Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20220375993A1
Опубликовано: 24-11-2022
Автор(ы): Mingyuan SONG, Shy-Jay Lin, Wilman Tsai
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20200098407A1. Автор: Wilman Tsai,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20210118952A1. Автор: Wilman Tsai,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US11963366B2. Автор: Wilman Tsai,Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Manufacturing method of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190139959A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Magnetic tunnel junction structure of magnetic random access memory cell

Номер патента: US20190259762A1. Автор: Chih-Chien Liu,Chun-Hsien Lin,Yu-Ru Yang,Chao-Ching Hsieh,Hsiao-Pang Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Perpendicular magnetic random-access memory (mram) formation by direct self-assembly method

Номер патента: US20160118577A1. Автор: Xiaomeng Chen,Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Chern-Yow Hsu,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method and system for providing rare earth magnetic junctions usable in spin transfer torque magnetic random access memory applications

Номер патента: US09508924B2. Автор: Jangeun Lee,Xueti Tang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: US20180061467A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Magnetic random access memory (MRAM) cell with low power consumption

Номер патента: US09679624B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Lucien Lombard. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Voltage-switched magnetic random access memory (MRAM) and method for using the same

Номер патента: US09443577B2. Автор: Yuchen Zhou,Xiaobin Wang,Yiming Huai,Zihui Wang,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Ultra-fast magnetic random access memory having a composite sot-mtj structure

Номер патента: US20210328134A1. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetically doped spin orbit torque electrode for perpendicular magnetic random access memory

Номер патента: US20200006636A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Ian Young,Gary Allen,Dmitri Nikonov,Kevin O?BRIEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Low variability reference parameter generation for magnetic random access memory

Номер патента: US20210193204A1. Автор: Akhilesh Jaiswal,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09646670B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Spin-orbit-torque magnetoresistive random access memory with voltage-controlled anisotropy

Номер патента: US09589619B2. Автор: Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20140127831A1. Автор: Daniel C. Worledge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Spin-orbit torque magnetic random access memory circuit and layout thereof

Номер патента: US20230282261A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Li-Ping Huang,Chun-Yen TSENG,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang,Yi-Ting Wu,Jia-Rong Wu,Jen-Yu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20230200256A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11877520B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US11611035B2. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-21.

Magnetoresistive random access memory having a ring of magnetic tunneling junction region surrounding an array region

Номер патента: US20240107895A1. Автор: Yu-Ping Wang,Jian-Cheng Chen,Chung-Liang Chu,Yu-Ruei Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Nano-rod spin orbit coupling based magnetic random access memory with shape induced perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US20220140230A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Christopher WIEGAND,Ian Young. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US20230263073A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12035636B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic random access memory with reduced internal operating temperature range

Номер патента: US20190207090A1. Автор: Manfred Ernst Schabes,Mustafa Pinarbasi,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Magnetic random access memory

Номер патента: US12082511B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Structures and methods for embedded magnetic random access memory (mram) fabrication

Номер патента: US20190165042A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Theodorus E. Standaert,Nicholas A. Lanzillo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-30.

Magnetic Random Access Memory (MRAM) Manufacturing Process for a Small Magnetic Tunnel Junction (MTJ) Design with a Low Programming Current Requirement

Номер патента: US20130149797A1. Автор: Rajiv Yadav Ranjan,Parviz Keshtbod,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Magnetic random access memory with multilayered seed structure

Номер патента: US09496489B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Magnetic random access memory with multilayered seed structure

Номер патента: US09419207B2. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai,Huadong Gan. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for providing a high perpendicular magnetic anisotropy layer in a magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using multiple anneals

Номер патента: US09806253B2. Автор: Vladimir Nikitin,Dmytro Apalkov,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20200098408A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

System and method to manufacture magnetic random access memory

Номер патента: EP2471098A1. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Kang,Ken Lee,Hari M. Rao,Sean Li,Matt M. Nowak,Robert J. Walden. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-07-04.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282260A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Scalable heat sink and magnetic shielding for high density mram arrays

Номер патента: US20210359197A1. Автор: Chen Zhang,Bruce B. Doris,Ruilong Xie,Heng Wu,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Electrical interconnecting device for mram-based magnetic devices

Номер патента: US20170309812A1. Автор: Bertrand Cambou. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-10-26.

Nano-rod spin orbit coupling based magnetic random access memory with shape induced perpendicular magnetic anisotropy

Номер патента: US11818963B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Kaan OGUZ,Tanay GOSAVI,Chia-Ching Lin,Christopher WIEGAND,Ian Young. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Stack and magnetic device

Номер патента: US20200403150A1. Автор: Tadashi Kai,Yasushi Nakasaki,Masaru Toko,Takamitsu Ishihara,Takayuki Tsukagoshi,Rina NOMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

System and method for reducing critical current or magnetic random access memory

Номер патента: US20090046497A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Xiu Ye. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Magnetoresistive effect element and magnetic random access memory

Номер патента: US20100091555A1. Автор: Shunsuke Fukami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: WO2014066160A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory Devices with Magnetic Random Access Memory (MRAM) Cells and Associated Structures for Connecting the MRAM Cells

Номер патента: US20140361392A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Assisted write method for magnetic random access memory

Номер патента: US20210241809A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory devices with magnetic random access memory (mram) cells and associated structures for connecting the mram cells

Номер патента: EP2909837A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Amitay Levi. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-26.

Magnetic devices having insulating spacer that surrounds portion of wiring structure and variable resistance structure and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09741415B2. Автор: Yoon-Sung HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetic device and method of fabricating the same

Номер патента: US09570670B2. Автор: Woojin Kim,Jongchul Park,Sechung Oh,Chanjin Park,Soonoh Park,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190393265A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265424A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200152701A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Electric field switchable magnetic devices

Номер патента: US20200176042A1. Автор: Jian-Ping Wang,Delin Zhang,Mukund Bapna,Sara A. Majetich. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2020-06-04.

Magnetic tunnel junction (mtj) and methods, and magnetic random access memory (mram) employing same

Номер патента: EP2419933A2. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Matthew Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-02-22.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4240131A1. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Stack with a high tunneling magnetoresistance ratio for a magnetic random access memory device

Номер патента: US20240290368A1. Автор: Robert Carpenter,Kiroubanand Sankaran,Xiaoyu Piao,Sofie MERTENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US12075631B2. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373649A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20240062794A1. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Crystal seed layer for magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US11842757B2. Автор: Tsann Lin,Ji-Feng Ying,Chih-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11864466B2. Автор: William J. Gallagher,Shy-Jay Lin,Chwen Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Bottom-pinned spin-orbit torque magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US11942130B2. Автор: Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Po-Chun Yang,Jen-Yu Wang,Yung-Ching Hsieh,Jian-Jhong Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230269951A1. Автор: Ji-Feng Ying,Duen-Huei HOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Magnetic device

Номер патента: US20150243424A1. Автор: Shiho Nakamura,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Cell of magnetic random access memory (mram) with self reference inlcudning ferrimagnetic intrinsic layers

Номер патента: RU2599939C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Magnetic random access memory cell and memory

Номер патента: US20240274175A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11238911B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

Magnetic random access memory and electronic device

Номер патента: US20220351767A1. Автор: LI Ye,Wenjing Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631B1. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2009-05-06.

Method and apparatus for a high density magnetic random access memory (MRAM) with stackable architecture

Номер патента: EP1553601A3. Автор: Heinrich Maglabs Inc. Sussner. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2007-07-18.

Magnetic random access memory with stacked toggle memory cells

Номер патента: EP1659631A3. Автор: Kochan Ju,Oletta Allegranza. Владелец: Maglabs Inc. Дата публикации: 2006-11-08.

Magnetic random access memory devices including shared heating straps

Номер патента: EP2758961A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US11727974B2. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20220157360A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200020375A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20200312393A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for writing to magnetic random access memory

Номер патента: US20230335171A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic random access memory with dual spin torque reference layers

Номер патента: EP2374130A1. Автор: Thomas Clinton,Mike Seigler. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-10-12.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: WO2018038849A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

High speed, low power spin-orbit torque (sot) assisted spin-transfer torque magnetic random access memory (stt-mram) bit cell array

Номер патента: EP3504711A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Peiyuan Wang,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Function switchable magnetic random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US11972786B2. Автор: Yu Sheng,Kaiyou Wang. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-04-30.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240177756A1. Автор: Hsin-Han Lee,Yu-Chen Hsin,Jeng-Hua Wei,Shan-Yi Yang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-05-30.

Magnetic device with spin polarisation

Номер патента: US09455012B2. Автор: Bernard Dieny,Ricardo Sousa,Bertrand Lacoste,Thibaut Devolder. Владелец: Universite Paris Sud Paris 11. Дата публикации: 2016-09-27.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

In-plane magnetized spin-orbit magnetic device

Номер патента: US12033682B2. Автор: Hsin-Han Lee,Yao-Jen Chang,Jeng-Hua Wei,Fang-Ming Chen,Shan-Yi Yang,I-Jung WANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage Device and Preparation Method, Read-Write Method, Storage Chip and Electronic Device

Номер патента: US20230343378A1. Автор: Xin Yan,Junfeng Zhao,Liang He,Yafei ZHAO,Wentao Tang,Jiai NING. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Storage device and preparation method, read-write method, storage chip, and electronic device

Номер патента: EP4258371A1. Автор: Xin Yan,Junfeng Zhao,Liang He,Yafei ZHAO,Wentao Tang,Jiai NING. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Shared line magnetic random access memory cells

Номер патента: EP2289102A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Kenneth Mackay,Virgile Javerliac. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2011-03-02.

Magnetic random access memory, and write method and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080225577A1. Автор: Toshihiko Nagase,Yoshiaki Asao,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Design of spin-orbit torque magnetic random access memory

Номер патента: WO2019106436A1. Автор: Yin Zhang,Xiangrong Wang,Huaiyang YUAN. Владелец: THE HONG KONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-06-06.

Spin transfer torque magnetoresistive random-access memory and design methods

Номер патента: RU2427045C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ,Сеи Сеунг ЙООН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2011-08-20.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240373756A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Shared source line architectures of perpendicular hybrid spin-torque transfer (stt) and spin-orbit torque (sot) magnetic random access memory

Номер патента: WO2018101998A1. Автор: Shaoping Li,Hong Tsai. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Magnetic random-access memory

Номер патента: US11991933B2. Автор: Weisheng Zhao,Kaihua Cao,Daoqian Zhu,Zongxia GUO,Shouzhong PENG. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-21.

Magnetic tunnel junction (mtj) devices with heterogeneous free layer structure, particularly suited for spin-torque-transfer (stt) magnetic random access memory (mram) (stt mram)

Номер патента: WO2017078877A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Chando Park,Matthias Georg GOTTWALD. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-05-11.

Magnetic random access memory (mram) with enhanced magnetic stiffness and method of making same

Номер патента: US20120148735A1. Автор: Yuchen Zhou. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-14.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: US20160133634A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic device having plurality of coupled magnetic tunnel junction pillars

Номер патента: US20240023459A1. Автор: Sebastien COUET,Van Dai Nguyen,Eline Raymenants,Bob VERMEULEN,Maxwel Gama Monteiro Junior. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-18.

Static random access memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761302B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Chang-Hung CHEN,Han-Tsun Wang,Tien-Yu Lu,Jheng-Tai Yan. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Test device and test method for resistive random access memory and resistive random access memory device

Номер патента: US20110019492A1. Автор: Kazushige Kanda,Kazuaki Kawaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-27.

Magnetic memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20080105938A1. Автор: Jun Hayakawa,Hideo Ohno,Shoji Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-08.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US20070223269A1. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Spin-injection magnetic random access memory

Номер патента: US7511991B2. Автор: Yoshiaki Saito,Tomoaki Inokuchi,Hideyuki Sugiyama,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-31.

Magnetic random access memory and method of reducing critical current of the same

Номер патента: US20080205123A1. Автор: Te-Ho Wu,Alberto Canizo Cabrera,Lin-Hsiu Ye. Владелец: National Yunlin University of Science and Technology. Дата публикации: 2008-08-28.

Programmable logic sensing in magnetic random access memory

Номер патента: WO2013049186A1. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Tae Hyun Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-04-04.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: EP2839462A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-02-25.

Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (mram) architecture

Номер патента: WO2013158958A1. Автор: Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-10-24.

MAGNETIC DEVICE WITH MAGNETORESISTIVE TUNNEL JUNCTION AND MAGNETIC MEMORY WITH RANDOM ACCESS

Номер патента: FR2892231B1. Автор: Bernard Dieny,Anatoly Vedyaev,Vincent Jerome Faure,Matthieu Warin,Matthieu Jamet,Yves Samson. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2008-06-27.

MAGNETIC DEVICE WITH MAGNETORESISTIVE TUNNEL JUNCTION AND MAGNETIC MEMORY WITH RANDOM ACCESS

Номер патента: FR2892231A1. Автор: Bernard Dieny,Anatoly Vedyaev,Vincent Jerome Faure,Matthieu Warin,Matthieu Jamet,Yves Samson. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-04-20.

Vertical nano-size magneto random access memory using carbon nanotubes and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20020060331A. Автор: 최원봉,석중현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-07-18.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Layout pattern for static random access memory

Номер патента: US09780099B1. Автор: Tsung-hsun Wu,Shu-Wei Yeh,Chih-Ming Su,Zhi-Xian Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20200135742A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20220208774A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20230276608A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20210066312A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Vertical static random access memory and method of fabricating thereof

Номер патента: US12063766B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Static random access memory cell

Номер патента: US20180174642A1. Автор: Praveen Raghavan,Julien Ryckaert,Trong Huynh Bao,Pieter Weckx. Владелец: Vrije Universiteit Brussel VUB. Дата публикации: 2018-06-21.

Vertical Static Random Access Memory and Method of Fabricating Thereof

Номер патента: US20240341073A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559300B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Non-volatile static random access memory bit cells with ferroelectric field-effect transistors

Номер патента: EP4386755A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Bipul C. Paul,Pirooz Parvarandeh,Navneet Jain,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Stacked thin-film transistor based embedded dynamic random-access memory

Номер патента: US20200035683A1. Автор: Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Bernhard Sell,Pei-Hua Wang,Chieh-Jen Ku,Abhishek A. Sharma,Travis W. LaJoie,Van H. Le,Fatih Hamzaoglu,Umut ARSLAN,Juan G. Alzate-Vinasco. Владелец: INTE Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Fin field-effect transistor static random access memory devices with p-channel metal-oxide-semiconductor pass gate transistors

Номер патента: WO2016022212A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of manufacturing a dual mode ferroelectric random access memory (FRAM) having imprinted read-only (RO) data

Номер патента: US09711715B2. Автор: Srinath Ramaswamy,Clive Bittlestone,Joyce Kwong,Chiraag Juvekar,Stephen Heinrich-Barna. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory cell including electret and random access memory thereof

Номер патента: US09627406B1. Автор: Kim P. Cheung. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2017-04-18.

Static random access memory unit structure and static random access memory layout structure

Номер патента: US20170018302A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chin-Sheng Yang,Chia-Wei Huang,Ming-Jui Chen,Tan-Ya Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Multi-Value Nonvolatile Organic Resistive Random Access Memory and Method for Preparing the Same

Номер патента: US20160240778A1. Автор: QIANG LI,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yichen FANG,Zongwei Wang,Muxi Yu,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-18.

Memory Cell of Static Random Access Memory Based on DICE Structure

Номер патента: US20180174648A1. Автор: LIANG Chen,Li Liu,Jingqiu Wang. Владелец: Institute of Automation of Chinese Academy of Science. Дата публикации: 2018-06-21.

Flying and twisted bit line architecture for dual-port static random-access memory (DP SRAM)

Номер патента: US09928899B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Sahil Preet Singh,Avinash Chander,Albert Ying. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

3d dram memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US20230329013A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

3D DRAM memory devices and structures with control circuits

Номер патента: US11812620B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory with fram and sram of ic and method for accessing memory

Номер патента: US20210249079A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Magnetic random access memory cell with low power consumption

Номер патента: RU2573757C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Селин ПОРТЕМОН,Кларисс ДЮКРЮЭ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-27.

Magnetic random access memory cell with improved dispersion of switching field

Номер патента: RU2599956C2. Автор: Иоан Люсиан ПРЕЖБЕАНЮ,Люсьен ЛОМБАР. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-10-20.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, spin orbit torque magnetic random access memory array, and method for calculating hamming distance

Номер патента: US20230280978A1. Автор: LING Li,Ming Liu,Feng Zhang,Huai Lin,Di Wang,Long Liu,Changqing Xie,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic Random Access Memory Devices Including Multi-Bit Cells

Номер патента: US20120314487A1. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger,Lucian Prejbeanu,Guillaume Prenat,Lucien Lombard,Ricardo Alves Ferreira Costa E Sousa. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: EP2673779A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Magnetic random access memory devices configured for self-referenced read operation

Номер патента: WO2012109094A2. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Low power magnetic random access memory cell

Номер патента: US09886989B2. Автор: Ioan Lucian Prejbeanu,Clarisse Ducruet,Celine Portemont. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods involving resetting spin-torque magnetic random access memory with domain wall

Номер патента: US7525862B1. Автор: Jonathan Z. Sun,Rudolf M. Tromp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Compound cell spin-torque magnetic random access memory

Номер патента: US20110110147A1. Автор: Thomas William Clinton,Werner Scholz. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for recording of information in magnetic recording element and method for recording of information in magnetic random access memory

Номер патента: EP2206119A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Magnetic-assisted nondestructive self-reference sensing method for spin-transfer torque random access memory

Номер патента: US09627024B2. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Enes Eken,Wujie Wen,Xiuyuan Bi. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2017-04-18.

Spin-orbit torque magnetoresistive random access memory and method of operating the same

Номер патента: US20240290367A1. Автор: Kaiyou Wang,Kun Lei,Xiukai Lan,Zelalem Abebe Bekele. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM) Cell and Method of Operation Thereof

Номер патента: US20240339144A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Wen-Chun YOU,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20030076707A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050169048A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Single transistor type magnetic random access memory device and method of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20050036379A1. Автор: Dong-Wook Kim,In-kyeong Yoo,June-key Lee,Jung-hyun Sok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Self-referenced magnetic random access memory

Номер патента: US09679626B2. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-06-13.

Apparatus, System, and Method for Writing Multiple Magnetic Random Access Memory Cells with a Single Field Line

Номер патента: US20130094283A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Spin-transfer torque magnetic random access memory (STTMRAM) with enhanced write current

Номер патента: US09646668B2. Автор: Yuchen Zhou,Ebrahim Abedifard,Mahmood Mozaffari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Ultrafast magnetic recording element and nonvolatile magnetic random access memory using the magnetic recording element

Номер патента: EP2206120A1. Автор: Sang-Koog Kim,Ki-suk Lee,Young-Sang Yu. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2010-07-14.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US9047969B2. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-06-02.

Error recovery in magnetic random access memory after reflow soldering

Номер патента: US20200310930A1. Автор: Michail TZOUFRAS,Marcin Gajek. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Non-volatile magnetic random access memory

Номер патента: US5289410A. Автор: Jiin-Chuan Wu,Henry L. Stadler,Romney R. Katti. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 1994-02-22.

Method of propagating magnetic domain wall in magnetic devices

Номер патента: US20190043598A1. Автор: Odysseas Zografos,Adrien Vaysset. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of propagating magnetic domain wall in magnetic devices

Номер патента: EP3637420A1. Автор: Mr. Adrien Vaysset,Mr. Zografos Odysseas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-04-15.

Method of propagating magnetic domain wall in magnetic devices

Номер патента: US10593414B2. Автор: Odysseas Zografos,Adrien Vaysset. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-17.

Equi-potential sensing magnetic random access memory (MRAM) with series diodes

Номер патента: US20040088471A1. Автор: James Eaton,Lung Tran,Frederick Perner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20240315044A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices with series-interconnected magnetic random access memory cells

Номер патента: WO2012109093A3. Автор: Mourad El Baraji,Neal Berger. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-10-18.

Magnetic random access memory device

Номер патента: EP1073062A1. Автор: James A. Brug,Manoj K. Bhattacharyya. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2001-01-31.

Apparatus, system, and method for writing multiple magnetic random access memory cells with a single field line

Номер патента: EP2766906A1. Автор: Jean-Pierre Nozieres,Neal Berger,Virgile Javerliac. Владелец: Crocus Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof

Номер патента: US5732016A. Автор: Saied N. Tehrani,Eugene Chen,Herbert Goronkin. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-03-24.

Magnetic random access memory

Номер патента: US9548097B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita,Keiko Abe,Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of writing to a spin torque magnetic random access memory

Номер патента: US20150006997A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra Subramanian,Matthew R. Croft,Halbert Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Recording operation for magnetoresistive random access memory with spin transfer torque with reduced size of bit cell

Номер патента: RU2471260C2. Автор: Сеунг Х. КАНГ,Сей Сеунг ЙООН,Мехди Хамиди САНИ,Сеонг-Оок ДЗУНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-27.

Josephson static random access memory

Номер патента: US12094530B2. Автор: Henry Luo,Quentin Paul Herr,Anna Yurievna Herr. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetoresistive random access memory and operating method thereof

Номер патента: US11222677B1. Автор: Wen Chin Lin,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-11.

Write driver circuits for resistive random access memory (ram) arrays

Номер патента: US20160267959A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Magnetoresistive random access memory (MRAM) with on-chip automatic determination of optimized write current method and apparatus

Номер патента: US20030210596A1. Автор: Frederick Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-13.

Magnetoresistive random access memory devices

Номер патента: EP1329904A2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-07-23.

Write driver circuits for resistive random access memory (RAM) arrays

Номер патента: US09583171B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Determining and storing bit error rate relationships in spin transfer torque magnetoresistive random-access memory (STT-MRAM)

Номер патента: US09418721B2. Автор: Hillery C. Hunter,Pradip Bose,Alper Buyuktosunoglu,Vijayalakshmi Srinivasan,Jude A. Rivers,Xiaochen Guo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for writing in a magnetic device having a plurality of magnetic logical unit cells using a single programming current

Номер патента: US09978434B2. Автор: Yann Conraux. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US11856787B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20230063934A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20230389330A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12022660B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US20170140616A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09786136B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20130021842A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Spin-transfer torque magnetic random access memory with perpendicular magnetic anisotropy multilayers

Номер патента: US09419210B2. Автор: Yuchen Zhou,Jing Zhang,Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Roger Klas Malmhall. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Magnetic devices and techniques for formation thereof

Номер патента: EP1917678B1. Автор: Michael C. Gaidis,Sivananda K. Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-20.

Method for providing a magnetic junction on a substrate and usable in a magnetic device

Номер патента: US09799382B2. Автор: Eugene Chen,Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: CN112599557A. Автор: 王裕平,朱中良,陈昱瑞. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-02.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11805658B2. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetic random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230380182A1. Автор: Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Sheng-Chih Lai,Yu-Teng Dai,Hui-Hsien Wei,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: WO2010002634A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

System and method to fabricate magnetic random access memory

Номер патента: EP2311071A1. Автор: Xia Li,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Initialization method of a perpendicular magnetic random access memory (mram) device with a stable reference cell

Номер патента: US20140328117A1. Автор: Yuchen Zhou,Yiming Huai. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Forming control method applied to resistive random-access memory cell array

Номер патента: US12063774B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang,I-Lang Lin,Meng-Chiuan WU. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Stacked dram device and method of manufacture

Номер патента: US20240242741A1. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US20170256310A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Resistance random access memory device and method for operating same

Номер патента: US09779808B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae,Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Resistive random-access memory array with reduced switching resistance variability

Номер патента: US20190371857A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Wilfried Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Resistive random access memory

Номер патента: US9935265B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170346004A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-11-30.

Method, apparatus and device for operating logical operation array of resistive random access memory

Номер патента: US09767900B2. Автор: Yi Li,Junfeng Zhao,Yaxiong Zhou,Zhulin Wei,Xiangshui Miao,Ronggang Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: WO2016144436A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-15.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: EP3268966A2. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

Logic drive using standard commodity programmable logic IC chips comprising non-volatile random access memory cells

Номер патента: US12057837B2. Автор: Jin-Yuan Lee,Mou-Shiung Lin. Владелец: Icometrue Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Multi-bit spin torque transfer magnetoresistive random access memory with sub-arrays

Номер патента: US09437272B1. Автор: Yu Lu,Xia Li. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Thin film transistor random access memory

Номер патента: US11770923B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

NAND type variable resistance random access memory and methods

Номер патента: US09548398B2. Автор: Steve S. Chung,E-Ray HSIEH. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-01-17.

Resistive random access memory structure and method for operating resistive random access memory

Номер патента: US09419053B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09685213B2. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Provision of holding current in non-volatile random access memory

Номер патента: US09543004B1. Автор: Raymond W. Zeng,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Dany-Sebastien LY-GAGNON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042104A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: WO2022134870A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Ruilong Xie,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-30.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148939A1. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200321521A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Bonded semiconductor devices having processor and dynamic random-access memory and methods for forming the same

Номер патента: US20240282754A1. Автор: Jun Liu,Weihua Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09941287B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09570512B2. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-02-14.

Three-dimensional static random access memory device structures

Номер патента: US09558791B2. Автор: Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Chien-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

High density resistive random access memory (RRAM)

Номер патента: US09484535B1. Автор: Qing Liu,John Hongguang Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-11-01.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478552B2. Автор: Hann-Ping Hwang,Li-Wei Liu,Chen-Hao Huang,Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Magnetoresistive random access memory for physically unclonable function technology and associated random code generating method

Номер патента: US11980026B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Chun-Yuan Lo,Chun-Chieh Chao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Symmetric read operation resistive random-access memory cell with bipolar junction selector

Номер патента: GB2618233A. Автор: Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman,Xie Ruilong,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Parallel bit line three-dimensional resistive random access memory

Номер патента: US09698202B2. Автор: Seje TAKAKI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Resistive random access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US8921819B2. Автор: Chun-Cheng Chen,Ching-Hua Chen,Chan-Ching Lin,Chen-Hao Huang,Tzung-Bin Huang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US20150003144A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: EP3227919A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-11.

Static random access memory (sram) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: WO2016089587A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-09.

Bi-stable static random access memory (sram) bit cells formed from iii-v compounds and configured to achieve higher operating speeds

Номер патента: WO2019050848A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-03-14.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: US20220190239A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

RRAM devices and methods

Номер патента: US09876169B2. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordline landing pads split across boundary edges of the SRAM bit cells

Номер патента: US09876017B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory (SRAM) bit cells with wordlines on separate metal layers for increased performance, and related methods

Номер патента: US09806083B2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random-access memory cells

Номер патента: US09530493B2. Автор: Abu Sebastian,Evangelos S Eleftheriou,Daniel Krebs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Resistive random access memory with non-linear current-voltage relationship

Номер патента: US09406379B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11329102B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Magnetic device manufacturing apparatus and magnetic device manufacturing method for film formation by sputtering

Номер патента: JP5149285B2. Автор: 孝二 恒川,佳紀 永峰,裕之 細谷. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2013-02-20.

Magnetic random access memory with reduced parasitic currents

Номер патента: US20030214837A1. Автор: Kenneth Smith,Peter Fricke,Andrew VanBrocklin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2003-11-20.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20070253244A1. Автор: Yu-Jen Wang,Chih-Huang Lai,Denny Tang,Chih-Huo Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-11-01.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US9311232B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-12.

Management of memory array with magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20160232092A1. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09652386B2. Автор: Siamack Nemazie,Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Data write in control circuit for toggle magnetic random access memory

Номер патента: US20090010087A1. Автор: Young-Shying Chen,Chien-Chung Hung,Chia-Pao Chang,Chung-Chih Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-01-08.

Programming method of magnetic random access memory

Номер патента: US7508702B2. Автор: Chia-Hua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-24.

Storage device and method, data processing device and method, electronic device

Номер патента: US20210035628A1. Автор: Shaoli Liu,Zidong DU,Xuda ZHOU,Daofu LIU. Владелец: Shanghai Cambricon Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Reading methods and reading architectures for reading magnetic random access memory cells

Номер патента: TW201314684A. Автор: Yue-Der Chih,Kai-Chun Lin,Hung-Chang Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2013-04-01.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: US20130121066A1. Автор: Xia Li,Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A3. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-11-14.

Circuit and method for generating a reference level for a magnetic random access memory element

Номер патента: WO2013071254A2. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,Jung Pill Kim,Sean Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-05-16.

Magnetic random access memory

Номер патента: WO2006112049A1. Автор: Tsuneo Inaba,Yuui Shimizu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2006-10-26.

System and method of forming magnetic random access memory

Номер патента: RU2464672C2. Автор: Сяочунь ЧЖУ,Ся ЛИ,Сеунг Х. КАНГ. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-10-20.

Device and method for setting resistive random access memory cell

Номер патента: US09576656B2. Автор: Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Yu-Wei Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Random access memory imaging system

Номер патента: WO1980002629A1. Автор: J Petty,H Gardner. Владелец: Ncr Co. Дата публикации: 1980-11-27.

Static random access memory (sram) unit and related device

Номер патента: EP3832648A1. Автор: Han Xu,Miao Zheng,Fei QIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Static random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20220284966A1. Автор: Yi-Chung Liang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Array transistor amplification method and apparatus for dynamic random access memory

Номер патента: US6975550B2. Автор: Peter Poechmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-13.

Embedded semiconductor random access memory structure and control method therefor

Номер патента: US20240306397A1. Автор: Kaifeng WANG,Ru Huang,Qianqian Huang,Zhiyuan Fu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Junction field effect dynamic random access memory cell and applications therefor

Номер патента: WO2008137441A2. Автор: Damodar R. Thummalapally. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-13.

Memory circuit, dynamic random access memory and operation method thereof

Номер патента: US20240237328A9. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-07-11.

Control circuit and control method for controlling delay lock loop in dynamic random access memory

Номер патента: US20190311761A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Magnetic film for a magnetic device, magnetic head for a hard disk drive, and solid-state device

Номер патента: EP1752996A3. Автор: Kenji c/o Fujitsu Limited Noma,Hitoshi c/o Fujitsu Limited Kanai,Masaaki c/o Fujitsu Limited Matsuoka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-07.

High thermal stability free layer with high out-of-plane anisotropy for magnetic device applications

Номер патента: WO2013130543A2. Автор: Yu-Jen Wang,Witold Kula,Guenole Jan. Владелец: HEADWAY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-09-06.

Magnetic film, multilayer magnetic film, method and mechanism of magnetization inversion of magnetic film, and magnetic random access memory

Номер патента: US20050047262A1. Автор: Takashi Ikeda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Magnetic random access memory and data read method thereof

Номер патента: EP1434231A3. Автор: Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Sheet random access memory

Номер патента: WO1990003032A1. Автор: Richard M. Lienau,Kenneth E. Pope. Владелец: Bednarz, Joseph, J.. Дата публикации: 1990-03-22.

Quantum dot-based magnetic random access memory (mram) and method for manufacturing same

Номер патента: US20030103367A1. Автор: Gabriel Aeppli,David Norris,Christophe Renner,Yeong-Ah Soh. Владелец: NEC Laboratories America Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: NL1042103A. Автор: CHENG Han-Hung,KUO Chi-Fen. Владелец: Avexir Tech Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Processing and memory device and system

Номер патента: US20240251566A1. Автор: Chung-Te Lin,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU,Han-Ting Tsai,Katherine Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for performing memory interface control of an electronic device, and associated apparatus

Номер патента: US09613665B2. Автор: Shang-Pin Chen,Bo-Wei Hsieh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Methods and apparatus for reusing lookup table random-access memory (LUTRAM) elements as configuration random-access memory (CRAM) elements

Номер патента: US09940995B1. Автор: Kenneth Duong,Trevis Chandler,Jung Ko,Dipak Sikdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20220093163A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Fail-safe random access memory

Номер патента: RU2579954C2. Автор: Александр Алексеевич Павлов,Алексей Николаевич Царьков,Александр Викторович Гусев,Алексей Александрович Павлов,Денис Евгеньевич Сорокин,Алексей Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Институт управления образованием Российской академии образования" (ФГБНУ "ИУО РАО"). Дата публикации: 2016-04-10.

Shallow trench type quadri-cell of phase-change random access memory (pram)

Номер патента: WO2010118346A3. Автор: Xia Li. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-03.

Resistive random access memory structure and fabricating method of the same

Номер патента: EP4447051A2. Автор: Po-Kai Hsu,Chung-Yi Chiu,Yi-Yu Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory circuit using resistive random access memory arrays in a secure element

Номер патента: US09588908B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: WO2021207237A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Deep learning accelerator and random access memory with a camera interface

Номер патента: US11942135B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Deep Learning Accelerator and Random Access Memory with a Camera Interface

Номер патента: US20210319823A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Mlu-based magnetic device having an authentication and physical unclonable function and authentication method using said mlu device

Номер патента: US20210110023A1. Автор: Yann Conraux,Quentin Stainer,Myckael Mouchel. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2021-04-15.

MLU-based magnetic device having an authentication and physical unclonable function and authentication method using said MLU device

Номер патента: US11921835B2. Автор: Yann Conraux,Quentin Stainer,Myckael Mouchel. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2024-03-05.

Mlu-based magnetic device having an authentication and physical unclonable function and authentication method using said mlu device

Номер патента: WO2019180579A1. Автор: Yann Conraux,Quentin Stainer,Myckael Mouchel. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2019-09-26.

Sparsity-aware reconfigurable compute-in-memory (cim) static random access memory (sram)

Номер патента: US20230178125A1. Автор: Indranil Chakraborty,Kaushik Roy,Utkarsh Saxena,Amogh Agrawal,Mustafa Fayez Ahmed Ali,Aayush ANKIT. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory circuit using dynamic random access memory arrays

Номер патента: US09804974B2. Автор: Bertrand F. Cambou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-31.

Digital telephone answering device and method of testing message storage memory therein

Номер патента: US5588046A. Автор: Stephen B. Knuth,Mark J. Karnowski,Sanford M. Brown, III. Владелец: Casio Phonemate Inc. Дата публикации: 1996-12-24.

Method of accessing syncronous dynamic random access memory in scanner

Номер патента: US20020133667A1. Автор: Kuo-Jeng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

In-memory resistive random access memory xor logic using complimentary switching

Номер патента: WO2022127383A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Controller and control method for dynamic random access memory

Номер патента: US09966129B1. Автор: CHEN CHEN,PENG Shen. Владелец: VIA Alliance Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory systems and devices including examples of accessing memory and generating access codes using an authenticated stream cipher

Номер патента: US20240201871A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method, device and system for refreshing dynamic random access memory (dram)

Номер патента: EP3142120A1. Автор: Zehan CUI,Mingyu Chen,Yongbing HUANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-15.

DEVICE AND METHOD FOR FORMING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL

Номер патента: US20160196875A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Chu Wen-Ting,Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-07.

DEVICE AND METHOD FOR FORMING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL

Номер патента: US20150085558A1. Автор: CHANG Chih-Yang,Chu Wen-Ting,Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Company Limited. Дата публикации: 2015-03-26.

DEVICE AND METHOD FOR SETTING RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY CELL

Номер патента: US20150109849A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited. Дата публикации: 2015-04-23.

Magnetic random access memory

Номер патента: US09459961B2. Автор: Katsuhiko Hoya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: EP2564390A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: WO2011136889A1. Автор: Quentin P Herr,Anna Y Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2011-11-03.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory devices and methods for high random transaction rate

Номер патента: US20140293717A1. Автор: Bruce Barbara,Dinesh Maheshwari,John Marino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Capacitance sensing technique for ferroelectric random access memory arrays

Номер патента: US20030206431A1. Автор: David Fisch. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Parity data in dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US12061518B2. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Dynamic random access memory device and operating method with improved reliability and reduced cost

Номер патента: US09905285B2. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Josephson magnetic random access memory system and method

Номер патента: AU2011245710B2. Автор: Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor memory device, operational processing device and storage system

Номер патента: US20080225622A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Non-volatile static random access memory devices and methods of operations

Номер патента: US09779814B2. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A2. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-14.

Random access memory device and method for driving a plate line segment therein

Номер патента: EP1408509A3. Автор: Chi-Ming Weng,Chin-Shi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-21.

Process tolerant current leakage reduction in static random access memory (sram) by a supply voltage bias circuit

Номер патента: EP3080811A1. Автор: Venkatasubramanian Narayanan,Chirag Gulati,Ashish Akhilesh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Ferroelectric random access memory apparatus and method of driving the same

Номер патента: US20090052224A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Han-Joo Lee,Byung-Jun Min,Kang-Woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Synchronous random access memory (SRAM) chip and two port SRAM array

Номер патента: US09911486B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Random access memory and memory access method thereof

Номер патента: US09496014B2. Автор: Nan-Chun Lien,David C. Yu. Владелец: M31 Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Static random access memory device having decreased sensitivity to variations in channel physical characteristics

Номер патента: US20050007831A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Random Access Memory With A Plurality Of Symmetrical Memory Cells

Номер патента: US20070041240A1. Автор: Juergen Pille,Chad Adams,Torsten Mahuke,Oto Wagner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-02-22.

10-transistor non-volatile static random-access memory using a single non-volatile memory element and method of operation thereof

Номер патента: US09997237B2. Автор: Jayant Ashokkumar,Joseph S Tandingan,David W. Still,Jesse J Siman. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11482281B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: WO2021050984A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Limited. Дата публикации: 2021-03-18.

Static random-access memory (SRAM) sensor for bias temperature instability

Номер патента: US09812188B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Circuit and method for controlling standby leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002497A1. Автор: Chung Zen Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Static random access memory cell testing and biasing

Номер патента: WO2009023785A2. Автор: David Scott,Alice Wang,Gordon Gammie,Sumanth Gururajarao,Sudha Thiruvengadam. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2009-02-19.

Storage and access of metadata within selective dynamic random access memory (dram) devices

Номер патента: EP4459468A1. Автор: Kuljit S. Bains,Todd Hinck. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Random access memory and corresponding method for managing a random access memory

Номер патента: US12073897B2. Автор: Marco Casarsa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-27.

Static random access memory with symmetric leakage-compensated bit line

Номер патента: WO2004025661A2. Автор: Vivek De,Dinesh Somasekhar,Steven Hsu,Atila Alvandpour,Ram Krishnamurty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-03-25.

Multi-channel physical interfaces and methods for static random access memory devices

Номер патента: US20150117092A1. Автор: Dinesh Maheshwari,Derwin W. Mattos,Avi Avanindra. Владелец: Morgan Stanley Senior Funding Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Memory device and method having a data bypass path to allow rapid testing and calibration

Номер патента: WO2006121874A3. Автор: Troy A Manning,James B Johnson. Владелец: James B Johnson. Дата публикации: 2007-08-02.

Devices and methods for selecting a forming voltage for a resistive random-access memory

Номер патента: US09865348B2. Автор: Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Cell structure of 4T random access memory, random access memory and operation methods

Номер патента: US09812190B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2017-11-07.

Word shift static random access memory (WS-SRAM)

Номер патента: US09589623B2. Автор: Frederick A. Perner,Matthew D. Pickett. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Dynamic/static random access memory (D/SRAM)

Номер патента: US09466352B2. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-10-11.

System for refreshing dynamic random access memory

Номер патента: EP4386754A1. Автор: Suhas Chakravarty,James Andrew Welker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-19.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: WO1980001733A1. Автор: W Huber,F Procyk,D Clemons,R Cenker. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1980-08-21.

Testing circuit, testing method, and apparatus for testing multi-port random access memory

Номер патента: US20200105358A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hidehiro Fujiwara. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Multi-bit non-volatile random-access memory cells

Номер патента: US09607695B1. Автор: Jayant Ashokkumar,David Still,Joseph Tandingan,Judith Allen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

List sort static random access memory

Номер патента: EP2873075A1. Автор: Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-05-20.

Structure and methods of operating two identical 4T random access memories storing the same data

Номер патента: US09947390B2. Автор: Dong Wu,Liyang Pan,Xinhong Hong. Владелец: Shenzhen Graduate School Tsinghua University. Дата публикации: 2018-04-17.

Method, apparatus, device and storage medium for accessing static random access memory

Номер патента: US20200159658A1. Автор: Jing Wang,Xiaozhang Gong. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Powering random access memory modules with non-volatile memory components

Номер патента: US20200310971A1. Автор: Theodore B. Vojnovich,Jonathan R. Hinkle,David W. Cosby,Jose M. Orro. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A2. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2021-05-14.

Mode-changeable dual data rate random access memory driver with asymmetric offset and memory interface incorporating the same

Номер патента: US20150213855A1. Автор: Sunil SUDHAKARAN,Daehyun Chung. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Sense amplifier schemes for accessing memory cells

Номер патента: US20220383912A1. Автор: Kyoichi Nagata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Static random access memory circuit and read/write operation method thereof

Номер патента: US20230215492A1. Автор: Chung-chieh Chen,Shuo-Hong Hung,Bing-Chen Wu. Владелец: Upbeat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Test interface for verification of high speed embedded synchronous dynamic random access memory (SDRAM) circuitry

Номер патента: US20020042898A1. Автор: Michael Parris,Oscar Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-11.

Device and method for supplying current to a semiconductor memory to support a boosted voltage within the memory during testing

Номер патента: US20010028580A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Ferroelectric random-access memory read only memory wordline architecture

Номер патента: US20210366530A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function

Номер патента: US09767881B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Techniques for accessing a dynamic random access memory array

Номер патента: US09472249B2. Автор: Andre Schaefer,Pei-Wen Luo,Jen-Chieh Yeh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Self-storing and self-restoring non-volatile static random access memory

Номер патента: US09437298B1. Автор: Shigeki Tomishima,Robert S. Chau,Ian A. Young,Dmitri E. Nikonov,Elijah V. Ilya Karpov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20180182469A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

A dynamic random access memory (dram) structure with body bias voltage that can be adapted to the access pattern of cells

Номер патента: WO2021091518A3. Автор: Oguz Ergin,Fahrettin KOC. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of Screening Static Random Access Memories for Unstable Memory Cells

Номер патента: US20130028036A1. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Address dependent wordline timing in asynchronous static random access memory

Номер патента: US12068024B2. Автор: Jay A. Chesavage,Robert Wiser,Neelam SURANA. Владелец: Ceremorphic Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Data read/write method, device, and memory having the same

Номер патента: US12094519B2. Автор: Shengcheng DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Dynamic random access memory apparatus

Номер патента: US20140146597A1. Автор: Chuan-Jen Chang,Wen-Ming Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Control circuit on memory chip and dynamic random access memory

Номер патента: US20240062802A1. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: WO2008118553A3. Автор: David C Lawson,Jason F Ross. Владелец: Jason F Ross. Дата публикации: 2008-12-11.

Single event upset hardened static random access memory cell

Номер патента: EP2126921A2. Автор: David C. Lawson,Jason F. Ross. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-12-02.

Random access memory with hidden bits

Номер патента: US20020089884A1. Автор: Günther SCHINDLER,Matthias Kronke. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Cross-layer reconfigurable static random access memory (SRAM) based compute-in-memory macro and method for edge intelligence

Номер патента: US12112797B1. Автор: Xinfei GUO,Runxi Wang. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2024-10-08.

Static random access memory (SRAM) with recovery circuit for a write operation

Номер патента: US09799394B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Wei Min Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Dynamic random access memory with configurable refresh rate for communications systems

Номер патента: US09659625B2. Автор: Curtis Ling. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

System and method for temperature compensated refresh of dynamic random access memory

Номер патента: US09640242B1. Автор: Dexter Tamio Chun,Haw-Jing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High operating speed resistive random access memory

Номер патента: US09633723B2. Автор: Sang Nguyen,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

6T static random access memory cell, array and memory thereof

Номер патента: US09627040B1. Автор: Hiroyuki Yamauchi,Meng-Fan Chang,Chien-Fu Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-04-18.

Static random access memory and method of controlling the same

Номер патента: US09455025B2. Автор: Chia-Cheng Chen,Ching-Wei Wu,Ming-Hung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Hardware/software co-compressed computing method and system for static random access memory computing-in-memory-based processing unit

Номер патента: US20220366971A1. Автор: Kea-Tiong Tang,Syuan-Hao Sie,Jye-Luen LEE. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-11-17.

Low-power static random access memory

Номер патента: US11990181B2. Автор: Katsuyuki Sato,William Martin Snelgrove,Saijagan SAIJAGAN. Владелец: Untether AI Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Leakage compensation circuit for dynamic random access memory (dram) cells

Номер патента: US20100073994A1. Автор: Muhammad M. Khellah,Ali Keshavarzi,DiaaEldin S. Khalil,Arijit Rayehowdhury. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Ferroelectric random access memory device and method for operating the same

Номер патента: US6088257A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-07-11.

Random access memory with divided memory banks and data read/write architecture therefor

Номер патента: US5497351A. Автор: Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-03-05.

Method and related apparatus for maintaining data stored in a dynamic random access memory

Номер патента: US20040107310A1. Автор: I-Ming Lin. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-03.

Asymmetrical Random Access Memory Cell, A Memory Comprising Asymmetrical Memory Cells And A Method To Operate Such A Memory

Номер патента: US20070165447A1. Автор: Otto Wagner,Anthony Gus Aipperspach,Sebastian Ehrenreich,Torsten Mahnke. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: EP2976770A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

Operating voltage tuning method for static random access memory

Номер патента: US20100135093A1. Автор: Chien-Li Kuo,Chun-Liang Hou,fu-chao Liu,Min-Chin Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Pre-charging bitlines in a static random access memory (sram) prior to data access for reducing leakage power, and related systems and methods

Номер патента: WO2014182554A1. Автор: Chiaming Chai,Kunal Garg,Stephen Edward Liles,Shaoping Ge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-11-13.

Dynamic random access memory (dram) with configurable wordline and bitline voltages

Номер патента: US20240257860A1. Автор: Gary Bela Bronner,Brent Steven Haukness,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-01.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734890B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Systems and methods for individually configuring dynamic random access memories sharing a common command access bus

Номер патента: US09734878B1. Автор: Vaishnav Srinivas,Farrukh Aquil,Michael Drop,Philip Clovis. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Static random access memory and driving method thereof

Номер патента: US09466359B2. Автор: Jong Sun Park,Woong Choi. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2016-10-11.

Random access memory

Номер патента: US6366504B1. Автор: Frédéric ROBIN,Christian Piguet,Jean-Marc Masgonty,Stefan Cserveny. Владелец: Centre Suisse dElectronique et Microtechnique SA CSEM. Дата публикации: 2002-04-02.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: EP1252630A2. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-10-30.

Dynamic random access memory and method for accessing same

Номер патента: US7626843B2. Автор: Shou-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Handling of the Transmit Enable Signal in a Dynamic Random Access Memory Controller

Номер патента: US20080046620A1. Автор: Mark Bellows. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Dynamic random access memory (DRAM) backchannel communication systems and methods

Номер патента: US09881656B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile random access memory (NVRAM) with backup control

Номер патента: US09595329B1. Автор: Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Static random access memory with bitline boost

Номер патента: US09460778B2. Автор: Jin Seung SON,Prashant Umakant KENKARE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Circuit, device, and method to detect voltage leakage

Номер патента: US5117426A. Автор: Hugh P. McAdams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-05-26.

Static random access memory with improved noise immunity

Номер патента: US5636177A. Автор: Chien-Chih Fu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Error correction system for random access memory

Номер патента: US4031374A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1977-06-21.

Ferroelectric random access memory device and method for operating read and write thereof

Номер патента: US11790971B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile static random access memory with independently accessible non-volatile bit cell and method of operating the same

Номер патента: US11900987B2. Автор: Mohit Gupta,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and apparatus for accessing banked embedded dynamic random access momory devices

Номер патента: US20030005211A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Sram memory device and testing method thereof

Номер патента: US20130128656A1. Автор: Ashish Kumar,Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2013-05-23.

Pseudo static random access memory and method for operating pseudo static random access memory

Номер патента: US20200273504A1. Автор: Yukihiro Nomura,Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A9. Автор: Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata,David R Hanson. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-05-16.

A prefetch write driver for a random access memory

Номер патента: WO2001043135A1. Автор: David R. Hanson,Gerhard Mueller,Toshiaki Kirihata. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-06-14.

Static random access memory device including write assist circuit and writing method thereof

Номер патента: US09496027B2. Автор: Taejoong Song,Seong Ook Jung,Woojin Rim,Hanwool Jeong,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of and apparatus for improved dynamic random access memory (dram) providing increased data bandwidth and addressing range for current dram devices and/or equivalent bandwidth and addressing range for smaller dram devices

Номер патента: CA2159953A1. Автор: Mukesh Chatter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-04-08.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20220319561A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Dynamic random access memory device and method for self-refreshing memory cells

Номер патента: US7369451B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-05-06.

Global wire management apparatus and method for a multiple-port random access memory

Номер патента: US5991224A. Автор: Anthony Gus Aipperspach,Peter Thomas Freiburger,Peder James Paulson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Organization for dynamic random access memory

Номер патента: CA1133635A. Автор: Donald G. Clemons,Ronald P. Cenker,William R. Huber, Iii,Frank J. Procyk. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-10-12.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US11823767B2. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Parity data in dynamic random access memory (dram)

Номер патента: US20220197737A1. Автор: Todd A. Marquart,Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Random access memory and refresh controller thereof

Номер патента: US20130155782A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Static random-access memory (sram) sensor

Номер патента: US20160247554A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Random access memory with optional inaccessible memory cells

Номер патента: US20050122822A1. Автор: Torsten Partsch,Thoai Le. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Dynamic random access memory speed bin compatibility

Номер патента: US20240144985A1. Автор: Erik V. Pohlmann. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US11574684B2. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Magnetic device and lithographic apparatus

Номер патента: US09519230B2. Автор: Olof Martinus Josephus Fischer,Fidelus Adrianus Boon. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Embedded Magnetic Random Access Memory (MRAM)

Номер патента: US20130302914A1. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-14.

Voltage-tunable magnetic devices for communication applications

Номер патента: US09817088B2. Автор: Deepanjan DATTA,Vinayak Bharat Naik,Murali V R M KOTA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Management of memory array with magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US09830106B2. Автор: Siamack Nemazie,Berhanu Iman,Ngon Van Le,Ravishankar Tadepalli. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetic random access memory (MRAM)-based frame buffering apparatus, display driving apparatus and display apparatus including the same

Номер патента: US09805444B2. Автор: Dae-Shik Kim,Bo-Young Seo,Gwan-Hyeob Koh,Choong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnet device

Номер патента: WO2021116183A1. Автор: Jean-Marie Poumirol,Alexey Kuzmenko. Владелец: UNIVERSITE DE GENEVE. Дата публикации: 2021-06-17.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606731B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

System and method including three dimensional nonvolatile memory device and random access memory

Номер патента: US09606730B2. Автор: Donghun Kwak,Byung Hei Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers

Номер патента: US20140285930A1. Автор: John W. Powell. Владелец: WEN TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Customizable plug and play random access memory (ram) module

Номер патента: WO2019150221A1. Автор: Swarna Kumari Adari. Владелец: Adari Swarna Kumari. Дата публикации: 2019-08-08.

Magnetization device and magnetizing method

Номер патента: AU2021233649A1. Автор: Shinya Mito,Shoma TAKEDA,Shoichi SHIOSAKI. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods providing control for electro-permanent magnetic devices and related electro-permanent magnetic devices and controllers

Номер патента: US09620953B2. Автор: John W. Powell, Jr.. Владелец: WEN TECHNOLOGY Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Devices and methods for programming a resistive random-access memory

Номер патента: US09620208B2. Автор: Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US09715930B2. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Data Storage Device and Operating Method Therefor

Номер патента: US20190065309A1. Автор: Tsung-Yao Chiang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Superconducting magnet device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10134515B2. Автор: Atsuko Oka,Shota Kanai. Владелец: Japan Semiconductor Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-20.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Hybrid storage device and access method

Номер патента: US12032498B2. Автор: Biao He,Guangyu Zhang,Yongjun Xiao,Fei Kong,Jianfeng Geng,Dengwei Xia. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Joint command dynamic random access memory (DRAM) apparatus and methods

Номер патента: US12135901B2. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-11-05.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Forming operation method of resistive random access memory

Номер патента: US20240282371A1. Автор: Ko-Chi Chen,Tzu-Yun Chang,Yi Ting Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

System and method to improve enterprise reliability through tracking I/O performance metrics in non-volatile random access memory

Номер патента: US09842660B1. Автор: Ajith Kumar,Vijay Karamcheti,Ashish Singhai,Ashwin Narasimha,Muthugopalkrishnan Adiseshan,Viswesh Sankaran. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-12-12.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: EP3549024A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-09.

Providing extended dynamic random access memory (dram) burst lengths in processor-based systems

Номер патента: WO2018102538A1. Автор: Liyong Wang,Kuljit Singh Bains,Wesley Queen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-07.

Phase-change random access memory device

Номер патента: US20100124101A1. Автор: Kwang-Ho Kim,Mu-hui Park,Soo-Guil Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile static random access memory

Номер патента: US09734909B2. Автор: Tsai-Kan Chien,Lih-Yih Chiou,Yi-Sung Tsou. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-15.

Deep learning accelerator and random access memory with separate memory access connections

Номер патента: US11887647B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Virtualized scan chain testing in a random access memory (RAM) array

Номер патента: US12087383B2. Автор: Rahul Nadkarni,Yeshwant Kolla,David Hoff,Babji Vallabhaneni. Владелец: Ampere Computing LLC. Дата публикации: 2024-09-10.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09852069B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

RAM disk using non-volatile random access memory

Номер патента: US09535827B2. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Toby Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

On-die static random-access memory (sram) for caching logical to physical (l2p) tables

Номер патента: WO2022165828A1. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor integrated circuit with functional test mode to random access memory unit

Номер патента: US5267206A. Автор: Kunihiro Koyabu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-11-30.

Disturb condition detection for a resistive random access memory

Номер патента: US09734903B2. Автор: Tz-yi Liu,Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon,Ran ZAMIR,Tianhong Yan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change random access memory

Номер патента: US20100214832A1. Автор: Hye-jin Kim,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

On-die static random-access memory (SRAM) for caching logical to physical (L2P) tables

Номер патента: US12066932B2. Автор: Ken Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method for reducing standby current in a memory device by disconnecting bit line load devices in unused columns of the memory device from a supply voltage

Номер патента: US20020093866A1. Автор: James Wilkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Dynamic random access memory

Номер патента: US20170315768A1. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Solid state driving including nonvolatile memory, random access memory and memory controller

Номер патента: US09886379B2. Автор: Hyunjin Kim,Kitae Park,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Electronic device and method for selective enabling of access to configuration registers used by a memory controller

Номер патента: US5713006A. Автор: Akio Shigeeda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-01-27.

Method and apparatus to implement an integrated circuit including both dynamic random-access memory (dram) and static random-access memory (sram)

Номер патента: US20230315331A1. Автор: Rajabali Koduri,Pushkar Ranade,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Resistive random-access memory for exclusive nor (xnor) neural networks

Номер патента: US20210082502A1. Автор: Shimeng Yu,Jae-sun Seo. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2021-03-18.

Superconducting magnet device

Номер патента: US20240347248A1. Автор: Satoshi Ito,Takuya Matsumoto,Hideaki Nagahama. Владелец: Japan Superconductor Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Resistive random access memory (RRAM) system

Номер патента: US09837154B2. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetization device for magnetic encoder

Номер патента: US09691534B2. Автор: Shintarou Ueno,Toru Takahashi. Владелец: NTN Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US11894098B2. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20190035440A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Dynamic random access memory applied to an embedded display port

Номер патента: US20210217451A1. Автор: Wei-Ming Huang,Yen-An Chang,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance, high-capacity registered memory modules

Номер патента: US20170351627A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-07.

Dynamic random access memory (dram) component for high-performance,high-capacity registered memory modules

Номер патента: EP3234784A1. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt,Ely Tsern,Kenneth L. Wright,Thomas J. Giovannini. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-25.

Method for controlling a non-volatile dynamic random access memory

Номер патента: US20040052112A1. Автор: Shih-Jye Shen,Yen-Tai Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6405297B1. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Automatic reloading of serial read pipeline on last bit transfers to serial access memory

Номер патента: US6134639A. Автор: Donald M. Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-10-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09947377B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Providing memory training of dynamic random access memory (DRAM) systems using port-to-port loopbacks, and related methods, systems, and apparatuses

Номер патента: US09767868B2. Автор: Dexter Tamio Chun,Vaishnav Srinivas,David Ian West,Michael Joseph Brunolli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Random access memory with volatile data storage

Номер патента: CA1094687A. Автор: Hendrik H.M. Tromp. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-01-27.

Test system for random access memory

Номер патента: CA1287409C. Автор: Katsuhisa Kubota. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-08-06.

Pseudo bidimensional randomly accessible memory

Номер патента: US20040115879A1. Автор: Bernard Plessier,Ming Yap. Владелец: STMICROELECTRONICS ASIA PACIFIC PTE LTD. Дата публикации: 2004-06-17.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US20110075474A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Phase change random access memory apparatus and write control method for the same

Номер патента: US8130540B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-06.

Method and apparatus for testing random access memory devices

Номер патента: US6018484A. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Speculative exit from power down mode of a dynamic random access memory rank

Номер патента: EP3867730A1. Автор: Kedarnath Balakrishnan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Resistance random access memory with accurate forming procedure, operating method thereof and operating system thereof

Номер патента: US09627058B2. Автор: Chao-I Wu,Tien-Yen Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Methods of operating a bistable resistance random access memory with multiple memory layers and multilevel memory states

Номер патента: US20090303774A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Self-timed random access memory chip

Номер патента: US4712190A. Автор: Alan Kotok,Paul M. Guglielmi,Ronald J. Melanson. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1987-12-08.

System on a chip with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021207236A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Nonvolatile dynamic random access memory device

Номер патента: US5796670A. Автор: Kwo-Jen Liu. Владелец: Ramax Semiconductor Inc. Дата публикации: 1998-08-18.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20210090618A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Streaming access memory device, system and method

Номер патента: US11823771B2. Автор: Surinder Pal Singh,Giuseppe Desoli,Thomas Boesch,Anuj Grover,Nitin Chawla. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2023-11-21.

Active Random Access Memory

Номер патента: US20220254392A1. Автор: Hsin-Cheng Chen,Jung-Rung Jiang,Yen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Dynamic redundancy for random access memory assemblies

Номер патента: MY117769A. Автор: Timothy Jay Dell,Mark William Kellogg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-08-30.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2176675C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2001-12-18.

Method of programming a resistive random access memory

Номер патента: US20160155501A1. Автор: Elisa Vianello,Daniele Garbin. Владелец: Universite Joseph Fourier Grenoble 1. Дата публикации: 2016-06-02.

Dynamic random access memory device, operating method of the same, and memory module including the same

Номер патента: US20170062040A1. Автор: Youngjin Cho,Jaegeun PARK,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-02.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US11967374B2. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: EP3304559A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-11.

Reset current delivery in non-volatile random access memory

Номер патента: US20160358652A1. Автор: Sandeep K. Guliani,Ved PRAGYAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-08.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210295911A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20210082504A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Voltage-mode bit line precharge for random-access memory cells

Номер патента: US20230019326A1. Автор: Danut Manea. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method, device, and computer program for improving random access in point cloud data bit-stream

Номер патента: GB2629152A. Автор: Maze Frédéric,DENOUAL FRANCK,TOCZE LIONEL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method, device, and computer program for improving random access in point cloud data bit-stream

Номер патента: US20240346698A1. Автор: Lionel Tocze,Franck Denoual,Frederic Maze. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Method, device, and computer program for improving random access in point cloud data bit-stream

Номер патента: GB2629221A. Автор: Maze Frédéric,DENOUAL FRANCK,TOCZE LIONEL. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Method, device, and computer program for improving random access in point cloud data bit-stream

Номер патента: GB202305636D0. Автор: . Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Communication device and method therein for generating random access preambles

Номер патента: EP4388819A1. Автор: Yang Liu,Guang Liu. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-06-26.

Photochromic polymers for three dimensional optical random access memory

Номер патента: RU2345997C2. Автор: Валерий Александрович Барачевский,Сергей Николаевич Иванов,Алексей Иванович Ковалев,Валерий Александрович Васнев,Игорь Викторович Заварзин,Михаил Владимирович Алфимов,Александр Львович РУСАНОВ,Александр Александрович Дунаев,Михаил Михайлович Краюшкин,Владимир Николаевич Яровенко,Юрий Александрович Пьянков,Мухаммед Ластанбиевич Кештов,нков Юрий Александрович Пь,Юрий Петрович Строкач. Владелец: Центр Фотохимии Российской Академии Наук. Дата публикации: 2009-02-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A2. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: WO2012012435A3. Автор: Chandra Mouli,Suraj J. Mathew. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09954075B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09461155B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Self-aligned bottom plate for metal high-k dielectric metal insulator metal (mim) embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20140070293A1. Автор: Michael P. Chudzik,Keith Kwong Hon Wong,Zhen Zhang,Jian Yu,Zhengwen Li,Chengwen Pei,Damon B. Farmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Dynamic random access memory structure

Номер патента: US20200006347A1. Автор: Chih-Hao Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Low leakage non-planar access transistor for embedded dynamic random access memory (eDRAM)

Номер патента: US09741721B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park,Rahul RAMASWAMY,Curtis Tsai,Gopinath Bhimarasetti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Website access method, device and website system

Номер патента: RU2673403C2. Автор: Хойбинь МА,Дэпин ТАН,Ваньцин ХУ,Сяньян У. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-11-26.

Method, device and system for access of intellectual household appliances to multiple servers

Номер патента: RU2673693C2. Автор: Эньсин ХОУ,Яньлу ЧЗАН,Беньчан СУ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-11-29.

Intelligent Microphone having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210398542A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Intelligent microphone having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257579A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Computing multi-magnet based devices and methods for solution of optimization problems

Номер патента: US20140043061A1. Автор: Behtash Behin-Aein. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Device and method of user's input for control over displayed data

Номер патента: RU2559720C2. Автор: Цифэн ЯНЬ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Surveillance Camera Upgrade via Removable Media having Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20230007317A1. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Surveillance camera upgrade via removable media having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12088861B2. Автор: Te-Chang Lin,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Embedded magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8730716B2. Автор: Parviz Keshtbod,Ebrahim Abedifard. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Intelligent digital camera having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257580A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Video compression in removable storage device having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US12135671B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Mobile terminal, screen control method, screen control device and data medium

Номер патента: RU2728906C1. Автор: Гаоцай ХАНЬ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-03.

Communication device, information processing device and communication method

Номер патента: RU2713500C2. Автор: Хироси МОРИТА,Кадзуаки ТОБА,Рёхэй ТАКАХАСИ,Тосихиса ХЯКУДАИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-02-05.

Method, device, electronic device and terminal for confirmation of order delivery

Номер патента: RU2747448C1. Автор: Хуне ЧЖАО,Яньчао МЯО. Владелец: Бейдзин Цзиндун Чжэньши Информейшн Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-05-05.

Method, device and electronic device for controlling the intelligent home device

Номер патента: RU2640644C2. Автор: Эньсин ХОУ,Лун ДАЙ,Чжэнвэй ВЭНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-01-10.

Peer-to-peer non-volatile random-access memory

Номер патента: US20180095871A1. Автор: Ronald Karr,Peter E. Kirkpatrick,Roland Dreier. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Image processing device and method thereof

Номер патента: US20150091928A1. Автор: Wei-Hsiang Hong,Ying-Chieh Tu,Wan-Chan Hu. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2015-04-02.

Image processing device and method thereof

Номер патента: US09990900B2. Автор: Wei-Hsiang Hong,Ying-Chieh Tu,Wan-Chan Hu. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-06-05.

Method, device and communication system for wearable device

Номер патента: RU2640822C2. Автор: Даокуань ЛЮ,Шуай ЛЮ,Яо ТАН,Синьянь СИН,Чуньхэ ЯН. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-01-12.

Equipment control method, cluster system, electronic device and readable data media

Номер патента: RU2749339C1. Автор: Цзюнь ЛО,Тао ЦЗЯ. Владелец: Бейджин Цзиньсюнь Жуйбо Нетворк Текнолоджи Ко., Лтд. Дата публикации: 2021-06-08.

Force page paging scheme for microcontrollers of various sizes using data random access memory

Номер патента: US20010030905A1. Автор: Randy Yach. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-18.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: WO2021061596A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: US20210089663A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Exclusive or engine on random access memory

Номер патента: EP4035052A1. Автор: Hongyu Wang,Ameen D. Akel,Kenneth Marion Curewitz,Shivam SWAMI,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Mobile communication device and method of managing said device

Номер патента: RU2438237C2. Автор: Тае Хун КИМ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of preventing pry for random access memory

Номер патента: US20170316218A1. Автор: Shaw Hwa Hwang,Bing Chih Yao,Cheng Yu Yeh,Yao Hsing Chung,Chi Jung Huang,Li Te Shen,Ning Yun KU,Kuan Lin Chen,Shun Chieh Chang,Ming Che Yeh,Chao Ping Chu,Tzu Hung Lin. Владелец: NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-11-02.

Magnetic devices within peripheral device enclosures

Номер патента: WO2022191847A1. Автор: Jyun-Cheng Lin,Cheng-hua YU,Shan-Chih Chen,Shih-Jen Chang,Cheng-Kai Chang,huai-gang Liu,Hong En Chen. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2022-09-15.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20120292709A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: EP2368267A2. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-09-28.

Trigate static random-access memory with independent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: US20100155848A1. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Ravi Pillarisetty,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Trigate static random-access memory with indepenent source and drain engineering, and devices made therefrom

Номер патента: WO2010074973A3. Автор: Robert S. Chau,Brian Doyle,Willy Rachmady,Ravi Pillaresitty. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

CMOS image sensor (CIS) including MRAM (magnetic random access memory)

Номер патента: US10157951B2. Автор: Dae-Shik Kim,Gwan-Hyeob Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-18.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-threaded random access storage device qualification tool

Номер патента: US20030037203A1. Автор: Tanjore Suresh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Multi-threaded random access storage device qualification tool

Номер патента: WO2002082274A3. Автор: Tanjore K Suresh. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

Magnetic element control device, magnetic device control method, and magnetic detecting device

Номер патента: US20150070010A1. Автор: Yasushi Oikawa. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Magnetic random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120273844A1. Автор: Yoshiaki Asao,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170373073A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317090A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20170317091A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of forming static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09953988B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Static random-access memory (SRAM) cell array

Номер патента: US09947674B2. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Static random-access memory (SRAM) cell array and forming method thereof

Номер патента: US09728541B1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Layouts and fabrication methods for static random access memory

Номер патента: US09679902B2. Автор: Yu Li,Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US20230087231A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated inductor and magnetic random access memory device

Номер патента: US09397139B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Magnetic random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09761792B2. Автор: Seung-Woo Lee,Jun-Soo Bae,Mi-Lim Park,Shi-jung Kim,Kyu-Man HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing magnetic random access memory and magnetic random access memory

Номер патента: US20230008840A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Huihui Li,Xianqin Hu. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-12.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20220029087A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yen-Chun Liu,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Magnetic random access memory structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240298547A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Magnetic random access memory structure

Номер патента: US20240306514A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Perpendicular magnetic anisotrophy free layers with iron insertion and oxide interfaces for spin transfer torque magnetic random access memory

Номер патента: US09978935B2. Автор: Guohan Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Reduced process degradation of spin torque magnetoresistive random access memory

Номер патента: US09853210B2. Автор: Stephen M. Rossnagel,Gen P. Lauer,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Non-volatile resistive random access memory crossbar devices with maximized memory element density and methods of forming the same

Номер патента: US09647035B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnetic shielding for magnetic devices

Номер патента: US20230014296A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of making a resistive random access memory

Номер патента: US09520562B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-13.

Integrated magnetic random access memory with logic device having low-k interconnects

Номер патента: US09972775B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan,Wanbing YI,Francis Yong Wee POH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728720B2. Автор: Chia Hua Ho,Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for providing a perpendicular magnetic anisotropy magnetic junction usable in spin transfer torque magnetic devices using a sacrificial insertion layer

Номер патента: US09559296B2. Автор: Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Nanocomposite magnetic materials for magnetic devices and systems

Номер патента: US09818514B2. Автор: David P. Arnold,Jennifer S. ANDREW. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Static random-access memory (SRAM) and manufacture thereof

Номер патента: US11152379B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: US20240023458A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG,Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetic random access memory

Номер патента: US20140284734A1. Автор: Kuniaki Sugiura,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837468B2. Автор: Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Sang-Hwan Park,Whan-kyun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175358A1. Автор: Hyun Min Lee,Jung Taik Cheong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

High density multi-time programmable resistive memory devices and method of forming thereof

Номер патента: US09768231B2. Автор: Eng Huat Toh,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

RRAM device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716223B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066594A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Multi-bit resistive random access memory cell and forming method thereof

Номер патента: US20210111340A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Resistive Random Access Memory

Номер патента: US20170222143A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming static random-access memory (sram) cell array

Номер патента: US20180315763A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-01.

Static random-access memory (sram) cell array and forming method thereof

Номер патента: US20180006040A1. Автор: Chun-Hsien Huang,Yu-Tse Kuo,Shu-Ru Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478741B2. Автор: Mao-Teng Hsu. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Co-fabrication of magnetic device structures with electrical interconnects having reduced resistance through increased conductor grain size

Номер патента: US20190273204A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Liying Jiang,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Method for making a magnetic random access memory element with small dimension and high quality

Номер патента: US09437811B2. Автор: Rongfu Xiao. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive random access memory and manufacturing method

Номер патента: US20230050843A1. Автор: Han Xiao,Ru Huang,Zongwei Wang. Владелец: Advanded Institute Of Information Technology Aiit Peking University. Дата публикации: 2023-02-16.

Stacked conductive bridge random access memory and access devices

Номер патента: US20230200269A1. Автор: Takashi Ando,Gloria Wing Yun Fraczak,Hiroyuki Miyazoe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210193918A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chung-Hsuan Wang,Tz-Hau Guo,Chiung-Lin Hsu,Chang-Hsuan Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US20160118579A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-04-28.

Dynamic random access memory and forming method therefor

Номер патента: US20240244833A1. Автор: XING Yu,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing a magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20210043833A1. Автор: Jungmin Lee,Junghwan Park,Younghyun Kim,Sechung Oh,Kyungil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

High-density resistive random-access memory array with self-aligned bottom electrode contact

Номер патента: US20230147958A1. Автор: Daniel Schmidt,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Resistive random access memory

Номер патента: US20180233665A1. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US20160240777A1. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-08-18.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US9711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making dynamic random access memory having a reliable contact

Номер патента: US5288655A. Автор: Toshio Nomura,Daitei Shin,Masaaki Higasitani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-02-22.

Resistive random access memory

Номер патента: US09972779B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistive random access memory

Номер патента: US09773975B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive random access memory having stable forming voltage

Номер патента: US09711720B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-07-18.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09537086B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Linear magnetoresistive random access memory device with a self-aligned contact above MRAM nanowire

Номер патента: US09525125B1. Автор: Rohit Kilaru,Anthony J. Annunziata. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Resistive random access memory and method for producing same

Номер патента: US09496493B2. Автор: Ting-Chang Chang,Tsung-Ming Tsai,Kuan-Chang CHANG,Chih-Hung Pan,Tian-Jian Chu. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2016-11-15.

Resistive random access memory and method for initializing the same

Номер патента: US20220069208A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wen-Chung Chen,Yi-Ting Tseng,Chun-Chu Lin,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-03.

1t1r resistive random access memory and manufacturing method therefor, transistor and device

Номер патента: EP3736865A1. Автор: Jian Shen,Guofeng YAO. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-11.

Doped Oxide Dielectrics for Resistive Random Access Memory Cells

Номер патента: US20150093876A1. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Embedded magnetic device integrated structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332224A1. Автор: Xiaowei Xu,Xianming Chen,Gao HUANG,Benxia Huang,Yejie Hong. Владелец: Zhuhai Access Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Resistive switching random access memory with asymmetric source and drain

Номер патента: US09478638B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Doped oxide dielectrics for resistive random access memory cells

Номер патента: US09425394B2. Автор: Yun Wang,Randall J. Higuchi,Brian Butcher. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory cell of resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09385314B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Heng-Yuan Lee,pei-yi Gu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-05.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Methods for forming resistance random access memory structure

Номер патента: US20140073108A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Static random access memory (SRAM) cells including vertical channel transistors

Номер патента: US09721957B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Donghwan Kim,Suhwan Kim,Sungkweon Baek,Taehyun An,Yubin Kim,Jin Soak Kim,Gabjin Nam,Eunae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Forming self-aligned conductive lines for resistive random access memories

Номер патента: US09705080B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Pietro Petruzza. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of making a resistive random access memory device

Номер патента: US09472757B2. Автор: Qi Xie,Jan Willem Maes,Suvi Haukka,Jacob Woodruff,Tom Blomberg,Marko Tuominen,Robin Roelofs. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-18.

Random access memory

Номер патента: US20020001901A1. Автор: Kirk Prall,Christopher Murphy,D. Durcan,Robert Kerr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Switchable magnetic device or dot for data storage

Номер патента: US20240147869A1. Автор: Benjamin John Ruck,Harry Joseph Trodahl,Eva-maria Johanna ANTON,William Freeman HOLMES-HEWETT,Jackson David MILLER,Catherine Margaret Walker POT. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-02.

Conductive oxide random access memory (CORAM) cell and method of fabricating same

Номер патента: US09548449B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Elijah V. KARPOV. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Stacked random-access memory devices with refrigeration

Номер патента: US20230275067A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetoresistive random access memory thin film transistor unit cell

Номер патента: US20200119093A1. Автор: Xuefeng Liu,Praveen Joseph,Eric Raymond EVARTS,Gauri Karve. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Resistive Random Access Memory Using amorphous metallic Glass Oxide as a storage medium

Номер патента: US20140291600A1. Автор: Jinn Chu,Berhanu Tulu Kacha,Wen-Zhi Chang. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2014-10-02.

Phase-change random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140054533A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Jin Ku Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method and apparatus for data processing in random access process

Номер патента: EP4447511A1. Автор: Yang Wang,YAN Xi,Xueqiang Yan,Mingyu ZHAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Random access method and apparatus, communication device, and storage medium

Номер патента: EP4185061A1. Автор: Wei Hong. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-24.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: US12088409B2. Автор: Xueming PAN,Xiaohang Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Random access processing method and apparatus, terminal, network device, and storage medium

Номер патента: EP3927096A1. Автор: Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Random access processing method and apparatus, terminal, network-side device, and storage medium

Номер патента: US20240260093A1. Автор: Kai Wu,Yi Gu,Kun Yang,Lihui Wang,Wei Bao,Yitao MO. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Random access method and device, and storage medium

Номер патента: EP4290936A1. Автор: Xiaowei Jiang,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Communications system, infrastructure equipment, communications devices and method

Номер патента: EP3244686A1. Автор: Hideji Wakabayashi,Brian Alexander Martin,Matthew William Webb. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-15.

Random access method and apparatus applicable to satellite communication

Номер патента: US11882604B2. Автор: Peng Liu,Jun Chen,Guangjian Wang,Jingjing Huang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-23.

Device and method for performing random access in non-terrestrial network system

Номер патента: US20230292367A1. Автор: Su Han CHOI. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dankook University. Дата публикации: 2023-09-14.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: RU2741328C1. Автор: Нин ЯН,Цзяньхуа ЛЮ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-01-25.

Random Access for Low-Complexity User Equipment

Номер патента: US20230354432A1. Автор: Ali Behravan,Andreas Höglund,Mohammad Mozaffari,Yutao Sui,Sandeep Narayanan KADAN VEEDU,Istiak HOSSAIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-02.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: EP3813466A1. Автор: Xueming PAN,Xiaohang Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-28.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: US20210126733A1. Автор: Xueming PAN,Xiaohang Chen. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Random access procedure

Номер патента: ZA202102451B. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-11-29.

Random access procedure

Номер патента: CA3112352C. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods, terminal device and base station for random access procedure

Номер патента: EP3997938A1. Автор: Robert Mark Harrison,Zhipeng LIN,Yufei Blankenship,Jianwei Zhang. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2022-05-18.

Random access procedure

Номер патента: US11997718B2. Автор: Benoist Sebire,Chunli Wu,Samuli Turtinen. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2024-05-28.

Communication method, terminal device and network device

Номер патента: US20240155692A1. Автор: Yi Hu. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Encoding and decoding of video device and method that can minimizing random access delay

Номер патента: CN100542282C. Автор: 徐德荣,朴民奎,柳光烈. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-16.

NETWORK NODE, A WIRELESS DEVICE AND METHODS THEREIN FOR PERFORMING RANDOM ACCESS IN A CELL

Номер патента: US20180035466A1. Автор: Rune Johan,Stattin Magnus,KAROUT Johnny. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

Device and Method of Handling Physical Random Access Channel Resources on a Secondary Cell in Carrier Aggregation

Номер патента: US20190045551A1. Автор: Wu Chih-Hsiang,Meng Ling-San. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Device and Method of Handling a Random Access Procedure

Номер патента: US20180206273A1. Автор: Lee Chien-Min. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

TERMINAL, NETWORK DEVICE, AND DATA TRANSMISSION METHOD IN RANDOM ACCESS PROCESS

Номер патента: US20170318562A1. Автор: Zheng Xiaoxiao,Pang Lingli,Yang Xudong. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method, Device and Terminal for Physical Layer Random Access in Wideband TD Mobile Communication System

Номер патента: KR101050522B1. Автор: 잉민 왕,리보 왕,샤오후이 선,하이 비. Владелец: 상하이 얼티메이트 파워 커뮤니케이션즈 테크놀로지 코., 엘티디.. Дата публикации: 2011-07-20.

Method, terminal device and the network equipment of random access

Номер патента: CN110235505A. Автор: 杨宁,刘建华. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2019-09-13.

Method, device, and terminal for physical layer random access in wideband tdd mobile communication system

Номер патента: US20100226295A1. Автор: Yingmin Wang,Shaohui Sun,Libo Wang,Hai Bi. Владелец: Shanghai Ultimate Power Communications Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Device and method for processing physical random access channel resources in carrier aggregation

Номер патента: CN109391460B. Автор: 吴志祥,孟令三. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2021-08-31.

Method, device and related system for transmitting random access signals

Номер патента: CN101888360A. Автор: 秦洪峰,费佩燕. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Mobile communication system, base station device, and mobile station device for random access without necessity of contention resolution

Номер патента: EP2160043B2. Автор: Yasuyuki Kato,Shohei Yamada. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Radio base station device, radio mobile station device, and transmission control method for random access signal

Номер патента: CN101682924A. Автор: 太田好明,田岛喜晴,大渕一央,河崎义博,田中良纪,杉山胜正. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Method, device and system for sending physical random access channel (prach)

Номер патента: WO2017166255A1. Автор: 官磊,吴作敏. Владелец: 华为技术有限公司. Дата публикации: 2017-10-05.

USER DEVICE AND METHOD FOR IMPLEMENTING A RANDOM ACCESS PROCEDURE

Номер патента: RU2016146791A. Автор: Вури Андармаванти ХАПСАРИ,Хидеаки ТАКАХАСИ,Тоору ЮТИНО. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2018-06-13.

Mobile communication system, base station device, and mobile station device for random access without necessity of contention resolution

Номер патента: EP2160043B1. Автор: Yasuyuki Kato,Shohei Yamada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Terminal, network device, and data transmission method in random access process

Номер патента: EP3209079A4. Автор: Xudong Yang,Lingli PANG,Xiaoxiao ZHENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-15.

Magnet holding device, magnetization device, and magnetizing method

Номер патента: US20230317339A1. Автор: Fumitake TERAO,Shoma TAKEDA,Shoichi SHIOSAKI,Masahito TSUKANO. Владелец: Yokogawa Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Magnetic device and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: EP4401098A1. Автор: Huicheng Chen,Run LIN,Jianguo Bi. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for manufacturing ferrite magnet device, method for manufacturing non-reciprocal circuit device, and method for manufacturing composite electronic component

Номер патента: US20090255103A1. Автор: Takashi Hasegawa. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-15.

Superconductor magnetizing device and superconducting synchronization device

Номер патента: EP1583209A1. Автор: Mitsuru Izumi,Masahiro Kitano,Hidehiko Sugimoto. Владелец: University of Fukui NUC. Дата публикации: 2005-10-05.

Method for manufacturing NdFeB rare earth permanent magnetic device with composite plating

Номер патента: US09938625B2. Автор: Xiaodong Chen,Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Helical magnetic device

Номер патента: WO2009079665A1. Автор: David La Point. Владелец: David La Point. Дата публикации: 2009-06-25.

Residual magnetic devices and methods

Номер патента: US20110248588A1. Автор: Steven J. Dimig,Gregory J. Organek,Michael G. Feucht. Владелец: Strattec Security Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: US20240258064A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetizing device and magnetizing method

Номер патента: US20240290528A1. Автор: Shinji Nemoto,Toshitaka Kato,Tokio Taira. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

A magnetic device for producing electrolyte flow in battery systems

Номер патента: EP2920835A1. Автор: Kevin Galloway,Damon E. TURNEY. Владелец: Research Foundation Of City University of New York. Дата публикации: 2015-09-23.

Magnetic device for producing electrolyte flow in battery systems

Номер патента: US09728767B2. Автор: Kevin Galloway,Damon E. TURNEY. Владелец: Research Foundation Of City University of New York. Дата публикации: 2017-08-08.

Superconducting magnet device and cyclotron

Номер патента: US12033795B2. Автор: Akito Higuchi. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Magnetic device emplacement tool

Номер патента: US20230339095A1. Автор: Cameron P. Franklin,Kirk L. Traber. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing a magnetic device

Номер патента: US12094648B1. Автор: Chun-Chih Lin,Shou-Yi Tsao. Владелец: Chilisin Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetic device and llc series resonant converter having the same

Номер патента: US20240170204A1. Автор: CHEN CHEN,Kai-De Chen,De-Jia Lu,Yong-Long Syu,Chao-Lin Chung. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Superconducting magnet device and cryostat

Номер патента: US20240258003A1. Автор: Atsushi Hashimoto,Jyun Yoshida. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Superconducting magnet device including a cryogenic cooling bath and cooling pipes

Номер патента: WO2016037809A1. Автор: Neil Charles Tigwell. Владелец: Siemens PLC. Дата публикации: 2016-03-17.

Switchable magnet device

Номер патента: US12076887B2. Автор: Marko Kirbach. Владелец: BT Innovation GmbH. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetic Device and the Method to Make the Same

Номер патента: US20230223184A1. Автор: Sen-Huei Chen,Yulun Chang. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnet device for relieving aches and/or pain

Номер патента: US20240149071A1. Автор: Diane A. Soracco. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Superconducting magnet device and radiation shield structure

Номер патента: US20240258004A1. Автор: Kenta Demura,Takaaki Morie,Jyun Yoshida. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic devices and methods for manufacture using flex circuits

Номер патента: US09959967B2. Автор: Check F. Lee. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Magnetic devices for power converters with light load enhancers

Номер патента: US09691538B1. Автор: Anthony J. Stratakos,Alexandr Ikriannikov. Владелец: Volterra Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Magnetic device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576710B2. Автор: Chun-Tiao Liu,Yi-Min Huang,Cheng-Chang Lee,Roger Hsieh,Chih-Siang Chuang. Владелец: Cyntec Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Magnetization device for an electron microscope and method

Номер патента: EP4388573A1. Автор: Helmut Soltner,Michael Schaaf,Amir Hossein Tavabi,Rafal Edward DUNIN-BORKOWSKI,Maximilian KRUTH. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2024-06-26.

Electro-magnetic devices having multi-thickness elements, and methods of manufacturing electro-magnetic devices having multi-thickness elements

Номер патента: EP4341969A1. Автор: Rodney Brune,Benjamin HANSON,Matt Huber. Владелец: Vishay Dale Electronics LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Magnet Device

Номер патента: US20230187108A1. Автор: Kasia Webley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-15.

Magnetizing device

Номер патента: US20210110967A1. Автор: Chin-Ming Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-15.

Detachable magnet device

Номер патента: US20240290526A1. Автор: Braden ELIASON,Jeffery M. Eliason,Mitchell PORCH,Joseph Funk,Benjamin J. LARSEN,David A. Melander,Rebecca E. Wereley. Владелец: Magnetic Mechanisms LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

A new type of magnetization device

Номер патента: CA2409766A1. Автор: Guo Hua Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-15.

Power conversion module and magnetic device thereof

Номер патента: US12062479B2. Автор: Da Jin,Yahong Xiong,Yang Leng,Zhongwang Yang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Magnetic coupling unit and magnetic coupling system

Номер патента: US09570935B2. Автор: Takashi Miyamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Fluid pipe magnetization unit and fluid pipe magnetization device with the same

Номер патента: US20230219101A1. Автор: Ching-Ho Yu,Yung-Hsiang Wang,Chih-Chieh Mo. Владелец: Emio Yu Intellectual Property Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Magnetic device

Номер патента: US20050073384A1. Автор: Nobuya Matsutani,Tsunetsugu Imanishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Magnetic device

Номер патента: US20240347256A1. Автор: Da Jin,Yahong Xiong,Yang Leng,Zhongwang Yang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic device for gripping and clamping workpieces

Номер патента: WO2012123856A1. Автор: Alessandro Zanella,Tommaso Luchetti,Antonella Turi. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for manufacturing high-performance NdFeB rare earth permanent magnetic device

Номер патента: US09920406B2. Автор: Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Device for testing magnetic force of pole elements of magnetic devices and instruments

Номер патента: RU2746040C1. Автор: Александр Васильевич Сандуляк,Вера Александровна Ершова,Анна Александровна Сандуляк,Дарья Александровна Сандуляк,Мария Николаевна Полисмакова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "МИРЭА - Российский технологический университет". Дата публикации: 2021-04-06.

Flash storage device and operating method thereof

Номер патента: US20100268868A1. Автор: Shuihua Hu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-10-21.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Folding angle measuring device and vehicle composition

Номер патента: RU2748293C2. Автор: Ремо ТРАКСЕЛЬ. Владелец: Шармюллер Гезелльшафт М.Б.Х. Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2021-05-21.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Data storage method, apparatus, and device, and readable storage medium

Номер патента: US20230133665A1. Автор: Chen Li,Gang Dong,Rengang Li,Hongbin Yang,Yaqian ZHAO,Haiwei Liu,Dongdong JIANG. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-05-04.

Data storage method, apparatus, and device, and readable storage medium

Номер патента: US11698730B2. Автор: Chen Li,Gang Dong,Rengang Li,Hongbin Yang,Yaqian ZHAO,Haiwei Liu,Dongdong JIANG. Владелец: Inspur Electronic Information Industry Co Ltd . Дата публикации: 2023-07-11.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (mram)

Номер патента: US20150248238A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Sensor device including magnetoresistive sensor element and pre-magnetization device

Номер патента: US09482725B2. Автор: Armin Meisenberg,Axel Bartos,Reinhold Pieper. Владелец: MEAS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Systems, devices, and methods for electroporation induced by magnetic fields

Номер патента: AU2017357919B2. Автор: Matthew Rein Scholz,David Edwin Kirtley,Christopher James PIHL. Владелец: Sigma Genetics Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Devices and methods for separating particles

Номер патента: US09517474B2. Автор: Mark A. Eiteman,Taotao Zhu,Leidong Mao. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2016-12-13.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09569126B2. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Device for temperature control of field device and corresponding method

Номер патента: RU2698211C2. Автор: Марк Эдвард БАЙЕР. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2019-08-23.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Copying of power-on reset sequencer descriptor from nonvolatile memory to random access memory

Номер патента: US09858084B2. Автор: Alvin Anonuevo Manlapat,Ian Victor Pasion Beleno. Владелец: Bitmicro Networks Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and method of accessing random access memory

Номер патента: EP1031083A1. Автор: David Ashley Brown. Владелец: Intergraph Corp. Дата публикации: 2000-08-30.

Wearable electronic device with built-in intelligent monitoring implemented using deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257372A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Backup memory administration using an active memory device and a backup memory device

Номер патента: US09836370B2. Автор: Jeffrey R. Hamilton,Ross L. Mickens,Markesha F. Parker,Melba I. Lopez. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A2. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2006-08-17.

Address correcting method and device for a simultaneous dynamic random access memory module

Номер патента: US20030105915A1. Автор: Shin-Husiung Lien. Владелец: Optimum Care International Tech Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Method, device and terminal for check processing

Номер патента: RU2644138C1. Автор: Пэнфэй ЧЖАН,Тецзюнь ЛЮ,Синшэн ЛИНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-02-07.

Opto-magnetic sensor device and molecular recognition system

Номер патента: US20200386680A1. Автор: Riccardo Bertacco,Andrea Ivano Melloni,Parikshit Pratim SHARMA,Nicola PESERICO. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2020-12-10.

Non-volatile random access memory (nvram) as a replacement for traditional mass storage

Номер патента: EP2761469A1. Автор: James B. Crossland,Blaise Fanning,Leena K. Puthiyedath,Tony Opferman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Electronic device and method for operating file system of electronic device

Номер патента: EP4394617A1. Автор: Woojoong Lee,Jaewook KIM,Sungjong SEO,Yeongjin GIL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Opto-magnetic sensor device and molecular recognition system

Номер патента: EP3724637A1. Автор: Riccardo Bertacco,Andrea Ivano Melloni,Parikshit Pratim SHARMA,Nicola PESERICO. Владелец: Politecnico di Milano. Дата публикации: 2020-10-21.

Method and apparatus for concurrently communicating with multiple embedded dynamic random access memory devices

Номер патента: US20030014606A1. Автор: Ravi Arimilli,Sanjeev Ghai,William Starke,James Fields,Praveen Reddy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Dual-processor electronic device and method for quick boot up

Номер патента: US09940176B2. Автор: Irawan Kuncoro. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Device and method of user's input for control over displayed data

Номер патента: RU2558620C2. Автор: Микко НУРМИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2015-08-10.

Electronic device including a plurality of storage devices and operating method of electronic device

Номер патента: US20240319890A1. Автор: Sangyoon Oh,Wonchul Lee,Jin-Hee Ma,Kyuho Son,Jaigyun LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method and system for providing instant responses to sleep state transitions with non-volatile random access memory

Номер патента: US09958926B2. Автор: Raj K. Ramanujan,Vincent J. Zimmer,Blaise Fanning,Michael Rothman,Leena K. Puthiyedath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Magnetizing devices for flaw detection of rail foot

Номер патента: RU2745662C1. Автор: Анатолий Аркадиевич Марков,Андрей Геннадьевич Антипов,Владимир Александрович Бовдей. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиоавионика". Дата публикации: 2021-03-30.

Dynamic Management of Random Access Memory

Номер патента: US20120215975A1. Автор: Loic Pallardy,Michel Catrouillet. Владелец: ST Ericsson France SAS. Дата публикации: 2012-08-23.

Real-Time Quantum Random Access Memory

Номер патента: US20230229948A1. Автор: Hichem El Euch,Ashraf KHALIL,Mohammed Abdellatif Abdelaal Zidan,Abdulhaleem Mohamed Ahmed Abdelaty,Mahmoud Mohamed Ahmed Abdel-Aty. Владелец: Abu Dhabi University. Дата публикации: 2023-07-20.

Data storage device and data maintenance method thereof

Номер патента: US20170270047A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Approach for allocating virtual bank managers within a dynamic random access memory (DRAM) controller to physical banks within a DRAM

Номер патента: US09436625B2. Автор: John H. Edmondson,Shu-Yi Yu,Ram Gummadi. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Read/write control method and device for ddr dynamic random access memory, and system

Номер патента: US20230251982A1. Автор: Xitong Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and Methods for Managing Dynamic Random Access Memory (DRAM)

Номер патента: US20200004691A1. Автор: Jani Kokkonen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Magnetization device for devices for nondestructive inspection of long items

Номер патента: RU2702809C1. Автор: Анатолий Аркадиевич Марков,Андрей Геннадиевич Антипов. Владелец: Открытое акционерное общество "Радиоавионика". Дата публикации: 2019-10-11.

Enhanced system sleep state support in servers using non-volatile random access memory

Номер патента: US09829951B2. Автор: Mohan J. Kumar,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Stack processor using a ferroelectric random access memory (F-RAM) for code space and a portion of the stack memory space having an instruction set optimized to minimize processor stack accesses

Номер патента: US09588881B2. Автор: Franck Fillere. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Non-contact longitudinal magnetizing device for in-pipe defectoscopy of pipelines

Номер патента: RU2745013C1. Автор: Яков Исаакович Биндер,Валерий Анатольевич Смирнов,Алексей Витальевич Гапонцев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «ИЛИНЭТ». Дата публикации: 2021-03-18.

Synchronous multi-port random access memory

Номер патента: WO1997011419A3. Автор: Tom North,Francis Siu. Владелец: Shablamm Computer Inc. Дата публикации: 1997-04-24.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: US20210165580A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Providing a dynamic random-access memory cache as second type memory

Номер патента: EP4070202A1. Автор: Balaram Sinharoy,Alper Buyuktosunoglu,Bulent Abali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Miniature magnetic device package

Номер патента: WO2003040659A9. Автор: Brian George Babin. Владелец: American Electronic Components. Дата публикации: 2003-10-30.

Application pre-layout in byte-addressable persistent random access memory

Номер патента: US09952879B2. Автор: KY Srinivasan,Edmund NIGHTINGALE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20230342302A1. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for storing data in storage device and storage device

Номер патента: EP4386517A1. Автор: Qiang Sheng,Jiaqiang Xia,Gangpin Mao,Zhenghua TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Random access memory power savings

Номер патента: WO2019045931A1. Автор: Sebastien Andre Jean. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Accelerated dram (dynamic random access memory) training

Номер патента: US20240241842A1. Автор: Saravanan Sethuraman,Tonia M. ROSE,Caroline GRIMES. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US10324869B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-18.

Storage device including random access memory devices and nonvolatile memory devices

Номер патента: US11216394B2. Автор: Youngjin Cho,Han-Ju Lee,Youngkwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Memory-access management method and system for synchronous dynamic random-access memory or the like

Номер патента: WO2003083661A1. Автор: Jiin Lai,Chihkuo Kao. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: US20230289063A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Intelligent low power modes for deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2022031447A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and system for secure management of backup copies of states of remote computing devices, with the function of encryption of random access memory on a central processing unit, using quantum key distribution

Номер патента: RU2739135C1. Автор: Олег Дмитриевич Гурин. Владелец: Олег Дмитриевич Гурин. Дата публикации: 2020-12-21.

Head-mounted display device and method performed by them

Номер патента: RU2749643C1. Автор: Хосе АРАУХО,Сома ТАЙАМОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-06-16.

Accessing of a modified word organized random access memory

Номер патента: CA1058768A. Автор: David C. Van Voorhis,Thomas H. Morrin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-07-17.

System setting operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US11899584B2. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Reverse polish notation processing device, and electronic integrated circuit including such a processing device

Номер патента: US20070192569A1. Автор: Sylvain Garnier,Patrice Menard,Bruno Faidherbe. Владелец: Atmel Nantes SA. Дата публикации: 2007-08-16.

Flexible access and control of dynamic random access memory

Номер патента: WO2006085173A3. Автор: Jukka-Pekka Vihmalo,Matti Floman,Jani Klint. Владелец: Jani Klint. Дата публикации: 2007-01-18.

Computer system including reconfigurable arithmetic device and reconfigurable arithmetic device

Номер патента: US20100332795A1. Автор: Hiroshi Furukawa,Ichiro Kasama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

System setting including operating frequency of random access memory based on cache hit ratio and operating method thereof

Номер патента: US20240152456A1. Автор: Kwang Ho Choi,Moon Hyeok Choi,Nam Hyeok JEONG,Yong Wan HWANG,Tae Woong HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Programmable logic device with subroutine stack and random access memory

Номер патента: US5042004A. Автор: Kapil Shankar,Om Agrawal. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1991-08-20.

User interface, device and method for displaying special locations on map

Номер патента: RU2500016C2. Автор: Санна Маарит БЕЛИТЦ,Йорма Тапио СУУТАРИНЕН,Ари Пекка ХИРВОНЕН. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2013-11-27.

Communicating random access memory

Номер патента: US4616310A. Автор: Richard E. Matick,Frederick H. Dill,Daniel T. Ling,Dennis J. McBride. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-10-07.

Platform storage hierarchy with non-volatile random access memory having configurable partitions

Номер патента: EP2761468A1. Автор: Michael A. Rothman,Vincent J. Zimmer,Mark S. Doran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-06.

Magnet device

Номер патента: US20070057667A1. Автор: Tsutomu Yamamoto,Takeshi Nakayama,Ryuya Ando,Mitsushi Abe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-03-15.

Similarity determination method, device and terminal

Номер патента: RU2664002C2. Автор: Пинцзэ ВАН,Тао ЧЗАН,Фэй Лун. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2018-08-14.

Electronic system and method for controlling burst length to access memory device of electronic system

Номер патента: EP4246337A1. Автор: Bo-Wei Hsieh,Chen-Chieh WANG,Szu-Ying Cheng,Jou-Ling Chen. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Information processing device and non-transitory computer-readable storage medium for storing reception processing program

Номер патента: US11561924B2. Автор: Hiroki Ohtsuji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Data storage device and data storage method for optimizing the data storage device

Номер патента: US10776228B2. Автор: Shen-Ting Chiu,Kuan-Yu KE,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-09-15.

Information processing device and non-transitory computer-readable storage medium for storing reception processing program

Номер патента: US20210374089A1. Автор: Hiroki Ohtsuji. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Intelligent radar having deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US20240255614A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic device and magnetic random access memory

Номер патента: US12075711B2. Автор: Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of forming a flux concentrating layer of a magnetic device

Номер патента: WO2004079742A3. Автор: Jaynal A Molla,J Jack Ren,Urson John J D. Владелец: Urson John J D. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of forming a flux concentrating layer of a magnetic device

Номер патента: WO2004079742A2. Автор: Jaynal A. Molla,J. Jack Ren,John J. D'urson. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Magnetic random access memory cell and magnetic random access memory

Номер патента: US20240276889A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-diameter magnetic random-access memory pillar structure

Номер патента: US12108685B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Magnetic random-access memory cell, memory and device

Номер патента: US12029135B2. Автор: Weisheng Zhao,Zhaohao Wang,Kaihua Cao,Gefei Wang. Владелец: BEIHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-02.

Information delivery method, data transmission method, device and system

Номер патента: RU2718236C1. Автор: Вэй ХУН,Цзюецзя ЧЖОУ,Мин ЧЗАН. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-03-31.

Hybrid automatic request for repeating with the polar code method and device and a wireless communication device

Номер патента: RU2669743C1. Автор: Бинь ЛИ,Хой ШЭНЬ,Юйчэнь СИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-15.

Communication method, communication device and network device

Номер патента: RU2749827C1. Автор: Чжэ ЦЗИНЬ,Вэйлян ЧЖАН,Чжиху ЛО,Юйвань СУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-17.

Device and method for accessing target cell

Номер патента: RU2758933C2. Автор: Цинхай ЦЗЭН,Жуй ВАН,Минцзэн ДАЙ,Чун ЛОУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-03.

Data transmission method, communication device and system

Номер патента: RU2767505C2. Автор: Син Лю,Цюйфан ХУАН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-17.

Device and method for listening to the uplink channel

Номер патента: RU2747845C1. Автор: Лэй ГУАНЬ,Юань ЛИ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-05-17.

Method for indicating control channel resources, subscriber device and network device

Номер патента: RU2760155C2. Автор: Сюй ЧЖАН,Лися СЮЭ,Бинюй ЦЮЙ,Цзюньчао ЛИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-22.

Transmission device and method

Номер патента: RU2644559C2. Автор: Чаоцзюнь ЛИ,Минюй ЧЖОУ,Жунхой ВЭНЬ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-02-13.

Communication method, communication device and system

Номер патента: RU2770652C2. Автор: Ян ЧЖАО,Хунпин ЧЖАН,Вэньцзе ПЭН,Минцзэн ДАЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-04-20.

System, device and method of establishing a session

Номер патента: RU2765987C2. Автор: Хао ЦЗИН,Цзайфэн ЦЗОН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-02-07.

Wireless access method and associated device and system

Номер патента: RU2679882C1. Автор: Цзяньхуа СЮЙ,Жуи СУНЬ,Сяочэнь ЧЭНЬ. Владелец: Хуавей Дивайс (Дунгуань) Ко., Лтд. Дата публикации: 2019-02-14.

Spin orbit torque magnetic random access memory cell, memory array, and memory

Номер патента: US20230276637A1. Автор: Ming Liu,Huai Lin,Guozhong XING. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-08-31.

System, device and method of managing mobility

Номер патента: RU2737964C1. Автор: Фэньцинь ЧЖУ,Хао ЦЗИН,Цзайфэн ЦЗОН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-07.

Image processing device and method

Номер патента: RU2733096C2. Автор: Такэси ЦУКУБА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-09-29.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Electronic device and dynamic random access memory thereof

Номер патента: US09839121B2. Автор: Han-Hung CHENG,Chi-Fen KUO. Владелец: Alson Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Mobile communication method, radio access network device and mobile station

Номер патента: RU2534215C2. Автор: Катсутоси НИСИДА,Кенитиро АОЯГИ,Симпей КАВАКАЦУ,Кенити КАТАЯМА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2014-11-27.

Device and method for indicating a detection window

Номер патента: RU2767052C2. Автор: Синхуа СУН,Цзянцинь ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-16.

User device and base station

Номер патента: RU2738053C1. Автор: Хидеаки ТАКАХАСИ,Тоору ЮТИНО,Наото ООКУБО,Рюсуке МАЦУКАВА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2020-12-07.

Method of returning channel state information, a terminal device and a network device

Номер патента: RU2720178C1. Автор: Е Ян,Байлун СУ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-27.

Device and method for configuring frequency and time resource transmission direction

Номер патента: RU2730967C1. Автор: Лили ЧЖАН,Гожун ЛИ,Хунчэн ЧЖУАНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-26.

Method of preliminary resource definition at random access, user device and base station

Номер патента: RU2638181C2. Автор: Фан НАНЬ,Чжэн ЮЙ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-12-12.

Device and method of suppressing noise

Номер патента: RU2651585C1. Автор: Шэн ЛЮ,Тэянь ЧЭНЬ,Юй ЦАЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-23.

Mobile communication method, network radio access device and mobile station

Номер патента: RU2595552C1. Автор: Хидеаки ТАКАХАСИ,Юта САГАЭ,Хироси ТИН. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2016-08-27.

Device and method of transmitting data

Номер патента: RU2686852C1. Автор: Цзюнь ЛО,Инпэй ЛИНЬ,Цзюнь Чжу,Цзиюн ПАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-06.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method, data transmission device and communication system

Номер патента: RU2754435C2. Автор: Фын ЮЙ,Синь СЮН,Хайфэн ЮЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-09-02.

Method, device and system of administration communication control between account and device

Номер патента: RU2636524C2. Автор: Цзыгуан ГАО,Эньсин ХОУ,Минцзюнь ИНЬ. Владелец: Сяоми Инк.. Дата публикации: 2017-11-27.

Service processing method, a service processing device and a communication system

Номер патента: RU2689188C1. Автор: Сяобо У,Вэйвэй ЧУН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-05-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Magnetic device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240324245A1. Автор: Yuan Hao Chang,Shih-Hao Lin,Jui-Lin Chen,Hsin-Wen Su,Ping-Wei Wang,Chenchen Jacob WANG,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Mobile communication system, network device and mobile communication method

Номер патента: RU2526887C2. Автор: Микио ИВАМУРА,Кадзунори ОБАТА,Юитиро НАКАМУРА,Кенитиро АОЯГИ,Хидеюки МАЦУТАНИ,Такахиро ХАЯШИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of measuring characteristics of beams, end device and network device

Номер патента: RU2721787C1. Автор: Хуа СЮЙ,Хай ТАН,Янань ЛИНЬ,Нин ЯН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-22.

User device and method of mobile communication

Номер патента: RU2552385C1. Автор: Хироюки ИСИ,Такеши НАКАМОРИ. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2015-06-10.

Signal transmission method, terminal device, and network device

Номер патента: RU2747209C1. Автор: Чжи ЧЖАН,Вэньхун ЧЭНЬ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-04-29.

Communication method, a communication device and communication equipment for wireless charging, as well as a data medium

Номер патента: RU2734714C1. Автор: Янтэн ВАН,Кайци У. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for determining direct connection category, terminal device and network device

Номер патента: RU2750815C1. Автор: Цяньси ЛУ,Хуэй-Мин ЛИНЬ. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-07-05.

Method, device and system of steam recording configuration

Номер патента: RU2651143C1. Автор: Байлинь ВЭНЬ,Фанпин ЛИУ,Вейфен ШЕНЬ,Хонкуан ЛИУ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-04-18.

Magnetic random access memory with thermally stable magnetic tunnel junction cells

Номер патента: US6518588B1. Автор: Stuart S. P. Parkin,Mahesh G. Samant. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-11.

Resistance Random Access Memory Structure for Enhanced Retention

Номер патента: US20120037876A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Transmission of multi-slot modified random access channel with extended coverage

Номер патента: RU2718965C1. Автор: Юрген ХОФМАНН,Хартмут ВИЛЬГЕЛЬМ,Сатхиаселан СУНДАРАЛИНГАМ,Сринивасан СЕЛВАГАНАПАТХИ,Мунендер ЧИРАНДЖИ. Владелец: Нокиа Текнолоджиз Ой. Дата публикации: 2020-04-15.

Magnetizing device and magnetizing method

Номер патента: US20240291338A1. Автор: Shinji Nemoto,Toshitaka Kato,Tokio Taira. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Communication system, information processing device and femto-base station therein, method and programme for control thereof and method of transmitting information to femto-base station

Номер патента: RU2543559C2. Автор: Йосио УЕДА,Масато СИНДО. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-10.

Image processing device and method

Номер патента: RU2740164C2. Автор: Ёситака МОРИГАМИ,Кадзуси САТО,Суо ЛУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2021-01-12.

Polar code coding method and device, a wireless device and a computer-readable medium

Номер патента: RU2729773C1. Автор: Цзянь ВАН,Цзюнь Ван,Чэнь СЮЙ,Цзукан ШЭНЬ,Жун ЛИ,Гунчжэн ЧЖАН,Ин Чен,Шэнчэнь ДАЙ,Линчэнь ХУАН,Юньфэй ЦЯО,Инган ДУ,Южуй ХУАНФУ,Хуацзы ЧЖАН,Хэцзя ЛО,Никита ПОЛЯНСКИЙ,Михаил КАМЕНЕВ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-12.

Video encoding device and method

Номер патента: RU2767993C1. Автор: Сюй ЧЭНЬ,Цзичэн АНЬ,Цзяньхуа ЧЖЭН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-22.

Spin-orbit torque magnetic random-access memory (sot-mram) device

Номер патента: EP4307871A1. Автор: Dmytro Apalkov,Jaewoo JEONG, Ikhtiar. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-17.

Decoding device and decoding method

Номер патента: RU2752695C2. Автор: Кадзуси САТО,Суо ЛУ. Владелец: Вилос Медиа Интернэшнл Лимитед. Дата публикации: 2021-07-30.

Device and method for adaptive compensation of distortion and restoration of carrier signal for coherent receivers

Номер патента: RU2664019C9. Автор: Ашот Эрнстович Кочарян. Владелец: Ашот Эрнстович Кочарян. Дата публикации: 2019-08-15.

Method of implementing safety, device and system

Номер патента: RU2728893C1. Автор: Бо Чжан,Жун У,Лу ГАНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-08-03.

Image processing device and method

Номер патента: RU2641259C2. Автор: Ёситака МОРИГАМИ,Кадзуси САТО,Суо ЛУ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2018-01-16.

Image processing device and method

Номер патента: RU2701715C2. Автор: Кадзуси САТО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-09-30.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Resistive random access memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11737380B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for charging a depleted battery of a wireless charging device and a wireless charging device therefor

Номер патента: US20240266843A1. Автор: Markus Wobak,Ulrich Neffe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for charging a depleted battery of a wireless charging device and a wireless charging device therefor

Номер патента: EP4412032A1. Автор: Markus Wobak,Ulrich Neffe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-08-07.

Resistive random access memory and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4418844A1. Автор: XUE Zhou,Xiaojie Wang,Qing QIN,Huifang JIAO,Xixia LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Relay station for signal relay between user device and base station and signal relay method

Номер патента: RU2543978C2. Автор: Микио ИВАМУРА,Хидеаки ТАКАХАСИ,Ясуфуми МОРИОКА,Акира Ямада,Дзюнитиро ХАГИВАРА. Владелец: Нтт Докомо, Инк.. Дата публикации: 2015-03-10.

Flow table management method and relevant device and system

Номер патента: RU2668065C2. Автор: Вэй ЧЖОУ,Пэнчэн ТАН. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-25.

Communication method, terminal device and network device

Номер патента: RU2767767C2. Автор: Жуйсян МА,Юнся ЛЮЙ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-21.

Method, device and communication system

Номер патента: RU2763019C2. Автор: Сюй ЧЖАН,Чжэн ЧЕНЬ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-24.

Information processing device and information processing method

Номер патента: RU2718165C2. Автор: Юити МОРИОКА,Такеси ИТАГАКИ,Томоя ЯМАУРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2020-03-30.

Resistive random access memory with preformed filaments

Номер патента: US12127486B2. Автор: YANG Pan,Hyungsuk Yoon,Thorsten Lill. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method, device and data transmission system for direct communication

Номер патента: RU2768371C1. Автор: Цюнь ЧЖАО. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-24.

Method, device and wireless communication system

Номер патента: RU2663818C1. Автор: Хуан ХУАН,Сайнань ЛИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-08-10.

Wireless access method and associated device and system

Номер патента: RU2648289C2. Автор: Цзяньхуа СЮЙ,Жуи СУНЬ,Сяочэнь ЧЭНЬ. Владелец: Хуавей Дивайс (Дунгуань) Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-03-23.

Resistive random access memory (RRAM) structure and forming method thereof

Номер патента: US12041863B2. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049612A1. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Stretchable self-healing resistive random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215465A1. Автор: Jinhong Park,Yong Jun Park,Donghee SON,Minbaek Lee,Duhwan Seong. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US12133474B2. Автор: Jun Xie,Chien-Ting Lin,Chin-Yang Hsieh,Yu-Tsung Lai,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-Wei Tseng,Yi-Hui Lee,Kun-Chen Ho,Ying-Cheng Liu,Yi-An Shih,Yi-Syun Chou,Chang-Min Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive random access memory structure

Номер патента: US20240334850A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing resistive random access memory structure

Номер патента: US12063875B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Ching-Yung Wang,Chien-Hsiang Yu,Yen-De Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Access to the wireless communication network, associated device and system

Номер патента: RU2682856C1. Автор: Вэйшэн ЦЗИНЬ,Юян ЮЙ,Хуань ЛИ. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-03-21.

Device and method of indication information transmission

Номер патента: RU2668112C1. Автор: Янь Чэнь,Сюцян СЮЙ,Ицюнь У,Лу ЖУН,Шуньцин ЧЖАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-26.

Data transfer method, network device, and terminal device

Номер патента: RU2750583C1. Автор: Хай ТАН,Янань ЛИНЬ,Нин ЯН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-06-29.

Magnetoresistive random access memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240196759A1. Автор: Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen,Hung-Chan Lin. Владелец: Unite Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Transmitting a random access response message

Номер патента: RU2687033C1. Автор: Рапепат РАТАСУК,Юань Тао ЧЗАН,Янь Цзи ЧЗАН,Нитин МАНГАЛВЕДЕ. Владелец: Нокиа Солюшнс энд Нетуоркс Ой. Дата публикации: 2019-05-06.

Network device, user device and random access method

Номер патента: RU2738820C1. Автор: Цзянь ВАН,Хайбо СЮЙ,Чжэньчжэнь ЦАО,Бинчжао ЛИ,Сяндун ЧЖАН,Чутин ЯО. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods and structures for controlling retransmission of device over random access channel in wireless communication network

Номер патента: RU2699394C1. Автор: Никлас ЙОХАНССОН,Бьёрн ХОФСТРЁМ,Джон Уолтер ДИАЧАЙНА,Клаэс-Йёран ПЕРССОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-09-05.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US20010017670A1. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for random access to picture blocks in video pictures

Номер патента: US6559897B2. Автор: Andreas Menkhoff,Günter Scheffler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-06.

Methods of manufacturing spin-orbit-torque magnetic device

Номер патента: US20240365685A1. Автор: Shy-Jay Lin,Mingyuan SONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method of generating downlink modulating signal, respective device and system

Номер патента: RU2542940C2. Автор: Шэн ЛЮ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-02-27.

Image processing device and method

Номер патента: RU2680741C2. Автор: Кадзуси САТО,Ёситомо ТАКАХАСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-26.

Image processing device and method

Номер патента: RU2658793C2. Автор: Кадзуси САТО,Ёситомо ТАКАХАСИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-22.

Doped narrow band gap nitrides for embedded resistors of resistive random access memory cells

Номер патента: WO2016094233A1. Автор: Milind Weling,Mihir Tendulkar. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2016-06-16.

Method of determining frequency-domain offset parameter, user equipment (ue), random access method, method for configuring random access information, corresponding device and computer readable medium

Номер патента: EP3698595A1. Автор: Chen Qian,Bin Yu,Qi Xiong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-26.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Method of the service handover between networks, device and system

Номер патента: RU2663218C1. Автор: Хай ЛЮ,Сяобо У,Далян ЧЖАН,Синьюн ВАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of transmitting service between networks, device and system

Номер патента: RU2627026C2. Автор: Хай ЛЮ,Сяобо У,Далян ЧЖАН,Синьюн ВАН. Владелец: Хуавэй Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of transmitting signals, terminal device and network device

Номер патента: RU2719465C1. Автор: Хай ТАН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнз Корп., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method and device for processing transmission units, electronic device and computer-readable data medium

Номер патента: RU2767193C1. Автор: Цинь МУ. Владелец: Бейдзин Сяоми Мобайл Софтвэр Ко., Лтд.. Дата публикации: 2022-03-16.

Response to preamble of random access channel with flexible dedication of upperlink resources

Номер патента: RU2469512C2. Автор: Юха С. КОРХОНЕН,Эса М. МАЛКАМАКИ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2012-12-10.

Random access channel selection and configuration method, access device and network device

Номер патента: EP3975654A1. Автор: Yingmin Wang,Shaohui Sun,Shaoli Kang,Deshan Miao. Владелец: Datang Mobile Communications Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-30.

Method, terminal device, base station for power control in random access procedure

Номер патента: EP4243513A1. Автор: Zhipeng LIN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-09-13.

Method and apparatus for determining random access resource configuration, and devices and storage medium

Номер патента: EP4447597A1. Автор: Yumin Wu,Xiaofei Liu. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Resource sending method and apparatus, related device and storage medium

Номер патента: EP4447582A1. Автор: JING Dong,Qixing Wang,Guangyi Liu. Владелец: China Mobile Communications Ltd Research Institute. Дата публикации: 2024-10-16.

Mobile station, wireless network access device and system and method for mobile communication

Номер патента: RU2420919C2. Автор: Минами ИШИ,Садаюки АБЭТА,Такехиро НАКАМУРА,Анил УМЕШ. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2011-06-10.

Method and apparatus for mapping the primary operational sequences of an algorithm in a compute unit having an internal random access memory

Номер патента: US7650322B2. Автор: Yosef Stein,Hazarathaiah Malepati,Gregory M. Yukna. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Resistive random-access memory device with step height difference

Номер патента: US20230301217A1. Автор: Seyoung Kim,Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Asit Ray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: AU2021266219A1. Автор: Xuelong Wang,Haibo Xu,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Junren Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Random access method and apparatus

Номер патента: EP3917268A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

User device and base station device

Номер патента: AU2019427844A1. Автор: Hideaki Takahashi,Tooru UCHINO. Владелец: NTT DOCOMO INC. Дата публикации: 2021-07-22.

Random access method and apparatus

Номер патента: AU2020220922A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Random access method and apparatus

Номер патента: CA3130415A1. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Random access method and apparatus

Номер патента: AU2020220922B2. Автор: Xiaoying Xu,Chunhua YOU,Qufang Huang,Chong LOU,Qiang Fan,Yinghao GUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Random access method and device

Номер патента: EP3920647A1. Автор: Yue Ma,Yumin Wu. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Random access method, terminal device and network device

Номер патента: AU2021266219B2. Автор: Xuelong Wang,Haibo Xu,Bingzhao Li,Zhenzhen CAO,Junren Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Wearable magnetic device and method for subjecting a body region to a magnetic field

Номер патента: US20160166844A1. Автор: Loh You Chua. Владелец: ESMO TECHNOLOGIES Pte Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Magnetic devices for resectioning a portion of a bodily organ

Номер патента: US20240277371A1. Автор: Michel Gagner. Владелец: Ballast Medical Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetic devices for resectioning a portion of a bodily organ

Номер патента: CA3207008A1. Автор: Michel Gagner. Владелец: Ballast Medical Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Magnetic devices and uses thereof

Номер патента: US09962554B2. Автор: Yvonne Ya-Wen FENG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-08.

Magnetic devices for digestive tract partitioning

Номер патента: CA3172308A1. Автор: Michel Gagner. Владелец: Ballast Medical Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Magnetic devices and methods for magnetically clamping a portion of a hollow organ of the digestive tract

Номер патента: WO2024229017A1. Автор: Michel Gagner. Владелец: Gt Metabolic Solutions, Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic devices and methods for magnetically clamping a portion of a hollow organ of the digestive tract

Номер патента: US20240366229A1. Автор: Michel Gagner. Владелец: GT Metabolic Solutions Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Magnetic therapeutic device and methods of using the same

Номер патента: WO2015157130A1. Автор: E Berdut-Teruel. Владелец: E Berdut-Teruel. Дата публикации: 2015-10-15.

Magnetic Therapeutic Device and Methods of Using the Same

Номер патента: US20220023653A1. Автор: Elberto Berdut-Teruel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-01-27.

Reusable Magnetic Device for Temporary Retention of a Vehicle Opening Element

Номер патента: US20190283825A1. Автор: Phil Pascoe. Владелец: Quadrant Magnetics LLC. Дата публикации: 2019-09-19.

Systems, devices, and methods for endoscope or laparoscope magnetic navigation

Номер патента: US12053181B2. Автор: Shani Mann,Dane T. Seddon,Roman I. Kats. Владелец: GI Windows Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Magnetic device, vapor deposition device and vapor deposition method

Номер патента: US09650709B2. Автор: Jie Yin,Dejiang Zhao,Jianwei Yu,Haoran GAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Intragastric magnetic device and delivery system

Номер патента: EP4408354A1. Автор: Shahriar Sedghi. Владелец: Appetec Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Cartridge of electric shock device and ignition methods thereof

Номер патента: RU2711551C2. Автор: Яков Владимирович Чивилев,Юрий Александрович Котулев. Владелец: Габлия Юрий Александрович. Дата публикации: 2020-01-17.

Recording device and method of controlling recording device

Номер патента: RU2481958C2. Автор: Хироюки САКАГУТИ,Тору ТАКАМИ,Синго ТОДАКА,Такаси АОКИ. Владелец: СЕЙКО ЭПСОН КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2013-05-20.

Methods of treating dental patients using multi-polar magnetic devices

Номер патента: US20140335476A1. Автор: Laurie A. Bechler,Joseph R. Mele. Владелец: BLMJ HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2014-11-13.

Magnetic devices for altering loading across joints

Номер патента: AU2024204099A1. Автор: Stephen D. Cook,Michael C. Harrison,Liam P. Nolan,Laura P. Patron,Samantha L. SALKED. Владелец: Fellowship of Orthopaedic Researchers Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic device

Номер патента: EP4397216A1. Автор: Yisheng Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Multi-polar magnetic devices for treating patients and methods therefor

Номер патента: US20130317278A1. Автор: Laurie A. Bechler,Joseph R. Mele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Pillow comprising magnetic devices

Номер патента: WO2023075709A2. Автор: PING Yang,Zaid Ahmed KHAN. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2023-05-04.

Magnetic filter element and magnetic filtering assembly apparatus and method

Номер патента: WO2023133620A1. Автор: Roger M. Simonson. Владелец: 1773048 Alberta Ltd.. Дата публикации: 2023-07-20.

Adjustable Depth Magnetic Device

Номер патента: US20180111237A1. Автор: Jim G. MICHAEL. Владелец: Creative Engineering Solutions Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetization device

Номер патента: US20040112817A1. Автор: Guo-Hua Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Magnetic filter and magnetic filtering assembly

Номер патента: EP2121162A1. Автор: Roger M. Simonson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-25.

Magnet device for a feed mixing wagon or a stationary feed mixer

Номер патента: US20240341273A1. Автор: Hauler ATTILA. Владелец: Mayer Verwaltungs GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetic device for magneto caloric heat pump regenerator

Номер патента: US09631843B2. Автор: Michael Alexander Benedict. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Liquid spraying structure with magnetization device

Номер патента: US20210362173A1. Автор: Chin-Ming Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-11-25.

TEST DEVICE AND TEST METHOD FOR RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120079330A1. Автор: KANDA Kazushige,KAWAGUCHI Kazuaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-29.

Magnetic device manufacturing method and magnetic device manufacturing apparatus

Номер патента: JP4869987B2. Автор: 英男 大野,正二 池田,一修 小野. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2012-02-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR PLACING A CALL ON A SELECTED COMMUNICATION LINE

Номер патента: US20120003968A1. Автор: LAZARIDIS Mihal. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM INCLUDING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE AND ELECTRONIC VALVE INDICATOR AND LOCATOR DEVICE

Номер патента: US20120004538A1. Автор: Bertrand William J.,Speckman Lori C.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR FACILITATING SHORT-RANGE WIRELESS COMMUNICATIONS BETWEEN A MOBILE WIRELESS DEVICE AND AN AUXILIARY SYSTEM

Номер патента: US20120003936A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Random-access magnetic memory cell

Номер патента: RU2704732C1. Автор: Лев Александрович Фомин,Илья Валентинович Маликов,Анатолий Васильевич Черных. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук. Дата публикации: 2019-10-30.

MAGNETIC RECORDING AND REPRODUCTION DEVICE AND FLYING HEIGHT CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002319A1. Автор: KONDO Masayuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF ILLUMINATION

Номер патента: US20120001553A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CUFF FOR BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE AND BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120004560A1. Автор: KAWANO Atsushi,SANO Yoshihiko,FUJITA Reiji,Nishioka Takanori,Tanaka Takahide. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method of arranging static data objects in heterogeneous random-access memory

Номер патента: RU2422883C1. Автор: Михаил Петрович Левин,Вячеслав Юрьевич Подшивалов,Константин Александрович Карасёв,Жу-Янг ХВАНГ. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2011-06-27.

IMAGE PROCESSING DEVICE AND IMAGE PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002067A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Video Signal Interpolation Device, Video Display Device, and Video Signal Interpolation Method

Номер патента: US20120002105A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE READ DEVICE AND COPIER

Номер патента: US20120002252A1. Автор: Fujii Takashi,Kubo Hiroshi,Kosuga Yasuo,Nagano Tatsuaki,Morita Kenichiro,Akai Takeshi. Владелец: RICOH COMPANY, LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SLIDE GLASS STORAGE DEVICE, CONVEYING DEVICE AND MICROSCOPE SYSTEM

Номер патента: US20120002277A1. Автор: Machida Yuichi,Suzuki Fumiyasu,Hirono Yu. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DISK-SHAPED RECORDING MEDIUM, OPTICAL SPOT POSITION CONTROL DEVICE, AND OPTICAL SPOT POSITION CONTROL METHOD

Номер патента: US20120002519A1. Автор: Horigome Junichi. Владелец: Sony Optiarc Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

VEHICLE CONTROL DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE

Номер патента: US20120004801A1. Автор: Watanabe Takashi. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic device of valve control

Номер патента: RU2405999C1. Автор: Сергей Юрьевич Петров. Владелец: Сергей Юрьевич Петров. Дата публикации: 2010-12-10.

Portable magnetic device

Номер патента: RU2350976C1. Автор: Владимир Анатольевич Захаров,Геннадий Яковлевич Безлюдько,Сергей Михайлович Молин. Владелец: Государственное учреждение Физико-технический институт Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2009-03-27.

Cell of static random access memory

Номер патента: RU2573226C2. Автор: Сергей Феофентович Тюрин. Владелец: Сергей Феофентович Тюрин. Дата публикации: 2016-01-20.

Magnetic device for exciting optic vortexes

Номер патента: RU2249839C2. Автор: . Владелец: ЗАО "Центр-ВОСПИ". Дата публикации: 2005-04-10.

Device and method for oil and gas wells exploration

Номер патента: RU2375567C2. Автор: Альберт Эдуардович Ибрагимов,Олег Михайлович Бондаренко,Ильгиз Вакилович Гиздатуллин,Игорь Валерьевич Лукоянов,Альберт Эдуардович Ибрагимов (RU),Ильгиз Вакилович Гиздатуллин (RU),Игорь Валерьевич Лукоянов (RU),Олег Михайлович Бондаренко (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "Геокомсервис". Дата публикации: 2009-12-10.

RANDOM ACCESS RESPONSE PROCESSING

Номер патента: US20120002606A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RANDOM ACCESS CHANNEL RESOURCE ALLOCATION

Номер патента: US20120002617A1. Автор: Vujcic Dragan. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic filter element and magnetic filtering assembly apparatus and method

Номер патента: AU2022432103A1. Автор: Roger M. Simonson. Владелец: 1773048 Alberta Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

ACTION ANALYSIS DEVICE AND ACTION ANALYSIS METHOD

Номер патента: US20120004887A1. Автор: Kawaguchi Kyoko,Tanabiki Masamoto. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic device of valve control

Номер патента: RU2406906C1. Автор: Сергей Юрьевич Петров,Сергей Юрьевич Петров (RU). Владелец: Сергей Юрьевич Петров. Дата публикации: 2010-12-20.

Magnetic device for electrochemistry

Номер патента: IES81061B2. Автор: John Michael David Coey,Gareth Hinds. Владелец: Gareth Hinds. Дата публикации: 2000-01-13.

Method and magnetic device for presowing treatment of seeds

Номер патента: RU2105449C1. Автор: Олег Николаевич Домнин. Владелец: Олег Николаевич Домнин. Дата публикации: 1998-02-27.

Method for estimating state of multi-parametric object (variants), computer equipment device and data carrier for realization of method

Номер патента: RU2271560C2. Автор: Леонард Леонардович Богатырев,Александр Анатольевич Куклин,Анатолий Леонидович Мызин,Алексей Владимирович Калина. Владелец: Алексей Владимирович Калина. Дата публикации: 2006-03-10.

Error correction means for random access memories

Номер патента: CA1073114A. Автор: Alan I. Groudan,H. Lee Treffinger,George F. Schroeder. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1980-03-04.

Plate for magnetic device mount

Номер патента: CA175346S. Автор: . Владелец: Scosche Industries Inc. Дата публикации: 2018-04-11.

Nonvolatile static random access memory devices

Номер патента: CA1141029A. Автор: Richard T. Simko. Владелец: Xicor LLC. Дата публикации: 1983-02-08.

Multi-port random access memory

Номер патента: CA2319239C. Автор: Garnet Frederic Randall Gibson,Steven William Wood. Владелец: Nortel Networks Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.