Isolationsgebiete zum isolieren von transistoren und die verfahren zum bilden davon
Номер патента: DE102023112458A1
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): Chia-Hui Lin, Po-Cheng Shih, Tai-Jung Kuo, Tze-Liang Lee, Wan Chen Hsieh, Zhen-Cheng Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-04-2024
Автор(ы): Chia-Hui Lin, Po-Cheng Shih, Tai-Jung Kuo, Tze-Liang Lee, Wan Chen Hsieh, Zhen-Cheng Wu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Verfahren zum Bilden eines Nanosheet-Transistors mit selbstausgerichteter dielektrischer Säule
Номер патента: DE112020005273B4. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-18.