Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • MEMORY DEVICE TO EXECUTE READ OPERATION USING READ TARGET VOLTAGE

MEMORY DEVICE TO EXECUTE READ OPERATION USING READ TARGET VOLTAGE

Номер патента: US20200294607A1
Опубликовано: 17-09-2020
Автор(ы): MAEJIMA Hiroshi
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12131789B2. Автор: Jinyoung Kim,Sehwan Park,Joonsuc Jang,Seoyoung LEE,Jisang LEE,Junho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: EP3711053A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4202937A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11967371B2. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230197148A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US09627084B2. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory in which source line voltage is applied during a read operation

Номер патента: US09672929B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Mlc programming techniques in a memory device

Номер патента: US20230290419A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and memory system for using read compensation scheme and operating method of the same

Номер патента: US20240127897A1. Автор: Seon Ju Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20170004886A1. Автор: Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon,Myoung-Won Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory device

Номер патента: US20240265984A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Noboru Shibata,Akiyuki Murayama,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI,Motohiko FUJIMATSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Memory device and memory system

Номер патента: US20230057303A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Yuji Nagai,Makoto Miakashi,Tomoko KAJIYAMA,Hayato Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device

Номер патента: US20230207000A1. Автор: Noboru Shibata,Mitsuaki Honma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09859011B1. Автор: Yoshikazu Harada,Yuko Utsunomiya,Kosuke Yanagidaira,Hayato Konno,Jiyun Nakai,Hiroe Kami. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Plural operation of memory device

Номер патента: US20150063023A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yi Ching Liu,Tzung Shen Chen,Shuo Nan Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203509A1. Автор: Seungbum Kim,Hyun SEO,Yonghyuk Choi,Seungyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Reducing injection type of read disturb in a cold read of a memory device

Номер патента: WO2019147326A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Nonvolatile memory device for performing a partial read operation and a method of reading the same

Номер патента: US20190206500A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device to executed read operation using read target voltage

Номер патента: US09922717B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20210343350A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20190115089A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20230352105A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20180182464A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10186323B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US10699792B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-30.

Memory device to executed read operation using read target voltage

Номер патента: US20180082753A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US20200294607A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US11990190B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device to execute read operation using read target voltage

Номер патента: US11715533B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09786380B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

3D NAND memory device and control method thereof

Номер патента: US12057176B2. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Nonvolatile memory device, memory system, method of operating nonvolatile memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US09852804B2. Автор: Jong-Chul Park,Sang-Soo Park,Hyun-Young Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Open block-based read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20220293187A1. Автор: Xiaojiang Guo,Youxin He,Jong Hoon Kang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Programming a memory device in response to its program history

Номер патента: US09959931B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Partial block handling in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145010A1. Автор: Zhenlei Shen,Ugo Russo,Niccolo' Righetti,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Zhongguang Xu,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160172048A1. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated flag byte read during failed byte count read compensation in a memory device

Номер патента: US20240071534A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US20240355397A1. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Charge loss compensation during read operations in a memory device

Номер патента: US12057174B2. Автор: Theodore T. Pekny,Taehyun Kim,Michele Piccardi,Vivek Venkata Kalluru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240203499A1. Автор: ChiWeon Yoon,Dojeon Lee,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Pre-read operation for multi-pass programming of memory devices

Номер патента: US20230307058A1. Автор: Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Programming techniques in a memory device to reduce a hybrid slc ratio

Номер патента: US20240242764A1. Автор: JIA Li,Huiwen Xu,Ken Oowada,Bo Lei,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device to selectively perform a single sensing operation or a multi-sensing operation

Номер патента: US09570190B2. Автор: Ka Young CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and method of operating wordlines

Номер патента: US20240312540A1. Автор: Daehan Kim,Jongho AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device with fast write mode to mitigate power loss

Номер патента: US20240046990A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Juane LI,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and method for performing cache program on memory device

Номер патента: US20240221838A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US20160365149A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile memory device and worldline driving method thereof

Номер патента: US20160035423A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Programming memory devices

Номер патента: US20180286483A1. Автор: Tommaso Vali,Akira Goda,Pranav Kalavade,Carmine Miccoli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device for performing read operation

Номер патента: US20240290394A1. Автор: Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09990998B2. Автор: Noboru OOIKE,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US09412456B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09666296B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20200091175A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device including vertical channel structure

Номер патента: US20230104865A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device

Номер патента: EP4160600A1. Автор: Byungsoo Kim,Minjae Seo,Yongsung CHO,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240282391A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230052383A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Kohei Masuda,Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO,Akio SUGAHARA,Akihiro IMAMOTO,Mami Kakoi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230420054A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Kohei Masuda,Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO,Akio SUGAHARA,Akihiro IMAMOTO,Mami Kakoi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11783899B2. Автор: Masahiro Yoshihara,Kohei Masuda,Toshifumi Watanabe,Naofumi ABIKO,Akio SUGAHARA,Akihiro IMAMOTO,Mami Kakoi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Non-volatile memory device which utilizes a pulse applied to a bit line and/or a common source line between read operations to reduce noise

Номер патента: US11538533B2. Автор: Se Jun Park,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240005998A1. Автор: Byoung Jun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230402096A1. Автор: Jong Kyung Park,Dong Hun Kwak,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Page buffer, memory device including page buffer and memory system including memory device

Номер патента: US20240177786A1. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Reducing read disturb in two-tier memory device by modifying duration of channel discharge based on selected word line

Номер патента: US20200202961A1. Автор: Wei Zhao,Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device rewriting data after execution of multiple read operations

Номер патента: US20100290278A1. Автор: Doo Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-18.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device with erase loops

Номер патента: US11929123B2. Автор: Shingo NAKAZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240347084A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US12057190B2. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Triggering of stronger write pulses in a memory device based on prior read operations

Номер патента: US12131778B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert John Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device

Номер патента: US10839917B2. Автор: Mitsuaki Honma,Tomoko Araya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device

Номер патента: US09679662B1. Автор: Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US20160254038A1. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-01.

Nonvolatile memory devices, memory systems and related control methods

Номер патента: US09520168B2. Автор: Dongkyo Shim,Donghun Kwak,Hyun jun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Dynamic program window determination in a memory device

Номер патента: US09455043B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,William H. Radke,Tommaso Vali,Massimo Rossini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4439563A1. Автор: Junyeong Seok,Beomkyu Shin,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240331782A1. Автор: Junyeong Seok,Beomkyu Shin,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12096628B2. Автор: Koichiro Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Program continuation strategies after memory device power loss

Номер патента: US12119068B2. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Renato C. Padilla,Gary F. Besinga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Non-volatile memory device and related read method

Номер патента: US20140321209A1. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-30.

Non-volatile memory device and related read method using adjustable bit line connection signal

Номер патента: US09437313B2. Автор: Eun-Jin Yun,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US09595344B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09437307B2. Автор: Masaru Kito,Hitoshi Iwai,Ryu Ogiwara,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240071440A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09633741B1. Автор: Kenji Sawamura,Michiaki Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20220115075A1. Автор: Won Jae Choi,Da Woon Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device which performs verify operations using different sense node pre-charge voltages and a common discharge period

Номер патента: US09721671B2. Автор: Farookh Moogat,Jong Hak Yuh,Kwang-Ho Kim,Alexander Chu,YenLung Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220406384A1. Автор: Shingo NAKAZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Operation method for memory device

Номер патента: US20220013180A1. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor pillars charged in read operation

Номер патента: US09589660B1. Автор: Takeshi Nakano,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Erase system and method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09431115B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Read Model of Memory Cells using Information Generated during Read Operations

Номер патента: US20220044756A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Robert Khayat,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09905301B2. Автор: Ji-Sang LEE,Pil Seon YOO,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US12027203B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20210134360A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US10923186B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US20230290407A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of reading data from a nonvolatile memory device, nonvolatile memory device, and method of operating a memory system

Номер патента: US09412471B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240347116A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Error correction operations in a memory device

Номер патента: US09367391B2. Автор: William Lam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor memory device to hold 5-bits of data per memory cell

Номер патента: US11699486B2. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and read operation during suspension of program operation thereof

Номер патента: US12087366B2. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240257869A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4404199A1. Автор: Yusuke Komano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09564228B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Wear leveling for a memory device

Номер патента: US09710376B2. Автор: Robert Baltar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US20240282388A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, memory system, and read operation method thereof

Номер патента: EP4437541A1. Автор: LEI Jin,Ying Huang,Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device

Номер патента: US20220115058A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Non-volatile memory device having adjustable read voltage, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US09606864B2. Автор: Seung-yeon Lee,Hee-Woong Kang,Jong-Nam Baek,San Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303000A1. Автор: Tomonori Takahashi,Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Dynamic adjustment of offset voltages for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20230074966A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick Robert Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US11854624B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Dynamic adjustment of offset voltages for reading memory cells in a memory device

Номер патента: US20220076760A1. Автор: Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Patrick Robert Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Non-volatile memory device and erasing operation method thereof

Номер патента: US20230154543A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199168A1. Автор: Yusuke Umezawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11562795B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210327515A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device, storage apparatus and method for diagnosing slow memory cells

Номер патента: US09508421B2. Автор: Masahiro Ise,Osamu Ishibashi,Yoshinori Mesaki,Michiyo Garbe. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09684552B2. Автор: Eun-Hye PARK,Jun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210082509A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3D NAND memory devices

Номер патента: US12136453B2. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Transient and stable state read operations of a memory device

Номер патента: US20240062829A1. Автор: Ugo Russo,Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11081188B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Read operation or word line voltage refresh operation in memory device with reduced peak current

Номер патента: US20220366990A1. Автор: Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Performing read operations on a memory device

Номер патента: US09865357B1. Автор: Deepak Thimmegowda,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Shantanu R. Rajwade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Nonvolatile memory device controlling common source line for improving read characteristic

Номер патента: US20060072358A1. Автор: Jin-Yub Lee,Sang-Chul Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20120020160A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Methods and systems for compensating for degradation of resistive memory device

Номер патента: US20200051629A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170062058A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09711226B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09570182B1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3d nand memory devices

Номер патента: US20240046980A1. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Capacitive sensing with a micro pump in a memory device

Номер патента: US20240257842A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihiko Kamata,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11756632B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11776632B2. Автор: Masumi SAITOH,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310170A1. Автор: Masumi SAITOH,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12148482B2. Автор: Takeshi Hioka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of rewriting data of memory device, memory controller controlling the memory device, and controlling method of the memory controller

Номер патента: US20200202953A1. Автор: Eun Chu Oh,Young-geun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210012841A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Adaptive scanning of memory devices with supervised learning

Номер патента: US12050777B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Determination of demarcation voltage for managing drift in non-volatile memory devices

Номер патента: US09691492B1. Автор: Zion S. Kwok,Philip Hillier,Bruce Querbach,Christopher F. Connor,Jeffrey W. RYDEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and storage system including semiconductor memory device

Номер патента: US11881268B2. Автор: Se Jun Park,Hye Ji Lee,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and storage system including semiconductor memory device

Номер патента: US20240153563A1. Автор: Se Jun Park,Hye Ji Lee,Jin-Kyu Kang,Jae Duk Lee,Rae young Lee,Gu Yeon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Non-volatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US20190156897A1. Автор: Sung-Whan Seo,Jun-Gyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile memory device for performing duty correction operation, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09583162B1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and method of reading data

Номер патента: US20200365213A1. Автор: Ji Young Lee,Seung Bum Kim,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9892040B2. Автор: Kenichi Abe,Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Compensation of back pattern effect in a memory device

Номер патента: US20110194350A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-11.

Compensation of back pattern effect in a memory device

Номер патента: US7936606B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Tommaso Vali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Access line management in a memory device

Номер патента: US09514829B2. Автор: Benjamin Louie,Aaron S. Yip,Ali Mohammadzadeh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11295818B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294597A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile memory device, operating method thereof, and storage device having the same

Номер патента: US11854627B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Jin Shin,Ji Su Kim,Dae Seok Byeon,Ji Sang Lee,Eun Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20200294596A1. Автор: Hee Joung PARK,Won Chul SHIN,Kyeong Seung KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: US20240233833A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: WO2024145860A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-11.

Read offset compensation in read operation of memory device

Номер патента: EP4416730A1. Автор: Hua Tan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210358552A1. Автор: Nayuta Kariya,Muneyuki TSUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US20110305092A1. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-12-15.

Non-volatile memory device with controlled discharge

Номер патента: US8441865B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-05-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device

Номер патента: US12131773B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Read level compensation for partially programmed blocks of memory devices

Номер патента: US20240087655A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou,Paing Z. Htet,Thomas Fiala,Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device storing management data redundantly in different pages

Номер патента: US09627077B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device performing double data rate operation in reading operation and method thereof

Номер патента: KR100546418B1. Автор: 유동열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US20240256155A1. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190295657A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US20240045601A1. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory read operation using a voltage pattern based on a read command type

Номер патента: US11972122B2. Автор: Yu-Chung Lien,Ching-Huang Lu,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: WO2006026043A1. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2006-03-09.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: EP1787300A1. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-23.

Approach for zero dummy byte flash memory read operation

Номер патента: EP1787300A4. Автор: Srinivas Perrisetty. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170011795A1. Автор: Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki,Naoko KIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09548107B1. Автор: Osamu Torii,Masanobu Shirakawa,Ryo Yamaki,Naoko KIFUNE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory system and method for read operation based on grouping of word lines

Номер патента: US20200185040A1. Автор: Fan Zhang,Naveen Kumar,Yu Cai,Aman BHATIA,Chenrong Xiong,Xuanxuan Lu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Cross-temperature compensation based on media endurance in memory devices

Номер патента: US20240069745A1. Автор: Hyungseok Kim,Sampath K. Ratnam,Vamsi Pavan Rayaprolu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US12106810B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: US20090147584A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: WO2007075708A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF PERFORMING READ OPERATIONS

Номер патента: US20140036593A1. Автор: Kim Seung-bum. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-06.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11756629B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Corrective read with partial block offset in a memory device

Номер патента: US20240312529A1. Автор: Shyam Sunder Raghunathan,Karan Banerjee,Waing Pyie Soe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method and controller for managing memory device

Номер патента: US09570183B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Systems and methods for staggering read operation of sub-blocks

Номер патента: US11875842B2. Автор: Deepanshu Dutta,Tai-Yuan Tseng,Yu-Chung Lien. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory arrays, memory devices and methods of reading memory cells

Номер патента: US20100259990A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Controlling pillar voltage using wordline boost voltage and select gate leakage during all levels programming of a memory device

Номер патента: US20240339158A1. Автор: Lee-Eun Yu,Tomoko Ogura Iwasaki,Fulvio Rori,Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda,Albert Fayrushin,Jeffrey S. McNeil,Justin Bates,Yeang Meng Hern. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09685236B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory chip, memory device, and reading method

Номер патента: US09543027B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Three dimensional semiconductor memory device with line sharing scheme

Номер патента: US09484099B2. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Memory device and methods

Номер патента: US20240331786A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and read operation thereof

Номер патента: WO2024138879A1. Автор: Ling Chu,Shuang Liu,Manxi Wang,Sanshan Jiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Read operation with capacity usage detection scheme

Номер патента: US20240177781A1. Автор: Jun Wan,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Partial block handling protocol in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240312526A1. Автор: Tingjun Xie,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US20240371446A1. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Storage device related to performing a read operation and method of operating the storage device

Номер патента: US11854626B2. Автор: Kang Woo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory device that performs an advance reading operation

Номер патента: US09620230B2. Автор: Tetsuya Iwata,Shinya Takeda,Yoshio Furuyama,Shunsuke KODERA,Toshihiko KITAZUME,Kenichirou KADA,Nobuhiro Tsuji,Hirosuke NARAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Nonvolatile memory device, with valley search for threshold voltage, memory controller, and reading method of storage device including the same

Номер патента: US11868647B2. Автор: Jinyoung Kim,Ilhan Park,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Low power read method and a memory device capable thereof

Номер патента: US20230282288A1. Автор: Xiang Yang,James Kai,Yuki Mizutani,Deepanshu Dutta,Ohwon KWON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device read training method

Номер патента: US20190080771A1. Автор: Sungjin Han. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Memory system having lower pages and upper pages performing status read operation and method of operating the same

Номер патента: US9691448B2. Автор: Sok Kyu Lee,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Dual bank flash memory device and method

Номер патента: EP1282134A3. Автор: Luca Giovanni Fasoli. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-06-23.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: EP2263154A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: US20120057408A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-03-08.

Analog read and write paths in a solid state memory device

Номер патента: WO2009126516A2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-10-15.

Headroom management during parallel plane access in a multi-plane memory device

Номер патента: US20230105208A1. Автор: Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210005268A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Seung-Bum Kim,Su-Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Operating method of memory controller controlling non-volatile memory device performing refresh read operation

Номер патента: US09984757B2. Автор: Hyun-Jin Choi,Joon-Ho Lee,Dong-hoon Ham,Sil-Wan Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Operating a memory device using a program order stamp to control a read voltage

Номер патента: US09715341B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory system managing number of read operations using two counters

Номер патента: US20230280943A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory system and method for managing number of read operations using two counters

Номер патента: US12050812B2. Автор: Yoshihisa Kojima,Suguru NISHIKAWA,Takehiko Amaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory devices supporting read/modify/write memory operations involving both volatile memory and nonvolatile memory

Номер патента: US20230153247A1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Flash-Control LLC. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

System and method of performing a read operation

Номер патента: US20240272804A1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

System and method of performing a read operation

Номер патента: US12061799B1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

System and method of performing a read operation

Номер патента: WO2024168527A1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Varying-polarity read operations for polarity-written memory cells

Номер патента: US20240312518A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Hari Giduturi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

System and method of performing a read operation

Номер патента: US20240329858A1. Автор: Yu Wang,Xiaojiang Guo,Zhichao DU,Daesik Song,Zhuqin DUAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: WO2022204850A1. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11763892B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Copyback clear command for performing a scan and read in a memory device

Номер патента: US12105961B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Violante Moschiano,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Jeffrey S. McNeil,Sead Zildzic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use

Номер патента: WO2020159581A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for varying program state separation based upon frequency of use

Номер патента: EP3918534A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory Device And Method For Varying Program State Separation Based Upon Frequency Of Use

Номер патента: US20200243139A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of identifying information related to an eye open monitor (EOM) operation performed in a memory device, and memory system performing the method

Номер патента: US12067292B2. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Young San KANG,Sung Tack HONG,Kwang Won Park,YeJin Cho,Hyunsoo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Corrective read of a memory device with reduced latency

Номер патента: US20240264771A1. Автор: Tao Liu,Zhengang Chen,Ting Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240071478A1. Автор: Yoshinao Suzuki,Masami Masuda,Hideyuki Kataoka,Kazuyoshi Muraoka,Yoshikazu HOSOMURA,Mai SHIMIZU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Memory device and method having on-board processing logic for facilitating interface with multiple processors, and computer system using same

Номер патента: US09959929B2. Автор: David Resnick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory device configuration commands

Номер патента: US09940052B2. Автор: Umberto Siciliani,Anna Chiara Siviero,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Read operations and circuits for memory devices having programmable elements, including programmable resistance elements

Номер патента: US09570166B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Narbeh Derhacobian,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device performing read retry mode and operating method of the same

Номер патента: US09293209B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Seung Hwan BAIK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Managing pre-programming of a memory device for a reflow process

Номер патента: US11735267B2. Автор: Tomoko Iwasaki,Ji-Hye Shin,Foroozan S. Koushan,Jayasree Nayar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Managing pre-programming of a memory device for a reflow process

Номер патента: US20210343346A1. Автор: Tomoko Iwasaki,Ji-Hye Shin,Foroozan S. Koushan,Jayasree Nayar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

One-time programmable (OTP) memory device

Номер патента: US09984755B2. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20230393936A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US11966289B2. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Nonvolatile memory device supporting protection mode and memory system including the same

Номер патента: US11853601B2. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030030087A1. Автор: Makoto Ooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Soft read operations with progressive data output

Номер патента: NL2031797A. Автор: Khakifirooz Ali,Motwani Ravi,Chen Renjie,Ramalingam Anand,Kalwitz George. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-19.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10720208B2. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Memory device for performing read protection operation of limiting read operation and method of operating the same

Номер патента: US20240153546A1. Автор: Byung Goo CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200090741A1. Автор: Shinji Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Page buffer program command and methods to reprogram pages without re-inputting data to a memory device

Номер патента: EP2351040A1. Автор: Luca Fasoli,Yuheng Zhang,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2011-08-03.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile memory device having multiple read circuits and using variable resistive materials

Номер патента: US20140247646A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Chae-Hoon Kim,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile memory device using a variable resistive element

Номер патента: US20100142249A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor memory device, and read method and read circuit for the same

Номер патента: US20080008007A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Decoder for memory device

Номер патента: WO2006096783A1. Автор: Takao Akaogi. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: US20240170034A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Enhanced valley tracking with trim setting updates in a memory device

Номер патента: US20240096408A1. Автор: Yingda Dong,Ching-Huang Lu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatuses and methods to perform continuous read operations

Номер патента: US20190340125A1. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Pierluca Guarino,Marco Ruta,Salvatore Giove,Maria Luisa Gambina,Fabio Indelicato,Giovanni Nunzio Maria Avenia,Carmela Maria Calafato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: US11880229B2. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: US20240111910A1. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Security capsule for enabling restricted features of a memory device

Номер патента: EP4016356A1. Автор: Robert W. Strong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

A write-read circuit with a bit line multiplexer for a memory device

Номер патента: EP4376007A1. Автор: Mohit Gupta,Stefan Cosemans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-05-29.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Apparatuses and methods to perform continuous read operations

Номер патента: US11093392B2. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Pierluca Guarino,Marco Ruta,Salvatore Giove,Maria Luisa Gambina,Fabio Indelicato,Giovanni Nunzio Maria Avenia,Carmela Maria Calafato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Apparatuses and methods to perform continuous read operations

Номер патента: US20200242033A1. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Pierluca Guarino,Marco Ruta,Salvatore Giove,Maria Luisa Gambina,Fabio Indelicato,Giovanni Nunzio Maria Avenia,Carmela Maria Calafato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Identifying a read operation for a storage device based on a workload of a host system

Номер патента: WO2019147490A1. Автор: Marc HAMILTON. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-01.

Identifying a read operation for a storage device based on a workload of a host system

Номер патента: EP3743800A1. Автор: Marc HAMILTON. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-02.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device, memory system, and method for operating memory device

Номер патента: US09818493B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Non-volatile memory device, and storage apparatus to reduce a read retry occurrence frequency and prevent read performance from lowering

Номер патента: US09898201B2. Автор: Hiroshi Hirayama,Yoshihiro Oikawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Charge loss mitigation throughout memory device lifecycle by proactive window shift

Номер патента: US20240241672A1. Автор: Steven Michael Kientz,Vamsi Pavan Rayaprolu,Ugo Russo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200241796A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device with charge-recycling arrangement and method of operating the same

Номер патента: US20230178120A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Overlapping write schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US09911494B1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Xor data recovery schemes nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240347122A1. Автор: Xiang Yang,Luca Fasoli,Deepanshu Dutta. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20200394103A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: EP3983898A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20220237081A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Memory device with status feedback for error correction

Номер патента: US20230418708A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory cell read operation techniques

Номер патента: US12094533B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Francesco Mastroianni,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device for interruptible memory refresh

Номер патента: US09972376B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Joab D. Henderson,William P. Hovis,Carlos A. Fernandez,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Operating method of memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US09766973B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Youngsuk Ra,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US20240004550A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Compensating a long read time of a memory device in data comparison and write operations

Номер патента: EP1649468A1. Автор: Eric H. J. Persoon. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-04-26.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device

Номер патента: US20190088298A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Jieyun ZHOU,Yorinobu FUJINO,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09978449B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09691481B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and memory system including same

Номер патента: US09607678B2. Автор: Seung Hoon Oh,Jong Ho Lee,Tae Young Oh,Kwang Il Park,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Path isolation in a memory device

Номер патента: US09466365B2. Автор: Hernan A. Castro. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020161981A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device, memory system including the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US20200133501A1. Автор: Hyun Woo Lee,Young Gyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device with multiple input/output interfaces

Номер патента: US12079479B2. Автор: Jonathan S. Parry,Chang H. Siau. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030105916A1. Автор: Haruki Toda,Kenji Tsuchida,Hitoshi Kuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-05.

Nonvolatile memory device using resistive elements and an associated driving method

Номер патента: US20090040819A1. Автор: Byung-Gil Choi,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Memory device and memory system with a self-refresh function

Номер патента: US12094514B2. Автор: Chih-Chiang LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240370333A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Block erase schemes for cross-point non-volatile memory devices

Номер патента: US09928907B1. Автор: Jay Kumar,Won Ho Choi,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

High throughput programming system and method for a phase change non-volatile memory device

Номер патента: US09697896B2. Автор: Antonino Conte,Kailash Khairnar,Alberto Jose′ Di Martino. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09384152B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device

Номер патента: US20220244889A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device provided with dram memory circuits arranged in such a way as to minimize the size of a memory block allowing management of the row-hammering

Номер патента: US20240233800A9. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US20230335181A1. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Early read after write operation memory device, system and method

Номер патента: US20060203532A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device and system having a variable depth write buffer and preload method

Номер патента: US20040066673A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-04-08.

Early read after write operation memory device, system and method

Номер патента: US20040001349A1. Автор: Richard Perego,Frederick Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2004-01-01.

Performing read operations on grouped memory cells

Номер патента: US20220392500A1. Автор: Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Protocol For Refresh Between A Memory Controller And A Memory Device

Номер патента: US20240242751A1. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: US20240345944A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory devices and electronic devices including the semiconductor memory devices

Номер патента: US12119048B2. Автор: Seunghan Kim,Gunhee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory module including memory devices to which unit id is assigned and storage device including the same

Номер патента: EP4459620A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Dynamic control of power consumption based on memory device activity

Номер патента: US09898059B2. Автор: Barak Rotbard,Assaf Shappir. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Protocol for refresh between a memory controller and a memory device

Номер патента: US09570145B2. Автор: Frederick A. Ware,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Read operations for a memory array and register

Номер патента: US20240242746A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Volatile memory device included in memory system and method for extending life expectancy thereof

Номер патента: US20240248610A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US12096611B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device having different data-size access modes for different power modes

Номер патента: US09711192B2. Автор: Seong-Jin Jang,Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09690510B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Accessing a serial number of a removable non-volatile memory device

Номер патента: US09552855B2. Автор: Robert D. Widergren,Eric R. Hamilton,John L. Douglas. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Data storage device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US11880601B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory Device with Internal Combination Logic

Номер патента: US20160307611A1. Автор: Mark Alan McClain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

Adaptive frequency control for high-speed memory devices

Номер патента: US20220058070A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou,Murong Lang,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Frame protocol of memory device

Номер патента: US20200159687A1. Автор: Brent Keeth,James Brian Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Improving reliability, availability, and serviceability in a memory device

Номер патента: EP2035938A2. Автор: Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US20240118806A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200111525A1. Автор: Dean D. Gans,Timothy B. Cowles,Nathaniel J. Meier,Jiyun Li,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Testing architecture for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030005372A1. Автор: K. T. Hsiao,Hao-Liang Lo,Li-Yang Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory device and semiconductor device including memory device

Номер патента: US20160172021A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US12061561B2. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US20070121400A1. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-31.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12100470B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Managing content addressable memory devices

Номер патента: US12086414B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Supplying voltage to a bit line of a memory device

Номер патента: US7436721B2. Автор: Gunther Lehmann,Siddharth Gupta,Yannick Martelloni,Devesh Dwivedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-10-14.

Memory device

Номер патента: US20240312505A1. Автор: Naoki Matsushita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device supporting a high-efficient input/output interface and a memory system including the memory device

Номер патента: US20240370386A1. Автор: YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Jindo BYUN,Hyungmin Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory devices having embedded hardware acceleration and corresponding methods

Номер патента: US09965387B1. Автор: Dinesh Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Power supply including regulating transistor for providing current to a load and non-volatile memory devices produced accordingly

Номер патента: US09892763B2. Автор: Alexander Kushnarenko. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of programming one-time programmable (OTP) memory device and method of testing semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09754678B2. Автор: Do-Hoon Byun,Chang-Su Sim,Na-Rae Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device with internal combination logic

Номер патента: US09646661B2. Автор: Mark Alan McClain. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device capable of performing read operation and write operation simultaneously

Номер патента: US09633712B1. Автор: Chung-Hao Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory device and semiconductor device including memory device

Номер патента: US09583177B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and device to distribute code and data stores between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US09582216B2. Автор: Balaji Vembu,Murali Ramadoss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device

Номер патента: US09552872B2. Автор: Seongook JUNG,Juhyun Park,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-01-24.

Three-dimensional memory device containing CMOS devices over memory stack structures

Номер патента: US09530790B1. Автор: Wei Zhao,Zhenyu Lu,Jian Chen,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Andrew Lin,Henry Chien,Wenguang Stephen Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US12027227B2. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Configurable resistivity for lines in a memory device

Номер патента: US12040014B2. Автор: Jian Jiao,Michael P. O'Toole,Jason R. Johnson,William L. Cooper,Koushik Banerjee,Isaiah O. Gyan,Robert Cassel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of arranging fuses in a fuse box of a semiconductor memory device and a semiconductor memory device including such an arrangement

Номер патента: US20080101141A1. Автор: Chul-Hwan Choo,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of performing internal processing operations with pre-defined protocol interface of memory device

Номер патента: US12087388B2. Автор: Hak-soo Yu,Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and write and read operation method for the same

Номер патента: US09886197B2. Автор: Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system for power signature suppression in memory devices

Номер патента: US09870810B2. Автор: Wlodek Kurjanowicz,Betina Hold. Владелец: Sidense Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Impedance adjustment in a memory device

Номер патента: US09779039B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive memory device having a trimmable resistance of at least on of a driver and a sinker is trimmed based on a row location

Номер патента: US09679643B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

System managing a plurality of flash memory devices

Номер патента: US09495105B2. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device to correct defect cell generated after packaging

Номер патента: US09455047B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory controller and method of operating the same for processing the failed read operation

Номер патента: US11037639B2. Автор: Dong Hyun Kim,Seung Il Kim,Youn Ho Jung,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device

Номер патента: EP1305713A1. Автор: Amir Ban,Moshe Gefen,Shuka Zernovizky. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2003-05-02.

Memory device with microbumps to transmit data for a machine learning operation

Номер патента: US20210173583A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Characterization profiles of memory devices

Номер патента: US20170357463A1. Автор: Cullen E. Bash,Naveen Muralimanohar. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Memory package performing training operation using address-delay mapping and memory system including the same

Номер патента: US20240257848A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK,Hwanseok KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US20230297523A1. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device with recycling arrangement for gleaned charge

Номер патента: US20200098403A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory device and memory system for executing a test

Номер патента: US20220262448A1. Автор: Hyun Seung Kim,Hyeong Soo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8279695B2. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103124A1. Автор: Masahiro Yoshida,Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US12093195B2. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device which generates improved read current according to size of memory cell

Номер патента: US12094509B2. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Low power management for sleep mode operation of a memory device

Номер патента: US20240312494A1. Автор: Jun Shen,June Lee,Qisong Lin,Shuai Xu,Michele Piccardi,Scott A. Stoller,Arvind Muralidharan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Techniques for command bus training to a memory device

Номер патента: US20240370390A1. Автор: Christopher P. Mozak,Alvin Shing Chye Goh,Steven T. TAYLOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09805781B2. Автор: Naoki Shimizu,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory devices, memory systems, and related operating methods

Номер патента: US09406359B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US11776623B2. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US20220366970A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US20220108744A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Quality of service for memory devices using suspend and resume of program and erase operations

Номер патента: US20210124498A1. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US11990174B2. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory devices providing in situ computing using sequential transfer of row buffered data and related methods and circuits

Номер патента: US20210142846A1. Автор: Patricia Gonzalez,Kevin Skadron,Mircea R. Stan,Marzieh Lenjani. Владелец: UNIVERSITY OF VIRGINIA PATENT FOUNDATION. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US20180151203A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Memory device with configurable internal error correction modes

Номер патента: EP3928206A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device, controller, memory system and method of operating the same

Номер патента: US20240274217A1. Автор: Jin Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Methods and systems for managing read operation of memory device with single ended read path

Номер патента: US12087387B2. Автор: Ved Prakash,Manish Chandra Joshi,Lava Kumar PULLURU,Poornima VENKATASUBRAMANIAN,Pushp KHATTER. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device for processing operation, data processing system including the same, and method of operating the memory device

Номер патента: US12106107B2. Автор: Hak-soo Yu,Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240312513A1. Автор: Hiroshi Yoshihara,Tomohiko Ito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Detecting a cryogenic attack on a memory device with embedded error correction

Номер патента: US09940457B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile memory device including memory cells having variable resistance values

Номер патента: US09892783B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Error correction code unit, self-test method and associated controller applied to flash memory device for generating soft information

Номер патента: US09703627B2. Автор: Chen-Yu Weng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device, memory controller and memory system

Номер патента: US20100146201A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Hitoshi Ikeda,Toshiya Uchida,Tetsuo Miyamoto,Yoshinobu Yamamoto,Shinnosuke Kamata,Masanori Kurita,Hidenaga Takahashi,Ayako Sato,Tatsushi Otsuka,Tatsuya Kanda,Satoru Shirakawa,Tomohiro Kawakubo,Syusaku Yamaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Multidimensional pseudorandom binary sequence analysis for a memory device

Номер патента: US20200411121A1. Автор: Ravi Kumar,Richard Galbraith,Niranjay RAVINDRAN,Henry Yip,Jonas Goode. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US20050146926A1. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Metal-free silicon-molecule-nanotube testbed and memory device

Номер патента: US20070111486A1. Автор: Bo Chen,James Tour,Jason Stephenson,Condell Doyle,Jianli He,Austen Flatt. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2007-05-17.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US20240265961A1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US6894923B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US7110285B2. Автор: Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, read clock generation circuit, and method for controlling read operation in memory device

Номер патента: US20240339140A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US09659628B2. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device including precharge circuit

Номер патента: US09607669B2. Автор: Koji Kohara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US09424888B2. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

High bandwidth narrow I/O memory device with command stacking

Номер патента: US6065093A. Автор: Erik L. Hedberg,Timothy J. Dell,Mark W. Kellogg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230315343A1. Автор: Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20150194210A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory device, manufacturing method for memory device and method for data writing

Номер патента: US20110242895A1. Автор: Daisuke Watanabe,Toshiyuki Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Memory device having integral instruction buffer

Номер патента: WO2010139850A1. Автор: Kimmo Kalervo Kuusilinna,Eero Tapani Aho,Jari Antero Nikara. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2010-12-09.

Neuromorphic operations using posits

Номер патента: US12112258B2. Автор: Richard C. Murphy,Vijay S. Ramesh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Driving method of nonvolatile memory device using variable resistive element

Номер патента: US09659644B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device

Номер патента: US20240145001A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and test method of memory device

Номер патента: US20230402123A1. Автор: Jaewon Park,Sukhan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Read and write methods for a resistance change non-volatile memory device

Номер патента: US09484090B2. Автор: Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Ryotaro Azuma,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Identifying high impedance faults in a memory device

Номер патента: US20210335410A1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Daniel S. Miller. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Program and read operations using different gray codes and memory device for performing the same

Номер патента: US11854613B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Yunxiang Wu,Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Selectively operable memory device

Номер патента: US20210165569A1. Автор: Vijay S. Ramesh,Allan Porterfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Parameter estimation based on previous read attempts in memory devices

Номер патента: US20220398031A1. Автор: Fan Zhang,Aman BHATIA,Meysam Asadi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210118481A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device

Номер патента: US12079482B2. Автор: Sukhan Lee,Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: US7298199B2. Автор: Chi-wook Kim,Han-Gyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-20.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20210304812A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: EP4111451A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-04.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: WO2021202064A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-10-07.

Memory cell biasing techniques during a read operation

Номер патента: US20220270667A1. Автор: Angelo Visconti,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor memory device and method of performing setting operation in semiconductor memory device

Номер патента: US9312003B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Chika Tanaka,Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Operation method of controller configured to control nonvolatile memory device and operation method of storage device

Номер патента: US12002519B2. Автор: Heewon Lee,Kwangwoo Lee,Yunjung LEE,Sangjin Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: EP3973399A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: WO2020236403A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Current monitor for a memory device

Номер патента: US20210098046A1. Автор: Debra M. Bell,Aaron P. Boehm,Kristen M. HOPPER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP3985494A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Semiconductor memory device and information processing apparatus

Номер патента: US20140078834A1. Автор: Hirotoshi Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Internal voltage generating apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030179618A1. Автор: Tae Kim,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Data buffer for memory devices with unidirectional ports

Номер патента: US20240256131A1. Автор: Christopher Haywood. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Scheduling of read operations and write operations based on a data bus mode

Номер патента: US20240104030A1. Автор: Wei Wang,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu,Samir Mittal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device, memory system including memory device, and method of operating memory system

Номер патента: US20210182144A1. Автор: Tae Ho Lee,Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Transmission of data for a machine learning operation using different microbumps

Номер патента: US20210173755A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory die including local processor and global processor, memory device, and electronic device

Номер патента: US20210225430A1. Автор: Seongil O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Management of power during memory device reset and initialization

Номер патента: US11775218B2. Автор: Liang Yu,Jonathan Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device with a logical-to-physical bank mapping cache

Номер патента: US20140052912A1. Автор: Mohammad Issa,Weihuang Wang,Chien-Hsien Wu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US11953988B2. Автор: Aaron P. Boehm,Scott E Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Boosting circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US20040240279A1. Автор: Yi Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Memory devices and electronic devices outputing event data related to occurrences of errors and operating methods of memory devices

Номер патента: US20240161850A1. Автор: Byeongho Kim,Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Hweesoo KIM,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Memory device, method of operating memory device, and computer system including memory device

Номер патента: US20210124679A1. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Taeyun Lee,Taehong KWON,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11929106B2. Автор: Fumiyoshi Matsuoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: EP4398117A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device reducing i/o signal lines through i/o mapping connection and memory system including the same

Номер патента: US20240232066A1. Автор: Sang-Won Park,Jooyong PARK,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Phase change memory system, phase change memory device, and phase change memory device refresh method

Номер патента: US20210118500A1. Автор: Kwang Jin Lee,Yoon Sung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Transistor configurations for multi-deck memory devices

Номер патента: US20240194671A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and system for analyzing a refresh rate of a volatile memory device

Номер патента: US20170062073A1. Автор: Michael Shaun Backsen,Frank D. Simon,Jennie Colleen Grosslight. Владелец: Keysight Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Built-in-self-test and self-repair methods and devices for computer memories comprising a reconfiguration memory device

Номер патента: US20020019957A1. Автор: Yervant Zorian,Hai Quang Pham,Ilyoung Kim,Goh Komoriya,Frank P. Higgins. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: EP3563214A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-11-06.

Enabling functions of a memory device in a plurality of phases

Номер патента: WO2018125475A1. Автор: Zeljko Zupanc,Andrew Morning-Smith,Adrian MOCANU. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: WO2019231589A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-12-05.

Access schemes for activity-based data protection in a memory device

Номер патента: US20210335407A1. Автор: Corrado Villa,Andrea Martinelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Staggered refresh counters for a memory device

Номер патента: US20210304814A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for copying data within memory device, memory device, and electronic device thereof

Номер патента: US20240256451A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Independently controlled virtual memory devices in memory modules

Номер патента: EP2313891A1. Автор: Norman P. Jouppi,Jung Ho Ahn,Jacob B. Leverich. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2011-04-27.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Operating method of memory system including memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US20220208271A1. Автор: Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Three-dimensional nand memory device and system and method for performing read operations thereof

Номер патента: US20240192857A1. Автор: Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Methods and apparatus for byte alignment operations for a memory device that stores an odd number of bytes

Номер патента: US20010032302A1. Автор: Raymond Chan,Mario Au. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Vector processing in an active memory device

Номер патента: US09535694B2. Автор: Daniel A. Prener,Ravi Nair,Bruce M. Fleischer,Thomas W. Fox,Hans M. Jacobson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device, operating method of memory device and memory system

Номер патента: US20240311054A1. Автор: Eun Chu Oh,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Vector processing in an active memory device

Номер патента: US09575755B2. Автор: Daniel A. Prener,Ravi Nair,Bruce M. Fleischer,Thomas W. Fox,Hans M. Jacobson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Symmetric bit coding for printed memory devices

Номер патента: US20170068830A1. Автор: Jeffrey Michael FOWLER. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

Apparatus and method for programming or reading data based on a program status of a non-volatile memory device

Номер патента: US12147669B2. Автор: Seung Hwan SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and device to protect data

Номер патента: RU2488876C2. Автор: Алекс ВИНОКУР. Владелец: Акссана (Израэль) Лтд.. Дата публикации: 2013-07-27.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US12039192B2. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Read operations for active regions of a memory device

Номер патента: US12050786B2. Автор: Lingyun Wang,Bin Zhao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Compute architecture in a memory device of distributed computing system

Номер патента: US20170052858A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Wesley B. Leggette,Andrew D. Baptist,Greg R. Dhuse,S. Christopher Gladwin,Thomas F. Shirley, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Memory devices performing selective post package repair, electronic devices including the same, and operating methods of the same

Номер патента: US20240362109A1. Автор: Taekhoon KIM,June-Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Efficient suspend-resume operation in memory devices

Номер патента: US09779038B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Shai Ojalvo,Asaf Schushan,Asaf Vega. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US12026403B1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Method and apparatus for performing configuration management of memory device in predetermined communications architecture with aid of electronic fuse data preparation, and associated computer-readable medium

Номер патента: US20240220159A1. Автор: Hong-Ren Fang,Guo-Jhang Hong,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Logical unit number queues and logical unit number queue scheduling for memory devices

Номер патента: US20240248647A1. Автор: Mark Ish,Shakeel Isamohiuddin Bukhari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Using a persistent byte-addressable memory in a compute express link (cxl) memory device for efficient power loss recovery

Номер патента: US20240311019A1. Автор: Rohit Sehgal,Vishal TANNA,Eishan MIRAKHUR. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Crash-consistent persistent memory devices and methods

Номер патента: WO2024217677A1. Автор: Hillel Avni,Raanan Sade,Leeor Peled,Idan Levy. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-24.

Errors and erasures decoding from multiple memory devices

Номер патента: US09680509B2. Автор: Zion S. Kwok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Securely storing machine data on a non-volatile memory device

Номер патента: US20230368608A1. Автор: Garrett Hill,Rajendrasinh Jadeja,Nimish Purohit,Tyson Adams,Rex Carlson. Владелец: Aristocrat Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Memory controller and memory system including the memory controller and memory device

Номер патента: US20240264744A1. Автор: Se Chang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Managing Memory Devices in a Storage Network

Номер патента: US20230280911A1. Автор: Gary W. Grube,Manish Motwani,Jason K. Resch,Ilya Volvovski,Timothy W. Markison. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Read performance of memory devices

Номер патента: US12086467B2. Автор: Yi-Chun Liu,Ting-Yu Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Techniques for firmware enhancement in memory devices

Номер патента: US12112066B2. Автор: Jia Sun,Ming Ma,Zhengbo Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Selection of erase policy in a memory device

Номер патента: US20240370364A1. Автор: Peng Zhang,Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Zhongguang Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory devices for detecting known initial states and related methods and electronic systems

Номер патента: US09977603B2. Автор: Graziano Mirichigni,Luca Porzio,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for managing multi-channel memory device to have improved channel switch response time and related memory control system

Номер патента: US09965384B2. Автор: Chuan Liu,Wen-Hsuen KUO. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Compact memory device

Номер патента: US09645617B2. Автор: Renae Martinez,Anthony J. Zychal,Meredith L. Chow. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: US09552176B2. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Virtual partition management in a memory device

Номер патента: US20200371719A1. Автор: Pasquale Cimmino,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Angelo Della Monica,Eric Kwok Fung Yuen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Pre-load techniques for improved sequential memory access in a memory device

Номер патента: US20220300409A1. Автор: Bin Zhao,Xinghui DUAN,Jianxiong Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Using external memory devices to improve system performance

Номер патента: US09690496B2. Автор: Cenk Ergan,Michael R. Fortin,Alexander Kirshenbaum,Robert L. Reinauer. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device having heterogeneous terminals

Номер патента: US09468117B2. Автор: Jin-Woo Lee. Владелец: Duin Digitech Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device resilient to cyber-attacks and malfunction

Номер патента: US20210223995A1. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sergey Ostrikov,Avi Avanindra. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory device resilient to cyber-attacks and malfunction

Номер патента: US11249689B2. Автор: Stephan Rosner,Hans Van Antwerpen,Sergey Ostrikov,Avi Avanindra. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-15.

Memory devices and methods having multiple acknowledgements in response to a same instruction

Номер патента: US12056068B2. Автор: Paul Hill. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11281813B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device to offload processing from an advanced driver assistance system

Номер патента: US20240012757A1. Автор: Shiva PAHWA,Sathyashankara Bhat Muguli,Abhilash Nag,Ravi Kiran Gummaluri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Heuristic interface for enabling a computer device to utilize data property-based data placement inside a nonvolatile memory device

Номер патента: US20240303222A1. Автор: Changho Choi,Hingkwan HUEN,Derrick Tseng,Jianjian Huo,Praveen Krishnamoorthy. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US12045379B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11741269B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US09875038B2. Автор: Songho Yoon,Bomi KIM,Dae-Hoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

System and method for thermally coupling memory devices to a memory controller in a computer memory board

Номер патента: US09848517B2. Автор: Douglas Cowles,Allan Jeffrey Koeppel. Владелец: Saint Regis Mohawk Tribe. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: EP3985516A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Computer System and Method for Executing One or More Software Applications, Host Computer Device and Method for a Host Computer Device, Memory Device and Method for a Memory Device and Non-Transitory Computer Readable Medium

Номер патента: US20190042478A1. Автор: Mona Vij,Somnath Chakrabarti,Matthew Hoekstra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US11868645B2. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US20220113896A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Prioritizing memory devices to replace based on namespace health

Номер патента: US20180115604A1. Автор: Thomas D. Cocagne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Solid state drive (ssd) memory system improving the speed of a read operation using parallel dma data transfers

Номер патента: US20210326075A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Defect detection in memory based on active monitoring of read operations

Номер патента: US11775388B2. Автор: Wei Wang,Tingjun Xie,Zhenlei Shen,Zhenming Zhou,Frederick Adi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: EP3732574A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: US12061801B2. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Address translation metadata compression in memory devices

Номер патента: US20240264743A1. Автор: Scheheresade Virani,Brian Toronyi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Reduction of errors in data retrieved from a memory device to apply an error correction code of a predetermined code rate

Номер патента: US12086028B2. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory addressing methods and associated controller, memory device and host

Номер патента: US20240354011A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of processing input/output in storage device and storage device and non-volatile memory device using the method

Номер патента: US09836226B2. Автор: In-Sung Song,Chan-Ik Park,Young-Ho Park,Chul Lee,Nam-Wook Kang,In-Hwan Doh,Kwang-Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09747148B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US09606851B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Read operation using compressed memory

Номер патента: US11886739B2. Автор: Sushil Kumar,Tushar Chhabra,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Storing system information in a low-latency persistent memory device upon transition to a lower-power state

Номер патента: WO2006028658A1. Автор: Vittal Kini,Pradeep Sebestian,Ramkumar Venkatachary,Rick Leiss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-03-16.

Storing system information in a low-latency persistent memory device upon transition to a lower-power state

Номер патента: EP1789882A1. Автор: Vittal Kini,Pradeep Sebestian,Ramkumar Venkatachary,Rick Leiss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Error monitoring of a memory device containing embedded error correction

Номер патента: US20170235632A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Securing a memory device

Номер патента: US12105643B2. Автор: Theodore F. Emerson,David F. Heinrich,Sukhamoy Som,Don A. Dykes. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-10-01.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Mapping descriptors for read operations

Номер патента: US20240296116A1. Автор: Xing Hui Duan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Cooling of a volatile memory device to preserve data during power loss

Номер патента: US09471114B2. Автор: David A. Gilbert,Patrick Varley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device command history management

Номер патента: US20240061616A1. Автор: Vipul Patel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service using a portable memory device

Номер патента: US09930217B2. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Rebalancing operation using a solid state memory device

Номер патента: US09881039B2. Автор: Abhinay R. Nagpal,Sandeep Ramesh Patil,Yan Wang Stein,Harshwardhan S. Mulay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service

Номер патента: US09552181B1. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US20230315295A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory cell folding operations using host system memory

Номер патента: US20240160352A1. Автор: Sridhar Prudviraj Gunda,Jameer Mulani,Ritesh Tiwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Commands for testing error correction in a memory device

Номер патента: US20240070014A1. Автор: Francesco Lupo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Capturing time-varying storage of data in memory device for data recovery purposes

Номер патента: US20210011845A1. Автор: Jian Huang. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2021-01-14.

Error correction for internal read operations

Номер патента: US11789817B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for dynamically reconfiguring memory region of memory device

Номер патента: EP4365747A1. Автор: Maksim OSTAPENKO,Youngsam Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Apparatus and method for dynamically reconfiguring memory region of memory device

Номер патента: US20240152278A1. Автор: Maksim OSTAPENKO,Youngsam Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Computer-connectable portable memory device

Номер патента: US8390866B2. Автор: Waldo Ruiterman,Robert J. Audenaerde,Matthijs F. Mullender. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-03-05.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and apparatus to support instruction replay for executing idempotent code in dependent processing in memory devices

Номер патента: US20220206899A1. Автор: John Kalamatianos,Sudhanva Gurumurthi,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Shrikanth Ganapathy. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US20220317900A1. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device with enhanced data reliability capabilities

Номер патента: US11966600B2. Автор: Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device operation based on device characteristics

Номер патента: US20240255567A1. Автор: Kazuaki Ohara,Rachael R. Skreen,Soujanya Venigalla,Jihye Gale Shin,Rosa Maria Avila-Hernandez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: WO2012138865A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: MCAFEE, INC.. Дата публикации: 2012-10-11.

Encryption of memory device with wear leveling

Номер патента: EP2695067A1. Автор: Simon Hunt. Владелец: McAfee LLC. Дата публикации: 2014-02-12.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Switch to control communication between a memory and a secret generator in a memory device

Номер патента: US12086296B2. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20240361950A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Logical unit number queues and logical unit number queue scheduling for memory devices

Номер патента: US11966635B2. Автор: Mark Ish,Shakeel Isamohiuddin Bukhari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Logical unit number queues and logical unit number queue scheduling for memory devices

Номер патента: US20240069808A1. Автор: Mark Ish,Shakeel Isamohiuddin Bukhari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for sanitizing a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240231615A1. Автор: Jung Min Choi,Sun Woong Kim,Min Ho Ha,Byung Il Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device and storage device including the same

Номер патента: US20240201900A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

System and method for selectively affecting data flow to or from a memory device

Номер патента: EP1639480A2. Автор: Richard Chin,Frank N. Cheung. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2006-03-29.

Memory device log data storage

Номер патента: US12039163B2. Автор: Scheheresade Virani,Jeffrey Lee Munsil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods and apparatus for device to device communications

Номер патента: EP2883330A1. Автор: Yan Li,Shuping Chen,MingKai Nan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Method for determining resistance calibration direction in ZQ calibration of memory device

Номер патента: US09871517B1. Автор: Yu-Hsuan Cheng,Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory device

Номер патента: US09691782B1. Автор: Bong-Soon Lim,Ki-tae Park,Chul-Jin Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Split gate memory devices and methods of manufacturing

Номер патента: US09748255B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ru-Liang Lee,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Device for contactless communication and use of a memory device

Номер патента: US09622808B2. Автор: Juergen Beller,Uwe Schnitzler,Peter Selig. Владелец: Erbe Elecktromedizin GmbH. Дата публикации: 2017-04-18.

System, method, and device to configure devices via a remote with biometrics

Номер патента: US20160014457A1. Автор: Robin Dua. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-14.

System, method, and device to configure devices via a remote with biometrics

Номер патента: US09736535B2. Автор: Robin Dua. Владелец: SYNDEFENSE CORP. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: US20130134419A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A3. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2013-04-11.

Vertical diodes for non-volatile memory device

Номер патента: WO2012166945A2. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor memory device structure

Номер патента: US09966349B2. Автор: John Moore,Joseph F. Brooks. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Complementary metal oxide heterojunction memory devices and methods related thereto

Номер патента: US09634247B2. Автор: Dongmin Chen,Lee Cleveland,Seshubabu Desu,Kurt Pfluger,Jean Yang-Scharlotta. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method to control a printing process in an inkjet printing apparatus, and printing apparatus to execute such a method

Номер патента: US8506032B2. Автор: Robert Baumgartner. Владелец: Oce Printing Systems GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-08-13.

Device to device flow control

Номер патента: US20110055436A1. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Device to device flow control

Номер патента: US20120210025A1. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Memory array and memory device

Номер патента: US12035532B2. Автор: Chih-Chieh Yeh,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Clock signal synchronization circuit, semiconductor memory device including clock signal synchronization circuit, and method of operating clock signal synchronization circuit

Номер патента: US20240313750A1. Автор: Jang-Woo Ryu,Junsub YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Three-dimensional memory device with support structures in gate line slits and methods for forming the same

Номер патента: US20200395376A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory structures having a single access transistor for multiple memory devices

Номер патента: US20240284687A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF PERFORMING READ OPERATIONS

Номер патента: US20120008389A1. Автор: Kim Seung-bum. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to increase turning precision

Номер патента: RU2393952C1. Автор: Владимир Леонидович Кацевич,Владимир Викторович Королев,Алексей Анатольевич Никольский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ (ТУ)"). Дата публикации: 2010-07-10.

Device to determine distance to water surface

Номер патента: RU2506539C1. Автор: Александр Абрамович Часовской,Анатолий Сергеевич Иваницкий,Василий Андреевич Егоров,Виктор Сергеевич Лапшин. Владелец: Виктор Сергеевич Лапшин. Дата публикации: 2014-02-10.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Device to measure index of refraction of separate cross sections of investigated medium during non-stationary processes

Номер патента: RU2548924C2. Автор: Рафаэль Анварович Галиуллин,Вадим Серафимович Зиборов. Владелец: Рафаэль Анварович Галиуллин. Дата публикации: 2015-04-20.

Method and device to detect coordinates of radio-frequency emission source

Номер патента: RU2458360C1. Автор: Павел Леонидович Смирнов,Александр Михайлович Шепилов,Александр Сергеевич Наумов,Олег Владимирович Царик,Алексей Васильевич Терентьев,Александр Иванович Соломатин,Андрей Валерьевич Наливаев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Специальный Технологический Центр". Дата публикации: 2012-08-10.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device to facilitate turning out-of-round parts

Номер патента: RU2360779C1. Автор: Владимир Леонидович Кацевич,Владимир Викторович Королев,Алексей Анатольевич Никольский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский энергетический институт (технический университет)" (ГОУВПО "МЭИ(ТУ)"). Дата публикации: 2009-07-10.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device to assess economic efficiency of complex system management process

Номер патента: RU2541859C1. Автор: Александр Алексеевич Бурба,Елена Юрьевна Русяева,Александр Васильевич Полтавский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова Российской академии наук. Дата публикации: 2015-02-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.