Halbleitervorrichtung mit Durchgangselektrode und Herstellungsverfahren
Номер патента: DE102010038910A1
Опубликовано: 24-02-2011
Автор(ы): Makio Horikawa, Mika Okumura, Takeshi Murakami
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-02-2011
Автор(ы): Makio Horikawa, Mika Okumura, Takeshi Murakami
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Halbleitervorrichtungen und herstellungsverfahren
Номер патента: DE102023102398A1. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Tsang-Jiuh Wu,Chen-Yu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.