Semiconductor device for use in a solid state imaging device
Номер патента: US7138670B2
Опубликовано: 21-11-2006
Автор(ы): Seiji Kai, Takayuki Kaida, Tetsuya Miwa, Tsutomu Imai
Принадлежит: Sanyo Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 21-11-2006
Автор(ы): Seiji Kai, Takayuki Kaida, Tetsuya Miwa, Tsutomu Imai
Принадлежит: Sanyo Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of filling a trench formed in a semiconductor substrate
Номер патента: US20240096620A1. Автор: Bilel SAIDI. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-03-21.