Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US12002863B2
Опубликовано: 04-06-2024
Автор(ы): Chen-Ming Lee, Fu-Kai Yang, Kai-Hsuan LEE, Mei-Yun Wang, Yen-Ming Chen
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US20240304689A1. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Formation of an air gap spacer using sacrificial spacer layer

Номер патента: US20200373204A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Air gap spacer integration for improved fin device performance

Номер патента: US09515156B2. Автор: Yoshie Kimura,Dengliang Yang,Bart van Schravendijk,Gerardo A. Delgadino,Paul Raymond Besser,Harald Orkorn-Schmidt. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Method to form air-gap spacers and air-gap spacer-containing structures

Номер патента: US20180130899A1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

HORIZONTAL GATE-ALL-AROUND DEVICE NANOWIRE AIR GAP SPACER FORMATION

Номер патента: US20220173220A1. Автор: Sun Shiyu,Kim Nam Sung,Jin Miao,Wood Bingxi Sun,Yoshida Naomi,KUNG Sheng-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

HORIZONTAL GATE ALL AROUND DEVICE NANOWIRE AIR GAP SPACER FORMATION

Номер патента: US20200411656A1. Автор: Sun Shiyu,Kim Nam Sung,Jin Miao,Wood Bingxi Sun,Yoshida Naomi,KUNG Sheng-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09589833B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTORS WITH AIR-GAP INNER SPACERS AND METHODS

Номер патента: US20200083352A1. Автор: Xie Ruilong,Chanemougame Daniel,Frougier Julien. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

HORIZONTAL GATE ALL AROUND DEVICE NANOWIRE AIR GAP SPACER FORMATION

Номер патента: US20170309719A1. Автор: Sun Shiyu,Kim Nam Sung,Jin Miao,Wood Bingxi Sun,Yoshida Naomi,KUNG Sheng-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor devices with enhanced substrate isolation

Номер патента: US12080799B2. Автор: Jaeduk LEE,Sohyeon LEE,Sungsu Moon,Ikhyung Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11837631B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230387198A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Source/Drain Spacer with Air Gap in Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20220328623A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Horizontal gate all around device nanowire air gap spacer formation

Номер патента: TW201739001A. Автор: 金苗,孫世宇,金男成,冰西 孫,吉田尚美,龔聖欽. Владелец: 應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2017-11-01.

Horizontal gate all around device nanowire air gap spacer formation

Номер патента: TWI795317B. Автор: 金苗,孫世宇,金男成,冰西 孫,吉田尚美,龔聖欽. Владелец: 美商應用材料股份有限公司. Дата публикации: 2023-03-01.

Horizontal gate-all-around device nanowire air gap spacer formation

Номер патента: US11848369B2. Автор: Miao Jin,Naomi Yoshida,Nam Sung Kim,Shiyu Sun,Bingxi Sun Wood,Sheng-Chin Kung. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20230335584A1. Автор: Chia-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20150087120A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Semiconductor device with a resistance element in a trench

Номер патента: US09484444B2. Автор: Koichi Mochizuki,Shigeru Kusunoki,Minoru Kawakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

SELF-ALIGNED AIR GAP SPACER FOR NANOSHEET CMOS DEVICES

Номер патента: US20180358435A1. Автор: Reznicek Alexander,Wang Junli,Mochizuki Shogo,Rubin Joshua M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11764262B2. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US20230369398A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and fabrication method including air gap spacers

Номер патента: US11127638B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20230387117A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20210098592A1. Автор: SunKi Min,Sungsoo Kim,Donghyun Roh,Iksoo Kim,Sangkoo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190181223A1. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10991794B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device with a reduced band gap zone

Номер патента: US09859272B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Roman Roth,Christian Philipp Sandow,Frank Dieter Pfirsch,Carsten Schaeffer,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240222507A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Shih-Chuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Passivation Layers For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240243184A1. Автор: Ching-Hua Lee,Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20220037491A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Huan-Chieh Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Methods and apparatuses including memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US20130049093A1. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

METHODS OF FORMING MEMORY CELLS WITH AIR GAPS AND OTHER LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS

Номер патента: US20170287719A1. Автор: Goda Akira,Lee Minsoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device with a trench electrode

Номер патента: US09837527B2. Автор: Wolfgang Bergner,Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230387236A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: EP3945595A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US11984488B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US09853132B2. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US9508829B1. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Fill structures with air gaps

Номер патента: US11961884B2. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Air gap spacer with wrap-around etch stop layer under gate spacer

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP ON GATE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chang Chih-Hao,Lin Yu-Ming,Chuang Chia-Lin,Lin Tien-Lu,WU Che-Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-03-18.

Transistor with air gap under raised source/drain region in bulk semiconductor substrate

Номер патента: US11817479B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180053821A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Mallela Hari V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor Structure With Air Gap And Method Sealing The Air Gap

Номер патента: US20230335432A1. Автор: Ziwei Fang,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS

Номер патента: US20210050429A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-18.

METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS

Номер патента: US20200091309A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-03-19.

Methods of fabricating semiconductor devices having air-gap spacers

Номер патента: US10811515B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-20.

FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR (FINFET) DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20200091345A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Liang Chun-Sheng,CHIANG Hsin-Che,CHIU Wen-Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

Transistor with air gap under source/drain region in bulk semiconductor substrate

Номер патента: US11605710B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana,Srikanth Srihari. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

PREVENTING LEAKAGE INSIDE AIR-GAP SPACER DURING CONTACT FORMATION

Номер патента: US20170076978A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

AIR GAP SPACER WITH CONTROLLED AIR GAP HEIGHT

Номер патента: US20190237560A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with vertical field floating rings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09666710B2. Автор: Zihao M. Gao,David C. Burdeaux. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062723B2. Автор: Masahiro Takahashi,Naoki Okuno,Tomosato KANAGAWA,Shota Mizukami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Self-aligned air gap spacer for nanosheet CMOS devices

Номер патента: US09954058B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Junli Wang,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: KR102502371B1. Автор: 코-쳉 리우,밍-슈안 리,밍-룽 쳉,창-미아오 리우. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2023-02-23.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US11600695B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20220384570A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20210376071A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282622A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: EP1936690A3. Автор: Tetsuya Nissan Motor Co. Ltd. Hayashi,Masakatsu Nissan Motor Co. Ltd. Hoshi,Hideaki Nissan Motor Co. Ltd. Tanaka,Shigeharu Nissan Motor Co. Ltd. Yamagami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Trench-gate planar-gate semiconductor device with monolithically integrated schottky barrier diode and junction schottky barrier diode

Номер патента: WO2024183928A1. Автор: Samir Mouhoubi,Tomasz SLEDZIEWSKI. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20080210938A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US7910923B2. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: EP2319083A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A3. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor devices with non-punch-through semiconductor channels having enhanced conduction and methods of making

Номер патента: WO2010006107A2. Автор: David C. Sheridan,Andrew Ritenour. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09905635B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with voltage resistant structure

Номер патента: US09590061B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with sensor potential in the active region

Номер патента: US10096531B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-09.

Semiconductor Device with Sensor Potential in the Active Region

Номер патента: US20160099188A1. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

MOS device with air-gap spacers and its manufacturing method

Номер патента: TW393693B. Автор: Jian-Ting Lin,Jr-Wen Jou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-11.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148876A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

GATE SPACER WITH AIR GAP FOR SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210083067A1. Автор: Chang Chia-Hao,Wang Chih-hao,Lin Yu-Ming,Chuang Chia-Lin,Chuang Cheng-Chi,Wang Sheng-Tsung,Huang Lin-Yu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

IC STRUCTURE WITH AIR GAP ADJACENT TO GATE STRUCTURE AND METHODS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Thin film transistor with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR100669804B1. Автор: 강태욱. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2007-01-16.

AIR GAP SPACER WITH WRAP-AROUND ETCH STOP LAYER UNDER GATE SPACER

Номер патента: US20190198635A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

AIR GAP SPACER WITH WRAP-AROUND ETCH STOP LAYER UNDER GATE SPACER

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Xu Peng,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

AIR GAP SPACER INTEGRATION FOR IMPROVED FIN DEVICE PERFORMANCE

Номер патента: US20160111515A1. Автор: VAN SCHRAVENDIJK Bart,Kimura Yoshie,Besser Paul Raymond,Yang Dengliang,Delgadino Gerardo A.,Orkorn-Schmidt Harald. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

POSITIONING AIR-GAP SPACERS IN A TRANSISTOR FOR IMPROVED CONTROL OF PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200312977A1. Автор: Cheng Kangguo,Loubet Nicolas,XU Wenyu,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

Full air-gap spacers for gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US11495668B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09799746B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Multi-gate device with planar channel

Номер патента: US09478542B1. Автор: Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with a strained region and method of making

Номер патента: US09553149B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu,Yi-Jing Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device with gate

Номер патента: US20230207693A1. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with a variable-width vertical channel formed through a plurality of semiconductor layers

Номер патента: US09680002B2. Автор: Sam Ziqun Zhao,Frank Hui. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor Device with an Insulating Structure for Insulating an Electrode from a Semiconductor Body

Номер патента: US20140159154A1. Автор: Lincoln O'riain,Ralf Rudolf,Marc Strasser,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2014-06-12.

Mechanism for forming semiconductor device with gate

Номер патента: US09728637B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Structure to form and integrate high voltage finfet i/o device with nanosheet logic device

Номер патента: US20240105769A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Dechao Guo,Shahab Siddiqui,Ruqiang Bao,Anthony I. Chou,Charlotte DeWan Adams,Barry Paul Linder,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US11825647B2. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US20220262804A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Vertical fin field effect transistor with air gap spacers

Номер патента: US20190027557A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20200212174A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Mallela Hari V.. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Vertical fin field effect transistor with air gap spacers

Номер патента: US9911804B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-12.

Gate structures with air gap isolation features

Номер патента: US11881506B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Gate structures with air gap isolation features

Номер патента: US20230037420A1. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200105896A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200111886A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190157414A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09691848B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor devices with germanium-rich active layers and doped transition layers

Номер патента: US09490329B2. Автор: Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Aaron A. Budrevich,Jessica S. Kachian,Marc C. French. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Gate Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240347393A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Gate structures for semiconductor devices

Номер патента: US12131955B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for preparing semiconductor memory device with air gaps between conductive features

Номер патента: US20220059544A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD WITH AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20210384079A1. Автор: Tang Poren. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US11855170B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20210305396A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240079471A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180053823A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Mallela Hari V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Gate spacer with air gap for semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10937884B1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-02.

Air gap spacer between contact and gate region

Номер патента: US09716158B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

AIR GAP SPACER FORMATION FOR NANO-SCALE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180047617A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Mehta Sanjay C.,Nguyen Son V.,Liniger Eric G.,Park Chanro,Li Juntao,Haigh Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20180261494A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

AIR GAP SPACER FORMATION FOR NANO-SCALE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20190267279A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Mehta Sanjay C.,Nguyen Son V.,Liniger Eric G.,Park Chanro,Li Juntao,Haigh Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Method of fabricating air-gap spacer for N7/N5 finFET and beyond

Номер патента: US09960275B1. Автор: Chih-Yang Chang,Nam Sung Kim,Shiyu Sun,Bingxi Sun Wood,Raymond Hoiman Hung,Tatsuya E. Sato. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Radio frequency switches with air gap structures

Номер патента: US20190013382A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Method of making a vertical NAND device using a sacrificial layer with air gap and sequential etching of multilayer stacks

Номер патента: US9449982B2. Автор: Zhenyu Lu,James Kai,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu,Sateesh KOKA,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Field effect transistor with air gap dielectric

Номер патента: US20100230732A1. Автор: Jed H. Rankin,Robert J. Gauthier, Jr.,Wagdi W. Abadeer,Kiran V. Chatty,Yun Shi,WiIliam R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Radio frequency switches with air gap structures

Номер патента: US20190013382A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20150087120A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-26.

METHOD TO FORM AIR-GAP SPACERS AND AIR-GAP SPACER-CONTAINING STRUCTURES

Номер патента: US20180130899A1. Автор: Zhang Xunyuan,Xie Ruilong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-10.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20140327054A1. Автор: Cheng Kangguo,Reznicek Alexander,Khakifirooz Ali,Adam Thomas N.,Li Juntao. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-06.

Forming air-gap spacer for vertical field effect transistor

Номер патента: US09929246B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Air Gap Spacer and Related Methods

Номер патента: US20200020776A1. Автор: LIN Li-Te,Yang Chan Syun David. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

INVERSE T-SHAPED CONTACT STRUCTURES HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20200058759A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

METHOD OF FABRICATING AIR-GAP SPACER FOR N7/N5 FINFET AND BEYOND

Номер патента: US20180122945A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Sun Shiyu,Kim Nam Sung,Wood Bingxi Sun,Sato Tatsuya E.,HUNG Raymond Hoiman. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

Formation of air gap spacers for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20200152759A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

INVERSE T-SHAPED CONTACT STRUCTURES HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Formation of air gap spacers for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20190378909A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Method of fabricating air gap spacers for N7/N5 FinFETs and other FinFETs

Номер патента: CN109891596B. Автор: 张志扬,雷蒙德·霍曼·洪,龙谷·E·萨托,纳姆·孙·基姆,孙世宇,邴希·孙·伍德. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-06.

Formation of air gap spacers for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US11183577B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-23.

Air gap spacer formation

Номер патента: US7741663B2. Автор: David G. Farber,Fred Hause,Anthony C. Mowry,Markus E. Lenski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-22.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09705002B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with variable resistive element

Номер патента: US09691887B2. Автор: Johannes Georg Laven,Christian Jaeger,Frank Dieter Pfirsch,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US12142692B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Power semiconductor device with embedded field electrodes

Номер патента: US09761676B2. Автор: Timothy D. Henson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory array with air gaps between adjacent gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160086966A1. Автор: Chun-Min Cheng,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with thin-film resistor

Номер патента: US09627409B2. Автор: Hans-Peter Moll,Maciej Wiatr,Andrei Sidelnicov. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with edge-protecting spacers over bonding pad

Номер патента: US12027479B2. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20210375664A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20220037496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20220328647A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

VERTICAL FIN FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180053840A1. Автор: Venigalla Rajasekhar,Robison Robert R.,Vega Reinaldo A.,Mallela Hari V.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US11894304B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20220320274A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11742383B2. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20210320172A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US20240006321A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for preparing the same

Номер патента: US20240047520A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for preparing the same

Номер патента: US20230352524A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

FIELD EFFECT TRANSISTOR AIR-GAP SPACERS WITH AN ETCH-STOP LAYER

Номер патента: US20190013390A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICES HAVING AIR-GAP SPACERS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160204262A1. Автор: Lee Jin-Wook,Seo Kang-Ill. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

FIELD EFFECT TRANSISTOR AIR-GAP SPACERS WITH AN ETCH-STOP LAYER

Номер патента: US20180269301A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20230352480A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10607991B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10043801B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Vertical semiconductor device with thinned substrate

Номер патента: US09673219B2. Автор: Michael A. Stuber,Stuart B. Molin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor devices with improved source/drain contact resistance and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09728465B2. Автор: Sang-Jin Hyun,Kuo Tai Huang,Ryuji Tomita,Joon-Gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with enhanced strain

Номер патента: US09601594B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Hsin Ko,Cheng-Hsien Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device with triple gate insulating layers

Номер патента: US20050032286A1. Автор: Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Non-punch-through reverse-conducting power semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20200395442A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR. Владелец: MQSemi AG. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: WO2024206041A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for producing a vertical semiconductor device with epitaxially grown iii-v epitaxy using the substrate several times, and corresponding semiconductor device, in particular based on gallium nitride

Номер патента: US20240234546A1. Автор: Christian Huber,Stefan Regensburger. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with fins

Номер патента: US11742414B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: SMIC Advanced Technology R&D Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor Device and Method for Driving Semiconductor Device

Номер патента: US20200126991A1. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US12052853B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Yuta Endo,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Dual three-dimensional and RF semiconductor devices using local SOI

Номер патента: US09508743B2. Автор: Srikanth Balaji Samavedam,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Compact FDSOI device with Bulex contact extending through buried insulating layer adjacent gate structure for back-bias

Номер патента: US09425189B1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device with a super junction structure having a vertical impurity distribution

Номер патента: US09318549B2. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230386905A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with air gaps and method of fabrication thereof

Номер патента: US11830769B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

TRANSISTOR-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR-GAP SPACERS AND GATE CONTACT OVER ACTIVE AREA

Номер патента: US20180138279A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu,Liebmann Lars Wolfgang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2018-05-17.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20180122898A1. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160181143A1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102321390B1. Автор: 권세한,조일희,박대식,이화철. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102444838B1. Автор: 정태우,정중택,박해중,최윤제. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-22.

VERTICAL TRANSISTOR WITH AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170148897A1. Автор: Cheng Kangguo,Ning Tak H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20240379744A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

FORMING AIR GAPS IN MEMORY ARRAYS AND MEMORY ARRAYS WITH AIR GAPS THUS FORMED

Номер патента: US20140027832A1. Автор: Haller Gordon,Weimer Ronald A.,Hopkins John,Shamanna Vinayak K.,Sapra Sanjeev,Mathew James. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Integrated circuit devices having air-gap spacers above gate electrodes

Номер патента: US09911851B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

WORD LINE WITH AIR-GAP FOR NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20200006433A1. Автор: Pillarisetty Ravi,Doyle Brian,Majhi Prashant,Karpov Elijah V.,Sharma Abhishek. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

NANOSHEET MOSFET WITH FULL-HEIGHT AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20170141207A1. Автор: Doris Bruce B.,Cheng Kangguo,Guillorn Michael A.,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Integrated circuit devices having air-gap spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20150214220A1. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

METHOD OF FORMING AIR-GAP SPACERS AND GATE CONTACT OVER ACTIVE REGION AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20200212192A1. Автор: Cheng Kangguo,Xie Ruilong,Park Chanro,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

FORMATION OF A PARTIAL AIR-GAP SPACER

Номер патента: US20190296123A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit devices having air-gap spacers defined by conductive patterns and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9331072B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Co-fabrication of non-planar semiconductor devices having different threshold voltages

Номер патента: US09552992B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min-Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP BETWEEN TWO CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20220271145A1. Автор: YANG SHENG-HUI. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

METHODS OF FORMING AN AIR-GAP SPACER ON A SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE RESULTING DEVICE

Номер патента: US20180033863A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AIR GAP SPACERS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20180158718A1. Автор: LEE Dong Jun,Cho Chang Hyun,Kim Ji Young,LEE Dong Ryul,Yoon Chan Sic,Choi Ji Min,Lee Ho Ouk,SHIN Joong Chan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

DEVICES WITH AIR GAPPING BETWEEN STACKED TRANSISTORS AND PROCESS FOR PROVIDING SUCH

Номер патента: US20200411639A1. Автор: Rachmady Willy,Yoo Hui Jae,Dewey Gilbert,MORROW Patrick,LILAK Aaron,HUANG CHENG-YING,MANNEBACH EHREN,PHAN ANH. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

RADIO FREQUENCY SWITCHES WITH AIR GAP STRUCTURES

Номер патента: US20200013855A1. Автор: Stamper Anthony K.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.,ADUSUMILLI Siva P.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

MOSFET DEVICE STRUCTURE WITH AIR-GAPS IN SPACER AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20220271141A1. Автор: Chuang Kun-Tsang,Wang Po-Jen,SINGH Gulbagh. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

AIR GAP SPACER FOR METAL GATES

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

FORMATION OF AIR GAP SPACERS FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200152760A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

FORMATION OF AIR GAP SPACERS FOR REDUCING PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20200152761A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Wu Heng,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

AIR GAP SPACER FOR METAL GATES

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with electro-static discharge protection device above semiconductor device area

Номер патента: US09530769B2. Автор: Naoya Inoue,Yoshihiro Hayashi,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09954003B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masayuki Sakakura,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor structure with air gaps for buried semiconductor gate and method for forming the same

Номер патента: US11812605B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11705364B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20210296158A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20230290677A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: WO2023172892A1. Автор: Robert Clark,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating a semiconductor device with air gaps

Номер патента: US20210320030A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with different contact regions

Номер патента: US09595619B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-14.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor devices with thermoelectric cooler

Номер патента: US20240321677A1. Автор: Archana Venugopal,Jingjing Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US20170125420A1. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device, memory device, electronic device, or method for driving the semiconductor device

Номер патента: US09773787B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor Device with Slotted Backside Metal for Improving Q Factor

Номер патента: US20180331031A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,you-cheng Lai. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240251567A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to define etch stop layer

Номер патента: EP4423798A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor devices with doped semiconductor materials

Номер патента: US12094714B2. Автор: Chuan He,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing capacitive coupling and method for preparing the same

Номер патента: US20210335792A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210407908A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20210320117A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for preparing vertical memory structure with air gaps

Номер патента: US11877455B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for preparing semiconductor die structure with air gaps

Номер патента: US11764108B2. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor package with air gap

Номер патента: US11830837B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing semiconductor package with air gap

Номер патента: US11817306B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US09673087B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US09613851B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US20160181144A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US20110210449A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20170005166A1. Автор: PARK Hae-Jung,CHEONG Jung-Taik,JUNG Tae-Woo,CHOI Yun-Je. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP STRUCTURE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND BORON NITRIDE CAP

Номер патента: US20220093732A1. Автор: LIN YUAN-YUAN. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150228754A1. Автор: SUNG Min-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20210320172A1. Автор: Yu Ping-Lung,Shao Po-Chun. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2021-10-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160276273A1. Автор: KWON Se-Han,JOE Ill-Hee,PARK Dae-Sik,LEE Hwa-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102509322B1. Автор: 윤재만. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-03-14.

DIELECTRIC WITH AIR GAPS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170117357A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Integrated circuit comprising memory cells with air gaps in upper metal layers

Номер патента: EP4105975A1. Автор: Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Alekhya Nimmagadda,Albert B. CHEN,Miriam R. Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor Structure with Air Gap and Method Sealing the Air Gap

Номер патента: US20200020567A1. Автор: Fang Ziwei,SUN Hung-Chang,Mineji Akira. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor Structure with Air Gap and Method Sealing the Air Gap

Номер патента: US20210082740A1. Автор: Fang Ziwei,SUN Hung-Chang,Mineji Akira. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

PLANARIZED INTERLAYER DIELECTRIC WITH AIR GAP ISOLATION

Номер патента: US20170170184A1. Автор: Park Young-ju,Cho Byung-Kwon,LEE Naein,Baek Jongmin,Han Songyi,AHN SANGHOON,Kang Jiwon,Lee Hak-Sun,NGUYEN VIETHA,YUN Jiwon,KIM Byunghee,YOU WOOKYUNG,Cho YoungWoo,Naoya Inoue. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

BACKEND MEMORY WITH AIR GAPS IN UPPER METAL LAYERS

Номер патента: US20220406782A1. Автор: Yoo Hui Jae,Le Van H.,SHARMA Abhishek A.,Hamzaoglu Fatih,Lajoie Travis W.,GOMES Wilfred,Reshotko Miriam R.,Nimmagadda Alekhya,Chen Albert B.. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor isolation structure with air gaps in deep trenches

Номер патента: CN103456768A. Автор: 游绍祺,吴威鼎,杨岱宜,许鸿生,钟明达. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor isolation structure with air gaps in deep trenches

Номер патента: KR20130135709A. Автор: 홍-셍 슈에,타이-이 양,웨이-딩 우,밍-타이 충,샤오-치 유. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-12-11.

INTERCONNECTS HAVING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Yang Chih-Chao,van der Straten Oscar,Motoyama Koichi,Cheng Kenneth Chun Kuen,Maniscalco Joseph F.. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

AIR-GAP SPACERS FOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180166319A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

AIR-GAP SPACERS FOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190198381A1. Автор: Kim Hoon,Xie Ruilong,Park Chanro,Sung Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

AIR GAP SPACER FOR METAL GATES

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: TESSERA, INC.. Дата публикации: 2020-07-23.

AIR GAP SPACER FOR METAL GATES

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Cheng Kangguo,Bergendahl Marc A.,LIE Fee Li,Miller Eric R.,Teehan Sean,Sporre John R.. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210118722A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device with vertically integrated pHEMTs

Номер патента: US09923088B2. Автор: Sheila K. Hurtt,Corey A. Nevers,Dana A. Schwartz. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Multi-gate FinFET semiconductor device with flexible design width

Номер патента: US09691763B2. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory arrays with air gaps between conductors and the formation thereof

Номер патента: US20140159132A1. Автор: Christopher J. Larsen,Matthew J. King,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

PREVENTING LEAKAGE INSIDE AIR-GAP SPACER DURING CONTACT FORMATION

Номер патента: US20170077258A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Xie Ruilong. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240162174A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20240162177A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160247760A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20210098389A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20140357076A1. Автор: Hyung-Kyun Kim,Jae-Soo Kim,Yong-Soo JOUNG,Dong-Gun HWANG,Kyoung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11985816B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20150371891A1. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230298933A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11978662B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230386903A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5461003A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5936295A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Methods of manufacturing semiconductor devices including air gap spacers

Номер патента: US20160064270A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Nam-Gun Kim,Gyuhwan Oh,Eun-Ok Lee,Heesook Park,Kyungho JANG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Method for fabricating semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230180461A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US11895826B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220037331A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Contact having self-aligned air gap spacers

Номер патента: US09768118B1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with dummy cells of different data types

Номер патента: US09471737B1. Автор: Min Paek,Nor Razman Md Zin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: EP3823044A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-19.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor memory devices with dielectric fin structures

Номер патента: US20240268106A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device with fin structures

Номер патента: US12080602B2. Автор: Yu-Kuan Lin,Ping-Wei Wang,Chang-Ta Yang,Wen-Chun KENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with low lifetime region

Номер патента: US09985090B2. Автор: Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102289376B1. Автор: 김민호. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-08-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY ARRAY WITH AIR GAPS BETWEEN ADJACENT GATE STRUCTURES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160086966A1. Автор: CHENG CHUN-MIN,Jhang Pei-Ci. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

METHODS OF FORMING MEMORY CELLS WITH AIR GAPS AND OTHER LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS

Номер патента: US20160254159A1. Автор: Goda Akira,Lee Minsoo. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

METHODS AND APPARATUSES INCLUDING MEMORY CELLS WITH AIR GAPS AND OTHER LOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIALS

Номер патента: US20150348790A1. Автор: Goda Akira,Lee Minsoo. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Overvoltage arrester with air gap

Номер патента: CA2000766C. Автор: Juergen Boy,Gerhard Schwenda,Oskar Sippekamp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-24.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device including one or more p-type semiconductors provided between an n-type semiconductor layer and an electrode

Номер патента: US12148804B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1192663A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor device with high reverse breakdown voltage and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2001059844A2. Автор: Rob Van Dalen,Godefridus A. M. Hurkx. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of detecting wire open failure thereof

Номер патента: US9354269B2. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: AU2001288616A1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2002-03-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09607882B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220059398A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US09875967B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS FOR CONNECTIONS WITH ULTRA-LOW CAPACITY

Номер патента: DE69820232D1. Автор: Qiang Zhao,A Kohl,Ann Allen. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2004-01-15.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semicondcutor via

Номер патента: US20240243037A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semiconductor via

Номер патента: EP4401120A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Vertical memory stucture with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240357821A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20130320549A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Hyo-Seok Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160005743A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150014759A1. Автор: Yeom Seung-Jin,LEE Nam-Yeal. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20200020697A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160027727A1. Автор: LEE Jin-Yul,KIM Eun-Jeong. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150035050A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok,HONG Seung-Hee,LEE Nam-Yeal. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP IN PATTERN-DENSE REGION

Номер патента: US20220059355A1. Автор: HO JAR-MING. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160049409A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok,HONG Seung-Hee,LEE Nam-Yeal. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP

Номер патента: US20150056801A1. Автор: SONG Han-Sang,PARK Jong-Kook,LEE Jin-Yul,Lee Chang-Ki. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20210074578A1. Автор: CHOU Liang-Pin. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140179101A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok,HONG Seung-Hee,LEE Nam-Yeal. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140179102A1. Автор: KIM Hyung-Kyun,JOUNG Yong-Soo,Kim Jae-Soo,HWANG Dong-Gun,YOO Kyoung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor Device with Air Gaps Between Metal Gates and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210098309A1. Автор: Wu Xusheng,Min Wei-Lun,Liu Chang-Miao. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR PREPARING THE SAME

Номер патента: US20210098389A1. Автор: WU Chih-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20190103302A1. Автор: Yoon Jae-Man. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP

Номер патента: US20150171014A1. Автор: SONG Han-Sang,PARK Jong-Kook,LEE Jin-Yul,Lee Chang-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150187644A1. Автор: KIM Myung-Ok. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160197003A1. Автор: KIM Myung-Ok. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150206800A1. Автор: Yeom Seung-Jin,LEE Nam-Yeal. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140299989A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20200203213A1. Автор: Yoon Jae-Man. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140306351A1. Автор: KIM Myung-Ok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140308794A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok,HONG Seung-Hee,LEE Nam-Yeal. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-16.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160247760A1. Автор: Yeom Seung-Jin,LEE Nam-Yeal. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS

Номер патента: US20210320030A1. Автор: HSUEH Yu-Han. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20140357076A1. Автор: KIM Hyung-Kyun,JOUNG Yong-Soo,Kim Jae-Soo,HWANG Dong-Gun,YOO Kyoung. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAPS FOR LOW CAPACITANCE INTERCONNECTS

Номер патента: US20190311947A1. Автор: Tsunomura Takaaki,Tapily Kandabara. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150371891A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok,HONG Seung-Hee,LEE Nam-Yeal. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102238951B1. Автор: 김은정,이진열. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-04-12.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102226159B1. Автор: 곽노정,황창연,이홍구,최윤제. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102242963B1. Автор: 김승범,김도형,권세한,최기수,박대식,정두성. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-04-23.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR20150137224A. Автор: 김승범,김도형,권세한,최기수,박대식,정두성. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2015-12-09.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR20140085657A. Автор: 홍승희,임성원,이남열,이효석,염승진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR102001511B1. Автор: 김승범,홍승희,김동석,임성원,이남열,이효석,염승진,김세진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-07-19.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR20140083737A. Автор: 이승룡,은용석,윤규형. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-04.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: KR20140085654A. Автор: 김승범,홍승희,김동석,임성원,이남열,이효석,염승진,김세진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-07-08.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra-low capacitance wiring

Номер патента: JP5390295B2. Автор: コール、ポール・エイ,ザオ、キアン,アレン、スー・アン・ビズトラップ. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2014-01-15.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: TWI790372B. Автор: 坎達巴拉 泰伯利. Владелец: 日商東京威力科創股份有限公司. Дата публикации: 2023-01-21.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US11251077B2. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-02-15.

Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections

Номер патента: WO1998032169A1. Автор: Paul A. Kohl,Qiang Zhao,Sue Ann Bidstrup Allen. Владелец: The B.F. Goodrich Company. Дата публикации: 1998-07-23.

Semiconductor device with air gaps

Номер патента: US11355435B2. Автор: Chia-Hsiang Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-07.

Fabrication of a semiconductor device with air gaps for ultra-low capacitance interconnections

Номер патента: KR100532801B1. Автор: 파울 에이. 코울,쾅 자오,슈 앤 비드스트럽 알렌. Владелец: 굿리치 코포레이션. Дата публикации: 2005-12-02.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US11832437B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor interconnect structure with air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process

Номер патента: US5949143A. Автор: David Bang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Bridge interconnect with air gap in package assembly

Номер патента: US09589866B2. Автор: Mathew J. Manusharow,Chia-Pin Chiu,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Structure with air gap crack stop

Номер патента: US09536842B2. Автор: Naftali E. Lustig,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Xiao H. Liu,Ronald G. Filippi,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP

Номер патента: US20220037331A1. Автор: KUO CHIN-TE. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220059398A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP STRUCTURE

Номер патента: US20220093533A1. Автор: Tsai Tzu-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

DIELECTRIC WITH AIR GAPS FOR USE IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170110361A1. Автор: Yang Chih-Chao,Reznicek Alexander,van der Straten Oscar,Adusumilli Praneet. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP FOR REDUCING CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20210249354A1. Автор: Shih Shing-Yih. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Method of manufacturing a semiconductor device having damascene structures with air gaps

Номер патента: US20050215047A1. Автор: Roel Daamen,Viet Hoang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2005-09-29.

Method of manufacturing a semiconductor device having damascene structures with air gaps

Номер патента: CN1684244B. Автор: R·达阿蒙,V·N·宏. Владелец: Imec Corp. Дата публикации: 2010-10-06.

Semiconductor device structure with air gap for reducing capacitive coupling

Номер патента: US11251128B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210375803A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of forming dielectric with air gaps for use in semiconductor devices

Номер патента: US9876075B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor device having damascene structures with air gaps

Номер патента: US20050221600A1. Автор: Roel Daamen,Greja Johanna Verheijden. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Huang Tse-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20230354607A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with air gap

Номер патента: US20230422642A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Photodetector structure with air gap and related methods

Номер патента: US20240063315A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Rajendran Krishnasamy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240057334A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038586A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Photodetector with reflector with air gap adjacent photodetecting region

Номер патента: US20210351306A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Skip layer with air gap on glass substrates

Номер патента: US20240063100A1. Автор: Gang Duan,Srinivas V. Pietambaram,Kemal Aygun,Brandon C. MARIN,Suddhasattwa NAD,Jeremy D. Ecton,Cemil Geyik,Mohammad Mamunur RAHMAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit structure with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: CN100372113C. Автор: 李大为,杨名声,卢火铁,王光志. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-27.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US11842962B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Method for preparing a memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210408005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Showerhead with air-gapped plenums and overhead isolation gas distributor

Номер патента: US20200063261A1. Автор: Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Kapu Sirish Reddy,Feng Bi,Jeffrey D. Womack,Meliha Gozde Rainville,Emile C. Draper,Pankaj G. Ramnani. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Showerhead with air-gapped plenums and overhead isolation gas distributor

Номер патента: WO2019222066A1. Автор: Nagraj Shankar,Elham Mohimi,Pengyi Zhang,Kapu Sirish Reddy,Feng Bi,Jeffrey D. Womack,Meliha Gozde Rainville,Emile C. Draper,Pankaj G. Ramnani. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-11-21.

AIR GAP SPACER FORMATION FOR NANO-SCALE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180047615A1. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Mehta Sanjay C.,Nguyen Son V.,Liniger Eric G.,Park Chanro,Li Juntao,Haigh Thomas J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AIR GAP SPACERS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20150061134A1. Автор: LEE Hyun-Jung,Kim Nam-Gun,PARK Heesook,Oh Gyuhwan,LEE EUN-OK,JANG Kyungho. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20160064270A1. Автор: LEE Hyun-Jung,Kim Nam-Gun,PARK Heesook,Oh Gyuhwan,LEE EUN-OK,JANG Kyungho. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS BETWEEN CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20220059544A1. Автор: LIAO CHUN-CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS FOR REDUCING CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20220102355A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20220293607A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

DEVICE WITH AIR-GAPS TO REDUCE COUPLING CAPACITANCE AND PROCESS FOR FORMING SUCH

Номер патента: US20200411526A1. Автор: Rachmady Willy,Yoo Hui Jae,Le Van H.,LILAK Aaron,Sharma Abhishek,MA Sean,Lajoie Travis W.,Alaan Urusa. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Programmable Via Devices with Air Gap Isolation

Номер патента: US20090305460A1. Автор: Kuan-Neng Chen,Sampath Purushothaman,Lia Krusin-Elbaum,Dennis M. Newns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Self-aligned dual damascene process with air-gap assisted etch

Номер патента: EP3161863A1. Автор: Justin Hiroki Sato,Andrew Alexander TAYLOR. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-03.

Non-volatile memory with air gaps

Номер патента: TW201212169A. Автор: Tuan Pham,Yupin Fong,Eli Harari,Vinod Robert Purayath. Владелец: SanDisk Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-16.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339325A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131908B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Copper wire and dielectric with air gaps

Номер патента: US09613853B2. Автор: Eric J. White,Fen Chen,Jeffrey P. Gambino,Zhong-Xiang He,Trevor A. THOMPSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

COPPER WIRE AND DIELECTRIC WITH AIR GAPS

Номер патента: US20160035621A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,White Eric J.,Chen Fen,He Zhong-Xiang,THOMPSON Trevor A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20200006228A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Wu Yung-Hsu,Yang Tai-I,Su Li-Lin,Chen Hsin-Ping. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

INDUCTOR AND TRANSMISSION LINE WITH AIR GAP

Номер патента: US20200006261A1. Автор: LIN Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

BRIDGE INTERCONNECT WITH AIR GAP IN PACKAGE ASSEMBLY

Номер патента: US20150011050A1. Автор: Chiu Chia-Pin,Qian Zhiguo,Manusharow Mathew J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

INSULATING INDUCTOR CONDUCTORS WITH AIR GAP USING ENERGY EVAPORATION MATERIAL (EEM)

Номер патента: US20200013551A1. Автор: Singh Sunil K.,SINGH Jagar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2020-01-09.

INTEGRATING METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS WITH AIR GAP PROCESS FLOW

Номер патента: US20180025974A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DIE STUCTURE WITH AIR GAPS

Номер патента: US20220059399A1. Автор: FAN PEI-CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE WITH AIR GAP

Номер патента: US20220059468A1. Автор: Huang Tse-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

POP Structures with Air Gaps and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140131894A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,WANG Tsung-Ding,Chen Chen-Shien,WU Jiun Yi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor package with air gap

Номер патента: US20220077091A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

SHOWERHEAD WITH AIR-GAPPED PLENUMS AND OVERHEAD ISOLATION GAS DISTRIBUTOR

Номер патента: US20200063261A1. Автор: Shankar Nagraj,Bi Feng,MOHIMI Elham,ZHANG Pengyi,REDDY Kapu Sirish,Rainville Meliha Gozde,Womack Jeffrey D.,Draper Emile C.,Ramnani Pankaj G.. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Method for preparing vertical memory stucture with air gaps

Номер патента: US20220093640A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

TRANSISTOR STRUCTURE WITH AIR GAP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220139762A1. Автор: LI Yunfei,Feng Ji,ZHANG Guohai,TEY CHING HWA. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH AIR-GAPS

Номер патента: US20210159175A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,WANG Yung-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

COPPER WIRE AND DIELECTRIC WITH AIR GAPS

Номер патента: US20150137374A1. Автор: Gambino Jeffrey P.,White Eric J.,Chen Fen,He Zhong-Xiang,THOMPSON Trevor A.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-05-21.

Copper wire and dielectric with air gaps

Номер патента: US20150137375A1. Автор: Eric J. White,Fen Chen,Jeffrey P. Gambino,Zhong-Xiang He,Trevor A. THOMPSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH AIR-GAPS

Номер патента: US20180138124A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,WANG Yung-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

ADVANCED INTERCONNECT WITH AIR GAP

Номер патента: US20180144926A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,XU Yiheng,Wise Richard Stephen,Loquet Yannick. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-24.

ADVANCED INTERCONNECT WITH AIR GAP

Номер патента: US20150162277A1. Автор: Radens Carl,Clevenger Lawrence A.,Zhang John H.,Mignot Yann,Chen Hsueh-Chung,XU Yiheng,Wise Richard Stephen,Loquet Yannick. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-11.

METHODS FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS WITH AIR GAPS AND INTEGRATED CIRCUITS PRODUCED FROM SUCH METHODS

Номер патента: US20170162430A1. Автор: Liu Huang,Maeng Chang Ho,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor Isolation Structure with Air Gaps in Deep Trenches

Номер патента: US20160172250A1. Автор: Yang Tai-I,Shue Hong-Seng,Yu Shao-Chi,Wu Wei-Ding,Chung Ming-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING PLURALITY OF CHIPS ALONG WITH AIR GAP AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190164937A1. Автор: Yu Chen-Hua,Tung Chih-Hang,Shao Tung-Liang,Lin Wei-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-30.

PLANARIZED INTERLAYER DIELECTRIC WITH AIR GAP ISOLATION

Номер патента: US20180174977A1. Автор: Park Young-ju,Cho Byung-Kwon,LEE Naein,Baek Jongmin,Han Songyi,AHN SANGHOON,Kang Jiwon,Lee Hak-Sun,NGUYEN VIETHA,YUN Jiwon,KIM Byunghee,YOU WOOKYUNG,Cho YoungWoo,Naoya Inoue. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

Hybrid Bonding with Air-Gap Structure

Номер патента: US20160197049A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH AIR-GAPS

Номер патента: US20170194259A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,WANG Yung-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

BRIDGE INTERCONNECT WITH AIR GAP IN PACKAGE ASSEMBLY

Номер патента: US20160204049A1. Автор: Chiu Chia-Pin,Qian Zhiguo,Manusharow Mathew J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-14.

BACK-END-OF-LINE STRUCTURES WITH AIR GAPS

Номер патента: US20190206718A1. Автор: LiCausi Nicholas V.,Zhang Xunyuan,Singh Sunil K.,Law Shao Beng. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

BRIDGE INTERCONNECT WITH AIR GAP IN PACKAGE ASSEMBLY

Номер патента: US20170221828A1. Автор: Chiu Chia-Pin,Qian Zhiguo,Manusharow Mathew J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

INTEGRATING METAL-INSULATOR-METAL CAPACITORS WITH AIR GAP PROCESS FLOW

Номер патента: US20180233446A1. Автор: Cheng Kangguo,Basker Veeraraghavan S.,Wang Junli,STANDAERT Theodorus E.. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

IC STRUCTURE WITH AIR GAPS AND PROTECTIVE LAYER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200235000A1. Автор: RAJU Salahuddin,CHAN Man Sun John,PRAWOTO Clarissa Cyrilla. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

DEEP TRENCH ISOLATION WITH AIR-GAP IN BACKSIDE ILLUMINATION IMAGE SENSOR CHIPS

Номер патента: US20150263054A1. Автор: CHIEN Volume,JENG Chi-Cherng,Cheng Yu-Heng,Tsai Fu-Tsun,LIN HUAN-EN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US20190252319A1. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

PHOTODETECTOR WITH REFLECTOR WITH AIR GAP ADJACENT PHOTODETECTING REGION

Номер патента: US20210351306A1. Автор: Ellis-Monaghan John J.,Jain Vibhor,ADUSUMILLI Siva P.,Levy Mark D.. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

METHOD OF MAKING A VERTICAL NAND DEVICE USING A SACRIFICIAL LAYER WITH AIR GAP AND SEQUENTIAL ETCHING OF MULTILAYER STACKS

Номер патента: US20150294978A1. Автор: Alsmeier Johann,Chien Henry,Lee Yao-Sheng,Kai James,Makala Raghuveer S.,Lu Zhenyu,PACHAMUTHU Jayavel,Koka Sateesh. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH AIR-GAPS

Номер патента: US20200294919A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,WANG Yung-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

HYBRID BONDING WITH AIR-GAP STRUCTURE

Номер патента: US20150364434A1. Автор: Chen Szu-Ying,Yaung Dun-Nian. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

SHOWERHEAD WITH AIR-GAPPED PLENUMS AND OVERHEAD ISOLATION GAS DISTRIBUTOR

Номер патента: US20190352777A1. Автор: Shankar Nagraj,Bi Feng,MOHIMI Elham,ZHANG Pengyi,REDDY Kapu Sirish,Rainville Meliha Gozde,Womack Jeffrey D.,Draper Emile C.,Ramnani Pankaj G.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

VERTICAL RESISTIVE PROCESSING UNIT WITH AIR GAP

Номер патента: US20190378976A1. Автор: Ando Takashi,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

LOCAL INTERCONNECT WITH AIR GAP

Номер патента: US20200388565A1. Автор: MANNEBACH EHREN,Clendenning Scott B.,LIN Kevin L.,TRONIC Tristan A.,Alaan Urusa. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-10.

VERTICALLY STACKED MEMORY ELEMENTS WITH AIR GAP

Номер патента: US20200403033A1. Автор: Yoo Hui Jae,SHARMA Abhishek A.,LILAK AARON D.,MANNEBACH EHREN,Ma Sean T.,Clendenning Scott B.,Alaan Urusa,MORROW PATRICK R.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-12-24.

Hybrid bonding with air-gap structure

Номер патента: US9960142B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

INTERCONNECT STRUCTURE WITH AIR-GAPS

Номер патента: US20220367357A1. Автор: Chuang Cheng-Chi,Yang Tai-I,Lin Tien-Lu,WANG Yung-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

A microstructure device including a metallization structure with air gaps formed commonly with vias

Номер патента: WO2010060639A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Amd Fab 36 Limited Liability Company & Co. Kg. Дата публикации: 2010-06-03.

Manufacturing method of metal film with air gap

Номер патента: KR100391587B1. Автор: 김동수,배경빈. Владелец: 에이엔 에스 주식회사. Дата публикации: 2003-07-12.

Through-Silicon Via With Air Gap

Номер патента: US20110133335A1. Автор: Ming-Fa Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor die stucture with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: TWI763397B. Автор: 范倍誠. Владелец: 南亞科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-05-01.

MOM Capacitors Integrated with Air-Gaps

Номер патента: US20090224359A1. Автор: Chung-Long Chang,Chia-Yi Chen,Ming-Shin Yeh,David Ding-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2009-09-10.

Crosspoint with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102204386B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-01-18.

Semiconductor die structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20210335653A1. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Insulating inductor conductors with air gap using energy evaporation material (EEM)

Номер патента: US10453605B2. Автор: Jagar Singh,Sunil K. Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Method for manufacturing semiconductor structure with air gap region

Номер патента: CN114639633A. Автор: 赖朝文,龚耀雄. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-17.

Cmos image sensor with air gap gaurd ring and method for manufacturing the same

Номер патента: KR20070070430A. Автор: 임부택. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2007-07-04.

A kind of metal interconnecting layer structure and preparation method thereof with air-gap

Номер патента: CN106601667B. Автор: 林宏. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-20.

Planarized interlayer dielectric with air gap isolation

Номер патента: US9929099B2. Автор: INOUE Naoya,Jiwon Kang,Jongmin Baek,Byung-kwon CHO,Jiwon Yun,Sanghoon Ahn,Wookyung You,NaeIn Lee,Byunghee Kim,Songyi Han,Hak-sun Lee,Youngwoo CHO,Young-Ju Park,VietHa NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Bridge interconnect with air gap in package assembly

Номер патента: US8872349B2. Автор: Mathew J. Manusharow,Chia-Pin Chiu,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-10-28.

Interconnect structure with air gaps

Номер патента: US10700005B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

Self-aligned dual damascene process with air-gap assisted etch

Номер патента: CN106463458A. Автор: 贾斯丁·希罗奇·萨托,安德鲁·亚历山大·泰勒. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Planarized interlayer dielectric with air gap isolation

Номер патента: US10186485B2. Автор: INOUE Naoya,Jiwon Kang,Jongmin Baek,Byung-kwon CHO,Jiwon Yun,Sanghoon Ahn,Wookyung You,NaeIn Lee,Byunghee Kim,Songyi Han,Hak-sun Lee,Youngwoo CHO,Young-Ju Park,VietHa NGUYEN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-22.

Showerhead with air-gapped plenums and overhead isolation gas distributor

Номер патента: TW202012695A. Автор: 納葛 珊卡,傑佛瑞 Ｄ 沃瑪克,梅利哈 格茲德 蘭維爾,埃米爾 Ｃ 德雷珀,潘卡吉 Ｇ 拉姆拿尼,峰 畢,張鵬翼,伊爾哈姆 莫希尼,卡蒲 瑟利西 瑞迪. Владелец: 美商蘭姆研究公司. Дата публикации: 2020-04-01.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240055261A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230352307A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

FORMATION OF AN AIR GAP SPACER USING SACRIFICIAL SPACER LAYER

Номер патента: US20200373204A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Peng,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECT STRUCTURES INCORPORATING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20160027686A1. Автор: Ponoth Shom,Nitta Satya V.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-28.

AIR GAP SPACER IMPLANT FOR NZG RELIABILITY FIX

Номер патента: US20180047642A1. Автор: Baars Peter,Thees Hans-Juergen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-15.

CONTACT HAVING SELF-ALIGNED AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20180082951A1. Автор: Yang Chih-Chao,Wang Junli,Li Juntao. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECT STRUCTURES INCORPORATING AIR GAP SPACERS

Номер патента: US20160181144A1. Автор: Ponoth Shom,Nitta Satya V.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-23.

INTERCONNECT STRUCTURES INCORPORATING AIR-GAP SPACERS

Номер патента: US20160197002A1. Автор: Ponoth Shom,Nitta Satya V.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2016-07-07.

FORMATION OF AIR-GAP SPACER IN TRANSISTOR

Номер патента: US20150243544A1. Автор: Alptekin Emre,Vega Reinaldo,SARDESAI Viraj,Tran Cung. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-08-27.

Method for Manufacturing Interconnect Structures Incorporating Air-Gap Spacers

Номер патента: US20090075470A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-03-19.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1606835A1. Автор: Yoshitsugu c/o Dow Corn Toray Sil. Co Ltd MORITA,Katsutoshi c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd MINE,Junji c/o Dow Corn. Toray Sil. Co. Ltd NAKANISHI,Hiroji c/o Dow Corning Toray Sil. Co. Ltd. ENAMI,Fumio c/o Apic Yamada Corp. Miyajima. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-21.

Manufacturing line for semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761471B2. Автор: Daisuke Sugizaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and method of forming extended semiconductor device with fan-out interconnect structure to reduce complexity of substrate

Номер патента: US09484319B2. Автор: Rajendra D. Pendse. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of forming topside and bottom-side interconnect structures around core die with TSV

Номер патента: US09478486B2. Автор: Sun Mi Kim,KyungHoon Lee,OhHan Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09721865B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device with voids within silicon-on-insulator (SOI) structure and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09721833B2. Автор: Francois Hebert. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09673142B2. Автор: Kazuyuki Sakata,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device carrier tape with image sensor detectable dimples

Номер патента: US09698040B2. Автор: Jeremy Spiteri,Ivan Ellul. Владелец: STMicroelectronics Malta Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device with guard ring coupled resonant circuit

Номер патента: US09705466B2. Автор: Chi-Feng Huang,Tzu-Jin Yeh,Yen-Jen Chen,Hsieh-Hung HSIEH,Hsiao-Chun LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09437567B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Wafer-level package device with solder bump reinforcement

Номер патента: US09425160B1. Автор: Arkadii V. Samoilov,Reynante Alvarado,Yi-Sheng A. Sun,Yong L. Xu. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Esd protection device with reduced harmonic distortion background

Номер патента: EP3971972A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-23.

Semiconductor package device with integrated inductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046544B2. Автор: Wen-Shiang Liao,Ying-Chih Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Packaged semiconductor devices with laser grooved wettable flank and methods of manufacture

Номер патента: US09978668B1. Автор: Erwin Victor Cruz,Aira Lourdes VILLAMOR,Geraldine Suico,Silnore Sabando. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device with a plate-shaped lead terminal

Номер патента: US09917064B2. Автор: Junji Fujino,Mikio Ishihara,Yuji Imoto,Shinsuke Asada,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device with encapsulant deposited along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US12094729B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device having semiconductor chips in resin and electronic circuit device with the semiconductor device

Номер патента: US09607949B2. Автор: Hiroshi Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US09524932B2. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods for making semiconductor device with sealing resin

Номер патента: US09472540B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2016-10-18.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: US09449987B1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Jixin Yu,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with cooling

Номер патента: RU2546492C1. Автор: ВААЛ Герардус Геертрууд ДЕ. Владелец: МАРУЛАЛЕД (ПиТиУай) ЛТД. Дата публикации: 2015-04-10.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20230387100A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Chuang,Chang-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A3. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Vishnu K Khemka,Todd C Roggenbauer. Владелец: Todd C Roggenbauer. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device with channel layer comprising different types of impurities

Номер патента: US7812396B2. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with a polymer layer

Номер патента: US20240071976A1. Автор: Wei Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4254493A1. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device with a corrosion resistant bonding pad and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1160864A3. Автор: Kazuhisa c/o NEC Kyushu Ltd. Nagaya,Naoshi c/o NEC Kyushu Ltd. Arikawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US20240290918A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120306029A1. Автор: Yukio Maki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor devices incorporating quantum dots

Номер патента: US11757072B2. Автор: CHEN CHEN,Jie Song. Владелец: Saphlux Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with a multi-plate isolation structure

Номер патента: WO2007117779A2. Автор: Amitava Bose,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer,Vishnu K. Khemka. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device with low noise transistor and low temperature coefficient resistor

Номер патента: US20230290775A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked device with backside power distribution network and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131996B2. Автор: Saehan Park,Inchan HWANG,Seungyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device, imaging device, and electronic device

Номер патента: US09848144B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with redistribution layers on partial encapsulation and non-photosensitive passivation layers

Номер патента: US09818685B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Doo Hyun Park,Dong Jin Kim,Jin Young Kim,Jae Hun Bae,SungKyu Kim,Jin Han Kim,Se Woong Cha,Jong Sik Paek,Yoonjoo Kim. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and circuit with dynamic control of electric field

Номер патента: US09515644B2. Автор: Jan Willem Slotboom,Anco Heringa,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Godefridus Antonius Maria Hurxk,Ivan Zahariev. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device with conductive pillars having recesses or protrusions to detect interconnect continuity between semiconductor die and substrate

Номер патента: US09478513B2. Автор: Chien Chen Lee,Jen Yu Chen,Ting Yu Fu,Men Hsien Li. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device with reduced thickness

Номер патента: US09418922B2. Автор: Doo Hyun Park,Jong Sik Paek. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Semiconductor device, power conversion device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234348A9. Автор: Koji Tanaka,Junichi Yamashita,Yasunari Hino,Shinichi Izuo,Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with a protective security coating and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1490902A1. Автор: Ronald Dekker,Robertus A. M. Wolters,Petra E. De Jongh. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-29.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device with improved pads

Номер патента: US20080258262A1. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device with integrated circuit elements of group iii-v comprising means for preventing pollution by hyfrogen.

Номер патента: US20030071339A1. Автор: Peter Frijlink,Pierre Baudet. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor device with protected sidewalls and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US09806034B1. Автор: Rolf Brenner,Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Rudiger Weber,Frank Burmeister,Tobias Sprogies. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793150B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device with an anti-pad peeling structure and associated method

Номер патента: US09711478B2. Автор: Shih-Wen Huang,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Kai Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09711377B2. Автор: Toshihiko Akiba,Hiromi Shigihara,Kei YAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with a stoichiometric gradient

Номер патента: US09589635B2. Автор: Geoffrey W. Burr,Mohit Bajaj,Kota V. R. M. Murali,Rajan K. Pandey,Rajesh Sathiyanarayanan,Kumar R. Virwani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09436036B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Yasuhiro Jinbo,Masafumi Morisue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

MICROMECHANICAL ELECTROSTATIC ACTUATOR WITH AIR GAP

Номер патента: DE60013118D1. Автор: Halden Goodwin-Johansson. Владелец: MCNC. Дата публикации: 2004-09-23.

Micromachine electrostatic actuator with air gap

Номер патента: JP4068346B2. Автор: グッドウィン‐ヨハンソン，スコット・ホールデン. Владелец: リサーチ・トライアングル・インスティチュート. Дата публикации: 2008-03-26.

Micromachined electrostatic actuator with air gap

Номер патента: KR100614140B1. Автор: 굿윈-요한슨스콧할덴. Владелец: 리써치 트라이앵글 인스티튜트. Дата публикации: 2006-08-25.

Lighting control device with air gap switch controlled output

Номер патента: WO2024037925A1. Автор: Philip Dean Winters,Sreenivas Reddy KALATHOOR,Travis James MCAFEE,Seth David DOHENY. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Integrated differential antenna with air gap for propagation of differential-mode radiation

Номер патента: US20210091470A1. Автор: Majid Ahmadloo,Arnold Möbius. Владелец: Veoneer US LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: EP1281188A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: WO2001086769A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-15.

Millimeter wave antenna structures with air-gap layer or cavity

Номер патента: EP3033804A1. Автор: Bryce Horine,Helen Kankan Pan,Raanan SOVER,Mohamed A. Megahed,Eran Gerson,Ana Yepes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-22.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and groundedbarrier insulating operating mechanism

Номер патента: AU5657101A. Автор: Norman Davies,Francois J Marchand,Robert J Rinefierd,Glenn A Calhoon,Walter O Jenkins. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2001-11-20.

Choke with magnetically soft metal core - forming closed magnetic circuit but with air gap in which grooved permanent magnetic plate is interposed

Номер патента: DE2462520A1. Автор: Spaeter Genannt Werden Wird. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 1977-06-16.

Choke coil for welding transformer with air gap in core - has single layers of turns on one side with wiper and stop on bridge

Номер патента: DE2710305A1. Автор: Helmut Winkler. Владелец: MERZ GUSTAV FA. Дата публикации: 1978-09-14.

INTEGRATED DIFFERENTIAL ANTENNA WITH AIR GAP FOR PROPAGATION OF DIFFERENTIAL-MODE RADIATION

Номер патента: US20210091470A1. Автор: Möbius Arnold,Ahmadloo Majid. Владелец: Veoneer US, Inc.. Дата публикации: 2021-03-25.

INSULATING INDUCTOR CONDUCTORS WITH AIR GAP USING ENERGY EVAPORATION MATERIAL (EEM)

Номер патента: US20190108942A1. Автор: Singh Sunil K.,SINGH Jagar. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2019-04-11.

Millimeter wave antenna structures with air-gap layer or cavity

Номер патента: US20150194724A1. Автор: Bryce Horine,Helen Kankan Pan,Mohamed A. Megahed,Eran Gerson,Ana Yepes,Raana Sover. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

INTELLIGENT CIRCUIT BREAKERS WITH AIR-GAP AND SOLID-STATE SWITCHES

Номер патента: US20200365345A1. Автор: Telefus Mark,Gerber Stephen C.,Baker Damon M.,Alton Kenneth D.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Electron beam deviating prism - using electro magnetic elements with air gap in iron circuit

Номер патента: FR2188255A1. Автор: . Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1974-01-18.

Current-compensated annular core choke - incorporates magnetic by=pass of ferrite material inside core with air gap to increase stray inductance

Номер патента: DE3340494A1. Автор: Matthias 8391 Tiefenbach Vogl. Владелец: Vogt & Co Kg 8391 Erlau GmbH. Дата публикации: 1985-05-15.

Toroidal magnetic strip wound core with air gap and method of making such a core

Номер патента: EP0108921B1. Автор: Rolf Grüner,Arnold Schäfer. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 1986-07-30.

Sparking plug with air-gap around metallic sleeve - which has thermal conductance greater than 10 to the power minus 4 Joule-metre per deg. Kelvin per second

Номер патента: DE4017650A1. Автор: Wilfried Dipl Phys Kabel. Владелец: Wilfried Dipl Phys Kabel. Дата публикации: 1991-06-20.

Rotating joints for EHF waveguide systems - has two cup sections with air gap forming resonant chamber plus peripheral ball bearing for support

Номер патента: FR2632456A1. Автор: Yves Poncel,Werner Haseneyer,Roger Breheret,Jean Claude Geoffriault. Владелец: Dassault Electronique SA. Дата публикации: 1989-12-08.

Suppressor circuit for electric arc - uses magnetic circuit with air gap and component of thin plate form

Номер патента: FR2351487A2. Автор: . Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1977-12-09.

Self controlled variable inductor with air gaps

Номер патента: AU5171785A. Автор: Léonard Bolduc. Владелец: HYDRO QUEBEC. Дата публикации: 1986-07-24.

Reactor structure with air gap on magnetic pass

Номер патента: KR200203543Y1. Автор: 김득수. Владелец: 주식회사파워트론. Дата публикации: 2000-11-15.

Coaxial cable with air gap insulation and tubular outer conductor - has metallic strip with staggered reinforcement bead along touching edges

Номер патента: DE2937789A1. Автор: Hugo 5000 Köln Cramer. Владелец: Felten and Guilleaume Carlswerk AG. Дата публикации: 1981-04-02.

Manufacturing method of inductor with side surface provided with air gap and two-in-one structure

Номер патента: CN111724980B. Автор: 汪洋,汪民,许玉方,陈燕凌. Владелец: GUANGZHOU DELOOP ELECTRONIC DEVICES CO Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: CA2408510A1. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Overvoltage arrester with air gap

Номер патента: CA2000766A1. Автор: Juergen Boy,Gerhard Schwenda,Oskar Sippekamp. Владелец: Oskar Sippekamp. Дата публикации: 1990-04-18.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: EP2734294A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-05-28.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: WO2013011486A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: SEKO S.P.A.. Дата публикации: 2013-01-24.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US20140169121A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-06-19.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US9375688B2. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2016-06-28.

Air gap spacer for use in building construction

Номер патента: CA2449772A1. Автор: Clarence Thibeau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-12.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer

Номер патента: US09608594B2. Автор: Phil Nikkel,Dariusz Burak. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US11962255B2. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-04-16.

Electric Motor with Air-Gap Sleeve

Номер патента: US20230163657A1. Автор: David Finck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Miniaturized real time pseudo-cross domain data communication system with air gapped full motion video device and method

Номер патента: US09967234B1. Автор: Bradford James Crane,Kevin Dee Shepherd. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-08.

Electromagnetic transducer with air gap substitute

Номер патента: US09432782B2. Автор: Johan Gustafsson,Tommy BERGS. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Isaza Fabian,Piazza Galarza Pablo Gabriel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US20220231625A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-07-21.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US11329585B2. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-05-10.

CAPACITIVE COUPLED RESONATOR DEVICE WITH AIR-GAP SEPARATING ELECTRODE AND PIEZOELECTRIC LAYER

Номер патента: US20150349747A1. Автор: BURAK Dariusz,NIKKEL Phil. Владелец: Avago Technologies General IP ( Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

Electrical motor-pump with air-gap sleeve

Номер патента: EP0412858B1. Автор: Hervé Trian. Владелец: Pompes Salmson SAS. Дата публикации: 1994-06-01.

ELECTROMAGNETIC TRANSDUCER WITH AIR GAP SUBSTITUTE

Номер патента: US20140270297A1. Автор: GUSTAFSSON Johan,Bergs Tommy. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

ELECTRICAL AND MECHANICAL ROOF UNDERLAYMENT FOR SOLAR SHINGLES WITH AIR GAP

Номер патента: US20200204109A1. Автор: Hall David R.,Myer Seth. Владелец: Hall Labs LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Electromechanical filter with threshold switch - with AC magnet circuit with air gap and non-magnetic oscillating blade

Номер патента: FR2349998A1. Автор: Hans Hurlimann. Владелец: Landis and Gyr AG. Дата публикации: 1977-11-25.

Synchronous magnet machine with air gap variation.

Номер патента: FR2714232A1. Автор: Masson Andre. Владелец: GEC Alsthom Transport SA. Дата публикации: 1995-06-23.

Double-water internal cooling steam turbine generator with air gap wind-blocking ring and use method thereof

Номер патента: CN113285561A. Автор: 周丽,王挺,李洪武,赵浩,陈晟,周斌斌,许聚武,习聪玲. Владелец: Jiaxing University. Дата публикации: 2021-08-20.

Electric motor or converter with air gap winding and process for its manufacture

Номер патента: DE69407908T2. Автор: Richard J Fougere,Mohammad Khandan-Barani,Raymond S Keogh. Владелец: Advanced Interconnection Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-10.

Electric machine with air gap winding

Номер патента: DE2620984C2. Автор: Noriyoshi Takahashi,Miyoshi Hitachi Ibaraki Takahashi,Hiroe Tohkai Ibaraki Yamamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-03-29.

Motor with air-gap sleeve

Номер патента: EP2400639B1. Автор: Gareth Edward Morris,James Andrew Turner. Владелец: GOODRICH CONTROL SYSTEMS. Дата публикации: 2017-05-17.

ELECTRIC MACHINE WITH AIR GAP BARRIER.

Номер патента: DE1808372U. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1960-03-24.

Methods and systems for communication with air gapped computer systems

Номер патента: US11032131B1. Автор: Roberto Franceschetti. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-08.

ROTATING ELECTRIC MACHINE WITH AIR GAP WINDING

Номер патента: DE3308005A1. Автор: Kouichi Okamoto,Tatsuei Itami Hyogo Nomura,Mitsuhiro Kobe Hyogo Uchida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1983-09-22.

Current limiter for high voltage line in series with circuit breaker - has two parallel turns on magnetic core with air gap, unsaturated by fault and varistor and resistor in series with second turns

Номер патента: FR2698214A1. Автор: Pham van Doan,Motz Martin. Владелец: GEC Alsthom SA. Дата публикации: 1994-05-20.

High-speed motor with air gap winding

Номер патента: EP3326266B1. Автор: Martin Baun,Gerhard Huth,Walter Hofmann,Roland Erneker,Jiawei HE,Otmar HÜGEL. Владелец: Ebm Papst Mulfingen GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-04-22.

Electric motor with air gap bearing sleeve

Номер патента: DE102019121997A1. Автор: Carsten Jacobs,Simon Stroh,Dennis Hülsmann. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Axial flux alternator with air gap maintaining arrangement

Номер патента: US8178992B1. Автор: Moshe Meller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-15.

Electric Rotating Machine, Electric Motor, or Liquid Pump with Air Gap Sleeve

Номер патента: US20230170756A1. Автор: Wolfgang Wetzel,Christian Seidel,Olaf KÖRNER,Andreas Grünthaler,Felix Ntourmas,David Finck. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-06-01.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US20240251576A1. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for organic semiconductor devices with sputtered contact layers

Номер патента: US12101948B2. Автор: Marinus Franciscus Antonius Maria van Hest,Scott R. Hammond. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Three dimensional NAND memory device with novel support structures

Номер патента: US12144175B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Brake system and method of control with air gap estimation

Номер патента: US09457782B2. Автор: Yixin Yao. Владелец: ArvinMeritor Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Transport container has container walls that are made of hard foam, where container walls have breakdown in form of air gap with air gap surfaces opposite to each other

Номер патента: DE102009028864A1. Автор: Teresa Ricardo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-10.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: EP2734294B1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2016-01-06.

Dosing module with air gap insulation

Номер патента: DE102011086798A1. Автор: Stephan Pohl,Martin Kiontke,Achim Knittel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-05-23.

Linear motor magnetic hovertrain - with sprung motor section fitted with air gap correcting electromagnets

Номер патента: DE2407522A1. Автор: Ulf Dipl Ing Steenbeck,Martin Dipl Ing Weida. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1975-08-28.

ELECTROMECHANICAL MICROSYSTEMS WITH AIR GAPS

Номер патента: US20130270096A1. Автор: POTHIER Arnaud,BLONDY Pierre,Courreges Stanis,Orlianges Jean-Christophe. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-17.

MIXING APPARATUS ASSEMBLY WITH AIR GAP SEPARATION, IN PARTICULAR FOR BACKFLOW PREVENTION

Номер патента: US20140169121A1. Автор: Petrangeli Gabriele,Livoti Stefano. Владелец: SEKO, S.P.A.. Дата публикации: 2014-06-19.

VALVE WITH AIR-GAP PROVISION TO PREVENT BACKFLOW

Номер патента: US20150096635A1. Автор: SHAFFER Timothy Scott. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2015-04-09.

Low Temperature Coolant Reservoir Cap Design With Air Gap For Hybrid Vehicles

Номер патента: US20190107038A1. Автор: Kumar Sudhir,Noppakunkajorn Jukkrit. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES, LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

METHOD FOR PREPARING CHEMICAL CROSS LINKED POLYETHYLENE CLOSED CELL FOAM WITH AIR GAPS DESIGNED TO ACHIEVE DESIRED EFFICACY

Номер патента: US20180126694A1. Автор: Kumar Ghosh Amit,Gourishankar Jha,Kumar Guleria Ajay,Kumar Singh Vijay. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor Package with Air Gap

Номер патента: US20150145078A1. Автор: Ng Chee Yang. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

RISER SLEEVE WITH AIR GAP

Номер патента: US20150298201A1. Автор: AUFDERHEIDE Ronald C.,HARMON Sean R,HORVATH Lee R,SHOWMAN Ralph E. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Brake System and Method of Control with Air Gap Estimation

Номер патента: US20170350462A1. Автор: Narula Prashant,Yao Yixin. Владелец: MERITOR HEAVY VEHICLE BRAKING SYSTEMS (UK) LIMITED. Дата публикации: 2017-12-07.

Riser sleeve with air gap

Номер патента: KR102118990B1. Автор: 로날드 씨 아우프더하이드,숀 알. 하몬,리 알. 호바스,랄프 이. 쇼만. Владелец: 에이에스케이 케미칼스 엘엘씨. Дата публикации: 2020-06-04.

ELECTROMECHANICAL MICROSYSTEMS WITH AIR GAPS.

Номер патента: FR2963784B1. Автор: Pierre Blondy,Stanis Courreges,Arnaud Pothier,Jean-Christophe Orlianges. Владелец: UNIVERSITE DE LIMOGES. Дата публикации: 2012-08-31.

Heat insulator with air gap and reflector

Номер патента: US20040000113A1. Автор: Robert Alderman. Владелец: Alderman Robert J.. Дата публикации: 2004-01-01.

Noise attenuating and safety casing for press - has two separately controlled sliding plates with air gap between and movable using pneumatic cylinders

Номер патента: DE2728410A1. Автор: Georg Schoell. Владелец: HENSEL EISENWERK. Дата публикации: 1979-01-11.

Valve with air-gap provision to prevent backflow

Номер патента: US9403125B2. Автор: Timothy Scott Shaffer. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Brake system and method of control with air gap estimation

Номер патента: EP2927068B1. Автор: Yao Yixin. Владелец: ArvinMeritor Technology LLC. Дата публикации: 2019-01-30.

Riser sleeve with air gap

Номер патента: CN104936722A. Автор: 罗纳德·C·奥夫德海德,肖恩·R·哈莫,李·R·霍瓦特,拉尔夫·E·肖曼. Владелец: ASK Chemicals LLC. Дата публикации: 2015-09-23.

Fuel system having fuel injector boot assembly with air gap standoff protrusions

Номер патента: US20240295206A1. Автор: Kenth I. Svensson. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Digital tachometer with air gap adjusting yoke insertable through holes in the tachometer housing

Номер патента: US4890059A. Автор: Herwig Guentner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-26.

Equipment for composting biologically degradable material - has special insulated collecting container with air gap arranged externally to compositing hearth producing air movement by automatic draught

Номер патента: SE9100356L. Автор: J Flenshammar. Владелец: Stiftelsen Svampteknik. Дата публикации: 1992-08-06.

Channel Covers with Air Gaps and Interchangeable Light Modifiers

Номер патента: US20210310620A1. Автор: Matthew John. Владелец: Elemental LED Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Insulated duct with air gap and method of use

Номер патента: CA3005973C. Автор: Donald B. Campbell,Ronald L. Carlay,John Cullen Schlageter. Владелец: Flexible Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Switching Device with Air Gap Insulation in Cylinder Head Flange

Номер патента: US20160195048A1. Автор: Korn Alexander,Pietrowski Herbert,Buehl Heinz. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

Water heater with air gap regeneration

Номер патента: GB2468253B. Автор: Willi Hecking. Владелец: Baxi Heating UK Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Adjustable inlet valve with air gap

Номер патента: AU2004276368A1. Автор: John William Smith. Владелец: Sensei Trading Pty Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

NEAR-EYE DISPLAY SYSTEM WITH AIR-GAP INTERFERENCE FRINGE MITIGATION

Номер патента: US20190317270A1. Автор: Tervo Jani Kari Tapio,TAMMELA Simo Kaarlo Tapani,TERVONEN Ari Juhani,KARVONEN Lasse Pekka. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

LINE ELEMENT WITH AIR GAP INSULATION

Номер патента: US20210010621A1. Автор: Schenk Karsten,HAUK STEFAN,HENKELMANN MICHAEL. Владелец: Westfalia Metal Hoses GmbH. Дата публикации: 2021-01-14.

Insulated duct with air gap and method of use

Номер патента: US20170038091A1. Автор: Donald B. Campbell,II Ronald L. Carlay. Владелец: Flexible Technologies Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Cymbal Transducer Using Electret Accelerometer With Air Gap

Номер патента: US20140174282A1. Автор: Truchsess Julia D.. Владелец: AVEDIS ZILDJIAN CO.. Дата публикации: 2014-06-26.

INSULATED DUCT WITH AIR GAP AND METHOD OF USE

Номер патента: US20170146157A1. Автор: II Ronald L.,CARLAY,Campbell Donald B.,SCHLAGETER John Cullen. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Brake System and Method of Control with Air Gap Estimation

Номер патента: US20150260246A1. Автор: Yao Yixin. Владелец: ARVINMERITOR TECHNOLOGY, LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

INSULATED DUCT WITH AIR GAP AND METHOD OF USE

Номер патента: US20190285204A1. Автор: Campbell Donald B.,CARLAY II Ronald L.,SCHLAGETER John Cullen. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Tube charged of explosives powder with air gap and method of constructing method for blasting bedrock using that

Номер патента: KR101384820B1. Автор: 이진성. Владелец: 이진성. Дата публикации: 2014-04-15.

Cladding system with air gap for mounting small-scale panels and method for assembly of said system

Номер патента: EP2412890A2. Автор: Evgueniy Yulievich Tsykanovskiy,Alexey Vladimirovich Ilin,Fyodor Leonidovich Kraus. Владелец: Evgueniy Yulievich Tsykanovskiy. Дата публикации: 2012-02-01.

LED fixture with air gap and heat dissipation

Номер патента: US10473318B2. Автор: Harsha N. DEVAPPA,Anoop R. ZUTTI,Dawn M. GRANDSART,Chethan S B,Timothy E. Graff. Владелец: Appleton Grp Llc. Дата публикации: 2019-11-12.

Apparatus for spacing explosive charge with air gap

Номер патента: SU614658A1. Автор: Н.В. Мельников,А.А. Ковалев,И.Ф. Жариков,Н.П. Сеинов,А.М. Новиков,Л.Н. Марченко,В.С. Кудряшев. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Горного Дела Им. А.А.Скочинского. Дата публикации: 1979-10-29.

Variable reluctance device for e.g. aircraft`s turbo-machine, has detection module and excitation element associated with wheel to form closed magnetic circuit with air gap, where module has detection element with cells receiving coils

Номер патента: FR2891361A1. Автор: Jean Paul Bares. Владелец: Societe dExplotation des Materiels Hispano Suiza. Дата публикации: 2007-03-30.

Insulated duct with air gap and method of use

Номер патента: CA3005973A1. Автор: Donald B. Campbell,Ronald L. Carlay,John Cullen Schlageter. Владелец: Flexible Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-01.

Gas-sensitive field-effect transistor with air gap

Номер патента: US20060260737A1. Автор: Maximilian Fleischer,Uwe Lampe,Ralf Schneider,Hans Meixner,Roland Pohle,Elfriede Simon. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2006-11-23.

Current sensor with air gap magnetic circuit

Номер патента: JP2851703B2. Автор: エテール，マルセル. Владелец: RIEZON EREKUTORONIKUUMEKANIKU ERUEMU SA. Дата публикации: 1999-01-27.

Cover Window Structure with Air Gap

Номер патента: KR102069222B1. Автор: 오정원,윤무영. Владелец: (주)중우엠텍. Дата публикации: 2020-01-22.

Current sensor with magnetic core with air gaps

Номер патента: DE69210390T2. Автор: Marcel Etter. Владелец: Liaisons Electroniques Mecaniques LEM SA. Дата публикации: 1997-01-02.

The insulation materials for reducing floor impact sound, EPS board with Neopren-Mount with Air-Gaps

Номер патента: KR200363675Y1. Автор: 홍승익,정동헌. Владелец: 주식회사 하이드. Дата публикации: 2004-10-06.

Hob plate for solid fuel cooker - is constructed in sections with air gaps between them

Номер патента: DE2217065B2. Автор: Anmelder Gleich. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-05-18.

Heating pipe heat reflective shield - has two aluminium sheets with air gap between secured by clips bent around tube with springs

Номер патента: DE2931510A1. Автор: Erhard Schnier. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-02-19.

A kind of magnetic suspending wind turbine generator with air gap regulatory function

Номер патента: CN208518818U. Автор: 许占欣. Владелец: 许占欣. Дата публикации: 2019-02-19.

Easily replaced tapping pipe for metal melt in converter - has removable inner pipe coated with heat resistant lubricant, and outer pipe with air gap between

Номер патента: DE3926144A1. Автор: Axel Dr Eschner,Hans Rothfuss. Владелец: Didier Werke AG. Дата публикации: 1991-02-14.

Separator delivering current with adjustable phase characteristic - has core with air gap and three windings

Номер патента: DE2506918A1. Автор: Toshitsugu Ueda,Shiro Takeuchi. Владелец: Yokogawa Electric Works Ltd. Дата публикации: 1975-09-11.

Adjustable inlet valve with air gap

Номер патента: CA2540069A1. Автор: John William Smith. Владелец: Sensei Trading Proprietary Limited. Дата публикации: 2005-04-07.

Lid for electric arc furnace for melting steel - has arched main-part and central parts of fire resistant material with iron@ plate seamlessly surrounding central part with air-gap to main part

Номер патента: DE4100960C1. Автор: Peter Dipl.-Ing. Wendt,Friedrich Umberg,Heinrich 4630 Bochum De Flemming,Franz-Josef 4670 Luenen De Wahlers,Juri 4600 Dortmund De Sieg. Владелец: Krupp Stahl AG. Дата публикации: 1992-05-21.

Line element with air gap insulation

Номер патента: US20210010621A1. Автор: Stefan Hauk,Karsten Schenk,Michael Henkelmann. Владелец: Westfalia Metal Hoses GmbH. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device with input/output line

Номер патента: US09589605B1. Автор: Tae Kyun Kim,Jin Hee Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device having reduced leakage and method of operating the same

Номер патента: US20020181291A1. Автор: Shi-Tron Lin,Wei-Fan Chen,Chen-Hsin Lien. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device with integrated mirror and method of producing a semiconductor device with integrated mirror

Номер патента: US09753218B2. Автор: Jochen Kraft,Joerg Siegert,Ewald STUECKLER. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming of charges with air gaps

Номер патента: RU2314488C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Suspended facade system with air gap and bracket of suspended facade system

Номер патента: RU2495211C1. Автор: Алексей Владимирович Ильин. Владелец: Цыкановский Евгений Юльевич. Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SPACER WITH AIR GAP

Номер патента: US20120276711A1. Автор: PARK Ji Yong,YOON Hyo Geun,LEE Sun Jin. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH AIR GAP AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20130320550A1. Автор: KIM Jun Ki. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

FORMING AIR GAPS IN MEMORY ARRAYS AND MEMORY ARRAYS WITH AIR GAPS THUS FORMED

Номер патента: US20130026600A1. Автор: Matthew James,Haller Gordon,Weimer Ronald A.,Hopkins John,Shamanna Vinayak K.,Sapra Sanjeev. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

Thermal insulation device with air gaps for steam lines

Номер патента: SU20892A1. Автор: А.Д. Валик. Владелец: А.Д. Валик. Дата публикации: 1931-05-31.

Sanitary apparatus with air gap

Номер патента: CA392800A. Автор: C. Groeniger William. Владелец: John B Pierce Foundation. Дата публикации: 1940-11-26.

Composite patterned substrate and epitaxial structure with air gap

Номер патента: CN217405452U. Автор: 刘鹏,孙帅,付星星,芦玲. Владелец: Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-09.

AXIAL FLUX ALTERNATOR WITH AIR GAP MAINTAINING ARRANGEMENT

Номер патента: US20120126541A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-24.

FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH AIR GAP DIELECTRIC

Номер патента: US20120264275A1. Автор: Chatty Kiran V.,Gauthier,JR. Robert J.,Rankin Jed H.,TONTI William R.,Shi Yun,Abadeer Wagdi W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-10-18.

ROTARY ELECTRIC MACHINE WITH AIR GAPS CONFIGURED TO CANCEL TORQUE PULSATIONS

Номер патента: US20120274160A1. Автор: . Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-01.

DRINKING WATER FAUCET WITH AIR GAP TO DISCHARGE WASTE WATER

Номер патента: US20140007967A1. Автор: Sun Tung-Hsin. Владелец: GRAND ADVANCED TECHNOLOGIES CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-09.

BRIDGE INTERCONNECT WITH AIR GAP IN PACKAGE ASSEMBLY

Номер патента: US20140070380A1. Автор: Chiu Chia-Pin,Qian Zhiguo,Manusharow Mathew J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-13.

Method of manufacturing thermal insulation with air gaps on the steam lines

Номер патента: SU36741A1. Автор: Н.Т. Дарморос. Владелец: Н.Т. Дарморос. Дата публикации: 1934-05-31.

Submersible pump with air gap cavity filled with liquid to work

Номер патента: CN2272954Y. Автор: 陈小荣,江焕章,文北福,胡清国. Владелец: ELECTRIC PUMP FACTORY KANGLI GENERAL ELECTRIC GROUP CORP GUANGDONG. Дата публикации: 1998-01-21.

Electric machine with air gap monitoring device

Номер патента: SU1350763A1. Автор: Владимир Викторович Якунин,Юрий Петрович Саламатов. Владелец: Ю. П. Саламатов и В. В, Якунин. Дата публикации: 1987-11-07.

Inorganic thermal insulating wallboard with air gap layer

Номер патента: CN201416228Y. Автор: 罗来安,邓安仲,付征耀. Владелец: CHONGQING ZHONGRUI XINAN INDUSTRIAL CO LTD. Дата публикации: 2010-03-03.

Inserted-type automobile ignition coil iron core provided with air gap magnetic steel disc

Номер патента: CN102376425A. Автор: 刘志勇. Владелец: SUN ELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2012-03-14.

Device and method for assembly light beam by two flats with air gap

Номер патента: CN1206844A. Автор: 朴正镐,金容焄,朴永埈,黄永某. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-03.

Method to manufacture multi-level interconnections of integral microcircuit chips with air gaps

Номер патента: RU2436188C1. Автор: Адиль Салихович Валеев,Сергей Олегович Ранчин,Владимир Александрович Шишко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2011-12-10.

Composite magnetic core with air gap for anti-DC component

Номер патента: CN201622900U. Автор: 毛雪明. Владелец: JIANGSU HUAHUI MAGNETIC MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2010-11-03.

Direct current magnetic control adjustable reactor with air gap

Номер патента: CN103325528B. Автор: 王永红,陈庆国,魏新劳,聂洪岩,官瑞杨. Владелец: Harbin University of Science and Technology. Дата публикации: 2015-05-27.

Manufacturing method for deep isolation slot with air gaps

Номер патента: CN102082113B. Автор: 王雷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

Three-phase metal magnetic powder core electric reactor with air gap formed in phase B

Номер патента: CN105140005A. Автор: 冉瑞刚,李裕宝. Владелец: Guangdong NRE Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-09.

Waste water pipe with air gap of faucet

Номер патента: TWM424419U. Автор: Rui-Qian Chen,rui-qing Chen. Владелец: rui-qing Chen. Дата публикации: 2012-03-11.

Prefabricated elements of concrete with air gap

Номер патента: GR62152B. Автор: A Agrogiannis. Владелец: A Agrogiannis. Дата публикации: 1979-02-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.