Systems, methods and apparatus for fabricating and utilizing a cathode
Номер патента: US11749486B1
Опубликовано: 05-09-2023
Автор(ы): Ali SAYIR, Brad Winston Hoff, Sterling Ryan Beeson, Wilkin Wai-Hang Tang
Принадлежит: US Air Force
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-09-2023
Автор(ы): Ali SAYIR, Brad Winston Hoff, Sterling Ryan Beeson, Wilkin Wai-Hang Tang
Принадлежит: US Air Force
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for fabricating a flash memory cell utilizing a high-K metal gate process and related structure
Номер патента: US20110108903A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Frank Hui. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-05-12.