Halbleitervorrichtung mit Finnenabschnitten zwischen sich in einen Halbleiterteil erstreckenden Gatestrukturen
Номер патента: DE102016105699B4
Опубликовано: 12-12-2019
Автор(ы): Anton Mauder, Martin Vielemeyer, Till Schlosser
Принадлежит: INFINEON TECHNOLOGIES AG
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Halbleitervorrichtung mit Finnenabschnitten zwischen sich in einen Halbleiterteil erstreckenden Gatestrukturen
Номер патента: DE102016105699A1. Автор: Anton Mauder,Till Schlosser,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-05.