Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

AIR GAP SPACER FOR METAL GATES

Номер патента: US20180294263A1
Опубликовано: 11-10-2018
Автор(ы): Bergendahl Marc A., Cheng Kangguo, LIE Fee Li, Miller Eric R., Sporre John R., Teehan Sean
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20230352480A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10607991B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10043801B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and fabrication method including air gap spacers

Номер патента: US11127638B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Metal gate transistor, integrated circuits, systems, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09620421B2. Автор: Chun-Hung Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Alex Kalnitsky,Chih-Ping Chao,Hua-Chou Tseng,Jye-Yen Cheng,Chien-Chih Ho,Chia-Yi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20220320274A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11742383B2. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20210320172A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US11756835B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20230369128A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device With Air Gaps Between Metal Gates And Method Of Forming The Same

Номер патента: US20220344216A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US11895826B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220037331A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US11854907B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Contact air gap formation and structures thereof

Номер патента: US20240112958A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Conductive spline for metal gates

Номер патента: US09548384B2. Автор: Mahalingam Nandakumar,Steve Lytle. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Air gap regions of a semiconductor device

Номер патента: US20210050412A1. Автор: LIU Jiang,Haiting Wang,Xiaoming Yang,Chun Yu Wong,Yong Jun Shi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

FinFET devices with embedded air gaps and the fabrication thereof

Номер патента: US12057343B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor devices having air-gap

Номер патента: US11855178B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Chun-Hsiung Lin,Pei-Hsun Wang,Chih-Chao CHOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

FinFET structure having a gate contact above a metal gate and straddling the boundary of an active region

Номер патента: US12148834B2. Автор: Miao Xu,Xinfang Liu,Yanxiang Liu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09431304B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US09761684B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chao-Cheng Chen,Ming-Chia Tai,Ju-Li Huang,Calvin Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device structure incorporating air gap

Номер патента: US12125848B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Chih-Ching Wang,Chung-Wei Wu,zhi-qiang Wu,Chun-Chung SU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20230387117A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09685531B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Forming single diffusion break and end isolation region after metal gate replacement, and related structure

Номер патента: US20190148242A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device having a metal gate

Номер патента: US09508791B2. Автор: Tsung-Chieh Tsai,Juing-Yi Wu,Jyh-Kang Ting,Liang-Yao Lee,Yung-Che Albert SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having metal gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09490334B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device having metal gate and poly gate

Номер патента: US20240096643A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US12040222B2. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US20210125858A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Air-Replaced Spacer for Self-Aligned Contact Scheme

Номер патента: US20240339355A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Air-replaced spacer for self-aligned contact scheme

Номер патента: US20220181202A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Meng-Yu Lin,Chung-Wei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and structure for work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: US20110248350A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Work function engineering in transistors including a high dielectric constant gate insulator and metal gate (hkmg)

Номер патента: WO2011127016A1. Автор: Michael P. Chudzik,William K. Henson,Unoh Kwon. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-10-13.

Seal material for air gaps in semiconductor devices

Номер патента: US20210193799A1. Автор: Shuen-Shin Liang,Keng-Chu Lin,Tetsuji Ueno,Chen-Han Wang,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: US20240312986A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structures having self-aligned uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates

Номер патента: EP4432339A1. Автор: Nikhil Mehta,Anand S. Murthy,Leonard P. GULER,Sudipto NASKAR,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230387236A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: EP3945595A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Multigate device with air gap spacer and backside rail contact and method of fabricating thereof

Номер патента: US11984488B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Selective sin capping on metal gate for metal oxidation prevention

Номер патента: US20240304679A1. Автор: Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Post contact air gap formation

Номер патента: US20190206740A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas Michael Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US20240258158A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US20240186372A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Self-aligned contact air gap formation

Номер патента: US11901408B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Self-Aligned Contact Air Gap Formation

Номер патента: US20210183996A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Yih-Ann Lin,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Finfet structure with controlled air gaps

Номер патента: US20230386904A1. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFET structure with controlled air gaps

Номер патента: US11804402B2. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230386905A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit structure with backside interconnection structure having air gap

Номер патента: US11984350B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with air gaps and method of fabrication thereof

Номер патента: US11830769B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20180331199A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal gate structure and methods thereof

Номер патента: US20200152757A1. Автор: Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Chia-Sheng FAN,Tzung-Chi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Devices with Backside Air Gap Dielectric

Номер патента: US20210375691A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US20170287784A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor devices with backside air gap dielectric

Номер патента: US20230298943A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US09917014B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical air gap subtractive etch back end metal

Номер патента: US09653347B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Multi-level air gap formation in dual-damascene structure

Номер патента: US9859212B1. Автор: Richard A. Conti,Son V. Nguyen,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene,Susan S. FAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Fill structures with air gaps

Номер патента: US11961884B2. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Non-volatile memory devices having air gaps on common source lines and methods of fabricating the same

Номер патента: KR20120020550A. Автор: 신현철,송준의,유환배,유다훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-03-08.

Semiconductor devices with backside air gap dielectric

Номер патента: US20220367284A1. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Integration of multiple threshold voltage devices for complementary metal oxide semiconductor using full metal gate

Номер патента: US09406679B2. Автор: Hemanth Jagannathan,Balasubramanian S. Haran,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09679898B2. Автор: Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Metal gate structure of a semiconductor device

Номер патента: US09595443B2. Автор: Ming Zhu,Chao-Cheng Chen,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz,Ryan Chia-Jen Chen,Hui-Wen LIN,Yuan-Sheng Huang,Ting-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Shallow trench air gaps and their formation

Номер патента: US09524973B1. Автор: Masafumi Yoshida,Ryo Nakamura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having high-k film and metal gate

Номер патента: US09640534B2. Автор: Je-Don Kim,Ju-youn Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of forming metal gate to mitigate antenna defect

Номер патента: US09613959B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US12100627B2. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20180286750A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20210202313A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2021-07-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20190172748A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US10242911B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US09911652B1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Dielectric fins with air gap and backside self-aligned contact

Номер патента: US20240379744A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ming-Shuan Li,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device including dam structure having air gap and electronic system including the same

Номер патента: US20220384479A1. Автор: Haemin LEE,Hyeonjoo SONG,Byoungtaek KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-01.

Forming self-aligned vias and air-gaps in semiconductor fabrication

Номер патента: US20220406658A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,John H. Zhang,Carl J. Radens. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2022-12-22.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having molybdenum nitride metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: US12051698B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel G. OUELLETTE,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,Lukas BAUMGARTEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Large dimension metal gate field-effect transistor (fet) with metal gate dummy structures

Номер патента: US20240186397A1. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Yu-chen Chang,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: US20240332394A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Omair Saadat,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having multi-layer molybdenum metal gate stack

Номер патента: EP4439647A1. Автор: Tahir Ghani,David Goldstein,Anand S. Murthy,Tongtawee Wacharasindhu,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax CRUM,David J. Towner,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Third type of metal gate stack for CMOS devices

Номер патента: US09634006B2. Автор: Viraj Y. Sardesai,Ramachandra Divakaruni,Sameer H. Jain,Keith H. Tabakman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Gate Structures Having Neutral Zones to Minimize Metal Gate Boundary Effects and Methods of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240234421A1. Автор: Shih-Hao Lin,Lien-Jung Hung,Chia-Hao Pao,Chih-Hsuan CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Formation of full metal gate to suppress interficial layer growth

Номер патента: US20180204839A1. Автор: Vijay Narayanan,ChoongHyun Lee,Paul Jamison,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device with cut metal gate and method of manufacture

Номер патента: US12112990B2. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor Device with Cut Metal Gate and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371704A1. Автор: Yi-Chun Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Yuan Ku,Ya-Yi Tsai,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: US20240243131A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

N/p-independently strained post-replacement metal gate (rmg) gate cut for performance enhanced finfet

Номер патента: WO2024155358A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: US20240290788A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metal gate fabrication for nanoribbon-based transistors

Номер патента: EP4425540A1. Автор: Yang Zhang,Feng Zhang,Oleg Golonzka,Anand S. Murthy,Robin Chao,Guowei Xu,Biswajeet Guha,Chiao-Ti HUANG,David Towner,Orb Acton,Dax M. CRUM,Omair Saadat,Tao Chu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Methods and structure to form high K metal gate stack with single work-function metal

Номер патента: US09515164B2. Автор: Balaji Kannan,Takashi Ando,Shahab Siddiqui,Unoh Kwon,Siddarth Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-aligned metal gate with poly silicide for vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US12034005B2. Автор: Dechao Guo,Brent A. Anderson,Vijay Narayanan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09905476B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Alternative threshold voltage scheme via direct metal gate patterning for high performance CMOS FinFETs

Номер патента: US09553092B2. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Siddarth A. Krishnan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Variable length multi-channel replacement metal gate including silicon hard mask

Номер патента: US20150349076A1. Автор: Michael P. Chudzik,Unoh Kwon,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US20230369398A1. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Multi-gate device with air gap spacer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11764262B2. Автор: Pei-Yu Wang,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US11855170B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20210305396A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240079471A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for forming semiconductor device with air gap between two conductive features

Номер патента: US20220271145A1. Автор: Sheng-hui Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated circuit comprising memory cells with air gaps in upper metal layers

Номер патента: EP4105975A1. Автор: Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Hui Jae Yoo,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma,Alekhya Nimmagadda,Albert B. CHEN,Miriam R. Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor device having a reversed T-shaped profile in the metal gate line-end

Номер патента: US09780213B2. Автор: Chien-Chih Lin,Guan-Jie Shen,Chien-Hung Yeh,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20230109700A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

High voltage polysilicon gate in high-k metal gate device

Номер патента: US20210043638A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

High-K layer chamfering to prevent oxygen ingress in replacement metal gate (RMG) process

Номер патента: US09865703B2. Автор: Takashi Ando,Tenko Yamashita,Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Self-Aligned Metal Gate for Multigate Device

Номер патента: US20240347391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Jui-Chien Huang,Ching-Wei Tsai,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Forming two portion spacer after metal gate and contact formation, and related ic structure

Номер патента: US20200303261A1. Автор: Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Transistor with air gap under raised source/drain region in bulk semiconductor substrate

Номер патента: US11817479B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Uzma B. Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US20220262804A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device with air gap between bit line and capacitor contact and method for forming the same

Номер патента: US20220262802A1. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: US20220157354A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: WO2022103526A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines

Номер патента: US20230081678A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Metall-gate-strukturen und verfahren zum herstellen derselben in feldeffekttransistoren

Номер патента: DE102020122120A1. Автор: Ying Lu,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Pin Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for Manufacturing High-Voltage Metal Gate Device

Номер патента: US20230142968A1. Автор: Hua Shao,Haoyu Chen,Xiaoliang Tang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Metall-Gate-Ausbildung von unten nach oben auf Finfet-Bauelementen mit einem Ersatz-Metall-Gate

Номер патента: DE112016000182T5. Автор: Hong He,Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Preventing over-polishing of poly gate in metal-gate CMP

Номер патента: US09543212B2. Автор: LI Jiang,Pulei Zhu,Xiantao Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20060270205A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of fabricating semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US20090250752A1. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-08.

Methods of fabricating a semiconductor device having a metal gate pattern

Номер патента: US7306996B2. Автор: Chang-Won Lee,Sung-Man Kim,Sun-pil Youn,Ja-hum Ku,Seong-Jun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-11.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20150004780A1. Автор: Chih-Chien Liu,Tsun-Min Cheng,Jen-Chieh Lin,Ching-Ling Lin,Shao-Wei Wang,Min-Chuan Tsai,Pei-Ying Li,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20220367688A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11949000B2. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Metal-gate CMOS device and fabrication method thereof

Номер патента: US8592271B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Cheng-Tzung Tsai,Chen-Hua Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-11-26.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US09892961B1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09799746B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Preventing leakage inside air-gap spacer during contact formation

Номер патента: US09589833B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Forming air-gap spacer for vertical field effect transistor

Номер патента: US09929246B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Inverse t-shaped contact structures having air gap spacers

Номер патента: US20190334011A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Heng Wu,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Air gap spacer formation for nano-scale semiconductor devices

Номер патента: US20240079266A1. Автор: Kangguo Cheng,Son V. Nguyen,Chanro Park,Tenko Yamashita,Juntao Li,Sanjay C. Mehta,Eric G. Liniger,Thomas J. Haigh. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

FinFETs with air-gap spacers and methods for forming the same

Номер патента: US09831346B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: US09698232B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20240250151A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Air spacers for semiconductor devices

Номер патента: EP3944333A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-26.

Metal Control Gate Structures And Air Gap Isolation In Non-Volatile Memory

Номер патента: US20130334587A1. Автор: Yuan Zhang,Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Henry Chien,Henry Chin,Vinod Robert Purayath,George Matamis,James K. Kai,Takashi W. Orimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-12-19.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20170033200A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Method to create air gaps

Номер патента: US20200219758A1. Автор: Bart J. van Schravendijk,Seshasayee Varadarajan,Patrick Van Cleemput. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method to create air gaps

Номер патента: US12112980B2. Автор: Bart J. van Schravendijk,Patrick A. Van Cleemput,Seshasayee Varadarajan. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09786767B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09761698B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US09484250B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Conductive cap for metal-gate transistor

Номер патента: WO2016148927A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282622A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US12087621B2. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor memory device with air gap isolation layers

Номер патента: US09293360B2. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20160268158A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method For Metal Gate Surface Clean

Номер патента: US20150200089A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for metal gate surface clean

Номер патента: US09633832B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor Structure With Air Gap And Method Sealing The Air Gap

Номер патента: US20230335432A1. Автор: Ziwei Fang,Akira Mineji,Hung-Chang Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method for preparing semiconductor memory device with air gaps between conductive features

Номер патента: US20220059544A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device having an air gap along a gate spacer

Номер патента: US11817491B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory device with air gaps between conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20210327882A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Air gap contact formation for reducing parasitic capacitance

Номер патента: US20170033223A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device with air gap on gate structure and method for forming the same

Номер патента: US20210083046A1. Автор: Chih-Hao Chang,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Chia-Lin Chuang,Che-Chen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor devices including a drain captive structure having an air gap and methods of forming the same

Номер патента: US11862693B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Middle-Of-Line Interconnect Structure Having Air Gap And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20230360966A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Guowei Xu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US20230215761A1. Автор: Chia-Ta Yu,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for metal gate surface clean

Номер патента: US11996283B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen,He Hui Peng,Yung-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Etch Stop Layer Formation In Metal Gate Process

Номер патента: US20130277764A1. Автор: Michael P. Chudzik,Zhengwen Li,Ramachandra Divakaruni,Unoh Kwon,Richard S. Wise,Siddarth A. Krishnan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Replacement metal gate with borderless contact

Номер патента: WO2012066019A1. Автор: David Vaclav Horak,Theodorus Eduardus Standaert,Su Chen Fan. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-24.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Metal gate transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10037943B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-31.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US20240250139A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Selectively forming a protective conductive cap on a metal gate electrode

Номер патента: US09379209B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xiuyu Cai,Xusheng Wu,Jiajun Mao. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US9985104B2. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Silicide layers in contacts for high-k/metal gate transistors

Номер патента: EP1972004A2. Автор: Mark T. Bohr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor device with metal gate structure comprising work-function metal layer and work-fuction adjustment layer

Номер патента: US09590065B2. Автор: Weng Chang,Syun-Ming Jang,Wei-Jen Lo,Hsien-Ming Lee,Da-Yuan Lee,Kuan-Ting Liu,Hung-Chin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09570583B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Contact first replacement metal gate

Номер патента: US09496362B1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Viraj Y. Sardesai,Emre Alptekin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device having metal gate and method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09490341B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Recessing RMG metal gate stack for forming self-aligned contact

Номер патента: US09455330B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Oxidation and Etching Post Metal Gate CMP

Номер патента: US20170125549A1. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09941152B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09917173B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxidation and etching post metal gate CMP

Номер патента: US09564511B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09564332B2. Автор: Chih-Lin Wang,Chia-Der Chang,Wen-Jia HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09691877B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Replacement metal gate structures

Номер патента: US09685532B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods and apparatus of metal gate transistors

Номер патента: US09508590B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Forming metal contacts on metal gates

Номер патента: US11901426B2. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Air gap spacer integration for improved fin device performance

Номер патента: US09515156B2. Автор: Yoshie Kimura,Dengliang Yang,Bart van Schravendijk,Gerardo A. Delgadino,Paul Raymond Besser,Harald Orkorn-Schmidt. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor Devices with Air Gaps and the Method Thereof

Номер патента: US20240379813A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US11990529B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Air gap in inner spacers and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240313082A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien Ning Yao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Formation of an air gap spacer using sacrificial spacer layer

Номер патента: US20200373204A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US10158022B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US09780218B1. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Bottom-up epitaxy growth on air-gap buffer

Номер патента: US20170345938A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chih-Chung Chen,Man-Ling Lu,Chung-Min Tsai,Jhen-Cyuan Li,Sheng-Hsu Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Memory array with an air gap between memory cells and the formation thereof

Номер патента: US20130260521A1. Автор: Christopher J. Larsen,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device with air gap between conductive features

Номер патента: US11825647B2. Автор: Cheng-Hsiang Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for forming air gap between gate dielectric layer and spacer

Номер патента: US12107121B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Kai-Lin Lee,Chuang-Han Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US09525025B2. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Gate structures with air gap isolation features

Номер патента: US11881506B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same, memory cell having the same and electronic device having the same

Номер патента: US20160307999A1. Автор: Seung-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

A dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: SG135914A1. Автор: Mei Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-10-29.

Manufacturing method for semiconductor device having metal gate

Номер патента: US20140106557A1. Автор: Ying-Tsung Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Ssu-I Fu,Shih-Hung Tsai,Wen-Tai Chiang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

High-k / metal gate CMOS transistors with TiN gates

Номер патента: US09721847B2. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of forming a single metal that performs N work function and P work function in a high-k/metal gate process

Номер патента: US09960160B2. Автор: Kuo-Tai Huang,Donald Y. Chao,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Yi-Shien Mor. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Structure of metal gate structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09653300B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Tsun-Min Cheng,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Chi-Yuan Sun,Nien-Ting Ho,Min-Chuan Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for CMP of high-K metal gate structures

Номер патента: US09646840B2. Автор: Jian Zhao,Hangping Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: WO2005067033A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2005-07-21.

Methods for integrating replacement metal gate structures

Номер патента: EP1700338A1. Автор: Justin K. Brask,Robert S. Chau,Chris E. Barns,Jack Kavalieros,Scott A. Hareland,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Dual metal gate process: metals and their silicides

Номер патента: US6475908B1. Автор: Mei-Sheng Zhou,Simon Chooi,Kin Leong Pey,Wenhe Lin. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Method for adjusting effective work function of metal gate

Номер патента: US9831089B2. Автор: Jiang Yan,HONG Yang,Wenwu Wang,Weichun LUO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming metal gate

Номер патента: US20120244675A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chin-Cheng Chien,Chiu-Hsien Yeh,Yeng-Peng Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Reducing gate dielectric material to form a metal gate electrode extension

Номер патента: US20070040227A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor device having metal gate structure

Номер патента: US09825144B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Chien-Ting Lin,Yi-Wen Chen,Shih-Fang Tzou,Chien-Ming Lai,Tong-Jyun Huang,Hung-Yi Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: EP3090445A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150187653A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

High-k/metal gate cmos transistors with tin gates

Номер патента: WO2015103412A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-07-09.

HIGH-K / METAL GATE CMOS TRANSISTORS WITH TiN GATES

Номер патента: US20150287643A1. Автор: Hiroaki Niimi,Brian K. Kirkpatrick. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Metal Gate Structures And Methods Of Fabricating The Same In Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210257481A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for manufacturing metal gate

Номер патента: US20240154005A1. Автор: ZHOU Yao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11837631B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US20240128376A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method and structure for air gap inner spacer in gate-all-around devices

Номер патента: US11855220B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Shih-Chiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210050355A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Source/Drain Spacer with Air Gap in Semiconductor Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20220328623A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238433A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230387198A1. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit structures having metal gates with tapered plugs

Номер патента: EP4109514A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Daniel Ouellette,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Leah SHOER,Pedro FRANCO NAVARRO. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-28.

Low resistance fill metal layer material as stressor in metal gates

Номер патента: US20240258318A1. Автор: Keng-Chu Lin,Ziwei Fang,Hsueh Wen Tsau,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device having mid-gap work function metal gate electrode

Номер патента: US09461132B2. Автор: Dong-won Kim,Il-Ryong Kim,Keon-Yong Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates and gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975236A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with a dipole layer

Номер патента: EP3975235A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dax CRUM,Dan Lavric. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-30.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having dual metal gates and gate dielectrics with a single polarity dipole layer

Номер патента: US20230290778A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20230238276A1. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09466603B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US9589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having air-gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US09589898B2. Автор: Jae Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Air gap with inverted t-shaped lower portion extending through at least one metal layer, and related method

Номер патента: US20230411208A1. Автор: LIU Xinfu,Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wensheng Deng,Kemao LIN,Yanxia Shao,Shucheng Yin,Jason Kin Wei Wong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing a semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008261A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09425200B2. Автор: Do-Hyung Kim,Seung-Bum Kim,Noh-Jung Kwak,Dae-Sik Park,Chang-Youn Hwang,Se-Han Kwon,Yun-Je CHOI,Doo-Sung JUNG,Hong-Gu Yi,Ki-Soo CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20210296158A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing capacitive coupling and method for preparing the same

Номер патента: US20210335792A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area and fabrication method thereof

Номер патента: US20190296020A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure having air gap between gate electrode and distal end portion of active area

Номер патента: US20190006368A1. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210407908A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Metal gate for robust ESD protection

Номер патента: US9343456B2. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Metal gate for robust esd protection

Номер патента: US20160071835A1. Автор: Andy Wei,Jagar Singh,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US09853132B2. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Nanosheet MOSFET with full-height air-gap spacer

Номер патента: US9508829B1. Автор: Michael A. Guillorn,Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device having air gap spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20180158718A1. Автор: Dong Jun Lee,Ji Young Kim,Dong Ryul Lee,Chang Hyun Cho,Chan Sic YOON,Ji Min CHOI,Joong Chan SHIN,Ho Ouk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20210242110A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210090938A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Interconnects having air gap spacers

Номер патента: US20210118722A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-20.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US20220068766A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: EP4340041A3. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-12.

Electroless plating method for metal gate fill

Номер патента: US12107150B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

DRAM device including an air gap and a sealing layer

Номер патента: US11729966B2. Автор: Wonseok Yoo,Kyungwook Park,Dain LEE,Yoongoo Kang,Hokyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US09842801B2. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Air gap seal for interconnect air gap and method of fabricating thereof

Номер патента: US11996353B2. Автор: Xusheng Wu,Youbo LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Air Gap Seal for Interconnect Air Gap and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20220262708A1. Автор: Xusheng Wu,Youbo LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor structure with an air gap

Номер патента: US11848253B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chih-Jung Wang,Ching-Pin Hsu,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming intermetallic air gap

Номер патента: US12002708B2. Автор: Xiaoxu KANG,Ruoxi SHEN,Xiaolan ZHONG. Владелец: Shanghai IC Equipment Material Industry Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20210202374A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20190304896A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US12051648B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device having an air gap between a contact pad and a sidewall of contact hole

Номер патента: US12057396B2. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-barrier deposition for air gap formation

Номер патента: US09728447B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Dram device including an air gap and a sealing layer

Номер патента: US20220246620A1. Автор: Wonseok Yoo,Kyungwook Park,Dain LEE,Yoongoo Kang,Hokyun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-04.

Electroless Plating Method for Metal Gate Fill

Номер патента: US20230299177A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Self-aligned via and air gap

Номер патента: US20160260666A1. Автор: Mark A. Zaleski,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor memory devices including an air gap and methods of fabricating the same

Номер патента: US9166012B2. Автор: Jong-Min Lee,Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US11894304B2. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220262671A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20220139762A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Multi-barrier deposition for air gap formation

Номер патента: US10483161B2. Автор: Hsiang-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Semiconductor memory array with air gaps between adjacent gate structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160086966A1. Автор: Chun-Min Cheng,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device with air gap below landing pad and method for forming the same

Номер патента: US20240006321A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Microelectronic devices having air gap structures integrated with interconnect for reduced parasitic capacitances

Номер патента: US20230207446A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Sanaz K. Gardner. Владелец: Tahoe Research Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device including air-gap

Номер патента: US20180083099A1. Автор: Jongmin Baek,Wookyung You,Kyu-hee Han,Byunghee Kim,VietHa NGUYEN,Sangshin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032283A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Device with Air Gaps and Method of Fabrication Thereof

Номер патента: US20210375664A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Metal Contacts on Metal Gates and Methods Thereof

Номер патента: US20200020541A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chia-Sheng Chang,Sheng-Liang Pan,Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Fu-Kai Yang,feng-yu Chang,Chao-Hsun Wang,Yu-Feng Yin,Kuo-Yi Chao,Shao-Jyun Wu,Pang-Sheng Chang,Shu-Huei Suen,Chia-Yang Hung,Jack Kuo-Ping Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US20160308026A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9620622B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Replacement metal gate dielectric cap

Номер патента: US9685530B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Michael A. Guillorn,George S. Tulevski,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11545400B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-03.

Methods of cutting metal gates and structures formed thereof

Номер патента: US11923251B2. Автор: Teng-Chun Tsai,Kai-Chieh Yang,Wei-Hao Wu,Zhi-Chang Lin,Tsu-Hsiu Perng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US09673087B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US09613851B2. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Contact having self-aligned air gap spacers

Номер патента: US09768118B1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing interconnect structures incorporating air gap spacers

Номер патента: US20160181144A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Interconnect structures incorporating air-gap spacers

Номер патента: US20110210449A1. Автор: Shom Ponoth,Satya V. Nitta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-01.

Structure including discrete dielectric member for protecting first air gap during forming of second air gap

Номер патента: US20230402317A1. Автор: Juan Boon Tan,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Air gaps in a multilayer integrated circuit and method of making same

Номер патента: US20110241220A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Air gap process

Номер патента: US09385028B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Semiconductor devices having staggered air gaps

Номер патента: US09748170B2. Автор: Jongmin Baek,Sanghoon Ahn,Sangho Rha,Wookyung You,NaeIn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method and structure for metal gates

Номер патента: US20240363441A1. Автор: Yen-Yu Chen,Po-An Chen,Soon-Kang Huang,Tung-Huang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Enhancing barrier in air gap technology

Номер патента: US09847295B2. Автор: Wei Lin,Takeshi Nogami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Air gap in beol interconnect

Номер патента: US20240312834A1. Автор: Son Nguyen,Chih-Chao Yang,Ashim Dutta,Matthew T. Shoudy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US20240290653A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Advanced BEOL interconnect structure containing uniform air gaps

Номер патента: US09786553B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Air gap between tungsten metal lines for interconnects with reduced RC delay

Номер патента: US09425096B2. Автор: Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12022648B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09666528B1. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated metal spacer and air gap interconnect

Номер патента: US09640424B2. Автор: Mehul B. Naik,He REN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming an air gap around a through-silicon via

Номер патента: US09425127B2. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Controlled air gap formation

Номер патента: US20140248754A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09997454B2. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US09875967B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Air-gap scheme for BEOL process

Номер патента: US09449811B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jen-Pan Wang,Chih-Fu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Forming air gap

Номер патента: US20180076082A1. Автор: Naftali E. Lustig,Elbert E. Huang,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Ronald G. Filippi,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Pitch quartering to create pitch halved trenches and pitch halved air gaps

Номер патента: US20140091466A1. Автор: Marc Van Veenhuizen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Air Gaps In Memory Array Structures

Номер патента: US20240260276A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semicondcutor via

Номер патента: US20240243037A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device structure having air gap

Номер патента: US20240282623A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Structure and method for maximizing air gap in back end of the line interconnect through via landing modification

Номер патента: US20240014133A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for manufacturing structure having air gap

Номер патента: US20150270336A1. Автор: Hsin Tai,Chan-Tsun Wu,Ming-Hsin Yeh. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Structure with air gaps extending from dielectric liner around through semiconductor via

Номер патента: EP4401120A1. Автор: Daniel Smith,Zhuojie Wu,Dewei Xu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor devices including an air gap adjacent to an interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240347380A1. Автор: Anthony Jeremy Villalon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Vertical memory stucture with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240357821A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including air gaps between interconnects and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922940B2. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for maximizing air gap in back end of the line interconnect through via landing modification

Номер патента: US09837355B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Christopher J. Penny. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09698097B2. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Interconnection structure including air gap, semiconductor device including air gap, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583382B2. Автор: Ki Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09496169B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Through-silicon via with sidewall air gap

Номер патента: US09437524B2. Автор: Shan GAO,Seung Man Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation

Номер патента: US09390967B2. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Joe Lee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-07-12.

Integrated two-terminal fuse-antifuse and fuse and integrated two-terminal fuse-antifuse structures incorporating an air gap

Номер патента: US5903041A. Автор: Chun-Mai Liu,Yu-Lin Lee,Scott Graham,Michael David La Fleur,Ralph Whitten,Alan E. Comer. Владелец: Aptix Corp. Дата публикации: 1999-05-11.

Enhancing barrier in air gap technology

Номер патента: US10332837B2. Автор: Wei Lin,Takeshi Nogami. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-25.

Air-Gap Containing Metal Interconnects

Номер патента: US20200273743A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Kisik Choi,Kenneth C. K. Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Dual metal and dual dielectric integration for metal high-k fets

Номер патента: EP2419925A1. Автор: Yue Liang,Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Rashmi Jha,Richard S. Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-22.

Dual metal and dual dielectric integration for metal high-k fets

Номер патента: WO2010120842A1. Автор: Yue Liang,Ravikumar Ramachandran,Michael P. Chudzik,William K. Henson,Rashmi Jha,Richard S. Wise. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-21.

Semiconductor interconnect structure with air gap for reducing intralayer capacitance in metal layers in damascene metalization process

Номер патента: US5949143A. Автор: David Bang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-09-07.

Structure and method of increasing subtractive bitline air gap height

Номер патента: US20230065187A1. Автор: John Hopkins,Nancy M. LOMELI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Integrated circuit interconnect structure having discontinuous barrier layer and air gap

Номер патента: US11978663B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Chin-Lung Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Air gap between tungsten metal lines for interconnects with reduced rc delay

Номер патента: WO2016010841A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Shiqun Gu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-21.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5461003A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-10-24.

Multilevel interconnect structure with air gaps formed between metal leads

Номер патента: US5936295A. Автор: Shin-puu Jeng,Robert H. Havemann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Methods of making integrated circuits including air gaps around interconnect structures

Номер патента: US9147602B2. Автор: Chih-hao Chen,Chii-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-09-29.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: US20240087950A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Wet etch process and methods to form air gaps between metal interconnects

Номер патента: WO2024058875A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Air gaps between copper lines

Номер патента: WO2015112300A1. Автор: Nitin K. Ingle,Vinod R. Purayath. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for forming an air gap around a through-silicon via

Номер патента: US20150069579A1. Автор: Huang Liu,Hong Yu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230411209A1. Автор: Keng-Chu Lin,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240170403A1. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Self-forming barrier for use in air gap formation

Номер патента: US20200402849A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Elbert Huang,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240266212A1. Автор: Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao,Hwei-Jay CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Self-forming barrier for use in air gap formation

Номер патента: US20230335438A1. Автор: Takeshi Nogami,Benjamin D. Briggs,Elbert Huang,Christopher J. Penny. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Air gap formation method

Номер патента: US12087616B2. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su,Chin-Hsiang Lin,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US12096636B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304523A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Circuit structure including at least one air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304522A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Air gap structure and method

Номер патента: US09991200B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices including an air-gap and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859288B2. Автор: Keun-Ho Lee,Young-Kwan Park,Seon-Young Lee,Dae-Sin Kim,Sang-Woo OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Air gaps formed by porous silicon removal

Номер патента: US09755015B1. Автор: Richard A. Phelps,James A. Slinkman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Interconnect structure having air gap and method of forming the same

Номер патента: US09754882B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Air-gap forming techniques for interconnect structures

Номер патента: US09633897B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Bridge interconnect with air gap in package assembly

Номер патента: US09589866B2. Автор: Mathew J. Manusharow,Chia-Pin Chiu,Zhiguo Qian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US09583383B2. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Middle-of-line interconnect structure having air gap and method of fabrication thereof

Номер патента: US12142520B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Semiconductor devices having air gaps

Номер патента: US09577115B2. Автор: Young-woo Park,Chang-Hyun Lee,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Structure with air gap crack stop

Номер патента: US09536842B2. Автор: Naftali E. Lustig,Griselda Bonilla,Andrew H. Simon,Xiao H. Liu,Ronald G. Filippi,Junjing Bao,Samuel S. Choi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Early bit line air gap formation

Номер патента: US09524904B2. Автор: Yuji Takahashi,Takuya Futase,Noritaka Fukuo,Kiyokazu Shishido,Toshiyuki Sega,Hiroto Ohori,Kotaro Jinnouchi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Interconnect having air gaps and polymer wrapped conductive lines

Номер патента: US09496170B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hsiang-Huan Lee,Hsi-Wen Tien,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US09412652B2. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Air gaps structures for damascene metal patterning

Номер патента: US09401305B2. Автор: Yuji Takahashi,Satoshi Kamata,Takuya Futase,Yoko Furihata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-26.

Air gap underneath passive devices

Номер патента: US20210143050A1. Автор: YE Lu,Haitao Cheng,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20230354607A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US11968838B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: WO2022203703A1. Автор: Koichi Matsuno,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for residue-free block pattern transfer onto metal interconnects for air gap formation

Номер патента: US20160172231A1. Автор: Yann Mignot,Brown C. Peethala,Joe Lee. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160005743A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Method for forming a dielectric layer with an air gap, and a structure including the dielectric layer with the air gap

Номер патента: US7994046B2. Автор: Shin-puu Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-08-09.

Air gaps in memory array structures

Номер патента: US20230067455A1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Air gap semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20010007788A1. Автор: Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Yi-Shien Mor. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20160247760A1. Автор: Seung-Jin Yeom,Nam-Yeal Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Selective deposition method to form air gaps

Номер патента: US20230360964A1. Автор: Chiyu Zhu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20240055296A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure having air gap dielectric and method of preparing the same

Номер патента: US20230369101A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20210320117A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for preparing vertical memory structure with air gaps

Номер патента: US11877455B2. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for preparing semiconductor die structure with air gaps

Номер патента: US11764108B2. Автор: Pei-Cheng Fan. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20180204801A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20230290677A1. Автор: Jeffrey Smith,Robert D. Clark,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit device including air gaps and method of manufacturing the same

Номер патента: US11862514B2. Автор: Woojin Lee,Sanghoon Ahn,Kyuhee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220059398A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating a semiconductor device with air gaps

Номер патента: US20210320030A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20140357076A1. Автор: Hyung-Kyun Kim,Jae-Soo Kim,Yong-Soo JOUNG,Dong-Gun HWANG,Kyoung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-04.

Air gap structure integration using a processing system

Номер патента: WO2015094667A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Zhenjiang Cui. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

Structure and Method for a Low-K Dielectric With Pillar-Type Air-Gaps

Номер патента: US20230369228A1. Автор: Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Chih Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor package with air gap

Номер патента: US11830837B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for manufacturing semiconductor package with air gap

Номер патента: US11817306B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Novel air gap integration scheme

Номер патента: US20100151671A1. Автор: Li-Qun Xia,Alexandros T. Demos,Hichem M'Saad,Derek R. Witty,Bok Hoen Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11705364B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20150371891A1. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Vertical memory structure with air gaps and method for preparing the same

Номер патента: US20240057334A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor structure with air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038586A1. Автор: Hsiao-Kang Chang,Kai-Fang CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: WO2023172892A1. Автор: Robert Clark,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device (alternatives) and method for organizing air gaps inside structure (alternatives)

Номер патента: RU2204181C2. Автор: Сью Энн Бидструп АЛЛЕН,Пол Э. КОЛ,Кианг ЧЖАО. Владелец: Джорджиэ Тек Рисеч Копэрейшн. Дата публикации: 2003-05-10.

Method for forming an air gap in a semiconductor metal line manufacturing process

Номер патента: KR100508538B1. Автор: 오상훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-08-17.

Integrated circuit structure with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: CN100372113C. Автор: 李大为,杨名声,卢火铁,王光志. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-02-27.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US20230089578A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor storage device having communicated air gaps between adjacent memory cells

Номер патента: US9543310B2. Автор: Satoshi Nagashima,Takehiro Kondoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming air gaps for advanced interconnect systems

Номер патента: US6037249A. Автор: David B. Fraser,Chien Chiang,Chuanbin Pan,Vicky Ochoa,Sing-Mo H. Tzeng. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor device having air gap structures and method of fabricating thereof

Номер патента: US9496224B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Three dimensional flash memory including air gap

Номер патента: KR20220067031A. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-05-24.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923306B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chia-Wei Su,Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: EP3953964A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Semiconductor structure with air gaps for buried semiconductor gate and method for forming the same

Номер патента: US11812605B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Interconnect structure with air-gaps

Номер патента: US11842962B2. Автор: Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Tien-Lu Lin,Yung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US20160343606A1. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Air gap forming techniques based on anodic alumina for interconnect structures

Номер патента: US20150194383A1. Автор: Chia-Tien Wu,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20210098389A1. Автор: Chih-Tsung WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US11742289B2. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device containing bit lines separated by air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US11984395B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US11985816B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230298933A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162084A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor chip with stacked conductor lines and air gaps

Номер патента: US20200328155A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US11972975B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Hsin-Chieh Yao,Yu-Teng Dai,Wei-Hao Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US11978662B2. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method of preparing air gap, dynamic random access memory and electronic equipment

Номер патента: US20230123510A1. Автор: Lei Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Bonded assembly containing oxidation barriers, hybrid bonding, or air gap, and methods of forming the same

Номер патента: US20210028136A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for preparing semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230386903A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure having air gaps and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923243B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210175116A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11823951B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Air gap formation method

Номер патента: US20230238275A1. Автор: Ching-Yu Chang,Yu-Chung Su,Chin-Hsiang Lin,Chun-Chih Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Techniques providing high-k dielectric metal gate CMOS

Номер патента: US09431404B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Kuan-Chung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Method of forming different voltage devices with high-k metal gate

Номер патента: US09368499B2. Автор: Sung-taeg Kang,Cheong Min Hong,Asanga H. Perera. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-14.

A method of fabricating a cmos device with dual metal gate electrodes

Номер патента: WO2004095572A1. Автор: Byung Jin Cho,Chang Seo Park,Balasubramanian Narayanan. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2004-11-04.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09721962B1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Metal gate transistors

Номер патента: SG161181A1. Автор: Han Jin-Ping,James Lee Yong Meng,Thean Voon-Yew. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Integration of a memory transistor into high-k, metal gate CMOS process flow

Номер патента: US09911747B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

High-k/metal gate stack using capping layer methods, ic and related transistors

Номер патента: US20120184093A1. Автор: Michael P. Chudzik,Naim Moumen,Dae-Gyu Park,Vijay Narayanan,Vamsi K. Paruchuri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor device structure with metal gate stacks

Номер патента: US11830926B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device having air gap

Номер патента: US10319734B2. Автор: Akifumi Gawase,Kei Watanabe,Shinya Arai,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Air gap isolation in non-volatile memory

Номер патента: US09460958B2. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Vinod R Purayath. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

POP structures with dams encircling air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US09659918B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Shien Chen,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu,Dean Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device including spacer structure having air gap

Номер патента: US20240215225A1. Автор: Teawon Kim,Seohee PARK,Yongsuk Tak,MinKyung Kang,Joonnyung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods for forming air gaps in shallow trench isolation trenches for NAND memory

Номер патента: US09779983B2. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory comprising bit line air gaps and word line air gaps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP2583302A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Tuan Pham,Eli Harari,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-04-24.

Semiconductor device comprising a conductive layer having an air gap

Номер патента: US09972639B2. Автор: Ju Hak Song,Seon Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Integrated Technology for Partial Air Gap Low K Deposition

Номер патента: US20130147046A1. Автор: Hung Jui Chang,Chih-Tsung Lee,You-Hua Chou,Shiu-Ko Jang Jian,Ming-Shiou Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory array having air gaps

Номер патента: US20230337441A1. Автор: Enrico Varesi,Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US09824726B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods of forming devices including air gaps, and related devices, and electronic systems

Номер патента: WO2020040834A1. Автор: Kuo-Chen Wang,Mohd Kamran Akhtar,Katsumi Koge,Guangjun Yang,Arzum F. Simsek-Ege. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US11832437B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device having air-gap

Номер патента: US9379002B2. Автор: Dong-wan Kim,Jung-Hoon Han,Ju-Ik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US11877435B2. Автор: Yao-Hsiung Kung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005904A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for modulating work function of semiconductor device having metal gate structure by gas treatment

Номер патента: US09728467B2. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Methods for dual metal gate complementary metal oxide semiconductor integration

Номер патента: WO2007025277A2. Автор: Naim Moumen,Muhammad Mustafa Hussain,Zhibo Zhang,Seung-Chul Song,Byoung Hun Lee,Rino Choi,Husam Alshareef,Joel Barnett. Владелец: SEMATECH, INC.. Дата публикации: 2007-03-01.

Method for integration of dual metal gates and dual high-k dielectrics in cmos devices

Номер патента: US20120094447A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-04-19.

Poly resistor for metal gate integrated circuits

Номер патента: US09508708B2. Автор: Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Sidewall metal spacers for forming metal gates in quantum devices

Номер патента: US20190044048A1. Автор: Ravi Pillarisetty,David J. Michalak,James S. Clarke,Nicole K. Thomas,Hubert C. George,Kanwaljit Singh,Jeanette M. Roberts,Roman CAUDILLO,Zachary R. Yoscovits,Lester Lampert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Raised Source/Drain and Gate Portion with Dielectric Spacer or Air Gap Spacer

Номер патента: US20150087120A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Air gap spacer with wrap-around etch stop layer under gate spacer

Номер патента: US20190280099A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20220069091A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate Air Spacer for Fin-Like Field Effect Transistor

Номер патента: US20230361192A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chien-Ning YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Vertical vacuum channel transistor with minimized air gap between tip and gate

Номер патента: US20190378675A1. Автор: Seyoung Kim,Soon-Cheon Seo,ChoongHyun Lee,Injo OK. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US11862453B2. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Gate stack for metal gate transistor

Номер патента: US20240088235A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Device including air gapping of gate spacers and other dielectrics and process for providing such

Номер патента: US11769814B2. Автор: Patrick Morrow,Ehren Mannebach,Hui Jae Yoo,Tristan TRONIC,Aaron Lilak,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A2. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-14.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: EP1668706A4. Автор: Ying Li,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,Cyril Cabral Jr,Victor Ku,An L Steegen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-05.

Structure and method for metal replacement gate of high performance device

Номер патента: WO2005024906A2. Автор: Ying Li,Yun-Yu Wang,Vijay Narayanan,Kwong Hon Wong,Paul Jamison,An L. Steegen,Victor Ku,Cabral Cyril, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-03-17.

Method for forming replacement air gap

Номер патента: US20190393335A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Air gap formation between gate spacer and epitaxy structure

Номер патента: US20210118749A1. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Kai-Hsuan LEE,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Transistor comprising an air gap positioned adjacent a gate electrode

Номер патента: US20200066899A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Laertis Economikos,Jinping Liu,Shesh Mani Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for tuning metal gate work function before contact formation in fin-shaped field effect transistor manufacturing process

Номер патента: US9576803B2. Автор: Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Yun Tzu Chang,Fang-Yi Liu,Hsiang-Chieh Yen,Nien-Ting Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of forming gate spacer for nanowire fet device

Номер патента: US20190296128A1. Автор: Jeffrey Smith,Anton Devilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Method for forming semiconductor device that includes covering metal gate with multilayer dielectric

Номер патента: US20210327760A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Yu-Shih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Integrated circuit structures having cut metal gates

Номер патента: US20240347539A1. Автор: Tahir Ghani,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Alison V. DAVIS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Drive current enhancement in tri-gate mosfets by introduction of compressive metal gate stress using ion implantation

Номер патента: EP2517230A1. Автор: Ashutosh Ashutosh,Rishabh Mehandru,Cory E. Weber,Jack Hwang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Field effect transistor with electroplated metal gate

Номер патента: US20060081885A1. Автор: Emanuel Cooper,Hariklia Deligianni,Panayotis Andricacos,Caliopi Andricacos,Katherine Saenger,Philippe Vereecken,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Integrated circuit structures having uniform grid metal gate and trench contact plug for tub gates with pyramidal channel structures

Номер патента: US20240312996A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Anand S. Murthy,Dan S. Lavric,Shao Ming Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having additive metal gates

Номер патента: US12113068B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Omair Saadat. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Work function metal gate device

Номер патента: US20240313074A1. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Work function metal gate device

Номер патента: US12021129B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-An Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Metal gate structure and method of formation

Номер патента: US09608086B2. Автор: Mariappan Hariharaputhiran,Jing Wan,Andy Chih-Hung Wei,Dae G. Yang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09583362B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US20130005128A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-01-03.

Metal gate fill by optimizing etch in sacrificial gate profile

Номер патента: US8765537B2. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-07-01.

Multi-step process for patterning a metal gate electrode

Номер патента: US20060115972A1. Автор: Antonio Rotondaro,Trace Hurd,Deborah Riley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device utilizing a metal gate material such as tungsten and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100093144A1. Автор: Tae Kyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Method of fabricating metal gate transistor

Номер патента: US12132095B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Metal gate process for FinFET device improvement

Номер патента: US09837505B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit metal gate structure having tapered profile

Номер патента: US09455344B2. Автор: Ming-Yuan Wu,Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Chiung-Han Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Metal gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220223709A1. Автор: Xiaoyu Liu. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: US20230420531A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with an opposite polarity dipole layer

Номер патента: EP4300564A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Orb Acton,Dax M. CRUM,David J. Towner,Yen Ting Chiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of gate-all-around integrated circuit structures having common metal gates and having gate dielectrics with differentiated dipole layers

Номер патента: US20230290852A1. Автор: Tahir Ghani,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,YenTing Chiu,David J. Towner,David N. GOLDSTEIN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Three-dimensional semiconductor device with air gap

Номер патента: US11825643B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Hun SON,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Self-aligned air gap spacer for nanosheet CMOS devices

Номер патента: US09954058B1. Автор: Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Junli Wang,Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US20240304689A1. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method to form air-gap spacers and air-gap spacer-containing structures

Номер патента: US20180130899A1. Автор: Xunyuan Zhang,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method of fabricating an air-gap spacer of a metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US5972763A. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20180350939A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US10090411B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US20170330965A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device with air-gap spacers

Номер патента: US12002863B2. Автор: Yen-Ming Chen,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Kai-Hsuan LEE,Chen-Ming Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device having air gap between gate electrode and source/drain pattern

Номер патента: US12046632B2. Автор: Seung Hun Lee,Haejun YU,Kyungin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming air gap structure using carbon-containing spacer

Номер патента: US09443956B2. Автор: Huang Liu,Hong Yu,Jin Ping Liu,Biao Zuo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Enhanced stress memorization technique for metal gate transistors

Номер патента: US20150093871A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method for metal gate

Номер патента: US20130023098A1. Автор: Yen-Liang Lu,Hsin-Chih Yu,Yu-Wen Wang,Po-Cheng Huang,Ching-I Li,Yu-Shu Lin,Ya-Jyuan Hung,Kuo-Chih Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Structure of two-dimensional material-based device having air-gap and method for preparing same

Номер патента: US20240105821A1. Автор: Yi Shi,Weisheng Li,Xinran Wang,Hao Qiu,Dongxu Fan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-28.

Radical treatment for metal gate stack

Номер патента: US20240087899A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tianyi Huang,Keyur Karandikar,Elizabeth Mao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Radical treatment for metal gate stack

Номер патента: WO2024054463A1. Автор: Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Yixiong Yang,Yongjing Lin,Zhihui Liu,Yuanhua ZHENG,Tianyi Huang,Keyur Karandikar,Elizabeth Mao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Metal gate double diffusion mosfet with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: WO2000039858A8. Автор: Brian S Mo,Duc Q Chau. Владелец: Duc Q Chau. Дата публикации: 2001-11-01.

Metal gate double diffusion MOSFET with improved switching speed and reduced gate tunnel leakage

Номер патента: US20020084486A1. Автор: Duc Chau,Brian Mo. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semidonductor device having stressed metal gate and methods of manufacturing same

Номер патента: US20120248536A1. Автор: Robert James Pascoe Lander. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US9601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Vertical field effect transistor with subway etch replacement metal gate

Номер патента: US09859421B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo A. Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Manufacturing method of graphene modulated high-K oxide and metal gate MOS device

Номер патента: US09601337B2. Автор: Xi Wang,Gang Wang,Miao Zhang,Xiaohu Zheng,Zengfeng Di. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2017-03-21.

Metal gate of gate-all-around transistor

Номер патента: US09786774B2. Автор: Chi-Wen Liu,Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Mechanism for forming metal gate structure

Номер патента: US09553161B2. Автор: Li-Chieh Wu,Chi-Jen Liu,Liang-Guang Chen,Shich-Chang Suen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

High-k/metal gate mosfet with reduced parasitic capacitance

Номер патента: WO2009002670A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-31.

Metal gate stack with etch stop layer having implanted metal species

Номер патента: US20020132415A1. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-09-19.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A3. Автор: Srikanteswara Dakshina-Murthy,Paul R Besser. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-27.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: EP1371088A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-12-17.

Metal gate stack with etch stop layer improved through implantation of metallic atoms

Номер патента: WO2002075791A2. Автор: Paul R. Besser,Srikanteswara Dakshina-Murthy. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Metal gate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220246762A1. Автор: Yingju Chen,Liyao Liu,Chanyuan Hu,Jhencyuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Air gap architecture for high speed i/o substrate traces

Номер патента: US20240113007A1. Автор: Kristof Darmawikarta,Srinivas PIETAMBARAM,Benjamin DUONG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Package substrate with open air gap structures

Номер патента: US20240113049A1. Автор: Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Dilan Seneviratne,Tarek A. Ibrahim,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Wei-Lun Jen,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US20230291379A1. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and system for forming an air gap structure

Номер патента: WO2009052117A1. Автор: Dorel I. Toma,Junjun Liu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2009-04-23.

Air gap type semiconductor device package structure

Номер патента: US11979136B2. Автор: Mengbin LIU,Yunxiang DI,Situo XU. Владелец: Ningbo Semiconductor International Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for producing high-purity lanthanum, high-purity lanthanum, sputtering target formed from high-purity lanthanum, and metal gate film having high-purity lanthanum as main component

Номер патента: CA2825301C. Автор: Masahiro Takahata,Kazuyuki Satoh,Satoyasu Narita,Takeshi Gohara. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2015-05-12.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US20240337012A1. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Apparatus and method for manufacturing metal gate structures

Номер патента: US12054823B2. Автор: Chen-Yu LEE,Yen-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: WO2003046971A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2003-06-05.

Method for forming an oxynitride spacer for a metal gate electrode using a pecvd process with a silicon-starving atmosphere

Номер патента: EP1449243A1. Автор: Minh Van Ngo,Arvind Halliyal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Method for depositing a metal gate on a high-k dielectric film and improving high-k dielectric film and metal gate interface, and a substrate treating system

Номер патента: US20060194396A1. Автор: Wickramanayaka Sunil,Naoki Yamada,Naomu Kitano,Motomu Kosuda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2006-08-31.

Image sensors with controlled air gaps

Номер патента: US20220013563A1. Автор: Nathan Wayne CHAPMAN,Brian Anthony VAARTSTRA,Amanda Thuy Trang VU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US20240008252A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Pixel array including air gap reflection structures

Номер патента: US20230378214A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Chun-Hao Lin,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Pixel array including air gap reflection structures

Номер патента: US11810936B2. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Feng-Chien Hsieh,ChunHao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Photodetector with reflector with air gap adjacent photodetecting region

Номер патента: US20210351306A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of manufacturing an image sensor having an air gap

Номер патента: US20100203665A1. Автор: Byung-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-12.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20220392943A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20210111212A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US20240178260A1. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Stacked image sensor having an air gap

Номер патента: US20180069037A1. Автор: Yun-Hui YANG,Seon-Man HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for fabricating semiconductor device with air gap

Номер патента: US20230180461A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Stack chip air gap heat insulator

Номер патента: US11942504B2. Автор: Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device having vertical channel and air gap, and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09634024B2. Автор: Kohji Kanamori,Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Jae-Goo Lee,Chung-Jin Kim,Moo-Rym Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Word line with air-gap for non-volatile memories

Номер патента: US20200006433A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory structure of three-dimensional nor memory strings of junctionless ferroelectric memory transistors incorporating air gap isolation structures

Номер патента: US20230262987A1. Автор: Kavita Shah,Eli Harari. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory structure having air gap and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230320084A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Microelectronic devices including stack structures having air gaps, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: US12052862B2. Автор: Byeung Chul Kim,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Air gap in BAW top metal stack for reduced resistive and acoustic loss

Номер патента: US09948272B2. Автор: Paul Stokes,Gernot Fattinger. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive RAM including air gaps between word lines and between vertical bit lines

Номер патента: US09911790B1. Автор: Michiaki Sano,Seiji Shimabukuro,Kan Fujiwara. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for metal gate quality characterization

Номер патента: US20100035369A1. Автор: James Lynn WALLER,Vladimir Y. ZHUKOV. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US8084840B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20070013392A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-18.

Apparatus including air gap in scribe region of semiconductor device

Номер патента: US20240243077A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Various stress free sensor packages using wafer level supporting die and air gap technique

Номер патента: US9574959B2. Автор: Jun Zhai,Tongbi Jiang,Caleb C. Han. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Photodetector structure with air gap and related methods

Номер патента: US20240063315A1. Автор: John J. Ellis-Monaghan,Rajendran Krishnasamy,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Self-aligned air gap formation in microelectronics packages

Номер патента: US20240101413A1. Автор: Brandon C. MARIN,Jeremy D. Ecton,Srinivas Venkata Ramanuja Pietambaram,Oscar Ojeda,Oladeji Fadayomi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Bonded assembly containing oxidation barriers, hybrid bonding, or air gap, and methods of forming the same

Номер патента: US20210028135A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240162174A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Phase-change material (pcm) radio frequency (rf) switching device with air gap

Номер патента: US20230422642A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Kuo-Pin Chang,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with air gap

Номер патента: US20240162177A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized drain

Номер патента: LU101403B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

A solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switiching components at the same time or the solid-state switiching components with a delay

Номер патента: EP4434067A1. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2024-09-25.

Floating mount structure for metal halide lamps

Номер патента: WO2006008707A1. Автор: Junming Tu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.. Дата публикации: 2006-01-26.

Minimising chatter armature electromagnetic valve at closing thereof by inhibition of link in residual air gap

Номер патента: RU2592637C2. Автор: Андреас РЕТТИХ,Маттиас ХОРН,Йенс ЛАЙСТЕР,Флориан ХОФФМАНН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-07-27.

Over voltage protection device with an air-gap

Номер патента: US20090002911A1. Автор: Te-Pang Liu,Sheng-Fu Su,Yi-Lin Wu. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Wire-wound inductor using magnetic cores with three air gaps

Номер патента: US20240249871A1. Автор: Jiu Nan Lin,Chen-Chih Lee,Tzu To CHU,Chih Ho WU. Владелец: ACME ELECTRONICS Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Automatic iron core air gap cutting apparatus

Номер патента: US20030121392A1. Автор: Albert Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-03.

Apparatus and method for uniform air gap in thin film magnetic cores

Номер патента: US20230057305A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of reducing the dependence of the air gap energy on gap length in a magnetic circuit and apparatus using the method

Номер патента: GB2156590A. Автор: Martin Witschi,Paul Straubinger. Владелец: Roell & Korthaus Amsler Prufma. Дата публикации: 1985-10-09.

Solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switching components at the same time or the solid-state switching components with a delay

Номер патента: US11798756B2. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

A solid-state circuit breaker trips an air gap actuator and solid-state switiching components at the same time or the solid-state switiching components with a delay

Номер патента: WO2023141088A1. Автор: Guang Yang. Владелец: Siemens Industry, Inc.. Дата публикации: 2023-07-27.

System and method using rotating air gaps to control magnetic wheel adhesion

Номер патента: US20230356544A1. Автор: Fadl Abdellatif,Ahmed Al Brahim. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2023-11-09.

Interoperable EV wireless charging system based on air gap between primary and secondary coils

Номер патента: US09944190B2. Автор: Allan Lewis. Владелец: Hyundai America Technical Center Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Air gap creation in electronic devices

Номер патента: WO2015183516A1. Автор: Hatem Mohamed AEAD. Владелец: Aead Hatem Mohamed. Дата публикации: 2015-12-03.

Air gap short circuiting device for gas tube arrester

Номер патента: US4150414A. Автор: Peter J. Pagliuca. Владелец: TII Corp. Дата публикации: 1979-04-17.

Lighting control device with air gap switch controlled output

Номер патента: WO2024037925A1. Автор: Philip Dean Winters,Sreenivas Reddy KALATHOOR,Travis James MCAFEE,Seth David DOHENY. Владелец: SIGNIFY HOLDING B.V.. Дата публикации: 2024-02-22.

Inductor with variable air-gap separation

Номер патента: US6583701B2. Автор: Xiaodong Sun,Yanfang Liu. Владелец: Lite On Electronics Inc. Дата публикации: 2003-06-24.

Induction devices with distributed air gaps

Номер патента: US6885273B2. Автор: Li Ming,Rongsheng Liu,PAN Min,Christian Sasse,Gunnar Russberg,Par Holmberg,Mikael Dahlgren,Svante Soderholm. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2005-04-26.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180212424A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20180212423A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method of Generating Novel Air Gap Layouts for Laminated Magnetic Core Miniature Thin Film Inductors and Transformers with a Continuous Function

Номер патента: US20230274879A1. Автор: Osman Ersed Akcasu,John Othniel Mcdonald. Владелец: Atlas Magnetics. Дата публикации: 2023-08-31.

Integrated differential antenna with air gap for propagation of differential-mode radiation

Номер патента: US20210091470A1. Автор: Majid Ahmadloo,Arnold Möbius. Владелец: Veoneer US LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Method and device for transmitting data through the air gap with the use of inductive related circuits excited by an acute-angle pulse

Номер патента: RU2674923C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Дмитрий Борисович Кольцов. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2018-12-13.

Adjusting disc to set residual air gap

Номер патента: RU2521432C2. Автор: ДРЕКСЕЛЬ Мартин,ГРАГЕН Ральф. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2014-06-27.

Air-gap switch

Номер патента: CA2557139A1. Автор: Roger T. Johnsen,James K. Russell,Richard C. Hedderich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-09.

Over voltage protection device with an air-gap

Номер патента: US20090002906A1. Автор: Te-Pang Liu,Sheng-Fu Su,Yi-Lin Wu. Владелец: Inpaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-01.

Device for monitoring the air gap of an electric machine and method for retrofitting

Номер патента: US20190020244A1. Автор: Markus Adam,Achim Frank,Stefan Lahres,Dirk EMMRICH. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2019-01-17.

Method for mounting an electrical coil on a magnetic circuit with an air gap

Номер патента: US5457873A. Автор: Pierre Cattaneo. Владелец: Liaisons Electroniques Mecaniques LEM SA. Дата публикации: 1995-10-17.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: EP1281188A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: Eaton Corp. Дата публикации: 2003-02-05.

Power circuit breaker with air gap between molded insulative casing and grounded barrier insulating operating mechanism

Номер патента: WO2001086769A2. Автор: Norman Davies,Francois J. Marchand,Walter O. Jenkins,Robert J. Rinefierd,Glenn A. Calhoon. Владелец: EATON CORPORATION. Дата публикации: 2001-11-15.

Correction of the passband of an air gap transformer

Номер патента: US20150035592A1. Автор: Michel Guenego. Владелец: Schneider Electric Industries SAS. Дата публикации: 2015-02-05.

Magnetic structures for large air gap

Номер патента: US11756726B2. Автор: Marco Antonio Davila,Ionel Jitaru,Andrei Savu,Andrei Ion Radulescu. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2023-09-12.

Preformed coil to produce a self-supporting air gap winding, in particular oblique winding of a small electrical motor

Номер патента: US09923425B2. Автор: Roland Keller,Armin Nagel,Andreas Holder,Markus Krumbein,Janos Puplics. Владелец: Dr Fritz Faulhaber GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-20.

Wireless power transfer using air gap and metamaterial

Номер патента: US09515492B2. Автор: Koji Shiozaki,Paul Donald SCHMALENBERG,Tsuyoshi Nomura,Jae Seung Lee. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Embedded air gap transmission lines

Номер патента: EP3776720A1. Автор: RICHARD ROY,Pierre-Luc Cantin,Teckgyu Kang,Woon seong Kwon. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2021-02-17.

Overvoltage arrester with air gap

Номер патента: CA2000766C. Автор: Juergen Boy,Gerhard Schwenda,Oskar Sippekamp. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-08-24.

Residual current detector, toroid of magnetic material with magnetoresistive sensor in air gap

Номер патента: NZ295220A. Автор: Simon Powell. Владелец: POWERBREAKER PLC. Дата публикации: 1998-11-25.

Millimeter wave antenna structures with air-gap layer or cavity

Номер патента: EP3033804A1. Автор: Bryce Horine,Helen Kankan Pan,Raanan SOVER,Mohamed A. Megahed,Eran Gerson,Ana Yepes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-06-22.

공극(Air Gap)을 도입한 초전도 한류기 및 철심구조

Номер патента: KR19980014759A. Автор: 고태국,주민석,주백. Владелец: 주백. Дата публикации: 1998-05-25.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US11133670B2. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200059091A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Connector block slotted plate with polytropic air gap

Номер патента: AU3093484A. Автор: Manfred Muller,Dieter Gerke,Wolfgang Radelow,Peter Zytowski. Владелец: Krone GmbH. Дата публикации: 1985-10-31.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US11165248B2. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Electrical connector having leadframe assemblies separated by air gaps

Номер патента: WO2023147450A1. Автор: Jonathan E. Buck,Madhumitha RENGARAJAN,Randall Eugene MUSSER. Владелец: SAMTEC, INC.. Дата публикации: 2023-08-03.

Air gap metal tip electrostatic discharge protection

Номер патента: US20200059090A1. Автор: Yang Liu,ZHENG Xu,Dongbing Shao,Qianwen Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of manufacturing a permanent magnet which is to be arranged in an air gap of a transformer core

Номер патента: US4369567A. Автор: Gerrit Bosch,Arnoldus W. Kok,Harmen Giethoorn. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1983-01-25.

Air gap contactor

Номер патента: WO2009072863A1. Автор: Yean Hong Tan. Владелец: KENSTRONICS (M) Sdn Bhd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for controlling solenoid de-energized air gap

Номер патента: US4938451A. Автор: Richard D. Weaver,Sims B. Demere,Thomas Hensley. Владелец: Siemens Bendix Automotive Electronics LP. Дата публикации: 1990-07-03.

Magnetic Structures for Large Air Gap

Номер патента: US20200243255A1. Автор: Marco Antonio Davila,Ionel Jitaru,Andrei Savu,Andrei Ion Radulescu. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2020-07-30.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Electrical machine and method for cleaning an air gap in an electrical machine

Номер патента: US20240088755A1. Автор: Frederic Pflaum,Anton Dilcher,Philipp Schildt,Pascal Kolem. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2024-03-14.

Inflatable air gap tooling for assembly of rotor and stator

Номер патента: US09647519B2. Автор: Paul F. Turnbull,Alan G. Holmes. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Secure and repeatable deployment to an air-gapped system

Номер патента: US20230379349A1. Автор: Anthony Hamilton,Bryson Earl. Владелец: Applied Research Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

一种改善带Air-gap FPC开路缺口不良的结构

Номер патента: CN110505749. Автор: 隽培军,杨顺桃. Владелец: Junmei Jingwei Circuit Co ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Generator fault detection method based on the characteristics of air gap magnetic flux density

Номер патента: US20240369635A1. Автор: YONG Li,Wen Zhang,Xiaolong Wang,Mingxing Xu,Yifan BAI,Yuling He. Владелец: NORTH CHINA ELECTRIC POWER UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Rotor of permanent magnet motor having air gaps at permanent magnet end portions

Номер патента: US09692264B2. Автор: Koji Yabe,Naohiro Oketani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US12132381B2. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Tool carrier for checking stator-to-rotor air gap in dynamo

Номер патента: RU2122272C1. Автор: Лонгрее Александер. Владелец: Сименс АГ. Дата публикации: 1998-11-20.

Method for rendering virtual desktops on an air-gapped endpoint

Номер патента: US20200279042A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Visual data transmission by an air-gapped system

Номер патента: US20240163429A1. Автор: Frank Kuster,Reinhold Geiselhart,Rene BLATH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Single-phase asynchronous motor with stepped air gap

Номер патента: EP1636893A1. Автор: Jozsef Sisa. Владелец: Kiss Pál. Дата публикации: 2006-03-22.

Semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12058848B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Air gap control systems and methods

Номер патента: US09479038B2. Автор: Matthew B. Jore,James S. Smith,Michael A. Kvam,David Samsel,James David Duford,Brian J. Sullivan,Charles Perry Butterfield. Владелец: Boulder Wind Power Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US11962255B2. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-04-16.

Visual data transmission by an air-gapped system

Номер патента: US12003709B1. Автор: Frank Kuster,Reinhold Geiselhart,Rene BLATH. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Bone conduction device including a balanced electromagnetic actuator having radial and axial air gaps

Номер патента: US09445207B2. Автор: Kristian Åsnes. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Dimmer switch having dimmer actuator operable for actuating an air-gap switch

Номер патента: US09398667B2. Автор: Adam Kevelos,Michael KAMOR,Renjith Mathew,Ronald Jansen. Владелец: LEVITON MANUFACTURING CO INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Wind power generation unit, electric motor, and airflow delivery device for electric motor air gap

Номер патента: US11855511B2. Автор: Shengjun MA. Владелец: Beijing Goldwind Science and Creation Windpower Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Rotating electric machine including rotor arranged with intermediation of air gap

Номер патента: US09882442B2. Автор: Masafumi Sakamoto,Shunsuke Takeguchi,Shigeyoshi Sato,Shun Yasuda. Владелец: Nippon Piston Ring Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Way of the air gap magnetic flux drag reduction among linear electric power generator anchors of the free-piston energy module with the external combustion shaft

Номер патента: RU2618689C1. Автор: Анатолий Александрович Рыбаков. Владелец: Анатолий Александрович Рыбаков. Дата публикации: 2017-05-10.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: WO2023220667A3. Автор: Daniel Neil O'connell,Raymond Henry JODOIN. Владелец: Quanta Associates, L.P.. Дата публикации: 2024-03-14.

Secure data replication to, and recovery of data from, air-gapped data storage pools

Номер патента: US20240007505A1. Автор: Arun Prasad Amarendran,Hetal Kapadia,Laskshmi N Prakash PARVATHAMVENKATAS,Satya Narayan Mohanty. Владелец: Commvault Systems Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of inspecting a generator air-gap

Номер патента: US20150276931A1. Автор: Lijian Wu,Giovanni Airoldi,Xavier Tourde,Paul Kordjian,Adriana Cristina. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2015-10-01.

Air-Gapped Remote Controller System

Номер патента: US20230216855A1. Автор: Roman Potapov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-06.

Modeling method of stator winding air gap for temperature field analysis of AC traction motor

Номер патента: US11196374B2. Автор: Ping Liu,Xiaoping Zhang,Zhu Zhang,Sijian KUANG. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-12-07.

Air-gap type film bulk acoustic resonator

Номер патента: US11996823B2. Автор: Byung Hun Kim,Jong Hyeon Park. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Modeling method of stator winding air gap for temperature field analysis of ac traction motor

Номер патента: US20210013820A1. Автор: Ping Liu,Xiaoping Zhang,Zhu Zhang,Sijian KUANG. Владелец: Hunan University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-01-14.

Executing commands on air-gapped computer systems

Номер патента: US20230252169A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-08-10.

Controlling access to external networks by an air-gapped endpoint

Номер патента: US20200285735A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK,Boris FIGOVSKY. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Techniques for improving seamless user experience on air-gapped endpoints

Номер патента: US20180211036A1. Автор: Tal Zamir,Nir Adler,Oleg ZLOTNIK. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Loudspeaker with ventilation shafts for air gap cooling

Номер патента: WO2008093238A8. Автор: Alex Geltmeyer. Владелец: Alex Geltmeyer. Дата публикации: 2009-07-23.

Installation device for air gap arrester and installation method thereof

Номер патента: US11764554B2. Автор: Bin Wang,Bo Zhang,Chi Yu,Yunpeng GUO,Zhiyi WANG,Wendong JIANG,Kaimei ZHAO,Jianye Cui,Yuqun Fang,Weinan Qin. Владелец: State Grid Jinhua Power Supply Co. Дата публикации: 2023-09-19.

Automated Certificate Management in Air-Gapped Networks

Номер патента: US20240259366A1. Автор: Chandra Mouli Addaguduru,Manoj Kumar Ampalam,Krupesh Satishkumar Dhruva,Narasimha KARUMANCHI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Tape fed miniature air gap inspection crawler

Номер патента: EP1863153A3. Автор: Paul C. Bagley,Kenneth Hatley,Robert M. Roney. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2008-06-04.

A mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: EP2695282A1. Автор: Joseph Prudell,Kenneth Rhinefrank,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2014-02-12.

A mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: NZ617146A. Автор: Joseph Prudell,Kenneth Rhinefrank,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2015-09-25.

Automated certificate management in air-gapped networks

Номер патента: WO2024158557A1. Автор: Chandra Mouli Addaguduru,Manoj Kumar Ampalam,Krupesh Satishkumar Dhruva,Narasimha KARUMANCHI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Dynamoelectric machine with differential protection system including means for air gap monitoring

Номер патента: US3713002A. Автор: E Whitney. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1973-01-23.

一种Air-gap结构的软硬结合板制作方法

Номер патента: CN116709666. Автор: 杨林,杨承杰. Владелец: Sichuan Shangda Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

一种改善FPC板Air-gap结构粘结的方法

Номер патента: CN113286454. Автор: 何淼,彭卫红,张盼盼,宋建远. Владелец: Shenzhen Suntak Multilayer PCB Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-20.

Fabric-based virtual air gap provisioning, system and methods

Номер патента: US12021683B2. Автор: Nicholas James Witchey,Thomas M. Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2024-06-25.

Electric machine with multiple air gaps and a 3D magnetic flux

Номер патента: US09685828B2. Автор: Damien Mariotto. Владелец: Sintertech SAS. Дата публикации: 2017-06-20.

Capacitive coupled resonator device with air-gap separating electrode and piezoelectric layer

Номер патента: US09608594B2. Автор: Phil Nikkel,Dariusz Burak. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Electric machine with intermediate pieces having multiple air gaps and a 3D magnetic flux

Номер патента: US09496757B2. Автор: Damien Mariotto. Владелец: Sintertech SAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Mechanical assembly for maintaining an air gap between a stator and rotor in an electro-mechanical energy converter

Номер патента: US09484779B2. Автор: Joseph Prudell,Alphonse Schacher,Erik HAMMAGREN,Kenneth Edward Rhinefrank. Владелец: COLUMBIA POWER TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Air-gap wound synchronous generator with integrated magnetic suspension

Номер патента: RU2647490C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин,Айбулат Халяфович Минияров,Антон Александрович Меднов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2018-03-16.

Arrangement to compensate a non-uniform air gap of an electric machine

Номер патента: CA2724042C. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-10-30.

Flexible serrated abradable stator mounted air gap baffle for a dynamoelectric machine

Номер патента: US4264834A. Автор: Anthony F. Armor,John R. Morgan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-04-28.

Electret transducer with variable actual air gap

Номер патента: CA1186045A. Автор: James E. West,Ilene J. Busch-Vishniac,Robert L. Wallace, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-04-23.

Access control for air-gapped computer systems

Номер патента: US20230252168A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-08-10.

Access control for air-gapped computer systems

Номер патента: US11960612B2. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-16.

Method of controlling air gaps between anchor and poles in electrical machines during assembly

Номер патента: RU2695096C1. Автор: Вячеслав Михайлович Волков,Сергей Николаевич Должиков,Максим Николаевич Лакеенко,Сергей Васильевич Пахоменко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Опытно-инструментальный завод "Транспорт" (ООО "ОИЗ "Транспорт"). Дата публикации: 2019-07-19.

Arrangement to ensure an air gap in an electric machine

Номер патента: CA2724005C. Автор: Henrik Stiesdal. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Air-gap type film bulk acoustic resonator

Номер патента: US11777467B2. Автор: Byung Hun Kim,A Young MOON,Yong Hun KO. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Electromagnetic transducer with non-axial air gap

Номер патента: US11778385B2. Автор: Tommy BERGS. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: CA3158861A1. Автор: Daniel Neil O'connell. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2023-11-12.

Air gap system and method using out of band signaling

Номер патента: US20210110068A1. Автор: Michael Steven Voss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US11876434B2. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

System for the circulation of gas in airs gaps of rotating machines

Номер патента: US20200340495A1. Автор: Heloisa Helena Da Silva Folhadella,Anderson Moita Witka,Eduardo Wong Cardoso,Lafaete Creomar Lima Junior. Владелец: FMC TECHNOLOGIES DO BRASIL LTDA. Дата публикации: 2020-10-29.

Air gap scavenging system for oil cooled electric motor

Номер патента: US20240106304A1. Автор: Steven VANHEE,Dolf VANDAMME. Владелец: Dana Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Air gap adjusting apparatus for cylindrical linear motor of an elevator

Номер патента: US5512791A. Автор: Kil Hee Cho. Владелец: LG Industrial Systems Co Ltd. Дата публикации: 1996-04-30.

Mechanical means for holding air gaps on bolt-down stators in refrigerant compressors

Номер патента: US4544334A. Автор: Charles B. Ellis. Владелец: Lennox Industries Inc. Дата публикации: 1985-10-01.

Miniature air gap inspection device

Номер патента: CA2264382C. Автор: Kenneth J. Hatley. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-10-09.

Axial air gap motor and clothing processing apparatus having same

Номер патента: US20200067392A1. Автор: Hyounguk NAM,Seungsuk Oh,Dosun Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-02-27.

Bone conduction device including a balanced electromagnetic actuator having radial and axial air gaps

Номер патента: US11917376B2. Автор: Kristian Åsnes. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Double air gap-type surface permanent magnet synchronous motor provided with non-magnetic shielding member

Номер патента: US20230421007A1. Автор: Jin-woo Ahn,Kwang-Il Jeong,Do-Hyun Kang. Владелец: Industry Cooperation Foundation of Kyungsung University. Дата публикации: 2023-12-28.

Electric Motor with Air-Gap Sleeve

Номер патента: US20230163657A1. Автор: David Finck. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Echter sicherer air gap

Номер патента: DE102022116254A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Double air gap-type surface permanent magnet synchronous motor provided with double controllers

Номер патента: US20240006970A1. Автор: Jin-woo Ahn,Kwang-Il Jeong,Do-Hyun Kang. Владелец: Industry Cooperation Foundation of Kyungsung University. Дата публикации: 2024-01-04.

Additively manufactured air gap winding for an electrical machine

Номер патента: US20240186858A1. Автор: Ralf Werner,Johannes Rudolph,Max Erick Busse-Grawitz,Fabian Lorenz. Владелец: MAXON INTERNATIONAL AG. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjustable air gap axial flux motor

Номер патента: US20240178732A1. Автор: Jian Yao,Alan G. Holmes,Chengwu Duan,Denghao Fan,Vincent Fedida. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-05-30.

Motor air gap air injection pump control

Номер патента: US20240235453A1. Автор: Farzad Samie,Chunhao J. Lee,Xiaofeng Yang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Motor with axial air gap

Номер патента: US8729761B2. Автор: Duo-Nian Shan,yuan-jie Zheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-20.

Motor with Axial Air Gap

Номер патента: US20130033143A1. Автор: Duo-Nian Shan,yuan-jie Zheng. Владелец: Sunonwealth Electric Machine Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Air gap-based network isolation device circuit board

Номер патента: EP4396995A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate,Mohamed SAMAK,Josh HOMERSTON. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: EP3977596A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: AU2020282371A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Bhe Turbomachinery LLC. Дата публикации: 2022-02-03.

Protecting confidentiality of air-gapped logs

Номер патента: GB2610448A. Автор: Maass Michael,Li Xiangrong,Abi-Antoun Marwan,Spangler Andrew. Владелец: MOTIONAL AD LLC. Дата публикации: 2023-03-08.

Air gap-based network isolation device circuit board

Номер патента: AU2022336838A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate,Mohamed SAMAK,Josh HOMERSTON. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Axial air gap electric rotary motor

Номер патента: US20240243645A1. Автор: Allen G. Duncan,Robert J. Nicholl,Michael A. Alen. Владелец: Moog Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Miniaturized real time pseudo-cross domain data communication system with air gapped full motion video device and method

Номер патента: US09967234B1. Автор: Bradford James Crane,Kevin Dee Shepherd. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-05-08.

Axial air-gap motor stator and fan having the same

Номер патента: US09917489B2. Автор: Fu-Lung Lin,Shih-Wei Huang,Chu-Yi Kuo. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Double air gap, spoke type vernier machine

Номер патента: US09595858B2. Автор: Thomas A. Lipo,Byungtaek Kim. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-03-14.

Electromagnetic transducer with air gap substitute

Номер патента: US09432782B2. Автор: Johan Gustafsson,Tommy BERGS. Владелец: Cochlear Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Axial air gap brushless alternator

Номер патента: CA1223624A. Автор: Mikhail Godkin,Kevin S. Moran. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1987-06-30.

Air Gap Boom Cover System And Method For Drying An Insulated Boom Section Of An Aerial Lift Device

Номер патента: US20230366621A1. Автор: Raymond Henry JODOIN,Daniel Neil O’Connell. Владелец: Quanta Associates LP. Дата публикации: 2023-11-16.

Air gap boom cover system and method for drying an insulated boom section of an aerial lift device

Номер патента: WO2023220667A2. Автор: Daniel Neil O'connell,Raymond Henry JODOIN. Владелец: Quanta Associates, L.P.. Дата публикации: 2023-11-16.

Brushless d.c. dynamoelectric machine with decreased magnitude of pulsations of air gap flux

Номер патента: CA1271510A. Автор: Eric Whiteley. Владелец: Maghemite Inc. Дата публикации: 1990-07-10.

Axial air gap motor

Номер патента: US4618790A. Автор: Yoshitaka Kakuda,Norimasa Kondoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1986-10-21.

Dual position air gap baffle assembly for a dynamoelectric machine

Номер патента: CA1087669A. Автор: George F. Dailey,Raymond M. Calfo,Gerald R. Alkire,Arthur Mulach. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-10-14.

Permanent magnet coupler with adjustable air gaps

Номер патента: IL147686A. Автор: . Владелец: Magna Force Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Fabric-based virtual air gap provisioning, systems and methods

Номер патента: US20200259709A1. Автор: Nicholas J. Witchey,Thomas Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP, LLC. Дата публикации: 2020-08-13.

Rigid rotor structures for conical air gap electrodynamic machines

Номер патента: WO2017053579A1. Автор: Alan Crapo,Paul Knauer. Владелец: NovaTorque, Inc.. Дата публикации: 2017-03-30.

Loudspeaker with ventilation shafts for air gap cooling

Номер патента: WO2008093238A3. Автор: Alex Geltmeyer. Владелец: Alex Geltmeyer. Дата публикации: 2008-10-16.

Spacer for Stabilizing and Insulating an End Winding

Номер патента: US20140097710A1. Автор: David Panet,Guillaume Mougin,Christophe Dehouck. Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2014-04-10.

Axial-air-gap type semiconductor electric motor

Номер патента: US4072881A. Автор: Itsuki Ban. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-02-07.

Radiotelephone with an air gap provided between the speaker and sound ports

Номер патента: GB2311187A. Автор: Joel Clark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-17.

Device for fixing an air-gap winding of a dynamo-electric machine

Номер патента: US5053663A. Автор: Joachim Boer,Fritz Sommer. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-10-01.

Air gap winding rotating electric machine

Номер патента: US4475052A. Автор: Toshiki Hirao,Kouichi Okamoto,Tatsuei Nomura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1984-10-02.

Electric machine having an air-gap winding

Номер патента: GB1492636A. Автор: . Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1977-11-23.

DC brushless motor having an interior permanent magnet rotor with optimal magnet thickness/air gap relationship

Номер патента: US6034458A. Автор: Akihito Uetake,Yoshihiko Yamagishi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

Improvements in electrical rotating machines of the flat annular air-gap type

Номер патента: GB1207883A. Автор: . Владелец: Photocircuits Corp. Дата публикации: 1970-10-07.

Electric machine having a plurality of closing devices for closing respective intermediate spaces in relation to an air gap, and production method

Номер патента: US20210218308A1. Автор: Robert Goraj,Izabela Kuder. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2021-07-15.

Fabric-Based Virtual Air Gap Provisioning, System And Methods

Номер патента: US20220086041A1. Автор: Nicholas James Witchey,Thomas M. Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabric-Based Virtual Air Gap Provisioning, Systems and Methods

Номер патента: US20150341209A1. Автор: Nicholas J. Witchey,Thomas Wittenschlaeger. Владелец: NANT HOLDINGS IP LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Air gap-based network isolation device

Номер патента: US20230370463A1. Автор: Anthony Hasek,Richard Bate. Владелец: Goldilock Secure Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

一种Air-gap结构的软硬结合板制作方法

Номер патента: CN116709666A. Автор: 杨林,杨承杰. Владелец: Sichuan Shangda Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Air gap baffle train for a zone cooled turbine generator

Номер патента: US11552512B2. Автор: Benjamin Todd Humphries,Robert Gore. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Air gap adjustment apparatus

Номер патента: US11962208B2. Автор: Sang Deok Kim,Seung Ki Kim,Kwang Jin Kim,Chul Jun Park,Kyo Ho LEE,Yoon Zong Kim,Joo Seob Kim,Bit Na Oh. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Air-gap type FBAR

Номер патента: US12003228B2. Автор: Byung Hun Kim,Yong Hun KO. Владелец: Wisol Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Air gap adjustment apparatus

Номер патента: US20220352798A1. Автор: Sang Deok Kim,Seung Ki Kim,Kwang Jin Kim,Chul Jun Park,Kyo Ho LEE,Yoon Zong Kim,Joo Seob Kim,Bit Na Oh. Владелец: Hyosung Heavy Industries Corp. Дата публикации: 2022-11-03.

Air gap baffle train for a zone cooled turbine generator

Номер патента: US20220200369A1. Автор: Benjamin Todd Humphries,Robert Gore. Владелец: Siemens Energy Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Electronic ballast having an air gapped resonant inductor

Номер патента: GB2347029A. Автор: Michael Andrews. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2000-08-23.

Slotless, brushless, large air gap electric motor

Номер патента: US5200661A. Автор: Daniel J. Shramo,Susan M. Benford. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-04-06.

Package for speed sensing device having minimum air gap

Номер патента: US5250925A. Автор: George A. Shinkle. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1993-10-05.

Air-gap winding in an electrical machine

Номер патента: US4321494A. Автор: Robert B. MacNab. Владелец: BBC Brown Boveri AG Switzerland. Дата публикации: 1982-03-23.

Two part laminated stator for an electric machine with an air-gap winding

Номер патента: US4173724A. Автор: Rudolf Von Musil. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-11-06.

Mounting of armature conductors in air-gap armatures

Номер патента: US4281264A. Автор: Donald W. Jones,Thomas A. Keim. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1981-07-28.

Reluctance machine having a non-uniform air gap between a rotor pole and a stator pole

Номер патента: CA2575712C. Автор: Neil N. Norell,Mark E. Baer. Владелец: Shop Vac Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Axial air gap motor

Номер патента: US3745388A. Автор: D Frederick. Владелец: Individual. Дата публикации: 1973-07-10.

Motor generator with improved air gap flux alignment

Номер патента: CA3142426A1. Автор: Henry K. Obermeyer,Tanner GRIDER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-03.

Protecting Enterprise Computing Resources by Implementing an Optical Air Gap System

Номер патента: US20210014229A1. Автор: Jeffrey K. Johnson,George Albero,Michael Beveridge,Elizabeth R. Liuzzo. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Magnetic tunnel junction device with air gap

Номер патента: US11937512B2. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Pouya Hashemi,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Variable air-gap electric motor

Номер патента: WO2024105487A1. Автор: Bruno Vianello,Massimiliano GIACOMETTI,Iacopo SPRESIAN. Владелец: Texa Dynamics s.r.l.. Дата публикации: 2024-05-23.

Electrical machine with an axial air gap for an aircraft

Номер патента: US20230402888A1. Автор: Anton Rudenko. Владелец: Rolls Royce Deutschland Ltd and Co KG. Дата публикации: 2023-12-14.

Axial air-gap electric motors: mounting rotors

Номер патента: GB2032705A. Автор: . Владелец: Portescap SA. Дата публикации: 1980-05-08.

Apparatus and method for auto control of air gap in wireless power transmission system

Номер патента: KR20140116644A. Автор: 박인숙,김용필. Владелец: 박인숙. Дата публикации: 2014-10-06.

Virtual air-gapped endpoint, and methods thereof

Номер патента: US20180213001A1. Автор: Tal Zamir,Oleg ZLOTNIK,Boris FIGOVSKY. Владелец: Hysolate Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Spacer for stabilizing and insulating an end winding

Номер патента: US9444299B2. Автор: David Panet,Guillaume Mougin,Christophe Dehouck. Владелец: Etel SA. Дата публикации: 2016-09-13.

Motor with stator formed from stator motorettes and compression spacers for increased heat transfer efficiency

Номер патента: WO2023027876A1. Автор: Eric Ubelhart. Владелец: Schaeffler Group Usa, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for metal coating of dielectric material of component of electronic microwave technology

Номер патента: RU2654963C1. Автор: Нина Борисовна Гудкова,Ольга Ивановна Хахина,Ирина Валентиновна Белова. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2018-05-23.

Air gap spacer for use in building construction

Номер патента: CA2449772A1. Автор: Clarence Thibeau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-12.

Method and device for control of wear of brake pads and air gap of working brake of vehicles

Номер патента: RU2592753C2. Автор: Томас Виттманн,Штефан ВЕЛЛЬНЕР. Владелец: Ман Трак Унд Бас Аг. Дата публикации: 2016-07-27.

Method for transmitting and receiving data through an air gap by bipolar pulses and a device for realizing said data

Номер патента: RU2723088C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Тимур Аманович Абдыев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2020-06-08.

Air gap membrane distillation assembly and method for controlling such assembly

Номер патента: WO2024200281A1. Автор: Björn Holmström. Владелец: Nss Water Enhancement Technology Ab. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for determining an air gap of a vehicle brake and vehicle brake having a device for determining an air gap

Номер патента: US09964166B2. Автор: Christian Staahl,Thomas KLIEGL. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Load bearing spacer for skylight installations

Номер патента: US09777531B1. Автор: Wayne Conklin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-03.

Air gap catch

Номер патента: US09745210B2. Автор: Jon-Andrew Vincent Sigona. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Air gap adjustment in hydraulic brake system

Номер патента: RU2550651C2. Автор: Маттиас ЛИРМАНН,Кристиан ШТАММЕН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-05-10.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: EP2734294A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-05-28.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: WO2013011486A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: SEKO S.P.A.. Дата публикации: 2013-01-24.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: WO2019083366A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical B.V.. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: CA3084478A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2019-05-02.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US20200282094A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-10.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-05-14.

Explosive tube having air gap and method of blasting bedrock using same

Номер патента: US09829287B2. Автор: Jin Sung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-28.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: US11944712B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-04-02.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US20140169121A1. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2014-06-19.

Mixing apparatus assembly with air gap separation, in particular for backflow prevention

Номер патента: US9375688B2. Автор: Stefano Livoti,Gabriele PETRANGELI. Владелец: Seko SpA. Дата публикации: 2016-06-28.

Air gap device and liquid disinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and disinfecting apparatus

Номер патента: AU2018355821B2. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Air gap device and liquid desinfecting cartridge comprising the air gap device for a medical instrument cleaning and desinfecting apparatus

Номер патента: EP3700586A1. Автор: Ronald Wassenburg,Henny Hermanus Hendrik KNORTH. Владелец: Wassenburg Medical BV. Дата публикации: 2020-09-02.

Faucet that can be equipped with an air gap device

Номер патента: US20220154439A1. Автор: Jui-Ching Chen,Jui-Chien Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-19.

Heat-seal Band System with Heat Tunability Through an Air Gap Arrangement

Номер патента: US20240294287A1. Автор: Michael Parkinson. Владелец: Force Global Ropex America LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Heat-seal band system with heat tunability through an air gap arrangement

Номер патента: EP4424499A1. Автор: Michael Parkinson. Владелец: Force Global Ropex America LLC. Дата публикации: 2024-09-04.

Non-contact electrical machine air gap measurement tool

Номер патента: US09599452B2. Автор: Trent J. Krummel. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-21.

Brake system and method of control with air gap estimation

Номер патента: US09457782B2. Автор: Yixin Yao. Владелец: ArvinMeritor Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-04.

Chemical eductor with integral elongated air gap

Номер патента: WO1997001681A1. Автор: William F. Sand. Владелец: Hydro Systems Company. Дата публикации: 1997-01-16.

Decorative air gap cap cover

Номер патента: US20210047814A1. Автор: Luke J. Williams,Luke M. Williams. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-18.

Air Gap Floor Drain

Номер патента: US20190376270A1. Автор: Bryan VandenHeuvel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-12.

Air gap insulated exhaust pipe with branch pipe stub and method of manufacturing same

Номер патента: US20020014007A1. Автор: Pierre Bonny,Thomas Huelsberg. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2002-02-07.

Air-gap aerodynamically sealing apparatus for a motorized vehicle, and motorized vehicle, in particular a truck, comprising such an apparatus

Номер патента: EP4397579A1. Автор: Muthukumar Venkitachalam,Akarsh Kumar,Johan Torsholm. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Fabrication of air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: US20170351095A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-07.

Air-gap faucet

Номер патента: US09765505B2. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Air-gap faucet

Номер патента: US09359749B1. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Device for creation of air gaps and elimination of re-drilling in blasting wells

Номер патента: RU2732373C1. Автор: Андрей Викторович Белов,Павел Викторович Белов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кузбасспецзатвор" (ООО "Кузбасспецзатвор"). Дата публикации: 2020-09-16.

Air-gap aerodynamically sealing apparatus for a motorized vehicle, and motorized vehicle, in particular a truck, comprising such an apparatus

Номер патента: US20240217595A1. Автор: Muthukumar Venkitachalam,Akarsh Kumar,Johan Torsholm. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Fabricating air gap regions in multicomponent lens systems

Номер патента: WO2017213694A1. Автор: Omar Negrete. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

Air-gap faucet

Номер патента: US09499961B1. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of transmitting and receiving data through an air gap with short pulses and a device for its implementation

Номер патента: RU2710301C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Сергеевна Кузнецова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2019-12-25.

Air gap controlling system for linear motor

Номер патента: CA2047977C. Автор: Noboru Kobayashi,Hiromu Miki. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 1994-07-26.

Secure data collection from an air-gapped network

Номер патента: US11954211B2. Автор: Sreenevas Subramaniam,Cody Wolf,Séverin Launiau,Luke Andrew Kasper,Evan Orgel,Ryan Craig Zulli. Владелец: ServiceNow Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Air Gap Detectors in Heating System for Draped Basin

Номер патента: US20210236223A1. Автор: Kevin Joseph Rackers,Thomas J. Wanbaugh,Paul Grozier. Владелец: Weg Surgical Solutions LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Remote command execution over an air-gap secured system

Номер патента: US20230237199A1. Автор: Amihai Savir,Jehuda Shemer,Stav Sapir,Naor Radami. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-07-27.

Capping head with torque adjustment using magnets separated by an adjustable air gap

Номер патента: EP1094983B1. Автор: Karl Heinz Spether. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2003-01-22.

Method for achieving final air gap and parallelism of a fuel injector control valve

Номер патента: WO2018141696A1. Автор: Simon Backhouse. Владелец: Delphi France Sas. Дата публикации: 2018-08-09.

Process for the preparation of polymer fibers from polymers dissolved in ionic liquids by means of an air gap spinning process

Номер патента: US20230228002A1. Автор: Frank Hermanutz,Falko ABELS,Tomasz Cwik,Ronald BEYER. Владелец: Technikum Laubholz GmbH TLH. Дата публикации: 2023-07-20.

Capping head with torque adjustment using magnets separated by an adjustable air gap

Номер патента: EP1094983A1. Автор: Karl Heinz Spether. Владелец: Alcoa Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Secure data collection from an air-gapped network

Номер патента: US20240256683A1. Автор: Sreenevas Subramaniam,Cody Wolf,Séverin Launiau,Luke Andrew Kasper,Evan Orgel,Ryan Craig Zulli. Владелец: ServiceNow Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Air gap mounting sink for a backflow prevention device

Номер патента: US20030188779A1. Автор: Craig DeGarmo. Владелец: DeGarmo Plumbing Inc. Дата публикации: 2003-10-09.

Air gap mounting sink for a backflow prevention device

Номер патента: US20050098212A1. Автор: Craig DeGarmo. Владелец: DeGarmo Plumbing Inc. Дата публикации: 2005-05-12.

Air-Gapped Cryptographic Communication System

Номер патента: US20240184902A1. Автор: Cansu Deniz Yetkin,Oguz Yetkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Wastewater oxidation with hydrogen peroxide injected in the air-gap of a vessel

Номер патента: EP4433429A1. Автор: Wu Chen,LIN Zhao,Jen-Hsiang KAO,Michael E. UHL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Air gap-insulated exhaust manifold

Номер патента: US09587549B2. Автор: Andreas Wagner,Georg Wirth,Kresimir Jambrosic,Ralf Mohr,Jürgen Häberle. Владелец: Eberspaecher Exhaust Technology GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-03-07.

Igniter curcuit with an air gap

Номер патента: WO2004028207A2. Автор: Thomas L. Cowan. Владелец: Cowan Thomas L. Дата публикации: 2004-04-01.

Evaporative-cooling and absorption-heating in air gaps insulation powered by humidity fluctuations

Номер патента: US20230280051A1. Автор: Dror ZCHORI. Владелец: Termotera Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Evaporative-cooling and absorption-heating in air gaps insulation powered by humidity fluctuations

Номер патента: AU2021320602A1. Автор: Dror ZCHORI. Владелец: TERMOTERA LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Laser gauge with full air gap measurement range

Номер патента: US10240911B2. Автор: Derrick Baker. Владелец: Advanced Gauging Technologies LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Air gap barrier

Номер патента: EP2547834A1. Автор: Jørgen Young,Øystein ØVRETVEIT. Владелец: Isola As. Дата публикации: 2013-01-23.

Method of measuring changes in impedance of a variable impedance load by disposing an impedance connected coil within the air gap of a magnetic core

Номер патента: US5132617A. Автор: Michael A. Leach,Brian J. Machesney,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Improved air gap eductor

Номер патента: AU5373798A. Автор: William F Sand. Владелец: Hydro Systems Co. Дата публикации: 1998-09-09.

Accessory faucet for purified water in a dishwasher air gap system

Номер патента: US5875809A. Автор: Robert David Barrom. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-03-02.

Magnetic bearing compressor, air conditioner, and protective air gap value setting method

Номер патента: US20220074638A1. Автор: Bin Yang,Fengshuang Wang. Владелец: Hefei Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetic bearing compressor, air conditioner, and protective air gap value setting method

Номер патента: US11965685B2. Автор: Bin Yang,Fengshuang Wang. Владелец: Gd Midea Heating & Ventilating Equipment Co Ltd Foshan Cn. Дата публикации: 2024-04-23.

Improved air gap eductor

Номер патента: WO1998037280A1. Автор: William F. Sand. Владелец: Hydro Systems Company. Дата публикации: 1998-08-27.

Hollow core fiber air-gap connector

Номер патента: US20240151904A1. Автор: Richard J. Pimpinella,Jose M. Castro,Bulent Kose,Yu Yuang. Владелец: Panduit Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Hollow core fiber air-gap connector

Номер патента: WO2024102291A1. Автор: YU HUANG,Richard J. Pimpinella,Jose M. Castro,Bulent Kose. Владелец: PANDUIT CORP.. Дата публикации: 2024-05-16.

Air-gap faucet

Номер патента: CA2932410C. Автор: Hai Le,Kirk Mellits,Jeff Peltier,Steve Ferreira. Владелец: SYMMONS INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Illuminating member for reducing ugr comprising air gap and the manufacturing method of the same

Номер патента: WO2012050281A1. Автор: Dong Hyun Lee,Dong Mug Seong,Jun Phill Eom,Beom Sun Hong. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-04-19.

Air gap drain module for use in a reverse osmosis system

Номер патента: US4454891A. Автор: Richard J. Smith,Richard C. Dreibelbis. Владелец: EMERSON ELECTRIC CO. Дата публикации: 1984-06-19.

Air gap faucet

Номер патента: US4856121A. Автор: Paul L. Traylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 1989-08-15.

Horizontal-mount bracket system for automatically setting an air gap

Номер патента: US6139211A. Автор: Thaddeus Schroeder,Robin Stevenson. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Magnetic position sensor with hall probe formed in an air gap of a stator

Номер патента: US5789917A. Автор: Claude Oudet,Daniel Prudham. Владелец: Moving Magnet Technologie SA. Дата публикации: 1998-08-04.

System using an air gap for workpiece protection in a fastener machine

Номер патента: US10065235B2. Автор: Reese R. Allen,Peter B. Zieve,Cosmos G. Krejci. Владелец: ELECTROIMPACT Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Multi-stage air gap membrane distillation system and process

Номер патента: US20240058759A1. Автор: Turki Nabieh BAROUD,Hasan Al Abdulgader,Dahiru Umar Lawal. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2024-02-22.

Air gap servo for optical recording

Номер патента: EP1961003A2. Автор: Juil Lee. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-08-27.

Fixed attenuation air gap interface for a multimode optical fiber interconnection

Номер патента: US20110317961A1. Автор: Mark Marino. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Air gap insulated exhaust pipe with branch pipe stub and method of manufacturing same

Номер патента: US20020011002A1. Автор: Pierre Bonny,Thomas Huelsberg. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 2002-01-31.

Home appliance having an air gap insulator

Номер патента: CA2910890C. Автор: Ben Braden,Timothy Russell,Michael Rutherford,Richard Moyers. Владелец: BSH Home Appliances Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Lockable air gap deep cells in a tape library

Номер патента: GB2625966A. Автор: Jesionowski Leonard,Nave Shawn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Lens module including two lens elements separated by an air gap

Номер патента: EP4399564A1. Автор: Ran He,Graham B Myhre,Zachary A Granger,Francois R Jacob. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Pan with integrated air gap

Номер патента: US20210002027A1. Автор: Theresa Mayer,Kristin Blada,Maximilian James Casler. Владелец: Vollrath Co LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Piston with insulating air gap formed by additive manufacturing

Номер патента: EP4372222A2. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Piston with insulating air gap formed by additive manufacturing

Номер патента: EP4372222A3. Автор: Lyle E. Kocher,Jordan E. Kelleher,Brett A. Boas,Dwight. A. DOIG. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Lens Module Including Two Lens Elements Separated by an Air Gap

Номер патента: US20240264425A1. Автор: Ran He,Francois R. Jacob,Graham B. Myhre,Zachary A. Granger. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Air gap paper analytical device and fabrication

Номер патента: US20240085441A1. Автор: Marya Lieberman,Rachel Marie ROLLER. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2024-03-14.

Fuel system having fuel injector boot assembly with air gap standoff protrusions

Номер патента: US20240295206A1. Автор: Kenth I. Svensson. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of detecting air gap in gypsum-based building board and method of manufacturing gypsum-based building board

Номер патента: US09851318B2. Автор: Yasutoshi UENO,Shinji Yonezawa. Владелец: Yoshino Gypsum Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Metering module featuring air gap insulation

Номер патента: US09435243B2. Автор: Stephan Pohl,Martin Kiontke,Achim Knittel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-09-06.

Air gap prism and method for producing same

Номер патента: US5900984A. Автор: Masahiro Nishio,Mutsuhiro Yamanaka. Владелец: Minolta Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Device and method for detecting slot wedge, air gap and broken rotor bar in magnetic circuit of electric machinery

Номер патента: US11933850B2. Автор: Ming Xu,Chao Wang,Weixing Yang,Jie Luo,Han GAO,Junliang LIU,Liwei QIU,Boyan ZHAO,Qianyi Zhang,Jiamin LI,Yuewu ZHANG,Gang Du,Yanxing Bao,Zuting Cao. Владелец: Hangzhou Henuova Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Wastewater oxidation with hydrogen peroxide injected in the air-gap of a vessel

Номер патента: CA3237668A1. Автор: Wu Chen,LIN Zhao,Jen-Hsiang KAO,Michael E. UHL. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Air gap adjuster for electric clutches

Номер патента: CA1138356A. Автор: Thomas C. Sekella. Владелец: Purolator Products Co LLC. Дата публикации: 1982-12-28.

Aircraft wing, method for operating an aircraft wing, and use of a pivotable trailing edge on a main wing of an aircraft, for adjusting the shape and the width of an air gap

Номер патента: CA2522553C. Автор: Daniel Reckzeh,Adrian R. Dyke. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2010-09-21.

Magnetostrictive torque sensor air gap compensator

Номер патента: US5495774A. Автор: Robert D. Klauber,Erik B. Vigmostad,Frederick P. Sprague. Владелец: Sensortech Lp. Дата публикации: 1996-03-05.

Flux/current air gap estimation method for active magnetic bearings

Номер патента: US5300842A. Автор: James P. Lyons,Mark A. Preston. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1994-04-05.

Digital tachometer with air gap adjusting yoke insertable through holes in the tachometer housing

Номер патента: US4890059A. Автор: Herwig Guentner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-12-26.

Thermoelectric air gap membrane distillation system and process

Номер патента: US20240091710A1. Автор: Dahiru Umar Lawal,Isam Hasan Aljundi,Wail Sulaiman FALLATAH,Mohamed Abdelkarim Antar. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2024-03-21.

Device and method for detecting slot wedge, air gap and broken rotor bar in magnetic circuit of electric machinery

Номер патента: US20240044982A1. Автор: Ming Xu,Chao Wang,Weixing Yang,Jie Luo,Han GAO,Junliang LIU,Liwei QIU,Boyan ZHAO,Qianyi Zhang,Jiamin LI,Yuewu ZHANG,Gang Du,Yanxing Bao,Zuting Cao. Владелец: Hangzhou Henuova Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for achieving final air gap and parallelism of a fuel injector control valve

Номер патента: EP3577336A1. Автор: Simon Backhouse. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2019-12-11.

Air gap eductor and method of making same

Номер патента: EP3964042A1. Автор: Mark Dalhart. Владелец: Capital Formation Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Aerosol Generation Device with Cover and Insulating Air Gap

Номер патента: US20230380495A1. Автор: Jon MASON,Layth Sliman BOUCHUIGUIR. Владелец: JT INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Plastic profile for sealing air gaps between body parts of motor vehicles

Номер патента: US20020022158A1. Автор: Klaus-Wilhelm Voss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-21.

Spectrometers having a variable focus lens with a single air gap

Номер патента: US10823934B2. Автор: Kirk David Urmey,Eric Todd Marple,John Meckert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-03.

Spacer for insulated windows having a lengthened thermal path

Номер патента: US6131364A. Автор: Wallace H. Peterson. Владелец: Alumet Manufacturing Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Spacer for insulated windows having a lengthened thermal path

Номер патента: CA2297691C. Автор: Wallace H. Peterson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-09.

Meltblowing die having presettable air-gap and set-back

Номер патента: CA2130107C. Автор: Peter G. Buehning. Владелец: Accurate Products Co. Дата публикации: 2003-09-30.

Detecting air gaps in liquid product lines

Номер патента: GB8500352D0. Автор: . Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1985-02-13.

Method of transmitting and receiving data through an air gap based on inductively coupled circuits excited by rectangular pulses of different polarity, and a device for realizing said

Номер патента: RU2719557C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Дарья Игоревна Матюшова. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина". Дата публикации: 2020-04-21.

Fluid metering system with quick disconnect and air gap inductor

Номер патента: US5992690A. Автор: James M. Tracy. Владелец: Minuteman International Inc. Дата публикации: 1999-11-30.

Optical compensation of cover glass-air gap-display stack for high ambient lighting

Номер патента: CA2565518C. Автор: Steven E. Havelka,Ragini Saxena,Thomas Loo,Ban S. Bong,Albert V. Scappaticci. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Smart bra for optical scanning of breast tissue to detect abnormal tissue with selectively-expandable components to reduce air gaps

Номер патента: US11950881B2. Автор: Robert A. Connor. Владелец: Holovsions LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Data switch for information systems separated by an air gap

Номер патента: WO2011160605A3. Автор: Martin KÁKONA,Milan Horkel,Pavel Hronek. Владелец: S.Icz A.S.. Дата публикации: 2012-09-27.

Lockable air gap deep cells in a tape library

Номер патента: US11798591B2. Автор: Leonard G. Jesionowski,Shawn M. Nave. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Cylinder liner assembly having air gap insulation

Номер патента: WO2016054173A1. Автор: Michael James Pollard,Bradley L. Morgan,James A. Subatch, Jr.. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

Air-gap encapsulation of nanostructured optical devices

Номер патента: WO2022010644A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO,Kenichi Ohno,Russell Chin Yee Teo,Sage Toko Garrett DOSHAY. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device having photonic and electronic dies and an optical fiber assembly creating an air gap

Номер патента: US20220365286A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Min-Hsiang Hsu,Chung-Ming Weng,Che-Hsiang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for two-stage closure of a roller extrusion facility for precise adjustment of the air gap for generating a profiled element

Номер патента: US20240083085A1. Автор: Miguel Torres-Castellano. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2024-03-14.

Air-gap encapsulation of nanostructured optical devices

Номер патента: EP4179381A1. Автор: Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO,Kenichi Ohno,Russell Chin Yee Teo,Sage Toko Garrett DOSHAY. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Data switch for information systems separated by an air gap

Номер патента: WO2011160605A2. Автор: Martin KÁKONA,Milan Horkel,Pavel Hronek. Владелец: S.Icz A.S.. Дата публикации: 2011-12-29.

Lockable air gap deep cells in a tape library

Номер патента: WO2023047199A1. Автор: Shawn Nave,Leonard Jesionowski. Владелец: Ibm Israel Science And Technology Ltd.. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for selecting driving voltage and air gap of electronic paper

Номер патента: KR101402917B1. Автор: 김형태,김종석,김승택,정훈. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2014-06-02.

Method for forming an air gap pipe

Номер патента: US4656713A. Автор: Jon W. Harwood,Bruno A. Rosa,Walter G. Moring, III,Peter L. Resuggan. Владелец: AP IND Inc. Дата публикации: 1987-04-14.

Piston with insulating air gap formed by additive manufacturing

Номер патента: US11149681B2. Автор: Lyle E. Kocher,Jordan E. Kelleher,Dwight A. Doig,Brett A. Boas. Владелец: Cummins Inc. Дата публикации: 2021-10-19.

Washer and bracket combination for automatically setting an air gap

Номер патента: US5951191A. Автор: Thaddeus Schroeder,Robin Stevenson. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1999-09-14.

Method and apparatus for forming an air gap pipe

Номер патента: CA1252990A. Автор: Jon W. Harwood,Bruno A. Rosa,Walter G. Moring, III,Peter L. Resuggan. Владелец: AP INDUSTRIES Inc. Дата публикации: 1989-04-25.

System for insulating and dry cladding with limited thickness of the perimeter, with ventilated air gap, of a building wall

Номер патента: EP4253687A1. Автор: Giuseppe Marinelli. Владелец: Ev Services Srl. Дата публикации: 2023-10-04.

Channel Covers with Air Gaps and Interchangeable Light Modifiers

Номер патента: US20210310620A1. Автор: Matthew John. Владелец: Elemental LED Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Magnetic resonance system with transmission of a digitized magnetic resonance signal across an air gap

Номер патента: US20100072997A1. Автор: Wolfgang Renz,Hubertus Fischer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-25.

Liquid crystal display device with gap spacer and push spacer and method of fabricating the same

Номер патента: US09766514B2. Автор: Hyongjong Choi,Youngjik Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Metal gate MOSFET terahertz detector based on periodically rasterized gate

Номер патента: LU101402B1. Автор: Shaohua Zhou,Jianguo Ma,Jiangtao Xu. Владелец: Univ Tianjin. Дата публикации: 2020-01-20.

Sulfatation method for metal recovery from sulfide ores

Номер патента: RU2252271C2. Автор: Соломон ФЛАКС. Владелец: ЙОМА КЕМИКАЛ ЭйЭс. Дата публикации: 2005-05-20.

Method of process control or process regulation at installation for metal plastic working, cooling and/or thermal treatment

Номер патента: RU2336339C2. Автор: Уве ПЛОЦИННИК,Карл-Эрнст ХЕНСГЕР,Кристиан ПЛОЦИННИК. Владелец: Смс Демаг Акциенгезелльшафт. Дата публикации: 2008-10-20.

Cathodic protection system for metal rolling

Номер патента: RU2754539C1. Автор: Александр Гарольдович Редекоп. Владелец: Акционерное общество "Промышленное предприятие материально-технического снабжения "Пермснабсбыт". Дата публикации: 2021-09-03.

Method for metal coating a continuous metal product and apparatus therefor

Номер патента: EP2454392A1. Автор: Andrea Guadagnini,Edoardo Guadagnini. Владелец: Siderprogetti Sa Llc. Дата публикации: 2012-05-23.

Complexing agents for metals as corrosion inhibitors

Номер патента: RU2627832C2. Автор: Эрик Л. МОРРИС. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2017-08-11.

Device for metal strips direction with help of wearing elements in finishing group of stands

Номер патента: RU2728360C1. Автор: Фридрих МОЗЕР,Клаус ФРАУЭНХУБЕР,Юрген ШИФЕР,Вальтер ГРАБНЕР. Владелец: ПРАЙМЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ АУСТРИА ГМБХ. Дата публикации: 2020-07-29.

Device for metal working in the ladle

Номер патента: RU2653957C1. Автор: Борис Александрович Сивак,Анатолий Всеволодович Протасов,Игорь Михайлович Бершицкий,Александр Маркович Якиманский. Владелец: Акционерное общество Акционерная холдинговая Компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (АО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2018-05-15.

Equipment for continuous or semi-continuous casting of metal using improved means for metal pouring

Номер патента: RU2710240C2. Автор: Арилд ХАКОНСЕН,Геир Атле РЁЕН,Йон Эрик ХАФСАС,Даниель Андерс СЙОЛСЕТ,Руне ЛЕДАЛ,Улф Хакон ТУНДАЛ. Владелец: Норск Хюдро Аса. Дата публикации: 2019-12-25.

Device and method for metal rolling

Номер патента: RU2693246C2. Автор: Мин ЛИ,Реймонд Дж. КИЛМЕР,Нэвилл К. УИТТЛ,Дхарма МАДДАЛА,Патрисия СТЮАРТ,Свон КЛАРК,Томас КЕЙСУН,Джули ВАЙС. Владелец: Арконик Инк.. Дата публикации: 2019-07-01.

Shaft-reflecting furnace for metal remelting

Номер патента: RU2727374C1. Автор: Владимир Александрович Трусов. Владелец: Владимир Александрович Трусов. Дата публикации: 2020-07-21.

Method and device for metal band drawing

Номер патента: RU2391170C2. Автор: Андреас НОЕ. Владелец: Бвг Бергверк-Унд Вальцверк-Машиненбау Гмбх. Дата публикации: 2010-06-10.

Method of production of tight heat-resistant butts in vessel for metal and vessel with such butts

Номер патента: RU2542038C2. Автор: Роберт Брюс ВАГСТАФФ,Эрик У. РИВЗ,Джеймс Е. БОРМАН,Рэнди ВОМЭК. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2015-02-20.

Method and device for continuous processing, preferably for metal tape cleaning

Номер патента: RU2324768C2. Автор: Йозеф ШПАЙДЛЬ. Владелец: Фоест-Альпине Индустрианлагенбау Гмбх Унд Ко. Дата публикации: 2008-05-20.

Method and apparatus for metals carburizing

Номер патента: RU2070587C1. Автор: Владимир Петрович Волков,Георгий Константинович Целищев,Анатолий Иванович Нешков,Владимир Иванович Шестаков. Владелец: Владимир Иванович Шестаков. Дата публикации: 1996-12-20.

Device for metal melting with electron bunch and procedure implementing this device for fabrication of ingot out of metal with high temperature of melting

Номер патента: RU2401872C2. Автор: Норио ЯМАМОТО,Такеси СИРАКИ,Есихиро ХАТТА. Владелец: Тохо Титаниум Ко., Лтд.. Дата публикации: 2010-10-20.

Device for inspecting air gap

Номер патента: RU2318184C1. Автор: Игорь Иосифович Радчик,Олег Борисович Скворцов,Вячеслав Михайлович Тараканов,В чеслав Михайлович Тараканов,Евгений Степанович Трунин,Сергей Алексеевич Королев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Диамех 2000". Дата публикации: 2008-02-27.

Method for forming of air gaps from foam polystyrene

Номер патента: RU2314487C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Method for formation of air gaps by elements of foam polystyrene

Номер патента: RU2319922C2. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Надежда Кимовна Лукашевич,Денис Витальевич Сергейцов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-03-20.

Method for forming of charges with air gaps

Номер патента: RU2314488C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский,Петр Петрович Сас. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-01-10.

Method for measuring air gap in electric machines

Номер патента: RU2287167C2. Автор: Владимир Михайлович Лузин,Александр Васильевич Сазонов,Сергей Георгиевич Шантаренко,Владимир Михайлович Лузин (RU),Александр Васильевич Сазонов (RU),Сергей Георгиевич Шантаренко (RU). Владелец: Омский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2006-11-10.

Method of formation of bipolar signals for data transmission through air gap and device for its implementation

Номер патента: RU2566949C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Александровна Зилотова,Анастасия Викторовна Николаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-10-27.

Laser device to measure air gap of electric machine

Номер патента: RU2469264C1. Автор: Владимир Генриевич Меледин,Игорь Владимирович Наумов,Дмитрий Викторович Куликов,Станислав Владиславович Кротов,Виталий Владиславович Рахманов,Сергей Владимирович Двойнишников,Григорий Владимирович Бакакин,Иван Константинович Кабардин,Юрий Александрович Аникин,Антон Сергеевич Чубов,Владимир Антонович Павлов,Владимир Геннадиевич Главный,Константин Валерьевич Шпольвинд. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт оптико-электронных информационных технологий" (ОАО "ИОИТ"). Дата публикации: 2012-12-10.

一种半岛式结构的Air gap多层挠性板加工方法

Номер патента: CN118804509A. Автор: 周勇胜,涂华文,肖谋炎,吴源晓. Владелец: DONGGUAN HONGYUEN ELECTRONICS Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-18.

Method for forming of air gaps in hole with expanded charging cavity and device for its realization

Номер патента: RU2317517C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2008-02-20.

Device for generating pulsed beams of high-speed electrons in air gap at atmospheric pressure

Номер патента: RU2376731C1. Автор: Владимир Иванович Соломонов,Дмитрий Сергеевич Мастюгин. Владелец: Институт электрофизики Уральского отделения РАН. Дата публикации: 2009-12-20.

วิธีการสำหรับการผลิตแกนสเตเตอร์สำหรับมอเตอร์อิเล็คโทรนิคแบบช่องว่างอากาศ (Air-Gap) ตามแกน

Номер патента: TH107967A. Автор: โคจิมา โตโมโนริ,อิการาชิ ฮิซาโอ,คูริตะ ฮิโตชิ,โตสุ โนริโอะ. Владелец: นายเภา มรรคเจริญวุฒิ. Дата публикации: 2011-05-20.

Method for measuring air gap characteristics in electrical machines

Номер патента: RU2192701C2. Автор: В.А. Ковалев,А.К. Кузнецов,В.М. Лузин,А.В. Сазонов,С.Г. Шантаренко. Владелец: Омский государственный университет путей сообщения. Дата публикации: 2002-11-10.

Suspended facade system with air gap and bracket of suspended facade system

Номер патента: RU2495211C1. Автор: Алексей Владимирович Ильин. Владелец: Цыкановский Евгений Юльевич. Дата публикации: 2013-10-10.

วิธีการสำหรับการผลิตแกนสเตเตอร์สำหรับมอเตอร์อิเล็คโทรนิคแบบช่องว่างอากาศ (Air-Gap) ตามแกน

Номер патента: TH107967B. Автор: โนริโอะโตสุ ฮิโตชิคูริตะ ฮิซาโออิการาชิ โตโมโนริโคจิมา โตโมโนริ โคจิมา. Владелец: ฟูจิทสุ เจเนอรัล ลิมิเต็ด ฟูจิทสุ เจเนอรัล ลิมิเต็ด (บริษัทจำกัดจดทะเบียนภายใต้กฏหมายของประเทศญี่ปุ่น). Дата публикации: 2011-05-20.

Method and apparatus for generating an air gap flux signal for an ac machine from ac line voltage and current values

Номер патента: CA1137550A. Автор: Allan B. Plunkett. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-12-14.

Device for measuring the induction in the air gap of a magnetic bearing

Номер патента: CA1256499A. Автор: Helmut Habermann. Владелец: Societe Europeenne de Propulsion SEP SA. Дата публикации: 1989-06-27.

Method of transmitting data through air gap and device therefor

Номер патента: RU2565527C1. Автор: Виктор Владимирович Карасев,Мария Александровна Зилотова,Анастасия Викторовна Николаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-10-20.

Test Structure for Controlling the Incorporation of Semiconductor Alloys in Transistors Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures

Номер патента: US20120001174A1. Автор: Kronholz Stephan,Wiatr Maciej,Giedigkeit Rainer. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Replacement Gate Approach for High-K Metal Gate Stacks Based on a Non-Conformal Interlayer Dielectric

Номер патента: US20120001263A1. Автор: Richter Ralf,Frohberg Kai. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Composition of gas mixture to form tantalum nitride metal gate by plasma etch chemistry

Номер патента: RU2450385C1. Автор: Геннадий Яковлевич Красников,Олег Павлович Гущин,Андрей Владимирович Данила,Михаил Родионович Бакланов,Денис Георгиевич Шамирян. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2012-05-10.

AUTOMATIC HEAT TREATMENT METHOD FOR METAL RING

Номер патента: US20120000265A1. Автор: Watabe Yoshiharu,Saruyama Masaomi,Tsuyuzaki Hiroyuki. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus for metal coating mobile structural elements

Номер патента: RU2462005C1. Автор: Юрий Николаевич Майоров,Сергей Петрович Кочетов,Максим Евгеньевич Сивов,Марина Александровна Байкина. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Государственный научно-производственный ракетно-космический центр "ЦСКБ-Прогресс" (ФГУП "ГНПРКЦ "ЦСКБ-Прогресс"). Дата публикации: 2012-09-20.

Evaporator for metals

Номер патента: RU2347849C2. Автор: Михаил Борисович Ландау,Михаил Владимирович Вахрушев. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Высокодисперсные металлические порошки". Дата публикации: 2009-02-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.