish Chandhok,Yan A. Borodovsky,Kevin L. Lin,David N. Shykind. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-01.

Back end of the line metal structure and method

Номер патента: US20210118796A1. Автор: Dirk Breuer,Oliver M. Witnik,Carla Byloos,Holger S. Schuehrer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Integrated circuit line with electromigration barriers

Номер патента: US8211776B2. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Memory array including epitaxial source lines and bit lines

Номер патента: US11974441B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US20140120666A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US20150255574A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US20150255541A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Back-end transistors with highly doped low-temperature contacts

Номер патента: US20140117368A1. Автор: Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Wilfried E. Haensch,Bahman Hekmatshoar-Tabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Access line formation for a memory array

Номер патента: US20210043685A1. Автор: Andrea Redaelli,Anna Maria Conti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

3D Semiconductor Package Including Memory Array

Номер патента: US20210407980A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Vertical memory devices, memory arrays, and memory devices

Номер патента: US09559201B2. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US09559104B2. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Self aligned method of forming a semiconductor memory array of floating gate memory cells with buried floating gate, pointed floating gate and pointed channel region, and a memory array made thereby

Номер патента: US20040197996A1. Автор: Bomy Chen,Dana Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20190198509A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09812455B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods of forming memory arrays

Номер патента: US09646875B2. Автор: Sara Vigano,Niccolo Righetti,Emelio Camerlenghi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Array of conductive vias, methods of forming a memory array, and methods of forming conductive vias

Номер патента: US09589962B2. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Crosspoint Phase Change Memory with Crystallized Silicon Diode Access Device

Номер патента: US20210050384A1. Автор: Wanki Kim,Bahman Hekmatshoartabari,Matthew J. BrightSky,Asit Ray,Fabio Carta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Integrated circuit line with electromigration barriers

Номер патента: US20120175775A1. Автор: Shom Ponoth,Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,David V. Horak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Memory Array And Method Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240244840A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory arrays and methods used in forming a memory array

Номер патента: WO2020112256A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Yoshiaki Fukuzumi,Paolo Tessariol,M. Jared Barclay. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A3. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: Fred Tk Cheung. Дата публикации: 2004-10-28.

Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole formation

Номер патента: GB2415091B. Автор: Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-04-05.

Memory Arrays Comprising Vertically-Alternating Tiers Of Insulative Material And Memory Cells And Methods Of Forming A Memory Array Comprising Memory Cells Individually Comprising A Transistor And A Capacitor

Номер патента: US20240298451A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11737278B2. Автор: Chet E. Carter,Collin Howder. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12096633B2. Автор: Rita J. Klein,Jordan D. GREENLEE,Indra V. Chary,Daniel Billingsley. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Middle-of-line (MOL) manufactured integrated circuits (ICs) employing local interconnects of metal lines using an elongated via, and related methods

Номер патента: US09620454B2. Автор: Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Three dimensional memory array architecture

Номер патента: US09444046B2. Автор: Federico Pio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US11862569B2. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: US20240136295A1. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Double-sided embedded memory array

Номер патента: US20240099035A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Ailian Zhao,Wu-Chang Tsai. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Front end of line interconnect structures and associated systems and methods

Номер патента: WO2022046482A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20210057441A1. Автор: Haitao Liu,JIAN Li,Lifang Xu,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Memory Arrays

Номер патента: US20190198520A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Charge-trapping memory arrays

Номер патента: WO2004079824A2. Автор: Mark T. Ramsbey,Tazrien Kamal,Hidehiko Shiraiwa,Fred Tk Cheung. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2004-09-16.

Memory array with salicide isolation

Номер патента: US20020182797A1. Автор: Ming-Hung Chou,Chong-Jen Huang,Hsin-Huei Chen,Jui-Lin Lu,Shou-Wei Hwang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of controlling oxide thinning in an eprom or flash memory array

Номер патента: WO1995012213A1. Автор: Albert Bergemont,Graham R. Wolstenholme. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-05-04.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors formed with an oxide semiconductor channel

Номер патента: US20240114689A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US11950422B2. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Top-interconnection metal lines for a memory array device and methods for forming the same

Номер патента: US20230329123A1. Автор: Qiang Fu,Chung-Te Lin,Yu-Feng Yin,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Process for forming a vertical thin-film transistor that serves as a connector to a bit-line of a 3-dimensional memory array

Номер патента: US11910612B2. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Array Of Conductive Vias, Methods Of Forming A Memory Array, And Methods Of Forming Conductive Vias

Номер патента: US20160336325A1. Автор: Wolfgang Mueller,Sanh D. Tang,Brent Gilgen,Dylan R. MACMASTER,Jim A. Jozwiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-17.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: EP4010923A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-15.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2021041026A1. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: WO2021025748A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: MICRON tECHNOLOGY , iNC.. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20200075630A1. Автор: Jie Li,Changhan Kim,Chet E. Carter,Collin Howder,Richard J. Hill,Cole Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Integrated Memory, Integrated Assemblies, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20180269283A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11792991B2. Автор: JIAN Li,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Ryan L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory array with buried bitlines below vertical field effect transistors of memory cells and a method of forming the memory array

Номер патента: US20190035791A1. Автор: Hui Zang,Jerome Ciavatti,Rinus Tek Po Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20230041396A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: EP3711093A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Memory cells, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: WO2019133219A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: EP3925004A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2021-12-22.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2020167658A4. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: SUNRISE MEMORY CORPORATION. Дата публикации: 2020-11-05.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240179919A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical thin-film transistor and application as bit-line connector for 3-dimensional memory arrays

Номер патента: US20220293623A1. Автор: Jie Zhou,Scott Brad Herner,Wu-Yi Henry Chien,Eli Harari,Tianhong Yan. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells And Operative Through-Array-Vias

Номер патента: US20210043644A1. Автор: JIAN Li,Yi Hu,Lifang Xu,David Daycock,Harsh Narendrakumar Jain,Brett D. Lowe,Matthew J. King,Indra V. Chary,Anilkumar Chandolu,Prakash Rau Mokhna Rau,Merri L. Carlson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20210118892A1. Автор: Changhan Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells and operative through-array-vias

Номер патента: US12010836B2. Автор: David Daycock,Prakash Rau Mokhna Rau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated circuit devices and methods of forming memory array and peripheral circuitry isolation

Номер патента: US20130249050A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Mask read-only memory array, memory device, and fabrication method thereof

Номер патента: US20160293614A1. Автор: Chao Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Integrated Circuit Devices And Methods Of Forming Memory Array And Peripheral Circuitry Isolation

Номер патента: US20130087883A1. Автор: Jie Sun,Zhaoli Sun,H. Jim Fulford,James Mathew,Yunjun Ho,Brett D. Lowe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of Forming A Self-Aligned Stack Gate Structure For Use In A Non-volatile Memory Array

Номер патента: US20160225878A1. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor Constructions and Memory Arrays

Номер патента: US20140319447A1. Автор: Andrea Redaelli,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of forming a self-aligned stack gate structure for use in a non-volatile memory array

Номер патента: US9570581B2. Автор: Stephan Wege,Nhan Do,Xian Liu,Willem-Jan Toren,Gerhard Metzger-Brueckl,Mandana TADAYONI,Yueh-hsin CHEN,Nadia Miridi,Cecile Bernardi,Liz Cuevas,Florence Guyot,Henry Om'mani,Chieng-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory arrays comprising operative channel-material strings and dummy pillars

Номер патента: US20240321727A1. Автор: JIAN Li,Vladimir Machkaoutsan,Emilio Camerlenghi,Justin B. Dorhout,Paolo Tessariol,Pieter Blomme,Ryan L. Meyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming a portion of a memory array having a conductor having a variable concentration of germanium

Номер патента: US09953842B2. Автор: Randy J. Koval. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory arrays

Номер патента: US09929233B2. Автор: Zailong Bian,Janos Fucsko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory arrays

Номер патента: US09875960B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory arrays comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US09847337B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory arrays

Номер патента: US09773728B1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Monolithic three dimensional memory arrays formed using sacrificial polysilicon pillars

Номер патента: US09646880B1. Автор: Seje TAKAKI,Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Determining a resistance state of a cell in a crossbar memory array

Номер патента: US09911491B2. Автор: Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of determining short-short location in overhead power line with distributed parameters

Номер патента: RU2620193C1. Автор: Степан Георгиевич Тигунцев. Владелец: Степан Георгиевич Тигунцев. Дата публикации: 2017-05-23.

Back end of line process integrated optical device fabrication

Номер патента: US09851506B2. Автор: Michael J. Hochberg,Ari Jason NOVACK,Ruizhi Shi,Thomas Wetteland BAEHR-JONES. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Two-bit non-volatile flash memory array

Номер патента: US20110002166A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-06.

Sensing circuit for resistive memory array

Номер патента: US09761309B2. Автор: Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-09-12.

Stacked edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonic chip

Номер патента: US20230314708A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Stacked edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonic chip

Номер патента: US11947168B2. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Gestapelte Kantenkoppler im Back-End-of-Line-Stapel eines photonischen Chips

Номер патента: DE102023105243A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Dqs for data from a memory array

Номер патента: WO2006042643A1. Автор: Jung Pill Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-27.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

A method and a device for testing a memory array in which fault response is compresed

Номер патента: WO2001008161A3. Автор: Guillaume E A Lousberg,Paul Wielage,Erik J Marinissen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2001-03-22.

Method and lithographic structure for measuring lengths of lines and spaces

Номер патента: US20050250025A1. Автор: Yuji Yamaguchi. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of providing fuel to fuel line when diagnosing vehicle in end-of-line process

Номер патента: WO2014005976A1. Автор: SeongMo PARK. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of determining short circuit location on overhead transmission line with lightning protection cable by measurements from two ends of line considering difference in longitudinal and transverse phase and interphase parameters of line

Номер патента: RU2605558C1. Автор: Степан Георгиевич Тигунцев. Владелец: Степан Георгиевич Тигунцев. Дата публикации: 2016-12-20.

Edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonic chip having a sealed cavity

Номер патента: US11789208B1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonic chip having a sealed cavity

Номер патента: US20230324618A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Metamaterial edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonics chip

Номер патента: US11934008B2. Автор: Yusheng Bian,Roderick A. Augur,Kenneth J. Giewont,Karen Nummy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Kantenkoppler im back-end-of-line-stapel eines photonikchips

Номер патента: DE102021132231A1. Автор: Yusheng Bian,Roderick A. Augur,Kenneth J. Giewont,Karen Nummy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Edge couplers in the back-end-of-line stack of a photonic chip having a sealed cavity

Номер патента: EP4261576A1. Автор: Yusheng Bian. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory array arranged in banks and sectorsand associated decoders

Номер патента: WO2007053267A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-05-10.

Apparatus and method for detection and adaption to an end-of-line resistor and for ground fault localization

Номер патента: US09880214B2. Автор: Donald M. Boettger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Techniques for accessing a dynamic random access memory array

Номер патента: US09472249B2. Автор: Andre Schaefer,Pei-Wen Luo,Jen-Chieh Yeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Electrical fuse memory arrays

Номер патента: US20120057423A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Po-Hung Chen,Kuoyuan (Peter) Hsu,Sung-Chieh Lin,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-03-08.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

A crystal holder, particularly for use in connection with crystal analysis x-ray apparatus

Номер патента: GB740517A. Автор: . Владелец: Philips Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1955-11-16.

Apparatus for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20040218412A1. Автор: Michael Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-04.

Method for writing data bits to a memory array

Номер патента: US20030137891A1. Автор: Michael Christian Fischer. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-24.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240321349A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

2D/3D NAND memory array with bit-line hierarchical structure for multi-page concurrent SLC/MLC program and program-verify

Номер патента: US09613704B2. Автор: Peter Wung Lee. Владелец: Aplus Flash Technology, Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Back-end-of-line edge couplers with a tapered grating

Номер патента: US20230367067A1. Автор: Yusheng Bian,Rod Augur. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

테이퍼형 격자를 갖는 beol(back-end-of-line) 에지 커플러들

Номер патента: KR20230158396A. Автор: 로드 오거,위성 비안. Владелец: 글로벌파운드리즈 유.에스. 인크.. Дата публикации: 2023-11-20.

Back-end-of-Line-Kantenkoppler mit einem verjüngten Gitter

Номер патента: DE102023108258A1. Автор: Yusheng Bian,Rod Augur. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

A Broadband Antenna Composed of Lines and Its Application

Номер патента: US20210344108A1. Автор: Shunming Yuen,Wai Yin Mung,Ka Ming Wu. Владелец: Innovation Sound Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Adjusting bit-line discharge time in memory arrays based on characterized word-line delay and gate delay

Номер патента: US20140071775A1. Автор: Donald Albert Evans,Bijan Kumar Ghosh,Rasoju Veerabadra Chary,Richard John Stephani,Ronald Brian Steele. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

End-of-life reliability for non-volatile memory cells

Номер патента: US09543017B2. Автор: Alexander Kushnarenko,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Modified microstrip line with improved protection against ultrashort pulses

Номер патента: RU2728327C1. Автор: Тальгат Рашитович Газизов,Мария Самойличенко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-07-29.

Method of determining the short circuit spot on multi-chain with earth-wires, grounded at anchor supports, three-phase electric transmission air-line with distributed parameters

Номер патента: RU2615150C1. Автор: Степан Георгиевич Тигунцев. Владелец: Степан Георгиевич Тигунцев. Дата публикации: 2017-04-04.

Connection device for pipe or hose lines with indication of mounting position

Номер патента: RU2573073C2. Автор: Оливер НАЙСКЕ. Владелец: Паркер Ханнифин Мэньюфэкчеринг Джемени Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-01-20.

Method and apparatus using mapped redundancy to perform multiple large block memory array repair

Номер патента: US5495447A. Автор: Hamid Partovi,Steven W. Butler. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Non-volatile memory array architecture

Номер патента: US5801994A. Автор: Guy S. Yuen,Shang-De Ted Chang,Chinh D. Nguyen. Владелец: Programmable Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Integrated circuit memory array with fast test mode utilizing multiple word line selection and method therefor

Номер патента: US6768685B1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2004-07-27.

DQS for data from a memory array

Номер патента: US20060083082A1. Автор: Jung Kim,Alessandro Minzoni. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Compute-in-memory array multi-range temperature compensation

Номер патента: US11955193B1. Автор: Brandon David Rumberg,Steven Andryzcik. Владелец: Aspinity Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: EP3268967A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Method of forming a tunnel structure for a magnetic plated-wire memory array

Номер патента: US3813768A. Автор: L Prohofsky. Владелец: Sperry Rand Corp. Дата публикации: 1974-06-04.

Separately addressable memory arrays in a multiple array semiconductor chip

Номер патента: US4636986A. Автор: Raymond Pinkham. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1987-01-13.

Apparatus and method for testing a memory array

Номер патента: US5663965A. Автор: Edward Michael Seymour. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-09-02.

Temperature compensation of conductive bridge memory arrays

Номер патента: US20140226393A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,George Samachisa. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2014-08-14.

Diagnostic testing for a double-pumped memory array

Номер патента: US20140149818A1. Автор: Chad A. Adams,Elizabeth L. Gerhard,Derick G. Behrends,Jesse D. Smith,Todd A. Christensen,Michael W. Harper. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Write driver circuits for resistive random access memory arrays

Номер патента: WO2016144609A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Modifiable repair solutions for a memory array

Номер патента: US20210407615A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Jonathan D. Harms,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory array for compute-in-memory and the operating method thereof

Номер патента: US20240153552A1. Автор: Wei-Zen Chen,Li-Kai Chen,Shyh-Jye Jou,Tian-sheuan Chang,Shu-Hung Kuo,Shih-Hang Kao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus to suppress concurrent read and write word line access of the same memory element in a memory array

Номер патента: US20140177346A1. Автор: Greg M. Hess,Hitesh Gupta,Aravind Kandala. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Method and apparatus for testing memory arrays

Номер патента: US20030007393A1. Автор: Robert Barry,Steven Eustis,Peter Croce. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Memory array driver

Номер патента: US09972385B2. Автор: Brent Buchanan,Phillip David Misek. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of determining short circuit location on overhead transmission line by measurements from two ends of line considering difference in longitudinal and transverse phase and interphase parameters of line

Номер патента: RU2605491C1. Автор: Степан Георгиевич Тигунцев. Владелец: Степан Георгиевич Тигунцев. Дата публикации: 2016-12-20.

Non-volatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi-level cells within the same memory

Номер патента: US20090113115A1. Автор: Hagop Nazarian,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Memory Array Having Word Lines with Folded Architecture

Номер патента: US20130044550A1. Автор: Chulmin Jung,Myron Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled keepers

Номер патента: US20140119102A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-05-01.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: WO2014070702A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-05-08.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method and system for defining a redundancy window around a particular column in a memory array

Номер патента: EP1568045A1. Автор: Pau-Ling Chen,Binh Quang Le. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-08-31.

Multi-bank memory array architecture utilizing topologically non-uniform blocks of sub-arrays and input/output assignments in an integrated circuit memory device

Номер патента: US20040095796A1. Автор: John Heightley,Jon Faue. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20070025169A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-01.

Method and apparatus for reducing the number of programmed bits in a memory array

Номер патента: US20030046481A1. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US12131779B2. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Mitigating parasitic current while programming a floating gate memory array

Номер патента: US09472288B2. Автор: Daryl E. Anderson,James Michael Gardner,Eric T. Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory array and method of operating the same

Номер патента: US09406373B2. Автор: Bing Wang,Young Suk Kim,Kuoyuan (Peter) Hsu,Jacklyn CHANG,Derek C. Tao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Self-adjusting regulation current for memory array source line

Номер патента: US09368224B2. Автор: Jongmin Park,Jonathan Huynh,Steve Choi,Sung-En Wang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-06-14.

Meander microstrip line with two passive conductors, protecting against ultrashort pulses

Номер патента: RU2769104C1. Автор: Роман Сергеевич Суровцев,Александр Вячеславович Носов,Константин Петрович Малыгин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2022-03-28.

Gate/source disturb protection for sixteen-bit flash EEPROM memory arrays

Номер патента: US5317535A. Автор: Sanjay S. Talreja,Jahanshir J. Javanifard,Duane Mills,Sachidanandan Sambandan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-05-31.

Dual power supply memory array with dynamic selection of the lowest voltage

Номер патента: GB2497180B. Автор: Harold Pilo,George Maria Braceras,Kirk David Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-13.

X-and-or memory array

Номер патента: CA1202724A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-04-01.

Adaptive bias decoder to provide a voltage to a control gate line in an analog neural memory array in artificial neural network

Номер патента: US11875852B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Mark REITEN,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Overhead power distribution line with lightning protection

Номер патента: CA3080416A1. Автор: JIANG FANG,Bin Ma,Qing Huang,Jie Yu,Dequan Li. Владелец: Jiangsu Shemar Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Three-state spintronic device, memory cell, memory array and read-write circuit

Номер патента: US20240071451A1. Автор: LING Li,Cheng Lu,Ming Liu,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING,Peiwen ZHANG,Zuheng WU. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: EP2630643A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2013-08-28.

Systems and Methods to Reduce the Impact of Short Bits in Phase Change Memory Arrays

Номер патента: US20220319629A1. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Reduced standby power memory array and method

Номер патента: US20020080676A1. Автор: David Scott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Mimicking multi-voltage domain wordline decoding logic for a memory array

Номер патента: WO2013109680A1. Автор: Chiaming Chai,Jeffrey Herbert Fischer,Shaoping Ge,Stephen E. Liles,Lam V. Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-07-25.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

Systems and methods to reduce the impact of short bits in phase change memory arrays

Номер патента: US11557369B2. Автор: PENG Zhao,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Gate drive voltage boost schemes for memory array ii

Номер патента: EP2467853A1. Автор: Hsu Kai Yang. Владелец: MagIC Technologies Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Mixed-use memory array and method for use therewith

Номер патента: WO2008016419A3. Автор: Roy E Scheuerlein. Владелец: Roy E Scheuerlein. Дата публикации: 2008-05-22.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A2. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2005-03-17.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US12100473B2. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

A parallel asynchronous propagation pipeline structure to access multiple memory arrays

Номер патента: WO2005024833A3. Автор: Chao-Wu Chen. Владелец: Chao-Wu Chen. Дата публикации: 2006-06-08.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09875815B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Methods for providing redundancy in a memory array comprising mapping portions of data associated with a defective address

Номер патента: US09779839B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Luigi Pilolli,Maria-Luisa Gallese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Fast memory array repair using local correlated electron switch (CES) memory cells

Номер патента: US09767924B1. Автор: Mudit Bhargava,Joel Thornton Irby. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

System for repair of lining of cooling pond

Номер патента: RU2751544C1. Автор: Николай Павлович Разыграев,Александр Федорович Батанов,Юрий Сергеевич Волобуев,Сергей Федорович Трух,Дмитрий Валерьевич Воробьев,Святослав Иванович Чертов,Антон Павлович Башлай,Илья Геннадьевич Лаверычев,Дмитрий Владимирович Шубняков,Сергей Михайлович Горохов,Иван Васильевич Макаров,Кирилл Алексеевич Труханов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторско-технологическое бюро прикладной робототехники" (ООО "СКТБ ПР"). Дата публикации: 2021-07-14.

X-and-OR memory array

Номер патента: US4602354A. Автор: Donald G. Craycraft,Giao N. Pham. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-07-22.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

System for implementing write, initialization, and reset in a memory array using a single cell write port

Номер патента: US5802003A. Автор: Frank Ray Keyser, III,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-09-01.

Semiconductor memory array partitioned into memory blocks and sub-blocks and method of addressing

Номер патента: US6026021A. Автор: Loc B. Hoang. Владелец: Winbond Electronics Corp America. Дата публикации: 2000-02-15.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US20230352111A1. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US11776636B2. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US20230223089A1. Автор: Lih-Wei Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Apparatuses and methods for driving data lines in memory arrays

Номер патента: US11887659B2. Автор: Minari Arai,Yuhei Takahashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance

Номер патента: US20110242877A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Test method for self-refresh frequency of memory array and memory array test device

Номер патента: US20220270704A1. Автор: Tianchen LU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: WO2008016948A3. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: Luca G Fasoli. Дата публикации: 2009-01-08.

Memory array device and method for reducing read current of the same

Номер патента: US20140085986A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US20170372795A1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory array detection circuit and detection method, and memory

Номер патента: US12014788B2. Автор: Onegyun Na,Weijie Cheng,Liuyan HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory control circuit and refresh method for dynamic random access memory array

Номер патента: US20240087635A1. Автор: Shu-Wei Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Transmission line with stripped semi-rigid cable

Номер патента: WO2006019593A3. Автор: John S Greeley. Владелец: John S Greeley. Дата публикации: 2007-03-15.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-08.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: US20030062556A1. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-03.

Memory array employing integral isolation transistors

Номер патента: WO2003030176A3. Автор: Alfred Schuetz,Hartmud Terletzki,Selwyn Rhys Weaver. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-31.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: US20210183440A1. Автор: Hongmei Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Content addressable memory array with an invalidate feature

Номер патента: US20100002484A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Transmission line with stripped semi-rigid cable

Номер патента: WO2006019593A2. Автор: John S. Greeley. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2006-02-23.

Discharge current mitigation in a memory array

Номер патента: EP4078590A1. Автор: Andrea Ghetti,Hongmei Wang,Jin Seung SON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-26.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Memory array with ram and embedded rom

Номер патента: US20160035433A1. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-04.

Compact integrated circuit with memory array

Номер патента: US20030099146A1. Автор: Chin-Hsi Lin,Ful-Long Ni,Chun-Li Chen,Meng-Chu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Memory array using mechanical switch and method for operating thereof

Номер патента: US20090021972A1. Автор: Jun-Bo Yoon,Weon-Wi Jang,Jeong-Oen Lee. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2009-01-22.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Voltage generator for memory array

Номер патента: US20100246282A1. Автор: Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Structures and methods for enhancing erase uniformity in a nitride read-only memory array

Номер патента: US20070211540A1. Автор: Han Chen,Ken Chen,Chun HUNG,Ching Chung Lin,Wen Hsieh,Nai Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory array

Номер патента: US20230268000A1. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Method for operating memory array

Номер патента: US09978457B1. Автор: Yung-Hsiang Chen,Yao-Wen Chang,I-Chen Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory array with RAM and embedded ROM

Номер патента: US09691495B2. Автор: Shayan Zhang,Scott I. Remington,Jianan Yang. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Modular cell for a memory array, the modular cell including a memory circuit and a read circuit

Номер патента: US09502110B1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-11-22.

Electrically and optically accessible memory array

Номер патента: GB1328283A. Автор: . Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-08-30.

Method of and apparatus for sharing redundancy circuits between memory arrays within a semiconductor memory device

Номер патента: US6208569B1. Автор: Vipul Patel,Daniel F. McLaughlin,Terry T. Tsai. Владелец: GENESIS SEMICONDUCTOR Inc. Дата публикации: 2001-03-27.

Integrated circuit device having a memory array with segmented bit lines and method of operation

Номер патента: US6023428A. Автор: Hiep Van Tran. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-02-08.

Sense line capacitive balancing in word-organised memory arrays

Номер патента: GB1048466A. Автор: . Владелец: Standard Telephone and Cables PLC. Дата публикации: 1966-11-16.

Automatically testing a plurality of memory arrays on selected memory array testers

Номер патента: US4606025A. Автор: Robert M. Peters,Henri D. Schnurmann,Louis J. Vidunas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-08-12.

Quasi-static MOS memory array with standby operation

Номер патента: US4120047A. Автор: Andrew G. Varadi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-10-10.

Method and device for testing memory array structure, and storage medium

Номер патента: US11823756B2. Автор: Maosong MA,Jianbin Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A3. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Clint Wayne Mumford. Дата публикации: 2007-11-29.

Shared decoder architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US11967372B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

End-of-line box processing onboard autonomous mobile robots

Номер патента: WO2024073621A1. Автор: Bruno Lespinasse,Saar DAVIDI. Владелец: RANPAK CORP.. Дата публикации: 2024-04-04.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080019202A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-01-24.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca G. Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-05-27.

Method and apparatus for dual data-dependent busses for coupling read/write circuits to a memory array

Номер патента: EP2062263A4. Автор: Roy E Scheuerlein,Luca G Fasoli. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2009-08-12.

Memory array with a delayed wordline boost

Номер патента: US20080037346A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: EP1989713A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-11-12.

At-speed multi-port memory array test method and apparatus

Номер патента: WO2007103745A2. Автор: Anand Krishnamurthy,Sanjay B. Patel,Lakshmikant Mamileti,Clint Wayne Mumford. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Non-volatile memory array leakage detection

Номер патента: US20210398602A1. Автор: Sridhar Yadala,Pradeep Anantula,Aswani Krishna Lakshminarayana Addagalla,Sivakumar Grandhi,V.S.N.K.Chaitanya G. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-23.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: EP2076904B1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: WO2008045966A2. Автор: Jentsung Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-17.

Method and apparatus for simultaneously accessing a plurality of memory cells in a memory array to perform a read operation and/or a write operation

Номер патента: US20140204682A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Macro and command execution from memory array

Номер патента: US20120110375A1. Автор: Benjamin Louie,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for relaying data to memory array

Номер патента: US20120307570A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Scalable Interface for a Memory Array

Номер патента: US20090177813A1. Автор: Gene Leung,Wayne M. Barrett,Todd A. Greenfield. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Dynamic word line drivers and decoders for memory arrays

Номер патента: US20080084778A1. Автор: Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Data structure of defective address information and defective address information encoding method for memory array

Номер патента: US20160104545A1. Автор: Jen-Chien Fu,Shih-Jia Zeng. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Memory array voltage source controller for retention and write assist

Номер патента: US20140169075A1. Автор: Ajay Bhatia,Hang HUANG. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory array

Номер патента: US12009031B2. Автор: Ning Wang,Kegang Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Shaping of line ends

Номер патента: US09744632B2. Автор: Carmelo Messina,Walter Knuchel,Cyrill Camenzind. Владелец: SCHLEUNIGER HOLDING AG. Дата публикации: 2017-08-29.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: CA2341706A1. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-03-23.

Flash memory array with internal refresh

Номер патента: WO2000016338A9. Автор: Anil Gupta,Steve Schumann. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2000-08-17.

Memory array with a simultaneous read or simultaneous write ports

Номер патента: US6104663A. Автор: Adam Kablanian. Владелец: Virage Logic Corp. Дата публикации: 2000-08-15.

Serial core memory array

Номер патента: CA1069210A. Автор: Morris O. Stein,J. Fred Rathjen,Peter A. Jager. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-01-01.

Memory array biasing circuit for high speed CMOS device

Номер патента: US4636983A. Автор: Kenneth E. Young,Bruce L. Bateman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-01-13.

Device and method having a memory array storing each bit in multiple memory cells

Номер патента: US7558102B2. Автор: Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Write once/read only semiconductor memory array

Номер патента: US3668655A. Автор: Charles A Allen. Владелец: Cogar Corp. Дата публикации: 1972-06-06.

Contemporaneous Margin Verification And Memory Access For Memory Cells In Cross-Point Memory Arrays

Номер патента: US20110267871A1. Автор: Christophe Chevallier,Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method, system, and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20070153575A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: WO2023249738A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20200335147A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Cell bottom node reset in a memory array

Номер патента: US20190051343A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Cell bottom node reset in memory array

Номер патента: US20190311757A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US11887687B2. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Computer memory arrays employing memory banks and integrated serializer/de-serializer circuits for supporting serialization/de-serialization of read/write data in burst read/write modes, and related methods

Номер патента: US20230420017A1. Автор: Pramod Kolar,Stephen E. Liles,Ashish A. BAIT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory test circuit, memory array, and testing method of memory array

Номер патента: US20240079080A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

One time programmable (otp) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US20230124460A1. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

3D memory array clusters and resulting memory architecture

Номер патента: US11763872B2. Автор: Bruce L. Bateman. Владелец: TC Lab Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

End-of-life reliability for non-volatile memory cells

Номер патента: US20130242669A1. Автор: Alexander Kushnarenko,Ilan Bloom. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2013-09-19.

System and Method for Memory Array Decoding

Номер патента: US20110305095A1. Автор: Pantas Sutardja,Winston Lee. Владелец: Winston Lee. Дата публикации: 2011-12-15.

Method, system and circuit for operating a non-volatile memory array

Номер патента: US20080180999A1. Автор: Guy Cohen. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Low voltage low capacitance flash memory array

Номер патента: US20080080247A1. Автор: Shang-De Chang. Владелец: Chingis Technology Corp USA. Дата публикации: 2008-04-03.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: AU2002311936A1. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-12-09.

Memory array with compensated word line access delay

Номер патента: US20240071431A1. Автор: John D. Porter,Si Hong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Global responder signal circuitry for memory arrays

Номер патента: US20230317165A1. Автор: Eli Ehrman,Avidan Akerib. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Reference cell architectures for small memory array block activation

Номер патента: WO2012054082A1. Автор: Toshio Sunaga,Perng-Fei Yuh,Chao-Hung Chang,Lejan Pu. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Memory array programming circuit and a method for using the circuit

Номер патента: US20040153621A1. Автор: Yan Polansky,Avi Lavan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-05.

Techniques to improve a read operation to a memory array

Номер патента: US20210098034A1. Автор: Davide Mantegazza. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

One time programmable (OTP) memory array and read and write method thereof

Номер патента: US11990193B2. Автор: Jack Zezhong Peng,Junhua Mao. Владелец: Chengdu Kiloway Electronics Co ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory array architecture supporting block write operation

Номер патента: US20010056519A1. Автор: Hua Zheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Combining ram and rom into a single memory array

Номер патента: US20020089873A1. Автор: Spencer Gold,Marc Lamere. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Circuit for accessing a chalcogenide memory array

Номер патента: EP1733398A4. Автор: BIN Li,David C Lawson,Kenneth R Knowles. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Systems and methods for Stretching Clock Cycles in the Internal Clock Signal of a Memory Array Macro

Номер патента: US20100302896A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory array, and method for reading, programming and erasing memory array

Номер патента: US20180061502A1. Автор: Yao Zhou,Hao Ni,Tian Shen TANG,Jia Xu PENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: EP1409237A2. Автор: John.H Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-04-21.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: US20020176280A1. Автор: John Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Dual-cell soft programming for virtual-ground memory arrays

Номер патента: WO2002096632A2. Автор: John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2002-12-05.

Dummy read to prevent crowbar current during read-write collisions in memory arrays with crosscoupled bitline keepers

Номер патента: EP2891153A1. Автор: David Paul Hoff,Manish Garg,Harish Shankar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-08.

Method of refreshing memory array, driving circuit and display

Номер патента: US20150116306A1. Автор: Tsun-Sen Lin,Chung-Hsin Su. Владелец: SITRONIX TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-04-30.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Test method for screening local bit-line defects in a memory array

Номер патента: US20120263002A1. Автор: Yin Chin Huang,Chu Pang Huang,Yi Fang Chang,Cheng Chi Liu,Chang Chan Yang,Min Kuang Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Display device with a light shutter front end unit and gas discharge back end unit

Номер патента: WO1994009474A1. Автор: Yu Feng,Chao Zhang,Shichao Ge,Jemm Y. Liang,Hsi-Sheng Chen. Владелец: Panocorp Display Systems. Дата публикации: 1994-04-28.

Bias temperature instability correction in memory arrays

Номер патента: WO2023027903A1. Автор: Christophe J. Chevallier,Siddarth Krishnan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Method for writing data to memory array

Номер патента: US20110085392A1. Автор: Phat Truong,Tien Dinh LE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-14.

Memory array with multiplexed select lines

Номер патента: US20210304804A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device comprising source switch to float source line of unselected memory cell block, memory array and program method using the same

Номер патента: US12046288B2. Автор: Pil-Sang Ryoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Level shifter for use with memory arrays

Номер патента: US20120033508A1. Автор: Chad A. Adams,Sharon H. Cesky,Elizabeth L. Gerhard,Jeffrey M. Scherer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: US11776625B2. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

System and method for providing an improved common control bus for use in on-line insertion of line replaceable units in wireless and wireline access systems

Номер патента: WO2002057925A3. Автор: Paul F Struhsaker,Gregory L Mcgee,James S Denton. Владелец: Raze Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Method and apparatus for programming a memory array

Номер патента: EP1894208A1. Автор: Feng Li,Xiaoyu Yang,Bendik Kleveland,Tae Hee Lee,Chia Yang,Seung Geon Yu. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-03-05.

Control system for controlling operation of a numerically controlled machine tool, and back-end and front-end control devices for use in such system

Номер патента: EP2891020A1. Автор: Reinhold Seitz,Peter Pruschek,Dominic Schindler. Владелец: DMG Mori AG. Дата публикации: 2015-07-08.

Deselect drivers for a memory array

Номер патента: US20130003449A1. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Equivalent fuse circuit for a one-time programmable read-only memory array

Номер патента: US20150310930A1. Автор: Juergen Boldt,Stephan Hay. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-10-29.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A2. Автор: Shree Kant,Gajendra P. Singh. Владелец: SUN MICROSYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Boost-assisted memory cell selection in a memory array

Номер патента: EP4413570A1. Автор: Hongmei Wang,Hari Giduturi,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

N-way mode content addressable memory array

Номер патента: US20090279340A1. Автор: Christopher Gronlund. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-11-12.

Merged bit lines for high density memory array

Номер патента: US20240249785A1. Автор: Perng-Fei Yuh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Apparatuses and methods including circuits in gap regions of a memory array

Номер патента: US20240177744A1. Автор: Hirokazu Ato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for arranging plurality of line filaments above the grid electrode in a fluorescent displaying tube

Номер патента: US5158228A. Автор: Namshin Park. Владелец: Samsung Electron Devices Co Ltd. Дата публикации: 1992-10-27.

Low power read scheme for memory array structures

Номер патента: WO2002086901A3. Автор: Shree Kant,Gajendra P Singh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-27.

Memory array structures and methods for determination of resistive characteristics of access lines

Номер патента: EP4082014A1. Автор: Jun Xu,Dan Xu,Paolo Tessariol,Erwin E. Yu,Tomoka Ogura IWASAKI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09792967B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Managing semiconductor memory array leakage current

Номер патента: US09761289B1. Автор: Tobias Werner,John D. Davis,Paul A. Bunce,Yuen H. Chan,Silke Penth,David E. Schmitt,Brian J. Yavoich. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method and circuit for programming non-volatile memory cells of a volatile/non-volatile memory array

Номер патента: US09640257B2. Автор: Christophe Layer,Virgile Javerliac. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Voltage self-boosting circuit for generating a boosted voltage for driving a word line write in a memory array for a memory write operation

Номер патента: US09633706B1. Автор: Jung Pill Kim,Sungryul KIM,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Metal silicide in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074166A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: EP4430931A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for Forming Chalcogenide Switch with Crystallized Thin Film Diode Isolation

Номер патента: US20100009522A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Method for forming chalcogenide switch with crystallized thin film diode isolation

Номер патента: US8716056B2. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2014-05-06.

Sacrificial polysilicon in integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074159A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact formation in semiconductor chips with pillar based memory arrays

Номер патента: WO2023083585A1. Автор: Son Nguyen,Michael RIZZOLO,Devika Sarkar Grant. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-05-19.

Connection region between adjacent memory arrays for three-dimensional memory device with terrace regions and method of making thereof

Номер патента: EP3631856A1. Автор: Hiroyuki Ogawa,James Kai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-04-08.

Transition areas for dense memory arrays

Номер патента: WO2007060668A3. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Rustom Irani. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2011-05-19.

Write-Once Memory Array including Phase-Change Elements and Threshold Switch Isolation

Номер патента: US20100012918A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory array, semiconductor chip and manufacturing method of memory array

Номер патента: US20230240159A1. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Transition areas for dense memory arrays

Номер патента: WO2007060668A2. Автор: Boaz Eitan,Assaf Shappir,Rustom Irani. Владелец: Saifun Semiconductors Ltd.. Дата публикации: 2007-05-31.

Process for manufacturing a phase change memory array in Cu-damascene technology and phase change memory array manufactured thereby

Номер патента: US7259040B2. Автор: Fabio Pellizer,Roberto Bez. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-08-21.

Memory cell protective layers in a three-dimensional memory array

Номер патента: WO2024123561A2. Автор: Farrell M. Good. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory arrays comprising strings of memory cells and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US12058861B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240315035A1. Автор: James Lattin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuitry, memory arrays comprising strings of memory cells, methods used in forming integrated circuitry, and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: WO2022015629A1. Автор: John Mark Meldrim,Jivaan Kishore Jhothiraman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory array - periphery integration with split barrier metal stack

Номер патента: US20240074161A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydip Guha,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Ferroelectric memory device and memory array

Номер патента: US20240138153A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods for forming connections to a memory array and periphery

Номер патента: US20130049074A1. Автор: Shyam Surthi,Hung-Ming Tsai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Memory arrays and methods used in forming a memory array comprising strings of memory cells

Номер патента: US11765902B2. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional memory array and method for manufacturing same

Номер патента: EP4432802A1. Автор: Young Wook Park,Jin Ho Ahn. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory Arrays Comprising Strings Of Memory Cells And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells

Номер патента: US20240357818A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory array with contact enhancement cap and method for preparing the memory array

Номер патента: US11917813B2. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory structures, memory arrays, methods of forming memory structures and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20130214230A1. Автор: Scott E. Sills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Integration of memory array with periphery

Номер патента: US20240074160A1. Автор: Shivani Srivastava,Raghunath Singanamalla,Jaydeb Goswami,Russell Allen Benson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Structure of nonvolatile memory array

Номер патента: US20050040467A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Eeprom memory array having 5f2 cells

Номер патента: WO2008021646A3. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Bohumil Lojek. Дата публикации: 2009-04-16.

Virtual ground memory array and method therefor

Номер патента: WO2006041633A3. Автор: Craig T Swift,Gowrishankar L Chindalore,Laureen H Parker. Владелец: Laureen H Parker. Дата публикации: 2007-03-01.

Absorber of oscillation of split wires, its damper of torsional vibrations, overhead power line with such absorber and overhead power line with dance absorber equipped with such damper

Номер патента: RU2716701C1. Автор: Александр Николаевич Данилин,Александр Абрамович Виноградов,Юлия Николаевна Карнет,Дмитрий Николаевич Жуков,Вячеслав Игоревич Кирюхин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной механики Российской академии наук (ИПРИМ РАН). Дата публикации: 2020-03-16.

INTERPHASE REMOTE STRUT OF OVERHEAD TRANSMISSION LINES WITH WIRES IN SPLIT PHASE WITH VOLTAGE OF 220-1,150 kV

Номер патента: RU2692705C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Максим Викторович Шеленберг. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Мзва" (Ооо "Мзва"). Дата публикации: 2019-06-26.

Device for disconnection of line with ground fault in network with insulated neutral

Номер патента: RU2733202C1. Автор: Владимир Леонидович Осокин,Николай Малафеевич Попов,Евгений Александрович Сбитнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Костромская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2020-09-30.

Device for prevention of occurrence of fire-hazardous features and unreasonable emergency outages at crossing of wires of overhead power lines with voltage of 380 v

Номер патента: RU2740025C1. Автор: Александр Иванович Сидоров,Александр Михайлович Ершов,Юлия Сергеевна Козлова,Кристина Викторовна Ившина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)" ФГАОУ ВО "ЮУрГУ (НИУ)". Дата публикации: 2020-12-30.

Protection device against wire breaks of overhead power transmission line with insulated neutral

Номер патента: RU2633803C1. Автор: Александр Иванович Сидоров,Александр Михайлович Ершов,Рустам Галимянович Валеев,Анна Владимировна Хлопова,Олег Владимирович Филатов,Андрей Викторович Запорожский. Владелец: Андрей Викторович Запорожский. Дата публикации: 2017-10-19.

Facsimile transmission coding; number of lines transmitted

Номер патента: GB2280816A. Автор: Tomohiro Kimura,Masayuki Yoshida,Fumitaka Ono,Shigenori Kino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-02-08.

Data synchronizing system for multiple memory array processing field organized data

Номер патента: WO1997035400A2. Автор: Leland Putnam. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-09-25.

Method and device for determining a parameter that characterizes a number of spare positions to be used for cancelling the crosstalk of lines joining a digital subscriber line vectoring group

Номер патента: US09509368B2. Автор: Issam Wahibi,Beno{hacek over (i)}t Drooghaag. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for fire-resistant sealing of line feedthroughs of thin pipes, a seal assembly prefabricated for this purpose and method for the production thereof

Номер патента: US20240001179A1. Автор: Michael Drexl,Uwe-Michael Bohn,Julia Förster. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2024-01-04.

Image-reading device detecting edge of sheet by setting mask region including part of lines

Номер патента: US09479661B2. Автор: Toshihiro Watanabe. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Improving power efficiency of line driver

Номер патента: RU2514852C2. Автор: Жуйцзе СЯО,Гочжу ЛУН,Чжилэй ЧЖАО. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз, Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-05-10.

Back-end content analysis system to initiate second-screen confirmation

Номер патента: US20170048580A1. Автор: Venugopal Vasudevan,Jehan Wickramasuriya. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2017-02-16.

Installation of in-place curing lining with internal impermeable layer, and device

Номер патента: RU2352853C2. Автор: Франклин Томас ДРАЙВЕР. Владелец: АйЭнЭй ЭКВИЗИШН КОРП.. Дата публикации: 2009-04-20.

Prohibition method of automatic reclosing of main switch of line feeding transformer substation with determination of type of short circuit

Номер патента: RU2536810C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2014-12-27.

Element and system of lining with drainage channels

Номер патента: RU2721334C2. Автор: ЛАНГСДОРФФ Гаральд ВОН,Вилльям ДЖЕЙМС. Владелец: Ф. Вон Лангсдорфф Лайсенсинг Лимитед. Дата публикации: 2020-05-19.

Method of connecting sections of lined pipeline, section of lined pipeline and method of laying pipeline on sea bottom

Номер патента: RU2712322C2. Автор: Стивен БАРНС. Владелец: Пайонир Лайнинг Текнолоджи Лимитед. Дата публикации: 2020-01-28.

Process of lining of internal surfaces of pipe-line or passage

Номер патента: RU2062235C1. Автор: Питер Смит Эдвард. Владелец: Ина Эквизишн Корп.. Дата публикации: 1996-06-20.

Method for coordination of long four-wire non-homogeneous asymmetrical high-voltage power transmission line with superconducting insertion with electrical load

Номер патента: RU2557797C2. Автор: Виктор Александрович Козлов,Георгий Анатольевич Большанин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Братский государственный университет". Дата публикации: 2015-07-27.

Control method of substation buses local switch disconnection in case of one of line main switches failure after its re-switching to sustained short circuit

Номер патента: RU2454771C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Игорь Леонидович Суров. Владелец: Федеральное государственное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2012-06-27.

Methods of lining the internal surface of a pipe

Номер патента: US5667841A. Автор: Shigeru Toyoda,Shuichi Yagi,Masaaki Itagaki. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-16.

Methods of lining the internal surface of a pipe

Номер патента: US5716672A. Автор: Shigeru Toyoda,Shuichi Yagi,Masaaki Itagaki. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Distribution assembly for the selective connection of fluid lines of a first group of lines with fluid lines of a second group of lines

Номер патента: US5690140A. Автор: Martin Skibowski,Michael Jakubik. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-11-25.

Trimmer head with pivot posts holding a single strip of line

Номер патента: US09986682B2. Автор: WEN Liu,David B. Skinner. Владелец: Shakespeare Co LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Installation of lines in high temperature wellbore environments

Номер патента: US09416596B2. Автор: Gary Maier. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method of lining a plug valve

Номер патента: US4017576A. Автор: Victor G. Reiling,Jacob B. Freed. Владелец: Union Pump Co. Дата публикации: 1977-04-12.

Polygonal heat exchange chamber including a tapered portion lined with water tube panels and method of lining a tapered portion of a polygonal heat exchange chamber with such panels

Номер патента: US20040134644A1. Автор: Ponnusami Gounder. Владелец: Foster Wheeler Energy Corp. Дата публикации: 2004-07-15.

Construction profiles for room lining with hinged plates

Номер патента: RU2344249C1. Автор: Игорь Валентинович Маркин. Владелец: Игорь Валентинович Маркин. Дата публикации: 2009-01-20.

Boring device for lining material in branched portions of lined conduit

Номер патента: US5197540A. Автор: Hideo Maruyama,Masaru Yamakawa,Isaburo Yagi,Yoshifumi Osaka. Владелец: Ashimori Industry Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-30.

Fluid transfer line with locking modules

Номер патента: RU2551826C2. Автор: Себастьян ЭЙКЕМ. Владелец: Ксб С.А.С.. Дата публикации: 2015-05-27.

Improvements in back stops for internal shoe drum brakes and to internal shoe drum brakes incorporating such back stops

Номер патента: GB1247245A. Автор: Kenneth Maurice Quiney. Владелец: Girling Ltd. Дата публикации: 1971-09-22.

A method of lining a borehole, a system and components of same

Номер патента: CA3237412A1. Автор: Adam Janicek,Lars ORZECHOWSKI. Владелец: Minova International Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Marking machine for the marking of lines, signs and/or pictograms, in particular for road markings

Номер патента: EP1664437A1. Автор: Gianluigi Dal Lago. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-07.

Device for installation of expandable internal lining with incremental control of setting diameter

Номер патента: RU2509869C2. Автор: Бенджамен Сальтель,Жан-Луи Сальтель,Фредерик НИКОЛАС,Йоанн РИУ,Джеймс Лейтон,Гвенаэль Танги. Владелец: Сальтель Индюстри. Дата публикации: 2014-03-20.

Method of protection of air passage in joint of movable parts operating in unsafe environment, joint used to implement this method and rotary line with such joints

Номер патента: RU2556148C2. Автор: Льонель СКЮИЛЛЕ,Жан-Филипп УСТИ,БРЮСК Паскаль Пьер ЛЕ. Владелец: Турбомека. Дата публикации: 2015-07-10.

Improvements in Back Spacing Mechanism for Typewriters.

Номер патента: GB190913164A. Автор: Edward Henry Lorenz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1910-06-02.

Method for mixed operation of a section of railroad line with switch, and section of line and switch

Номер патента: US11834084B2. Автор: Jacob Johannes KOHLRUSS,Malte Hammerl. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-12-05.

Method of burning waste wood and device for method embodiment with combustion chamber and method of lining

Номер патента: RU2189526C1. Автор: В.Б. Кузнецов,В.К. Широков. Владелец: Широков Владимир Константинович. Дата публикации: 2002-09-20.

Recycling method of lining material of electrolytic cell cathode device and device for its implementation

Номер патента: RU2727377C1. Автор: Алексей Сергеевич Жердев,Виталий Валерьевич Пингин,Самуил Яковлевич Левенсон,Вячеслав Андреевич Голдобин,Александр Владимирович Прошкин,Андрей Геннадьевич Сбитнев,Алексей Васильевич Морозов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Объединенная Компания РУСАЛ Инженерно-технологический центр". Дата публикации: 2020-07-21.

Method of lining pipeline and lining material for pipeline

Номер патента: RU2597088C2. Автор: Ясухиро УЕДА,Синдзи ОНИСИ,Хироси ЦУЗУКИ. Владелец: Асимори Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-09-10.

Cells series for manufacturing of aluminium, consisting facilities for balancing of magnetic fields at end of line

Номер патента: RU2361018C2. Автор: ЭРВЕ Морган ЛЕ,Николя ЛИГОНЕШ. Владелец: Алюминиюм Пешинэ. Дата публикации: 2009-07-10.

Method to control failure of disconnection of head circuit breaker of line and disconnection of sectional circuit breaker of buses during operation of ring circuit in mode of substation redundancy

Номер патента: RU2503109C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Татьяна Борисовна Сурова,Игорь Леонидович Суров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2013-12-27.

Method and system for reducing the unfermentable solids content in a protein portion at the back end of a corn dry milling process

Номер патента: US12048935B2. Автор: Neal Jakel,John Kwik,Michael Hora. Владелец: Fluid Quip Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Bend line with bend controlling grooves and method

Номер патента: WO2006036462A2. Автор: Max W. Durney,Philip M. Arnold,Rick A. Holman. Владелец: Industrial Origami, Llc. Дата публикации: 2006-04-06.

Bend line with bend controlling grooves and method

Номер патента: CA2587257A1. Автор: Max W. Durney,Philip M. Arnold,Rick A. Holman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-06.

Coatings with crystallized active agent(s) and methods

Номер патента: US09649413B2. Автор: Ralph A. Chappa,Kimberly K. M. Lindsoe. Владелец: Surmodics Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Coatings with crystallized active agent(s) and methods

Номер патента: US09427501B2. Автор: Ralph A. Chappa,Kimberly K. M. Lindsoe. Владелец: Surmodics Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of inspecting on state of main switch of line feeding transformer substation during power outage

Номер патента: RU2505906C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Татьяна Борисовна Сурова,Андрей Александрович Квасов,Сергей Михайлович Куракин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2014-01-27.

Element of lining for use in structure with stabilised soil

Номер патента: RU2534285C2. Автор: Ришар КАРИУ. Владелец: Терр Армэ Энтернасьональ. Дата публикации: 2014-11-27.

Method of lining innner wall surfaces of hollow articles

Номер патента: CA1158140A. Автор: Toshio Yoshida. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 1983-12-06.

Procedure and device for control of line compressor

Номер патента: RU2413094C2. Автор: Йоханнес РАЙНШКЕ. Владелец: Бсх Бош Унд Сименс Хаусгерете Гмбх. Дата публикации: 2011-02-27.

A hay rake arrangement adapted to rake hay into a precursor configuration of lines of hay prior to raking said lines of hay into a windrow and a method of raking hay into a windrow

Номер патента: AU2019101489A4. Автор: Simon Schinckel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-16.

Methods of Lining the Internal Surface of a Pipe

Номер патента: CA2163309A1. Автор: Shigeru Toyoda,Shuichi Yagi,Masaaki Itagaki. Владелец: Tokyo Gas Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Production of lining tubes

Номер патента: WO1994023934A1. Автор: Eric Wood. Владелец: Insituform Licensees Bv/Sa. Дата публикации: 1994-10-27.

Apparatus and method for tapping a valve of a host pipe lined with a liner

Номер патента: CA3199226A1. Автор: Vadim Kosseniouk,Shaun Mckaigue. Владелец: Fer Pal Construction Ltd. Дата публикации: 2023-11-06.

Method of welding coil end of stator of electric rotating machine

Номер патента: US20110259863A1. Автор: Atsuo Ishizuka,Ryosuke Utaka. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-10-27.

Set of lining sheets made from discarded radial tires and method for manufacturing lining sheets made from discarded radial tires

Номер патента: AU2019101851A4. Автор: Lucas RIBEIRO. Владелец: Rubberbras Ltda. Дата публикации: 2023-11-16.

A set of lining plates made of radial tires and a method for manufacturing lining plates made of radial tires

Номер патента: CA3133713A1. Автор: Lucas RIBEIRO. Владелец: Rubberbras Ltda. Дата публикации: 2020-10-15.

A set of lining plates made of radial tires and a method for manufacturing lining plates made of radial tires

Номер патента: ZA202107550B. Автор: Lucas RIBEIRO. Владелец: Rubberbras Ltda. Дата публикации: 2023-09-27.

Set of lining sheets made from discarded radial tires and method for manufacturing lining sheets made from discarded radial tires

Номер патента: AU2019440194A1. Автор: Lucas RIBEIRO. Владелец: Rubberbras Ltda. Дата публикации: 2021-10-21.

Welded connections of lined pipe

Номер патента: US09915383B2. Автор: Ted COMPTON,Douglass Fairfax WILSON,Brennan METCALF. Владелец: United Pipeline Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

System of lining connection to slab outlet

Номер патента: RU2376427C2. Автор: Клод БОНН. Владелец: Клод БОНН. Дата публикации: 2009-12-20.

Method for profiling of back end of cylindrical pipe blank for rolling in three-wave roll mills

Номер патента: RU2659559C1. Автор: Александр Александрович Богатов,Дмитрий Андреевич Павлов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (УрФУ). Дата публикации: 2018-07-02.

Device for fixation of line actuator (versions) and its implementation

Номер патента: RU2408798C2. Автор: Гуннар ХААСЕ. Владелец: Эйрбас Дойчланд Гмбх. Дата публикации: 2011-01-10.

Replacement of lining of mills by means of manipulator fixed in trunnion bushing

Номер патента: RU2713712C1. Автор: Нафиль Наилович Наилов. Владелец: Нафиль Наилович Наилов. Дата публикации: 2020-02-06.

Method determining state of line insulation of distribution networks and location of point of its failure

Номер патента: RU2207581C2. Автор: Л.М. Рыбаков,И.И. Биткин,Д.Г. Соловьев. Владелец: Марийский государственный университет. Дата публикации: 2003-06-27.

Optimization of lining element weight for quarry dump truck body

Номер патента: RU2767651C2. Автор: Ларс ГРЕНВАЛЛЬ,Фредрик Ларссон,Хенрик ПЕРССОН. Владелец: Метсо Свиден Аб. Дата публикации: 2022-03-18.

Method of lining metal cylinders

Номер патента: GB1247197A. Автор: Clifford William Lindquist. Владелец: United States Steel Corp. Дата публикации: 1971-09-22.

Joining of lined pipes

Номер патента: WO2002048596A1. Автор: Robert John Conder,Zahid Ahmed Shah. Владелец: Lattice Intellectual Property Ltd. Дата публикации: 2002-06-20.

Anti-collapse back-end for high volume narrow codend pelagic trawl

Номер патента: WO2005107448A1. Автор: Sherif Adham Safwat. Владелец: Hampidjan hf. Дата публикации: 2005-11-17.

Guiding and positioning structure for sterile adapter and back end of surgical instrument

Номер патента: US20240138950A1. Автор: Jianwei Zhang. Владелец: Cornerstone Technology Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Wiper system for vision block array in vehicles

Номер патента: US20070240272A1. Автор: James LeBlanc,William Meyer,Adam Hiltunen. Владелец: General Purpose Vehicles Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Impeller having blade having blade surface made up of line elements and method of machining the impeller

Номер патента: US09631632B2. Автор: Shinji Okuda. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

End of line volume learn sequence of friction element fill volumes for automatic transmission

Номер патента: US5456647A. Автор: Gerald L. Holbrook. Владелец: Chrysler Corp. Дата публикации: 1995-10-10.

Method of lining concrete in-ground swimming pool

Номер патента: US4409772A. Автор: John D. Boyack. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-10-18.

Method of lining closure elements

Номер патента: GB1130774A. Автор: . Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1968-10-16.

Improvements relating to the manufacture of composite metal billets and of lined tubes therefrom

Номер патента: GB631584A. Автор: . Владелец: Colvilles Ltd. Дата публикации: 1949-11-04.

Method of lining branch pipe portion of underground main pipe with rigid plastics tube

Номер патента: US4956041A. Автор: Yasuo Miyazaki,Shigeki Watari,Akira Kamide. Владелец: Osaka Bousui Construction Co Ltd. Дата публикации: 1990-09-11.

Carpet stretching apparatus, securing member for free end of line member for traction used for stretching carpet and method for stretching carpet

Номер патента: AU632120B2. Автор: Katsumi Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-17.

Apparatus for creating a rolled back end

Номер патента: WO2021165263A1. Автор: Hugh John WATSON. Владелец: Bio Optimal Limited. Дата публикации: 2021-08-26.

Apparatus for creating a rolled back end

Номер патента: GB2607765A. Автор: John Watson Hugh. Владелец: Bio Optimal Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Apparatus for Creating a Rolled Back End

Номер патента: US20230069241A1. Автор: Hugh John WATSON. Владелец: Bio Optimal Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus for creating a rolled back end

Номер патента: CA3167405A1. Автор: Hugh John WATSON. Владелец: Bio Optimal Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Apparatus for creating a rolled back end

Номер патента: EP4106974A1. Автор: Hugh John WATSON. Владелец: Bio Optimal Ltd. Дата публикации: 2022-12-28.

Apparatus for creating a rolled back end

Номер патента: AU2021224956A1. Автор: Hugh John WATSON. Владелец: Bio Optimal Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

System for painting a splayed end of a hollow shaft on a rotary paint bench

Номер патента: US09951622B2. Автор: Jacques Boulogne,Damien POTELLE,Mathieu Meugnier. Владелец: SNECMA SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Apparatus for automatically gluing head and tail ends of stock material

Номер патента: US09573336B2. Автор: Greg Magnell,Jeffrey Willers,David G. Flessert. Владелец: PLYMOUTH PACKAGING Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

MEMS rotary fuze architecture for out-of-line applications

Номер патента: US09441931B1. Автор: Daniel Jean,Thinh HOANG,Troy Caruso,Kevin Cochran,Andrew Jen,Scott Rauscher,Kristopher Nodianos. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-09-13.

Tunnelling machine, device for alignment of segments of lining of tunnel relative to each other, used in tunnelling machine, and method of control thereof

Номер патента: RU2716630C2. Автор: Юнлян ЧЭН,Фэйсян ЛЮ,Чжэнян ПЭН,Дацяо Чжэн,Ципин Хэ,Цзяньли Ло,Цзинь ЖУН. Владелец: Чайна Рейлвей Констракшн Хэви Индастри Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-13.

Method of removing and localising toxic evaporation of process baths made in two-level assemblage of surgical modules of lines of galvanic chemical treatment

Номер патента: RU2684131C1. Автор: Андрей Николаевич Алексеев. Владелец: Андрей Николаевич Алексеев. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of lining metal pipelines

Номер патента: RU2597273C2. Автор: Никазио МЕССИНА,Марко МИРЕНДА,Джамбаттиста БЕЗАНА,Джулио А. АБУСЛЕМЕ,Режи ФЭ. Владелец: Солвей Спешиалти Полимерс Итали С.П.А.. Дата публикации: 2016-09-10.

Batch for producing cerium-activated aluminate luminophores with crystal garnet structure and method for production thereof

Номер патента: RU2618867C2. Автор: Олег Борисович Томилин,Евгений Евгеньевич Мурюмин,Михаил Валерьевич Фадин,Степан Юрьевич Щипакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва". Дата публикации: 2017-05-11.

Electronic, out-of-line safety fuze for munitions such as hand grenades

Номер патента: US6082267A. Автор: Edward F. Cooper. Владелец: Bulova Tech LLC. Дата публикации: 2000-07-04.

End-of-line conveyor system and method for conveying and picking up one or more products by means of said end-of-line conveyor system

Номер патента: EP4265544A1. Автор: Bruno Benetti. Владелец: Itipack Srl. Дата публикации: 2023-10-25.

Medium feed apparatus to put separation roller on hold until front end of medium passes separation part

Номер патента: US20240067471A1. Автор: Shota Otsuka,Tomoyuki NIWATA. Владелец: PFU Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Blown film coextrusion line with polygonal extruder arrangement

Номер патента: CA3142716A1. Автор: Henry G. Schirmer,Roger Blaine Trivette,Matthew G. Hampshire. Владелец: BBS Corp. Дата публикации: 2022-10-09.

Blown film coextrusion line with polygonal extruder arrangement

Номер патента: CA3142716C. Автор: Henry G. Schirmer,Roger Blaine Trivette,Matthew G. Hampshire. Владелец: BBS Corp. Дата публикации: 2023-07-25.

Blown film coextrusion line with polygonal extruder arrangement

Номер патента: EP4070932A1. Автор: Henry G. Schirmer,Roger Blaine Trivette,Matthew G. Hampshire. Владелец: BBS Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Coatings with crystallized active agent(s) and methods

Номер патента: US09795720B2. Автор: Ralph A. Chappa,Kimberly K. M. Lindsoe. Владелец: Surmodics Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of flexographically printing a plurality of lines

Номер патента: US09764542B2. Автор: Kevin J. Derichs,Daniel K. VanOstrand. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-09-19.

COMPOSITION FOR ADVANCED NODE FRONT-AND BACK-END OF LINE CHEMICAL MECHANICAL POLISHING

Номер патента: US20120003901A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure locating cable fault in power transmission and communication line with use of marker's method and device for its implementation

Номер патента: RU2215298C2. Автор: В.И. Диденко,С.Н. Шахов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский энергетический институт (технический университет). Дата публикации: 2003-10-27.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

A New or Improved System of Lining Railway and other Tubular Tunnels

Номер патента: GB190507203A. Автор: Alfred Rosling Bennett,Ernest Walter Twining. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-07-06.

Power transmission line with pendulum-type deicing installation

Номер патента: RU2092952C1. Автор: Роберт Павлович Бернгардт. Владелец: Роберт Павлович Бернгардт. Дата публикации: 1997-10-10.

Compressor station of main gas line with gas turbine expander power plant

Номер патента: RU2576556C2. Автор: Константин Юрьевич Шабанов,Владимир Анатольевич Субботин,Леонид Павлович Шелудько,Сергей Иванович Корнеев,Игорь Николаевич Шурухин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Газпром трансгаз Самара". Дата публикации: 2016-03-10.

Device for automatic monitoring of line isolation relative to ground and of place identification (dumb) by low intermediate resistance, line-to-ground fault of phase within lines with isolated midpoint conductor

Номер патента: RU2372220C1. Автор: Елена Юрьевна Семенова,Юрий Вячеславович Иодко,Вячеслав Иванович Карпенко. Владелец: Вячеслав Иванович Карпенко. Дата публикации: 2009-11-10.

Method to use multi-basket mine hoist for construction of reinforced concrete high-rise pipes with high thickness of lining, with small output diameter and with high ratio of outlet diameter to diameter in base

Номер патента: RU2544921C1. Автор: Борис Михайлович Шевлягин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Спецжелезобетонстрой". Дата публикации: 2015-03-20.

Method to construct high-rise reinforced concrete industrial pipes with multi-layer lining with small outlet diameter

Номер патента: RU2518601C2. Автор: Борис Михайлович Шевлягин,Вячеслав Моисеевич Фрумкин. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Спецжелезобетонстрой". Дата публикации: 2014-06-10.

Double-support protecting lining with low disposed foundation for mining working face with fall from top

Номер патента: RU2358111C1. Автор: Цзюнь ФАНЬ,Чэнжао ЦЗЯО,Хэпин НИ,Хунлинь СЕ,Лун ТЯНЬ,Хайцинь ЯНЬ,Жуйцзе ЛИ,Уцзэн ГО,Чэнжао ЦЗЯО (CN),Хэпин НИ (CN),Хунлинь СЕ (CN),Лун ТЯНЬ (CN),Хайцинь ЯНЬ (CN),Цзюнь ФАНЬ (CN),Жуйцзе ЛИ (CN),Уцзэн ГО (CN). Владелец: Чжэнчжоу Коул Майнинг Машинери(Груп) Ко., Лтд. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of parallel prohibition for bus and mains automatic load transfer to one fault point in case of failure of line fuse and main breaker of ring-network line

Номер патента: RU2439766C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров,Игорь Николаевич Фомин,Евгений Сергеевич Цуканов,Леонид Дмитриевич Суров (RU),Игорь Николаевич Фомин (RU),Евгений Сергеевич Цуканов (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГОУ ВПО ОрелГАУ). Дата публикации: 2012-01-10.

Process of lining of internal corners and walls

Номер патента: RU2206681C2. Автор: А.Н. Смирнов. Владелец: Смирнов Александр Николаевич. Дата публикации: 2003-06-20.

Method of arrangement and adjustment of high frequency directional relat protection of line

Номер патента: RU2325747C1. Автор: Анатолий Васильевич Шмойлов,Тать на Александровна Гунина,Татьяна Александровна Гунина. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2008-05-27.

END OF MODULATION DETECTION

Номер патента: US20120003951A1. Автор: . Владелец: INTELLEFLEX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing of lined bent part of facade

Номер патента: RU2400355C1. Автор: Сергей Вячеславович Савельев. Владелец: Сергей Вячеславович Савельев. Дата публикации: 2010-09-27.

Method of plain bearing shell lining with babbitt

Номер патента: RU2167738C2. Автор: А.Г. Громыко,нченков В.В. Лукь,В.В. Лукьянченков. Владелец: Калининградский государственный технический университет. Дата публикации: 2001-05-27.

Lagging of lining of rock workings

Номер патента: RU2109953C1. Автор: Б.С. Павлов,Ю.Ф. Зайцев,В.Ф. Фотеев. Владелец: Производственное объединение по добыче угля "Воркутауголь". Дата публикации: 1998-04-27.

Method of manufacturing compensators by pressure casting with crystallization

Номер патента: RU2051007C1. Автор: Ю.С. Нистратов,С.П. Горбач,А.И. Батышев,А.С. Любавин,В.И. Безпалько,Г.М. Георгиевский. Владелец: Малое предприятие "Гидромаш". Дата публикации: 1995-12-27.

An Improved Machine for Filling Receptacles with Crystals, Powders, and the like.

Номер патента: GB190410318A. Автор: George Foster Clark. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-04-13.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Unit for connection of lining with propeller shaft

Номер патента: RU2086466C1. Автор: Л.П. Захаревич,А.Ф. Разин,В.А. Меркулов,В.Д. Протасов,В.А. Черниченко,В.Г. Нестеров,В.З. Бахтин,К.Н. Пахомов. Владелец: Акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения". Дата публикации: 1997-08-10.

Method for backup protection of line with tapped transformers

Номер патента: RU2088014C1. Автор: А.К. Вязовский. Владелец: Челябинский государственный технический университет. Дата публикации: 1997-08-20.

Improvements in Back Pedalling Brakes.

Номер патента: GB190318520A. Автор: Alexander Patterson Morrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-07-21.

A device for sealing flanged fluid lines with flange clamped between sealing member and body of device

Номер патента: NZ508865A. Автор: Brett Andrew Willis. Владелец: Brett Andrew Willis. Дата публикации: 2002-04-26.

Device to model three-phase power transmission line with focused parameters

Номер патента: RU2469393C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Юрий Сергеевич Боровиков,Алмаз Омурзакович Сулайманов,Николай Юрьевич Рубан,Алексей Федорович Прутик,Михаил Владимирович Андреев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2012-12-10.

Device for taking eggs out of linings (versions)

Номер патента: RU2175837C1. Автор: В.И. Наконечный. Владелец: Наконечный Владимир Иосифович. Дата публикации: 2001-11-20.

Single-post stand-alone support of power transmission line with cross braces

Номер патента: RU2456422C1. Автор: Александр Иванович Репин. Владелец: Закрытое акционерное общество Сибирская высоковольтная энергетическая компания "ВЭЛ". Дата публикации: 2012-07-20.

A New or Improved Method of Securing and Regulating the Tension of Lines of Cord or Rope Employed for Hanging Clothes and other Articles or Substances thereon and Apparatus connected therewith.

Номер патента: GB190012064A. Автор: Joseph Aspinall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-03-09.

Production of lined pipes

Номер патента: IES80747B2. Автор: Michael O'Connell,James Sheeran. Владелец: James Sheeran. Дата публикации: 1999-01-13.

Improvements in Telephone Systems having Automatic Switching Apparatus connected Over Junction Lines with a Manual Exchange.

Номер патента: GB191229721A. Автор: . Владелец: Siemens Brothers and Co Ltd. Дата публикации: 1913-12-24.

Method for quenching of arc of single-phase earth fault in pause of single-phase reclosing "оапв" of power transmission line with shunting three-phase reactor

Номер патента: RU2341858C2. Автор: Александр Михайлович Брянцев,нцев Александр Михайлович Бр,Андрей Геннадьевич Долгополов. Владелец: Александр Михайлович Брянцев. Дата публикации: 2008-12-20.

Method of detection of line-wire dancing

Номер патента: RU2023336C1. Автор: Г.Х. Карабаев,Т.А. Кулиев,С.С. Суханов. Владелец: Туркменский политехнический институт. Дата публикации: 1994-11-15.

Section of lining of mining face of steeply inclined seam with device of coal output of interlayer patch

Номер патента: RU2519096C1. Автор: Борис Алексеевич Анферов,Людмила Васильевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт угля Сибирского отделения Российской академии наук (ИУ СО РАН). Дата публикации: 2014-06-10.

Method for transferring discontinuous information in radio line with pseudo-random adjustment of working frequency

Номер патента: RU2273954C1. Автор: Владимир Иванович Попов,Александр Алексеевич Медведев,Дмитрий Владимирович Кузьмин,Виктор Михайлович Щекотихин,Евгений Николаевич Деркач,Юрий Викторович Тихалев,Олег Леонидович Федотов. Владелец: Академия Федеральной службы охраны Российской Федерации. Дата публикации: 2006-04-10.

Improvements in Automatically Operated Telephonic Exchanges for a Small Number of Lines.

Номер патента: GB190421819A. Автор: Albert Morrison Bullard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-15.

Improvements in Back Wheel Rim Brakes for Cycles and similar Road Vehicles.

Номер патента: GB189923938A. Автор: Christopher Harcourt Shacklock. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-04-07.

Soap with crystals and the procedure for obtaining thereof

Номер патента: RS20100226A. Автор: Danijela PANAJOTOVIĆ,Zdenka PANAJOTOVIĆ,Željka PANAJOTOVIĆ. Владелец: Željka PANAJOTOVIĆ. Дата публикации: 2011-12-31.

Soap with crystals and the procedure for obtaining thereof

Номер патента: RS52969B. Автор: Danijela PANAJOTOVIĆ,Zdenka PANAJOTOVIĆ,Željka PANAJOTOVIĆ. Владелец: Željka PANAJOTOVIĆ. Дата публикации: 2014-02-28.

Control method of type of unstable short circuit at successful automatic reclosing of main switch of line feeding transformer substation

Номер патента: RU2536811C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2014-12-27.

Manufacturing method of lining of cumulative charge

Номер патента: RU2425320C2. Автор: Евгений Анатольевич Дронов,Александр Васильевич Чайников,Сергей Вениаминович Михайлин,Евгений Давыдович Павленко,Александр Васильевич Уцын,Владимир Алексеевич Маленичев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Акционерная Компания "Туламашзавод" (Оао "Ак "Туламашзавод"). Дата публикации: 2011-07-27.

Acousto-emission method of inspection of pipe-lines with flowing liquid

Номер патента: RU2063029C1. Автор: А.В. Герасимов,А.С. Лещенко,А.Р. Багдасаров,И.В. Киреев. Владелец: Научно-технический центр "Нефтепромдиагностика". Дата публикации: 1996-06-27.

An Improvement in the Justifying of Lines of Type, and Apparatus for that Purpose.

Номер патента: GB190101483A. Автор: Henry James S Gilbert-Stringer. Владелец: Individual. Дата публикации: 1902-01-16.

Electric power line with gears for protection against lightning surges

Номер патента: RU2133538C1. Автор: Г.В. Подпоркин,А.Д. Сиваев. Владелец: Научно-производственное объединение "СТРИМЕР". Дата публикации: 1999-07-20.

High-voltage power-line with split wires in phase

Номер патента: RU2014697C1. Автор: И.М. Носов. Владелец: Государственный проектно-изыскательский институт по проектированию энергетических систем и электрических сетей "Севзапэнергосетьпроект". Дата публикации: 1994-06-15.

Method for ranging of line-to-ground short circuit in power supply lines

Номер патента: RU2498331C1. Автор: Рамиль Гамилович Мустафин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВПО "КГЭУ"). Дата публикации: 2013-11-10.

Method of formation of line synchropulses of increased precision and device for its realization

Номер патента: RU2040119C1. Автор: Николай Юрьевич Талалаев. Владелец: Николай Юрьевич Талалаев. Дата публикации: 1995-07-20.

Procedure for production of line spiral hardware

Номер патента: RU2407823C1. Автор: Николай Алексеевич Карасев,Евгений Алексеевич Юданов,Андрей Алексеевич Карасев. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Мзва". Дата публикации: 2010-12-27.

Manufacturing method of lining of thermal units

Номер патента: RU2363684C1. Автор: Шахбутдин Даудович Батырмурзаев,Алимпаша Шахбутдинович Батырмурзаев,Рустам Алимпашаевич Гаджиев,Зурхай Зайбуллаевич Гусейнов,Арслан Арсенович Алиев,МагомедНаби Бурганитдинович Иниев. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2009-08-10.

Practice interference device with crystal of iceland spar

Номер патента: RU2219490C2. Автор: Я.Е. Амстиславский. Владелец: Амстиславский Яков Ефимович. Дата публикации: 2003-12-20.

Device for erection of lining in subsurface structure from monolithic-pressed concrete

Номер патента: RU2144617C1. Автор: С.Р. Гильштейн,А.Н. Семенов,Е.Г. Куликов,В.К. Крутов,В.Е. Кабанов,В.Г. Татарин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Крот инжиниринг". Дата публикации: 2000-01-20.

Power transmission line with pulse lightning arrester

Номер патента: RU2096882C1. Автор: Георгий Викторович ПОДПОРКИН,Александр Дмитриевич Сиваев. Владелец: Александр Дмитриевич Сиваев. Дата публикации: 1997-11-20.

Method of lining of underground structure from cast-in-situ concrete and shield for lining of underground structure from cast-in-situ concrete

Номер патента: RU2088761C1. Автор: Анатолий Алексеевич Гринев. Владелец: Анатолий Алексеевич Гринев. Дата публикации: 1997-08-27.

Process of reclamation of lining of converter

Номер патента: RU2131467C1. Автор: С.Д. Зинченко,С.М. Чумаков,И.И. Фогельзанг,Ю.Н. Давыдов. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь". Дата публикации: 1999-06-10.

Surov's method of control of successful automatic reclosing of main switch of line

Номер патента: RU2536809C1. Автор: Леонид Дмитриевич Суров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВПО Орел ГАУ). Дата публикации: 2014-12-27.

Pipe lined with metal

Номер патента: RU2216671C2. Автор: В.М. Айдуганов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерно-производственный центр". Дата публикации: 2003-11-20.

Apparatus for drying and high-temperature heating of lining for metallurgical ladles

Номер патента: RU2284877C1. Автор: Ильяс Юнусович Зинуров,Минахмет Динмухаметович Шахмухаметов,Валерий Алексеевич Слепцов,Николай Григорьевич Корытько,Иль с Юнусович Зинуров. Владелец: ОАО Челябинский металлургический комбинат. Дата публикации: 2006-10-10.

Method for metal casting with the use of lining slag as consumable electrode

Номер патента: RU2286398C2. Автор: Анатолий Евгеньевич Волков. Владелец: Анатолий Евгеньевич Волков. Дата публикации: 2006-10-27.

Casting apparatus with crystallization under pressure

Номер патента: RU2116865C1. Автор: Н.М. Чернов. Владелец: Новосибирское авиационное производственное объединение. Дата публикации: 1998-08-10.

Hinge system of lining of buildings and premises, including for building partitions

Номер патента: RU2641140C1. Автор: Максим Григорьевич Пискун. Владелец: Максим Григорьевич Пискун. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of lining arches

Номер патента: RU2094720C1. Автор: В.П. Зайко,Д.Ф. Железнов,Л.А. Дьяконова. Владелец: Акционерное общество открытого типа "Челябинский электрометаллургический комбинат". Дата публикации: 1997-10-27.

Improvements in Back-pedalling Brake Mechanism for Change-speed and other Cycle Hubs.

Номер патента: GB190709694A. Автор: Charles Thomas Brock Sangster. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-02-20.

Improvements in Electric Bonds for Electrically Connecting the Meeting Ends of Two Contiguous Electric Conductors.

Номер патента: GB190007567A. Автор: Harold Pitney Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-05-26.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.