Halbleitervorrichtung mit Trennungsbereich.

Halbleitervorrichtung mit Trennungsbereich

Номер патента: DE102006053145A1
Опубликовано: 31-05-2007
Автор(ы): Shigeki Kariya Takahashi, Takashi Kariya Nakano
Принадлежит: Denso Corp
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Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Halbleitervorrichtung mit trenchstrukturen

Номер патента: DE102015108568B4. Автор: Minghao Jin,Oliver Blank,Rudolf Rothmaler,Jörg Ortner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Halbleitervorrichtung mit breiter bandlücke

Номер патента: DE102023003690A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Halbleitervorrichtung mit breiter bandlücke

Номер патента: DE102023107534A1. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Halbleitervorrichtung mit einer Diode und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013107761A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-30.

Halbleitervorrichtung mit einer Diode und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013107761B4. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Halbleitervorrichtung mit Finnenabschnitten zwischen sich in einen Halbleiterteil erstreckenden Gatestrukturen

Номер патента: DE102016105699A1. Автор: Anton Mauder,Till Schlosser,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-05.

Halbleitervorrichtung mit Finnenabschnitten zwischen sich in einen Halbleiterteil erstreckenden Gatestrukturen

Номер патента: DE102016105699B4. Автор: Anton Mauder,Till Schlosser,Martin Vielemeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-12.

Halbleitervorrichtung mit nadelförmigen Feldplatten und einer Gatestruktur mit Rand- und Knotenbereichen

Номер патента: DE102016103581A1. Автор: Ralf Siemieniec,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Halbleitervorrichtung mit feldplattenstrukturen und gateelektrodenstrukturen zwischen den feldplattenstrukturen sowie herstellungsverfahren

Номер патента: DE102015100390A1. Автор: Martin Pölzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-07-14.

Halbleitervorrichtung mit metallgefüllter Nut in einer Polysilicium-Gateelektrode und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013112361B4. Автор: Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Halbleitervorrichtung mit breiter bandlücke

Номер патента: DE102023107534B4. Автор: Thomas Aichinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-16.

Transistorzellen und Kompensationsstruktur aufweisende Halbleitervorrichtung mit breitem Bandabstand

Номер патента: DE102016015738A1. Автор: Ralf Siemieniec,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-14.

Halbleitervorrichtung mit rekombinationsbereich

Номер патента: DE102014118208B4. Автор: Johannes Georg Laven,Peter Kanschat,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-22.

Halbleitervorrichtung mit zwei Schottky-Übergängen

Номер патента: DE112014001838B4. Автор: Shiro Hino,Kohei Ebihara,Masayuki Imaizumi,Naruhisa Miura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Transistorzellen und einen dotierten Bereich aufweisende Halbleitervorrichtung mit breitem Bandabstand

Номер патента: DE102016015738B4. Автор: Ralf Siemieniec,Dethard Peters. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-06-02.

Halbleitervorrichtung mit Gatepad, Gateelektrode und Integrationsschicht

Номер патента: DE102016120772A1. Автор: Stefan Tegen,Armin Tilke. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-05-03.

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekt-Transistor mit isolierter Torelektrode, Verfahren zur Herstellung und zum Betrieb der Halbleitervorrichtung

Номер патента: CH482304A. Автор: Jan Nienhuis Rijkent. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1969-11-30.

Halbleitervorrichtung mit rekombinationsbereich

Номер патента: DE102014118208A1. Автор: Johannes Georg Laven,Peter Kanschat,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-06-11.

Halbleitervorrichtung mit zelltrenchstrukturen und kontakten und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102014117297B4. Автор: Johannes Georg Laven,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Halbleitervorrichtung mit nadelförmigen Feldplattenstrukturen in einem Transistorzellengebiet und in einem inneren Abschlussgebiet

Номер патента: DE102016103384B4. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Halbleitervorrichtung mit gate-struktur und stromausbreitungsgebiet

Номер патента: DE102023123474A1. Автор: Sandeep Walia,Paul Ellinghaus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Halbleitervorrichtung mit einer direkt an einen Mesaabschnitt und eine Feldelektrode angrenzenden Kontaktstruktur

Номер патента: DE102015110737A1. Автор: Elisabeth Schwarz,David Laforet,Beate Weissnicht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-05.

Halbleitervorrichtung mit felddielektrikum in einem randgebiet

Номер патента: DE102015107456A1. Автор: Franz Hirler,Joachim Weyers,Wolfgang Jantscher,Waqas Mumtaz Syed,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-11-19.

Halbleitervorrichtung mit verwendung von abstimmbaren kanalschichten und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: DE102022129051A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Yuan-Ching Peng,Ming-Lung Cheng,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem vergrabenen leitfähigen Element, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Transistor und Halbleitervorrichtung mit einem Transistor

Номер патента: DE102016115684A1. Автор: Marko Lemke,Frank Hoffmann. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-01.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem vergrabenen leitfähigen Element, Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Transistor und Halbleitervorrichtung mit einem Transistor

Номер патента: DE102016115684B4. Автор: Marko Lemke,Frank Hoffmann. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-03-29.

Halbleitervorrichtung mit Trenchtransistor-Zellanordnung und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102014105968A1. Автор: Manfred Schneegans,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Halbleitervorrichtung mit ersten und zweiten Gateelektroden

Номер патента: DE102016108158B4. Автор: Shigenobu Maeda,Yaoqi Dong,Mun Hyeon Kim,Keun Hwi Cho,Han Su Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Halbleitervorrichtung mit transistor einschliesslich eines bodykontaktteiles und herstellungsverfahren für die halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102016104317B4. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Halbleitervorrichtung mit einem eine erste feldplatte und eine zweite feldplatte aufweisenden transistor

Номер патента: DE102016110645B4. Автор: Franz Hirler,Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit Graben-Gatestruktur und vertikalem Pn-Übergang zwischen einem Bodygebiet und einer Driftstruktur

Номер патента: DE102017122634B4. Автор: Roland Rupp,Andreas Meiser,Romain Esteve. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Halbleitervorrichtung mit einem halbleiterkörper aus siliziumcarbid

Номер патента: DE102018103550A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Halbleitervorrichtung mit Überlaststrombelastbarkeit

Номер патента: DE102014226161A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-07.

Halbleitervorrichtung mit Puffergebiet

Номер патента: DE102017126853A1. Автор: Markus Schmitt,Olaf Fiedler,Daniel Kai Simon,Katarzyna Kowalik-Seidl,Richard Hensch,Ayad Abdul-Hak. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-05-16.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Kontakteinsatz und einem metallischen Rekombinationselement sowie Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013106055B4. Автор: Ralf Siemieniec,Michael Hutzler,David Laforet,Oliver Blank. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-07.

Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung mit einer Graben-Gatestruktur und horizontal angeordneten Kanal- und Stromausbreitungsgebieten

Номер патента: DE102018106689A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Oana Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-09-26.

Entsättigbare halbleitervorrichtung mit transistorzellen und hilfszellen

Номер патента: DE102015111347A1. Автор: Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-19.

Halbleitervorrichtung mit makrozellen

Номер патента: DE102022105886A1. Автор: Antonio Vellei,Stefan Tophinke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Halbleitervorrichtung mit Hilfstrenchstrukturen und integrierte Schaltung

Номер патента: DE102015105005A1. Автор: Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-10-06.

Halbleitervorrichtung mit hilfsstruktur und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013102491A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Halbleitervorrichtung mit geladener struktur und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013102571A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-19.

Halbleitervorrichtung mit einer Superübergangsstruktur, die auf einer Kompensationsstruktur mit Kompensationsschichten beruht und einen Kompensationsrate-Gradienten hat

Номер патента: DE102014105964A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Armin Willmeroth,Winfried Kaindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit nadelkissenförmigem gate

Номер патента: DE102020119156B4. Автор: Yan-Ting Shen,Chia-Chi Yu,Yu-Li Lin,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng,Chih-Hsuan CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Halbleitervorrichtung mit an Seitenwänden eines Grabens ausgebildeten ONO-Filmen und deren Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102005018638B4. Автор: Takaaki Aoki,Yukio Tsuzuki,Mikimasa Suzuki,Tomofusa Shiga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Halbleitervorrichtung mit isoliertem Gate und dieselbe umfassendes Leistungsmodul

Номер патента: DE212022000162U1. Автор: . Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2024-02-19.

Halbleitervorrichtung mit Leistungstransistorzellen und lateralen Transistoren und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102014108963A1. Автор: Robert Zink,Stefan Decker,Sven Gustav Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-31.

Verfahren zur Herstellung eines Kanalmaterials und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Kanalmaterial

Номер патента: DE102013104608B4. Автор: Mark Van Dal. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Halbleitervorrichtung mit schnellen lateralem DMOST mit Hochspannungs-Sourceelektrode

Номер патента: DE69408772D1. Автор: Adrianus Willem Ludikhuize. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1998-04-09.

Halbleitervorrichtung mit Überlaststrombelastbarkeit

Номер патента: DE102014019866B3. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske,Philip Christoph Brandt,Maria Cotorogea. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-03-25.

Halbleitervorrichtung mit einer Superübergangsstruktur, die eine vertikale Fremdstoffverteilung hat

Номер патента: DE102014100883A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth,Uwe Wahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Halbleitervorrichtung mit elektrostatischer Entladungsschutzstruktur

Номер патента: DE102015108537A1. Автор: Joachim Weyers. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-12-01.

Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung mit protonenbestrahlung und halbleitervorrichtung mit ladungskompensationsstruktur

Номер патента: DE102014117700B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Hans Weber,Werner Schustereder,Helmut Strack,Wolfgang Jantscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Halbleitervorrichtung mit einem Randgebiet und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102013106795A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-01-02.

Super-Junction-Halbleitervorrichtung mit einer nominalen Durchbruchsspannung in einem Zellbereich

Номер патента: DE102014101847A1. Автор: Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Halbleitervorrichtung mit veränderlicher Betriebsinformation

Номер патента: DE102007012469A1. Автор: Shigeki Kariya Takahashi,Takashi Kariya Nakano,Nozomu Kariya Akagi,Mitsuhiro Kariya Kanayama,Tooru Kariya Itabashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Halbleitervorrichtung mit einer superjunction-struktur mit kompensationsschichten und einer dielektrischen schicht

Номер патента: DE102014105788A1. Автор: Björn Fischer,Markus Schmitt,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-06.

Halbleitervorrichtung mit einer superjunction-struktur mit kompensationsschichten und einer dielektrischen schicht

Номер патента: DE102014105788B4. Автор: Björn Fischer,Markus Schmitt,Armin Willmeroth,Stefan Gamerith. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-01.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit epitaktischen Schichten und einer Ausrichtungsstruktur

Номер патента: DE102017104918B4. Автор: Hans Weber,Andreas Moser,Johannes Baumgartl,Gábor Mezösi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Leistungs-halbleitervorrichtung mit einem dielektrischen gate-stapel, der einen ferroelektrischen isolator enthält

Номер патента: DE102022115947A1. Автор: Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-02-02.

Halbleitervorrichtung mit einer struktur zum schutz gegen elektrostatische entladung

Номер патента: DE102016115821B4. Автор: Joachim Weyers,Friedrich zur Nieden. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-03-07.

Halbleitervorrichtung mit ohmscher kontaktierung und verfahren zur ohmschen kontaktierung einer halbleitervorrichtung

Номер патента: EP1114465A1. Автор: Dietrich Stephani,Wolfgang Bartsch,Reinhold Schörner. Владелец: SiCED Electronics Development GmbH and Co KG. Дата публикации: 2001-07-11.

Halbleitervorrichtung mit ohmscher kontaktierung und verfahren zur ohmschen kontaktierung einer halbleitervorrichtung

Номер патента: ATE357744T1. Автор: Dietrich Stephani,Wolfgang Bartsch,Reinhold Schoerner. Владелец: Siced Elect Dev Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2007-04-15.

Halbleitervorrichtung mit ferroelektrischem Hafniumoxid und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102015200946A1. Автор: Robert Binder,Johannes Mueller,Joachim Metzger,Dina H. Triyoso,Patrick Polakowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

FinFet-Halbleitervorrichtung mit Schnittbereichen in Finnen und Verfahren mit Durchführen von Finnen-Schnitt-Ätz-Prozessen

Номер патента: DE102019201057B8. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Terence Hook,Lei L. Zhuang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Superjunction-Halbleitervorrichtung mit entgegengesetzt dotierten Halbleiterbereichen, die in Gräben ausgebildet sind, und Verfahren zur Herstellung

Номер патента: DE102015116576A1. Автор: Franz Hirler,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-03-30.

Halbleitervorrichtung mit grabentransistorzelleneinheiten

Номер патента: DE102023202032A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Frank Pfirsch,Roman Baburske,Alexander Philippou. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Halbleitervorrichtung mit einer abschirmschicht und verfahren zum herstellen der halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102023211091A1. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Timothy Henson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Halbleitervorrichtung mit siliziumcarbidkörper und herstellungsverfahren

Номер патента: DE102019109368B4. Автор: Ralf Siemieniec,Romain Esteve,Thomas Aichinger,Ravi Keshav Joshi,Shiqin Niu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-04.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat

Номер патента: DE102005017288B4. Автор: Yuuichi Takeuchi,Tsunenobu Kimoto,Hiroyuki Matsunami,Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Graben in einem Siliziumcarbid-Halbleitersubstrat

Номер патента: DE102005017288B8. Автор: Yuuichi Takeuchi,Tsunenobu Kimoto,Hiroyuki Matsunami,Rajesh Kumar Malhan. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Halbleitervorrichtung mit Hilfselektrodenpins

Номер патента: DE102016103587A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Ausbilden von Elektrodengräben unter Verwendung eines gerichteten Ionenstrahls und Halbleitervorrichtung mit Graben-Elektrodenstrukturen

Номер патента: DE102016111998B4. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-18.

Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit einer Deckschicht

Номер патента: DE102013103056A1. Автор: Ming-Huan Tsai,Chun-Hsiang FAN,Tsu-Hsiu Perng,Zhao-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Halbleitervorrichtung mit einem feldeffekttransistor und verfahren zum herstellen der halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102015106683A1. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-03.

Vertikale leistungs-halbleitervorrichtung mit source- oder emitter-pad

Номер патента: DE102023109506A1. Автор: Carsten Schäffer,Ravi Keshav Joshi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-17.

Halbleitervorrichtung mit einem ersten Transistor und einem zweiten Transistor

Номер патента: DE102015119771B4. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser,Dirk Ahlers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-02.

Vertikale leistungs-halbleitervorrichtung mit zwischenschicht-dielektrikumsstruktur

Номер патента: DE102023111590A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Dethard Peters,Saurabh Roy,Josef Schatz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-11-07.

Halbleitervorrichtung mit einem Transistor mit isoliertem Gate und Diode

Номер патента: DE102009055322A1. Автор: Yukio Kariya-shi Tsuzuki,Hiromitsu Kariya-shi Tanabe,Kenji Kariya-shi Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Halbleitervorrichtung mit wellenförmigem profil der nettodotierung in einer driftzone und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: DE102015101124B4. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Francisco Javier Santos Rodriguez,Manfred Pfaffenlehner,Elmar Falck,Andreas Hartl,Andre Rainer Stegner,Daniel Schlögl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-01.

HALBLEITERVORRICHTUNG MIT HILFSSTRUKTUR EINSCHLIEßLICH TIEFPEGELDOTIERSTOFFEN

Номер патента: DE102014115303A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Christian Jager,Roman Baburske,Antonio Vellei,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-04-21.

Halbleitervorrichtung mit sowohl einem igbt-bereich als auch einem diodenbereich

Номер патента: DE102011081029A1. Автор: Tatsuji Nagaoka,Masaki Koyama,Takahide Sugiyama,Yasushi Ookura,Akitaka SOENO,Sachiko Aoi,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2012-02-23.

Halbleitervorrichtung mit einer Gateelektrode in einem Gategraben und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102016113124B4. Автор: Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-29.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem Stützelement und eine Halbleitervorrichtung mit einem Stützelement

Номер патента: DE102016108500B4. Автор: Sebastian Schmidt,Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler,Oliver Hellmund,Martina SEIDER-SCHMIDT. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-14.

Kristallherstellungsvorrichtung, mit derselben hergestellte Halbleitervorrichtung, und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit derselben

Номер патента: DE112009002084T5. Автор: Seiichiro Higashi,Naohiro Koba. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2012-05-10.

Halbleitervorrichtung mit einem LDMOS-Transistor

Номер патента: DE102017113679A1. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-28.

Halbleitervorrichtung mit einer metallisierungsstruktur auf gegenüberliegenden seiten eines halbleiterbereichs

Номер патента: DE102016122162A1. Автор: Martin Pölzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Halbleitervorrichtung mit einem LDMOS-Transistor

Номер патента: DE102017113679B4. Автор: Albert Birner,Helmut Brech,Michaela Braun,Matthias Zigldrum,Christian Eckl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-09-01.

Halbleitervorrichtung mit standardzellen

Номер патента: DE102018108836A1. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Carlos Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Halbleitervorrichtung mit zelltrenchstrukturen und kontakten und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102014110650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-02-12.

Halbleitervorrichtung mit rückseitenstromschiene und deren herstellungsverfahren

Номер патента: DE102021115968A1. Автор: Ming-Feng Shieh,Hung-Chung Chien,Chao-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Halbleitervorrichtung mit einer eine rückseitigen durchkontaktierung und verfahren zur herstellung derselben

Номер патента: DE102020126080B4. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Halbleitervorrichtung mit kontaktstruktur

Номер патента: DE102021106324A1. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit verbesserter epitaxialer Source/Drain-Abstandsregelung

Номер патента: DE102018124725A1. Автор: I-Chih Chen,Chi-Cherng Jeng,Fu-Tsun Tsai,Tong Jun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Bildungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit Finnenstrukturen

Номер патента: DE102019121270B4. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Halbleitervorrichtung mit mindestens einem auf einem Halbleitermaterial vom Typ A?,B? angebrachten Kontakt und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung

Номер патента: DE1614272A1. Автор: Hein Koelmans. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-02-26.

Halbleitervorrichtung mit mindestens einer auf einem Halbleitermaterial vom Typ AIIBVI angebrachten Elektrode und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Vorrichtung

Номер патента: CH478457A. Автор: Koelmans Hein. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1969-09-15.

Halbleitervorrichtung mit einem feldeffekttransistor

Номер патента: ATE550785T1. Автор: Jeoungchill SHIM. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-04-15.

Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Kontakt und Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit mindestens einem Kontakt

Номер патента: DE102011075888A1. Автор: Joachim Rudhard,Achim Trautmann,Frederik Schrey. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-11-22.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit tiefen Grabenstrukturen

Номер патента: DE102005048036A1. Автор: Michael Rennie,Stephen Rusinko. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2006-04-20.

Halbleitervorrichtung mit mehrfachdielektrikum

Номер патента: WO2000045441A2. Автор: Hans Reisinger,Thomas Peter Haneder,Harald Bachhofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-08-03.

Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung mit l-förmigen gate

Номер патента: DE112015003603B4. Автор: Chun Chen,Scott Bell,Lei Xue,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Halbleitervorrichtung mit einer mehrfachelektrode insbesondere mehrfachemitter-leistungstransistor

Номер патента: DE7046690U. Автор: . Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1971-04-29.

Halbleitervorrichtung mit elektrischen Kontakten

Номер патента: DE9202122U1. Автор: . Владелец: Westinghouse Brake and Signal Holdings Ltd. Дата публикации: 1992-06-11.

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung, Leistungsumwandlungsvorrichtung, Drehstrommotorsystem, Kraftfahrzeug sowie Schienenfahrzeug

Номер патента: DE102019109706A1. Автор: Naoki Watanabe,Naoki Tega,Takeru Suto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-11-28.

Halbleitervorrichtung mit Herstellungsverfahren dafür

Номер патента: DE10300949A1. Автор: Hideki Takahashi,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Halbleitervorrichtung mit metallischem Träger und Herstellungsverfahren hierfür

Номер патента: DE102010061295A1. Автор: Walter Dr. Rieger,Oliver Dr. Haeberlen,Christoph Dr. 82131 Kadow,Markus Dr. 85658 Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-06-22.

Halbleitervorrichtung mit einem Feld-Effekt-Transistor mit isolierter Torelektrode und mit einer solchen Halbleitervorrichtung versechene Schaltungsanordnung

Номер патента: DE1614285A1. Автор: Ras Hendrik Gerardus Jacobus,Nienhuis Rijkent Jan,Van Iersel Alfons Matt Reinier. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1970-05-21.

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekt-Transistor mit isolierter Torelektrode und mit einer solchen Halbleitervorrichtung versehene Schaltungsanordnung

Номер патента: AT287788B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1971-02-10.

Halbleitervorrichtung mit anorganischer Überzugsschicht über Verbindungsanschlusserweiterung

Номер патента: DE102009058428A1. Автор: Erich H. Granada Hills Soendker,Thomas A. Santa Clarita Hertel,Horacio Canoga Park Saldivar. Владелец: Pratt and Whitney Rocketdyne Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Halbleitervorrichtung mit einer Steuerschaltung

Номер патента: DE102014110442A1. Автор: Wolfgang Scholz,Anton Mauder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer PIN-Diode

Номер патента: DE112013007500B4. Автор: Hidenori Fujii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung

Номер патента: CH492304A. Автор: Edward Steigman Peter,Robert Badcock Frank,Robert Lamb David. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1970-06-15.

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung

Номер патента: DE1807570A1. Автор: Steigman Peter Edward,Badcock Frank Robert,Lamb David Robert. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-06-26.

Halbleitervorrichtung mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung

Номер патента: AT297801B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1972-04-10.

Halbleitervorrichtung mit einem pn-Übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung

Номер патента: DE2730566B2. Автор: Shigeru Nishinomiya Funakawa,Masahiro Kawanishi Yamane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-04-26.

Halbleitervorrichtung mit einem internen Isoliertgatebipolartransistor

Номер патента: DE102009038776A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer selektiv auf einem halbleitenden Substrat niedergeschlagenen,epitaktischen Schicht

Номер патента: DE1544324A1. Автор: Wisman Emery C,Portnoy William M,Waters P Warren. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1970-12-17.

Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE112015005000T5. Автор: Masaru Senoo,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Abstandshalterstrukturen für Halbleiterbaulemente

Номер патента: DE102020106441A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Song-Bor Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102023209380A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE112018006007T5. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur und Zuführungsdraht-Rahmen zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur

Номер патента: DE4345302C2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Shunichi Abe,Naoto Ueda,Hideyuki Ichiyama,Yoshirou Nishinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-11.

Zuführungsdraht-Rahmen zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur

Номер патента: DE4345303C2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Shunichi Abe,Naoto Ueda,Hideyuki Ichiyama,Yoshirou Nishinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

Halbleitervorrichtung mit Nachpassivierung-Zwischenverbindungsstruktur und Verfahren zu ihrer Bildung

Номер патента: DE102012104730B4. Автор: Hsien-Wei Chen,Yi-Wen WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102004063523A1. Автор: Kazuhiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung mit Elementabschnitt ichtung

Номер патента: DE112006001152B4. Автор: Tetsuo Fujii,Minoru Murata,Masahiro Ogino,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Halbleitervorrichtung mit Elementabschnitt und Verfahren zur Fertigung der Vorrichtung

Номер патента: DE112006001152T5. Автор: Kazuhiko Kariya Sugiura,Tetsuo Kariya Fujii,Minoru Kariya Murata,Masahiro Kariya Ogino. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Halbleitervorrichtung mit doppelseitiger Kühlung

Номер патента: DE102022209365A1. Автор: Young Seok Kim,Kyoung Kook Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-04-20.

Optische Halbleitervorrichtung mit einer verbesserten Stromblockadeschicht und Herstellungsverfahren derselben

Номер патента: DE102006028991B4. Автор: Tohru Takiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Halbleitervorrichtung mit einer Testmarkierung

Номер патента: DE10046925A1. Автор: Hiroaki Nishimura,Takeshi Kishida,Jiro Matsufusa,Tomoharu Mametani,Shigenori Kido,Yoji Nakata,Yukihiro Nagai,Akinori Kinugasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Halbleitervorrichtung mit einem Stromabschalttransistor

Номер патента: DE102009024485A1. Автор: Masakatsu Nakai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Halbleitervorrichtung mit Verbindungsteil

Номер патента: DE102011002535B4. Автор: Taishi Sasaki,Yukio Yasuda,Hajime Katou,Mikio Ishihara,Kazuaki Hiyama,Tsuyoshi Takayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Verfahren zum herstellen von halbleitervorrichtungen und halbleitervorrichtungen

Номер патента: DE102021001414B4. Автор: Shahaji More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Halbleitervorrichtung mit metallisierungsstruktur und herstellungsverfahren für diese

Номер патента: DE102017107952A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Halbleitervorrichtung mit einer Gateelektrode in einem Gategraben und Verfahren zum Herstellen der Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102016113124A1. Автор: Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-18.

Halbleitervorrichtung mit Einsatzstruktur an einer Rückseite und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102015101977B4. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-05.

Strahlungsempfindliche Halbleitervorrichtung mit einem Detektor mit einer Oberflächensperrschicht

Номер патента: CH508989A. Автор: Meuleman Johannes. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1971-06-15.

Halbleitervorrichtung mit einem mit Elektroden versehenen Halbleiterkörper aus Cadmiumtellurid und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: CH422997A. Автор: Nobel Dirk De. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1966-10-31.

Halbleitervorrichtung mit einem Detek tor mit Oberflächensperrschicht

Номер патента: DE2027948A1. Автор: Johannes Caen Calvados Meuleman (Frankreich). Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1971-01-07.

Halbleitervorrichtung mit einer Zwischenschicht zur Einschnürung eines Strompfades während umgekehrter Vorspannung.

Номер патента: DE68918062D1. Автор: Naomasa C O Intellectua Sugita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-13.

Halbleitervorrichtung mit einem Metall-Halbleiter-Kontakt

Номер патента: DE1914206A1. Автор: Webster Roger Robinson,Cunningham James Alan,Leedy Jun Hayden Martin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-11-06.

Halbleitervorrichtung mit verbessertem Schutz gegen du/ tief dt Beanspruchung

Номер патента: DE2033566A1. Автор: Saeed Yeganeh Southwell Nottinghamshire Jones Anthony Keith Welton Lincolnshire Haeri (Großbritannien). Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1972-01-27.

Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, in dem mindestens eine Flächentransistorstruktur vorgesehen ist, und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: CH422996A. Автор: Wilhelmus Jochems Pie Johannes,Gerardus Kock Hendrikus. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1966-10-31.

Halbleitervorrichtung mit Einsatzstruktur an einer Rückseite und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102015101977A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-08-20.

Halbleitervorrichtung mit hohem waermeabfuhrvermoegen

Номер патента: DE2353803A1. Автор: Rene Gicquel. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1974-05-09.

Halbleitervorrichtung mit einem Spannungsbegrenzer in Form einer Zenerdiode, Zenerdiode und Verfahren zur Herstellung derselben

Номер патента: AT239849B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1965-04-26.

Halbleitervorrichtung mit einer metallsilizidschicht

Номер патента: DE102023105870A1. Автор: Michael Roesner,Ronny Kern,Gregor Langer,Axel Koenig,Ewald Wiltsche,Victoria Poenariu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Halbleitervorrichtung mit selbstjustierten Kontakten, integrierte Schaltung und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102009058844A1. Автор: Franz Dr. Auerbach,Oliver Dr. Häberlen,Michael Dr. Treu,Kathrin Dr. Rüschenschmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2010-07-08.

Halbleitervorrichtung mit elektrischem Widerstand

Номер патента: DE102018010387B3. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-25.

Halbleitervorrichtung mit Schaltelement und zwei Dioden

Номер патента: DE102007039624A1. Автор: Yoshihiko Hirota,Chihiro Tadokoro. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

Halbleitervorrichtung mit übergitterstruktur

Номер патента: WO1995023433A1. Автор: Karl Friedrich Renk,Anatoly A. Ignatov,Ekkehard Manfred Schomburg,Jörg GRENZER. Владелец: Grenzer Joerg. Дата публикации: 1995-08-31.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Halbleiter-Kapazitätsdiode und durch Anwendung des Verfahrens hergestellte Halbleitervorrichtung

Номер патента: CH538195A. Автор: Winkler Gerhard,Eckstein Dieter,Raabe Gerhard,Sauermann Heinz. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1973-06-15.

III-V Halbleitervorrichtung mit vergrabenen Kontakten

Номер патента: DE102012111830A1. Автор: Oliver Haeberlen,Gilberto Curatola,Gianmauro Pozzovivo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-06-20.

Halbleitervorrichtung mit Gradienten-Bandabstand BeTe-ZnSe ohmschem Kontakt für einen II-VI Halbleiter

Номер патента: DE69405486T2. Автор: Piotr Mensz. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1998-03-19.

Halbleitervorrichtung mit übergitter und herstellungsverfahren

Номер патента: ATE442669T1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Tan Sakong,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-15.

"halbleitervorrichtung mit einer matrix aus dynamischen speicherzellen und verfahren zum herstellen einer dynamischen halbleiterspeicherzelle"

Номер патента: DE3113861A1. Автор: David J. 77031 Houston Tex. McElroy. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-01-07.

Halbleitervorrichtung mit Gradienten-Bandabstand BeTe-ZnSe ohmschem Kontakt für einen II-VI Halbleiter

Номер патента: DE69405486D1. Автор: Piotr Mensz. Владелец: Philips Electronics NV. Дата публикации: 1997-10-16.

Sic-halbleitervorrichtung mit einem schottky- kontakt und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: ATE288623T1. Автор: Dethard Peters,Peter Friedrichs,Reinhold Schoerner. Владелец: Siced Elect Dev Gmbh & Co Kg. Дата публикации: 2005-02-15.

Verfahren zum bilden einer silicium-isolator-schicht und halbleitervorrichtung mit derselben

Номер патента: DE102018122979B4. Автор: Joachim Hirschler,Michael Roesner,Olaf Storbeck,Michael Hutzler,Ingmar Neumann,Markus Heinrici,Georg Ehrentraut,Mathias Plappert,Stefan KRIVEC,Christoffer Erbert,Klaus Goeschl,Wolfgang Koell. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-11-02.

SiC-Halbleitervorrichtung mit einem Schottky-Kontakt und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: EP1222694A1. Автор: Dethard Peters,Peter Friedrichs,Reinhold Schörner. Владелец: SiCED Electronics Development GmbH and Co KG. Дата публикации: 2002-07-17.

Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102015213837A1. Автор: Toru Hiyoshi,Kosuke Uchida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Halbleitervorrichtung mit verkleinertem eingebautem Treiber

Номер патента: DE10309598A1. Автор: Manabu Miura,Makoto Hatakenaka,Takekazu Isahaya Yamashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Halbleitervorrichtung mit einem Aussparungen definierenden Verkapselungsmaterial

Номер патента: DE102018100078A1. Автор: Balehithlu Manjappaiah Upendra,Kok Kiat Koo,Khai Seen Yong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Halbleitervorrichtung mit einem Aussparungen definierenden Verkapselungsmaterial und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: DE102018100078B4. Автор: Balehithlu Manjappaiah Upendra,Kok Kiat Koo,Khai Seen Yong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-07-29.

Halbleitervorrichtung mit einem die-pad mit einer dammartigen konfiguration und verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102020106929B4. Автор: Rainer Pelzer,Fortunato Lopez,Antonia Maglangit,Siti Amira Faisha Shikh Zakaria. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung mit einem hochspannungsisolations-kondensator

Номер патента: DE102023118157A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Halbleitervorrichtung mit Impedanzsteuerschaltung

Номер патента: DE102009061073B4. Автор: Takashi Nakano,Koji Kondo,Shigeki Takahashi,Noboru Maeda,Kazuyoshi Nagase,Yoshihiko Ozeki,Youichirou Suzuki. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Halbleitervorrichtung mit höckerstruktur und verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102018127167B4. Автор: Chen-Shien Chen,Cheng-Hung Tsai,Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Li-Huan Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Halbleitervorrichtung und Halbleitervorrichtung mit Kühlelement

Номер патента: DE112019007029T5. Автор: Takahiko Murakami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Halbleitervorrichtung mit einer durchgangselektrode

Номер патента: DE102023132624A1. Автор: Chang Woo Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Halbleitervorrichtung mit füllerzellregion, verfahren zur erzeugung eines layoutdiagramms und system für dafür

Номер патента: DE102019129048B4. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Yi-Kan Cheng,Chun-Chen Chen,Hui-Zhong ZHUANG,Meng-Hsueh WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlteil und Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE102007015731A1. Автор: Kuniaki Kariya Mamitsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Halbleitervorrichtung mit einer Nach-Passivierung-Verbindungs-Struktur und Verfahren zu dessen Herstellung

Номер патента: DE102013105721B4. Автор: Chen-Hua Yu,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Halbleitervorrichtung mit einem Kondensator mit MIM-Aufbau

Номер патента: DE10318412A1. Автор: Toshiyuki Oashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Flip-flop mit transistoren mit unterschiedlichen schwellspannungen, halbleitervorrichtung mit denselben und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: DE102023109673A1. Автор: Xiangdong Chen,Jerry Chang Jui Kao,Hui-Zhong ZHUANG,Yung-Chen CHIEN,Huaixin XIAN,Xing Chao YIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Halbleitervorrichtung mit einem die-pad mit einer dammartigen konfiguration

Номер патента: DE102020106929A1. Автор: Rainer Pelzer,Fortunato Lopez,Antonia Maglangit,Siti Amira Faisha Shikh Zakaria. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-17.

Halbleitervorrichtung mit Abschirmstruktur zur Verringerung von Übersprechen und Verfahren zur Herstellung derselben

Номер патента: DE102018109028B4. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Yuan Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Shih-Ya Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Halbleitervorrichtung mit Struktur zum Verbessern von Spannungsabfall und Vorrichtung, die diese umfasst

Номер патента: DE102016212796B4. Автор: Sung-Su Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Halbleitervorrichtung mit kontakt-pad-struktur

Номер патента: DE102022107599A1. Автор: Roman Roth,Helmut Schoenherr,Jochen Hilsenbeck,Jürgen Steinbrenner,Richard Gaisberger,Sophia Friedler,Thomas Soellradl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-05.

Halbleitervorrichtung mit Hochspannungsisolationskondensator

Номер патента: DE102023119200A1. Автор: Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Jeong Ho SHEEN,Sang Geun KOO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Halbleitervorrichtung mit bildsensor und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: DE102021113051A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Halbleitervorrichtung mit verbesserten übereinstimmungseigenschaften von polysiliziumwiderstandsstrukturen

Номер патента: DE102022119095A1. Автор: Cheng-Hua Lin,Ching-Han Jan. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Kupferverdrahtung

Номер патента: DE10120184A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Nobuyuki Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Halbleitervorrichtung mit mehreren polaritätsgruppen

Номер патента: DE102019101999A1. Автор: Hao-Yi Tsai,Yu-Chih Huang,Chih-Hsuan Tai,Ting-Ting KUO,Ban-Li Wu,Ying-Cheng Tseng,Chi-Hui Lai,Chiahung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Halbleitervorrichtung mit Extraktionselektrode und Verfahren

Номер патента: DE102006005050B4. Автор: Hideki Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Halbleitervorrichtung mit Wärmeabstrahlplatte und Anheftteil

Номер патента: DE102004043523A1. Автор: Nobuyuki Kato,Naohiko Hirano,Kuniaki Mamitsu,Yoshimi Nakase. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Halbleitervorrichtung, mit einer solchen halbleitervorrichtung versehener tintenbehälter, tintenstrahlpatrone, tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung, herstellungsverfahren für eine solche halbleitervorrichtung, kommunikationssystem, verfahren zur druckregelung, speicher zur druckregelung, speicherelement und sicherheitssystem für die tintenstrahlaufzeichnungsvorrichtung

Номер патента: ATE447490T1. Автор: Masahiko Kubota,Kenji Kitabatake,Hiroyuki Ishinaga,Ryoji Inoue,Ichiro Saito,Yoshiyuki Imanaka,Takaaki Yamaguchi,Sadayuki Sugama,Muga Mochizuki,Maki Nishida. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2009-11-15.

Halbleitervorrichtung mit einer Abschirmung gegen elektromagnetische Störbeeinflussung

Номер патента: DE102017127139A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei-Ting Chen,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Halbleitervorrichtung mit elektrischem Widerstand

Номер патента: DE102018112866A1. Автор: Andreas Meiser,Till Schlosser,Grzegorz Kozlowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-12-05.

Zuführungsdraht-Rahmen zur Verwendung bei der Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit LOC-Struktur

Номер патента: DE4345301C2. Автор: YOSHIHIRO Tomita,Shunichi Abe,Naoto Ueda,Hideyuki Ichiyama,Yoshirou Nishinaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Halbleitervorrichtung mit auf substratkugeln ausgerichteten chiphöckern

Номер патента: DE112019005576T5. Автор: Arkady Katz,Victor Kviat. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Halbleitervorrichtung mit Durchgangselektrode und Herstellungsverfahren

Номер патента: DE102010038910A1. Автор: Takeshi Murakami,Makio Horikawa,Mika Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Optoelektronische Halbleitervorrichtung mit ferromagnetischen Domänen

Номер патента: DE202016104371U1. Автор: . Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Halbleitervorrichtung mit zellregion, verfahren zum erzeugen eines layoutdiagramms und systems für dasselbe

Номер патента: DE102019125739A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Ho Che Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Halbleitervorrichtung mit dreidimensionalem Aufbau und Verfahren zu ihrer Herstellung

Номер патента: DE102006043360A1. Автор: Takaaki Kariya Aoki,Eiji Kariya Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-29.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Legierungselektrode und gemäss dem Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

Номер патента: CH493938A. Автор: Hoyinck Van Papendrec Chalmers,Wilde Bernhard. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1970-07-15.

Halbleitervorrichtung mit einem einkristallinen Körper aus Halbleitergrundmaterial, in welchen Zonen für mindestens zwei Schaltungselemente gebildet sind, und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleitervorrichtung

Номер патента: CH431725A. Автор: Heinz Dr Dorendorf. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1967-03-15.

Halbleitervorrichtung mit magnetisch gekoppelten monolithisch integrierten Spulen

Номер патента: DE102013111418A1. Автор: Anton Mauder,Kevni Bueyuektas,Franz Hirler,Joachim Weyers. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-05-08.

Vorrichtung mit montierten elektronischen Komponenten und Halbleitervorrichtung mit derselben

Номер патента: DE102014222601A1. Автор: c/o Mitsubishi Electric Corporat Obara Taichi,c/o Mitsubishi Electric Corpor Rei Yoneyama,c/o Mitsubishi Electric Corporat Otsuki Takami,c/o Melco Semiconductor Engineerin Shitama Eiju. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Halbleitervorrichtung mit ferroelektrischen Kondensator und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: DE102019200787B4. Автор: Akio Ito,Ko Nakamura,Mitsuhiro Nakamura,Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Optoelektronische halbleitervorrichtung mit einem trägerelement und einem elektrischen kontaktelement, optoelektronisches bauelement sowie verfahren zur herstellung der optoelektronischen halbleitervorrichtung

Номер патента: DE112019004525A5. Автор: Korbinian Perzlmaier,Christian Eichinger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-06-02.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Zenerdiode und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE1764552A1. Автор: Jean-Claude Frouin. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1971-05-13.

Halbleitervorrichtung mit polymerbasiertem isoliermaterial und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: DE102022102181A1. Автор: Holger Döpke,Markus Zundel,Andreas Behrendt,Michael Sorger,Dominic Thurmer,Uwe Schmalzbauer,Sergey ANANIEV. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Verfahren zur herstellung einer verpackten halbleitervorrichtung, mit solch einem verfahren erhaltene verpackte halbleitervorrichtung und zur verwendung in solch einem verfahren geeigneter metallträger

Номер патента: ATE409107T1. Автор: Johannes Savenije,T Veld Frederik In. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-15.

Halbleitervorrichtung mit Strukturen zur Anzeige einer Anziehreihenfolge von Befestigungsschrauben

Номер патента: DE102020203542B4. Автор: Hiroshi Nomiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Halbleitervorrichtung mit FinFET-Zellen vom Anreicherungs- und Verarmungstyp

Номер патента: DE102015117862B4. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-03-28.

Halbleitervorrichtung mit isolierzonen aus versenktem siliziumoxyd und mit einem transistor

Номер патента: ATA594271A. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1977-03-15.

Halbleitervorrichtung mit isolierzonen aus versenktem siliziumoxyd und mit einem transistor

Номер патента: AT339961B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1977-11-25.

Kühlvorrichtung und halbleitervorrichtung mit kühlvorrichtung

Номер патента: DE102022107555A1. Автор: Ginji Uchibe. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit luftspalten für verbindungen mit ultraniedriger kapazität

Номер патента: ATE255769T1. Автор: Qiang Zhao,Paul A Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen. Владелец: Georgia Tech Res Inst. Дата публикации: 2003-12-15.

Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper mit einer integrierten Schaltung, wobei ein Körper aus piezoelektrischem Material mindestens zwei verschiedene Schaltungselemente der integrierten Schaltung elektrisch verbindet

Номер патента: AT308198B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1973-06-25.

Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper, der wenigstens einseitig mit einer Isolierschicht versehen ist

Номер патента: CH472785A. Автор: Schmitz Albert. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1969-05-15.

Ausrichtgerät zum Ausbilden eines Musters auf einem Halbleitersubstrat durch Belichten und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Ausrichtgerät

Номер патента: DE10135068A1. Автор: Shuji Nakao,Teruaki Ishiba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-08-01.

Halbleitervorrichtung mit mehreren in einem halbleiterkristall vereinigten und eine integrierte schaltung bildenden halbleiterelementen mit pn-uebergaengen

Номер патента: DE2834719A1. Автор: Rolf Dipl Ing Johannsen. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1980-02-14.

Halbleitervorrichtung mit einem in einem halbleitersubstrat angeordneten germaniumbereich

Номер патента: DE102022129065A1. Автор: Chen-Jong Wang,Dun-Nian Yaung,Kuan-Chieh Huang,Hung-Chang Chien,Yi-Shin Chu,Tzu-Jui WANG,Jung-I Lin,Hsiang-Lin Chen,Ming-Chieh Hsu,Myles Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Verfahren zur Fertigung einer Halbleitervorrichtung mit Elementabschnitt

Номер патента: DE112006001152B8. Автор: Tetsuo Fujii,Minoru Murata,Masahiro Ogino,Kazuhiko Sugiura. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Halbleitervorrichtung mit einem Schmelzabschnitt zwischen einer ersten und einer zweiten Schaltung

Номер патента: DE19817749C2. Автор: Tomoharu Mametani,Yukihiro Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Halbleitervorrichtung mit einem integrierten kondensator und verfahren zum herstellen von dieser

Номер патента: DE102018122563A1. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Halbleitervorrichtung mit einer fehlerverhuetungseinrichtung

Номер патента: DE3519249A1. Автор: Ryoichi Tokio/Tokyo Hori,Kiyoo Higashikurume Itoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-05.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit einer verdrahtungsstruktur hoher dichte

Номер патента: ATE150585T1. Автор: Osamu Ikeda,Toshihiko Ichise,Fumio Murooka,Shigeyuki Matsumoto,Shunsuke Inoue,Tetsuo Asaba,Yukihiko Sakashita. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 1997-04-15.

Halbleitervorrichtung mit Abtastfunktionalität

Номер патента: DE102013111225A1. Автор: Ralf Otremba,Marco Seibt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-04-17.

Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Verbindung aus Stickstoff und Elementen der Gruppe III

Номер патента: DE69522026D1. Автор: Shiro Yamazaki,Masayoshi Koike,Katsuhide Manabe,Makoto Asai,Hisaki Kato,Naoki Shibata,Michinari Sassa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur.

Номер патента: DE69109397T2. Автор: Nirou Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-09-07.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einem Feld-Effekt-Transistor und durch dieses Verfahren hergestellte Halbleiter-Vorrichtung

Номер патента: DE1764571A1. Автор: Rene Glaise,Jacques Thire. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1971-10-28.

Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungsteil und Methode zur Herstellung desselben

Номер патента: DE69222340D1. Автор: Junichi Kasai,Michio Sono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-10-30.

Halbleitervorrichtung mit zugehoerigem Kuehlkoerper

Номер патента: DE1489150A1. Автор: Dijkmeijer Henricus Emanuel,Nijhius Herman Cornelis. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-04-24.

Halbleitervorrichtung mit Schaltungen auf beiden Seiten einer Isolationsschicht und Ultraschall-Verbindungspfad zwischen diesen Schaltungen

Номер патента: DE69122455D1. Автор: Nobuo Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-11-07.

Methode zur herstellung einer optischen halbleitervorrichtung mit vergrabener mesa-struktur.

Номер патента: DE69109397D1. Автор: Nirou Okazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-06-08.

Halbleitervorrichtung mit sicherungen und verfahren zu deren herstellung

Номер патента: ATE457083T1. Автор: Hermanus Effing,Alfred Hamstra. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-02-15.

Halbleitervorrichtung mit anschlussdrahten.

Номер патента: DE1940625U. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1966-06-16.

Halbleitervorrichtung mit einer metallhuelle.

Номер патента: DE1836256U. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1961-08-10.

Halbleitervorrichtung mit einem oder mehreren Halbleiterkoerpern und aus einem solchen Koerper seitlich hinausragenden starren Leitern

Номер патента: DE1906727A1. Автор: Neuhuys Thierry Jean Paul,Marechal Hubert Georges Joseph. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-09-25.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit einem elektrischen kontakt

Номер патента: DE3841927A1. Автор: Yoshinori Okumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-06-22.

Partikelbestrahlungsgerät, Strahlmodifikatorvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer Junctionabschlussextensionszone

Номер патента: DE102015114429A1. Автор: Roland Rupp,Romain Esteve,Rudolf Elpelt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-02.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer bei niederer Temperatur ausgehärteten Epoxy-Vergussmasse

Номер патента: DE69129668D1. Автор: Maurice S Karpman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-08-06.

Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einem isolierenden Zwischenschichtfilm aus Phosphorsilikatglas

Номер патента: DE68929010D1. Автор: Satoshi Intellectual Pro Maeda,Shizuo Intellectual Pro Sawada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-08.

Elektronische Halbleitervorrichtung mit einem III V Verbindung1; Halbleiter kristall und Verfahren zu seiner Her stellung

Номер патента: DE2032099A1. Автор: Masaharu Ogirima Masahiko Tokio Kasano Hiroyuki Akishima Kurata Kazuhiro Hachioji UaPan) P Aoki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1971-01-28.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit mindestens vier Zonen von abwechselnd unterschiedlichem Leitungstyp

Номер патента: DE1439193A1. Автор: Dorendorf Dr Heinz. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1969-06-04.

Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit getrennten Schaltungselementausbildungsschichten unterschiedlicher Dicke

Номер патента: DE19983426T1. Автор: Michihiro Kawano. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-13.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer Verdrahtungsstruktur hoher Dichte

Номер патента: DE69125210D1. Автор: Osamu Ikeda,Toshihiko Ichise,Fumio Murooka,Shigeyuki Matsumoto,Shunsuke Inoue,Tetsuo Asaba,Yukihiko Sakashita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit einer bei niederer Temperatur ausgehärteten Epoxy-Vergussmasse

Номер патента: DE69129668T2. Автор: Maurice S. Austin Texas 78759 Karpman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-03-11.

Halbleitervorrichtung mit verstärkter integrierter schaltung und herstellungsverfahren davon

Номер патента: DE112019003153T5. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterkörpers bzw. einer Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterkörper

Номер патента: AT247917B. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1966-07-11.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit betriebsflüssigkeitsaufbereitung

Номер патента: ATE369901T1. Автор: Motoyuki Tsuihiji,Hirofumi Iinuma. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2007-09-15.

Halbleitervorrichtung mit einer rf- wiedergeschlagenen eigenleitenden schicht

Номер патента: ATE147546T1. Автор: Subhendu Guha,Arindam Banerjee,Chi C Yang. Владелец: United Solar Systems Corp. Дата публикации: 1997-01-15.

Halbleitervorrichtung mit selektiv diffundierten bereichen

Номер патента: ATE281698T1. Автор: Jozef Szlufcik,Johan Nijs,Mia Honore,Joerg HORZEL. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2004-11-15.

Halbleitervorrichtung mit durch darauf erzeugte Passivierungsfilme gesteuerten Oberflaechenladungen und Verfahren zu ihrer Herstellung

Номер патента: DE1950780A1. Автор: Takao Miyazaki,Takashi Tokuyama,Masatada Horiuchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1970-04-23.

Verfahren zum herstellen einer halbleitervorrichtung mit der selektiven abscheidung eines metalls

Номер патента: ATE198950T1. Автор: Yasue Sato. Владелец: Canon Kk. Дата публикации: 2001-02-15.

Halbleitervorrichtung mit einem halbleitersubstrat und einer keramischen scheibe als decke

Номер патента: ATE166493T1. Автор: Victor Albert Keith Temple. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-06-15.

Halbleitervorrichtung mit brennstoffzelle und verfahren zu ihrer herstellung

Номер патента: ATE402484T1. Автор: Kiyoyuki Morita,Kiyoshi Morimoto. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-15.

Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit elektrode für eine n-polare ingaain-fläche

Номер патента: ATE540430T1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Wenqing Fang,Maoxing Zhou. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2012-01-15.

Elektrisch leitendes element, halbleitervorrichtung mit dem elektrisch leitenden element und verfahren zum herstellen einer wärmesenke

Номер патента: DE102014109489A1. Автор: Michael Nelhiebel,Stefan Wöhlert,Siegfried Röhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-01-14.

Halbleitervorrichtung mit einer ITO-Schicht

Номер патента: DE69329603D1. Автор: Masaru Sakamoto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-12-07.

Halbleitervorrichtung mit eingebautem Halbleiterwiderstand

Номер патента: CH503375A. Автор: Agusta Benjamin. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1971-02-15.

Halbleitervorrichtung mit gutem thermischem verhalten

Номер патента: ATE391342T1. Автор: Heinz Pape,Frank Hubrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-04-15.

Halbleitervorrichtung mit ausgesparten rändern und herstellungsverfahren

Номер патента: DE102015106576B4. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Halbleitervorrichtung mit auf Abstrahlplatte montiertem Element

Номер патента: DE69836652D1. Автор: Seiji Ichikawa,Takeshi Umemoto,Kazunari Sato,Kunihiko Tsubota,Tatsuya Miya,Keita Okahira,Toshiaki Nishibe,Toru Kitakoga,Yoshikazu Nishimura,Masato Suga,Kazuhiro Tahara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Harzzusammensetzung, lack, harzfolie und halbleitervorrichtung mit der harzfolie

Номер патента: ATE556118T1. Автор: Takahiro Harada,Kazuyoshi Fujita,Atsushi Izumi,Hiromi Oki,Yukiharu Ono,Yumiko Yamanoi. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2012-05-15.

Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit metallsubstrat

Номер патента: ATE537565T1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit wenigstens einer aluminiumhaltigen Elektrode

Номер патента: CH374428A. Автор: Bram Speyer Nico. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1964-01-15.

Halbleitervorrichtung mit wenigstens einer aluminiumenthaltenden Elektrode

Номер патента: CH389782A. Автор: Walraven Diederik,Veenemans Bart. Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1965-03-31.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien

Номер патента: DE69119946T2. Автор: Masaki Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-11-28.

Lichtemittierende Halbleitervorrichtung mit Fresnel-Linse

Номер патента: DE69124822D1. Автор: Hiroshi Goto,Yoshinori Ito,Koichi Imanaka,Kourou Kitajima,Ogata C O Omron Corporat Shiro. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1997-04-10.

Halbleitervorrichtung mit einem eine ansteuereinheit enthaltenden gehäuse

Номер патента: ATE480008T1. Автор: Peter Koellensperger,Doncker Rik W De. Владелец: Forschungsgemeinschaft Fuer Le. Дата публикации: 2010-09-15.

Halbleitervorrichtung mit einem Widerstand zum Abgleichen der Stromverteilung

Номер патента: DE102007001191A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Masuo Koga,Tetsuo Mizoshiri. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Halbleitervorrichtung mit integrierter schaltung

Номер патента: DE2364787A1. Автор: William John Nestork,Daniel Tuman,Larry Ernest Freed. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-07-11.

Struktur und Bildungsverfahren einer Halbleitervorrichtung mit Kondensatoren

Номер патента: DE102018108908A1. Автор: Han-Zong PAN,Shiuan-Jeng Lin,Chen-Chien Chang,Chiu-Hua Chung,Guo-Jyun LUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Halbleitervorrichtung mit metallischen Kontakten und/oder metallischen Schichten

Номер патента: DE1923253A1. Автор: Fuller Clyde Rhea,Cunningham James Alan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-12-11.

Halbleitervorrichtung mit wenigstens einem Transistor

Номер патента: DE1514251A1. Автор: Hospel Petrus Albertus Maria. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1969-06-19.

Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung mit einem leiterrahmen und vorrichtung hierzu

Номер патента: ATE498908T1. Автор: Paulus Hesen,Cornelis Schriks,De Water Peter Van. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-03-15.

Lichtemittierende halbleitervorrichtung mit fresnel-linse

Номер патента: ATE149743T1. Автор: Ogata Shiro,Hiroshi Goto,Yoshinori Ito,Koichi Imanaka,Shimo-Kaiinji Igadera,Kourou Kitajima. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 1997-03-15.

Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung mit Lotanschlussdrähten aus unterschiedlichen Materialien

Номер патента: DE69119946D1. Автор: Masaki Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-07-11.

Halbleitervorrichtung mit metallischen Kontakten und/oder metallischen Schichten

Номер патента: DE1924845A1. Автор: Fuller Clyde Rhea,Cunningham James Alan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1969-11-27.

Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Номер патента: DE102022102516A1. Автор: Katsumi Nakamura,Akihiko Furukawa,Koichi Nishi,Shinya SONEDA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Halbleitervorrichtung, verfahren zum herstellen derselben und igbt mit einer mit einer fremdstoffzone verbundenen emitterelektrode

Номер патента: DE102015101762B4. Автор: Thomas Gutt,Dorothea Werber,Volodymyr Komarnitskyy. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-09-28.

Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102023116381A1. Автор: Tomoaki Noguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE102014208306B4. Автор: Ryu KAMIBABA,Kensuke Taguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

Номер патента: DE112018001202T5. Автор: Daisaku Okamoto,Yuji Ibusuki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Stabilisierungsnetzwerk und Halbleitervorrichtung mit dem Stabilisierungsnetzwerk

Номер патента: DE102009017360A1. Автор: Kazutaka Takagi,Naotaka Tomita,Choon Yong NG. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Gate-strukturen für halbleitervorrichtungen

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