Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for fabricating semiconductor device including isolation layer

Method for fabricating semiconductor device including isolation layer

Номер патента: US09564352B2
Опубликовано: 07-02-2017
Автор(ы): Hyung-Kyun Kim, Jae-Soo Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US8823131B2. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-02.

Semiconductor devices having a trench isolation layer and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140332921A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Methods for forming fin structures for semiconductor devices

Номер патента: US09934961B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

SOI substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09536774B2. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US20100258860A1. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Method of forming semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US09741611B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device including protrusion type isolation layer

Номер патента: US8115246B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Jai-kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-14.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EPITAXIAL LAYER AND SILICON LAYER HAVING SAME CRYSTALLINE ORIENTATION

Номер патента: US20170040346A1. Автор: Lin Yu-Ming,Wang Jen-Yu,Huang Cheng-Tung,Yang Ya-Ru,Weng Wen-Yin,Wu Yi-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER

Номер патента: US20150333151A1. Автор: Kim Dong-hyun,PARK Jai-kyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-19.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100361765B1. Автор: 김태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09721797B2. Автор: Young Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming a stress-reduced field-effect semiconductor device

Номер патента: US09941365B2. Автор: Anton Mauder,Franz Hirler,Markus Zundel,Ralf Siemieniec,Stefan Sedlmaier,Michael Hutzler,Oliver Blank,Johannes Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20210126090A1. Автор: Kyu Hyun Lee,Yoo Sang Hwang,Woo Young Choi,Sang-Il Han,Hui-jung Kim,Kyu Jin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device structure

Номер патента: US11908744B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for fabricating isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100588646B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US11791201B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702134B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200168450A1. Автор: Lin Chun-Ling,Huang Hsin-Fu,Lin Ko-Wei,Chen Kuan-Hsiang,Su Sheng-Yi,Kao Pei-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866126B1. Автор: 이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-31.

Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Номер патента: US3370995A. Автор: Carl J Lowery,Billy B Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-02-27.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100358568B1. Автор: 안중진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: US6624494B2. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: EP1433201A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating a semiconductor integrated circuit device including the self-aligned formation of a contact window

Номер патента: US5275972A. Автор: Yasushi Naito,Masanori Fukumoto,Hisashi Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1994-01-04.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09881996B2. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Silicon carbide semiconductor substrate, method for manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device where depression supression layer is formed on backside surface of base substrate opposite to main surface on which epitaxial layer is formed

Номер патента: US09818608B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing silicon carbide (SiC) semiconductor device by introducing nitrogen concentration of 5X1019 cm-3 or more at a boundary surface between thermal oxide film and the SiC substrate and then removing the thermal oxide film

Номер патента: US09496366B2. Автор: Shunichi Nakamura,Yoshiyuki Watanabe,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US20240204070A1. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US20230282719A1. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080166848A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8461035B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8298875B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Paul Lim. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8703597B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20070002701A. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-05.

Method for fabricating locos of semiconductor device

Номер патента: KR100632684B1. Автор: 성웅제. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor devices having variously-shaped source/drain patterns

Номер патента: US11942528B2. Автор: Min-Hee Choi,Hyun-Kwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device

Номер патента: EP1615260A3. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Methods for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09627202B2. Автор: DAE-YONG KANG,Sung-Wook Hwang,Joonsoo PARK,Soonmok Ha,Byungjun Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for producing a nitride compound semiconductor device

Номер патента: US09660137B2. Автор: Patrick Rode,Werner Bergbauer,Peter Stauss,Philipp Drechsel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-05-23.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Process for fabricating small geometry semiconductor devices

Номер патента: US3858304A. Автор: Hayden M Leedy,Jr Loren G Mccray,Harry L Stover. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-01-07.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09620358B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US09978684B2. Автор: Changseop YOON,Boram IM,Hyung Jong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for fabricating semiconductor device having trench type device isolation layer

Номер патента: TW200501263A. Автор: Tae-Woo Jung,Jun-Hyeub Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-01.

Method for fabricating semiconductor device having trench type device isolation layer

Номер патента: TWI305665B. Автор: Tae-Woo Jung,Jun-Hyeub Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for fabricating semiconductor device having trench type device isolation layer

Номер патента: CN1577793A. Автор: 郑台愚,宣俊劦. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Semiconductor device segmented interconnect

Номер патента: US12034009B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220122891A1. Автор: Yongseok Lee,Youngmook Oh,Jeongyun Lee,Wonhyuk LEE,Sangduk Park,Bosoon KIM,Seungchul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11869811B2. Автор: Yongseok Lee,Youngmook Oh,Jeongyun Lee,Wonhyuk LEE,Sangduk Park,Bosoon KIM,Seungchul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333823A1. Автор: Yongseok Lee,Youngmook Oh,Jeongyun Lee,Wonhyuk LEE,Sangduk Park,Bosoon KIM,Seungchul OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09543412B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Hideki Hayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabrication of CMOS devices having minimized drain contact area

Номер патента: US5573969A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Semiconductor device segmented interconnect

Номер патента: US20230067952A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating high integrated semiconductor device including floating body transistor

Номер патента: KR101024821B1. Автор: 김중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-31.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11961893B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for preparing the same

Номер патента: US20200161191A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Chun-Shun Huang,Wei-Li LAI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20110199116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Zeev Wurman. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20120032294A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257251A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7986042B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-07-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8148728B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8373230B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US9029173B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Ze'ev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100289064A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8294159B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8378494B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: EP1024523A1. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-08-02.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: AU2544900A. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: INTERUNIVERSITAIRE MICROELEKTR. Дата публикации: 2000-08-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100295136A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for fabricating trench of semiconductor device

Номер патента: KR100826790B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11942530B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Transistor device and method for producing thereof

Номер патента: EP4135053A1. Автор: Ralf Siemieniec,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US09431273B2. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for use in manufacturing a semiconductor device die

Номер патента: US09553022B1. Автор: Michaela Braun,Markus Menath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US09905636B2. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: WO2009073773A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Device and methods for small trench patterning

Номер патента: US09478459B2. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods for forming etch stop layers, semiconductor devices having the same, and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20140197470A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US20230238422A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor substrate, manufacturing method for semiconductor substrate, and electronic device having semiconductor substrate

Номер патента: US20240120259A1. Автор: Koichi Takeuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device structure with magnetic element

Номер патента: US12074193B2. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US12146092B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Neural sensing device and method for making the same

Номер патента: US20140275929A1. Автор: Chih-Wei Chang,Kuo-Hua Chen,Jin-Chern Chiou. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Structure and method for forming a dielectric chamber and electronic device including the dielectric chamber

Номер патента: US20050199977A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,George Feng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

FIN TRANSISTOR, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170194322A1. Автор: Alexandre Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Device and Methods for Small Trench Patterning

Номер патента: US20140199827A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

Device and Methods for Small Trench Patterning

Номер патента: US20140035054A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-06.

Device and methods for small trench patterning

Номер патента: US20130175637A1. Автор: Ya Hui Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20240055409A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328226A1. Автор: Park In-Su,KIM Jong-Gi,KIM Hai-Won,JEONG Hoe-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20220123020A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307777A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8058137B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8709880B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100701779B1. Автор: 박래춘,최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100552857B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100571401B1. Автор: 김봉준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100607367B1. Автор: 김상욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR101096256B1. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR20110001142A. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: CN1577799A. Автор: 李南宰,朴启淳. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for fabricating bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100670708B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for fabricating interconnection of semiconductor device having improved interconnection reliability

Номер патента: KR100660915B1. Автор: 이정은,위영진,김태범,문영준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628220B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7332761B2. Автор: Nam-Jae Lee,Kye-Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100451515B1. Автор: 김종봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09647081B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627488B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Protective interface in silicon carbide semiconductor devices

Номер патента: US20140145211A1. Автор: Utpal K. Chakrabarti. Владелец: GLOBAL POWER DEVICES CO. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor devices

Номер патента: US20180190772A1. Автор: Sung Dae Suk,Jeongyun Lee,Kyungseok MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US6188090B1. Автор: Takashi Eshita,Shinji Miyagaki,Kazuaki Takai,Satoshi Ohkubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US09882028B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230238235A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: KR101070305B1. Автор: 김광옥,강혜란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method for use in fabricating semiconductor structure

Номер патента: WO2018195701A1. Автор: 程凯,向鹏. Владелец: 苏州晶湛半导体有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Transistor, method for fabricating the same, and electronic device including the same

Номер патента: US09570608B2. Автор: Yun-Hyuck Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for producing an SGT-including semiconductor device

Номер патента: US09514944B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Method for forming merged contact for semiconductor device

Номер патента: US09431399B1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ravikumar Ramachandran,Emre Alptekin,Mickey H. Yu,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Transistor, method for fabricating the same, and electronic device including the same

Номер патента: US9899518B2. Автор: Yun-Hyuck Ji. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers

Номер патента: US4135954A. Автор: Augustine W. Chang,Arun K. Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Method of fabricating semiconductor integrated circuit devices including updiffusion to selectively dope a silicon layer

Номер патента: US5017507A. Автор: Hideyuki Miyazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1991-05-21.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for forming thin film encapsulation multilayer and method for fabricating flexible organic semiconductor device

Номер патента: KR101207209B1. Автор: 허욱,설영국,이내응. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-12-03.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100500940B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100286011B1. Автор: 김기범,황철주. Владелец: 주성엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-04-16.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636683B1. Автор: 서혜진,김재수,은용석,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20100078496A. Автор: 박종범,송한상,박종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520600B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200411819A. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101075528B1. Автор: 홍권,김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase capacitance

Номер патента: KR100399917B1. Автор: 김재옥,은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6913963B2. Автор: Sang Ho Woo,Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for fabricating capacitors of semiconductor device

Номер патента: GB0027297D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN1976008A. Автор: 李起正. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100518235B1. Автор: 김해원,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Methods for cell boundary encroachment and semiconductor devices implementing the same

Номер патента: US09530795B2. Автор: Scott T. Becker,Jonathan R. Quandt,Dhrumil Gandhi. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Apparatus for polarizing a semiconductor wafer and method for fabricating a magnetic semiconductor device

Номер патента: US20200365797A1. Автор: Keith Kuang-Kuo Koai,Wen-Chih Wang,Jim-Wei Wu,Chia-Hsun Chang,Li Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor devices

Номер патента: US09923047B2. Автор: Youn-Joung Cho,Younsoo Kim,Yunjung Choi,Seongyul Park,Jae Hyoung Choi,Se Hoon Oh,Gyu-hee Park,Chin Moo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-20.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US09431281B2. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Structure and method for diminishing delamination of packaged semiconductor devices

Номер патента: US09627299B1. Автор: Kyle Mitchell Flessner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: EP1815503A2. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Wet cleaning method for cleaning small pitch features

Номер патента: US09558927B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601A3. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601B1. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09786576B2. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100533981B1. Автор: 김주성,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582404B1. Автор: 조호진,김해원,이태혁,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945921B1. Автор: 신재천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating hole pattern semiconductor device

Номер патента: KR101708375B1. Автор: 선준협. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101067022B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100364797B1. Автор: 박상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

The method for fabricating pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100914295B1. Автор: 박찬하,윤형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702128B1. Автор: 이수재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Apparatus and method for improving efficiency of thin-film photovoltaic devices

Номер патента: US20170054052A1. Автор: Jianjun Wang,Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Akhlesh Gupta,Rick C. Powell,Xilin Peng. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Apparatus and method for improving efficiency of thin-film photovoltaic devices

Номер патента: EP2852969A1. Автор: Jianjun Wang,Zhibo Zhao,Jigish Trivedi,Markus Gloeckler,Akhlesh Gupta,Rick C. Powell,Xilin Peng. Владелец: First Solar Inc. Дата публикации: 2015-04-01.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105798A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Theuss Horst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for analyzing discrete traps in semiconductor devices

Номер патента: US09691861B2. Автор: Koon Hoo Teo,Andrei Kniazev,Qun Gao. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Bidirectional power device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12021128B2. Автор: Shaohua Zhang. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09722017B2. Автор: Nobuyuki Tomita,Takaaki TOMINAGA,Naoyuki Kawabata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US12068369B2. Автор: Jongchul Park,BokYoung Lee,Jongsoon Park,Jeongyun Lee,Hyunggoo LEE,Yeondo Jung,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352527A1. Автор: Jongchul Park,BokYoung Lee,Jongsoon Park,Jeongyun Lee,Hyunggoo LEE,Yeondo Jung,Haegeon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Method for forming super-junction corner and termination structure with graded sidewalls

Номер патента: US20210257461A1. Автор: Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor Device Comprising Electrostatic Discharge Protection Structure

Номер патента: US20160307884A1. Автор: Markus Schmitt,Joachim Weyers,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US09618561B2. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for manufacturing and operating a semiconductor device

Номер патента: US09595835B2. Автор: Karl-Heinz Allers,Reiner Schwab. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Luminescent glass-ceramic material, method for manufacturing the same, and light emitting device including the same

Номер патента: US20190106621A1. Автор: Wei-Jen Liu,Jy-Chern Chang. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-04-11.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040058503A1. Автор: Jae Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for fabricating BICMOS semiconductor devices

Номер патента: US6815305B2. Автор: Jae Han Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Radiation resistant cmos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150014765A1. Автор: Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Weikang Wu,Liangxi Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-15.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Integrated heterojunction semiconductor device and method for producing an integrated heterojunction semiconductor device

Номер патента: US09887139B2. Автор: Gerhard Prechtl,Gebhart Dippold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20100117157A1. Автор: Shinichi Miyake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US8912053B2. Автор: Hyun-Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-16.

Method for making CMOS device having reduced parasitic capacitance

Номер патента: US5627097A. Автор: Suresh Venkatesan,Stephen Poon,Jeffrey Lutze. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-05-06.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178616A1. Автор: Yi Pei,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

TRANSISTOR, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170110457A1. Автор: JI Yun-Hyuck. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20200119166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157426A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for fabricating silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100563095B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for fabricating high-performance semiconductor device by reducing junction capacitance

Номер патента: KR100448090B1. Автор: 임지운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100597462B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636685B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: US20040171258A1. Автор: Nam-kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100744068B1. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100589495B1. Автор: 최승철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100519644B1. Автор: 하승철. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-07.

Method for fabricating pattern in semiconductor device using spacer

Номер патента: KR100945928B1. Автор: 서혜진,김수호,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: CN1542906A. Автор: ,朴南奎. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-03.

Method for fabricating dual-gate semiconductor device

Номер патента: US20080197420A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mong Song Liang,Chen-Nan Yeh,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20060114180A. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: CN100407407C. Автор: 张世亿,郑台愚,金明玉,李圣权. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Systems And Methods For Fabricating Nanometric-Scale Semiconductor Devices With Dual-Stress Layers Using Double-Stress Oxide/Nitride Stacks

Номер патента: US20090026548A1. Автор: Seung-Chul Song,Joel Barnett,Byong Sun Ju. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for fabricating RF MOS semiconductor device

Номер патента: KR100613352B1. Автор: 윤여조. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070026592A1. Автор: Yong Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor memory device

Номер патента: US20190123053A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Thin Film Transistor, Method for Manufacturing the Same, and Display Device Including the Same

Номер патента: US20180033804A1. Автор: JongUk BAE,JunHyeon Bae. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having a rectifying junction at the side wall of a trench

Номер патента: US09608092B2. Автор: Wolfgang Werner,Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Jens Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Selection of optimal quantization direction for given transport direction in a semiconductor device

Номер патента: US20060102985A1. Автор: Steven Laux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8324049B2. Автор: Jin-A Kim,Seok-Ho JIE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110101499A1. Автор: Jin-A Kim,Seok-Ho JIE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Method for fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US09640548B2. Автор: Ki-Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: EP1239517A3. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: TW541678B. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-11.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7186631B2. Автор: SEUNG Woo Jin,Min Yong Lee,Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-06.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20080093656A1. Автор: Jung-Dal Choi,Sang-Hun Jeon,Won-Seok Jung,Chang-seok Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230040214A1. Автор: Heung Ju LEE,Jun Seok Oh,Wan Sup SHIN,Jong Gi Kim,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Heating device and heating method for semiconductor thermal process

Номер патента: US20230012618A1. Автор: Le Wang,Wanzheng CHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods for reducing heat transfer in semiconductor assemblies, and associated systems and devices

Номер патента: US20210343692A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Toshihiro Ito,Takahiko Mitsui,Yoshihiro TERAKUBO. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for determining a preceding wafer, method for determining a measuring wafer, and method for adjusting the number of wafers

Номер патента: US20030203514A1. Автор: Shigeru Matsumoto,Hiroaki Ishizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method of fabricating a semiconductor device using masked deposition

Номер патента: WO2024039396A1. Автор: Pasi KOSTAMO,Flavio Griggio,David Johannes VAN WOERKOM,Naganivetha Thiyagarajah,Maren Elisabeth KLOSTER,Shivendra UPADHYAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Package substrate, method for fabricating the same, and package device including the package substrate

Номер патента: US20170194240A1. Автор: Kyujin Lee,Soojae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-06.

PACKAGE SUBSTRATE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND PACKAGE DEVICE INCLUDING THE PACKAGE SUBSTRATE

Номер патента: US20180211909A1. Автор: Park Soojae,LEE Kyujin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-07-26.

Package substrate, method for fabricating the same, and package device including the package substrate

Номер патента: US9960107B2. Автор: Kyujin Lee,Soojae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242111A1. Автор: Wedi Andre,Unrau Arthur,Ehlers Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Power semiconductor device and method for fabricating a power semiconductor device

Номер патента: EP3859776A1. Автор: Arthur Unrau,Carsten Ehlers,Andre Wedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100886641B1. Автор: 박상수,정중택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100318455B1. Автор: 이상익,안기철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100540476B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for fabricating high speed semiconductor device

Номер патента: KR20110077966A. Автор: 진승우,주영환,이안배,장일식,차재춘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of capacitor and avoid loss of oxide layer under capacitor

Номер патента: KR100449179B1. Автор: 이정석,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100540334B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100762236B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101129021B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811260B1. Автор: 김영대,김해원,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100801306B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6794241B2. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520590B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures

Номер патента: EP0762510B1. Автор: Ljubisa Ristic,Frank A. Shemansky, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-11-06.

Method for fabricating micropump of semiconductor device

Номер патента: KR0169818B1. Автор: 정태경,윤종상. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Method for fabrication of a semiconductor device.

Номер патента: NL1006758C2. Автор: Takayuki Gomi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: US20030203541A1. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100273286B1. Автор: 김낙섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI261351B. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503237A. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Heat sink material, manufacturing method for the same, and semiconductor laser device

Номер патента: CA2560410C. Автор: Takashi Ishii,Hideaki Morigami. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Method for making radiation absorbing material (RAM) and devices including same

Номер патента: US20030008131A1. Автор: Scott Smith,Danny Smith,Henry Paris. Владелец: Steward Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube field electron emisson devices

Номер патента: US09852870B2. Автор: Michael Pedersen,Mehmet Ozgur,Michael Huff,Paul Sunal,Lance OH. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2017-12-26.

Carbon-supported and surface-engineered platinum nanocube catalyst, method for preparing the same, and ammonia decomposition device including the same

Номер патента: US20220275525A1. Автор: Sang Il Choi,Hye Jin Lee,Young Min Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device including ion gel material and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09548368B2. Автор: Sungwoo HWANG,Yeonsang Park,Changwon Lee,Unjeong KIM,Youngseon SHIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for fabricating small-scale mos device

Номер патента: WO2012048624A1. Автор: Le Wang. Владелец: Csmc Technologies Fab2 Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09530703B2. Автор: Hiroshi Sugimoto,Takuyo Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09806187B2. Автор: Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having recess and planarized layers

Номер патента: US20060115987A1. Автор: Trung Doan,Tyler Lowrey. Владелец: Lowrey Tyler A. Дата публикации: 2006-06-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device with electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09728529B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers,Armin Tilke,Thomas Bertrams. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220254929A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US11935958B2. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240186417A1. Автор: Wei-Sheng Yun,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices with switchable ground-body connection

Номер патента: US09590674B2. Автор: Chris Olson. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for thermal annealing and a semiconductor device formed by the method

Номер патента: US09679773B1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Circuit and Method of Reducing Body Diode Reverse Recovery Time of Lateral Power Semiconductor Devices

Номер патента: US20080042196A1. Автор: Samuel J. Anderson,David N. Okada. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10770574B2. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A2. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O. Sungki. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326965A1. Автор: Fei Zhao,Huaxiang Yin,Jun Luo,Yongliang Li,Wenwu Wang,Xiaohong Cheng,Anlan Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20130023114A1. Автор: John Power. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Thin film transistor substrate, method for fabricating the same, and display device including the same

Номер патента: US20150029429A1. Автор: Jung Hun Lee,Dan Bi CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-29.

TRANSISTOR, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150129931A1. Автор: JI Yun-Hyuck. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

Thin film transistor substrate, method for fabricating the same, and display device including the same

Номер патента: US9372379B2. Автор: Jung Hun Lee,Dan Bi CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device

Номер патента: GB2230136A. Автор: Kazushi Kataoka,Takuya Komoda,Masahiko Suzumura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-10-10.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY

Номер патента: US20130071972A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,NAGAI Hisao. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130161630A1. Автор: NISHIDA Kenichirou. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054590A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8557632B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100949901B1. Автор: 박동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-26.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100516230B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-23.

Method for fabricating non-volatile semiconductor device

Номер патента: KR100302188B1. Автор: 최용석,김동준,유종원,정칠희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for fabricating mosfet in semiconductor device

Номер патента: KR100228334B1. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100679829B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-06.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US6936517B2. Автор: Tae Woo Kim,Chee Hong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US7232731B2. Автор: Sang Gi Lee,Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100525299B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100337201B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating sidewall of semiconductor device

Номер патента: KR100503748B1. Автор: 정명진. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Memory device with vertical field effect transistor and method for preparing the same

Номер патента: US20230029551A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Process for fabricating power-mos semiconductor device and device obtained therewith

Номер патента: KR100202048B1. Автор: 귀세페페르라,카르멜로마르고,파올로란자. Владелец: 에세지에세-톰슨미크로엘렉트로닉수에세.에르.엘. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for fabricating semiconductor device with guard ring

Номер патента: US20230395594A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Electronic device and method for fabricating the same, spiral inductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2416358A3. Автор: Ja-Hao Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Optoelectronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200028025A1. Автор: Hee-Sun Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2020-01-23.

Optoelectronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US10629772B2. Автор: Hee-Sun Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hongik University. Дата публикации: 2020-04-21.

Organic light-emitting display device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865841B2. Автор: Jungyeon Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US8361839B1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US20130034936A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180114886A1. Автор: Wen-Wei Yang,Yi-Cheng Liu,Ho-Cheng LEE. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-04-26.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443813B1. Автор: Chiu-Wen Lee,Yu-Hsiang Hsiao,Kwang-Lung Lin,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Threshold switching device, method for fabricating the same and electronic device including the same

Номер патента: US09865651B2. Автор: Hyung-Dong Lee,Jong-Chul Lee,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI282604B. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-11.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503170A. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Photovoltaic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150228834A1. Автор: Takashi Kondo,Taizo Masuda,Tomonori Matsushita,Kenichi Okumura. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for producing light emitting semiconductor device

Номер патента: US09666758B2. Автор: Dagobert Michel De Leeuw,Frank Verbakel,Wilhelmus Cornelis Keur,Johannes Franciscus Maria Cillessen,Kamal Asadi,Patrick John Baesjou,Cornelis Eustatius Timmering. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for producing compound semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8513118B2. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

System and method for production line monitoring

Номер патента: US09983148B2. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Leadframe for optical semiconductor device, method for manufacturing leadframe for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201218463A. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Akira Tachibana,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Radiation-emitting device and method for producing a plurality of radiation-emitting devices

Номер патента: US12095013B2. Автор: Prakash Rajah,Boon Liang Yap,Ee Lian LEE. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-17.

Energy harvesting device, method for manufacturing the same, and wireless device including the same

Номер патента: US09647579B2. Автор: Sang Kyun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Organic light emitting display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997740B2. Автор: Byung Chul Ahn,Bong Geum LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Coating device, system and method for sealant

Номер патента: US09700914B2. Автор: Yangkun Jing. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device comprising electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US09472544B2. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-10-18.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Sputter coating device and method for solar cell

Номер патента: US20190189830A1. Автор: FAN CHEN,DENG Pan,Yi Shu,Guojun Xu,Chao Hu,HongXia SUN,Pengjian ZHU. Владелец: Miasole Equipment Integration Fujian Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201029139A. Автор: Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Kazuhiro Koseki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Package for light emitting device and method for packaging the same

Номер патента: US09671099B2. Автор: Jun Seok Park. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Stretchable electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220104343A1. Автор: Chan Woo Park,Seung Youl Kang,Ji-Young Oh,Chi-Sun Hwang,Jae-Eun PI,SuJung Kim,Himchan OH. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Conductive film, method for manufacturing the same and display device comprising the same

Номер патента: US09736937B2. Автор: Ki-Hwan Kim,Junghwan Yoon,Yong Chan Kim,Ilha Lee,Jin Hyong Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for manufacturing nano-structured semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09508893B2. Автор: Nam-Goo Cha,Dong-Ho Kim,Geon-Wook YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455385B2. Автор: Bo Geun PARK. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Hybrid non-volatile memory device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09431608B2. Автор: Bernard Dieny,Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-08-30.

Device for fabricating display panel and fabricating method of display panel

Номер патента: US20200321524A1. Автор: Tae Hyung HWANG,Donchan Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: US09575410B2. Автор: Takahiro Sasaki,Tatsuya Hirata,Satoshi Shibui,Taisuke Yamada. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and capacitor fabricated thereby

Номер патента: KR100281906B1. Автор: 이병택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

Method for manufacturing light emitting elements and display device including light emitting elements

Номер патента: US12119368B2. Автор: Dae Hyun Kim,Hyun Min Cho,Dong Uk Kim,Hyung Rae CHA,Jung Hong MIN,Dong Eon LEE,Seung A LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

THRESHOLD SWITCHING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180108707A1. Автор: LEE Hyung-Dong,KIM Beom-Yong,LEE Jong-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

THRESHOLD SWITCHING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170186812A1. Автор: LEE Hyung-Dong,KIM Beom-Yong,LEE Jong-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

Threshold switching device, method for fabricating the same and electronic device including the same

Номер патента: KR102450814B1. Автор: 이종철,이형동,김범용. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-10-05.

Threshold switching device, method for fabricating the same and electronic device including the same

Номер патента: KR20170078299A. Автор: 이종철,이형동,김범용. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-07-07.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Printed wiring board, method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US09706663B2. Автор: Takashi Kariya,Hajime Sakamoto,Makoto Terui,Masatoshi Kunieda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210225795A1. Автор: Otremba Ralf,Frank Paul,HEINRICH Alexander,Langer Gregor,Pedone Daniel,Ludsteck-Pechloff Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

APPARATUS FOR POLARIZING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365797A1. Автор: KOAI KEITH KUANG-KUO,WANG WEN-CHIH,WU JIM-WEI,TSENG LI,CHANG CHIA-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104764A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244251B1. Автор: 주재현,선정민. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100818076B1. Автор: 서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100390458B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425826B1. Автор: 유용식,박영진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308131B1. Автор: 박종범,주재현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Номер патента: KR100546723B1. Автор: 서영훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100437616B1. Автор: 이경원,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100541679B1. Автор: 동차덕,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101096230B1. Автор: 이상도,이기준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100368978B1. Автор: 정연우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100548598B1. Автор: 유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881751B1. Автор: 이상익,박형순,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20040059848A. Автор: 김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20060001109A. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100911675B1. Автор: 최선호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100585002B1. Автор: 황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100887052B1. Автор: 김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100401528B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100425153B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359784B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100506873B1. Автор: 박동수,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100955922B1. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881830B1. Автор: 이성욱,유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100418924B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100326239B1. Автор: 선호정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881829B1. Автор: 노용주,김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

method for fabricating Capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100328597B1. Автор: 구병수,안중일,곽선우,현경호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-15.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881735B1. Автор: 조광준,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR101096232B1. Автор: 이현민,이현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP0472221A3. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-13.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100722997B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811271B1. Автор: 서혜진,박동수,이은아,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20040137679A1. Автор: Sang-Deok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100968411B1. Автор: 이종민,신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100849187B1. Автор: 한상엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100732748B1. Автор: 정현진,김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100655070B1. Автор: 김동규,심광보,황재희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20010103978A. Автор: 배명광. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100620659B1. Автор: 신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100505397B1. Автор: 홍권,조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for fabricating fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100954417B1. Автор: 박반석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-26.

Method for fabricating thermally enhanced semiconductor device

Номер патента: US7396700B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200623338A. Автор: Jong-Min Lee,Jong-Bum Park,Hyung-Bok Choi,Kee-Jeung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for fabricating contacts of semiconductor device

Номер патента: KR100679941B1. Автор: 박수영,이홍구,박원성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101910499B1. Автор: 임성원,이효석,염승진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-23.

MIM capacitor and method for fabricating the same, semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR102131078B1. Автор: 이진수,이현석,이종명,김태균,박동균. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100536625B1. Автор: 남상우. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP1193771B1. Автор: Takayuki c/o Fujitsu Quantum Devices Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20000039797A. Автор: 이동호,장환수,길명군. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582352B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating capasitor of semiconductor device

Номер патента: KR100985409B1. Автор: 구성민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100612941B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-14.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100361081B1. Автор: 구병수,윤정훈,권수영,곽선우. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-18.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308496B1. Автор: 이정석,백현철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR100739936B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100744038B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor devices

Номер патента: KR100861356B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: GB9512769D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100507365B1. Автор: 전범진,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to prevent sidewall fence from being collapsed by etch damage

Номер патента: KR100448858B1. Автор: 남기원,이기엽,김광철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and structure of the same

Номер патента: CN1158498A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-03.

Method for fabricating optical pump semiconductor device

Номер патента: TW200742211A. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Ulrich Steegmueller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN101154568A. Автор: 朴东洙,朴哲焕,李银儿,徐惠真. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100879744B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-21.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210296302A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Flexible substrate, method for preparing the same, and display device comprising the same

Номер патента: US20220093867A1. Автор: Jieun Lee,Seungkyu Lee,Nohjin Myung,Heeyeon HWANG,Eun ROH. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device comprising electrostatic discharge protection structure

Номер патента: US20150311191A1. Автор: Anton Mauder,Markus Schmitt,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-29.

Display device, multi-screen display device using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US11934058B2. Автор: Seungchul Lee,Woonam JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US11800704B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Light-Emitting Device, Display Device Including the Same, and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20240079523A1. Автор: Jung-Hun Choi,Dongwon YANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Display device, multi-screen display device using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240210745A1. Автор: Seungchul Lee,Woonam JEONG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for producing compound semiconductor light-emiting device

Номер патента: US20120080712A1. Автор: Yoshimi TANIMOTO,Takanori Sonoda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-04-05.

Optical device and method for manufacturing optical device

Номер патента: US20200259049A1. Автор: Toshiaki Fukunaka. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Flexible display device and method for packaging the same

Номер патента: US9947730B2. Автор: Song Zhang,Tao Sun,Tao Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20180151785A1. Автор: Toru Hashimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Microdroplet container and method for manufacturing the same, method for spreading microdroplets, microdroplet-generating kit, temperature-controlling device, oil phase composition for microdroplet generating and method for treating the same

Номер патента: US11946100B2. Автор: Guang-Ji Sheng. Владелец: Sniper Suzhou Life Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: US20190131501A1. Автор: Toru Hashimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-05-02.

Low porosity glass coatings formed on coiled wires, high temperature devices containing the same, and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20200098516A1. Автор: Harry Lester Kington,Jimmy Wiggins,James Piascik,Martin Carlin Baker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Low porosity glass coatings formed on coiled wires, high temperature devices containing the same, and methods for the fabrication thereof

Номер патента: EP3629344A1. Автор: Harry Lester Kington,Jimmy Wiggins,James Piascik,Martin Carlin Baker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-04-01.

Device for supplementing electrode sheet with lithium and method for supplementing electrode sheet with lithium

Номер патента: EP4386886A2. Автор: Lin Ma,Bin Xie,Shitong Chen,Zhijie Gong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Device for supplementing electrode sheet with lithium and method for supplementing electrode sheet with lithium

Номер патента: EP3955334A1. Автор: Lin Ma,Bin Xie,Shitong Chen,Zhijie Gong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-16.

Device for supplementing electrode sheet with lithium and method for supplementing electrode sheet with lithium

Номер патента: EP4386886A3. Автор: Lin Ma,Bin Xie,Shitong Chen,Zhijie Gong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Electron emitting device using graphene and method for manufacturing same

Номер патента: US09991081B2. Автор: Shanghyeun PARK,Changsoo LEE,Ilhwan Kim,Donggu LEE,Euna YU,Jaekyung SUNG,Dongsu KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device and method for controlling the electronic device thereof

Номер патента: US09942367B2. Автор: Youn-Ho Choi,Hyung-sun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Antenna device and method for operating the same

Номер патента: WO2016043450A1. Автор: Kwang-Hyun Baek,Won-Bin Hong,Seung-Tae Ko,Yoon-Geon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-03-24.

Mobile device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10797377B2. Автор: Xiaolong Zhu,Liyi Zhou. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method for manufacturing thin film chip resistor device

Номер патента: US09991032B2. Автор: Wan-Ping Wang. Владелец: Ralec Electronic Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Electronic device and method for manufacturing housing of the electronic device

Номер патента: US09832292B2. Автор: Hee-Cheul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Antenna device and method for operating the same

Номер патента: US09666954B2. Автор: Kwang-Hyun Baek,Won-Bin Hong,Seung-Tae Ko,Yoon-Geon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Fabrication methods for electronic devices integrating magnetic nanostructures

Номер патента: US12002605B1. Автор: John N. Hryn,Yuepeng Zhang,Yunsong Xie. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Composite including lithium-vanadium oxide and carbon nanotubes, method for producing the same and energy storage device including the same

Номер патента: US20230295002A1. Автор: Tae Hyeong Kim,Bum Jin Kim,Jung Joon Yoo,Jeong Hun BAEK,Sang Hui KANG,Kang Jick KIM. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device and method for using the same

Номер патента: US09912367B2. Автор: Jun LEI. Владелец: Xiaomi Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Electrode assembly, method for producing electrode assembly, and electric storage device including electrode assembly

Номер патента: US09865881B2. Автор: Takaaki Iguchi,Takanobu Araki. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140321493A1. Автор: Matsumoto Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130061923A1. Автор: Masakazu Muroyama,Kazuaki Fukushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Light emitting device and method for detecting abnormality in light emitting device

Номер патента: US20190195440A1. Автор: Daisuke Sato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Printing apparatus, method for fabricating cover glass, and display device including cover glass

Номер патента: US20240349586A1. Автор: Kyoung In LEE,Sun Heo,Sung Yeon Hwang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Monitoring system connected to patient and method for provision of patient-based intellectual observation services

Номер патента: RU2641832C2. Автор: Дун ВАН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-01-22.

Methods for transferring a communication session between companion devices

Номер патента: WO2013101496A1. Автор: Eitan Koren,Abraham Tooba,Nira Yalon. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Methods for transferring a communication session between companion devices

Номер патента: WO2013101496A4. Автор: Eitan Koren,Abraham Tooba,Nira Yalon. Владелец: MOTOROLA SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Systems and methods for support of on-demand positioning reference signals in a wireless network

Номер патента: EP4229937A1. Автор: Stephen William Edge,Sven Fischer,Sony Akkarakaran,Alexandros Manolakos,Guttorm Ringstad Opshaug. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Systems and methods for support of on-demand positioning reference signals in a wireless network

Номер патента: WO2022081323A1. Автор: Stephen William Edge,Sven Fischer,Sony Akkarakaran,Alexandros Manolakos,Guttorm Ringstad Opshaug. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-21.

Systems and methods for recording and storing media content

Номер патента: US09986000B1. Автор: Shijo Mathew. Владелец: Cleardoc Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for providing advertisements to point of presence devices including mapping different types of advertisement messages of respective content providers

Номер патента: US09961377B1. Автор: Daniel M. Miner,Matthew Pinto,Roberto Nery Da Fonseca. Владелец: DirecTV Group Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240172426A1. Автор: Junhyeok Ahn,Myeongdong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Methods for determining and displaying a local page for a mobile device and systems thereof

Номер патента: US09930484B2. Автор: Dominic M. Kotab. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Upgradable electronic device, server for upgrdading electronic device, and method for upgrading electronic device

Номер патента: US20230153096A1. Автор: Seonghwan Kang,Minkyu Park,Baekgeun JI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-05-18.

Programmable device for processing data set and method for processing data set

Номер патента: US20220149843A1. Автор: CHENG JI,Jun Yang,Jiashu LI,Mian LU. Владелец: Fourth Pardigm Beijing} Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Solid-state image pickup device and method for driving the same in solid-state imaging pickup device and method for driving the same in a number of modes

Номер патента: US09942505B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiko Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

System and method for simultaneous communication with multiple wireless communication devices

Номер патента: US09866416B2. Автор: Daniel Joseph Lyons. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Solid-state image pickup device and method for driving the same in solid-state imaging pickup device and method for driving the same in a number of modes

Номер патента: US09769411B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiko Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

System and methods for simultaneous communication with multiple wireless communication devices

Номер патента: US09467986B2. Автор: Daniel Joseph Lyons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

Electronic device and method for controlling temperature of electronic device

Номер патента: US09439323B2. Автор: Masaaki Kitano. Владелец: NEC Platforms Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

System and method for optimizing video communications based on device capabilities

Номер патента: US20230388583A1. Автор: Rajaraman Krishnan,Sivakumar Chaturvedi,Rashmi Lohita,Channamallesh G. Hiremath. Владелец: Damaka Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method for optimizing video communications based on device capabilities

Номер патента: US11770584B1. Автор: Rajaraman Krishnan,Sivakumar Chaturvedi,Rashmi Lohita,Channamallesh G. Hiremath. Владелец: Damaka Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatus and method for transmitting data

Номер патента: US20240267337A1. Автор: Sung Soo Park,Young Ju Kim,Kyeong Jun Ko,Il Mu BYUN,Woo Jin AHN. Владелец: Korea Railroad Research Institute KRRI. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for transmitting data

Номер патента: EP4422147A1. Автор: Sung Soo Park,Young Ju Kim,Kyeong Jun Ko,Il Mu BYUN,Woo Jin AHN. Владелец: Korea Railroad Research Institute KRRI. Дата публикации: 2024-08-28.

System and method for allocating resources for device-to-device communications

Номер патента: US09907056B2. Автор: Philippe Sartori,Zhenzhen CAO,Hossein Bagheri,Mazin Al-Shalash. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Systems and methods for displaying, distributing, viewing, and controlling digital art and imaging

Номер патента: US09865222B2. Автор: Marc Trachtenberg,Francois Gariepy. Владелец: Videri Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device and method for controlling same

Номер патента: US20230276140A1. Автор: Hyunsoo CHOI,Seungsoo Kang,Heeyoon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Electronic device for controlling communication circuit supporting C-DRX and method for the same

Номер патента: US12058616B2. Автор: Hyeonsoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device having trench top isolation layer and method for forming the same

Номер патента: US20040209422A1. Автор: Yi-Nan Chen,Tieh-Chiang Wu,Feng-Chuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Access point device, station device, and method for wireless communication

Номер патента: US20240205710A1. Автор: Lei Huang,Chaoming LUO. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for managing communication records

Номер патента: US20100056107A1. Автор: Cheng-Kang Fan. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for processing data and electronic device thereof

Номер патента: US09807227B2. Автор: Joo-hyun Kim,Jong-Sang Won,Jae-Sung KU,Sun-Wook BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for configuring a mobile electronic device

Номер патента: US20240196235A1. Автор: Amit Moran. Владелец: Indoor Robotics Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

System and method for retrieving the dynamic state of a mobile communication device

Номер патента: US20100190481A1. Автор: Badri Nath,Rakesh Kushwaha. Владелец: Mformation Technologies Inc. Дата публикации: 2010-07-29.

Terminal device and method for controlling image acquirer

Номер патента: US20210352197A1. Автор: Tongxun QU. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US12120923B2. Автор: Qian Jiang,YungSheng CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for charging battery inside electronic device with a plurality of power supplies and a plurality of charging modules with USB OTG functionality

Номер патента: US09728989B2. Автор: Soo-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Wireless sound device and method for controlling the same

Номер патента: US12149879B2. Автор: Yehan AHN,Mansoo Sin,Hoyoun Lee,Sangkuk JEON,Hyojin Kim,Joonwon BYUN. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-11-19.

Method for managing cell reselection in multi-subscriber identity module devices

Номер патента: WO2016144548A1. Автор: Ankur Srivastava,Ravi Kanth KOTREKA,Kranthi Kumar Guduru. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Image display device and method for controlling the same

Номер патента: US12052473B2. Автор: Eunjung Lee,Taeyoung Kim,Minjae Kim,Sijin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-30.

Systems and methods for performing measurements in transmission gaps

Номер патента: US09603043B2. Автор: Hyung-Nam Choi. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for managing cell reselection in multi-subscriber identity module devices

Номер патента: US09408130B1. Автор: Ankur Srivastava,Ravi Kanth KOTREKA,Kranthi Kumar Guduru. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating variable resistance memory device

Номер патента: US20120289020A1. Автор: Ki-hong Lee,Beom-Yong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Wearable device, wearable device system and method for controlling wearable device

Номер патента: EP3381177A1. Автор: Hyun Chul Choi,Byeong Yong JEON. Владелец: Innomdle Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-03.

Apparatus and methods for enhanced user equipment power management via controlled cell change notifications

Номер патента: US20140171087A1. Автор: Vinay Paradkar,Harsh MURARI,Thomas M. Rebman,Vamsi K. Dokku,Shrawan Krishna Khatri,Jimi Atul Shah,Nirupama Locanindi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Method for manufacturing housing

Номер патента: US9921620B2. Автор: Kar-Wai Hon,Shyan-Juh Liu,Sha-Sha Liu. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Electronic device and method for detecting fingerprints

Номер патента: US20210132734A1. Автор: Bin Fan. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Audio device and method for automatically adjusting volume thereof

Номер патента: US09990171B2. Автор: Jiuxia YANG,Jiantao Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for manufacturing housing

Номер патента: US09921620B2. Автор: Kar-Wai Hon,Shyan-Juh Liu,Sha-Sha Liu. Владелец: Futaihua Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Terminal device, system, and method for accessing virtual desktop

Номер патента: US09906584B2. Автор: Zhiping Wang,Hengsheng Zhang,Mingdong Li,Xiaohua Chen,Pei ZHAO. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Electronic device and method for setting network model

Номер патента: US09648112B2. Автор: Kai-Wen Chung. Владелец: Chiun Mai Communication Systems Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and method for processing image in camera device and portable terminal using first and second photographing information

Номер патента: US09516221B2. Автор: Yonggu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for Testing Networks Using Test Data Flows

Номер патента: US20230111201A1. Автор: Alexander Gogolev,Abdulkadir KARAAGAC. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-04-13.

Communication Device and Method for Sending Urgent Information

Номер патента: US20100306342A1. Автор: Jingli Zhang. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Method for Discovering and Connecting to Electronic Device and Electronic Device

Номер патента: US20240022892A1. Автор: Zeling Qiu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Device and method for receiver-equalizer calibration

Номер патента: US20110305269A1. Автор: Liang-Wei Huang,Chien-Sheng Lee,Mei-Chao Yeh,Li-Han Liang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Camera device and method for controlling a camera device

Номер патента: US09794456B2. Автор: Ping-Kun Fu,Ko-Hsin HSIANG. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Liquid crystal display device and method for driving the liquid crystal display device

Номер патента: US09613575B2. Автор: Wei Chen,Xiaoping Tan,Jianjun Xie. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US09438242B2. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and forming method therefor

Номер патента: EP4322182A1. Автор: Jie Bai,Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

WINDOW FOR DISPLAY DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190138127A1. Автор: SEO Hyunseung,CHO JONGHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Threshold switching device, method for fabricating the same, and electronic device including the same

Номер патента: TWI699871B. Автор: 李鍾哲,金範庸,李炯東. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2020-07-21.

Threshold switching device, method for fabricating the same, and electronic device including the same

Номер патента: TW201724469A. Автор: 李鍾哲,金範庸,李炯東. Владелец: 愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

Security device, electronic device, secure boot management system, method for generating boot image, and method for executing boot chain

Номер патента: US11874928B2. Автор: Hyo Sun HWANG,Jong Hoon Shin,Jin Su HYUN,Hye Soo Lee,Ki Tak Kim,Ki Seok BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Systems and methods for recording and storing media content

Номер патента: US10560500B2. Автор: Shijo Mathew. Владелец: Cleardoc Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Systems and methods for recording and storing media content

Номер патента: CA3049974C. Автор: Shijo Mathew. Владелец: Cleardoc Inc. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for manufacturing nonvolatile storage device and nonvolatile storage device

Номер патента: US20130062590A1. Автор: Nobuaki Yasutake,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for Controlling Charging of an Electronic Device

Номер патента: US20230318342A1. Автор: Lei Yu,Conrad Smith,David Boyd Townsley,Ajmal Godil. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-05.

Programmable device for processing data set and method for processing data set

Номер патента: US11791822B2. Автор: CHENG JI,Jun Yang,Jiashu LI,Mian LU. Владелец: 4Paradigm Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Electronic device and method for supporting positioning communication

Номер патента: US20230283985A1. Автор: Yi Yang,Hyunchul Kim,Sukgi HONG,Moonseok KANG,Jonghoon JANG,Jiho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Electronic device and method for supporting positioning communication

Номер патента: US11997564B2. Автор: Yi Yang,Hyunchul Kim,Sukgi HONG,Moonseok KANG,Jonghoon JANG,Jiho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Method for operating mobile device and touch-controlled mobile device

Номер патента: US20110141025A1. Автор: Shu-Feng Tsai. Владелец: Inventec Appliances Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

System and method for simultaneous communication with multiple wireless communication devices

Номер патента: US20170012809A1. Автор: Daniel Joseph Lyons. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-12.

Wireless communication device and symbol-based processing method for downlink signals thereof

Номер патента: US20190200362A1. Автор: Jung-Ho Lee,Young-Gul Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Systems and methods for imaging objects

Номер патента: US20140098254A1. Автор: Todd Conard. Владелец: Freedom Scientific Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

System and method for printing documents using print hardware and automatic print device identification based on context correlation

Номер патента: US20180041662A1. Автор: Peter J. Zehler,Lawrence W. Meyer,Erol Esen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

System and method for printing documents using print hardware and automatic print device identification based on context correlation

Номер патента: US20170180606A1. Автор: Peter J. Zehler,Lawrence W. Meyer,Erol Esen. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Display device and method for manufacturing thereof

Номер патента: EP4340578A1. Автор: Young Hoon Lee,So Young Lee,Yong Seung Park,Wan Jung Kim,Hyo Young Mun,Yi Seul Um,Kyung Ah Nam,Dae Sang Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Systems and methods for fluorescence-based imaging

Номер патента: WO2024006808A2. Автор: Joshua HERZOG,Volker SICK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2024-01-04.

Display device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20240099105A1. Автор: Young Hoon Lee,So Young Lee,Yong Seung Park,Wan Jung Kim,Hyo Young Mun,Yi Seul Um,Kyung Ah Nam,Dae Sang Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Device, system and method for installing encrypted data

Номер патента: AU2020202679A1. Автор: Ellis A. Pinder,Thomas S. Messerges,Brian W. Pruss. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Device, system and method for installing encrypted data

Номер патента: AU2020202679B2. Автор: Ellis A. Pinder,Thomas S. Messerges,Brian W. Pruss. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Device, system and method for installing encrypted data

Номер патента: GB2587446A. Автор: W Pruss Brian,A Pinder Ellis,s messerges Thomas. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2021-03-31.

Method for resource configuration, terminal device and storage medium

Номер патента: US20240089792A1. Автор: Yali Zhao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Systems and methods for fluorescence-based imaging

Номер патента: WO2024006808A3. Автор: Joshua HERZOG,Volker SICK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2024-04-25.

Active bypass control device and method for photovoltaic module

Номер патента: CA3049551C. Автор: Zongjun YANG,Yanfei YU,Hua NI. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

Apparatus and method for setting camera

Номер патента: WO2016163739A1. Автор: Changryong HEO,Taeseon KIM,Kenhyung Park,Taekyun Kim,Minyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-10-13.

Transparent composite film with hard coating, method for forming the same and flexible display device including the same

Номер патента: US20200190277A1. Автор: Jun Hou,Kevin Robert McCarthy. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Electronic device and method for remote video conference

Номер патента: US20240031524A1. Автор: Hsing-Yu Chen,Lu-heng WU. Владелец: Optoma Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230189571A1. Автор: Qian Jiang,YungSheng CHEN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Transparent composite film with hard coating, method for forming the same and flexible display device including the same

Номер патента: EP3615598A1. Автор: Jun Hou,Kevin Robert McCarthy. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Systems and methods for anchoring components in MEMS semiconductor devices

Номер патента: US09458010B1. Автор: Ruben B. Montez,Robert F. Steimle. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Method for manufacturing holographic optical element and display device including holographic optical element manufactured thereby

Номер патента: EP3822695A1. Автор: Min Soo Song,Jae Jin Kim,Bu Gon Shin,Dae Han SEO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated additive manufacturing and laser processing systems and methods for ceramic, glass, and silicon carbide applications

Номер патента: US12053906B2. Автор: Fei Peng,Rajendra Bordia,Hua Huang,Hai Xiao,Jincheng LEI,Jianhua Tong,Kyle S. Brinkman,Shenglong Mu,Yuzhe Hong. Владелец: Clemson University Research Foundation (CURF). Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated device and method for mixing and separating liquid phases

Номер патента: RU2703240C1. Автор: Арйун Кумар ПУККЕЛЛА,Сивакумар СУБРАМАНИАН,Равирайу ВЫСЯРАЙУ. Владелец: Тата Цонсултанцы Сервицес Лимитед. Дата публикации: 2019-10-15.

Devices and methods for microbiome sampling

Номер патента: US20240130717A1. Автор: Larry Weiss,Lauren Nicole AMBROGIO. Владелец: AOBIOME LLC. Дата публикации: 2024-04-25.

Method for disassembling developing device and method for recycling developing device

Номер патента: US20200272074A1. Автор: Teruhiko Sasaki,Yuuki Nakamura,Osamu Anan. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Methods for enabling software in store-capable devices

Номер патента: EP2300918A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Donald Ray Bryant-Rich. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-03-30.

Nonwoven substrate, fibrous material for liquid clarifiction, production method for said material, and cleaner equipped with said material

Номер патента: US20240352665A1. Автор: Hisatoshi Kobayashi,Hiroyuki Akasu,Yuzo TERAMOTO. Владелец: Japan Hemotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Test device for arbitrarily directional combined loading and method for using the same

Номер патента: US20240230493A9. Автор: Yishan PAN,Xiangyu PAN,Lianpeng Dai,Aiwen Wang,Yonghui Xiao,Jianzhuo ZHANG. Владелец: Liaoning University. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device and method for controlling thereof

Номер патента: US20220188452A1. Автор: Sunghyun Choi,Jungwook Kim,Chiyoun PARK,Juyong SONG,Hyunjoo JUNG,Dongjae LIM,Ilgu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Electronic device and method for controlling thereof

Номер патента: US12032719B2. Автор: Sunghyun Choi,Jungwook Kim,Chiyoun PARK,Juyong SONG,Hyunjoo JUNG,Dongjae LIM,Ilgu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Devices and methods for handling biological specimens

Номер патента: US20220362773A1. Автор: Joseph Springer,Christopher Rhodes,Kristy PARKER,Gregory DeFoe,Corey Monteith. Владелец: Strateos Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Mold device and method for forming a lock bore

Номер патента: US7731888B2. Автор: James W. Hall,David A. Nowicky,Philip B. Race,Douglas E. Shaffer,David P. Fisher,Christine M. Keane. Владелец: John D Brush and Co Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Device for film thickness measurement and method for film thickness measurement

Номер патента: US09879971B2. Автор: LU Wang,Yujun Zhang,Jinqian Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Apparatus and method for food capture

Номер патента: US09504343B2. Автор: Jonathan P. Dekar. Владелец: DESIN LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Double-sided tape, method for producing the same and electronic device including the same

Номер патента: WO2019048955A1. Автор: Hayoung Lee,Seunghoon JUNG. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2019-03-14.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Pixel, method for driving the same, and display device including the same

Номер патента: US20240249668A1. Автор: Hyun Joon Kim,Seon Young Choi,Min Kyu Woo,Bon Yong Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Cutting device and method for cutting paper

Номер патента: US20210308891A1. Автор: Johannes Franciscus Roland Oudsen. Владелец: SDD HOLDING BV. Дата публикации: 2021-10-07.

Adjusting separation method for other sample separation device using sample properties and numerical analysis

Номер патента: US20240288408A1. Автор: Uwe Effelsberg,Lena Höninger,Gerhart Metzler. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2024-08-29.

Finger wearable devices and methods for producing finger wearable devices

Номер патента: US20240324957A1. Автор: Michael A. Leabman,Gabriel Cohn,Hector Realubit. Владелец: Movano Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Finger wearable devices and methods for producing finger wearable devices

Номер патента: WO2024206954A2. Автор: Michael A. Leabman,Gabriel Cohn,Hector Realubit. Владелец: Movano Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for intelligently determining image capture times for image applications

Номер патента: US09785653B2. Автор: Eran Cohen,Wiley H. Wang,Moshe Bercovich,Alexander Kenis. Владелец: Shutterfly LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Uveoscleral drug delivery implant and methods for implanting the same

Номер патента: US09636255B2. Автор: David Haffner,Kenneth Curry. Владелец: Dose Medical Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Finger wearable devices and methods for producing finger wearable devices

Номер патента: WO2024206954A3. Автор: Michael A. Leabman,Gabriel Cohn,Hector Realubit. Владелец: Movano Inc.. Дата публикации: 2024-10-31.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Device and Method for Cleaning Board Erasers

Номер патента: US20240238850A1. Автор: Zikuan LI,Mingtao Li,Yuliang He. Владелец: Shijiazhuang Keda Educational Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Device and method for cleaning board erasers

Номер патента: US12048953B1. Автор: Zikuan LI,Mingtao Li,Yuliang He. Владелец: Shijiazhuang Keda Educational Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for controlling content in mobile electronic device

Номер патента: EP2846278A3. Автор: Geon Soo Kim,Doo Suk Kang,Bo Kun CHOI,Han Jib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-03.

Device and method for perforating a dense bone layer

Номер патента: US12070235B2. Автор: Jorg Mayer,Andre Schwery. Владелец: Bosonic AG. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Operating a Material Investigation Device, and Material Investigation Device of this Type

Номер патента: US20230243996A1. Автор: Heiko SGARZ,Jan-Michael Brosi,Sandra Hagmayer,Torsten Track,Ina Sophie Boettcher. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for reducing the blood priming volume and membrane surface area in microfluidic lung assist devices

Номер патента: EP2788042A1. Автор: Jeffrey T. Borenstein,Joseph L. Charest,Ernest Kim,James C. Hsiao,Tatiana Kniazeva,Alla Epshteyn,Vijaya Kolachalama. Владелец: Charles Stark Draper Laboratory Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Method for operating a memory device and memory device thereof

Номер патента: US20240170086A1. Автор: Chia-Cho Wu,Chi-Yi Shao. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Electrophoretic display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150293423A1. Автор: XIAO Li,Ni Jiang,Zhenxia CHEN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Uveoscleral shunt and methods for implanting same

Номер патента: US09962290B2. Автор: Harold A. Heitzmann,David Haffner,Thomas W. Burns,Richard A. Hill,Todd N. Fjield. Владелец: Glaukos Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Electrophoretic display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09470949B2. Автор: XIAO Li,Ni Jiang,Zhenxia CHEN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Electrochromic device comprising hybrid electrolyte layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20200142272A1. Автор: Jung-Pil KIM,Hae-Sung Jang. Владелец: Orion Nes Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Devices and methods for blast containment

Номер патента: WO2023069185A3. Автор: James Arthur Warren,Jason Lovaine Blaylock. Владелец: Advanced Blast Protection Systems, Llc Dba Saleria. Дата публикации: 2023-07-06.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Devices and methods for blast containment

Номер патента: EP4388276A2. Автор: James Arthur Warren,Jason Lovaine Blaylock. Владелец: Synthetik Applied Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-26.

Ct device and method for controlling ct device

Номер патента: US20240066205A1. Автор: LONG Yang,Kuo-Yue Liu. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Devices and methods for blast containment

Номер патента: US12098022B2. Автор: James Arthur Warren,Jason Lovaine Blaylock. Владелец: Synthetik Applied Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Window for display device, display device including the same, and manufacturing the same

Номер патента: US09645422B2. Автор: Jeong Ho Hwang,Jee-Seok Oh,Sang Gu Kim,Joo Il KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Device and method for controlling brightness of organic light emitting diode display

Номер патента: US09542883B2. Автор: Hyun Jae Lee,Jin-Hyoung Kim,Jae-Sung Son. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Measurement device and method for detection of airborne particles

Номер патента: US09448167B2. Автор: Jean-Pierre Wolf,Denis Kiselev,Luigi Bonacina. Владелец: UNIVERSITE DE GENEVE. Дата публикации: 2016-09-20.

Device and method for breeding blueberry-specific mycorrhizal fungi

Номер патента: US20200236874A1. Автор: Zhiyuan Chen,Gongwei Qin. Владелец: Shaanxi University of Technology. Дата публикации: 2020-07-30.

Calibration device and calibration method for non-contact photographic hole measurement

Номер патента: US20240369357A1. Автор: Bo Li,Weidong Li,Yunfeng Jiang,Xin Shen,Gui ZHANG,Wenping MOU,Mingcong HUANG,Zhenxi JIANG. Владелец: Chengdu Aircraft Industrial Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Electronic device and method for displaying web history thereof

Номер патента: US09460227B2. Автор: Yongtaek GONG,Yongkyoung SHIN,Youndong PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating liquid crystal display device

Номер патента: US20040263769A1. Автор: Yun Lee,Woo Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Probe assembly, system and method for testing rf device of phased array antenna

Номер патента: US20240201245A1. Автор: Yu-Jiu Wang,Ta-Shun Chu,Yue Ming WU,Hao-Chung Chou. Владелец: Tron Future Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Recovery device and method for recovering magnetic particle

Номер патента: US20210052304A1. Автор: Jingang KANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for modeling metastability decay using fence logic insertion

Номер патента: US20070244685A1. Автор: Bradley Nelson,Yee Ja,Raymond Schuppe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Boat maneuvering control method for boat and boat maneuvering control system for boat

Номер патента: US20170139426A1. Автор: Makoto Ito,Mathias Lindeborg,Sebastian NILSSON. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Devices and methods for the detection of strep a

Номер патента: WO2014145810A3. Автор: Kathleen MORSEY. Владелец: Morsey Kathleen. Дата публикации: 2014-12-31.

Electronic device and a method for managing memory space thereof

Номер патента: US09977598B2. Автор: Nicholas Ching Hui Tang,Chin-Wen Chang,Chih-Hsuan Tseng,Min-Hua Chen,Chung-Jung Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Liquid crystal display device and method for driving the same

Номер патента: US09495934B2. Автор: Yong Duk Lee,Man Gyu Park,Yeon Ho Choi,Young Sang Baek,Sun Woo Kwag,Sang Kwan Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for estimating depth, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20230394692A1. Автор: Chin-Pin Kuo,Yu-Hsuan Chien. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Heat-dissipating device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9550226B2. Автор: Kuo-Sheng Lin,Sheng-Huang Lin. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatuses and methods for bounded fault compliant metadata storage

Номер патента: US20240256380A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatuses and methods for bounded fault compliant metadata storage

Номер патента: US20240256382A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

System and method for enabling the emergency remote override of a hijacked operation of a vehicle, a device or a facility

Номер патента: US11679894B1. Автор: Rayomond H. Chinoy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-20.

Methods for gesture recognition and control

Номер патента: WO2020226380A1. Автор: Han Wang,Boon Loong Ng,Wenxun Qiu,Khuong Nguyen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-12.

Method for detecting obstacles, electronic device, and storage medium

Номер патента: US20240257357A1. Автор: Yin-Chung Leung. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

LCD device of improvement of flicker upon switching frame rate and method for the same

Номер патента: US8269711B2. Автор: Chung-Chih Hsiao,Jiao-Lin Huang,Ming-Xian Li. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-09-18.

Lcd device of improvement of flicker upon switching frame rate and method for the same

Номер патента: US20100295765A1. Автор: Chung-Chih Hsiao,Jiao-Lin Huang,Ming-Xian Li. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for controlling sense amplifier and control device using the same

Номер патента: US20240055031A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Device and method for controlling autonomous driving

Номер патента: US12090996B2. Автор: Ji Hwan Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for Verifying an Identity of an Electronic Device and Related Device

Номер патента: US20240312272A1. Автор: Zhuo Wei,Girish Shivalingappa REVADIGAR,Qinyong JIA. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Guide wire friction feedback device and method for interventional surgical robot

Номер патента: US12128198B2. Автор: Tao Huang. Владелец: Beijing Wemed Medical Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Electronic device and method for managing user interface

Номер патента: US09804775B2. Автор: Yu-Hsien Lin,Hung-Ling Wei. Владелец: Fih Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Image processing circuit and methods for processing image on-the-fly and devices including the same

Номер патента: US09965825B2. Автор: Min Soo Kim,Sung Chul Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

SUBSTRATE FOR DISPLAY DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150168612A1. Автор: Lee Jun Seok. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-06-18.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A4. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for ultra-fine spraying of liquid fuel and device therefor

Номер патента: RU2644422C1. Автор: Сергей Михайлович Фролов,Валерий Андреевич Моисеев,Владимир Георгиевич Андриенко,Сергей Александрович Набатников,Виктор Алексеевич Сметанюк,Владимир Георгиевич Пилецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые физические принципы". Дата публикации: 2018-02-12.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945919B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: KR100730266B1. Автор: 다까요시 미나미. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for fabricating mask of semiconductor device

Номер патента: KR100266659B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR101039141B1. Автор: 전병구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: WO2004077155A1. Автор: Takayoshi Minami. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2004-09-10.

Electronic Device and Method for Operating the Electronic Device

Номер патента: US20110029815A1. Автор: Christopher Wilson Case. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-03.

Devices and methods for a durable insect bait station

Номер патента: CA2929704C. Автор: Izhar Halahmi. Владелец: Wto Investments LLC. Дата публикации: 2018-06-19.

Systems and methods for perceiving a scene around a mobile device

Номер патента: US11823461B1. Автор: Wei Song,Royce Cheng-Yue,Daniel Lowengrub. Владелец: Direct Current Capital LLC. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for an electronic device to receive fingerprint data

Номер патента: EP4296978A2. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Method for an electronic device to receive fingerprint data

Номер патента: EP4296978A3. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Display device and method for restoring deterioration data of the same

Номер патента: US20220059051A1. Автор: Sang Myeon Han,Byoung Kwan AN,Joon Hyeok JEON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Methods for making intra-oral electronic therapy devices for treating sleep-breathing disorders, bruxing disorders, and tmj disorders

Номер патента: US20100200158A1. Автор: Sherrill F. Lindquist,John E. Zurasky,Jacob D. Zurasky. Владелец: ZURLIN Tech HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2010-08-12.

Electrochromic device and control method for same

Номер патента: EP4279987A1. Автор: Chenbi XIONG. Владелец: Guangyi Intelligent Tech Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US9135979B2. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-09-15.

Double-sided tape, method for producing the same and electronic device including the same

Номер патента: US20200207065A1. Автор: Hayoung Lee,Seunghoon JUNG. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Electronic device to receive fingerprint data and method for the same

Номер патента: US20220270392A1. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Electronic device to receive fingerprint data and method for the same

Номер патента: US11733794B2. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Nonwoven substrate, fibrous material for liquid clarification, production method for said material, and cleaner equipped with said material

Номер патента: EP4378578A1. Автор: Hisatoshi Kobayashi,Hiroyuki Akasu,Yuzo TERAMOTO. Владелец: Japan Hemotech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US20140104970A1. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

Control method for electronic device, control device, and electronic device

Номер патента: US20160274634A1. Автор: Weixing Shi,Xueyuan Zhang. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Method for preparing a metallic surface

Номер патента: US20230234095A1. Автор: Thomas J. Chapaton,Peter P. Andruskiewicz, IV. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2023-07-27.

Electronic atomizing device, power supply mechanism, and recognition method for atomizer

Номер патента: EP4309523A1. Автор: Zhongli XU,Yonghai LI,Hanliang CHEN. Владелец: Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Method for setting black data of display device and display device employing the same

Номер патента: US20190130827A1. Автор: Jun Ho Hwang,Si Beak PYO,Jong Kwang HWANG,Jae Woo Song. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Display device and method for adjusting its display brightness

Номер патента: US20210335173A1. Автор: Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Pinchao GU,Changfeng LI,Xueyou CAO,Jing LV,Lijun Zhao,Yunke QIN,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for Writing Multiple Copies into Storage Device, and Storage Device

Номер патента: US20170371804A1. Автор: Qi Wang,Xiaohua Li,Ji Ouyang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Water discharge device and method for controlling the same

Номер патента: AU2020336658A1. Автор: Heesang Yoon,Jongho Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2022-03-24.

Water discharge device and method for controlling the same

Номер патента: AU2020336658B2. Автор: Heesang Yoon,Jongho Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-11-30.

Display device and method for adjusting its display brightness

Номер патента: US11341883B2. Автор: Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Pinchao GU,Changfeng LI,Xueyou CAO,Jing LV,Lijun Zhao,Yunke QIN,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Device and method for separately-loading objects into packages

Номер патента: US20240025587A1. Автор: Dilong YU,Jianwei Liu,Haoteng Lei,Xibing Wang,Chuanfang Xiao. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Multi-chip device and method for storing data

Номер патента: US20160124807A1. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Tobias Blaettler,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-05.

Computing device and method for reusing data

Номер патента: US20220206749A1. Автор: Yufei Zhang,Hao Shu. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Method for determining a parameter of an optical device comprising at least an optical lens

Номер патента: US20210208024A1. Автор: Stephane GUEU,Dominick HUBACZ. Владелец: Essilor International Compagnie Generale dOptique SA. Дата публикации: 2021-07-08.

Test device for arbitrarily directional combined loading and method for using the same

Номер патента: US20240133784A1. Автор: Yishan PAN,Xiangyu PAN,Lianpeng Dai,Aiwen Wang,Yonghui Xiao,Jianzhuo ZHANG. Владелец: Liaoning University. Дата публикации: 2024-04-25.

In-vehicle device, system and method for automatic parking assistance

Номер патента: US11801829B2. Автор: Wei Wang. Владелец: Volvo Car Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Systems and methods for automated capture threshold testing and associated his bundle pacing

Номер патента: EP3852865A1. Автор: Jan O. MANGUAL-SOTO,Wenwen Li,Luke C. McSpadden,Nima Badie. Владелец: Pacesetter Inc. Дата публикации: 2021-07-28.

Illumination device, display device, display system, and light module driving method for illumination device

Номер патента: US11798503B2. Автор: Jon-Hong LIN,Chun-Yi SUN,Peng-Hsiang WU. Владелец: Radiant Opto Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Heart valve support device and methods for making and using the same

Номер патента: US11833047B2. Автор: Luca Pesce,Alfonso USSIA. Владелец: Triflo Cardiovascular Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Performance testing device and method for novel vibratory steel wheel

Номер патента: NL2032053B1. Автор: Wang Ying,Wu Jie,Zhang Zhifeng,Liu Tianyu,Ren Peidan,Liu Jinwang. Владелец: Changan Univ. Дата публикации: 2024-01-29.

Method for controlling electronic device

Номер патента: US20230168903A1. Автор: Ye Chen,Lijin Chen,Suzhen Liu. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Display device and method for displaying an image thereon

Номер патента: US11922905B2. Автор: Seung Ho Park,Kang Hee Lee,Mi Young JOO,Chai Hoon Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Method for controlling electronic device

Номер патента: US11989566B2. Автор: Ye Chen,Lijin Chen,Suzhen Liu. Владелец: Xiamen Sigmastar Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Display device and method for displaying an image thereon

Номер патента: US20210005168A1. Автор: Seung Ho Park,Kang Hee Lee,Mi Young JOO,Chai Hoon Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THEREOF

Номер патента: US20120001950A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR FORMING ETCH STOP LAYERS, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME, AND METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120119283A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

Method for electrolyzing water and a device to implement it

Номер патента: RU2034933C1. Автор: Л.Н. Иванова,В.П. Евстифеева. Владелец: Товарищество с ограниченной ответственностью фирма "ЭЛДИС". Дата публикации: 1995-05-10.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AS WELL AS DISPLAY

Номер патента: US20120242624A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

buffer insulation layer and semiconductor device having the same and method for fabricating of the semiconductor device

Номер патента: KR101201316B1. Автор: 이기홍. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-11-14.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120028436A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,Jong Jan Lodewijk de. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120061739A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120091587A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120107967A1. Автор: . Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120223738A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,de Jong Jan Lodewijk. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130021060A1. Автор: OR-BACH Zvi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

PATTERNING METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137269A1. Автор: Baars Peter,Geiss Erik P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130164903A1. Автор: KIM Su-Young,PARK Hyung-Soon,Lee Jeong-Yeop,Lee Young-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130267046A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140004678A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100250728B1. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method for fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: KR101261629B1. Автор: 김경해,오덕환. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425827B1. Автор: 유용식,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of lower electrode and improve capacitance

Номер патента: KR100399915B1. Автор: 은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating solid state semiconductor device

Номер патента: TW201218424A. Автор: Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Tech. Дата публикации: 2012-05-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING PROTRUSION TYPE ISOLATION LAYER

Номер патента: US20120119290A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.